TW202315471A - 配線電路基板及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種絕緣層與金屬支持層之間之密接力高且剛性及散熱性優異之配線電路基板及其製造方法。 本發明之配線電路基板1沿厚度方向依序具備金屬支持層5、接著劑層6、基底絕緣層7及導體圖案8。金屬支持層5在23℃下之拉伸強度為100 MPa以上。金屬支持層5之熱導率為30 W/m・K以上。配線電路基板1之製造方法包括第1步驟及第2步驟。於第1步驟中，藉由減成法將導體板85形成為導體圖案8。於第2步驟中，將23℃下之拉伸強度為100 MPa以上且熱導率為30 W/m・K以上之金屬板55與具備絕緣板75及導體圖案8之積層板91中之絕緣板75經由接著劑片材65接著。

Description

配線電路基板及其製造方法

本發明係關於一種配線電路基板及其製造方法。

已知有一種沿厚度方向依序具備金屬支持層、絕緣層及導體圖案之配線電路基板(例如，參照下述專利文獻1)。於專利文獻1之配線電路基板中，絕緣層與金屬支持層之厚度方向上之一面接觸。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2019-212656號公報

[發明所欲解決之問題]

於專利文獻1所記載之配線電路基板中，金屬支持層與絕緣層之密接力較低。

試行於金屬支持層與絕緣層之間配置接著劑層而提高上述密接力之方案。

接著劑層通常膨脹係數較高，故存在加熱時之配線電路基板之剛性下降之不良情況。

另一方面，接著劑層配置於導體圖案與金屬支持層之間，故存在無法將導體圖案中之熱有效率地散熱至金屬支持層之不良情況。

本發明提供一種金屬支持層與絕緣層之間之密接力高且剛性及散熱性優異之配線電路基板及其製造方法。 [解決問題之技術手段]

本發明(1)包含一種配線電路基板，其沿厚度方向依序具備金屬支持層、接著劑層、絕緣層及導體圖案，上述金屬支持層在23℃下之拉伸強度為100 MPa以上，且上述金屬支持層之熱導率為30 W/m・K以上。

於該配線電路基板中，接著劑層介置於金屬支持層與絕緣層之間。因此，金屬支持層與絕緣層之間之密接力高。

又，金屬支持層在23℃下之拉伸強度為100 MPa以上，故配線電路基板之剛性優異。

進而，金屬支持層之熱導率為30 W/m・K以上，故配線電路基板之散熱性優異。

因此，配線電路基板之金屬支持層與絕緣層之間之密接力高，且剛性及散熱性優異。

本發明(2)包含如(1)所記載之配線電路基板，其中上述絕緣層具有絕緣貫通孔，且上述接著劑層具有沿厚度方向投影時與上述絕緣貫通孔重疊之接著貫通孔。

本發明(3)包含如(2)所記載之配線電路基板，其進而具備配置於上述絕緣貫通孔及上述接著貫通孔內之導電構件。

本發明(4)包含如(2)所記載之配線電路基板，其進而具備配置於上述接著貫通孔內之導電構件及第2導體圖案、以及配置於上述絕緣貫通孔內且將上述導體圖案與上述第2導體圖案電性連接之連接構件。

本發明(5)包含如(1)至(4)中任一項所記載之配線電路基板，其具備相互隔開間隔地並列配置之複數個配線體，上述複數個配線體之各者具備：絕緣部，其包含於上述絕緣層；接著部，其配置於上述絕緣部之厚度方向之一面，且包含於上述接著劑層；配線部，其配置於上述接著部之厚度方向之一面，且包含於上述導體圖案；及金屬支持部，其配置於上述絕緣部之厚度方向之另一面，上述複數個配線體之厚度方向長度T相對於其等在並列方向上之長度W的比(T/W)為2以上，且包含於上述金屬支持層。

比(T/W)高達2以上，故能增大金屬支持部與空氣之接觸面積。因此，基於對流之散熱效率優異。

進而，金屬支持部之高寬比(T/W)高達2以上，故能將自配線部傳導至配線體絕緣部之熱經由接著部向金屬支持部有效率地釋出。

因此，配線電路基板之配線體之散熱性優異。

本發明(6)包含如(5)所記載之配線電路基板，其中一上述金屬支持部具有面向沿上述並列方向與一上述金屬支持部鄰接之另一上述金屬支持部之內側面，且上述內側面之面積係將上述內側面沿上述並列方向投影時之投影面積以上。

本發明(7)包含如(5)或(6)所記載之配線電路基板，其具備連結體，該連結體將上述複數個配線體之與上述並列方向及上述厚度方向正交之正交方向端部連結，上述連結體具備：端子部，其與上述配線部之正交方向端部連續，且包含於上述導體圖案；及連結金屬部，其與上述金屬支持部之正交方向端部連續，且包含於上述金屬支持層；且上述連結金屬部於沿厚度方向投影時，以包含複數個上述端子部之方式沿上述並列方向連續。

於配線電路基板中，連結金屬部於沿厚度方向投影時，以包含複數個端子部之方式沿短邊方向連續，故能確實地支持複數個端子部。

本發明(8)包含一種配線電路基板之製造方法，其包括如下步驟：準備具備絕緣板、及配置於上述絕緣板之厚度方向上之至少一面之導體板的多層基材；藉由減成法將上述導體板形成為導體圖案；將23℃下之拉伸強度為100 MPa以上且熱導率為30 W/m・K以上之金屬板或由上述金屬板形成之金屬支持層與上述絕緣板經由接著劑片材或由上述接著劑片材形成之接著劑層接著；將上述金屬板圖案化而形成上述金屬支持層；將上述接著劑片材圖案化而形成上述接著劑層；及將上述絕緣板圖案化而形成絕緣層。 [發明之效果]

藉由本發明之製造方法所獲得之配線電路基板之金屬支持層與絕緣層之間之密接力高，且剛性及散熱性優異。

＜配線電路基板之第1實施方式＞ 參照圖1至圖2B對本發明之配線電路基板之第1實施方式進行說明。

＜配線電路基板1之整體構成＞ 如圖2A及圖2B所示，配線電路基板1具有厚度方向之一面及另一面。配線電路基板1具有大致板形狀。如圖1所示，配線電路基板1沿長邊方向延伸。長邊方向係與厚度方向正交。配線電路基板1一體地具備作為連結體之一例之第1連結體2A、作為連結體之一例之第2連結體2B、及配線體3。較佳為，配線電路基板1僅具備第1連結體2A、第2連結體2B及配線體3。

第1連結體2A形成配線電路基板1之長邊方向之一端部。第1連結體2A具有俯視大致矩形平板形狀。第1連結體2A之俯視下之尺寸並無特別限定。

第2連結體2B形成配線電路基板1之長邊方向之另一端部。第2連結體2B係相對於第1連結體2A，隔著配線體3對向配置於長邊方向之另一側。 第2連結體2B具有俯視大致矩形平板形狀。第2連結體2B之俯視下之尺寸並無特別限定。

配線體3形成配線電路基板1之長邊方向中間部。配線體3於俯視下配置於第1連結體2A與第2連結體2B之間。配線體3具有沿長邊方向延伸之形狀。配線體3沿長邊方向將第1連結體2A與第2連結體2B橋接。又，配線體3係於配線電路基板1之短邊方向上相互隔開間隔地並列配置有複數個。短邊方向係與長邊方向及厚度方向正交。又，短邊方向係配線體3之並列方向之一例。鄰接之配線體3之間形成有開口部4。

開口部4例如將於配線電路基板1之短邊方向上彼此相鄰之配線體3隔開。開口部4具有沿長邊方向延伸之狹縫形狀。開口部4沿厚度方向貫通配線電路基板1。

複數個配線體3之長邊方向之一端部藉由1個第1連結體2A而於短邊方向上連結。藉此，複數個配線體3之長邊方向之一端部藉由1個第1連結體2A束集。

複數個配線體3之長邊方向之另一端部藉由1個第2連結體2B而於短邊方向上連結。藉此，複數個配線體3之長邊方向之另一端部藉由1個第2連結體2B束集。

配線體3之長邊方向長度可根據用途及目的而適當設定。

複數個配線體3各自之短邊方向長度例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下，更佳為100 μm以下，且例如為10 μm以上。開口部4之短邊方向長度例如為10 μm以上，較佳為50 μm以上，更佳為100 μm以上，且例如為1000 μm以下。配線體3之短邊方向長度相對於開口部4之短邊方向長度之比，例如為40以下，較佳為10以下，且例如為0.1以上，較佳為0.5以上。 配線體3之厚度例如為10 μm以上，較佳為100 μm以上，且例如為10 mm以下，較佳為1 mm以下。配線電路基板1之厚度與上述配線體3之厚度相同。

＜配線電路基板1之層構成＞ 如圖2A及圖2B所示，配線電路基板1具備金屬支持層5、接著劑層6、作為絕緣層之一例之基底絕緣層7及導體圖案8。配線電路基板1進而具備覆蓋絕緣層9(參照圖2B)及導電構件10(參照圖2A)。 配線電路基板1較佳為僅具備金屬支持層5、接著劑層6、基底絕緣層7、導體圖案8、覆蓋絕緣層9及導電構件10。

＜金屬支持層5＞ 金屬支持層5形成配線電路基板1之厚度方向之另一面。如圖1至圖2B所示，金屬支持層5包含於第1連結體2A、第2連結體2B及配線體3中。金屬支持層5中形成第1連結體2A之部分為作為連結金屬部之一例之第1連結金屬部51A(參照圖2A)。金屬支持層5中形成第2連結體2B之部分為作為連結金屬部之一例之第2連結金屬部51B(參照圖1)。 金屬支持層5中形成配線體3之部分為作為支持部之一例之配線體金屬部52(參照圖2B)。

第1連結金屬部51A於俯視下具有以包含下述第1端子部81A之方式沿短邊方向連續之大致平板形狀。

第2連結金屬部51B於俯視下具有以包含下述第2端子部81B之方式沿短邊方向連續之大致平板形狀。

如圖2B所示，配線體金屬部52於沿著厚度方向及短邊方向切斷所得之切斷面(與剖面觀察同義)中，具有於厚度方向較長之大致矩形狀。

配線體金屬部52具備金屬內側面53。金屬內側面53面向開口部4。一配線體金屬部52之金屬內側面53面向沿短邊方向與一配線體金屬部52鄰接之另一配線體金屬部52。隔著開口部4對向(面對面)之2個金屬內側面53平行。本實施方式中，金屬內側面53為平坦面。再者，由於配線體金屬部52於剖面觀察時呈大致矩形狀，故金屬內側面53之面積S0與將金屬內側面53沿短邊方向投影時之投影面積S1相同。金屬內側面53之面積S0係使接下來進行說明之金屬支持層5之厚度T乘以長邊方向長度所得之值。

金屬支持層5之厚度T例如為30 μm以上，較佳為50 μm以上，較佳為75 μm以上，更佳為100 μm以上。又，金屬支持層5之厚度T例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。

配線體金屬部52之短邊方向長度W可自關於上述配線體3之短邊方向長度所例示之範圍適當選擇。具體而言，配線體3之短邊方向長度W例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下，更佳為100 μm以下，且例如為10 μm以上。

又，配線體金屬部52之厚度T相對於配線體金屬部52之短邊方向長度W的比(T/W)例如為1.5以上，較佳為2以上，更佳為2.5以上，進而較佳為3以上，尤佳為3.5以上，且例如為1000以下，進而為100以下。再者，比(T/W)相當於將配線體金屬部52沿著厚度方向及短邊方向切斷所得之切斷面中之高寬比。

若高寬比(T/W)為上述下限以上，則可利用開口部4中之空氣將配線體3中之主配線部83(將於下文敍述)所產生之熱有效率地釋出。

再者，第1連結體2A及第2連結體2B各自之厚度例如與配線體金屬部52之厚度T相同。

金屬支持層5之材料為金屬。作為金屬，可例舉於週期表(IUPAC，2018)中屬於第1族～第16族之金屬元素、及包含2種以上之該等金屬元素之合金。再者，金屬可為過渡金屬及典型金屬中之任一者。更具體而言，作為金屬，可例舉：第2族金屬元素、第4族金屬元素、第5族金屬元素、第6族金屬元素、第7族金屬元素、第8族金屬元素、第9族金屬元素、第10族金屬元素、第11族金屬元素、第12族金屬元素、第13族金屬元素、及第14族金屬元素。作為第2族金屬元素，例如可例舉鈣。作為第4族金屬元素，例如可例舉鈦及鋯。作為第5族金屬元素，例如可例舉釩。作為第6族金屬元素，例如可例舉鉻、鉬及鎢。作為第7族金屬元素，例如可例舉錳。作為第8族金屬元素，例如可例舉鐵。作為第9族金屬元素，例如可例舉鈷。作為第10族金屬元素，例如可例舉鎳及鉑。作為第11族金屬元素，例如可例舉：銅、銀及金。作為第12族金屬元素，例如可例舉鋅。作為第13族金屬元素，例如可例舉鋁及鎵。作為第14族金屬元素，例如可例舉鍺及錫。該等可單獨使用或者併用。作為金屬，就獲得接下來進行說明之高熱導率之觀點而言，可較佳地例舉第11族金屬元素，可更佳地例舉銅及銅合金。

金屬支持層5之熱導率為30 W/m・K以上。於配線電路基板1中，金屬支持層5之熱導率為30 W/m・K以上，故即便於金屬支持層5與導體圖案8之間介存接著劑層6，金屬支持層5亦可將導體圖案8所產生之熱有效率地散熱。

金屬支持層5之熱導率較佳為35 W/m・K以上，更佳為40 W/m・K以上，進而較佳為45 W/m・K以上，尤佳為50 W/m・K以上。若金屬支持層5之熱導率為上述下限以上，則金屬支持層5可將上述熱有效率地散熱。

金屬支持層5之熱導率之上限不受限定。金屬支持層5之熱導率之上限例如為350 W/m・K，又，例如為100 W/m・K。

金屬支持層5之熱導率可藉由JIS H 7903：2008(有效熱導率測定法)而求出。

金屬支持層5在23℃下之拉伸強度為100 MPa以上。金屬支持層5在23℃下之拉伸強度為100 MPa以上，故而配線電路基板1之剛性優異。

金屬支持層5在23℃下之拉伸強度較佳為150 MPa以上，更佳為200 MPa以上，進而較佳為500 MPa以上，尤佳為1,000 MPa以上。若金屬支持層5在23℃下之拉伸強度為上述下限以上，則配線電路基板1之剛性優異。

金屬支持層5在23℃下之拉伸強度之下限不受限定。金屬支持層5在23℃下之拉伸強度之下限例如為1 MPa，進而為10 MPa。

金屬支持層5在23℃下之拉伸強度可藉由JIS Z2241：2011而求出。

＜接著劑層6＞ 接著劑層6配置於金屬支持層5之厚度方向上之一面。接著劑層6與金屬支持層5之厚度方向上之一面接觸。接著劑層6具有片狀。接著劑層6具有與第1連結體2A、第2連結體2B及配線體3對應之外形形狀。接著劑層6中包含於第1連結體2A之部分為第1連結接著部61A(參照圖2A)。接著劑層6中包含於第2連結體2B之部分為第2連結接著部61B(參照圖1)。接著劑層6中包含於配線體3之部分為作為接著部之一例之配線體接著部62(參照圖2B)。

第1連結接著部61A配置於第1連結金屬部51A之厚度方向上之一面。第1連結接著部61A與第1連結金屬部51A之厚度方向上之一面接觸。第1連結接著部61A例如於沿厚度方向投影時，大於第1連結金屬部51A。具體而言，第1連結接著部61A之寬度方向兩側部分相對於第1連結金屬部51A朝向寬度方向兩側突出。第1連結接著部61A具有接著貫通孔63。接著貫通孔63之俯視下之形狀不受限定。接著貫通孔63沿厚度方向貫通第1連結接著部61A。

第2連結接著部61B配置於第2連結金屬部51B之厚度方向上之一面。第2連結接著部61B與第2連結金屬部51B之厚度方向上之一面接觸。第2連結接著部61B於沿厚度方向投影時，大於第2連結金屬部51B。具體而言，第2連結接著部61B之寬度方向兩側部分相對於第2連結金屬部51B，朝向寬度方向兩側突出。

配線體接著部62配置於配線體金屬部52之厚度方向上之一面。配線體接著部62例如於沿厚度方向投影時，大於配線體金屬部52。

作為接著劑層6之材料，可例舉接著劑組合物。作為接著劑組合物，例如可例舉：硬化性接著劑組合物、及熱塑性接著劑組合物。接著劑組合物之種類不受限定。再者，若接著劑組合物為硬化性接著劑組合物，則接著劑層6包含硬化性接著劑組合物之硬化體。作為接著劑組合物，例如可例舉：環氧接著劑組合物、矽酮接著劑組合物、胺基甲酸酯接著劑組合物、及丙烯酸系接著劑組合物。

本實施方式中，接著劑層6為絕緣性。換言之，接著劑層為非導電性。即，接著劑層6僅具備絕緣區域。具體而言，接著劑層6(絕緣區域)之體積電阻率例如為1×10 ⁵Ωcm以上，較佳為1×10 ⁶Ωcm以上，更佳為1×10 ⁷Ωcm以上，且例如為1×10 ¹⁸Ωcm以下。體積電阻率可藉由JIS C 2139-3-1而求出。

接著劑層6之熱導率相對較低，例如低於金屬支持層5之熱導率。具體而言，接著劑層6之熱導率例如為1 W/m・K以下，較佳為0.5 W/m・K以下，且例如為0.01 W/m・K以上，較佳為0.001 W/m・K以上。接著劑層6之熱導率可藉由JIS A 1412(熱絕緣材之熱導率測定法)而求出。

接著劑層6之線膨脹係數相對較高。接著劑層6之線膨脹係數例如為10 ppm/℃以上，進而為20 ppm/℃以上，進而為30 ppm/℃以上，且例如為100 ppm/℃以下。接著劑層6之線膨脹係數可藉由JIS K7197：2012而求出。

接著劑層6之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，且例如為10,000 μm以下，較佳為1,000 μm以下。

接著貫通孔63之開口面積例如為10 μm ²以上，較佳為100 μm ²以上，且例如為1,000 mm ²以下，較佳為100 mm ²以下。

＜基底絕緣層7＞ 基底絕緣層7配置於接著劑層6之厚度方向上之一面。具體而言，基底絕緣層7與接著劑層6之厚度方向上之一整面接觸。基底絕緣層7具有與第1連結體2A、第2連結體2B及配線體3對應之外形形狀。基底絕緣層7具有與接著劑層6相同之外形形狀。基底絕緣層7中包含於第1連結體2A之部分為第1連結基底部71A(參照圖2A)。基底絕緣層7中包含於第2連結體2B之部分為第2連結基底部71B(參照圖1)。基底絕緣層7中包含於配線體3之部分為作為絕緣部之一例之配線體基底部72(參照圖2B)。

第1連結基底部71A配置於第1連結接著部61A之厚度方向上之一面。第1連結基底部71A與第1連結接著部61A之厚度方向上之一面接觸。具體而言，第1連結基底部71A接著於第1連結接著部61A之厚度方向上之一面。第1連結基底部71A具有沿厚度方向投影時與第1連結接著部61A相同之外形形狀。第1連結基底部71A具有作為絕緣貫通孔之絕緣貫通孔73。

絕緣貫通孔73之俯視下之形狀不受限定。絕緣貫通孔73沿厚度方向貫通第1連結基底部71A。絕緣貫通孔73於沿厚度方向投影時，與接著貫通孔63重疊。絕緣貫通孔73於俯視下具有與接著貫通孔63相同之形狀。區隔出絕緣貫通孔73之內周面、與區隔出接著貫通孔63之內周面於厚度方向上為同一面。

第2連結基底部71B配置於第2連結接著部61B之厚度方向上之一面。第2連結基底部71B與第2連結接著部61B之厚度方向上之一面接觸。具體而言，第2連結基底部71B接著於第2連結接著部61B之厚度方向上之一面。

配線體基底部72配置於配線體接著部62之厚度方向上之一面。配線體基底部72與配線體接著部62之厚度方向上之一面接觸。配線體基底部72接著於配線體接著部62之厚度方向上之一面。

基底絕緣層7之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。

作為基底絕緣層7之材料，例如可例舉絕緣性樹脂。作為絕緣性樹脂，例如可例舉：聚醯亞胺、馬來醯亞胺、環氧樹脂、聚苯并㗁唑、及聚酯。

再者，基底絕緣層7之熱導率低於金屬支持層5之熱導率。基底絕緣層7之熱導率例如為1 W/m・K以下，進而為0.5 W/m・K以下，且例如為0.01 W/m・K以上，較佳為0.1 W/m・K以上。基底絕緣層7之熱導率可藉由JIS A 1412(熱絕緣材之熱導率測定法)而求出。

＜導體圖案8＞ 導體圖案8配置於基底絕緣層7之厚度方向上之一面。具體而言，導體圖案8配置於第1連結基底部71A、第2連結基底部71B及配線體基底部72各自之厚度方向之一面。

導體圖案8中包含於第1連結體2A之部分為第1端子部81A(參照圖2A)及第1輔助配線部82A(參照圖1)。導體圖案8中包含於第2連結體2B之部分為第2端子部81B及第2輔助配線部82B(參照圖1)。導體圖案8中包含於配線體3之部分為作為配線部之一例之主配線部83。

第1端子部81A配置於第1連結基底部71A之厚度方向之一面。第1端子部81A配置於第1連結基底部71A之長邊方向之一側部分。第1端子部81A於第1連結體2A內，與複數個配線體3對應地沿配線電路基板1之短邊方向隔開間隔而配置有複數個。第1端子部81A於沿厚度方向投影時，包含於第1連結金屬部51A。第1端子部81A例如具有俯視大致矩形狀(方形平面(square land)形狀)。

複數個第1端子部81A中之1個第1端子部81A於沿厚度方向投影時，包含接著貫通孔63及絕緣貫通孔73。複數個第1端子部81A中之1個第1端子部81A之厚度方向之另一面之一部分與導電構件10接觸。

第1輔助配線部82A配置於第1連結基底部71A之厚度方向之一面。第1輔助配線部82A對應於複數個配線體3、及與其等對應之複數個第1端子部81A之各者而配置有複數個。第1輔助配線部82A係與第1端子部81A連續。第1輔助配線部82A係自第1端子部81A之長邊方向之另一端緣朝向長邊方向之另一側延伸。第1輔助配線部82A具有俯視大致直線形狀。

第2端子部81B配置於第2連結基底部71B之厚度方向之一面。第2端子部81B配置於第2連結基底部71B之長邊方向之另一側部分。第2端子部81B於第2連結體2B內，與複數個配線體3對應地沿配線電路基板1之短邊方向隔開間隔而配置有複數個。第2端子部81B於沿厚度方向投影時，包含於第2連結金屬部51B。第2端子部81B具有俯視大致矩形狀(方形平面形狀)。

第2輔助配線部82B配置於第2連結基底部71B之厚度方向之一面。第2輔助配線部82B對應於複數個配線體3、及與其等對應之複數個第2端子部81B之各者而配置有複數個。第2輔助配線部82B係與第2端子部81B連續。第2輔助配線部82B係自第2端子部81B之長邊方向之一端緣朝向長邊方向之一側延伸。第2輔助配線部82B具有俯視大致直線形狀。

主配線部83配置於配線體基底部72之厚度方向之一面。具體而言，複數個主配線部83之各者配置於複數個配線體基底部72之各者之短邊方向大致中央部。主配線部83於沿厚度方向投影時，包含於配線體基底部72。

主配線部83係與配線體基底部72(或配線體金屬部52，或配線體接著部62)一一對應地設置。主配線部83於沿厚度方向投影時，配置於較配線體基底部72之寬度方向兩端緣靠內側。

又，主配線部83之長邊方向之一端緣係與第1輔助配線部82A之長邊方向之另一端緣連續。主配線部83之長邊方向之另一端緣係與第2輔助配線部82B之長邊方向之一端緣連續。藉此，主配線部83係與第1輔助配線部82A及第2輔助配線部82B一併形成沿長邊方向延伸之俯視大致直線形狀，沿長邊方向連接第1端子部81A與第2端子部81B。

主配線部83之短邊方向長度例如與第1輔助配線部82A及第2輔助配線部82B之短邊方向長度相同。

作為導體圖案8之材料，可例舉導體。作為導體，例如可例舉：銅、銀、金、鐵、鋁、鉻、及該等之合金。就獲得良好之電特性之觀點而言，可較佳地例舉銅。

導體圖案8之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。

又，主配線部83之短邊方向長度例如為200 μm以下，較佳為100 μm以下，且例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上。

＜覆蓋絕緣層9＞ 如圖2B所示，覆蓋絕緣層9配置於基底絕緣層7之厚度方向之一面。覆蓋絕緣層9被覆主配線部83、第1輔助配線部82A及第2輔助配線部82B。具體而言，覆蓋絕緣層9被覆主配線部83、第1輔助配線部82A及第2輔助配線部82B各自之厚度方向之一面及外周面。覆蓋絕緣層9使第1端子部81A及第2端子部81B露出。

覆蓋絕緣層9之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。

作為覆蓋絕緣層9之材料，例如可例舉絕緣性樹脂。作為絕緣性樹脂，例如可例舉：聚醯亞胺、馬來醯亞胺、環氧樹脂、聚苯并㗁唑、及聚酯。又，絕緣性樹脂包含阻焊劑。

上述金屬支持層5、接著劑層6、基底絕緣層7及覆蓋絕緣層9共通地具有開口部4。

＜導電構件10＞ 如圖2A所示，導電構件10配置於接著貫通孔63內及絕緣貫通孔73內。導電構件10沿厚度方向延伸。導電構件10之厚度方向上之另一端部與第1連結金屬部51A接觸。導電構件10之厚度方向上之一端部與第1端子部81A接觸。藉此，導電構件10將第1連結金屬部51A與第1端子部81A電性連接。

作為導電構件10之材料，例如可例舉：焊料、各向異性導電膏(ACP)、及各向異性導電膜(ACF)。作為導電構件10之材料，例如亦可例舉上述導體。

本實施方式中，導電構件10不具有接著性。換言之，導電構件10之材料不包含上述接著劑組合物。

＜配線電路基板1之製造方法＞ 其次，參照圖3A至圖3H對配線電路基板1之製造方法進行說明。

配線電路基板1之製造方法具備第1步驟、第2步驟、第3步驟及第4步驟。於該方法中，依序實施第1步驟、第2步驟、第3步驟及第4步驟。

＜第1步驟＞ 如圖3A至圖3E所示，於第1步驟中，準備積層板91。如圖3E所示，積層板91朝向厚度方向之一側依序具備絕緣板75、導體圖案8及覆蓋絕緣層9。

為了準備積層板91，首先，如圖3A所示，準備二層基材92。作為多層基材之一例之二層基材92朝向厚度方向之一側依序具備絕緣板75及導體板85。絕緣板75係用以形成基底絕緣層7之絕緣材。 於積層板91中，絕緣板75尚不具有上述開口部4。導體板85配置於絕緣板75之厚度方向之一面。導體板85與絕緣板75之厚度方向之一整面接觸。導體板85係用以形成導體圖案8之導體材。導體板85尚不具有上述圖案。

繼而，如圖3B至圖3E所示，藉由減成法，將導體板85形成為導體圖案8。

具體而言，如圖3B所示，首先藉由光微影法於導體板85之厚度方向之一面形成蝕刻阻劑90。蝕刻阻劑90具有與導體圖案8相同之圖案。

繼而，如圖3C所示，藉由蝕刻將自蝕刻阻劑90露出之導體板85去除。藉此，由導體板85形成導體圖案8。

繼而，如圖3D所示，去除蝕刻阻劑90。

其後，如圖3E所示，以被覆導體圖案8之一部分之方式於絕緣板75之厚度方向之一面形成覆蓋絕緣層9。例如，將包含絕緣性樹脂之清漆塗佈於絕緣板75及導體圖案8，其後，於曝光後進行顯影，而形成具有特定之圖案之覆蓋絕緣層9。

其後，於絕緣板75形成絕緣貫通孔73(參照圖2A)。

藉此，準備積層板91。

＜第2步驟＞ 如圖3F所示，於第2步驟中，將金屬板55與積層板91中之絕緣板75經由接著劑片材65接著。

金屬板55係用以形成上述金屬支持層5之金屬材。金屬板55尚不具有開口部4。金屬板55分別具有金屬支持層5所具有之上述熱導率及拉伸強度。

接著劑片材65係用以形成上述接著劑層6之片材。接著劑片材65尚不具有開口部4。

於第2步驟中，例如，首先將接著劑片材65配置於金屬板55之厚度方向之一面、或絕緣板75之另一面，繼而，將金屬板55與絕緣板75經由接著劑片材65接著。較佳為，首先將接著劑片材65配置於金屬板55之厚度方向之一面，繼而，使接著劑片材65之厚度方向之一面與絕緣板75之厚度方向之另一面接觸。

同時，於第2步驟中，將導電構件10配置於接著貫通孔63內及絕緣貫通孔73內。具體而言，於接著劑片材65形成接著貫通孔63，將導電構件10以其一部分填充於接著貫通孔63內或絕緣貫通孔73內(參照圖2A)之方式配置於接著劑片材65或絕緣板75，其後，將接著劑片材65與絕緣板75貼合。

＜第3步驟＞ 於第3步驟中，如圖3G所示，對金屬板55進行外形加工(圖案化)，而形成金屬支持層5。作為外形加工，例如可例舉：蝕刻、沖切(模具加工)、水刀(water cutter)及雷射加工。作為外形加工，就形成精度之觀點而言，可較佳地例舉蝕刻。藉此，形成具有開口部4之金屬支持層5。

＜第4步驟＞ 於第4步驟中，如圖3H所示，對接著劑片材65及絕緣板75之各者進行外形加工，分別形成接著劑層6及基底絕緣層7。外形加工不受限定。作為外形加工，例如可例舉：蝕刻、沖切(模具加工)、水切割及雷射加工。藉此，形成分別具有開口部4之接著劑層6及基底絕緣層7。

藉此，製造配線電路基板1。

配線電路基板1之用途並無特別限定。配線電路基板1被用於各種領域。配線電路基板1例如被用於電子機器用配線電路基板(電子零件用配線電路基板)、及電氣機器用配線電路基板(電性零件用配線電路基板)。再者，電子機器用配線電路基板及電氣機器用配線電路基板不嚴加區分。作為電子機器用配線電路基板及電氣機器用配線電路基板，例如可例舉：感測器用配線電路基板、運輸車輛用配線電路基板、視訊機器用配線電路基板、通信中繼機器用配線電路基板、資訊處理終端用配線電路基板、可動型機器用配線電路基板、醫療機器用配線電路基板、電氣機器用配線電路基板、及錄影電子機器用配線電路基板。作為感測器用配線電路基板中之感測器，例如可例舉：位置資訊感測器、障礙物偵測感測器、及溫度感測器。作為運輸車輛用配線電路基板中之運輸車輛，例如可例舉：汽車、電車、飛機、及工作車輛。作為視訊機器用配線電路基板中之視訊機器，例如可例舉：平板顯示器、可撓式顯示器、及投影型視訊機器。作為通信中繼機器用配線電路基板中之通信中繼機器，例如可例舉：網路機器、及大型通信機器。作為資訊處理終端用配線電路基板中之資訊處理終端，例如可例舉：電腦、平板、智慧型手機、及家庭用遊戲機。作為可動型機器用配線電路基板中之可動型機器，例如可例舉：無人機、及機器人。作為醫療機器用配線電路基板中之醫療機器，例如可例舉：可穿戴型醫療用裝置、及醫療診斷用裝置。作為電氣機器用配線電路基板中之電氣機器，例如可例舉：冰箱、洗衣機、吸塵器、及空調機。作為錄影電子機器用配線電路基板中之錄影電子機器，例如可例舉：數位相機、及DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)錄影裝置。

＜第1實施方式之作用效果＞ 於該配線電路基板1中，接著劑層6介置於金屬支持層5與基底絕緣層7之間。因此，金屬支持層5與基底絕緣層7之間之密接力高。

又，金屬支持層5在23℃下之拉伸強度為100 MPa以上，故配線電路基板1之剛性優異。

進而，金屬支持層5之熱導率為30 W/m・K以上，故配線電路基板1之散熱性優異。

因此，配線電路基板1之金屬支持層5與基底絕緣層7之間之密接力高，且剛性及散熱性優異。

又，配線電路基板1進而具備配置於絕緣貫通孔73內及接著貫通孔63內之導電構件10，故可形成導體圖案8與金屬支持層5之間之導電通路及散熱通路。因此，配線電路基板1提高導電通路之設計之自由度，並且散熱性亦優異。

而且，於配線電路基板1中，可經由複數個配線體3間(開口部4)之空氣使配線體3產生之熱對流，尤其是沿厚度方向對流，從而謀求有效率之散熱。

又，於配線體金屬部52之高寬比(T/W)高達2以上之情形時，可增大與上述空氣之接觸面積。因此，上述基於對流之散熱效率優異。

進而，配線體金屬部52於上述高寬比(T/W)高達2以上之情形時，可將自主配線部83傳導至配線體基底部72之熱經由配線體接著部62朝向配線體金屬部52有效率地釋出。

因此，配線電路基板1之配線體3之散熱性優異。

又，於配線電路基板1中，第1連結金屬部51A於沿厚度方向投影時，以包含複數個第1端子部81A之方式沿短邊方向連續，故第1連結金屬部51A可確實地支持複數個第1端子部81A。

第2連結金屬部51B於沿厚度方向投影時，以包含複數個第2端子部81B之方式沿短邊方向連續，故第2連結金屬部51B可確實地支持複數個第2端子部81B。

因此，於配線電路基板1中，配線體3之散熱性優異，並且第1連結體2A之第1端子部81A之機械強度、及第2連結體2B之第2端子部81B之機械強度亦優異。

＜第1實施方式之變化例＞ 於以下各變化例中，對與上述第1實施方式相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，各變化例除了特別記載以外，可發揮與第1實施方式相同之作用效果。進而，可將第1實施方式及變化例適當組合。

於變化例中，金屬內側面53包含曲面。曲面於剖面觀察時具有隨著自厚度方向兩端部朝向厚度方向中央部，而朝向短邊方向內側凹陷之凹面。配線體金屬部52之短邊方向長度隨著自厚度方向兩端部朝向厚度方向中央部而變短。

於變化例中，金屬內側面53除了凹面以外還包含凸面。

於變化例中，金屬內側面53之面積S0大於將金屬內側面53沿短邊方向投影時之投影面積S1。因此，本發明包含金屬內側面53之面積S0為將金屬內側面53沿短邊方向投影時之投影面積S1以上之態樣，具體而言，包含金屬內側面53之面積S0與金屬內側面53之投影面積S1相同的第1實施方式、及金屬內側面53之面積S0大於金屬內側面53之投影面積S1的變化例這兩者。

於變化例中，具體而言，金屬內側面53之面積S0相對於投影面積S1之面積比(S0/S1)例如為1.01以上，較佳為1.1以上，更佳為1.2以上，進而較佳為1.3以上，且例如為2以下。

於變化例之配線電路基板1中，金屬內側面53之面積S0大於將金屬內側面53沿短邊方向投影時之投影面積S1，故能確實地增大金屬內側面53與空氣之接觸面積。因此，基於來自配線體金屬部52之對流之散熱效率更優異。

於第1實施方式中，第1連結體2A及第2連結體2B均於俯視下以包含第1端子部81A及第2端子部81B之方式沿短邊方向連續，雖未圖示，但例如亦可使其中任一者沿短邊方向連續，使另一者沿短邊方向不連續。於此情形時，另一者於短邊方向上隔開間隔地分割成複數個而配置。進而，雖未圖示，但例如第1連結體2A及第2連結體2B均可於短邊方向隔開間隔地分割成複數個。

於第1實施方式中，主配線部83於配線體基底部72設置有1個，例如，雖未圖示，但亦可於1個配線體基底部72設置複數個。

於變化例中，配線電路基板1不具備導電構件10。基底絕緣層7將導體圖案8與金屬支持層5絕緣。

於變化例中，亦可於基底絕緣層7與導體圖案8之間介存接著劑。

＜第2實施方式＞ 於以下第2實施方式中，對與上述第1實施方式相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，第2實施方式除了特別記載以外，可發揮與第1實施方式相同之作用效果。進而，可將第1實施方式及第2實施方式適當組合。

參照圖4A至圖4D對第2實施方式進行說明。

於第2實施方式中，如圖4A所示，第3步驟係於第2步驟之前實施。

＜第3步驟＞ 於第3步驟中，如圖4B所示，對假想線所表示之金屬板55進行外形加工(圖案化)，而形成金屬支持層5。

＜第2步驟＞ 第2步驟係於第3步驟之後實施。如圖4C所示，於第2步驟中，將接著劑片材65配置於金屬支持層5之厚度方向之一面、或絕緣板75之另一面，繼而，將金屬支持層5與絕緣板75經由接著劑片材65接著。較佳為，首先，如圖4A之箭頭及圖4B所示，將接著劑片材65配置於金屬支持層5之厚度方向之一面，繼而，如圖4C所示，使接著劑片材65之厚度方向之一面與絕緣板75之厚度方向之另一面接觸。

＜第4步驟＞ 如圖4D所示，於第4步驟中，對接著劑片材65及絕緣板75之各者進行外形加工(圖案化)，而以具有開口部4之圖案分別形成接著劑層6及基底絕緣層7。

＜第3實施方式＞ 於以下第3實施方式中，對與上述第1及第2實施方式相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，第3實施方式除了特別記載以外，可發揮與第1及第2實施方式相同之作用效果。進而，可將第1實施方式、第2實施方式、第3實施方式及變化例適當組合。

參照圖5A至圖5D對第3實施方式進行說明。

於第3實施方式中，第3步驟係於第2步驟之前實施，又，於第3步驟中，對接著劑片材65進行外形加工而形成接著劑層6。

如圖5A所示，預先由接著劑片材65以具有開口部4之圖案形成接著劑層6。

如圖5C所示，將接著劑層6配置於金屬支持層5之厚度方向之一面、或絕緣板75之另一面，繼而，將金屬支持層5與絕緣板75經由接著劑層6接著。較佳為，首先，如圖5A及圖5B所示，將接著劑層6配置於金屬支持層5之厚度方向之一面，繼而，如圖5C所示，使接著劑層6之厚度方向之一面與絕緣板75之厚度方向之另一面接觸。

＜第4步驟＞ 如圖5D所示，於第4步驟中，對絕緣板75進行外形加工(圖案化)，而以具有開口部4之圖案形成基底絕緣層7。

＜第4實施方式＞ 於以下第4實施方式中，對與上述第1至第3實施方式相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，第4實施方式除了特別記載以外，可發揮與第1實施方式相同之作用效果。進而，可將第1實施方式至第4實施方式適當組合。

參照圖6A及圖6B對第4實施方式之配線電路基板1進行說明。

如圖6A及圖6B所示，配線電路基板1進而具備第2導體圖案80及導體連接構件87。

第2導體圖案80配置於基底絕緣層7之厚度方向之另一面。具體而言，第2導體圖案80配置於第1連結基底部71A、第2連結基底部71B(參照圖1)及配線體基底部72各自之厚度方向之另一面。第2導體圖案80之厚度方向之另一面及周側面由接著劑層6被覆。又，配置於第1連結基底部71A之第2導體圖案80之厚度方向之另一面與導電構件10接觸。第2導體圖案80之物性及尺寸係與上述導體圖案8之物性及尺寸相同。與導電構件10接觸之第2導體圖案80係和導電構件10一併配置於接著貫通孔63內。

導體連接構件87配置於絕緣貫通孔73內。絕緣貫通孔73貫通基底絕緣層7。導體連接構件87沿厚度方向延伸。導體連接構件87之厚度方向之一端部與導體圖案8之第1端子部81A接觸。導體連接構件87之厚度方向之另一端部與第2導體圖案80接觸。藉此，導體連接構件87將導體圖案8與第2導體圖案80電性連接。

參照圖7A至圖7H對第4實施方式之配線電路基板1之製造方法進行說明。 該製造方法包括第1步驟、第2步驟、第3步驟及第4步驟。

關於第4實施方式之製造方法中之第2步驟(參照圖7F)、第3步驟(參照圖7G)及第4步驟(參照圖7H)，分別與第1實施方式中之第2步驟(參照圖3F)、第3步驟(參照圖3G)及第4步驟(參照圖3H)同樣地進行說明。

參照圖7A至圖7E對第4實施方式中之第1步驟進行說明。

如圖7A至圖7E所示，於第1步驟中，準備第2積層板93。第2積層板93朝向厚度方向之一側依序具備第2導體圖案80、絕緣板75、導體圖案8及覆蓋絕緣層9。

為了準備第2積層板93，首先，如圖7A所示，準備作為多層基材之一例之三層基材94。三層基材94朝向厚度方向之一側依序具備第2導體板88、絕緣板75及導體板85。第2導體板88配置於絕緣板75之厚度方向之另一面。第2導體板88與絕緣板75之厚度方向之另一整面接觸。第2導體板88係用以形成第2導體圖案80之導體材。

繼而，如圖7B至圖7E所示，藉由減成法，將導體板85形成為導體圖案8，將第2導體板88形成為第2導體圖案80。

具體而言，如圖7B所示，首先藉由光微影法於導體板85之厚度方向之一面形成蝕刻阻劑90，藉由光微影法於第2導體板88之厚度方向之另一面形成第2蝕刻阻劑95。第2蝕刻阻劑95具有與第2導體圖案80相同之圖案。

繼而，如圖7C所示，藉由蝕刻去除自蝕刻阻劑90露出之導體板85，藉由蝕刻去除自第2蝕刻阻劑95露出之第2導體板88。藉此，由導體板85形成導體圖案8，由第2導體板88形成第2導體圖案80。

繼而，如圖7D所示，去除蝕刻阻劑90及第2蝕刻阻劑95。

形成絕緣貫通孔73(參照圖6A)，將導體連接構件87配置於絕緣貫通孔73內。形成絕緣貫通孔73時，例如亦於導體圖案8及第2導體圖案80形成與絕緣貫通孔73連通之導體通孔，繼而，於絕緣貫通孔73及導體通孔中進行鍍覆，以及塗佈導電膏。

其後，如圖7E所示，形成覆蓋絕緣層9。藉此，準備第2積層板93。

＜第4實施方式之變化例＞ 如圖8所示，接著劑層6亦可除了上述絕緣區域66以外，進而具有導電區域67。另一方面，該變化例之配線電路基板1不具備導電構件10。

導電區域67於俯視下與第2導體圖案80重疊。導電區域67包含導電性接著劑。導電區域67之體積電阻率例如未達1×10 ⁵Ωcm。

絕緣區域66於俯視下為除導電區域67以外之區域。絕緣區域66包含非導電性接著劑。導電性接著劑及非導電性接著劑之各者例如記載於日本專利特開2012-226802號公報及日本專利特開2012-226803號公報中。

＜第5實施方式及第6實施方式＞ 於以下第5實施方式及第6實施方式中，對與上述第1實施方式至第4實施方式相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，第5實施方式及第6實施方式除了特別記載以外，可發揮與第1實施方式及第4實施方式相同之作用效果。進而，可將第1實施方式至第4實施方式適當組合。

第5實施方式之製造方法係於第2實施方式之製造方法中代替積層板91而使用第2積層板93(參照圖4C之括弧內容)。

第6實施方式之製造方法係於第3實施方式之製造方法中代替積層板91而使用第2積層板93(參照圖5C之括弧內容)。

再者，上述發明係作為本發明之例示之實施方式而提供，但其僅為例示，不可限定地進行解釋。由本技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍內。

1:配線電路基板 2A:第1連結體 2B:第2連結體 3:配線體 4:開口部 5:金屬支持層 6:接著劑層 7:基底絕緣層(絕緣層) 8:導體圖案 9:覆蓋絕緣層 10:導電構件 51A:第1連結金屬部(連結金屬部) 51B:第2連結金屬部(連結金屬部) 52:配線體金屬部(支持部) 53:金屬內側面 55:金屬板 61A:第1連結接著部 61B:第2連結接著部 62:配線體接著部(接著部) 63:接著貫通孔 65:接著劑片材 66:絕緣區域 67:導電區域 71A:第1連結基底部 71B:第2連結基底部 72:配線體基底部(絕緣部) 73:絕緣貫通孔 75:絕緣板 80:第2導體圖案 81A:第1端子部(端子部) 81B:第2端子部(端子部) 82A:第1輔助配線部 82B:第2輔助配線部 83:主配線部(配線部) 85:導體板 86:第2導體圖案 87:導體連接構件 88:第2導體板 90:蝕刻阻劑 91:積層板 92:二層基材(多層基材) 93:第2積層板 94:三層基材(多層基材) 95:第2蝕刻阻劑 T:厚度 W:短邊方向長度

圖1係本發明之配線電路基板之第1實施方式之俯視圖。 圖2A及圖2B係圖1所示之配線電路基板之剖視圖。圖2A係圖1之A-A剖視圖。圖2B係圖1之B-B剖視圖。 圖3A至圖3H係圖2B所示之配線電路基板之製造方法之步驟圖。圖3A至圖3E係第1步驟。圖3A係準備二層基材之步驟。圖3B係形成蝕刻阻劑之步驟。圖3C係對導體板進行蝕刻之步驟。圖3D係去除蝕刻阻劑之步驟。圖3E係形成覆蓋絕緣層之步驟。圖3F係第2步驟。圖3G係第3步驟。圖3H係第4步驟。 圖4A至圖4D係第2實施方式之配線電路基板之製造方法之步驟圖。圖4A係準備金屬支持層之步驟。圖4B係將接著劑片材配置於金屬支持層之步驟。圖4C係第2步驟。圖4D係第4步驟。 圖5A至圖5D係第3實施方式之配線電路基板之製造方法之步驟圖。圖5A係準備接著劑層之步驟。圖5B係將接著劑層配置於金屬支持層之步驟。圖5C係第2步驟。圖5D係第4步驟。 圖6A及圖6B表示第4實施方式之配線電路基板。圖6A係第1連結體之剖視圖。圖6B係配線體之剖視圖。 圖7係圖6B所示之配線電路基板之製造方法之步驟圖。圖7A至圖7E係第1步驟。圖7A係準備三層基材之步驟。圖7B係形成蝕刻阻劑及第2蝕刻阻劑之步驟。圖7C係對導體板及第2導體板進行蝕刻之步驟。圖7D係去除蝕刻阻劑及第2蝕刻阻劑之步驟。圖7E係形成覆蓋絕緣層之步驟。圖7F係第2步驟。圖7G係第3步驟。圖7H係第4步驟。 圖8係第4實施方式之變化例之剖視圖。

1:配線電路基板

2A:第1連結體

2B:第2連結體

3:配線體

4:開口部

10:導電構件

51B:第2連結金屬部(連結金屬部)

61B:第2連結接著部

63:接著貫通孔

71B:第2連結基底部

73:絕緣貫通孔

81A:第1端子部(端子部)

81B:第2端子部(端子部)

82A:第1輔助配線部

82B:第2輔助配線部

83:主配線部(配線部)

Claims (9)

1. 一種配線電路基板，其沿厚度方向依序具備金屬支持層、接著劑層、絕緣層及導體圖案， 上述金屬支持層在23℃下之拉伸強度為100 MPa以上，且 上述金屬支持層之熱導率為30 W/m・K以上。
2. 如請求項1之配線電路基板，其中上述絕緣層具有絕緣貫通孔，且 上述接著劑層具有沿厚度方向投影時與上述絕緣貫通孔重疊之接著貫通孔。
3. 如請求項2之配線電路基板，其進而具備配置於上述絕緣貫通孔及上述接著貫通孔內之導電構件。
4. 如請求項2之配線電路基板，其進而具備 配置於上述接著貫通孔內之導電構件及第2導體圖案、以及 配置於上述絕緣貫通孔內且將上述導體圖案與上述第2導體圖案電性連接之連接構件。
5. 如請求項1至4中任一項之配線電路基板，其具備相互隔開間隔地並列配置之複數個配線體， 上述複數個配線體之各者具備： 絕緣部，其包含於上述絕緣層； 接著部，其配置於上述絕緣部之厚度方向之一面，且包含於上述接著劑層； 配線部，其配置於上述接著部之厚度方向之一面，且包含於上述導體圖案；及 金屬支持部，其配置於上述絕緣部之厚度方向之另一面，上述複數個配線體之厚度方向長度T相對於其等之並列方向上之長度W的比(T/W)為2以上，且包含於上述金屬支持層。
6. 如請求項5之配線電路基板，其中一上述金屬支持部具有面向沿上述並列方向與一上述金屬支持部鄰接之另一上述金屬支持部之內側面，且 上述內側面之面積為將上述內側面沿上述並列方向投影時之投影面積以上。
7. 如請求項5之配線電路基板，其具備將上述複數個配線體之與上述並列方向及上述厚度方向正交之正交方向端部連結之連結體， 上述連結體具備： 端子部，其與上述配線部之正交方向端部連續，且包含於上述導體圖案；及 連結金屬部，其與上述金屬支持部之正交方向端部連續，且包含於上述金屬支持層；且 上述連結金屬部於沿厚度方向投影時，以包含複數個上述端子部之方式沿上述並列方向連續。
8. 如請求項6之配線電路基板，其具備將上述複數個配線體之與上述並列方向及上述厚度方向正交之正交方向端部連結之連結體， 上述連結體具備： 端子部，其與上述配線部之正交方向端部連續，且包含於上述導體圖案；及 連結金屬部，其與上述金屬支持部之正交方向端部連續，且包含於上述金屬支持層；且 上述連結金屬部於沿厚度方向投影時，以包含複數個上述端子部之方式沿上述並列方向連續。
9. 一種配線電路基板之製造方法，其包括如下步驟： 準備具備絕緣板、及配置於上述絕緣板之厚度方向上之至少一面之導體板的多層基材； 藉由減成法將上述導體板形成為導體圖案； 將23℃下之拉伸強度為100 MPa以上且熱導率為30 W/m・K以上之金屬板或由上述金屬板形成之金屬支持層與上述絕緣板經由接著劑片材或由上述接著劑片材形成之接著劑層接著； 將上述金屬板圖案化而形成上述金屬支持層； 將上述接著劑片材圖案化而形成上述接著劑層；及 將上述絕緣板圖案化而形成絕緣層。

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