JP5953721B2 - 保護膜形成用薬液の調製方法 - Google Patents
保護膜形成用薬液の調製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5953721B2 JP5953721B2 JP2011260869A JP2011260869A JP5953721B2 JP 5953721 B2 JP5953721 B2 JP 5953721B2 JP 2011260869 A JP2011260869 A JP 2011260869A JP 2011260869 A JP2011260869 A JP 2011260869A JP 5953721 B2 JP5953721 B2 JP 5953721B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- water
- protective film
- chemical solution
- organic solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/40—Additives
- C09D7/60—Additives non-macromolecular
- C09D7/63—Additives non-macromolecular organic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/296—Organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Materials Applied To Surfaces To Minimize Adherence Of Mist Or Water (AREA)
Description
P=2×γ×cosθ/S
(γ:表面張力、θ:接触角、S:パターン寸法(凹部の幅))
非水有機溶媒中の水分濃度を200質量ppm以下にする、脱水工程、
脱水工程後の非水有機溶媒と、シリル化剤と、酸又は塩基とを混合する、混合工程
を有することを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液の調製方法である。
(R1)aSi(H)bX1 4−a−b [1]
[式1中、R1は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基を含む1価の有機基である。また、X1は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である1価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である1価の官能基、ハロゲン基、ニトリル基、および、−CO−NH−Si(CH3)3からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を表す。aは1〜3の整数、bは0〜2の整数であり、aとbの合計は1〜3である。]
1又は2、iは0〜2の整数)、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、ニトリル基、または、−CO−NH−Si(CH3)3に置き換えた化合物などが挙げられる。
R2S(O)2OH [2]
[式2中、R2は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。]
R3COOH [3]
[式3中、R3は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。]
(R4)cSi(H)dX2 4−c−d [4]
[式4中、R4は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。また、X2は、それぞれ互いに独立して、クロロ基、−OCO−R5(R5は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基)、および、−OS(O)2−R6(R6は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を表す。cは1〜3の整数、dは0〜2の整数であり、cとdの合計は1〜3である。]
(R7)eSi(H)fX3 4−e−f [5]
[式5中、R7は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。また、X3は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素であり、フッ素元素やケイ素元素を含んでいても良い1価の官能基である。eは1〜3の整数、fは0〜2の整数であり、eとfの合計は1〜3である。]
非水有機溶媒中の水分濃度を200質量ppm以下にする、脱水工程、
脱水工程後の非水有機溶媒と、シリル化剤とを混合する、処理液A作製工程、
脱水工程後の非水有機溶媒と、酸又は塩基とを混合する、処理液B作製工程
を有することを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法である。
R8 gSiX4 4−g [6]
[式6中、R8は、それぞれ互いに独立して、水素基、及び、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基から選ばれる少なくとも1つの基であり、ケイ素元素と結合する全ての前記炭化水素基に含まれる炭素数の合計は6以上である。また、X4は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である1価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である1価の官能基、ハロゲン基、ニトリル基、および、−CO−NH−Si(CH3)3から選ばれる少なくとも1つの基であり、gは1〜3の整数である。]
Si(CH3)3、−N=C(CF3)OSi(CH3)3、−NHC(O)−OSi(CH3)3、−NHC(O)−NH−Si(CH3)3、イミダゾール環、オキサゾリジノン環、モルホリン環、−NH−C(O)−Si(CH3)3、−N(H)2−h(Si(H)iR9 3−i)h(R9は、一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1〜18の1価の炭化水素基、hは1又は2、iは0〜2の整数)、ブロモ基、ヨード基、ニトリル基、または、−CO−NH−Si(CH3)3に置き換えた化合物などが挙げられる。
一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が4乃至18の1価の炭化水素基であり、残りのR8がメチル基2個からなるものは、凹凸パターン表面やウェハ表面のOH基との反応速度が速いので好ましい。これは、凹凸パターン表面やウェハ表面のOH基と前記ケイ素化合物との反応において、疎水性基による立体障害が反応速度に大きな影響を与えるためであり、ケイ素元素に結合するアルキル鎖は最も長い一つを除く残り二つは短い方が好ましいからである。
保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法として、以下の(1)〜(2)の評価を行った。
薬液による表面処理により保護膜が形成されたウェハ表面上に純水約2μlを置き、水滴とウェハ表面とのなす角(接触角)を接触角計(協和界面科学製:CA−X型)で測定した。
調製後密閉状態で4週間、12週間保管した後の、該薬液を用いてSiO2膜付きシリコンウェハ表面およびSiN膜付きシリコンウェハ表面へ表面処理を施したサンプルに対して、「(1)ウェハ表面に形成された保護膜の接触角評価」に従って接触角を測定して、薬液の撥水性付与効果の持続性(ポットライフ)を評価した。また、調製した薬液キットから得られる薬液を密閉状態で1週間、4週間保管した後の、該薬液を用いてSiO2膜付きシリコンウェハ表面へ表面処理を施したサンプルに対して、同様に評価を行った。また、調製した薬液キットから得られる薬液を密閉状態で5時間、24時間保管した後の、該薬液を用いてSiN膜付きシリコンウェハ表面へ表面処理を施したサンプルに対して、同様に評価を行った。
(1)保護膜形成用薬液の調製
脱水工程として、モレキュラーシーブ3A(ユニオン昭和製)を使用して、難燃性でありOH基を含有しない非水有機溶媒であるハイドロフルオロエーテル(3M製HFE−7100)に対して水分除去を施した。水分除去を施したHFE−7100の水分量は、カールフィッシャー式水分計(京都電子製、MKC−610−DT型)により測定を行ったところ、34質量ppmであった。次に、混合工程として、シリル化剤としてトリメチルメトキシシラン〔(CH3)3SiOCH3〕;3g、酸としてトリフルオロメタンスルホン酸〔CF3SO3H〕;1g、非水有機溶媒として上記により水分除去を施したHFE−7100;96gを混合し、保護膜形成用薬液を得た。なお、上記の脱水工程、混合工程は、露点温度が−70℃以下の不活性雰囲気で行った。また、上記で得られた薬液は密閉容器で露点温度が−70℃以下の不活性状態で密封保管した。また、本実施例以降の実施例、比較例においても、薬液又は薬液キット(処理液A、処理液B)の調製は露点温度が−70℃以下の不活性雰囲気で行い、得られる薬液又は薬液キット(処理液A、処理液B)は密閉容器で露点温度が−70℃以下の不活性状態で密封保管した。
SiO2膜付きシリコンウェハ(表面に厚さ1μmの熱酸化膜層を有するシリコンウェハ)を室温で1質量%のフッ酸水溶液に2分浸漬し、次いで純水に1分、2−プロパノール(iPA)に1分浸漬した。
洗浄後のSiO2膜付きシリコンウェハを、上記「(1)保護膜形成用薬液の調製」で調製後10分以内の保護膜形成用薬液に20℃で1分浸漬させた。その後、該ウェハをiPAに1分浸漬し、次いで、水系洗浄液としての純水に1分浸漬した。最後に、該ウェハを純水から取出し、エアーを吹き付けて、表面の純水を除去した。
脱水工程として、ゼオラム4A(東ソー製)により水分除去を施したOH基を含有しない非水有機溶媒であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)を調製した。水分除去を施したPGMEAの水分量は36質量ppmであった。次に、混合工程として、シリル化剤としてヘキサメチルジシラザン〔(CH3)3Si−NH−Si(CH3)3〕;5g、酸として無水トリフルオロ酢酸〔(CF3CO)2O〕;0.1gと非水有機溶媒として上記により水分除去を施したPGMEA;94.9gを混合し、保護膜形成用薬液を得た以外は実施例1−1と同様の方法で行った。結果は表1に示すとおり、優れた撥水性付与効果があり、その効果は12週間保管後も安定して維持されていた。
脱水工程として、シリカゲル(関東化学製)を使用してOH基を含有しない非水有機溶媒であるPGMEAに対して水分除去を施した(脱水工程後の水分量=78質量ppm)。該非水有機溶媒を用いた以外は、実施例1−2と同様の方法で行った。結果は表1に示すとおり、優れた撥水性付与効果があり、その効果は12週間保管後も安定して維持されていた。
脱水工程として、ソーダ石灰(セントラル硝子製)を使用してPGMEAに対して水分除去を施した(脱水工程後の水分量=130質量ppm)。該非水有機溶媒を用いた以外は、実施例1−2と同様の方法で行った。結果は表1に示すとおり、優れた撥水性付与効果があり、12週間保管後も撥水性付与効果はやや低下したものの撥水性付与効果は安定して維持されていた。
脱水工程として、モレキュラーシーブ3A(ユニオン昭和製)により水分除去を施したOH基を有する非水有機溶媒であるイソプロピルアルコール(iPA)を調製した。水分除去を施したiPAの水分量は32質量ppmであった。次に、混合工程として、トリメチルクロロシラン〔(CH3)3SiCl〕;10gと非水有機溶媒として上記により水分除去を施したiPA;90gを混合して、保護膜形成用薬液を得た以外は実施例1−1と同様の方法で行った。なお、本実施例で得た保護膜形成用薬液は、トリメチルクロロシランがiPAと反応して、シリル化剤としてのトリメチルイソプロポキシシランと酸としての塩化水素が生成し存在していた。結果は表1に示すとおり、撥水性付与効果があり、12週間保管後も撥水性付与効果は安定して維持されていた。
非水有機溶媒として水分除去を施していないPGMEA(水分量=320質量ppm)を用い、実施例2と同様の混合工程を行って保護膜形成用薬液を得た。得られたウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は90°となり、撥水性付与効果を示した。しかし、25℃で4週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が68°であり、25℃で12週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が58°であり、撥水性付与効果が安定的に維持されなかった。結果を表1に示す。
脱水工程として、モレキュラーシーブ3A(ユニオン昭和製)により水分除去を施したOH基を含有しない非水有機溶媒であるジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート(DGEEA)を調製した。水分除去を施したDGEEAの水分量は、カールフィッシャー式水分計(京都電子製、MKC−610−DT型)により測定を行ったところ、28質量ppmであった。次に、処理液A作製工程として、シリル化剤としてブチルジメチル(ジメチルアミノシラン)〔C4H9Si(CH3)2−N(CH3)2〕;5gと非水有機溶媒として上記により水分除去を施したDGEEA;45gを混合し、処理液Aを調製した。また、処理液B作製工程として、酸として無水トリフルオロ酢酸〔CF3C(O)OH〕;0.2gと非水有機溶媒として上記により水分除去を施したDGEEA;49.8gを混合し、処理液Bを調製した。処理液A及び処理液Bを混合し、得られた保護膜形成用薬液を10分以内に用いた以外は実施例1−1と同様の方法で行った。得られたウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は94°となり、優れた撥水性付与効果を示した。本実施例で用いた薬液のポットライフ評価を行ったところ、25℃で1週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が92°であり、25℃で4週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が90°であり、4週間保管後も優れた撥水性付与効果を安定して維持していた。結果を表2に示す。
シリル化剤としてオクチルジメチル(ジメチルアミノシラン)〔C8H17Si(CH3)2−N(CH3)2〕;5gを用いた以外は実施例2−1と同様の方法で行った。結果は表2に示すとおり、該薬液キットから得られた薬液には優れた撥水性付与効果があり、4週間保管後も撥水性付与効果は安定して維持されていた。
実施例2−2で用いた非水有機溶媒を適宜変更して評価を行った。結果は表2に示すとおり、該薬液キットから得られた薬液には優れた撥水性付与効果があり、4週間保管後も撥水性付与効果は安定して維持されていた。
脱水工程として、ゼオラム4A(東ソー製)を使用してPGMEAに対して水分除去を施した(脱水工程後の水分量=36質量ppm)。次に、処理液A作製工程として、シリル化剤としてオクチルジメチル(ジメチルアミノシラン)〔C8H17Si(CH3)2−N(CH3)2〕;5gと非水有機溶媒として上記により水分除去を施したPGMEA;45gを混合し、処理液Aを調製した以外は実施例2−1と同様の方法で行った。結果は表2に示すとおり、該薬液キットから得られた薬液には優れた撥水性付与効果があり、4週間保管後も撥水性付与効果は安定して維持されていた。
非水有機溶媒として、ソーダ石灰(セントラル硝子製)を使用して水分除去を施したDGEEA(脱水工程後の水分量=160質量ppm)を用いた以外は、実施例2−2と同様の方法で行った。結果は表2に示すとおり、該薬液キットから得られた薬液には優れた撥水性付与効果があり、4週間保管後も撥水性付与効果はやや低下したものの撥水性付与効果は安定して維持されていた。
非水有機溶媒として水分除去を施していないDGEEA(水分量=400質量ppm)を用いた以外は、実施例2−2と同様の方法で行った。結果、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は100°となり、該薬液キットから得られた薬液には優れた撥水性付与効果を示した。しかし、本比較例で用いた薬液のポットライフ評価を行ったところ、25℃で1週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が90°であり、25℃で4週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が82°であり、撥水性付与効果が安定的に維持されなかった。結果を表2に示す。
表面が平滑なシリコンウェハ上に窒化ケイ素層を有する「SiN膜付きシリコンウェハ」(表面に厚さ50nmの窒化ケイ素層を有するシリコンウェハ)を用いた以外は、実施例1−2と同様の方法で行った。得られたウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は64°となり、撥水性付与効果を示した。本実施例で用いた薬液のポットライフ評価を行ったところ、25℃で4週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が64°であり、25℃で12週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が62°であり、12週間後も撥水性付与効果を安定して維持していた。結果を表3に示す。
表面が平滑なシリコンウェハ上に窒化ケイ素層を有する「SiN膜付きシリコンウェハ」(表面に厚さ50nmの窒化ケイ素層を有するシリコンウェハ)を用いた以外は、比較例1−1と同様の方法で行った。得られたウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は64°となり、撥水性付与効果を示した。しかし、本比較例で用いた薬液のポットライフ評価を行ったところ、25℃で4週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が50°であり、25℃で12週間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が42°であり、撥水性付与効果が安定的に維持されなかった。結果を表3に示す。
表面が平滑なシリコンウェハ上に窒化ケイ素層を有する「SiN膜付きシリコンウェハ」(表面に厚さ50nmの窒化ケイ素層を有するシリコンウェハ)を用いた以外は、実施例2−2と同様の方法で行った。得られたウェハを上記「保護膜形成用薬液が供されたウェハの評価方法」に記載した要領で評価したところ、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は84°となり、優れた撥水性付与効果を示した。本実施例で用いた薬液のポットライフ評価を行ったところ、25℃で5時間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が83°であり、25℃で24時間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が82°であり、24時間保管後も優れた撥水性付与効果を安定して維持していた。結果を表4に示す。
実施例4−1で用いた非水有機溶媒を適宜変更して評価を行った。結果は表4に示すとおり、該薬液キットから得られた薬液には優れた撥水性付与効果があり、24時間保管後も撥水性付与効果は安定して維持されていた。
表面が平滑なシリコンウェハ上に窒化ケイ素層を有する「SiN膜付きシリコンウェハ」(表面に厚さ50nmの窒化ケイ素層を有するシリコンウェハ)を用いた以外は、比較例2−1と同様の方法で行った。結果、表面処理前の初期接触角が10°未満であったものが、表面処理後の接触角は82°となり、該薬液キットから得られた薬液は撥水性付与効果を示した。しかし、本比較例で用いた薬液のポットライフ評価を行ったところ、25℃で5時間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が70°であり、25℃で24時間保管後の薬液で表面処理した後の接触角が60°であり、撥水性付与効果が安定的に維持されなかった。結果を表4に示す。
Claims (10)
- 表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がケイ素元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための、非水有機溶媒と、シリル化剤とを有する処理液Aと、非水有機溶媒と、酸又は塩基とを有する処理液Bからなる、撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法であり、
非水有機溶媒中の水分濃度を200質量ppm以下にする、脱水工程、
脱水工程後の非水有機溶媒と、シリル化剤とを混合する、処理液A作製工程、
脱水工程後の非水有機溶媒と、酸又は塩基とを混合する、処理液B作製工程
を有することを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法。 - 前記脱水工程が、非水有機溶媒を蒸留精製すること、非水有機溶媒に不溶性の水吸着剤を加えて該溶媒から水を除去すること、乾燥した不活性ガスによりばっ気置換すること、加熱若しくは真空加熱することからなる群から選ばれる少なくとも1つの方法であることを特徴とする、請求項1に記載の撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法。
- 前記非水有機溶媒に不溶性の水吸着剤が、ゼオライト、5酸化2リン、シリカゲル、塩化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム、無水塩化亜鉛、発煙硫酸、ソーダ石灰からなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、請求項2に記載の撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法。
- 前記非水有機溶媒が、炭化水素類、エステル類、エーテル類、ケトン類、含ハロゲン溶媒、スルホキシド系溶媒、ラクトン系溶媒、カーボネート系溶媒、OH基を持たない多価アルコールの誘導体、N−H基を持たない窒素元素含有溶媒からなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法。
- 前記シリル化剤が、下記一般式[1]で表されるケイ素化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法。
(R1)aSi(H)bX1 4−a−b [1]
[式1中、R1は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基を含む1価の有機基である。また、X1は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である1価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である1価の官能基、ハロゲン基、ニトリル基、および、−CO−NH−Si(CH3)3からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を表す。aは1〜3の整数、bは0〜2の整数であり、aとbの合計は1〜3である。] - 前記シリル化剤が、下記一般式[6]で表されるケイ素化合物であることを特徴とする、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法。
R8 gSiX4 4−g [6]
[式6中、R8は、それぞれ互いに独立して、水素基、及び、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基から選ばれる少なくとも1つの基であり、ケイ素元素と結合する全ての前記炭化水素基に含まれる炭素数の合計は6以上である。また、X4は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素である1価の官能基、ケイ素元素と結合する元素が酸素である1価の官能基、ハロゲン基、ニトリル基、および、−CO−NH−Si(CH3)3から選ばれる少なくとも1つの基であり、gは1〜3の整数である。] - 前記酸が、塩化水素、硫酸、過塩素酸、下記一般式[2]で表されるスルホン酸およびその無水物、下記一般式[3]で表されるカルボン酸およびその無水物、アルキルホウ酸エステル、アリールホウ酸エステル、トリス(トリフルオロアセトキシ)ホウ素、トリアルコキシボロキシン、トリフルオロホウ素、下記一般式[4]で表されるシラン化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法。
R2S(O)2OH [2]
[式2中、R2は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。]
R3COOH [3]
[式3中、R3は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。]
(R4)cSi(H)dX2 4−c−d [4]
[式4中、R4は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。また、X2は、それぞれ互いに独立して、クロロ基、−OCO−R5(R5は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基)、および、−OS(O)2−R6(R6は、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を表す。cは1〜3の整数、dは0〜2の整数であり、cとdの合計は1〜3である。] - 前記塩基が、アンモニア、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、トリエチレンジアミン、ジメチルアニリン、アルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、ピリジン、ピペラジン、N−アルキルモルホリン、下記一般式[5]で示されるシラン化合物からなる群から選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする、請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法。
(R7)eSi(H)fX3 4−e−f [5]
[式5中、R7は、それぞれ互いに独立して、一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が1乃至18の1価の炭化水素基である。また、X3は、それぞれ互いに独立して、ケイ素元素と結合する元素が窒素であり、フッ素元素やケイ素元素を含んでいても良い1価の官能基である。eは1〜3の整数、fは0〜2の整数であり、eとfの合計は1〜3である。] - 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法で調製した撥水性保護膜形成用薬液キットの処理液Aと処理液Bを混合することを特徴とする、
撥水性保護膜形成用薬液の調製方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の撥水性保護膜形成用薬液キットの調製方法で調製した撥水性保護膜形成用薬液キットの処理液Aと処理液Bを混合して調製した撥水性保護膜形成用薬液を用いることを特徴とする、
表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がケイ素元素を含むウェハの洗浄方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011260869A JP5953721B2 (ja) | 2011-10-28 | 2011-11-29 | 保護膜形成用薬液の調製方法 |
SG11201402474UA SG11201402474UA (en) | 2011-11-29 | 2012-11-20 | Method of preparing liquid chemical for forming protective film |
KR1020147013884A KR20140083046A (ko) | 2011-11-29 | 2012-11-20 | 보호막 형성용 약액의 조제 방법 |
SG10201602500SA SG10201602500SA (en) | 2011-11-29 | 2012-11-20 | Method of preparing liquid chemical for forming protective film |
PCT/JP2012/080016 WO2013080832A1 (ja) | 2011-11-29 | 2012-11-20 | 保護膜形成用薬液の調製方法 |
TW101144842A TWI601810B (zh) | 2011-11-29 | 2012-11-29 | Preparation of a protective film-forming solution |
US13/688,856 US20130255534A1 (en) | 2011-10-28 | 2012-11-29 | Method of Preparing Liquid Chemical for Forming Protective Film |
US15/348,383 US20170062203A1 (en) | 2011-11-29 | 2016-11-10 | Method of Preparing Liquid Chemical for Forming Protective Film |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011236561 | 2011-10-28 | ||
JP2011236561 | 2011-10-28 | ||
JP2011260869A JP5953721B2 (ja) | 2011-10-28 | 2011-11-29 | 保護膜形成用薬液の調製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016112677A Division JP6213616B2 (ja) | 2011-10-28 | 2016-06-06 | 保護膜形成用薬液の調製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013108044A JP2013108044A (ja) | 2013-06-06 |
JP5953721B2 true JP5953721B2 (ja) | 2016-07-20 |
Family
ID=48535294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011260869A Active JP5953721B2 (ja) | 2011-10-28 | 2011-11-29 | 保護膜形成用薬液の調製方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20130255534A1 (ja) |
JP (1) | JP5953721B2 (ja) |
KR (1) | KR20140083046A (ja) |
SG (2) | SG10201602500SA (ja) |
TW (1) | TWI601810B (ja) |
WO (1) | WO2013080832A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160114736A (ko) * | 2008-10-21 | 2016-10-05 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 표면 처리액 및 표면 처리 방법, 그리고 소수화 처리 방법 및 소수화된 기판 |
JP2015214664A (ja) * | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 信越化学工業株式会社 | 含フッ素コーティング剤及び該コーティング剤で処理された物品 |
US9703202B2 (en) * | 2015-03-31 | 2017-07-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Surface treatment process and surface treatment liquid |
JP6681795B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2020-04-15 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
KR102306472B1 (ko) * | 2016-06-13 | 2021-09-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 액체 조성물이 수용된 수용 용기 및 액체 조성물의 보관 방법 |
CN105925971B (zh) * | 2016-06-14 | 2018-02-27 | 中山市东升镇威尔特表面技术厂 | 环保型皮膜剂 |
EP3602606A4 (en) | 2017-03-24 | 2020-02-05 | FUJIFILM Electronic Materials U.S.A, Inc. | SURFACE TREATMENT METHODS AND COMPOSITIONS THEREFOR |
EP3704547B1 (en) * | 2017-11-03 | 2022-07-13 | Basf Se | Use of compositions comprising a siloxane-type additive for avoiding pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below |
IL275626B1 (en) | 2018-01-05 | 2024-03-01 | Fujifilm Electronic Mat Usa Inc | Preparations and methods for surface treatment |
US20200035494A1 (en) * | 2018-07-30 | 2020-01-30 | Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. | Surface Treatment Compositions and Methods |
EP3953768A1 (en) * | 2019-04-09 | 2022-02-16 | Basf Se | Composition comprising an ammonia-activated siloxane for avoiding pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below |
WO2022008306A1 (en) | 2020-07-09 | 2022-01-13 | Basf Se | Composition comprising a siloxane and an alkane for avoiding pattern collapse when treating patterned materials with line-space dimensions of 50 nm or below |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8153261B2 (en) * | 2006-09-01 | 2012-04-10 | Momentive Performance Materials Inc. | Solid polymeric substrate having adherent resin component derived from curable silylated polyurethane composition |
JP5250813B2 (ja) * | 2007-03-25 | 2013-07-31 | 国立大学法人徳島大学 | 撥水処理方法および撥水性シリカ層を有する基材 |
JP2008277748A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-13 | Renesas Technology Corp | レジストパターンの形成方法とその方法により製造した半導体デバイス |
JP2008309929A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト下層膜形成用組成物およびレジスト下層膜 |
JP5533178B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2014-06-25 | セントラル硝子株式会社 | シリコンウェハ用洗浄剤 |
JP5446848B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2014-03-19 | セントラル硝子株式会社 | シリコンウェハ用洗浄剤 |
JP5482192B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2014-04-23 | セントラル硝子株式会社 | シリコンウェハ用洗浄剤 |
FR2951303B1 (fr) * | 2009-10-13 | 2012-04-06 | Commissariat Energie Atomique | Installation et procede de surveillance d'une zone delimitee et predeterminee a l'aide d'au moins un capteur acoustique |
JP5708191B2 (ja) * | 2010-05-19 | 2015-04-30 | セントラル硝子株式会社 | 保護膜形成用薬液 |
-
2011
- 2011-11-29 JP JP2011260869A patent/JP5953721B2/ja active Active
-
2012
- 2012-11-20 SG SG10201602500SA patent/SG10201602500SA/en unknown
- 2012-11-20 KR KR1020147013884A patent/KR20140083046A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-11-20 WO PCT/JP2012/080016 patent/WO2013080832A1/ja active Application Filing
- 2012-11-20 SG SG11201402474UA patent/SG11201402474UA/en unknown
- 2012-11-29 US US13/688,856 patent/US20130255534A1/en not_active Abandoned
- 2012-11-29 TW TW101144842A patent/TWI601810B/zh active
-
2016
- 2016-11-10 US US15/348,383 patent/US20170062203A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130255534A1 (en) | 2013-10-03 |
JP2013108044A (ja) | 2013-06-06 |
TW201329219A (zh) | 2013-07-16 |
SG11201402474UA (en) | 2014-09-26 |
SG10201602500SA (en) | 2016-04-28 |
WO2013080832A1 (ja) | 2013-06-06 |
TWI601810B (zh) | 2017-10-11 |
KR20140083046A (ko) | 2014-07-03 |
US20170062203A1 (en) | 2017-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5953721B2 (ja) | 保護膜形成用薬液の調製方法 | |
JP6032338B2 (ja) | 保護膜形成用薬液 | |
JP5708191B2 (ja) | 保護膜形成用薬液 | |
US9748092B2 (en) | Liquid chemical for forming protecting film | |
WO2012090779A1 (ja) | ウェハの洗浄方法 | |
JP2012015335A (ja) | 保護膜形成用薬液、および、ウェハ表面の洗浄方法 | |
KR101425543B1 (ko) | 발수성 보호막 형성용 약액 및 이를 사용하는 웨이퍼의 세정 방법 | |
JP2010192878A (ja) | シリコンウェハ用洗浄剤 | |
JP2010192879A (ja) | シリコンウェハ用洗浄剤 | |
WO2017159447A1 (ja) | 撥水性保護膜形成剤、撥水性保護膜形成用薬液、及びウェハの洗浄方法 | |
JP6213616B2 (ja) | 保護膜形成用薬液の調製方法 | |
JP5716527B2 (ja) | 撥水性保護膜形成用薬液と該薬液を用いたウェハの洗浄方法 | |
JP5974514B2 (ja) | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 | |
KR20130046431A (ko) | 발수성 보호막 형성제, 발수성 보호막 형성용 약액과 당해 약액을 이용한 웨이퍼의 세정 방법 | |
JP5953707B2 (ja) | 窒化ケイ素含有ウェハ用の表面処理剤、表面処理液、及び表面処理方法 | |
JP6098741B2 (ja) | ウェハの洗浄方法 | |
WO2013069499A1 (ja) | ウェハの表面処理方法及び表面処理液、並びに、窒化ケイ素含有ウェハ用の表面処理剤、表面処理液、及び表面処理方法 | |
WO2013115021A1 (ja) | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 | |
JP5974515B2 (ja) | 撥水性保護膜形成用薬液、撥水性保護膜形成用薬液キット、及びウェハの洗浄方法 | |
WO2010084826A1 (ja) | シリコンウェハ用洗浄剤 | |
JP5712670B2 (ja) | 撥水性保護膜形成薬液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140901 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160530 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5953721 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |