TW202015189A - 陶瓷電子零件、陶瓷電子零件之製造方法及陶瓷電子零件安裝電路基板 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種即便於在LW逆轉類型中使零件本體之高度方向尺寸變小之情形時，亦能抑制零件本體上會產生的裂痕延伸之現象之陶瓷電子零件。 陶瓷電子零件10中，長方體狀之零件本體11滿足第2方向尺寸D2[11]＞第1方向尺寸D1[11]＞第3方向尺寸D3[11]之條件，且於零件本體11之第1方向d1之端部分別具有5面型之外部電極12。於外部電極12之第4面部12d及第5面部12e之端緣，設置有自該端緣朝向第1面部12a凹陷之凹部12d1及12e1，該凹部12d1及12e1之第3方向d3之兩側部分成為覆蓋零件本體11之第2方向d2之2個面之稜部RP的被覆部12d2及12e2。
Description
本發明係關於一種積層陶瓷電容器等陶瓷電子零件、該陶瓷電子零件之製造方法、及將該陶瓷電子零件安裝於電路基板之陶瓷電子零件安裝電路基板。
積層陶瓷電容器等陶瓷電子零件一般而言，於滿足長度方向尺寸＞寬度方向尺寸之條件之長方體狀之零件本體之長度方向之端部分別具有外部電極，但最近，亦已知有使長度方向尺寸與寬度方向尺寸之大小關係逆轉之所謂LW逆轉類型之陶瓷電子零件(參照下述專利文獻1之圖4)。
另一方面，隨著智慧型手機或筆記型電腦等電子設備之薄型化，安裝於電路基板之陶瓷電子零件要求應對低背安裝(低安裝高度)者。即，為了於上述LW逆轉類型之陶瓷電子零件中滿足上述要求，必須使零件本體之高度方向尺寸變小。
且說，上述LW逆轉類型之陶瓷電子零件於滿足寬度方向尺寸＞長度方向尺寸之條件之長方體狀之零件本體之長度方向之端部分別具有外部電極，故而於外部電極為5面型(具有設置於零件本體之長度方向之1個面之第1面部、設置於零件本體之高度方向之2個面之一部分的第2面部及第3面部、以及設置於零件本體之寬度方向之2個面之一部分的第4面部及第5面部之所謂4角蓋狀：參照下述專利文獻1之圖4)之情形時，與長度方向交叉之方向之彎曲強度較零件本體之外形尺寸相同之一般類型之陶瓷電子零件大概變高。
然而，即便為上述LW逆轉類型之陶瓷電子零件(外部電極為上述5面型)，若為了滿足上述要求而使零件本體之高度方向尺寸變小，設為例如150 μm以下，則於施加如將陶瓷電子零件向與長度方向交叉之方向彎曲之外力時，尤其於零件本體之寬度方向之2個面容易於高度方向產生裂痕延伸之所謂裂痕延伸之現象，其結果，於陶瓷電子零件產生功能障礙之可能性變大。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-146669號公報
[發明所欲解決之問題]
本發明所欲解決之問題在於提供一種即便於在LW逆轉類型中使零件本體之高度方向尺寸變小之情形時，亦能抑制零件本體上會產生的裂痕延伸之現象之陶瓷電子零件、陶瓷電子零件之製造方法及陶瓷電子零件安裝電路基板。 [解決問題之技術手段]
為了解決上述問題，本發明之陶瓷電子零件係於長方體狀之零件本體之相對之端部分別具有外部電極者，且於將上述零件本體之相對之2個面之對向方向設為第1方向，將其他之相對之2個面之對向方向設為第2方向，將剩餘之相對之2個面之對向方向設為第3方向，將沿著各方向之尺寸分別設為第1方向尺寸、第2方向尺寸、第3方向尺寸時，上述零件本體之第1方向尺寸、第2方向尺寸及第3方向尺寸滿足第2方向尺寸＞第1方向尺寸＞第3方向尺寸之條件，上述外部電極為5面型，具有設置於上述零件本體之第1方向之1個面之第1面部、設置於上述零件本體之第3方向之2個面之一部分的第2面部及第3面部、以及設置於上述零件本體之第2方向之2個面之一部分的第4面部及第5面部，於上述外部電極之上述第4面部及上述第5面部之至少一個端緣，設置有自該端緣朝向上述第1面部凹陷之凹部，該凹部之第3方向之兩側部分成為覆蓋上述零件本體之第2方向之2個面之稜部的被覆部。
又，本發明之陶瓷電子零件之製造方法係上述陶瓷電子零件之製造方法，且上述外部電極之製作製程包含如下步驟：(S1)於上述零件本體之表面，形成與上述第1面部、上述第2面部及上述第3面部、以及具有上述凹部及上述被覆部之上述第4面部及上述第5面部對應之基底導體層；以及(S2)於上述基底導體層之表面形成至少1層之被覆導體層。
又，本發明之陶瓷電子零件安裝電路基板係將上述陶瓷電子零件安裝於電路基板。 [發明之效果]
根據本發明之陶瓷電子零件、陶瓷電子零件之製造方法及陶瓷電子零件安裝電路基板，即便於陶瓷電子零件為LW逆轉類型且使零件本體之高度方向尺寸變小之情形時，亦能抑制零件本體上會產生的裂痕延伸之現象。
於以下之說明中，為方便起見，將圖1所示之零件本體11之相對之2個面之對向方向(圖1(A)、圖1(B)及圖1(C)之左右方向)表述為「第1方向d1」，將其他之相對之2個面之對向方向(圖1(A)及圖1(B)之上下方向、圖1(D)之左右方向)表述為「第2方向d2」，將剩餘之相對之2個面之對向方向(圖1(C)及圖1(D)之上下方向)表述為「第3方向d3」。
又，將各構成要素之沿著第1方向d1之尺寸表述為「第1方向尺寸D1[構成要素之符號]」，將沿著第2方向d2之尺寸表述為「第2方向尺寸D2[構成要素之符號]」，將沿著第3方向d3之尺寸表述為「第3方向尺寸D3[構成要素之符號]」。但是，於內部電極層11a、介電層11b、介電範圍部11c及11d、外部電極12等之說明時，為了促進理解一併使用「厚度」之用語。附帶而言，作為各尺寸例示之數值係指設計上之基準尺寸者，並非包含製造上之尺寸公差者。
圖1～圖6係關於將本發明應用於積層陶瓷電容器之陶瓷電子零件10。該圖所示之陶瓷電子零件10與先前技術中所述之LW逆轉類型相符且亦應對低背安裝(低安裝高度)，於長方體狀之零件本體11之第1方向d1之端部分別具有外部電極12。
零件本體11之第1方向尺寸D1[11]、第2方向尺寸D2[11]及第3方向尺寸D3[11]滿足第2方向尺寸D2[11]＞第1方向尺寸D1[11]＞第3方向尺寸D3[11]之條件。附帶而言，零件本體11之各角部(符號省略)與各稜部RP稍具有弧度。
又，零件本體11內置有作為矩形狀之複數個內部電極層11a介隔介電層11b而積層於第3方向d3之功能部之電容部(符號省略)。該電容部如圖2(A)及圖2(B)所示，由處於第3方向d3之兩側之介電範圍部11c與處於第2方向d2之兩側之介電範圍部11d包圍。
進而，複數個內部電極層11a如圖2(A)所示，於第1方向d1交替地錯開，自該圖中之上側起第奇數個內部電極層11a之第1方向d1之一端緣連接於一個外部電極12之第1面部12a，自該圖中之上側起第偶數個內部電極層11a之第1方向d1之另一端緣連接於另一個外部電極12之第1面部12a。
作為零件本體11之第3方向尺寸D3[11]之範圍，若考慮陶瓷電子零件10之低背安裝(低安裝高度)，則可例示60～120 μm，或25～60 μm。於零件本體11之第1方向尺寸D1[11]與第2方向尺寸D2[11]中，於與陶瓷電子零件10之低背安裝(低安裝高度)之關係中無特別之限制，但於與第3方向尺寸D3[11]之兼顧中，作為第1方向尺寸D1[11]之範圍可例示200～800 μm，作為第2方向尺寸D2[11]之範圍可例示400～1600 μm。
作為內部電極層11a與介電層11b之厚度之範圍，若考慮陶瓷電子零件10之低背安裝(低安裝高度)，則可例示0.3～4 μm。作為介電範圍部11c及11d之厚度之範圍，若考慮陶瓷電子零件10之低背安裝(低安裝高度)，則可例示3～30 μm。
附帶而言，內部電極層11a之第1方向尺寸D1[11a]及第2方向尺寸D2[11a]與內部電極層11a之總層數可根據零件本體11之外形尺寸或目標靜電電容值等任意地變更。作為應對低背安裝(低安裝高度)之陶瓷電子零件10之目標靜電電容值之範圍，可例示0.1～0.3 μF，或0.3～1.0 μF。
作為介電層11b與介電範圍部11c及11d之主成分，可例示鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、氧化鈦等介電陶瓷。作為內部電極層11a之主成分，可例示鎳、銅、鈀、鉑、銀、金、該等之合金等金屬。
再者，介電層11b之主成分與介電範圍部11c之主成分亦可不同，介電層11b之主成分與第3方向d3之一個介電範圍部11c之主成分與第3方向d3之另一個介電範圍部11c之主成分亦可不同。
另一方面，外部電極12為具有設置於零件本體11之第1方向d1之1個面之第1面部12a、設置於零件本體11之第3方向d3之2個面之一部分的第2面部12b及第3面部12c、以及設置於零件本體11之第2方向d2之2個面之一部分的第4面部12d及第5面部12d之5面型。即，陶瓷電子零件10可將第3方向d3之任一個面作為安裝面(連接面)利用。附帶而言，自第3方向d3觀察第2面部12b及第3面部12c時之第1面部12a側之2個角部(符號省略)稍具有弧度(例如曲率半徑處於10～150 μm之範圍內之弧度)或與該弧度相稱之錐形。
再者，如使用圖8於之後所說明，第2面部12b及第3面部12c之端緣側之2個角部之弧度亦可較第1面部12a側之2個角部之弧度大。
第2面部12b之第1方向尺寸D1[12b]、第3面部12c之第1方向尺寸D1[12c]、第4面部12d之第1方向尺寸D1[12d]之最大值、及第5面部12e之第1方向尺寸D1[12e]之最大值相同或大致相同。
再者，如使用圖8於之後所說明，第2面部12b'及第3面部12c'之第1方向尺寸D1[12b'＆12c']亦可較第4面部12d及第5面部12e之第1方向尺寸D1[12d＆12e]大。
又，於第4面部12d與第5面部12e之至少一個端緣，較佳為兩個端緣，設置有自該端緣朝向第1面部12a凹陷之凹部12d1及12e1，該凹部12d1及12e1之第3方向d3之兩側部分成為覆蓋零件本體11之第2方向d2之2個面之稜部RP之被覆部12d2及12e2。
即，第4面部12d為與第2面部12b及第3面部12c連續者，故而該連續部位成為覆蓋稜部RP之被覆部12d2，第5面部12e亦為與第2面部12b及第3面部12c連續者，故而該連續部位成為覆蓋稜部RP之被覆部12e2。附帶而言，自第2方向d2觀察凹部12d1及12e1時之形狀為矩形狀。
再者，如使用圖7於之後所說明，自第2方向d2觀察凹部12d3及12e3與凹部12d5及12e5時之形狀亦可為V字狀或U字狀。
進而，凹部12d1較佳為設置於第4面部12d之端緣之第3方向d3之中央，凹部12e較佳為設置於第5面部12e之端緣之第3方向d3之中央。較佳為設置於第3方向d3之中央之理由在於，使存在於凹部12d1之第3方向d3之兩側之被覆部12d2之第3方向尺寸D3[12d2]極力相同，使存在於凹部12e1之第3方向d3之兩側之被覆部12e2之第3方向尺寸D3[12e2]極力相同。
作為第2面部12b、第3面部12c、第4面部12d及第5面部12e之第1方向尺寸D1[12b、12c、12d＆12e]之範圍，可例示零件本體11之第1方向尺寸D1[11]之1/10～4/10。
於將陶瓷電子零件10安裝於電路基板CB之情形時(參照圖5)，第2面部12b或第3面部12c成為與電路基板CB之導體墊CBa相向之部分，故而該第2面部12b及第3面部12c之第1方向尺寸D1[12b＆12c]最小亦較佳為確保50 μm。又，為了避免於安裝時之焊接過程中第2面部12b相互或第3面部12c相互因焊料SOL而短路，第2面部12b之第1方向之相互間距離與第3面部12c之第1方向之相互間距離最小亦較佳為確保100 μm。
作為凹部12d1及12e1之第1方向尺寸D1[12d1＆12e1]之範圍，可例示第4面部12d及第5面部12e之第1方向尺寸D1[12d＆12e]之5～95%。若使凹部12d1及12e1之第1方向尺寸D1[12d1＆12e1]小於第4面部12d及第5面部12e之第1方向尺寸D1[12d＆12e]之5%，則不易獲得下述作用效果(裂痕延伸之抑制)，若大於95%，則凹部12d1及12e1之面積比率變大而第4面部12d及第5面部12e不易獲得所期望之強度。
若重視裂痕延伸之抑制，則作為凹部12d1及12e1之第1方向尺寸D1[12d1＆12e1]之範圍，較第4面部12d及第5面部12e之第1方向尺寸D1[12d＆12e]之5～15%而言較佳為15～65%，較15～65%而言較佳為65～95%。
只要凹部12d1及12e1之開放端之第3方向尺寸D3[12d1＆12e1]之範圍小於第4面部12d與第5面部12e之第3方向尺寸D3[12d＆12e]，換言之，只要於凹部12d1及12e1之第3方向d3之兩側存在被覆部12d2及12e2，則無特別之限制。又，凹部12d1及12e1之開放端與碰撞部之間之第1方向中央位置中之第3方向尺寸較佳為第4面部12d及第5面部12e之第3方向尺寸之40～95%，更佳為50～85%。
作為外部電極12之第1面部12a、第2面部12b、第3面部12c、第4面部12d及第5面部12e之厚度之範圍，若考慮陶瓷電子零件10之低背安裝(低安裝高度)，則可例示10～18 μm，或2～10 μm。
又，外部電極12為具有基底導體層及覆蓋基底導體層之表面之至少1層之被覆導體層的多層構成。被覆導體層之層數無特別之限制，但於與外部電極12之各面部12a～12e之厚度之兼顧中，可例示1～4層。關於外部電極12之主成分，於包含層構成及形成方法在內之下述製造方法例中進行說明。
此處，對上述陶瓷電子零件10之較佳之製造方法例，尤其外部電極12之較佳之製作方法例進行說明。
陶瓷電子零件10主要經過 ・製作零件本體11之製程 ・於零件本體11之第1方向d1之端部分別製作外部電極12之製程 來製造。
製作零件本體11之製程包含如下步驟：將未形成內部電極層圖案之陶瓷坯片與形成有內部電極層圖案之陶瓷坯片適宜積層後進行熱壓接形成複數個可取之未燒成積層片材；將該未燒成積層片材分斷後形成與零件本體11對應之未燒成晶片；對該未燒成晶片進行研磨；以及將該未燒成晶片以與陶瓷材料及金屬材料對應之氣氛及溫度分佈進行燒成。
製作外部電極12之製程包含如下步驟：於零件本體之表面形成基底導體層；以及於基底導體層之表面形成至少1層之被覆導體層。於被覆導體層為2層以上之情形時，將第1層之被覆導體層形成於基底導體層之表面，將第2層以後之被覆導體層依次形成於之前所形成之被覆導體層之表面。
若使用圖4(內部電極層11a之圖示省略)以外部電極12為4層構成之情形時為例進行詳細敍述，則首先於零件本體11之表面，形成與第1面部12a、第2面部12b、第3面部12c、第4面部12d及第5面部12e對應之形狀之基底導體層CF1。自第2方向d2觀察該基底導體層CF1之凹部CF1a時之形狀較第4面部12d與第5面部12e之凹部12d1及12e1小一圈。然後，於基底導體層CF1之表面形成第1被覆導體層CF2，於第1被覆導體層CF2之表面形成第2被覆導體層CF3，於第2被覆導體層CF3之表面形成第3被覆導體層CF4。
基底導體層CF1與各被覆導體層CF2～CF4之形成，可選擇性地採用將至少含有金屬粉末、有機溶劑及合成樹脂黏合劑之金屬膏藉由網版印刷法或浸漬法等方法塗佈且乾燥之後進行燒接之所謂燒接法、濺鍍或真空蒸鍍等幹式鍍覆法、及電鍍或無電解鍍覆等濕式鍍覆法。若自與外部電極12之各面部12a～12e之厚度，尤其第2面部12b及第3面部12c之厚度之兼顧考慮，則將基底導體層CF1藉由燒接法與濺鍍之一併使用或濺鍍而形成，考慮量產性則較佳為將各被覆導體層CF2～CF4藉由電鍍而形成。
於將基底導體層CF1藉由燒接法與濺鍍之一併使用而形成之情形時，作為燒接膜與濺鍍膜之主成分，可例示銅、鎳、銀、金、鉑、鈀、錫、鉻、鈦、鉭、鎢、鉬、該等之合金等金屬。
於將基底導體層CF1藉由燒接法與濺鍍之一併使用而形成時，首先，於零件本體11之第1方向d1之1個面形成如將其外周部分若干繞入至第2方向d2之2個面與第3方向d3之2個面的燒接膜，繼而，於零件本體11之第2方向d2之2個面與第3方向d3之2個面形成與該燒接膜連續且具有圖4(A)所示之凹部CF1a之濺鍍膜，將其設為基底導體層CF1。於難以藉由1次之濺鍍而形成所期望之濺鍍膜之情形時，亦可藉由改變零件本體11之方向而進行2次以上之濺鍍。
另一方面，於將基底導體層CF1藉由濺鍍而形成之情形時，作為濺鍍膜之主成分，可例示上述相同之金屬。
於將基底導體層CF1藉由濺鍍而形成時，於零件本體11之第1方向d1之1個面、第2方向d2之2個面及第3方向d3之2個面，形成具有圖4(A)所示之凹部CF1a之濺鍍膜，將其設為基底導體層CF1。於難以藉由1次之濺鍍而形成所期望之濺鍍膜之情形時，亦可藉由改變零件本體11之方向而進行2次以上之濺鍍。
於將基底導體層CF1藉由燒接法與濺鍍之一併使用而形成之情形時、與於將基底導體層CF1藉由濺鍍而形成之情形時無明顯之優劣，若勉強而言，則於前者之情形時可藉由基底導體層CF1包含燒接膜而提高該基底導體層CF1對於零件本體11之密接力。另一方面，於後者之情形時，由於基底導體層CF1之形成可僅藉由濺鍍而進行，故而可有助於步驟數削減。
於將各被覆導體層CF2～CF4藉由電鍍而形成之情形時，作為各被覆導體層CF2～CF4之主成分，可例示與基底導體層CF1相同者，但若考慮相互密接性，亦可使第1被覆導體層CF2之主成分與基底導體層CF1之主成分不同，使第2被覆導體層CF3之主成分與第1被覆導體層CF2之主成分不同，使第3被覆導體層CF3之主成分與第2被覆導體層CF2之主成分不同。
作為該一例，可列舉將基底導體層CF1之主成分設為鎳，將第1被覆導體層CF2之主成分設為銅，將第2被覆導體層CF3之主成分設為鎳，將第3被覆導體層CF4之主成分設為錫之組合。
於外部電極12為與上述4層構成不同之2層構成、3層構成、5層構成之情形時，基底導體層與被覆導體層之形成方法及主成分亦與上述4層構成之情形時相同。於將外部電極12使用焊料SOL連接於電路基板CB之導體墊CBa之情形時(參照圖5)，較佳為使2～5層構成之外部電極12之最外側之被覆導體層之主成分為與焊料熔合較好之錫。
於將上述陶瓷電子零件10安裝於電路基板CB時，如圖5(將陶瓷電子零件10之第3方向d3之圖中下表面作為安裝面利用之情形時)所示，將焊料膏藉由印刷等而塗佈於設置於電路基板CB之外部電極12對應之導體墊CBa，以外部電極12之第3面部12c接觸於該焊料膏之方式搭載陶瓷電子零件10。然後，將搭載有陶瓷電子零件10之後之電路基板CB投入至回焊爐(圖示省略)，經過預熱步驟、正式加熱步驟、冷卻步驟將外部電極12經由焊料SOL而連接於導體墊CBa。
於安裝於電路基板CB之上述陶瓷電子零件10，如圖6所示，若以基於熱膨脹收縮或外力附加等之電路基板CB之撓曲(參照該圖中之兩點鏈線)等為原因，對陶瓷電子零件10施加如使該陶瓷電子零件10向與第1方向d1交叉之方向彎曲之外力，則應力集中於陶瓷電子零件10之該圖中由△標記表示之部位。
上述應力集中一般而言會成為裂痕產生之原因，但於外部電極12之第4面部12d及第5面部12e之至少一個端緣，較佳為兩個端緣，設置有自該端緣朝向第1面部12a凹陷之凹部12d1及12e1，故而即便於圖6中由△標記表示之部位產生上述應力集中，亦可藉由凹部12d1及12e1而分散該應力之第3方向d3之傳遞。因此，不易於零件本體11之第2方向d2之2個面於第3方向d3產生裂痕筆直地延伸之所謂裂痕延伸之現象。
又，於在外部電極12之第4面部12d及第5面部12e之至少一個端緣，較佳為兩個端緣存在凹部12d1及12e1之情形時，雖然於上述焊接過程中熔融焊料於第4面部12d及第5面部12e之被覆部12d2及12e2之表面沾錫，但是該沾錫藉由凹部12d1及12e1而遮蔽之可能性變高。即，於沾錫被遮蔽之情形時，如圖5所示，成為於外部電極12之第4面部12d及第5面部12e之表面避開凹部12d1及12e1附著有焊料SOL之態樣，藉由該態樣，而緩和集中於上述圖6中由△標記表示之部位之應力之第3方向d3之傳遞，可使上述裂痕延伸之現象進一步不易產生。
另外，於在外部電極12之第4面部12d及第5面部12e之至少一個端緣，較佳為兩個端緣存在凹部12d1及12e1之情形時，可藉由凹部12d1及12e1而避免於上述焊接過程中焊料SOL於第4面部12d之相互間或第5面部12e之相互間橋接而兩者導通之可能性變高，並且可藉由凹部12d1及12e1來避免基於遷移而兩者導通之可能性亦變高。
進而，於在外部電極12之第4面部12d及第5面部12e之至少一個端緣，較佳為兩個端緣存在凹部12d1及12e1之情形時，於其第3方向d3之兩側存在將零件本體11之第2方向d2之2個面之稜部RP沿著該稜部RP覆蓋著被覆部12d2及12e2，故而與無被覆部12d2及12e2之情形時相比，可抑制於陶瓷電子零件10之流通過程或安裝過程等中於零件本體11之第2方向之2個面之稜部RP產生缺損。
圖7係表示設置於上述陶瓷電子零件10之外部電極12之第4面部12d及第5面部12e之凹部12d1及12e1之形狀變化例。自第2方向d2觀察圖7(A)所示之凹部12d3及12e3時之形狀為V字狀，隨著該V字狀而處於第3方向d3之兩側之被覆部12d4及12e4之形狀亦稍微變化。再者，若將V字狀換句話說則於凹部中，自其開放端朝向第1方向之端部之2個直線所形成之角度未達90度。又，自第2方向d2觀察圖7(B)所示之凹部12d5及12e5時之形狀為U字狀，隨著該U字狀而處於第3方向d3之兩側之被覆部12d6及12e6之形狀亦稍微變化。再者，若將U字狀換句話說則於凹部中，其碰撞部形成為曲線狀。
於將設置於上述陶瓷電子零件10之外部電極12之第4面部12d及第5面部12e之矩形狀之凹部12d1及12e1改變為圖7(A)所示之V字狀之凹部12d3及12e3之情形時，又，於改變為圖7(B)所示之U字狀之凹部12d5及12e5之情形時，可獲得與上述相同之作用效果。
圖8係表示上述陶瓷電子零件10之外部電極12之第2面部12b及第3面部12c之形狀變化例。圖8所示之第2面部12b'及第3面部12c'之第1方向尺寸D1[12b'＆12c']大於第4面部12d及第5面部12e之第1方向尺寸D1[12d＆12e]。作為自第1方向尺寸D1[12b'＆12c']減去第1方向尺寸D1[12d＆12e]所得之值之範圍，即，第2面部12b'之伸出部分12b1及第3面部12c'之伸出部分12c1之第1方向尺寸D1[12b1＆12c1]之範圍，可例示第4面部12d及第5面部12e之第1方向尺寸D1[12d＆12e]之1/20～1/2。
又，於使第2面部12b'及第3面部12c'之第1方向尺寸D1[12b'＆12c']大於第4面部12d及第5面部12e之第1方向尺寸D1[12d＆12e]之情形時，亦可使第2面部12b'及第3面部12c'之端緣側之2個角部(符號省略)之弧度大於第1面部12a側之2個角部(符號省略)之弧度。
於使上述陶瓷電子零件10之外部電極12之第2面部12b及第3面部12c改變為圖8所示之第2面部12b'及第3面部12c'之情形時，亦可獲得與上述相同之作用效果。
以上，對將本發明應用於積層陶瓷電容器之陶瓷電子零件10進行了說明，但本發明亦可應用於積層陶瓷電容器以外之陶瓷電子零件，例如積層陶瓷變阻器或積層陶瓷電感器等。即，只要為與先前技術中所述之LW逆轉類型相符且亦應對低背安裝(低安裝高度)之陶瓷電子零件，則可應用本發明且獲得與上述相同之作用效果。
10:陶瓷電子零件11:零件本體11a:內部電極層11b:介電層11c:介電範圍部11d:介電範圍部12:外部電極12a:第1面部12b:第2面部12b':第2面部12c:第3面部12c':第3面部12d:第4面部12d1:凹部12d2:被覆部12d3:凹部12d4:被覆部12d5:凹部12d6:被覆部12e:第5面部12e1:凹部12e2:被覆部12e3:凹部12e4:被覆部12e5:凹部12e6:被覆部CB:電路基板CBa:導體墊CF1:基底導體層CF2:第1被覆導體層CF3:第2被覆導體層CF4:第3被覆導體層CF1a:凹部d1:第1方向d2:第2方向d3:第3方向RP:稜部SOL:焊料
圖1(A)係應用本發明之陶瓷電子零件(積層陶瓷電容器)之俯視圖，圖1(B)係應用本發明之陶瓷電子零件(積層陶瓷電容器)之仰視圖，圖1(C)係應用本發明之陶瓷電子零件(積層陶瓷電容器)之第2方向d2之側視圖，圖1(D)係應用本發明之陶瓷電子零件(積層陶瓷電容器)之第1方向d1之側視圖。 圖2(A)係圖1(A)之S1-S1線剖視圖，圖2(B)係圖1(A)之S2-S2線剖視圖。 圖3(A)係圖1(C)之放大圖，圖3(B)係圖3(A)之S3-S3線剖視圖。 圖4(A)及圖4(B)係外部電極之製作方法例之說明圖。 圖5係圖1所示之陶瓷電子零件向電路基板安裝之方法例之說明圖。 圖6係藉由圖1所示之陶瓷電子零件而獲得之作用效果之說明圖。 圖7(A)及圖7(B)分別係表示圖1所示之外部電極之凹部之形狀變化例的圖。 圖8(A)～圖8(C)係表示圖1所示之外部電極之第2面部及第3面部之形狀變化例的圖。
10:陶瓷電子零件
11:零件本體
12:外部電極
12a:第1面部
12b:第2面部
12c:第3面部
12d:第4面部
12d1:凹部
12d2:被覆部
12e:第5面部
12e1:凹部
12e2:被覆部
d1:第1方向
d2:第2方向
d3:第3方向
RP:稜部
Claims (19)
- 一種陶瓷電子零件，其係於長方體狀之零件本體之相對之端部分別具有外部電極者，且 於將上述零件本體之相對之2個面之對向方向設為第1方向，將其他之相對之2個面之對向方向設為第2方向，將剩餘之相對之2個面之對向方向設為第3方向，將沿著各方向之尺寸分別設為第1方向尺寸、第2方向尺寸、第3方向尺寸時， 上述零件本體之第1方向尺寸、第2方向尺寸及第3方向尺寸滿足第2方向尺寸＞第1方向尺寸＞第3方向尺寸之條件， 上述外部電極為5面型，具有設置於上述零件本體之第1方向之1個面之第1面部、設置於上述零件本體之第3方向之2個面之一部分的第2面部及第3面部、以及設置於上述零件本體之第2方向之2個面之一部分的第4面部及第5面部， 於上述外部電極之上述第4面部及上述第5面部之至少一個端緣，設置有自該端緣朝向上述第1面部凹陷之凹部，該凹部之第3方向之兩側部分成為覆蓋上述零件本體之第2方向之2個面之稜部的被覆部。
- 如請求項1之陶瓷電子零件，其中 上述凹部設置於上述第4面部及上述第5面部之端緣之第3方向之中央。
- 如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中 上述凹部之第1方向尺寸處於上述第4面部及上述第5面部之第1方向尺寸之5～15%之範圍內。
- 如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中 上述凹部之第1方向尺寸處於上述第4面部及上述第5面部之第1方向尺寸之15～65%之範圍內。
- 如請求項1或2之陶瓷電子零件，其中 上述凹部之第1方向尺寸處於上述第4面部及上述第5面部之第1方向尺寸之65～95%之範圍內。
- 如請求項1之陶瓷電子零件，其中 上述凹部之開放端之第3方向尺寸小於上述第4面部及上述第5面部之第3方向尺寸。
- 如請求項1之陶瓷電子零件，其中 自第2方向觀察上述凹部時之形狀為矩形狀。
- 如請求項1之陶瓷電子零件，其中 自第2方向觀察上述凹部時之形狀為V字狀。
- 如請求項1之陶瓷電子零件，其中 自第2方向觀察上述凹部時之形狀為U字狀。
- 如請求項1之陶瓷電子零件，其中 上述零件本體之第3方向尺寸處於60～120 μm之範圍內。
- 如請求項1之陶瓷電子零件，其中 上述零件本體之第3方向尺寸處於25～60 μm之範圍內。
- 如請求項1之陶瓷電子零件，其中 上述第2面部及第3面部之第1方向尺寸大於上述第4面部及上述第5面部之第1方向尺寸。
- 如請求項1之陶瓷電子零件，其中 上述陶瓷電子零件為積層陶瓷電容器。
- 如請求項13之陶瓷電子零件，其中 上述陶瓷電容器之靜電電容值處於0.1～0.3 μF之範圍內。
- 如請求項13之陶瓷電子零件，其中 上述陶瓷電容器之靜電電容值處於0.3～1.0 μF之範圍內。
- 一種陶瓷電子零件之製造方法，其係如請求項1至15中任一項之陶瓷電子零件之製造方法，且 上述外部電極之製作製程包含如下步驟：(S1)於上述零件本體之表面，形成與上述第1面部、上述第2面部及上述第3面部、以及具有上述凹部及上述被覆部之上述第4面部及上述第5面部對應之基底導體層；以及(S2)於上述基底導體層之表面形成至少1層之被覆導體層。
- 如請求項16之陶瓷電子零件之製造方法，其中 上述被覆導體層之層數為2層以上，且第2層以後之上述被覆導體層係依次形成於之前所形成之上述被覆導體層之表面。
- 一種陶瓷電子零件安裝電路基板，其係將如請求項1至15中任一項之陶瓷電子零件安裝於電路基板。
- 如請求項18之陶瓷電子零件安裝電路基板，其中 上述外部電極使用焊料連接於上述電路基板之導體墊。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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