CN109557448B - 基板检查装置及基板检查方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板检查装置以及基板检查方法。基板检查装置(1)是对形成有相互邻接并相向的配线(P1)、配线(P2)的基板(100)进行检查的基板检查装置，具备：第一探针(Pr)，用于接触配线(P1)的一端部；第二探针(Pr)，用于接触配线(P2)的一端部；电容测定部(31)，经由第一探针(Pr)及第二探针(Pr)，而将配线(P1)与配线(P2)之间的静电电容作为线间电容(Cx)来测定；以及第一判定部(22)，根据线间电容(Cx)来判定配线(P1)、配线(P2)中的至少一个配线的状态。

Description

基板检查装置及基板检查方法

技术领域

本发明涉及一种对基板进行检查的基板检查装置及基板检查方法。

背景技术

从前以来，已知有如下的技术：使检查对象的电路基板密接在上表面粘贴有绝缘膜的平板状的电极的所述绝缘膜上，以测定形成在电路基板上表面的焊盘(land)与电极之间的静电电容，并对所测定的静电电容与从良品基板获得的检查用基准数据进行比较，由此检查电路基板上表面的焊盘与电路基板下表面的焊盘之间的导通状态(例如，参照日本专利公开公报特开2001-13192号公报)。

但是，在所述技术中，形成在电路基板上表面的配线图案与电极，相隔了将电路基板的厚度与绝缘膜的厚度相加所得的厚度而相对向，因此，配线图案与电极的距离变长。配线图案和电极之间产生的静电电容与配线图案和电极的距离成反比，因此，若配线图案与电极的距离变长，则配线图案与电极之间产生的静电电容减少。

因此，形成在电路基板上表面的配线图案与电极之间产生的静电电容，变得比形成在电路基板下表面的配线图案与电极之间产生的静电电容小。其结果是，与对于形成在电路基板下表面的配线图案的检查精度相比，对于形成在电路基板上表面的配线图案的检查精度会下降。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种基板检查装置及基板检查方法，可减少由配线图案的位置所引起的检查精度的变化。

本发明的基板检查装置是对形成有相互邻接并相向的第一配线与第二配线的基板进行检查的基板检查装置，具备：第一探针，用于接触所述第一配线的一端部；第二探针，用于接触所述第二配线的一端部；电容测定部，经由所述第一探针及所述第二探针，而将所述第一配线与所述第二配线之间的静电电容作为线间电容来测定；以及第一判定部，根据所述线间电容，来判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的状态。

另外，本发明的基板检查方法是对形成有相互邻接并相向的第一配线与第二配线的基板进行检查的基板检查方法，包括：(a)使第一探针接触所述第一配线的一端部的工序；(b)使第二探针接触所述第二配线的一端部的工序；(c)经由所述第一探针及所述第二探针，而将所述第一配线与所述第二配线之间的静电电容作为线间电容来测定的工序；以及(d)根据所述线间电容，来判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的状态的工序。

根据这些结构，测定相互邻接并相向的第一配线与第二配线之间的线间电容，并根据所述线间电容来判定配线的状态。在此情况下，不存在如背景技术般，在基板上表面的配线与基板下表面的配线中静电电容变化的情况，因此，可减少由配线图案的位置所引起的检查精度的变化。

另外，优选的是，当所述线间电容大于作为事先设定的范围的上限值的线间上限值时，所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的线宽为粗。

根据此结构，在第一配线与第二配线中的至少一个配线的粗度脱离事先设定的范围而变粗的情况下，可判定线宽为粗。

另外，优选的是，当所述线间电容小于作为事先设定的范围的下限值的线间下限值时，所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的线宽为细或为断线不良。

根据此结构，在第一配线与第二配线中的至少一个配线的粗度，变得比事先设定的范围细的情况或已断线的情况下，可判定线宽为细或为断线不良。

另外，优选的是，当所述线间电容小于作为事先设定的范围的下限值的线间下限值、且大于事先设定为比所述线间下限值小的值的线间辨别值时，所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的线宽为细，当所述线间电容小于所述线间辨别值时，所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线为断线不良。

根据此结构，可针对第一配线与第二配线中的至少一个配线，判定线宽为细或为断线不良。

另外，优选的是，进而具备：第一断线位置推断部，根据所述线间电容来推断断线的位置。

根据此结构，在第一配线与第二配线中的至少一个配线已断线的情况下，可推断其断线位置。

另外，优选的是，所述第一断线位置推断部根据所述线间电容与事先设定的线间基准电容的比，来推断断线的位置。

根据此结构，可根据线间电容与线间基准电容的比来推断断线的位置，因此容易推断断线的位置。

另外，优选的是，所述电容测定部进而将以覆盖所述基板的一侧的面的方式相向配置的导体板与所述第一配线之间的静电电容作为配线电容来测定，且所述基板检查装置进而具备：第二判定部，根据所述配线电容来判定所述第一配线的状态。

另外，优选的是，进而包括：(e)将以覆盖所述基板的一侧的面的方式相向配置的导体板与所述第一配线之间的静电电容作为配线电容来测定的工序；以及(f)根据所述配线电容来判定所述第一配线的状态的工序。

根据这些结构，测定导体板与第一配线之间的配线电容，并根据配线电容来判定第一配线的好坏，因此可判定第一配线的好坏。

另外，优选的是，当所述配线电容大于作为事先设定的范围的上限值的配线上限值时，所述第二判定部判定所述第一配线的线宽为粗。

根据此结构，在第一配线的粗度变得比事先设定的范围粗的情况下，可判定第一配线的线宽为粗。

另外，优选的是，当所述配线电容小于作为事先设定的范围的下限值的配线下限值时，所述第二判定部判定所述第一配线的线宽为细或为断线不良。

根据此结构，在第一配线的粗度变细的情况或已断线的情况下，可判定第一配线的线宽为细或为断线不良。

另外，优选的是，当所述配线电容小于作为事先设定的范围的下限值的配线下限值、且大于事先设定为比所述配线下限值小的值的配线辨别值时，所述第二判定部判定所述第一配线的线宽为细，当所述配线电容小于所述配线辨别值时，所述第二判定部判定所述第一配线为断线不良。

根据此结构，可针对第一配线，判定其为线宽细或断线不良中的任一个。

另外，优选的是，进而具备：第三判定部，根据所述第一判定部的判定结果与所述第二判定部的判定结果，判定产生了由所述第一判定部所判定的状态的配线。

根据此结构，可根据第一判定部的判定结果与第二判定部的判定结果，判定在第一配线及第二配线中的哪一个配线中产生了不良。

另外，优选的是，进而具备：第二断线位置推断部，根据所述配线电容来推断断线的位置。

根据此结构，在第一配线已断线的情况下可推断其断线位置。

另外，优选的是，进而具备：存储部，事先存储将所述第一配线的断线位置与对应于此断线位置的所述配线电容建立对应的断线电容信息，且所述第二断线位置推断部根据所述配线电容与所述断线电容信息，来推断断线的位置。

根据此结构，通过断线电容信息来取得与由电容测定部所测定的配线电容建立了对应的断线位置，由此可推断断线的位置，因此容易推断断线的位置。

另外，优选的是，进而具备：第三探针，用于接触所述导体板，且所述导体板经由绝缘层而附着在所述基板的另一侧的面上。

根据此结构，所述导体板作为所述基板的一部分而附着，因此容易使导体板与第一配线之间的距离稳定。其结果是，容易提升配线电容的测定精度并提升好坏判定的精度。

另外，优选的是，所述基板是不具有核心层的无核基板，且所述导体板是支撑所述基板的配线层的载体。

另外，优选的是，进而包括：(1)将所述导体板用作载体，将所述导体板、绝缘层、所述第一配线及所述第二配线按此顺序层叠，来形成基板的工序；以及(2)从所述基板去除所述导体板的工序；且在执行所述工序(1)之后、并在执行所述工序(2)之前，执行所述工序(e)。

根据这些结构，在无核基板的制造过程中，可对去除载体前的制造途中的基板进行检查。

此种结构的基板检查装置及基板检查方法，可减少由配线图案的位置所引起的检查精度的变化。

附图说明

图1是概略性地表示使用本发明的一实施方式的基板检查方法的基板检查装置的结构的概念图。

图2是概念性地表示图1中所示的控制部的结构的一例的方块图。

图3是用以说明成为检查对象的基板的制造方法的一例的说明图。

图4是概念性地表示图1中所示的基板检查装置的结构的说明图。

图5是表示图4中所示的基板检查装置的另一例的概念性的说明图。

图6是表示图5中所示的基板检查装置的另一例的概念性的说明图。

图7是表示图4、图5、图6中所示的基板检查装置的动作的一例的流程图。

图8是表示图4、图5、图6中所示的基板检查装置的动作的一例的流程图。

图9是表示图4、图5、图6中所示的基板检查装置的动作的一例的流程图。

图10是表示图4、图5、图6中所示的基板检查装置的动作的一例的流程图。

图11是表示配线已断线时的断线位置与在此位置上断线时，由电容测定部所测定的线间电容及配线电容的关系的图。

[符号的说明]

1、1a、1b：基板检查装置

2：控制部

3、3U、3L：检查部

4、4U、4L：检查夹具

5：显示部

9：电极板

11：框体

12：基板固定装置

15：检查部移动机构

16：导体板

17：绝缘板

21：检查控制部

22：第一判定部

23：第一断线位置推断部

24：第二判定部

25：第二断线位置推断部

26：第三判定部

27：存储部

31：电容测定部

32：交流电压源

33：电流检测部

34：扫描器部

100、100a：基板

101：载体(导体板)

102：预浸料(绝缘层)

103：铜箔

104：预浸料

105：配线层

106：层叠配线层(基板)

C、Cp1、Cz1、Cz2、Cp2：静电电容

Cx、Cx1、Cx2：线间电容

Cx_lim_L：线间下限值

Cx_lim_LL线间辨别值

Cx_lim_U：线间上限值

Cx_ref：线间基准电容

Cz：配线电容

Cz_lim_L：配线下限值

Cz_lim_LL：配线辨别值

Cz_lim_U：配线上限值

Cz_ref：配线基准电容

f：频率

G1、G2：图表

I、Ix、Iz：电流

K1～K6：工序

L11、L21：第一部分

L12、L22：第二部分

L13、L23：贯穿配线

P：配线

P1：配线(第一配线)

P2：配线(第二配线)

P3、P4：配线

Pd11、Pd21、Pd12、Pd22：焊垫

Posx、Posz：断线位置

Pr：探针

SW1、SW2、SW3：开关元件

T1、T2：端子

V：电压

S1～S12、S21～S22、S30～S37、S40～S46：步骤

具体实施方式

以下，根据附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在各图中标注同一个符号的结构表示同一个结构，并省略其说明。图1是概略性地表示使用本发明的一实施方式的基板检查方法的基板检查装置的结构的概念图。图1中所示的基板检查装置1是用以检查形成在作为检查对象物的一例的基板100上的电路图案的装置。

基板100例如可为以下的各种基板：半导体封装用的封装基板或膜载体(filmcarrier)、印刷配线基板、玻璃环氧基板、柔性基板、陶瓷多层配线基板、液晶显示器或电致发光(Electro-Luminescence，EL)显示器等的显示器用的电极板、触摸面板用等的透明导电板、半导体晶片(wafer)或半导体芯片或芯片尺寸封装(Chip Size Package，CSP)等的半导体基板。在基板100上形成有配线图案、焊垫(pad)、焊盘、焊料凸块(solder bump)、及端子等的检查点。

图1中所示的基板检查装置1具有框体11。在框体11的内部空间中，主要设置有：基板固定装置12、检查部3U、检查部3L、及控制部2。在框体11的外壁面等上，安装有显示部5(报告部)。基板固定装置12以将成为检查对象的基板100固定在规定的位置的方式构成。

检查部3U位于固定在基板固定装置12的基板100的上方。检查部3L位于固定在基板固定装置12上的基板100的下方。检查部3U及检查部3L具备电极板9，所述电极板9形成有用于与探针Pr进行电性连接的电极。在检查部3U及检查部3L的各电极板9上，安装有用于检查形成在基板100上的电路图案的检查夹具4U、检查夹具4L。在检查夹具4U、检查夹具4L上安装有多个探针Pr。另外，检查部3U及检查部3L具备：后述的电容测定部31、后述的扫描器部34、及用于在框体11内适宜移动的检查部移动机构15。扫描器部34对电容测定部31与各探针Pr的连接关系进行切换。

检查部3U、检查部3L彼此相同地构成。以下，将检查部3U、检查部3L总称为检查部3。检查夹具4U、检查夹具4L彼此相同地构成。以下，将检查夹具4U、检查夹具4L总称为检查夹具4。

图2是概念性地表示图1中所示的控制部2的结构的一例的方块图。控制部2例如使用微型计算机来构成，所述微型计算机具备：执行规定的逻辑运算的中央处理器(CentralProcessing Unit，CPU)、暂时地存储数据的随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、事先存储规定的控制程序等的非易失性的存储装置、及它们的周边电路等。所述存储装置也可以用作存储部27。

控制部2例如通过执行所述控制程序，而作为检查控制部21、第一判定部22、第一断线位置推断部23、第二判定部24、第二断线位置推断部25、及第三判定部26发挥功能。

例如，以实验方式测定如下的值，并事先存储在存储部27中：作为相互邻接的一对正常的配线P间的静电电容的线间基准电容Cx_ref；考虑线间基准电容Cx_ref的偏差或测定误差等所决定的正常的范围的、作为上限值的线间上限值Cx_lim_U及作为下限值的线间下限值Cx_lim_L；以及作为辨别线宽细的不良与断线的阈值的、事先设定为比线间下限值Cx_lim_L小的值的线间辨别值Cx_lim_LL。另外，线间上限值Cx_lim_U与线间下限值Cx_lim_L也可以是相同的值，例如，也可以将线间基准电容Cx_ref直接用作线间上限值Cx_lim_U及线间下限值Cx_lim_L。

另外，例如实际使用线宽正常的基板与线宽已变细的基板以实验方式测定如下的值，并事先存储在存储部27中：作为正常的一根配线P与载体101之间的静电电容的配线基准电容Cz_ref；考虑配线基准电容Cz_ref的偏差或测定误差等所决定的正常的范围的、作为上限值的配线上限值Cz_lim_U及作为下限值的配线下限值Cz_lim_L；以及作为辨别线宽细的不良与断线的阈值的、事先设定为比配线下限值Cz_lim_L小的值的配线辨别值Cz_lim_LL。另外，配线上限值Cz_lim_U与配线下限值Cz_lim_L也可以是相同的值，例如，也可以将配线基准电容Cz_ref直接用作配线上限值Cz_lim_U及配线下限值Cz_lim_L。

线间基准电容Cx_ref、线间上限值Cx_lim_U、线间下限值Cx_lim_L、线间辨别值Cx_lim_LL、配线基准电容Cz_ref、配线上限值Cz_lim_U、配线下限值Cz_lim_L、配线辨别值Cz_lim_LL，是根据配线P的长度、宽度、间隔、层叠配线层106的厚度、预浸料102(prepreg)的厚度等而变化，作为一例，线间基准电容Cx_ref为100fF左右，配线基准电容Cz_ref为900fF左右，配线辨别值Cz_lim_LL为600fF左右。

进而，例如以实验方式测定将配线P的断线位置与对应于此断线位置的配线电容Cz建立了对应的断线电容信息，并事先存储在存储部27中。

显示部5例如为液晶显示装置或EL(Electro Luminescence)显示装置等的显示装置。显示部5对应于来自控制部2的控制信号，而显示基板的检查结果等。

检查控制部21使检查部3U、检查部3L适宜移动，并使检查夹具4U、检查夹具4L的各探针Pr接触固定在基板固定装置12上的基板100的各检查点，且利用后述的扫描器部34使对应于检查对象的检查点的探针Pr与后述的电容测定部31连接。

图3是用以说明成为检查对象的基板100的制造方法的一例的说明图。在图3中，利用在厚度方向上切断基板100所得的剖面图，来表示基板100的制造过程。基板100是在作为不存在核心层的所谓的无核基板(coreless)的基板100a的制造过程中，剥离支撑体用的载体101之前的基板。换句话说，基板100是在作为最终制品的基板100a上附着有载体101的状态的基板。作为此种无核基板的制造方法，可使用各种方法，作为一例，例如可使用国际专利公开公报WO 2015/122258中记载的制造方法。另外，在国际专利公开公报WO2015/122258的图1中仅图示了基本的工序，例如省略了将层间连接的过孔(via)的形成工序、或形成用于将零件连接在基板表面上的焊垫的工序、或将零件安装在基板上的工序等。

无核基板由于不具备核心层，因此缺乏刚性，在无核基板的制造工序中容易破损。因此，已知有如下的无核基板的制造方法：将用于在制造工序中支撑配线层的板状的载体用作支撑体，在载体上形成配线层后，将载体剥离。

在图3中所示的无核基板的制造方法中，首先，将片状的预浸料102贴合在片状的载体101上(工序K1)。作为载体101，例如可使用：铜、铜合金、铝、铝合金、不锈钢、钛、钛合金等各种导电性的箔状的金属板。载体101并不限定于一层，也可以将一种或多种材料层叠来形成。

预浸料102包含：环氧树脂等的树脂材料、或玻璃纤维等的绝缘材料。载体101相当于导体板的一例，预浸料102相当于绝缘层的一例。另外，未必限定于将载体101与预浸料102层叠的例子。也可以形成材质与预浸料不同的绝缘层，来代替预浸料102。

继而，将用于形成配线的铜箔103粘贴在预浸料102的与载体101相反侧的表面上(工序K2)。继而，对铜箔103进行蚀刻来形成多个配线P(工序K3)。多个配线P大致平行地延伸设置。继而，以覆盖多个配线P的方式，形成包含与预浸料102相同的绝缘材料的预浸料104(工序K4)。通过工序K2～工序K4的配线层形成工序，而形成配线P由绝缘材料覆盖的第一层的配线层105。

继而，针对配线层105的与预浸料102相反侧的表面，重复与工序K2～工序K4相同的配线层形成工序，由此形成第二层的配线层105(工序K5)。如此层叠多个配线层105，而形成层叠配线层106。由此，形成层叠有载体101、预浸料102、及层叠配线层106的基板100。

在图3中，省略了将配线P在层间连接的过孔等的连接部的形成工序、或在基板100a的最外层(图3中为上表面与下表面)使配线P的一部分露出而形成连接了零件等的焊垫等的工序的记载等。另外，在基板100a的最外面，覆盖了配线P来防止配线P露出的层并不限定于预浸料，也可以是抗蚀剂(resist)等的片材或涂布层。另外，配线层105的层叠数并不限定于两层，也可以是一层，也可以是三层以上。

工序K1～工序K5相当于工序(1)的一例。例如，将通过此工序K5所形成的基板100安装在基板固定装置12上，利用基板检查装置1执行检查。而且，对检查结果为良好的基板100，执行以下的载体去除工序(工序K6)。在载体去除工序(工序K6)中，从基板100上剥离载体101或进行蚀刻，由此去除载体101，制成作为最终的完成品的基板100a。

如此，在工序K5之后、工序K6之前，执行包含载体101的基板100的检查，对检查结果为良好的基板100执行工序K6，对检查结果为不良的基板100不执行工序K6，由此，与对基板100a执行检查的情况相比，可减少基板的制造工作量。

另外，也可以在执行了包含载体101的基板100的检查之后、通过工序K6来去除载体101之前，将集成电路(Integrated Circuit，IC)等的零件安装在基板100上。另外，在工序K6中，也可以不仅去除载体101，也去除预浸料102。

图4是概念性地表示图1中所示的基板检查装置1的结构的说明图。图4表示在基板检查装置1上安装有检查对象的基板100的状态。图4中所示的基板检查装置1具备：电容测定部31、扫描器部34、及多个探针Pr。电容测定部31具备：交流电压源32、电流检测部33、及端子T1、端子T2。在图4中省略了控制部2的记载。

在基板100上，形成有相互大致平行地延长的多个配线P。以下，对作为各配线P中的两根的配线P1(第一配线)与配线P2(第二配线)进行说明，其他配线P3、P4与配线P1、配线P2同样地构成，因此，省略其说明。配线P1、配线P2具有：第一部分L11、第一部分L21，形成在基板100的图4中的上表面(另一侧的面)上；焊垫Pd12、焊垫Pd22及第二部分L12、第二部分L22，形成在图4中的层叠配线层106的下表面(基板100的一侧的面侧)上；以及贯穿配线L13、贯穿配线L23，贯穿层叠配线层106并将第一部分L11、第一部分L21与第二部分L12、第二部分L22相接。

配线P1的第一部分L11的一端部被加宽而作为焊垫Pd11，配线P1的第二部分L12的一端部被加宽而作为焊垫Pd12，配线P2的第一部分L21的一端部被加宽而作为焊垫Pd21，配线P2的第二部分L22的一端部被加宽而作为焊垫Pd22。第一部分L11的另一端部与第二部分L12的另一端部通过贯穿配线L13来连接，第一部分L21的另一端部与第二部分L22的另一端部通过贯穿配线L23来连接。

检查夹具4U的探针Pr分别接触了包含焊垫Pd11、焊垫Pd21的基板100的图4中的上表面上所形成的各焊垫。检查夹具4L的探针Pr接触了成为基板100的图4中的下表面的载体101。在此情况下，接触焊垫Pd11的探针Pr相当于第一探针，接触焊垫Pd21的探针Pr相当于第二探针，接触载体101的探针Pr相当于第三探针。

交流电压源32是输出交流频率f的规定的电压V的交流电源电路。交流电压源32的一侧的输出端子经由端子T1而与扫描器部34连接，交流电压源32的另一侧的输出端子经由电流检测部33与端子T2而与扫描器部34连接。

电流检测部33例如为使用分流电阻(shunt resistor)、霍尔元件、模拟数字转换器等所构成的交流电流计。电流检测部33检测从交流电压源32中输出的电流I，即在作为配线P1、配线P2间的静电电容的线间电容Cx中流动的电流Ix，或在作为配线P1与载体101之间的静电电容的配线电容Cz中流动的电流Iz。电压V及电流I可以是有效值，也可以是峰值。

在频率f的电压V被施加至静电电容中时电流I已流动的情况下，静电电容C通过下述的式(1)来求出。

静电电容C＝I/(V×2πf)···(1)

在此情况下，由于V及2πf已知，因此，只要可获得电流I，便知道静电电容C。因此，电容测定部31可测定静电电容C。另外，检查控制部21可根据由电流检测部33所检测到的电流I并基于式(1)来算出静电电容C，也可以将电流I直接用作表示静电电容C的信息。以下，将检查控制部21根据由电流检测部33所检测到的电流I来算出静电电容C的情况包含在内，记载为电容测定部31测定静电电容C。

扫描器部34例如使用晶体管等的多个开关元件来构成。扫描器部34对应于来自检查控制部21的控制信号，使端子T1、端子T2分别与检查夹具4U、检查夹具4L的多个探针Pr中的任一个导通连接。在图4中，对扫描器部34的说明进行简化，仅记载与接触配线P1、配线P2及载体101的探针Pr和电容测定部31的连接相关的开关元件SW1、开关元件SW2、开关元件SW3，省略了其他开关元件等的记载。

检查控制部21从多个配线P之中，选择成为检查对象的两根配线P1、P2。而且，检查控制部21通过扫描器部34，使端子T1经由开关元件SW1而与接触了配线P1的探针Pr连接。另外，检查控制部21通过扫描器部34，使端子T2经由开关元件SW2而与接触了配线P2的探针Pr连接，并使端子T2经由开关元件SW3而与接触了载体101的探针Pr连接。

检查控制部21控制开关元件SW1、开关元件SW2、开关元件SW3的接通(ON)、断开(OFF)，通过电容测定部31来测定线间电容Cx及配线电容Cz。第一判定部22根据线间电容Cx，判定配线P1、配线P2的状态，例如线宽粗、线宽细、断线、良好、不良等的状态。第一断线位置推断部23根据线间电容Cx，推断配线P1、配线P2的断线位置。第二判定部24根据配线电容Cz，判定配线P1的状态，例如线宽粗、线宽细、断线、良好、不良等的状态。第二断线位置推断部25根据配线电容Cz，推断配线P1的断线的位置。第三判定部26根据第一判定部22的判定结果与第二判定部24的判定结果，判定配线P1、配线P2之中产生了由第一判定部22所判定的状态的配线。

通过将如基板100般的层叠配线层106、预浸料102、及载体101成为一体的基板作为检查对象，配线P1与载体101的距离不变，因此，配线电容Cz稳定。其结果是，根据配线电容Cz的第二判定部24的判定精度提升，根据第一判定部22与第二判定部24的判定结果的第三判定部26的判定精度提升。

另外，并不限定于进行具备载体101的基板100的检查的例子。图5是表示图4中所示的基板检查装置1的另一例的概念性的说明图。图5中所示的基板检查装置1a与基板检查装置1的不同点是：在基板固定装置12上具备导体板16。导体板16经由开关元件SW3而与端子T2连接。导体板16大致水平地配设，将导体板16的上表面设为平坦的载置面。在导体板16的上表面上可载置检查对象的基板100a。基板检查装置1a在其他方面与基板检查装置1同样地构成。

而且，也可以使预浸料102位在导体板16侧，来将在工序K6中去除了载体101的基板100a载置在导体板16上，并通过基板检查装置1a来执行与基板检查装置1相同的检查。根据基板检查装置1a，电容测定部31将配线P1与导体板16之间的静电电容作为配线电容Cz来测定。

另外，也可以将不具备预浸料102及载体101，而仅包含层叠配线层106的基板作为检查对象。图6是表示图5中所示的基板检查装置1a的另一例的概念性的说明图。图6中所示的基板检查装置1b与基板检查装置1a的不同点是：在导体板16的上表面上层叠有绝缘板17。基板检查装置1b在其他方面与基板检查装置1a同样地构成。

根据基板检查装置1b，即便是在基板表面上不具备绝缘层的基板，也可以作为检查对象。

继而，对如所述般构成的基板检查装置1的动作进行说明。图7～图10是表示基板检查装置1的动作的一例的流程图。另外，关于基板检查装置1a、基板检查装置1b的动作，除了使用导体板16来代替载体101这一点以外，两者是相同的。

首先，检查控制部21例如通过省略图示的搬送机构，来将检查对象的基板100安装在基板固定装置12上，并通过检查部移动机构15来使检查夹具4U、检查夹具4L的探针Pr接触基板100的各检查点及载体101(步骤S1，工序(a)、工序(b))。

继而，检查控制部21从基板100的多个配线P之中，选择相互邻接的两根配线P1、P2作为第一配线、第二配线(步骤S2)。以下，如图4所示，开关元件SW1设置在接触作为配线P1(第一配线)的一端部的焊垫Pd11的探针Pr与端子T1之间，开关元件SW2设置在接触作为配线P2(第二配线)的一端部的焊垫Pd21的探针Pr与端子T2之间，开关元件SW3设置在接触载体101的探针Pr与端子T2之间，以此来进行说明。

继而，检查控制部21将开关元件SW1、开关元件SW2接通，将开关元件SW3断开。由此，检查控制部21通过电容测定部31，来测定配线P1与配线P2之间的线间电容Cx(步骤S3)。

继而，第一判定部22对线间电容Cx与线间上限值Cx_lim_U进行比较(步骤S4)。而且，在线间电容Cx大于线间上限值Cx_lim_U的情况(步骤S4中的是(YES))下，第一判定部22判定配线P1、配线P2的至少一个为线宽粗的不良(步骤S5)。

线间电容Cx与配线P1和配线P2的相向距离(间隔)成反比。因此，在线间电容Cx大于作为正常的线间电容Cx的上限值的线间上限值Cx_lim_U的情况下，可认为：配线P1、配线P2的至少一个已变得比正常的线宽粗，由此，配线P1与配线P2的相向距离已变窄。因此，在线间电容Cx大于线间上限值Cx_lim_U的情况(步骤S4中的是(YES))下，第一判定部22判定配线P1、配线P2的至少一个为线宽粗的不良(步骤S5)，并将此判定结果作为根据线间电容Cx的判定结果，例如显示在显示部5(报告部)中等来向使用者报告，然后过渡至步骤S21。

在此情况下，在第一部分L11、第一部分L21与第二部分L12、第二部分L22中，不论在哪一部分中线宽已变粗时，对于线间电容Cx的影响均相同，因此，可减少由产生了配线图案的不良的位置所引起的检查精度的变化。

根据步骤S5，无法辨别在配线P1、配线P2的哪一个中线宽变粗。因此，在步骤S21以后，执行根据配线电容Cz的检查。

在步骤S21中，检查控制部21将开关元件SW1、开关元件SW3接通，将开关元件SW2断开。由此，检查控制部21通过电容测定部31，来测定配线P1与载体101之间的配线电容Cz(步骤S21)。

继而，第二判定部24对配线电容Cz与配线上限值Cz_lim_U进行比较(步骤S22)。而且，在配线电容Cz大于配线上限值Cz_lim_U的情况(步骤S22中的是(YES))下，第二判定部24判定配线P1为在第二部分L12中线宽粗的不良(步骤S23)，并将此判定结果作为根据配线电容Cz的判定结果，例如显示在显示部5(报告部)中等来向使用者报告。

配线电容Cz与配线P1的面积成正比，与载体101和配线P1的相向距离成反比。因此，在配线电容Cz已变得比配线上限值Cz_lim_U大的情况下，可认为：配线P1的面积已变得比正常的配线的面积大，即配线P1已变粗。

另外，如图4所示，在焊垫Pd11与载体101之间产生静电电容Cp1，在第一部分L11与载体101之间产生静电电容Cz1，在第二部分L12与载体101之间产生静电电容Cz2，在焊垫Pd12与载体101之间产生静电电容Cp2。因此，变成：配线电容Cz＝Cp1+Cz1+Cz2+Cp2。

但是，形成在层叠配线层106的下表面的第二部分L12及焊垫Pd12与载体101的相向距离变成预浸料102的厚度，因此以极近的距离相向，静电电容Cz2、静电电容Cp2变成比较大的值。相对于此，形成在层叠配线层106的上表面的焊垫Pd11及第一部分L11与载体101的相向距离变成预浸料102的厚度与层叠配线层106的厚度的合计，相向距离变长。其结果是，静电电容Cp1、静电电容Cz1变成比静电电容Cz2、静电电容Cp2小的值，根据层叠配线层106的厚度，静电电容Cp1、静电电容Cz1变成相对于静电电容Cz2、静电电容Cp2小至可无视的程度的值。

因此，即便当在第一部分L11中线宽已变粗时，配线电容Cz的增大也不超过偏差的程度，因此配线电容Cz不超过配线上限值Cz_lim_U的可能性高。因此，在配线电容Cz大于配线上限值Cz_lim_U的情况(步骤S22中的是(YES))下，第二判定部24判定配线P1为在第二部分L12中线宽粗的不良(步骤S23)。

另外，步骤S23中的判定结果，不一定必须将不良部位确定为第二部分L12，也可以是配线P1为线宽粗的不良这一判定结果。

继而，第三判定部26根据步骤S5中的第一判定部22的判定结果、及步骤S23中的第二判定部24的判定结果，由于任一个判定结果均在配线P1为线宽粗的不良这一点上相同，因此判定配线P1为线宽粗的不良(步骤S24)，并将此判定结果作为根据线间电容Cx与配线电容Cz的判定结果，例如显示在显示部5(报告部)中等来向使用者报告，而结束处理。

第一判定部22的判定结果无法确定是配线P1、配线P2的哪一个的不良，第二判定部24的判定结果难以检测第一部分L11中的不良，因此判定精度低。但是，第三判定部26根据第一判定部22的判定结果与第二判定部24的判定结果，基于其相同点而判定配线P1为线宽粗的不良，因此可提升在配线P1中产生了线宽粗的不良的判定精度。

另一方面，在步骤S22中，在配线电容Cz为配线上限值Cz_lim_U以下的情况(步骤S22中的否(NO))下，第二判定部24判定配线P1的第二部分L12并非线宽粗的不良(步骤S25)。

继而，第三判定部26根据步骤S5中的第一判定部22的判定结果、及步骤S25中的第二判定部24的判定结果，判定配线P2为线宽粗的不良或配线P1为在第一部分L11中线宽粗的不良(步骤S26)，并将此判定结果作为根据线间电容Cx与配线电容Cz的判定结果，例如显示在显示部5(报告部)中等来向使用者报告，而结束处理。

在此情况下，第三判定部26也可以根据第一判定部22的判定结果与第二判定部24的判定结果，在可能的范围内，向使用者详细地报告不良的产生状况，因此使用者的便利性提升。

另一方面，返回至图7，在步骤S4中，在线间电容Cx为线间上限值Cx_lim_U以下的情况(步骤S4中的否(NO))下，第一判定部22对线间电容Cx与线间下限值Cx_lim_L进行比较(步骤S6)。而且，在线间电容Cx为线间下限值Cx_lim_L以上的情况(步骤S6中的否(NO))下，线间电容Cx在作为正常的静电电容范围的线间下限值Cx_lim_L以上、线间上限值Cx_lim_U以下的范围内，因此第一判定部22判定配线P1、配线P2为良好(正常)(步骤S7)，并将此判定结果例如显示在显示部5中等来向使用者报告，而结束处理。

在此情况下，在第一部分L11、第一部分L21与第二部分L12、第二部分L22中，配线P1、配线P2的间隔大致相同，因此，对于第一部分L11、第一部分L21与第二部分L12、第二部分L22的任一个，均能够以相同程度的检查精度进行检查。因此，可减少由产生了配线图案的不良的位置所引起的检查精度的变化。

另一方面，在步骤S6中，在线间电容Cx未满线间下限值Cx_lim_L的情况(步骤S6中的是(YES))下，第一判定部22判定在配线P1、配线P2的至少一个中产生了线宽细的不良或断线不良(步骤S8)，并将此判定结果作为根据线间电容Cx的判定结果，例如显示在显示部5中等来向使用者报告。

在线间电容Cx已变得比线间下限值Cx_lim_L小的情况下，作为其原因，可认为：由于配线P1、配线P2的至少一个已变得比正常的线宽细，因此，配线P1与配线P2的相向距离已扩大。或者，作为其原因，可认为：配线P1、配线P2中的至少一个已断线。因此，在线间电容Cx未满线间下限值Cx_lim_L的情况(步骤S6中的是(YES))下，第一判定部22可判定在配线P1、配线P2的至少一个中产生了线宽细的不良或断线不良。

继而，第一判定部22对线间电容Cx与线间辨别值Cx_lim_LL进行比较(步骤S9)。而且，在线间电容Cx大于线间辨别值Cx_lim_LL的情况(步骤S9中的是(YES))下，第一判定部22判定配线P1、配线P2中的至少一个为线宽细的不良(步骤S10)，在线间电容Cx为线间辨别值Cx_lim_LL以下的情况(步骤S9中的否(NO))下，第一判定部22判定在配线P1、配线P2中的至少一个中产生了断线不良(步骤S11)。

在基板配线的制造中，通常几乎不会产生如线宽变成1/2或变成1/3般的大的变动。即便在产生了线宽的不良的情况下，相对于正常的粗度的差异通常微小，在不良时作为线间电容Cx出现的静电电容的变化量例如也变成1fF～10fF左右的微小的变化量。

相对于此，在产生了断线的情况下，若在配线P1、配线P2的中央位置上产生断线，则线间电容Cx变成1/2，若在从配线P1、配线P2的焊垫Pd11、焊垫Pd21起1/4的位置上产生断线，则线间电容Cx变成1/4。因此，若将线间辨别值Cx_lim_LL设为从线间下限值Cx_lim_L减去在线宽已变细时产生的程度的微小的静电电容所得的值，则可认为：在线间电容Cx大于线间辨别值Cx_lim_LL的情况(步骤S9中的是(YES))下，产生了线宽变细的不良的可能性高，在线间电容Cx为线间辨别值Cx_lim_LL以下的情况(步骤S9中的否(NO))下，产生了断线的可能性高。

因此，第一判定部22可根据线间辨别值Cx_lim_LL，以某种程度的高准确性，辨别线宽细的不良与断线不良。

在步骤S10中，第一判定部22将内容为配线P1、配线P2中的至少一个为线宽细的不良的判定结果作为根据线间电容Cx的判定结果，例如显示在显示部5中等来向使用者报告，然后过渡至步骤S30。在步骤S11中，第一判定部22将内容为在配线P1、配线P2中的至少一个中产生了断线不良的判定结果作为根据线间电容Cx的判定结果，例如显示在显示部5中等来向使用者报告，然后过渡至步骤S12。

在步骤S10中，无法辨别在配线P1、配线P2的哪一个中线宽变细。因此，在步骤S30以后，执行根据配线电容Cz的检查。

在步骤S30中，与步骤S21同样地，检查控制部21将开关元件SW1、开关元件SW3接通，将开关元件SW2断开，通过电容测定部31来测定配线P1与载体101之间的配线电容Cz(步骤S30)。

继而，第二判定部24对配线电容Cz与配线下限值Cz_lim_L进行比较(步骤S31)。而且，在配线电容Cz小于配线下限值Cz_lim_L的情况(步骤S31中的是(YES))下，第二判定部24判定配线P1为断线不良或在第二部分L12中线宽细的不良(步骤S32)，并将此判定结果作为根据配线电容Cz的判定结果，例如显示在显示部5中等来向使用者报告。

配线电容Cz与配线P1的面积成正比，与载体101和配线P1的相向距离成反比。因此，在配线电容Cz已变得比配线下限值Cz_lim_L小的情况下，可认为：配线P1的面积已变得比正常的配线的面积小，即配线P1已变细、或已断线。

但是，如上所述，静电电容Cp1、静电电容Cz1变成比静电电容Cz2、静电电容Cp2小的值，根据层叠配线层106的厚度，静电电容Cp1、静电电容Cz1变成相对于静电电容Cz2、静电电容Cp2小至可无视的程度的值。因此，即便当在第一部分L11中线宽已变细时，配线电容Cz的减少也不超过偏差的程度，因此，配线电容Cz不低于配线下限值Cz_lim_L的可能性高。因此，在配线电容Cz小于配线下限值Cz_lim_L的情况(步骤S31中的是(YES))下，第二判定部24判定配线P1为断线不良或在第二部分L12中线宽细的不良(步骤S32)。

另外，步骤S32中的判定结果，不一定必须将不良部位确定为第二部分L12，也可以是配线P1为线宽细的不良或断线不良这一判定结果。

继而，第二判定部24对配线电容Cz与配线辨别值Cz_lim_LL进行比较(步骤S33)。而且，在配线电容Cz大于配线辨别值Cz_lim_LL的情况(步骤S33中的是(YES))下，第二判定部24判定配线P1为在第二部分L12中线宽细的不良(步骤S34)。

如上所述，即便在产生了线宽的不良的情况下，相对于正常的粗度的线宽的差异通常微小，在不良时作为配线电容Cz出现的静电电容的变化量例如也变成1fF～10fF左右的微小的变化量。

相对于此，通过将配线辨别值Cz_lim_LL适当地设定成从配线下限值Cz_lim_L减去在线宽已变细时产生的程度的微小的静电电容所得的值，如图11的图表G2所示，在配线P1的全长的大部分的位置上，产生了断线时的配线电容Cz低于配线辨别值Cz_lim_LL。因此，若将配线辨别值Cz_lim_LL设为从配线下限值Cz_lim_L减去在线宽已变细时产生的程度的微小的静电电容所得的值，则可认为：在配线电容Cz大于配线辨别值Cz_lim_LL的情况(步骤S33中的是(YES))下，产生了线宽变细的不良的可能性高，在配线电容Cz为配线辨别值Cz_lim_LL以下的情况(步骤S33中的否(NO))下，产生了断线的可能性高。

因此，第二判定部24可根据配线辨别值Cz_lim_LL，以某种程度的高准确性，辨别线宽细的不良与断线不良。

尤其，当在第二部分L12的前端设置有焊垫Pd12时，焊垫Pd12的线宽比第二部分L12大，每单位长度的静电电容比第二部分L12大。因此，即便当在配线P1的终端部附近，即第二部分L12与焊垫Pd12的连接部分产生了断线时，也从线间电容Cx减少比较大的静电电容Cp2。因此，若将配线辨别值Cz_lim_LL设为从配线下限值Cz_lim_L减去静电电容Cp2所得的值，则容易辨别线宽细的不良与断线不良。

另外，步骤S34中的判定结果，不一定必须将不良部位确定为第二部分L12，也可以是配线P1为线宽细的不良这一判定结果。

继而，第三判定部26根据步骤S10中的第一判定部22的判定结果、及步骤S34中的第二判定部24的判定结果，由于任一个判定结果均在配线P1为线宽细的不良这一点上相同，因此，判定配线P1为线宽细的不良(步骤S35)，并将此判定结果作为根据线间电容Cx与配线电容Cz的判定结果，例如显示在显示部5(报告部)中等来向使用者报告，而结束处理。

第一判定部22的判定结果无法确定是配线P1、配线P2的哪一个的不良，第二判定部24的判定结果难以检测第一部分L11中的不良，因此判定精度低。但是，第三判定部26根据第一判定部22的判定结果与第二判定部24的判定结果，基于其相同点而判定配线P1为线宽细的不良，因此可提升在配线P1中产生了线宽细的不良的判定精度。

另一方面，在步骤S33中，在配线电容Cz为配线辨别值Cz_lim_LL以下的情况(步骤S33中的否(NO))下，可认为产生了断线，但在后述的步骤S11、步骤S12、步骤S40～步骤S46中对断线进行判断，因此第二判定部24结束此处理。

在步骤S31中，在配线电容Cz为配线下限值Cz_lim_L以上的情况(步骤S31中的否(NO))下，第二判定部24判定配线P1并非断线不良，且并非在第二部分L12中线宽细的不良(步骤S36)。

继而，第三判定部26根据步骤S10中的第一判定部22的判定结果、及步骤S36中的第二判定部24的判定结果，由于配线P1、配线P2中的至少一个为线宽细的不良，且配线P1并非在第二部分L12中线宽细的不良，因此，判定配线P1为在第一部分L11中线宽细的不良、或配线P2为线宽细的不良(步骤S37)。而且，第三判定部26将此判定结果作为根据线间电容Cx与配线电容Cz的判定结果，例如显示在显示部5(报告部)中等来向使用者报告，而结束处理。

另一方面，在步骤S11中，通过第一判定部22来判定在配线P1、配线P2中的至少一个中产生了断线不良后，第一断线位置推断部23根据线间电容Cx与线间基准电容Cx_ref的比，来推断断线位置Posx(步骤S12)。

图11是表示配线P已断线时的断线位置与在此位置上断线时，由电容测定部31所测定的线间电容Cx及配线电容Cz的关系的图。图表G1表示线间电容Cx与断线位置的关系，图表G2表示配线电容Cz与断线位置的关系。

图表G1、图表G2的横轴以从配线P的一端部(起点)起的长度来表示配线P的断线位置。在配线P1的例子中，探针Pr所接触的焊垫Pd11的前端变成“起点”，焊垫Pd12的前端变成“终点”，将第二部分L12与焊垫Pd12的连接点的位置表述成“焊垫”。图表G1的纵轴表示线间电容Cx，图表G2的纵轴表示配线电容Cz。

另外，在图表G2的起点附近位置上，因焊垫Pd11的静电电容Cp1的影响，实际上存在图表变得不连续的区域，但为了使说明变得简单而省略其记载。

线间电容Cx是在相互大致平行的一对配线P间产生的静电电容。若将第一部分L11、第一部分L21的线间电容设为Cx1，将第二部分L12、第二部分L22的线间电容设为Cx2，贯穿配线L13、贯穿配线L23的线间电容因微小而无视，则线间电容Cx大致变成Cx1+Cx2。而且，第一部分L11、第一部分L21的间隔与第二部分L12、第二部分L22的间隔大致相等。因此，随着断线位置从起点离开，线间电容Cx大致线性地增加。因此，可根据无断线时的线间基准电容Cx_ref与由电容测定部31所测定的线间电容Cx的比，推断配线P的断线位置。

具体而言，在将配线P1、配线P2的全长设为La，并以从起点起的长度来表示断线位置Posx的情况下，第一断线位置推断部23可根据下述的式(2)来算出断线位置Posx。

断线位置Posx＝La×Cx/Cx_ref···(2)

另外，第一断线位置推断部23并不限定于根据线间基准电容Cx_ref与线间电容Cx的比，来推断配线P的断线位置Posx的例子。例如，也可以将表示图表G1中所示的断线位置与线间电容Cx的对应关系的查找表(look-up table)事先存储在存储部27中，第一断线位置推断部23通过参照此查找表，来推断断线位置Posx。

第一断线位置推断部23将以所述方式推断的断线位置Posx，例如显示在显示部5中等来向使用者报告，然后过渡至步骤S40。

在步骤S11中，无法辨别在配线P1、配线P2的哪一个中已断线。因此，在步骤S40以后，执行根据配线电容Cz的检查。

在步骤S40中，与步骤S21同样地，检查控制部21将开关元件SW1、开关元件SW3接通，将开关元件SW2断开，通过电容测定部31来测定配线P1与载体101之间的配线电容Cz(步骤S40)。

继而，第二判定部24对配线电容Cz与配线辨别值Cz_lim_LL进行比较(步骤S41)。而且，在配线电容Cz为配线辨别值Cz_lim_LL以下的情况(步骤S41中的是(YES))下，第二判定部24判定配线P1为断线不良(步骤S42)，并将此判定结果作为根据配线电容Cz的判定结果，例如显示在显示部5中等来向使用者报告。

继而，第二断线位置推断部25根据配线电容Cz与断线电容信息来推断断线位置Posz(步骤S43)，并将其推断结果作为根据配线电容Cz的断线位置推断结果，例如显示在显示部5中等来向使用者报告。

如上所述，静电电容Cp1、静电电容Cz1变成比静电电容Cz2、静电电容Cp2小的值。因此，配线电容Cz和配线P的断线位置的关系，与图表G1的线间电容Cx不同，不变成线性的关系。

如图11的图表G2所示，当配线P在第一部分中已断线时，相对于其断线位置的配线电容Cz的变化微小，难以根据配线电容Cz来推断断线位置或位置精度变低。另一方面，当配线P在第二部分中已断线时，相对于其断线位置的配线电容Cz的变化变得比第一部分大，比较容易根据配线电容Cz来推断断线位置，位置精度也变高。

但是，如图表G2所示，配线电容Cz和配线P的断线位置的关系，与图表G1的线间电容Cx不同，不变成线性的关系。因此，例如，将表示图表G2中所示的断线位置与配线电容Cz的对应关系的查找表，作为断线电容信息而事先存储在存储部27中，第二断线位置推断部25通过参照此查找表来推断断线位置Posz。

另外，第二断线位置推断部25未必限定于根据断线电容信息来推断断线位置Posz的例子。例如，在层叠配线层106非常薄的情况等，配线电容Cz与配线P的断线位置的关系变成线性地接近的关系的情况下，与第一断线位置推断部23同样地，第二断线位置推断部25也可以根据配线电容Cz与配线基准电容Cz_ref的比，来推断断线位置Posz。

继而，第三判定部26根据步骤S11中的第一判定部22的判定结果、及步骤S42中的第二判定部24的判定结果，由于任一个判定结果均在配线P1为断线不良这一点上相同，因此，判定配线P1为断线不良(步骤S44)，并将此判定结果作为根据线间电容Cx与配线电容Cz的判定结果，例如显示在显示部5(报告部)中等来向使用者报告，而结束处理。

第一判定部22的判定结果无法确定是配线P1、配线P2的哪一个的不良，第二判定部24的判定结果难以检测第一部分L11中的不良，因此判定精度低。但是，第三判定部26根据第一判定部22的判定结果与第二判定部24的判定结果，基于其相同点而判定配线P1为断线不良，因此可提升在配线P1中产生了断线不良的判定精度。

另一方面，在步骤S41中，在配线电容Cz超过配线辨别值Cz_lim_LL的情况(步骤S41中的否(NO))下，第二判定部24判定配线P1并非断线不良(步骤S45)。

继而，在步骤S11中的第一判定部22的判定结果中，配线P1、配线P2的至少一个被判定为断线不良，在步骤S45中的第二判定部24的判定结果中，配线P1被判定为并非断线不良，因此，第三判定部26根据所述两个判定结果，判定配线P2为断线不良(步骤S46)。而且，第三判定部26将此判定结果作为根据线间电容Cx与配线电容Cz的判定结果，例如显示在显示部5(报告部)中等来向使用者报告，而结束处理。

另外，基板检查装置1也可以在结束所述处理后，将处理过渡至步骤S2，依次选择尚未得到检查的配线P作为新的配线P1、配线P2，并重复以后的处理，由此执行基板100的所有配线P的检查。

以上，根据步骤S1～步骤S46，可判定配线P的线宽粗的不良、线宽细的不良、断线、及断线位置。进而，与背景技术相比，可减少由配线图案的位置所引起的检查精度的变化。

另外，也可以不具备第二断线位置推断部25，而不执行步骤S43。但是，通过获得步骤S12中的根据线间电容Cx的断线位置Posx的推断结果、及步骤S43中的根据配线电容Cz的断线位置Posz的推断结果，使用者可更准确地掌握配线P的断线位置。

另外，也可以不具备第一断线位置推断部23，而不执行步骤S12。但是，通过在步骤S12中推断断线位置Posx，可将此断线位置Posx的信息反馈至基板100的制造步骤中等，而有助于基板100的品质提升。

另外，也可以设为不具备第三判定部26，而不执行步骤S24、步骤S26、步骤S35、步骤S37、步骤S44、步骤S46的结构。但是，通过具备第三判定部26，并执行步骤S24、步骤S26、步骤S35、步骤S37、步骤S44、步骤S46，可获得与不良部位相关的更详细的信息，其结果是，使用者的便利性提升。

另外，第二判定部24也可以不执行步骤S33、步骤S34，第三判定部26根据步骤S10中的第一判定部22的判定结果、及步骤S32中的第二判定部24的判定结果，由于任一个判定结果均在配线P1为线宽细的不良这一点上相同，因此，判定配线P1为线宽细的不良(步骤S35)。

另外，也可以不执行步骤S21～步骤S26，也可以不执行步骤S30～步骤S37，也可以不执行步骤S40～步骤S46。即便在不执行这些处理的任一个或所有这些处理的情况下，根据步骤S1～步骤S12，也可以判定配线P1、配线P2的至少一个的线宽粗的不良、线宽细的不良、及断线。

另外，第一判定部22也可以不执行步骤S9～步骤S11。即便不执行步骤S9～步骤S11，根据步骤S4～步骤S8，也可以知道配线P1、配线P2的至少一个为不良。

另外，未必限定于从多个探针Pr中选择第一探针、第二探针、第三探针的例子。第一探针、第二探针、第三探针例如也可以是移动式的所谓的飞针(flying probe)。

在所述实施方式中，将线宽粗的配线、及线宽细的配线判定为不良，但并不限定于此。线宽粗的配线未必是不良，线宽细的配线未必是不良。因此，也可以不判定配线的不良，而仅判定为配线的线宽粗或细。

Claims (17)

1.一种基板检查装置，对形成有相互邻接并相向的第一配线与第二配线的基板进行检查，所述基板检查装置的特征在于包括：

第一探针，用于接触所述第一配线的一端部；

第二探针，用于接触所述第二配线的一端部；

电容测定部，经由所述第一探针及所述第二探针，而将所述第一配线与所述第二配线之间的静电电容作为线间电容来测定；以及

第一判定部，根据所述线间电容，来判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的状态，

当所述线间电容大于作为事先设定的范围的上限值的线间上限值时，所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的线宽为粗。

2.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于，

当所述线间电容小于作为事先设定的范围的下限值的线间下限值时，所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的线宽为细或为断线不良。

3.根据权利要求1所述的基板检查装置，其特征在于，

当所述线间电容小于作为事先设定的范围的下限值的线间下限值、且大于事先设定为比所述线间下限值小的值的线间辨别值时，所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的线宽为细，且

当所述线间电容小于所述线间辨别值时，所述第一判定部判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线为断线不良。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板检查装置，其特征在于还包括：

第一断线位置推断部，根据所述线间电容来推断断线的位置。

5.根据权利要求4所述的基板检查装置，其特征在于，

所述第一断线位置推断部根据所述线间电容与事先设定的线间基准电容的比，来推断断线的位置。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的基板检查装置，其特征在于，

所述电容测定部进而将以覆盖所述基板的一侧的面的方式相向配置的导体板与所述第一配线之间的静电电容作为配线电容来测定，且

所述基板检查装置还包括：第二判定部，根据所述配线电容来判定所述第一配线的状态。

7.根据权利要求6所述的基板检查装置，其特征在于，

当所述配线电容大于作为事先设定的范围的上限值的配线上限值时，所述第二判定部判定所述第一配线的线宽为粗。

8.根据权利要求6所述的基板检查装置，其特征在于，

当所述配线电容小于作为事先设定的范围的下限值的配线下限值时，所述第二判定部判定所述第一配线的线宽为细或为断线不良。

9.根据权利要求6所述的基板检查装置，其特征在于，

当所述配线电容小于作为事先设定的范围的下限值的配线下限值、且大于事先设定为比所述配线下限值小的值的配线辨别值时，所述第二判定部判定所述第一配线的线宽为细，且

当所述配线电容小于所述配线辨别值时，所述第二判定部判定所述第一配线为断线不良。

10.根据权利要求6所述的基板检查装置，其特征在于还包括：

第三判定部，根据所述第一判定部的判定结果与所述第二判定部的判定结果，判定产生了由所述第一判定部所判定的状态的配线。

11.根据权利要求6所述的基板检查装置，其特征在于还包括：

第二断线位置推断部，根据所述配线电容来推断断线的位置。

12.根据权利要求11所述的基板检查装置，其特征在于还包括：

存储部，事先存储将所述第一配线的断线位置与对应于所述断线位置的所述配线电容建立对应的断线电容信息，且

所述第二断线位置推断部根据所述配线电容与所述断线电容信息，来推断断线的位置。

13.根据权利要求6所述的基板检查装置，其特征在于还包括：

第三探针，用于接触所述导体板，且

所述导体板经由绝缘层而附着在所述基板的另一侧的面上。

14.根据权利要求13所述的基板检查装置，其特征在于，

所述基板是不具有核心层的无核基板，且

所述导体板是支撑所述基板的配线层的载体。

15.一种基板检查方法，对形成有相互邻接并相向的第一配线与第二配线的基板进行检查，所述基板检查方法的特征在于包括：

(a)使第一探针接触所述第一配线的一端部的工序；

(b)使第二探针接触所述第二配线的一端部的工序；

(c)经由所述第一探针及所述第二探针，而将所述第一配线与所述第二配线之间的静电电容作为线间电容来测定的工序；以及

(d)根据所述线间电容，来判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的状态的工序，

在所述(d)工序中，当所述线间电容大于作为事先设定的范围的上限值的线间上限值时，判定所述第一配线与所述第二配线中的至少一个的配线的线宽为粗。

16.根据权利要求15所述的基板检查方法，其特征在于还包括：

(e)将以覆盖所述基板的一侧的面的方式相向配置的导体板与所述第一配线之间的静电电容作为配线电容来测定的工序；以及

(f)根据所述配线电容来判定所述第一配线的状态的工序。

17.根据权利要求16所述的基板检查方法，其特征在于还包括：

(1)将所述导体板用作载体，将所述导体板、绝缘层、所述第一配线及所述第二配线按此顺序层叠，来形成基板的工序；以及

(2)从所述基板去除所述导体板的工序；且

在执行所述工序(1)之后、并在执行所述工序(2)之前，执行所述工序(e)。

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