TW202010807A - 工件加工用片材及加工完成的工件的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種工件加工用片材，其係具備基材和積層於前述基材單面側的黏著劑層之工件加工用片材，其中前述黏著劑層由活性能量射線固化性黏著劑所構成，在前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R0 為28原子%以下，且在前述黏著劑層的內部的位置中、距離前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面之深度為100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R100 為20原子%以上、29原子%以下。這種工件加工用片材，能夠將附著於加工後的工件的源自黏著劑層之黏著劑藉由流水良好地去除，而且可以將加工後的工件良好地分離。

Description

工件加工用片材及加工完成的工件的製造方法
本發明係有關於能夠適合用於切割（dicing）之工件加工用片材、以及使用了此工件加工用片材之加工完成的工件的製造方法。
矽、砷化鎵等的半導體晶圓及各種封裝（package）類型（以下有時統一記載為「被切割物」。），以大直徑的狀態被製造，此等被切斷（切割）成元件芯片（以下有時記載為「晶片」。），同時被個別地分離（拾取(pickup)）之後，轉移到下一個步驟之安裝（mount）製程。此時，半導體晶圓等的被切割物，以被貼附著具備基材及黏著劑層之工件加工用片材的狀態下，進行切割、清潔、乾燥、擴片（expanding）、拾取及安裝（mounting）的各個步驟。
在上述切割步驟中，由於旋轉的切割刀片與被切割物或工件加工用片材之間所產生的摩擦熱，造成切割刀片、被切割物及工件加工用片材被加熱。再者，在切割製程中，有時候會從被切割物或工件加工用片材產生了切割碎屑，且有此等附著到晶片上之情事。
因此，當進行切割製程時，通常會對切割部分供給流水，以將切割刀片等冷卻，且同時將所產生的切割碎屑從晶片去除。
以促進這種藉由流水去除切割碎屑為目的，專利文獻1公開了一種工件加工用片材，其在紫外線照射前的黏著劑層中與基材為相反側的表面的對純水的接觸角為82°～114°，且對二碘甲烷的接觸角為44°～64°，而且紫外線照射前的黏著劑層中、探針初期黏著力（probe tack）試驗的峰值為294～578kPa。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第5019657號公報
[發明所欲解決的課題]
然而，在使用如專利文獻1所公開的以往的工件加工用片材進行切割製程的情況下，無法將源自工件加工用片材的黏著劑層之黏著劑從加工後的工件充分地去除。
再者，一般而言，在拾取步驟中將晶片從工件加工用片材分離時，要求不需要過度的施力就能夠分離，藉此不會發生晶片的破損等的不良。
本發明係有鑑於上述情況而完成的，目的在於提供一種能夠將源自附著於加工後的工件的黏著劑層之黏著劑藉由流水良好地去除，且同時能夠將加工後的工件良好地分離之工件加工用片材、以及使用此工件加工用片材之加工完成的工件的製造方法。 [用於解決課題的手段]
為了達成上述目的，第一，本發明提供一種工件加工用片材，其係具備基材和積層於前述基材單面側的黏著劑層之工件加工用片材，其中前述黏著劑層由活性能量射線固化性黏著劑所構成，在前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面、利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R0 為28原子%以下，且在前述黏著劑層的內部之位置中、距離前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面之深度為100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R100 為20原子%以上、29原子%以下（發明1）。
在根據上述發明（發明1）的工件加工用片材中，藉由在黏著劑層中與基材為相反側的表面（以下有時稱為「黏著表面」。），利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R0 為28原子%以下，使得黏著表面具有適度的疏水性，且加工後的工件變得容易良好地分離。再者，藉由在黏著劑層的內部之位置中、距離黏著表面之深度為100nm的位置利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R100 為20原子%以上、29原子%以下，使得在附著於加工後的工件之黏著劑中，其表面變得具有適度的親水性，且可以將附著於加工後的工件之黏著劑藉由流水良好地去除。
在上述發明（發明1）中，以前述氧原子比率R0 的值比前述氧原子比率R100 的值更大，且根據下列公式（1） 氧原子比率的減少率（%）={（氧原子比率R0 -氧原子比率R100 ）/氧原子比率R0 }×100　　（1） 所計算出的氧原子比率的減少率為0%以上、15%以下為佳（發明2）。
在上述發明（發明1、2）中，以前述活性能量射線固化性黏著劑係由含有活性能量射線聚合性分支聚合物之黏著劑組成物所形成的黏著劑為佳（發明3）。
在上述發明（發明1～3）中，以前述黏著劑組成物含有將具有含官能基的單體單元之丙烯酸類共聚物、和具有鍵結至前述官能基的官能基之含不飽和基團之化合物反應所得到的活性能量射線固化性聚合物，且前述丙烯酸類共聚物含有選自丙烯酸甲酯、2-甲氧基乙基（甲基）丙烯酸酯、乙基卡必醇（甲基）丙烯酸酯及甲氧基乙二醇（甲基）丙烯酸酯的至少1種作為構成聚合物的單體單元為佳（發明4）。
在上述發明（發明1～4）中，以其係切割片材為佳（發明5）。
第二，本發明提供一種加工完成的工件的製造方法，其包括：將前述工件加工用片材（發明1～5）的前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面與工件貼合之貼合步驟；藉由在前述工件加工用片材上對前述工件進行加工，得到在前述工件加工用片材上積層了加工完成的工件之加工步驟；對前述黏著劑層照射活性能量射線，使前述黏著劑層固化，使得前述工件加工用片材對前述加工完成的工件的黏著力降低之照射步驟；及將前述加工完成的工件從活性能量射線照射後的前述工件加工用片材分離之分離步驟（發明6）。 [本發明的效果]
根據本發明的工件加工用片材，能夠將附著於加工後的工件的源自黏著劑層之黏著劑藉由流水良好地去除，同時可以將加工後的工件良好地分離。再者，藉由根據本發明的加工完成的工件的製造方法，變得可以有效率地製造加工完成的工件。
以下，對於本發明的實施形態進行說明。 [工件加工用片材] 根據本實施形態的工件加工用片材，包含基材、和積層於基材單面側上的黏著劑層。
1.工件加工用片材的物性 根據本實施形態的工件加工用片材，在黏著劑層中與基材為相反側的表面（黏著表面）、利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R0 為28原子%以下。藉由此氧原子比率R0 為28原子%以下，黏著表面變得具有適度的疏水性，可抑制工件加工用片材對加工後的工件之黏著力變得過高。藉此，變得能夠將加工後的工件從工件加工用片材良好地分離。特別是，在將矽晶圓作為工件使用的情況下，矽晶圓的表面上存在許多相對親水性的基團，對此表面，藉由以具有適度的疏水性之黏著表面與其接觸，使得加工後的工件變得容易分離。另外，上述氧原子比率R0 的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。
當上述氧原子比率R0 超過28原子%，則黏著表面變得具有相對較高的親水性，工件加工用片材的對加工後的工件之黏著力變得過高。在此情況下，在將加工後的工件從工件加工用片材分離時需要過度施力，可能會發生加工後的工件破損之類的問題。從避免這些問題的觀點來看，上述氧原子比率R0 以27原子%以下為佳。
再者，上述氧原子比率R0 以20原子%以上為佳，以22原子%以上為特佳。藉由上述氧原子比率R0 為20原子%以上，黏著表面變得具有適度的親水性，工件加工用片材變得容易對工件表現出良好的黏著力。藉此，在工件的加工時或是以將工件或加工後的工件積層於工件加工用片材上的狀態下進行運送時等的情況下，變得可以有效地抑制加工前後的工件非預期的剝離。
根據本實施形態的工件加工用片材，在黏著劑層的內部位置之中、距離黏著表面之深度為100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R100 為20原子%以上、29原子%以下。藉此，黏著劑層的內部之黏著劑變得具有適度的親水性。
一般而言，在使用切割刀片進行切割時，對切割部分供給流水的同時，旋轉的切割刀片接觸被切割物，切割此被切割物。此時，旋轉的切割刀片有時候不僅接觸被切割物，還接觸黏著劑層。在這樣的接觸部分中，會發生黏著劑層的切割、構成黏著劑層的黏著劑由於切割刀片而捲起，結果形成了小片的黏著劑。這種小片，會附著到被切割物、所形成的晶片等，對晶片後續的處理造成不良的影響，且成為導致晶片或安裝了此晶片的產品的品質低劣的原因。此處，由於小片的黏著劑是如以上所述而形成的，因此這種小片大多數是構成黏著劑層時、存在於黏著劑層內部之物。
根據本實施形態的工件加工用片材，如以上所述，黏著劑層的內部之黏著劑成為具有適度的親水性之物，因此即使是在加工時產生如以上所述小片的黏著劑、此小片附著到加工後工件（晶片等）的情況下，此小片的表面也變得具有適度的親水性。因此，藉由根據本實施形態的工件加工用片材，能夠利用在加工時供給流水的方式，從加工後的工件將附著於其上的黏著劑良好地去除。
另一方面，當氧原子比率R100 未滿20原子%，則黏著劑層的內部之黏著劑不會成為對水具有充分的親和性，進而變得無法將小片的黏著劑從加工後的工件充分地去除。從避免這些問題的觀點來看，上述氧原子比率R100 以21原子%以上為佳。
再者，當上述氧原子比率R100 超過29原子%時，黏著劑層的內部之黏著劑變得對水表現出過度的親和性，結果伴隨而來的是，黏著劑層的表面也變得對水具有高親和性。因此，無法抑制水的滲入，且在切割時發生晶片飛散、晶片碎裂的問題。從避免這些問題的觀點來看，上述氧原子比率R100 以27原子%以下為佳。另外，上述氧原子比率R100 的測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。
根據本實施形態的工件加工用片材，只要氧原子比率R0 及氧原子比率R100 各自介於前述範圍內，則氧原子比率R100 的值可以比氧原子比率R0 的值更大、或者氧原子比率R0 的值可以比氧原子比率R100 的值更大。又或者，氧原子比率R0 和氧原子比率R100 也可以是相同的值。在氧原子比率R0 的值比氧原子比率R100 的值更大的情況下，根據下列公式（1） 氧原子比率的減少率（%）={（氧原子比率R0 -氧原子比率R100 ）/氧原子比率R0 }×100　　（1） 所計算出的氧原子比率的減少率以0%以上為佳，以1%以上為特佳，進而以2%以上為更佳。再者，上述減少率以15%以下為佳，以12%以下為特佳，進而以10%以下為更佳。藉由氧原子比率的減少率介於上述範圍內，變得容易同時滿足利用流水良好地去除黏著劑和將加工後工件從工件加工用片材良好地分離的目的。
根據本實施形態的工件加工用片材，工件加工用片材對矽晶圓的黏著力，以1000mN/25mm以上為佳，以1200mN/25mm以上為特佳，進而以1500mN/25mm以上為更佳。此處的黏著力，係指未對工件加工用片材照射活性能量射線、黏著劑層尚未產生固化的狀態下之黏著力。再者，在本說明書全體中，對於所記載的「黏著力」即使沒有提及是否有照射活性能量射線，也是意指未對工件加工用片材照射活性能量射線、黏著劑層尚未產生固化的狀態下之黏著力。藉由上述黏著力為1000mN/25mm以上，變得容易將成為加工對象的工件良好地保持於工件加工用片材上，且在加工時、以工件或加工後的工件積層於工件加工用片材上的狀態下進行運送時等的情況下，能夠良好地抑制加工前或加工後的工件的剝離。特別是，在加工後的工件為晶片的情況下，能夠良好地抑制此晶片從工件加工用片材飛散。
再者，工件加工用片材對矽晶圓的黏著力，以5000mN/25mm以下為佳，以4500mN/25mm以下為特佳，以3000mN/25mm以下為更佳。藉由上述黏著力為5000mN/25mm以下，變得容易將經過活性能量射線的照射後之黏著力調整成介於後續描述的範圍內。另外，工件加工用片材對矽晶圓的黏著力之測量方法的細節，如後續描述的試驗例所記載。
另外，根據本實施形態的工件加工用片材，在對工件加工用片材照射活性能量射線之後，工件加工用片材對矽晶圓的黏著力以65mN/25mm以下為佳。藉由此黏著力為65mN/25mm以下，變得更容易在工件的加工完成之後，藉由對工件加工用片材照射活性能量射線，將加工後的工件從工件加工用片材分離。
2.工件加工用片材的構成部件 （1）基材 根據本實施形態的工件加工用片材的基材，只要在工件加工用片材的使用過程中能夠發揮期望的功能即可，只要是對於為了固化黏著劑而照射的活性能量射線表現出良好的透射性即可，並沒有特別限定。
例如，基材以樹脂類的材料作為主要成分之樹脂膜為佳，作為其具體的範例，可列舉出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜；乙烯-（甲基）丙烯酸共聚物膜、乙烯-（甲基）丙烯酸甲酯共聚物膜、其他的乙烯-（甲基）丙烯酸酯共聚物膜等的乙烯類共聚物膜；聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、乙烯-降莰烯共聚物膜、降莰烯樹脂膜等的聚烯烴類膜；聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜等的聚氯乙烯基類膜；聚對苯二甲酸乙二醇酯膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯類膜；（甲基）丙烯酸酯共聚物膜；聚氨酯膜；聚醯亞胺膜；聚苯乙烯膜；聚碳酸酯膜；氟樹脂膜等。作為聚乙烯膜的範例，可列舉出低密度聚乙烯（LDPE）膜、線性低密度聚乙烯（LLDPE）膜、高密度聚乙烯（HDPE）膜等。再者，也可以使用上述材料的交聯膜、離聚物膜（Ionomer film）之類的改性膜。再者，基材也可以將上述膜以複數積層而成之積層膜。在此種積層膜中，構成各層的材料可以是相同種類，也可以是不同種類。在上述膜之中，從具有優異的柔軟性的觀點來看，以使用乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚物膜作為基材為佳。另外，在本說明書中，「（甲基）丙烯酸」意指丙烯酸及甲基丙烯酸兩者。這同樣也應用於其他類似的用語。
基材也可以含有阻燃劑、增塑劑、抗靜電劑、潤滑劑、抗氧化劑、著色劑、紅外線吸收劑、紫外線吸收劑、離子清除劑等的各種添加劑。雖然這些添加劑的含量並沒有特別限定，但以使得基材可發揮所需功能的範圍內為佳。
對於基材的積層黏著劑層的表面，為了提高與黏著劑層的密著性，也可以施加底漆（primer）處理、電暈（corona）處理、電漿（plasma）處理等的表面處理。
基材的厚度，可以根據使用工件加工用片材的方法適當地設定，但通常以20μm以上為佳，且以25μm以上為特佳。再者，此厚度，通常以450μm以下為佳，且以300μm以下為特佳。
（2）黏著劑層 根據本實施形態的工件加工用片材的黏著劑層，只要由活性能量射線固化性的黏著劑所構成，能夠發揮所需的黏著力，且同時前述氧原子比率R0 及氧原子比率R100 分別介於前述範圍內即可，並沒有特別限定。
根據本實施形態的工件加工用片材，由於黏著劑層是由活性能量射線固化性的黏著劑所構成，因此在將貼附於黏著劑層的黏著表面之加工後的工件與此黏著表面分離時，能夠藉由照射活性能量射線使黏著劑層固化，使得工件加工用片材對加工後的工件的黏著力降低。藉此，可變得容易將黏著劑層的黏著表面與加工後的工件分離。
本實施形態中的黏著劑層，可以由包含具有活性能量射線固化性的聚合物之黏著劑組成物所形成，或者也可以由包含活性能量射線非固化性的聚合物（不具有活性能量射線固化性的聚合物）和具有至少1個以上的活性能量射線固化性基團的單體及/或低聚物之黏著劑組成物所形成。
首先，以下針對本實施形態中的黏著劑層由包含具有活性能量射線固化性的聚合物之黏著劑組成物所形成的情況進行說明。
具有活性能量射線固化性聚合物，以側鏈導入了具有活性能量射線固化性的官能基（活性能量射線固化性基團）之（甲基）丙烯酸酯（共）聚合物（A）（以下有時稱為「活性能量射線固化性聚合物（A）」）為佳。此活性能量射線固化性聚合物（A），以將具有含官能基之單體單元的丙烯酸類共聚物（a1）和具有可與上述官能基鍵結的官能基的含不飽和基團之化合物（a2）進行反應所得到的聚合物為佳。
在丙烯酸類共聚物（a1）中，作為構成聚合物的單體單元，以含有用於調整丙烯酸類共聚物（a1）的親水性之單體（以下有時稱為「親水性調整單體」）為佳，特別是，作為其具體的範例，以含有選自丙烯酸甲酯、2-甲氧基乙基（甲基）丙烯酸酯、乙基卡必醇（甲基）丙烯酸酯（乙氧基乙氧基乙基（甲基）丙烯酸酯）及甲氧基乙二醇（甲基）丙烯酸酯之中的至少1種為佳。
由於根據本實施形態的黏著片中的丙烯酸類共聚物（a1）使用上述親水性調整單體，因此變得容易將氧原子比率R100 調整成介於前述範圍內。可認為其原因在於，多數的上述親水性調整單體具有相對較多的氧原子，藉由使用此單體所構成的丙烯酸類共聚物（a1），使得黏著劑層中的氧原子的絕對量也變多，因此變得容易將氧原子比率R100 調整成介於前述範圍內。然而，並不僅限於上述原因。
另外，從可容易地將前述氧原子比率R100 調整成介於前述範圍內的觀點來看，在丙烯酸類共聚物（a1）中，作為構成聚合物的單體單元，在上述單體之中，以含有丙烯酸甲酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯及甲氧基乙二醇丙烯酸酯之中的至少1種為佳。
在丙烯酸類共聚物（a1）含有丙烯酸甲酯作為構成聚合物的單體單元的情況下，丙烯酸甲酯的含量以10質量%以上為佳，以20質量%以上為特佳，以30質量%以上為更佳。再者，丙烯酸甲酯的含量以85質量%以下為佳。藉由含量為以上所述，在所形成的黏著劑層中，變得容易將前述氧原子比率R100 調整為前述範圍。另外，在本說明書中，上述丙烯酸甲酯的含量（質量%）意指相對於構成丙烯酸類共聚物（a1）的所有單體的含量。再者，對於後續描述的其他單體的含量（質量%）也意指相對於構成丙烯酸類共聚物（a1）的所有單體的含量。
再者，在丙烯酸類共聚物（a1）含有丙烯酸2-甲氧基乙酯作為構成聚合物的單體單元的情況下，丙烯酸2-甲氧基乙酯的含量以10質量%以上為佳，以20質量%以上為特佳，以30質量%以上為更佳。再者，丙烯酸2-甲氧基乙酯的含量以85質量%以下為佳，以80質量%以下為特佳，且以70質量%以下為更佳。藉由含量為以上所述，在所形成的黏著劑層中，變得容易將前述氧原子比率R100 調整為前述範圍。
再者，在丙烯酸類共聚物（a1）含有丙烯酸甲酯及丙烯酸2-甲氧基乙酯兩者作為構成聚合物的單體單元的情況下，丙烯酸甲酯及丙烯酸2-甲氧基乙酯的含量的合計值以10質量%以上為佳，以30質量%以上為特佳，以50質量%以上為更佳。再者，上述合計值以90質量%以下為佳，以85質量%以下為特佳。藉由上述合計值介於這些範圍內，在所形成的黏著劑層中，變得容易將前述氧原子比率R100 調整為前述範圍。
更進一步而言，在丙烯酸類共聚物（a1）含有甲氧基乙二醇丙烯酸酯作為構成聚合物的單體單元的情況下，甲氧基乙二醇丙烯酸酯的含量以10質量%以上為佳，以30質量%以上為特佳。再者，甲氧基乙二醇丙烯酸酯的含量以90質量%以下為佳，且以85質量%以下為特佳。藉由含量為以上所述，在所形成的黏著劑層中，變得容易將前述氧原子比率R100 調整為前述範圍。
丙烯酸類共聚物（a1），除了上述親水性調整單體之外，以還含有衍生自含官能基之單體的結構單元、及衍生自（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物的結構單元為佳。
作為丙烯酸類共聚物（a1）的構成單元的含官能基之單體，可列舉出在分子內具有聚合性的雙鍵、和羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等的官能基之單體，其中，以含有含羥基之單體、含胺基之單體及含取代胺基之單體之中的至少1種為佳。
作為上述含羥基之單體的範例，例如，可列舉出（甲基）丙烯酸2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸3-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸3-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸4-羥基丁酯等，且上述材料可以單獨使用或者也可以組合2種以上使用。
作為上述含胺基之單體或含取代胺基之單體的範例，例如，可列舉出（甲基）丙烯酸胺基乙酯、（甲基）丙烯酸正丁基胺基乙酯等。上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。
另外，作為上述含羧基之單體的範例，例如，可列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、檸康酸等的烯屬不飽和羧酸，且上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。然而，丙烯酸類共聚物（a1）以不含有含羧基之單體為佳。藉由丙烯酸類共聚物（a1）不含有含羧基之單體，使得水接觸角的調整變得更容易。
在丙烯酸類共聚物（a1）中，上述衍生自含官能基之單體的結構單元的含量，以含有1質量%以上為佳，以含有5質量%以上為特佳，以含有10質量%以上為更佳。再者，在丙烯酸類共聚物（a1）中，上述衍生自含官能基之單體的結構單元的含量，以含有35質量%以下為佳，以含有30質量%以下為特佳。
作為構成丙烯酸類共聚物（a1）的（甲基）丙烯酸酯單體，除了烷基的碳原子數為1～20之（甲基）丙烯酸烷基酯之外，例如，以使用在分子內具有脂環式結構之單體（含脂環式結構之單體）為佳。
作為（甲基）丙烯酸烷基酯，特別是烷基的碳原子數為1～18之（甲基）丙烯酸烷基酯，例如，以使用甲基丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯等為佳。上述材料，可以單獨使用1種，也可以組合2種以上使用。
作為含脂環式結構之單體，例如，以使用（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸二環戊烷酯、（甲基）丙烯酸金剛烷酯、（甲基）丙烯酸異莰酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯酯、（甲基）丙烯酸二環戊烯基氧基乙酯等為佳。上述材料，可以單獨使用1種，也可以組合2種以上使用。
更進一步而言，在丙烯酸類共聚物（a1）中衍生自（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物的結構單元的含量，以含有50質量%以上為佳，以含有60質量%以上為特佳，進而以含有70質量%以上為更佳。再者，在丙烯酸類共聚物（a1）中衍生自（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物的結構單元的含量，以含有99質量%以下為佳，以含有95質量%為特佳，以含有90質量%以下為更佳。
丙烯酸類共聚物（a1），較佳能夠將上述親水性調整單體、含官能基之單體、和（甲基）丙烯酸酯單體或其衍生物以一般的方法進行共聚合而得到，但也可以將這些單體之外的二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、苯乙烯等也共聚合。
將具有上述含官能基之單體單元的丙烯酸類共聚物（a1），藉由與具有可與上述官能基鍵結的官能基的含不飽和基團之化合物（a2）反應，可得到活性能量射線固化性聚合物（A）。
含不飽和基團之化合物（a2）所具有的官能基，可以根據丙烯酸類共聚物（a1）所具有的含官能基之單體單元的官能基的種類適當地選擇。例如，在丙烯酸類共聚物（a1）所具有的官能基為羥基、胺基或取代胺基的情況下，作為含不飽和基團之化合物（a2）所具有的官能基，以異氰酸酯基或環氧基為佳，而在丙烯酸類共聚物（a1）所具有的官能基為環氧基的情況下，作為含不飽和基團之化合物（a2）所具有的官能基，以胺基、羧基或氮丙啶基為佳。
再者，在上述含不飽和基團之化合物（a2）中，活性能量射線聚合性的碳-碳雙鍵，在1分子中至少含有1個，以含有1～6個為佳，且以含有1～4個為更佳。作為這種含不飽和基團之化合物（a2）的具體範例，可列舉出2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α，α-二甲基芐基異氰酸酯、甲基丙烯醯異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、1,1-（雙丙烯醯氧基甲基）乙基異氰酸酯；藉由將二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物與（甲基）丙烯酸羥基乙酯反應所得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；藉由將二異氰酸酯化合物或多異氰酸酯化合物與多元醇化合物和（甲基）丙烯酸羥基乙酯反應得到的丙烯醯基單異氰酸酯化合物；（甲基）丙烯酸縮水甘油酯；（甲基）丙烯酸、（甲基）丙烯酸2-（1-氮丙啶基）乙酯、2-乙烯基-2-㗁唑啉、2-異丙烯基-2-㗁唑啉等。
相對於上述丙烯酸類共聚物（a1）的含官能基之單體的莫耳數，上述含不飽和基團之化合物（a2）所使用的比例以50莫耳%以上為佳，以60莫耳%以上為特佳，且以70莫耳%以上為更佳。再者，相對於上述丙烯酸類共聚物（a1）的含官能基之單體的莫耳數，上述含不飽和基團之化合物（a2）所使用的比例以95莫耳%以下為佳，以93莫耳%以下為特佳，且以90莫耳%以下為更佳。
丙烯酸類共聚物（a1）與含不飽和基團之化合物（a2）之間的反應，可以根據丙烯酸類共聚物（a1）所具有的官能基和含不飽和基團之化合物（a2）所具有的官能基的組合，適當地選擇反應溫度、壓力、溶劑、時間、是否使用催化劑、催化劑的種類。藉此，存在於丙烯酸類共聚物（a1）中的官能基與含不飽和基團之化合物（a2）中的官能基反應，不飽和基團被導入於丙烯酸類共聚物（a1）中的側鏈，進而得到活性能量射線固化性聚合物（A）。
由此所得到的活性能量射線固化性聚合物（A）的重量平均分子量（Mw）以1萬以上為佳，以15萬以上為特佳，進而以20萬以上為更佳。再者，此重量平均分子量（Mw）以150萬以下為佳，且以100萬以下為特佳。另外，在本說明書中，重量平均分子量（Mw）為藉由凝膠滲透層析法（gel permeation chromatography，GPC）所測量的標準聚苯乙烯換算值。
在本實施形態中的黏著劑組成物，即使是含有稱為活性能量射線固化性聚合物（A）的具有活性能量射線固化性之聚合物的情況下，此黏著劑組成物也可以進一步含有活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）。
作為活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B），例如，可以使用多元醇和（甲基）丙烯酸的酯類等。
作為上述活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的範例，例如，可列舉出（甲基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸異莰酯等的單官能丙烯酸酯類、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、新戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二新戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、1,4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、1,6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、二羥甲基三環癸烷二（甲基）丙烯酸酯等的多官能丙烯酸酯類、聚酯低聚（甲基）丙烯酸酯、聚氨酯低聚（甲基）丙烯酸酯等。
將活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）與活性能量射線固化性聚合物（A）同時調配的情況下，相對於100質量份的活性能量射線固化性聚合物（A），在黏著劑組成物中的活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的含量以超過0質量份為佳，以60質量份以上為特佳。再者，相對於100質量份的活性能量射線固化性聚合物（A），上述含量以250質量份以下為佳，以200質量份以下為特佳。
此處，在使用紫外線作為用於使活性能量射線固化性黏著劑固化的活性能量射線的情況下，本實施形態中的黏著劑組成物以含有光聚合起始劑（C）為佳。藉由使用此光聚合起始劑（C），能夠減少聚合固化時間及光線照射量。
作為光聚合起始劑（C），具體而言，可列舉出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基縮酮、2,4-二乙基噻噸酮(2,4-diethylthioxanthone)、1-羥基環己基苯基酮、芐基二苯硫醚、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮二異丁腈、二苯乙二酮(benzil)、二芐基、雙乙醯、β-氯蒽醌、（2,4,6-三甲基芐基二苯基）氧化膦、2-苯並噻唑-N，N-二乙基二硫代胺基甲酸酯、低聚{2-羥基-2-甲基-1-[4-（1-丙烯基）苯基]丙酮}、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等。上述材料可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。
相對於100質量份的活性能量射線固化性聚合物（A）（在調配活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的情況下，則為活性能量射線固化性聚合物（A）及活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的合計量100質量份），在黏著劑組成物中的光聚合起始劑（C）的含量以0.1質量份以上為佳，且以0.5質量份以上為特佳。再者，相對於100質量份的活性能量射線固化性聚合物（A）（在調配活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的情況下，則為活性能量射線固化性聚合物（A）及活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的合計量100質量份），上述含量以10質量份以下為佳，且以6質量份以下為特佳。
根據本實施形態的黏著劑組成物，以含有用於調整黏著劑層中的氧原子比率之添加劑（D）為佳。作為這種添加劑的範例，可列舉出活性能量射線聚合性分支聚合物、分支聚合物、環氧樹脂等，其中，從可容易地將黏著劑層中的氧原子比率調整成介於所需範圍內的觀點來看，以使用活性能量射線聚合性分支聚合物為佳。
所謂活性能量射線聚合性分支聚合物，是活性能量射線聚合性化合物的一種，意指具有活性能量射線聚合性基團及分支結構的聚合物。本實施形態中的黏著劑層，由於由含有活性能量射線聚合性分支聚合物的黏著劑組成物所形成，因此變得容易將在黏著表面利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R0 調整成28原子%以下。可認為其原因如以下內容所述，但並不限定於此。當使用含有活性能量射線聚合性分支聚合物的黏著劑組成物來形成黏著劑層時，活性能量射線聚合性分支聚合物容易偏向於黏著劑層的表面側。因此，使得在所形成的黏著劑層中，與內部相比，越靠近表面的部分，活性能量射線聚合性分支聚合物的含量越多。此處，由於活性能量射線聚合性分支聚合物本身是氧原子比率相對較少的成分，因此存在越多的活性能量射線聚合性分支聚合物之黏著表面，變得越容易達到28原子%以下的氧原子比率。
再者，由於活性能量射線聚合性分支聚合物具有活性能量射線聚合性基團，因此當對工件加工用片材照射活性能量射線時，活性能量射線聚合性分支聚合物彼此之間或是活性能量射線聚合性分支聚合物與具有活性能量射線聚合性基團的成分之間能夠進行聚合反應，藉此，可以抑制活性能量射線聚合性分支聚合物遷移到加工後的工件，而且經過活性能量射線照射後的黏著劑層更加固化，變得容易有效地將加工後的工件從工件加工用片材分離。
只要活性能量射線聚合性分支聚合物為如以上所述之具有活性能量射線聚合性基團及分支結構的聚合物即可，其具體的結構（例如，分支結構的程度、一分子中所具有的活性能量射線聚合性基團的數量）並沒有特別限定。作為可得到這種活性能量射線聚合性分支聚合物的方法的範例，例如，可藉由將分子內具有2個以上的自由基（radical）聚合性雙鍵之單體、分子內具有活性氫基團及1個自由基聚合性雙鍵之單體、和分子內具有1個自由基聚合性雙鍵之單體進行聚合所得到之具有分支結構的聚合物，與分子內具有可與活性氫基團反應而形成鍵結的官能基及至少1個自由基聚合性雙鍵之化合物進行反應，藉此而獲得。上述3種單體，可以各自是（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸，在此情況下，活性能量射線聚合性分支聚合物成為丙烯酸類聚合物。
活性能量射線聚合性分支聚合物的重量平均分子量以1000以上為佳，以3000以上為特佳。再者，此重量平均分子量，以100000以下為佳，且以30000以下為特佳。藉由重量平均分子量介於上述範圍內，變得容易將在黏著表面利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R0 調整成28原子%以下。
相對於100質量份的活性能量射線固化性聚合物（A）（在調配活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的情況下，則為活性能量射線固化性聚合物（A）及活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的合計量100質量份），在黏著劑組成物中的添加劑（D）的含量以0.05質量份以上為佳，以0.1質量份以上為特佳。再者，相對於100質量份的活性能量射線固化性聚合物（A）（在調配活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的情況下，則為活性能量射線固化性聚合物（A）及活性能量射線固化性的單體及/或低聚物（B）的合計量100質量份），上述含量以1質量份以下為佳，以0.5質量份以下為特佳。藉由添加劑（D）的含量介於上述範圍內，變得容易將黏著劑層中的氧原子比率調整成介於所需的範圍內。
本實施形態的黏著劑組成物，除了以上說明的成分之外，也可以適當地調配其他成分。作為其他的成分，例如，可列舉出活性能量射線非固化性聚合物成分或低聚物成分（E）、交聯劑（F）等。
作為活性能量射線非固化性聚合物成分或低聚物成分（E），例如，可列舉出聚丙烯酸酯、聚乙烯酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚烯烴等，且以重量平均分子量（Mw）為3000〜250萬的聚合物或低聚物為佳。藉由在活性能量射線固化性黏著劑中調配此成分（E），能夠改善固化前的黏著性及剝離性、固化後的強度、與其他層的黏著性、儲存穩定性等。此成分（E）的調配量並沒有特別限定，可適當地設定為相對於100質量份的活性能量射線固化性聚合物（A）介於超過0質量份、且為50質量份以下的範圍內。
作為交聯劑（F），可以使用與活性能量射線固化性聚合物（A）等成分所具有的官能基之間具有反應性的多官能化合物。作為這種多官能化合物的範例，可列舉出異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、肼化合物、醛化合物、㗁唑啉化合物、金屬醇鹽化合物、金屬螯合物、金屬鹽、銨鹽、反應性酚醛樹脂等。
相對於100質量份的活性能量射線固化性聚合物（A），交聯劑（F）的調配量以0.01質量份以上為佳，以3質量份以上為特佳。再者，相對於100質量份的活性能量射線固化性聚合物（A），交聯劑（F）的調配量以20質量份以下為佳，以17質量份以下為特佳。
其次，以下針對本實施形態中的黏著劑層由包含活性能量射線非固化性聚合物成分和具有至少1個以上的活性能量射線固化性基團的單體及/或低聚物之黏著劑組成物所形成的情況進行說明。
作為活性能量射線非固化性聚合物成分，例如，可以使用與前述丙烯酸類共聚物（a1）相同的成分。
作為具有至少1個以上的活性能量射線固化性基團的單體及/或低聚物，可以選擇與前述的成分（B）相同之物。關於活性能量射線非固化性聚合物成分和具有至少1個以上的活性能量射線固化性基團的單體及/或低聚物之調配比例，相對於100質量份的活性能量射線非固化性聚合物成分，具有至少1個以上的活性能量射線固化性基團的單體及/或低聚物以1質量份以上為佳，以60質量份以上為特佳。再者，關於此調配比例，相對於100質量份的活性能量射線非固化性聚合物成分，具有至少1個以上的活性能量射線固化性基團的單體及/或低聚物以200質量份以下為佳，且以160質量份以下為特佳。
在此情況下，與上述內容相同，能夠適當地調配光聚合起始劑（C）、添加劑（D）、交聯劑（F）等。
黏著劑層以1μm以上為佳，以5μm以上為特佳。再者，此厚度以50μm以下為佳，且以40μm以下為特佳。藉由黏著劑層的厚度介於上述範圍內，變得容易達成對工件所需的黏著力。
（3）剝離片 根據本實施形態的工件加工用片材，直到將黏著劑層中的黏著表面貼附於工件之前的期間，為了保護此表面，也可以將剝離片積層於此表面上。剝離片的構成為任意，例如，以利用剝離劑等對塑料膜（plastic film）進行了剝離處理之物。作為塑料膜的具體範例，可列舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚酯膜、及聚丙烯、聚乙烯等的聚烯烴膜。作為剝離劑，可以使用聚矽氧類、氟類、長鏈烷類等，其中，以廉價且可獲得穩定的性能之聚矽氧類為佳。對於剝離片的厚度並沒有特別限定，但通常為20μm以上、250μm以下。
（4）其他的部件 根據本實施形態的工件加工用片材，也可以在黏著劑層中的黏著表面上積層接著劑層。在此情況下，由於根據本實施形態的工件加工用片材如以上所述具備接著劑層，因此能夠作為切割‧晶粒接合（die bonding）片材來使用。在這種工件加工用片材中，工件貼附於接著劑層中與黏著劑層為相反側的表面上，藉由將此工件與接著劑層一起切割，能夠得到積層了經分割的接著劑層之晶片。藉由此經分割的接著劑層，使得此晶片可以容易地固定於將安裝此晶片的對象上。作為構成上述接著劑層的材料，以使用含有熱塑性樹脂和低分子量的熱固性接著成分者、含有B階（半固化）的熱固性接著成分的材料等為佳。
再者，根據本實施形態的工件加工用片材，也可以在黏著劑層中的黏著表面上積層保護膜形成層。在此情況下，根據本實施形態的工件加工用片材，能夠作為保護膜形成兼切割用片材來使用。在這種工件加工用片材中，工件貼附於保護膜形成層中與黏著劑層為相反側的表面上，藉由將此工件與保護膜形成層一起切割，能夠得到積層了經分割的保護膜形成層之晶片。作為此工件，以使用單側表面形成有電路的工件為佳，且在此情況下，保護膜形成層通常積層於與形成有此電路的表面為相反側的表面上。經分割的保護膜形成層，藉由以預定的時間進行固化，能夠在晶片上形成具有充分的耐久性的保護膜。保護膜形成層以由未固化的固化性接著劑所構成為佳。
另外，根據本申請實施形態的工件加工用片材，係氧原子比率R0 及氧原子比率R100 各自介於前述範圍內的工件加工用片材，而在對黏著劑層積層上述接著劑層或保護膜形成層的情況下，關於在積層這些層之前的黏著劑層，氧原子比率R0 及氧原子比率R100 各自介於前述範圍內即可。
3.工件加工用片材的製造方法 根據本實施形態的工件加工用片材的製造方法並沒有特別限定，根據本實施形態的工件加工用片材以藉由在基材的單面側積層黏著劑層而製造為佳。
在基材的單面側積層黏著劑層，可以採用公知的方法。例如，以將形成於剝離片上的黏著劑層轉移到基材的單面側為佳。在此情況下，可以調配出含有構成黏著劑層的黏著劑組成物且依據需求還含有溶劑或分散介質之塗料溶液，並利用模具塗佈機（die coater）、淋幕式（curtain）塗佈機、噴（spray）塗機、狹縫（slit）塗佈機、刮刀（knife）塗佈機等，在剝離片中經過剝離處理的表面（以下有時稱為「剝離表面」）上塗佈上述塗料溶液，以形成塗膜，且藉由將此塗膜乾燥，形成黏著劑層。只要可進行塗佈，塗料溶液的性質並沒有特別限定，且也可以存在含有用於形成黏著劑層的成分作為溶質的情況，也可以存在作為分散質的情況。在此積層體中的剝離片也可以作為製程材料而剝離，或者也可以用來保護黏著劑層的黏著表面，直到將工件貼附於工件加工用片材上。
在用於形成黏著劑層的塗料溶液含有交聯劑的情況下，藉由改變上述的乾燥條件（溫度、時間等），或者藉由另外施加加熱處理，使得塗膜內的活性能量射線固化性聚合物（A）或活性能量射線非固化性聚合物與交聯劑之間進行交聯反應，進而在黏著劑層內依照所需密度形成交聯結構即可。為了充分地進行此交聯反應，也可以在藉由上述方法等將黏著劑層積層於基材上之後，對所得到的工件加工用片材進行，例如在23℃、相對濕度為50%的環境下靜置數天之類的熟化。
也可以不採用如以上所述的方式將形成於剝離片上的黏著劑層轉移到基材的單面側，而是在基材上直接形成黏著劑層。在此情況下，在基材的單面側上塗佈用於形成前述黏著劑層的塗料溶液，以形成塗膜，且藉由使此塗膜乾燥，形成黏著劑層。
4.工件加工用片材的使用方法 根據本實施形態的工件加工用片材，能夠使用於工件的加工。亦即，在將工件貼附於根據本實施形態的工件加工用片材的黏著表面上之後，能夠在工件加工用片材上進行工件的加工。對應於上述加工，根據本實施形態的工件加工用片材，能夠作為背面研磨片（back ground sheet）、切割片、擴片（expanded）、拾取（pickup）片等來使用。此處，作為工件的範例可列舉出，例如半導體晶圓、半導體封裝等的半導體部件、玻璃板等的玻璃部件。
再者，在根據本實施形態的工件加工用片材具備前述接著劑層的情況下，此工件加工用片材能夠作為切割‧晶粒接合片材來使用。進而，在根據本實施形態的工件加工用片材具備前述保護膜形成層的情況下，此工件加工用片材能夠作為保護膜形成兼切割用片材來使用。
根據本實施形態的工件加工用片材，藉由在黏著劑層的內部位置之中、距離黏著表面之深度為100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R100 介於前述範圍內，使得即使是在構成黏著劑層的黏著劑附著於加工後的工件的情況下，也能夠藉由流水將此黏著劑良好地去除。而且，藉由在黏著表面利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R0 介於前述範圍內，變得可以容易地分離加工後的工件。因此，根據本實施形態的工件加工用片材，很適合用於使用流水的加工，特別是，很適合用於對切割部分供給流水同時進行切割。亦即，根據本實施形態的工件加工用片材，很適合作為切割片使用。
在根據本實施形態的工件加工用片材作為切割片使用的情況下，可以使用一般的條件作為切割的條件及流水的供給條件。特別是關於流水的供給條件，以使用純水等作為所使用的水為佳。作為水的供給量，以0.5L/min以上為佳，且以1L/min以上為特佳。再者，作為水的供給量，以2.5L/min以下為佳，且以2L/min以下為特佳。另外，水的溫度並沒有特別限定，以設定成例如大約為室溫為佳。
[加工完成的工件的製造方法] 根據本發明的一實施形態的加工完成的工件的製造方法，其包括：將前述工件加工用片材的黏著劑層中與基材為相反側的表面與工件貼合之貼合步驟；藉由在工件加工用片材上對工件進行加工，得到在工件加工用片材上積層了加工完成的工件之加工步驟；對黏著劑層照射活性能量射線，使黏著劑層固化，使得工件加工用片材對加工完成的工件的黏著力降低之照射步驟；及將加工完成的工件從活性能量射線照射後的工件加工用片材分離之分離步驟。
在根據本實施形態的加工完成的工件的製造方法中所使用的工件加工用片材，即使是在構成黏著劑層的黏著劑附著於加工後的工件的情況下，也能夠藉由流水將此黏著劑良好地去除，同時加工完成的工件還可以易於良好地分離。因此，若採用本實施形態的加工完成的工件的製造方法，則變得可以有效地製造出加工完成的工件。
以下針對本實施形態的加工完成的工件的製造方法中的各個步驟進行說明。
（1）貼合步驟 在貼合步驟中工件與工件加工用片材的貼合，可以藉由以往公知的方法進行。另外，在後續的加工步驟中對工件進行切割的情況下，在工件加工用片材中黏著劑層之側的表面上，以將環形框架貼合於貼合工件的區域之外側周圍的區域為佳。再者，所使用的工件可以是對應於欲製造的加工完成的工件之所需的工件，且作為具體的範例可以使用前述工件。
（2）加工步驟 在加工步驟中，可以對工件進行所需的加工，例如，可以進行背面研磨、切割等。這些加工，可以藉由以往公知的方法進行。
另外，在上述加工中，在使用旋轉的刀片進行刀片切割的情況下，一般而言，與工件同時、工件加工用片材中的黏著劑層的一部分被切斷。此時，構成黏著劑層的黏著劑有時候會因刀片而被捲起，且附著到加工完成的工件上。然而，在本實施形態的加工完成的工件的製造方法中所使用的工件加工用片材，如以上所述，能夠藉由流水將附著的黏著劑良好地去除。從這種觀點來看，本實施形態的加工步驟很適合用於切割，特別是，很適合用於使用旋轉的刀片之刀片切割。
（3）照射步驟 在照射步驟中，活性能量射線的照射條件並不限定，只要工件加工用片材對加工完成的工件的黏著力能夠降低到所需的程度即可，且可以基於以往公知的方法來進行。作為所使用的活性能量射線的種類，例如，可列舉出電離輻射，亦即，X射線、紫外線、電子束等，其中，以相對容易導入照射設備的紫外線為佳。
（4）分離步驟 在分離步驟中，根據加工的種類和所得到的加工完成的工件所對應的方法，進行分離。例如，在將切割作為加工進行，且藉由此切割得到工件被分割而形成的晶片的情況下，使用以往公知的拾取裝置，將所得到的晶片一個個從工件加工用片材進行拾取。再者，為了便於拾取，也可以將工件加工用片材擴片，使得加工完成的工件彼此分離。
（5）其他 在本實施形態的加工完成的工件的製造方法中，也可以設置除了上述步驟之外的步驟。例如，也可以在貼合步驟之後，設置將所得到的工件和工件加工用片材之積層體搬運至預定位置的搬運步驟、或以預定的期間儲存此積層體的儲存步驟等。再者，也可以在分離步驟之後，設置將所得到的加工完成的工件安裝於預定的基座等的安裝步驟。
以上所說明的實施形態係為了易於理解本發明所記載的內容，並不是為了限定本發明而記載。因此，在上述實施形態中公開的各個元件也涵蓋屬於本發明的技術範圍之所有設計變化和均等物。
例如，也可以在基材與黏著劑層之間、或是在基材中與黏著劑層為相反側的表面上，設置其他層。 [實施例]
以下，將透過實施例等更具體地說明本發明，然而本發明的範圍不限定於這些實施例等。
[實施例1] （1）黏著劑組成物的製備 將20質量份的丙烯酸甲酯、60質量份的丙烯酸2-甲氧基乙酯、和20質量份的丙烯酸2-羥基乙酯進行共聚合所得到的丙烯酸類共聚物、與相對於100克的此丙烯酸類共聚物為21.4克的甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯（MOI）（相當於相對於丙烯酸2-羥基乙酯的莫耳數為80莫耳%）進行反應，進而得到活性能量射線固化性聚合物。此活性能量射線固化性聚合物的重量平均分子量（Mw）以後續描述的方法測量，結果為60萬。
將100質量份所得到的活性能量射線固化性聚合物（以固體含量計算，以下亦相同）、3質量份作為光聚合起始劑的1-羥基環己基苯基酮（BASF公司製，產品名「IRGACURE 184」）、9.32質量份作為交聯劑的甲苯二異氰酸酯（東曹公司製，產品名「Coronate L」）、0.18質量份作為添加劑的活性能量射線聚合性分支聚合物（日產化學工業公司製，產品名「OD-007」，重量平均分子量：14000），在溶劑中混合，進而得到黏著劑組成物。
（2）黏著劑層的形成 對在厚度為38μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的單面上形成聚矽氧類的剝離劑層而成的剝離片（琳得科（Lintec）公司製，產品名「SP-PET 381031」）的剝離表面，塗佈上述黏著劑組成物，並在藉由加熱使其乾燥之後，置於23℃、50%RH的條件下7天以進行熟化，在剝離片上形成厚度為5μm的黏著劑層。
（3）工件加工用片材的製作 藉由將上述步驟（2）所形成的黏著劑層中與剝離片為相反側的表面、與作為基材之厚度為80μm的乙烯-甲基丙烯酸類共聚物（EMAA）膜的單面互相貼合，得到工件加工用片材。
此處，前述重量平均分子量（Mw）是使用凝膠滲透層析法（GPC）所測量（GPC測量）的標準聚苯乙烯換算的重量平均分子量。
〔實施例2及比較例1～3〕 除了將丙烯酸類共聚物的組成、交聯劑的含量和添加劑的含量更改成如表1所示之外，以與實施例1相同的方式製造工件加工用片材。
〔試驗例1〕（氧原子比率的測量） 將剝離片從實施例及比較例所製造出的工件加工用片材剝離，且利用X射線光電子能譜分析裝置（ULVAC‧PHI公司製，產品名「PHI Quantera SXM」）測量在露出的黏著劑層的露出表面（黏著表面）的氧原子比率（%）及距離此露出表面的深度為100nm的位置之黏著劑層內的氧原子比率（%），並將其分別定義為「0nm的位置」之氧原子比率（%）及「100nm的位置」之氧原子比率（%）。結果如表1所示。
〔試驗例2〕（黏著力的測量） 將剝離片從實施例及比較例所製造出的工件加工用片材剝離，且將露出的黏著劑層的露出表面疊加於經過鏡面研磨的6英寸矽晶圓的鏡面上，並使用2kg的輥輪（roller）來回滾動1次，以施加負重使兩者互相貼合，然後靜置20分鐘，進而得到黏著力測量用的樣品。
對於此黏著力測量用的樣品，將工件加工用片材以300mm/min的剝離速率、180°的剝離角度從矽晶圓剝離，並藉由根據JIS Z0237：2009的180°剝離方法，測量出對矽晶圓的黏著力（mN/25mm）。將其結果作為紫外線照射前（UV前）的黏著力，顯示於表1。
〔試驗例3〕（黏著劑的去除性的評價） 將剝離片從實施例及比較例所製造出的工件加工用片材剝離，並使用貼片機（tape mounter）（琳得科公司製，產品名「Adwill RAD2500m/12」），在露出的黏著劑層的露出表面上，貼附經過＃2000研磨的6英寸矽晶圓（厚度：150μm）的研磨表面。接著，使用切割裝置（Disco公司製，產品名「DFD-6361」），在下列的切割條件下，對切割部分供給流水的同時從6英寸矽晶圓之側切斷，以進行切割。
＜切割條件＞ ‧切割裝置：Disco公司製DFD-6361 ‧刀片：Disco公司製NBC-2H 2050 27HECC ‧刀片寬度：0.025～0.030mm ‧刀刃進刀量：0.640～0.760mm ‧刀片轉速：50000rpm ‧切割速度：20mm/sec ‧切割深度：從工件加工用片材中黏著劑層之側的表面15μm ‧流水供給量：1.0L/min ‧流水溫度：室溫 ‧切割尺寸：10mm×10mm
將藉由上述切割所得到的晶片從工件加工用片材分離出20個，並以肉眼觀察，確認這些晶片上是否有附著黏著劑。之後，基於以下標準評價黏著劑的去除性。結果如表1所示。 ○：附著有黏著劑的晶片為0個。 ╳：附著有黏著劑的晶片為1個以上。
〔試驗例4〕（分離性的評價） 使用實施例及比較例製造出的工件加工用片材，以與試驗例3相同的方式進行切割。在切割完成之後，使用紫外線照射裝置（琳得科公司製，產品名「RAD-2000」），對工件加工用片材之側的表面照射紫外線（UV）（照度：230mW/cm2 ，光量：190mJ/cm2 ），使黏著劑層固化。之後，將所得到的全部晶片從工件加工用片材拾取起來。此時，從工件加工用片材中與貼附了玻璃晶片的表面為相反側之表面，利用針件向上推（針數：4根，上推速度：50mm/秒，上推高度：0.5mm）。基於此時的拾取狀況，根據以下標準評價將晶片從工件加工用片材分離時的分離性。結果如表1所示。 ○：能夠毫無問題地拾取。 ╳：無法分離晶片、或發生晶片破損的情形，因此不能良好地進行拾取。
另外，表1中所記載的縮寫等的細節如以下所示。 BA：丙烯酸丁酯 MMA：甲基丙烯酸甲酯 MA：丙烯酸甲酯 2MEA：丙烯酸2-甲氧基乙酯 HEA：丙烯酸2-羥基乙酯
[表1]
Figure 108101471-A0304-0001
從表1可以得知，根據在實施例中所得到的工件加工用片材，可以藉由流水將黏著劑良好地去除，而且能夠將加工後的工件良好地分離。 [產業上的可利性]
本發明的工件加工用片材能夠適合用於切割。
無。
無。

Claims (6)

  1. 一種工件加工用片材，其係包含基材和積層於前述基材單面側的黏著劑層之工件加工用片材， 其中前述黏著劑層由活性能量射線固化性黏著劑所構成， 在前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面，利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R0 為28原子%以下， 且在前述黏著劑層的內部位置中、距離前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面之深度為100nm的位置，利用X射線光電子能譜分析所測量到的氧原子比率R100 為20原子%以上、29原子%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之工件加工用片材，其中前述氧原子比率R0 的值比前述氧原子比率R100 的值更大，且根據下列公式（1） 氧原子比率的減少率（%）={（氧原子比率R0 -氧原子比率R100 ）/氧原子比率R0 }×100　　（1） 所計算出的氧原子比率的減少率為0%以上、15%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之工件加工用片材，其中前述活性能量射線固化性黏著劑係由含有活性能量射線聚合性分支聚合物之黏著劑組成物所形成的黏著劑。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之工件加工用片材，其中前述黏著劑組成物含有將具有含官能基的單體單元之丙烯酸類共聚物、和具有鍵結至前述官能基的官能基之含不飽和基團之化合物反應所得到的活性能量射線固化性聚合物， 且前述丙烯酸類共聚物含有選自丙烯酸甲酯、2-甲氧基乙基（甲基）丙烯酸酯、乙基卡必醇（甲基）丙烯酸酯及甲氧基乙二醇（甲基）丙烯酸酯的至少1種作為構成聚合物的單體單元。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之工件加工用片材，其係切割片材。
  6. 一種加工完成的工件的製造方法，其包括： 將申請專利範圍第1～5項中任一項所述之工件加工用片材的前述黏著劑層中與前述基材為相反側的表面與工件貼合之貼合步驟； 藉由在前述工件加工用片材上對前述工件進行加工，進而得到在前述工件加工用片材上積層了加工完成的工件之加工步驟； 對前述黏著劑層照射活性能量射線，使前述黏著劑層固化，使得前述工件加工用片材對前述加工完成的工件的黏著力降低之照射步驟；以及 將前述加工完成的工件從活性能量射線照射後的前述工件加工用片材分離之分離步驟。
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