TW202312794A - 配線電路基板 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可抑制翹曲之配線電路基板。 配線電路基板1朝向厚度方向之一側依次具備金屬支持層4、基底絕緣層5、及導體層6。金屬支持層4之厚度方向之一個面43包含與基底絕緣層5之厚度方向之另一個面54於厚度方向上對向的對向面44。對向面44包含接合面45及非接合面46。接合面45相對於另一個面54接合。非接合面46相對於另一個面54不接合。

Description

配線電路基板

本發明係關於一種配線電路基板。

已知有朝向厚度方向之一側依次具備金屬支持層、絕緣層、及導體層之配線電路基板(例如，參照下述專利文獻1)。於專利文獻1中所記載之配線電路基板中，金屬支持層之厚度方向之一個面包含與絕緣層之厚度方向之另一個面於厚度方向上對向的對向面。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特願2019-212656號公報

[發明所欲解決之問題]

於專利文獻1中，對向面之全部接合於另一個面。另一方面，金屬支持層之線膨脹係數與絕緣層之線膨脹係數之差較大。因此，專利文獻1中所記載之配線電路基板存在容易翹曲之不良情況。

本發明提供一種可抑制翹曲之配線電路基板。 [解決問題之技術手段]

本發明(1)包含一種配線電路基板，其朝向厚度方向之一側依次具備金屬支持層、絕緣層、及導體層，上述金屬支持層之厚度方向之一個面包含與上述絕緣層之厚度方向之另一個面於厚度方向上對向的對向面，上述對向面包含相對於上述另一個面接合之接合面、及相對於上述另一個面不接合之非接合面。

於該配線電路基板中，金屬支持層之對向面具有相對於絕緣層之另一個面不接合之非接合面。與非接合面對應之金屬支持層不與絕緣層接合，故而可抑制起因於金屬支持層之線膨脹係數與絕緣層之線膨脹係數之差的配線電路基板之翹曲。

本發明(2)包含(1)之配線電路基板，其中上述接合面相對於上述另一個面，經由接著劑層而接著。

於該配線電路基板中，可藉由接著劑層而緩和起因於上述差之作用於接合面與另一個面之間的力。

本發明(3)包含(1)之配線電路基板，其中上述絕緣層於與上述接合面及上述導體層對向之區域中，具有貫通孔，上述接合面相對於上述另一個面，經由一部分配置於上述貫通孔內之金屬接合材而接合。

根據該配線電路基板，導體層可經由金屬接合材而與金屬支持層電性地連接。

又，由於導體層可經由金屬接合材而固定於金屬支持層，故而可抑制包含接合面之金屬支持層及與接合面對向之絕緣層之翹曲，同時可確保導體層與金屬支持層之精度良好之相對配置。

本發明(4)包含(1)至(3)中任一項之配線電路基板，其具備於第1方向相互隔開間隔而配置之2個端部、及配置於上述2個端部之間之中間部，上述2個端部之各者具備包含於上述金屬支持層之第1金屬部、及包含於上述絕緣層之第1絕緣部，上述中間部具備包含於上述金屬支持層之第2金屬部、及包含於上述絕緣層之第2絕緣部，上述第1金屬部包含上述接合面，上述第2金屬部包含上述非接合面。

由於中間部可於第1方向較長地延伸，故而容易產生起因於上述線膨脹係數之差之配線電路基板之翹曲。

然而，於該配線電路基板中，由於第2金屬部包含非接合面，故而可抑制起因於上述線膨脹係數之差之中間部之翹曲。

本發明(5)包含(4)之配線電路基板，其中上述2個端部之各者具備包含於上述導體層之端子，上述中間部具備包含於上述導體層之配線。

本發明(6)包含(4)或(5)之配線電路基板，其進而具備於上述第1方向上配置於上述中間部之中間之第2中間部，上述第2中間部具備包含於上述金屬支持層之第3金屬部、及包含於上述絕緣層之第3絕緣部，上述第3金屬部包含上述接合面。

若於第1方向上中間部變長，則由於第2金屬部包含非接合面，故而存在於中間部中導體層及絕緣層未藉由金屬支持層而確實地支持之情形。

然而，於該配線電路基板中，由於第3金屬部包含接合面，故而於第2中間部中導體層及第3絕緣部藉由第3金屬部而確實地支持。

本發明(7)包含(6)之配線電路基板，其中上述第2中間部進而具備包含於上述導體層之第2端子。

本發明(8)包含(7)之配線電路基板，其中上述第3絕緣部具有於投影至上述厚度方向時包含於上述第2端子之第2貫通孔，上述接合面相對於上述另一個面，經由一部分配置於上述第2貫通孔內之第2金屬接合材而接合。

根據該配線電路基板，第2端子可經由第2金屬接合材而與第3金屬部電性地連接。

又，由於第2端子可經由第2金屬接合材而固定於第3金屬部，故而可抑制第3金屬部與第3絕緣部之翹曲，同時可確保導體層與第3金屬部之精度良好之相對配置。 [發明之效果]

本發明之配線電路基板可抑制翹曲。

1. 配線電路基板 參照圖1至圖3對本發明之配線電路基板之一實施方式進行說明。如圖1所示，配線電路基板1於第1方向及第2方向上延伸。第1方向與厚度方向正交。第2方向與厚度方向及第1方向正交。配線電路基板1具有俯視大致矩形狀。具體而言，配線電路基板1於第1方向較長。配線電路基板1具備2個端部2A、2B及中間部3。

1.1 2個端部2A、2B 2個端部2A、2B於第1方向相互隔開間隔而配置。具體而言，一端部2A配置於配線電路基板1之第1方向之一端部。另一端部2B配置於配線電路基板1之第1方向之另一端部。2個端部2A、2B之各者具有於第2方向上延伸之俯視大致矩形狀。

1.2 中間部3 中間部3配置於2個端部2A、2B之間。中間部3將2個端部2A、2B於第1方向連結。中間部3具有於第1方向上延伸之俯視大致矩形狀。第1方向上之中間部3之長度相對於第1方向上之2個端部2A、2B之各自之長度的比例如為2以上，較佳為5以上，更佳為10以上，進而較佳為100以上，特佳為1,000以上，且例如為100,000以下。

1.3 配線電路基板1之層構成 如圖2及圖3所示，配線電路基板1朝向厚度方向之一側依次具備金屬支持層4、作為絕緣層之一例之基底絕緣層5、導體層6、覆蓋絕緣層7。配線電路基板1進而具備接著劑層8(參照圖3)。

1.3.1 金屬支持層4 金屬支持層4形成配線電路基板1之厚度方向之另一個面。如圖1至圖3所示，金屬支持層4遍及2個端部2A、2B及中間部3而配置。金屬支持層4包含第1金屬部41及第2金屬部42。

1.3.1.2 第1金屬部41 第1金屬部41配置於2個端部2A、2B之各者。2個第1金屬部41之各者於第2方向上延伸。2個第1金屬部41之各者具有俯視大致矩形狀。

1.3.1.3 第2金屬部42 第2金屬部42配置於中間部3。第2金屬部42於第2方向相互隔開間隔而配置有複數個(於本實施方式中，為2個)。複數個第2金屬部42之各者將2個第1金屬部41連結。

複數個第2金屬部42之第2方向上之各自之長度較第2方向上之第1金屬部41的長度短。具體而言，第2方向上之複數個第2金屬部42之各者之長度相對於第2方向上之第1金屬部41之長度的比例如為0.7以下，較佳為0.5以下，更佳為0.2以下，進而較佳為0.1以下，又，例如為0.001以上。

1.3.1.4 金屬支持層4之一個面43 金屬支持層4具有厚度方向上之一個面43。一個面43包含對向面44。對向面44將於下文進行說明。

金屬支持層4之厚度例如為30 μm以上，較佳為50 μm以上，較佳為75 μm以上，更佳為100 μm以上。又，金屬支持層4之厚度例如為1000 μm以下，較佳為500 μm以下。

金屬支持層4之材料為金屬。作為金屬，可例舉週期表(IUPAC，2018)中分類為第1族～第16族之金屬元素、及包含2種以上該等金屬元素之合金。再者，金屬亦可為過渡金屬及典型金屬之任一者。更具體而言，作為金屬，可例舉第2族金屬元素、第4族金屬元素、第5族金屬元素、第6族金屬元素、第7族金屬元素、第8族金屬元素、第9族金屬元素、第10族金屬元素、第11族金屬元素、第12族金屬元素、第13族金屬元素、及、第14族金屬元素。作為第2族金屬元素，例如，可例舉鈣。作為第4族金屬元素，例如，可例舉鈦及鋯。作為第5族金屬元素，例如，可例舉釩。作為第6族金屬元素，例如，可例舉鉻、鉬及鎢。作為第7族金屬元素，例如，可例舉錳。作為第8族金屬元素，例如，可例舉鐵。作為第9族金屬元素，例如，可例舉鈷。作為第10族金屬元素，例如，可例舉鎳及鉑。作為第11族金屬元素，例如，可例舉銅、銀及金。作為第12族金屬元素，例如，可例舉鋅。作為第13族金屬元素，例如，可例舉鋁及鎵。作為第14族金屬元素，例如，可例舉鍺及錫。該等可單獨使用或併用。作為金屬，較佳為，可例舉第11族金屬元素，更佳為可例舉銅及銅合金。

金屬支持層4之線膨脹係數例如為45×10 ^-6/K以下，較佳為35×10 ^-6/K以下，更佳為30×10 ^-6/K以下，又，例如為0.1×10 ^-6/K以上。金屬支持層4之線膨脹係數係基於JIS Z 2285(2003年)測定。

1.3.2 基底絕緣層5 基底絕緣層5配置於金屬支持層4之厚度方向之一側。基底絕緣層5遍及2個端部2A、2B與中間部3而配置。具體而言，基底絕緣層5具有俯視大致矩形狀。基底絕緣層5具有於第1方向上延伸之平帶形狀。基底絕緣層5於第1方向連續地延伸。基底絕緣層5具有第1絕緣部51及第2絕緣部52。

1.3.2.1 第1絕緣部51 第1絕緣部51包含於2個端部2A、2B。第1絕緣部51具有俯視大致矩形狀。第1絕緣部51配置於第1金屬部41之厚度方向之一側。具體而言，第1絕緣部51於投影至厚度方向時，包含第1金屬部41。詳細而言，配置於一端部2A之第1絕緣部51中之第2方向之兩端緣及第1方向之一端緣於投影至厚度方向時，不與第1金屬部41重疊。配置於另一端部2B之第1絕緣部51中之第2方向之兩端緣及第1方向之另一端緣於投影至厚度方向時，不與第1金屬部41重疊。

1.3.2.2 第2絕緣部52 第2絕緣部52包含於中間部3。第2絕緣部52配置於第2金屬部42之厚度方向之一側。第2絕緣部52具有於第1方向上延伸之俯視大致矩形狀。第2絕緣部52於投影至厚度方向時，亦配置於複數個第2金屬部42之間、配置於第2方向上之最一側之第2金屬部42之外側、配置於第2方向上之最另一側之第2金屬部42之外側。

基底絕緣層5之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。

作為基底絕緣層5之材料，例如，可例舉絕緣性樹脂。作為絕緣性樹脂，例如，可例舉聚醯亞胺、馬來醯亞胺、環氧樹脂、聚苯并㗁唑、及聚酯。

基底絕緣層5之線膨脹係數例如大於金屬支持層4之線膨脹係數。基底絕緣層5之線膨脹係數例如為10×10 ^-6/K以上，較佳為15×10 ^-6/K以上，且例如為200×10 ^-6/K以下。金屬支持層4之線膨脹係數與基底絕緣層5之線膨脹係數之差例如為1×10 ^-6/K以上，較佳為2×10 ^-6/K以上，更佳為5×10 ^-6/K以上，且例如為100×10 ^-6/K以下。基底絕緣層5之線膨脹係數係基於JISK 7197(2012年)測定。

1.3.2.3 基底絕緣層5之一個面53與另一個面54 基底絕緣層5具有厚度方向之一個面53及另一個面54。

1.3.3 導體層6 導體層6遍及2個端部2A、2B與中間部3而配置。導體層6配置於基底絕緣層5之厚度方向之一個面53。導體層6具備複數個一端側端子61A、複數個另一端側端子61B、及複數個配線62。

1.3.3.1 複數個一端側端子61A 複數個一端側端子61A包含於一端部2A。複數個一端側端子61A於投影至厚度方向時，包含於一端部2A中之第1金屬部41。複數個一端側端子61A於第2方向相互隔開間隔。複數個一端側端子61A之各者例如具有俯視大致矩形狀(方形)。

1.3.3.2 複數個另一端側端子61B 複數個另一端側端子61B包含於另一端部2B。複數個另一端側端子61B於投影至厚度方向時，包含於另一端部2B中之第1金屬部41。複數個另一端側端子61B於第2方向相互隔開間隔。

1.3.3.3 複數個配線62 複數個配線62包含於中間部3。複數個配線62於投影至厚度方向時，包含於第2金屬部42。複數個配線62之各者將複數個一端側端子61A之各者、與複數個另一端側端子61B之各者連結。

導體層6之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為50 μm以下，較佳為30 μm以下。

作為導體層6之材料，可例舉導體。作為導體，例如，可例舉銅、銀、金、鐵、鋁、鉻、及其等之合金。自獲得良好之電性特性之觀點而言，較佳為可例舉銅。

1.3.4 覆蓋絕緣層7 如圖2所示，覆蓋絕緣層7包含於中間部3。覆蓋絕緣層7以被覆複數個配線62之方式，配置於基底絕緣層5之厚度方向之一個面53。覆蓋絕緣層7之厚度例如為1 μm以上，較佳為5 μm以上，且例如為100 μm以下，較佳為50 μm以下。作為覆蓋絕緣層7之材料，例如可例舉絕緣性樹脂。作為絕緣性樹脂，例如可例舉聚醯亞胺、馬來醯亞胺、環氧樹脂、聚苯并㗁唑、及聚酯。 又，絕緣性樹脂包含阻焊劑。

1.3.5 接著劑層8 如圖3所示，接著劑層8配置於接下來將說明之接合面45。作為接著劑層8之材料，可例舉接著劑組合物。作為接著劑組合物，例如可例舉硬化性接著劑組合物、及熱塑性接著劑組合物。接著劑組合物之種類並不限定。再者，若接著劑組合物為硬化性接著劑組合物，則接著劑層8包括硬化性接著劑組合物之硬化體。作為接著劑組合物，例如可例舉環氧接著劑組合物、矽酮接著劑組合物、胺基甲酸酯接著劑組合物、及丙烯酸接著劑組合物。

1.4 對向面44 金屬支持層4之厚度方向之一個面43包含與基底絕緣層5之厚度方向之另一個面54於厚度方向上對向的對向面44。於本實施方式中，金屬支持層4之一個面43(之全部)為對向面44。對向面44具有接合面45及非接合面46。

1.4.1 接合面45 接合面45包含於2個第1金屬部41。接合面45接合於第1絕緣部51之厚度方向之另一個面54。於本實施方式中，接合面45經由接著劑層8而接著於第1絕緣部51之厚度方向之另一個面54。再者，「接著」包含感壓接著(黏著)。接著劑層8接觸於接合面45及另一個面54。

接合面45相對於另一個面54之接合力(接著力)例如為0.1 N/mm以上，較佳為0.3 N/mm以上，更佳為0.5 N/mm以上，且例如為10 N/mm以下。接合力利用180度剝離試驗測定。

1.4.2非接合面46 如圖2所示，非接合面46包含於第2金屬部42。非接合面46不與第2絕緣部52之厚度方向之另一個面54接合。具體而言，非接合面46能夠相對於第2絕緣部52之厚度方向之另一個面54移動(能夠滑動)。於本實施方式中，非接合面46與第2絕緣部52之另一個面54於厚度方向隔開間隔。再者，雖然未圖示，但非接合面46亦可與第2絕緣部52之另一個面54接觸。

2. 配線電路基板1之製造方法 參照圖4A至圖5C對配線電路基板1之製造方法進行說明。配線電路基板1之製造方法具備第1步驟、第2步驟、及第3步驟。

2.1 第1步驟 如圖4A及圖5A所示，於第1步驟中，準備電路積層材10。電路積層材10朝向厚度方向之一側依次具備基底絕緣層5、導體層6、及覆蓋絕緣層7。

為了準備電路積層材10，首先，準備於厚度方向上依次具備基底絕緣層5及導體板(未圖示)之二層基材(未圖示)。繼而，將二層基材之導體板利用例如減成法，形成於導體層6，然後，形成覆蓋絕緣層7。

2.2 第2步驟 如圖4B及圖5B所示，於電路積層材10配置金屬板40。金屬板40係外形加工之前之金屬支持層4。如圖5B所示，於第2步驟中，將接著劑層8配置於電路積層材10之第1絕緣部51之另一個面54，及/或於金屬板40之接合面45配置接著劑層8，然後，將另一個面54及接合面45經由上述接著劑層8而貼合(接著)。另一方面，如圖4B所示，電路積層材10之第2絕緣部52之另一個面54與金屬板40之非接合面46於厚度方向隔開間隔而對向。藉此，製作包含接合面45及非接合面46之局部接著積層體11。

局部接著積層體11於與一端部2A對應之部分中，朝向厚度方向之一側依次具備金屬板40、接著劑層8、第1絕緣部51、及一端側端子61A。局部接著積層體11於與另一端部2B對應之部分中，朝向厚度方向之一側依次具備金屬板40、接著劑層8、第1絕緣部51、及另一端側端子61B。

如圖4B所示，局部接著積層體11於與上述中間部3對應之部分中，朝向厚度方向之一側依次具備金屬板40、第2絕緣部52、配線62、及覆蓋絕緣層7。局部接著積層體11於與中間部3對應之部分中，不具備接著劑層8。

2.3 第3步驟 如圖4C及圖5C所示，自金屬板40形成金屬支持層4。例如，藉由蝕刻等，而對金屬板40進行外形加工。藉此，形成具備第1金屬部41及第2金屬部42之金屬支持層4。藉此，製造配線電路基板1。

3. 一實施方式之作用效果 於該配線電路基板1中，如圖2所示，金屬支持層4之對向面44具有相對於基底絕緣層5之另一個面54不接合之非接合面46。與非接合面46對應之金屬支持層4(具體而言，第2金屬部42)由於不與基底絕緣層5接合，故而可相互移動(滑動)(偏移)。因此，可抑制起因於金屬支持層4之線膨脹係數、與基底絕緣層5之線膨脹係數之差的配線電路基板1之翹曲。

於該配線電路基板1中，可藉由接著劑層8而緩和起因於上述差且作用於接合面45與另一個面54之間之力。

又，如圖1所示，由於中間部3於第1方向上較長地延伸，故而容易產生起因於上述線膨脹係數之差的中間部3之第1方向上之翹曲。

然而，於該配線電路基板1中，如上所述，由於第2金屬部42包含非接合面46，故而可抑制起因於上述差之配線電路基板1之翹曲。

4.變化例 於以下之各變化例中，對與上述一實施方式相同之構件及步驟標註相同之參照符號，省略其詳細之說明。又，各變化例除了特別記載以外，可發揮與一實施方式相同之作用效果。進而，可將一實施方式及變化例適當組合。

如圖6所示，第1金屬部41之接合面45亦可不經由接著劑層8而與第1絕緣部51之另一個面54接觸且接合。該接合例如包含藉由將基底絕緣層5之材料組合物塗佈於接合面45而製作之基底絕緣層5之第1絕緣部51之另一個面54、與第1金屬部41之接合面45之「密接」。密接力與上述接合力相同。

另一方面，接合不包含絕緣片材相對於第1金屬部41之對向面44之「積層」。

於一實施方式中，中間部3中之一個面43之全部為接合面45，但一個面43亦可包含接合面45及非接合面46。

如圖7所示，配線電路基板1進而具備第2中間部31。第2中間部31於第1方向上配置於中間部3之中間。第2中間部31於第2方向上延伸。

如圖8所示，第2中間部31具備第3金屬部47、接著劑層8、第3絕緣部55、配線62、及覆蓋絕緣層7。

第3金屬部47包含於金屬支持層4。第3金屬部47具有於第2方向上延伸之俯視大致矩形狀。

第2方向上之複數個第2金屬部42之各者之長度與第2方向上之第3金屬部47的長度相比，較短。具體而言，第2方向上之複數個第2金屬部42之各者之長度相對於第2方向上之第3金屬部47之長度的比例如為0.7以下，較佳為0.5以下，更佳為0.2以下，進而較佳為0.1以下，又，例如為0.001以上。

第3絕緣部55於投影至厚度方向時，包含上述第3金屬部47。第3絕緣部55包含於基底絕緣層5。第3金屬部47之厚度方向之一個面43包含接合面45。接合面45經由接著劑層8而接著於第3絕緣部55之厚度方向之另一個面54。

再者，於一實施方式中，若於第1方向上中間部3變長，則如圖2所示，由於第2金屬部42包含非接合面46，故而於中間部3中導體層6及基底絕緣層5未藉由金屬支持層4而確實地支持。

然而，於該變化例之配線電路基板1中，如圖8所示，由於第3金屬部47包含接合面45，故而於第2中間部31中導體層6及第3絕緣部55藉由第3金屬部47而確實地被支持。

第2中間部31為單數個或複數個。若第2中間部31為複數個，則複數個第2中間部31於第1方向上相互隔開間隔而配置。

如圖9及圖10所示，基底絕緣層5於與接合面45對向之區域，具體而言，配置於一端部2A之第1絕緣部51中，具有貫通孔48。貫通孔48與複數個一端側端子61A對應地設置有複數個。於該變化例中，一端側端子61A為接地端子。複數個貫通孔48之各者於俯視時包含於複數個一端側端子61A之各者。

該變化例之配線電路基板1具備金屬接合材81來代替接著劑層8。金屬接合材81與複數個貫通孔48對應地設置有複數個。複數個金屬接合材81之各者係一部分配置於貫通孔48內，其餘部分配置於第1金屬部41之接合面45、與第1絕緣部51之另一個面54之間。於該變化例中，金屬接合材81例如為焊料。接合面45經由金屬接合材81而與另一個面54接合。金屬接合材81將一端側端子61A之厚度方向之另一個面、與第1金屬部41之接合面45金屬接合。藉此，金屬接合材81將第1金屬部41、與複數個一端側端子61A電性地連接。

根據該配線電路基板1，導體層6可經由金屬接合材81而與金屬支持層4電性地連接。具體而言，複數個一端側端子61A接地連接於金屬支持層4。

又，由於導體層6可經由金屬接合材81而固定於金屬支持層4，故而可一面抑制包含接合面45之金屬支持層4、與跟接合面45對向之基底絕緣層5之翹曲，一面確保導體層6與金屬支持層4之精度良好之相對配置。

如圖11及圖12所示，第2中間部31具備作為包含於導體層6之另一端側端子之一例的第2端子63。第2端子63與複數個配線62對應地設置有複數個。

第3絕緣部55具有第2貫通孔58。第2貫通孔58與複數個第2端子63對應地設置有複數個。

第3金屬部47之接合面45相對於第3絕緣部55之另一個面54，經由第2金屬接合材82而接合。

根據該配線電路基板1，第2端子63可經由第2金屬接合材82而與第3金屬部47電性地連接。具體而言，第2端子63接地連接於第3金屬部47。

又，由於第2端子63可經由第2金屬接合材82而固定於第3金屬部47，故而可一面抑制第3金屬部47與第3絕緣部55之翹曲，一面確保導體層6與第3金屬部47之精度良好之相對配置。

於一實施方式之製造方法中，例示了減成法作為導體層6之形成方法。然而，於變化例中，亦可例示加成法作為導體層6之形成方法。

再者，上述發明作為本發明之例示之實施方式而提供，但其只不過為單純之例示，並不限定性地解釋。對該技術領域之業者而言明確之本發明之變化例包含於下述申請專利範圍。

1:配線電路基板 2A:一端部 2B:另一端部 3:中間部 4:金屬支持層 5:基底絕緣層 6:導體層 7:覆蓋絕緣層 8:接著劑層 10:電路積層材 31:第2中間部 40:金屬板 41:第1金屬部 42:第2金屬部 43:一個面 44:對向面 45:接合面 46:非接合面 47:第3金屬部 48:貫通孔 51:第1絕緣部 52:第2絕緣部 53:一個面 54:另一個面 55:第3絕緣部 58:第2貫通孔 61A:一端側端子 61B:另一端側端子 62:配線 63:第2端子 81:金屬接合材 82:第2金屬接合材

圖1係本發明之配線電路基板之一實施方式之仰視圖。 圖2係圖1所示之配線電路基板之A-A線剖視圖。 圖3係圖1所示之配線電路基板之B-B線剖視圖。 圖4A至圖4C係圖2所示之配線電路基板之製造步驟圖。圖4A係第1步驟。圖4B係第2步驟。圖4C係第3步驟。 圖5A至圖5C係圖3所示之配線電路基板之製造步驟圖。圖5A係第1步驟。圖5B係第2步驟。圖5C係第3步驟。 圖6係變化例之配線電路基板之一端部之剖視圖。 圖7係變化例之配線電路基板之仰視圖。 圖8係圖7之A-A線剖視圖。 圖9係變化例之配線電路基板之仰視圖。 圖10係圖9之A-A線剖視圖。 圖11係變化例之配線電路基板之仰視圖。 圖12係圖11之A-A線剖視圖。

1:配線電路基板

2A:一端部

2B:另一端部

3:中間部

4:金屬支持層

5:基底絕緣層

6:導體層

41:第1金屬部

42:第2金屬部

51:第1絕緣部

52:第2絕緣部

61A:一端側端子

61B:另一端側端子

62:配線

Claims (8)

1. 一種配線電路基板，其朝向厚度方向之一側依次具備金屬支持層、絕緣層、及導體層， 上述金屬支持層之厚度方向之一個面包含與上述絕緣層之厚度方向之另一個面於厚度方向上對向的對向面， 上述對向面包含 相對於上述另一個面接合之接合面、及 相對於上述另一個面不接合之非接合面。
2. 如請求項1之配線電路基板，其中上述接合面相對於上述另一個面，經由接著劑層而接著。
3. 如請求項1之配線電路基板，其中上述絕緣層於與上述接合面及上述導體層對向之區域中，具有貫通孔， 上述接合面相對於上述另一個面，經由一部分配置於上述貫通孔內之金屬接合材而接合。
4. 如請求項1至3中任一項之配線電路基板，其具備於第1方向上相互隔開間隔而配置之2個端部、及 配置於上述2個端部之間之中間部， 上述2個端部之各者具備 包含於上述金屬支持層之第1金屬部、及 包含於上述絕緣層之第1絕緣部， 上述中間部具備 包含於上述金屬支持層之第2金屬部、及 包含於上述絕緣層之第2絕緣部， 上述第1金屬部包含上述接合面， 上述第2金屬部包含上述非接合面。
5. 如請求項4之配線電路基板，其中上述2個端部之各者具備包含於上述導體層之端子， 上述中間部具備包含於上述導體層之配線。
6. 如請求項4之配線電路基板，其進而具備於上述第1方向上配置於上述中間部之中間之第2中間部， 上述第2中間部具備 包含於上述金屬支持層之第3金屬部、及 包含於上述絕緣層之第3絕緣部， 上述第3金屬部包含上述接合面。
7. 如請求項6之配線電路基板，其中上述第2中間部進而具備包含於上述導體層之第2端子。
8. 如請求項7之配線電路基板，其中上述第3絕緣部具有於投影至上述厚度方向時包含於上述第2端子之第2貫通孔， 上述接合面相對於上述另一個面，經由一部分配置於上述第2貫通孔內之第2金屬接合材而接合。

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