TW202005482A - 配線電路基板集合體片材、其製造方法及配線電路基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之配線電路基板集合體片材具備：支持片材，其具有平行之2個端緣；及複數個配線電路基板，其等係於支持片材相互隔開間隔地配置。配線電路基板具備大致矩形框狀之金屬系部。金屬系部包含：第1片，其沿著與支持片材之厚度方向正交之第1方向；以及第2片，其沿著與厚度方向及第1方向正交之第2方向。第1片及第2片均相對於支持片材之端緣傾斜。

Description

配線電路基板集合體片材、其製造方法及配線電路基板之製造方法

本發明係關於一種配線電路基板集合體片材、其製造方法及配線電路基板之製造方法。

先前，已知有於沿前後左右延伸之片狀支持片材上形成矩形形狀之複數個導體圖案，而製造包含複數個導體圖案之集合體片材的方法(例如，參照專利文獻1)。

於專利文獻1中，複數個導體圖案之各者一體地具有沿左右方向延伸且相互平行之前後片、及將其等之兩端緣連結並且沿前後方向延伸且相互平行之左右片。 [先前技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：日本專利特開2004-165375號公報

[發明所欲解決之問題]

然而，於藉由對平板狀之導體片材進行蝕刻而形成之減成法來形成專利文獻1中所記載之導體圖案之情形時，首先，於導體片材之表面，以特定之圖案配置蝕刻阻劑，繼而，將其等朝向蝕刻裝置搬送。

蝕刻阻劑包含具有與欲形成之導體圖案相同之圖案之前後片及左右片。又，支持片材具有沿著搬送方向平行之2個端緣，蝕刻阻劑之左右片平行於該端緣，又，蝕刻阻劑之前後片之延長線與該端緣正交。另一方面，於蝕刻裝置中，沿著與積層體之搬送方向正交之左右方向，排列配置有蝕刻液之噴出口。

然後，於蝕刻裝置內，積層體一面沿搬送方向前進，一面使自蝕刻阻劑露出之金屬系片材接觸沿左右方向噴出之蝕刻液。

此時，蝕刻液觸碰蝕刻阻劑之前片，而對前片之前方之金屬系片材勢頭良好地進行蝕刻。

繼而，於蝕刻阻劑之左右片，蝕刻液沿著其流動，藉由該蝕刻液，與前片之前方之金屬系片材之蝕刻相比，緩慢地對左右片之外側之金屬系片材進行蝕刻。

進而，於蝕刻阻劑之後片，沿著左右片之外側流動之蝕刻液極其緩慢地迴繞。因此，藉由該蝕刻液，與左右片之外側之金屬系片材之蝕刻相比，緩慢地對後片之後方之金屬系片材進行蝕刻。

因此，與蝕刻阻劑之前片及左右片對應之導體圖案之前片及左右片之外形之位置精度下降。又，與蝕刻阻劑之後片及左右片對應之導體圖案之後片及左右片之外形之位置精度下降。因此，存在導體圖案無法獲得所期望之電氣特性之不良情況。

本發明提供一種能夠以優異之位置精度形成第1片及第2片之外形的配線電路基板集合體片材之製造方法、藉此製造之配線電路基板集合體片材、及由其製造之配線電路基板之製造方法。 [解決問題之技術手段]

本發明(1)包含一種配線電路基板集合體片材，其具備：支持片材，其具有平行之2個端緣；及複數個配線電路基板，其等係於上述支持片材中相互隔開間隔地配置，且上述配線電路基板具備大致矩形框狀之金屬系部，上述金屬系部包含：第1片，其沿著與上述支持片材之厚度方向正交之第1方向；及第2片，其沿著與上述厚度方向及上述第1方向正交之第2方向；且上述第1片及上述第2片均相對於上述支持片材之上述端緣傾斜。

於該配線電路基板集合體片材中，於一面將支持片材沿著2個端緣延伸之方向搬送，一面藉由沿著與該搬送方向正交之方向配置之圖案形成裝置，形成配線電路基板集合體片材之金屬系部之情形時，第1片及第2片均相對於搬送方向傾斜。因此，第1片及第2片亦均相對於圖案形成裝置傾斜。於是，第1片及第2片均藉由圖案形成裝置，且以相同之蝕刻條件形成。因此，第1片及第2片之外形係以相同之精度形成。其結果，配線電路基板集合體片材可具備具有外形之位置精度優異之金屬系部的配線電路基板。

本發明(2)包含如(1)所記載之配線電路基板集合體片材，其中上述金屬系部包含配線。

於該配線電路基板集合體片材中，由於金屬系部包含配線，故而能夠發揮所期望之電氣特性。

本發明(3)包含如(1)或(2)所記載之配線電路基板集合體片材，其中上述金屬系部包含支持層。

於該配線電路基板集合體片材中，由於金屬系部包含支持層，故而能夠發揮所期望之熱傳導性。

本發明(4)包含一種配線電路基板集合體片材之製造方法，其係具備支持片材、及於上述支持片材中相互隔開間隔地配置之複數個配線電路基板的配線電路基板集合體片材之製造方法，且具備：第1步驟，其係將蝕刻阻劑配置於金屬系片材，而製作具備上述金屬系片材及上述蝕刻阻劑之阻劑積層體，其中上述蝕刻阻劑係大致矩形框狀之蝕刻阻劑且包含沿著與上述支持片材之厚度方向正交之第1方向之第1阻劑片、及沿著與上述厚度方向及上述第1方向正交之第2方向之第2阻劑片；以及第2步驟，其係一面使上述阻劑積層體移動，一面對自上述蝕刻阻劑露出之上述金屬系片材進行蝕刻，而形成包含由上述第1阻劑片被覆之第1片、及由上述第2阻劑片被覆之第2片且為大致矩形框狀之金屬系部，從而製造具備上述金屬系部之上述配線電路基板；且於上述第2步驟中，於上述第1阻劑片及上述第2阻劑片均相對於上述阻劑積層體之移動方向傾斜之狀態下，一面使上述阻劑積層體移動，一面對自上述蝕刻阻劑露出之上述金屬系片材進行蝕刻。

於該配線電路基板集合體片材之製造方法之第2步驟中，第1阻劑片及第2阻劑片均相對於移動方向傾斜。因此，亦相對於蝕刻裝置傾斜。於是，第1片與第2片均藉由蝕刻裝置且以相同之蝕刻條件形成。因此，能夠以相同之精度形成第1片及第2片之外形。其結果，能夠製造具備外形之位置精度優異之金屬系部的配線電路基板集合體片材。

本發明(5)包含如(4)所記載之配線電路基板集合體片材之製造方法，其中上述第1阻劑片之第2方向長度與上述第2阻劑片之第1方向長度相同。

蝕刻觸碰第1阻劑片，直接對第1阻劑片之第2方向一側附近之金屬系片材進行蝕刻，另一方面，蝕刻液之一部分越過第1阻劑片，對第1阻劑片之第2方向另一側附近之金屬系片材進行蝕刻。 又，蝕刻液亦觸碰第2阻劑片，直接對第2阻劑片之第1方向一側附近之金屬系片材進行蝕刻，另一方面，蝕刻液之一部分越過第2阻劑片，對第2阻劑片之第1方向另一側附近之金屬系片材進行蝕刻。

如上所述，第1阻劑片之第2方向一側附近之金屬系片材之蝕刻、與第2阻劑片之第1方向一側附近之金屬系片材之蝕刻係以相同之條件實施。

而且，於該製造方法中，於第1步驟中，使第1阻劑片之第2方向長度、與第2阻劑片之第1方向長度相同。因此，於第2步驟中，可使蝕刻液越過第1阻劑片之條件、與蝕刻液越過第2阻劑片之條件相同，進而，能以相同之條件實施第1阻劑片之第2方向另一側附近之金屬系片材之蝕刻、與第2阻劑片之第1方向另一側附近之金屬系片材之蝕刻。

因此，可使由第1阻劑片被覆之第1片之第2方向長度、與由第2阻劑片被覆之第2片之第1方向長度相同。

本發明(5)包含一種配線電路基板之製造方法，其具備如下步驟：藉由如(4)所記載之配線電路基板集合體片材之製造方法，製造配線電路基板集合體片材；及將上述配線電路基板自上述支持片材分離。

該配線電路基板之製造方法係由於製造上述配線電路基板集合體片材，其後，將配線電路基板自支持片材分離，故而可製造具備外形之位置精度優異之金屬系部的配線電路基板。 [發明之效果]

本發明之配線電路基板集合體片材可具備具有外形之位置精度優異之金屬系部的配線電路基板。

本發明之配線電路基板集合體片材之製造方法可製造具備外形之位置精度優異之金屬系部的配線電路基板集合體片材。

本發明之配線電路基板之製造方法可製造具備外形之位置精度優異之金屬系部的配線電路基板。

參照圖1~圖4C，對本發明之配線電路基板集合體片材及其製造方法之一實施形態進行說明。再者，於圖2C'及圖4之左側圖中，粗實線箭頭表示蝕刻液之流動。於圖4A之右側圖及圖4B中，極粗箭頭表示阻劑積層體之搬送方向。

如圖1所示，該配線電路基板集合體片材1具有沿長度方向延伸之長條片形狀。又，如圖3G所示，配線電路基板集合體片材1具有厚度，且包含厚度方向一面及另一面。進而，如圖1及圖3G所示，配線電路基板集合體片材1具有與長度方向及厚度方向正交之短邊方向長度，且包含短邊方向一端緣4及另一端緣5。短邊方向一端緣4及另一端緣5係沿長度方向平行。

配線電路基板集合體片材1之面方向包含上述長度方向及短邊方向。又，配線電路基板集合體片材1之厚度方向係與面方向正交之方向。配線電路基板集合體片材1之短邊方向長度係相對於配線電路基板集合體片材1之長度方向長度較短。

該配線電路基板集合體片材1具備支持片材6、及複數個配線電路基板7。

支持片材6具有與配線電路基板集合體片材1相同之俯視形狀(外形形狀)。亦即，支持片材6具備作為平行之2個端緣之一例之短邊方向一端緣4及另一端緣5。支持片材6例如為絕緣片材。作為支持片材6之材料，例如可列舉聚醯亞胺等樹脂(具有可撓性之樹脂材料)等。支持片材6之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為10 mm以下，較佳為1 mm以下。

複數個配線電路基板7能夠分離地支持於支持片材6。複數個配線電路基板7係於支持片材6中相互隔開間隔地排列配置。

配線電路基板7具有俯視大致矩形形狀(較佳為大致正方形狀)。又，配線電路基板7具備沿著相對於支持片材6之長度方向及短邊方向傾斜之第1方向，且於與第1方向及厚度方向正交之第2方向上相互對向配置之2個第1端緣18。2個第1端緣18具有相同之長度。

又，配線電路基板7具備沿著第2方向且於第1方向上相互隔開間隔地對向配置之2個第2端緣19。2個第2端緣19具有相同之長度，且連結2個第1端緣18。於配線電路基板7中，2個第1端緣18與2個第2端緣19係一體地形成。再者，第1方向及第2方向之相對於長度方向及短邊方向之傾斜係於金屬系部9之說明時進行詳細說明。

配線電路基板7具備：支持部8；金屬系部9，其配置於支持部8之厚度方向一面；及覆蓋層14，其以被覆金屬系部9之方式配置於支持部8之厚度方向一面。較佳為配線電路基板7僅具備支持部8、金屬系部9及覆蓋層14。

支持部8具有與配線電路基板7相同之俯視形狀。亦即，支持部8具有俯視大致矩形形狀。具體而言，支持部8具備沿著第1方向且於第2方向上相互對向配置之2個第1端緣18。2個第1端緣18具有相同之長度。2個第1端緣18具有相同之長度。

又，支持部8具備沿著第2方向且於第1方向上相互隔開間隔地對向配置之2個第2端緣19。2個第2端緣19具有相同之長度，且連結2個第1端緣18。於支持部8中，2個第1端緣18與2個第2端緣19係一體地形成。

又，支持部8能夠分離地支持於支持片材6。具體而言，於支持部8之周圍，形成有開口部13，支持部8經由接頭10而連結於周圍之支持片材6。開口部13具有包圍配線電路基板7之俯視大致矩形框形狀。接頭10例如連結4個端緣(2個第1端緣18、及2個第2端緣19)之各者、與支持片材6中面向開口部13之4個內端緣之各者。再者，接頭10具有橫截形成於支持部8之周圍之開口部13的大致直線形狀。藉此，支持部8係隔著開口部13且藉由接頭10而懸架於支持片材6內。

支持部8之外形尺寸係根據配線電路基板7之用途及目的而適當設定。例如，支持部8之平面面積S1係以與下述金屬系部9之平面面積S2之比成為下述範圍之方式設定。再者，支持部8之平面面積S1例如與配線電路基板7之平面面積S0相同。支持部8之厚度及材料係與支持片材6之厚度及材料相同。

金屬系部9係於俯視時具有大致矩形框形狀，較佳為具有大致正方形框形狀。又，金屬系部9係於沿厚度方向投影時包含於支持部8。金屬系部9係於俯視時，於支持部8之內側形成於除支持部8之中央部以外之區域。金屬系部9例如包含信號線(差動配線等)、功率線(電源配線等)、接地線(ground wire等)、天線導線(收發線等)等配線。再者，金屬系部9例如於俯視時亦可進而具有對應於上述各配線之功能之輔助部(端子等)(未圖示)。

金屬系部9具有沿著支持部8之4個端緣之各者之4個片。詳細而言，金屬系部9一體地具備沿著2個第1端緣18之各者且配置於2個第1端緣18之內側之2個第1金屬片11、與沿著2個第2端緣19之各者且配置於2個第2端緣19之內側之2個第2金屬片12。

2個第1金屬片11具有沿著第1方向之大致直線形狀。2個第1金屬片11具有相同之長度，且相互平行。又，2個第1金屬片11係沿第2方向相互隔開間隔地配置。2個第1金屬片11之各者例如具有剖面觀察大致矩形形狀。2個第1金屬片11包含配置於第2方向一側之一側第1金屬片61、及配置於該第2方向另一側之另一側第1金屬片62。

一側第1金屬片61具有作為面向第2方向一側之外側面的第1外側面63、作為面向另一側第1金屬片62之內側面的第1內側面64、及連結其等之厚度方向一端緣之第1上表面68。第1外側面63與第1內側面64平行。第1上表面68平行於支持部8之厚度方向一面。

另一側第1金屬片62具有作為面向一側第1金屬片61之內側面的第2內側面65、作為面向第2方向另一側之外側面的第2外側面66、及連結其等之厚度方向另一端緣之第2上表面69。第2內側面65與第2外側面66平行。第2上表面69平行於支持部8之厚度方向一面。

第1金屬片11、詳細而言為第1金屬片11所沿之第1方向係於俯視時相對於支持片材6之短邊方向一端緣4傾斜。具體而言，於俯視時，將第1金屬片11延長所得之第1延長線E1、與支持片材6之短邊方向一端緣4所成之角度至少具有第1銳角α1，該第1銳角α1例如為20度以上，較佳為30度以上，更佳為40度以上，又，為70度以下，較佳為60度以下，更佳為50度以下，尤佳為45度。

第1金屬片11之寬度W1為第1金屬片11之第2方向長度W1，詳細而言為和第1外側面63與第1內側面64間之長度、及第2內側面65與第2外側面66間之長度之各者相同之長度。具體而言，第1金屬片11之寬度W1例如為3 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。

第1金屬片11之第1方向長度L1例如為50 μm以上，較佳為100 μm以上，更佳為300 μm以上，又，例如為10 mm以下。 第1金屬片11之第1方向長度L1相對於寬度W1之比(L1/W1)例如為2以上，較佳為5以上，更佳為10以上，又，例如為10,000以下，較佳為1,000以下。

2個第2金屬片12具有沿著第2方向之大致直線形狀。2個第2金屬片12具有相同之長度，且相互平行。又，2個第2金屬片12係沿第1方向相互隔開間隔地配置。2個第2金屬片12係沿第2方向連結2個第1金屬片11之第1方向兩端。2個第2金屬片12之各者例如具有剖面觀察大致矩形形狀。2個第2金屬片12包含配置於第1方向一側之一側第2金屬片71、及配置於該第1方向另一側之另一側第2金屬片72。

一側第2金屬片71具有作為面向第1方向一側之外側面的第3外側面73、作為面向另一側第2金屬片72之內側面的第3內側面74、及連結其等之厚度方向一端緣之第3上表面78。第3外側面73與第3內側面74平行。第3上表面78平行於支持部8之厚度方向一面。

另一側第2金屬片72具有作為面向一側第2金屬片71之內側面的第4內側面75、作為面向第1方向另一側之外側面的第4外側面76、及連結其等之厚度方向一端緣之第4上表面79。第4內側面75與第4外側面76平行。第4上表面79平行於支持部8之厚度方向一面。

第2金屬片12、詳細而言為沿著第2金屬片12之第2方向係與第1方向正交之方向(正交方向)。因此，第2方向(第2金屬片12)係於俯視時相對於支持片材6之短邊方向一端緣4傾斜。具體而言，於俯視時，將第2金屬片12延長所得之第2延長線E2、與支持片材6之短邊方向一端緣4所成之角度至少具有第2銳角α2。第2銳角α2與第1銳角α1之合計為直角。

第2金屬片12之寬度W2為第2金屬片12之第1方向長度W2、詳細而言為和第3外側面73與第3內側面74間之長度、及第4內側面75與第4外側面76間之長度之各者相同之長度。具體而言，第2金屬片12之寬度W2例如為3 μm以上，較佳為10 μm以上，又，例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。第2金屬片12之寬度W2相對於第1金屬片12之寬度W1之比(W2/W1)例如為0.5以上，較佳為0.8以上，又，例如為1.5以下，較佳為1.2以下，尤佳為1。

第2金屬片12之第2方向長度L2例如為50 μm以上，較佳為100 μm以上，更佳為300 μm以上，又，例如為10 mm以下。 第2金屬片12之第2方向長度L2相對於寬度W2之比(L2/W2)係與第1金屬片11之第1方向長度L1相對於寬度W1之比(L1/W1)相同，具體而言，例如為2以上，較佳為5以上，更佳為10以上，又，例如為10,000以下，較佳為1,000以下。第2金屬片12之第2方向長度L2相對於第1金屬片11之第1方向長度L1之比(L2/L1)例如為0.5以上，較佳為0.8以上，又，例如為1.5以下，較佳為1.2以下。

金屬系部9之平面面積S2係第1上表面68、第2上表面69、第3上表面78及第4上表面79之平面面積之合計。金屬系部9之平面面積S2相對於支持部8之平面面積S1之比(S2/S1)相對較高，例如為0.5以上，較佳為超過0.5，更佳為0.6以上，進而較佳為0.8以上，又，例如未達1.0，較佳為0.95以下。金屬系部9之平面面積S2相對於配線電路基板7之平面面積S0之比(S2/S0)係與上述比(S2/S1)相同。

金屬系部9之厚度可適當設定。第1金屬片11之厚度T1與第2金屬片12之厚度T2例如相同，例如為5 μm以上，較佳為50 μm以上，更佳為100 μm以上，又，例如為1,000 μm以下，較佳為200 μm以下。第1金屬片11之厚度T1相對於寬度W1之比(T1/W1)例如為0.01以上，較佳為0.1以上，又，例如為100以下，較佳為10以下。第2金屬片12之厚度T2相對於寬度W2之比(T2/W2)係與上述比(T1/W1)相同。

金屬系部9之材料例如可自公知或慣用之金屬系材料(具體而言為金屬材料)中適當選擇加以使用。具體而言，作為金屬系材料，可列舉週期表中被分類為第1族~第16族之金屬元素、或含有2種以上該等金屬元素之合金等。再者，作為金屬系材料，亦可為過渡金屬、典型金屬中之任一種。更具體而言，作為金屬系材料，例如可列舉：鈣等第2族金屬元素；鈦、鋯等第4族金屬元素；釩等第5族金屬元素；鉻、鉬、鎢等第6族金屬元素；錳等第7族金屬元素；鐵等第8族金屬元素；鈷等第9族金屬元素；鎳、鉑等第10族金屬元素；銅、銀、金等第11族金屬元素；鋅等第12族金屬元素；鋁、鎵等第13族金屬元素；鍺、錫等第14族金屬元素。其等可單獨使用或併用。

再者，金屬系部9包含材料為金屬之金屬部9。

覆蓋層14為保護金屬系部9之絕緣層。覆蓋層14被覆支持部8中之自金屬系部9露出之厚度方向一面、金屬系部9之厚度方向一面(第1上表面68、第2上表面69、第3上表面78及第4上表面79)、及側面(第1外側面63、第1內側面64、第2內側面65、第2外側面66、第3外側面73、第3內側面74、第4內側面75及第4外側面76)。作為覆蓋層14之材料，例如可列舉聚醯亞胺等絕緣性樹脂。覆蓋層14之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，又，例如為500 μm以下，較佳為200 μm以下。

其次，對該配線電路基板集合體片材1之製造方法進行說明。

如圖2A~圖3G所示，配線電路基板集合體片材1之製造方法依序具備：基材準備步驟(參照圖2A)、作為第1步驟之一例之阻劑配置步驟(圖2B~圖2C)、作為第2步驟之一例之蝕刻步驟(參照圖2D)、阻劑去除步驟(參照圖3E)、覆蓋步驟(參照圖3F)、及外形加工步驟(參照圖3G)。

又，該配線電路基板集合體片材1之製造方法例如按照卷對卷(roll to roll)法實施。如參照圖4B般，於卷對卷法中，使用配置於配線電路基板集合體片材1之製造裝置(未圖示整體)之長度方向兩端部的卷出輥15及卷取輥16，於各步驟中，使自卷出輥15卷出之下述各構件朝向卷取輥16卷出，藉此來實施。

如圖2A所示，於基材準備步驟中，準備具備支持片材6、及配置於其厚度方向一面之金屬系片材17之雙層基材40。雙層基材40較佳為僅具備支持片材6及金屬系片材17。

支持片材6於基材準備步驟中係準備為尚未形成上述開口部13(參照圖3G)而是於長度方向上連續且不具有開口部13之長條片材。另一方面，該支持片材6包含短邊方向一端緣4及另一端緣5。

金屬系片材17配置於支持片材6之厚度方向一面之整個面。金屬系片材17於基材準備步驟中係準備為尚未形成為與上述金屬系部9對應之圖案而是於長度方向上連續之長條片材。金屬系片材17之材料及厚度與上述金屬系部9之材料及厚度相同。再者，金屬系片材17包含材料為金屬之金屬片材17。

例如，於金屬系片材17之厚度方向另一面塗佈樹脂，其後，進行乾燥，而形成支持片材6，藉此準備雙層基材40。或者，亦可直接準備預先具備支持片材6及金屬系片材17之雙層基材40。

如圖2B~圖2C及圖4A所示，於阻劑配置步驟中，將大致矩形框狀之蝕刻阻劑2配置於金屬系片材17之厚度方向一面。

為了將蝕刻阻劑2配置於金屬系片材17，例如，如圖2B所示，首先，將片狀之乾膜阻劑3配置於金屬系片材17之厚度方向一面之整個面。

如圖2C及圖4A所示，繼而，將乾膜阻劑3藉由光微影法(進行曝光及顯影)而形成大致矩形框狀之蝕刻阻劑2。

蝕刻阻劑2具有與應形成之上述金屬系部9(參照圖1及圖3G)俯視大致相同之形狀。亦即，蝕刻阻劑2一體地具備具有與應形成之第1金屬片11俯視大致相同之形狀之第1阻劑片21、及具有與應形成之第2金屬片12俯視大致相同之形狀之第2阻劑片22。

第1阻劑片21沿著第1方向。第1阻劑片21係於第2方向上隔開間隔地配置有2個。2個第1阻劑片21具有相同之長度，且包含配置於第2方向一側之一側第1阻劑片31、及配置於該第2方向另一側之另一側第1阻劑片33。再者，第1阻劑片21具有剖面觀察大致矩形形狀，例如，一側第1阻劑片31一體地具有面向第2方向一側之第1阻劑外側面51、面向另一側第1阻劑片33之第1阻劑內側面53、以及將其等之厚度方向一端緣連結之第1阻劑上表面55。將第1阻劑片21延長所得之第3延長線E3相對於支持片材6之短邊方向一端緣4傾斜。

第2阻劑22沿著第2方向。第2阻劑片22係於第1方向上隔開間隔地配置有2個。2個第2阻劑片22具有相同之長度，且包含配置於第1方向一側之一側第2阻劑片32、及配置於該第1方向另一側之另一側第2阻劑片34。再者，第2阻劑片22具有剖面觀察大致矩形形狀，例如，一側第2阻劑片32一體地具有面向第1方向一側之第2阻劑外側面52、面向另一側第2阻劑片34之第2阻劑內側面54、以及將其等之厚度方向一端緣連結之第2阻劑上表面56。將第2阻劑22延長所得之第4延長線E4相對於支持片材6之短邊方向一端緣4傾斜。

第1阻劑片21之第2方向長度W3與第2阻劑片22之第1方向長度W4相同。再者，第1阻劑片21之第2方向長度W3係第1阻劑外側面51及第1阻劑內側面53間之長度。第2阻劑片22之第1方向長度W4係第2阻劑外側面52及第2阻劑內側面54間之長度。

再者，關於蝕刻阻劑2之俯視尺寸，預想到於蝕刻步驟中之下述蝕刻中，金屬系片材17會被過蝕刻(產生過蝕刻部50)，可預先設定為較金屬系部9稍大之尺寸(參照圖2D之假想線)。

藉此，製作朝向厚度方向一側依序具備支持片材6、金屬系片材17及蝕刻阻劑2之阻劑積層體23。阻劑積層體23較佳為僅具備支持片材6、金屬系片材17及蝕刻阻劑2。

如圖2D及圖4A~圖4C所示，於蝕刻步驟中，一面使阻劑積層體23移動，一面對自蝕刻阻劑2露出之金屬系片材17進行蝕刻。

於蝕刻步驟中，例如，使用蝕刻裝置25。

蝕刻裝置25配置於卷出輥15與卷取輥16之間。蝕刻裝置25具備噴出部26。噴出部26係沿寬度方向配置。具體而言，噴出部26具有於正交於卷出輥15與卷取輥16之對向方向、及阻劑積層體23之厚度方向的正交方向上隔開間隔地排列配置之複數個噴出口27。上述對向方向相當於MD方向，又，亦相當於阻劑積層體23之長度方向。又，上述正交方向相當於TD方向，又，相當於阻劑積層體23之寬度方向。再者，噴出部26例如於蝕刻裝置25中，配置於較阻劑積層體23被搬送之預定位置更靠阻劑積層體23之厚度方向一側。又，複數個噴出口27構成為能夠對金屬系片材17連續地噴出蝕刻液。

如圖4A及圖4B之極粗箭頭所示，於蝕刻步驟中，阻劑積層體23自卷出輥15朝向蝕刻裝置25被卷出。再者，阻劑積層體23被卷出之方向(作為移動方向之一例之搬送方向)係沿著阻劑積層體23中之支持片材6之短邊方向一端緣4及另一端緣5。

於第1阻劑片21與第2阻劑片22均相對於阻劑積層體23之搬送方向(移動方向之一例)傾斜之狀態下，阻劑積層體23自卷出輥15朝向蝕刻裝置25被卷出。

如圖4B及圖4C之虛線箭頭所示，同時自複數個噴出口27，朝向阻劑積層體23連續地噴出蝕刻液。

作為蝕刻液，可列舉腐蝕(浸蝕、溶解)金屬系片材17之材料，但不腐蝕蝕刻阻劑2及支持片材6之藥液。

於是，蝕刻液接觸於自蝕刻阻劑2露出之金屬系片材17之厚度方向一面，而蝕刻自該面朝向厚度方向另一側進行。

詳細而言，一面以第1阻劑片21與第2阻劑片22均相對於阻劑積層體23之搬送方向傾斜之狀態搬送，一面自複數個噴出口27噴出蝕刻液。於是，如圖2C'及圖4A之實線箭頭所示，蝕刻液勢頭良好地觸碰一側第1阻劑片31之第1阻劑外側面51，繼而，對其搬送方向下游附近之金屬系片材17迅速地進行蝕刻。同時，蝕刻液勢頭良好地觸碰一側第2阻劑片32之第2阻劑外側面52，繼而，對其搬送方向下游附近之金屬系片材17迅速地進行蝕刻。

再者，如圖2C'及圖4A之虛線箭頭所示，於一側第1阻劑片31中，觸碰第1阻劑外側面51之蝕刻液之一部分越過第1阻劑上表面55，到達至第1阻劑內側面53之搬送方向上游側附近。該蝕刻液係與對於上述第1阻劑外側面51之觸碰相比，較為緩慢地接觸於第1阻劑內側面53。因此，蝕刻液對第1阻劑內側面53之搬送方向上游附近之金屬系片材17緩慢地進行蝕刻。同時，於一側第2阻劑片32中，觸碰第2阻劑外側面52之蝕刻液之一部分越過第2阻劑上表面56，到達至第2阻劑內側面54之搬送方向上游側附近。該蝕刻液係與對於上述第2阻劑外側面52之觸碰相比，較為緩慢地接觸於第2阻劑內側面54。因此，蝕刻液對第2阻劑內側面54之搬送方向上游附近之金屬系片材17緩慢地進行蝕刻。

蝕刻液於沿一側第2阻劑片32之第2阻劑外側面52流動之後，於一側第2阻劑片32及另一側第1阻劑片33之第1角部81迴繞。該蝕刻液對另一側第1阻劑片33之搬送方向上游附近之金屬系片材17緩慢地進行蝕刻。同時，蝕刻液於沿一側第1阻劑片31之第1阻劑外側面51流動之後，於一側第1阻劑片31及另一側第2阻劑片34之第2角部82(與第1角部81對向之角部)迴繞。該蝕刻液對另一側第2阻劑片34之搬送方向上游附近之金屬系片材17緩慢地進行蝕刻。

另一方面，越過一側第2阻劑片32之蝕刻液觸碰另一側第1阻劑片33，對另一側第1阻劑片33之搬送方向下游附近之金屬系片材17進行蝕刻，又，蝕刻液之一部分越過另一側第1阻劑片33，對另一側第1阻劑片33之上游附近之金屬系片材17進行蝕刻。同時，越過一側第1阻劑片31之蝕刻液觸碰另一側第2阻劑片34，對另一側第2阻劑片34之搬送方向下游附近之金屬系片材17進行蝕刻，又，蝕刻液之一部分越過另一側第2阻劑片34，對另一側第2阻劑片34之搬送方向上游附近之金屬系片材17進行蝕刻。

藉此，如圖2D所示，形成具有與俯視大致矩形框形狀之蝕刻阻劑2大致相同之俯視形狀(即，俯視大致矩形框形狀)之金屬系部9。

具備金屬系部9之阻劑積層體23係於實施洗淨、乾燥等適當之處理之後，被卷取輥16卷取。

其後，如圖3E所示，於阻劑去除步驟中，藉由例如剝離等去除蝕刻阻劑2。

其後，如圖3F所示，於覆蓋步驟中，以被覆金屬系部9之厚度方向一面及側面之方式將覆蓋層14配置於支持片材6之厚度方向一側。

其後，如圖3G所示，於外形加工步驟中，對支持片材6進行外形加工，而於支持片材6以沿厚度方向貫通之方式形成開口部13。同時，形成接頭10(參照圖1)，而使複數個配線電路基板7經由接頭10而能夠分離地支持於支持片材6。作為支持片材6之外形加工，例如使用蝕刻、切削(切斷)等。

藉此，製造具備支持片材6、及複數個配線電路基板7之配線電路基板集合體片材1。

其後，將接頭部10切斷，如圖1之右下圖所示般，將配線電路基板7自支持片材6分離，而獲得配線電路基板7。

然後，於該配線電路基板集合體片材1中，一面將支持片材6沿著短邊方向一端緣4延伸之長度方向搬送至蝕刻裝置25，一面藉由自沿著與相當於該長度方向之MD方向正交之TD方向配置的噴出部26噴出蝕刻液，而形成金屬系部9。因此，由於第1金屬片11及第2金屬片12均相對於MD方向傾斜，故而亦相對於TD方向傾斜。因此，第1金屬片11及第2金屬片12亦均相對於噴出部26傾斜。其後，第1金屬片11及第2金屬片12係以上述相同之蝕刻條件形成。

詳細而言，如圖4A所示，觸碰一側第1阻劑片31之第1阻劑外側面51之蝕刻液的勢頭、與觸碰一側第2阻劑片32之第2阻劑外側面52之蝕刻液的勢頭係由於一側第1阻劑片31及一側第2阻劑片32均相對於噴出部26傾斜，故而為相同程度。因此，第1阻劑外側面51之搬送方向下游附近之金屬系片材17之蝕刻速度、與搬送方向下游側面52之搬送方向下游附近之金屬系片材17之蝕刻速度為相同程度。

因此，如圖2D所示，一側第1金屬片61之第1外側面63、與一側第2金屬片71之第3外側面73之位置精度為相同程度。因此，能夠使一側第1金屬片61與一側第2金屬片71之外形之位置精度對準。

進而，如圖4A所示，沿著一側第2阻劑片32之搬送方向下游側面52流動之後於第1角部81迴繞之蝕刻液係對另一側第1阻劑片33之搬送方向上游(第2方向另一側)附近之金屬系片材17緩慢地進行蝕刻。

又，沿著一側第1阻劑片31之搬送方向下游側面51流動之後於第2角部82迴繞之蝕刻液係對另一側第2阻劑片34之搬送方向上游(第1方向另一側)附近之金屬系片材17緩慢地進行蝕刻。

對另一側第1阻劑片33之搬送方向上游附近之金屬系片材17進行蝕刻之緩慢程度、與對另一側第2阻劑片34之搬送方向上游附近之金屬系片材17進行蝕刻之緩慢程度係相同程度，於是，兩者之蝕刻速度亦為相同程度。

因此，如圖1所示，另一側第1金屬片62之第2外側面66之位置精度、與另一側第2金屬片72之第4外側面76之位置精度為相同程度。因此，能夠使另一側第1金屬片62與另一側第2金屬片72之外形之位置精度對準。

總而言之，第1金屬片11與第2金屬片12之外形係以相同之精度形成。其結果，配線電路基板集合體片材1能夠具備具有外形之位置精度優異之金屬系部9的配線電路基板7。

另一方面，如圖5A及圖5B所示，於第1方向沿著短邊方向，且第2方向沿著長度方向之比較例中，第1方向相對於MD方向正交。於是，於蝕刻步驟中，蝕刻液以最強勢頭觸碰一側第1阻劑片31之搬送方向下游側面51，而以最快之蝕刻速度對一側第1阻劑片31之搬送方向下游附近之金屬系片材17進行蝕刻。

繼而，於一側第1阻劑片31之兩端部迴繞之蝕刻相對緩慢地接觸於2個第2阻劑片22之外側面。因此，第2阻劑片22之外側附近之金屬系片材17之蝕刻速度係與一側第1阻劑片31之搬送方向下游附近之金屬系片材17之蝕刻速度相比較為緩慢。

其後，於2個第2阻劑片22之搬送方向上游側端部進一步迴繞之蝕刻最緩慢地接觸於另一側第1阻劑片33。因此，另一側第1阻劑片33之搬送方向上游附近之金屬系片材17之蝕刻速度係與第2阻劑片22之外側附近之金屬系片材17之蝕刻速度相比更緩慢、即最緩慢。

於是，如圖5C所示，一側第1金屬片61(一側之第1金屬片11)之第1外側面63、與一側第2金屬片71及另一側第2金屬片74(2個第2金屬片12)(於圖5C中，僅圖示有另一側第2金屬片74)之外側面之位置精度不對準。

進而，一側第2金屬片71及另一側第2金屬片72(2個第2金屬片12)之外側面、與另一側第1金屬片62(另一側之第1金屬片11)之第2外側面76之位置精度亦不對準。

因此，第1金屬片11及第2金屬片12之外形係以完全不同之精度形成。

另一方面，於該配線電路基板集合體片材1之製造方法中，如參照圖4A般，於蝕刻步驟中，由於一面於第1阻劑片21與第2阻劑片22均相對於阻劑積層體23之搬送方向傾斜之狀態下，使阻劑積層體23移動，一面對自蝕刻阻劑2露出之金屬系片材17進行蝕刻，故而第1阻劑片21及第2阻劑片2均相對於作為搬送方向之MD方向傾斜。因此，亦相對於複數個噴出口27之排列方向傾斜。第1金屬片11與第2金屬片12均藉由自蝕刻裝置25之塗佈部26噴出之蝕刻液，且以相同之條件形成。因此，第1金屬片11及第2金屬片12能以相同之外形精度形成。其結果，可製造具備外形精度優異之金屬系部9之配線電路基板集合體片材1。

進而，又，越過一側第2阻劑片32之蝕刻液係對一側第2阻劑片32之搬送方向上游附近之金屬系片材17進行蝕刻，繼而，觸碰另一側第1阻劑片33，而直接勢頭良好地對另一側第1阻劑片33之搬送方向下游附近之金屬系片材17進行蝕刻。又，越過一側第1阻劑片31之蝕刻液係對一側第1阻劑片31之搬送方向上游附近之金屬系片材17進行蝕刻，繼而，觸碰另一側第2阻劑片34，而直接勢頭良好地對另一側第2阻劑片34之搬送方向下游附近之金屬系片材17進行蝕刻。

而且，於該製造方法中，於阻劑配置步驟中，使第1阻劑片21(一側第1阻劑片31及另一側第1阻劑片33)之第2方向長度W3、與第2阻劑片22(一側第2阻劑片32及另一側第2阻劑片34)之第1方向長度W4相同。因此，於蝕刻步驟中，可使蝕刻液越過一側第1阻劑片31之條件、與蝕刻液越過一側第2阻劑片32之條件相同，並且可使蝕刻液觸碰另一側第1阻劑片33之條件、與蝕刻液觸碰另一側第2阻劑片34之條件相同。

因此，能以相同之條件實施一側第1阻劑片31之搬送方向上游附近之金屬系片材17之蝕刻、與一側第2阻劑片32之搬送方向上游附近之金屬系片材17之蝕刻。同時，能以相同之條件實施另一側第1阻劑片33之搬送方向下游附近之金屬系片材17之蝕刻、與另一側第2阻劑片34之搬送方向下游附近之金屬系片材17之蝕刻。

因此，可使由一側第1阻劑片31被覆之一側第1金屬片61之第2方向長度W1、與由一側第2阻劑片32被覆之一側第2金屬片71之第1方向長度W2相同。同時，可使由另一側第1阻劑片33被覆之另一側第1金屬片62之第2方向長度W1、與由另一側第2阻劑片34被覆之另一側第2金屬片72之第1方向長度W2相同。

總而言之，可使由第1阻劑片21被覆之第1片11之第2方向長度W1、與由第2阻劑片22被覆之第2片12之第1方向長度W2相同。

又，於該配線電路基板集合體片材1中，由於金屬系部9包含配線，故而能夠發揮所期望之電氣特性。

進而，該配線電路基板7之製造方法係由於製造上述配線電路基板集合體片材1，其後，將配線電路基板7自支持片材6分離，故而可製造具備外形之精度優異之金屬系部9的配線電路基板7。

此種配線電路基板7之用途並無特別限定，可用於各種領域。配線電路基板1例如可用於電子設備用配線電路基板(電子零件用配線電路基板)、電氣設備用配線電路基板(電氣零件用配線電路基板)等各種用途。作為電子設備用配線電路基板及電氣設備用配線電路基板，可列舉：例如用於位置資訊感測器、障礙物檢測感測器、溫度感測器等感測器之感測器用配線電路基板；例如用於汽車、電車、航空器、作業車輛等運輸車輛之運輸車輛用配線電路基板；例如用於平板顯示器、撓性顯示器、投影型影像設備等影像設備之影像設備用配線電路基板；例如用於網路設備、大型通信設備等通信中繼設備之通信中繼設備用配線電路基板；例如用於電腦、平板、智慧型手機、家用遊戲機等資訊處理終端之資訊處理終端用配線電路基板；例如用於無人機、機器人等可動型設備之可動型設備用配線電路基板；例如用於可穿戴型醫療用裝置、醫療診斷用裝置等醫療設備之醫療設備用配線電路基板；例如用於冰箱、洗衣機、吸塵器、空調設備等電氣設備之電氣設備用配線電路基板；例如用於數位相機、DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)錄影裝置等錄影電子設備之錄影電子設備用配線電路基板等。

變化例 於以下之各變化例中，對與上述一實施形態相同之構件及步驟標註相同之參照符號，並省略其詳細之說明。又，各變化例係除特別記載以外，可發揮與一實施形態相同之作用效果。進而，可適當組合一實施形態及變化例。

於一實施形態中，於蝕刻步驟中，對金屬系片材17實施使用蝕刻液之濕式蝕刻，但例如亦可實施雷射加工等乾式蝕刻。於該情形時，未圖示之雷射照射裝置中具備能夠沿TD方向進行掃描之未圖示之雷射照射部。

如圖1所示，於一實施形態中，第1金屬片11之寬度W1、與第2金屬片12之寬度W2相同，但亦可如圖6A所示，設為不同。

於圖6A所示之變化例中，一側第1金屬片61之寬度W1A係與一側第2金屬片71之寬度W2A不同，例如，大於一側第2金屬片71之寬度W2A。或者，雖未圖示，但亦可相反。

於圖6A所示之變化例中，另一側第1金屬片62之寬度W1B係與另一側第2金屬片72之寬度W2B不同，例如，大於另一側第2金屬片72之寬度W2B。或者，雖未圖示，但亦可相反。

又，如圖6B所示，2個第1金屬片11之寬度W1亦可相互不同。一側第1金屬片61之寬度W1A與另一側第1金屬片62之寬度W1B不同，例如，大於另一側第1金屬片62之寬度W1B。或者，雖未圖示，但亦可相反。

又，於圖6B所示之變化例中，2個第1金屬片12之寬度W2亦可相互不同。一側第2金屬片71之寬度W2A與另一側第2金屬片72之寬度W2B不同，例如，大於另一側第2金屬片72之寬度W2B。或者，雖未圖示，但亦可相反。

又，如圖3G之實線所示，於一實施形態中，支持部8為單層，但亦可為複層，於該變化例中，如圖3G之假想線所示，較佳為2層。

具體而言，如圖8I所示，支持部8為2層，例如朝向厚度方向一側依序具備作為支持層之一例之金屬支持部28及樹脂支持部29。於該變化例中，較佳為支持部8僅具備金屬支持部28及樹脂支持部29。

又，於該變化例中，本發明之金屬系部之一例為金屬系部9，進而為金屬支持部28。

如圖2C~圖2D所示，於一實施形態中，分別實施1次阻劑配置步驟及蝕刻步驟，但例如，亦可實施複數次。

例如，如圖7B~圖7C所示，藉由第1次蝕刻步驟由金屬系片材17形成金屬系部9，其後，如圖8G~圖8H所示，藉由第2次蝕刻步驟由金屬支持片材30形成金屬支持部28。

於該變化例中，例如，如圖7A所示，首先，準備朝向厚度方向一側依序具備作為支持片材之一例之金屬支持片材30、絕緣片材46及金屬系片材17之三層基材48。絕緣片材46及金屬系片材17均具有與金屬支持片材30相同之俯視形狀。作為絕緣片材46之材料，可列舉關於一實施形態之支持片材6所例示之樹脂。三層基材48具有相互平行之短邊方向一端緣4及另一端緣5。

如圖7B所示，其後，將蝕刻阻劑2配置於三層基材48之厚度方向兩面。具體而言，於金屬系片材17之厚度方向一面，以上述圖案形成蝕刻阻劑2，於金屬系片材17之厚度方向另一面，將蝕刻阻劑2配置於其整個面。

藉此，製作具備三層基材48及蝕刻阻劑2之第1阻劑積層體39。

如圖7C所示，其後，一面於蝕刻阻劑2之第1阻劑片21及第2阻劑片22相對於搬送方向傾斜之狀態下，搬送第1阻劑積層體39，一面對自蝕刻阻劑2露出之金屬系片材17進行蝕刻，而實施第1次蝕刻步驟。藉此，形成俯視大致矩形框形狀之金屬系部9。

如圖7D所示，其後，去除蝕刻阻劑2。

如圖7E所示，藉由例如切削(切斷)、蝕刻等由絕緣片材46形成樹脂支持部29。

如圖8F所示，繼而，以被覆金屬系部9之厚度方向一面及側面之方式將覆蓋層14配置於樹脂支持部29之厚度方向一側。

如圖8G~圖8I所示，其後，依序實施第2次阻劑配置步驟及蝕刻步驟。

如圖8G所示，具體而言，首先，將具備第3阻劑片36、第4阻劑片37及第5阻劑部38之第2蝕刻阻劑24配置於金屬支持片材30之厚度方向兩面。配置於金屬支持片材30之厚度方向一面之第2蝕刻阻劑24、與配置於金屬支持片材30之厚度方向另一面之第2蝕刻阻劑24係於沿厚度方向投影時具有相同之形狀。再者，配置於金屬支持片材30之厚度方向一面之第3阻劑片36及第4阻劑片37被覆樹脂支持部29之側面、覆蓋層14之側面及厚度方向一面。藉此，製作第2阻劑積層體49，而實施第2次阻劑配置步驟。

其後，如圖8H所示，一面於第2蝕刻阻劑24之第3阻劑片36及第4阻劑片37相對於搬送方向(圖7中之紙面深度方向)傾斜之狀態下，搬送第2阻劑積層體49，一面對自第2蝕刻阻劑24露出之金屬支持片材30進行蝕刻，而實施第2次蝕刻步驟。藉此，形成俯視大致矩形框形狀之金屬支持部28。

其後，如圖8I所示，去除第2蝕刻阻劑24。

藉此，製造具備複數個配線電路基板7之配線電路基板集合體片材1。

該配線電路基板7具備：金屬支持部28；樹脂支持部29，其配置於金屬支持部28之厚度方向一面；金屬系部9，其配置於樹脂支持部29之厚度方向一面；以及覆蓋層14，其以被覆金屬系部9之厚度方向一面及側面之方式配置於樹脂支持部29之厚度方向一面。配線電路基板7具有沿厚度方向貫通之第2開口部41。

於該配線電路基板集合體片材1中，由於金屬支持部28包含於支持部8，故而金屬支持部28可一面經由絕緣支持部29確實地支持金屬系部9，一面使金屬系部9中所產生之熱基於預定之熱傳導性擴散。尤其是，由於配線電路基板7具備第2開口部41，故而亦可藉由基於第2開口部41中之空氣之流動的對流，而進一步提高熱傳導性。

又，於上述一實施形態及變化例之蝕刻步驟中，至少對金屬系片材17進行蝕刻。具體而言，於圖2D所示之一實施形態中，對金屬系片材17進行蝕刻，於圖7E及圖8I所示之變化例中，對金屬系片材17及金屬支持片材30進行蝕刻。但是，例如，雖未圖示，但亦可不對金屬系片材17進行蝕刻，而僅對金屬支持片材30進行蝕刻，從而僅形成金屬支持部28作為金屬系部之一例。

又，例如，配線電路基板集合體片材1亦可藉由單片法製造，而並非卷對卷法。

進而，如圖9A所示，亦可使具有特定長度之俯視大致矩形形狀之雙層基材23相對於搬送方向、及沿著噴出部26之方向之兩者傾斜，並將其搬送至蝕刻裝置25，實施第2步驟。

該雙層基材23不僅具有短邊方向一端緣4及另一端緣5，而且具有長度方向一端緣43及另一端緣44。於雙層基材23中，短邊方向一端緣4及另一端緣5具有相同之長度。又，長度方向一端緣43及另一端緣44具有相同之長度，且連結短邊方向一端緣4及另一端緣5。

蝕刻阻劑2之矩形框形狀之外形係相對於雙層基材23之長度方向筆直地並列配置。具體而言，第1阻劑片21平行於雙層基材23之短邊方向一端緣4。第2阻劑片22平行於雙層基材23之長度方向一端緣43。

於第2步驟中，於第1阻劑片21相對於搬送方向、及沿著噴出部26之方向傾斜，又，第2阻劑片22亦相對於搬送方向、及沿著噴出部26之方向傾斜之狀態下，將阻劑積層體23搬送至蝕刻裝置25。

於實施第2步驟之後所獲得之配線電路基板集合體片材1中，複數個配線電路基板7相對於配線電路基板集合體片材1之長度方向筆直地並列配置。具體而言，配線電路基板7之第1端緣18平行於配線電路基板集合體片材1之短邊方向一端緣4。配線電路基板7之第2端緣19平行於配線電路基板集合體片材1之長度方向一端緣43。

再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其僅為例示，不可限定性地解釋。由該技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍中。 [產業上之可利用性]

配線電路基板可用於電子設備用配線電路基板、電氣設備用配線電路基板等各種用途。

1‧‧‧配線電路基板集合體片材 2‧‧‧蝕刻阻劑 3‧‧‧乾膜阻劑 4‧‧‧短邊方向一端緣 5‧‧‧短邊方向另一端緣 6‧‧‧支持片材 7‧‧‧配線電路基板 8‧‧‧支持部 9‧‧‧金屬系部 10‧‧‧接頭 11‧‧‧第1金屬片 12‧‧‧第2金屬片 13‧‧‧開口部 14‧‧‧覆蓋層 15‧‧‧卷出輥 16‧‧‧卷取輥 17‧‧‧金屬系片材 18‧‧‧第1端緣 19‧‧‧第2端緣 21‧‧‧第1阻劑片 22‧‧‧第2阻劑片 23‧‧‧阻劑積層體(雙層基材) 24‧‧‧第2蝕刻阻劑 25‧‧‧蝕刻裝置 26‧‧‧噴出部 27‧‧‧噴出口 28‧‧‧金屬支持部 29‧‧‧樹脂支持部 30‧‧‧金屬支持片材 31‧‧‧另一側第1阻劑片 32‧‧‧另一側第2阻劑片 33‧‧‧另一側第1阻劑片 34‧‧‧另一側第2阻劑片 35‧‧‧金屬層 36‧‧‧第3阻劑片 37‧‧‧第4阻劑片 38‧‧‧第5阻劑部 39‧‧‧第1阻劑積層體 40‧‧‧雙層基材 41‧‧‧第2開口部 42‧‧‧第2阻劑積層體 43‧‧‧長度方向一端緣 44‧‧‧長度方向另一端緣 46‧‧‧絕緣片材 48‧‧‧三層基材 49‧‧‧第2阻劑積層體 51‧‧‧第1阻劑外側面(搬送方向下游側面) 52‧‧‧第2阻劑外側面(搬送方向下游側面) 53‧‧‧第1阻劑內側面 54‧‧‧第2阻劑內側面 55‧‧‧第1阻劑上表面 56‧‧‧第2阻劑上表面 61‧‧‧一側第1金屬片 62‧‧‧另一側第1金屬片 63‧‧‧第1外側面 64‧‧‧第1內側面 65‧‧‧第2內側面 66‧‧‧第2外側面 68‧‧‧第1上表面 69‧‧‧第2上表面 71‧‧‧一側第2金屬片 72‧‧‧另一側第2金屬片 73‧‧‧第3外側面 74‧‧‧第3內側面 75‧‧‧第4內側面 76‧‧‧第4外側面 78‧‧‧第3上表面 79‧‧‧第4上表面 81‧‧‧第1角部 82‧‧‧第2角部 E1‧‧‧第1延長線 E2‧‧‧第2延長線 E3‧‧‧第3延長線 E4‧‧‧第4延長線 L1‧‧‧第1方向長度 L2‧‧‧第2方向長度 W1‧‧‧寬度 W1A‧‧‧寬度 W1B‧‧‧寬度 W2‧‧‧寬度 W2A‧‧‧寬度 W2B‧‧‧寬度 W3‧‧‧第2方向長度 W4‧‧‧第1方向長度 α1‧‧‧第1銳角 α2‧‧‧第2銳角

圖1表示本發明之配線電路基板集合體片材之一實施形態之俯視圖。再者，左下圖表示支持於支持片材之配線電路基板之放大圖，右下圖表示自支持片材分離之配線電路基板之放大圖。 圖2A~圖2D係圖1所示之配線電路基板集合體片材之製造方法之步驟圖，且為沿著圖1之X-X線之剖視圖，圖2A表示基材準備步驟，圖2B表示配置乾膜阻劑之步驟，圖2C表示製作阻劑積層體之阻劑配置步驟，圖2C'表示圖2C所示之阻劑積層體之放大剖視圖，圖2D表示蝕刻步驟。 圖3E~圖3G係繼圖2D後之圖1所示之配線電路基板集合體片材之製造方法之步驟圖，且為沿著圖1之X-X線之剖視圖，圖3E表示阻劑去除步驟，圖3F表示覆蓋步驟，圖3G表示外形加工步驟。 圖4A~圖4C係對圖2D所示之蝕刻步驟進行詳細說明之圖，圖4A表示俯視圖，圖4B表示側視圖，圖4C表示沿著圖4A及圖4B之Y-Y線之前剖視圖。 圖5A~圖5C係配線電路基板集合體片材之製造方法之比較例，圖5A表示俯視圖，圖5B表示蝕刻中途之阻劑積層體之前剖視圖，圖5C表示蝕刻後之包含金屬系部之阻劑積層體之前剖視圖。 圖6A及圖6B係圖1所示之配線電路基板集合體片材之配線電路基板之變化例之放大俯視圖，圖6A表示具備包含第2方向長度較另一側第1金屬片長之一側第1金屬片、及第1方向長度較另一側第2金屬片長之一側第2金屬片的金屬系部之態樣，圖6B表示具備包含具有較一側第2金屬片之第1方向長度更長之第2方向長度之一側第1金屬片、及具有較另一側第2金屬片之第1方向長度更長之第2方向長度之另一側第1金屬片的金屬系部之態樣。 圖7A~圖7E係圖2A~圖3G之製造方法之變化例，圖7A表示準備三層基材之步驟，圖7B表示第1次阻劑配置步驟，圖7C表示第1次蝕刻步驟，圖7D表示阻劑去除步驟，圖7E表示形成絕緣樹脂部之步驟。 圖8F~圖8I係繼圖7E後之圖2A~圖3G之製造方法之變化例，圖8F表示覆蓋步驟，圖8G表示第2次阻劑配置步驟，圖8H表示第2次蝕刻步驟，圖8I表示阻劑去除步驟。 圖9A及圖9B係圖2A~圖4C所示之配線電路基板集合體片材之製造方法之變化例之俯視圖，圖9A表示於蝕刻步驟中被搬送至蝕刻裝置之阻劑積層體，圖9B表示所獲得之配線電路基板集合體片材。

1‧‧‧配線電路基板集合體片材

4‧‧‧短邊方向一端緣

5‧‧‧短邊方向另一端緣

6‧‧‧支持片材

7‧‧‧配線電路基板

8‧‧‧支持部

9‧‧‧金屬系部

10‧‧‧接頭

11‧‧‧第1金屬片

12‧‧‧第2金屬片

13‧‧‧開口部

18‧‧‧第1端緣

19‧‧‧第2端緣

61‧‧‧一側第1金屬片

62‧‧‧另一側第1金屬片

63‧‧‧第1外側面

64‧‧‧第1內側面

65‧‧‧第2內側面

66‧‧‧第2外側面

68‧‧‧第1上表面

69‧‧‧第2上表面

71‧‧‧一側第2金屬片

72‧‧‧另一側第2金屬片

73‧‧‧第3外側面

74‧‧‧第3內側面

75‧‧‧第4內側面

76‧‧‧第4外側面

78‧‧‧第3上表面

79‧‧‧第4上表面

E1‧‧‧第1延長線

E2‧‧‧第2延長線

L1‧‧‧第1方向長度

L2‧‧‧第2方向長度

W1‧‧‧寬度

W2‧‧‧寬度

α1‧‧‧第1銳角

α2‧‧‧第2銳角

Claims (6)

1. 一種配線電路基板集合體片材，其特徵在於，具備： 支持片材，其具有平行之2個端緣；及 複數個配線電路基板，其等係於上述支持片材相互隔開間隔地配置；且 上述配線電路基板具備大致矩形框狀之金屬系部， 上述金屬系部包含： 第1片，其沿著與上述支持片材之厚度方向正交之第1方向；及 第2片，其沿著與上述厚度方向及上述第1方向正交之第2方向； 上述第1片及上述第2片均相對於上述支持片材之上述端緣傾斜。
2. 如請求項1之配線電路基板集合體片材，其中上述金屬系部包含配線。
3. 如請求項1之配線電路基板集合體片材，其中上述金屬系部包含支持層。
4. 一種配線電路基板集合體片材之製造方法，其特徵在於：其係具備支持片材、及於上述支持片材相互隔開間隔地配置之複數個配線電路基板的配線電路基板集合體片材之製造方法，且具備： 第1步驟，其係將蝕刻阻劑配置於金屬系片材，從而製作具備上述金屬系片材及上述蝕刻阻劑之阻劑積層體，其中上述蝕刻阻劑係大致矩形框狀之蝕刻阻劑且包含沿著與上述支持片材之厚度方向正交之第1方向之第1阻劑片、及沿著與上述厚度方向及上述第1方向正交之第2方向之第2阻劑片；以及 第2步驟，其係一面使上述阻劑積層體移動，一面對自上述蝕刻阻劑露出之上述金屬系片材進行蝕刻，而形成包含由上述第1阻劑片被覆之第1片及由上述第2阻劑片被覆之第2片且為大致矩形框狀之金屬系部，從而製造具備上述金屬系部之上述配線電路基板；且 於上述第2步驟中，一面於上述第1阻劑片及上述第2阻劑片均相對於上述阻劑積層體之移動方向傾斜之狀態下，使上述阻劑積層體移動， 一面對自上述蝕刻阻劑露出之上述金屬系片材進行蝕刻。
5. 如請求項4之配線電路基板集合體片材之製造方法，其中於第1步驟中，使上述第1阻劑片之第2方向長度、與上述第2阻劑片之第1方向長度相同。
6. 一種配線電路基板之製造方法，其特徵在於，具備如下步驟： 藉由如請求項4之配線電路基板集合體片材之製造方法製造配線電路基板集合體片材；及 將上述配線電路基板自上述支持片材分離。

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