TW201942291A - 黏著片、使用其之導電構件積層體、及圖像顯示裝置 - Google Patents

黏著片、使用其之導電構件積層體、及圖像顯示裝置 Download PDF

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TW201942291A
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adhesive sheet
adhesive layer
adhesive
layer
polyolefin
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TW108111217A
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田畑大樹
福田晋也
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日商三菱化學股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種即便對於銀或銅亦可充分地發揮防腐蝕效果且可減小比介電常數及其溫度依存性之新穎之黏著片。
本發明提出一種包含含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及氮雜環化合物之黏著層之單層之黏著片或具備該黏著層作為表面層之積層構成之黏著片。

Description

黏著片、使用其之導電構件積層體、及圖像顯示裝置
本發明係關於一種含有防銹劑之黏著片、使用其之導電構件積層體及圖像顯示裝置。
近年來，於各種領域廣泛使用液晶顯示器(LCD)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器(OLED)等顯示裝置或觸控面板等輸入裝置。於該等顯示裝置或輸入裝置之製造等中，為了貼合光學構件而使用透明黏著(OCA)片。例如，觸控面板等各種顯示裝置中之光學構件之貼合較多地使用丙烯酸系透明黏著片。
於該等顯示裝置或輸入裝置中，存在透明黏著片中所含有之腐蝕成分或自外部環境滲入至內部之腐蝕成分腐蝕金屬配線或透明電極之問題。進而，隨著近年來之感測器之大型化或窄邊緣化，具備銅配線、銀網電極、銀奈米線透明電極等進一步容易腐蝕之金屬構件之顯示裝置或輸入裝置增加。
因此，提出有於用於貼合光學構件之透明黏著片中調陪防銹劑來防止腐蝕之方法。
例如於專利文獻1中提出有含有丙烯酸系聚合物(尤其是含羥基之丙烯酸聚合物)、交聯劑及羧基苯并三唑及/或1,2,4-三唑化合物之黏著劑層，且示出於針對銅之接觸試驗中可防止黏著劑層之變色等。
於專利文獻2中示出藉由使不含有含酸性基單體之無酸丙烯酸聚合物含有苯并三唑系化合物，可略微抑制銅電極之電阻值上升。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-46681號公報
[專利文獻2]WO2014/125914國際公開說明書
[發明所欲解決之問題]
如上述專利文獻1般僅向丙烯酸系聚合物中添加有防銹劑之透明黏著片難以對銀或銅等容易腐蝕之金屬表現出長期之防腐蝕性能。尤其是若於銀奈米線電極之附近配置如上述之透明黏著片，則於環境試驗中會出現電阻值上升之現象，且觸控面板感測器之耐久性亦可能會變得不充分。
又，即便於如專利文獻2般向不含有含酸性基單體之丙烯酸系聚合物中添加有防銹劑之情形時，對於銀或銅等亦未確認到充分之改善效果，且觸控面板感測器之耐久性可能會變得不充分。
進而，含有防銹劑之透明黏著片之比介電常數及其溫度依存性可能會變得過高而對觸控面板感測器之誤作動防止造成影響。
因此，本發明之目的在於提供一種即便對於銀或銅等容易腐蝕之金屬亦可長期充分地發揮防腐蝕效果，進而可減小比介電常數及其溫度依存性之新穎之黏著片。
[解決問題之技術手段]
本發明提出一種包含含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及氮雜環化合物之黏著層之單層之黏著片。
又，本發明提出一種具備含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及氮雜環化合物之黏著層，且具備該黏著層作為表面層之積層構成之黏著片。
[發明之效果]
本發明提出之黏著片藉由使黏著層含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及氮雜環化合物，可減小比介電常數及其溫度依存性，並且可獲得防腐蝕效果。此時，藉由將黏著片所含有之氯、溴、碘及硫之總含量設為一定值以下，可進而提高防腐蝕，故而較佳為將氯、溴、碘及硫之總含量設為一定值以下。
此外，上述黏著層藉由含有聚烯烴及丙烯酸系聚合物，與不含聚烯烴之黏著層相比，容易使防銹劑偏集存在於黏著層之表面，故而於將黏著片積層於電極時，具有防腐蝕功能之氮雜環化合物可迅速地保護金屬表面，即便對於容易腐蝕之銀或銅，亦可充分地實現防腐蝕效果。因此，例如可長期維持包含容易腐蝕之銀或銅等之電極之初始電阻值。
又，於在該黏著層積層有離型膜時，偏集存在於黏著層表面之氮雜環化合物向離型膜移行，故而亦有助於防止離型膜變色。
因此，根據本發明提出之黏著片，可獲得低介電常數、透明性、及防腐蝕效果，因此有助於防止觸控面板感測器等之誤作動、以及高度保持透明性並且防止銀奈米線、銅配線等金屬配線之腐蝕。
繼而，基於實施形態例對本發明進行說明。但是，本發明並不限定於以下要說明之實施形態。
[本黏著片]
本發明之實施形態之一例之黏著片(稱為「本黏著片」)係包含至少含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及氮雜環化合物之黏著層之單層之黏著片或具備該黏著層作為表面層之積層構成之黏著片。
即，本黏著片之一態樣係包含至少含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及氮雜環化合物之黏著層之單層之黏著片。
又，本黏著片之另一態樣係具備至少含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及氮雜環化合物之黏著層作為表面層之積層構成之黏著片。
本黏著片可為本黏著片之正反兩面均為黏著層表面之兩面黏著片，亦可為僅單面為黏著層表面之單面黏著片。其中，就將2個構件彼此貼合之觀點而言，較佳為上述兩面黏著片。又，若為具備黏著層作為至少一側之表面層之構成，則可於另一側具備其他層，又，亦可為於其他層之正反兩側具備黏著層之構成。此時，作為其他層，可列舉支持層。
再者，於在本說明書中稱為「黏著片」之情形時，亦包含帶狀之黏著片、即「黏著帶」。
又，於本說明書中，存在將黏著劑層表面稱為「黏著面」之情形。
＜丙烯酸系聚合物＞
本黏著片中之黏著層含有包含(甲基)丙烯酸酯單元之丙烯酸系聚合物。較佳為含有含(甲基)丙烯醯基之成分進行聚合反應而成之丙烯酸系聚合物者。
藉由使黏著層含有丙烯酸系聚合物，可抑制黏著層之低溫流動。
作為上述含(甲基)丙烯醯基之成分，就與聚烯烴之相溶性之觀點而言，可列舉：脂肪族(甲基)丙烯酸酯、脂環式(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯醯基改性聚烯烴、或該等之組合等。
作為上述脂肪族(甲基)丙烯酸酯，只要為直鏈及/或支鏈醇之(甲基)丙烯酸酯，則單官能之(甲基)丙烯酸酯或2官能以上之(甲基)丙烯酸酯均可。
其中，較佳為碳數為10~30之醇之丙烯酸酯，更佳為碳數12~24之醇之丙烯酸酯，尤佳為碳數12~碳數20之醇之丙烯酸酯。
若為碳數為10以上之醇之丙烯酸酯，則與聚烯烴之溶解性參數之差較小，從而可減小相分離或滲出之影響。又，若為碳數為30以下之醇之丙烯酸酯，則可抑制因丙烯酸酯之結晶化而導致之透明性之惡化，可將黏著層之玻璃轉移溫度(Tg)調整為就黏著劑而言適當之常溫以下。
作為上述脂肪族(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸異硬脂酯、(甲基)丙烯酸異十六烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸異十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸異十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸異癸酯等。
作為脂環式(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸二環戊烯基氧基乙酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異酯、環己烷二甲醇單(甲基)丙烯酸酯等。
作為(甲基)丙烯醯基改性聚烯烴，可列舉：聚丁二烯之末端具有丙烯醯基者(例如日本曹達公司製造之NISSO-PBTE系列)、聚異戊二烯側鏈具有丙烯醯基者(例如Kuraray公司製造之Kurapren UC-102M、UC-203M)或聚丁二烯末端丙烯酸胺基甲酸酯(例如Arkema公司製造之CN9014NS)等。
藉由使用此種(甲基)丙烯醯基改性聚烯烴，可製成與聚烯烴相溶且透明之黏著層。
於上述黏著層中，丙烯酸系聚合物較佳為形成上述含(甲基)丙烯醯基之成分經交聯而成之立體網狀結構。
為了使丙烯酸系聚合物形成立體網狀結構，較佳為如下所述般，於形成黏著層時調配聚合起始劑，而使含(甲基)丙烯醯基之成分進行聚合反應(交聯)。
於上述黏著層中，丙烯酸系聚合物是否進行交聯而形成立體網狀結構只要測定黏著層或黏著片之凝膠分率，並判定該凝膠分率是否為5%以上、更確實為10%以上、其中更確實為20%以上即可。
再者，於下述實施例中，由於係使可形成立體網狀結構之含(甲基)丙烯醯基之成分進行聚合反應(交聯)，故而無須測定凝膠分率，黏著層中之丙烯酸系聚合物進行交聯而形成立體網狀結構。
本黏著片之黏著層中之丙烯酸系聚合物之含量較佳為30質量%以上，更佳為40質量%以上。另一方面，關於其上限，較佳為70質量%以下，進而較佳為60質量%以下。
藉由將丙烯酸系聚合物之含量設為上述範圍，可減少黏著層之流動，提高高溫下之可靠性。
＜聚烯烴＞
本黏著片中之黏著層較佳為將聚烯烴設為必需成分。
藉由使該黏著層含有特定之聚烯烴，可降低比介電常數，並且與不含聚烯烴之情形時相比，可減少氯、溴、碘及硫之含量。不僅如此，還可使氮雜環化合物以高濃度偏集存在於黏著層之表面附近，與金屬接觸時可利用三唑化合物迅速地保護金屬表面，因此即便對於包含例如銀或銅等極容易腐蝕之金屬之電極，亦可充分地實現防腐蝕效果。
又，作為上述聚烯烴，為了表現出作為黏著劑所必需之柔軟性，較佳為玻璃轉移溫度(Tg)為20℃以下者，其中尤佳為-60℃以上或15℃以下，其中進而較佳為-55℃以上或10℃以下。
就以上之觀點而言，作為上述聚烯烴，例如可列舉：聚異丁烯、聚丁烯、聚丁二烯及聚異戊二烯中之任一種聚合物；該等任一者之氫化物聚合物；將該等任一聚合物或氫化物聚合物作為主鏈之聚合物；包含構成該等任兩種以上之聚合物或氫化物聚合物之單體之組合之共聚物；或包含該等任兩種以上之聚合物之組合之混合樹脂。又，亦較佳為已知為烯烴系彈性體(TPO)之各種彈性體。
作為此種聚烯烴，可列舉：Oppanol(BASF公司商品名)、Tetrx(JXTG公司商品名)、日石Polybutene(JXTG公司商品名)、Tafmer BL(三井化學公司商品名)等。
作為本黏著片之黏著層中之聚烯烴之含量，較佳為30質量%以上，更佳為40質量%以上。另一方面，關於其上限，較佳為70質量%以下，進而較佳為60質量%以下。
藉由將聚烯烴之含量設為上述範圍，可減少黏著層之吸濕，從而可抑制因丙烯酸系聚合物之水解而產生腐蝕成分。又，藉由將本黏著片之黏著層中之聚烯烴之含量設為上述範圍，亦可降低比介電常數，且可以減小溫度依存性。進而，藉由相對減少丙烯酸系聚合物，可減少作為雜質包含於丙烯酸系聚合物、其中丙烯酸酯等中之Cl、Br、I及S之總含量。
就可減少氯、溴、碘及硫之含量並使氮雜環化合物以高濃度偏集存在於黏著層之表面附近之觀點而言，較佳為相對於丙烯酸系聚合物之含量，將聚烯烴之含量設為50~200%之質量比率，其中較佳為60%以上或180%以下、其中進而較佳為70%以上或160%以下之質量比率。
又，就使氮雜環化合物以高濃度偏集存在於黏著層之表面附近之觀點而言，相對於氮雜環化合物之含有質量量，較佳為將聚烯烴之含量設為50~500倍之含有質量，其中較佳為75倍以上或450倍以下、其中進而較佳為100倍以上或400倍以下之含有質量。
＜氮雜環化合物＞
本黏著片之黏著層較佳為將對金屬具有防銹功能之氮雜環化合物設為必需成分。
所謂氮雜環化合物，係包含含有氮元素之三員環以上之飽和或不飽和環結構之化合物之總稱，作為該環結構之例，可列舉：咪唑、吡唑、㗁唑啉、咪唑啉、嗎啉、三唑、四唑、嗒、嘧啶、吡、吲哚、異吲哚、苯并咪唑、嘌呤、喹啉、異喹啉、喹唑啉、喹㗁啉、㖕啉、喋啶、吖啶、咔唑、腺嘌呤、鳥嘌呤、胞嘧啶、胸腺嘧啶、尿嘧啶等。
已知該等氮雜環化合物係作為針對金屬之鏽(rust)或腐蝕之抑制劑發揮作用，其中，就可廉價地獲取、防銹效果較高、與上述聚烯烴或丙烯酸系聚合物之相溶性及透明性之方面、進而於添加後使含(甲基)丙烯醯基之成分反應之情形時不易抑制反應(交聯、聚合)之方面而言，較佳為三唑化合物、吡唑化合物、咪唑啉化合物、咪唑化合物、四唑化合物，進而較佳為三唑化合物。
上述三唑化合物只要為具有三唑骨架之化合物即可，並無特別限制。例如除三唑類以外，亦可列舉苯并三唑類等。
作為苯并三唑，例如可列舉：1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1,2,3-苯并三唑、1-[N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基]苯并三唑、1-[N,N-雙(2-乙基己基)胺基甲基]甲基苯并三唑、2,2'-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亞胺基]二乙醇、3,5-二甲基-1,2,4-三唑、3,5-二胺基-1,2,4-三唑等。
其中，就防止於黏著層內析出之觀點而言，較佳為液狀之1,2,3-三唑。
又，氮雜環化合物可單獨使用1種或將複數種併用使用。
氮雜環化合物之含量並無特別限定。其中，相對於黏著層100質量份，較佳為包含0.01~10質量份，其中進而較佳為包含0.02質量份以上或8質量份以下，其中進而較佳為包含0.05質量份以上或5質量份以下。
若氮雜環化合物之含量為0.01質量份以上，則容易獲得良好之防腐蝕性能，從而較佳。另一方面，若上述含量為10質量份以下，則容易確保透明性，又，容易確保耐發泡剝落性等接著可靠性，從而較佳。
可控制本黏著片之黏著層中之氮雜環化合物之偏集存在，並且利用汗森溶解度參數(HSP)。
即，氮雜環化合物與聚烯烴之HSP距離較佳為隔開18.0以上，更佳為隔開20.0以上，進而較佳為隔開25.0以上。藉由隔開18.0以上，容易使氮雜環化合物偏集存在於黏著層之表面，例如於將黏著片積層於電極時，氮雜環化合物先於腐蝕原因物質作用於電極。另一方面，上限並無特別，通常為30.0以下。
「汗森溶解度參數(HSP)」係表示某種物質能夠何種程度地溶解於另一種物質中之溶解性之指標。
HSP係將由希德布朗(Hildebrand)導入之溶解度參數分割成分散項δD、極性項δP、氫鍵項δH之3種成分，並表示於三圍空間中者。分散項δD表示藉由分散力而產生之效果，極性項δP表示藉由偶極間力而產生之效果，氫鍵項δH表示藉由氫鍵力而產生之效果，表記為：
δD：源自分子間之分散力之能量
δP：源自分子間之極性力之能量
δH：源自分子間之氫鍵力之能量
(此處，各自之單位為MPa0.5。)
HSP之定義與計算記載於下述文獻中。
Charles M. Hansen著、Hansen Solubility Parameters：A Users Handbook(CRC Press、2007年)。
分別為分散項反映出凡得瓦耳力之作用，極性項反映出偶極矩之作用，氫鍵項反映出水、醇等之作用。並且，可判斷基於HSP之向量相似之彼此溶解性較高，向量之類似度可利用汗森溶解度參數之距離(HSP距離)進行判斷。又，汗森溶解度參數不僅可判斷溶解性，亦可設為某種物質易存在於另一種物質中至何種程度、即分散性好至何種程度之判斷之指標。
於本發明中，HSP[δD、δP、δH]例如可藉由使用電腦軟體Hansen Solubility Parameters in Practice(HSPiP)，並根據其化學結構簡便地推算。具體而言，藉由安裝於HSPiP之Y-MB法並根據化學結構而求出。又，於化學結構未知之情形時，根據使用複數種溶劑之溶解測試之結果並藉由安裝於HSPiP之Sphere法而求出。
HSP距離(Ra)例如於將溶質(例如氮雜環化合物)之HSP設為(δD1,δP1,δH1)，將溶劑(例如聚烯烴)之HSP設為(δD2,δP2,δH2)時，可藉由下述式而算出。
HSP距離(Ra)={4×(δD1-δD2)2 +(δP1-δP2)2 +(δH1-δH2)2 }0.5
HSP距離可藉由對所使用之氮雜環化合物及聚烯烴進行各種選擇而進行調整。
＜其他成分＞
上述黏著層可視需要添加交聯劑、塑化劑、UV(ultraviolet，紫外線)吸收劑、HALS(hindered amine light stabilizer，受阻胺光穩定劑)、矽烷偶合劑、Aerosil、奈米填料等其他成分。
＜厚度＞
本黏著片之厚度並無特別限制。於包含觸控面板之顯示器用途中，厚度較佳為5 μm以上且1000 μm以下，其中進而較佳為10 μm以上或500 μm以下。
若本黏著片之厚度為5 μm以上，則可表現出實用之金屬腐蝕防止效果，若厚度為1000 μm以下，則透明性及操作性良好。
[本黏著片之特徵]
本黏著片可具有如以下之特徵。
＜黏著層中之Cl、Br、I、S之總含量＞
本黏著片較佳為Cl、Br、I及S之總含量(質量)為100 ppm以下，其中尤佳為80 ppm以下，其中尤佳為50 ppm以下。
進而，Cl、Br、I及S之總含量(質量)以上述黏著層之濃度計較佳為100 ppm以下，其中尤佳為80 ppm以下，其中尤佳為50 ppm以下。
藉由將Cl、Br、I、S之總含量設為上述範圍，可藉由與防銹劑之協同效應進一步有效地抑制銅或銀之腐蝕。
於本黏著片中，作為將Cl、Br、I及S之總含量調整為上述範圍之方法，可列舉調整含(甲基)丙烯醯基之成分之製造方法而調整該等元素含量或將含(甲基)丙烯醯基之成分洗淨並調整其條件之方法。但是，並不限定於該等方法。
例如，若藉由酯交換法製造含(甲基)丙烯醯基之成分，則至少可較脫水酯法進一步減少S含量。
再者，Cl、Br及S之含量可藉由如以下之定量方法進行測定。
將試樣於試樣燃燒裝置(AQF-200M；Mitsubishi Chemical Analytech公司製造)中燃燒分解，將所產生之氣體回收至吸收液中並作為試樣溶液。可利用離子層析法(ICS-1600；Thermo Fisher Scientific公司製造)並利用校準曲線法對試樣溶液中之Cl、Br、S進行定量。
另一方面，I之含量可藉由如以下之定量方法進行測定。
將試樣於試樣燃燒裝置(AQF-200M；Mitsubishi Chemical Analytech公司製造)中燃燒分解，將所產生之氣體回收至吸收液中並作為試樣溶液。利用電感耦合電漿質量分析裝置(Agilent7500；Agilent Technologies公司製造)並利用校準曲線法對試樣溶液中之I進行定量。
＜氮雜環化合物之偏集存在＞
於本黏著片中之黏著層中，上述氮雜環化合物較佳為相較於黏著層內部更多地偏集存在於黏著層表面。換言之，較佳為黏著層表面之上述氮雜環化合物之濃度高於黏著層內部。
本黏著片中之黏著層除丙烯酸系聚合物以外亦含有聚烯烴，故而與不含該聚烯烴之黏著層相比，可使氮雜環化合物更多地偏集存在於黏著層之表面。藉由如上所述般使具有防腐蝕功能之氮雜環化合物偏集存在於黏著層之表面，例如於使本黏著片積層於電極時，可使該氮雜環化合物先於腐蝕原因物質作用於電極，因此可進一步有效地謀求防腐蝕。
氮雜環化合物是否偏集存在於黏著層表面例如可藉由以下之方法進行確認。
於使用三唑化合物作為氮雜環化合物之情形時，本黏著片所使用之三唑化合物由於分子中包含大量氮原子，故而只要藉由X射線電子分光法(稱為ESCA或XPS)測定氮原子濃度，便可獲知三唑化合物於黏著層中有無偏集存在及濃度分佈。尤其是可藉由對一面進行氬(Ar)蝕刻一面進行掃描所獲得之各原子之深度方向分佈(depth profile)進行觀察而獲知表面與內部之原子之濃度梯度。
作為X射線電子分光分析裝置，可使用Thermo Fisher Scientific(股)製造之K-Alpha等，藉由一面進行Ar蝕刻，一面於每100秒內掃描40次以上，可獲得良好之深度分佈。
較佳為最低對碳、氧、矽、氮之4者進行掃描，正確的是氮原子之濃度以與碳原子之相對量進行評價。因此，較佳為利用將氮原子濃度除以碳原子濃度所得之值(N/C)作為縱軸、將蝕刻時間作為橫軸之曲線圖進行確認。
於在利用此種曲線圖進行確認時，本發明之黏著片於表面側與內部側，氮原子濃度存在梯度。即，三唑化合物出現濃度梯度。
尤其是Ar蝕刻後100秒後之最表面之N/C較佳為比Ar蝕刻4000秒後之N/C大0.01以上，更佳為大0.015以上。藉由大0.01，可使三唑化合物更有效率地保護金屬表面。將分析結果之例示於圖1。
具體而言，例如於在以下之蝕刻條件下進行蝕刻時，於100秒時測定距表面數nm(奈米)左右、於4000秒時測定距表面0.8 μm左右之N/C。
＜測定條件＞
・測定區域：Φ400 μm
・通過能量：50 eV
・掃描次數：5次
＜蝕刻條件＞
・離子能量：1000 eV
・光柵尺寸：Φ2 mm
又，於存在三唑化合物之氮源之情形時，可以飛行時間型二次離子質量分析法(TOF-SIMS)等來代用。
＜霧度＞
本黏著片之霧度(依據JIS K7136)並無特別限定。其中，該霧度較佳為1.0%以下，更佳為0.8%以下。若霧度為1.0%以下，則可獲得優異之透明性及優異之外觀，從而較佳。
再者，上述霧度例如可將於常態(23℃、50%RH)下將黏著片靜置至少24小時後，於具有分隔件之情形時將其剝離並貼合於載玻片(例如全光線透過率91.8%、霧度0.4%者)所得者作為試樣，並使用霧度計(村上色彩技術研究所股份有限公司製造，商品名「HM-150」)進行測定。
＜全光線透過率＞
若考慮到應用於顯示器用途之用途，則就透明性之觀點而言，本黏著片之全光線透過率較佳為90%以上， 進而較佳為91%以上。
＜比介電常數＞
本黏著片於頻率100 kHz下之比介電常數較佳為3.8以下，進而較佳為3.0以下。
藉由使比介電常數為上述範圍，可降低作為絕緣層之靜電電容，可防止因高頻噪聲而導致之觸控面板式輸入輸出裝置之誤作動。又，可使黏著層較薄，亦有助於圖像顯示裝置之省空間化及彎折應對。
比介電常數可藉由調整所使用之黏著片中所包含之聚烯烴之量比而調整為上述範圍。但是，並不限定於該方法。
＜玻璃轉移溫度＞
本黏著片較佳為其玻璃轉移溫度(Tg)處於-30~30℃之範圍內。藉由使其玻璃轉移溫度處於-30~30℃之範圍內，可製成具有良好之接著性、保持力之黏著片。
為了將本黏著片之玻璃轉移溫度(Tg)調整為上述範圍，可採用選擇下述聚烯烴及含(甲基)丙烯醯基之成分之種類、以及該等之混合比之方法。又，亦可藉由添加黏著性賦予劑而將玻璃轉移溫度調整為-30~30℃之範圍內。但是，並不限定於此種方法。
此處，所謂「玻璃轉移溫度」，係指出現損耗正切(tanδ)之主分散之波峰之溫度。
＜本黏著片之製造方法＞
繼而，對本黏著片之製造方法進行說明。
其中，以下之說明係製造本黏著片之方法之一例，本黏著片並不限定於藉由該製造方法而製造者。
本黏著片可將含有聚烯烴、含(甲基)丙烯醯基之成分、氮雜環化合物、視需要之裂解型光聚合起始劑、及視需要之其他材料之黏著層形成組合物(稱為「本黏著層形成組合物」)成形為未硬化片後，使上述含(甲基)丙烯醯基之成分進行聚合反應，藉此進行硬化而獲得。但是，並不限定於該方法。
作為將本黏著層形成組合物成形為未硬化片之方法，可採用公知之方法、例如乾式層壓、使用T字模之擠出澆鑄法、擠出層壓法、壓光法或膨脹法等。其中，就操作性或生產性等方面而言，較佳為進行熔融成形之方法、例如擠出澆鑄法及擠出層壓法。
於選擇不使用溶劑之熔融成形之情形時，作為用以進行熔融成形之本黏著層形成組合物，未硬化狀態下之頻率1 Hz之剪斷下之儲存彈性模數(G')較佳為於20℃下位50,000 Pa以上，於160℃下為10,000 Pa以下。若20℃下之G'為上述範圍，則於成形後可於常溫下維持形狀。又，若160℃下之G'為上述範圍，則可於不夾帶氣泡之情況下成形。
各種溫度下之彈性模數(儲存彈性模數)G'與黏性率(損失彈性模數)G"及tanδ=G"/G'可使用變形流變儀進行測定。
熔融成形時之成形溫度較佳為藉由流動特性或製膜性等進行適當調整。
較佳為20~230℃，更佳為20~160℃。進而較佳為20~130℃。
於熔融成形之情形時，片材之厚度可藉由T字模之模唇間隙、片材之抽取速度等進行適當調整。
可對本黏著層形成組合物照射熱及/或活性能量線，使含(甲基)丙烯醯基之成分進行聚合反應而進行硬化。例如，可藉由對將本黏著層形成組合物成形為片材所得者照射熱及/或活性能量線而使本黏著片硬化。
此處，作為所照射之活性能量線，可列舉α射線、β射線、γ射線、中子射線、電子束等游離輻射、紫外線、可見光線等，其中，就對光學裝置構成構件之損傷抑制或反應控制之觀點而言，較佳為紫外線。
又，關於活性能量線之照射能量、照射時間、照射方法等並無特別限定，只要使聚合起始劑活化而使含(甲基)丙烯醯基之成分進行聚合即可。
又，作為本黏著片之製造方法之另一實施態樣，亦可使下述本黏著層形成組合物溶解於適當之溶劑中，並使用各種塗佈方法來實施。但是，於該實施形態中，必須考慮溶劑回收等製造成本之情況。
於使用塗佈方法之情形時，除上述活性能量線照射硬化以外，亦可藉由熱硬化而獲得本黏著片。
於選擇基於塗佈方法之成形之情形時，除活性能量線硬化以外，藉由熱硬化來進行硬化亦有效。於該情形時，較佳為選擇具有高於溶劑之乾燥溫度之分解溫度之熱聚合起始劑。
於塗佈之情形時，片材之厚度可藉由塗佈厚度與塗佈液之固形物成分濃度進行調整。
又，亦可視需要進行壓紋加工或各種凹凸(圓錐或角錐形狀或半球形狀等)加工。又，為了提高對各種被接著構件之接著性，亦可對表面進行電暈處理、電漿處理及底塗處理等各種表面處理。
(聚合起始劑)
於形成上述黏著層時之聚合反應中，如上所述，可根據聚合反應之種類使用熱聚合起始劑或光聚合起始劑(光起始劑)等聚合起始劑。聚合起始劑可單獨使用或將2種以上組合使用。
作為上述光聚合起始劑，並不特別限定其種類。例如可列舉：安息香醚系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、安息香系光聚合起始劑、苄基系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、縮酮系光聚合起始劑、9-氧硫系光聚合起始劑等。再者，光聚合起始劑可單獨使用或將2種以上組合使用。
作為上述安息香醚系光聚合起始劑，例如可列舉：安息香甲醚、安息香乙醚、安息香丙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、苯甲醚甲醚等。
作為上述苯乙酮系光聚合起始劑，例如可列舉：2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮、4-苯氧基二氯苯乙酮、4-(第三丁基)二氯苯乙酮等。作為上述α-酮醇系光聚合起始劑，例如可列舉：2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-[4-(2-羥基乙基)苯基]-2-甲基丙烷-1-酮等。
作為上述芳香族磺醯氯系光聚合起始劑，例如可列舉2-萘磺醯氯等。
作為上述光活性肟系光聚合起始劑，例如可列舉1-苯基-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)-肟等。
作為上述安息香系光聚合起始劑，例如可列舉安息香等。
作為上述苄基系光聚合起始劑，例如可列舉苄基等。作為上述二苯甲酮系光聚合起始劑，例如可列舉：二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯二苯甲酮、α-羥基環己基苯基酮等。
作為上述縮酮系光聚合起始劑，例如可列舉苯偶醯二甲基縮酮等。
作為上述9-氧硫系光聚合起始劑，例如可列舉：9-氧硫、2-氯9-氧硫、2-甲基9-氧硫、2,4-二甲基9-氧硫、異丙基9-氧硫、2,4-二異丙基9-氧硫、十二烷基9-氧硫等。
上述光聚合起始劑之使用量並無特別限定。例如相對於黏著層100質量份，較佳為0.001~2質量份，更佳為0.01~1質量份。
又，上述熱聚合起始劑之種類並無特別限定。例如可列舉：偶氮系聚合起始劑、過氧化物系聚合起始劑(例如過氧化二苯甲醯基、過氧化第三丁基等)、氧化還原系聚合起始劑等。
上述熱聚合起始劑之使用量並無特別限定。例如於上述過氧化物系聚合起始劑之情形時，相對於黏著層100質量份，較佳為0.05~0.5質量份，更佳為0.1~0.3質量份。
＜其他成分＞
可視需要向上述黏著層形成組合物中添加塑化劑、UV吸收劑、HALS、矽烷偶合劑、Aerosil、丙烯醯胺、奈米填料等其他成分。
[本黏著片之用途]
本黏著片例如可用作具備將離型膜積層於本黏著片之至少單面或兩面而成之構成之積層片。
又，亦可用作具備將支持膜積層於本黏著片之至少一側單面、將離型膜積層於另一側單面而成之構成之積層片。
此時，藉由照射熱及/或活性能量線進行硬化處理，亦可獲得於本黏著片之至少單面積層有離型膜而成之構成之上述積層片。
藉由如上所述般於本黏著片之至少單面積層離型膜，可防止黏連或防止異物附著。
藉由於如上所述般於本黏著片之至少單面積層有離型膜之狀態下保管，黏著片中之氮雜環化合物向離型膜移行，其結果為獲得於離型膜中之積層有黏著片之面具有上述氮雜環化合物之積層片。由於該積層片中之離型膜包含氮雜環化合物，故而可有助於防止離型膜變色。
＜導電構件積層體＞
亦可用作具備本黏著片及導電構件之導電構件積層體(稱為「本導電構件積層體」)。
作為上述導電構件，例如可列舉透明導電層，藉由將本黏著片貼合於該透明導電層之導電層面，可獲得本導電構件積層體。此時，本導電構件積層體只要具有本黏著片之任一黏著層面與上述透明導電層之導電層面經貼貼合而成之構成即可。又，於本黏著片為兩面黏著片之情形時，亦可為本黏著片之兩接著劑層面與透明導電層之導電層面經貼合而成之構成者。
又，上述透明導電層亦可以覆蓋該導電膜之導電層面之方式形成藉由烯烴系聚合物、胺基甲酸酯系聚合物、環氧系聚合物、丙烯酸系聚合物、聚矽氧系聚合物、或者無機玻璃等而形成之絕緣保護膜。
與導電層面貼合而獲得之本導電構件積層體例如可較佳地使用於觸控面板。
作為該觸控面板，可列舉電阻膜方式、靜電電容方式、電磁感應方式等方式者，較佳為靜電電容方式。
作為上述透明導電層，只要為於至少單面之表層具有導電層者即可，可列舉藉由蒸鍍、濺鍍或塗佈等於透明基材之表層設置有導電物質之透明導電層。
作為設置於透明導電層之導電層之導電物質，例如可列舉：氧化銦、銦-鎵-鋅複合氧化物、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅、氧化鎵、氧化鈦等金屬氧化物、以及銀、銅、鉬、鋁等金屬材料。其中，較佳為透明性優異之氧化銦錫(ITO)及銦-鎵-鋅複合氧化物。又，就導電性優異之觀點而言，亦可較佳地使用銅或銀。
於透明導電層中，作為圖案形成有導電物質之基材，並無特別限定，例如可列舉玻璃、樹脂膜等。
典型而言，上述透明導電層較佳為於至少單面之表層具有導電層者。典型而言，於透明導電層，以繞著周邊部之方式形成有將銅作為主成分之導體圖案(配線圖案)。
本黏著片可尤佳地使用於具備由包含銅之金屬材料形成之導體圖案之導電構件。
＜圖像顯示裝置＞
上述本導電構件積層體例如可構成具備圖像顯示面板及表面保護面板之圖像顯示裝置(稱為「本圖像顯示裝置」)。
例如可列舉使將本黏著片與透明導電層之導電層面貼合而獲得之本導電構件積層體介插於圖像顯示面板與表面保護面板之間之構成之圖像顯示裝置。此時，亦可於圖像顯示面板側使用本黏著片。
作為上述表面保護面板之材質，除玻璃以外，亦可為丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、環烯烴聚合物等脂環式聚烯烴系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、酚系樹脂、三聚氰胺系樹脂、環氧系樹脂等塑膠。
圖像顯示面板係包含偏光膜、以及相位差膜等光學膜、液晶材料及背光面板者，根據液晶材料之控制方式而存在STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)方式、VA(Vertical Aligned，垂直配向)方式或IPS(In-Plane Switching，平面轉換)方式等，可為任一方式。
＜語句之說明等＞
一般而言，所謂「片材」，於JIS中之定義中係指較薄、其厚度較小為長度與寬度之商且平坦之製品，一般而言，所謂「膜」，係指與長度及寬度相比厚度極小、最大厚度被任意限定之較薄且平坦、且通常以輥之形式供給之製品(日本工業標準JISK6900)。然而，片材與膜之交界並不確定，於本發明中，無須於語言上對兩者進行區別，因此於本發明中，於稱為「膜」之情形時亦包含「片材」，於稱為「片材」之情形時亦包含「膜」。
又，於如圖像顯示面板、保護面板等般表達為「面板」之情形時，包含板體、片材及膜。
於本說明書中，於記載為「X~Y」(X、Y為任意數字)之情形時，只要未特別說明，則包含「X以上且Y以下」之意思，並且亦包含「較佳為大於X」或「較佳為小於Y」之意思。
又，於記載為「X以上」(X為任意數字)之情形時，只要未特別說明，則包含「較佳為大於X」之意思，於記載為「Y以下」(Y為任意數字)之情形時，只要未特別說明，則亦包含「較佳為小於Y」之意思。
[實施例]
本發明藉由以下之實施例進而進行說明。但是，本發明並不限定解釋為下述所示之實施例。
於實施例1~5及比較例1~2中，製作以表1所示之質量比調配之黏著層形成組合物，並於經聚矽氧離型處理之厚度100 μm之離型膜(三菱化學公司製造之PET膜)上以黏著層之厚度成為100 μm之方式展開。
繼而，關於實施例1~5及比較例2，進而自黏著層之上積層經聚矽氧離型處理之厚度75 μm之離型膜(三菱化學公司製造之PET膜)而形成積層體，使用金屬鹵化物燈照射裝置(牛尾電機公司，UVC-0516S1、Lamp UVL-8001M3-N)，以波長365 nm之照射量成為2000 mJ/cm2 之方式對上述積層體進行光照射，獲得於黏著層之正反兩側積層有離型膜之黏著片積層體。
[表1]
再者，表1中，
A-1係Oppanol N50SF(BASF公司製造，聚異丁烯、數量平均分子量(Mn)235,400、質量平均分子量(Mw)565,000、HSP：δD=15.1、δP=0、δH=0，Tg：-30℃)；
A-2係Tetrx 3T(JXTG公司製造，聚異丁烯、數量平均分子量(Mn)21,400、質量平均分子量(Mw)49,000、HSP：δD=15.1、δP=0、δH=0，Tg：-30℃)；
A-3係IP Solvent 2835(出光公司製造，C16-C24之異烷烴100質量%、質量平均分子量(Mw)：300以下、HSP：δD=15.1、δP=0、δH=0，Tg：無法測定)；
A-4係聚丁烯(異丁烯-正丁烯共聚物、正丁烯量4%、數量平均分子量：1660、質量平均分子量：3718、HSP：δD=15.1、δP=0、δH=0.1，Tg：-35℃)；
A-5係Tafmer BL2481M(三井化學公司製造，1-丁烯・α-烯烴共聚物，Tg：-14℃)；
B-1係利用脫水酯法自異硬脂醇調整之具有下述式所表示之支鏈結構之丙烯酸異硬脂酯，並且硫量為302 ppm；
[化1]
B-2係將B-1之硫量減少至18 ppm者；
B-3係利用脫水酯法製造之丙烯酸十六烷基酯(丙烯酸鯨蠟酯)；
B-4係A-DOD-N(新中村化學公司製造，1,10-癸二醇二丙烯酸酯)；
B-5係CN9014NS(Arkema公司製造，氫化聚丁二烯之兩末端丙烯酸胺基甲酸酯)；
C-1係1,2,3-三唑(大塚化學公司製造，HSP：δD=20.1、δP=16.2、δH=13.7)；
C-2係1,2,3-苯并三唑(城北化學工業公司製造，HSP：δD=20.9、δP=12.4、δH=9.0)；
Omnirad 651係(BASF公司製造，光聚合起始劑)；
Omnirad TPO-G係(BASF公司製造，光聚合起始劑)；
Quintone R100係(日本ZEON公司製造，二環戊二烯系C5餾分石油樹脂)；
Irganox 1076係(BASF公司製造，受阻酚系抗氧化劑)；
「丙烯酸系黏著劑-1」表示一併添加丙烯酸丁酯(BA)60質量份、丙烯酸月桂酯40質量份、丙烯酸4-羥基丁酯(HBA)1質量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮雙異丁腈0.1質量份及乙酸乙酯200質量份，一面進行攪拌，一面導入氮氣進行1小時氮氣置換後，將燒瓶內之液溫保持於55℃附近進行10小時聚合反應，而製備聚合物溶液。繼而，於上述所獲得之聚合物溶液中，相對於聚合物之固形物成分100質量份，調配0.5質量份之作為交聯劑之苯二甲基二異氰酸酯之三羥甲基丙烷加成物(三井化學公司製造，商品名D110N)並進行乾燥而成者(HSP：δD16.5、δP2.7、δH3.9)。
＜各種評價＞
針對自實施例、比較例中所獲得之黏著片積層體將離型膜剝離後獲得之黏著片(樣品)，利用下述方法進行各種評價。結果示於表2。
(Cl、Br、I、S之總含量)
利用下述方法對黏著片(樣品)中之Cl、Br、I及S各自之含有質量進行定量，並對含量進行合計。
Cl、Br及S之定量方法係將黏著片(樣品)於試樣燃燒裝置(AQF-200M；Mitsubishi Chemical Analytech公司製造)中燃燒分解，將所產生之氣體回收至吸收液中並作為試樣溶液。利用離子層析法(ICS-1600；Thermo Fisher Scientific公司製造)並利用校準曲線法對試樣溶液中之Cl、Br及S之量進行定量。
另一方面，I之定量方法係將黏著片(樣品)於試樣燃燒裝置(AQF-200M；Mitsubishi Chemical Analytech公司製造)中燃燒分解，將所產生之氣體回收至吸收液中並作為試樣溶液，利用電感耦合電漿質量分析裝置(Agilent7500；Agilent Technologies公司製造)並利用校準曲線法對該試樣溶液中之I量進行定量。
(三唑化合物之偏集存在之確認)
針對黏著片(樣品)，於下述條件下使用X射線電子分光分析裝置(Thermo Fisher Scientific(股)製造之K-Alpha)進行Ar蝕刻，並且針對碳、氧、矽、氮之4種原子，每100秒內掃描40次以上，藉此獲得各原子之厚度方向之原子濃度分佈。根據所獲得之資料製作將氮原子濃度除以碳原子濃度所得之值(N/C)作為縱軸、將蝕刻時間作為橫軸之曲線圖。將該曲線圖之例示於圖1。
根據曲線圖求出蝕刻100秒後之(N/C)與蝕刻4000秒後之(N/C)之差，於0.01以上之情形時，設為三唑化合物存在偏集而評價為「○」，於未達0.01之情形時，設為三唑化合物不存在偏集而評價為「×」。
再者，圖1中最初之掃描(蝕刻前)之N/C較低係因分隔件被轉印離型聚矽氧之影響。
＜測定條件＞
・測定區域：Φ400 μm
・通過能量：50 eV
・掃描次數：5次
＜蝕刻條件＞
・離子能量：1000 eV
・光柵尺寸：Φ2 mm
(耐腐蝕可靠性)
將銀奈米線塗佈液(C3nano公司製造)塗佈於50 μm之PET膜，獲得50 Ω/□之透明電極膜。將所獲得之透明電極膜切成寬9 mm之短條狀，將短條狀之5片透明電極膜以導電面朝上排列於玻璃基板上，並利用膠帶將端部固定。進而，於透明電極膜上將銀漿塗佈於兩端，製作電阻值測定用之接點。使用手動輥自透明電極膜之上方將切成寬50 mm之黏著片(樣品)以黏著層直接接觸之方式貼合於透明電極面。將測定方法示於圖2。
將經貼合之積層體保管於65℃、90%Rh之環境中，記錄透明電極之電阻值(kΩ)以何種方式變化。
於1200小時之保管中，將未超過1.5 kΩ之情況設為「○」，將超過1.5 kΩ之情況設為「×」。
(霧度)
於將玻璃貼合於黏著片(樣品)之兩面之狀態下，分別使用霧度計(日本電色工業股份有限公司製造，NDH5000)並依據JIS K7361-1測定全光線透過率，依據JIS K7136測定霧度。
(比介電常數)
將複數片黏著片(樣品)積層而獲得厚度為500 μm之片材。將該片材調整為寬25 mm×長25 mm後，使用阻抗測定裝置(日本HP(股)製造：4291B)於頻率100 MHz下測定介電常數。
(玻璃轉移溫度)
將複數片黏著片(樣品)積層，製作厚度約為2 mm之片材。使用流變儀(英弘精機股份有限公司製造，MARS)，於黏著治具：Φ20 mm平行板、變形：0.1%、頻率：1 Hz、溫度：-50~150℃、升溫速度：3℃/min之條件下對將所獲得之片材沖切成直徑20 mm之圓形而成者進行測定，將損耗正切之波峰溫度設為玻璃轉移溫度(Tg)。
(分別將與所獲得之樹脂組合物相關之結果示於表2)
[表2]
(探討)
根據上述實施例之結果及本發明者迄今為止進行之試驗結果等能夠確認：藉由使黏著片之黏著劑層含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及作為氮雜環化合物之三唑化合物，可減小比介電常數及其溫度依存性，並且可實現防腐蝕效果。
進而，亦確認到藉由將黏著片所含有之鹵素元素及硫之總含量設為一定值以下，可進而提高防腐蝕效果。
此外，亦確認到藉由使黏著層含有聚烯烴及丙烯酸系聚合物，與不含聚烯烴之黏著層相比，防銹劑偏集存在於黏著層之表面，故而即便對於容易腐蝕之銀或銅，亦可長期充分地實現防腐蝕效果。
圖1係於將一面進行氬蝕刻一面利用X射線電子分光法每100秒內對碳、氮、氧、矽掃描40次時之氬蝕刻時間(秒後)作為橫軸，將氮原子濃度除以氧原子濃度所得之N/C作為縱軸之座標中，對實施例4與比較例1之結果進行繪製所得之曲線圖。
圖2係表示用於實施例1~5及比較例1~2之耐腐蝕性評價之試樣之構成之模式圖，(A)係俯視圖，(B)係側剖視圖。

Claims (10)

  1. 一種單層之黏著片，其包含含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及氮雜環化合物之黏著層。
  2. 一種積層構成之黏著片，其具備含有聚烯烴、丙烯酸系聚合物及氮雜環化合物之黏著層，且具備該黏著層作為表面層。
  3. 如請求項1或2之黏著片，其中上述氮雜環化合物相較於黏著層內部，更多地偏集存在於黏著層表面。
  4. 如請求項1至3中任一項之黏著片，其中Cl、Br、I及S之總含有質量為100 ppm以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之黏著片，其頻率100 kHz下之比介電常數為3.8以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之黏著片，其中上述聚烯烴係：聚異丁烯、聚丁烯、聚丁二烯及聚異戊二烯中之任一種聚合物；該等任一者之氫化物聚合物；將該等任一聚合物或氫化物聚合物作為主鏈之聚合物；包含構成該等任兩種以上之聚合物或氫化物聚合物之單體之組合之共聚物；或包含該等任兩種以上之聚合物之組合之混合樹脂。
  7. 如請求項1至6中任一項之黏著片，其霧度為1.0%以下。
  8. 一種導電構件積層體，其具備如請求項1至7中任一項之黏著片及導電構件。
  9. 一種觸控面板，其具備如請求項8之導電構件積層體。
  10. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項8之導電構件積層體、圖像顯示面板及表面保護面板。
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