TW201927964A - 工件加工用片材及加工畢工件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的工件加工用片材，其係具備：基材、與積層於上述基材單面側的黏著劑層之工件加工用片材，其中，上述黏著劑層內的位置中，在距離上述黏著劑層中與上述基材為相反側的面為深度100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測定的氧原子比率係20原子%以上且29原子%以下。該工件加工用片材係能抑制在工件加工用片材與被切斷物的界面、工件加工用片材與所獲得晶片的界面處發生水滲入，且能將在半導體晶圓等被切斷物的加工之際附著於該被切斷物之源自黏著劑層的黏著劑，利用水流而良好地從被切斷物去除。

Description

工件加工用片材及加工畢工件之製造方法
本發明係關於可較佳地使用於切割的工件加工用片材、及使用該工件加工用片材的加工畢工件之製造方法。
矽、鎵砷等半導體晶圓及各種封裝類(以下將此等統稱為「被切斷物」)，係以大直徑的狀態被製造，再將此等切斷(切割)成元件小片(以下稱「晶片」)且各個分離(拾取)後，移往下一步驟的黏著步驟。此時，半導體晶圓等被切斷物係以黏貼於具備基材與黏著劑層的工件加工用片材的狀態下，進行切割、洗淨、乾燥、擴張、拾取及黏晶等各項步驟。
上述切割步驟係藉由在旋轉的切割刀片、與被切斷物或工件加工用片材之間所產生的摩擦熱，而加熱切割刀片、被切斷物及工件加工用片材。又，在切割步驟中會從被切斷物、工件加工用片材產生切削片，且有其會附著於被切斷物的情形。
所以，在進行切割步驟之際，通常會對切斷部分供應水流而冷卻切割刀片等，且同時從被切斷物去除所產生的切削片。
專利文獻1中揭示一種工件加工用片材，其係以促進此種由水流所致之切削片的去除為目的，紫外線照射前的黏著劑層中與基材為相反側的面之對於純水的接觸角係82°~114°，且對於二碘甲烷的接觸角係44°~64°，並且紫外線照射前的黏著劑層之探針黏性測試(probe tack test)的尖峰值係294~578kPa。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利第5019657號
[發明所欲解決之課題]
然而，在使用專利文獻1所揭示之習知工件加工用片材進行切割步驟之情形，源自工件加工用片材之黏著劑層的黏著劑，並無法被充分地從被切斷物去除。
再者，一般因切割時的水流供應，會有導致工件加工用片材與被切斷物的界面、工件加工用片材與所獲得晶片的界面出現水滲入之情形。若發生此種水滲入，便會有產生晶片飛散、晶片缺損的可能性。
本發明係有鑑於此種實情而完成，目的在於提供：能抑制在工件加工用片材與被切斷物的界面、工件加工用片材與所獲得晶片的界面發生水滲入，且能將在半導體晶圓等被切斷物的加工之際附著於該被切斷物之源自黏著劑層的黏著劑，利用水流而良好地從被切斷物去除的工件加工用片材、及使用該工件加工用片材的加工畢工件之製造方法。
[解決課題之技術手段]
為了達成上述目的，第一，本發明提供一種工件加工用片材，係包括：基材、與積層於上述基材單面側的黏著劑層之工件加工用片材；其特徵在於，上述黏著劑層內的位置中，在距離上述黏著劑層中與上述基材為相反側的面為深度100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測定的氧原子比率係20原子%以上且29原子%以下(發明1)。
上述發明(發明1)的工件加工用片材，藉由在距離黏著劑層中與基材為相反側的面(以下亦稱「黏著面」)為深度100nm的位置之氧原子比例為上述範圍，可使黏著劑層內部的黏著劑成為對水具有既定親和性者，藉此，能抑制在黏著面與被切斷物及/或所獲得的晶片的界面之水滲入，且能利用水流而良好地去除附著於被切斷物的黏著劑。
上述發明(發明1)中，上述黏著劑層的厚度較佳為1.5μm以上且小於50μm(發明2)。
上述發明(發明1、2)中，上述黏著劑層中與上述基材為相反側的面的水接觸角較佳為50°以上且80°以下(發明3)。
上述發明(發明1~3)中，將上述工件加工用片材對矽晶圓的黏著力設為F1，並將上述工件加工用片材在23℃蒸餾水中浸漬12小時再以23℃進行24小時乾燥後之上述工件加工用片材對矽晶圓的黏著力設為F2時，由下述式(1)：
黏著力減少率(%)={(F1-F2)/F1}×100…(1)
所計算出的黏著力減少率，較佳為20%以上且50%以下(發明4)。
上述發明(發明4)中，上述黏著力F1較佳為1000mN/25mm以上且10000mN/25mm以下(發明5)。
上述發明(發明4、5)中，上述黏著力F2較佳為900mN/25mm以上且8000mN/25mm以下(發明6)。
上述發明(發明1~6)中，上述黏著劑層較佳為由活性能量線硬化性黏著劑構成(發明7)。
上述發明(發明7)中，上述活性能量線硬化性黏著劑較佳為由含有丙烯酸系共聚物的黏著劑組成物所形成之黏著劑，該丙烯酸系共聚物含有選自丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙基卡必醇酯、及(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯的至少一種作為構成聚合物的單體單元(發明8)。
上述發明(發明1~8)中，較佳為切割片(dicing sheet)(發明9)。
第二，本發明提供一種加工畢工件之製造方法，其特徵在於包括：貼合步驟，其係將上述工件加工用片材(發明1~9)之上述黏著劑層中與上述基材為相反側的面、與工件予以貼合；加工步驟，其係藉由在上述工件加工用片材上將上述工件進行加工，而獲得積層在上述工件加工用片材上的加工畢工件；照射步驟，其係對上述黏著劑層照射活性能量線，使上述黏著劑層硬化，而使上述工件加工用片材對上述加工畢工件的黏著力降低；以及，分離步驟，其係從活性能量線照射後的上述工件加工用片材，分離上述加工畢工件(發明10)。
[發明效果]
本發明的工件加工用片材係能抑制在工件加工用片材與被切斷物的界面、工件加工用片材與所獲得晶片的界面之水滲入，且能將在半導體晶圓等被切斷物的加工之際附著於該被切斷物上之源自黏著劑層的黏著劑，利用水流而良好地從被切斷物去除。又，根據本發明的加工畢工件之製造方法，能有效率地製造加工畢工件。
以下，針對本發明實施形態進行說明。
[工件加工用片材]
本實施形態的工件加工用片材，具備：基材、與積層在基材的單側之黏著劑層。
1.工件加工用片材之物性
本實施形態的工件加工用片材，係黏著劑層內的位置中，在距離黏著劑層中與基材為相反側的面為深度100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測定的氧原子比率係20原子%以上且29原子%以下。藉此，黏著劑層內部的黏著劑對水具有既定的親和性。另外，該氧原子比率的測定方法的詳細內容，如同後述的測試例所記載。
一般在使用切割刀片進行切割之際，係對切斷部分供應水流，且同時將旋轉的切割刀片碰抵被切斷物，而進行該被切斷物的切斷。此時，旋轉的切割刀片不僅接觸到被切斷物，亦會接觸到黏著劑層。如此所接觸到的部分會產生黏著劑層的切斷、構成黏著劑層的黏著劑因切割刀片而捲起，結果形成該黏著劑的小片。該小片附著於被切斷物或所形成的晶片，會對後續晶片的處置造成不良影響，或者成為晶片或搭載該晶片的製品品質降低之肇因。此處，黏著劑的小片因係如上述般形成，故該小片幾乎在構成黏著劑層時便存在於黏著劑層的內部。
本實施形態的工件加工用片材，如上述，因黏著劑層內部的黏著劑對水具有既定的親和性，故即使在黏著劑的小片附著於被切斷物、晶片之情形，該小片的表面亦對水具有既定的親和性。所以，根據本實施形態的工件加工用片材，可抑制起因於切割時所供應的水流之在黏著面與被切斷物及/或所獲得的晶片的界面之水滲入，且利用該水流可從被切斷物、晶片良好地去除該等所附著的黏著劑。
相對於此，習知工件加工用片材，係黏著劑層之黏著面的氧原子比率容易變大，隨此現象，黏著劑層內部的氧原子比率便容易變小。此現象的原因之一，可認為係通常在使用黏著劑組成物的塗佈液形成黏著劑層之際，受到空氣中所存在水分的影響，將塗佈液進行塗佈所形成之塗膜的表面(接觸到空氣之面)，會有具氧原子的成分集中之傾向。習知工件加工用片材，因黏著劑層內部的氧原子比率並未充分大，故黏著劑層的內部對水並未具充分的親和性。所以，由習知的工件加工用片材所生成的黏著劑小片，即便使用水流，亦無法良好地被從其所附著的被切斷物、晶片去除。
若上述氧原子比率小於20原子%，則黏著劑層內部的黏著劑對水未具有充分的親和性，導致無法從被切斷物或晶片去除黏著劑小片。又，若上述氧原子比率大於29原子%，則黏著劑層整體對水的親和性過高，導致在黏著劑層的黏著面、與被切斷物及/或所獲得的晶片之界面會發生水滲入。
就從利用水流便可將被切斷物及/或所獲得的晶片所附著的黏著劑良好地去除，且更良好地抑制在黏著面、與被切斷物或晶片的界面之水滲入的觀點而言，本實施形態的工件加工用片材，前述氧原子比率較佳為21原子%以上。又，前述氧原子比率較佳為28原子%以下。
另外，本實施形態的工件加工用片材，雖規定在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例為20原子%以上且29原子%以下，但根據此種規定，可推定不僅距離黏著面為深度100nm的位置，針對黏著劑層的內部整體(黏著面附近除外)，黏著劑層亦對水具有既定的親和性。所以，將本實施形態工件加工用片材使用於切割之情形，不論旋轉的切割刀片進入黏著劑層的深度多寡，皆可良好地獲得利用水流去除黏著劑的效果、及抑制上述水滲入的效果。
再者，本實施形態的工件加工用片材，在黏著劑層中與基材為相反側的面(黏著面)之利用X射線光電子能譜分析所測定的氧原子比率，較佳為29原子%以下，再佳為28原子%以下。藉由黏著面的氧原子比率為29原子%以下，該黏著面對水的親和性較低。藉此，可有效抑制在黏著面、與被切斷物及/或所獲得的晶片的界面之水滲入。又，本實施形態的工件加工用片材，黏著面之利用X射線光電子能譜分析所測定的氧原子比率，較佳為20原子%以上，特佳為25原子%以上。藉由黏著面的氧原子比率為20原子%以上，變得容易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至上述範圍，而利用水流便可輕易去除附著在被切斷物或晶片的黏著劑。另外，黏著面的氧原子比率之測定方法的詳細內容，如同後述測試例所記載。
本實施形態的工件加工用片材，黏著劑層中與基材為相反側的面的水接觸角較佳為50°以上，特佳為55°以上，再佳為60°以上。又，上述水接觸角較佳為80°以下，特佳為75°以下，再佳為70°以下。藉由上述水接觸角為50°以上，黏著劑面對水的親和性成為適度，能更有效地抑制在黏著面、與被切斷物及/或所獲得的晶片的界面之水滲入。又，藉由上述水接觸角為80°以下，變得容易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至上述範圍，而利用水流便可輕易去除附著在被切斷物或晶片的黏著劑。另外，本說明書中，水接觸角意指在對工件加工用片材照射活性能量線前所測定者。又，上述水接觸角的測定方法的詳細內容，如同後述測試例所記載。
本實施形態的工件加工用片材，將工件加工用片材對矽晶圓的黏著力設為F1，並將工件加工用片材在23℃蒸餾水中浸漬12小時，再以23℃進行24小時乾燥後之工件加工用片材對矽晶圓的黏著力設為F2時，由下述式(1)：
黏著力減少率(%)={(F1-F2)/F1}×100…(1)
所計算出的黏著力減少率較佳為20%以上。又，該黏著力減少率較佳為50%以下。藉由上述黏著力減少率為20%以上，即使在被切斷物附著有黏著劑的情形，亦可利用水流而適度降低該黏著劑的黏著力，可良好地去除該黏著劑。又，藉由上述黏著力減少率為50%以下，即使在黏著劑層暴露於水流後，黏著劑層對被切斷物的黏著力亦可適度維持，而可將被切斷物或所獲得的晶片良好地保持於黏著劑層上。另外，本說明書中，黏著力F1與黏著力F2皆為對工件加工用片材照射活性能量線前所測定的黏著力。又，黏著力F1及黏著力F2的測定方法的詳細內容，如同後述測試例所記載。
本實施形態的工件加工用片材，上述黏著力F1較佳為1000mN/25mm以上，特佳為2000mN/25mm以上，再佳為3000mN/25mm以上。又，該黏著力F1較佳為10000mN/25mm以下，特佳為7000mN/25mm以下。
再者，本實施形態的工件加工用片材，上述黏著力F2較佳為900mN/25mm以上，特佳為1500mN/25mm以上，更佳為2000mN/25mm以上。又，該黏著力F2較佳為8000mN/25mm以下，特佳為5000mN/25mm以下。
藉由黏著力F1與黏著力F2分別在上述範圍內，變得可輕易將黏著力減少率調整至上述範圍。
2.工件加工用片材之構成構件
(1)基材
本實施形態的工件加工用片材中，基材只要在工件加工用片材的使用步驟中發揮所期望的功能，較佳為對用於硬化黏著劑層而照射的活性能量線發揮良好的穿透性，則未被特別限定。
例如，基材較佳為以樹脂系材料為主材料的樹脂薄膜，作為其具體例，可列舉例如：乙烯-醋酸乙烯酯共聚物薄膜；乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸甲酯共聚物薄膜、其他的乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯系共聚合薄膜；聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降莰烯共聚物薄膜、降莰烯樹脂膜等聚烯烴系薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯系薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系薄膜；(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜；聚胺酯薄膜；聚醯亞胺薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜等。作為聚乙烯薄膜的例子，可列舉：低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等。又，亦可使用該等的交聯薄膜、離子聚合物薄膜等改質薄膜。又，基材亦可為積層複數的上述薄膜而成的積層薄膜。該積層薄膜中，構成各層的材料可為同種，亦可為不同種。作為基材，在上述薄膜中，從所謂柔軟性優異的觀點而言，較佳為使用乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物薄膜。另外，本說明書中之「(甲基)丙烯酸」意指丙烯酸及甲基丙烯酸雙方。其他的類似用詞亦同。
基材亦可含有：阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子捕捉劑等各種添加劑。作為該等添加劑的含量，並未被特別限定，但較佳為設定在基材能發揮所期望的功能的範圍。
對於基材之積層黏著劑層的面，為了提高與黏著劑層的附著性，亦可施行底漆處理、電暈處理、電漿處理等表面處理。
基材的厚度係可依據工件加工用片材所採用的方法而適當設定，通常較佳為20μm以上，特佳為25μm以上。又，該厚度通常較佳為450μm以下，特佳為300μm以下。
(2)黏著劑層
本實施形態的工件加工用片材中，黏著劑層只要可對被切斷物發揮所期望的黏著力，且在距離黏著面為深度100nm的位置可達成前述氧原子比率，則並未被特別限定。
構成黏著劑層的黏著劑可為活性能量線硬化性黏著劑，亦可為活性能量線非硬化性黏著劑，但較佳為活性能量線硬化性黏著劑。藉由黏著劑層係由活性能量線硬化性黏著劑構成，在將黏著劑層的黏著面所黏貼之被切斷物與該黏著面予以分離之際，利用活性能量線照射使黏著劑層硬化，而可使工件加工用片材對被切斷物的黏著力降低。藉此，黏著劑層之黏著面與被切斷物的分離變得容易。
構成黏著劑層的活性能量線硬化性黏著劑可為以具活性能量線硬化性的聚合物為主成分者，亦可為以活性能量線非硬化性聚合物(未具有活性能量線硬化性的聚合物)與至少具有一個以上的活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物之混合物為主成分者。又，亦可為具有活性能量線硬化性的聚合物與活性能量線非硬化性聚合物之混合物。又，亦可為具活性能量線硬化性的聚合物與至少具有一個以上的活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物之混合物。再者，亦可為具有活性能量線硬化性的聚合物、活性能量線非硬化性聚合物、以及至少具有一個以上的活性能量線硬化性基的單體及/或寡聚物之混合物。
首先，針對活性能量線硬化性黏著劑係以具有活性能量線硬化性的聚合物為主成分之情形，進行以下說明。
具有活性能量線硬化性的聚合物，較佳為在側鏈導入具有活性能量線硬化性的官能基(活性能量線硬化性基)之(甲基)丙烯酸酯(共)聚合物(A)(以下亦稱「活性能量線硬化性聚合物(A)」)。此活性能量線硬化性聚合物(A)較佳為使丙烯酸系共聚物(a1)與含不飽和基的化合物(a2)進行反應而獲得者，該丙烯酸系共聚物(a1)具有含官能基的單體單元，該含不飽和基的化合物(a2)具有與該官能基結合的官能基。
丙烯酸系共聚物(a1)，作為構成聚合物的單體單元，較佳為含有用於調整丙烯酸系共聚物(a1)之親水性的單體(以下亦稱「親水性調整單體」)，尤其，作為其具體例，較佳為含有選自丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙基卡必醇酯、及(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯的至少一種。
藉由使用上述親水性調整單體，變得可輕易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至前述範圍。作為此理由，可認為係以下二個。但，理由並不侷限於此等二個，且亦有非為此等二個的情況。
作為第一個理由，可舉出上述親水性調整單體多數具有較多的氧原子，藉由使用由該單體構成的丙烯酸系共聚物(a1)，而黏著劑層的氧原子的絕對量亦會增多，變得可輕易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至前述範圍。
作為第二個理由，可舉出藉由使用上述親水性調整單體，而控制黏著劑層中的氧原子的集中，藉此，變得可輕易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至前述範圍。一般而言，使用黏著劑組成物的塗佈液形成黏著劑層之際，因受到空氣中所存在水分的影響，在將塗佈液進行塗佈而成的塗膜的表面(接觸到空氣之面)，有具氧原子的成分集中之傾向。例如，在丙烯酸系共聚物(a1)含有後述丙烯酸-2-羥乙酯作為構成單體之情形中，源自該單體的部分便容易偏存於表面。然而，藉由該丙烯酸系共聚物(a1)含有上述親水性調整單體，具氧原子的成分(丙烯酸-2-羥乙酯、親水性調整單體等)均勻地存在於塗膜中，結果可輕易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至前述範圍。
從可輕易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至前述範圍的觀點而言，丙烯酸系共聚物(a1)，作為構成聚合物之單體單元，在上述親水性調整單體中，較佳為含有丙烯酸甲酯、丙烯酸-2-甲氧基乙酯、及丙烯酸甲氧基乙二醇酯的至少一種。
在丙烯酸系共聚物(a1)含有丙烯酸甲酯作為的構成聚合物之單體單元的情形，丙烯酸甲酯的含量較佳為10質量%以上，特佳為20質量%以上，再佳為30質量%以上。又，丙烯酸甲酯的含量較佳為85質量%以下。藉由設為此等含量，變得可輕易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至前述範圍。另外，本說明書中，上述(甲基)丙烯酸烷氧基酯的含量(質量%)，意指相對於構成丙烯酸系共聚物(a1)的總單體之含量。又，針對後述之其他單體的含量(質量%)，亦意指相對於構成丙烯酸系共聚物(a1)的總單體之含量。
再者，在丙烯酸系共聚物(a1)含有丙烯酸-2-甲氧基乙酯作為的構成聚合物之單體單元的情形，丙烯酸-2-甲氧基乙酯的含量較佳為10質量%以上，特佳為20質量%以上，再佳為30質量%以上。又，丙烯酸-2-甲氧基乙酯的含量較佳為85質量%以下，特佳為80質量%以下，再佳為70質量%以下。藉由設為此等含量，變得可輕易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至前述範圍。
再者，在丙烯酸系共聚物(a1)含有丙烯酸甲酯及丙烯酸-2-甲氧基乙酯二者作為構成聚合物之單體單元的情形，丙烯酸甲酯及丙烯酸-2-甲氧基乙酯的含量的合計值，較佳為10質量%以上，特佳為30質量%以上，再佳係50質量%以上。又，上述合計值較佳為90質量%以下，特佳為85質量%以下。藉由上述合計值設為此等範圍，變得可輕易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至前述範圍。
再者，在丙烯酸系共聚物(a1)含有丙烯酸甲氧基乙二醇酯作為構成聚合物之單體單元的情形，丙烯酸甲氧基乙二醇酯的含量較佳為10質量%以上，特佳為30質量%以上。又，丙烯酸甲氧基乙二醇酯的含量較佳為90質量%以下，特佳為85質量%以下。藉由設為此等含量，變得可輕易將在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例調整至前述範圍。
丙烯酸系共聚物(a1)，除上述親水性調整單體之外，較佳為含有由含官能基的單體所衍生之構成單元。
作為丙烯酸系共聚物(a1)的構成單元之含官能基的單體，較佳為在分子內具有聚合性的雙鍵與羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等官能基之單體。
作為含羥基的單體，可列舉例如：(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-3-羥丁酯、(甲基)丙烯酸-4-羥丁酯等，此等可單獨或組合二種以上而使用。
作為含羧基的單體，可列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、順丁烯二酸、衣康酸、檸康酸等乙烯性不飽和羧酸。此等可單獨使用，亦可組合二種以上使用。
作為含胺基的單體或含取代胺基的單體，可列舉例如：(甲基)丙烯酸胺乙酯、(甲基)丙烯酸正丁胺基乙酯等。此等可單獨使用，亦可組合二種以上使用。
丙烯酸系共聚物(a1)較佳為含有1質量%以上之由上述含官能基的單體所衍生之構成單元，特佳為含有5質量%以上，再佳為含有10質量%以上。又，丙烯酸系共聚物(a1)較佳為含有35質量%以下之由上述含官能基的單體所衍生之構成單元，特佳為含有30質量%以下。
再者，丙烯酸系共聚物(a1)，除上述單體之外，尚亦可含有由丙烯酸甲酯以外的(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物所衍生之構成單元(以下亦稱「任意單體」)。
作為上述(甲基)丙烯酸酯單體，可較佳地使用烷基的碳數為1~20之(甲基)丙烯酸烷基酯，此外尚可使用例如在分子內具有脂環式結構的單體(含脂環式結構的單體)。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯，可特佳地使用烷基的碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷基酯，例如：甲基丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯等，此等之中，從黏著物性的調整容易之觀點而言，較佳為使用(甲基)丙烯酸正丁酯。此等可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。
作為含脂環式結構的單體，可較佳地使用例如：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷基酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等。此等可單獨使用一種，亦可組合二種以上使用。
在丙烯酸系共聚物(a1)含有上述任意單體的情形，丙烯酸系共聚物(a1)較佳為含有50質量%以上之上述任意單體，特佳為含有60質量%以上，再佳為含有70質量%以上。又，丙烯酸系共聚物(a1)較佳為含有99質量%以下之上述任意單體，特佳為含有95質量%以下，再佳為含有90質量%以下。
丙烯酸系共聚物(a1)較佳為可藉由常法將上述親水性調整單體、含官能基的單體、以及依據需要的任意單體進行共聚合而獲得，但除此等單體之外，亦可將二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯等進行共聚合。
藉由使具有上述含官能基的單體單元之丙烯酸系共聚物(a1)，與具有與該官能基結合的官能基之含不飽和基的化合物(a2)進行反應，可獲得活性能量線硬化性聚合物(A)。
含不飽和基的化合物(a2)所具有的官能基，可依據丙烯酸系共聚物(a1)所具有之含官能基的單體單元的官能基種類而適當選擇。例如，在丙烯酸系共聚物(a1)所具有的官能基係羥基、胺基或取代胺基的情形，作為含不飽和基的化合物(a2)所具有的官能基，較佳為異氰酸酯基或環氧基，在丙烯酸系共聚物(a1)所具有的官能基係環氧基的情形，作為含不飽和基的化合物(a2)所具有的官能基，較佳為胺基、羧基或吖丙啶基。
再者，上述含不飽和基的化合物(a2)中，在一分子中至少含有1個活性能量線聚合性的碳-碳雙鍵，較佳為1~6個，更佳為1~4個。作為此種含不飽和基的化合物(a2)的具體例，可列舉例如：異氰酸-2-甲基丙烯醯氧基乙酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、甲基丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸-1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、與(甲基)丙烯酸羥乙酯進行反應而獲得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；由二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物、與多元醇化合物、及(甲基)丙烯酸羥乙酯進行反應而獲得的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸環氧丙酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸-2-(1-吖丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-㗁唑啉、2-異丙烯基-2-㗁唑啉等。
上述含不飽和基的化合物(a2)，相對於上述丙烯酸系共聚物(a1)的含官能基的單體之莫耳數，較佳為以50莫耳%以上，特佳為以60莫耳%以上，更佳為以70莫耳%以上的比例使用。又，上述含不飽和基的化合物(a2)，相對於上述丙烯酸系共聚物(a1)的含官能基的單體之莫耳數，較佳為以95莫耳%以下，特佳為以93莫耳%以下，再佳為以90莫耳%以下的比例使用。
在丙烯酸系共聚物(a1)與含不飽和基的化合物(a2)之反應中，可依據丙烯酸系共聚物(a1)所具有官能基、與含不飽和基的化合物(a2)所具有官能基的組合，適當選擇反應的溫度、壓力、溶劑、時間、有無觸媒、觸媒種類。藉此，丙烯酸系共聚物(a1)中所存在的官能基、與含不飽和基的化合物(a2)中的官能基進行反應，將不飽和基導入於丙烯酸系共聚物(a1)中的側鏈，而獲得活性能量線硬化性聚合物(A)。
由此所獲得的活性能量線硬化性聚合物(A)的重量平均分子量(Mw)，較佳為1萬以上，特佳為15萬以上，再佳為20萬以上。又，該重量平均分子量(Mw)較佳為150萬以下，特佳為100萬以下。另外，本說明書中之重量平均分子量(Mw)，係利用凝膠滲透色層分析法(GPC法)所測定的標準聚苯乙烯換算值。
即使在活性能量線硬化性黏著劑係以活性能量線硬化性聚合物(A)等具有活性能量線硬化性的聚合物為主成分之情形，活性能量線硬化性黏著劑亦可更進一步含有活性能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)。
作為活性能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)，可使用例如多元醇與(甲基)丙烯酸的酯等。
作為此活性能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)，可列舉例如：(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異莰酯等單官能基性丙烯酸酯類；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯等多官能基性丙烯酸酯類；聚酯寡聚(甲基)丙烯酸酯、聚胺酯寡聚(甲基)丙烯酸酯等。
對於活性能量線硬化性聚合物(A)，在摻合活性能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)之情形，活性能量線硬化性黏著劑中的活性能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)的含量，相對於活性能量線硬化性聚合物(A)100質量份，較佳為大於0質量份，特佳為60質量份以上。又，相對於活性能量線硬化性聚合物(A)100質量份，該含量較佳為250質量份以下，特佳為200質量份以下。
此處，在使用紫外線作為用於使活性能量線硬化性黏著劑硬化的活性能量線之情形中，較佳為添加光聚合起始劑(C)，藉由使用此光聚合起始劑(C)，可減少聚合硬化時間及光線照射量。
作為光聚合起始劑(C)，具體而言可列舉：二苯基酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2,4-二乙基氧硫、1-羥環己基苯酮、苄基二苯硫醚、單硫化四甲胺硫甲醯、偶氮雙異丁腈、苄基、二苄基、二乙醯基、β-氯化蒽醌、(2,4,6-三甲基苄基二苯基)氧化膦、2-苯并噻唑基-N,N-二乙基二硫胺基甲酸酯、寡聚{2-羥-2-甲基-1-[4-(1-丙烯基)苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。該等可單獨使用，亦可併用二種以上。
光聚合起始劑(C)相對於活性能量線硬化性聚合物(A)(在摻合活性能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)之情形中，活性能量線硬化性聚合物(A)及活性能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)的合計量100質量份)100質量份，較佳為以0.1質量份以上，特佳為以0.5質量份以上的量而使用。又，光聚合起始劑(C)相對於活性能量線硬化性聚合物(A)(在摻合活性能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)之情形中，活性能量線硬化性聚合物(A)及活性能量線硬化性的單體及/或寡聚物(B)的合計量100質量份)100質量份，較佳為以10質量份以下，特佳為以6質量份以下的量而使用。
在活性能量線硬化性黏著劑中，除上述成分之外，尚亦可適當摻合其他成分。作為其他成分，可列舉例如：活性能量線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分(D)、交聯劑(E)等。
作為活性能量線非硬化性聚合物成分或寡聚物成分(D)，可列舉例如：聚丙烯酸酯、聚酯、聚胺酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，較佳為重量平均分子量(Mw)為3000~250萬的聚合物或寡聚物。藉由將該成分(D)摻合於活性能量線硬化性黏著劑中，可改善硬化前的黏著性及剝離性、硬化後的強度、與其他層的接著性、保存穩定性等。該成分(D)的摻合量並無特別的限定，相對於活性能量線硬化性聚合物(A)100質量份，在大於0質量份且50質量份以下的範圍內適當決定。
作為交聯劑(E)，可使用與活性能量線硬化性聚合物(A)等所含有之官能基具反應性的多官能基性化合物。作為此種多官能基性化合物的例子，可列舉例如：異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、聯氨化合物、醛化合物、㗁唑啉化合物、金屬烷氧化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽、反應性酚樹脂等。
相對於活性能量線硬化性聚合物(A)100質量份，交聯劑(E)的摻合量較佳為0.01質量份以上，特佳為3質量份以上。又，相對於活性能量線硬化性聚合物(A)100質量份，交聯劑(E)的摻合量較佳為20質量份以下，特佳為17質量份以下。
其次，針對活性能量線硬化性黏著劑係以活性能量線非硬化性聚合物成分、與至少具有一個以上的活性能量線硬化性基之單體及/或寡聚物的混合物為主成分之情形，說明如下。
作為活性能量線非硬化性聚合物成分，例如可使用與前述丙烯酸系共聚物(a1)同樣的成分。
作為至少具有一個以上的活性能量線硬化性基之單體及/或寡聚物，可選擇與前述成分(B)相同者。活性能量線非硬化性聚合物成分、與至少具有一個以上的活性能量線硬化性基之單體及/或寡聚物的摻合比，相對於活性能量線非硬化性聚合物成分100質量份，較佳為至少具有一個以上的活性能量線硬化性基之單體及/或寡聚物為1質量份以上，特佳為60質量份以上。又，該摻合比，相對於活性能量線非硬化性聚合物成分100質量份，較佳為至少具有一個以上的活性能量線硬化性基之單體及/或寡聚物為200質量份以下，特佳為160質量份以下。
即使在此情況中，同上述，亦可適當摻合光聚合起始劑(C)、交聯劑(E)。
本實施形態的工件加工用片材，因黏著劑層內的位置中，在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例被規定如前述，故黏著劑層的厚度當然為100nm以上。尤其，黏著劑層較佳為1.5μm以上，特佳為2μm以上。又，該厚度較佳為50μm以下，特佳為40μm以下。藉由黏著劑層的厚度為上述範圍，變得可輕易達成對被切斷物所期望的黏著力。
(3)剝離片
本實施形態的工件加工用片材，在直到將黏著劑層中之黏著面黏貼於被切斷物為止的期間內，在保護該面之目的下，亦可在該面上積層剝離片。剝離片的構成為任意，可例示將塑膠膜利用剝離劑等進行剝離處理者。作為塑膠膜的具體例，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯薄膜；及聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴薄膜。作為剝離劑，可使用：聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系等，該等之中，較佳為廉價且能獲得穩定性能的聚矽氧系。針對剝離片的厚度並無特別的限制，通常為20μm以上且250μm以下。
(4)其他構件
本實施形態的工件加工用片材，亦可在黏著劑層中之黏著面上積層接著劑層。此情況，本實施形態的工件加工用片材藉由如上述般具備接著劑層，而可作為切割‧黏晶(die bonding)片而使用。此種工件加工用片材係在接著劑層中與黏著劑層為相反側的面上黏貼被切斷物，將該被切斷物與接著劑層一起進行切割，藉此可獲得積層有經單片化的接著劑層之晶片。該晶片藉由該經單片化的接著劑層，可輕易地固定於該晶片所搭載的對象上。作為構成上述接著劑層的材料，較佳為使用：含有熱可塑性樹脂與低分子量的熱硬化性接著成分者、含有B-階段(半硬化狀)的熱硬化型接著成分者等。
再者，本實施形態的工件加工用片材，亦可在黏著劑層中之黏著面上積層有保護膜形成層。此情況，本實施形態的工件加工用片材可作為保護膜形成兼切割用片材而使用。此種工件加工用片材，在保護膜形成層中與黏著劑層為相反側的面上黏貼被切斷物，將該被切斷物與保護膜形成層一起進行切割，藉此可獲得積層有經單片化的保護膜形成層之晶片。作為該被切斷物，較佳為使用在單面形成有電路者，此情況，通常在與該電路所形成面為相反側的面上積層保護膜形成層。經單片化的保護膜形成層，藉由以既定的時序硬化，可在晶片上形成具有充分耐久性的保護膜。保護膜形成層較佳為由未硬化的硬化性接著劑構成。
另外，本案實施形態的工件加工用片材，係滿足前述的水接觸角與黏著力減少率者，在對黏著劑層積層上述接著劑層或保護膜形成層之情形中，針對積層該等層前的黏著劑層，只要成為在距離黏著面為深度100nm的位置之氧原子比例滿足前述範圍者即可。
3.工件加工用片材之製造方法
本實施形態的工件加工用片材之製造方法並未被特別限定，較佳為本實施形態的工件加工用片材係藉由在基材的單面側上積層黏著劑層而製造。
黏著劑層對於基材的單面側的積層，可利用公知方法實施。例如，較佳為將在剝離片上所形成的黏著劑層轉印於基材的單面側。此情況，製備構成黏著劑層的黏著性組成物、及視所需更進一步含有溶劑或分散介質的塗佈液，在剝離片的經剝離處理的面(以下亦稱「剝離面」)上，利用模具塗佈機、淋幕塗佈機、噴霧塗佈機、狹縫式塗佈機、刀片式塗佈機等，塗佈該塗佈液而形成塗膜，使該塗膜乾燥，藉此可形成黏著劑層。塗佈液只要能施行塗佈即可，其性狀未被特別限定，有含有將用於形成黏著劑層用成分作為溶質之情形，亦有含有作為分散質之情形。該積層體中之剝離片可作為步驟材料而被剝離，亦可直到工件加工用片材黏貼於被切斷物為止的期間內，使用於保護黏著劑層黏著面。
在用於形成黏著劑層的塗佈液含有交聯劑之情形中，只要藉由改變上述乾燥條件(溫度、時間等)，或藉由另外設計加熱處理，使塗膜內的活性能量線硬化性聚合物(A)或活性能量線非硬化性聚合物、與交聯劑進行交聯反應，在黏著劑層內以所期望的存在密度形成交聯結構即可。為了使該交聯反應能充分進行，利用上述方法等使黏著劑層積層於基材後，亦可將所獲得的工件加工用片材，在例如23℃、相對濕度50%的環境下靜置數日而施行熟化。
亦可取代如上述將在剝離片上所形成的黏著劑層轉印於基材單面側，而改為直接在基材上形成黏著劑層。此情況，將前述用於形成黏著劑層的塗佈液，塗佈於基材的單面側而形成塗膜，使該塗膜乾燥，藉此形成黏著劑層。
4.工件加工用片材之使用方法
本實施形態的工件加工用片材係使用於工件(被切斷物)的加工。亦即，將本實施形態工件加工用片材的黏著面黏貼於被切斷物之後，可在工件加工用片材上進行被切斷物的加工。依據該加工，本實施形態的工件加工用片材可被使用作為：背面研磨片、切割片、網眼片、拾取片等。此處，作為被切斷物的例子，可列舉：半導體晶圓、半導體封裝等半導體構件；玻璃板等玻璃構件。
再者，在本實施形態的工件加工用片材具備前述接著劑層之情形，該工件加工用片材可被使用作為切割‧黏晶片。又，在本實施形態的工件加工用片材具備前述保護膜形成層之情形，該工件加工用片材可被使用作為保護膜形成兼切割用片材。
本實施形態的工件加工用片材，即使在源自黏著劑層的黏著劑附著於被切斷物之情形中，亦可利用水流而輕易去除該黏著劑，且可抑制在工件加工用片材與被切斷物的界面、工件加工用片材與所獲得的晶片的界處發生該水流造成的水滲入。所以，本實施形態的工件加工用片材適合使用於使用水流進行的加工，特別適合使用於一邊對切斷部分供應水流一邊進行切割。亦即，本實施形態的工件加工用片材適合被使用作為切割片。
在使用本實施形態的工件加工用片材作為切割片之情形，作為切割的條件及水流的供應條件，可使用一般的條件。尤其，關於水流的供應條件，作為所使用的水，較佳為使用純水等。作為水的供應量，較佳為0.5L/min以上，特佳為1L/min以上。又，作為水的供應量，較佳為2.5L/min以下，特佳為2L/min以下。另外，水的溫度並未被特別限定，較佳為設為例如室溫程度。
[加工畢工件之製造方法]
本發明一實施形態的加工畢工件之製造方法，包括：貼合步驟，其將前述工件加工用片材的黏著劑層中與基材為相反側的面、與工件進行貼合；加工步驟，其藉由在工件加工用片材上進行工件的加工，而獲得積層在工件加工用片材上的加工畢工件；照射步驟，其對黏著劑層照射活性能量線，使黏著劑層硬化，而降低工件加工用片材對加工畢工件的黏著力；以及，分離步驟，從活性能量線照射後的工件加工用片材，分離加工畢工件。
本實施形態的加工畢工件之製造方法所使用的工件加工用片材，可抑制在工件加工用片材、與工件或加工後工件的界面之水滲入，且可利用水流而良好地去除在工件的加工之際附著於該工件的黏著劑。所以，根據本實施形態的加工畢工件之製造方法，可有效率地製造加工畢工件。
以下，針對本實施形態的加工畢工件之製造方法的各步驟進行說明。
(1)貼合步驟
貼合步驟中的工件與工件加工用片材之貼合，可利用以往公知的手法進行。另外，在接續的加工步驟中進行工件的切割之情形中，較佳為在工件加工用片材的黏著劑層側的面中之貼合工件的區域的外周區域貼合環形框架。又，所使用的工件可為依據所欲製造的加工畢工件之所期望者，作為具體例，可使用前述者。
(2)加工步驟
加工步驟中，可對工件進行所期望的加工，例如可施行背面研磨、切割等。該等加工可利用以往公知的手法而進行。
另外，在進行使用旋轉的刀片之刀片切割作為上述加工之情形，一般而言，工件會與工件加工用片材中之一部分的黏著劑層一起被切斷。此時，有構成黏著劑層的黏著劑會因刀片而捲起，並附著於加工畢工件的情形。然而，本實施形態加工畢工件之製造方法所使用的工件加工用片材，如前述，可利用水流而良好地去除所附著的黏著劑。由此觀點而言，本實施形態中的加工適合為切割，特別適合為使用旋轉刀片之刀片切割。
(3)照射步驟
照射步驟中，只要能使工件加工用片材對加工畢工件的黏著力降低至所期望的程度，則活性能量線的照射條件並未被限定，可基於以往公知的手法而進行。作為所使用的活性能量線的種類，可列舉例如電離輻射線，亦即X射線、紫外線、電子束等，其中較佳為較容易導入照射設備的紫外線。
(4)分離步驟
分離步驟係藉由依據加工的種類、所獲得的加工畢工件之方法，而進行分離。例如，在進行切割作為加工，利用該切割而獲得工件經單片化而成的晶片之情形中，使用以往公知的拾取裝置，從工件加工用片材逐個拾取所獲得的晶片。又，為了使該拾取容易，亦可將工件加工用片材形成網眼，而使加工畢工件彼此隔開。
(5)其他
本實施形態的加工畢工件之製造方法，亦可設計除上述步驟以外的步驟。例如，在貼合步驟後，亦可設計將所獲得工件與工件加工用片材的積層體搬送於既定位置的搬送步驟、或將該積層體保管既定期間的保管步驟等。又，在分離步驟後，亦可設計將所獲得的加工畢工件黏著於既定基盤等的黏著步驟等。
以上所說明的實施形態係用於輕易理解本發明而記載，並非用於限定本發明而記載。所以，上述實施形態所揭示的各要件亦涵蓋屬於本發明技術範圍的所有設計變更、均等物。
例如，在基材與黏著劑層之間、或基材中與黏著劑層為相反側的面，設置其他層。
[實施例]
以下，利用實施例等進一步具體說明本發明，但本發明的範圍並不侷限於該等實施例等。
[實施例1]
(1)黏著劑組成物之製備
使由丙烯酸甲酯80質量份與丙烯酸-2-羥乙酯20質量份進行共聚合而獲得的丙烯酸系共聚物，與相對於該丙烯酸系共聚物100g為21.4g(相對於丙烯酸-2-羥乙酯的莫耳數，相當於80莫耳%)的異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯(MOI)進行反應，而獲得活性能量線硬化性聚合物。利用後述方法測定該活性能量線硬化性聚合物的重量平均分子量(Mw)，結果為60萬。
將所獲得活性能量線硬化性聚合物100質量份(固形成份換算，以下相同)、作為光聚合起始劑的1-羥環己基苯酮(BASF公司製，製品名「IRGACURE 184」)3質量份、以及作為交聯劑的甲苯二異氰酸酯(東曹公司製，製品名「CORONATE L」)3.11質量份，在溶劑中進行混合，而獲得黏著劑組成物。
(2)黏著劑層之形成
對於在厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面上形成聚矽氧系剝離劑層而成的剝離片(Lintec公司製，製品名「SP-PET381031」)之剝離面，塗佈上述黏著劑組成物，利用加熱施行乾燥後，於23℃、50%RH的條件下熟化7天，藉此在剝離片上形成厚度5μm的黏著劑層。
(3)工件加工用片材之製作
將上述步驟(2)所形成黏著劑層之與剝離片為相反側的面、與作為基材之厚度80μm的乙烯-甲基丙烯酸共聚物(EMAA)薄膜的單面予以貼合，藉此獲得工件加工用片材。
此處，前述重量平均分子量(Mw)係使用凝膠滲透色層分析(GPC)所測定(GPC測定)的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量。
[實施例2~5及比較例1~3]
除將丙烯酸系共聚物的組成如表1所示般變更，且將交聯劑的含量如表2所示般變更之外，與實施例1同樣地進行，製造工件加工用片材。
[測試例1](氧原子比例之測定)
從實施例與比較例所製造的工件加工用片材將剝離片剝離，將所露出之黏著劑層的露出面(黏著面)之氧原子比率(%)、及在距離該露出面為深度100nm的位置之黏著劑層內之氧原子比率(%)，使用X射線光電子能譜分析裝置(ULVAC-PHI公司製，製品名「PHI Quantera SXM」)進行測定，分別設為「0nm的位置」的氧原子比例(%)、及「100nm的位置」的氧原子比例(%)。結果如表3所示。
[測試例2](水接觸角之測定)
從實施例與比較例所製造的工件加工用片材將剝離片剝離，將所露出之黏著劑層的露出面之水接觸角(°)，使用全自動式接觸角測定儀(協和界面科學公司製，製品名「DM-701」)，利用以下條件進行測定。結果如表3所示。
‧淨化水的液滴量：2μl
‧測定時間：滴下3秒鐘後
‧影像分析法：θ/2法
[測試例3](黏著力之測定)
從實施例與比較例所製造的工件加工用片材將剝離片剝離，將所露出之黏著劑層的露出面，重疊於經鏡面加工的6吋矽晶圓之鏡面，利用2kg的輥進行1往返而施加荷重並貼合，放置20分鐘。然後，以剝離速度300mm/min、剝離角度180°，從矽晶圓剝離工件加工用片材，利用根據JIS Z0237:2009的180°拉剝法，測定對矽晶圓的黏著力F1(mN/25mm)。結果如表3所示。
再者，從實施例與比較例所製造的工件加工用片材將剝離片剝離，將所露出之黏著劑層的露出面在23℃蒸餾水中浸漬12小時後，以23℃乾燥24小時。然後，將該露出面重疊於經鏡面加工的6吋矽晶圓之鏡面，利用2kg的輥進行1往返而施加荷重並貼合，放置20分鐘。接著，以剝離速度300mm/min、剝離角度180°，從矽晶圓剝離工件加工用片材，根據JIS Z0237:2009的180°拉剝法，測定對經上述浸漬與乾燥後的矽晶圓之黏著力F2(mN/25mm)。結果如表3所示。
再者，使用如上述所獲得的黏著力F1(mN/25mm)與黏著力F2(mN/25mm)值，由下述式(1)：
黏著力減少率(%)={(F1-F2)/F1}×100…(1)
計算出黏著力減少率(%)。結果如表3所示。
[測試例4](黏著劑之去除性的評價)
將實施例與比較例所製備的黏著劑組成物，塗佈於由在厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面形成聚矽氧系的剝離劑層而成的剝離片(Lintec公司製，製品名「SP-PET381031」)，利用加熱使其乾燥，藉此在剝離片上形成厚度5μm的黏著劑層。從如此所獲得之黏著劑層與剝離片的積層體，切取20個5mm×5mm尺寸之該積層體的小片。
接著，在經#2000研磨過的6吋矽晶圓(厚度：150μm)之研磨面，分別將如上述所獲得之20個小片的黏著劑層側之面黏貼後，分別從該黏著劑層將剝離片剝離。該黏貼時，小片彼此係以隔開1mm以上的間隔之方式黏貼。
然後，從實施例與比較例所製造的工件加工用片材將剝離片剝離，在所露出之黏著劑層的露出面，使用貼膜機(Lintec公司製，製品名「Adwill RAD2500m/12」)，黏貼上述6吋矽晶圓中與黏貼小片之面為相反的面。接著，使用切割裝置(Disc公司製，製品名「DFD-6361」)，依照以下操作條件，一邊對切斷部供應水流，一邊從6吋矽晶圓側施行切斷而進行切割的操作。
＜操作條件＞
‧切割裝置：Disc公司製 DFD-6361
‧刀片：Disc公司製 NBC-2H 2050 27HECC
‧刀片寬度：0.025~0.030mm
‧刀片伸出量：0.640~0.760mm
‧刀片轉數：50000rpm
‧切削速度：20mm/sec
‧刀片高度(blade height)：5mm
‧水流供應量：1.0L/min
‧水流溫度：室溫
‧裁斷尺寸：10mm×10mm
另外，上述所謂「刀片高度：5mm」，意指將刀片與6吋矽晶圓的距離設為5mm，由此得知，上述操作並非進行利用刀片執行6吋矽晶圓的切斷。
切割結束後，確認在矽晶圓上有無殘留源自上述小片的黏著劑，根據以下基準評價黏著劑的去除性。結果如表3所示。
○：黏著劑完全沒有殘留。
×：殘留至少一部分的黏著劑。
[測試例5](水滲入之評價)
從實施例與比較例所製造的工件加工用片材將剝離片剝離，在所露出之黏著劑層的露出面，使用貼膜機(Lintec公司製，製品名「Adwill RAD2500m/12」)，黏貼經#2000研磨過的6吋矽晶圓(厚度：150μm)之研磨面。接著，使用切割裝置(Disc公司製，製品名「DFD-6361」)，利用以下切割條件，一邊對切斷部供應水流，一邊從6吋矽晶圓進行切斷而施行切割。
＜切割條件＞
‧切割裝置：Disc公司製 DFD-6361
‧刀片：Disc公司製 NBC-2H 2050 27HECC
‧刀片寬度：0.025~0.030mm
‧刀片伸出量：0.640~0.760mm
‧刀片轉數：50000rpm
‧切削速度：20mm/sec
‧切入深度：距離工件加工用片材中黏著劑層側之面為15μm
‧水流供應量：1.0L/min
‧水流溫度：室溫
‧裁斷尺寸：10mm×10mm
切割結束後，從工件加工用片材上去除所獲得的全部晶片，利用數位式顯微鏡(KEYENCE公司製，製品名「VHX-1000」，倍率：500倍)，觀察工件加工用片材中黏著劑層側之面，依照以下基準，評價晶片與工件加工用片材的界面之水滲入。結果如表3所示。
○：工件加工用片材中黏著劑層側之面並沒有存在水滲入的痕跡。
×：工件加工用片材中黏著劑層側之面存在水滲入的痕跡。
另外，表1所記載之縮寫等的詳細內容，如下所示：
BA：丙烯酸丁酯
MMA：甲基丙烯酸甲酯
DMAA：二甲基丙烯醯胺
MA：丙烯酸甲酯
2MEA：丙烯酸-2-甲氧基乙酯
MTG：丙烯酸甲氧基乙二醇酯
HEA：丙烯酸-2-羥乙酯
MOI：異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯
[表1]
[表2]
[表3]
由表3得知，由實施例所獲得工件加工用片材，能利用水流便良好地去除黏著劑，且能良好地抑制水的滲入。
[產業上之可利用性]
本發明的工件加工用片材可較佳地使用於切割。
無。
無。

Claims (10)

  1. 一種工件加工用片材，其係包括：基材、與積層於上述基材單面側的黏著劑層之工件加工用片材；其特徵在於， 上述黏著劑層內的位置中，在距離上述黏著劑層中與上述基材為相反側的面為深度100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測定的氧原子比率係20原子%以上且29原子%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之工件加工用片材，其中，上述黏著劑層的厚度係1.5μm以上且小於50μm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之工件加工用片材，其中，上述黏著劑層中與上述基材為相反側的面的水接觸角係50°以上且80°以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之工件加工用片材，其中，將上述工件加工用片材對矽晶圓的黏著力設為F1；將上述工件加工用片材在23℃蒸餾水中浸漬12小時，再以23℃進行24小時乾燥後之上述工件加工用片材對矽晶圓的黏著力設為F2時，由下述式(1)所計算出的黏著力減少率，係20%以上且50%以下， 黏著力減少率(%)={(F1-F2)/F1}×100…(1)。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之工件加工用片材，其中，上述黏著力F1係1000mN/25mm以上且10000mN/25mm以下。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之工件加工用片材，其中，上述黏著力F2係900mN/25mm以上且8000mN/25mm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之工件加工用片材，其中，上述黏著劑層係由活性能量線硬化性黏著劑構成。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之工件加工用片材，其中，上述活性能量線硬化性黏著劑係由含有丙烯酸系共聚物的黏著劑組成物所形成之黏著劑，該丙烯酸系共聚物包含選自丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙基卡必醇酯、及(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯的至少一種作為構成聚合物的單體單元。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之工件加工用片材，其係切割片(dicing sheet)。
  10. 一種加工畢工件之製造方法，其特徵在於包括： 貼合步驟，其係將如申請專利範圍第1至9項中任一項所述之工件加工用片材之上述黏著劑層中與上述基材為相反側的面、與工件予以貼合； 加工步驟，其係藉由在上述工件加工用片材上將上述工件進行加工，而獲得積層在上述工件加工用片材上的加工畢工件； 照射步驟，其係對上述黏著劑層照射活性能量線，使上述黏著劑層硬化，而使上述工件加工用片材對上述加工畢工件的黏著力降低；以及 分離步驟，其係從活性能量線照射後的上述工件加工用片材，分離上述加工畢工件。
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