TW202315482A - 配線電路基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種能確實地將金屬板圖案化之配線電路基板之製造方法。 本發明之配線電路基板1之製造方法包括第1步驟、第2步驟及第3步驟。於第1步驟中，準備具備絕緣板75、及配置於絕緣板75之厚度方向上之一面之導體圖案8的積層板91。於第2步驟中，將金屬板55圖案化而形成金屬支持層5。於第1步驟及第2步驟之後，將絕緣板75與金屬支持層5經由接著劑片材65或接著劑層6接著。

Description

配線電路基板之製造方法

本發明係關於一種配線電路基板之製造方法。

已知有一種製造方法，其係將具備絕緣板及導體圖案之積層板與金屬板經由接著劑層接著，其後，將金屬板圖案化而形成金屬支持層(例如，參照下述專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2012-226803號公報

[發明所欲解決之問題]

於專利文獻1所記載之製造方法中，將金屬板經由接著劑層接著於積層板，故而存在難以將金屬板圖案化之情形。

本發明提供一種能確實地將金屬板圖案化之配線電路基板之製造方法。 [解決問題之技術手段]

本發明(1)包含一種配線電路基板之製造方法，其包括：第1步驟，其係準備具備絕緣板、及配置於上述絕緣板之厚度方向上之一面之導體圖案的積層板；第2步驟，其係將金屬板圖案化而形成金屬支持層；及第3步驟，其係於上述第1步驟及上述第2步驟之後，將上述絕緣板與上述金屬支持層經由接著劑片材或由上述接著劑片材形成之接著劑層接著。

該製造方法中，於第2步驟中，將金屬板圖案化而形成金屬支持層，於其後之第3步驟中，將絕緣板與金屬支持層經由接著劑片材或接著劑層接著。因此，於第2步驟中，作為加工對象之金屬板尚具有板形狀，故而能確實地將該金屬板圖案化。

本發明(2)包含如(1)所記載之配線電路基板之製造方法，其中上述金屬板之厚度為10 μm以上1,000 μm以下。

本發明(3)包含如(1)或(2)所記載之配線電路基板之製造方法，其中於上述第1步驟中，準備進而具備配置於上述絕緣板之厚度方向上之另一面之第2導體圖案的上述積層板。

本發明(4)包含如(1)至(3)中任一項所記載之配線電路基板之製造方法，其進而包括第4步驟，該第4步驟係於上述第3步驟之後將接著劑片材圖案化而形成上述接著劑層。

本發明(5)包含如(1)至(3)中任一項所記載之配線電路基板之製造方法，其進而包括第4步驟，該第4步驟係於上述第3步驟之前將上述接著劑片材圖案化而形成上述接著劑層。 [發明之效果]

本發明之配線電路基板之製造方法能確實地將金屬板圖案化。

＜配線電路基板之第1實施方式＞ 參照圖1至圖2B對藉由本發明之製造方法之第1實施方式所製造之配線電路基板進行說明。

＜配線電路基板1之整體構成＞ 如圖1至圖2B所示，配線電路基板1具有厚度方向之一面及另一面。配線電路基板1具有大致板形狀。配線電路基板1沿長邊方向延伸。長邊方向係與厚度方向正交。配線電路基板1一體地具備第1連結體2A、第2連結體2B及配線體3。較佳為，配線電路基板1僅具備第1連結體2A、第2連結體2B及配線體3。

第1連結體2A形成配線電路基板1之長邊方向之一端部。第1連結體2A具有俯視大致矩形平板形狀。第1連結體2A之俯視下之尺寸並無特別限定。

第2連結體2B形成配線電路基板1之長邊方向之另一端部。第2連結體2B係相對於第1連結體2A，隔著配線體3對向配置於長邊方向之另一側。 第2連結體2B具有俯視大致矩形平板形狀。第2連結體2B之俯視下之尺寸並無特別限定。

配線體3形成配線電路基板1之長邊方向中間部。配線體3於俯視下配置於第1連結體2A與第2連結體2B之間。配線體3具有沿長邊方向延伸之形狀。配線體3沿長邊方向將第1連結體2A與第2連結體2B橋接。又，配線體3係於配線電路基板1之短邊方向上相互隔開間隔而並列配置有複數個。短邊方向係與長邊方向及厚度方向正交。鄰接之配線體3之間形成有開口部4。

開口部4例如將於配線電路基板1之短邊方向上彼此相鄰之配線體3隔開。開口部4具有沿長邊方向延伸之狹縫形狀。開口部4沿厚度方向貫通配線電路基板1。

複數個配線體3之長邊方向之一端部藉由1個第1連結體2A而於短邊方向上連結。藉此，複數個配線體3之長邊方向之一端部藉由1個第1連結體2A束集。

複數個配線體3之長邊方向之另一端部藉由1個第2連結體2B而於短邊方向上連結。藉此，複數個配線體3之長邊方向之另一端部藉由1個第2連結體2B束集。

配線體3之長邊方向長度可根據用途及目的而適當設定。

複數個配線體3各自之短邊方向長度例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下，更佳為100 μm以下，且例如為10 μm以上。開口部4之短邊方向長度例如為10 μm以上，較佳為50 μm以上，更佳為100 μm以上，且例如為1000 μm以下。配線體3之短邊方向長度相對於開口部4之短邊方向長度之比，例如為40以下，較佳為10以下，且例如為0.1以上，較佳為0.5以上。 配線體3之厚度例如為10 μm以上，較佳為100 μm以上，且例如為10 mm以下，較佳為1 mm以下。配線電路基板1之厚度與上述配線體3之厚度相同。

＜配線電路基板1之層構成＞ 如圖2A及圖2B所示，配線電路基板1具備金屬支持層5、接著劑層6、基底絕緣層7及導體圖案8。配線電路基板1進而具備覆蓋絕緣層9(參照圖2B)及導電構件10(參照圖2A)。配線電路基板1較佳為僅具備金屬支持層5、接著劑層6、基底絕緣層7、導體圖案8、覆蓋絕緣層9及導電構件10。

＜金屬支持層5＞ 金屬支持層5形成配線電路基板1之厚度方向之另一面。如圖1至圖2B所示，金屬支持層5包含於第1連結體2A、第2連結體2B及配線體3中。金屬支持層5中形成第1連結體2A之部分為第1連結金屬部51A(參照圖2A)。金屬支持層5中形成第2連結體2B之部分為第2連結金屬部51B(參照圖1)。金屬支持層5中形成配線體3之部分為配線體金屬部52(參照圖2B)。

第1連結金屬部51A於俯視下具有以包含下述第1端子部81A之方式沿短邊方向連續之大致平板形狀。

第2連結金屬部51B於俯視下具有以包含下述第2端子部81B之方式沿短邊方向連續之大致平板形狀。

如圖2B所示，配線體金屬部52於沿著厚度方向及短邊方向切斷所得之切斷面(與剖面觀察同義)中，具有於厚度方向較長之大致矩形狀。

金屬支持層5之厚度T例如為30 μm以上，較佳為50 μm以上，較佳為75 μm以上，更佳為100 μm以上。

金屬支持層5之厚度T例如為1,000 μm以下，較佳為500 μm以下。

配線體金屬部52之短邊方向長度W可自關於上述配線體3之短邊方向長度所例示之範圍適當選擇。具體而言，配線體3之短邊方向長度W例如為500 μm以下，較佳為300 μm以下，更佳為100 μm以下，且例如為10 μm以上。

又，配線體金屬部52之厚度T相對於配線體金屬部52之短邊方向長度W的比(T/W)例如為1.5以上，較佳為2以上，更佳為2.5以上，進而較佳為3以上，尤佳為3.5以上，且例如為1000以下，進而為100以下。再者，比(T/W)相當於將配線體金屬部52沿著厚度方向及短邊方向切斷所得之切斷面中之高寬比。

若高寬比(T/W)為上述下限以上，則可利用開口部4中之空氣將配線體3中之主配線部83(將於下文敍述)所產生之熱有效率地釋出。

再者，第1連結體2A及第2連結體2B各自之厚度例如與配線體金屬部52之厚度T相同。

金屬支持層5之材料為金屬。作為金屬，可例舉於週期表(IUPAC，2018)中屬於第1族～第16族之金屬元素、及包含2種以上之該等金屬元素之合金。再者，金屬可為過渡金屬及典型金屬中之任一者。更具體而言，作為金屬，可例舉：第2族金屬元素、第4族金屬元素、第5族金屬元素、第6族金屬元素、第7族金屬元素、第8族金屬元素、第9族金屬元素、第10族金屬元素、第11族金屬元素、第12族金屬元素、第13族金屬元素、及第14族金屬元素。作為第2族金屬元素，例如可例舉鈣。作為第4族金屬元素，例如可例舉鈦及鋯。作為第5族金屬元素，例如可例舉釩。作為第6族金屬元素，例如可例舉鉻、鉬及鎢。作為第7族金屬元素，例如可例舉錳。作為第8族金屬元素，例如可例舉鐵。作為第9族金屬元素，例如可例舉鈷。作為第10族金屬元素，例如可例舉鎳及鉑。作為第11族金屬元素，例如可例舉：銅、銀及金。作為第12族金屬元素，例如可例舉鋅。作為第13族金屬元素，例如可例舉鋁及鎵。作為第14族金屬元素，例如可例舉鍺及錫。該等可單獨使用或者併用。作為金屬，就獲得接下來進行說明之高熱導率之觀點而言，可較佳地例舉第11族金屬元素，可更佳地例舉銅及銅合金。

金屬支持層5之熱導率例如為30 W/m・K以上，較佳為35 W/m・K以上，更佳為40 W/m・K以上，進而較佳為45 W/m・K以上，尤佳為50 W/m・K以上。若金屬支持層5之熱導率為上述下限以上，則金屬支持層5可將導體圖案8所產生之熱有效率地散熱。

金屬支持層5之熱導率之上限不受限定。金屬支持層5之熱導率之上限例如為350 W/m・K，又，例如為100 W/m・K。

金屬支持層5之熱導率可藉由JIS H 7903：2008(有效熱導率測定法)而求出。

金屬支持層5在23℃下之拉伸強度例如為100 MPa以上，較佳為150 MPa以上，更佳為200 MPa以上，進而較佳為500 MPa以上，尤佳為1,000 MPa以上。若金屬支持層5在23℃下之拉伸強度為上述下限以上，則配線電路基板1之剛性優異。

金屬支持層5在23℃下之拉伸強度之下限不受限定。金屬支持層5在23℃下之拉伸強度之下限例如為1 MPa，進而為10 MPa。 金屬支持層5在23℃下之拉伸強度可藉由JIS Z2241：2011而求出。

＜接著劑層6＞ 接著劑層6配置於金屬支持層5之厚度方向上之一面。接著劑層6與金屬支持層5之厚度方向上之一面接觸。接著劑層6具有片狀。接著劑層6具有與第1連結體2A、第2連結體2B及配線體3對應之外形形狀。接著劑層6中包含於第1連結體2A之部分為第1連結接著部61A(參照圖2A)。接著劑層6中包含於第2連結體2B之部分為第2連結接著部61B(參照圖1)。接著劑層6中包含於配線體3之部分為配線體接著部62(參照圖2B)。

第1連結接著部61A配置於第1連結金屬部51A之厚度方向上之一面。第1連結接著部61A與第1連結金屬部51A之厚度方向上之一面接觸。第1連結接著部61A例如於沿厚度方向投影時，大於第1連結金屬部51A。具體而言，第1連結接著部61A之寬度方向兩側部分相對於第1連結金屬部51A朝向寬度方向兩側突出。第1連結接著部61A具有接著貫通孔63。接著貫通孔63於俯視下之形狀不受限定。接著貫通孔63沿厚度方向貫通第1連結接著部61A。

第2連結接著部61B配置於第2連結金屬部51B之厚度方向上之一面。第2連結接著部61B與第2連結金屬部51B之厚度方向上之一面接觸。第2連結接著部61B於沿厚度方向投影時，大於第2連結金屬部51B。具體而言，第2連結接著部61B之寬度方向兩側部分相對於第2連結金屬部51B，朝向寬度方向兩側突出。

配線體接著部62配置於配線體金屬部52之厚度方向上之一面。配線體接著部62例如於沿厚度方向投影時，大於配線體金屬部52。

作為接著劑層6之材料，可例舉接著劑組合物。作為接著劑組合物，例如可例舉：硬化性接著劑組合物、及熱塑性接著劑組合物。接著劑組合物之種類不受限定。再者，若接著劑組合物為硬化性接著劑組合物，則接著劑層6包含硬化性接著劑組合物之硬化體。作為接著劑組合物，例如可例舉：環氧接著劑組合物、矽酮接著劑組合物、胺基甲酸酯接著劑組合物、及丙烯酸系接著劑組合物。

本實施方式中，接著劑層6為絕緣性。換言之，接著劑層為非導電性。即，接著劑層6僅具備絕緣區域。具體而言，接著劑層6(絕緣區域)之體積電阻率例如為1×10 ⁵Ωcm以上，較佳為1×10 ⁶Ωcm以上，更佳為1×10 ⁷Ωcm以上，且例如為1×10 ¹⁸Ωcm以下。體積電阻率可藉由JIS C 2139-3-1而求出。

接著劑層6之熱導率相對較低，例如低於金屬支持層5之熱導率。具體而言，接著劑層6之熱導率例如為1 W/m・K以下，較佳為0.5 W/m・K以下，且例如為0.01 W/m・K以上，較佳為0.001 W/m・K以上。接著劑層6之熱導率可藉由JIS A 1412(熱絕緣材之熱導率測定法)而求出。

接著劑層6之線膨脹係數相對較高。接著劑層6之線膨脹係數例如為10 ppm/℃以上，進而為20 ppm/℃以上，進而為30 ppm/℃以上，且例如為100 ppm/℃以下。接著劑層6之線膨脹係數可藉由JIS K7197：2012而求出。

接著劑層6之厚度例如為1 μm以上，較佳為10 μm以上，且例如為10,000 μm以下，較佳為1,000 μm以下。

接著貫通孔63之開口面積例如為10 μm ²以上，較佳為100 μm ²以上，且例如為1,000 mm ²以下，較佳為100 mm ²以下。

＜基底絕緣層7＞ 基底絕緣層7配置於接著劑層6之厚度方向上之一面。具體而言，基底絕緣層7與接著劑層6之厚度方向上之一整面接觸。基底絕緣層7具有與第1連結體2A、第2連結體2B及配線體3對應之外形形狀。基底絕緣層7具有與接著劑層6相同之外形形狀。基底絕緣層7中包含於第1連結體2A之部分為第1連結基底部71A(參照圖2A)。基底絕緣層7中包含於第2連結體2B之部分為第2連結基底部71B(參照圖1)。基底絕緣層7中包含於配線體3之部分為配線體基底部72(參照圖2B)。

第1連結基底部71A配置於第1連結接著部61A之厚度方向上之一面。第1連結基底部71A與第1連結接著部61A之厚度方向上之一面接觸。具體而言，第1連結基底部71A接著於第1連結接著部61A之厚度方向上之一面。第1連結基底部71A於沿厚度方向投影時，具有與第1連結接著部61A相同之外形形狀。第1連結基底部71A具有作為絕緣貫通孔之絕緣貫通孔73。

絕緣貫通孔73於俯視下之形狀不受限定。絕緣貫通孔73沿厚度方向貫通第1連結基底部71A。絕緣貫通孔73於沿厚度方向投影時，與接著貫通孔63重疊。絕緣貫通孔73於俯視下具有與接著貫通孔63相同之形狀。區隔出絕緣貫通孔73之內周面、與區隔出接著貫通孔63之內周面於厚度方向上為同一面。

第2連結基底部71B配置於第2連結接著部61B之厚度方向上之一面。第2連結基底部71B與第2連結接著部61B之厚度方向上之一面接觸。具體而言，第2連結基底部71B接著於第2連結接著部61B之厚度方向上之一面。

配線體基底部72配置於配線體接著部62之厚度方向上之一面。配線體基底部72與配線體接著部62之厚度方向上之一面接觸。配線體基底部72接著於配線體接著部62之厚度方向上之一面。

基底絕緣層7之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。

作為基底絕緣層7之材料，例如可例舉絕緣性樹脂。作為絕緣性樹脂，例如可例舉：聚醯亞胺、馬來醯亞胺、環氧樹脂、聚苯并㗁唑、及聚酯。

再者，基底絕緣層7之熱導率低於金屬支持層5之熱導率。基底絕緣層7之熱導率例如為1 W/m・K以下，進而為0.5 W/m・K以下，且例如為0.01 W/m・K以上，較佳為0.1 W/m・K以上。基底絕緣層7之熱導率可藉由JIS A 1412(熱絕緣材之熱導率測定法)而求出。

＜導體圖案8＞ 導體圖案8配置於基底絕緣層7之厚度方向上之一面。具體而言，導體圖案8分別於第1連結基底部71A、第2連結基底部71B及配線體基底部72各自之厚度方向之一面。

導體圖案8中包含於第1連結體2A之部分為第1端子部81A(參照圖2A)及第1輔助配線部82A(參照圖1)。導體圖案8中包含於第2連結體2B之部分為第2端子部81B及第2輔助配線部82B(參照圖1)。導體圖案8中包含於配線體3之部分為主配線部83。

第1端子部81A配置於第1連結基底部71A之厚度方向之一面。第1端子部81A配置於第1連結基底部71A之長邊方向之一側部分。第1端子部81A於第1連結體2A內，與複數個配線體3對應地沿配線電路基板1之短邊方向隔開間隔而配置有複數個。第1端子部81A於沿厚度方向投影時，包含於第1連結金屬部51A。第1端子部81A例如具有俯視大致矩形狀(方形平面(square land)形狀)。

複數個第1端子部81A中之1個第1端子部81A於沿厚度方向投影時，包含接著貫通孔63及絕緣貫通孔73。複數個第1端子部81A中之1個第1端子部81A之厚度方向之另一面之一部分與導電構件10接觸。

第1輔助配線部82A配置於第1連結基底部71A之厚度方向之一面。第1輔助配線部82A對應於複數個配線體3、及與其等對應之複數個第1端子部81A之各者而配置有複數個。第1輔助配線部82A係與第1端子部81A連續。第1輔助配線部82A係自第1端子部81A之長邊方向之另一端緣朝向長邊方向之另一側延伸。第1輔助配線部82A具有俯視大致直線形狀。

第2端子部81B配置於第2連結基底部71B之厚度方向之一面。第2輔助配線部82B對應於複數個配線體3、及與其等對應之複數個第2端子部81B之各者而配置有複數個。第2端子部81B配置於第2連結基底部71B之長邊方向之另一側部分。第2端子部81B於第2連結體2B內，與複數個配線體3對應地沿配線電路基板1之短邊方向隔開間隔而配置有複數個。第2端子部81B於沿厚度方向投影時，包含於第2連結金屬部51B。第2端子部81B具有俯視大致矩形狀(方形平面形狀)。

第2輔助配線部82B配置於第2連結基底部71B之厚度方向之一面。第2輔助配線部82B係與第2端子部81B連續。第2輔助配線部82B係自第2端子部81B之長邊方向之一端緣朝向長邊方向之一側延伸。第2輔助配線部82B具有俯視大致直線形狀。

主配線部83配置於配線體基底部72之厚度方向之一面。具體而言，複數個主配線部83之各者配置於複數個配線體基底部72之各者之短邊方向大致中央部。主配線部83於沿厚度方向投影時，包含於配線體基底部72。

主配線部83係與配線體基底部72(或配線體金屬部52，或配線體接著部62)一一對應地設置。主配線部83於沿厚度方向投影時，配置於較配線體基底部72之寬度方向兩端緣靠內側。

主配線部83之長邊方向之一端緣係與第1輔助配線部82A之長邊方向之另一端緣連續。主配線部83之長邊方向之另一端緣係與第2輔助配線部82B之長邊方向之一端緣連續。藉此，主配線部83係與第1輔助配線部82A及第2輔助配線部82B一併形成沿長邊方向延伸之俯視大致直線形狀，沿長邊方向連接第1端子部81A與第2端子部81B。

主配線部83之短邊方向長度例如與第1輔助配線部82A及第2輔助配線部82B之短邊方向長度相同。

作為導體圖案8之材料，可例舉導體。作為導體，例如可例舉：銅、銀、金、鐵、鋁、鉻、及該等之合金。就獲得良好之電特性之觀點而言，可較佳地例舉銅。

導體圖案8之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。

又，主配線部83之短邊方向長度例如為200 μm以下，較佳為100 μm以下，且例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上。

＜覆蓋絕緣層9＞ 如圖2B所示，覆蓋絕緣層9配置於基底絕緣層7之厚度方向之一面。覆蓋絕緣層9被覆主配線部83、第1輔助配線部82A及第2輔助配線部82B。具體而言，覆蓋絕緣層9被覆主配線部83、第1輔助配線部82A及第2輔助配線部82B各自之厚度方向之一面及外周面。覆蓋絕緣層9使第1端子部81A及第2端子部81B露出。

覆蓋絕緣層9之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。

作為覆蓋絕緣層9之材料，例如可例舉絕緣性樹脂。作為絕緣性樹脂，例如可例舉：聚醯亞胺、馬來醯亞胺、環氧樹脂、聚苯并㗁唑、及聚酯。又，絕緣性樹脂包含阻焊劑。

上述金屬支持層5、接著劑層6、基底絕緣層7及覆蓋絕緣層9共通地具有開口部4。

＜導電構件10＞ 如圖2A所示，導電構件10配置於接著貫通孔63內及絕緣貫通孔73內。導電構件10沿厚度方向延伸。導電構件10之厚度方向上之另一端部與第1連結金屬部51A接觸。導電構件10之厚度方向上之一端部與第1端子部81A接觸。藉此，導電構件10將第1連結金屬部51A與第1端子部81A電性連接。

作為導電構件10之材料，例如可例舉：焊料、各向異性導電膏(ACP)、及各向異性導電膜(ACF)。作為導電構件10之材料，例如亦可例舉上述導體。

本實施方式中，導電構件10不具有接著性。換言之，導電構件10之材料不包含上述接著劑組合物。

＜配線電路基板1之製造方法＞ 其次，參照圖3A至圖4D對配線電路基板1之製造方法進行說明。

配線電路基板1之製造方法具備第1步驟、第2步驟、第3步驟、第4步驟及第5步驟。於該方法中，依序實施第1步驟、第2步驟、第3步驟及第4步驟。於該方法中，第4步驟及第5步驟可同時實施。

＜第1步驟＞ 如圖3A至圖3E所示，於第1步驟中，準備積層板91。如圖3E所示，積層板91朝向厚度方向之一側依序具備絕緣板75、導體圖案8及覆蓋絕緣層9。

為了準備積層板91，首先，如圖3A所示，準備二層基材92。二層基材92朝向厚度方向之一側依序具備絕緣板75及導體板85。 絕緣板75係用以形成基底絕緣層7之絕緣材。於積層板91中，絕緣板75尚不具有上述開口部4。導體板85與絕緣板75之厚度方向之一整面接觸。導體板85係用以形成導體圖案8之導體材。導體板85尚不具有上述圖案。

繼而，如圖3B至圖3E所示，於本實施方式中，藉由減成法，將導體板85形成為導體圖案8。

具體而言，如圖3B所示，首先藉由光微影法於導體板85之厚度方向之一面形成蝕刻阻劑90。蝕刻阻劑90具有與導體圖案8相同之圖案。

繼而，如圖3C所示，藉由蝕刻將自蝕刻阻劑90露出之導體板85去除。藉此，由導體板85形成導體圖案8。

繼而，如圖3D所示，去除蝕刻阻劑90。

其後，如圖3E所示，以被覆導體圖案8之一部分之方式於絕緣板75之厚度方向之一面形成覆蓋絕緣層9。例如，將包含絕緣性樹脂之清漆塗佈於絕緣板75及導體圖案8，其後，於曝光後進行顯影，而形成具有特定之圖案之覆蓋絕緣層9。

其後，於絕緣板75形成絕緣貫通孔73(參照圖2A)。

藉此，準備積層板91。

＜第2步驟＞ 於第2步驟中，如圖4A所示，對假想線所表示之金屬板55進行外形加工，而形成金屬支持層5。

金屬板55係用以形成上述金屬支持層5之金屬材。金屬板55尚不具有開口部4。金屬板55分別具有金屬支持層5所具有之上述熱導率及拉伸強度。

外形加工不受限定。作為外形加工，例如可例舉：蝕刻、沖切(模具加工)、水刀(water cutter)及雷射加工。作為外形加工，就精度之觀點而言，可較佳地例舉蝕刻。

藉由第2步驟，由金屬板55形成具有開口部4之金屬支持層5。

＜第3步驟＞ 如圖4C所示，於第3步驟中，將金屬支持層5與積層板91中之絕緣板75經由接著劑片材65接著。

接著劑片材65係用以形成上述接著劑層6之片材。接著劑片材65尚不具有開口部4。

於第3步驟中，例如，首先將接著劑片材65配置於金屬支持層5之厚度方向之一面、或絕緣板75之另一面，繼而，將金屬支持層5與絕緣板75經由接著劑片材65接著。較佳為，如圖4B所示，首先將接著劑片材65配置於金屬支持層5之厚度方向之一面。其後，如圖4C所示，使接著劑片材65之厚度方向之一面與絕緣板75之厚度方向之另一面接觸(貼合)。

同時，於第3步驟中，將導電構件10(參照圖2A)配置於接著貫通孔63及絕緣貫通孔73內。具體而言，於接著劑片材65形成接著貫通孔63，將導電構件10以其一部分填充於接著貫通孔63內或絕緣貫通孔73內(參照圖2A)之方式配置於接著劑片材65或絕緣板75，其後，將接著劑片材65與絕緣板75貼合。

＜第4步驟及第5步驟＞ 如圖4D所示，於第4步驟及第5步驟中，對接著劑片材65及絕緣板75之各者進行外形加工，分別形成接著劑層6及基底絕緣層7。 外形加工不受限定。藉此，形成分別具有開口部4之接著劑層6及基底絕緣層7。

藉此，製造配線電路基板1。

配線電路基板1之用途並無特別限定。配線電路基板1被用於各種領域。配線電路基板1例如被用於電子機器用配線電路基板(電子零件用配線電路基板)、及電氣機器用配線電路基板(電性零件用配線電路基板)。再者，電子機器用配線電路基板及電氣機器用配線電路基板不嚴加區分。作為電子機器用配線電路基板及電氣機器用配線電路基板，例如可例舉：感測器用配線電路基板、運輸車輛用配線電路基板、視訊機器用配線電路基板、通信中繼機器用配線電路基板、資訊處理終端用配線電路基板、可動型機器用配線電路基板、醫療機器用配線電路基板、電氣機器用配線電路基板、及錄影電子機器用配線電路基板。作為感測器用配線電路基板中之感測器，例如可例舉：位置資訊感測器、障礙物偵測感測器、及溫度感測器。作為運輸車輛用配線電路基板中之運輸車輛，例如可例舉：汽車、電車、飛機、及工作車輛。作為視訊機器用配線電路基板中之視訊機器，例如可例舉：平板顯示器、可撓式顯示器、及投影型視訊機器。作為通信中繼機器用配線電路基板中之通信中繼機器，例如可例舉：網路機器、及大型通信機器。作為資訊處理終端用配線電路基板中之資訊處理終端，例如可例舉：電腦、平板、智慧型手機、及家庭用遊戲機。作為可動型機器用配線電路基板中之可動型機器，例如可例舉：無人機、及機器人。作為醫療機器用配線電路基板中之醫療機器，例如可例舉：可穿戴型醫療用裝置、及醫療診斷用裝置。作為電氣機器用配線電路基板中之電氣機器，例如可例舉：冰箱、洗衣機、吸塵器、及空調機。作為錄影電子機器用配線電路基板中之錄影電子機器，例如可例舉：數位相機、及DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)錄影裝置。

＜第1實施方式之作用效果＞ 然而，若將絕緣板75與金屬板55經由接著劑片材65接著之後，對金屬板55進行外形加工，則絕緣板75接著於作為加工對象之金屬板55，因而存在難以將金屬板55圖案化之情形。

但是，於第1實施方式之製造方法中，將金屬板55圖案化而形成金屬支持層5(第2步驟)，其後，將絕緣板75與金屬支持層5經由接著劑片材65接著(第3步驟)。因此，於第2步驟中，作為加工對象之金屬板55尚具有板形狀，故能確實地將該金屬板55圖案化。

再者，於金屬板55之厚度為10 μm以上1,000 μm以下之情形時，即，於金屬板55之厚度較厚之情形時，容易變得更難以將金屬板55圖案化。

但是，如上所述，於第1實施方式之製造方法中，在金屬板55之圖案化後，將絕緣板75與金屬支持層5經由接著劑片材65接著，因此能確實地將金屬板55圖案化。

＜第1實施方式之變化例＞ 於以下各變化例中，對與上述第1實施方式相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，各變化例除了特別記載以外，可發揮與第1實施方式相同之作用效果。進而，可將第1實施方式及變化例適當組合。

於變化例中，雖未圖示，但於第1步驟中，藉由加成法形成導體圖案8。

於變化例中，配線電路基板1不具備導電構件10。基底絕緣層7將導體圖案8與金屬支持層5絕緣。

於變化例之第1步驟中，如圖4C之假想線及圖5E所示，代替積層板91而準備第2積層板93。如圖5E所示，第2積層板93朝向厚度方向之一側依序具備第2導體圖案80、絕緣板75、導體圖案8及覆蓋絕緣層9。

為了準備第2積層板93，首先，如圖5A所示，準備三層基材94。三層基材94朝向厚度方向之一側依序具備第2導體板88、絕緣板75及導體板85。第2導體板88配置於絕緣板75之厚度方向之另一整面。第2導體板88係用以形成下述第2導體圖案80之導體材。

繼而，如圖5B至圖5E所示，藉由減成法，將導體板85形成為導體圖案8，將第2導體板88形成為第2導體圖案80。

具體而言，如圖5B所示，首先藉由光微影法於導體板85之厚度方向之一面形成蝕刻阻劑90，藉由光微影法於第2導體板88之厚度方向之另一面形成第2蝕刻阻劑95。第2蝕刻阻劑95具有與第2導體圖案80相同之圖案。

繼而，如圖5C所示，藉由蝕刻去除自蝕刻阻劑90露出之導體板85，藉由蝕刻去除自第2蝕刻阻劑95露出之第2導體板88。藉此，由導體板85形成導體圖案8，由第2導體板88形成第2導體圖案80。

繼而，如圖5D所示，去除蝕刻阻劑90及第2蝕刻阻劑95。

形成絕緣貫通孔73(參照圖6A)(將於下文敍述)，將導體連接構件87(將於下文敍述)配置於絕緣貫通孔73內。形成絕緣貫通孔73時，例如，於導體圖案8及第2導體圖案80中亦形成與絕緣貫通孔73連通之導體通孔，繼而於絕緣貫通孔73及導體通孔中進行鍍覆，以及塗佈導電膏。

其後，如圖5E所示，形成覆蓋絕緣層9。藉此，準備第2積層板93。

關於變化例中之第2步驟、第3步驟、第4步驟及第5步驟，分別與第1實施方式中之第2步驟、第3步驟、第4步驟及第5步驟同樣地進行說明。

如圖4D及圖6A所示，藉由變化例所製造之配線電路基板1進而具備第2導體圖案80及導體連接構件87。

第2導體圖案80配置於基底絕緣層7之厚度方向之另一面。具體而言，第2導體圖案80配置於第1連結基底部71A、第2連結基底部71B及配線體基底部72各自之厚度方向之另一面。第2導體圖案80之厚度方向之另一面及周側面由接著劑層6被覆。又，配置於第1連結基底部71A之第2導體圖案80之厚度方向之另一面與導電構件10接觸。第2導體圖案80之物性及尺寸係與上述導體圖案8之物性及尺寸相同。與導電構件10接觸之第2導體圖案80係和導電構件10一併配置於接著貫通孔63內。

導體連接構件87配置於絕緣貫通孔73內。絕緣貫通孔73貫通基底絕緣層7。導體連接構件87沿厚度方向延伸。導體連接構件87之厚度方向之一端部與導體圖案8之第1端子部81A接觸。導體連接構件87之厚度方向之另一端部與第2導體圖案80接觸。藉此，導體連接構件87將導體圖案8與第2導體圖案80電性連接。

亦可於基底絕緣層7及導體圖案8之間介存接著劑。

＜第2實施方式＞ 於以下第2實施方式中，對與上述第1實施方式相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，第2實施方式除了特別記載以外，可發揮與第1實施方式相同之作用效果。進而，可將第1實施方式及第2實施方式適當組合。

參照圖7A至圖7D對第2實施方式進行說明。

於第2實施方式中，如圖7A所示，第4步驟係於第3步驟之前實施。即，於第2實施方式中，依序實施第4步驟、第3步驟及第5步驟。

＜第4步驟＞ 於第4步驟中，如圖7A所示，對假想線所表示之接著劑片材65進行外形加工，而形成接著劑層6。接著劑片材65之外形加工不受限定。

＜第3步驟＞ 第3步驟係於第4步驟之後實施。如圖7C所示，於第3步驟中，將接著劑層6配置於金屬支持層5之厚度方向之一面、或絕緣板75之另一面，繼而，將金屬支持層5與絕緣板75經由接著劑層6接著。較佳為，首先，如圖7B所示，將接著劑層6配置於金屬支持層5之厚度方向之一面，繼而，如圖7C所示，使接著劑層6之厚度方向之一面與絕緣板75之厚度方向之另一面接觸(貼合)。

＜第5步驟＞ 如圖7D所示，於第5步驟中，對絕緣板75進行外形加工而以具有開口部4之圖案形成基底絕緣層7。

＜第2實施方式之變化例＞ 於以下變化例中，對與上述第2實施方式相同之構件及步驟標註相同之參考符號，並省略其詳細之說明。又，變化例除了特別記載以外，可發揮與第2實施方式相同之作用效果。進而，可將第2實施方式及變化例適當組合。

該變化例係於第2實施方式之製造方法中代替積層板91而使用第2積層板93(參照圖7C之假想線及括弧內容)。

再者，上述發明係作為本發明之例示之實施方式而提供，但其僅為例示，不可限定地進行解釋。由本技術領域之業者所明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍內。

1:配線電路基板 2A:第1連結體 2B:第2連結體 3:配線體 4:開口部 5:金屬支持層 6:接著劑層 7:基底絕緣層 8:導體圖案 9:覆蓋絕緣層 10:導電構件 51A:第1連結金屬部 51B:第2連結金屬部 52:配線體金屬部 55:金屬板 61A:第1連結接著部 61B:第2連結接著部 62:配線體接著部 63:接著貫通孔 65:接著劑片材 71A:第1連結基底部 71B:第2連結基底部 72:配線體基底部 73:絕緣貫通孔 75:絕緣板 80:第2導體圖案 81A:第1端子部 81B:第2端子部 82A:第1輔助配線部 82B:第2輔助配線部 83:主配線部 85:導體板 87:導體連接構件 88:第2導體板 90:蝕刻阻劑 91:積層板 92:二層基材 93:第2積層板 94:三層基材 95:第2蝕刻阻劑 T:金屬板之厚度 W:短邊方向長度

圖1係藉由本發明之第1實施方式之製造方法所獲得之配線電路基板的俯視圖。 圖2A及圖2B係圖1所示之配線電路基板之剖視圖。圖2A係圖1之A-A剖視圖。圖2B係圖1之B-B剖視圖。 圖3A至圖3E係第1步驟之說明圖。圖3A係準備二層基材之步驟。圖3B係形成蝕刻阻劑(etching resist)之步驟。圖3C係對導體板進行蝕刻之步驟。圖3D係去除蝕刻阻劑之步驟。 圖3E係形成覆蓋絕緣層之步驟。 圖4A至圖4D係配線電路基板之製造方法之步驟圖。圖4A係第2步驟。圖4B係將接著劑片材配置於金屬支持層之步驟。圖4C係第3步驟。圖4D係第4步驟及第5步驟。 圖5A至圖5E係變化例之第1步驟之說明圖。圖5A係準備三層基材之步驟。圖5B係形成蝕刻阻劑及第2蝕刻阻劑之步驟。圖5C係對導體板及第2導體板進行蝕刻之步驟。圖5D係去除蝕刻阻劑及第2蝕刻阻劑之步驟。 圖5E係形成覆蓋絕緣層之步驟。 圖6係藉由變化例所製造之配線電路基板之第1連結體之剖視圖。 圖7A至7D係第2實施方式之配線電路基板之製造方法之步驟圖。圖7A係第4步驟。圖7B係將接著劑層配置於金屬支持層之步驟。 圖7C係第3步驟。圖7D係第5步驟。

1:配線電路基板

4:開口部

5:金屬支持層

6:接著劑層

7:基底絕緣層

55:金屬板

65:接著劑片材

75:絕緣板

80:第2導體圖案

91:積層板

93:第2積層板

Claims (5)

1. 一種配線電路基板之製造方法，其包括： 第1步驟，其係準備具備絕緣板、及配置於上述絕緣板之厚度方向上之一面之導體圖案的積層板； 第2步驟，其係將金屬板圖案化而形成金屬支持層； 第3步驟，其係於上述第1步驟及上述第2步驟之後，將上述絕緣板與上述金屬支持層經由接著劑片材或由上述接著劑片材形成之接著劑層接著。
2. 如請求項1之配線電路基板之製造方法，其中上述金屬板之厚度為10 μm以上1,000 μm以下。
3. 如請求項1或2之配線電路基板之製造方法，其中於上述第1步驟中，準備進而具備配置於上述絕緣板之厚度方向上之另一面之第2導體圖案的上述積層板。
4. 如請求項1或2之配線電路基板之製造方法，其進而包括第4步驟，該第4步驟係於上述第3步驟之後將接著劑片材圖案化而形成上述接著劑層。
5. 如請求項1或2之配線電路基板之製造方法，其中進而包括第4步驟，該第4步驟係於上述第3步驟之前將上述接著劑片材圖案化而形成上述接著劑層。

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