WO2010090087A1 - 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法 - Google Patents

有機エレクトロニクス素子及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2010090087A1
WO2010090087A1 PCT/JP2010/050886 JP2010050886W WO2010090087A1 WO 2010090087 A1 WO2010090087 A1 WO 2010090087A1 JP 2010050886 W JP2010050886 W JP 2010050886W WO 2010090087 A1 WO2010090087 A1 WO 2010090087A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
layer
light emitting
film
roll
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/050886
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正数 遠西
浩人 中條
Original Assignee
コニカミノルタホールディングス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コニカミノルタホールディングス株式会社 filed Critical コニカミノルタホールディングス株式会社
Priority to JP2010549431A priority Critical patent/JP5418505B2/ja
Publication of WO2010090087A1 publication Critical patent/WO2010090087A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an organic electronics element and an organic electronics element manufactured by the manufacturing method.
  • the manufacturing method of the organic electronics element utilized as a surface light source, a display, a solar cell, etc., especially the manufacturing method of the organic electronics element provided on flexible base materials, such as a plastic film, and a manufacturing method
  • the present invention relates to an organic electronic device.
  • an organic layer of an organic electronics element also referred to as an organic compound layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and the like
  • Various methods such as vapor deposition, sputtering, CVD, PVD, and solvent coating can be used. Among these methods, the manufacturing process can be simplified, the manufacturing cost can be reduced, the workability can be improved, From the viewpoint of application to a flexible large-area element such as a light or an illumination light source, it is known that a wet film forming method such as a coating method is advantageous.
  • 2002-170676 describes a method of forming an organic layer on a single glass sheet by spin coating.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-142260 describes a method of sequentially forming an organic layer on a sheet of film by an ink jet method. Since each of these methods uses a single-wafer film as a film, producing a large-area full-color display element has a drawback that the apparatus is large and the cost is high.
  • roll-to-roll which is an inexpensive manufacturing method for organic electroluminescence elements (hereinafter also referred to as organic EL elements) that are expected to be used as solid-state light-emitting large-area full-color display elements and writing light source arrays.
  • organic EL elements organic electroluminescence elements
  • a light emitting layer is formed by a coating method using a coating solution in which a low molecular weight light emitting pigment is dispersed or dissolved in a polymer material such as polyvinyl carbazole, or a coating solution in which a polymer material such as a polyphenylene vinylene derivative or a polyalkylfluorene derivative is dissolved.
  • a method of manufacturing is known (see, for example, Patent Document 1).
  • organic EL materials include low molecular weight materials and high molecular weight materials.
  • Low molecular weight materials can be purified by sublimation, are easy to purify, can use high-purity organic EL materials, and are extremely excellent in terms of luminous efficiency and lifetime (also referred to as luminous lifetime).
  • high-purity polymer materials are difficult to purify and have the demerits that the light emission efficiency and lifetime are deteriorated. Recently, wet film forming methods using low-molecular materials have been studied.
  • the heat drying method In order to efficiently perform the heat drying method, it is common to heat to a temperature equal to or higher than the boiling point of the solvent used in the wet film formation, but it is necessary to avoid deterioration of the substrate and the formed organic layer.
  • the temperature has an upper limit and is selected by the system.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a roll-to-roll wet coating excellent in productivity and an organic electronics element excellent in performance stability and a method for manufacturing the same.
  • it is to provide an organic electroluminescence device having high luminous efficiency and a long lifetime, and a method for producing the same.
  • the roll-to-roll method The manufacturing method of the organic electronics element characterized by the conveyance tension of the process heated to 100 degreeC or more in the wet application
  • an organic electronics element excellent in performance stability and a manufacturing method thereof are provided by wet application of a roll-to-roll method with excellent productivity, and in particular, has high luminous efficiency and long life.
  • An organic electroluminescence device and a method for manufacturing the same can be provided.
  • (A) is a schematic diagram which shows the fundamental structure of the whole organic EL element
  • (b) The schematic diagram which shows the structure of the light emitting element part of an organic EL element
  • Conceptual diagram of a sealing process and a cutting process for bonding a sealing base material with a thermosetting adhesive on a flexible transparent base material Schematic diagram showing basic configuration of organic EL element and sealing substrate Schematic showing the manufacturing process of the organic EL device according to the present invention
  • the schematic diagram which shows the manufacturing apparatus of the organic EL element which concerns on this invention Schematic diagram showing an example of the sealing substrate bonding / cutting process according to the present invention
  • the present inventors examined in detail the influence of heat treatment performed mainly for the removal of the residual solvent in the manufacturing process of the organic EL element which is one of the organic electronics elements performed by the wet film forming method.
  • a solvent having high solubility and which does not re-dissolve the formed lower layer is preferable.
  • ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexano
  • fatty acid esters such as ethyl acetate
  • halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin and dodecane
  • organic solvents such as DMF and DMSO.
  • the roll If the transport tension of the process of heating to 100 ° C. or higher in the two-roll wet coating and drying process is larger than the transport tension of the process of less than 100 ° C., the light emission efficiency decreases and the service life deteriorates. It has been found that when the transport tension of the process of heating to 100 ° C. or higher in the process is made smaller than the transport tension of the process of less than 100 ° C., an organic EL element with high luminous efficiency and a long lifetime can be obtained.
  • the feasible manufacturing method divides the drying step into a step of heating at 100 ° C. or higher and a step of heating at a temperature lower than 100 ° C. This is smaller than the conveyance tension in the heating step.
  • the method for producing an organic electronic device of the present invention can be suitably used particularly as a method for producing an organic EL device.
  • the organic EL device produced by the method for producing an organic electronic device of the present invention is excellent in performance such as luminous efficiency and half life of the light emitting device.
  • the method for producing an organic electronics element of the present invention includes an organic electronics having at least one organic layer formed by roll-to-roll wet coating on a flexible transparent substrate having a patterned transparent electrode.
  • the roll-to-roll wet coating and drying process is characterized in that the transport tension in the process of heating to 100 ° C. or higher is lower than the transport tension in the process of heating to less than 100 ° C. .
  • the roll-to-roll manufacturing has the advantage that production efficiency is improved because continuous production is possible.
  • the roll-to-roll method uses a strip-shaped base material wound around a roll, feeds the strip-shaped base material, and conveys the organic electronics structure (base material, sealing from the organic electronics element to the base material).
  • a method is also included in which, after being rolled up, it is unwound and further processed while being conveyed.
  • a method of continuously processing a product using a band-shaped substrate wound around a roll is also included. This may be superior in terms of manufacturing cost (yield, production space).
  • Transport tension The heat treatment is performed while applying a tension while transporting the film, and the tension at the time of transport is referred to as transport tension in the present invention.
  • the conveyance tension is preferably about 0.98 to 196 N / m.
  • the transport tension is less than 0.98 N / m, problems such as meandering and derailment occur during traveling, and sufficient transport cannot be performed.
  • the conveyance tension exceeds 196 N / m, the flexible transparent substrate is deformed, the internal stress is increased, and the organic EL structure in contact with the substrate is damaged.
  • the base material is less likely to be softened and deformed than in the process of heat treatment (removal of residual solvent) at a high temperature of 100 ° C. or higher, and the organic EL structure in contact with the substrate is less likely to be damaged.
  • the conveyance tension in the process of less than 100 ° C. is preferably about 100 to 196 N / m, more preferably 150 N / m or more.
  • the difference between the transport tension in the process below 100 ° C. and the transport tension in the process at 100 ° C. or higher is preferably 20 to 180 N / m, more preferably 100 to 180 N / m, and still more preferably 150 N / m or more.
  • a tension adjusting mechanism a nip method between a metal roll and a rubber roll is generally used, and is often used in gravure printing or the like.
  • Other methods include a method using a suction roll, a wire suction roll, and a grooved roll.
  • the nip method sandwiches the base material with a constant pressure, the effect is certain from the viewpoint of tension cut, but the roll touches the organic layer application surface, so even a small amount of foreign dust can be caught on the surface. This causes undesirable scratches and is not preferable.
  • the suction roll has a number of fine holes on the surface and is suctioned through the holes to adsorb the film to the suction roll, thereby preventing the roll and the film from slipping, thereby cutting the tension.
  • the roll touches only one side of the film, which is preferable.
  • the film since the film is physically drawn into the hole, the film has numerous fine dimples, but it can be handled depending on the material and thickness of the film.
  • a non-contact levitation heating method air floating
  • a transport method in the heat treatment step in addition to a normal roll transport method.
  • the transport tension can be measured by attaching a load cell type sensor to both sides of the transport roll.
  • ⁇ Washing process> A process of cleaning the substrate by a process that combines wet cleaning, such as rolling out the substrate wound in a roll and immersing it in an ultrasonic cleaning tank, and dry cleaning such as plasma cleaning. It is.
  • An organic EL structure (light emitting element portion, organic material) comprising electrodes, various organic layers, and the like on a substrate by a known technique such as a vapor deposition method, an ink jet method, a printing method, or a coating method.
  • This is a step of forming an electrode excluding a substrate and a sealing substrate from the EL element, and a portion having an organic layer.
  • the conveyance tension in the step of heating to 100 ° C. or higher is the conveyance tension in the step of less than 100 ° C. Make it smaller than the tension.
  • FIG. 1 shows a basic configuration of an organic EL element.
  • FIG. 1A is a schematic diagram showing the overall configuration of the organic EL element.
  • the organic EL element 20 includes an organic EL structure (light emitting element portion) 30 and a sealing substrate 50 on a substrate (flexible transparent substrate) 40.
  • FIG.1 (b) is a schematic diagram which shows the structure of the organic electroluminescent structure of an organic electroluminescent element.
  • the organic EL structure 20 includes an aluminum electrode 31, an electron injection layer 32, a light emitting layer 33, a hole transport layer 34, a hole injection layer 35, an ITO electrode 36, and an inorganic film 37. Details of each element constituting the organic EL element will be described later.
  • ⁇ Substrate supply step> A step of feeding and supplying a roll-shaped substrate provided with the light emitting element.
  • ⁇ Sealing process> It is a sealing process in which a roll-shaped sealing base material is adhered to the base material with a thermosetting adhesive so as to cover the light emitting element. Details of the sealing substrate and the thermosetting adhesive will be described later.
  • a flexible sealing substrate is bonded and bonded onto the organic EL structure only on the central portion of the organic EL structure excluding the electrode lead-out portion.
  • ⁇ Cutting step> A cutting step in which the sealing substrate is cut after bonding.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram of a process showing a cutting position where cutting is performed after the sealing substrate 50 is bonded to the organic EL structure 30 on the substrate 40 with a thermosetting adhesive.
  • Reference numeral 38 denotes an electrode lead portion.
  • FIG. 3 is a conceptual diagram of a sealing process and a cutting process in which the sealing base material 50 is bonded to the base material 39 on which the organic EL structure 30 has been formed.
  • the organic EL structure is not easily damaged, and problems such as a decrease in luminous efficiency and a deterioration in lifetime are solved.
  • FIG. 4 shows a basic configuration form of the organic EL element and the sealing substrate.
  • 51 is a thermosetting adhesive.
  • the light emitting layer preferably contains at least two kinds of light emitting materials having different emission colors.
  • a light emitting layer preferably contains at least two kinds of light emitting materials having different emission colors.
  • Base material As a flexible transparent base material (hereinafter also referred to as a substrate, a substrate, a base, a support substrate, a support, etc.) according to the present invention, it is possible to impart flexibility (flexibility) to an organic EL element.
  • a flexible substrate such as a resin film is used.
  • metal, glass, quartz, or the like can be partially used as the base material depending on the purpose.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate and cellulose nitrate or their derivatives, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide, polyether Sulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, polyester Examples include cycloolefin resins such as terimide, polyether ketone imide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel
  • polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable in terms of transparency, durability, and cost.
  • An inorganic or organic film or a hybrid film of both may be formed on the surface of the resin film, and the water vapor transmission rate (40 ° C., 90% RH) measured by a method according to JIS K 7129-1992.
  • Is preferably a barrier film of 0.01 g / m 2 ⁇ day ⁇ atm or less, and further has an oxygen permeability (20 ° C., 100% RH) of 10 measured by a method according to JIS K 7126-1992.
  • ⁇ 3 g / m 2 / day or less and a water vapor transmission rate of 10 ⁇ 3 g / m 2 / day or less are preferable, and both the water vapor transmission rate and the oxygen transmission rate are 10 ⁇ 5. It is further more preferable that it is below g / m ⁇ 2 > / day.
  • the material for forming the barrier film may be any material that has a function of suppressing the intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used.
  • the method for forming the barrier film is not particularly limited.
  • vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma polymerization A plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
  • CHC layer The clear hard coat layer (CHC layer) will be described.
  • a CHC layer is coated on both surfaces of the flexible transparent substrate.
  • the actinic radiation curable resin layer refers to a layer mainly composed of a resin that cures through a crosslinking reaction or the like by irradiation with actinic rays such as ultraviolet rays or electron beams.
  • actinic radiation curable resin a component containing a monomer having an ethylenically unsaturated double bond is preferably used, and a hard coat layer is formed by curing by irradiation with actinic radiation such as ultraviolet rays or electron beams.
  • Typical examples of the actinic radiation curable resin include an ultraviolet curable resin and an electron beam curable resin, and a resin curable by ultraviolet irradiation is preferable.
  • an ultraviolet curable resin for example, an ultraviolet curable urethane acrylate resin, an ultraviolet curable polyester acrylate resin, an ultraviolet curable epoxy acrylate resin, an ultraviolet curable polyol acrylate resin, or an ultraviolet curable epoxy resin is preferable. Used.
  • UV curable acrylic urethane resins generally include 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxyethyl methacrylate (hereinafter referred to as acrylate) in products obtained by reacting polyester polyols with isocyanate monomers or prepolymers. It is easily obtained by reacting an acrylate monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxypropyl acrylate.
  • acrylate monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxypropyl acrylate.
  • those described in JP-A-59-151110 can be used.
  • a mixture of 100 parts of Unidic 17-806 (manufactured by DIC Corporation) and 1 part of Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Corporation) is preferably used.
  • UV curable polyester acrylate resins include those that are easily formed by reacting polyester polyols with 2-hydroxyethyl acrylate and 2-hydroxy acrylate monomers, generally as disclosed in JP-A-59-151112. Can be used.
  • ultraviolet curable epoxy acrylate resin examples include those produced by reacting epoxy acrylate with an oligomer, a reactive diluent and a photoinitiator added thereto, and reacting them. Those described in US Pat. No. 105738 can be used.
  • UV curable polyol acrylate resins include trimethylolpropane triacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, alkyl-modified dipentaerythritol pentaacrylate, etc. Can be mentioned.
  • photoreaction initiators for these ultraviolet curable resins include benzoin and its derivatives, acetophenone, benzophenone, hydroxybenzophenone, Michler's ketone, ⁇ -amyloxime ester, thioxanthone, and derivatives thereof. You may use with a photosensitizer.
  • the photoinitiator can also be used as a photosensitizer.
  • a sensitizer such as n-butylamine, triethylamine, or tri-n-butylphosphine can be used.
  • the photoreaction initiator or photosensitizer used in the ultraviolet curable resin composition is 0.1 to 15 parts by weight, preferably 1 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the composition.
  • the resin monomer may include general monomers such as methyl acrylate, ethyl acrylate, butyl acrylate, benzyl acrylate, cyclohexyl acrylate, vinyl acetate, and styrene as monomers having one unsaturated double bond.
  • Monomers having two or more unsaturated double bonds include ethylene glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, divinylbenzene, 1,4-cyclohexane diacrylate, 1,4-cyclohexyldimethyl adiacrylate, and the above-mentioned trimethylolpropane. Examples thereof include triacrylate and pentaerythritol tetraacryl ester.
  • Examples of specific compounds include trimethylolpropane triacrylate, ditrimethylolpropane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, alkyl-modified dipentaerythritol pentaacrylate, and the like.
  • actinic ray curable resin layers can be coated by a known method such as a gravure coater, a dip coater, a reverse coater, a wire bar coater, a die coater, or an ink jet method.
  • any light source that generates ultraviolet rays can be used without limitation.
  • a low pressure mercury lamp, a medium pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultrahigh pressure mercury lamp, a carbon arc lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, or the like can be used.
  • Irradiation conditions vary depending on each lamp, but the irradiation amount of active rays is preferably 5 to 150 mJ / cm 2 , and particularly preferably 20 to 100 mJ / cm 2 .
  • irradiating active rays when irradiating active rays, it is preferably performed while applying tension in the film transport direction, more preferably while applying tension in the width direction.
  • the tension to be applied is preferably 30 to 300 N / m.
  • organic solvent for the UV curable resin layer composition coating solution examples include hydrocarbons (toluene, xylene), alcohols (methanol, ethanol, isopropanol, butanol, cyclohexanol), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone). ), Esters (methyl acetate, ethyl acetate, methyl lactate), glycol ethers, and other organic solvents, or a mixture thereof can be used.
  • hydrocarbons toluene, xylene
  • alcohols methanol, ethanol, isopropanol, butanol, cyclohexanol
  • ketones acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone
  • Esters methyl acetate, ethyl acetate, methyl lactate
  • glycol ethers and other organic solvents, or a mixture thereof can be used.
  • Propylene glycol monoalkyl ether (1 to 4 carbon atoms in the alkyl group) or propylene glycol monoalkyl ether acetate ester (1 to 4 carbon atoms in the alkyl group) is 5% by mass or more, more preferably 5 to 80%. It is preferable to use the organic solvent containing at least mass%.
  • a silicone compound to the ultraviolet curable resin layer composition coating solution.
  • polyether-modified silicone oil is preferably added.
  • the number average molecular weight of the polyether-modified silicone oil is, for example, 1,000 to 100,000, preferably 2,000 to 50,000. When the number average molecular weight is less than 1,000, the coating film is dried. On the contrary, when the number average molecular weight exceeds 100,000, it tends to be difficult to bleed out on the surface of the coating film.
  • silicone compounds examples include DKQ8-779 (trade name, manufactured by Dow Corning), SF3771, SF8410, SF8411, SF8419, SF8421, SF8428, SH200, SH510, SH1107, SH3749, SH3771, BX16-034, SH3746, SH3749, SH8400, SH3771M, SH3772M, SH3773M, SH3775M, BY-16-837, BY-16-839, BY-16-869, BY-16-870, BY-16-004, BY-16-891, BY-16- 872, BY-16-874, BY22-008M, BY22-012M, FS-1265 (above, trade names manufactured by Toray Dow Corning Silicone), KF-101, KF-100T, KF351, K 352, KF353, KF354, KF355, KF615, KF618, KF945, KF6004, Silicone X-22-945, X22-160AS (above, trade
  • These components enhance the coating properties on the base material and lower layer. When added to the outermost surface layer of the laminate, it not only improves the water repellency, oil repellency and antifouling properties of the coating film, but also exhibits an effect on the scratch resistance of the surface. These components are preferably added in the range of 0.01 to 3% by mass with respect to the solid component in the coating solution.
  • the coating amount is suitably from 0.1 to 30 ⁇ m, preferably from 0.5 to 15 ⁇ m, as the wet film thickness.
  • the dry film thickness is 0.1 to 20 ⁇ m, preferably 1 to 20 ⁇ m. Particularly preferred is 8 to 20 ⁇ m.
  • the pencil hardness is preferably a hard coat layer of 2H to 8H. Particularly preferred is 3H to 6H.
  • the pencil hardness is determined by JIS-K-5400 using a test pencil specified in JIS-S-6006 after the prepared hard coat film sample is conditioned for 2 hours at a temperature of 25 ° C. and a relative humidity of 60%. According to the specified pencil hardness evaluation method, scratching is repeated 10 times with a pencil of each hardness under a load of 1 kg, and the hardness of the hardest pencil with no scratches is recognized.
  • the ultraviolet curable resin composition is preferably irradiated with ultraviolet rays during or after coating and drying.
  • the irradiation time for obtaining the irradiation dose of the active ray of 5 to 150 mJ / cm 2 is from 0.1 second to 5 seconds. From the viewpoint of curing efficiency or work efficiency of the ultraviolet curable resin, 0.1 to 10 seconds is more preferable. Further, the illuminance of these actinic ray irradiators is preferably 50 to 150 mW / m 2 .
  • the organic element according to the present invention has at least a first electrode and a second electrode. Usually, one is an anode and the other is a cathode. The preferred anode and cathode configurations are described below.
  • an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used.
  • electrode substances include metals such as Au, and conductive light-transmitting materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
  • a material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) that can form an amorphous light-transmitting conductive film may be used.
  • these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not required (about 100 ⁇ m or more) ), A pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. Or when using the substance which can be apply
  • the sheet resistance as the anode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.
  • cathode a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used.
  • electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
  • the cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 to 200 nm.
  • either the anode or the cathode of the organic EL element is configured to be light transmissive.
  • the light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
  • the structure of the light emitting layer according to the present invention is not particularly limited as long as the light emitting material included satisfies the above requirements.
  • the total thickness of the light emitting layers is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably 30 nm or less because a lower driving voltage can be obtained.
  • the sum total of the film thickness of the light emitting layer as used in the field of this invention is a film thickness also including the said intermediate
  • each light emitting layer is preferably adjusted in the range of 1 to 50 nm, more preferably in the range of 1 to 20 nm. There is no particular limitation on the relationship between the film thicknesses of the blue, green and red light emitting layers.
  • a light-emitting material also referred to as a light-emitting dopant
  • a light-emitting host compound also referred to as a host compound
  • the film can be formed by the thinning method.
  • a plurality of light emitting dopants may be mixed in each light emitting layer, or a phosphorescent light emitting dopant and a fluorescent light emitting dopant may be mixed and used in the same light emitting layer.
  • the light emitting layer preferably contains a light emitting host compound and a light emitting dopant, and emits light from light emitting dopan.
  • a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C.) of less than 0.1 is preferable. More preferably, the phosphorescence quantum yield is less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
  • known host compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • the organic EL element can be made highly efficient.
  • the host compound used in the present invention may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (polymerizable light emitting host). But it is good.
  • the low molecular weight compound represents a compound having a molecular weight of 10,000 or less, preferably a compound having a molecular weight in the range of 100 to 10,000, and more preferably a compound in the range of 100 to 2000.
  • the known host compound a compound that has a hole transport ability and an electron transport ability, prevents the emission of light from being long-wavelength, and has a high Tg (glass transition point) is preferable.
  • the glass transition point (Tg) is a value determined by a method based on JIS-K-7121 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).
  • a fluorescent compound also referred to as a fluorescent compound
  • a phosphorescent material also referred to as a phosphorescent light-emitting material, a phosphorescent compound, a phosphorescent compound, or the like
  • the above-mentioned host compound is used as a light-emitting dopant (simply referred to as a light-emitting material) used in the light-emitting layer or light-emitting unit of the organic EL device of the present invention. It is preferable to contain a phosphorescence dopant simultaneously with containing.
  • the phosphorescent dopant according to the present invention will be described.
  • a phosphorescent dopant is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, specifically, a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and a phosphorescence quantum yield is 25 ° C. Although defined as 0.01 or more compounds, the preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.
  • the above phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, when using a phosphorescent dopant in the present invention, the above phosphorescence quantum yield (0.01 or more) is achieved in any solvent. Just do it.
  • phosphorescent dopants There are two types of light emission of phosphorescent dopants in principle. One is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is transferred to the phosphorescent dopant. Energy transfer type to obtain light emission from the phosphorescent dopant, another is that the phosphorescent dopant becomes a carrier trap, carrier recombination occurs on the phosphorescent dopant, and light emission from the phosphorescent dopant is obtained Although it is a carrier trap type, in any case, it is a condition that the excited state energy of the phosphorescent dopant is lower than the excited state energy of the host compound.
  • the phosphorescent dopant can be appropriately selected from known ones used in the light emitting layer of the organic EL device, and is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements. More preferably, an iridium compound, an osmium compound, a platinum compound (platinum complex compound), or a rare earth complex, and most preferably an iridium compound.
  • the dopant compound used in the organic electronic device of the present invention it is preferable to use a low molecular compound.
  • the low molecular weight compound represents a compound having a molecular weight of 10,000 or less, preferably a compound having a molecular weight in the range of 100 to 10,000, and more preferably a compound in the range of 100 to 2000.
  • Fluorescent light emitters can also be used in the organic EL device according to the present invention.
  • fluorescent emitters include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes. Examples thereof include dyes, perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.
  • dopants can also be used in the present invention.
  • International Publication No. 00/70655 pamphlet JP-A Nos. 2002-280178, 2001-181616, 2002-280179, 2001 -181617, 2002-280180, 2001-247859, 2002-299060, 2001-313178, 2002-302671, 2001-345183, 2002 No. 324679, International Publication No. 02/15645, JP 2002-332291, 2002-50484, 2002-332292, 2002-83684, JP 2002-540572, JP 002-117978, 2002-338588, 2002-170684, 2002-352960, WO01 / 93642, JP2002-50483, 2002-1000047 No. 2002-173684, No.
  • At least one light emitting layer may contain two or more kinds of light emitting materials, and the concentration ratio of the light emitting materials in the light emitting layer may vary in the thickness direction of the light emitting layer.
  • non-light emitting intermediate layer is a layer provided between the light emitting layers when having a plurality of light emitting layers.
  • the film thickness of the non-light emitting intermediate layer is preferably in the range of 1 to 20 nm, and more preferably in the range of 3 to 10 nm to suppress interaction such as energy transfer between adjacent light emitting layers, and This is preferable because a large load is not applied to the voltage characteristics.
  • the material used for the non-light emitting intermediate layer may be the same as or different from the host compound of the light emitting layer, but may be the same as the host material of at least one of the adjacent light emitting layers. preferable.
  • the non-light-emitting intermediate layer may contain a non-light-emitting layer, a compound common to each light-emitting layer (for example, a host compound), and each common host material (where a common host material is used)
  • a compound common to each light-emitting layer for example, a host compound
  • each common host material where a common host material is used
  • the injection barrier is reduced, and it is possible to obtain an effect that the injection balance of holes and electrons can be easily maintained even when the voltage (current) is changed.
  • the host material is responsible for carrier transportation, and therefore a material having carrier transportation ability is preferable.
  • Carrier mobility is used as a physical property representing carrier transport ability, but the carrier mobility of an organic material generally depends on the electric field strength. Since a material having a high electric field strength dependency easily breaks the balance between injection and transport of holes and electrons, it is preferable to use a material having a low electric field strength dependency of mobility for the intermediate layer material and the host material.
  • the non-light emitting intermediate layer functions as a blocking layer described later, that is, a hole blocking layer and an electron blocking layer. It is done.
  • injection layer electron injection layer, hole injection layer
  • the injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.
  • An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance.
  • Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).
  • anode buffer layer hole injection layer
  • copper phthalocyanine is used.
  • examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.
  • cathode buffer layer (electron injection layer) The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc.
  • Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc.
  • the buffer layer (injection layer) is preferably an extremely thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 ⁇ m although it depends on the material.
  • the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258 and 11-204359, and “Organic EL elements and the forefront of industrialization (published by NTT Corporation on November 30, 1998)” on page 237. There is a hole blocking (hole blocking) layer.
  • the hole blocking layer has a function of an electron transport layer and is composed of a hole blocking material having a function of transporting electrons and having a remarkably small ability to transport holes, while transporting electrons. By blocking holes, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.
  • the hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
  • the electron blocking layer in a broad sense, has a function of a hole transport layer, and is made of a material having a function of transporting holes while having a remarkably small ability to transport electrons, while transporting holes. By blocking electrons, the probability of recombination of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the film thickness of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention is preferably 3 to 100 nm, more preferably 5 to 30 nm.
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • the hole transport material has either hole injection or transport or electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.
  • triazole derivatives oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives
  • Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
  • the above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminoph
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
  • JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material described in a book (Applied Physics Letters, 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, it is preferable to use these materials because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.
  • the hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can.
  • the thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • a hole transport layer having a high p property doped with impurities examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • an electron transport material also serving as a hole blocking material used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode.
  • any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, or a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) Aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc.
  • Mg Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as electron transport materials.
  • metal-free or metal phthalocyanine or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.
  • the distyrylpyrazine derivatives exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as the electron transport material, and inorganic semiconductors such as n-type-Si and n-type-SiC can be used as well as the hole injection layer and the hole transport layer. It can be used as an electron transport material.
  • the electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method.
  • the thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • an electron transport layer having a high n property doped with impurities examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be produced.
  • Method for producing organic EL element As an example of the method for producing an organic EL device according to the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode will be described. .
  • a thin film made of a desired electrode material for example, an anode material
  • a suitable support substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 ⁇ m or less, preferably 10 to 200 nm, thereby producing an anode.
  • a method for thinning the organic compound thin film there are a vapor deposition method, a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) and the like as described above.
  • the method and the printing method are particularly preferable. Further, a different film forming method may be applied for each layer.
  • the heating method may be a heater heating method (infrared heater, halogen heater, panel heater, etc. are placed on or under the film and heated by radiant heat), or zone heating method (heating in a zone where hot air is blown and adjusted to a predetermined temperature) )
  • the zone heating method is preferable from the viewpoint of uniformity.
  • a thermostatic bath can be used.
  • the thermostat may be in any form as long as it can heat-treat the coating film at a set temperature, for example, the entire thermostat may be heated with warm air set at a predetermined temperature. Alternatively, warm air may be blown onto the film, or the inside of the thermostatic chamber may be set to a desired temperature using a heater.
  • the attachment position of such a heating device such as a heater may be attached to any position inside the thermostatic bath as long as the coating film can be uniformly heated.
  • the temperature may be increased from the entrance toward the exit, the temperature may be decreased, or the temperature increase and decrease may be repeated.
  • a preheating part may be provided before heating, and a cooling part may be provided after heating.
  • the heating temperature only needs to be a temperature at which the residual solvent can be removed, and is generally higher than the boiling point of the solvent used for coating. preferable. However, since it is necessary to avoid deterioration of the substrate and the organic layer formed by coating, the temperature has an upper limit and is selected depending on the system. In this invention, since a polyester-type base material is used preferably, 200 degrees C or less is preferable.
  • the heat treatment time is preferably 1 to 120 minutes, more preferably 5 to 60 minutes, and further preferably 10 to 30 minutes.
  • the heat treatment time is preferably 1 to 120 minutes, more preferably 5 to 60 minutes, and further preferably 10 to 30 minutes.
  • a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and a cathode is provided.
  • a desired organic EL element can be obtained.
  • the production of this organic EL element can be produced in the order of the cathode, the electron injection layer, the electron transport layer, the light emitting layer, the hole transport layer, the hole injection layer, and the anode by reversing the production order.
  • a DC voltage is applied to the organic EL device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode.
  • An alternating voltage may be applied.
  • the alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
  • An organic EL element generally emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index of about 1.6 to 2.1) and can only extract about 15 to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is said to be. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle ⁇ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be extracted outside the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.
  • a method for improving the light extraction efficiency for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (for example, US Pat. No. 4,774,435).
  • a method of improving the efficiency by giving the substrate a light condensing property for example, JP-A-63-314795
  • a method of forming a reflective surface on the side surface of the element for example, JP-A-1-220394) Gazette
  • a method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the substrate and the light emitter for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-172691
  • a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than that for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827
  • a diffraction grating is provided between any of the substrate, the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside).
  • Method of forming There is 11-283751 JP), and the like.
  • these methods can be used in combination with the light emitting device according to the present invention.
  • a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, transparent A method of forming a diffraction grating between any layers of the electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.
  • by combining these means it is possible to obtain an element having higher luminance or durability.
  • the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower.
  • the low refractive index layer examples include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Furthermore, it is preferable that it is 1.35 or less.
  • the thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium becomes about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.
  • the method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency.
  • This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction, such as first-order diffraction and second-order diffraction. Among them, light that cannot be emitted due to total reflection between layers, etc. is diffracted by introducing a diffraction grating into any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is emitted outside. I want to take it out.
  • the diffraction grating to be introduced has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. The light extraction efficiency does not increase so much. However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.
  • the position where the diffraction grating is introduced may be in any one of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.
  • the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.
  • the arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.
  • the light emitting device is processed on the light extraction side of the support substrate so as to provide, for example, a structure on the microlens array, or is combined with a so-called light collecting sheet, for example, in a specific direction, for example, the device light emitting surface
  • luminance in a specific direction can be raised by condensing in a front direction.
  • a quadrangular pyramid having a side of 30 ⁇ m and an apex angle of 90 degrees is arranged two-dimensionally on the light extraction side of the substrate.
  • One side is preferably 10 to 100 ⁇ m. If it is smaller than this, the effect of diffraction is generated and colored, and if it is too large, the thickness becomes too thick.
  • the condensing sheet it is possible to use, for example, a sheet that has been put to practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device.
  • a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used.
  • BEF brightness enhancement film
  • the shape of the prism sheet for example, the base material may be formed by forming a ⁇ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 ⁇ m, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.
  • a light diffusion plate / film may be used in combination with the light collecting sheet.
  • a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.
  • a light-emitting panel is configured by arranging a plurality of light-emitting elements according to the present invention so that a part of the light-emitting area of the light-emitting element as viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface overlaps each other.
  • Agents and adhesives can be used.
  • the pressure-sensitive adhesive in the present invention is widely used in the industrial field, among pressure-sensitive adhesives, adhesives, or agents or materials used in designations such as pressure-sensitive adhesives, adhesives, etc. It means something that is not accompanied.
  • the types of the pressure-sensitive adhesive and the adhesive are not particularly limited, but it is preferable to use a pressure-sensitive adhesive and an adhesive excellent in light transmittance.
  • a curable adhesive that forms a high molecular weight body or a crosslinked structure by various chemical reactions after being applied and bonded is suitably used.
  • Specific examples of pressure-sensitive adhesives and adhesives that can be used in the present invention include, for example, urethane-based, epoxy-based, aqueous polymer-isocyanate-based, acrylic-based curable adhesives and pressure-sensitive adhesives, and moisture-cured urethane adhesives.
  • anaerobic pressure-sensitive adhesives such as polyether methacrylate type, ester type methacrylate type and oxidized type polyether methacrylate, cyanoacrylate type instantaneous adhesive, acrylate and peroxide type two-pack type instantaneous adhesive, and the like.
  • the method for forming the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer on the element laminate is not particularly limited, and a general method such as a gravure coater, a micro gravure coater, a comma coater, a bar coater, a spray coating, an ink jet method, or the like. Is mentioned.
  • the sealing substrate according to the present invention is for sealing an organic EL element and protecting the element from a severe external environment such as temperature change, humidity, oxygen, and impact.
  • a known gas barrier film used for packaging materials for example, a film in which silicon oxide or aluminum oxide is vapor-deposited on a resin (plastic) film, a dense ceramic layer, and a flexible impact relaxation polymer layer are alternately arranged.
  • a gas barrier film or the like having a configuration laminated on can be used as a sealing substrate.
  • a metal foil laminated with a resin film cannot be used as a gas barrier film on the light extraction side, but it is a sealing base material that is low in cost and has low moisture permeability, and can extract light.
  • a sealing substrate When it is not intended (transparency is not required), it is preferable as a sealing substrate.
  • metal foil means a metal foil formed by rolling or the like, unlike a metal thin film formed by sputtering or vapor deposition, or a conductive film formed from a fluid electrode material such as a conductive paste. Or a film.
  • metal foil there is no limitation in particular in the kind of metal, for example, copper (Cu) foil, aluminum (Al) foil, gold (Au) foil, brass foil, nickel (Ni) foil, titanium (Ti) foil, copper alloy Examples thereof include foil, stainless steel foil, tin (Sn) foil, and high nickel alloy foil.
  • a particularly preferred metal foil is an Al foil.
  • the thickness of the metal foil is preferably 5 nm to 50 ⁇ m from the viewpoint of barrier properties (moisture permeability, oxygen permeability) and cost.
  • resin film in the metal foil laminated with the resin film various materials described in the new development of functional packaging materials (Toray Research Center, Inc.) can be used.
  • Resin polypropylene resin, polyethylene terephthalate resin, polyamide resin, ethylene-vinyl alcohol copolymer resin, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, acrylonitrile-butadiene copolymer resin, cellophane resin, vinylon resin, chloride
  • vinylidene resins examples thereof include vinylidene resins.
  • Resins such as polypropylene resins and nylon resins may be stretched and further coated with a vinylidene chloride resin.
  • a low density or a high density thing can also be used for a polyethylene-type resin.
  • PVDC vinylidene chloride
  • CPP unstretched polypropylene
  • OPP stretched polypropylene
  • KOP polypropylene coated with PVDC
  • PET polyethylene Use terephthalate
  • KPT PVDC-coated cellophane
  • Eval polyethylene-vinyl alcohol copolymer
  • LDPE low density polyethylene
  • HDPE high density polyethylene
  • LLDPE linear low density polyethylene
  • the thickness of the resin film cannot be generally specified, but is preferably 3 to 400 ⁇ m, more preferably 10 to 200 ⁇ m, and even more preferably 10 to 50 ⁇ m.
  • a laminating machine As a method for coating (laminating) a polymer film on one side of a metal foil, a generally used laminating machine can be used.
  • a dry laminating method, a hot melt lamination method and an extrusion laminating method can be used, but a dry laminating method is preferred.
  • polyurethane-based, polyester-based, epoxy-based, acrylic-based adhesives and the like can be used as the adhesive. You may use a hardening
  • a film in which one side of a metal foil is coated with a resin film (polymer film) is commercially available for packaging materials.
  • a dry laminate film having a configuration of adhesive layer / aluminum film 9 ⁇ m / polyethylene terephthalate (PET) 38 ⁇ m can be obtained, and the cathode side of the organic EL element can be sealed using this.
  • a ceramic film is formed on the metal foil on the opposite side of the resin film (polymer film) of the film coated with a resin film (polymer film) on one side of the metal foil. It is also preferable to use them.
  • a method for sealing the two films for example, a method of laminating a commonly used impulse sealer heat-fusible resin film (layer), fusing with an impulse sealer, and sealing is preferable. .
  • the gas barrier properties of the sealing substrate (film) are preferably those having an oxygen permeability of 10 ⁇ 3 g / m 2 / day or less and a water vapor permeability of 10 ⁇ 3 g / m 2 / day or less.
  • the water vapor permeability and oxygen permeability are more preferably 10 ⁇ 5 g / m 2 / day or less.
  • thermosetting adhesive having a reactive vinyl group such as an acrylic acid oligomer or a methacrylic acid oligomer.
  • a thermosetting adhesive having a reactive vinyl group such as an acrylic acid oligomer or a methacrylic acid oligomer.
  • ThreeBond 1152, 1153 and the like can be used.
  • thermosetting adhesive that cures in about 1 hour at a temperature equal to or higher than the Tg of the sealing substrate and lower than the Tg of the flexible transparent substrate.
  • Tg polyethylene naphthalate
  • Tg polyethylene terephthalate
  • an epoxy thermosetting adhesive with a curing condition of 120 ° C. for 1 hour is used. Agents.
  • the electrode and the organic layer on the outside of the electrode facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween, and form an inorganic or organic layer in contact with the support substrate to form a sealing film.
  • the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing entry of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.
  • vacuum deposition method sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma
  • a polymerization method a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
  • an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicone oil can be injected in the gas phase and liquid phase.
  • a vacuum can also be used.
  • a hygroscopic compound can also be enclosed inside.
  • Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (eg, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide), sulfates (eg, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
  • metal oxides eg, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide
  • sulfates eg, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt
  • a transparent conductive film is formed on a substrate, and various functional layers constituting the organic EL element are formed on the produced resin substrate for an organic EL element, and then purged with an inert gas.
  • the organic EL element can be sealed by covering the cathode surface with the sealing substrate.
  • the inert gas a rare gas such as He and Ar is preferably used in addition to N 2 , but a rare gas in which He and Ar are mixed is also preferable, and the ratio of the inert gas in the gas is 90 to 99.99. It is preferably 9% by volume. Preservability is improved by sealing in an environment purged with an inert gas.
  • a ceramic film is formed on the metal foil instead of the laminated resin film surface.
  • the ceramic film surface is preferably bonded to the cathode of the organic EL element.
  • the dry laminating method is excellent in terms of workability.
  • This method generally uses a curable adhesive layer of about 1.0 to 2.5 ⁇ m. It is preferable to adjust the amount of adhesive so that the dry film thickness is 3 to 5 ⁇ m.
  • the method which melts a hot melt adhesive and coats an adhesive layer on a substrate, or a resin (LDPE, EVA, PP, etc.) melted at a high temperature is coated on the substrate by a die.
  • a method extentrusion laminating method or the like may also be used.
  • a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film.
  • the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate.
  • the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, etc. used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.
  • FIG. 5 is a schematic view showing a manufacturing process of the organic EL device according to the present invention.
  • the cleaning surface reforming apparatus cleans and modifies the surface of the electrode (not shown) of the flexible transparent substrate sent from the feeding process before applying the hole transport layer coating solution. It is preferable to use a lamp, an excimer lamp, a plasma cleaning apparatus or the like.
  • a cleaning surface modification treatment is performed by irradiating a low-pressure mercury lamp with a wavelength of 184.2 nm at an irradiation intensity of 5 to 20 mW / cm 2 and a distance of 5 to 15 mm. Conditions are mentioned.
  • atmospheric pressure plasma is preferably used as the condition for the cleaning surface modification treatment by the plasma cleaning apparatus.
  • the cleaning conditions include a condition in which a cleaning surface modification treatment is performed using a gas containing 1 to 5% by volume of oxygen in argon gas, a frequency of 100 kHz to 150 MHz, a voltage of 10 V to 10 kV, and an irradiation distance of 5 to 20 mm.
  • the antistatic means has a non-contact type static elimination prevention device and a contact type static elimination prevention device.
  • the non-contact type static elimination preventing device include a non-contact type ionizer, and the type of ionizer is not particularly limited, and the ion generation method may be either an AC method or a DC method.
  • An AC type, a double DC type, a pulsed AC type, and a soft X-ray type can be used, but the AC type is particularly preferable from the viewpoint of precise static elimination.
  • Air or N 2 is used as the injection gas required when using the AC type, but it is preferable to use N 2 with sufficiently high purity.
  • it is selected from a blower type or a gun type.
  • a static elimination roll or a grounded conductive brush is used as the contact-type static elimination preventing device.
  • the static elimination roll as the static eliminator is grounded and removes the surface charge by rotatingly contacting the neutralized surface.
  • static elimination rolls in addition to metal rolls such as aluminum, copper, nickel and stainless steel, elastic plastic or rubber rolls mixed with conductive materials such as carbon black, metal powder and metal fibers are used. Is done.
  • an elastic material is preferable in order to improve contact with the belt-like flexible continuous sheet.
  • the conductive brush connected to the earth include a neutralizing bar or a neutralizing yarn structure having a brush member made of conductive fibers arranged linearly or a linear metal brush.
  • the neutralization bar is not particularly limited, but a corona discharge type is preferably used.
  • SJ-B manufactured by Keyence Corporation is used.
  • the static elimination yarn is not particularly limited, but usually a flexible yarn-like yarn can be preferably used.
  • the non-contact type antistatic device is preferably used on the electrode surface side of a flexible flexible transparent substrate, and the contact type antistatic device is preferably used on the back side of the flexible flexible transparent substrate.
  • the first antistatic means removes the charge of the base material and prevents the adhesion of the dust and the dielectric breakdown, thereby improving the yield of the elements.
  • the hole transport layer coating step includes an edge position controller (EPC) 101 that adjusts the width position of the plastic transparent substrate A supplied from the substrate feeding device B, and a backup that holds the plastic transparent substrate A when coating. It comprises a roll 102, a coating device 103 for coating the plastic transparent substrate A held by the backup roll 102, and a coating liquid supply line 104 for supplying the coating liquid to the coating device.
  • EPC edge position controller
  • the process from the hole transport layer formation process to the electron transport layer drying process is continuously performed under atmospheric pressure conditions, and after winding up under atmospheric pressure conditions, the process from the electron injection layer formation process to the sealing layer formation process is continued. It is preferable to carry out under reduced pressure conditions. Moreover, it is preferable to provide an accumulator for adjusting the difference in conveyance speed in the coating process of each layer and a non-contact type static elimination preventing device for static elimination.
  • the hole transport layer drying process includes a transport roll 203 that stably transports the plastic transparent substrate A in the process, a drying air supply port 201 necessary for drying, and an exhaust port 202.
  • the light-emitting layer coating process includes an edge position controller (EPC) 301 that adjusts the width position of the plastic transparent substrate A, a backup roll 302 that holds the plastic transparent substrate A when coating, and a backup roll 302.
  • EPC edge position controller
  • the light-emitting layer drying process includes a transport roll 403 that stably transports the plastic transparent substrate A in the process, a drying air supply port 401 necessary for drying, and an exhaust port 402.
  • the electron transport layer coating step includes an edge position controller (EPC) 501 that adjusts the width position of the plastic transparent substrate A, a backup roll 502 that holds the plastic transparent substrate A when coating, and a backup. It comprises a coating device 503 for coating the plastic transparent substrate A held by the roll 502 and a coating liquid supply line 504 for supplying the coating liquid to the coating device.
  • EPC edge position controller
  • Electron Transport Layer Drying Process includes a transport roll 603 that stably transports the plastic transparent substrate A in the process, a drying air supply port 601 necessary for drying, and an exhaust port 602.
  • Heat treatment (heat treatment) process The heat treatment process includes an edge position controller (EPC) 701 for adjusting the width position of the transparent plastic substrate A, a suction roll 702 having a tension cut function for reducing the transport tension, and heat treatment. It comprises a necessary dry air supply port 703, an exhaust port 704, a suction roll 705 having a tension cut function for increasing the transport tension, and a winding device C.
  • EPC edge position controller
  • the electron injection layer forming step includes a supply unit and an electron injection layer formation unit.
  • the flexible transparent substrate produced in the previous step is fed out and supplied to the electron injection layer forming unit.
  • an electron injection layer is formed on the electron transport layer.
  • the flexible transparent substrate on which the electron injection layer is formed is subsequently sent to the electrode forming step.
  • Electrode formation process (not shown) In the electrode forming step, an electrode is formed on the electron transport layer formed by the electron transport layer forming portion at the electrode forming portion.
  • the flexible flexible transparent substrate on which the electrode is formed is subsequently sent to the sealing layer forming step.
  • the sealing layer forming step includes an accumulator unit, a sealing layer forming device, and an antistatic means.
  • the antistatic means has the same non-contact type static elimination preventing device and contact type static elimination preventing apparatus as the static elimination processing means.
  • a sealing layer is formed on the electrode by the sealing layer forming apparatus except for the end portion of the electrode formed in the electrode forming step, so that at least one for illumination (surface emission) is formed on the flexible transparent substrate.
  • An organic EL element is produced.
  • a flexible flexible transparent base material (referred to as flexible flexible transparent base material C) on which at least one lighting (surface emitting) organic EL element is formed is taken up by a winding device (not flexible). As shown in the figure, the film is wound and collected with the sealing layer side inward.
  • a roll-shaped flexible transparent substrate in which a flexible flexible transparent substrate C is wound around a winding core and collected as a roll is formed in consideration of maintaining performance, dark spots (non-light-emitting portions), and the like. It is preferable to store in an environment having a concentration of 1 to 100 ppm and a water concentration of 1 to 100 ppm.
  • the electron injection layer forming step and the electrode forming step are vapor deposition apparatuses.
  • a method for forming the electron injection layer and the electrode a formation method not based on the vapor deposition method can be used.
  • the system which sticks a sealing film instead of the sealing layer shown to this figure may be sufficient.
  • the hole transport layer coating solution and the light emitting layer coating solution used in the production process shown in FIG. 6 have at least one organic compound material and at least one solvent. Therefore, the surface tension is preferably 15 ⁇ 10 ⁇ 3 to 55 ⁇ 10 ⁇ 3 N / m.
  • the step of forming the hole transport layer and the light emitting layer, which are the constituent layers of the organic EL element shown in FIG. 6, considers the maintenance of the performance of the hole transport layer and the light emitting layer, the prevention of failure defects due to foreign matter adhesion, etc. It is preferable that the dew point is ⁇ 20 ° C. or less, and the measured cleanliness is Class 3 to Class 5, and the atmospheric pressure is 10 to 45 ° C. excluding the drying part.
  • FIG. 7 is a schematic diagram showing an example of a sealing substrate bonding / cutting process.
  • the sealing substrate bonding step 140 includes an adhesive layer forming step 141, a laminating step 142, and a curing step 143.
  • the light-emitting element (organic EL structure) wound in a roll shape and the base material on which the protective film is formed are put into an off-line sealing base material bonding step 140 and a cutting step 150, and the sealing base material layer is formed. After being formed and the thermosetting adhesive is cured, it is cut into a predetermined size and formed into an organic EL element.
  • the sealing substrate adhesion step 140 is a method of extending an organic EL structure and a roll of a substrate on which a barrier film is formed, and then extending the substrate again to bond a long sealing substrate to the substrate to form an organic EL structure. This is a step of forming the sealing substrate layer 16 on the body. By forming the sealing substrate layer 16 on the organic EL structure, the organic light-emitting layer of the organic EL structure is covered with the sealing substrate, and high quality without causing deterioration of quality due to moisture or oxygen in the air. Quality and high reliability can be maintained.
  • the sealing substrate adhesion process 140 is an atmospheric pressure environment of approximately tens of thousands to hundreds of thousands of Pa.
  • a barrier film by sputtering has already been formed on the organic EL structure, and there is no need for a vacuum environment in which moisture and oxygen are reduced.
  • the adhesive layer forming step 141 is a step of forming the adhesive layer 15 by applying an adhesive to a selected region of the base material on which the organic EL structure is formed.
  • the adhesive layer 15 is formed in a region excluding the anode and cathode lead portions of the organic EL structure.
  • the laminating step 142 is a step of forming the sealing base material layer 16 on the organic EL structure by pressing the sealing film 16A as a sealing base material onto the base material 11 with a roller through the adhesive layer.
  • the curing step 143 is a step of curing the adhesive.
  • the cutting step 150 is a step of cutting a flexible transparent substrate on which a sealing substrate is bonded and the sealing substrate layer 16 is formed at a predetermined position to obtain a single-wafer organic EL element.
  • the adhesive layer 15 is selectively applied only to a predetermined range of the substrate 11, that is, a region excluding the anode and cathode lead portions by screen printing. Is formed.
  • the screen printing method is a printing method in which ink is spread and rubbed on a plate (stencil) with a squeegee, and the ink is attached to the medium through a screen mesh stretched on the opening of the plate.
  • ink can be selectively attached only to a position range facing the opening of the plate.
  • the ink in the screen printing method is used as an adhesive
  • the medium is used as a base on which the organic EL structure is formed
  • the adhesive is selectively attached only to a predetermined range of the base.
  • the adhesive layer is selectively formed only in a predetermined range of the material.
  • the plate is referred to as a stencil
  • the portion of the stencil that transmits the adhesive is referred to as an opening portion
  • the portion that transmits the adhesive is referred to as a mask portion.
  • the adhesive layer forming step 141 has a squeegee 141B that reciprocates in the direction of the arrow shown by a moving means (not shown), and the squeegee 141B spreads and rubs the adhesive 141A on the surface of the stencil 141C.
  • the stencil 141C has an opening with a screen through which the adhesive can pass and a mask part through which the adhesive cannot pass, and is spread and rubbed on the stencil 141C by the squeegee 141B.
  • the agent 141 ⁇ / b> A passes through the screen of the opening and is applied to a region facing the opening of the base material 11. On the other hand, since the adhesive cannot pass through the mask portion, the adhesive is not applied to the region facing the mask portion.
  • the substrate is washed and decontaminated, and the light emitting element (organic EL structure).
  • a method for manufacturing an organic EL element that can perform in-line from formation of an organic EL structure
  • a protective film on a light emitting element (organic EL structure) the formation of the light emitting element (organic EL structure) on the substrate and the formation of the protective film are performed in-line, so that the influence on the light emitting element (organic EL structure) due to moisture and oxygen can be avoided.
  • High-quality and highly reliable organic EL elements can be manufactured.
  • Example 1 Production of Organic EL Element 1 >> [Step of forming gas barrier layer and electrode layer on flexible substrate] A polyethylene terephthalate film with a thickness of 100 ⁇ m that has been stored in advance at a dew point of ⁇ 65 ° C. and an inert gas atmosphere at a pressure of 80 Pa and subjected to dehydration and deoxygenation treatment (Teijin-DuPont film, hereinafter abbreviated as PET) A gas barrier layer was formed on one surface of a film provided with an acrylic clear hard coat layer having a thickness of 5 ⁇ m on both sides by the method described in Examples of JP-A-2007-83644. That is, the roll electrode type discharge treatment apparatus shown in FIG.
  • PET dehydration and deoxygenation treatment
  • an adhesion layer / ceramic layer / adhesion layer / ceramic layer were formed in this order under the following conditions to obtain a gas barrier layer on one side of the PET film.
  • Each film thickness is 200 nm for the adhesion layer and 25 nm for the ceramic layer.
  • the substrate holding temperature during film formation was 140 ° C.
  • N 2 gas reaction gas 1 5% of oxygen gas to the total gas Reaction gas 2: TEOS (tetraethoxysilane) is 0.1% of the total gas Low frequency side power supply: 80 kHz, 10 W / cm 2 High frequency side power supply power: 13.56 MHz at 10 W / cm 2 ⁇ Adhesion layer>
  • ITO indium tin oxide
  • argon containing 5% by volume of oxygen as a sputtering gas in the vacuum chamber
  • An ITO film having a thickness of 110 nm was patterned by sputtering as an electrode layer while continuously feeding at 5 Pa. This was wound around a core in a vacuum chamber, returned to normal pressure under a nitrogen stream, and transferred to a coating process under normal pressure without exposure to the atmosphere (air).
  • the continuous wet film forming method as the coating film forming process includes die coating method, screen printing method, flexographic printing method, ink jet method, wire bar method, cap coating method, spray coating method, casting method, roll coating method, bar coating method. Method, gravure coating method and the like can be used. These film forming methods can be appropriately selected according to the material of the organic layer. In this example, a coating film was formed using a die coating method.
  • the flexible substrate to be conveyed is closely conveyed onto the backup roll, and a die coater for forming a coating film is provided on the backup roll with a certain gap from the flexible substrate.
  • a cleaning device may be appropriately attached to the backup roll.
  • the coating solution is sent to the die coater by controlling the amount of the solution prepared in the tank via a precision pump such as a gear pump.
  • the supplied coating solution is filled into the manifold through a filtration filter, and the chamber is kept at a constant pressure, and is uniformly coated on the substrate in the width direction from the coating head through the slit to form a film.
  • the thickness of the coating layer is appropriately adjusted depending on the substrate conveyance speed, the amount of liquid fed, and the solution concentration.
  • an extrusion coating machine and a slide coating machine that can be supplied simultaneously are preferably used.
  • the conveyance speed unevenness at the time of coating film formation is preferably 0.2 to 10% of the average speed with respect to the average coating speed. More preferably, it is 0.2% or more and 3% or less. Thereby, the thickness accuracy in the longitudinal direction of the element is maintained, and the light emission characteristics are made uniform.
  • the drying temperature was 80 ° C., and the residence time in the drying furnace was 10 minutes.
  • the drying furnace can be appropriately set to several zones to change temperature conditions, change wind speed, and the like.
  • the light emitting layer was provided on the positive hole transport layer so that the film thickness after drying might be set to 100 nm with the die coater installed in the 2nd coating chamber.
  • a light emitting layer coating solution a low molecular weight polyvinyl carbazole (PVK) having a molecular weight of 10,000 or less as a light emitting host compound, a low molecular weight Ir (ppy) 3 having a molecular weight of 10,000 or less as a dopant compound, 5 mass% of 1,2-dichloroethane.
  • a 10% by mass solution was prepared by dissolving in the solution.
  • the surface tension of the light emitting layer was 0.032 N / m, and a good coating film was obtained. Then, it dried for 5 minutes at 25 degreeC using the drying furnace similar to a positive hole transport layer.
  • an electron transport layer was provided on the light emitting layer by a die coater installed in the third coating chamber so that the film thickness after drying was 40 nm.
  • the following electron transport agent ET-A was dissolved in 2,2,3,3-tetrafluoro-1-propanol to prepare a 0.75 mass% solution. Then, it dried for 5 minutes at 25 degreeC using the drying furnace similar to a positive hole transport layer. Subsequently, it heated at 98 degreeC for 30 minute (s). After the heat treatment, the substrate was cooled to the same temperature as the room temperature, and then wound into a roll. In the coating process under normal pressure, an atmosphere having a moisture concentration of 1 ppm to 200 ppm and an oxygen concentration of 30 ppm or less in a nitrogen atmosphere was maintained.
  • the temperature during the coating process and drying process of the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer were all less than 100 ° C., and the transport tension was all 196 N / m (20 kgf / m).
  • the transport tension was measured by attaching a load cell type sensor to both sides of the transport roll.
  • a C2G1-25K type manufactured by Minebea Co., Ltd. was used as the sensor.
  • the measurement range is a specification capable of measuring 0 to 250 N / m.
  • the tension value was obtained by calibrating by strictly converting the tension value from the roll weight and the holding angle of the film conveyance.
  • Heating process The substrate provided up to the electron transport layer was heated at 130 ° C. for 30 minutes at a transport tension of 210 N / m to remove the residual solvent.
  • Step of forming electron injection layer and electrode layer The substrate provided up to the electron transport layer was introduced into the vacuum transfer chamber via the decompression chamber without being exposed to the atmosphere, and lithium fluoride (electron injection layer) was deposited in a thickness of 0.3 nm in the first thin film formation chamber. . Subsequently, aluminum was deposited and patterned to a thickness of 120 nm as a counter electrode layer in the second thin film formation chamber.
  • lithium fluoride electron injection layer
  • the electron injection layer and the electrode layer are formed.
  • the film is in an inert gas stream (in a nitrogen atmosphere, the water concentration is 1 ppm to 200 ppm and the oxygen concentration is 30 ppm or less), and a thermosetting epoxy resin (Nagase Chemtech ( Co., Ltd. UV Resin XNR5516) is applied in a predetermined shape using screen printing, continuously sent to a bonding / sealing process using a pressure roll, and bonded to a 40 ⁇ m aluminum foil at 140 ° C. ( After bonding, the bonding pressure was 0.2 MPa, and each element was cut (cut) to produce an organic EL element sample 1.
  • Luminescence efficiency Using the DC voltage / current source / monitor R6243 manufactured by ADC Co., Ltd., the organic EL element is driven, and the luminance is measured using the spectral radiance meter CS1000 manufactured by Konica Minolta Sensing Co., Ltd. A certain current efficiency (cd / A) was determined. The luminous efficiency is expressed as a relative value when the current efficiency of the organic EL element 1 is 100.
  • the half-life was measured by adjusting the applied voltage so that the initial luminance of the element of each sample was 4000 cd / m 2 and then reducing the luminous efficiency (luminance) by 50% from the initial stage.
  • the half life is expressed as a relative value when the half life of the organic EL element sample 1 is 1.0.
  • Table 1 shows the evaluation results.
  • the organic EL elements 2 to 8 according to the present invention have higher luminous efficiency and longer half-life than the organic EL element 1 of the comparative example.
  • the organic EL elements 4 to 6 and 8 according to the present invention in which the transport tension in the heating step after application and drying of the electron transport layer is 50 N / m or less have a long half-life.
  • Example 2 In the production of the organic EL elements 4 and 6 of Example 1, after forming the hole injection layer, the following power generation layer coating solution was less than 100 ° C. on the hole injection layer so that the film thickness after drying was 150 nm.
  • Organic photoelectric conversion elements 4 and 6 were produced in the same manner as in the production of the organic EL elements 4 and 6 except that the organic EL elements 4 and 6 were provided except that the coating was applied and dried at 150 ° C. to provide a power generation layer.
  • a power generation layer coating solution 6 ml of chlorobenzene, regioregular P3HT (poly-3-hexylthiophene) having a number average molecular weight of 45,000 and fullerene derivative PCBM (6,6-phenyl-C 61 -butyric acid methyl ester) are in a mass ratio.
  • regioregular P3HT poly-3-hexylthiophene having a number average molecular weight of 45,000
  • fullerene derivative PCBM 6,6-phenyl-C 61 -butyric acid methyl ester
  • the organic photoelectric conversion element 4 and 6 when short-circuit current density Jsc when irradiating the light of a solar simulator (AM1.5G) with the intensity
  • the yield of products that is, the manufacturing cost can be reduced in an organic photoelectric conversion element as well as an organic EL element in a mass production level process.

Abstract

　本発明は、生産性に優れたロールツーロール方式の湿式塗布で、性能安定性に優れる有機エレクトロニクス素子及びその製造方法を提供する。特に、発光効率が高く、かつ寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。この有機エレクトロニクス素子の製造方法は、可撓性透明基材の上に、パターニングされた透明電極、及びロールツーロール方式の湿式塗布により成膜された少なくとも１層の有機層を有する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、前記ロールツーロール方式の湿式塗布、乾燥工程中で１００℃以上に加熱する工程の搬送張力が、１００℃未満の工程の搬送張力よりも小さいことを特徴とする。

Description

有機エレクトロニクス素子及びその製造方法
　本発明は、有機エレクトロニクス素子の製造方法及びその製造方法により製造された有機エレクトロニクス素子に関する。詳しくは、面光源やディスプレイ、太陽電池等として利用される有機エレクトロニクス素子の製造方法、特に、プラスチックフィルム等の可撓性基材上に設けられた有機エレクトロニクス素子の製造方法及び該製造方法によって製造された有機エレクトロニクス素子に関する。
　従来、有機エレクトロニクス素子の有機層（有機化合物層ともいい、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層及びホール輸送層等が挙げられる）の形成には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ、ＰＶＤ、溶剤を用いた塗布法等の様々な方法が使用できるが、これらの方法の中で、製造工程の簡略化、製造コストの低減、加工性の改善、バックライトや照明光源等のフレキシブルな大面積素子への応用等の観点からは、塗布法等の湿式成膜法が有利であることが知られている。例えば、特開２００２－１７０６７６号公報に、枚葉のガラスフィルム上にスピンコート法により有機層を形成する方法が記載されている。特開２００３－１４２２６０号公報には、枚葉のフィルム上にインクジェット方式で順次有機層を形成する方法が記載されている。これらの方式はいずれもフィルムとして枚葉フィルムを使用しているため、大面積フルカラー表示素子を作製するのは装置が大きくなり、コストも高くなるという欠点を有している。
　このため、固体発光型の大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されている有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）について、安価な製造方法とされているロールツーロール方式の製造方法が検討されている。例えば、透光性基板としてプラスチックフィルムを使用し、このプラスチックフィルム上に陰極、有機物質からなる少なくとも１層の発光層及び陽極層を設けた有機ＥＬディスプレイを製造する方法として、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子材料中に低分子の発光色素を分散または溶解した塗布液や、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリアルキルフルオレン誘導体等の高分子材料を溶解した塗布液を用い、塗布法で発光層を製造する方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
　一方、有機ＥＬ材料には低分子系のものと高分子系のものが挙げられる。低分子材料は昇華精製することが可能で、精製が行いやすく、高純度な有機ＥＬ材料を用いることができ、発光効率、寿命（発光寿命ともいう）という面で非常に優れているのに対し、高分子材料は高純度な精製が難しく、発光効率、寿命が劣化するというデメリットがあり、最近では低分子材料を用いた湿式成膜法が検討されている。
　上記の湿式成膜法における重要な課題として、塗布後の残存溶媒の除去がある。その理由は、溶媒が有機層に残存すると、ダークスポットの発生や、寿命、発光効率が劣化し、蒸着プロセスで製造された素子の性能より劣る要因の一つとなっている。残存溶媒の除去として、一般的には真空乾燥法と加熱乾燥法の２つが挙げられるが、真空乾燥法は湿式成膜法のメリットの一つである大気中での製造ができないため、大型化が難しくなり生産性が劣る問題点がある。従って生産性からは加熱乾燥法が好ましい。
　加熱乾燥法を効率良く行うには、湿式成膜において用いた溶媒の沸点以上の温度に加熱するのが一般的であるが、基板や、成膜した有機層の劣化を避けることが必要なため、温度には上限があり、系によって選択される。
　しかしながら、ロールツーロール湿式成膜において、残存溶媒の除去のため１００℃以上の加熱を行った場合、基板や有機層の劣化がなく残留溶媒の除去ができているにも関わらず、発光効率、寿命が劣化する現象が判明し、改良が求められていた。
特開２００３－７７６６９号公報
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、生産性に優れたロールツーロール方式の湿式塗布で、性能安定性に優れる有機エレクトロニクス素子及びその製造方法を提供することにあり、特に、発光効率が高く、かつ寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することである。
　本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。
　１．可撓性透明基材の上に、パターニングされた透明電極、及びロールツーロール方式の湿式塗布により成膜された少なくとも１層の有機層を有する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、前記ロールツーロール方式の湿式塗布、乾燥工程中で１００℃以上に加熱する工程の搬送張力が、１００℃未満の工程の搬送張力よりも小さいことを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。
　２．前記１００℃以上に加熱する工程の搬送張力が０．９８～９８Ｎ／ｍであることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
　３．前記可撓性透明基材がポリエステルであることを特徴とする前記１または２に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
　４．前記可撓性透明基材の両面にＣＨＣ（クリアハードコート層）が塗設されていることを特徴とする前記１～３のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
　５．前記有機層の少なくとも一層が発光層であり、該発光層がりん光材料を含有することを特徴とする前記１～４のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
　６．前記発光層が、分子量１００００以下の低分子の発光ホスト化合物と少なくとも１種の分子量１００００以下の低分子の発光ドーパント化合物を含有することを特徴とする前記５に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
　７．前記有機エレクトロニクス素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする前記１～６のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
　８．前記１～７のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする有機エレクトロニクス素子。
　本発明によれば、生産性に優れたロールツーロール方式の湿式塗布で、性能安定性に優れる有機エレクトロニクス素子及びその製造方法を提供することにあり、特に、発光効率が高く、かつ寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することができる。
（ａ）は、有機ＥＬ素子の全体の基本的構成を示す模式図、（ｂ）有機ＥＬ素子の発光素子部分の構成を示す模式図 可撓性透明基材上に封止基材を熱硬化型接着剤で接着する封止工程と断裁位置を示す工程の概念図 可撓性透明基材上に封止基材を熱硬化型接着剤で接着する封止工程と断裁工程の概念図 有機ＥＬ素子と封止基材の基本的構成形態を示す模式図 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す概略図 本発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置を示す模式図 本発明に係る封止基材接着・断裁工程の一例を示す模式図
　本発明者らは、湿式成膜法で行う有機エレクトロニクス素子の一つである有機ＥＬ素子の製造工程の中で、主として残存溶媒の除去のために行う熱処理の影響について詳細に検討した。
　ここで、有機ＥＬ素子の製造に用いられる溶媒としては、溶解能が高く、成膜した下層を再溶解しない溶媒が好ましく、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒が挙げられる。
　その結果、可撓性透明基材の上に、パターニングされた透明電極、及びロールツーロール方式の湿式塗布により成膜された少なくとも１層の有機層を有する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記ロールツーロール方式の湿式塗布、乾燥工程中で１００℃以上に加熱する工程の搬送張力を、１００℃未満の工程の搬送張力よりも大きくすると、発光効率の低下や寿命劣下が発生するが、乾燥工程中で１００℃以上に加熱する工程の搬送張力を、１００℃未満の工程の搬送張力よりも小さくすると、発光効率が高く、かつ寿命の長い有機ＥＬ素子が得られることを見出した。
　前述のようにロールツーロール湿式成膜法では、残存溶媒や水分除去のため１００℃以上の加熱は避けられないが、可撓性透明基材を１００℃以上の高温で熱処理（残存溶媒の除去）するとき、搬送張力が大きいと可撓性透明基材は軟化・変形し、内部応力が増加して、これに接する有機ＥＬ構造体（有機ＥＬ素子から可撓性透明基材を除いた電極、有機層を有する部分）はダメージを受ける。その結果、素子に発光効率の低下や寿命劣下が発生したものと推定される。このダメージは、通常の基材の寸法変化では評価できない程度であるが、有機層とＣＨＣ層等の無機層間に微小な歪が生じているものと推定される。
　これに対して、可撓性透明基材を１００℃以上の高温で熱処理するときの搬送張力を小さくすると、可撓性透明基材の軟化・変形は少なく、有機ＥＬ構造体はダメージを受け難く、発光効率の低下や寿命劣下等の問題が解消されるものと思われる。湿式成膜法の全工程で搬送張力を小さくすると、可撓性透明基材の軟化・変形は少なくなるが、ウエブ走行時の張力が不足して蛇行や脱線等の問題が生じ、安定生産が行えないため、実行可能な製造方法は、乾燥工程を１００℃以上で加熱する工程と、１００℃未満で加熱する工程に分割し、１００℃以上で加熱する工程の搬送張力を、１００℃未満で加熱する工程の搬送張力よりも小さくすることになる。
　本発明の有機エレクトロニクス素子の製造方法は、特に、有機ＥＬ素子の製造方法として好適に用いることができる。
　本発明の有機エレクトロニクス素子の製造方法により製造された有機ＥＬ素子は、発光素子の発光効率、半減寿命等の性能において優れている。
　以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための最良の形態・態様について詳細に説明する。
　《有機エレクトロニクス素子の製造方法の概要》
　本発明の有機エレクトロニクス素子の製造方法は、パターニングされた透明電極を有する可撓性透明基材の上に、ロールツーロール方式の湿式塗布により成膜された少なくとも１層の有機層を有する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、前記ロールツーロール方式の湿式塗布、乾燥工程中で１００℃以上に加熱する工程の搬送張力を、１００℃未満に加熱する工程の搬送張力よりも小さくすることが特徴である。
　（ロールツーロール方式の製造）
　ロールツーロール方式による製造は、連続生産が可能なので生産効率が向上するというメリットを有する。ロールツーロール方式とは、ロールに巻回された帯状の基材を用い、この帯状の基材を繰り出して、搬送しつつ基材上に有機エレクトロニクス構造体（有機エレクトロニクス素子から基材、封止基材を除いた電極、有機層を有する部分）を設け、複数の有機エレクトロニクス構造体を有する帯状の基材を再びロールに巻き取る方式、複数の有機エレクトロニクス構造体を有する帯状の基材をロールに巻き取った後、これを繰り出して、搬送しつつさらに加工する方法も含まれる。一般的にロールに巻回された帯状の基材を用い、製品まで連続的に加工する方法も含まれる。この方が製造コスト的（収率、生産スペース）に優位な場合がある。
　（搬送張力）
　前記熱処理は、張力を加えてフィルムを搬送しながら行われ、その搬送時の張力を本発明では搬送張力という。搬送張力は０．９８～１９６Ｎ／ｍ程度が好ましい。搬送張力が０．９８Ｎ／ｍより小さい場合には、走行時に蛇行や脱線等の問題が生じ、十分な搬送が行えない。搬送張力が１９６Ｎ／ｍを超える場合には、可撓性透明基材は変形し、内部応力が増加して、これに接する有機ＥＬ構造体はダメージを受ける。
　１００℃未満の工程では、１００℃以上の高温で熱処理（残存溶媒の除去）する工程に比べ基材は軟化・変形しにくく、これに接する有機ＥＬ構造体はダメージを受けにくいこと、及び走行時の蛇行や脱線等を防ぐため、１００℃未満の工程での搬送張力は、１００～１９６Ｎ／ｍ程度が好ましく、さらに好ましくは１５０Ｎ／ｍ以上である。
　一方、１００℃以上の工程での搬送張力が１００℃未満の工程での搬送張力よりも低い場合に寿命や効率の改善効果が得られる。また、１００℃以上の工程での搬送張力は、０．９８～９８Ｎ／ｍである場合に顕著な改善効果が得られ、さらに好ましくは５０Ｎ／ｍ以下である。
　１００℃未満の工程での搬送張力と１００℃以上の工程での搬送張力の差は、２０～１８０Ｎ／ｍが好ましく、より好ましくは１００～１８０Ｎ／ｍ、さらに好ましくは１５０Ｎ／ｍ以上である。
　１００℃未満の工程での搬送張力と１００℃以上の工程での搬送張力を変更するために、テンションカットロールを設けることが好ましい。
　一般にテンション調節機構としては金属ロールとゴムロール間でニップする方式が一般的でありグラビア印刷等では多く用いられている。それ以外の方法としてはサクションロールを用いる方法、ワイヤーサクションロールやグルーブドロールという方法もある。
　しかしながら、ニップ方式は一定の圧力で基材を挟み込むため、テンションカットの観点から考えるとその効果は確実だが、有機層塗布面にロールが触れてしまうため、わずかなゴミ異物の巻き込みでも表面に微細なキズを発生させてしまい好ましくない。
　サクションロールは表面に微細な孔を無数に穿孔し、この孔から吸引することにより、フィルムをサクションロールに吸着させることでロールとフィルムの滑りを防止することによりテンションカットするものである。ニップ方式と異なり、ロールが触れるのはフィルムの片面のみのため好ましい。しかし、物理的にフィルムを孔に引き込むわけであるから、フィルムは、いわゆる細かなディンプルが無数に生じることになるが、フィルムの材質、厚みにより対応可能であり、多孔パイプにワイヤーを巻いたサクションロールの構造を持つワイヤーサクションロールという方法もある。
　前記１００℃以上の熱処理工程での搬送張力を下げる場合、熱処理工程での搬送方式としては、通常のロール搬送方式に加え、非接触浮上加熱式（エヤーフローティング）も好ましく用いることができる。
　搬送張力は、搬送ロールの両側にロードセルの方式のセンサーを取付け測定することができる。
　以下、有機エレクトロニクス素子の製造方法の典型的例として、有機エレクトロニクス素子の一つである有機ＥＬ素子の製造方法における工程について、適宜、図を参照して説明する。
　〈洗浄工程〉：ロール状に巻かれた基材を繰り出して、超音波洗浄槽に浸漬させて洗浄する等の湿式洗浄とプラズマ洗浄等の乾式洗浄を組み合わせた工程により基材の洗浄を行う工程である。
　〈有機ＥＬ構造体を形成する工程〉：蒸着法、インクジェット法、印刷法、塗布法等の周知の技術により基材上に電極、各種有機層等からなる有機ＥＬ構造体（発光素子部分。有機ＥＬ素子から基材、封止基材を除いた電極、有機層を有する部分）を形成する工程である。本発明では、この工程において、透明電極を有する可撓性透明基材の上に、有機ＥＬ構造体を形成するとき、１００℃以上に加熱する工程の搬送張力を、１００℃未満の工程の搬送張力よりも小さくする。
　図１に、有機ＥＬ素子の基本的構成を示す。図１（ａ）は、有機ＥＬ素子の全体の構成を示す模式図である。有機ＥＬ素子２０は、基材（可撓性透明基材）４０上に有機ＥＬ構造体（発光素子部分）３０及び封止基材５０からなる。図１（ｂ）は、有機ＥＬ素子の有機ＥＬ構造体の構成を示す模式図である。有機ＥＬ構造体２０は、アルミ電極３１、電子注入層３２、発光層３３、正孔輸送層３４、正孔注入層３５、ＩＴＯ電極３６、無機膜３７からなる。有機ＥＬ素子を構成する各要素の詳細については後述する。
　〈基材供給工程〉：前記発光素子が設けられたロール状の基材を繰り出し供給する工程である。
　〈封止工程〉：前記発光素子を覆うように前記基材上にロール状の封止基材を熱硬化型接着剤で接着する封止工程である。封止基材及び熱硬化型接着剤の詳細については後述する。
　本発明では、この工程において、有機ＥＬ構造体上に、有機ＥＬ構造体の電極引き出し部を除いた中央部のみに可撓性の封止基材を貼合し接着する。
　〈断裁工程〉：前記封止基材を接着後、断裁を行う断裁工程である。
　図２は、基材４０上の有機ＥＬ構造体３０に、熱硬化型接着剤で封止基材５０を接着した後、断裁を行う断裁位置を示す工程の概念図である。３８は電極引き出し部である。図３は、有機ＥＬ構造体３０形成済み基材３９に封止基材５０を接着する封止工程と断裁工程の概念図である。
　本発明においては、上記手段により、有機ＥＬ構造体はダメージを受け難く、発光効率の低下や寿命劣化等の問題が解消される。
　図４に、有機ＥＬ素子と封止基材の基本的構成形態を示す。５１は熱硬化型接着剤である。
　〔有機ＥＬ素子の基本的構成〕
　有機ＥＬ素子の基本的層構成の好ましい具体例を以下に示す。
（ｉ）基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
　ここで、発光層は、少なくとも発光色の異なる２種以上の発光材料を含有していることが好ましく、単層でも複数の発光層からなる発光層ユニットを形成していてもよい。また、正孔輸送層には正孔注入層、電子阻止層も含まれる。
　（基材：基板）
　本発明に係る可撓性透明基材（以下、基板、基体、基盤、支持基板、支持体等ともいう。）としては、有機ＥＬ素子に可撓性（フレキシブル性）を与えることが可能な可撓性基材、例えば、樹脂フィルムが用いられる。ただし、目的に応じて、部分的に、金属、ガラス、石英等を基材として用いることもできる。
　樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。
　これらの中でも、透明性、耐久性、コストの面より、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルが好ましい。
　樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド皮膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（４０℃、９０％ＲＨ）が０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらにはＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９９２に準拠した方法で測定された酸素透過度（２０℃、１００％ＲＨ）が１０－３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度が１０－３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも１０－５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが、さらに好ましい。
　バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
　バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
　（クリアハードコート層）
　クリアハードコート層（ＣＨＣ層）について説明する。有機エレクトロニクス素子作製工程で加熱を行った場合、基材フィルム中に微量に存在するオリゴマー成分が析出して、光透過率が低下したり、工程を汚染し有機エレクトロニクス素子性能へ悪影響を与える問題があるため、可撓性透明基材の両面にはＣＨＣ層が塗設されていることが好ましい。
　クリアハードコート層としては活性線硬化樹脂層が好ましく用いられる。活性線硬化樹脂層とは紫外線や電子線のような活性線照射により架橋反応等を経て硬化する樹脂を主たる成分とする層をいう。活性線硬化樹脂としては、エチレン性不飽和二重結合を有するモノマーを含む成分が好ましく用いられ、紫外線や電子線のような活性線を照射することによって硬化させてハードコート層が形成される。活性線硬化樹脂としては紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂等が代表的なものとして挙げられるが、紫外線照射によって硬化する樹脂が好ましい。
　紫外線硬化性樹脂としては、例えば、紫外線硬化型ウレタンアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂、紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂、紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂、または紫外線硬化型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。
　紫外線硬化型アクリルウレタン系樹脂は、一般にポリエステルポリオールにイソシアネートモノマー、またはプレポリマーを反応させて得られた生成物にさらに２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（以下アクリレートにはメタクリレートを包含するものとしてアクリレートのみを表示する）、２－ヒドロキシプロピルアクリレート等の水酸基を有するアクリレート系のモノマーを反応させることによって容易に得ることができる。例えば、特開昭５９－１５１１１０号に記載のものを用いることができる。例えば、ユニディック１７－８０６（ＤＩＣ（株）製）１００部とコロネートＬ（日本ポリウレタン（株）製）１部との混合物等が好ましく用いられる。
　紫外線硬化型ポリエステルアクリレート系樹脂としては、一般にポリエステルポリオールに２－ヒドロキシエチルアクリレート、２－ヒドロキシアクリレート系のモノマーを反応させると容易に形成されるものを挙げることができ、特開昭５９－１５１１１２号に記載のものを用いることができる。
　紫外線硬化型エポキシアクリレート系樹脂の具体例としては、エポキシアクリレートをオリゴマーとし、これに反応性希釈剤、光反応開始剤を添加し、反応させて生成するものを挙げることができ、特開平１－１０５７３８号に記載のものを用いることができる。
　紫外線硬化型ポリオールアクリレート系樹脂の具体例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることができる。
　これら紫外線硬化性樹脂の光反応開始剤としては、具体的には、ベンゾイン及びその誘導体、アセトフェノン、ベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、α－アミロキシムエステル、チオキサントン等及びこれらの誘導体を挙げることができる。光増感剤と共に使用してもよい。上記光反応開始剤も光増感剤として使用できる。また、エポキシアクリレート系の光反応開始剤の使用の際、ｎ－ブチルアミン、トリエチルアミン、トリ－ｎ－ブチルホスフィン等の増感剤を用いることができる。紫外線硬化樹脂組成物に用いられる光反応開始剤また光増感剤は該組成物１００質量部に対して０．１～１５質量部であり、好ましくは１～１０質量部である。
　樹脂モノマーとしては、例えば、不飽和二重結合が１つのモノマーとして、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、ベンジルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、酢酸ビニル、スチレン等の一般的なモノマーを挙げることができる。また不飽和二重結合を２つ以上持つモノマーとして、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ジビニルベンゼン、１，４－シクロヘキサンジアクリレート、１，４－シクロヘキシルジメチルアジアクリレート、前出のトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリルエステル等を挙げることができる。
　本発明において使用し得る紫外線硬化樹脂の市販品としては、アデカオプトマーＫＲ・ＢＹシリーズ：ＫＲ－４００、ＫＲ－４１０、ＫＲ－５５０、ＫＲ－５６６、ＫＲ－５６７、ＢＹ－３２０Ｂ（（株）ＡＤＥＫＡ製）；コーエイハードＡ－１０１－ＫＫ、Ａ－１０１－ＷＳ、Ｃ－３０２、Ｃ－４０１－Ｎ、Ｃ－５０１、Ｍ－１０１、Ｍ－１０２、Ｔ－１０２、Ｄ－１０２、ＮＳ－１０１、ＦＴ－１０２Ｑ８、ＭＡＧ－１－Ｐ２０、ＡＧ－１０６、Ｍ－１０１－Ｃ（広栄化学（株）製）；セイカビームＰＨＣ２２１０（Ｓ）、ＰＨＣ　Ｘ－９（Ｋ－３）、ＰＨＣ２２１３、ＤＰ－１０、ＤＰ－２０、ＤＰ－３０、Ｐ１０００、Ｐ１１００、Ｐ１２００、Ｐ１３００、Ｐ１４００、Ｐ１５００、Ｐ１６００、ＳＣＲ９００（大日精化工業（株）製）；ＫＲＭ７０３３、ＫＲＭ７０３９、ＫＲＭ７１３０、ＫＲＭ７１３１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０１、ＵＶＥＣＲＹＬ２９２０２（ダイセル・ユーシービー（株）製）；ＲＣ－５０１５、ＲＣ－５０１６、ＲＣ－５０２０、ＲＣ－５０３１、ＲＣ－５１００、ＲＣ－５１０２、ＲＣ－５１２０、ＲＣ－５１２２、ＲＣ－５１５２、ＲＣ－５１７１、ＲＣ－５１８０、ＲＣ－５１８１（ＤＩＣ（株）製）；オーレックスＮｏ．３４０クリヤ（中国塗料（株）製）；サンラッドＨ－６０１、ＲＣ－７５０、ＲＣ－７００、ＲＣ－６００、ＲＣ－５００、ＲＣ－６１１、ＲＣ－６１２（三洋化成工業（株）製）；ＳＰ－１５０９、ＳＰ－１５０７（昭和高分子（株）製）；ＲＣＣ－１５Ｃ（グレース・ジャパン（株）製）、アロニックスＭ－６１００、Ｍ－８０３０、Ｍ－８０６０（東亞合成（株）製）等を適宜選択して利用できる。
　また、具体的化合物例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート等を挙げることができる。
　これらの活性線硬化樹脂層はグラビアコーター、ディップコーター、リバースコーター、ワイヤーバーコーター、ダイコーター、インクジェット法等公知の方法で塗設することができる。
　紫外線硬化性樹脂を光硬化反応により硬化させ、硬化皮膜層を形成するための光源としては、紫外線を発生する光源であれば制限なく使用できる。例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ等を用いることができる。照射条件はそれぞれのランプによって異なるが、活性線の照射量は好ましくは、５～１５０ｍＪ／ｃｍ２であり、特に好ましくは２０～１００ｍＪ／ｃｍ２である。
　また、活性線を照射する際には、フィルムの搬送方向に張力を付与しながら行うことが好ましく、さらに好ましくは幅方向にも張力を付与しながら行うことである。付与する張力は３０～３００Ｎ／ｍが好ましい。
　紫外線硬化樹脂層組成物塗布液の有機溶媒としては、例えば、炭化水素類（トルエン、キシレン）、アルコール類（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン）、エステル類（酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチル）、グリコールエーテル類、その他の有機溶媒の中から適宜選択し、あるいはこれらを混合し利用できる。プロピレングリコールモノアルキルエーテル（アルキル基の炭素原子数として１～４）またはプロピレングリコールモノアルキルエーテル酢酸エステル（アルキル基の炭素原子数として１～４）等を５質量％以上、より好ましくは５～８０質量％以上含有する上記有機溶媒を用いるのが好ましい。
　また、紫外線硬化樹脂層組成物塗布液には、特にシリコーン化合物を添加することが好ましい。例えば、ポリエーテル変性シリコーンオイル等が好ましく添加される。ポリエーテル変性シリコーンオイルの数平均分子量は、例えば、１，０００～１００，０００、好ましくは、２，０００～５０，０００が適当であり、数平均分子量が１，０００未満では、塗膜の乾燥性が低下し、逆に、数平均分子量が１００，０００を越えると、塗膜表面にブリードアウトしにくくなる傾向にある。
　シリコーン化合物の市販品としては、ＤＫＱ８－７７９（ダウコーニング社製商品名）、ＳＦ３７７１、ＳＦ８４１０、ＳＦ８４１１、ＳＦ８４１９、ＳＦ８４２１、ＳＦ８４２８、ＳＨ２００、ＳＨ５１０、ＳＨ１１０７、ＳＨ３７４９、ＳＨ３７７１、ＢＸ１６－０３４、ＳＨ３７４６、ＳＨ３７４９、ＳＨ８４００、ＳＨ３７７１Ｍ、ＳＨ３７７２Ｍ、ＳＨ３７７３Ｍ、ＳＨ３７７５Ｍ、ＢＹ－１６－８３７、ＢＹ－１６－８３９、ＢＹ－１６－８６９、ＢＹ－１６－８７０、ＢＹ－１６－００４、ＢＹ－１６－８９１、ＢＹ－１６－８７２、ＢＹ－１６－８７４、ＢＹ２２－００８Ｍ、ＢＹ２２－０１２Ｍ、ＦＳ－１２６５（以上、東レ・ダウコーニングシリコーン社製商品名）、ＫＦ－１０１、ＫＦ－１００Ｔ、ＫＦ３５１、ＫＦ３５２、ＫＦ３５３、ＫＦ３５４、ＫＦ３５５、ＫＦ６１５、ＫＦ６１８、ＫＦ９４５、ＫＦ６００４、シリコーンＸ－２２－９４５、Ｘ２２－１６０ＡＳ（以上、信越化学工業社製商品名）、ＸＦ３９４０、ＸＦ３９４９（以上、東芝シリコーン社製商品名）、ディスパロンＬＳ－００９（楠本化成社製）、グラノール４１０（共栄社油脂化学工業（株）製）、ＴＳＦ４４４０、ＴＳＦ４４４１、ＴＳＦ４４４５、ＴＳＦ４４４６、ＴＳＦ４４５２、ＴＳＦ４４６０（ＧＥ東芝シリコーン製）、ＢＹＫ－３０６、ＢＹＫ－３３０、ＢＹＫ－３０７、ＢＹＫ－３４１、ＢＹＫ－３４４、ＢＹＫ－３６１（ビックケミ－ジャパン社製）日本ユニカー（株）製のＬシリーズ（例えばＬ７００１、Ｌ－７００６、Ｌ－７６０４、Ｌ－９０００）、Ｙシリーズ、ＦＺシリーズ（ＦＺ－２２０３、ＦＺ－２２０６、ＦＺ－２２０７）等が挙げられ、好ましく用いられる。
　これらの成分は基材や下層への塗布性を高める。積層体最表面層に添加した場合には、塗膜の撥水、撥油性、防汚性を高めるばかりでなく、表面の耐擦り傷性にも効果を発揮する。これらの成分は、塗布液中の固形分成分に対し、０．０１～３質量％の範囲で添加することが好ましい。
　紫外線硬化性樹脂組成物塗布液の塗布方法としては、前述のものを用いることができる。塗布量はウェット膜厚として０．１～３０μｍが適当で、好ましくは、０．５～１５μｍである。また、ドライ膜厚としては０．１～２０μｍ、好ましくは１～２０μｍである。特に好ましくは８～２０μｍである。
　また、鉛筆硬度は、２Ｈ～８Ｈのハードコート層であることが好ましい。特に好ましくは３Ｈ～６Ｈであることが好ましい。鉛筆硬度は、作製したハードコートフィルム試料を温度２５℃、相対湿度６０％の条件で２時間調湿した後、ＪＩＳ－Ｓ－６００６が規定する試験用鉛筆を用いて、ＪＩＳ－Ｋ－５４００が規定する鉛筆硬度評価方法に従い、１ｋｇの加重にて各硬度の鉛筆で引っ掻きを１０回繰り返し、傷が全く認められない、最も硬い鉛筆の硬度を表したものである。
　紫外線硬化性樹脂組成物は塗布乾燥中または後に、紫外線を照射するのがよく、前記の５～１５０ｍＪ／ｃｍ２という活性線の照射量を得るための照射時間としては、０．１秒～５分程度がよく、紫外線硬化性樹脂の硬化効率または作業効率の観点から０．１～１０秒がより好ましい。また、これら活性線照射部の照度は５０～１５０ｍＷ／ｍ２であることが好ましい。
　（電極）
　本発明に係る有機素子においては、少なくとも第１電極と第２電極とを有する。通常は、一方が陽極、他方が陰極で構成される。以下に好ましい陽極、及び陰極の構成について述べる。
　〈陽極〉
　有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性光透過性材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ）等非晶質で光透過性の導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０～１０００ｎｍ、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。
　〈陰極〉
　一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
　これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ～５μｍ、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。
　なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方は、光透過性となるよう構成される。
　（発光層）
　本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
　本発明に係る発光層は、含まれる発光材料が前記要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。
　また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。
　各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。
　本発明における発光層の膜厚の総和は１～１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから３０ｎｍ以下である。なお、本発明でいうところの発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。
　個々の発光層の膜厚としては１～５０ｎｍの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは１～２０ｎｍの範囲に調整することである。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。
　発光層の作製には、後述する発光材料（発光ドーパントともいう）や発光ホスト化合物（ホスト化合物ともいう）を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。
　本発明においては、各発光層には複数の発光ドーパントを混合してもよく、またりん光発光ドーパントと蛍光発光ドーパントを同一発光層中に混合して用いてもよい。
　本発明においては、発光層の構成として、発光ホスト化合物、発光ドーパントを含有し、発光ドーパンより発光させることが好ましい。
　〈発光ホスト化合物〉
　本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層に含有される発光ホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるりん光発光のりん光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはりん光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
　ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
　本発明に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（重合性発光ホスト）でもいい。
　本発明の有機エレクトロニクス素子に用いられる発光ホスト化合物としては、低分子化合物を用いることが好ましい。ここで、低分子化合物としては、１００００以下の化合物を表すが、好ましくは１００～１００００の範囲の分子量を有するものであり、さらに好ましくは１００～２０００の範囲の化合物である。
　公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移点）である化合物が好ましい。ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ－Ｋ－７１２１に準拠した方法により求められる値である。
　公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報等が挙げられる。
　（発光ドーパント）
　次に、発光ドーパントについて説明する。
　本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光性化合物（蛍光性化合物ともいう）、りん光材料（りん光発光材料、りん光性化合物、りん光発光性化合物等ともいう）を用いることができるが、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点からは、本発明の有機ＥＬ素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント（単に、発光材料ということもある）としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。
　本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
　本発明において、リン光ドーパントとは励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてりん光発光する化合物であり、りん光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいりん光量子収率は０．１以上である。
　上記りん光量子収率は第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのりん光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光ドーパントを用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて上記りん光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
　リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
　リン光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８～１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
　本発明の有機エレクトロニクス素子に用いられるドーパント化合物としては、低分子化合物を用いることが好ましい。ここで、低分子化合物としては、１００００以下の化合物を表すが、好ましくは１００～１００００の範囲の分子量を有するものであり、さらに好ましくは１００～２０００の範囲の化合物である。
　以下にリン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０巻，１７０４～１７１１に記載の方法等により合成できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　本発明に係る有機ＥＬ素子には、蛍光発光体を用いることもできる。蛍光発光体（蛍光性ドーパント）の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
　また、従来公知のドーパントも本発明に用いることができ、例えば、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、特開２００２－２８０１７８号公報、同２００１－１８１６１６号公報、同２００２－２８０１７９号公報、同２００１－１８１６１７号公報、同２００２－２８０１８０号公報、同２００１－２４７８５９号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００１－３１３１７８号公報、同２００２－３０２６７１号公報、同２００１－３４５１８３号公報、同２００２－３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００２－３３２２９１号公報、同２００２－５０４８４号公報、同２００２－３３２２９２号公報、同２００２－８３６８４号公報、特表２００２－５４０５７２号公報、特開２００２－１１７９７８号公報、同２００２－３３８５８８号公報、同２００２－１７０６８４号公報、同２００２－３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号パンフレット、特開２００２－５０４８３号公報、同２００２－１００４７６号公報、同２００２－１７３６７４号公報、同２００２－３５９０８２号公報、同２００２－１７５８８４号公報、同２００２－３６３５５２号公報、同２００２－１８４５８２号公報、同２００３－７４６９号公報、特表２００２－５２５８０８号公報、特開２００３－７４７１号公報、特表２００２－５２５８３３号公報、特開２００３－３１３６６号公報、同２００２－２２６４９５号公報、同２００２－２３４８９４号公報、同２００２－２３５０７６号公報、同２００２－２４１７５１号公報、同２００１－３１９７７９号公報、同２００１－３１９７８０号公報、同２００２－６２８２４号公報、同２００２－１００４７４号公報、同２００２－２０３６７９号公報、同２００２－３４３５７２号公報、同２００２－２０３６７８号公報等が挙げられる。
　本発明においては、少なくとも一つの発光層に２種以上の発光材料を含有していてもよく、発光層における発光材料の濃度比が発光層の厚さ方向で変化していてもよい。
　（中間層）
　本発明においては、各発光層間に非発光性の中間層（非ドープ領域等ともいう）を設けることも好ましい。
　ここで、「非発光性の中間層」とは、複数の発光層を有する場合、その発光層間に設けられる層である。
　非発光性の中間層の膜厚としては１～２０ｎｍの範囲にあるのが好ましく、さらには３～１０ｎｍの範囲にあることが隣接発光層間のエネルギー移動等相互作用を抑制し、かつ素子の電流電圧特性に大きな負荷を与えないということから好ましい。
　この非発光性の中間層に用いられる材料としては、発光層のホスト化合物と同一でも異なっていてもよいが、隣接する２つの発光層の少なくとも一方の発光層のホスト材料と同一であることが好ましい。
　非発光性の中間層は非発光層、各発光層と共通の化合物（例えば、ホスト化合物等）を含有していてもよく、各々共通ホスト材料（ここで、共通ホスト材料が用いられるとは、りん光発光エネルギー、ガラス転移点等の物理化学的特性が同一である場合やホスト化合物の分子構造が同一である場合等を示す。）を含有することにより、発光層－非発光層間の層間の注入障壁が低減され、電圧（電流）を変化させても正孔と電子の注入バランスが保ちやすいという効果を得ることができる。さらに、非ドープ発光層に各発光層に含まれるホスト化合物と同一の物理的特性または同一の分子構造を有するホスト材料を用いることにより、従来の有機ＥＬ素子作製の大きな問題点である素子作製の煩雑さをも併せて解消することができる。
　本発明で有機ＥＬ素子を用いる場合、ホスト材料はキャリアの輸送を担うため、キャリア輸送能を有する材料が好ましい。キャリア輸送能を表す物性としてキャリア移動度が用いられるが、有機材料のキャリア移動度は一般的に電界強度に依存性が見られる。電界強度依存性の高い材料は正孔と電子注入・輸送バランスを崩しやすいため、中間層材料、ホスト材料は移動度の電界強度依存性の少ない材料を用いることが好ましい。
　また、一方では正孔や電子の注入バランスを最適に調整するためには、非発光性の中間層は後述する阻止層、即ち正孔阻止層、電子阻止層として機能することも好ましい態様として挙げられる。
　（注入層：電子注入層、正孔注入層）
　注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
　注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
　陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
　陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）は極薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ～５μｍの範囲が好ましい。
　（阻止層：正孔阻止層、電子阻止層）
　阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
　正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
　一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては好ましくは３～１００ｎｍであり、さらに好ましくは５～３０ｎｍである。
　（正孔輸送層）
　正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
　正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
　正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
　芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（ＴＰＤ）；２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン；ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル；４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン；４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン；３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ－フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
　さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
　また、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ　ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂、ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
　正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
　（電子輸送層）
　電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
　従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
　また、８－キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型－Ｓｉ、ｎ型－ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
　電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
　〔有機ＥＬ素子の作製方法〕
　本発明に係る有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法について説明する。
　まず、適当な支持基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０～２００ｎｍの膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層の有機化合物薄膜を形成させる。
　この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、生産性に優れる点から、キャスト法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。さらに層毎に異なる製膜法を適用してもよい。
　これらの層をウェットプロセスで塗布した後、残留溶媒を除去するために、熱処理を行うことが好ましい。
　加熱方法はヒーター加熱法（赤外線ヒーター、ハロゲンヒーター、パネルヒーター等をフィルム上や下に設置し輻射熱で加熱）でもよく、ゾーン加熱法（熱風等を吹き込み所定の温度に調温したゾーン内で加熱）でもよい。本発明では均一性の観点からゾーン加熱法が好ましい。ゾーン加熱法の場合、例えば恒温槽を用いることができる。恒温槽としては、設定した温度で塗布フィルムの熱処理を行うことができる装置ならばどのような形態でもよく、例えば、所定の温度に設定した温風で恒温槽内部全体を加温してもよいし、あるいは温風をフィルムに吹きつけてもよいし、ヒーターを用いて恒温槽内部を所望の温度に設定してもよい。このようなヒーター等の加温装置の取付け位置は塗布フィルムが均一に加温されることができれば、恒温槽内部のどの位置に取り付けてもよい。恒温槽内部の温度分布については入り口から出口に向かって昇温してもよいし、降温してもよく、あるいは昇温と降温とを繰り返してもよい。また、加熱前に予熱部分を設けてもよく、加熱後、冷却部分を設けてもよい。
　加熱温度は残存溶媒の除去ができる温度であればよく、塗布に用いた溶媒の沸点以上であるのが一般的であるが、水分が微量にでも残存すると性能劣化を引き起こすため、１００℃以上が好ましい。しかし基板や塗布成膜した有機層の劣化を避けることが必要なため、温度には上限があり、系によって選択される。本発明ではポリエステル系基材を好ましく用いるため、２００℃以下が好ましい。
　前記熱処理の時間は１～１２０分が好ましく、５～６０分がより好ましく、さらに好ましくは１０～３０分である。前記熱処理時間を１分以上とすることにより十分に残存溶媒の除去ができ、１２０分以下とすることにより、加熱に伴う有機層の劣化を抑制することができる。
　これらの層を形成後、その上に陰極物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲の膜厚となるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機ＥＬ素子が得られる。
　この有機ＥＬ素子の作製は作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を－の極性として電圧２～４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
　有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率１．６～２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５～２０％程度の光しか取り出せないと一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は全反射を起こし、素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
　この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（例えば、米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（例えば、特開昭６３－３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（例えば、特開平１－２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（例えば、特開昭６２－１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（例えば、特開２００１－２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１－２８３７５１号公報）等がある。
　本発明においては、これらの方法を本発明に係る発光素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、さらに高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
　透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
　低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５～１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。またさらに１．３５以下であることが好ましい。
　また、低屈折率媒質の厚さは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
　全反射を起こす界面またはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった、所謂ブラッグ回折により光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光をいずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
　導入する回折格子は二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
　回折格子を導入する位置としては、前述の通りいずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
　このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２～３倍程度が好ましい。回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
　本発明に係る発光素子は支持基板の光取出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせたりすることにより特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
　マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は１０～１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。
　集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
　また、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。
　本発明に係る発光素子を、光出射面垂直方向から見た発光素子の発光領域の一部が互いに重なる素子積層部を持つように複数配置して発光パネルを構成する際、素子積層部に粘着剤及び接着剤を用いることができる。
　本発明における粘着剤とは、広く工業分野において、粘着剤、接着剤、あるいは粘着材、接着材等の呼称で用いられる剤あるいは材のうち、加圧により接着しその際に接着部分の硬化を伴わないものを意味する。
　粘着剤及び接着剤の種類は特に限定されないが、光透過性に優れた粘着剤及び接着剤を用いることが好ましい。接着剤においては塗布し、貼り合わせた後に、種々の化学反応により高分子量体または架橋構造を形成する硬化型接着剤が好適に用いられる。本発明で用いることのできる粘着剤及び接着剤の具体例としては、例えば、ウレタン系、エポキシ系、水性高分子－イソシアネート系、アクリル系等の硬化型接着剤及び粘着剤、湿気硬化ウレタン接着剤、ポリエーテルメタクリレート型、エステル系メタクリレート型、酸化型ポリエーテルメタクリレート等の嫌気性粘着剤、シアノアクリレート系の瞬間接着剤、アクリレートとペルオキシド系の２液型瞬間接着剤等が挙げられる。
　上記素子積層部への粘着剤層及び接着剤層の形成方法としては特に限定されず、一般的方法、例えば、グラビアコーター、マイクログラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、スプレー塗布、インクジェット法等の方法が挙げられる。
　（封止基材）
　本発明に係る封止基材は、有機ＥＬ素子を封止し、当該素子を温度変化、湿度、酸素、衝撃等の過酷な外部環境から守るためのものである。
　封止基材としては、バリア膜が形成された種々の公知のガスバリア性フィルムを用いることができる。例えば、包装材等に使用される公知のガスバリア性フィルム、例えば樹脂（プラスチック）フィルム上に酸化珪素や、酸化アルミニウムを蒸着したフィルム、緻密なセラミック層と、柔軟性を有する衝撃緩和ポリマー層を交互に積層した構成からなるガスバリア性フィルム等を封止基材として用いることができる。
　また、特に、樹脂膜（ポリマー膜）をラミネートされた金属箔は、光取りだし側のガスバリア性フィルムとして用いることはできないが、低コストで、かつ透湿性の低い封止基材料であり光取り出しを意図しない（透明性を要求されない）場合、封止基材として好ましい。
　本発明において、「金属箔」とは、スパッタや蒸着等で形成された金属薄膜や、導電性ペースト等の流動性電極材料から形成された導電膜と異なり、圧延等で形成された金属の箔またはフィルムを指す。
　金属箔としては、金属の種類に特に限定はなく、例えば銅（Ｃｕ）箔、アルミニウム（Ａｌ）箔、金（Ａｕ）箔、黄銅箔、ニッケル（Ｎｉ）箔、チタン（Ｔｉ）箔、銅合金箔、ステンレス箔、スズ（Ｓｎ）箔、高ニッケル合金箔等が挙げられる。これらの各種の金属箔の中で特に好ましい金属箔としてはＡｌ箔が挙げられる。
　金属箔の厚さは、バリア性（透湿度、酸素透過率）及びコストの観点から、５ｎｍ～５０μｍが好ましい。
　樹脂フィルム（ポリマー膜）がラミネートされた金属箔において樹脂フィルムとしては、機能性包装材料の新展開（株式会社　東レリサーチセンター）に記載の各種材料を使用することが可能であり、例えば、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリアミド系樹脂、エチレン－ビニルアルコール共重合体系樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体系樹脂、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体系樹脂、セロハン系樹脂、ビニロン系樹脂、塩化ビニリデン系樹脂等が挙げられる。ポリプロピレン系樹脂、ナイロン系樹脂等の樹脂は、延伸されていてもよく、さらに塩化ビニリデン系樹脂をコートされていてもよい。また、ポリエチレン系樹脂は、低密度あるいは高密度のものも用いることができる。
　上記の高分子材料の中で、ナイロン（Ｎｙ）、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）をコートしたナイロン（ＫＮｙ）、無延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）、ＰＶＤＣをコートしたポリプロピレン（ＫＯＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ＰＶＤＣをコートしたセロハン（ＫＰＴ）、ポリエチレン－ビニルアルコール共重合体（エバール）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）を用いることが好ましい。また、これら熱可塑性フィルムは、必要に応じて異種フィルムと共押し出しで作った多層フィルム、延伸角度を変えて張り合わせ積層した多層フィルム等も当然使用できる。さらに必要とする包装材料の物性を得るために使用するフィルムの密度、分子量分布を組み合わせて作ることも当然可能である。
　樹脂膜（ポリマー膜）の厚さは、一概には規定できないが、３～４００μｍが好ましく、１０～２００μｍがより好ましく、１０～５０μｍがさらに好ましい。
　金属箔の片面にポリマー膜をコーティング（ラミネート）する方法としては、一般に使用されているラミネート機を使用することができる。
　ドライラミネート方式、ホットメルトラミネーション法やエクストルージョンラミネート法も使用できるがドライラミネート方式が好ましい。
　接着剤としては、ポリウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、アクリル系等の接着剤を用いることができる。必要に応じて硬化剤を併用してもよい。
　金属箔の片面が樹脂膜（ポリマー膜）でコーティングされたフィルムは、包装材用に市販されている。例えば、接着剤層／アルミフィルム９μｍ／ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）３８μｍの構成のドライラミネートフィルムが入手でき、これを用いて有機ＥＬ素子の陰極側の封止を行うこともできる。
　また、封止基材（フィルム）としては、金属箔の片面が樹脂膜（ポリマー膜）でコーティングされたフィルムの、樹脂膜（ポリマー膜）と反対側の金属箔上に、セラミック膜を形成して用いることも好ましい。
　後述するが、２つのフィルムの封止方法としては、例えば、一般に使用されるインパルスシーラー熱融着性の樹脂膜（層）をラミネートして、インパルスシーラーで融着させ、封止する方法が好ましい。
　本発明において、封止基材（フィルム）のガスバリア性は、酸素透過度１０－３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０－３ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下のものであることが好ましい。また、前記の水蒸気透過度、酸素透過度がいずれも１０－５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることがさらに好ましい。
　（接着剤）
　封止基材を接着するための接着剤としては、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する熱硬化型接着剤等を挙げることができる。市販品としては、スリーボンド１１５２、１１５３等を使用することができる。
　なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、封止基材のＴｇ以上でかつ、前記可撓性透明基材のＴｇ未満の温度で、１時間程度で硬化する熱硬化型接着剤が好ましい。例えば、可撓性透明基材としてポリエチレンナフタレート（Ｔｇ、１５５℃）、封止基材としてポリエチレンテレフタレート（Ｔｇ、１１０℃）を用いる場合は、硬化条件が１２０℃１時間のエポキシ系熱硬化接着剤が挙げられる。
　また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に、当該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、当該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに当該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造をもたせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
　封止基材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコーンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
　吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
　〔有機ＥＬ素子の封止〕
　本発明では、基材上に透明導電膜を形成し、作製した有機ＥＬ素子用樹脂基材上に、有機ＥＬ素子を構成する各種機能層を形成した後、不活性ガスによりパージされた環境下で、上記封止基材で陰極面を覆うようにして、有機ＥＬ素子を封止することができる。
　不活性ガスとしては、Ｎ２の他、Ｈｅ、Ａｒ等の希ガスが好ましく用いられるが、ＨｅとＡｒを混合した希ガスも好ましく、気体中に占める不活性ガスの割合は、９０～９９．９体積％であることが好ましい。不活性ガスによりパージされた環境下で封止することにより、保存性が改良される。
　また、前記の樹脂膜（ポリマー膜）がラミネートされた金属箔を用いて、有機ＥＬ素子を封止するにあたっては、ラミネートされた樹脂フィルム面ではなく、金属箔上にセラミック膜を形成し、このセラミック膜面を有機ＥＬ素子の陰極に貼り合わせることが好ましい。
　接着方法としてはドライラミネート方式が作業性の面で優れている。この方法は一般には１．０～２．５μｍ程度の硬化性の接着剤層を使用する。好ましくは、接着剤量を乾燥膜厚で３～５μｍになるように調節することが好ましい。
　なお、ホットメルト接着剤を溶融し基材に接着層を塗設する方法（ホットメルトラミネーと法）や高温で溶融した樹脂（ＬＤＰＥ、ＥＶＡ、ＰＰ等）をダイスにより基材上に塗設する方法（エクストルージョンラミネート法）等も用いることもよい。
　〔保護膜、保護板〕
　有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
　〔有機ＥＬ素子の製造装置〕
　図５は本発明に係る有機ＥＬ素子の製造工程を示す概略図である。
　本発明に係る有機ＥＬ素子の製造装置の一例について、図６を参照して説明する。
　１．正孔輸送層塗布工程
　可撓性透明基材上へのガスバリア層の形成、透明電極（ＩＴＯ）のパターニングは、本図では、可撓性透明基材上にガスバリア層、透明電極が既に形成されたものを使用するため、この形成工程は省略してある。
　また、正孔輸送層塗布工程に入る前に、洗浄表面改質処理装置及び帯電防止手段による表面処理工程を有してもよい。洗浄表面改質処理装置は、正孔輸送層塗布液を塗布する前に繰り出し工程から送られてきた可撓性透明基材の電極（不図示）表面を洗浄改質するため、例えば、低圧水銀ランプ、エキシマランプ、プラズマ洗浄装置等を使用することが好ましい。低圧水銀ランプによる洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、波長１８４．２ｎｍの低圧水銀ランプを、照射強度５～２０ｍＷ／ｃｍ２で、距離５～１５ｍｍで照射し洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。プラズマ洗浄装置による洗浄表面改質処理の条件としては、例えば、大気圧プラズマが好適に使用される。洗浄条件としてはアルゴンガスに酸素１～５体積％含有ガスを用い、周波数１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚ、電圧１０Ｖ～１０ｋＶ、照射距離５～２０ｍｍで洗浄表面改質処理を行う条件が挙げられる。
　帯電防止手段は、非接触式除電防止装置と接触式除電防止装置とを有している。非接触式除電防止装置としては例えば、非接触式のイオナイザーが挙げられイオナイザーの種類については特に制限はなく、イオン発生方式はＡＣ方式、ＤＣ方式どちらでも構わない。ＡＣタイプ、ダブルＤＣタイプ、パルスＡＣタイプ、軟Ｘ線タイプが用いることができるが、特に精密除電の観点から、ＡＣタイプが好ましい。ＡＣタイプの使用の際に必要となる噴射気体については、空気かＮ２が用いられるが、十分に純度が高められたＮ２で行うことが好ましい。また、インラインで行う観点より、ブロワータイプもしくはガンタイプより選ばれる。
　接触式除電防止装置としては、除電ロールまたはアース接続した導電性ブラシを用いて行われる。除電器としての除電ロールは、接地されており、除電された表面に回転自在に接触して表面電荷を除去する。このよう除電ロールとしては、アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレス等の金属製ロールの他に、カーボンブラック、金属粉、金属繊維等の導電性材料を混合した弾性のあるプラスチックやゴム製のロールが使用される。特に、帯状可撓性連続シートとの接触をよくするため、弾性のあるものが好ましい。アース接続した導電性ブラシとは、一般には、線状に配列した導電性繊維からなるブラシ部材や線状金属製のブラシを有する除電バーまたは除電糸構造のものを挙げることができる。除電バーについては、特に限定はないが、コロナ放電式のものが好ましく用いられ、例えば、キーエンス社製のＳＪ－Ｂが用いられる。除電糸についても、特に限定はないが、通常フレキシブルな糸状のものが好ましく用いることができる。
　非接触式帯電防止装置は可撓性の可撓性透明基材の電極面側に使用し、接触式帯電防止装置は可撓性の可撓性透明基材の裏面側に使用することが好ましい。第１帯電防止手段により基材の帯電除去が図られ、ゴミの付着や絶縁破壊が防止されるため、素子の歩留まりの向上が図られる。
　正孔輸送層塗布工程は、基材繰り出し装置Ｂから供給される可塑性透明基材Ａの巾手位置を整えるエッジポジションコントローラー（ＥＰＣ）１０１と、塗布する際に可塑性透明基材Ａを保持するバックアップロール１０２と、バックアップロール１０２に保持された可塑性透明基材Ａに塗布をする塗布装置１０３と、塗布装置へ塗布液を供給する塗布液供給ライン１０４からなる。
　正孔輸送層形成工程～電子輸送層乾燥工程迄を連続して大気圧条件下で行い、大気圧条件下で一旦巻き取った後、電子注入層形成工程～封止層形成工程迄を連続して減圧条件下で行うことが好ましい。また、各層の塗布工程の搬送速度の差を調整するためのアキュームレータ、除電のための非接触式除電防止装置を設けることが好ましい。
　２．正孔輸送層乾燥工程
　正孔輸送層乾燥工程は、可塑性透明基材Ａを工程内を安定に搬送させる搬送ロール２０３と、乾燥に必要な乾燥風供給口２０１と、排気口２０２からなる。
　３．発光層塗布装置
　発光層塗布工程は、可塑性透明基材Ａの巾手位置を整えるエッジポジションコントローラー（ＥＰＣ）３０１と、塗布する際に可塑性透明基材Ａを保持するバックアップロール３０２と、バックアップロール３０２に保持された可塑性透明基材Ａに塗布をする塗布装置３０３と、塗布装置へ発光層塗布液を供給する塗布液供給ライン３０４からなる。
　４．発光層乾燥工程
　発光層乾燥工程は、可塑性透明基材Ａを工程内を安定に搬送させる搬送ロール４０３と、乾燥に必要な乾燥風供給口４０１と、排気口４０２からなる。
　５．電子輸送層塗布工程
　電子輸送層塗布工程は、可塑性透明基材Ａの巾手位置を整えるエッジポジションコントローラー（ＥＰＣ）５０１と、塗布する際に可塑性透明基材Ａを保持するバックアップロール５０２と、バックアップロール５０２に保持された可塑性透明基材Ａに塗布をする塗布装置５０３と、塗布装置へ塗布液を供給する塗布液供給ライン５０４からなる。
　６．電子輸送層乾燥工程
　電子輸送層乾燥工程は、可塑性透明基材Ａを工程内を安定に搬送させる搬送ロール６０３と、乾燥に必要な乾燥風供給口６０１と、排気口６０２からなる。
　７．熱処理（加熱処理）工程
　熱処理工程は、可塑性透明基材Ａの巾手位置を整えるエッジポジションコントローラー（ＥＰＣ）７０１と、搬送張力を低減させるための張力カット機能を持ったサクションロール７０２と、熱処理に必要な乾燥風供給口７０３と、排気口７０４と、搬送張力を増加させるための張力カット機能を持ったサクションロール７０５と、巻き取り装置Ｃからなる。
　８．電子注入層形成工程（図示せず）
　電子注入層形成工程は、供給部と、電子注入層形成部とを有している。供給部では、前工程で作製された可撓性透明基材が繰り出され電子注入層形成部へ供給される。電子注入層形成部では、電子輸送層上に電子注入層が形成される。電子注入層が形成された可撓性透明基材は、引き続き、電極形成工程へ送られる。
　９．電極形成工程（図示せず）
　電極形成工程は、電極形成部で、電子輸送層形成部で形成された電子輸送層上に電極が形成される。
　１０．封止層形成工程
　封止層形成工程の詳細は後述する。
　電極が形成された可撓性の可撓性透明基材は、引き続き、封止層形成工程に送られる。封止層形成工程は、アキュームレータ部と、封止層形成装置と、帯電防止手段とを有している。帯電防止手段は除電処理手段と同じ非接触式除電防止装置と接触式除電防止装置とを有している。電極形成工程で形成された電極の端部を除いて電極上に封止層形成装置により封止層が形成されることで、可撓性透明基材上に少なくとも一つの照明用（面発光）有機ＥＬ素子が作製される。
　回収工程では少なくとも一つの照明用（面発光）有機ＥＬ素子が形成された可撓性の可撓性透明基材（可撓性の可撓性透明基材Ｃとする）が巻き取り装置（不図示）により、封止層側を内側にして巻き取られ回収される。可撓性の可撓性透明基材Ｃが巻き芯に巻き取られロール状として回収されたロール状可撓性透明基材は、性能維持、ダークスポット（未発光部分）等を考慮し、酸素濃度１～１００ｐｐｍ、水分濃度１～１００ｐｐｍの環境下に保管することが好ましい。
　上記説明では、電子注入層形成工程、電極形成工程が蒸着装置の場合を示したが、電子注入層及び電極の形成方法については、蒸着法によらない形成方法も使用可能である。また、本図に示す封止層の代わりに、封止フィルムを貼着する方式であっても構わない。
　図６に示される製造プロセスで使用する正孔輸送層塗布液、及び発光層塗布液は、少なくとも１種の有機化合物材料と少なくとも１種の溶媒とを有し、塗布時のハジキ、塗布ムラ等を考慮し、表面張力が１５×１０－３～５５×１０－３Ｎ／ｍであることが好ましい。
　図６に示される有機ＥＬ素子の構成層である正孔輸送層及び発光層を形成する工程は、正孔輸送層及び発光層の性能維持、異物付着に伴う故障欠陥の防止等を考慮し、露点温度－２０℃以下、かつＪＩＳＢ　９９２０に準拠し、測定した清浄度がクラス３～クラス５で、かつ、乾燥部を除き１０～４５℃の大気圧条件下で形成されることが好ましい。
　〈封止基材接着工程と断裁工程〉
　封止基材接着工程と断裁工程について図７を参照して詳細な説明をする。
　図７は、封止基材接着・断裁工程の一例を示す模式図である。当該製造プロセスにおいて、封止基材接着工程１４０は、接着剤層形成工程１４１、ラミネート工程１４２、硬化工程１４３を有する。
　ロール状に巻き取られた発光素子（有機ＥＬ構造体）及び保護膜が形成された基材は、オフラインの封止基材接着工程１４０及び断裁工程１５０に投入されて、封止基材層が形成され、熱硬化型接着剤が硬化した後、所定の大きさに断裁され、有機ＥＬ素子に形成される。
　封止基材接着工程１４０は、有機ＥＬ構造体及びバリア膜が形成された基材のロールを、再び基材を繰り出して、長尺の封止基材を基材に接着して有機ＥＬ構造体上に封止基材層１６を形成する工程である。有機ＥＬ構造体に封止基材層１６を形成することにより、有機ＥＬ構造体の有機発光層は封止基材により被覆され、空気中の水分や酸素により品質の劣化を招くことなく、高品質と高信頼性を維持できる。
　封止基材接着工程１４０は、概ね数万Ｐａから数十万Ｐａの大気圧環境である。ここにおいては、既に有機ＥＬ構造体上にスパッタによるバリア膜が成膜されており、水分や酸素を低減させた真空環境とする必要がない。
　接着剤層形成工程１４１は、有機ＥＬ構造体が形成された基材の選択された領域に接着剤を塗布し接着剤層１５を形成する工程である。接着剤層形成工程１４１では有機ＥＬ構造体の陽極及び陰極の引き出し部を除外した領域に接着剤層１５を形成する。
　ラミネート工程１４２は接着剤層を介して封止基材である封止フィルム１６Ａを基材１１にローラにより圧着して有機ＥＬ構造体上に封止基材層１６を形成する工程である。
　硬化工程１４３は接着剤を硬化させる工程である。
　また、断裁工程１５０は、封止基材が接着され封止基材層１６が形成された可撓性透明基材を所定の位置で断裁し、枚葉の有機ＥＬ素子を得る工程である。
　封止基材接着工程１４０にては、接着剤層１５は接着剤をスクリーン印刷法により基材１１の所定の範囲、すなわち、陽極及び陰極の引き出し部を除外した領域にのみ選択的に塗布することにより形成される。
　スクリーン印刷法はインキをスキージ（ヘラ）により版（ステンシル）に展延、摺擦し、版の開口部に張られたスクリーンの網目を通して媒体にインキを付着させて印刷する印刷方法であり、媒体の版の開口部に対向する位置範囲にのみインキを選択的に付着させることができる印刷方法である。本実施の形態では、スクリーン印刷法におけるインキを接着剤とし、媒体を有機ＥＬ構造体が形成された基材として、接着剤を基材の所定の範囲にのみ選択的に付着させることにより、基材の所定の範囲にのみ選択的に接着剤層を形成するものである。なお、以下の説明では、版をステンシルと称し、ステンシルにおける接着剤を透過させる部分を開口部、接着剤を透過させる部分をマスク部と称することにする。
　接着剤層形成工程１４１は非図示の移動手段により図示矢印方向に往復移動するスキージ１４１Ｂを有し、スキージ１４１Ｂはその先端部にて接着剤１４１Ａをステンシル１４１Ｃ面に展延、摺擦する。ステンシル１４１Ｃは開口に接着剤の透過が可能なスクリーンを張った開口部と、接着剤の透過が不可能なマスク部とを有し、スキージ１４１Ｂによりステンシル１４１Ｃ上に展延、摺擦された接着剤１４１Ａは、開口部のスクリーンを通過して、基材１１の開口部に対向する領域に塗布される。一方、マスク部は接着剤の通過が不可能なので、接着剤はマスク部に対向する領域には塗布されない。
　本発明により、特に、ロールツーロール方式により可撓性を有する基材上に発光素子（有機ＥＬ構造体）を形成する有機ＥＬ素子の製造方法において、基材の洗浄及び汚染除去、発光素子（有機ＥＬ構造体）の形成、発光素子（有機ＥＬ構造体）への保護膜の形成までをインラインで行える有機ＥＬ素子の製造方法を提供できる。本発明による製造方法では、基材への発光素子（有機ＥＬ構造体）の形成、保護膜の形成をインラインで行うので、水分や酸素による発光素子（有機ＥＬ構造体）への影響を回避でき、高品質と高信頼性の有機ＥＬ素子を製造できる。また、異なる条件の真空環境や大気圧環境にて実施される工程をロールツーロール方式のインラインで実施することが可能で、それぞれの工程をオフラインで実施する製造方法と比べると、工程が単純化し、作業効率の向上や工程停止時間の短縮が計れる。
　以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。
　実施例１
　《有機ＥＬ素子１の作製》
　〔可撓性基材上にガスバリア層、電極層を形成する工程〕
　予め、露点温度－６５℃、不活性ガス雰囲気下、圧力８０Ｐａで保管し、脱水処理・脱酸素処理を施した厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人・デュポン社製フィルム、以下ＰＥＴと略記する）の両面に、膜厚５μｍのアクリル系クリアハードコート層を設けたフィルムの片面に、特開２００７－８３６４４号公報の実施例に記載されている方法により、ガスバリア層を形成した。即ち、同公報に記載の図３に示すロール電極型放電処理装置を用いた。
　前記基材上に、以下に示す条件で密着層／セラミック層／密着層／セラミック層の順に形成し、ガスバリア層をＰＥＴフィルムの片面上に得た。各膜厚は、密着層が２００ｎｍ、セラミック層が２５ｎｍである。また製膜時の基材保持温度は１４０℃とした。
　〈セラミック層〉
放電ガス：Ｎ２ガス
反応ガス１：酸素ガスを全ガスに対し５％
反応ガス２：ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を全ガスに対し０．１％
低周波側電源電力：８０ｋＨｚを１０Ｗ／ｃｍ２
高周波側電源電力：１３．５６ＭＨｚを１０Ｗ／ｃｍ２
　〈密着層〉
放電ガス：Ｎ２ガス
反応ガス１：水素ガスを全ガスに対し１％
反応ガス２：ＴＥＯＳを全ガスに対し０．５％
低周波側電源電力：８０ｋＨｚを１０Ｗ／ｃｍ２
高周波側電源電力：１３．５６ＭＨｚを５Ｗ／ｃｍ２
　次いで、ガスバリア層を形成したＰＥＴフィルム上に、ターゲット材料としてインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を用いて、同じく、真空槽中スパッタガスに酸素５体積％を含むアルゴンを用いて、ガス圧力を０．５Ｐａとし、連続的に搬送しながら、電極層として、ＩＴＯ膜１１０ｎｍをスパッタによりパターニング形成した。これを真空槽中でコアに巻き取った後、窒素気流下で常圧に戻し、大気（空気）にさらすことなく、常圧下の塗布工程へ移送した。
　〔正孔輸送層、発光層、電子輸送層を形成する工程〕
　塗布膜形成処理工程としての連続湿式製膜法としては、ダイコート方式、スクリーン印刷方式、フレキソ印刷方式、インクジェット方式、ワイヤーバー方式、キャップコート法、スプレー塗布法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法等が使用可能である。これらの製膜法は有機層の材料に応じて適宜選択できる。本実施例ではダイコート方式を用い塗膜を形成した。
　搬送される可撓性基材をバックアップロール上に密着搬送し、該バックアップロール上には塗膜形成のためのダイコーターが可撓性基材から一定間隙を設け設置される。なお、バックアップロールには適宜クリーニング装置が装着されていてもよい。
　塗布液は、タンク内に調製された溶液をギアポンプ等の精密ポンプを介して送液量を制御しダイコーターへ送液される。送液された塗布液を、ろ過フィルターを介しマニホールド内に充填されチャンバー内を一定圧力に保ち、スリットを介し塗布ヘッドから幅手方向に均一に基材上へ塗布、製膜する。塗膜層の厚みは、基材の搬送速度と送液量及び溶液濃度により適宜調整される。なお、同時重層塗布をする際は同時供給可能なエクストルージョン塗布機やスライド塗布機が好適に使用される。
　塗膜形成時の搬送速度ムラは塗布平均速度に対し平均速度に対し０．２以上１０％以下が好ましい。さらに好ましくは０．２％以上３％以下が好ましい。これにより、素子の長手方向での厚み精度が保たれ発光特性の均一化が図られる。
　（正孔輸送層の形成）
　正孔輸送層用塗布液として、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製　Ｂｙｔｒｏｎ　Ｐ　ＡＩ　４０８３）を純水で７０％で希釈した溶液を、第一の塗布室に設置されたダイコート機により乾燥後の膜厚が５０ｎｍになるように製膜を行い、正孔輸送層を設けた。塗布後は加熱した気流により溶媒を除去した。気流は、スリットノズル形式の噴出し口から製膜面に向け高さ１００ｍｍ、噴出し風速１ｍ／ｓ、噴出し風速幅手方向バラツキ５％であった。
　乾燥温度は８０℃、乾燥炉の中での滞留時間は１０分間とした。乾燥炉は有機層の材料に応じて適宜数ゾーンにして温度条件の変更や風速の変更等を行うことも可能である。
　（発光層の形成）
　引き続き、第二の塗布室に設置されたダイコート機により、乾燥後の膜厚が１００ｎｍになるように正孔輸送層上に発光層を設けた。発光層用塗布液として、発光ホスト化合物として分子量１００００以下の低分子量のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）に、ドーパント化合物として分子量１００００以下の低分子量のＩｒ（ｐｐｙ）３を５質量％を１，２－ジクロロエタン中に溶解し１０質量％溶液を調製した。発光層の表面張力は０．０３２Ｎ／ｍであり、良好な塗膜が得られた。続いて、正孔輸送層と同様な乾燥炉を用い２５℃で５分間乾燥を行った。
　（電子輸送層の形成）
　次いで、第三の塗布室に設置されたダイコート機により、乾燥後の膜厚が４０ｎｍになるように発光層上に電子輸送層を設けた。電子輸送層用塗布液として、下記電子輸送剤ＥＴ－Ａを２，２，３，３－テトラフルオロ－１－プロパノール中に溶解し、０．７５質量％溶液を調製した。続いて、正孔輸送層と同様な乾燥炉を用い２５℃で５分間乾燥を行った。次いで、９８℃にて３０分間加熱を行った。加熱処理後は基材が室温と同じ温度になるまで冷却した後、ロール状に巻き取った。この常圧下の塗布工程は、窒素雰囲気中の水分濃度が１ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下、酸素濃度が３０ｐｐｍ以下の雰囲気を維持した。
　正孔輸送層、発光層、電子輸送層の塗布工程、乾燥工程中の温度は全て１００℃未満とし、搬送張力は全て１９６Ｎ／ｍ（２０ｋｇｆ／ｍ）とした。搬送張力は、搬送ロールの両側にロードセルの方式のセンサーを取付け測定した。センサーは、ミネベア（株）製のＣ２Ｇ１－２５Ｋ型を用いた。測定範囲は０～２５０Ｎ／ｍの測定が可能なスペックである。ロール重さとフィルム搬送の抱き角から厳密に張力値を換算して校正したものの値を張力値とした。
　（加熱工程）
　電子輸送層まで設けた基板を、搬送張力２１０Ｎ／ｍで１３０℃、３０分加熱し、残存溶媒除去を行った。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　〔電子注入層、電極層を形成する工程〕
　電子輸送層まで設けた基板を大気曝露せずに、減圧室を経由して、真空搬送室へ導入し、第一の薄膜形成室でフッ化リチウム（電子注入層）を０．３ｎｍ蒸着形成した。引き続き、第二の薄膜形成室で対電極層としてアルミニウムを蒸着により１２０ｎｍの厚さにパターニング形成した。
　〔封止工程〕
　上記電子注入層、電極層を形成フィルムを不活性ガス気流中（窒素雰囲気中、水分濃度が１ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下、酸素濃度が３０ｐｐｍ以下）で、接着剤として熱硬化型エポキシ樹脂（ナガセケムテック（株）製　ＵＶレジンＸＮＲ５５１６）を所定の形状にスクリーン印刷を用いて塗布し、連続的に加圧ロールを用いた貼合・封止工程に送り、１４０℃において、４０μｍのアルミ箔と圧着し（貼合圧は０．２ＭＰａ）、接着した後、各素子様に断裁（カット）して、有機ＥＬ素子試料１を作製した。
　《有機ＥＬ素子２～８の作製》
　有機ＥＬ素１の作製において、可撓性透明基材の種類、及び電子輸送層の塗布、乾燥後の加熱工程の温度と搬送張力を表１のように変更した以外は同様にして有機ＥＬ素子２～８を作製した。なお、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の乾燥工程中の温度は全て１００℃未満とし、搬送張力は全て１９６Ｎ／ｍ（２０ｋｇｆ／ｍ）とした。
　《有機ＥＬ素子の評価》
　作製した有機ＥＬ素子について、下記方法で発光効率及び半減寿命を評価した。
　（発光効率）
　株式会社エーディーシー製、直流電圧・電流源／モニタＲ６２４３を用いて、有機ＥＬ素子を駆動させ、コニカミノルタセンシング株式会社製分光放射輝度計ＣＳ１０００を用いて輝度を測定し、電流当たりの発光輝度である電流効率（ｃｄ／Ａ）を求めた。発光効率は、有機ＥＬ素子１の電流効率を１００としたときの相対値で表す。
　（半減寿命）
　半減寿命は、各試料の素子を初期輝度が４０００ｃｄ／ｍ２となるように印加電圧を調整した後、発光効率（輝度）が初期から５０％低下するまでの時間を計測した。半減寿命は、有機ＥＬ素子試料１の半減寿命を１．０としたときの相対値で表す。
　評価の結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　表１より明らかなように、本発明に係る有機ＥＬ素子２～８は、比較例の有機ＥＬ素子１に比べ発光効率が高く、かつ半減寿命が長いことが分かる。特に、電子輸送層の塗布、乾燥後の加熱工程の搬送張力を５０Ｎ／ｍ以下とした本発明に係る有機ＥＬ素子４～６、８は半減寿命が長いことが分かる。
　実施例２
　実施例１の有機ＥＬ素子４及び６の作製において、正孔注入層を形成した後、乾燥後の膜厚が１５０ｎｍになるように、正孔注入層上に下記発電層塗布液を１００℃未満で塗布、１５０℃で乾燥して発電層を設けた以外は、有機ＥＬ素子４及び６の作製と同様にして、それぞれ有機光電変換素子４及び６を作製した。発電層塗布液としては、クロロベンゼン６ｍｌに、数平均分子量４５０００のレジオレギュラーＰ３ＨＴ（ポリ－３－ヘキシルチオフェン）と、フラーレン誘導体ＰＣＢＭ（６，６－フェニル－Ｃ６１－ブチル酸メチルエステル）を質量比が１：１で、３質量％となるように溶解した溶液を用いた。
　得られた有機光電変換素子４及び６について、ソーラシミュレーター（ＡＭ１．５Ｇ）の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の強度で照射し続けたときの短絡電流密度Ｊｓｃを評価したところ、有機光電変換素子４及び６のいずれも、長時間に渡って高い安定性を示し、十分な耐光性を有することが明らかになった。本発明の製造方法では、有機ＥＬ素子と同様に、有機光電変換素子においても、量産レベルの工程において、製品の歩留まり、すなわち製造コストを低廉にすることができることが明らかになった。
　Ａ　可塑性透明基材
　Ｂ　基材繰り出し装置
　Ｃ　基材巻き取り装置
　１０　回収工程
　２０　有機ＥＬ素子
　３０　有機ＥＬ構造体
　４０　基材（可塑性透明基材）
　５０　封止基材
　１０１、３０１、５０１、７０１　ＥＰＣ
　１０２、３０２、５０２　バックアップロール
　１０３、３０３、５０３　塗布装置
　１０４、３０４、５０４　塗布液供給ライン
　１４０　封止基材接着－断裁工程
　１４１Ｃ　ステンシル
　１５０　断裁工程
　１５１Ａ、１５１Ｂ、１５１Ｃ　断裁刃
　２０１、４０１、６０１、７０３　乾燥風供給口
　２０２、４０２、６０２、７０４　乾燥風排気口
　２０３、４０３、６０３　搬送用ロール
　７０２、７０５　サクションロール

Claims (8)

  1. 　可撓性透明基材の上に、パターニングされた透明電極、及びロールツーロール方式の湿式塗布により成膜された少なくとも１層の有機層を有する有機エレクトロニクス素子の製造方法において、前記ロールツーロール方式の湿式塗布、乾燥工程中で１００℃以上に加熱する工程の搬送張力が、１００℃未満の工程の搬送張力よりも小さいことを特徴とする有機エレクトロニクス素子の製造方法。
  2. 　前記１００℃以上に加熱する工程の搬送張力が０．９８～９８Ｎ／ｍであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
  3. 　前記可撓性透明基材がポリエステルであることを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
  4. 　前記可撓性透明基材の両面にＣＨＣ（クリアハードコート層）が塗設されていることを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
  5. 　前記有機層の少なくとも一層が発光層であり、該発光層がりん光材料を含有することを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
  6. 　前記発光層が、分子量１００００以下の低分子の発光ホスト化合物と少なくとも１種の分子量１００００以下の低分子の発光ドーパント化合物を含有することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
  7. 　前記有機エレクトロニクス素子が、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載の有機エレクトロニクス素子の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする有機エレクトロニクス素子。
PCT/JP2010/050886 2009-02-03 2010-01-25 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法 WO2010090087A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010549431A JP5418505B2 (ja) 2009-02-03 2010-01-25 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009022405 2009-02-03
JP2009-022405 2009-02-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010090087A1 true WO2010090087A1 (ja) 2010-08-12

Family

ID=42541991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/050886 WO2010090087A1 (ja) 2009-02-03 2010-01-25 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (2) JP5418505B2 (ja)
WO (1) WO2010090087A1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012238661A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Ulvac Japan Ltd 有機薄膜太陽電池の成膜装置
WO2013100284A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Kolon Industries, Inc. Method for manufacturing organic solar cell and the organic solar cell manufacturing by using the same
CN103201024A (zh) * 2010-11-05 2013-07-10 日东电工株式会社 片状分离膜的制造方法
WO2014091868A1 (ja) * 2012-12-11 2014-06-19 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2014116224A (ja) * 2012-12-11 2014-06-26 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2014125505A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 部品製造方法、接合剥離装置、および複合キャリア
WO2014148305A1 (ja) * 2013-03-22 2014-09-25 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
WO2014187958A1 (de) * 2013-05-23 2014-11-27 Kuka Systems Gmbh Herstellvorrichtung und herstellverfahren für eine mehrlagige schichtanordnung
JP2015501226A (ja) * 2011-11-01 2015-01-15 ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン 有機感光性デバイスのための金属基板表面の調製方法
WO2016017806A1 (ja) * 2014-08-01 2016-02-04 日東電工株式会社 可撓性薄膜構造の表示セルに光学機能フィルムを貼り合わせる方法
JP2016035507A (ja) * 2014-08-01 2016-03-17 日東電工株式会社 可撓性薄膜構造の表示セルを取り扱う方法
EP3252804A1 (en) * 2016-06-03 2017-12-06 ATOTECH Deutschland GmbH Electrostatic discharge unit
JP6375016B1 (ja) * 2017-04-26 2018-08-15 住友化学株式会社 電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法
WO2019078069A1 (ja) 2017-10-20 2019-04-25 リンテック株式会社 ガスバリアフィルム用基材、ガスバリアフィルム、電子デバイス用部材、及び電子デバイス
WO2020022289A1 (ja) 2018-07-23 2020-01-30 住友化学株式会社 有機電子デバイスの製造方法
US11360243B2 (en) 2015-07-17 2022-06-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Layered body for optical member and image display device

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150097359A (ko) * 2014-02-18 2015-08-26 주식회사 엘지화학 봉지 필름 및 이를 포함하는 유기전자장치
JP5799181B1 (ja) * 2015-01-07 2015-10-21 住友化学株式会社 有機電子素子の製造方法
JP6471623B2 (ja) * 2015-06-18 2019-02-20 コニカミノルタ株式会社 成膜装置及び成膜方法
JP2018137365A (ja) * 2017-02-22 2018-08-30 三菱ケミカル株式会社 太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池素子製造装置
CN111096072A (zh) * 2017-09-20 2020-05-01 柯尼卡美能达株式会社 层叠膜的制造方法和电子设备的制造方法
JP2020021707A (ja) * 2018-08-03 2020-02-06 住友化学株式会社 近赤外線と遠赤外線を併用する有機電子素子の製造方法及び有機電子素子の製造装置
WO2023209492A1 (ja) * 2022-04-29 2023-11-02 株式会社半導体エネルギー研究所 発光デバイスおよび発光装置の作製方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001005194A1 (fr) * 1999-07-07 2001-01-18 Sony Corporation Procede et appareil de fabrication d'afficheur electroluminescent organique souple
WO2003022575A1 (en) * 2001-09-11 2003-03-20 Dupont Teijin Films U.S. Limited Partnership Heat-stabilised poly(ethylene naphthalate) film for flexible electronic and opto-electronic devices
JP2004001465A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Fuji Photo Film Co Ltd パターン部材の製造方法及び製造装置
JP2006294536A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002008860A (ja) * 2000-04-18 2002-01-11 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP5204358B2 (ja) * 2000-10-30 2013-06-05 帝人株式会社 ディスプレイ用透明フィルム
JP3970022B2 (ja) * 2001-12-27 2007-09-05 帝人株式会社 ガスバリア性透明フィルム
JP2003329827A (ja) * 2002-05-16 2003-11-19 Fuji Photo Film Co Ltd パターン部材の製造方法及び製造装置
JP4280597B2 (ja) * 2003-02-04 2009-06-17 日東電工株式会社 位相差板の製造方法
JP2004330507A (ja) * 2003-05-02 2004-11-25 Teijin Ltd ディスプレイ用に適したガスバリア性高分子積層フィルム
US20060240196A1 (en) * 2003-10-10 2006-10-26 Shunsuke Shutou Method of producing retardation plate
WO2006100889A1 (ja) * 2005-03-23 2006-09-28 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機ｅｌ層の形成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001005194A1 (fr) * 1999-07-07 2001-01-18 Sony Corporation Procede et appareil de fabrication d'afficheur electroluminescent organique souple
WO2003022575A1 (en) * 2001-09-11 2003-03-20 Dupont Teijin Films U.S. Limited Partnership Heat-stabilised poly(ethylene naphthalate) film for flexible electronic and opto-electronic devices
JP2004001465A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Fuji Photo Film Co Ltd パターン部材の製造方法及び製造装置
JP2006294536A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103201024A (zh) * 2010-11-05 2013-07-10 日东电工株式会社 片状分离膜的制造方法
CN103201024B (zh) * 2010-11-05 2016-01-20 日东电工株式会社 片状分离膜的制造方法
US9878292B2 (en) 2010-11-05 2018-01-30 Nitto Denko Corporation Method for manufacturing sheet-shaped separation membrane
JP2012238661A (ja) * 2011-05-10 2012-12-06 Ulvac Japan Ltd 有機薄膜太陽電池の成膜装置
JP2015501226A (ja) * 2011-11-01 2015-01-15 ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン 有機感光性デバイスのための金属基板表面の調製方法
WO2013100284A1 (en) * 2011-12-28 2013-07-04 Kolon Industries, Inc. Method for manufacturing organic solar cell and the organic solar cell manufacturing by using the same
WO2014091868A1 (ja) * 2012-12-11 2014-06-19 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2014116224A (ja) * 2012-12-11 2014-06-26 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPWO2014091868A1 (ja) * 2012-12-11 2017-01-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2014125505A (ja) * 2012-12-25 2014-07-07 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 部品製造方法、接合剥離装置、および複合キャリア
WO2014148305A1 (ja) * 2013-03-22 2014-09-25 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
WO2014187958A1 (de) * 2013-05-23 2014-11-27 Kuka Systems Gmbh Herstellvorrichtung und herstellverfahren für eine mehrlagige schichtanordnung
JP2016035507A (ja) * 2014-08-01 2016-03-17 日東電工株式会社 可撓性薄膜構造の表示セルを取り扱う方法
KR20160016591A (ko) * 2014-08-01 2016-02-15 닛토덴코 가부시키가이샤 가요성 박막 구조의 표시 셀에 광학 기능 필름을 첩합하는 방법
CN105321866A (zh) * 2014-08-01 2016-02-10 日东电工株式会社 向挠性薄膜结构的显示元件贴合光学功能膜的方法
WO2016017806A1 (ja) * 2014-08-01 2016-02-04 日東電工株式会社 可撓性薄膜構造の表示セルに光学機能フィルムを貼り合わせる方法
CN105321866B (zh) * 2014-08-01 2018-06-26 日东电工株式会社 向挠性薄膜结构的显示元件贴合光学功能膜的方法
KR102457666B1 (ko) 2014-08-01 2022-10-24 닛토덴코 가부시키가이샤 가요성 박막 구조의 표시 셀에 광학 기능 필름을 첩합하는 방법
JP2016035508A (ja) * 2014-08-01 2016-03-17 日東電工株式会社 可撓性薄膜構造の表示セルに光学機能フィルムを貼り合わせる方法
US11360243B2 (en) 2015-07-17 2022-06-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Layered body for optical member and image display device
CN109196633B (zh) * 2016-06-03 2022-03-25 德国艾托特克公司 静电放电单元
EP3252804A1 (en) * 2016-06-03 2017-12-06 ATOTECH Deutschland GmbH Electrostatic discharge unit
WO2017207300A1 (en) * 2016-06-03 2017-12-07 Atotech Deutschland Gmbh Electrostatic discharge unit
CN109196633A (zh) * 2016-06-03 2019-01-11 德国艾托特克公司 静电放电单元
JP2018185992A (ja) * 2017-04-26 2018-11-22 Sumitomo Chemical Co Ltd 電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法
JP6375016B1 (ja) * 2017-04-26 2018-08-15 住友化学株式会社 電極付き基板、積層基板及び有機デバイスの製造方法
WO2019078069A1 (ja) 2017-10-20 2019-04-25 リンテック株式会社 ガスバリアフィルム用基材、ガスバリアフィルム、電子デバイス用部材、及び電子デバイス
KR20210035222A (ko) 2018-07-23 2021-03-31 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전자 디바이스의 제조 방법
WO2020022289A1 (ja) 2018-07-23 2020-01-30 住友化学株式会社 有機電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2010090087A1 (ja) 2012-08-09
JP5418505B2 (ja) 2014-02-19
JP2014029883A (ja) 2014-02-13
JP5574037B2 (ja) 2014-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5574037B2 (ja) ロールツーロール方式の有機エレクトロニクス素子の製造装置
JP5093049B2 (ja) 有機エレクトロニクス素子、その製造方法、及び製造装置
JP5055711B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
JP5494648B2 (ja) 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法
JP2007200692A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネル
WO2013073302A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体
JP2011108566A (ja) 有機ｅｌパネル
JP5447244B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP5888095B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2007073332A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP5104301B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2008226471A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP5181920B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPWO2008102867A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5018317B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5353898B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2010084815A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5092756B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス照明装置および有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置
JPWO2009025186A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2006302814A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス層の形成方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014104102A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5862439B2 (ja) 有機半導体素子及びその製造方法
JP5472107B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
JP5170102B2 (ja) 有機エレクトロニクス素子の製造方法
WO2011105140A1 (ja) フレキシブル有機ｅｌ素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10738425

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010549431

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 10738425

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1