TW201930328A - 表面處理組成物及方法 - Google Patents

表面處理組成物及方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201930328A
TW201930328A TW107147196A TW107147196A TW201930328A TW 201930328 A TW201930328 A TW 201930328A TW 107147196 A TW107147196 A TW 107147196A TW 107147196 A TW107147196 A TW 107147196A TW 201930328 A TW201930328 A TW 201930328A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tetramethyldioxane
acid
bis
surface treatment
heptamethyltrioxane
Prior art date
Application number
TW107147196A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI813614B (zh
Inventor
威廉 Ａ 沃吉特薩克
水谷篤史
朴起永
Original Assignee
美商富士軟片電子材料美國股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 filed Critical 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司
Publication of TW201930328A publication Critical patent/TW201930328A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI813614B publication Critical patent/TWI813614B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/09—Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/09—Carboxylic acids; Metal salts thereof; Anhydrides thereof
    • C08K5/095—Carboxylic acids containing halogens
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D4/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; Coating compositions, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09D183/00 - C09D183/16
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/20—Diluents or solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Detergent Compositions (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)

Abstract

本揭露內容係關於用於處理一晶圓之方法及組成物，該晶圓具有一圖案安置於該晶圓之一表面上。

Description

表面處理組成物及方法
相關申請案之交叉引用
本申請案主張2018年1月5日提交之美國臨時申請案第62/613,849及2018年3月29日提交之美國臨時申請案第62/649,685號之優先權，各案以全文引用之方式併入本文中。
發明領域
本發明大體上係關於表面處理，且更特定言之，關於在需要形成疏水層之半導體表面的液體處理。
發明背景
在低於20 nm之臨界尺寸下，FinFET及介質堆疊在濕式清潔及乾燥期間發生之圖案崩潰已成為半導體製造製程中之主要問題。圖案崩潰之習知理論表明在沖洗及乾燥期間之高毛細管力係導致崩潰現象之主要促成因素。不過，其他化學及基體特性亦可能起重要作用，即，液體表面張力及黏度、基體機械強度、圖案密度及縱橫比，以及清潔劑化學物質對基體表面之損害。
發明概要
已發現，使半導體基體(例如矽或銅晶圓)之表面具有疏水層(例如疏水性單層)之低表面張力調節流體可以使在乾燥程序期間引起圖案崩潰之毛細管力減到最小。不希望受理論束縛，咸信當接觸角，即液體(例如水)當接觸基體表面時產生之角，係或接近90度時，拉普拉斯壓力(Laplace pressure)最小。此情形與低表面張力流體之存在組合可以大幅減小引起圖案崩潰之力。
一般而言，本揭露內容提供用於處理半導體基體(例如圖案化晶圓)之圖案化表面的方法及組成物，其中在該表面上形成疏水層，由此使該表面在半導體製造製程中經歷典型清潔及乾燥步驟時發生的圖案崩潰減到最少或得以防止。本文所揭露之方法採用在該表面上形成疏水層，由此使經處理表面具有至少約50度之水接觸角的組成物。
在一個態樣中，本揭露內容之特徵在於用於處理半導體基體之方法，該半導體基體具有一圖案安置於晶圓之表面上。此類方法可以包括使該表面與表面處理組成物接觸以形成表面處理層，由此使該表面處理層具有至少約50度之水接觸角。該表面處理組成物可以包括(例如包含、由以下組成或基本上由以下組成)至少一種矽氧烷化合物及至少一種添加劑。該至少一種添加劑包括pKa為至多0之酸或其酸酐。該圖案可以包括具有至多約20 nm之尺寸的形貌體。
在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於表面處理組成物，其包括(1)佔該表面處理組成物約0.1 wt%至約99.9 wt%之量的至少一種矽氧烷化合物；以及(2)佔該表面處理組成物約0.1 wt%至約10 wt%之量的至少一種添加劑，其包括pKa為至多0之酸或其酸酐。
在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於表面處理組成物，其由以下組成：(1)佔該表面處理組成物約0.1 wt%至約99.9 wt%之量的至少一種矽氧烷化合物；(2)佔該表面處理組成物約0.1 wt%至約10 wt%之量的至少一種添加劑，其包括選自由磺酸及磺酸酐組成之群的化合物；以及(3)任擇地，至少一種有機溶劑。
在另一態樣中，本揭露內容之特徵在於製品，其包括半導體基體及由該半導體基體負載之表面處理組成物。該表面處理組成物可以包括至少一種矽氧烷化合物及至少一種添加劑。該至少一種添加劑包括pKa為至多0之酸或其酸酐。
在又另一態樣中，本揭露內容之特徵在於套組，其包括含至少一種矽氧烷之第一容器；以及含至少一種添加劑之第二容器。該至少一種添加劑可以包括pKa為至多0之酸或其酸酐。
本發明之其他特徵、目標及優勢將自本說明書及申請專利範圍顯而易見。
較佳實施例之詳細說明
在一些實施例中，本揭露內容係關於表面處理方法。此類方法可以例如藉由使基體(例如半導體基體，諸如矽或銅晶圓)之表面(例如具有圖案之表面)與表面處理組成物接觸來進行，該表面處理組成物包括至少一種(例如二種、三種或四種)矽氧烷化合物及至少一種(例如二種、三種或四種)添加劑，該至少一種添加劑包括pKa為至多0之酸或其酸酐。該圖案可以包括具有至多約20 nm之尺寸的形貌體。一般而言，該表面處理組成物在該表面上形成表面處理層(例如疏水性單層)，由此使該表面具有至少約50度之水接觸角。
在一些實施例中，可以藉由本文所描述之表面處理組成物處理的半導體基體係由矽、矽鍺、氮化矽、銅、III-V族化合物諸如GaAs、或其任何組合構造。在一些實施例中，該半導體基體可以為矽晶圓、銅晶圓、二氧化矽晶圓、氮化矽晶圓、氮氧化矽晶圓、摻碳之氧化矽晶圓、SiGe晶圓或GaAs晶圓。半導體基體可以另外在其表面上含有暴露的積體電路結構，諸如互連件形貌體(例如金屬線及介電材料)。用於互連件形貌體之金屬及金屬合金包括但不限於鋁、鋁與銅之合金、銅、鈦、鉭、鈷、鎳、矽、多晶矽氮化鈦、氮化鉭、錫、鎢、SnAg、SnAg/Ni、CuNiSn、CuCoCu及/或CoSn。半導體基體亦可含有層間介電質層、氧化矽層、氮化矽層、氮化鈦層、碳化矽層、碳氧化矽層、氮氧化矽層、三氧化鈦層及/或摻碳之氧化矽層。
在一些實施例中，打算用本文所描述之表面處理組成物處理的半導體基體表面包括含SiO2 、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge及/或W之形貌體。在一些實施例中，基體半導體表面包括含SiO2 及/或SiN之形貌體。
一般而言，打算用本文所描述之表面處理組成物處理的半導體基體表面包括藉由先前的半導體製造製程(例如微影製程，其包括施加光致抗蝕劑層，使該光致抗蝕劑層曝露於光化輻射，使該光致抗蝕劑層顯影，蝕刻在該光致抗蝕劑層下方之半導體基體及/或移除該光致抗蝕劑層)形成的圖案。在一些實施例中，圖案可以包括至少一個(例如二個或三個)尺寸(例如長度、寬度及/或深度)為至多約20 nm(例如至多約15 nm、至多約10 nm或至多約5 nm)及/或至少約1 nm(例如至少約2 nm或至少約5 nm)的形貌體。
一般而言，本文所描述之表面處理組成物可以包括至少一種(二種、三種或四種)矽氧烷化合物及至少一種(例如二種、三種或四種)添加劑。矽氧烷化合物可以為二矽氧烷、寡聚矽氧烷、環矽氧烷或多聚矽氧烷。如本文所使用，術語「寡聚矽氧烷」係指具有3-6個矽氧烷單元之化合物，且術語「多聚矽氧烷」係指具有超過6個矽氧烷單元之化合物。
可以用於本文所描述之表面處理組成物中的適合矽氧烷化合物之實例包括六甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四正辛基二甲基二矽氧烷、雙(九氟己基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三氟丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二正丁基四甲基二矽氧烷、1,3-二正辛基四甲基二矽氧烷、1,3-二乙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基四甲基-二矽氧烷、六正丁基二矽氧烷、六乙基二矽氧烷、六乙烯基二矽氧烷、1,1,1,3,3-五甲基-3-乙醯氧基二矽氧烷、1-烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(十七氟-1,1,2,2-四氫癸基)-四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四甲基-二矽氧烷、1,3-二烯丙基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷(1,3-diallyltetrakis(trimethylsiloxy)disiloxane)、1,3-二烯丙基四甲基-二矽氧烷、1,3-二苯基肆(二甲基矽烷氧基)二矽氧烷、(3-氯丙基)五甲基-二矽氧烷、1,3-二乙烯基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基-二矽氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四環戊基二氯-二矽氧烷、乙烯基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯異丁基)四甲基二矽氧烷、六苯基二矽氧烷、1,3-雙[(雙環[2.2.1]庚-2-烯基)乙基]四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3,3-三甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基-二矽氧烷、1,3-雙(氯甲基)四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基二甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基五甲基-二矽氧烷、五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(4-羥基丁基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三乙氧基矽烷基乙基)四甲基-二矽氧烷、3-胺基丙基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(2-胺基乙基胺基甲基)-四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-羧基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二氯-1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,3-二乙炔基四甲基二矽氧烷、正丁基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二氯四苯基二矽氧烷、1,3-二氯四甲基-二矽氧烷、1,3-二第三丁基二矽氧烷、1,3-二甲基四甲氧基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙氧基-1,3-二甲基二矽氧烷、乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、鉑-[1,3-雙(環己基)亞咪唑-2-基六氯二矽氧烷(platinum-[1,3-bis(cyclohexyl)imidazol-2-ylidene]hexachlorodisiloxane)、1,1,3,3-四異丙基-1-氯二矽氧烷、1,1,1-三甲基-3,3,3-三苯基二矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、3,3-二苯基-四甲基三矽氧烷、3-苯基七甲基三矽氧烷、六甲基環三矽氧烷、正丙基七甲基三矽氧烷、1,5-二乙氧基六甲基三矽氧烷、3-乙基七甲基-三矽氧烷、3-(四氫呋喃甲基氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(3,3,3-三氟丙基)七甲基三矽氧烷、1,1,3,5,5-五苯基-1,3,5-三甲基三矽氧烷、八甲基三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-1,3,3,5-四甲基三矽氧烷、六苯基環三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六甲基三矽氧烷、八氯三矽氧烷、3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基環三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基環三矽氧烷、3-(3-乙醯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(間十五烷基苯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、檸檬烯基三矽氧烷(limonenyltrisoloxane)、3-十二烷基七甲基三矽氧烷、3-辛基七甲基三矽氧烷、1,3,5-三苯基三甲基環三矽氧烷、1,1,1,3,3,5,5-七甲基三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六乙基-3-甲基三矽氧烷、1,5-二氯六甲基三矽氧烷、3-三十基七甲基三矽氧烷、3-(3-羥基丙基)七甲基三矽氧烷、六甲基環甲基膦醯氧基三矽氧烷、3-十八烷基七甲基三矽氧烷、呋喃甲基氧基三矽氧烷、肆(二甲基矽烷氧基)矽烷、1,1,3,3,5,5,7,7-八甲基四矽氧烷、二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、二甲基矽氧烷-[65-70%(60%環氧丙烷/40%環氧乙烷)]嵌段共聚物、雙(羥基丙基)四甲基二矽氧烷、四正丙基四甲基環四矽氧烷、八乙基環四矽氧烷、十甲基四矽氧烷、十二甲基環六矽氧烷、十二甲基五矽氧烷、十四甲基六矽氧烷、六苯基環三矽氧烷、聚二甲基矽氧烷、聚十八烷基甲基矽氧烷、二十六基封端之聚二甲基矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、聚(3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷)、三甲基矽烷氧基封端之聚二甲基矽氧烷、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-十甲基五矽氧烷以及三乙基矽烷氧基封端之聚二乙基矽氧烷。
在一些實施例中，該至少一種矽氧烷化合物可以佔本文所描述之表面處理組成物至少約0.1 wt%(例如至少約1 wt%、至少約5 wt%、至少約10 wt%、至少約20 wt%、至少約30 wt%、至少約40 wt%、至少約50 wt%、至少約60 wt%、至少約70 wt%、至少約80 wt%、至少約90 wt%、至少約95 wt%、至少約97 wt%或至少約99 wt%)到至多約99.9 wt%(例如至多約99 wt%、至多約98 wt%、至多約96 wt%、至多約94 wt%、至多約92 wt%、至多約90 wt%、至多約85 wt%、至多約80 wt%、至多約75 wt%、至多約70 wt%、至多約65 wt%、至多約60 wt%、至多約55 wt%或至多約55 wt%)。
在一些實施例中，預期用於本文所描述之表面處理組成物中的添加劑可以包括pKa為至多0之酸或其酸酐。此類酸或其酸酐之實例包括甲烷磺酸、三氟甲烷磺酸、甲烷磺酸酐、三氟甲烷磺酸酐、過氯酸、硝酸、硫酸、甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、氫碘酸、氫溴酸、氫氯酸、氯酸、三氯乙酸、三氟乙酸及氟硫酸。在一些實施例中，該至少一種添加劑還可以包括不同於pKa為至多0之酸的第二添加劑(例如pKa為至少0之酸或其酸酐)。此類第二添加劑之實例係乙酸酐。
在一些實施例中，該至少一種添加劑可以佔本文所描述之表面處理組成物至少約0.1 wt%(例如至少約0.5 wt%、至少約1 wt%、至少約1.5 wt%、至少約2 wt%、至少約2.5 wt%、至少約3 wt%、至少約3.5 wt%、至少約4 wt%、至少約4.5 wt%或至少約5 wt%)到至多約10 wt%(例如至多約9 wt%、至多約8 wt%、至多約7 wt%、至多約6 wt%、至多約5 wt%、至多約4 wt%或至多約3 wt%)。
不希望受理論束縛，咸信在表面處理組成物使用期間，添加劑(例如強酸)可以與矽氧烷化合物反應形成矽烷基化之化合物，其可以有助於在待處理之表面上形成疏水性矽氧烷單元，而疏水性矽氧烷單元之形成又可以使在沖洗或乾燥程序期間引起圖案崩潰之毛細管力減到最小。
在一些實施例中，本文所描述之表面處理組成物還可以包括至少一種有機溶劑，諸如酸酐、二醇醚、二醇醚乙酸酯、烷烴、芳族烴、碸、亞碸、酮、醛、酯、內醯胺、內酯、縮醛、半縮醛、醇、羧酸(例如pKa為至少0之羧酸)以及醚。適合溶劑之實例包括乙酸酐、丙二醇甲醚乙酸酯、C6 -C16 烷烴、甲苯、二甲苯、均三甲苯(mesitylene)、四乙二醇二甲醚、丙二醇二甲醚、乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二丁醚、正二丁醚、二甲碸、環丁碸、苯甲醇、第三丁醇、第三戊醇、甲基乙基酮、乙酸及異丁基甲基酮。在一些實施例中，本文所描述之表面處理組成物可基本上不含有機溶劑。
在一些實施例中，該至少一種有機溶劑可以佔本文所描述之表面處理組成物至少約3 wt%(例如至少約5 wt%、至少約10 wt%、至少約20 wt%、至少約30 wt%、至少約40 wt%、至少約50 wt%、至少約60 wt%、至少約70 wt%、至少約80 wt%或至少約90 wt%)到至多約95 wt%(例如至多約85 wt%、至多約75 wt%、至多約65 wt%、至多約55 wt%、至多約45 wt%、至多約35 wt%或至多約25 wt%)。
在一些實施例中，本文所描述之表面處理組成物可以僅包括三種類型之組分，亦即，(1)至少一種矽氧烷化合物、(2)至少一種添加劑及(3)至少一種有機溶劑。在一些實施例中，該至少一種有機溶劑係任擇的且可以自本文所描述之表面處理組成物省去。在一些實施例中，本文所描述之表面處理組成物可基本上不含溶劑(諸如水或有機溶劑)。如本文所使用，術語「基本上不含」係指一種組分之重量%係至多約0.1%(例如至多約0.05%、至多約0.01%、至多約0.005%、至多約0.001%或為約0%)。
不希望受理論束縛，咸信表面處理組成物可以在半導體基體之圖案化表面上形成表面處理層(例如疏水層，諸如疏水性單層)，由此使該圖案化表面具有至少約50度(例如至少約55度、至少約60度、至少約65度、至少約70度、至少約75度、至少約80度、至少約85度、至少約89度、至少約90度、至少約95度或至少約100度)之水接觸角。不希望受理論束縛，咸信此類表面處理層可以防止半導體基體上之圖案化形貌體(例如具有至多約20 nm尺寸)在半導體製造製程中典型地使用之乾燥步驟期間崩潰或使該崩潰減到最少。
在一些實施例中，本文所描述之表面處理組成物可以特定地不包括該等添加劑組分中之一種或多種，若多於一種，則不包括其任何組合。該等組分選自由以下組成之群：非芳族烴、矽氮類(例如環狀矽氮類或雜環矽氮類)、質子溶劑類(例如醇類或醯胺類)、內酯類(例如具有5員或6員環之內酯)、某些含Si化合物類(例如具有Si-H基團或胺基矽烷基之化合物)、聚合物類、去氧劑類、包括四級銨氫氧化物在內之四級銨鹽類、胺類、鹼類(諸如鹼金屬鹼類(例如NaOH、KOH、LiOH、Mg(OH)2 及Ca(OH)2 ))、界面活性劑類、消泡劑類、含氟化合物類(例如HF、H2 SiF6 、H2 PF6 、HBF4 、NH4 F及氟化四烷基銨)、氧化劑類(例如過氧化物類、過氧化氫、硝酸鐵、碘酸鉀、高錳酸鉀、硝酸、亞氯酸銨、氯酸銨、碘酸銨、過硼酸銨、過氯酸銨、過碘酸銨、過硫酸銨、亞氯酸四甲基銨、氯酸四甲基銨、碘酸四甲基銨、過硼酸四甲基銨、過氯酸四甲基銨、過碘酸四甲基銨、過硫酸四甲基銨、過氧化脲及過乙酸)、研磨劑類、矽酸鹽類、羥基羧酸類、不含胺基之羧酸及多羧酸類、矽烷類(例如烷氧基矽烷類)、除本文所描述之環矽氧烷外的環狀化合物類(例如含有至少二個環之環狀化合物，諸如經取代或未經取代之萘，或經取代或未經取代之聯苯醚)、螯合劑類(例如唑類、二唑類、三唑類或四唑類)、腐蝕抑制劑類(諸如唑或非唑類腐蝕抑制劑)、緩衝劑類、胍、胍鹽類、吡咯啶酮、聚乙烯吡咯啶酮、金屬鹵化物類以及含金屬催化劑類。
在一些實施例中，本文所描述之表面處理方法可以進一步包括在基體之表面與表面處理組成物接觸之前，使該表面與至少一種水性清潔溶液接觸。在此類實施例中，該至少一種水性清潔溶液可以包括水、醇、氫氧化銨水溶液、氫氯酸水溶液、過氧化氫水溶液、有機溶劑或其組合。
在一些實施例中，本文所描述之表面處理方法可以進一步包括在基體之表面與至少一種水性清潔溶液接觸之後但在該表面與表面處理組成物接觸之前，使該表面與第一沖洗溶液(例如水、有機溶劑諸如異丙醇，或其組合)接觸。在一些實施例中，本文所描述之表面處理方法可以進一步包括在該表面與表面處理組成物接觸之後，使該表面與第二沖洗溶液(例如水、有機溶劑諸如異丙醇，或其組合)接觸。在一些實施例中，本文所描述之表面處理方法可以進一步包括乾燥該表面(例如在該表面與第一沖洗溶液、表面處理組成物或第二沖洗溶液接觸之後)。在一些實施例中，本文所描述之表面處理方法可以進一步包括自該表面移除表面處理層。
在一些實施例中，本揭露內容提供用於清潔半導體基體(例如晶圓)之方法，該半導體基體在該基體之表面上安置有一圖案。該等方法可例如藉由以下方式進行：
a)任擇地，使該表面與水性清潔溶液接觸；
b)任擇地，使該表面與第一沖洗溶液接觸；
c)使該表面與表面處理組成物接觸，其中該表面處理組成物包括至少一種矽氧烷化合物及至少一種添加劑，其中該至少一種添加劑包括pKa為至多0之酸或其酸酐，且該表面處理組成物在該表面上形成表面處理層，由此使該表面具有至少約50度之水接觸角；
d)任擇地，使該表面與第二沖洗溶液接觸；
e)乾燥該表面；以及
f)任擇地，移除該表面處理層以形成清潔的圖案化表面。
在此類實施例中，該圖案可以包括具有至多約20 nm之尺寸的形貌體。
在上述方法之步驟a)中，帶有圖案化表面之基體(例如晶圓)可以任擇地用一種或多種水性清潔溶液處理。當用兩種或兩種以上水性清潔溶液處理該圖案化表面時，該等清潔溶液可以依序施加。該等水性清潔溶液可以僅為水或可以為含有水、溶質及任擇地有機溶劑之溶液。在一些實施例中，該等水性清潔溶液可以包括水、醇(例如水溶性醇，諸如異丙醇)、氫氧化銨水溶液、氫氯酸水溶液、過氧化氫水溶液、有機溶劑(例如水溶性有機溶劑)或其組合。
在步驟b)中，可以任擇地使用第一沖洗溶液沖洗掉步驟a)中之清潔溶液。第一沖洗溶液可以包括水、有機溶劑(例如異丙醇)或含有機溶劑之水溶液。在一些實施例中，第一沖洗溶液可與步驟a)中使用之清潔溶液至少部分地混溶。在一些實施例中，當步驟a)中使用之清潔溶液對濕氣不敏感或不含有任何明顯量之水時，可以省去步驟b)。
在步驟c)中，可以用以上描述的本揭露內容之表面處理組成物處理基體表面以形成具有表面處理層(例如疏水層)之經改質表面。由此形成的經改質表面可以為疏水性的且可以具有至少約50度之水接觸角。在一些實施例中，接觸角可以為至少約55度(例如至少約60度、至少約65度、至少約70度、至少約75度、至少約80度、至少約85度、至少約90度、至少約95度或至少約100度)及/或至多約180度(例如至多約170度、至多約160度或至多約150度)。在一些實施例中，此步驟可在約20-35℃溫度下進行在約10秒至約300秒範圍內之加工時間。
在步驟d)中，在用表面處理組成物處理基體表面之後，可以用第二沖洗溶液沖洗該表面。該第二沖洗溶液可以包括水、有機溶劑(例如異丙醇)或含有機溶劑之水溶液。在一些實施例中，此步驟可在約20-70℃溫度下進行。
在步驟e)中，可以乾燥(例如藉由使用加壓氣體)基體表面。不希望受理論束縛，咸信在用本文所描述之表面處理組成物處理基體表面之後，使在該乾燥步驟期間該表面上圖案之崩潰減到最少。
在步驟f)中，在乾燥步驟之後，可以任擇地移除表面處理層(例如疏水層)。一般而言，取決於改質表面之化學特徵，可以藉由多種方法移除該表面處理層。用於移除表面處理層之適合方法包括電漿濺射；電漿灰化；在大氣壓或亞大氣壓下熱處理；用酸、鹼、氧化劑或含冷凝流體(例如超臨界流體，諸如超臨界CO2 )之溶劑處理；蒸氣或液體處理；UV照射；或其組合。
藉由以上描述之方法製備的具有清潔圖案化表面之半導體基體可以進一步加工以在該基體上形成一個或多個電路，或可以藉由例如組裝(例如切割及黏結)及包裝(例如晶片密封)加工以形成半導體裝置(例如積體電路裝置，諸如半導體晶片)。
在一些實施例中，本揭露內容之特徵在於包括半導體基體及由該半導體基體負載的本文所描述之表面處理組成物的製品(例如在半導體裝置製造期間形成的中間半導體製品)。該表面處理組成物可以包括至少一種矽氧烷化合物及至少一種添加劑，該至少一種添加劑包含pKa為至多0之酸或其酸酐，諸如以上描述的那些。
在一些實施例中，本揭露內容之特徵在於套組，其包括含以上描述之至少一種矽氧烷化合物的第一容器；以及含以上描述之至少一種添加劑的第二容器。必要時，該第一或第二容器還可以包括至少一種有機溶劑以與各容器中之組分形成溶液。在一些實施例中，該第一及第二容器中之組分可以在打算將表面處理組成物施加至半導體基體之表面之前立即混合以在使用點形成表面處理組成物。不希望受理論束縛，咸信此類方法特別適於保存期限相對較短之表面處理組成物。在表面處理組成物具有相對較長保存期限之實施例中，第一及第二容器中之組分可以混合形成一種溶液，該溶液可以在使用之前儲存一段相對較長的時間。
本揭露內容將參照以下實例更詳細地說明，該等實例係出於說明之目的且不應解釋為限制本揭露內容之範圍。
實例1
藉由在室溫下混合各組分來製備表面處理溶液(亦即，配製物1-20)。配製物1-20之組成概述於下表1中。除非另外指明，否則表1中所列所有百分含量均為重量百分含量。
將在Si基體上含有SiO2 膜之試片切割成1×1吋的正方形。將試片豎直地浸入100 mL經攪拌(50 RPM)之表面處理溶液中並在室溫下保持30秒。接著，在50℃下用異丙醇沖洗試片60秒，並使用加壓氮氣乾燥。
將試片置放於AST VCA 3000接觸角分析工具中並遵循以下程序量測接觸角：
1. 將SiO2 試片放至載台上。
2. 藉由順時針旋轉豎直旋鈕，使載台向上升，直至該試樣剛好在針下方。
3. 施配一滴去離子水，輕輕地觸摸該試樣表面，接著降低該試樣，直至該液滴與針尖分離。
4. 使用橫向旋鈕調整載台，使該液滴處於視場之中心。
5. 藉由沿導軌移動載台，將該液滴集中在視場中，得到清晰圖像。
6. 點擊「AutoFAST」按鈕以冷凍該圖像並計算。將展示二個數字；該等數字係左接觸角及右接觸角。
7. 為進行手動計算，使用滑鼠將五個標記放在液滴周圍。
8. 自主選項單選擇液滴圖標以計算接觸角。
9. 此將在該圖像上產生曲線擬合及切線。在螢幕之左側轉角中將展示二個數字；此等數字係左接觸角及右接觸角。
10. 在3個基體位置重複以上程序並對所得到的接觸角求平均值，且平均值結果報導於表1中。
表 1
1 「CA」係指接觸角(度)
2 「HMDSO」係指六甲基二矽氧烷
3 「PGMEA」係指丙二醇甲醚乙酸酯
如表1中所示，配製物1-20(其含有矽氧烷、強酸及任擇地非質子性溶劑)全部在SiO2 表面上展現出相對較大的接觸角。
實例2
藉由在室溫下混合各組分來製備表面處理溶液(亦即，配製物21-56)。配製物21-56之組成概述於下表2中。除非另外指明，否則表2中所列所有百分含量均為重量百分含量。
表2中之接觸角結果係使用與實例1中所概述相同之方法獲得。
表2中之矽柱崩潰測試結果係使用以下程序獲得：用配製物21-56處理圖案化晶圓。將Si柱(縱橫比為22)圖案化晶圓分割成0.5吋×0.5吋之試片。接著，將試片浸入經攪拌的25℃表面處理溶液中，保持180秒。自表面處理溶液中取出試片，在室溫下於含有異丙基之燒杯中沖洗30秒，並在含有經攪拌之50℃異丙醇的燒杯中沖洗60秒。接著，自異丙醇沖洗液中取出試片並在1吋工作距離處用垂直於試片定向的氮氣施配槍，在45 psi氣體壓力下乾燥。接著，藉由掃描電子顯微鏡檢查，在50000x放大率下分析試片的三個隨機選擇之位置並將未崩潰矽柱之數量列表。在該三個位置處未崩潰Si柱的平均數以佔所觀察的總Si柱之百分比報導於表2中。


表 2
1 「CA」係指接觸角(度)
2 「HMDSO」係指六甲基二矽氧烷
3 「Tetraglyme」係指四乙二醇二甲醚
如表2中所示，當用配製物21-37及45-56處理時，圖案化矽晶圓上之大部分矽柱在清潔或乾燥程序之後仍得以保持。此外，配製物36及37還在SiO2 表面上展現出相對較大的接觸角。相比之下，配製物38及39(不含pKa小於0之酸)在SiO2 表面上展現出相對較小的接觸角。
其他實施例在以下申請專利範圍之範圍內。

Claims (33)

  1. 一種用於處理一半導體基體之方法，該半導體基體具有一圖案安置於晶圓之一表面上，該方法包含： 使該表面與一表面處理組成物接觸以形成一表面處理層，使得該表面處理層具有至少約50度之一水接觸角，該表面處理組成物包含至少一種矽氧烷化合物以及至少一種添加劑，該至少一種添加劑包含一pKa為至多0之一酸或其一酸酐； 其中該圖案包含具有至多約20 nm之一尺寸的一形貌體。
  2. 如請求項1之方法，其中該至少一種矽氧烷化合物包含一二矽氧烷、一寡聚矽氧烷、一環矽氧烷或一多聚矽氧烷。
  3. 如請求項2之方法，其中該至少一種矽氧烷化合物包含六甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四正辛基二甲基二矽氧烷、雙(九氟己基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三氟丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二正丁基四甲基二矽氧烷、1,3-二正辛基四甲基二矽氧烷、1,3-二乙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基四甲基二矽氧烷、六正丁基二矽氧烷、六乙基二矽氧烷、六乙烯基二矽氧烷、1,1,1,3,3-五甲基-3-乙醯氧基二矽氧烷、1-烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(十七氟-1,1,2,2-四氫癸基)四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷(1,3-diallyltetrakis(trimethylsiloxy)disiloxane)、1,3-二烯丙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基肆(二甲基矽烷氧基)二矽氧烷、(3-氯丙基)五甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四環戊基二氯二矽氧烷、乙烯基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯異丁基)四甲基二矽氧烷、六苯基二矽氧烷、1,3-雙[(雙環[2.2.1]庚-2-烯基)乙基]四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3,3-三甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(氯甲基)四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基二甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基五甲基二矽氧烷、五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(4-羥基丁基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三乙氧基矽烷基乙基)四甲基二矽氧烷、3-胺基丙基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(2-胺基乙基胺基甲基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-羧基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二氯-1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,3-二乙炔基四甲基二矽氧烷、正丁基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二氯四苯基二矽氧烷、1,3-二氯四甲基二矽氧烷、1,3-二第三丁基二矽氧烷、1,3-二甲基四甲氧基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙氧基-1,3-二甲基二矽氧烷、乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、鉑-[1,3-雙(環己基)亞咪唑-2-基六氯二矽氧烷(platinum-[1,3-bis(cyclohexyl)imidazol-2-ylidene]hexachlorodisiloxane)、1,1,3,3-四異丙基-1-氯二矽氧烷、1,1,1-三甲基-3,3,3-三苯基二矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、3,3-二苯基四甲基三矽氧烷、3-苯基七甲基三矽氧烷、六甲基環三矽氧烷、正丙基七甲基三矽氧烷、1,5-二乙氧基六甲基三矽氧烷、3-乙基七甲基三矽氧烷、3-(四氫呋喃甲基氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(3,3,3-三氟丙基)七甲基三矽氧烷、1,1,3,5,5-五苯基-1,3,5-三甲基三矽氧烷、八甲基三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-1,3,3,5-四甲基三矽氧烷、六苯基環三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六甲基三矽氧烷、八氯三矽氧烷、3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基環三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基環三矽氧烷、3-(3-乙醯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(間十五烷基苯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、檸檬烯基三矽氧烷(limonenyltrisoloxane)、3-十二烷基七甲基三矽氧烷、3-辛基七甲基三矽氧烷、1,3,5-三苯基三甲基環三矽氧烷、1,1,1,3,3,5,5-七甲基三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六乙基-3-甲基三矽氧烷、1,5-二氯六甲基三矽氧烷、3-三十基七甲基三矽氧烷、3-(3-羥基丙基)七甲基三矽氧烷、六甲基環甲基膦醯氧基三矽氧烷、3-十八烷基七甲基三矽氧烷、呋喃甲基氧基三矽氧烷、肆(二甲基矽烷氧基)矽烷、1,1,3,3,5,5,7,7-八甲基四矽氧烷、一二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、一二甲基矽氧烷-[65-70%(60%環氧丙烷/40%環氧乙烷)]嵌段共聚物、雙(羥基丙基)四甲基二矽氧烷、四正丙基四甲基環四矽氧烷、八乙基環四矽氧烷、十甲基四矽氧烷、十二甲基環六矽氧烷、十二甲基五矽氧烷、十四甲基六矽氧烷、六苯基環三矽氧烷、聚二甲基矽氧烷、聚十八烷基甲基矽氧烷、二十六基封端之聚二甲基矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、聚(3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷)、三甲基矽烷氧基封端之聚二甲基矽氧烷、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-十甲基五矽氧烷或三乙基矽烷氧基封端之聚二乙基矽氧烷。
  4. 如請求項1之方法，其中該至少一種矽氧烷化合物係該表面處理組成物約0.1 wt%至約99.9 wt%。
  5. 如請求項1之方法，其中該至少一種添加劑包含甲烷磺酸、三氟甲烷磺酸、甲烷磺酸酐、三氟甲烷磺酸酐、乙酸酐、過氯酸、硝酸、硫酸、甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、氫碘酸、氫溴酸、氫氯酸、氯酸、三氯乙酸、三氟乙酸或氟硫酸。
  6. 如請求項1之方法，其中該至少一種添加劑係該表面處理組成物約0.1 wt%至約10 wt%。
  7. 如請求項1之方法，其中該表面處理組成物還包含至少一種有機溶劑。
  8. 如請求項7之方法，其中該至少一種有機溶劑選自由以下組成之群：酸酐、二醇醚、二醇醚乙酸酯、烷烴、芳族烴、碸、亞碸、酮、醛、酯、內醯胺、內酯、縮醛、半縮醛、醇、羧酸以及醚。
  9. 如請求項7之方法，其中該至少一種有機溶劑包含乙酸酐、丙二醇甲醚乙酸酯、一C6 -C16 烷烴、甲苯、二甲苯、均三甲苯(mesitylene)、四乙二醇二甲醚、丙二醇二甲醚、乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二丁醚、正二丁醚、二甲碸、環丁碸、苯甲醇、第三丁醇、第三戊醇、甲基乙基酮、乙酸或異丁基甲基酮。
  10. 如請求項7之方法，其中該至少一種有機溶劑係該表面處理組成物約3 wt%至約95 wt%。
  11. 如請求項1之方法，其中該表面處理組成物基本上不含水。
  12. 如請求項1之方法，其中該表面處理組成物由該至少一種矽氧烷化合物、該至少一種添加劑以及任擇地，至少一種有機溶劑組成。
  13. 如請求項1之方法，其還包含在該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與至少一種水性清潔溶液接觸。
  14. 如請求項13之方法，其中該至少一種水性清潔溶液包含水、一醇、氫氧化銨水溶液、氫氯酸水溶液、過氧化氫水溶液、一有機溶劑或其一組合。
  15. 如請求項13之方法，其還包含在該表面與該至少一種水性清潔溶液接觸之後但在該表面與該表面處理組成物接觸之前，使該表面與一第一沖洗溶液接觸。
  16. 如請求項15之方法，其還包含在該表面與該表面處理組成物接觸之後，使該表面與一第二沖洗溶液接觸。
  17. 如請求項1之方法，其還包含乾燥該表面。
  18. 如請求項1之方法，其還包含移除該表面處理層。
  19. 如請求項1之方法，其中該表面包含SiO2 、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge或W。
  20. 一種表面處理組成物，其包含： 含量為該表面處理組成物之約0.1 wt%至約99.9 wt%的至少一種矽氧烷化合物；以及 含量為該表面處理組成物之約0.1 wt%至約10 wt%的至少一種添加劑，其包含一pKa為至多0之一酸或其一酸酐。
  21. 如請求項20之組成物，其中該至少一種矽氧烷化合物包含一二矽氧烷、一寡聚矽氧烷、一環矽氧烷或一聚矽氧烷。
  22. 如請求項21之組成物，其中該至少一種矽氧烷化合物包含六甲基二矽氧烷、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3-二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四正辛基二甲基二矽 氧烷、雙(九氟己基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三氟丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二正丁基四甲基二矽氧烷、1,3-二正辛基四甲基二矽氧烷、1,3-二乙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基四甲基二矽氧烷、六正丁基二矽氧烷、六乙基二矽氧烷、六乙烯基二矽氧烷、1,1,1,3,3-五甲基-3-乙醯氧基二矽氧烷、1-烯丙基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(十七氟-1,1,2,2-四氫癸基)四甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四苯基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、1,3-二烯丙基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,3-二烯丙基四甲基二矽氧烷、1,3-二苯基肆(二甲基矽烷氧基)二矽氧烷、(3-氯丙基)五甲基二矽氧烷、1,3-二乙烯基肆(三甲基矽烷氧基)二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙烯基二甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四環戊基二氯二矽氧烷、乙烯基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯異丁基)四甲基二矽氧烷、六苯基二矽氧烷、1,3-雙[(雙環[2.2.1]庚-2-烯基)乙基]四甲基二矽氧烷、1,1,1-三乙基-3,3,3-三甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-甲基丙烯醯氧基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(氯甲基)四甲基二矽氧烷、1,1,3,3-四甲基-1,3-二乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四苯基二甲基二矽氧烷、甲基丙烯醯氧基五甲基二矽氧烷、五甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-氯丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(4-羥基丁基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(三乙氧基矽烷基乙基)四甲基二矽氧烷、3-胺基丙基五甲基二矽氧烷、1,3-雙(2-胺基乙基胺基甲基)四甲基二矽氧烷、1,3-雙(3-羧基丙基)四甲基二矽氧烷、1,3-二氯-1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、1,3-二乙炔基四甲基二矽氧烷、正丁基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3-二氯四苯基二矽氧烷、1,3-二氯四甲基二矽氧烷、1,3-二第三丁基二矽氧烷、1,3-二甲基四甲氧基二矽氧烷、1,3-二乙烯基四乙氧基二矽氧烷、1,1,3,3-四乙氧基-1,3-二甲基二矽氧烷、乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、鉑-[1,3-雙(環己基)亞咪唑-2-基六氯二矽氧烷、1,1,3,3-四異丙基-1-氯二矽氧烷、1,1,1-三甲基-3,3,3-三苯基二矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、3,3-二苯基四甲基三矽氧烷、3-苯基七甲基三矽氧烷、六甲基環三矽氧烷、正丙基七甲基三矽氧烷、1,5-二乙氧基六甲基三矽氧烷、3-乙基七甲基三矽氧烷、3-(四氫呋喃甲基氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(3,3,3-三氟丙基)七甲基三矽氧烷、1,1,3,5,5-五苯基-1,3,5-三甲基三矽氧烷、八甲基三矽氧烷、1,1,5,5-四苯基-1,3,3,5-四甲基三矽氧烷、六苯基環三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六甲基三矽氧烷、八氯三矽氧烷、3-苯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、(3,3,3-三氟丙基)甲基環三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三矽氧烷、1,3,5-三乙烯基-1,3,5-三甲基環三矽氧烷、3-(3-乙醯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、3-(間十五烷基苯氧基丙基)七甲基三矽氧烷、檸檬烯基三矽氧烷、3-十二烷基七甲基三矽氧烷、3-辛基七甲基三矽氧烷、1,3,5-三苯基三甲基環三矽氧烷、1,1,1,3,3,5,5-七甲基三矽氧烷、1,1,3,3,5,5-六甲基三矽氧烷、1,1,1,5,5,5-六乙基-3-甲基三矽氧烷、1,5-二氯六甲基三矽氧烷、3-三十基七甲基三矽氧烷、3-(3-羥基丙基)七甲基三矽氧烷、六甲基環甲基膦醯氧基三矽氧烷、3-十八烷基七甲基三矽氧烷、呋喃甲基氧基三矽氧烷、肆(二甲基矽烷氧基)矽烷、1,1,3,3,5,5,7,7-八甲基四矽氧烷、一二苯基矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物、1,3-二苯基-1,3-二甲基二矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、1,3-雙(三甲基矽烷氧基)-1,3-二甲基二矽氧烷、一二甲基矽氧烷-[65-70%(60%環氧丙烷/40%環氧乙烷)]嵌段共聚物、雙(羥基丙基)四甲基二矽氧烷、四正丙基四甲基環四矽氧烷、八乙基環四矽氧烷、十甲基四矽氧烷、十二甲基環六矽氧烷、十二甲基五矽氧烷、十四甲基六矽氧烷、六苯基環三矽氧烷、聚二甲基矽氧烷、聚十八烷基甲基矽氧烷、二十六基封端之聚二甲基矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、聚(3,3,3-三氟丙基甲基矽氧烷)、三甲基矽烷氧基封端之聚二甲基矽氧烷、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-十甲基五矽氧烷或三乙基矽烷氧基封端之聚二乙基矽氧烷。
  23. 如請求項20之組成物，其中該至少一種添加劑包含甲烷磺酸、三氟甲烷磺酸、甲烷磺酸酐、三氟甲烷磺酸酐、乙酸酐、過氯酸、硝酸、硫酸、甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、氫碘酸、氫溴酸、氫氯酸、氯酸、三氯乙酸、三氟乙酸或氟硫酸。
  24. 如請求項20之組成物，其還包含至少一種有機溶劑。
  25. 如請求項24之組成物，其中該至少一種有機溶劑選自由以下組成之群：酸酐、二醇醚、二醇醚乙酸酯、烷烴、芳族烴、碸、亞碸、酮、醛、酯、內醯胺、內酯、縮醛、半縮醛、醇、羧酸以及醚。
  26. 如請求項24之組成物，其中該至少一種有機溶劑包含乙酸酐、丙二醇甲醚乙酸酯、一C6 -C16 烷烴、甲苯、二甲苯、均三甲苯、四乙二醇二甲醚、丙二醇二甲醚、乙二醇二甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、二丙二醇二丁醚、正二丁醚、二甲碸、環丁碸、苯甲醇、第三丁醇、第三戊醇、甲基乙基酮、乙酸或異丁基甲基酮。
  27. 如請求項24之組成物，其中該至少一種有機溶劑係該表面處理組成物約3 wt%至約95 wt%。
  28. 如請求項20之組成物，其中該組成物基本上不含水。
  29. 如請求項20之組成物，其中該組成物在一表面上形成一表面處理層，使得該表面處理層具有至少約50度之一水接觸角。
  30. 一種表面處理組成物，其由以下組成： 含量為該表面處理組成物之約0.1 wt%至約99.9 wt%的至少一種矽氧烷化合物； 含量為該表面處理組成物之約0.1 wt%至約10 wt%的至少一種添加劑，其包含選自由磺酸以及磺酸酐組成之群的一化合物；以及 任擇地，至少一種有機溶劑。
  31. 一種製品，其包含： 一半導體基體；以及 由該半導體基體負載之一表面處理組成物，該表面處理組成物包含至少一種矽氧烷化合物以及至少一種添加劑，該至少一種添加劑包含一pKa為至多0之一酸或其一酸酐。
  32. 如請求項31之製品，其中該半導體基體係一矽晶圓、一銅晶圓、一二氧化矽晶圓、一氮化矽晶圓、一氮氧化矽晶圓、一以碳摻雜之氧化矽晶圓、一SiGe晶圓或一GaAs晶圓。
  33. 一種套組，其包含： 包含至少一種矽氧烷化合物之一第一容器；以及 包含至少一種添加劑之一第二容器，該至少一種添加劑包含一pKa為至多0之一酸或其一酸酐。
TW107147196A 2018-01-05 2018-12-26 表面處理組成物及方法 TWI813614B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862613849P 2018-01-05 2018-01-05
US62/613,849 2018-01-05
US201862649685P 2018-03-29 2018-03-29
US62/649,685 2018-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201930328A true TW201930328A (zh) 2019-08-01
TWI813614B TWI813614B (zh) 2023-09-01

Family

ID=67140524

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107147196A TWI813614B (zh) 2018-01-05 2018-12-26 表面處理組成物及方法

Country Status (9)

Country Link
US (2) US11174394B2 (zh)
EP (1) EP3735325A4 (zh)
JP (1) JP7384332B2 (zh)
KR (1) KR20200100132A (zh)
CN (1) CN111565859B (zh)
IL (1) IL275626B2 (zh)
SG (1) SG11202005938SA (zh)
TW (1) TWI813614B (zh)
WO (1) WO2019135901A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3602606B1 (en) 2017-03-24 2024-06-26 FUJIFILM Electronic Materials U.S.A., Inc. Surface treatment methods and compositions therefor
EP3735325A4 (en) 2018-01-05 2021-03-03 FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. SURFACE TREATMENT COMPOSITIONS AND METHODS
US20210171798A1 (en) * 2018-05-18 2021-06-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill Compositions, devices, and methods for improving a surface property of a substrate
US20200035494A1 (en) * 2018-07-30 2020-01-30 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Surface Treatment Compositions and Methods
US11500290B2 (en) * 2018-11-13 2022-11-15 International Business Machines Corporation Adhesion promoters
CN113166585A (zh) * 2018-11-26 2021-07-23 3M创新有限公司 可固化涂料组合物、方法和制品
US11414631B2 (en) 2019-05-24 2022-08-16 NuGeneration Technologies, LLC Composition comprising an oxygenated solvent and a siloxane solvent for the removal of silicone deposits
CN111286281A (zh) * 2020-04-11 2020-06-16 东莞市美鑫工业胶带有限公司 一种排泡性好的ab双面胶及其制备方法
KR20230038181A (ko) * 2020-07-09 2023-03-17 바스프 에스이 50 nm 이하의 라인 간격 치수를 갖는 패턴화 재료를 처리할 때 패턴 붕괴를 방지하기 위한 실록산 및 알칸을 포함하는 조성물
US20230317464A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Surface Treatment Compositions and Methods
WO2023195654A1 (ko) * 2022-04-05 2023-10-12 솔브레인 주식회사 박막 개질 조성물, 이를 이용한 박막 형성 방법, 이로부터 제조된 반도체 기판 및 반도체 소자
WO2023195657A1 (ko) * 2022-04-05 2023-10-12 솔브레인 주식회사 박막 개질 조성물, 이를 이용한 박막 형성 방법, 이로부터 제조된 반도체 기판 및 반도체 소자

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2650363C2 (de) * 1976-11-03 1985-10-10 Rosenthal Technik Ag, 8672 Selb Verbundisolator für Hochspannungsfreiluft-Anwendungen
JPS6032338B2 (ja) 1977-03-16 1985-07-27 太陽誘電株式会社 導電性塗料焼付電極を有する磁器コンデンサ
JPS54107442A (en) 1978-02-09 1979-08-23 Nippon Boshoku Kogyo Kk External source type* electrical corrosion preventive anode system for bottom portion of outdoor steel container
US4689168A (en) * 1984-06-08 1987-08-25 The Drackett Company Hard surface cleaning composition
JP3373866B2 (ja) 1992-05-21 2003-02-04 株式会社イシダ ラベル発行機
JPH08143855A (ja) * 1994-09-21 1996-06-04 Asahi Glass Co Ltd 表面処理用組成物
DE69832127T2 (de) * 1997-06-04 2006-07-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Wässrige Siliconzusammensetzung
DE19735368A1 (de) 1997-08-14 1999-02-18 Univ Karlsruhe Polymere Metallbeschichtung
JP4270708B2 (ja) * 1999-04-23 2009-06-03 富士通株式会社 ケイ素含有ポリマ、その製造方法、それを用いたレジスト組成物、パターン形成方法および電子デバイスの製造方法
KR100849404B1 (ko) * 1999-08-19 2008-07-31 가부시키가이샤 시세이도 선스크린 화장제
US6318124B1 (en) 1999-08-23 2001-11-20 Alliedsignal Inc. Nanoporous silica treated with siloxane polymers for ULSI applications
CN1218222C (zh) 2000-07-10 2005-09-07 Ekc技术公司 用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物
JP4535603B2 (ja) * 2000-11-17 2010-09-01 信越化学工業株式会社 分岐型ポリシロキサンを含有する化粧料
US6656894B2 (en) * 2000-12-07 2003-12-02 Ashland Inc. Method for cleaning etcher parts
JP2002241695A (ja) * 2000-12-15 2002-08-28 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 撥水性シリコーンコーティング剤組成物
JP3639812B2 (ja) * 2001-12-04 2005-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
TW200409669A (en) 2002-04-10 2004-06-16 Dow Corning Ireland Ltd Protective coating composition
FR2839516B1 (fr) * 2002-05-13 2006-08-04 Pierre Bruno Grascha Formulation de detergent d'atelier
US7345000B2 (en) 2003-10-10 2008-03-18 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a dielectric film
US7041226B2 (en) 2003-11-04 2006-05-09 Lexmark International, Inc. Methods for improving flow through fluidic channels
US20070218811A1 (en) * 2004-09-27 2007-09-20 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp polishing slurry and method of polishing substrate
KR101331747B1 (ko) 2005-01-27 2013-11-20 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 반도체 기판 처리 조성물
WO2006132694A2 (en) * 2005-04-01 2006-12-14 Clemson University Ultrahydrophobic substrates
EP1885939B1 (en) * 2005-05-23 2010-10-27 Dow Corning Corporation Surface treatment compositions comprising saccharide-siloxane copolymers
US7871536B2 (en) * 2005-09-12 2011-01-18 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Additives to prevent degradation of cyclic alkene derivatives
JP2007264352A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Daicel Chem Ind Ltd リソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤
US7807219B2 (en) * 2006-06-27 2010-10-05 Lam Research Corporation Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials
US7500397B2 (en) * 2007-02-15 2009-03-10 Air Products And Chemicals, Inc. Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films
TW200941582A (en) * 2007-10-29 2009-10-01 Ekc Technology Inc Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
EP2085442A1 (de) * 2008-02-01 2009-08-05 Evonik Degussa GmbH Fluorhaltige Zusammensetzungen mit verbesserten Oberflächeneigenschaften
US7838425B2 (en) 2008-06-16 2010-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of treating surface of semiconductor substrate
KR20170092714A (ko) 2008-10-21 2017-08-11 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 표면 처리액 및 표면 처리 방법, 그리고 소수화 처리 방법 및 소수화된 기판
JP2010129932A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 表面処理方法及び表面処理液
US9053924B2 (en) 2008-12-26 2015-06-09 Central Glass Company, Limited Cleaning agent for silicon wafer
KR101075200B1 (ko) 2009-01-21 2011-10-19 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 실리콘 웨이퍼용 세정제, 실리콘 웨이퍼의 세정과정 중에 사용되는 발수성 세정제, 실리콘 웨이퍼 표면의 세정방법
JP5324361B2 (ja) 2009-08-28 2013-10-23 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP5663160B2 (ja) 2009-09-28 2015-02-04 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP5680932B2 (ja) 2009-11-13 2015-03-04 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
JP5708191B2 (ja) * 2010-05-19 2015-04-30 セントラル硝子株式会社 保護膜形成用薬液
US9228120B2 (en) 2010-06-07 2016-01-05 Central Glass Company, Limited Liquid chemical for forming protecting film
SG185632A1 (en) 2010-06-07 2012-12-28 Central Glass Co Ltd Liquid chemical for foaming protecting film
JP5716527B2 (ja) 2010-06-28 2015-05-13 セントラル硝子株式会社 撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法
JP2012033880A (ja) 2010-06-30 2012-02-16 Central Glass Co Ltd 撥水性保護膜形成用薬液
JP2012015335A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Central Glass Co Ltd 保護膜形成用薬液、および、ウェハ表面の洗浄方法
SG187959A1 (en) * 2010-08-27 2013-03-28 Advanced Tech Materials Method for preventing the collapse of high aspect ratio structures during drying
US8828144B2 (en) * 2010-12-28 2014-09-09 Central Grass Company, Limited Process for cleaning wafers
US20120164818A1 (en) 2010-12-28 2012-06-28 Central Glass Company, Limited Process for Cleaning Wafers
JP6213616B2 (ja) 2011-10-28 2017-10-18 セントラル硝子株式会社 保護膜形成用薬液の調製方法
JP5953721B2 (ja) 2011-10-28 2016-07-20 セントラル硝子株式会社 保護膜形成用薬液の調製方法
JP5288147B2 (ja) 2011-11-29 2013-09-11 セントラル硝子株式会社 保護膜形成用薬液の調製方法
JP5974514B2 (ja) 2012-02-01 2016-08-23 セントラル硝子株式会社 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法
JP5969253B2 (ja) 2012-02-10 2016-08-17 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP2013168583A (ja) 2012-02-16 2013-08-29 Toagosei Co Ltd 表面処理剤および表面処理方法
JP6151484B2 (ja) * 2012-06-11 2017-06-21 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法
CN103865379A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 深圳富泰宏精密工业有限公司 聚二甲基硅氧烷溶胶，应用该聚二甲基硅氧烷溶胶对金属基体进行表面处理的方法及制品
JP2014148658A (ja) 2013-01-30 2014-08-21 Dow Corning Corp 表面処理用組成物、表面処理された物品の調製方法及び表面処理された物品
JP6221279B2 (ja) * 2013-03-18 2017-11-01 富士通株式会社 レジスト組成物の製造方法及びパターン形成方法
JP6191372B2 (ja) 2013-10-04 2017-09-06 セントラル硝子株式会社 ウェハの洗浄方法
EP3060642B1 (en) * 2013-10-21 2019-11-06 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Cleaning formulations for removing residues on surfaces
JP2017516310A (ja) 2014-05-12 2017-06-15 東京エレクトロン株式会社 フレキシブルなナノ構造の乾燥を改善するための方法及びシステム
CN105713739B (zh) * 2014-12-05 2018-03-13 中国石油天然气股份有限公司 复合清洁剂
EP3274699B1 (en) * 2015-03-26 2023-12-20 Life Technologies Corporation Method for treating fet sensor arrays and resulting sensor devices
JP6564312B2 (ja) * 2015-03-31 2019-08-21 東京応化工業株式会社 表面処理方法及び表面処理液
US9703202B2 (en) * 2015-03-31 2017-07-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Surface treatment process and surface treatment liquid
US9976037B2 (en) 2015-04-01 2018-05-22 Versum Materials Us, Llc Composition for treating surface of substrate, method and device
JP6592303B2 (ja) 2015-08-14 2019-10-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄方法および基板洗浄装置
US10093815B2 (en) 2015-09-24 2018-10-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Surface treatment agent and surface treatment method
CN105499228B (zh) * 2015-11-25 2017-08-25 中锗科技有限公司 一种太阳能锗片包装用晶圆盒的清洗方法
JP6703256B2 (ja) * 2016-03-15 2020-06-03 セントラル硝子株式会社 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液、及びウェハの洗浄方法
JP6681796B2 (ja) 2016-06-21 2020-04-15 東京応化工業株式会社 シリル化剤溶液、表面処理方法、及び半導体デバイスの製造方法
US9653307B1 (en) * 2016-07-14 2017-05-16 Micron Technology, Inc. Surface modification compositions, methods of modifying silicon-based materials, and methods of forming high aspect ratio structures
JP6310583B2 (ja) 2017-02-10 2018-04-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
EP3602606B1 (en) 2017-03-24 2024-06-26 FUJIFILM Electronic Materials U.S.A., Inc. Surface treatment methods and compositions therefor
KR20190049530A (ko) * 2017-10-31 2019-05-09 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 표면 처리 방법, 표면 처리액, 및 표면 처리된 물품
JP6916731B2 (ja) * 2017-12-28 2021-08-11 東京応化工業株式会社 基板の撥水化方法、表面処理剤、及び基板表面を洗浄液により洗浄する際の有機パターン又は無機パターンの倒れを抑制する方法
US10941301B2 (en) * 2017-12-28 2021-03-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Surface treatment method, surface treatment agent, and method for forming film region-selectively on substrate
EP3735325A4 (en) 2018-01-05 2021-03-03 FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. SURFACE TREATMENT COMPOSITIONS AND METHODS

Also Published As

Publication number Publication date
TWI813614B (zh) 2023-09-01
US11174394B2 (en) 2021-11-16
IL275626B1 (en) 2024-03-01
JP7384332B2 (ja) 2023-11-21
US20210122925A1 (en) 2021-04-29
IL275626A (en) 2020-08-31
KR20200100132A (ko) 2020-08-25
IL275626B2 (en) 2024-07-01
US20190211210A1 (en) 2019-07-11
EP3735325A1 (en) 2020-11-11
SG11202005938SA (en) 2020-07-29
CN111565859B (zh) 2022-12-30
WO2019135901A1 (en) 2019-07-11
US11447642B2 (en) 2022-09-20
EP3735325A4 (en) 2021-03-03
CN111565859A (zh) 2020-08-21
JP2021509776A (ja) 2021-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201930328A (zh) 表面處理組成物及方法
JP7502388B2 (ja) 表面処理方法およびそのための組成物
KR102434147B1 (ko) 반도체 기판상의 잔류물을 제거하기 위한 세정 제형
KR102499429B1 (ko) 세정 제형
TWI804519B (zh) 蝕刻組成物
JP7506053B2 (ja) 表面処理用組成物及び表面処理方法
CN114072488A (zh) 蚀刻组合物
WO2023192000A1 (en) Surface treatment compositions and methods
CN118344845A (zh) 表面处理方法及用于所述方法的组合物