KR20230022115A - 배선 회로 기판의 제조 방법 - Google Patents

배선 회로 기판의 제조 방법 Download PDF

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KR20230022115A
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고타 니시노
하야토 다카쿠라
다카토시 사카쿠라
나오키 시바타
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 금속판을 확실히 패터닝할 수 있는 배선 회로 기판의 제조 방법을 제공하는 것.
[해결 수단] 배선 회로 기판(1)의 제조 방법은 제 1 공정과, 제 2 공정과, 제 3 공정을 구비한다. 제 1 공정에서는 절연판(75)과, 두께 방향에 있어서의 절연판(75)의 한쪽면에 배치되는 도체 패턴(8)을 구비하는 적층판(91)을 준비한다. 제 2 공정에서는, 금속판(55)을 패터닝하여 금속 지지층(5)을 형성한다. 제 1 공정 및 제 2 공정의 후에, 절연판(75)과 금속 지지층(5)을 접착제 시트(65) 또는 접착제층(6)을 거쳐서 접착한다.

Description

배선 회로 기판의 제조 방법{METHOD OF PRODUCING WIRING CIRCUIT BOARD}
본 발명은 배선 회로 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
절연판 및 도체 패턴을 구비하는 적층판과, 금속판을 접착제층을 거쳐서 접착하고, 그 후, 금속판을 패터닝하여 금속 지지층을 형성하는 제조 방법이 알려져 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제 2012-226803 호 공보
특허문헌 1에 기재의 제조 방법에서는, 금속판이 접착제층을 거쳐서 적층판에 접착되어 있기 때문에, 금속판의 패터닝이 곤란해지는 경우가 있다.
본 발명은 금속판을 확실히 패터닝할 수 있는 배선 회로 기판의 제조 방법을 제공한다.
본 발명 (1)은, 절연판과, 두께 방향에 있어서의 상기 절연판의 한쪽면에 배치되는 도체 패턴을 구비하는 적층판을 준비하는 제 1 공정과, 금속판을 패터닝하여, 금속 지지층을 형성하는 제 2 공정과, 상기 제 1 공정 및 상기 제 2 공정의 후에, 상기 절연판과 상기 금속 지지층을 접착제 시트 또는 상기 접착제 시트로 형성되는 접착제층을 거쳐서 접착하는 제 3 공정을 구비하는, 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
이 제조 방법에서는, 제 2 공정에서 금속판을 패터닝하여, 금속 지지층을 형성하고, 그 후의 제 3 공정에서 절연판과 금속 지지층을 접착제 시트 또는 접착제층을 거쳐서 접착한다. 그 때문에, 제 2 공정에 있어서, 가공 대상인 금속판은 판 형상을 아직 가지므로, 이러한 금속판을 확실히 패터닝할 수 있다.
본 발명 (2)는, 상기 금속판의 두께가 10㎛ 이상, 1,000㎛ 이하인, (1)에 기재된 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
본 발명 (3)은, 상기 제 1 공정에서는, 두께 방향에 있어서의 상기 절연판의 다른쪽면에 배치되는 제 2 도체 패턴을 더 구비하는 상기 적층판을 준비하는, (1) 또는 (2)에 기재된 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
본 발명 (4)는, 상기 제 3 공정의 후에, 접착제 시트를 패터닝하여 상기 접착제층을 형성하는 제 4 공정을 더 구비하는, (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
본 발명 (5)는, 상기 제 3 공정의 전에, 상기 접착제 시트를 패터닝하여 상기 접착제층을 형성하는 제 4 공정을 더 구비하는, (1) 내지 (3) 중 어느 하나에 기재된 배선 회로 기판의 제조 방법을 포함한다.
본 발명의 배선 회로 기판의 제조 방법은 금속판을 확실히 패터닝할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태의 제조 방법에 의해 얻어지는 배선 회로 기판의 평면도이다.
도 2의 (A) 및 (B)는 도 1에 도시하는 배선 회로 기판의 단면도이다. 도 2의 (A)는 도 1의 A-A 단면도이다. 도 2의 (B)는 도 1의 B-B 단면도이다.
도 3의 (A) 내지 (E)는 제 1 공정의 설명도이다. 도 3의 (A)는 2층 기재를 준비하는 공정이다. 도 3의 (B)는 에칭 레지스트를 형성하는 공정이다. 도 3의 (C)는 도체판을 에칭하는 공정이다. 도 3의 (D)는 에칭 레지스트를 제거하는 공정이다. 도 3의 (E)는 커버 절연층을 형성하는 공정이다.
도 4의 (A) 내지 (D)는 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도이다. 도 4의 (A)는 제 2 공정이다. 도 4의 (B)는 접착제 시트를 금속 지지층에 배치하는 공정이다. 도 4의 (C)는 제 3 공정이다. 도 4의 (D)는 제 4 공정 및 제 5 공정이다.
도 5의 (A) 내지 (E)는 변형예의 제 1 공정의 설명도이다. 도 5의 (A)는 3층 기재를 준비하는 공정이다. 도 5의 (B)는 에칭 레지스트 및 제 2 에칭 레지스트를 형성하는 공정이다. 도 5의 (C)는 도체판 및 제 2 도체판을 에칭하는 공정이다. 도 5의 (D)는 에칭 레지스트 및 제 2 에칭 레지스트를 제거하는 공정이다. 도 5의 (E)는 커버 절연층을 형성하는 공정이다.
도 6은 변형예로 제조되는 배선 회로 기판의 제 1 연결체의 단면도이다.
도 7의 (A) 내지 (D)는 제 2 실시형태의 배선 회로 기판의 제조 방법의 공정도이다. 도 7의 (A)는 제 4 공정이다. 도 7의 (B)는 접착제층을 금속 지지층에 배치하는 공정이다. 도 7의 (C)는 제 3 공정이다. 도 7의 (D)는 제 5 공정이다.
<배선 회로 기판의 제 1 실시형태>
본 발명의 제조 방법의 제 1 실시형태로 제조되는 배선 회로 기판을 도 1 내지 도 2의 (B)를 참조하여 설명한다.
<배선 회로 기판(1)의 전체 구성>
도 1 내지 도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은 두께 방향의 한쪽면 및 다른쪽면을 갖는다. 배선 회로 기판(1)은 대략 판 형상을 갖는다. 배선 회로 기판(1)은 장측 방향으로 연장된다. 장측 방향은 두께 방향에 직교한다. 배선 회로 기판(1)은 제 1 연결체(2A)와, 제 2 연결체(2B)와, 배선체(3)를 일체적으로 구비한다. 바람직하게는, 배선 회로 기판(1)은 제 1 연결체(2A)와, 제 2 연결체(2B)와, 배선체(3)만을 구비한다.
제 1 연결체(2A)는 배선 회로 기판(1)의 장측 방향의 일단부를 형성한다. 제 1 연결체(2A)는 평면에서 보아 대략 직사각형 평판 형상을 갖는다. 제 1 연결체(2A)의 평면에서 본 치수는 특별히 한정되지 않는다.
제 2 연결체(2B)는 배선 회로 기판(1)의 장측 방향의 타단부를 형성한다. 제 2 연결체(2B)는 제 1 연결체(2A)에 대해, 장측 방향의 다른쪽측으로 배선체(3)를 이격하여 대향 배치되어 있다.
제 2 연결체(2B)는 평면에서 보아 대략 직사각형 평판 형상을 갖는다. 제 2 연결체(2B)의 평면에서 본 치수는, 특별히 한정되지 않는다.
배선체(3)는 배선 회로 기판(1)의 장측 방향 중간부를 형성한다. 배선체(3)는 평면에서 보아, 제 1 연결체(2A) 및 제 2 연결체(2B) 사이에 배치되어 있다. 배선체(3)는 장측 방향으로 연장되는 형상을 갖는다. 배선체(3)는 제 1 연결체(2A) 및 제 2 연결체(2B)를 장측 방향으로 가교하고 있다. 또한, 배선체(3)는 배선 회로 기판(1)의 단측 방향에 있어서, 서로 간격을 두고 복수 병렬 배치되어 있다. 단측 방향은 장측 방향 및 두께 방향에 직교한다. 인접하는 배선체(3) 사이에는, 개구부(4)가 형성되어 있다.
개구부(4)는 예를 들면, 배선 회로 기판(1)의 단측 방향으로 서로 이웃하는 배선체(3)를 이격하고 있다. 개구부(4)는 장측 방향으로 연장되는 슬릿 형상을 갖는다. 개구부(4)는 배선 회로 기판(1)을 두께 방향으로 관통한다.
복수의 배선체(3)의 장측 방향의 일단부는, 1개의 제 1 연결체(2A)에 의해 단측 방향으로 연결되어 있다. 이에 의해, 복수의 배선체(3)의 장측 방향의 일단부는, 1개의 제 1 연결체(2A)에 의해 묶여 있다.
복수의 배선체(3)의 장측 방향의 타단부는, 1개의 제 2 연결체(2B)에 의해 단측 방향으로 연결되어 있다. 이에 의해, 복수의 배선체(3)의 장측 방향의 타단부는, 1개의 제 2 연결체(2B)에 의해 묶여 있다.
배선체(3)의 장측 방향 길이는 용도 및 목적에 따라서 적절히 설정된다.
복수의 배선체(3)의 각각의 단측 방향 길이는, 예를 들면 500㎛ 이하, 바람직하게 300㎛ 이하, 보다 바람직하게 100㎛ 이하이며, 또한, 예를 들면 10㎛ 이상이다. 개구부(4)의 단측 방향 길이는, 예를 들면 10㎛ 이상, 바람직하게 50㎛ 이상, 보다 바람직하게 100㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 1000㎛ 이하이다. 개구부(4)의 단측 방향 길이에 대한 배선체(3)의 단측 방향 길이의 비는, 예를 들면 40 이하, 바람직하게 10 이하이며, 또한, 예를 들면 0.1 이상, 바람직하게 0.5 이상이다.
배선체(3)의 두께는, 예를 들면 10㎛ 이상, 바람직하게 100㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 10mm 이하, 바람직하게 1mm 이하이다. 배선 회로 기판(1)의 두께는 상기한 배선체(3)의 두께와 동일하다.
<배선 회로 기판(1)의 층 구성>
도 2의 (A) 및 (B)에 도시하는 바와 같이, 배선 회로 기판(1)은 금속 지지층(5)과, 접착제층(6)과, 베이스 절연층(7)과, 도체 패턴(8)을 구비한다. 배선 회로 기판(1)은 커버 절연층(9)(도 2의 (B) 참조)과, 도전 부재(10)(도 2의 (A) 참조)를 더 구비한다. 배선 회로 기판(1)은 바람직하게 금속 지지층(5)과, 접착제층(6)과, 베이스 절연층(7)과, 도체 패턴(8)과, 커버 절연층(9)과, 도전 부재(10)만을 구비한다.
<금속 지지층(5)>
금속 지지층(5)은 배선 회로 기판(1)의 두께 방향의 다른쪽면을 형성한다. 도 1 내지 도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이, 금속 지지층(5)은 제 1 연결체(2A), 제 2 연결체(2B) 및 배선체(3)에 포함된다. 금속 지지층(5)에 있어서, 제 1 연결체(2A)를 형성하는 부분이 제 1 연결 금속부(51A)(도 2의 (A) 참조)이다. 금속 지지층(5)에 있어서, 제 2 연결체(2B)를 형성하는 부분이 제 2 연결 금속부(51B)(도 1 참조)이다. 금속 지지층(5)에 있어서, 배선체(3)를 형성하는 부분이 배선체 금속부(52)(도 2의 (B) 참조)이다.
제 1 연결 금속부(51A)는 평면에서 보아, 후술하는 제 1 단자부(81A)를 포함하도록, 단측 방향으로 연속하는 대략 평판 형상을 갖는다.
제 2 연결 금속부(51B)는 평면에서 보아, 후술하는 제 2 단자부(81B)를 포함하도록, 단측 방향으로 연속하는 대략 평판 형상을 갖는다.
도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이, 배선체 금속부(52)는, 두께 방향 및 단측 방향을 따라서 절단한 절단면(단면에서 본 것과 동의)에 있어서, 두께 방향으로 긴 대략 직사각 형상을 갖는다.
금속 지지층(5)의 두께(T)는, 예를 들면 30㎛ 이상, 바람직하게 50㎛ 이상, 바람직하게 75㎛ 이상, 보다 바람직하게 100㎛ 이상이다.
금속 지지층(5)의 두께(T)는, 예를 들면 1,000㎛ 이하, 바람직하게 500㎛ 이하이다.
배선체 금속부(52)의 단측 방향 길이(W)는, 상기한 배선체(3)의 단측 방향 길이로 예시한 범위로부터 적절히 선택된다. 구체적으로는, 배선체(3)의 단측 방향 길이(W)는, 예를 들면 500㎛ 이하, 바람직하게 300㎛ 이하, 보다 바람직하게 100㎛ 이하며, 또한, 예를 들면 10㎛ 이상이다.
또한, 배선체 금속부(52)의 단측 방향 길이(W)에 대한 배선체 금속부(52)의 두께(T)의 비(T/W)는, 예를 들면 1.5 이상, 바람직하게 2 이상, 보다 바람직하게 2.5 이상, 더욱 바람직하게 3 이상, 특히 바람직하게 3.5 이상이며, 또한, 예를 들면, 1000 이하, 또한, 100 이하이다. 또한, 비(T/W)는 배선체 금속부(52)를 두께 방향 및 단측 방향을 따라서 절단한 절단면에 있어서의 애스펙트 비에 상당한다.
애스펙트 비(T/W)가 상기한 하한 이상이면, 배선체(3)에 있어서의 주 배선부(83)(후술함)에서 생기는 열을, 개구부(4)에 있어서의 공기를 이용하여, 효율적으로 방출할 수 있다.
또한, 제 1 연결체(2A) 및 제 2 연결체(2B)의 각각의 두께는, 예를 들면 배선체 금속부(52)의 두께(T)와 동일하다.
금속 지지층(5)의 재료는 금속이다. 금속으로서는, 주기표(IUPAC, 2018)에서, 제 1 족 내지 제 16 족으로 분류되어 있는 금속 원소, 및 이들 금속 원소를 2종류 이상 포함하는 합금을 들 수 있다. 또한, 금속은 천이 금속 및 전형 금속의 어느 것이어도 좋다. 보다 구체적으로는, 금속으로서는, 제 2 족 금속 원소, 제 4족 금속 원소, 제 5 족 금속 원소, 제 6 족 금속 원소, 제 7 족 금속 원소, 제 8 족 금속 원소, 제 9 족 금속 원소, 제 10 족 금속 원소, 제 11 족 금속 원소, 제 12 족 금속 원소, 제 13 족 금속 원소, 및 제 14 족 금속 원소를 들 수 있다. 제 2 족 금속 원소로서는, 예를 들면, 칼슘을 들 수 있다. 제 4 족 금속 원소로서는, 예를 들면, 티탄 및 지르코늄을 들 수 있다. 제 5 족 금속 원소로서는, 예를 들면, 바나듐을 들 수 있다. 제 6 족 금속 원소로서는, 예를 들면, 크롬, 몰리브덴 및 텅스텐을 들 수 있다. 제 7 족 금속 원소로서는, 예를 들면, 망간을 들 수 있다. 제 8 족 금속 원소로서는, 예를 들면 철을 들 수 있다. 제 9 족 금속 원소로서는, 예를 들면 코발트를 들 수 있다. 제 10 족 금속 원소로서는, 예를 들면 니켈 및 백금을 들 수 있다. 제 11 족 금속 원소로서는, 예를 들면 구리, 은 및 금을 들 수 있다. 제 12 족 금속 원소로서는, 예를 들면 아연을 들 수 있다. 제 13 족 금속 원소로서는, 예를 들면 알루미늄 및 갈륨을 들 수 있다. 제 14 족 금속 원소로서는, 예를 들면 게르마늄 및 주석을 들 수 있다. 이들은 단독 사용 또는 병용할 수 있다. 금속으로서는, 다음에 설명하는 높은 열전도율을 얻는 관점에서, 바람직하게 제 11 족 금속 원소를 들 수 있으며, 보다 바람직하게 구리, 및 구리 합금을 들 수 있다.
금속 지지층(5)의 열전도율은, 예를 들면 30W/m·K 이상, 바람직하게 35W/m·K 이상, 보다 바람직하게 40W/m·K 이상, 더욱 바람직하게 45W/m·K 이상, 특히 바람직하게 50W/m·K 이상이다. 금속 지지층(5)의 열전도율이 상기한 하한 이상이면, 도체 패턴(8)에서 발생하는 열을 금속 지지층(5)을 효율적으로 방열할 수 있다.
금속 지지층(5)의 열전도율의 상한은 한정되지 않는다. 금속 지지층(5)의 열전도율의 상한은 예를 들면, 350W/m·K이며, 또한, 예를 들면, 100W/m·K이다.
금속 지지층(5)의 열전도율은 JIS H 7903:2008(유효 열전도율 측정법)에 의해 구해진다.
금속 지지층(5)의 23℃에서의 인장 강도는, 예를 들면 100㎫ 이상, 바람직하게 150㎫ 이상, 보다 바람직하게 200㎫ 이상, 더욱 바람직하게 500㎫ 이상, 특히 바람직하게 1,000㎫ 이상이다. 금속 지지층(5)의 23℃에서의 인장 강도가 상기한 하한 이상이면, 배선 회로 기판(1)은 강성이 뛰어나다.
금속 지지층(5)의 23℃에서의 인장 강도의 하한은 한정되지 않는다. 금속 지지층(5)의 23℃에서의 인장 강도의 하한은, 예를 들면 1㎫, 또한, 10㎫이다.
금속 지지층(5)의 23℃에서의 인장 강도는 JIS Z2241:2011에 의해 구해진다.
<접착제층(6)>
접착제층(6)은 두께 방향에 있어서의 금속 지지층(5)의 한쪽면에 배치되어 있다. 접착제층(6)은 두께 방향에 있어서의 금속 지지층(5)의 한쪽면에 접촉한다. 접착제층(6)은 시트 형상을 갖는다. 접착제층(6)은 제 1 연결체(2A), 제 2 연결체(2B) 및 배선체(3)에 대응하는 외형 형상을 갖는다. 접착제층(6)에 있어서, 제 1 연결체(2A)에 포함되는 부분이 제 1 연결 접착부(61A)(도 2의 (A) 참조)이다. 접착제층(6)에 있어서, 제 2 연결체(2B)에 포함되는 부분이 제 2 연결 접착부(61B)(도 1 참조)이다. 접착제층(6)에 있어서, 배선체(3)에 포함되는 부분이 배선체 접착부(62)(도 2의 (B) 참조)이다.
제 1 연결 접착부(61A)는 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 금속부(51A)의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 1 연결 접착부(61A)는 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 금속부(51A)의 한쪽면에 접촉한다. 제 1 연결 접착부(61A)는, 예를 들면 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 1 연결 금속부(51A)보다 크다. 구체적으로는, 제 1 연결 접착부(61A)의 폭 방향 양측 부분은, 제 1 연결 금속부(51A)에 대해, 폭 방향 양측을 향하여 돌출되어 있다. 제 1 연결 접착부(61A)는 접착 관통 구멍(63)을 갖는다. 접착 관통 구멍(63)의 평면에서 본 형상은 한정되지 않는다. 접착 관통 구멍(63)은, 제 1 연결 접착부(61A)를 두께 방향으로 관통한다.
제 2 연결 접착부(61B)는 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 금속부(51B)의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 2 연결 접착부(61B)는 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 금속부(51B)의 한쪽면에 접촉한다. 제 2 연결 접착부(61B)는 두께 방향으로 투영했을 때에 제 2 연결 금속부(51B)보다 크다. 구체적으로는, 제 2 연결 접착부(61B)의 폭 방향 양측 부분은, 제 2 연결 금속부(51B)에 대해, 폭 방향 양측을 향하여 돌출되어 있다.
배선체 접착부(62)는, 두께 방향에 있어서의 배선체 금속부(52)의 한쪽면에 배치되어 있다. 배선체 접착부(62)는, 예를 들면 두께 방향으로 투영했을 때에, 배선체 금속부(52)보다 크다.
접착제층(6)의 재료로서는, 접착제 조성물을 들 수 있다. 접착제 조성물로서는, 예를 들면 경화성 접착제 조성물, 및 열가소성 접착제 조성물을 들 수 있다. 접착제 조성물의 종류는 한정되지 않는다. 또한, 접착제 조성물이 경화성 접착제 조성물이면, 접착제층(6)은 경화성 접착제 조성물이 딱딱한 물체로 이루어진다. 접착제 조성물로서는, 예를 들면 에폭시 접착제 조성물, 실리콘 접착제 조성물, 우레탄 접착제 조성물, 및 아크릴 접착제 조성물을 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 접착제층(6)은 절연성이다. 환언하면, 접착제층은 비도전성이다. 즉, 접착제층(6)은 절연 영역만을 구비한다. 구체적으로는, 접착제층(6)(절연 영역)의 체적 저항율은, 예를 들면, 1×105Ω㎝ 이상, 바람직하게 1×106Ω㎝ 이상, 보다 바람직하게 1×107Ω㎝ 이상이며, 또한, 예를 들면, 1018×Ω㎝ 이하이다. 체적 저항율은, JIS C 2139-3-1에 의해 구해진다.
접착제층(6)의 열전도율은 비교적 낮으며, 예를 들면, 금속 지지층(5)의 열전도율에 비해 낮다. 구체적으로는, 접착제층(6)의 열전도율은 예를 들면 1W/m·K 이하, 바람직하게 0.5W/m·K 이하이며, 또한, 예를 들면 0.01W/m·K 이상, 바람직하게 0.001W/m·K 이상이다. 접착제층(6)의 열전도율은 JIS A 1412(열절연재의 열전도율 측정법)에 의해 구해진다.
접착제층(6)의 선팽창계수는 비교적 높다. 접착제층(6)의 선팽창계수는, 예를 들면, 10ppm/℃ 이상, 또한 20ppm/℃ 이상, 또한 30ppm/℃ 이상이며, 또한, 예를 들면 100ppm/℃ 이하이다. 접착제층(6)의 선팽창계수는 JIS K7197:2012에 의해 구해진다.
접착제층(6)의 두께는 예를 들면 1㎛ 이상, 바람직하게 10㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면, 10,000㎛ 이하, 바람직하게 1,000㎛ 이하이다.
접착 관통 구멍(63)의 개구 면적은, 예를 들면 10㎛2 이상, 바람직하게 100㎛2 이상이며, 또한, 예를 들면 1,000㎟ 이하, 바람직하게 100㎟ 이하이다.
<베이스 절연층(7)>
베이스 절연층(7)은 두께 방향에 있어서의 접착제층(6)의 한쪽면에 배치되어 있다. 구체적으로는, 베이스 절연층(7)은 두께 방향에 있어서의 접착제층(6)의 한쪽면의 전부에 접촉한다. 베이스 절연층(7)은 제 1 연결체(2A), 제 2 연결체(2B) 및 배선체(3)에 대응하는 외형 형상을 갖는다. 베이스 절연층(7)은 접착제층(6)과 동일한 외형 형상을 갖는다. 베이스 절연층(7)에 있어서, 제 1 연결체(2A)에 포함되는 부분이, 제 1 연결 베이스부(71A)(도 2의 (A) 참조)이다. 베이스 절연층(7)에 있어서, 제 2 연결체(2B)에 포함되는 부분이, 제 2 연결 베이스부(71B)(도 1 참조)이다. 베이스 절연층(7)에 있어서, 배선체(3)에 포함되는 부분이, 배선체 베이스부(72)(도 2의 (B) 참조)이다.
제 1 연결 베이스부(71A)는, 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 접착부(61A)의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 1 연결 베이스부(71A)는, 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 접착부(61A)의 한쪽면에 접촉한다. 구체적으로는, 제 1 연결 베이스부(71A)는, 두께 방향에 있어서의 제 1 연결 접착부(61A)의 한쪽면에 접착되어 있다. 제 1 연결 베이스부(71A)는 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 1 연결 접착부(61A)와 동일한 외형 형상을 갖는다. 제 1 연결 베이스부(71A)는, 절연 관통 구멍으로서의 절연 관통 구멍(73)을 갖는다.
절연 관통 구멍(73)의 평면에서 본 형상은 한정되지 않는다. 절연 관통 구멍(73)은, 제 1 연결 베이스부(71A)를 두께 방향으로 관통한다. 절연 관통 구멍(73)은 두께 방향으로 투영했을 때에, 접착 관통 구멍(63)과 중첩된다. 절연 관통 구멍(73)은 평면에서 보아 접착 관통 구멍(63)과 동일 형상을 갖는다. 절연 관통 구멍(73)을 구획하는 내주면과 접착 관통 구멍(63)을 구획하는 내주면은, 두께 방향에 있어서 면일이다.
제 2 연결 베이스부(71B)는, 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 접착부(61B)의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 2 연결 베이스부(71B)는, 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 접착부(61B)의 한쪽면에 접촉한다. 구체적으로는, 제 2 연결 베이스부(71B)는, 두께 방향에 있어서의 제 2 연결 접착부(61B)의 한쪽면에 접착되어 있다.
배선체 베이스부(72)는, 두께 방향에 있어서의 배선체 접착부(62)의 한쪽면에 배치되어 있다. 배선체 베이스부(72)는, 두께 방향에 있어서의 배선체 접착부(62)의 한쪽면에 접촉한다. 배선체 베이스부(72)는, 두께 방향에 있어서의 배선체 접착부(62)의 한쪽면에 접착되어 있다.
베이스 절연층(7)의 두께는 예를 들면 1㎛ 이상, 바람직하게 5㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 100㎛ 이하, 바람직하게 50㎛ 이하이다.
베이스 절연층(7)의 재료로서는, 예를 들면 절연성 수지를 들 수 있다. 절연성 수지로서는, 예를 들면, 폴리이미드, 말레이미드, 에폭시 수지, 폴리벤족사졸, 및 폴리에스테르를 들 수 있다.
또한, 베이스 절연층(7)의 열전도율은 금속 지지층(5)의 열전도율에 비해 낮다. 베이스 절연층(7)의 열전도율은 예를 들면 1W/m·K 이하, 또한, 0.5W/m·K 이하이며, 또한, 예를 들면 0.01W/m·K 이상, 바람직하게 0.1W/m·K 이상이다. 베이스 절연층(7)의 열전도율은, JIS A 1412(열절연재의 열전도율 측정법)에 의해 구해진다.
<도체 패턴(8)>
도체 패턴(8)은 두께 방향에 있어서의 베이스 절연층(7)의 한쪽면에 배치되어 있다. 구체적으로는, 도체 패턴(8)은 제 1 연결 베이스부(71A), 제 2 연결 베이스부(71B) 및 배선체 베이스부(72)의 각각의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다.
도체 패턴(8)에 있어서, 제 1 연결체(2A)에 포함되는 부분이 제 1 단자부(81A)(도 2의 (A) 참조) 및 제 1 보조 배선부(82A)(도 1 참조)이다. 도체 패턴(8)에 대해, 제 2 연결체(2B)에 포함되는 부분이 제 2 단자부(81B) 및 제 2 보조 배선부(82B)(도 1 참조)이다. 도체 패턴(8)에 있어서, 배선체(3)에 포함되는 부분이 주 배선부(83)이다.
제 1 단자부(81A)는 제 1 연결 베이스부(71A)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 1 단자부(81A)는 제 1 연결 베이스부(71A)에 있어서의 장측 방향의 한쪽측 부분에 배치되어 있다. 제 1 단자부(81A)는 제 1 연결체(2A) 내에 있어서, 복수의 배선체(3)에 대응하며, 배선 회로 기판(1)의 단측 방향으로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. 제 1 단자부(81A)는 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 1 연결 금속부(51A)에 포함된다. 제 1 단자부(81A)는 예를 들면, 평면에서 보아 대략 직사각 형상(사각 랜드 형상)을 갖는다.
복수의 제 1 단자부(81A) 중 하나의 제 1 단자부(81A)는, 두께 방향으로 투영했을 때에, 접착 관통 구멍(63) 및 절연 관통 구멍(73)을 포함한다. 복수의 제 1 단자부(81A) 중 하나의 제 1 단자부(81A)의 두께 방향의 다른쪽면의 일부는, 도전 부재(10)에 접촉한다.
제 1 보조 배선부(82A)는, 제 1 연결 베이스부(71A)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 1 보조 배선부(82A)는 복수의 배선체(3)와, 그들에 대응하는 복수의 제 1 단자부(81A)와 각각 대응하여 복수 배치되어 있다. 제 1 보조 배선부(82A)는 제 1 단자부(81A)에 연속한다. 제 1 보조 배선부(82A)는, 제 1 단자부(81A)의 장측 방향의 타 단연으로부터 장측 방향의 다른쪽측을 향하여 연장된다. 제 1 보조 배선부(82A)는 평면에서 보아 대략 직선 형상을 갖는다.
제 2 단자부(81B)는, 제 2 연결 베이스부(71B)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 2 보조 배선부(82B)는 복수의 배선체(3)와, 그들에 대응하는 복수의 제 2 단자부(81B)의 각각에 대응하여 복수 배치되어 있다. 제 2 단자부(81B)는, 제 2 연결 베이스부(71B)에 있어서의 장측 방향의 다른쪽측 부분에 배치되어 있다. 제 2 단자부(81B)는 제 2 연결체(2B) 내에서, 복수의 배선체(3)에 대응하여, 배선 회로 기판(1)의 단측 방향으로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. 제 2 단자부(81B)는 두께 방향으로 투영했을 때에, 제 2 연결 금속부(51B)에 포함된다. 제 2 단자부(81B)는 평면에서 보아 대략 직사각형 모양(사각 랜드 형상)을 갖는다.
제 2 보조 배선부(82B)는, 제 2 연결 베이스부(71B)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 제 2 보조 배선부(82B)는 제 2 단자부(81B)에 연속한다. 제 2 보조 배선부(82B)는 제 2 단자부(81B)의 장측 방향의 일 단연으로부터 장측 방향의 한쪽측을 향하여 연장된다. 제 2 보조 배선부(82B)는 평면에서 보아 대략 직선 형상을 갖는다.
주 배선부(83)는 배선체 베이스부(72)의 두께 방향의 한쪽면에 배치되어 있다. 구체적으로는, 복수의 주 배선부(83)의 각각은, 복수의 배선체 베이스부(72)의 각각의 단측 방향 대략 중앙부에 배치되어 있다. 주 배선부(83)는 두께 방향으로 투영했을 때에, 배선체 베이스부(72)에 포함되어 있다.
주 배선부(83)는 배선체 베이스부(72)(또는, 배선체 금속부(52), 또는, 배선체 접착부(62))와 1대1 대응으로 마련되어 있다. 주 배선부(83)는 두께 방향으로 투영했을 때에, 배선체 베이스부(72)의 폭 방향 양 단연보다 내측에 배치되어 있다.
주 배선부(83)의 장측 방향의 일 단연은, 제 1 보조 배선부(82A)의 장측 방향의 타 단연에 연속하고 있다. 주 배선부(83)의 장측 방향의 타 단연은, 제 2 보조 배선부(82B)의 장측 방향의 일 단연에 연속하고 있다. 이에 의해, 주 배선부(83)는 제 1 보조 배선부(82A) 및 제 2 보조 배선부(82B)와 함께, 장측 방향으로 연장되는 평면에서 보아 대략 직선 형상을 형성하고, 제 1 단자부(81A) 및 제 2 단자부(81B)를 장측 방향으로 접속한다.
주 배선부(83)의 단측 방향 길이는, 예를 들면 제 1 보조 배선부(82A) 및 제 2 보조 배선부(82B)의 단측 방향 길이와 동일하다.
도체 패턴(8)의 재료로서는, 도체를 들 수 있다. 도체로서는, 예를 들면 구리, 은, 금, 철, 알루미늄, 크롬, 및 이들 합금을 들 수 있다. 바람직하게 양호한 전기 특성을 얻는 관점에서 구리를 들 수 있다.
도체 패턴(8)의 두께는, 예를 들면 1㎛ 이상, 바람직하게 5㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 50㎛ 이하, 바람직하게 30㎛ 이하이다.
또한, 주 배선부(83)의 단측 방향 길이는, 예를 들면 200㎛ 이하, 바람직하게 100㎛ 이하이며, 또한, 예를 들면 1㎛ 이상, 바람직하게 5㎛ 이상이다.
<커버 절연층(9)>
도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이, 커버 절연층(9)은 베이스 절연층(7)의 두께 방향의 한쪽면에 배치된다. 커버 절연층(9)은 주 배선부(83), 제 1 보조 배선부(82A) 및 제 2 보조 배선부(82B)를 피복한다. 구체적으로는, 커버 절연층(9)은 주 배선부(83), 제 1 보조 배선부(82A) 및 제 2 보조 배선부(82B)의 각각의 두께 방향의 한쪽면 및 외주면을 피복한다. 커버 절연층(9)은 제 1 단자부(81A) 및 제 2 단자부(81B)를 노출한다.
커버 절연층(9)의 두께는, 예를 들면 1㎛ 이상, 바람직하게 5㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 100㎛ 이하, 바람직하게 50㎛ 이하이다.
커버 절연층(9)의 재료로서는, 예를 들면 절연성 수지를 들 수 있다. 절연성 수지로서는, 예를 들면 폴리이미드, 말레이미드, 에폭시 수지, 폴리벤족사졸, 및 폴리에스테르를 들 수 있다. 또한, 절연성 수지는 솔더 레지스트를 포함한다.
상기한 금속 지지층(5)과, 접착제층(6)과, 베이스 절연층(7)과, 커버 절연층(9)은 개구부(4)를 공통적으로 갖는다.
<도전 부재(10)>
도 2의 (A)에 도시하는 바와 같이, 도전 부재(10)는 접착 관통 구멍(63) 내 및 절연 관통 구멍(73) 내에 배치되어 있다. 도전 부재(10)는 두께 방향으로 연장된다. 두께 방향에 있어서의 도전 부재(10)의 타단부는, 제 1 연결 금속부(51A)에 접촉한다. 두께 방향에 있어서의 도전 부재(10)의 일단부는, 제 1 단자부(81A)에 접촉한다. 이에 의해, 도전 부재(10)는 제 1 연결 금속부(51A)와, 제 1 단자부(81A)를 전기적으로 접속한다.
도전 부재(10)의 재료로서는, 예를 들면, 땜납, 이방성 도전성 페이스트(ACP), 및 이방성 도전성 필름(ACF)을 들 수 있다. 도전 부재(10)의 재료로서는, 예를 들면, 상기한 도체도 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 도전 부재(10)는 접착성을 갖지 않는다. 환언하면, 도전 부재(10)의 재료는 상기한 접착제 조성물을 포함하지 않는다.
<배선 회로 기판(1)의 제조 방법>
다음에, 배선 회로 기판(1)의 제조 방법을 도 3의 (A) 내지 도 4의 (D)를 참조하여 설명한다.
배선 회로 기판(1)의 제조 방법은 제 1 공정과, 제 2 공정과, 제 3 공정과, 제 4 공정과, 제 5 공정을 구비한다. 이 방법에서는, 제 1 공정과, 제 2 공정과, 제 3 공정과, 제 4 공정이 순서대로 실시된다. 이 방법에서는, 제 4 공정 및 제 5 공정은 동시에 실시된다.
<제 1 공정>
도 3의 (A) 내지 (E)에 도시하는 바와 같이, 제 1 공정에서는, 적층판(91)을 준비한다. 도 3의 (E)에 도시하는 바와 같이, 적층판(91)은 절연판(75)과, 도체 패턴(8)과, 커버 절연층(9)을 두께 방향의 한쪽측을 향하여 순서대로 구비한다.
적층판(91)을 준비하려면, 우선, 도 3의 (A)에 도시하는 바와 같이, 2층 기재(92)를 준비한다. 2층 기재(92)는 절연판(75)과, 도체판(85)을 두께 방향의 한쪽측을 향하여 순서대로 구비한다.
절연판(75)은 베이스 절연층(7)을 형성하기 위한 절연재이다. 적층판(91)에 있어서, 절연판(75)은 상기한 개구부(4)를 아직 갖지 않는다. 도체판(85)은 절연판(75)의 두께 방향의 한쪽면의 전부에 접촉하고 있다. 도체판(85)은 도체 패턴(8)을 형성하기 위한 도체재이다. 도체판(85)은 상기한 패턴을 아직 갖지 않는다.
계속해서, 도 3의 (B) 내지 (E)에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 서브트랙티브법에 의해, 도체판(85)을 도체 패턴(8)에 형성한다.
구체적으로는, 도 3의 (B)에 도시하는 바와 같이, 우선, 에칭 레지스트(90)를 포트리소그래피에 의해 도체판(85)의 두께 방향의 한쪽면에 형성한다. 에칭 레지스트(90)는 도체 패턴(8)과 동일한 패턴을 갖는다.
이어서, 도 3의 (C)에 도시하는 바와 같이, 에칭 레지스트(90)로부터 노출되는 도체판(85)을 에칭에 의해 제거한다. 이에 의해, 도체판(85)으로부터 도체 패턴(8)을 형성한다.
계속해서, 도 3의 (D)에 도시하는 바와 같이, 에칭 레지스트(90)를 제거한다.
그 후, 도 3의 (E)에 도시하는 바와 같이, 커버 절연층(9)을 절연판(75)의 두께 방향의 한쪽면에, 도체 패턴(8)의 일부를 피복하도록 형성한다. 예를 들면, 절연성 수지를 포함하는 바니시를 절연판(75) 및 도체 패턴(8)에 대해 도포하고, 그 후, 노광 후 현상하여, 소정의 패턴을 갖는 커버 절연층(9)을 형성한다.
그 후, 절연 관통 구멍(73)(도 2의 (A) 참조)을 절연판(75)에 형성한다.
이에 의해, 적층판(91)을 준비한다.
<제 2 공정>
제 2 공정에서는, 도 4의 (A)에 도시하는 바와 같이, 가상선으로 나타내는 금속판(55)을 외형 가공하여, 금속 지지층(5)을 형성한다.
금속판(55)은 상기한 금속 지지층(5)을 형성하기 위한 금속재이다. 금속판(55)은 아직 개구부(4)를 갖고 있지 않다. 금속판(55)은, 금속 지지층(5)이 갖는 상기한 열전도율 및 인장 강도의 각각을 갖는다.
외형 가공은 한정되지 않는다. 외형 가공으로서는, 예를 들면, 에칭, 펀칭(금형 가공), 워터 커터 및 레이저 가공을 들 수 있다. 외형 가공으로서, 바람직하게 정밀도의 관점에서 에칭을 들 수 있다.
제 2 공정에 의해, 금속판(55)으로 개구부(4)를 갖는 금속 지지층(5)을 형성한다.
<제 3 공정>
도 4의 (C)에 도시하는 바와 같이, 제 3 공정에서는, 금속 지지층(5)과, 적층판(91)에 있어서의 절연판(75)을 접착제 시트(65)를 거쳐서 접착한다.
접착제 시트(65)는 상기한 접착제층(6)을 형성하기 위한 시트이다. 접착제 시트(65)는 아직 개구부(4)를 갖고 있지 않다.
제 3 공정에서는, 예를 들면 우선, 접착제 시트(65)를, 금속 지지층(5)의 두께 방향의 한쪽면, 또는, 절연판(75)의 다른쪽면에 배치하고, 이어서, 금속 지지층(5)과 절연판(75)을 접착제 시트(65)를 거쳐서 접착한다. 바람직하게 도 4의 (B)에 도시하는 바와 같이, 우선, 접착제 시트(65)를 금속 지지층(5)의 두께 방향의 한쪽면에 배치한다. 그 후, 도 4의 (C)에 도시하는 바와 같이, 접착제 시트(65)의 두께 방향의 한쪽면과, 절연판(75)의 두께 방향의 다른쪽면을 접촉시킨다(접합시킨다).
아울러, 제 3 공정에서는, 도전 부재(10)(도 2의 (A) 참조)를 접착 관통 구멍(63) 및 절연 관통 구멍(73) 내에 배치한다. 구체적으로는, 접착 관통 구멍(63)을 접착제 시트(65)에 형성하고, 도전 부재(10)를 그 일부가 접착 관통 구멍(63) 내 또는 절연 관통 구멍(73) 내(도 2의 (A) 참조)에 충전되도록, 접착제 시트(65) 또는 절연판(75)에 배치하고, 그 후, 접착제 시트(65)와 절연판(75)을 접합한다.
<제 4 공정 및 제 5 공정>
도 4의 (D)에 도시하는 바와 같이, 제 4 공정 및 제 5 공정에서는, 접착제 시트(65) 및 절연판(75)의 각각을 외형 가공하여, 접착제층(6) 및 베이스 절연층(7)의 각각을 형성한다.
외형 가공은 한정되지 않는다. 이에 의해, 개구부(4)를 각각 갖는 접착제층(6) 및 베이스 절연층(7)을 형성한다.
이에 의해, 배선 회로 기판(1)이 제조된다.
배선 회로 기판(1)의 용도는 특별히 한정되지 않는다. 배선 회로 기판(1)은 각종 분야에 이용된다. 배선 회로 기판(1)은 예를 들면, 전자 기기용 배선 회로 기판(전자 부품용 배선 회로 기판), 및 전기 기기용 배선 회로 기판(전기 부품용 배선 회로 기판)에서 이용된다. 또한, 전자 기기용 배선 회로 기판 및 전기 기기용 배선 회로 기판은 구별되지 않는다. 전자 기기용 배선 회로 기판 및 전기 기기용 배선 회로 기판으로서는, 예를 들면, 센서용 배선 회로 기판, 수송 차량용 배선 회로 기판, 영상 기기용 배선 회로 기판, 통신 중계 기기용 배선 회로 기판, 정보 처리 단말용 배선 회로 기판, 가동형 기기용 배선 회로 기판, 의료 기기용 배선 회로 기판, 전기 기기용 배선 회로 기판, 및 녹화 전자 기기용 배선 회로 기판을 들 수 있다. 센서용 배선 회로 기판에 있어서의 센서로서는, 예를 들면, 위치 정보 센서, 장애물 검지 센서, 및 온도 센서를 들 수 있다. 수송 차량용 배선 회로 기판에 있어서의 수송 차량으로서는, 예를 들면 자동차, 전철, 항공기, 및 공작 차량을 들 수 있다. 영상 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 영상 기기로서는, 예를 들면 플랫 패널 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 및 투영형 영상 기기를 들 수 있다. 통신 중계 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 통신 중계 기기로서는, 예를 들면 네트워크 기기, 및 대형 통신 기기를 들 수 있다. 정보 처리 단말용 배선 회로 기판에 있어서의 정보 처리 단말로서는, 예를 들면, 컴퓨터, 태블릿, 스마트 폰, 및 가정용 게임을 들 수 있다. 가동형 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 가동형 기기로서는, 예를 들면, 드론, 및 로봇을 들 수 있다. 의료 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 의료 기기로서는, 예를 들면 웨어러블형 의료용 장치, 및 의료 진단용 장치를 들 수 있다. 전기 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 전기 기기로서는, 예를 들면 냉장고, 세탁기, 청소기, 및 공조 기기를 들 수 있다. 녹화 전자 기기용 배선 회로 기판에 있어서의 녹화 전자 기기로서는, 예를 들면 디지털 카메라, 및 DVD 녹화 장치를 들 수 있다.
<제 1 실시형태의 작용 효과>
그런데, 절연판(75)과 금속판(55)을 접착제 시트(65)를 거쳐서 접착한 후에, 금속판(55)을 외형 가공하면, 가공 대상인 금속판(55)에 절연판(75)이 접착되어 있으므로, 금속판(55)의 패터닝이 곤란해지는 경우가 있다.
그러나, 제 1 실시형태의 제조 방법에서는, 금속판(55)을 패터닝하여, 금속 지지층(5)을 형성하고(제 2 공정), 그 후에, 절연판(75)과 금속 지지층(5)을 접착제 시트(65)를 거쳐서 접착한다(제 3 공정). 그 때문에, 제 2 공정에 있어서는, 가공 대상인 금속판(55)은 판 형상을 아직 가지므로, 이러한 금속판(55)을 확실히 패터닝할 수 있다.
또한, 금속판(55)의 두께가 10㎛ 이상, 1,000㎛ 이하인 경우에, 즉, 금속판(55)의 두께가 두꺼운 경우에, 금속판(55)의 패터닝이 보다 곤란해지기 쉽다.
그러나, 상기한 바와 같이, 제 1 실시형태의 제조 방법에서는, 금속판(55)의 패터닝 후에, 절연판(75)과 금속 지지층(5)을 접착제 시트(65)를 거쳐서 접착하기 때문에, 금속판(55)을 확실히 패터닝할 수 있다.
<제 1 실시형태의 변형예>
이하의 각 변형예에 있어서, 상기한 제 1 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 각 변형예는 특기하는 이외, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 제 1 실시형태 및 변형예를 적절히 조합할 수 있다.
변형예에서는, 도시하지 않지만, 제 1 공정에 있어서, 애더티브법으로 도체 패턴(8)을 형성한다.
변형예에서는, 배선 회로 기판(1)은 도전 부재(10)를 구비하지 않는다. 베이스 절연층(7)은 도체 패턴(8)과 금속 지지층(5)을 절연한다.
변형예의 제 1 공정에서는, 도 4의 (C)의 가상선 및 도 5의 (E)에서 도시하는 바와 같이, 적층판(91)을 대신하여 제 2 적층판(93)을 준비한다. 도 5의 (E)에 도시하는 바와 같이, 제 2 적층판(93)은 제 2 도체 패턴(80)과, 절연판(75)과, 도체 패턴(8)과, 커버 절연층(9)을 두께 방향의 한쪽측을 향하여 순서대로 구비한다.
제 2 적층판(93)을 준비하려면, 우선, 도 5의 (A)에 도시하는 바와 같이, 3층 기재(94)를 준비한다. 3층 기재(94)는 제 2 도체판(88)과, 절연판(75)과, 도체판(85)을 두께 방향의 한쪽측을 향하여 순서대로 구비한다. 제 2 도체판(88)은 절연판(75)의 두께 방향의 다른쪽면의 전부에 배치되어 있다. 제 2 도체판(88)은 후술하는 제 2 도체 패턴(80)을 형성하기 위한 도체재이다.
계속해서, 도 5의 (B) 내지 (E)에 도시하는 바와 같이, 서브트랙티브법에 의해, 도체판(85)을 도체 패턴(8)으로 형성하고, 제 2 도체판(88)을 제 2 도체 패턴(80)으로 형성한다.
구체적으로는, 도 5의 (B)에 도시하는 바와 같이, 우선, 에칭 레지스트(90)를 포트리소그래피에 의해 도체판(85)의 두께 방향의 한쪽면에 형성하고, 제 2 에칭 레지스트(95)를 포트리소그래피에 의해 제 2 도체판(88)의 두께 방향의 다른쪽면에 형성한다. 제 2 에칭 레지스트(95)는 제 2 도체 패턴(80)과 동일한 패턴을 갖는다.
이어서, 도 5의 (C)에 도시하는 바와 같이, 에칭 레지스트(90)로부터 노출되는 도체판(85)을 에칭에 의해 제거하고, 제 2 에칭 레지스트(95)로부터 노출되는 제 2 도체판(88)을 에칭에 의해 제거한다. 이에 의해, 도체판(85)으로부터 도체 패턴(8)을 형성하고, 제 2 도체판(88)으로 제 2 도체 패턴(80)을 형성한다.
이어서, 도 5의 (D)에 도시하는 바와 같이, 에칭 레지스트(90)와 제 2 에칭 레지스트(95)를 제거한다.
절연 관통 구멍(73)(도 6의 (A) 참조)(후술함)을 형성하고, 도체 접속 부재(87)(후술함)를 절연 관통 구멍(73) 내에 배치한다. 절연 관통 구멍(73)의 형성에서는, 예를 들면 도체 패턴(8) 및 제 2 도체 패턴(80)에도, 절연 관통 구멍(73)에 연통하는 도체 비아를 형성하고, 이어서, 절연 관통 구멍(73) 및 도체 비아에, 도금, 및 도전성 페이스트를 도포한다.
그 후, 도 5의 (E)에 도시하는 바와 같이, 커버 절연층(9)을 형성한다. 이에 의해, 제 2 적층판(93)을 준비한다.
변형예에 있어서의 제 2 공정과, 제 3 공정과, 제 4 공정과, 제 5 공정은 각각, 제 1 실시형태에 있어서의 제 2 공정과, 제 3 공정과, 제 4 공정과, 제 5 공정과 마찬가지로 설명된다.
변형예에 의해 제조되는 배선 회로 기판(1)은, 도 4의 (D) 및 도 6의 (A)에 도시하는 바와 같이, 제 2 도체 패턴(80) 및 도체 접속 부재(87)를 더 구비한다.
제 2 도체 패턴(80)은 베이스 절연층(7)의 두께 방향의 다른쪽면에 배치된다. 구체적으로는, 제 2 도체 패턴(80)은 제 1 연결 베이스부(71A), 제 2 연결 베이스부(71B) 및 배선체 베이스부(72)의 각각의 두께 방향의 다른쪽면에 배치되어 있다. 제 2 도체 패턴(80)의 두께 방향의 다른쪽면 및 둘레측면은 접착제층(6)에 피복되어 있다. 또한, 제 1 연결 베이스부(71A)에 배치되는 제 2 도체 패턴(80)의 두께 방향의 다른쪽면은 도전 부재(10)와 접촉한다. 제 2 도체 패턴(80)의 물성 및 치수는 상기한 도체 패턴(8)의 그들과 마찬가지이다. 도전 부재(10)와 접촉하는 제 2 도체 패턴(80)은 도전 부재(10)와 함께 접착 관통 구멍(63) 내에 배치된다.
도체 접속 부재(87)는 절연 관통 구멍(73) 내에 배치되어 있다. 절연 관통 구멍(73)은 베이스 절연층(7)을 관통한다. 도체 접속 부재(87)는 두께 방향으로 연장된다. 도체 접속 부재(87)의 두께 방향의 일단부는 도체 패턴(8)의 제 1 단자부(81A)와 접촉한다. 도체 접속 부재(87)의 두께 방향의 타단부는 제 2 도체 패턴(80)과 접촉한다. 이에 의해, 도체 접속 부재(87)는 도체 패턴(8)과 제 2 도체 패턴(80)을 전기적으로 접속한다.
베이스 절연층(7) 및 도체 패턴(8) 사이에 접착제가 개재되어도 좋다.
<제 2 실시형태>
이하의 제 2 실시형태에 있어서, 상기한 제 1 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 제 2 실시형태는 특기하는 이외, 제 1 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 제 1 실시형태, 및 제 2 실시형태를 적절히 조합할 수 있다.
제 2 실시형태를 도 7의 (A) 내지 (D)를 참조하여 설명한다.
제 2 실시형태에서는, 도 7의 (A)에 도시하는 바와 같이, 제 4 공정은 제 3 공정의 전에 실시된다. 즉, 제 2 실시형태에서는 제 4 공정과, 제 3 공정과, 제 5 공정이 순서대로 실시된다.
<제 4 공정>
제 4 공정에서는, 도 7의 (A)에 도시하는 바와 같이, 가상선으로 나타내는 접착제 시트(65)를 외형 가공하여, 접착제층(6)을 형성한다. 접착제 시트(65)의 외형 가공은 한정되지 않는다.
<제 3 공정>
제 3 공정은 제 4 공정의 후에 실시된다. 도 7의 (C)에 도시하는 바와 같이, 제 3 공정에서는, 접착제층(6)을 금속 지지층(5)의 두께 방향의 한쪽면, 또는, 절연판(75)의 다른쪽면에 배치하고, 계속해서, 금속 지지층(5)과 절연판(75)을 접착제층(6)을 거쳐서 접착한다. 바람직하게 우선, 도 7의 (B)에 도시하는 바와 같이, 접착제층(6)을 금속 지지층(5)의 두께 방향의 한쪽면에 배치하고, 계속해서, 도 7의 (C)에 도시하는 바와 같이, 접착제층(6)의 두께 방향의 한쪽면과, 절연판(75)의 두께 방향의 다른쪽면을 접촉시킨다(접합시킨다).
<제 5 공정>
도 7의 (D)에 도시하는 바와 같이, 제 5 공정에서는, 절연판(75)을 외형 가공하여, 베이스 절연층(7)을 개구부(4)를 갖는 패턴으로 형성한다.
<제 2 실시형태의 변형예>
이하의 변형예에 있어서, 상기한 제 2 실시형태와 마찬가지의 부재 및 공정에 대해서는, 동일한 참조 부호를 부여하고, 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 변형예는 특기하는 이외, 제 2 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 제 2 실시형태 및 변형예를 적절히 조합할 수 있다.
이 변형예에서는, 제 2 실시형태의 제조 방법에 있어서, 적층판(91)을 대신하여 제 2 적층판(93)(도 7의 (C)의 가상선 및 괄호 안)이 이용된다.
또한, 상기 발명은 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석해서는 안된다. 해당 기술 분야의 당업자에 의해 분명한 본 발명의 변형예는, 후기 청구의 범위에 포함된다.
1: 배선 회로 기판
5: 금속 지지층
8: 도체 패턴
55: 금속판
65: 접착제 시트
75: 절연판
80: 제 2 도체 패턴
91: 적층판
T: 금속판의 두께

Claims (5)

  1. 절연판과, 두께 방향에 있어서의 상기 절연판의 한쪽면에 배치되는 도체 패턴을 구비하는 적층판을 준비하는 제 1 공정과,
    금속판을 패터닝하여, 금속 지지층을 형성하는 제 2 공정과,
    상기 제 1 공정 및 상기 제 2 공정의 후에, 상기 절연판과 상기 금속 지지층을, 접착제 시트 또는 상기 접착제 시트로 형성되는 접착제층을 거쳐서 접착하는 제 3 공정을 구비하는
    배선 회로 기판의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속판의 두께가 10㎛ 이상, 1,000㎛ 이하인
    배선 회로 기판의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 공정에서는, 두께 방향에 있어서의 상기 절연판의 다른쪽면에 배치되는 제 2 도체 패턴을 더 구비하는 상기 적층판을 준비하는
    배선 회로 기판의 제조 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 공정의 후에, 접착제 시트를 패터닝하여 상기 접착제층을 형성하는 제 4 공정을 더 구비하는
    배선 회로 기판의 제조 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 공정의 전에, 상기 접착제 시트를 패터닝하여 상기 접착제층을 형성하는 제 4 공정을 더 구비하는
    배선 회로 기판의 제조 방법.
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