JP7384332B2 - 表面処理組成物及び表面処理方法 - Google Patents

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Description

相互参照
本出願は、その全内容が参照により本明細書に援用される2018年1月5日に出願された米国仮特許出願第62/613,849号及び2018年3月29日に出願された米国仮特許出願第62/649,685号の優先権を主張するものである。
本開示は、表面処理全般に関し、より詳細には、疎水性層の形成が所望される半導体表面の液体処理に関する。
20nmよりも小さい限界寸法において、湿式洗浄及び乾燥の過程でのFin FET及び誘電体スタックのパターン倒壊は、半導体製造プロセスにおける主要な課題となってきた。パターン倒壊の従来の理論では、前記倒壊現象に繋がる主因としてリンス及び乾燥時の高い毛細管力が示唆されている。しかし、他の化学物質及び基板の特性も、重要な役割を担っている可能性があり、すなわち、液体の表面張力及び粘度、基板の機械的強度、パターンの密度及びアスペクト比、並びに洗浄剤の化学反応による基板表面に対する損傷である。
半導体基板(例:シリコンウェハ又は銅ウェハ)の表面に疎水性層(例:疎水性単層)を付与する低表面張力改質液が、乾燥プロセス時にパターン倒壊を引き起こす毛細管力を最小限に抑えることができることが見出された。理論に束縛されるものではないが、接触角、すなわち基板表面との接触時に液体(例:水)が作る角度が、90度又は90度に近い場合、ラプラス圧が最小限に抑えられるものと考えられる。このことと低表面張力液体の存在との組み合わせによって、パターン倒壊を引き起こす前記力を大きく低下させることができる。
全体として、本開示は、半導体基板(例:パターン化ウェハ)のパターン化表面を処理するための方法及び組成物を提供するものであり、前記表面上に疎水性層が形成され、それによって、半導体製造プロセスにおいて前記表面が典型的な洗浄及び乾燥工程に掛けられた場合に、パターン倒壊が最小限に抑えられる、又は防止される。本明細書で開示される方法は、前記処理された表面が約50度以上の水接触角を有するように、前記表面上に疎水性層を形成する組成物を用いる。
1つの態様では、本開示は、ウェハの表面上に配置されたパターンを有する半導体基板を処理するための方法に関する。そのような方法は、前記表面を表面処理組成物と接触させて、表面処理層を、前記表面処理層が約50度以上の水接触角を有するように形成することを含み得る。前記表面処理組成物は、少なくとも1つのシロキサン化合物及び少なくとも1つの添加剤を含み得る(例:それらを含み得る、それらから成り得る、又は、それらから本質的になり得る)。前記少なくとも1つの添加剤は、0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含む。前記パターンは、約20nm以下の寸法を有するフィーチャ(Feature)を含み得る。
別の態様では、本開示は、(1)前記表面処理組成物の約0.1重量%~約99.9重量%の量の少なくとも1つのシロキサン化合物;及び(2)0以下のpKaを有する酸、又はその無水物を含み、前記表面処理組成物の約0.1重量%~約10重量%の量である少なくとも1つの添加剤、を含む表面処理組成物に関する。
別の態様では、本開示は、(1)前記表面処理組成物の約0.1重量%~約99.9重量%の量の少なくとも1つのシロキサン化合物;(2)スルホン酸及び無水スルホン酸から成る群より選択される化合物を含み、前記表面処理組成物の約0.1重量%~約10重量%の量である少なくとも1つの添加剤;及び(3)所望に応じて、少なくとも1つの有機溶媒、から成る表面処理組成物に関する。
別の態様では、本開示は、半導体基板、及び前記半導体基板によって支持された表面処理組成物を含む物品に関する。前記表面処理組成物は、少なくとも1つのシロキサン化合物及び少なくとも1つの添加剤を含み得る。前記少なくとも1つの添加剤は、0以下のpKaを有する酸、又はその無水物を含む。
さらに別の態様では、本開示は、少なくとも1つのシロキサン化合物を含む第一の容器、及び少なくとも1つの添加剤を含む第二の容器を含むキットに関する。前記少なくとも1つの添加剤は、0以下のpKaを有する酸、又はその無水物を含み得る。
本発明の他の特徴、目的、及び利点は、本明細書及び請求項から明らかとなるであろう。
いくつかの実施形態では、本開示は、表面処理方法に関する。そのような方法は、例えば、基板(例:シリコンウェハ又は銅ウェハなどの半導体基板)の表面(例:パターンを有する表面)を、少なくとも1つ(例:2、3、又は4つ)のシロキサン化合物及び0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含む少なくとも1つ(例:2、3、又は4つ)の添加剤を含む表面処理組成物と接触させることによって行うことができる。前記パターンは、約20nm以下の寸法を有するフィーチャ(Feature)を含み得る。一般に、前記表面処理組成物は、前記表面が約50度以上の水接触角を有するように、前記表面上に表面処理層(例:疎水性単層)を形成する。
いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理組成物によって処理することができる半導体基板は、シリコン、シリコンゲルマニウム、窒化ケイ素、銅、GaAsなどの第III~V族化合物、又はこれらのいずれかの組み合わせから構築されている。いくつかの実施形態では、前記半導体基板は、シリコンウェハ、銅ウェハ、二酸化ケイ素ウェハ、窒化ケイ素ウェハ、酸窒化ケイ素ウェハ、炭素ドープ酸化ケイ素ウェハ、SiGeウェハ、又はGaAsウェハであってよい。前記半導体基板はさらに、その表面に、相互接続フィーチャなどの露出した集積回路構造(例:金属線及び誘電体材料)を含有してもよい。相互接続フィーチャに用いられる金属及び金属合金としては、これらに限定されないが、アルミニウム、銅との合金化アルミニウム、銅、チタン、タンタル、コバルト、ニッケル、シリコン、ポリシリコン 窒化チタン、窒化タンタル、スズ、タングステン、SnAg、SnAg/Ni、CuNiSn、CuCoCu、及び/又はCoSnが挙げられる。前記半導体基板は、層間誘電体、酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、炭化ケイ素、酸化炭化ケイ素、酸化窒化ケイ素、酸化チタン、及び/又は炭素ドープ酸化ケイ素の層を含有してもよい。
いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理組成物によって処理されるべき前記半導体基板表面は、SiO、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge、及び/又はWを含有するフィーチャを含む。いくつかの実施形態では、前記基板半導体表面は、SiO及び/又はSiNを含有するフィーチャを含む。
一般に、本明細書で述べる表面処理組成物によって処理されるべき前記半導体基板表面は、それまでの半導体製造プロセス(例:フォトレジスト層の適用、前記フォトレジスト層の化学線への露光、前記フォトレジスト層の現像、前記フォトレジスト層の下の前記半導体基板のエッチング、及び/又は前記フォトレジスト層の除去、を含むリソグラフィプロセス)によって形成されたパターンを含む。いくつかの実施形態では、前記パターンは、約20nm以下(例:約15nm以下、約10nm以下、又は約5nm以下)及び/又は約1nm以上(例:約2nm以上又は約5nm以上)の少なくとも1つ(例:2つ又は3つ)の寸法(例:長さ、幅、及び/又は深さ)を有するフィーチャを含み得る。
一般に、本明細書で述べる表面処理組成物は、少なくとも1つ(2つ、3つ、又は4つ)のシロキサン化合物及び少なくとも1つ(2つ、3つ、又は4つ)の添加剤を含み得る。シロキサン化合物は、ジシロキサン、オリゴシロキサン、シクロシロキサン、又はポリシロキサンであってよい。本明細書で用いられる場合、「オリゴシロキサン」の用語は、3~6個のシロキサン単位を有する化合物を意味し、「ポリシロキサン」の用語は、7個以上のシロキサン単位を有する化合物を意味する。
本明細書で述べる表面処理組成物に用いることができる適切なシロキサン化合物の例としては、ヘキサメチルジシロキサン、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラ-n-オクチルジメチルジシロキサン、ビス(ノナフルオロヘキシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリフルオロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-ブチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-オクチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジエチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラメチル-ジシロキサン、ヘキサ-n-ブチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキサビニルジシロキサン、1,1,1,3,3-ペンタメチル-3-アセトキシジシロキサン、1-アリル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシル)-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラメチル-ジシロキサン、1,3-ジアリルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,3-ジアリルテトラメチル-ジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサン、(3-クロロプロピル)ペンタメチル-ジシロキサン、1,3-ジビニルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピル-ジシロキサン、1,1,3,3-テトラビニルジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラシクロペンチルジクロロ-ジシロキサン、ビニルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロイソブチル)テトラメチルジシロキサン、ヘキサフェニルジシロキサン、1,3-ビス[(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エニル)エチル]テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3,3-トリメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-メタクリロキシプロピル)テトラメチル-ジシロキサン、1,3-ビス(クロロメチル)テトラメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニルジメチルジシロキサン、メタクリロキシペンタメチル-ジシロキサン、ペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(4-ヒドロキシブチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリエトキシシリルエチル)テトラメチル-ジシロキサン、3-アミノプロピルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(2-アミノエチルアミノメチル)-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-カルボキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロ-1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,3-ジエチニルテトラメチルジシロキサン、n-ブチル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラメチル-ジシロキサン、1,3-ジ-t-ブチルジシロキサン、1,3-ジメチルテトラメトキシジシロキサン、1,3-ジビニルテトラエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラエトキシ-1,3-ジメチルジシロキサン、ビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、白金-[1,3-ビス(シクロヘキシル)イミダゾール-2-イリデンヘキサクロロジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピル-1-クロロジシロキサン、1,1,1-トリメチル-3,3,3-トリフェニルジシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、3,3-ジフェニル-テトラメチルトリシロキサン、3-フェニルヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、n-プロピルヘプタメチルトリシロキサン、1,5-ジエトキシヘキサメチルトリシロキサン、3-エチルヘプタメチル-トリシロキサン、3-(テトラヒドロフルフリルオキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(3,3,3-トリフルオロプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,5,5-ペンタフェニル-1,3,5-トリメチルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-1,3,3,5-テトラメチルトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、オクタクロロトリシロキサン、3-フェニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、(3,3,3-トリフルオロプロピル)メチルシクロトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,3,5-トリメチルシクロトリシロキサン、3-(3-アセトキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(m-ペンタデシルフェノキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、リモネニルトリシロキサン、3-ドデシルヘプタメチルトリシロキサン、3-オクチルヘプタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリフェニルトリメチルシクロトリシロキサン、1,1,1,3,3,5,5-ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサエチル-3-メチルトリシロキサン、1,5-ジクロロヘキサメチルトリシロキサン、3-トリアコンチルへプタメチルトリシロキサン、3-(3-ヒドロキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロメチルホスホノキシトリシロキサン、3-オクタデシルヘプタメチルトリシロキサン、フルフリルオキシトリシロキサン、テトラキス(ジメチルシロキシ)シラン、1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサン、ジフェニルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、ジメチルシロキサン-[65~70%(60%プロピレンオキシド/40%エチレンオキシド)]ブロックコポリマー、ビス(ヒドロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、テトラ-n-プロピルテトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタエチルシクロテトラシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン、テトラデカメチルヘキサシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ポリオクタデシルメチルシロキサン、ヘキサコシル末端ポリジメチルシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ポリ(3,3,3-トリフルオロプロピルメチルシロキサン)、トリメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-デカメチルペンタシロキサン、及びトリエチルシロキシ末端ポリジエチルシロキサンが挙げられる。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、本明細書で述べる表面処理組成物の約0.1重量%以上(例:約1重量%以上、約5重量%以上、約10重量%以上、約20重量%以上、約30重量%以上、約40重量%以上、約50重量%以上、約60重量%以上、約70重量%以上、約80重量%以上、約90重量%以上、約95重量%以上、約97重量%以上、又は約99重量%以上)から約99.9重量%以下(例:約99重量%以下、約98重量%以下、約96重量%以下、約94重量%以下、約92重量%以下、約90重量%以下、約85重量%以下、約80重量%以下、約75重量%以下、約70重量%以下、約65重量%以下、約60重量%以下、約55重量%以下、又は約55重量%以下)であってよい。
いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理組成物に用いることが想定される前記添加剤は、0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含み得る。そのような酸又はその無水物の例としては、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水メタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸、過塩素酸、硝酸、硫酸、トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ヨウ化水素酸、臭化水素酸、塩化水素酸、塩素酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、及びフルオロ硫酸が挙げられる。いくつかの実施形態では、前記少なくとも1つの添加剤は、さらに、0以下のpKaを有する酸とは異なる第二の添加剤(例:0以上のpKaを有する酸又はその無水物)を含み得る。そのような第二の添加剤の例は、無水酢酸である。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも1つの添加剤は、本明細書で述べる表面処理組成物の約0.1重量%以上(例:約0.5重量%以上、約1重量%以上、約1.5重量%以上、約2重量%以上、約2.5重量%以上、約3重量%以上、約3.5重量%以上、約4重量%以上、約4.5重量%以上、又は約5重量%以上)から約10重量%以下(例:約9重量%以下、約8重量%以下、約7重量%以下、約6重量%以下、約5重量%以下、約4重量%以下、又は約3重量%以下)であってよい。
理論に束縛されるものではないが、前記表面処理組成物の使用時に、前記添加剤(例:強酸)は、前記シロキサン化合物と反応してシリル化化合物を形成することができ、これが、処理されるべき前記表面上での疎水性シロキサン単位の形成を促進することができ、そしてそれによって、リンス又は乾燥プロセスの過程でパターン倒壊を引き起こす前記毛細管力を最小限に抑えることができるものと考えられる。
いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理組成物は、さらに、無水物、グリコールエーテル、グリコールエーテルアセテート、アルカン、芳香族炭化水素、スルホン、スルホキシド、ケトン、アルデヒド、エステル、ラクタム、ラクトン、アセタール、ヘミアセタール、アルコール、カルボン酸(例:0以上のpKaを有するカルボン酸)、及びエーテルなどの少なくとも1つの有機溶媒を含んでもよい。適切な溶媒の例としては、無水酢酸、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、C-C16アルカン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、n-ジブチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ベンジルアルコール、t-ブチルアルコール、t-アミルアルコール、メチルエチルケトン、酢酸、及びイソブチルメチルケトンが挙げられる。いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理組成物は、実質的に有機溶媒を含んでいなくてもよい。
いくつかの実施形態では、前記少なくとも1つの有機溶媒は、本明細書で述べる表面処理組成物の約3重量%以上(例:約5重量%以上、約10重量%以上、約20重量%以上、約30重量%以上、約40重量%以上、約50重量%以上、約60重量%以上、約70重量%以上、約80重量%以上、又は約90重量%以上)から約95重量%以下(例:約85重量%以下、約75重量%以下、約65重量%以下、約55重量%以下、約45重量%以下、約35重量%以下、又は約25重量%以下)であってよい。
いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理組成物は、3種類の成分、すなわち、(1)少なくとも1つのシロキサン化合物、(2)少なくとも1つの添加剤、及び(3)少なくとも1つの有機溶媒しか含まなくてもよい。いくつかの実施形態では、前記少なくとも1つの有機溶媒は、所望に応じて存在してよいものであり、本明細書で述べる表面処理組成物から除外されてもよい。いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理組成物は、実質的に溶媒(水又は有機溶媒など)を含んでいなくもてよい。本明細書で用いられる場合、「実質的に含まない」の用語は、成分の重量%が、約0.1%以下(例:約0.05%以下、約0.01%以下、約0.005%以下、約0.001%以下、又は約0%)であることを意味する。
理論に束縛されるものではないが、前記表面処理組成物は、半導体基板のパターン化表面上に、前記パターン化表面が約50度以上(例:約55度以上、約60度以上、約65度以上、約70度以上、約75度以上、約80度以上、約85度以上、約89度以上、約90度以上、約95度以上、又は約100度以上)の水接触角を有するように表面処理層(例:疎水性単層などの疎水性層)を形成することができるものと考えられる。理論に束縛されるものではないが、そのような表面処理層は、前記半導体製造プロセスにおいて典型的に用いられる乾燥工程時に、前記半導体基板上の前記パターン化フィーチャ(例:約20nm以下の寸法を有する)の前記倒壊を防止することができる又は最小限に抑えることができるものと考えられる。
いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理組成物は、前記添加剤成分の1又は複数を、2つ以上の場合はいずれの組み合わせであっても、特に除外してもよい。そのような成分は、非芳香族炭化水素、シラザン(例:環状シラザン又はヘテロ環式シラザン)、プロトン性溶媒(例:アルコール又はアミド)、ラクトン(例:5員環又は6員環のラクトン)、ある特定のSi含有化合物(例:Si-H基又はアミノシリル基を有する)、ポリマー、酸素捕捉剤、四級水酸化アンモニウムを含む四級アンモニウム塩、アミン、塩基(アルカリ性塩基(例:NaOH、KOH、LiOH、Mg(OH)、及びCa(OH))など)、界面活性剤、消泡剤、フッ化物含有化合物(例:HF、HSiF、HPF、HBF、NHF、及びフッ化テトラアルキルアンモニウム)、酸化剤(例:過酸化物、過酸化水素、硝酸第二鉄、ヨウ素酸カリウム、過マンガン酸カリウム、硝酸、亜塩素酸アンモニウム、塩素酸アンモニウム、ヨウ素酸アンモニウム、過ホウ酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、過ヨウ素酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、亜塩素酸テトラメチルアンモニウム、塩素酸テトラメチルアンモニウム、ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過ホウ酸テトラメチルアンモニウム、過塩素酸テトラメチルアンモニウム、過ヨウ素酸テトラメチルアンモニウム、過硫酸テトラメチルアンモニウム、過酸化尿素、及び過酢酸)、研磨剤、シリケート、ヒドロキシカルボン酸、アミノ基を含まないカルボン酸及びポリカルボン酸、シラン(例:アルコキシシラン)、本明細書で述べるシクロシロキサン以外の環状化合物(例:置換若しくは無置換のナフタレン、又は置換若しくは無置換のビフェニルエーテルなど、少なくとも2つの環を含有する環状化合物)、キレート化剤(例:アゾール、ジアゾール、トリアゾール、又はテトラゾール)、腐食防止剤(アゾール又は非アゾール腐食防止剤など)、緩衝剤、グアニジン、グアニジン塩、ピロリドン、ポリビニルピロリドン、ハロゲン化金属、並びに金属含有触媒から成る群より選択される。
いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理方法は、さらに、基板の前記表面を、前記表面を表面処理組成物と接触させる前に、少なくとも1つの洗浄水溶液と接触させることを含んでもよい。そのような実施形態では、前記少なくとも1つの洗浄水溶液は、水、アルコール、水酸化アンモニウム水溶液、塩化水素水溶液、過酸化水素水溶液、有機溶媒、又はこれらの組み合わせを含み得る。
いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理方法は、さらに、基板の前記表面を、前記表面を前記少なくとも1つの洗浄水溶液と接触させた後であるが、前記表面を前記表面処理組成物と接触させる前に、第一のリンス溶液(例:水、イソプロパノールなどの有機溶媒、又はこれらの組み合わせ)と接触させることを含んでもよい。いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理方法は、さらに、前記表面を前記表面処理組成物と接触させた後に、前記表面を、第二のリンス溶液(例:水、イソプロパノールなどの有機溶媒、又はこれらの組み合わせ)と接触させることを含んでもよい。いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理方法は、さらに、前記表面を乾燥させることを含んでもよい(例:前記表面を第一のリンス溶液と、前記表面処理組成物と、又は前記第二のリンス溶液と接触させた後に)。いくつかの実施形態では、本明細書で述べる表面処理方法は、さらに、前記表面から前記表面処理層を除去することを含んでもよい。
いくつかの実施形態では、本開示は、表面上にパターンが配置された半導体基板(例:ウェハ)を洗浄するための方法を提供する。そのような方法は、例えば:
a)所望に応じて、前記表面を洗浄水溶液と接触させること;
b)所望に応じて、前記表面を第一のリンス溶液と接触させること;
c)前記表面を、表面処理組成物と接触させることであって、前記表面処理組成物は、少なくとも1つのシロキサン化合物、及び0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含む少なくとも1つの添加剤、を含み、並びに前記表面処理組成物は、前記表面上に表面処理層を、前記表面が約50度以上の水接触角を有するように形成する、表面処理組成物と接触させること;
d)所望に応じて、前記表面を第二のリンス溶液と接触させること;
e)前記表面を乾燥すること;及び
f)所望に応じて、前記表面処理層を除去して、洗浄されたパターン化表面を形成すること、
によって実施されてよい。そのような実施形態では、前記パターンは、約20nm以下の寸法を有するフィーチャを含み得る。
上記で述べた方法の工程a)では、パターン化表面を有する前記基板(例:ウェハ)は、所望に応じて、1又は複数の洗浄水溶液で処理されてもよい。前記パターン化表面が2つ以上の洗浄水溶液で処理される場合、前記洗浄溶液は、順に適用されてよい。前記洗浄水溶液は、水単独であってよく、又は水、溶質、及び所望に応じて有機溶媒を含有する溶液であってもよい。いくつかの実施形態では、前記洗浄水溶液は、水、アルコール(例:イソプロパノールなどの水溶性アルコール)、水酸化アンモニウム水溶液、塩化水素水溶液、過酸化水素水溶液、有機溶媒(例:水溶性有機溶媒)、又はこれらの組み合わせを含み得る。
工程b)では、工程a)からの前記洗浄溶液は、所望に応じて、第一のリンス溶液を用いて洗い流されてもよい。前記第一のリンス溶液は、水(例:イソプロパノール)、又は有機溶媒を含有する水溶液を含み得る。いくつかの実施形態では、前記第一のリンス溶液は、工程a)で用いられる前記洗浄溶液と、少なくとも部分的に混和可能である。いくつかの実施形態では、工程b)は、工程a)で用いられる前記洗浄溶液が感湿性でない場合又は感知可能ないかなる量の水も含有しない場合、省略されてもよい。
工程c)では、前記基板表面は、上記で述べた本開示の表面処理組成物で処理されて、表面処理層(例:疎水性層)を有する改質表面を形成することができる。こうして形成された前記改質表面は、疎水性であってよく、及び約50度以上の水接触角を有してよい。いくつかの実施形態では、前記接触角は、約55度以上(例:約60度以上、約65度以上、約70度以上、約75度以上、約80度以上、約85度以上、約90度以上、約95度以上、又は約100度以上)及び/又は約180度以下(例:約170度以下、約160度以下、又は約150度以下)であってよい。いくつかの実施形態では、この工程は、約20~35℃の温度で、約10秒~約300秒の範囲内のプロセス時間で行われてよい。
工程d)では、前記基板表面が表面処理組成物で処理された後、前記表面は、第二のリンス溶液でリンスされてよい。前記第二のリンス溶液は、水、有機溶媒(例:イソプロパノール)、又は有機溶媒を含有する水溶液を含み得る。いくつかの実施形態では、この工程は、約20~70℃の温度で行われてよい。
工程e)では、前記基板表面は、乾燥されてよい(例:圧縮ガスを用いることによって)。理論に束縛されるものではないが、前記基板表面が本明細書で述べる表面処理組成物で処理された後は、この乾燥工程時における前記表面上のパターンの前記倒壊が最小限に抑えられるものと考えられる。
工程f)では、前記乾燥工程後、前記表面処理層(例:疎水性層)は、所望に応じて除去されてもよい。一般に、前記表面処理層は、前記改質表面の化学的特性に応じて、いくつかの方法によって除去されてよい。前記表面処理層を除去するための適切な方法としては、プラズマスパッタリング;プラズマアッシング;大気圧若しくはサブ大気圧での熱処理;酸、塩基、酸化剤、若しくは凝縮流体を含有する溶媒(例:超臨界COなどの超臨界流体)による処理;蒸気若しくは液体による処理;UV照射;又はこれらの組み合わせが挙げられる。
上記で述べた方法によって調製された、洗浄されたパターン化表面を有する前記半導体基板は、さらに加工されて、前記基板上に1又は複数の回路が形成されてよく、又は例えば組立て(例:ダイシング及びボンディング)並びにパッケージング(例:チップ封止)によって加工されて、半導体装置(例:半導体チップなどの集積回路装置)とされてもよい。
いくつかの実施形態では、本開示は、半導体基板、及び前記半導体基板によって支持された本明細書で述べる表面処理組成物を含む物品(例:半導体装置の製造の過程で形成される中間半導体物品)に関する。前記表面処理組成物は、上記で述べるものなどの少なくとも1つのシロキサン化合物、及び0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含む少なくとも1つの添加剤、を含み得る。
いくつかの実施形態では、本開示は、上記で述べる少なくとも1つのシロキサン化合物を含む第一の容器、及び上記で述べる少なくとも1つの添加剤を含む第二の容器を含むキットに関する。所望される場合は、前記第一又は第二の容器は、さらに、各容器中の前記成分と共に溶液を形成するための少なくとも1つの有機溶媒を含んでもよい。いくつかの実施形態では、前記第一及び第二の容器中の前記成分は、表面処理組成物を形成するために、前記表面処理組成物を半導体基板の表面に適用する直前の使用の時点で混合されてよい。理論に束縛されるものではないが、そのような方法は、比較的保存寿命の短い表面処理組成物に特に適するものと考えられる。表面処理組成物が比較的長い保存寿命を有する実施形態では、前記第一及び第二の容器中の前記成分は、1つの溶液を形成するために混合されてよく、その溶液は、使用までの比較的長い期間にわたって保存することができる。
説明のためのものであり、本開示の範囲を限定するものとして解釈されてはならない以下の例を参照して、本開示をより詳細に説明する。
実施例1
表面処理溶液(すなわち、製剤1~20)を、室温で成分を混合することによって調製した。製剤1~20の組成を、以下の表1にまとめる。特に断りのない限り、表1に挙げたパーセントはすべて重量パーセントである。
SiO膜をSi基板上に有するクーポンを、1×1インチの正方形に切断した。前記クーポンを、100mLの撹拌(50RPM)表面処理溶液中に垂直に浸漬し、室温で30秒間保持した。次に、前記クーポンを、イソプロパノールにより50℃で60秒間リンスし、加圧窒素ガスを用いて乾燥した。
前記クーポンを、AST VCA 3000接触角測定ツール上に置き、以下の手順に従って接触角を測定した。
1.前記SiOクーポンをステージ上に乗せる。
2.垂直調節ノブを時計回りの方向に回して、検体が針のすぐ下に来るまで前記ステージを上げる。
3.脱イオン水を1滴分出し、前記検体の表面に軽く接触させ、続いて前記針から前記水滴が離れるまで前記検体を下げる。
4.ステージを調節するための水平調節ノブを用いて、水滴を視野全体の中心に持ってくる。
5.ガイドレールに沿って前記ステージを移動させることによって視野内の水滴にピントを合わせ、シャープな画像を得る。
6.「AutoFAST」ボタンを押して前記画像を止め、計算を行う。2つの数値が表示され、これらは、左接触角及び右接触角である。
7.手動で計算するためには、マウスを使って前記水滴の周囲に5つのマーカーを置く。
8.Main Menuから水滴アイコンを選択して、接触角を計算する。
9.これによって、前記画像上に対して曲線フィット及び接線が描かれる。スクリーンの左隅に2つの数値が表示され、これらは、左接触角及び右接触角である。
10.上記の手順を3つの基板部位で繰り返し、得られた接触角を平均し、前記平均の結果を表1に報告する。

1 「CA」は、接触角(度)を意味する。
2 「HMDSO」は、ヘキサメチルジシロキサンを意味する。
3 「PGMEA」は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートを意味する。
表1に示されるように、製剤1~20(シロキサン、強酸、及び所望に応じて非プロトン性溶媒を含有)はすべて、SiO表面上で比較的大きい接触角を呈した。
実施例2
表面処理溶液(すなわち、製剤21~56)を、室温で成分を混合することによって調製した。製剤21~56の組成を、以下の表2にまとめる。特に断りのない限り、表2に挙げたパーセントはすべて重量パーセントである。
表2の接触角の結果は、例1で概説したものと同じ方法を用いて得た。
表2のシリコンピラー倒壊試験結果は、以下の手順を用いて得た。パターン化ウェハを、製剤21~56で処理した。Siピラー(アスペクト比22)パターン化ウェハを、0.5インチ×0.5インチのクーポンにダイシングした。前記クーポンを、次に25℃の撹拌表面処理溶液中に、180秒間浸漬した。前記クーポンを、前記表面処理溶液から取り出し、イソプロピルを入れたビーカー中、室温で30秒間リンスし、50℃の撹拌イソプロピルアルコールを入れたビーカー中、60秒間リンスした。次に、前記クーポンを、前記イソプロピルアルコールリンス液から取り出し、Nガス放出ガンを、1インチの作動距離、ガス圧45psiで前記クーポンに対して直角に向けて乾燥した。続いて、前記クーポンを、3か所の無作為に選択した部位に対して、50000×の倍率で走査型電子顕微鏡によって分析し、倒壊しなかったシリコンピラーの数を合計した。前記3か所の部位での倒壊しなかったSiピラーの平均数を、観察した全Siピラーに対するパーセントとして表2に報告する。

1 「CA」は、接触角(度)を意味する。
2 「HMDSO」は、ヘキサメチルジシロキサンを意味する。
3 「テトラグライム」は、テトラエチレングリコールジメチルエーテルを意味する。
表2に示されるように、製剤21~37及び45~56で処理すると、洗浄又は乾燥プロセス後に、パターン化シリコンウェハ上のシリコンピラーの大部分が残っていた。加えて、製剤36及び37は、SiO表面上で、比較的大きい接触角を呈した。対照的に、製剤38及び39(0未満のpKaを有する酸を含有していなかった)は、SiO表面上で、比較的小さい接触角を呈した。
本開示は、以下の実施形態を含む。
<1> ウェハの表面上に配置されたパターンを有する半導体基板を処理するための方法であって、
前記表面を表面処理組成物と接触させて、表面処理層が約50度以上の水接触角を有するように表面処理層を形成することを含み、
前記表面処理組成物は、少なくとも1つのシロキサン化合物、及び0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含む少なくとも1つの添加剤を含み、
前記パターンは約20nm以下の寸法を有するフィーチャ(Feature)を含む、方法。
<2> 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、ジシロキサン、オリゴシロキサン、シクロシロキサン、又はポリシロキサンを含む、前記<1>に記載の方法。
<3> 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、ヘキサメチルジシロキサン、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラ-n-オクチルジメチルジシロキサン、ビス(ノナフルオロヘキシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリフルオロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-ブチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-オクチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジエチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラメチルジシロキサン、ヘキサ-n-ブチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキサビニルジシロキサン、1,1,1,3,3-ペンタメチル-3-アセトキシジシロキサン、1-アリル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジアリルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,3-ジアリルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサン、(3-クロロプロピル)ペンタメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラビニルジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラシクロペンチルジクロロジシロキサン、ビニルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロイソブチル)テトラメチルジシロキサン、ヘキサフェニルジシロキサン、1,3-ビス[(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エニル)エチル]テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3,3-トリメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-メタクリロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(クロロメチル)テトラメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニルジメチルジシロキサン、メタクリロキシペンタメチルジシロキサン、ペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(4-ヒドロキシブチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリエトキシシリルエチル)テトラメチルジシロキサン、3-アミノプロピルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(2-アミノエチルアミノメチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-カルボキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロ-1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,3-ジエチニルテトラメチルジシロキサン、n-ブチル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-t-ブチルジシロキサン、1,3-ジメチルテトラメトキシジシロキサン、1,3-ジビニルテトラエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラエトキシ-1,3-ジメチルジシロキサン、ビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、白金-[1,3-ビス(シクロヘキシル)イミダゾール-2-イリデンヘキサクロロジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピル-1-クロロジシロキサン、1,1,1-トリメチル-3,3,3-トリフェニルジシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、3,3-ジフェニルテトラメチルトリシロキサン、3-フェニルヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、n-プロピルヘプタメチルトリシロキサン、1,5-ジエトキシヘキサメチルトリシロキサン、3-エチルヘプタメチルトリシロキサン、3-(テトラヒドロフルフリルオキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(3,3,3-トリフルオロプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,5,5-ペンタフェニル-1,3,5-トリメチルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-1,3,3,5-テトラメチルトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、オクタクロロトリシロキサン、3-フェニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、(3,3,3-トリフルオロプロピル)メチルシクロトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,3,5-トリメチルシクロトリシロキサン、3-(3-アセトキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(m-ペンタデシルフェノキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、リモネニルトリシロキサン、3-ドデシルヘプタメチルトリシロキサン、3-オクチルヘプタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリフェニルトリメチルシクロトリシロキサン、1,1,1,3,3,5,5-ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサエチル-3-メチルトリシロキサン、1,5-ジクロロヘキサメチルトリシロキサン、3-トリアコンチルへプタメチルトリシロキサン、3-(3-ヒドロキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロメチルホスホノキシトリシロキサン、3-オクタデシルヘプタメチルトリシロキサン、フルフリルオキシトリシロキサン、テトラキス(ジメチルシロキシ)シラン、1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサン、ジフェニルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、ジメチルシロキサン-[65~70%(60%プロピレンオキシド/40%エチレンオキシド)]ブロックコポリマー、ビス(ヒドロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、テトラ-n-プロピルテトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタエチルシクロテトラシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン、テトラデカメチルヘキサシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ポリオクタデシルメチルシロキサン、ヘキサコシル末端ポリジメチルシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ポリ(3,3,3-トリフルオロプロピルメチルシロキサン)、トリメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-デカメチルペンタシロキサン、又はトリエチルシロキシ末端ポリジエチルシロキサンを含む、前記<2>に記載の方法。
<4> 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、前記表面処理組成物の約0.1重量%~約99.9重量%である、前記<1>に記載の方法。
<5> 前記少なくとも1つの添加剤は、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水メタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸、無水酢酸、過塩素酸、硝酸、硫酸、トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ヨウ化水素酸、臭化水素酸、塩化水素酸、塩素酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、又はフルオロ硫酸を含む、前記<1>に記載の方法。
<6> 前記少なくとも1つの添加剤は、前記表面処理組成物の約0.1重量%~約10重量%である、前記<1>に記載の方法。
<7> 前記表面処理組成物は、さらに、少なくとも1つの有機溶媒を含む、前記<1>に記載の方法。
<8> 前記少なくとも1つの有機溶媒は、無水物、グリコールエーテル、グリコールエーテルアセテート、アルカン、芳香族炭化水素、スルホン、スルホキシド、ケトン、アルデヒド、エステル、ラクタム、ラクトン、アセタール、ヘミアセタール、アルコール、カルボン酸、及びエーテルから成る群より選択される、前記<7>に記載の方法。
<9> 前記少なくとも1つの有機溶媒は、無水酢酸、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、C -C 16 アルカン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、n-ジブチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ベンジルアルコール、t-ブチルアルコール、t-アミルアルコール、メチルエチルケトン、酢酸、又はイソブチルメチルケトンを含む、前記<7>に記載の方法。
<10> 前記少なくとも1つの有機溶媒は、前記表面処理組成物の約3重量%~約95重量%である、前記<7>に記載の方法。
<11> 前記表面処理組成物は実質的に水を含まない、前記<1>に記載の方法。
<12> 前記表面処理組成物は、前記少なくとも1つのシロキサン化合物、前記少なくとも1つの添加剤、及び所望に応じて少なくとも1つの有機溶媒、から成る、前記<1>に記載の方法。
<13> 前記表面を前記表面処理組成物と接触させる前に、前記表面を少なくとも1つの洗浄水溶液と接触させることをさらに含む、前記<1>に記載の方法。
<14> 前記少なくとも1つの洗浄水溶液は、水、アルコール、水酸化アンモニウム水溶液、塩化水素水溶液、過酸化水素水溶液、有機溶媒、又はこれらの組み合わせを含む、前記<13>に記載の方法。
<15> 前記表面を前記少なくとも1つの洗浄水溶液と接触させた後、前記表面を前記表面処理組成物と接触させる前に、前記表面を第一のリンス溶液と接触させることをさらに含む、前記<13>に記載の方法。
<16> 前記表面を前記表面処理組成物と接触させた後、前記表面を第二のリンス溶液と接触させることをさらに含む、前記<15>に記載の方法。
<17> 前記表面を乾燥することをさらに含む、前記<1>に記載の方法。
<18> 前記表面処理層を除去することをさらに含む、前記<1>に記載の方法。
<19> 前記表面は、SiO 、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge、又はWを含む、前記<1>に記載の方法。
<20> 表面処理組成物であって、
前記表面処理組成物の約0.1重量%~約99.9重量%の量の少なくとも1つのシロキサン化合物;及び
前記表面処理組成物の約0.1重量%~約10重量%の量の少なくとも1つの添加剤であって、0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含む添加剤、
を含む、表面処理組成物。
<21> 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、ジシロキサン、オリゴシロキサン、シクロシロキサン、又はポリシロキサンを含む、前記<20>に記載の表面処理組成物。
<22> 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、ヘキサメチルジシロキサン、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラ-n-オクチルジメチルジシロキサン、ビス(ノナフルオロヘキシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリフルオロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-ブチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-オクチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジエチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラメチルジシロキサン、ヘキサ-n-ブチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキサビニルジシロキサン、1,1,1,3,3-ペンタメチル-3-アセトキシジシロキサン、1-アリル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジアリルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,3-ジアリルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサン、(3-クロロプロピル)ペンタメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラビニルジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラシクロペンチルジクロロジシロキサン、ビニルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロイソブチル)テトラメチルジシロキサン、ヘキサフェニルジシロキサン、1,3-ビス[(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エニル)エチル]テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3,3-トリメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-メタクリロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(クロロメチル)テトラメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニルジメチルジシロキサン、メタクリロキシペンタメチルジシロキサン、ペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(4-ヒドロキシブチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリエトキシシリルエチル)テトラメチルジシロキサン、3-アミノプロピルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(2-アミノエチルアミノメチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-カルボキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロ-1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,3-ジエチニルテトラメチルジシロキサン、n-ブチル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-t-ブチルジシロキサン、1,3-ジメチルテトラメトキシジシロキサン、1,3-ジビニルテトラエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラエトキシ-1,3-ジメチルジシロキサン、ビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、白金-[1,3-ビス(シクロヘキシル)イミダゾール-2-イリデンヘキサクロロジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピル-1-クロロジシロキサン、1,1,1-トリメチル-3,3,3-トリフェニルジシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、3,3-ジフェニルテトラメチルトリシロキサン、3-フェニルヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、n-プロピルヘプタメチルトリシロキサン、1,5-ジエトキシヘキサメチルトリシロキサン、3-エチルヘプタメチルトリシロキサン、3-(テトラヒドロフルフリルオキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(3,3,3-トリフルオロプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,5,5-ペンタフェニル-1,3,5-トリメチルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-1,3,3,5-テトラメチルトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、オクタクロロトリシロキサン、3-フェニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、(3,3,3-トリフルオロプロピル)メチルシクロトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,3,5-トリメチルシクロトリシロキサン、3-(3-アセトキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(m-ペンタデシルフェノキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、リモネニルトリシロキサン、3-ドデシルヘプタメチルトリシロキサン、3-オクチルヘプタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリフェニルトリメチルシクロトリシロキサン、1,1,1,3,3,5,5-ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサエチル-3-メチルトリシロキサン、1,5-ジクロロヘキサメチルトリシロキサン、3-トリアコンチルへプタメチルトリシロキサン、3-(3-ヒドロキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロメチルホスホノキシトリシロキサン、3-オクタデシルヘプタメチルトリシロキサン、フルフリルオキシトリシロキサン、テトラキス(ジメチルシロキシ)シラン、1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサン、ジフェニルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、ジメチルシロキサン-[65~70%(60%プロピレンオキシド/40%エチレンオキシド)]ブロックコポリマー、ビス(ヒドロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、テトラ-n-プロピルテトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタエチルシクロテトラシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン、テトラデカメチルヘキサシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ポリオクタデシルメチルシロキサン、ヘキサコシル末端ポリジメチルシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ポリ(3,3,3-トリフルオロプロピルメチルシロキサン)、トリメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-デカメチルペンタシロキサン、又はトリエチルシロキシ末端ポリジエチルシロキサンを含む、前記<21>に記載の表面処理組成物。
<23> 前記少なくとも1つの添加剤は、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水メタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸、無水酢酸、過塩素酸、硝酸、硫酸、トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ヨウ化水素酸、臭化水素酸、塩化水素酸、塩素酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、又はフルオロ硫酸を含む、前記<20>に記載の表面処理組成物。
<24> 少なくとも1つの有機溶媒をさらに含む、前記<20>に記載の表面処理組成物。
<25> 前記少なくとも1つの有機溶媒は、無水物、グリコールエーテル、グリコールエーテルアセテート、アルカン、芳香族炭化水素、スルホン、スルホキシド、ケトン、アルデヒド、エステル、ラクタム、ラクトン、アセタール、ヘミアセタール、アルコール、カルボン酸、及びエーテルから成る群より選択される、前記<24>に記載の表面処理組成物。
<26> 前記少なくとも1つの有機溶媒は、無水酢酸、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、C -C 16 アルカン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、n-ジブチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ベンジルアルコール、t-ブチルアルコール、t-アミルアルコール、メチルエチルケトン、酢酸、又はイソブチルメチルケトンを含む、前記<24>に記載の表面処理組成物。
<27> 前記少なくとも1つの有機溶媒は、前記表面処理組成物の約3重量%~約95重量%である、前記<24>に記載の表面処理組成物。
<28> 前記表面処理組成物は、実質的に水を含まない、前記<20>に記載の表面処理組成物。
<29> 表面処理層が約50度以上の水接触角を有するように、前記表面処理組成物は表面上に表面処理層を形成する、前記<20>に記載の表面処理組成物。
<30> 表面処理組成物であって、
前記表面処理組成物の約0.1重量%~約99.9重量%の量の少なくとも1つのシロキサン化合物;
スルホン酸及び無水スルホン酸から成る群より選択される化合物を含み、前記表面処理組成物の約0.1重量%~約10重量%の量である少なくとも1つの添加剤;及び
所望に応じて、少なくとも1つの有機溶媒、
から成る、表面処理組成物。
<31> 半導体基板と、
前記半導体基板によって支持された表面処理組成物であって、少なくとも1つのシロキサン化合物、及び0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含有する少なくとも1つの添加剤、を含む表面処理組成物と、
を備えた物品。
<32> 前記半導体基板は、シリコンウェハ、銅ウェハ、二酸化ケイ素ウェハ、窒化ケイ素ウェハ、酸窒化ケイ素ウェハ、炭素ドープ酸化ケイ素ウェハ、SiGeウェハ、又はGaAsウェハである、前記<31>に記載の物品。
<33> 少なくとも1つのシロキサン化合物を含む第一の容器;及び
0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含む少なくとも1つの添加剤を含む第二の容器、
を備えたキット。
他の実施形態は、以下の請求項の範囲内である。

Claims (36)

  1. ウェハの表面上に配置されたパターンを有する半導体基板を処理するための方法であって、
    前記表面を表面処理組成物と接触させて、表面処理層が50度以上の水接触角を有するように表面処理層を形成することを含み、
    前記表面処理組成物は、少なくとも1つのシロキサン化合物、及び0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含む少なくとも1つの添加剤を含み、
    前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、前記表面処理組成物の20重量%~99.9重量%であり、
    前記少なくとも1つの添加剤は、前記表面処理組成物の0.1重量%~10重量%であり、
    前記パターンは20nm以下の寸法を有するフィーチャ(Feature)を含む、
    方法。
  2. 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、ジシロキサン、オリゴシロキサン、シクロシロキサン、又はポリシロキサンを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、ヘキサメチルジシロキサン、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラ-n-オクチルジメチルジシロキサン、ビス(ノナフルオロヘキシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリフルオロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-ブチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-オクチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジエチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラメチルジシロキサン、ヘキサ-n-ブチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキサビニルジシロキサン、1,1,1,3,3-ペンタメチル-3-アセトキシジシロキサン、1-アリル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジアリルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,3-ジアリルテトラメチルジシロキサン、1
    ,3-ジフェニルテトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサン、(3-クロロプロピル)ペンタメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラビニルジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラシクロペンチルジクロロジシロキサン、ビニルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロイソブチル)テトラメチルジシロキサン、ヘキサフェニルジシロキサン、1,3-ビス[(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エニル)エチル]テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3,3-トリメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-メタクリロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(クロロメチル)テトラメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニルジメチルジシロキサン、メタクリロキシペンタメチルジシロキサン、ペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(4-ヒドロキシブチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリエトキシシリルエチル)テトラメチルジシロキサン、3-アミノプロピルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(2-アミノエチルアミノメチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-カルボキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロ-1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,3-ジエチニルテトラメチルジシロキサン、n-ブチル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-t-ブチルジシロキサン、1,3-ジメチルテトラメトキシジシロキサン、1,3-ジビニルテトラエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラエトキシ-1,3-ジメチルジシロキサン、ビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、白金-[1,3-ビス(シクロヘキシル)イミダゾール-2-イリデンヘキサクロロジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピル-1-クロロジシロキサン、1,1,1-トリメチル-3,3,3-トリフェニルジシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、3,3-ジフェニルテトラメチルトリシロキサン、3-フェニルヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、n-プロピルヘプタメチルトリシロキサン、1,5-ジエトキシヘキサメチルトリシロキサン、3-エチルヘプタメチルトリシロキサン、3-(テトラヒドロフルフリルオキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(3,3,3-トリフルオロプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,5,5-ペンタフェニル-1,3,5-トリメチルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-1,3,3,5-テトラメチルトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、オクタクロロトリシロキサン、3-フェニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、(3,3,3-トリフルオロプロピル)メチルシクロトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,3,5-トリメチルシクロトリシロキサン、3-(3-アセトキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(m-ペンタデシルフェノキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、リモネニルトリシロキサン、3-ドデシルヘプタメチルトリシロキサン、3-オクチルヘプタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリフェニルトリメチルシクロトリシロキサン、1,1,1,3,3,5,5-ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサエチル-3-メチルトリシロキサン、1,5-ジクロロヘキサメチルトリシロキサン、3-トリアコンチルへプタメチルトリシロキサン、3-(3-ヒドロキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロメチルホスホノキシトリシロキサン、3-オクタデシルヘプタメチルトリシロキサン、フルフリルオキシトリシロキサン、テトラキス(ジメチルシロキシ)シラン、1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサン、ジフェニルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジ
    メチルジシロキサン、ジメチルシロキサン-[65~70%(60%プロピレンオキシド/40%エチレンオキシド)]ブロックコポリマー、ビス(ヒドロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、テトラ-n-プロピルテトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタエチルシクロテトラシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン、テトラデカメチルヘキサシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ポリオクタデシルメチルシロキサン、ヘキサコシル末端ポリジメチルシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ポリ(3,3,3-トリフルオロプロピルメチルシロキサン)、トリメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-デカメチルペンタシロキサン、又はトリエチルシロキシ末端ポリジエチルシロキサンを含む、請求項2に記載の方法。
  4. 前記少なくとも1つの添加剤は、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水メタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸、無水酢酸、過塩素酸、硝酸、硫酸、トルエンスルホン酸、ヨウ化水素酸、臭化水素酸、塩化水素酸、塩素酸、又はフルオロ硫酸を含む、請求項1に記載の方法。
  5. 前記表面処理組成物は、さらに、少なくとも1つの有機溶媒を含む、請求項1に記載の方法。
  6. 前記少なくとも1つの有機溶媒は、無水物、グリコールエーテル、グリコールエーテルアセテート、アルカン、芳香族炭化水素、スルホン、スルホキシド、ケトン、アルデヒド、エステル、ラクタム、ラクトン、アセタール、ヘミアセタール、アルコール、カルボン酸、及びエーテルから成る群より選択される、請求項に記載の方法。
  7. 前記少なくとも1つの有機溶媒は、無水酢酸、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、C-C16アルカン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、n-ジブチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ベンジルアルコール、t-ブチルアルコール、t-アミルアルコール、メチルエチルケトン、酢酸、又はイソブチルメチルケトンを含む、請求項に記載の方法。
  8. 前記少なくとも1つの有機溶媒は、前記表面処理組成物の3重量%~75重量%である、請求項に記載の方法。
  9. 前記表面処理組成物は実質的に水を含まない、請求項1に記載の方法。
  10. 前記表面処理組成物は、前記少なくとも1つのシロキサン化合物、前記少なくとも1つの添加剤、及び少なくとも1つの有機溶媒、から成る、請求項1に記載の方法。
  11. 前記表面を前記表面処理組成物と接触させる前に、前記表面を少なくとも1つの洗浄水溶液と接触させることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  12. 前記少なくとも1つの洗浄水溶液は、水、アルコール、水酸化アンモニウム水溶液、塩化水素水溶液、過酸化水素水溶液、有機溶媒、又はこれらの組み合わせを含む、請求項11に記載の方法。
  13. 前記表面を前記少なくとも1つの洗浄水溶液と接触させた後、前記表面を前記表面処理組成物と接触させる前に、前記表面を第一のリンス溶液と接触させることをさらに含む、請求項11に記載の方法。
  14. 前記表面を前記表面処理組成物と接触させた後、前記表面を第二のリンス溶液と接触させることをさらに含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記表面を乾燥することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  16. 前記表面処理層を除去することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  17. 前記表面は、SiO、SiN、TiN、SiOC、SiON、Si、SiGe、Ge、又はWを含む、請求項1に記載の方法。
  18. 表面処理組成物であって、
    前記表面処理組成物の20重量%~99.9重量%の量の少なくとも1つのシロキサン化合物;及び
    前記表面処理組成物の0.1重量%~10重量%の量の少なくとも1つの添加剤であって、0以下のpKaを有する酸又はその無水物を含む添加剤、
    を含む、
    表面処理組成物。
  19. 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、ジシロキサン、オリゴシロキサン、シクロシロキサン、又はポリシロキサンを含む、請求項18に記載の表面処理組成物。
  20. 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、ヘキサメチルジシロキサン、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラ-n-オクチルジメチルジシロキサン、ビス(ノナフルオロヘキシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリフルオロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-ブチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-オクチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジエチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラメチルジシロキサン、ヘキサ-n-ブチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキサビニルジシロキサン、1,1,1,3,3-ペンタメチル-3-アセトキシジシロキサン、1-アリル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジアリルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,3-ジアリルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサン、(3-クロロプロピル)ペンタメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラビニルジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラシクロペンチルジクロロジシロキサン、ビニルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロイソブチル)テトラメチルジシロキサン、ヘキサフェニルジシロキサン、1,3-ビス[(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エニル)エチル]テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチ
    ル-3,3,3-トリメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-メタクリロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(クロロメチル)テトラメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニルジメチルジシロキサン、メタクリロキシペンタメチルジシロキサン、ペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(4-ヒドロキシブチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリエトキシシリルエチル)テトラメチルジシロキサン、3-アミノプロピルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(2-アミノエチルアミノメチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-カルボキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロ-1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,3-ジエチニルテトラメチルジシロキサン、n-ブチル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-t-ブチルジシロキサン、1,3-ジメチルテトラメトキシジシロキサン、1,3-ジビニルテトラエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラエトキシ-1,3-ジメチルジシロキサン、ビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、白金-[1,3-ビス(シクロヘキシル)イミダゾール-2-イリデンヘキサクロロジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピル-1-クロロジシロキサン、1,1,1-トリメチル-3,3,3-トリフェニルジシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、3,3-ジフェニルテトラメチルトリシロキサン、3-フェニルヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、n-プロピルヘプタメチルトリシロキサン、1,5-ジエトキシヘキサメチルトリシロキサン、3-エチルヘプタメチルトリシロキサン、3-(テトラヒドロフルフリルオキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(3,3,3-トリフルオロプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,5,5-ペンタフェニル-1,3,5-トリメチルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-1,3,3,5-テトラメチルトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、オクタクロロトリシロキサン、3-フェニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、(3,3,3-トリフルオロプロピル)メチルシクロトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,3,5-トリメチルシクロトリシロキサン、3-(3-アセトキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(m-ペンタデシルフェノキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、リモネニルトリシロキサン、3-ドデシルヘプタメチルトリシロキサン、3-オクチルヘプタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリフェニルトリメチルシクロトリシロキサン、1,1,1,3,3,5,5-ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサエチル-3-メチルトリシロキサン、1,5-ジクロロヘキサメチルトリシロキサン、3-トリアコンチルへプタメチルトリシロキサン、3-(3-ヒドロキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロメチルホスホノキシトリシロキサン、3-オクタデシルヘプタメチルトリシロキサン、フルフリルオキシトリシロキサン、テトラキス(ジメチルシロキシ)シラン、1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサン、ジフェニルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、ジメチルシロキサン-[65~70%(60%プロピレンオキシド/40%エチレンオキシド)]ブロックコポリマー、ビス(ヒドロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、テトラ-n-プロピルテトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタエチルシクロテトラシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン、テトラデカメチルヘキサシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ポリオクタデシルメチルシロキサン、ヘキサコシル末端ポリジメチルシロキサン、デカメチルシクロペンタシロ
    キサン、ポリ(3,3,3-トリフルオロプロピルメチルシロキサン)、トリメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-デカメチルペンタシロキサン、又はトリエチルシロキシ末端ポリジエチルシロキサンを含む、請求項19に記載の表面処理組成物。
  21. 前記少なくとも1つの添加剤は、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水メタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸、無水酢酸、過塩素酸、硝酸、硫酸、トルエンスルホン酸、ヨウ化水素酸、臭化水素酸、塩化水素酸、塩素酸、又はフルオロ硫酸を含む、請求項18に記載の表面処理組成物。
  22. 少なくとも1つの有機溶媒をさらに含む、請求項18に記載の表面処理組成物。
  23. 前記少なくとも1つの有機溶媒は、無水物、グリコールエーテル、グリコールエーテルアセテート、アルカン、芳香族炭化水素、スルホン、スルホキシド、ケトン、アルデヒド、エステル、ラクタム、ラクトン、アセタール、ヘミアセタール、アルコール、カルボン酸、及びエーテルから成る群より選択される、請求項22に記載の表面処理組成物。
  24. 前記少なくとも1つの有機溶媒は、無水酢酸、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、C-C16アルカン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、n-ジブチルエーテル、ジメチルスルホン、スルホラン、ベンジルアルコール、t-ブチルアルコール、t-アミルアルコール、メチルエチルケトン、酢酸、又はイソブチルメチルケトンを含む、請求項22に記載の表面処理組成物。
  25. 前記少なくとも1つの有機溶媒は、前記表面処理組成物の3重量%~75重量%である、請求項22に記載の表面処理組成物。
  26. 前記表面処理組成物は、実質的に水を含まない、請求項18に記載の表面処理組成物。
  27. 表面処理層が50度以上の水接触角を有するように、前記表面処理組成物は表面上に表面処理層を形成する、請求項18に記載の表面処理組成物。
  28. 表面処理組成物であって、
    前記表面処理組成物の0.1重量%~96重量%の量の少なくとも1つのシロキサン化合物;
    スルホン酸及び無水スルホン酸から成る群より選択される化合物を含み、前記表面処理組成物の0.1重量%~10重量%の量である少なくとも1つの添加剤;及び
    なくとも1つのカルボン酸又は無水物、
    を含み、
    前記少なくとも1つのカルボン酸又は無水物は、前記表面処理組成物の3重量%~95重量%であり、且つ、酢酸又は無水酢酸を含む、又は、
    前記少なくとも1つのカルボン酸又は無水物は、前記表面処理組成物の50重量%~95重量%である、
    表面処理組成物。
  29. 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、ヘキサメチルジシロキサン、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3-ジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラ-n-オクチルジメチルジシロキサン、ビス(ノナフルオロヘキシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリフルオロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-ブチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-n-オクチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジエチルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラメチルジ
    シロキサン、ヘキサ-n-ブチルジシロキサン、ヘキサエチルジシロキサン、ヘキサビニルジシロキサン、1,1,1,3,3-ペンタメチル-3-アセトキシジシロキサン、1-アリル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(ヘプタデカフルオロ-1,1,2,2-テトラヒドロデシル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジアリルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,3-ジアリルテトラメチルジシロキサン、1,3-ジフェニルテトラキス(ジメチルシロキシ)ジシロキサン、(3-クロロプロピル)ペンタメチルジシロキサン、1,3-ジビニルテトラキス(トリメチルシロキシ)ジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピルジシロキサン、1,1,3,3-テトラビニルジメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラシクロペンチルジクロロジシロキサン、ビニルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロイソブチル)テトラメチルジシロキサン、ヘキサフェニルジシロキサン、1,3-ビス[(ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エニル)エチル]テトラメチルジシロキサン、1,1,1-トリエチル-3,3,3-トリメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-メタクリロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(クロロメチル)テトラメチルジシロキサン、1,1,3,3-テトラメチル-1,3-ジエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラフェニルジメチルジシロキサン、メタクリロキシペンタメチルジシロキサン、ペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-クロロプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(4-ヒドロキシブチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(トリエトキシシリルエチル)テトラメチルジシロキサン、3-アミノプロピルペンタメチルジシロキサン、1,3-ビス(2-アミノエチルアミノメチル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ビス(3-カルボキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロ-1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、1,3-ジエチニルテトラメチルジシロキサン、n-ブチル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラフェニルジシロキサン、1,3-ジクロロテトラメチルジシロキサン、1,3-ジ-t-ブチルジシロキサン、1,3-ジメチルテトラメトキシジシロキサン、1,3-ジビニルテトラエトキシジシロキサン、1,1,3,3-テトラエトキシ-1,3-ジメチルジシロキサン、ビニル-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン、白金-[1,3-ビス(シクロヘキシル)イミダゾール-2-イリデンヘキサクロロジシロキサン、1,1,3,3-テトライソプロピル-1-クロロジシロキサン、1,1,1-トリメチル-3,3,3-トリフェニルジシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、3,3-ジフェニルテトラメチルトリシロキサン、3-フェニルヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、n-プロピルヘプタメチルトリシロキサン、1,5-ジエトキシヘキサメチルトリシロキサン、3-エチルヘプタメチルトリシロキサン、3-(テトラヒドロフルフリルオキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(3,3,3-トリフルオロプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,5,5-ペンタフェニル-1,3,5-トリメチルトリシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、1,1,5,5-テトラフェニル-1,3,3,5-テトラメチルトリシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、オクタクロロトリシロキサン、3-フェニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、(3,3,3-トリフルオロプロピル)メチルシクロトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,1,3,5,5-ペンタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリビニル-1,3,5-トリメチルシクロトリシロキサン、3-(3-アセトキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、3-(m-ペンタデシルフェノキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、リモネニルトリシロキサン、3-ドデシルヘプタメチルトリシロキサン、3-オクチルヘプタメチルトリシロキサン、1,3,5-トリフェニルトリメチルシクロトリシロキサン、1,1,1,3,3,5,5-ヘプタメチルトリシロキサン、1,1,3,3,5,5-ヘキサメチルトリシロキサン、1,1,1,5,5,5-ヘキサエチル-3-メチルトリシロキサン、
    1,5-ジクロロヘキサメチルトリシロキサン、3-トリアコンチルへプタメチルトリシロキサン、3-(3-ヒドロキシプロピル)ヘプタメチルトリシロキサン、ヘキサメチルシクロメチルホスホノキシトリシロキサン、3-オクタデシルヘプタメチルトリシロキサン、フルフリルオキシトリシロキサン、テトラキス(ジメチルシロキシ)シラン、1,1,3,3,5,5,7,7-オクタメチルテトラシロキサン、ジフェニルシロキサン-ジメチルシロキサンコポリマー、1,3-ジフェニル-1,3-ジメチルジシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、1,3-ビス(トリメチルシロキシ)-1,3-ジメチルジシロキサン、ジメチルシロキサン-[65~70%(60%プロピレンオキシド/40%エチレンオキシド)]ブロックコポリマー、ビス(ヒドロキシプロピル)テトラメチルジシロキサン、テトラ-n-プロピルテトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタエチルシクロテトラシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン、テトラデカメチルヘキサシロキサン、ヘキサフェニルシクロトリシロキサン、ポリジメチルシロキサン、ポリオクタデシルメチルシロキサン、ヘキサコシル末端ポリジメチルシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ポリ(3,3,3-トリフルオロプロピルメチルシロキサン)、トリメチルシロキシ末端ポリジメチルシロキサン、1,1,3,3,5,5,7,7,9,9-デカメチルペンタシロキサン、又はトリエチルシロキシ末端ポリジエチルシロキサンを含む、請求項28に記載の表面処理組成物。
  30. 前記少なくとも1つのシロキサン化合物は、前記表面処理組成物の0.1重量%~55重量%である、請求項28に記載の表面処理組成物。
  31. 前記少なくとも1つの添加剤は、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、無水メタンスルホン酸、無水トリフルオロメタンスルホン酸、又はトルエンスルホン酸を含む、請求項28に記載の表面処理組成物。
  32. 前記少なくとも1つの添加剤は、前記表面処理組成物の0.1重量%~5重量%である、請求項28に記載の表面処理組成物。
  33. 前記表面処理組成物は、実質的に水を含まない、請求項28に記載の表面処理組成物。
  34. 表面処理層が50度以上の水接触角を有するように、前記表面処理組成物は表面上に表面処理層を形成する、請求項28に記載の表面処理組成物。
  35. 半導体基板と、
    前記半導体基板によって支持された請求項1834のいずれか1項に記載の表面処理組成物と、
    を備えた半導体物品。
  36. 前記半導体基板は、シリコンウェハ、銅ウェハ、二酸化ケイ素ウェハ、窒化ケイ素ウェハ、酸窒化ケイ素ウェハ、炭素ドープ酸化ケイ素ウェハ、SiGeウェハ、又はGaAsウェハである、請求項35に記載の半導体物品。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9617589B2 (en) 2012-05-25 2017-04-11 The University Of North Carolina At Chapel Hill Microfluidic devices, solid supports for reagents and related methods
CN118344845A (zh) 2017-03-24 2024-07-16 富士胶片电子材料美国有限公司 表面处理方法及用于所述方法的组合物
IL275626B2 (en) 2018-01-05 2024-07-01 Fujifilm Electronic Mat Usa Inc Preparations and methods for surface treatment
CN112154190A (zh) * 2018-05-18 2020-12-29 北卡罗来纳-查佩尔山大学 用于改善基材的表面性质的组合物、装置和方法
US20200035494A1 (en) * 2018-07-30 2020-01-30 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Surface Treatment Compositions and Methods
US11500290B2 (en) * 2018-11-13 2022-11-15 International Business Machines Corporation Adhesion promoters
WO2020109920A1 (en) * 2018-11-26 2020-06-04 3M Innovative Properties Company Curable coating compositions, methods, and articles
US11414631B2 (en) 2019-05-24 2022-08-16 NuGeneration Technologies, LLC Composition comprising an oxygenated solvent and a siloxane solvent for the removal of silicone deposits
CN111286281A (zh) * 2020-04-11 2020-06-16 东莞市美鑫工业胶带有限公司 一种排泡性好的ab双面胶及其制备方法
WO2022008306A1 (en) * 2020-07-09 2022-01-13 Basf Se Composition comprising a siloxane and an alkane for avoiding pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below
WO2023192000A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Surface treatment compositions and methods

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008199028A (ja) 2007-02-15 2008-08-28 Air Products & Chemicals Inc 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法
JP2012033873A (ja) 2010-05-19 2012-02-16 Central Glass Co Ltd 保護膜形成用薬液
JP2016195230A (ja) 2015-03-31 2016-11-17 東京応化工業株式会社 表面処理方法及び表面処理液

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2650363C2 (de) * 1976-11-03 1985-10-10 Rosenthal Technik Ag, 8672 Selb Verbundisolator für Hochspannungsfreiluft-Anwendungen
JPS6032338B2 (ja) 1977-03-16 1985-07-27 太陽誘電株式会社 導電性塗料焼付電極を有する磁器コンデンサ
JPS54107442A (en) 1978-02-09 1979-08-23 Nippon Boshoku Kogyo Kk External source type* electrical corrosion preventive anode system for bottom portion of outdoor steel container
US4689168A (en) * 1984-06-08 1987-08-25 The Drackett Company Hard surface cleaning composition
JP3373866B2 (ja) 1992-05-21 2003-02-04 株式会社イシダ ラベル発行機
JPH08143855A (ja) * 1994-09-21 1996-06-04 Asahi Glass Co Ltd 表面処理用組成物
EP0882757B1 (en) * 1997-06-04 2005-11-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Water-base silicone composition
DE19735368A1 (de) 1997-08-14 1999-02-18 Univ Karlsruhe Polymere Metallbeschichtung
JP4270708B2 (ja) 1999-04-23 2009-06-03 富士通株式会社 ケイ素含有ポリマ、その製造方法、それを用いたレジスト組成物、パターン形成方法および電子デバイスの製造方法
US6749838B1 (en) * 1999-08-19 2004-06-15 Shiseido Company, Ltd Cosmetic sunscreen preparation
US6318124B1 (en) 1999-08-23 2001-11-20 Alliedsignal Inc. Nanoporous silica treated with siloxane polymers for ULSI applications
EP1360077A4 (en) 2000-07-10 2009-06-24 Ekc Technology Inc COMPOSITION FOR CLEANING SEMICONDUCTORS OF ORGANIC AND REST OF PLASMA-ACTION
JP4535603B2 (ja) 2000-11-17 2010-09-01 信越化学工業株式会社 分岐型ポリシロキサンを含有する化粧料
US6656894B2 (en) * 2000-12-07 2003-12-02 Ashland Inc. Method for cleaning etcher parts
JP2002241695A (ja) * 2000-12-15 2002-08-28 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 撥水性シリコーンコーティング剤組成物
JP3639812B2 (ja) * 2001-12-04 2005-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
TW200409669A (en) 2002-04-10 2004-06-16 Dow Corning Ireland Ltd Protective coating composition
FR2839516B1 (fr) * 2002-05-13 2006-08-04 Pierre Bruno Grascha Formulation de detergent d'atelier
US7345000B2 (en) 2003-10-10 2008-03-18 Tokyo Electron Limited Method and system for treating a dielectric film
US7041226B2 (en) 2003-11-04 2006-05-09 Lexmark International, Inc. Methods for improving flow through fluidic channels
US20070218811A1 (en) 2004-09-27 2007-09-20 Hitachi Chemical Co., Ltd. Cmp polishing slurry and method of polishing substrate
JP5600376B2 (ja) 2005-01-27 2014-10-01 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド 半導体基材の処理のための組成物
WO2006132694A2 (en) * 2005-04-01 2006-12-14 Clemson University Ultrahydrophobic substrates
KR101292027B1 (ko) * 2005-05-23 2013-08-05 다우 코닝 코포레이션 사카라이드-실록산 공중합체를 포함하는 표면처리 조성물
US7871536B2 (en) * 2005-09-12 2011-01-18 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Additives to prevent degradation of cyclic alkene derivatives
JP2007264352A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Daicel Chem Ind Ltd リソグラフィー用洗浄剤又はリンス剤
US7807219B2 (en) * 2006-06-27 2010-10-05 Lam Research Corporation Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials
TW200941582A (en) * 2007-10-29 2009-10-01 Ekc Technology Inc Methods of post chemical mechanical polishing and wafer cleaning using amidoxime compositions
EP2085442A1 (de) * 2008-02-01 2009-08-05 Evonik Degussa GmbH Fluorhaltige Zusammensetzungen mit verbesserten Oberflächeneigenschaften
US7838425B2 (en) 2008-06-16 2010-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of treating surface of semiconductor substrate
JP2010129932A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 表面処理方法及び表面処理液
KR20110086028A (ko) 2008-10-21 2011-07-27 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 표면 처리액 및 표면 처리 방법, 그리고 소수화 처리 방법 및 소수화된 기판
US9053924B2 (en) * 2008-12-26 2015-06-09 Central Glass Company, Limited Cleaning agent for silicon wafer
KR101075200B1 (ko) 2009-01-21 2011-10-19 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 실리콘 웨이퍼용 세정제, 실리콘 웨이퍼의 세정과정 중에 사용되는 발수성 세정제, 실리콘 웨이퍼 표면의 세정방법
JP5324361B2 (ja) 2009-08-28 2013-10-23 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP5663160B2 (ja) 2009-09-28 2015-02-04 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP5680932B2 (ja) 2009-11-13 2015-03-04 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP5508130B2 (ja) * 2010-05-14 2014-05-28 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、半導体装置の製造方法及び洗浄方法
US9228120B2 (en) * 2010-06-07 2016-01-05 Central Glass Company, Limited Liquid chemical for forming protecting film
SG185632A1 (en) 2010-06-07 2012-12-28 Central Glass Co Ltd Liquid chemical for foaming protecting film
JP5716527B2 (ja) 2010-06-28 2015-05-13 セントラル硝子株式会社 撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法
JP2012033880A (ja) 2010-06-30 2012-02-16 Central Glass Co Ltd 撥水性保護膜形成用薬液
JP2012015335A (ja) 2010-06-30 2012-01-19 Central Glass Co Ltd 保護膜形成用薬液、および、ウェハ表面の洗浄方法
KR20130100297A (ko) * 2010-08-27 2013-09-10 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 건조 동안의 높은 종횡비 구조물의 붕괴 방지 방법
US8828144B2 (en) * 2010-12-28 2014-09-09 Central Grass Company, Limited Process for cleaning wafers
US20120164818A1 (en) 2010-12-28 2012-06-28 Central Glass Company, Limited Process for Cleaning Wafers
JP5953721B2 (ja) 2011-10-28 2016-07-20 セントラル硝子株式会社 保護膜形成用薬液の調製方法
JP6213616B2 (ja) 2011-10-28 2017-10-18 セントラル硝子株式会社 保護膜形成用薬液の調製方法
JP5288147B2 (ja) 2011-11-29 2013-09-11 セントラル硝子株式会社 保護膜形成用薬液の調製方法
JP5974514B2 (ja) 2012-02-01 2016-08-23 セントラル硝子株式会社 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法
JP5969253B2 (ja) 2012-02-10 2016-08-17 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP2013168583A (ja) 2012-02-16 2013-08-29 Toagosei Co Ltd 表面処理剤および表面処理方法
JP6151484B2 (ja) * 2012-06-11 2017-06-21 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法
CN103865379A (zh) * 2012-12-11 2014-06-18 深圳富泰宏精密工业有限公司 聚二甲基硅氧烷溶胶,应用该聚二甲基硅氧烷溶胶对金属基体进行表面处理的方法及制品
JP2014148658A (ja) 2013-01-30 2014-08-21 Dow Corning Corp 表面処理用組成物、表面処理された物品の調製方法及び表面処理された物品
JP6221279B2 (ja) 2013-03-18 2017-11-01 富士通株式会社 レジスト組成物の製造方法及びパターン形成方法
JP6191372B2 (ja) 2013-10-04 2017-09-06 セントラル硝子株式会社 ウェハの洗浄方法
SG11201603122XA (en) * 2013-10-21 2016-05-30 Fujifilm Electronic Materials Cleaning formulations for removing residues on surfaces
CN106463397A (zh) 2014-05-12 2017-02-22 东京毅力科创株式会社 用于改善柔性纳米结构的干燥的方法和系统
CN105713739B (zh) * 2014-12-05 2018-03-13 中国石油天然气股份有限公司 复合清洁剂
US9555451B2 (en) 2015-03-26 2017-01-31 Life Technologies Corporation Method for treating a semiconductor device
US9703202B2 (en) 2015-03-31 2017-07-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Surface treatment process and surface treatment liquid
US9976037B2 (en) 2015-04-01 2018-05-22 Versum Materials Us, Llc Composition for treating surface of substrate, method and device
JP6592303B2 (ja) 2015-08-14 2019-10-16 株式会社Screenホールディングス 基板洗浄方法および基板洗浄装置
US10093815B2 (en) 2015-09-24 2018-10-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Surface treatment agent and surface treatment method
CN105499228B (zh) * 2015-11-25 2017-08-25 中锗科技有限公司 一种太阳能锗片包装用晶圆盒的清洗方法
JP6703256B2 (ja) * 2016-03-15 2020-06-03 セントラル硝子株式会社 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液、及びウェハの洗浄方法
JP6681796B2 (ja) 2016-06-21 2020-04-15 東京応化工業株式会社 シリル化剤溶液、表面処理方法、及び半導体デバイスの製造方法
US9653307B1 (en) * 2016-07-14 2017-05-16 Micron Technology, Inc. Surface modification compositions, methods of modifying silicon-based materials, and methods of forming high aspect ratio structures
JP6310583B2 (ja) 2017-02-10 2018-04-11 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN118344845A (zh) 2017-03-24 2024-07-16 富士胶片电子材料美国有限公司 表面处理方法及用于所述方法的组合物
KR102693590B1 (ko) * 2017-10-31 2024-08-08 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 표면 처리 방법, 표면 처리액, 및 표면 처리된 물품
US10941301B2 (en) * 2017-12-28 2021-03-09 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Surface treatment method, surface treatment agent, and method for forming film region-selectively on substrate
JP6916731B2 (ja) * 2017-12-28 2021-08-11 東京応化工業株式会社 基板の撥水化方法、表面処理剤、及び基板表面を洗浄液により洗浄する際の有機パターン又は無機パターンの倒れを抑制する方法
IL275626B2 (en) 2018-01-05 2024-07-01 Fujifilm Electronic Mat Usa Inc Preparations and methods for surface treatment

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008199028A (ja) 2007-02-15 2008-08-28 Air Products & Chemicals Inc 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法
JP2012033873A (ja) 2010-05-19 2012-02-16 Central Glass Co Ltd 保護膜形成用薬液
JP2016195230A (ja) 2015-03-31 2016-11-17 東京応化工業株式会社 表面処理方法及び表面処理液

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