TW201922481A - 阻氣薄膜用基材、阻氣薄膜、電子裝置用構件及電子裝置 - Google Patents

阻氣薄膜用基材、阻氣薄膜、電子裝置用構件及電子裝置 Download PDF

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Abstract

本發明係提供一種阻氣薄膜用基材，其具有樹脂薄膜、及在其兩面各自、直接或透過其它層而形成的硬塗層之阻氣薄膜用基材，前述樹脂薄膜係以150℃、2小時的條件將前述樹脂薄膜加熱且依據JIS K7133測定之熱收縮率為0.3%以下；在構成前述樹脂薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以下之該基材的至少一面側，形成阻氣層而成之阻氣薄膜；由該阻氣薄膜所構成之電子裝置用構件；及具備該電子裝置用構件之電子裝置。依照本發明，能夠提供一種不容易熱收縮，在加熱前後具有優異的透明性且廉價之阻氣薄膜用基材；在該基材的至少一面側，形成阻氣層而成之阻氣薄膜；由該阻氣薄膜所構成之電子裝置用構件；及具備該電子裝置用構件之電子裝置。

Description

阻氣薄膜用基材、阻氣薄膜、電子裝置用構件及電子裝置
本發明係有關於一種阻氣薄膜用基材；在該阻氣薄膜用基材的至少一面側，形成阻氣層而成之阻氣薄膜；由該阻氣薄膜所構成之電子裝置用構件；及具備該電子裝置用構件之電子裝置。
近年來，液晶顯示器、電激發光(EL)顯示器等的顯示器係為了實現薄型化、輕量化、可撓性化等而使用具有阻氣性之樹脂薄膜(以下有稱為「阻氣薄膜」之情形)代替玻璃板作為具有電極之基板。
例如專利文獻1係記載一種具有含有玻璃轉移溫度(Tg)高於130℃的樹脂之基材層、及特定阻氣層之阻氣薄膜，以及由該阻氣薄膜所構成的電子裝置用構件等。
專利文獻1亦記載因為在該文獻所記載的阻氣薄膜係具有含有玻璃轉移溫度(Tg)高於130℃的樹脂之基材層，所以具有優異的耐熱性。
在工業上生產阻氣薄膜時，通常係採用捲繞式(roll to roll)方式。
例如專利文獻2係記載一種阻氣性積層體，其係在基材的至少一側具有底塗層、阻氣層且不同的最外層之間係以相向的方式重疊時，靜摩擦係數在特定範圍內。
該文獻亦記載藉由使靜摩擦係數在特定範圍內，在捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出時，不容易產生黏結(薄膜之間產生黏附)、咬入空氣(起皺紋)等且作業性(以下有稱為「捲取適合性」之情形)提升。
但是在最外層的一方為阻氣層之阻氣性積層體，使阻氣層表面粗糙化時，有無法得到具有優異的阻氣性之阻氣性積層體之情形。另一方面，使另一方的最外層表面粗糙化時，在捲取時和捲出時，由於該最外層與另一方的最外層之阻氣層接觸，致使阻氣層表面產生損傷且阻氣性積層體的阻氣性有低落之情形。
又，專利文獻3係記載一種使用具有優異的生產性之捲繞式方式，來製造具有優異的性能安定性的有機電子元件之方法。因此，在有機電子元件製造步驟進行加熱時，由於在基材薄膜中所存在的微量寡聚物成分析出，致使所得到的有機電子元件的光透射率低落。由於前述寡聚物成分的污染，有對有機電子元件的性能造成不良影響之情形，以及為了防止此種情形，以在可撓性透明基材的兩面塗設透明硬塗層為佳。
但是該文獻未記載有關使用捲繞式方式而生產阻氣薄膜時的捲取適合性、捲取時和捲出時的阻氣薄膜性能評價結果。
先前技術文獻
專利文獻
[專利文獻1]日本國際公開第2012/039355號(US2013/0244044A1)
[專利文獻2]日本國際公開2013/147090號(US2015/0099094A1)
[專利文獻3]日本國際公開2010/090087號
[發明欲解決之課題]
如上述，專利文獻1記載的阻氣薄膜係具有優異的耐熱性。因此欲在該阻氣薄膜上依次形成各種功能層而製造電子裝置時，例如能夠於150℃進行加熱處理2小時而製造目標電子裝置。
但是，因為使用作為專利文獻1記載之基材層的製造材料之樹脂薄膜為較昂貴，所以難以廉價地製造具有優異的耐熱性之阻氣薄膜。
本發明係鑒於上述實際情況而進行，其目的係提供一種不容易熱收縮，而且在加熱前後具有優異的透明性且廉價之阻氣薄膜用基材；該基材的至少一面側，形成阻氣層而成之阻氣薄膜；由該阻氣薄膜所構成之電子裝置用構件；及具備該電子裝置用構件之電子裝置。
而且，本案申請人以前在日本特願2017-203236提案揭示一種由玻璃轉移溫度為100℃以下的樹脂所構成且於150℃加熱2小時之後，依據JIS K7133而測定的熱收縮率為0.3%以下之樹脂薄膜；及在前述樹脂薄膜的兩面形成硬塗層，進而在前述硬塗層的一面側直接形成阻氣層而成之阻氣薄膜。
日本特願2017-203236亦記載在所得到的阻氣薄膜，藉由將與阻氣層接觸之硬塗層的表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)設為150nm以下，容易得到具有優異的阻氣性之阻氣薄膜，以及所得到的阻氣薄膜係具有優異的熱收縮性及透明性(熱收縮率較小且在加熱前後之霧度變化量為較小)。
但是在日本特願2017-203236，針對使用捲繞式方式而生產阻氣薄膜時捲取適合性、捲取時和捲出時的阻氣薄膜的物性評價結果(例如未層積有阻氣層之硬塗層(一方的最外層)的面與阻氣層(另一方的最外層)的面接觸時之阻氣薄膜的阻氣性)係未進行研討。
因此，本發明之目的，係提供一種能夠得到具有優異的熱收縮性及透明性且在捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出時具有優異的作業操作性，同時在該作業前後，阻氣性不容易低落的阻氣薄膜之長條狀阻氣薄膜用基材；在該阻氣薄膜用基材的至少特定面側形成阻氣層而成之長條狀阻氣薄膜；由使用該阻氣薄膜而得到的阻氣薄膜所構成之電子裝置用構件；及具備該電子裝置用構件之電子裝置。
[用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明者等係針對各種樹脂薄膜進行專心研討。其結果，發現玻璃轉移溫度沒有那麼高的樹脂製樹脂薄膜(以下有記載為「樹脂薄膜(α)」之情形)係能夠較廉價地取得，即便使用該樹脂薄膜而成之複合薄膜，例如經對樹脂薄膜(α)施行退火處理、或使硬塗層層積在樹脂薄膜(α)而得到之物，亦有具有充分的耐熱性之情況。
而且，發現在具有樹脂薄膜、及其兩面形成硬塗層[硬塗層(I)、硬塗層(II)]之長條狀阻氣薄膜用基材，藉由使用由玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以下之樹脂所構成且將樹脂薄膜於150℃加熱2小時之後，所測定的熱收縮率為0.3%以下之物作為樹脂薄膜，而且特定硬塗層(I)及(II)的表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)，能夠得到一種具有優異的熱收縮性及透明性且捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出時具有優異的作業操作性之阻氣薄膜用基材；及藉由在該阻氣薄膜用基材的至少特定面側形成阻氣層，能夠得到具有優異的熱收縮性及透明性且捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出時具有優異的作業操作性，同時在該作業前後，阻氣性不容易低落之長條狀阻氣薄膜。
而且，基於該等見解而完成了本發明。
如此，依照本發明，係提供下述(1)~(11)的阻氣薄膜用基材、(12)~(15)的阻氣薄膜、(16)的電子裝置用構件、及(17)、(18)的電子裝置。
(1)一種阻氣薄膜用基材，係具有樹脂薄膜、及在其兩面各自、直接或透過其它層而形成的硬塗層之阻氣薄膜用基材，
前述樹脂薄膜係以150℃、2小時的條件將前述樹脂薄膜加熱且依據JIS K7133測定之熱收縮率為0.3%以下，
構成前述樹脂薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以下。
(2)如(1)所述之阻氣薄膜用基材，其中前述樹脂薄膜係經施行退火處理之聚酯薄膜。
(3)如(1)所述之阻氣薄膜用基材，其中前述硬塗層係任一者均為能量硬化性樹脂硬化而成。
(4)如(1)所述之阻氣薄膜用基材，其中前述硬塗層的膜厚係任一者均為1.0~10μm。
(5)如(1)所述之阻氣薄膜用基材，其中前述硬塗層的至少一方係表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以下之層。
(6)如(1)所述之阻氣薄膜用基材，其中一方的硬塗層[硬塗(I)]的表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以下，而且另一方的硬塗層[硬塗(II)]的表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以上且400nm以下。
(7)如(1)所述之阻氣薄膜用基材，係長條狀基材。
(8)如(6)所述之阻氣薄膜用基材，其中前述硬塗層(II)係含有平均粒徑1.0μm以上且10μm以下的微粒。
(9)如(8)所述之阻氣薄膜用基材，其中前述微粒係選自由聚矽氧樹脂微粒、丙烯酸樹脂微粒、聚苯乙烯樹脂微粒、及苯乙烯-丙烯酸共聚物樹脂微粒所組成群組之至少1種有機微粒。
(10)如(9)所述之阻氣薄膜用基材，其中將前述微粒的平均粒徑設為Dμm(含有2種以上的微粒時，係指平均粒徑為最大之微粒的平均粒徑)時，前述硬塗層(II)的膜厚L係滿足1.0μm≦L＜10μm且滿足L＜D。
(11)如(1)所述之阻氣薄膜用基材，其霧度為2.0%以下。
(12)一種阻氣薄膜，係在如前述(1)至(11)項中任一項所述之阻氣薄膜用基材的至少一面側，直接或透過其它層而形成阻氣層而成。
(13)一種阻氣薄膜，係在如前述(1)至(11)項中任一項所述之阻氣薄膜用基材的至少一面側，直接形成阻氣層而成之阻氣薄膜，而且與阻氣層接觸之硬塗層係表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以下之層。
(14)如(12)所述之阻氣薄膜，其中在如前述(1)至(11)項中任一項所述之阻氣薄膜用基材的至少前述硬塗層(I)的面側，直接形成阻氣層而成。
(15)如(12)所述之阻氣薄膜，其中前述阻氣層係使用含有聚矽氮烷系化合物之材料而形成。
(16)一種電子裝置用構件，係由如前述(12)所述之阻氣薄膜所構成。
(17)一種電子裝置，係具備如前述(16)所述之電子裝置用構件。
(18)一種電子裝置，係使用如前述(16)所述之電子裝置用構件作為基板而成。
[發明效果]
依照本發明，能夠提供一種不容易熱收縮，而且在加熱前後具有優異的透明性且廉價之阻氣薄膜用基材；在該基材的至少一面側，形成阻氣層而成之阻氣薄膜；由該阻氣薄膜所構成之電子裝置用構件；及具備該電子裝置用構件之電子裝置。
本發明的長條狀阻氣薄膜用基材係具有優異的熱收縮性及透明性，而且捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出時具有優異的作業操作性。
本發明的長條狀阻氣薄膜係具有優異的熱收縮性及透明性，而且捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出時具有優異的作業操作性，同時在該作業前後，阻氣性不容易低落。
本發明的電子裝置用構件係由使用具有優異的熱收縮性及透明性，而且捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出時具有優異的作業操作性之長條狀阻氣薄膜而得到之阻氣薄膜所構成，亦具有優異的生產性。
又，因為本發明的電子裝置係使用本發明的電子裝置用構件作為基板而成，所以具有優異的生產性且長期間繼續維持穩定的性能。
以下，將本發明分項為1)阻氣薄膜用基材、2)阻氣薄膜、以及3)電子裝置用構件及電子裝置而詳細地說明。
1)阻氣薄膜用基材
本發明的阻氣薄膜用基材，係具有樹脂薄膜、及在其兩面各自、直接或透過其它層而形成的硬塗層之阻氣薄膜用基材，前述樹脂薄膜係以150℃、2小時的條件將前述樹脂薄膜加熱且依據JIS K7133測定之熱收縮率為0.3%以下，構成前述樹脂薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以下。
[樹脂薄膜]
構成本發明的阻氣薄膜用基材(以下有簡記為「基材」之情形)之樹脂薄膜，係在150℃、2小時的條件下將前述樹脂薄膜加熱且依據JIS K7133而測定之熱收縮率為0.3%以下(以下有記載為「樹脂薄膜(A)」之情形)。
藉由使用熱收縮率為0.3%以下之物作為樹脂薄膜，即便在製造有機EL等的電子裝置時所進行的加熱步驟亦能夠抑制電子裝置的變形且能夠抑制性能劣化。
製造不容易熱收縮之基材時，通常能夠選擇玻璃轉移溫度(Tg)較高的樹脂製樹脂薄膜作為製造材料。但是因為此種樹脂薄膜為昂貴的，在製造成本方面有問題。
因為此種情形，本發明的基材係使用將玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以下的泛用性樹脂作為樹脂成分之樹脂薄膜作為製造材料。
因而，藉由使用本發明的基材而能夠在工業上有利地製造目標阻氣薄膜用基材。
在上述條件下所測定之樹脂薄膜(A)的熱收縮率為0.3%以下，以0.01~0.3%為佳，較佳為0.01~0.25%。
藉由該熱收縮率為0.3%以下，能夠得到具有目標特性之基材。
作為構成樹脂薄膜(A)的樹脂成分，只要璃轉移溫度(Tg)為100℃以下之物，就沒有特別限定，以具有優異的透明性之物為佳。
樹脂薄膜(A)的玻璃轉移溫度(Tg)，係能夠使用習知的測定方法例如使用差示掃描熱量測定裝置且在升溫‧降溫速度20℃/分鐘的條件下進行測定。
構成樹脂薄膜(A)之樹脂成分可為結晶性樹脂，亦可為非晶性樹脂，以結晶性樹脂為佳。
作為結晶性樹脂，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等的聚酯；聚乙烯、聚丙烯等的聚烯烴；聚醯胺6(耐綸6)、聚醯胺66(耐綸66)等的聚醯胺；聚偏二氟乙烯等的氟樹脂；聚縮醛、聚苯硫(polyphenylene sulfide)等。
作為非晶性樹脂，可舉出聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯(polyvinylidene chloride)、聚苯乙烯、丙烯腈‧苯乙烯樹脂、丙烯腈‧丁二烯‧苯乙烯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚乙酸乙烯酯等。
該等樹脂成分係能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
該等之中，因為具有優異的透明性且具有泛用性，以聚酯薄膜為佳，以聚對苯二甲酸乙二酯為特佳。
樹脂薄膜(A)係在不妨礙本發明的效果之範圍，亦可含有各種添加劑。作為添加劑，可舉出紫外線吸收劑、抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、滑劑、著色顏料等。該等添加劑的含量，係配合目的而適當地決定即可。
作為樹脂薄膜(A)，例如可舉出藉由對使用熔融擠製法、流延法等習知的方法而製造之退火處理前的樹脂薄膜(以下有稱為「樹脂薄膜(B)」之情形)進行退火處理而得到的樹脂薄膜。
所謂退火處理，係指將樹脂薄膜(B)藉由在實質上未施加張力的狀態下進行加熱而將樹脂薄膜(B)中的內部應變除去之處理。
藉由施行退火處理，樹脂薄膜(B)係成不容易熱收縮的樹脂薄膜(亦即樹脂薄膜(A))。樹脂薄膜(B)亦可為未經施行延伸處理之物。
如此，作為樹脂薄膜(A)，係以經施行退火處理之聚酯薄膜為佳。
退火處理，係能夠依照習知的方法而進行。例如能夠藉由將樹脂薄膜(B)放入至經溫度設定的爐之中一定時間而加熱之方法；使用遠紅外線而加熱樹脂薄膜(B)之方法；使樹脂薄膜(B)接觸加熱輥之方法等而對樹脂薄膜(B)施行退火處理。
退火處理的條件係沒有特別限定。
結晶性樹脂時，加熱溫度係以結晶性樹脂的玻璃轉移溫度以上且小於熔點的範圍之溫度為佳，較佳為結晶性樹脂的玻璃轉移溫度以上且(熔點-40℃)以下的範圍之溫度。
非晶性樹脂時，加熱溫度係以非晶性樹脂的(玻璃轉移溫度-30℃)以上且小於玻璃轉移溫度的範圍之溫度為佳，較佳為非晶性樹脂的(玻璃轉移溫度-20℃)以上且小於玻璃轉移溫度的範圍之溫度。
施行退火處理之時期係沒有特別限定。例如可在形成硬塗層之前施行退火處理，亦可在形成硬塗層之後施行退火處理。亦即，本發明的基材可藉由在樹脂薄膜(A)的兩面形成硬塗層來得到，亦可藉由對在樹脂薄膜(B)的兩面形成硬塗層而得到的複合薄膜施行退火處理使複合薄膜中的樹脂薄膜(B)變更成為樹脂薄膜(A)而得到。
構成樹脂薄膜(A)之樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以下，以50~95℃為佳，較佳為60~90℃。
製造不容易熱收縮的基材時，通常係選擇玻璃轉移溫度(Tg)較高的樹脂製樹脂薄膜作為製造材料。但是因為此種樹脂薄膜通常為較昂貴，所以在製造成本方面有問題。
因為此種情形，本發明的基材係使用將玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以下的樹脂作為樹脂成分的樹脂薄膜作為製造材料，例如藉由使用如上述退火處理來改善該樹脂薄膜的熱收縮特性而成為具備目標特性之物。
樹脂薄膜(A)的厚度係沒有特別限定，通常1.0~400μm，以5~300μm為佳，較佳為10~200μm的範圍。針對樹脂薄膜的厚度測定係沒有特別限定，例如能夠使用膜厚計而機械性地求取。
[硬塗層]
本發明的基材，係具有樹脂薄膜、及在其兩面各自、直接或透過其它層而形成之硬塗層。在本說明書，有將2個硬塗層之中的一方稱為硬塗層(I)且將另一方稱為硬塗層(II)之情形。而且有將2個硬塗層[硬塗層(I)、硬塗層(II)]彙總而稱為硬塗層之情形。
構成本發明的基材之硬塗層，係保護樹脂薄膜(A)避免受到衝擊等之層。
又，在本發明的基材，硬塗層亦具有抑制因加熱引起樹脂薄膜(A)的透明性低落之任務。亦即將樹脂薄膜(A)加熱後之情況，霧度值在加熱後有增加之傾向，但是將在樹脂薄膜(A)的兩面具有硬塗層之複合薄膜(本發明的基材)加熱後之情況，係即便加熱後亦成為與加熱前的霧度值大致相同之值。
作為構成本發明的基材之硬塗層，可舉出由能量線硬化性樹脂的硬化物所構成之物。在本發明的基材，2個硬塗層可由相同組成的能量線硬化性樹脂所形成，亦可由不同組成的能量線硬化性樹脂所形成。
所謂能量線硬化性樹脂，係指藉由照射紫外線、電子射線等的活性能量線、或加熱而開始硬化反應且變化成為硬化物之硬化性樹脂組成物。
能量線硬化性樹脂係通常將聚合性化合物作為主成分之物。在此，所謂「主成分」，係意味著能量線硬化性樹脂中50質量%以上的成分作為固體成分。
聚合性化合物係具有能量聚合性官能基之化合物。作為能量聚合性官能基，可例示(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基、苯乙烯基等的乙烯性不飽和基。該等之中，從反應性的高度而言，能量聚合性官能基係以(甲基)丙烯醯基為佳。又，在本說明書，所謂「(甲基)丙烯醯基」，係意味著丙烯醯基或甲基丙烯醯基。
作為具有(甲基)丙烯醯基之聚合性化合物，可舉出多官能丙烯酸酯系化合物。所謂多官能丙烯酸酯系化合物係指具有2個以上參與聚合反應的不飽和鍵之丙烯酸酯化合物或甲基丙烯酸酯化合物。
作為多官能丙烯酸酯系化合物，可舉出三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇己二酸酯二(甲基)丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸二環戊酯、己內酯改性二(甲基)丙烯酸二環烯酯、環氧乙烷改性磷酸二(甲基)丙烯酸酯、二(丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯、烯丙基化二(甲基)丙烯酸環己酯等的2官能丙烯酸酯系化合物；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、參(2-丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯等的3官能丙烯酸酯系化合物；雙甘油四(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等的4官能丙烯酸酯系化合物；丙酸改性二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯等的5官能丙烯酸酯系化合物；二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等的6官能丙烯酸酯系化合物等。
該等之中，作為多官能丙烯酸酯系化合物，係以4~6官能丙烯酸酯系化合物為佳，以6官能丙烯酸酯系化合物為較佳。
該等多官能丙烯酸酯系化合物，能夠一種單獨、或組合二種以上而使用。
能量硬化性樹脂亦可含有寡聚物。作為此種寡聚物，可舉出聚酯丙烯酸酯系寡聚物、環氧丙烯酸酯系寡聚物、胺甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物、多元醇丙烯酸酯系寡聚物等。
能量硬化性樹脂亦可含有光聚合起始劑、熱聚合起始劑等的聚合起始劑。
作為光聚合起始劑，可舉出2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基酮等的酮系光聚合起始劑；2,4,6-三甲基苯甲醯基-二苯基氧化膦、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基氧化膦、乙基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-次膦酸苯酯、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基-戊基氧化膦等的磷系光聚合起始劑；雙(η5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙[2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基]鈦等的二茂鈦系光聚合起始劑；肟酯系光聚合起始劑；二苯基酮、對氯二苯基酮、4,4’-二乙胺基二苯基酮等的二苯基酮系光聚合起始劑；9-氧硫 (thioxanthone)等的9-氧硫 系光聚合起始劑；三異丙醇胺等的胺系光聚合起始劑等。該等能夠單獨一種或組合二種以上而使用。
作為熱聚合起始劑，可舉出過氧化氫；過氧二硫酸銨、過氧二硫酸鈉、過氧二硫酸鉀等的過氧二硫酸鹽；2,2’-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、4,4’-偶氮雙(4-氰基戊酸)、2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙(4-甲氧基-2,4,二甲基戊腈)等的偶氮系化合物；過氧化苯甲醯基、過氧化月桂醯、過乙酸、過琥珀酸、過氧化二-第三丁基、第三丁基過氧化氫、異丙苯過氧化氫等的有機過氧化物等。該等能夠單獨一種或組合二種以上而使用。
能量硬化性樹脂係含有聚合起始劑時，其含量係相對於聚合性化合物100質量份，通常為0.01~20質量份的範圍。
能量線硬化性樹脂亦可含有交聯劑。
作為交聯劑，可舉出異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑；亞胺系交聯劑、吖環丙烷系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑等。
作為異氰酸酯系交聯劑，係沒有特別限定，能夠使用在分子中具有2個以上的異氰酸酯基之化合物。例如可舉出甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯等的芳香族聚異氰酸酯；六亞甲基二異氰酸酯等的脂肪族聚異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯等的脂環式聚異氰酸酯；及該等的縮二脲體、異三聚氰酸酯體、進而與乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羥甲基丙烷、蓖麻油等含低分子活性氫的化合物的反應物亦即加成物等。
該等交聯劑可單獨使用1種亦可併用2種以上。
能量硬化性樹脂係含有交聯劑時，從本發明能夠得到更優異的效果之觀點而言，其含量係相對於聚合性化合物100質量份，通常1~10質量份，較佳為2~8質量份。
作為能量硬化性樹脂，係以聚合性化合物藉由紫外線照射而硬化之樹脂(紫外線硬化性樹脂)為佳。藉由使用紫外線硬化性樹脂，能夠效率良好地形成硬塗層。
能量硬化性樹脂亦可進一步含有無機材料。
藉由含有無機材料，能夠進一步提高前述硬塗層的硬度。而且能夠抑制能量硬化性樹脂的硬化收縮。
作為構成無機材料之無機化合物，可舉出金屬氧化物、烷基矽酸酯、金屬氟化物等。
作為金屬氧化物，可舉出膠態氧化矽、中空氧化矽等的氧化矽；氧化鋁、氧化鍺、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鉭、氧化銦、氧化鉿、氧化錫、氧化鈮、銦錫氧化物(ITO)、氧化銻、氧化鈰等。
作為烷基矽酸酯，可舉出式：Ra -O[-{Si(ORb )2 }-O-]n-Ra (式中、Ra 及Rb 係表示碳數1~10的烷基，n係表示1以上的整數)表示之烷基矽酸酯。
作為金屬氟化物，可舉出氟化鎂、氟化鈉等。
該等之中，作為無機材料，係以氧化矽微粒或烷基矽酸酯微粒為佳。
從提升硬塗層的硬度的觀點而言，無機材料係以在表面具有反應性官能基之物為佳。藉由硬度較高而能夠抑制寡聚物成分的析出。
作為反應性官能基，可舉出(甲基)丙烯醯基、乙烯基、環氧基、苯乙烯基、胺基、脲基、鹵素原子、氫硫基、硫醚基、異氰酸酯基、烯丙基、羥基等。尤其是從反應性較高、取得容易性的觀點而言，係以(甲基)丙烯醯基為佳。
在表面具有反應性官能基之無機材料，係例如能夠藉由使用具有反應性官能基之表面處理劑處理上述無機材料來得到。
作為具有前述反應性官能基之表面處理劑，可舉出具有反應性官能基之矽烷偶合劑、具有反應性官能基之鈦酸鹽偶合劑、具有反應性官能基之鋁酸鹽偶合劑、具有反應性官能基之鋯酸鹽偶合劑等。
作為具有反應性官能基之矽烷偶合劑，可舉出3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等具有(甲基)丙烯醯基之矽烷偶合劑；乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、三氯乙烯基矽烷、乙烯基參(2-甲氧乙氧基)矽烷等具有乙烯基之矽烷偶合劑；2-(3,4-環氧二環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等具有環氧基之矽烷偶合劑；對苯乙烯基三甲氧基矽烷、對苯乙烯基三乙氧基矽烷等具有苯乙烯基之矽烷偶合劑；N-(2-胺乙基)-3-胺丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-胺丙基三甲氧基矽烷、3-胺丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基‧亞丁基)丙胺、N-苯基-3-胺丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苄基)-2-胺乙基-3-胺丙基三甲氧基矽烷的鹽酸鹽等具有胺基之矽烷偶合劑；3-脲丙基三甲氧基矽烷、3-脲丙基三乙氧基矽烷等具有脲基之矽烷偶合劑；3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基三乙氧基矽烷等具有鹵素原子之矽烷偶合劑；3-氫硫基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-氫硫基丙基三甲氧基矽烷等具有氫硫基之矽烷偶合劑；雙(三甲氧基矽烷基丙基)四硫醚、雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫醚等具有硫醚基之矽烷偶合劑；3-異氰酸酯基丙基三甲氧基矽烷、3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷等具有異氰酸酯基之矽烷偶合劑；烯丙基三氯矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷等具有烯丙基之矽烷偶合劑；3-羥丙基三甲氧基矽烷、3-羥丙基三乙氧基矽烷等具有羥基之矽烷偶合劑等。
作為鈦酸鹽偶合劑，可舉出肆[2,2-雙(烯丙氧基甲基)丁氧基]鈦(IV)、二異硬脂酸二-異丙氧基鈦、(2-正丁氧基羰基苯甲醯氧基)三丁氧基鈦、三異硬脂酸異丙基鈦、二-正丁氧基‧雙(三乙醇胺)鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦、二-異丙氧基‧雙(乙醯丙酮)鈦等。
作為鋁酸鹽偶合劑，可舉出異丙酸鋁、乙酸鋁、三第二丁氧基鋁、二異丙酸一第二丁氧基鋁、乙基乙醯乙酸酯二異丙酸鋁、參(乙基乙醯乙酸)鋁、參(乙醯丙酮酸)鋁、雙乙基乙醯乙酸酯一乙醯丙酮酸鋁、二異丙酸乙醯烷氧基鋁、烷基乙醯乙酸酯二異丙酸鋁、乙基乙醯乙酸酯二丁酸鋁、(乙基乙醯乙酸酯)一丁酸鋁、鋁氧化物異丙氧化物三聚物、鋁氧化物辛酸鹽三聚物、鋁氧化物硬脂酸鹽三聚物等。
作為鋯酸鹽偶合劑，可舉出四-正丁氧基鋯、四-正丁氧基鋯、四-正丙氧基鋯、乙醯丙酮三丁氧基鋯、四乙醯丙酮酸鋯、二丁氧基雙(乙基乙醯乙酸)鋯、辛酸鋯、三丁氧基硬脂酸鋯、一丁氧基三異硬脂酸鋯等。
該等矽烷偶合劑、鈦酸鹽偶合劑、鋁酸鹽偶合劑及鋯酸鹽偶合劑係能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
能量線硬化性樹脂係含有無機材料時，其含量係相對於能量線硬化性樹脂100質量份，通常為50~200質量份，較佳為80~140質量份。
藉由無機材料含量為此種範圍，能夠抑制硬塗層的硬化收縮。
無機材料的形狀係沒有特別限定。無機材料的形狀可為球狀亦可為非球狀。非球狀時，可為不定形，亦可為針狀、鱗片狀之縱橫比較高的形狀。
無機材料的平均粒徑，係通常為5nm以上且900nm以下，以10nm以上且500nm以下為佳，較佳為20nm以上且100nm以下。
藉由平均粒徑為上述範圍，能夠將無機材料更緊密地填充在硬塗層。
無機材料的平均粒徑，係能夠使用在JIS Z8825：2013記載的雷射繞射‧散射法而測定。
又，能量線硬化性樹脂係在不妨礙本發明的效果之範圍，亦可含有其它成分。
作為其它成分，可舉出抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、滑劑、著色顏料等。該等含量係配合目的而適當地決定即可。
作為在本發明所使用的能量硬化性樹脂，係能夠使用市售品。作為市售品，可舉出「Opstar Z7530」、「Opstar Z7524」、「Opstar TU4086」、「Opstar Z7537」(以上、JSR公司製)等。
本發明的阻氣薄膜用基材(以下有稱為「基材」之情形)之硬塗層的至少一方，係以表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以下的層為佳，以100nm以下的層為較佳。硬塗層的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)係沒有特別的下限值，通常為10nm以上。
使用本發明的基材而製造阻氣薄膜時，藉由將阻氣層形成在表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為150nm以下的硬塗層上，容易得到具有優異的阻氣性之阻氣薄膜。
硬塗層的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)，係能夠使用實施例記載的方法而測定。
又，本發明的基材之一方的硬塗層(I)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為150nm以下，且另一方的硬塗層(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為150nm以上且400nm為較佳。
從能夠得到具有更優異的阻氣性之阻氣薄膜的觀點而言，本發明的基材的硬塗層(I)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為150nm以下，以100nm以下為佳。硬塗層(I)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)係沒有特別的下限值，通常為10nm以上。
硬塗層(I)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)，係能夠藉由以微粒不露出硬塗層(I)表面之方式調整硬塗層(I)的膜厚而調整成為150nm以下。
使用本發明的基材而製造阻氣薄膜時，藉由將阻氣層形成在表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為150nm以下之硬塗層(I)的面上，而容易得到具有優異的阻氣性之阻氣薄膜。
又，硬塗層(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為150nm以上且400nm以下，以150nm以上且350nm以下為佳，較佳為150nm以上且300nm以下。
硬塗層(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)係如後述，硬塗層(II)含有微粒時係能夠藉由調整在其表面露出之微粒的高度，而調整成為150nm以上且400nm以下。
藉由硬塗層(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為上述範圍，捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出之作業時，能夠防止產生黏結、咬入空氣等的問題。
又，在製造後述的阻氣薄膜時，在捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出之作業時，能夠防止產生黏結和咬入空氣等的問題，同時在該作業前後能夠防止阻氣性低落。
硬塗層(II)亦可為在能量線硬化性樹脂中含有平均粒徑1.0μm以上且10μm以下的微粒之物。
藉由使用含有微粒之能量線硬化性樹脂，能夠更容易地將硬塗層(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)調整成為上述範圍。其結果在捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出時，能夠防止產生黏結和咬入空氣等的問題。又，在後述製造阻氣薄膜時，在捲取成為捲物狀時和從輥筒捲出之作業時，亦能夠防止產生黏結和咬入空氣等的問題，同時在該作業前後，能夠防止阻氣性低落。
作為所使用的微粒，可為有機微粒、無機微粒的任一種，從能夠進一步抑制對阻氣層產生損傷的觀點而言，以有機微粒為佳。
作為構成有機微粒之有機化合物，可舉出聚苯乙烯樹脂、苯乙烯-丙烯酸系共聚物樹脂、丙烯酸樹脂、胺基樹脂、二乙烯苯樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂、胺甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、酚樹脂、苯并胍胺樹脂、二甲苯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚氯乙烯樹脂等。
該等之中，從提升耐熱性的觀點而言，係為有機微粒，係以聚矽氧樹脂微粒為佳。
作為構成無機微粒之無機化合物，可舉出金屬氧化物、烷基矽酸酯等。
作為金屬氧化物，可舉出膠態氧化矽、中空氧化矽等的氧化矽；氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鉭、氧化銦、氧化鉿、氧化錫、氧化鈮等。
作為烷基矽酸酯，可舉出式：Rc -O[-{Si(ORd )2 }-O-]m -Rc (式中、Rc 及Rd 係表示碳數1~10的烷基，m係表示1以上的整數)表示之烷基矽酸酯。
該等之中，作為無機微粒，係以氧化矽微粒或烷基矽酸酯微粒為佳。
該等微粒能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
所使用的微粒之形狀，係沒有特別限定。例如可為球狀、針狀、板狀、片狀、棒狀、纖維狀等的任一種。尤其是從能夠將粗糙度安定地設置在硬塗層表面的觀點，係以球狀之物為佳。在此，所謂球狀，其意思係包含下列：正球狀、以及包含旋轉橢圓體、卵形、糖球狀、繭狀等能夠近似球體的多面體形狀之大略球狀。
微粒的平均粒徑係通常為1.0μm以上且10μm以下，以1.0μm以上8.0μm以下為佳，較佳為1.0μm以上且4.0μm以下。
如後述，藉由使用平均粒徑為上述範圍之微粒，容易將硬塗層(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)調整成為150nm以上且400nm以下。
微粒的平均粒徑係能夠使用JIS Z8825：2013記載的雷射繞射‧散射法而測定。
硬塗層(II)係含有微粒時，微粒含量係相對於前述活性能量線硬化性樹脂100質量份，通常為0.03~1質量份，以0.03~0.5質量份為佳，較佳為0.03~0.3質量份。
藉由將微粒含量設為上述範圍，能夠得到霧度值較低具有優異的透明性之硬塗層。
硬塗層的形成方法係沒有特別限定。例如能夠將含有前述能量硬化性樹脂及溶劑之塗佈液，使用習知的塗佈方法直接或透過其它層而塗佈在前述樹脂薄膜(A)或(B)上，而且按照必要將所得到的塗膜乾燥之後，藉由使塗膜硬化而形成。
作為溶劑，可舉出正己烷、正庚烷等的脂肪族烴系溶劑；甲苯、二甲苯等的芳香族烴系溶劑；二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿、四氯化碳、1,2-二氯乙烷、一氯苯等的鹵化烴系溶劑；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、丙二醇一甲醚等的醇類系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、2-戊酮、異佛爾酮、環己酮等的酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等的酯系溶劑；乙基賽路蘇等的賽路蘇系溶劑；1,3-二氧雜戊環等的醚系溶劑等。
作為塗附塗佈液之方法，能夠使用通常的濕式塗佈方法。例如可舉出浸漬法、輥塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、氣動刮刀塗佈、輥式刮刀塗佈、模塗佈、網版印刷法、噴霧塗佈、凹版轉印法等。
作為將塗膜乾燥之方法，可舉出熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等先前習知的乾燥方法。
作為使塗膜硬化之方法，係沒有特別限定。能夠按照能量硬化性樹脂的特性而適當地選擇習知的方法。
例如能量硬化性樹脂係接受活性能量線而硬化之物時，能夠使用高壓水銀燈、無電極燈、氙燈等而對塗膜照射活性能量線來使塗膜硬化。
活性能量線的波長係以200~400nm為佳，以350~400nm為較佳。照射量係通常照度為50~1000mW/cm2 ，光量為50~5000mJ/cm2 ，較佳為1000~5000mJ/cm2 的範圍。照射時間係通常為0.1~1000秒，以1~500秒為佳，較佳為10~100秒。考慮光照射步驟的熱負荷而照射複數次用以滿足前述的光量亦無妨。
又，能量硬化性樹脂係藉由加熱而硬化時，能夠藉由在硬化反應進行之溫度加熱塗膜而使塗膜硬化。
硬塗層的膜厚，係任一者均以1.0~10μm為佳、1.0~5.0μm為較佳。
藉由硬塗層的膜厚為1.0μm以上，能夠充分地保護樹脂薄膜(A)，而且能夠充分地防止將基材加熱後之霧度值上升。藉由硬塗層的膜厚為10μm，其基材係成為具有優異的彎曲性之物。
本發明的基材亦可具有其它層。本發明的基材具有其它層時，作為其它層，係可舉出底塗劑層等。
作為底塗劑層，可舉出含有丙烯酸樹脂、烯烴樹脂、胺甲酸酯樹脂、酯樹脂等的樹脂成分作為黏結劑樹脂之層。
作為本發明的基材之層結構的例子，可舉出以下之物，但是不被該等限定。在以下的(i)~(iii)，硬塗層可為硬塗層(I)亦可為硬塗層(II)。
(i)硬塗層/樹脂薄膜(A)/硬塗層
(ii)硬塗層/底塗劑層/樹脂薄膜(A)/硬塗層
(iii)硬塗層/底塗劑層/樹脂薄膜(A)/底塗劑層/硬塗層
(iv)硬塗層(I)/樹脂薄膜(A)/硬塗層(II)
(v)硬塗層(I)/底塗劑層/樹脂薄膜(A)/硬塗層(II)
(vi)硬塗層(I)/樹脂薄膜(A)/底塗劑層/硬塗層(II)
(vii)硬塗層(I)/底塗劑層/樹脂薄膜(A)/底塗劑層/硬塗層(II)
本發明的基材係不容易熱收縮之物。
將本發明的基材於150℃加熱2小時之後的熱收縮率，係以0.3%以下為佳，較佳為0.25~0.01%。
熱收縮率係能夠使用實施例記載的方法而測定。
本發明的基材係在加熱前後具有優異的透明性之物。
在加熱前，本發明的基材之霧度，係以0.1~5.0為佳，較佳為0.1~1.0。
又，於150℃加熱2小時引起的霧度變化量，係1.0%百分點以下為佳，較佳為0.01~0.9%百分點。
霧度係能夠使用實施例記載的方法而測定，又，霧度變化量係能夠使用實施例記載的方法而算出。
本發明的基材亦可為長條狀物。長條狀基材係具有較優異的生產性。
所謂「長條狀」，係意味著相較於寬度方向，其形狀係長度方向為較長的(較佳10倍以上的長度)帶狀。又，在以下的說明，係有將「長條狀」省略之情形。
樹脂薄膜的長度(長度方向的長度)係沒有特別限定，通常為400~2000m。樹脂薄膜的寬度(寬度方向的長度)係沒有特別限定，通常為450~1300mm，較佳為530~1280mm。
樹脂薄膜的厚度係沒有特別限定，通常為1.0~400μm，以5~300μm為佳，較佳為10~200μm。
本發明的基材係能夠使用於製造阻氣薄膜之物。
如上述，因為本發明的基材係具有優異的耐熱性之物，所以使用本發明的基材而得到的阻氣薄膜亦具有優異的耐熱性。
2)阻氣薄膜
本發明的阻氣薄膜，係在本發明的阻氣薄膜用基材的至少一面側直接或透過其它層形成阻氣層而成。
特別是阻氣薄膜係在阻氣薄膜用基材的至少一側直接形成阻氣層而成時，係以在表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為150nm以下的硬塗層上形成阻氣層而成為佳。因為此種阻氣薄膜之阻氣層的厚度為大致一定，所以具有非常優異的阻氣性。
[阻氣層]
構成本發明的阻氣薄膜之阻氣層，係具有抑制氧和水蒸氣的透過之特性(以下，稱為「阻氣性」)之層。
阻氣層的水蒸氣透過率，係在40℃、相對濕度90%的環境下以5.0g/m2 /day以下為佳，以0.5g/m2 /day以下為較佳。藉由設置此種具有阻氣性之阻氣層，阻氣薄膜係變成具有更優異的阻氣性。阻氣層的水蒸氣透過率之下限係沒有特別限定，考慮泛用測定裝置的檢測界限等，通常為1.0×10-6 g/m2 /day左右。
更具體地，水蒸氣透過率係能夠使用實施例記載的方法而測定。
而且，阻氣薄膜中所含有的阻氣層為1層時，針對阻氣薄膜而測定的水蒸氣透過率之值，係能夠推定為其所包含的阻氣層之水蒸氣透過率。
作為阻氣層，可舉出由無機蒸鍍膜所構成之阻氣層、含有阻氣性樹脂之阻氣層、將含有高分子化合物之層(以下有稱為「高分子層」之情形)的表面改質而成之阻氣層(此時，所謂阻氣層，不是意味著只有經改質的區域，而是意味著「包含經改質的區域之高分子層」)等。
該等之中，因為能夠效率良好地形成較薄且具有優異的阻氣性之層，以由無機蒸鍍膜所構成之阻氣層、或將高分子層的表面改質而成之阻氣層為佳。阻氣薄膜亦可具有2種以上之該等阻氣層。
作為無機蒸鍍膜，可舉出無機化合物和金屬的蒸鍍膜。
作為無機化合物的蒸鍍膜之原料，可舉出氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫、氧化鋅錫等的無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等的無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氧化氮化矽等的無機氧化氮化物；無機氧化碳化物；無機氮化碳化物；無機氧化氮化碳化物等。
作為金屬的蒸鍍膜之原料，可舉出鋁、鎂、鋅、及錫等。
該等係能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
該等之中，從阻氣性的觀點而言，係以將無機氧化物、無機氮化物或金屬作為原料之無機蒸鍍膜為佳，而且，從透明性的觀點而言，係以將無機氧化物或無機氮化物作為原料之無機蒸鍍膜為佳。又，無機蒸鍍膜可為單層亦可為多層。
從阻氣性及操作性觀點而言，無機蒸鍍膜的厚度係以1~2000nm為佳，較佳為3~1000nm，又較佳為5~500nm，更佳為40~200nm的範圍。
形成無機蒸鍍膜之方法係沒有特別限制。能夠使用習知的方法。作為形成無機蒸鍍膜之方法，例如可舉出真空蒸鍍法、濺鍍法、離子噴鍍法等的PVD法、熱CVD法、電漿CVD法、光CVD法等的CVD法、原子層堆積法(ALD法)。
作為前述阻氣性樹脂，例如可舉出聚乙烯醇、或其部分皂化物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚氯三氟乙烯等不容易透過氧、水蒸氣等之樹脂。
從阻氣性觀點而言，含有阻氣性樹脂之阻氣層的厚度係以1~2000nm為佳，較佳為3~1000nm，又較佳為5~500nm，更佳為40~200nm的範圍。
作為形成含有阻氣性樹脂的阻氣層之方法，可舉出將含有阻氣性樹脂之溶液塗佈在基材或其它層上且使所得到的塗膜適當地乾燥之方法。
樹脂溶液的塗佈方法係沒有特別限定，可舉出旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法、刮板塗佈法、模塗佈法、凹版塗佈法等習知的塗佈方法。
作為塗膜的乾燥方法，能夠利用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等先前習知的乾燥方法。
在將高分子層表面改質而成之阻氣層，作為所使用之高分子化合物，可舉出含矽的高分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚聚醯胺醯亞胺、聚苯醚(polyphenylene ether)、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫(polyphenylene sulfide)、聚芳香酯(polyarylate)、丙烯酸系樹脂、脂環式烴系樹脂、芳香族系聚合物等。
該等高分子化合物之中，以含矽的高分子化合物為佳。作為含矽的高分子化合物，可舉出聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、聚有機矽氧烷系化合物、聚(二伸矽烷基伸苯基)系化合物、及聚(二伸矽烷基伸乙基)系化合物等，以聚矽氮烷系化合物為較佳。針對聚矽氮烷系化合物之詳細係後述。
該等高分子化合物能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
高分子層係除了高分子化合物以外，在不阻礙本發明的目的之範圍亦可含有其它成分。作為其它成分，可舉出硬化劑、防老劑、光安定劑、阻燃劑等。
因為能夠形成具有更優異的阻氣性之阻氣層，高分子層中的高分子化合物含量係以50質量%以上為佳，70質量%以上為較佳。
高分子層的厚度係沒有特別限制，通常20nm至50μm，以30nm至1μm為佳，較佳為40nm至500nm。
高分子層係例如能夠藉由將使高分子化合物溶解或分散在有機溶劑而成之液體，使用習知的塗佈方法而塗佈在基材或其它層上且將所得到的塗膜乾燥來形成。
作為有機溶劑，可舉出苯、甲苯等的芳香族烴系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等的酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等的酮系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷等的脂肪族烴系溶劑；環戊烷、環己烷等的脂環式烴系溶劑等。
該等溶劑能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
作為塗佈方法，可舉出棒塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬法、輥塗佈法、凹版塗佈法、刮刀塗佈法、氣動刮刀塗佈法、輥式刮刀塗佈法、模塗佈法、網版印刷法、噴霧塗佈法、凹版轉印法等。
作為塗膜的乾燥方法，可舉出熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等先前習知的乾燥方法。加熱溫度係通常80~150℃，加熱時間係通常數十秒鐘至數十分鐘。
作為將高分子層表面改質之方法，可舉出離子植入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等。
離子植入處理係如後述，將經加速的離子植入高分子層而將高分子層改質之方法。
電漿處理係將高分子層暴露電漿中而將高分子層改質之方法。例如能夠依照日本特開2012-106421號公報記載的方法而進行電漿處理。
紫外線照射處理係對高分子層照射紫外線而將高分子層改質之方法。例如能夠依照日本特開2013-226757號公報記載的方法而進行紫外線改質處理。
該等阻氣層之中，因為具有更優異的阻氣性，以對含有含矽的高分子化合物之層施行離子植入處理而得到之物為佳。
作為含矽的高分子化合物，可舉出與前面已例示之物同樣物，尤其是以聚矽氮烷系化合物為佳。
聚矽氮烷系化合物，係在分子內具有含-Si-N-鍵(矽氮烷鍵)的重複單元之化合物。具體而言係以具有式(1)
表示的重複單元之化合物為佳。又，所使用的聚矽氮烷系化合物的數量平均分子量係沒有特別限定，以100~50,000為佳。
前述式(1)中，n係表示任意的自然數。Rx、Ry、Rz係各自獨立且表示氫原子、甲基、乙基、三氟甲基等未取代或具有取代基之烷基；環戊基、環己基等未取代或具有取代基之環烷基；乙烯基、烯丙基等未取代或具有取代基之烯基；苯基、4-甲基苯基等未取代或具有取代基之芳基；或三甲基矽烷基等的烷基矽烷基等的非水解性基。
該等之中，作為Rx、Ry、Rz，係以氫原子、碳數1~6的烷基、或苯基為佳，以氫原子為特佳。
作為具有前述式(1)表示的重複單元之聚矽氮烷系化合物，可為Rx、Ry、Rz為全部氫原子之無機聚矽氮烷且Rx、Ry、Rz的至少1個不是氫原子之有機聚矽氮烷的任一者。
又，在本發明，作為聚矽氮烷系化合物，亦能夠使用聚矽氮烷改性物。作為聚矽氮烷改性物，可舉出例如日本特開昭62-195024號公報、日本特開平2-84437號公報、日本特開昭63-81122號公報、日本特開平1-138108號公報等、日本特開平2-175726號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平6-122852號公報、日本特開平6-306329號公報、日本特開平6-299118號公報、日本特開平9-31333號公報、日本特開平5-345826號公報、日本特開平4-63833號公報等記載之物。
該等之中，作為聚矽氮烷系化合物，從取得容易性、及能夠形成具有優異的阻氣性之離子植入層的觀點而言，係以Rx、Ry、Rz為全部氫原子之全氫化聚矽氮烷為佳。
又，作為聚矽氮烷系化合物，亦能夠直接使用市售的市售品作為玻璃塗佈材等。
聚矽氮烷系化合物係能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
作為植入至高分子層之離子，可舉出氬、氦、氖、氪、氙等的稀有氣體的離子；氟碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；甲烷、乙烷等的烷系氣體類的離子；乙烯、丙烯等的烯系氣體類的離子；戊二烯、丁二烯等的烷二烯系氣體類的離子；乙炔等的炔系氣體類的離子；苯、甲苯等的芳香族烴系氣體類的離子；環丙烷等的環烷系氣體類的離子；環戊烯等的環烯系氣體類的離子；金屬的離子；有機矽化合物的離子等。
該等離子係能夠單獨1種或組合2種以上而使用。
該等之中，因為能夠更簡便地植入離子且能夠形成具有更優異的阻氣性之阻氣層，以氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子為佳。
離子的植入量，係能夠配合阻氣薄膜的使用目的(必要的阻氣性、透明性等)等而適當地決定。
作為植入離子之方法，可舉出藉由電場照射經加速的離子(離子射束)之方法、將電漿中的離子植入之方法等。尤其是因為能夠簡便地形成目標阻氣層，以植入後者的電漿離子之方法(電漿離子植入法)為佳。
電漿離子植入法，係例如藉由在含有稀有氣體等的電漿生成氣體之環境下使其產生電漿且對高分子層施加負的高電壓脈衝，而能夠將該電漿中的離子(陽離子)植入至高分子層的表面部。電漿離子植入法係更具體地能夠使用WO2010/107018號小冊子等記載的方法而實施。
藉由離子植入而將離子植入之區域的厚度，係能夠藉由離子的種類、施加電壓、處理時間等的植入條件來控制且按照高分子層的厚度、阻氣薄膜的使用目的等而決定即可，通常為10~400nm。
已將離子植入，係能夠使用X射線光電子光譜分析(XPS)而從高分子層表面進行10nm附近的元素分析測定而確認。
[阻氣薄膜]
本發明的阻氣薄膜係具有其它層時，作為其它層，可舉出底塗層等。
作為構成底漆層之材料，可舉出聚胺酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚烯烴系樹脂、苯乙烯系樹脂、橡膠系樹脂、天然樹脂等。
底漆層的平均厚度係沒有特別限定，以0.01μm以上且3μm以下為佳，以0.05μm以上且3μm以下為較佳。藉由將底漆層的平均厚度設為前述上限值以下，在將具有底漆層的基材一次捲取時能夠抑制產生黏結。
本發明的阻氣薄膜，係只要是在基材的至少一方的硬塗層、較佳為硬塗層(I)的面側直接形成有阻氣層之阻氣薄膜，其層結構係沒有特別限制。例如不僅是在本發明的基材的硬塗層(1)的面側，亦可為在硬塗層(II)面側直接形成有阻氣層之物。又，亦可為在本發明的基材的硬塗層(I)的面側直接形成有2層以上的阻氣層之物。前述2層以上的阻氣層彼此可為相同之物亦可為不同之物。
作為本發明的阻氣薄膜的層結構之例子，可舉出以下之物，但是不被該等限定。又，在以下的(a)~(d)，作為基材，可舉出具有具有硬塗層(II)/樹脂薄膜(A)/硬塗層(I)的層結構之物。
(a)基材/阻氣層
(b)基材/底漆層/阻氣層
(c)阻氣層/基材/阻氣層
(d)阻氣層/底漆層/基材/底漆層/阻氣層
(e)阻氣層/硬塗層(I)/樹脂薄膜(A)/硬塗層(I)
(f)阻氣層/硬塗層(I)/底塗劑層/樹脂薄膜(A)/硬塗層層(II)
(g)阻氣層/硬塗層(I)/樹脂薄膜(A)/底塗劑層/硬塗層(II)
(h)阻氣層/硬塗層(I)/底塗劑層/樹脂薄膜(A)/底塗劑層/硬塗層(II)
(i)阻氣層/硬塗層(I)/樹脂薄膜(A)/硬塗層(II)/阻氣層/硬塗層(II)
(j)阻氣層(II)/阻氣層(I)/硬塗層(I)/樹脂薄膜(A)/硬塗層(II)
本發明的阻氣薄膜的厚度係沒有特別限定，以1μm以上且600μm以下為佳，較佳為5μm以上且400μm以下，特佳為20μm以上且200μm以下。
阻氣層的厚度係能夠使用實施例記載的方法而測定。
本發明的阻氣薄膜之水蒸氣透過率，係在40℃、相對濕度90%的環境下，以小於0.02g/m2 /day為佳，較佳為小於0.01g/m2 /day。沒有特別的下限值且越小越佳，通常為1×10-6 g/m2 /day以上。
水蒸氣透過率係能夠使用實施例記載的方法而測定。
本發明的阻氣薄膜係不容易產生熱收縮之物。
將本發明的阻氣薄膜於150℃加熱2小時之後的熱收縮率，係以0.3%以下，較佳為0.01~0.25%。
熱收縮率係能夠使用實施例記載的方法而測定。
本發明的阻氣薄膜係在加熱前後均具有優異的透明性之物。
在加熱前，本發明的阻氣薄膜之霧度，係以0.1~5.0%為佳，較佳為0.1~1.0%。
又，於150℃加熱2小時之霧度的變化量，係以1.0%百分點以下為佳，較佳為0.01~0.9%百分點。
霧度係能夠使用實施例記載的方法而測定，而且霧度的變化量，係能夠使用實施例記載的方法而算出。
本發明的阻氣薄膜係具有優異的阻氣性且具有優異的耐熱性之物。因而，例如使用本發明的阻氣薄膜作為基板，依次將各種功能層形成在其上而製造電子裝置之情況，係能夠充分地經得起通常所採用的加熱處理。
製造本發明的阻氣薄膜之方法係沒有特別限定。
例如能夠藉由將阻氣層形成在阻氣薄膜用基材的至少一方的硬塗層的面上，來製造本發明的阻氣薄膜。
3)電子裝置用構件及電子裝置
本發明的電子裝置用構件，其特徵在於由本發明的阻氣薄膜所構成。因而，因為本發明的電子裝置用構件係具有優異的阻氣性，所以能夠防止因水蒸氣等的氣體引起元件劣化。而且因為光線的透過性較高且亦具有優異的耐熱性，所以適合作為觸控面板、液晶顯示器、EL顯示器、CRT顯示器、投影顯示器、電漿顯示器等的顯示器構件；太陽能電池用背面薄片等。
本發明的電子裝置係具備本發明的電子裝置用構件。作為電子裝置的具體例，可舉出觸控面板、液晶顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、CRT顯示器、投影顯示器、電漿顯示器、電子紙、太陽能電池等。
在該等電子裝置，本發明的電子裝置用構件係能夠適合使用作為基板。例如因為有機EL元件的製造步驟係有ITO的蝕刻步驟後之乾燥步驟和在濕度較高的條件下之步驟，能夠適合使用本發明的阻氣薄膜(日本特開2007-30387號公報等)。又，在從下面起依照順序具有由下基板、反射電極、下配向膜、液晶層、上配向膜、透明電極、上基板、λ/4板、以及偏光膜所構成的結構之反射型液晶顯示裝置等的液晶顯示裝置，本發明的電子裝置構件係能夠使用作為透明電極基板、上基板等。而且，本發明的電子裝置構件亦能夠使用作為太陽能電池元件的密封薄膜。
[實施例]
以下，舉出實施例而更詳細地說明，但是本發明係完全不被以下的實施例限定。
各例中的份及%係只要未預先告知就為質量基準。
[實施例1]
將紫外線(UV)硬化型丙烯酸酯樹脂組合物(JSR公司製、Opstar Z7530)使用繞線棒，而塗佈在經施行退火處理之聚酯薄膜(Im公司製、2002AF‧PET100、厚度100μm、在下述條件下測得的熱收縮率為0.13%)(以下稱為「PET薄膜(1)」)上，使所得到的塗膜於70℃乾燥1分鐘。其次，使用無電極UⅤ燈系統(Hearaus公司製)以照度250mW/cm2 、光量170mJ/cm2 對上述塗膜照射紫外線使其硬化，來形成厚度1.5μm的硬塗層(1)。
其次，在所得到之附硬塗層(1)的PET薄膜(1)之PET薄膜(1)上，與上述同樣地進行而形成厚度1.5μm的硬塗層(2)且得到硬塗層(1)/PET薄膜(1)/硬塗層(2)的層構造之基材(1)。以下，有將硬塗層記載為「HC層」之情形。
[實施例2]
在實施例1，除了將硬塗層(1)、(2)的膜厚任一者均變更為10μm以外，係與實施例1同樣地進行而得到基材(2)。
[實施例3]
在實施例1，除了將硬塗層(1)、(2)的膜厚任一者均變更為1.0μm以外，係與實施例1同樣地進行而得到基材(3)。
[實施例4]
在實施例1，除了將硬塗層(1)、(2)的膜厚任一者均變更為0.50μm以外，係與實施例1同樣地進行而得到基材(4)。
[實施例5]
在實施例1，除了使用未施行退火處理的聚酯薄膜(東洋紡公司製、COSMOSHINE A4300、厚度100μm)(以下稱為「PET薄膜(2)」)代替PET薄膜(1)以外，係與實施例1同樣地進行而得到硬塗層(1)/PET薄膜(2)/硬塗層(2)的層構造之複合薄膜。對該複合薄膜於160℃施行退火處理24小時而得到基材(5)。
又，對PET薄膜(2)單體於160℃、24小時的條件下施行退火處理而得到之薄膜的熱收縮率為0.036%。
[比較例1]
在實施例1，除了使用未施行退火處理的聚酯薄膜(東洋紡公司製、COSMOSHINE A4300、厚度50μm、在下述條件下所測得到熱收縮率為0.64%)(以下稱為「PET薄膜(3)」)代替PET薄膜(1)以外，係與實施例1同樣地進行而得到硬塗層(1)/PET薄膜(3)/硬塗層(2)的層構造之基材(6)。
[比較例2]
將PET薄膜(1)使用作為直接基材(7)。
[比較例3]
將只有在實施例1所得到的基材(1)的製造中間體之PET薄膜(1)的一面具有硬塗層之複合薄膜使用作為基材(8)。
[比較例4]
將PET薄膜(3)直接使用作為基材(9)。
[比較例5]
將只有在比較例1所得到的基材(6)的製造中間體之PET薄膜(3)的一面具有硬塗層之複合薄膜使用作為基材(10)。
[實施例6]
將以全氫化聚矽氮烷作為主成分之塗佈劑(Merck Performance Materials公司製、Aquamika NL110-20、溶劑：二甲苯、濃度：10%)，以膜厚成為200nm的方式塗佈在實施例1所得到的基材(1)的一面，藉由於120℃使所得到的塗膜加熱硬化2分鐘而形成聚矽氮烷層。其次，使用電漿離子植入裝置在下述條件下對該聚矽氮烷層進行植入電漿離子而形成阻氣層(以下，有記載為「GB層」之情形)，來得到阻氣薄膜(1)。
[電漿離子植入的條件]
處理室內壓：0.2Pa
電漿生成氣體：氬氣
氣體流量：100sccm
RF輸出功率：1000W
RF頻率：1000Hz
RF脈衝寬度：50u秒
RF delay：25n秒
DC電壓：-6kV
DC頻率：1000Hz
DC脈衝寬度：5μ秒
DC delay：50μ秒
Duty比：0.5%
處理時間：200秒
[比較例6]
在實施例5，除了使用比較例1所得到的基材(6)代替基材(1)以外，係與實施例5同樣地進行而得到阻氣薄膜(2)。
[比較例7]
在比較例3記載的基材(8)的硬塗層上，使用實施例5記載的方法形成阻氣層而得到阻氣薄膜(3)。
[比較例8]
在比較例5記載的基材(10)的硬塗層上，使用實施例5記載的方法形成阻氣層而得到阻氣薄膜(4)。
針對實施例1~5及比較例1~5所得到的基材及實施例6、比較例6~8所得到的阻氣薄膜，進行以下的評價。將結果顯示在第1表。
[硬塗層的表面粗糙度之測定]
使用光干涉式顯微鏡(Veeco公司、NT8000)而測定硬塗層的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)。
又，關於在一面具有硬塗層之基材，該值係有關於在其硬塗層表面之值；關於在兩面具有硬塗層之基材，該值係有關於在經測得到較小的值之表面之值；關於阻氣薄膜，該值係有關於最後構成與阻氣層的界面之基材表面之值。
第1表中，粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以下時，係記載為「A」，大於150nm時係記載為「B」。
[水蒸氣透過率]
使用水蒸氣透過率測定裝置(mocon公司製、PERMATRAN)而測定基材或阻氣薄膜的水蒸氣透過率。測定係在40℃、相對濕度90%環境下進行且在以下的基準進行評價。
A：小於0.02g‧m-2 ‧day-1
B：0.02g‧m-2 ‧day-1 以上
[熱收縮率測定]
在150℃、2小時的條件下將基材或阻氣薄膜加熱，依據JIS K7133而測定熱收縮率。進行測定4次且將其平均值顯示在第1表。
[霧度變化量]
依據JIS K7136而測定基材或阻氣薄膜的霧度而得到霧度值(H0 )。其次，將該等於150℃且在2小時的條件下加熱後，同樣地測定霧度而得到霧度值(H1 )。將該等值代入式：H1 -H0 而算出霧度變化量(百分點)。
[密著性評價]
將具有硬塗層之基材使用作為試片，依據JIS K5600-5-6進行橫切試驗且依照以下的基準而進行評價硬塗層-樹脂薄膜之間的密著性。
A：100格中，已剝落的格數為0
B：100格中，已剝落的格數為1~49
C：100格中，已剝落的格數為50~100
[表1]
從第1表，能夠得知以下事項。
實施例1~5所得到的基材及實施例6所得到的阻氣薄膜係熱收縮率為較小，又，在加熱前後，霧度的變化量為較小。
另一方面，比較例1、4、及5所得到的基材係熱收縮率為較大。
又，因為比較例2~5所得到的基材係在樹脂薄膜的兩面不具有硬塗層，所以加熱後的霧度值係成為相當大的值。
而且，使用比較例的基材時，無法得到具有目標特性之阻氣薄膜。
[實施例7]
將紫外線(UV)硬化型丙烯酸酯樹脂組合物(JSR公司製、Opstar Z7530)使用繞線棒，而塗佈在經施行退火處理之聚酯薄膜(Im公司製、2002AF‧PET100、厚度100μm、在下述條件下測得的熱收縮率為0.13%、Tg：80℃)的面上，使所得到的塗膜於70℃乾燥1分鐘。隨後，使用高壓水銀燈(Hearaus公司製)以照度250mW/cm2 、光量170mJ/cm2 且生產線速度20m/分鐘對上述塗膜照射紫外線使紫外線(UV)硬化型丙烯酸酯樹脂組合物硬化，來形成厚度1.5μm的硬塗層(I)。
其次，將相對於紫外線(UV)硬化型丙烯酸酯樹脂組成物(相對於JSR公司製、商品名：Opstar Z7530)100質量份(固體成分)，含有聚矽氧微粒(Momentive Performance Materials Japan合同公司製、商品名：TOSPEARL120、平均粒徑2.0μm)0.05質量份之紫外線(UV)硬化型丙烯酸酯樹脂組合物，使用繞線棒而塗佈在所得到之附硬塗層(I)的PET薄膜之未形成有硬塗層(I)的PET薄膜的面上，而且使所得到的塗膜於70℃乾燥1分鐘。隨後，使用高壓水銀燈(Hearaus公司製)以照度250mW/cm2 、光量170mJ/cm2 且生產線速度20m/分鐘，對上述塗膜照射紫外線使紫外線(UV)硬化型丙烯酸酯樹脂組成物硬化來形成厚度1.5μm的硬塗層(II)。
如此進行而得到具有硬塗層(I)/PET薄膜/硬塗層(II)的層構造之阻氣薄膜用基材(1)。
將全氫化聚矽氮烷作為主成分之塗佈劑(Merck Performance Materials公司製、商品名：NL-100)，以膜厚成為200nm方式塗佈在上述所得到的阻氣薄膜用基材(1)的硬塗層(II)的面上，使所得到的塗膜於120℃加熱硬化2分鐘而形成聚矽氮烷層。其次，使用電漿離子植入裝置且在下述條件下將電漿離子植入至該聚矽氮烷層且形成阻氣層而得到阻氣薄膜(7)。
[電漿離子植入的條件]
處理室內壓：0.2Pa
電漿生成氣體：氬氣
氣體流量：100sccm
RF輸出功率：1000W
RF頻率：1000Hz
RF脈衝寬度：50u秒
RF delay：25n秒
DC電壓：-6kV
DC頻率：1000Hz
DC脈衝寬度：5μ秒
DC delay：50μ秒
Duty比：0.5%
處理時間：200秒
[實施例8]
在實施例7，除了將硬塗層(I)的膜厚變更成為3.0μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到阻氣薄膜(8)。
[實施例9]
在實施例7，除了將硬塗層(I)的膜厚變更成為10μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到阻氣薄膜(9)。
[實施例10]
在實施例7，除了使用丙烯酸樹脂微粒(積水化成品工業公司製、商品名：XX-27LA、平均粒徑1.3μm)代替使用聚矽氧微粒且將硬塗層(II)的膜厚變更成為1.0μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到阻氣薄膜(10)。
[實施例11]
在實施例7，除了使用乙烯樹脂微粒(綜研化學公司製、商品名：SX-130H、平均粒徑1.3μm)代替使用聚矽氧微粒且將硬塗層(II)的膜厚變更成為1.0μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到阻氣薄膜(11)。
[實施例12]
在實施例7，除了使用聚矽氧樹脂微粒(Momentive Performance Materials Japan合同公司製、商品名：TOSPEARL145、平均粒徑4.5μm)代替使用平均粒徑2.0μm聚矽氧樹脂微粒且將硬塗層(II)的膜厚變更成為4.0μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到阻氣薄膜(12)。
[實施例13]
在實施例7，除了使用丙烯酸樹脂微粒(綜研化學公司製、商品名：MX-1000、平均粒徑10μm)代替聚矽氧樹脂微粒且將硬塗層(II)的膜厚變更成為9.5μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到阻氣薄膜(13)。
[比較例9]
在實施例7，除了將硬塗層(I)的膜厚變更成為0.5μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到阻氣薄膜(14)。
[比較例10]
在實施例7，除了將硬塗層(II)的膜厚變更成為0.5μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到阻氣薄膜(15)。
[比較例11]
在實施例7，除了將硬塗層(II)的膜厚變更成為15μm以外，係與實施例7同樣地進行而得到阻氣薄膜(16)。
針對實施例7~13及比較例9~11所得到的阻氣薄膜(7)~(16)，進行以下的測定及評價。將結果顯示在表1。
[膜厚評價]
使用厚度計(股份公司Nikon製、商品名：MH-15)且依據JIS K7130(1999年)而測定硬塗層的膜厚。
[硬塗層的表面粗糙度的測定]
使用光干涉式顯微鏡(Veeco公司、NT8000)而測定硬塗層的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)。
硬塗層(I)及(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)係各自基於以下的基準而顯示。
[硬塗層(I)]
A：Rt為150nm以下
B：Rt為大於150nm
[硬塗層(II)]
A：Rt為150nm以上且400nm以下
B：Rt為大於400nm
C：Rt為小於150nm
[水蒸氣透過率]
使用水蒸氣透過率測定裝置(mocon公司製、商品名：PERMATRAN、測定下限值0.02g/m2 /day)，針對製造後緊接著將阻氣薄膜暫時捲取成為捲物狀且隨後捲出後之物，在40℃、相對濕度90%環境下進行測定。
[熱收縮率測定]
在150℃、2小時的條件下，將阻氣薄膜加熱且依據JIS K7133而測定熱收縮率。測定係進行4次且將其平均值顯示在表1。
[霧度及霧度變化量]
使用霧度計量器(日本電色工業公司製、商品名：N-DH-2000)且依據JIS K7136測定阻氣薄膜的霧度(H0 )。其次，將該阻氣薄膜在150℃、2小時的條件下加熱之後，同樣地進行而測定霧度(H1 )。
霧度變化量(%百分點)係從式：H1 -H0 算出。
[卷曲評價]
將阻氣薄膜切取成為10cm四方且製造試片。將該試片以使試片的上方成為凹下之方式載置在水平的玻璃板上，使用規尺測定4個角的浮起高度且算出其平均值(mm)，而且基於以下的基準進行評價卷曲。
○：小於10mm
△：10mm以上且小於15mm
╳：15mm以上
(捲取適合性：有無產生黏結、皺紋)
確認將阻氣薄膜捲取成為捲物狀時有無產生黏結、皺紋且基於以下的基準而進行評價捲取適合性。捲取成為捲物狀時，係使用外徑為3英吋之ABS(丙烯酸-丁二烯-苯乙烯)樹脂的捲芯而進行捲取300m。
○：小於10mm
╳：15mm以上
[表2]
從第2表，得知以下的情形。
阻氣薄膜(7)係硬塗層(I)及(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)均為適當(A基準)，而且具有優異的阻氣性、熱收縮性及透明性(熱收縮率較小，而且在加熱前後之霧度的變化量較小)且亦具有優異的捲取適合性(實施例7)。
又，對實施例7，在使硬塗層(I)的膜厚較厚而得到的阻氣薄膜(8)及(9)之情況，硬塗層(I)及(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)均為適當(A基準)，而且具有優異的阻氣性、熱收縮性及透明性(熱收縮率較小，而且在加熱前後之霧度的變化量較小)且亦具有優異的捲取適合性(實施例8及9)。
另一方面，使硬塗層(I)的膜厚較薄而得到的阻氣薄膜(14)，因為硬塗層(I)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為較粗糙(B基準)且阻氣層形成面的平滑性低落，所以阻氣性低落(比較例9)。
針對實施例7，變更樹脂微粒種類及粒徑、以及硬塗層(II)的膜厚而得到的阻氣薄膜(10)~(13)時，硬塗層(I)及(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)均為適當(A基準)，而且具有優異的阻氣性、熱收縮性及透明性(熱收縮率較小，而且在加熱前後之霧度的變化量較小)且亦具有優異的捲取適合性(實施例10~13)。
另一方面、使硬塗層(I)的膜厚較薄而得到的阻氣薄膜(15)，因為硬塗層(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)為較粗糙(B基準)，捲取時硬塗層(II)的面係損傷與其接觸之阻氣層的面，所以阻氣性低落(比較例10)。
又，使硬塗層(II)的膜厚較薄而得到的阻氣薄膜(16)，硬塗層(II)的表面粗糙度曲線之最大剖面高度(Rt)成為小於150nm(C基準)。產生捲取緊繃(捲取適合性低落)。而且因為硬塗層(II)的硬化收縮較大所以卷曲量變大且操作性低落(比較例11)。
無。
無。

Claims (15)

  1. 一種阻氣薄膜用基材，係具有樹脂薄膜、及在其兩面各自、直接或透過其它層而形成的硬塗層之阻氣薄膜用基材， 前述樹脂薄膜係以150℃、2小時的條件將前述樹脂薄膜加熱且依據JIS K7133測定之熱收縮率為0.3%以下， 構成前述樹脂薄膜之樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣薄膜用基材，其中前述樹脂薄膜係經施行退火處理之聚酯薄膜。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣薄膜用基材，其中前述硬塗層係任一者均為能量硬化性樹脂硬化而成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣薄膜用基材，其中前述硬塗層的膜厚係任一者均為1.0~10μm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣薄膜用基材，其中前述硬塗層的至少一方係表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以下之層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣薄膜用基材，其中一方的硬塗層[硬塗層(I)]的表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以下，而且另一方的硬塗層[硬塗層(II)]的表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以上且400nm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣薄膜用基材，係長條狀基材。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之阻氣薄膜用基材，其中前述硬塗層(II)係含有平均粒徑1.0μm以上且10μm以下的微粒。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之阻氣薄膜用基材，其中前述微粒係選自由聚矽氧樹脂微粒、丙烯酸樹脂微粒、聚苯乙烯樹脂微粒、及苯乙烯-丙烯酸共聚物樹脂微粒所組成群組之至少1種有機微粒。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之阻氣薄膜用基材，其中將前述微粒的平均粒徑設為Dμm(含有2種以上的微粒時，係指平均粒徑為最大之微粒的平均粒徑)時，前述硬塗層(II)的膜厚L係滿足1.0μm≦L＜10μm且滿足L＜D。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之阻氣薄膜用基材，其霧度為2.0%以下。
  12. 一種阻氣薄膜，係在如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之阻氣薄膜用基材的至少一面側，直接或透過其它層而形成阻氣層而成。
  13. 一種阻氣薄膜，係在如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之阻氣薄膜用基材的至少一面側，直接形成阻氣層而成之阻氣薄膜，而且與阻氣層接觸之硬塗層係表面粗糙度曲線的最大剖面高度(Rt)為150nm以下之層。
  14. 如申請專利範圍第12項或第13項所述之阻氣薄膜，其中在如申請專利範圍第1至11項中任一項所述之阻氣薄膜用基材的至少前述硬塗層(I)的面側，直接形成阻氣層而成。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之阻氣薄膜，其中前述阻氣層係使用含有聚矽氮烷系化合物之材料而形成。
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