WO2011105140A1 - フレキシブル有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents

フレキシブル有機ｅｌ素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011105140A1
WO2011105140A1 PCT/JP2011/051077 JP2011051077W WO2011105140A1 WO 2011105140 A1 WO2011105140 A1 WO 2011105140A1 JP 2011051077 W JP2011051077 W JP 2011051077W WO 2011105140 A1 WO2011105140 A1 WO 2011105140A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
organic
electrode
flexible
flexible organic
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/051077
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
隆人 千葉
敬吏 小西
一 都司
Original Assignee
コニカミノルタホールディングス株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コニカミノルタホールディングス株式会社 filed Critical コニカミノルタホールディングス株式会社
Priority to JP2012501702A priority Critical patent/JPWO2011105140A1/ja
Publication of WO2011105140A1 publication Critical patent/WO2011105140A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a flexible organic EL element, and more particularly to a method for manufacturing a flexible organic EL element that suppresses the generation of dark spots.
  • organic EL elements organic electroluminescence elements
  • the organic EL element includes a first electrode (anode or cathode) formed on a substrate, an organic layer (single layer portion or multilayer portion) including a light emitting layer containing an organic light emitting material laminated thereon, It is a thin film type device having a second electrode (cathode or anode) laminated on an organic layer.
  • the organic EL element is a thin film type element
  • a surface light source such as a backlight
  • a surface light source such as a backlight
  • the liquid crystal display device has high visibility and no viewing angle dependency. There are benefits that cannot be obtained.
  • an organic EL element has a first electrode (anode), a hole transport layer (hole injection layer), a (light emitting layer), an electron injection layer, and a second electrode (cathode) on a substrate.
  • the adhesive layer and the sealing member are provided in this order.
  • an electron transport layer may be provided between the cathode, the (light emitting layer), and the electron injection layer.
  • a gas barrier film may be provided between the anode and the substrate.
  • the first electrode (anode) side is usually the observation side, and the first electrode (anode) includes ITO (mixture of tin oxide and indium oxide), IZO (mixture of zinc oxide and indium oxide), ZnO. It is known to use SnO 2 , In 2 O 3 or the like.
  • the ITO electrode has a high light transmittance of 90% or more and a low sheet resistance value of 10 ⁇ / ⁇ or less, and is also used as a transparent electrode for liquid crystal displays and solar cells.
  • the IZO electrode has an advantage that a predetermined low resistance value can be obtained without heating the substrate at the time of formation, and the film surface is smoother than the ITO electrode.
  • an organic EL element When manufacturing an organic EL element as described above, it is important to maintain a cleaning property that prevents contamination of the light emitting layer in order to prevent deterioration of the organic EL element. Further, in an organic EL element, a non-emission point called a dark spot is generated by long-time driving, and the growth of the dark spot is one of the causes for shortening the lifetime of the organic EL element. It is known that a dark spot is generated in a size that is generally invisible to the naked eye immediately after the initial stage of driving, and grows by continuous driving using this as a core. Further, it is known that dark spots are generated even in a storage state where driving is not performed and grows with time.
  • a method using an organic base for cleaning is disclosed in a field that requires precise cleaning of semiconductors and the like.
  • a method of cleaning with an organic base when forming a wiring material on a semiconductor substrate see, for example, Patent Document 1
  • a method of using an organic base in the process of forming a photoresist pattern on a silicon oxide film for example, refer to Patent Document 2.
  • the cleaning methods disclosed in these documents are for the purpose of removing contamination such as fine particles, and are technically different from the technology in the present invention.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and its purpose is to manufacture a flexible organic EL element (hereinafter also simply referred to as an organic EL element) in which the generation of dark spots is suppressed and the life of the light emitting layer is extended. Is to provide a method.
  • a method for producing a flexible organic EL device in which at least a first electrode, an organic layer, and a second electrode are laminated in this order on the surface of a flexible substrate, wherein the flexible substrate laminated up to the first electrode is treated with an organic base.
  • the manufacturing method of the flexible organic EL element characterized by wash
  • the use of a cleaning agent containing an organic base reduces the dark spots of the organic EL device and further extends the lifetime.
  • the organic base is a tetramethylammonium salt, it has a cleaning property and can also prevent surface roughness.
  • the organic base has a very high pH and has a detergency against organic foreign substances.
  • the adsorptivity on the surface of transparent oxide electrodes such as ITO is weaker than that of inorganic alkali potassium and sodium, so that surface irregularities due to separation of the transparent oxide electrode surface atoms due to adsorption are also suppressed. I guess.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the layer structure of the flexible organic EL device of the present invention.
  • the flexible organic EL element 1 indicates a flexible organic EL element.
  • the flexible organic EL element 1 includes an anode layer 102 including a first electrode, a hole transport layer (hole injection layer) 103, a light emitting layer 104, an electron injection layer 105, and a second electrode on a substrate 101.
  • a hole injection layer (not shown) may be provided between the anode layer 102 including the first electrode and the hole transport layer 103.
  • an electron transport layer (not shown) may be provided between the cathode layer 106 including the second electrode, the light emitting layer 104, and the electron injection layer 105.
  • a gas barrier film (not shown) may be provided between the anode layer 102 including the first electrode and the substrate 101.
  • the layer configuration of the flexible organic EL element shown in this figure is an example, but the following configurations can be given as the layer configuration of another typical flexible organic EL element.
  • the first electrode (anode) side is
  • the ITO electrode has a high light transmittance of 90% or more and a low sheet resistance value of 10 ⁇ / ⁇ or less, and is also used as a transparent electrode for liquid crystal displays and solar cells.
  • Electrode (cathode) As the second electrode (cathode), a material having a small work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
  • the anode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 to 200 nm.
  • the light emission luminance is improved, which is convenient.
  • a transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the conductive transparent material mentioned in the description of the anode on the cathode after producing the metal with a film thickness of 1 to 20 nm. By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.
  • Examples of the flexible substrate according to the present invention include a single-wafer sheet-like substrate and a strip-like flexible substrate.
  • Examples of the single-wafer sheet-like substrate include a thin film transparent glass sheet and a sheet-like transparent resin film.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, poly Cycloolefin resins such as ether imide, polyether ketone imide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or
  • a gas barrier film is preferably formed on the surface of the resin film as necessary.
  • the gas barrier film include an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both.
  • the water vapor permeability is 0.01 g / m 2 ⁇ day ⁇ atm (1 atm is 1.01325 ⁇ 10 5 Pa) or less.
  • a high barrier film having an oxygen permeability of 10 ⁇ 3 ml / m 2 / day or less and a water vapor permeability of 10 ⁇ 5 g / m 2 / day or less is preferable.
  • sealing member it should just be arrange
  • a polymer film and a metal film can be preferably used because the flexible organic EL element can be thinned.
  • the polymer film measured oxygen permeability by the method based on JIS K 7126-1987 is 1 ⁇ 10 -3 ml / m 2 / 24h or less, as measured by the method based on JIS K 7129-1992 water vapor transmission rate (25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity (90 ⁇ 2)% RH) is preferably that of 1 ⁇ 10 -3 g / (m 2 / 24h) or less.
  • sealing member For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.
  • the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups of acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to.
  • hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned.
  • a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.
  • a desiccant may be dispersed in the adhesive.
  • coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.
  • an sealing layer by forming an inorganic or organic layer in contact with the substrate by covering the electrode and the organic layer on the outer side of the electrode facing the substrate with the organic layer interposed therebetween.
  • the material for forming the film may be a material having a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.
  • vacuum deposition sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma
  • a combination method a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
  • an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and the liquid phase.
  • a vacuum can also be used.
  • a hygroscopic compound can also be enclosed inside.
  • hygroscopic compound examples include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate).
  • metal oxides for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide
  • sulfates for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate.
  • metal halides eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.
  • perchloric acids eg perchloric acid Barium, magnesium perchlorate, and the like
  • anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
  • Organic layer is composed of an anode buffer layer (hole injection layer) / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer), etc. Each layer is described below.
  • the light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is in the layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
  • the thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but it is 2 to 2 from the viewpoint of the uniformity of the film to be formed and the application of unnecessary high voltage during light emission, and the improvement of the stability of the emission color with respect to the driving current. It is preferable to adjust to a range of 200 nm, and more preferably to a range of 5 to 100 nm.
  • the light emitting layer of the flexible organic EL device of the present invention preferably contains at least one of a host compound and a light emitting dopant as a guest material, and more preferably contains a host compound and three or more light emitting dopants.
  • the host compound and light emitting dopant contained in the light emitting layer will be described below.
  • the host compound in the present invention is a phosphorescent quantum yield of phosphorescence emission at a room temperature (25 ° C.) having a mass ratio of 20% or more in the compound contained in the light emitting layer. Is a compound of less than 0.1.
  • the phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
  • known host compounds may be used alone or in combination of two or more.
  • charge movement can be adjusted, and the efficiency of the flexible organic EL element can be increased.
  • the host compound used in the present invention a conventionally known low molecular compound is preferable.
  • Luminescent dopant The light emitting dopant according to the present invention will be described.
  • a fluorescent dopant or a phosphorescent dopant can be used. From the viewpoint of obtaining a flexible organic EL element with higher luminous efficiency, the light emitting layer or light emitting unit of the flexible organic EL element of the present invention.
  • the light emitting dopant used in the above it is preferable to contain a phosphorescent dopant at the same time as containing the host compound.
  • the phosphorescent dopant can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the flexible organic EL device.
  • the phosphorescent dopant according to the present invention is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound). Rare earth complexes, most preferably iridium compounds. Further, the phosphorescent dopant is preferably a low molecular compound.
  • Injection layer electron injection layer, hole injection layer >> The injection layer is provided as necessary, and there are an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, it exists between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. May be.
  • An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance.
  • Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).
  • anode buffer layer hole injection layer
  • copper phthalocyanine is used.
  • examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.
  • ferrocene compounds described in JP-A-6-025658 starburst type compounds described in JP-A-10-233287, JP-A-2000-068058, JP-A-2004-6321 Triarylamine type compounds described in the publication, sulfur-containing ring-containing compounds described in JP-A No. 2002-117879, US Patent Application Publication No. 2002/0158242, US Patent Application Publication No. 2006 / Examples of the hole injection layer include hexaazatriphenylene compounds described in Japanese Patent No. 0251922, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-49393, and the like.
  • the application of the present invention may be applied to any of the organic layers of the flexible organic EL element, but is preferably applied to a layer adjacent to the electrode, particularly an anode buffer layer (hole injection layer or hole injection transport). Application is also most preferred.
  • cathode buffer layer (electron injection layer) The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc.
  • Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc.
  • the buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 ⁇ m, although it depends on the material.
  • ⁇ Blocking layer hole blocking layer, electron blocking layer>
  • the blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258 and 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (published by NTT Corporation on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.
  • the hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons and has a remarkably small ability to transport holes. The probability of recombination of electrons and holes can be improved by blocking. Moreover, the structure of the electron carrying layer mentioned later can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.
  • the hole blocking layer of the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
  • the hole blocking layer preferably contains the azacarbazole derivative mentioned as the host compound described above.
  • the hole element layer preferably has an ionization potential of 0.3 eV or more larger than the host compound of the light emitting layer.
  • the ionization potential is preferably 0.3 eV or more larger than the host compound located closest to the cathode.
  • the ionization potential is defined by the energy required to emit electrons at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be obtained by, for example, the following method.
  • Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), a molecular orbital calculation software manufactured by Gaussian, USA, is used as a keyword.
  • the ionization potential can be obtained as a value obtained by rounding off the second decimal place of a value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / 6-31G *. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.
  • the ionization potential can also be obtained by a method of directly measuring by photoelectron spectroscopy.
  • a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki, or a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used.
  • the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the film thickness of the hole blocking layer and the electron transporting layer according to the present invention is preferably 3 to 100 nm, more preferably 5 to 30 nm.
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • the hole transport material has either hole injection or transport or electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.
  • triazole derivatives oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives
  • Examples thereof include stilbene derivatives and silazane derivatives.
  • the above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N ′′ — Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolyla
  • No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring of, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ′, 4 ′′ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.
  • NPD 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl
  • JP-A-4-308 4,4 ′, 4 ′′ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 88 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
  • JP-A-11-251067 J. Org. Huang et. al.
  • a so-called p-type hole transport material described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used.
  • these materials are preferably used because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.
  • the hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, or a casting method.
  • the thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • a hole transport layer having a high p property doped with impurities examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • an electron transport material also serving as a hole blocking material used for an electron transport layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side is injected from the cathode.
  • any material can be selected and used from among conventionally known compounds. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives Thiopyrandioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives and the like.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron withdrawing group can also be used as an electron transport material.
  • a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), and the like, and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Metal complexes replaced with Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material.
  • metal-free or metal phthalocyanine or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.
  • the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material for the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc. as in the case of the hole injection layer and the hole transport layer. Can also be used as an electron transporting material.
  • the electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, or a casting method.
  • the thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • n-type electron transport layer doped with impurities examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be produced.
  • Gas barrier film As a material for forming the gas barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used.
  • the method for forming the barrier film is not particularly limited, and for example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma polymerization
  • a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
  • the layer configuration of the flexible multilayer resin member is the same as the flexible sealing member described later.
  • the equilibrium water absorption rate in the atmosphere (20 ° C., 65% RH) is preferably 2.0% or less in consideration of the water absorption and moisture permeability of the flexible multilayer resin member.
  • the equilibrium water absorption is a value of water absorption measured according to ASTM D570 after being left in the atmosphere (20 ° C., 65% RH) for 100 hours.
  • the thickness of the resin base material 108a is preferably 10 ⁇ m to 500 ⁇ m in consideration of handling at the time of manufacture, tensile strength, stress cracking resistance of the sealing member, and the like.
  • the water absorption measured in accordance with ASTM D570 at the time of sealing the flexible multilayer resin member takes into account the crystallization of the organic layer, the generation of dark spots, the extension of the life of the organic EL element, etc. due to the brought-in moisture. 0% or less is preferable.
  • the same member as the flexible sealing member can be used as the sealing member.
  • FIG. 2 is an enlarged schematic cross-sectional view of a portion indicated by T in FIG.
  • the sealing layer 108 includes, for example, a sealing member a108a and a sealing member b108b.
  • a protective layer (not shown) may be provided on the sealing member b108b (in the drawing, between the sealing member b108b and the sealant layer 107).
  • the sealing layer 108 is formed by bonding onto the anode layer including the first electrode through a sealing agent.
  • the water absorption measured according to ASTM D570 when sealing the flexible sealing member is 1.0% or less. If the water absorption rate exceeds 1.0%, the organic layer is crystallized due to moisture brought in by the flexible sealing member, the generation of dark spots due to peeling of the second electrode, etc., and the lifetime of the flexible organic EL element is prolonged. It is not preferable because it cannot be removed.
  • the equilibrium water absorption rate of the flexible sealing member in the atmosphere (20 ° C., 65% RH) at 23 ° C. and 50% RH takes into consideration the water absorption and moisture permeability of the flexible sealing member. It is preferably 0% or less.
  • the equilibrium water absorption is a value of water absorption measured according to ASTM D570 after being left in the atmosphere (20 ° C., 65% RH) for 100 hours.
  • the thickness of the resin base material 108a is preferably 10 ⁇ m to 500 ⁇ m in consideration of handling at the time of manufacture, tensile strength, stress cracking resistance of the sealing member, and the like.
  • the thickness of the sealing member b108b is preferably 5 nm to 200 ⁇ m in consideration of barrier performance, stress cracking resistance of the sealing member, and the like.
  • the other physical property values (water vapor permeability, oxygen permeability, rigidity) of the flexible sealing member according to the present invention preferably have the following values.
  • the water vapor transmission rate is preferably 0.01 g / m 2 ⁇ day or less in consideration of gas barrier properties required for commercialization as an organic EL element.
  • the water vapor transmission rate is a value measured mainly by the MOCON method by a method based on the JIS K7129B method (1992).
  • the oxygen permeability is preferably 0.01 ml / m 2 ⁇ day ⁇ atm or less.
  • the oxygen permeability is a value measured mainly by the MOCON method by a method based on JIS K7126B method (1987).
  • the rigidity (Young's modulus) is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 GPa to 80 GPa in consideration of handling at the time of manufacture, tensile strength, stress cracking resistance of the sealing member, and the like.
  • the resin base material 108a constituting the flexible sealing member used in the present invention is not particularly limited.
  • ethylene tetrafluoroethyl copolymer ETFE
  • high density polyethylene HDPE
  • oriented polypropylene OPP
  • PS Polystyrene
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • stretched nylon ONy
  • PET polyethylene terephthalate
  • PC polycarbonate
  • PES polyimide
  • PES polyether styrene
  • a thermoplastic resin film material can be used.
  • thermoplastic resin films a multilayer film produced by coextrusion with a different film, a multilayer film produced by bonding with different stretching angles, etc. can be used as required. Further, it is naturally possible to combine the density and molecular weight distribution of the film used to obtain the required physical properties.
  • Examples of the sealing member include an inorganic vapor deposition film and a metal foil.
  • Examples of inorganic vapor deposition films include thin film handbooks p879-p901 (Japan Society for the Promotion of Science), vacuum technology handbooks p502-p509, p612, p810 (Nikkan Kogyo Shimbun), vacuum handbook revised editions p132-p134 (ULVAC Japan Vacuum Technology KK). Inorganic films as described in (1).
  • a material of the metal foil for example, a metal material such as aluminum, copper, or nickel, or an alloy material such as stainless steel or aluminum alloy can be used, but aluminum is preferable in terms of workability and cost.
  • the film thickness is about 1 to 100 ⁇ m, preferably about 10 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • a protective layer may be provided on the sealing member.
  • the thickness of the protective layer is preferably 100 nm to 200 ⁇ m in consideration of stress cracking resistance, electrical insulation resistance of the sealing member, and adhesiveness (adhesive force, step following ability) when used as a sealing agent layer.
  • a thermoplastic resin film having a JIS K 7210 specified melt flow rate of 5 to 20 g / 10 min is preferable, and a thermoplastic resin film of 6 to 15 g / 10 min or less is more preferably used.
  • thermoplastic resin film is not particularly limited as long as it satisfies the above numerical values.
  • LDPE low-density polyethylene
  • HDPE linear low density polyethylene
  • LLDPE linear low density polyethylene
  • CPP unstretched polypropylene
  • OPP ONy
  • PET cellophane
  • PVA polyvinyl alcohol
  • OV stretched vinylon
  • EVOH ethylene-vinyl acetate copolymer
  • LDPE ethylene-propylene copolymer
  • ethylene-acrylic acid copolymer ethylene-methacrylic acid copolymer
  • PVDC vinylidene chloride
  • thermoplastic resin films it is particularly preferable to use LDPE, LLDPE produced by using LDPE, LLDPE and a metallocene catalyst, or a film using a mixture of these films and HDPE films.
  • Organic base Although there is no restriction
  • Many of the compounds used as the organic base can include amines or heterocyclic compounds containing a nitrogen atom. Specific examples include di- or trialkylamines such as diethylamine, dibutylamine, triethylamine, and tributylamine.
  • examples of the heterocyclic compound include pyridine, 4-t-butylpyridine, polyvinylpyridine, quinoline, piperidine and the like. In particular, a quaternary salt is preferable, and examples thereof include tetramethylammonium hydroxide and tetrabutylammonium hydroxide.
  • a low molecular weight quaternary ammonium salt is preferred, and tetramethylammonium hydroxide is particularly preferred.
  • a surfactant such as sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite, sodium metabisulfite
  • the surfactant any of cationic, anionic, amphoteric and nonionic can be used.
  • the active agent for adjusting the surface tension is preferably an anionic surfactant.
  • cationic surfactant examples include aliphatic amine salts, aliphatic quaternary ammonium salts, benzalkonium salts, benzethonium chloride, pyridinium salts, imidazolinium salts, and the like.
  • anionic surfactants include fatty acid soap, N-acyl-N-methylglycine salt, N-acyl-N-methyl- ⁇ -alanine salt, N-acyl glutamate, alkyl ether carboxylate, acylated peptide , Alkyl sulfonate, alkyl benzene sulfonate, alkyl naphthalene sulfonate, dialkyl sulfosuccinate, alkyl sulfoacetate, ⁇ -olefin sulfonate, N-acyl methyl taurine, sulfated oil, higher alcohol sulfate Salts, secondary higher alcohol sulfates, alkyl ether sulfates, secondary higher alcohol ethoxy sulfates, polyoxyethylene alkyl phenyl ether sulfates, monoglyculates, fatty acid alkylolamide sulfates, alkyl ether phosphate esters Salt,
  • amphoteric surfactants include carboxybetaine type, sulfobetaine type, aminocarboxylate, imidazolinium betaine and the like.
  • Nonionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene secondary alcohol ether, polyoxyethylene alkylphenyl ether (eg, Emulgen 911), polyoxyethylene sterol ether, polyoxyethylene lanolin derivative, polyoxyethylene Polyoxypropylene alkyl ether (for example, Newpol PE-62), polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene castor oil, hydrogenated castor oil, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, polyethylene glycol fatty acid ester, Fatty acid monoglyceride, polyglycerin fatty acid ester, sorbitan fatty acid ester, propylene glycol fatty acid ester Sucrose fatty acid esters, fatty acid alkanolamides, polyoxyethylene fatty acid amides, polyoxyethylene alkyl amines, alkyl amine oxides, acetylene glycol, acetylene alcohol, and the like.
  • these surfactants When used, they can be used alone or in admixture of two or more kinds, and should be added in the range of 0.001 to 1.0 mass% with respect to the total amount of the cleaning liquid containing the organic base.
  • the surface tension of the detergent can be arbitrarily adjusted. When implementing this invention, it is not limited to these.
  • Constituents contained in general detergents such as antifoaming agents for preventing detergent foam, builder for sequestering metals, and solvents for assisting cleaning (for example, lower alcohols such as glycol ether and isopropyl alcohol) It can be added appropriately as necessary.
  • ⁇ Method for Fabricating Flexible Organic EL Element >> There is no restriction
  • a general manufacturing method there are a method of manufacturing an organic layer by vacuum deposition and a method of manufacturing a part or all of the organic layer by a wet method.
  • a wet method will be described.
  • the wet method referred to in the present invention is to form a layer by supplying a layer forming material in the form of a solution when forming a layer.
  • an anode is manufactured by forming a thin film made of a desired electrode material, for example, an anode material on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably 10 to 200 nm.
  • a method for forming each of these layers there are a vapor deposition method, a wet method (a coating method using a so-called die, such as a spin coating method, a casting method, and an extrusion method) as described above. Furthermore, in the present invention, film formation by a spin coating method or an extrusion method coating method is preferred from the standpoint that a homogeneous film can be easily obtained and pinholes are hardly generated.
  • Examples of the solvent for dissolving the organic EL material according to the present invention include nitriles such as acetonitrile and propionitrile, alcohols such as methanol, ethanol and butanol, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, acetic acid, and the like.
  • Fatty acid esters such as ethyl, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, amides such as DMF, sulfoxides such as DMSO, and organic solvents such as nitromethane can be used.
  • a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and a cathode is provided.
  • a desired organic EL element can be obtained.
  • a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode.
  • An alternating voltage may be applied.
  • the alternating current waveform to be applied may be arbitrary.
  • the cleaning process using the organic base of the present invention is preferably performed on a plastic substrate laminated up to the first electrode, but can also be performed on the plastic substrate before coating the first electrode. preferable.
  • Examples of the cleaning method include ultrasonic cleaning, spray / shower cleaning, jet cleaning, brush cleaning, and the like, but ultrasonic cleaning or brush cleaning (immersion or bubbling cleaning) using PVA sponge or the like is preferable. Particularly preferred is ultrasonic cleaning.
  • the formed flexible organic EL element may be formed on a flexible substrate of a single wafer.
  • a flexible substrate for example, in a form as shown in FIG.
  • a plurality of films are continuously formed on a belt-like flexible substrate.
  • a plurality of first electrode patterns arranged side by side are first formed on a strip-shaped flexible substrate.
  • the first electrode pattern for example, in the case of an anode, an ITO film is formed by sputtering or the like.
  • the electrode pattern can be continuously formed on the flexible support using a lift-off method using a resist or a mask.
  • an organic layer is continuously formed on the entire surface, for example, by a wet process such as coating.
  • the organic layer formed continuously on the entire surface by coating or the like is wiped along the conveyance direction of the flexible substrate as shown in FIG. It is patterned by removing.
  • patterning can be performed by wiping multiple layers together, or patterning by wiping off the organic layer can be repeated.
  • the second electrode is formed in a pattern shape on this, and a panel in which a plurality of organic EL elements are juxtaposed can be produced.
  • the organic layer is patterned to expose the end portion of the first electrode layer, and the second electrode layer pattern is formed on the exposed end portion of the first electrode layer.
  • the organic EL elements arranged in the width direction of the support are connected so as to be electrically connected in series.
  • FIG. 3D a pattern of the second electrode (cathode) is formed.
  • three elements are electrically connected in series.
  • the second electrode is a cathode made of, for example, aluminum, and can be similarly formed by patterning using a sputtering method, a vapor deposition method, or the like.
  • FIG. 4 shows an example of the wiping head or wiping device of the present invention for continuously removing the coating material from the continuous sheet on which the organic layer (coating material) is formed by wiping, and a schematic view of the wiping state. .
  • the wiping device has a wiping unit 12.
  • the wiping unit 12 includes a feeding roll 16 for feeding the tape-like member 15 and a winding roll 17 for winding. Between the feed roll 16 and the take-up roll 17, a solvent supply means for supplying a solvent impregnating the tape-like member 15 is provided.
  • the solvent supply means includes a solvent holding tank 18 and a supply pipe 19 that guides the solvent from there to the tape member 15. Between the solvent supply pipe 19 and the take-up roll 17, a pressing roll 21 for pressing the tape-like member 15 against the organic layer is provided.
  • the pressing roll 21 is connected to the cylinder 22 and can press the tape-like member 15 against the organic layer on the strip-like flexible substrate with a desired pressure.
  • the wiping unit 12 is supported by a first position adjusting means 13 that allows the wiping unit 12 to move in the width direction of the flexible base material.
  • FIG. 4 (b) is a side view seen from the direction of the arrow in FIG. 4 (a).
  • the tape-like member 15 is preferably selected from porous, solvent resistant, fibrous, woven fabric, non-woven fabric, etc., having a width of 1 to 5 mm, depending on the pattern, but here it has a width of 2 mm. Cotton cloth tape is used.
  • the width of the tape-shaped member is preferably in the range of wiping width to 80% of the wiping width, and preferably in the range of 95% to 80% of the wiping width. This is because the organic layer adjacent to the tape-like member is wiped off by the wettability of the solvent with respect to the base material or the penetration of the organic solvent into the organic layer.
  • the solvent can be appropriately selected from the solubility and swelling property of the organic layer material.
  • a solvent that has a low boiling point and a high vapor pressure and is easy to evaporate is preferable in order to reduce residual in the organic layer.
  • acetone, isopropanol, methyl ethyl ketone and the like can be mentioned.
  • a protective film or a protective plate may be provided outside the sealing film or the sealing film on the side facing the substrate with the organic layer interposed therebetween.
  • the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate.
  • the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, and the like used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.
  • the organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1) and can extract only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle ⁇ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.
  • a method of improving the light extraction efficiency for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate and preventing total reflection at the transparent substrate and the air interface (US Pat. No. 4,774,435), A method for improving efficiency by giving light condensing property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. Sho 63-314795), a method for forming a reflective surface on the side surface of an organic EL element (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 1-220394), a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the substrate and the light emitter (Japanese Patent Laid-Open No.
  • a method of introducing a flat layer having a structure Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827, and a method of forming a diffraction grating between any one of a substrate, a transparent electrode layer and a light emitting layer (including between the substrate and the outside) No. 283751) That.
  • these methods can be used in combination with the organic EL device according to the present invention.
  • a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate A method of forming a diffraction grating between any layers of the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.
  • the low refractive index layer examples include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.
  • the thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.
  • the method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency.
  • This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction.
  • Light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating in any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is removed. I want to take it out.
  • the diffraction grating to be introduced has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much. However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.
  • the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.
  • the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.
  • the arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.
  • the flexible organic EL element of the present invention can be processed on the light extraction side of the substrate, for example, by providing a microlens array-like structure, or combined with a so-called condensing sheet, for example in a specific direction, for example, the element light emitting surface.
  • luminance in a specific direction can be raised by condensing in a front direction.
  • quadrangular pyramids having a side of 30 ⁇ m and an apex angle of 90 degrees are arranged two-dimensionally on the light extraction side of the substrate.
  • One side is preferably 10 to 100 ⁇ m. If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate
  • the condensing sheet it is possible to use, for example, a sheet that has been put to practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device.
  • a sheet for example, Sumitomo 3M brightness enhancement film (BEF) can be used.
  • BEF Sumitomo 3M brightness enhancement film
  • the shape of the prism sheet for example, a triangle stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 ⁇ m may be formed on the substrate, the vertex angle may be rounded, and the pitch may be changed randomly. Other shapes may be used.
  • a light diffusion plate / film may be used in combination with the light collecting sheet.
  • a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.
  • the flexible organic EL element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light sources.
  • lighting devices home lighting, interior lighting
  • clock and liquid crystal backlights billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light
  • the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, It can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and an illumination light source especially.
  • the light emission color of the flexible organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. It is determined by the color when the result measured with a luminance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates.
  • the flexible organic EL element of the present invention is a white element
  • the light emitting layer of the organic EL device according to the present invention preferably contains at least one of a host compound and a light emitting dopant as a guest material.
  • Example 1 ⁇ Preparation of flexible organic EL element 1> (Formation of the first electrode)
  • PET polyethylene terephthalate film
  • the strip-shaped flexible substrate is provided with an alignment mark in advance to indicate the position where the first electrode is formed, and ITO (indium tin oxide) having a thickness of 120 nm under a vacuum environment condition of 5 ⁇ 10 ⁇ 1 Pa.
  • ITO indium tin oxide
  • a mask pattern was formed by sputtering, and 10 rows of 10 mm ⁇ 10 mm first electrodes having extraction electrodes were continuously formed at regular intervals and wound.
  • the wound first electrode is attached to a washing machine equipped with an unwinder, winder, ultrasonic cleaning tank, and dryer, and an inorganic alkaline detergent, Semiclin LGL (Yokohama Oils and Fats) (potassium hydroxide 1.0-3. Contains 0% by weight Water content is 73% or more 10% diluted solution of surfactant (containing anionic and nonionic) 5.0-15% is charged and US irradiation time (first electrode cleaning bath immersion time) ) For 20 minutes, washed, dried and wound up.
  • Semiclin LGL Yokohama Oils and Fats
  • surfactant containing anionic and nonionic
  • Coating conditions for the coating solution for forming the first hole transport layer are as follows: the temperature is 25 ° C., the dew point temperature is ⁇ 20 ° C. or less in an N 2 gas environment, and the cleanliness class is 5 or less (JIS B 9920). I went there.
  • the substrate on which the first hole transport layer is formed is irradiated with microwaves (2.45 GHz) to detect the position of the first electrode as a thermal pattern, and this is used as a positioning mark.
  • Methyl ethyl ketone which is a good solvent that swells the hole transport layer, is supplied to unnecessary portions on the extraction electrode portion and around the first electrode, and the internal temperature of the device is 10 ° C. by the wiping device of FIG. And rubbed with a pressure of about 1.96 ⁇ 10 5 Pa so that the relative speed of the wiping head (pressing roll and tape-like member) to the base material is 5 cm / second, and continuously wiped off (FIG.
  • the temperature is 5 ° C.
  • the vapor pressure of methyl ethyl ketone is 4173 Pa at 5 ° C.
  • the microwave irradiator a ⁇ -reactor manufactured by Shikoku Keiki Kogyo Co., Ltd. was used.
  • the substrate was dried and wound up once.
  • the solvent was supplied at a rate of 10 ml / min and a temperature of 10 ° C.
  • the second hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer were sequentially formed by repeating coating, drying, and winding using an extrusion coating machine.
  • the conveyance speed was 3 m / min.
  • a toluene solution containing 1% by mass and 0.1% by mass of PVK and dopant 4 was formed on the second hole transport layer by an extrusion coating method. It dried at 120 degreeC and was set as the light emitting layer with a film thickness of about 50 nm.
  • Electrode transport layer A 1-butanol solution containing 0.5% by mass of the electron transport material 1 was similarly formed on the light emitting layer by the extrusion coating method. It dried at 60 degreeC and was set as the electron carrying layer with a film thickness of about 15 nm.
  • the coating conditions were as follows: N 2 gas environment having a temperature of 25 ° C., a dew point temperature of ⁇ 20 ° C. or lower, atmospheric pressure, and a cleanliness class of 5 or lower (JIS B 9920).
  • the wound base material (PET) on which the first hole transport layer is formed is supplied, and positioning is performed using a microwave sensor using the first electrode pattern formed on the PET as a positioning mark.
  • the unnecessary portion on the extraction electrode portion of the first electrode and around the first electrode (first hole transport layer) is affinityd to the second hole transport layer and the light emitting layer by the wiping device of FIG.
  • a solvent in which o-xylene, which is a high solvent, and 1-butanol, which is a good solvent, are mixed with the electron transport layer in a mixing ratio of 2: 1 is supplied at a temperature of 15 ° C.
  • the member was continuously wiped off by rubbing so that the relative speed of the member to the substrate was 5 cm / second.
  • the pressing force of the wiping head was 1.96 ⁇ 10 5 Pa.
  • the inside of the wiping device was cooled to 15 ° C., and the total supply amount of the solvent was 20 ml / min.
  • the vapor pressure of 1-butanol at 15 ° C. is 368 Pa
  • the vapor pressure of o-xylene at 15 ° C. is 475 Pa.
  • the three organic layers thus swollen or dissolved were rubbed at once to perform removal patterning. After patterning, the film was dried with a drying apparatus and temporarily wound up and stored for 1 hour.
  • cathode buffer layer (electron injection layer)
  • 5 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa was formed on the electron transport layer and around the periphery excluding the extraction electrode of the first electrode by a vapor deposition apparatus.
  • a mask pattern deposition film was formed, and a cathode buffer layer (electron injection layer) having a thickness of 0.5 nm was stacked (as shown in FIG. 3D).
  • a mask pattern was formed on the cathode buffer layer (electron injection layer) by a vapor deposition method using aluminum under a vacuum of 5 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa in accordance with the size of the first electrode, and the thickness was 100 nm.
  • the organic EL element was produced by laminating the second electrode composed of the aluminum layer.
  • the second electrode pattern is patterned so that the elements formed between the first electrodes in 12 rows in the film width direction are connected to the extraction portion of the first electrode pattern so as to be connected in series (FIG. 3 ( d)).
  • an alignment mark attached to the PET of the manufactured organic EL element is detected, and UV curing is performed around the light emitting region and the light emitting region except for the end portions of the lead electrodes of the first electrode and the second electrode according to the position of the alignment mark.
  • a liquid adhesive epoxy resin type
  • the sealing film (Letter Printing GX film: thickness 100 ⁇ m) was prepared by stacking on the adhesive-coated surface of the organic EL element by a roll laminator method, and roll-pressed at a pressure of 0.1 MPa in an atmospheric pressure environment. Thereafter, a high-pressure mercury lamp with a wavelength of 365 nm was irradiated for 1 minute at an irradiation intensity of 5 to 20 mW / cm 2 and a distance of 5 to 15 mm, and was bonded.
  • the flexible organic EL element 3 is formed under the same conditions as the flexible organic EL element 1 except that the cleaning agent is changed to a 5% aqueous solution of triethylamine, which is an organic base. Produced.
  • a cleaning agent is added to a 1% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide, which is an organic base, sodium alkylbenzenesulfonate (Latemul Kao) (DBS), and tetramethylammonium.
  • a flexible organic EL element 6 was produced under the same conditions as the flexible organic EL element 1 except that the addition amount was adjusted to 50% with respect to hydroxide and added.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

　プラスチック基材表面に少なくとも第１電極と、有機層と、第２電極とをこの順に積層するフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法であって、該第１電極まで積層されたプラスチック基材を、有機塩基を含有した洗浄剤を用いて洗浄することを特徴とするフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。本発明により、ダークスポットの発生を抑え、発光層の長寿命化が取れた、薄型・軽量なフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法を提供することができた。

Description

フレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法
　本発明は、フレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法に関し、更に詳しくは、ダークスポットの発生を抑制するフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法に関する。
　近年、有機物質を使用した有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子やフレキシブルな照明用光源、書き込み光源アレイとしての用途が有望視されており、活発な研究開発が進められている。有機ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）と、その上に積層された有機発光物質を含有する発光層を含む有機層（単層部又は多層部）と、この有機層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）とを有する薄膜型の素子である。この様な有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機層に陰極から電子が注入され陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られることが知られている。
　この様に、有機ＥＬ素子は薄膜型の素子であるため、１個又は複数個の有機ＥＬ素子を基板上に形成した有機ＥＬ素子をバックライト等の面光源として利用した場合には、面光源を備えた装置を容易に薄型にすることが出来る。又、画素としての有機ＥＬ素子を基板上に所定個数形成した有機ＥＬパネルをディスプレイパネルとして用いて表示装置を構成した場合には視認性が高い、視野角依存性がないなど、液晶表示装置では得られない利点がある。
　通常、有機ＥＬ素子は、基材上に、第１電極（陽極）と、正孔輸送層（正孔注入層）と、（発光層）と、電子注入層と、第２電極（陰極）と、接着剤層と、封止部材とをこの順番に有している。この様な構成をしている有機ＥＬ素子は、陰極と（発光層）と電子注入層との間に電子輸送層を設けてもよい。又、陽極と基材との間にガスバリア膜を設けても構わない。
　有機ＥＬ素子の場合、通常、第１電極（陽極）側が観察側になり、第１電極（陽極）には、ＩＴＯ（酸化スズと酸化インジウム混合物）、ＩＺＯ（酸化亜鉛と酸化インジウム混合物）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等を用いることが知られている。中でも、ＩＴＯ電極は、９０％以上の高い光透過率と、１０Ω／□以下の低いシート抵抗値が可能で、液晶ディスプレイや太陽電池などの透明電極としても用いられている。又、ＩＺＯ電極は、形成時に基板を加熱せずに所定の低い抵抗値が得られ、ＩＴＯ電極よりも膜表面が平滑であるという利点がある。
　上記に述べた如き有機ＥＬ素子を製造する場合、有機ＥＬ素子の劣化を防ぐために発光層内に異物の混入を防ぐ洗浄性の維持が重要である。また有機ＥＬ素子においては、長時間駆動によりダークスポットと呼ばれる非発光点が発生し、このダークスポットの成長が有機ＥＬ素子の寿命を短くしている原因の１つとなっている。ダークスポットは、一般的に駆動初期直後は肉眼では見えない程度の大きさで発生し、これを核として連続駆動により成長していくことが知られている。又、ダークスポットは駆動を行わない保存状態でも発生し、経時的に成長することが知られている。
　ダークスポットの発生メカニズムは完全に解明されていない。発光層内の異物、電極表面の微小な凸凹等、系内の微小な変異点に系内の微少水分が集中して成長すると推測している。現在、ダークスポットの発生を抑制して発光寿命が良好な有機ＥＬ素子及びその製造方法は開示されておらず発光層の長寿命化が取れた、薄型・軽量な有機ＥＬ素子及び有機ＥＬ素子の製造方法の開発が望まれている。
　一方、半導体等の精密な洗浄を必要とする分野において、洗浄に有機塩基を用いる方法が開示されている。例えば、半導体基板上の配線材料を形成する際に有機塩基を用いて洗浄する（例えば、特許文献１参照）方法、シリコン酸化膜上のフォトレジストパターンの形成過程において有機塩基を用いて処理する方法（例えば、特許文献２参照）が開示されている。しかし、これらの文献に開示された洗浄方法は微粒子等の汚染の除去を目的としたものであり本発明における技術とは技術的にも分野的にも異なるものである。
特開２００４－２２８５５号公報 特開２００４－３３３９０５号公報
　本発明は、上記状況に鑑みなされたものであり、その目的はダークスポットの発生を抑え、発光層の長寿命化が取れた、フレキシブル有機ＥＬ素子（以下、単に有機ＥＬ素子とも言う）の製造方法を提供することである。
　本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。
　１．フレキシブル基材表面に少なくとも第１電極と、有機層と、第２電極とをこの順に積層するフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法であって、該第１電極まで積層されたフレキシブル基材を、有機塩基を含有した洗浄剤を用いて洗浄することを特徴とするフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
　２．前記有機塩基が有機アンモニウム塩であることを特徴とする前記１に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
　３．前記有機アンモニウム塩がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドであることを特徴とする前記２に記載フレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
　４．前記有機塩基を含有した洗浄剤が活性剤を含有することを特徴とする前記１～３のいずれか１項に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
　５．前記活性剤が陰イオン性界面活性剤であることを特徴とする前記１～４のいずれか１項に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
　６．前記第１電極が透明導電層であることを特徴とする前記１～５のいずれか１項に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
　７．前記透明導電層が酸化物であることを特徴とする前記６に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
　８．前記酸化物がＩＴＯであることを特徴とする前記７に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
　９．前記製造方法がロールトゥロール方式であることを特徴とする前記１～８のいずれか１項に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
　本発明によれば、ダークスポットの発生を抑え、発光層の長寿命化が取れた、薄型・軽量なフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法を提供するが出来た。
フレキシブル有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略断面図である。 図１のＴで示される部分の拡大概略断面図である。 フレキシブル有機ＥＬ素子が可撓性基材上に連続形成される様子を示す模式図である。 ワイピングヘッドまた拭き取り装置の一例を、またそのワイピングの様子を示す概略図である。
　本発明者等はダークスポットの発生の抑制のために発光層積層前の電極表面の状態が重要であると考えた。電極表面に異物が存在すると発光層に異物が混入しダークスポット発生の要因となる。またＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明酸化物を電極に用いた場合は表面がもろく特にフレキシブル有機ＥＬ素子用で基材がプラスチックの場合、酸化物の焼成温度を高く設定することが出来ずアモルファス状態で存在しており非常にもろい。無機アルカリ洗剤等を用いると洗浄性は得られるが表面が荒れてしまいこれによるダークスポットが発生し寿命が低減する。
　鋭意検討の結果、有機塩基を含有させた洗浄剤を用いること、特に、アンモニウム塩を含有させた場合は、有機ＥＬ素子のダークスポットが低減し、更に、寿命も延長することを見出した。また、有機塩基が、テトラメチルアンモニウム塩の場合は、洗浄性があり、更に、表面の荒れも防止できることがわかった。有機塩基は、ｐＨが非常に高く、有機物異物に対する洗浄性もある。また、適度な分子量のためにＩＴＯなどの透明酸化物電極表面への吸着性が、無機アルカリのカリウム、ナトリウムより弱いので、吸着による透明酸化物電極表面原子の剥離による表面の凸凹発生も抑制されると推定する。
　以下本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　まず、図を用いて本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子の構成を説明する。
　図１は本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子の層構成の一例を示す概略断面図である。
　図中、１はフレキシブル有機ＥＬ素子を示す。フレキシブル有機ＥＬ素子１は、基材１０１上に、第１電極を含む陽極層１０２と、正孔輸送層（正孔注入層）１０３と、発光層１０４と、電子注入層１０５と、第２電極を含む陰極層１０６と、シール剤層１０７と、封止層１０８とをこの順番に有している。本図に示される有機ＥＬ素子において、第１電極を含む陽極層１０２と正孔輸送層１０３の間に正孔注入層（不図示）を設けてもよい。又、第２電極を含む陰極層１０６と発光層１０４と電子注入層１０５との間に電子輸送層（不図示）を設けてもよい。有機ＥＬ素子１では、第１電極を含む陽極層１０２と基材１０１との間にガスバリア膜（不図示）を設けても構わない。
　本図に示すフレキシブル有機ＥＬ素子の層構成は一例を示したものであるが、他の代表的なフレキシブル有機ＥＬ素子の層構成としては次の構成が挙げられる。
　（１）基板／第１電極（陽極）／発光層／電子輸送層／第２電極（陰極）／封止層
　（２）基板／第１電極（陽極）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／第２電極（陰極）／封止層
　（３）基板／第１電極（陽極）／正孔輸送層（正孔注入層）／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／第２電極（陰極）／封止層
　（４）基板／第１電極（陽極）／陽極バッファー層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）／第２電極（陰極）／封止層
　［第１電極（陽極）］
　有機ＥＬ素子の場合、通常、第１電極（陽極）側が観察側になり、第１電極（陽極）には、ＩＴＯ（酸化スズと酸化インジウム混合物）、ＩＺＯ（酸化亜鉛と酸化インジウム混合物）、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等が知られている。中でも、ＩＴＯ電極は、９０％以上の高い光透過率と、１０Ω／□以下の低いシート抵抗値が可能で、液晶ディスプレイや太陽電池などの透明電極としても用いられている。
　［第２電極（陰極）］
　第２電極（陰極）としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
　これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。アノードはこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
　また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ～５μｍ、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
　また、陰極に上記金属を１～２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
　［フレキシブル基材］
　本発明に係るフレキシブルな基板としては、枚葉シート状基板、帯状可撓性基板が挙げられる。枚葉シート状基板としては、薄膜透明ガラスシート、シート状透明樹脂フィルムが挙げられる。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロハン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。帯状可撓性基板としては、透明樹脂フィルム、少なくとも一層の樹脂基材と少なくとも１層の封止部材とを有する可撓性多層樹脂部材が挙げられる。透明樹脂フィルムとしては、枚葉シート状基板と同じ樹脂フィルムが使用可能である。
　基材として透明樹脂フィルムを使用する場合、樹脂フィルムの表面にはガスバリア膜が必要に応じて形成されることが好ましい。ガスバリア膜としては無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ（１ａｔｍは、１．０１３２５×１０５Ｐａである）以下であることが好ましい。更には、酸素透過度１０－３ｍｌ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０－５ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
　［封止］
　本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子の封止手段としては、例えば、封止部材と電極、基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
　封止部材としては、フレキシブル有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に問わない。
　本発明においては、フレキシブル有機ＥＬ素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０－３ｍｌ／ｍ２／２４ｈ以下、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０－３ｇ／（ｍ２／２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
　封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
　接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２－シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
　なお、フレキシブル有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
　また、有機層を挟み基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
　封止部材とフレキシブル有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
　吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
　［有機層］
　有機層は上記層構成に示すとおり、陽極バッファー層（正孔注入層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層（電子注入層）等で構成される下記に各層について述べる。
　《発光層》
　本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
　発光層の膜厚は特に制限はないが、形成する膜の均質性や発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、且つ駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２～２００ｎｍの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは５～１００ｎｍの範囲に調整される。
　本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子の発光層には、ホスト化合物とゲスト材料としての発光ドーパントの少なくとも一種を含有することが好ましく、ホスト化合物と３種以上の発光ドーパントを含有することが更に好ましい。以下に発光層に含まれるホスト化合物と発光ドーパントについて説明する。
　（ホスト化合物）
　本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
　ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物である。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
　ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで電荷の移動を調整することが可能であり、フレキシブル有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
　また、本発明に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物が好ましい。
　公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
　特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報等。
　（発光ドーパント）
　本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
　本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント、リン光ドーパントを用いることができるが、より発光効率の高いフレキシブル有機ＥＬ素子を得る観点からは、本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパントとしては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。
　リン光ドーパントはフレキシブル有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
　本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で８～１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。更にリン光ドーパントとしては、低分子化合物であることが好ましい。
　以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４～１７１１に記載の方法等により合成できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　次に、本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。
　《注入層：電子注入層、正孔注入層》
　注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
　注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
　陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
　また、特開平６－０２５６５８号公報に記載されているフェロセン化合物、特開平１０－２３３２８７号公報等に記載されているスターバースト型の化合物、特開２０００－０６８０５８号公報、特開２００４－６３２１号公報に記載されているトリアリールアミン型の化合物、特開２００２－１１７９７９号公報に記載されている含硫黄環含有化合物、米国特許出願公開第２００２／０１５８２４２号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２２号明細書、特開２００６－４９３９３号公報等に記載されているヘキサアザトリフェニレン化合物等も正孔注入層として挙げられる。
　本発明の適用は、フレキシブル有機ＥＬ素子の有機層のいずれに適用してもよいが、好ましくは電極に隣接した層への適用が好ましく、特に陽極バッファー層（正孔注入層或いは正孔注入輸送層とも言う。）への適用が最も好ましい。
　陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ～５μｍの範囲が好ましい。
　《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
　阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
　正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
　本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
　正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。
　また、正孔素子層は発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。複数の発光層を有する場合、その最も陰極側に位置するホスト化合物に対し、そのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。
　イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば、下記に示すような方法により求めることができる。
　（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ　Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ　ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ　ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６－３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
　（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ　ＡＣ－１」を用いて、或いは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
　一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３～１００ｎｍであり、更に好ましくは５～３０ｎｍである。
　《正孔輸送層》
　正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
　正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体が挙げられる。
　正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
　芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ″－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（ＴＰＤ）；２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン；ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル；４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン；４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン；３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ－フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
　更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
　また、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ　ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
　正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
　《電子輸送層》
　電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
　従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。
　更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
　また、８－キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
　その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型－Ｓｉ、ｎ型－ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
　電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　また、不純物をゲスト材料としてドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
　［ガスバリア膜］
　ガスバリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることが出来る。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることが出来るが、特開２００４－６８１４３号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
　基板として少なくとも一層の樹脂基材と少なくとも１層の封止部材とを有する可撓性多層樹脂部材を使用する場合、可撓性多層樹脂部材の層構成は後述する可撓性封止部材と同じであり、大気中（２０℃、６５％ＲＨ）における平衡吸水率は、可撓性多層樹脂部材の吸水性、水分浸透性等を考慮し２．０％以下であることが好ましい。平衡吸水率は、大気中（２０℃、６５％ＲＨ）に１００時間放置した後に、ＡＳＴＭ　Ｄ５７０に準じて測定した吸水率の値を示す。樹脂基材１０８ａの厚さは、製造時の取扱い性、引っ張り強さや封止部材の耐ストレスクラッキング性等を考慮し、１０μｍ～５００μｍが好ましい。可撓性多層樹脂部材の封止時のＡＳＴＭ　Ｄ５７０に準じて測定した吸水率は、持ち込み水分により有機層の結晶化、ダークスポットの発生、有機ＥＬ素子の長寿命化等を考慮し、１．０％以下が好ましい。封止部材としては、可撓性封止部材と同じ物の使用が可能である。
　図２は図１のＴで示される部分の拡大概略断面図である。
　封止層１０８は例えば封止部材ａ１０８ａと、封止部材ｂ１０８ｂで構成されている。尚、封止部材ｂ１０８ｂの上（本図では封止部材ｂ１０８ｂとシール剤層１０７の間となる）に保護層（不図示）を設けてもよい。封止層１０８は、シール剤を介して第１電極を含む陽極層上へ貼合することで形成されている。
　可撓性封止部材の封止時のＡＳＴＭ　Ｄ５７０に準じて測定した吸水率は１．０％以下である。吸水率が１．０％を越える場合は、可撓性封止部材の持ち込み水分により有機層の結晶化、第２電極の剥離等によりダークスポットの発生、及びフレキシブル有機ＥＬ素子の長寿命化が取れなくなるため好ましくない。
　又、可撓性封止部材の大気中（２０℃、６５％ＲＨ）２３℃、５０％ＲＨにおける平衡吸水率は、可撓性封止部材の吸水性、水分浸透性等を考慮し２．０％以下であることが好ましい。平衡吸水率は、大気中（２０℃、６５％ＲＨ）に１００時間放置した後に、ＡＳＴＭ　Ｄ５７０に準じて測定した吸水率の値を示す。
　樹脂基材１０８ａの厚さは、製造時の取扱い性、引っ張り強さや封止部材の耐ストレスクラッキング性等を考慮し、１０μｍ～５００μｍが好ましい。封止部材ｂ１０８ｂの厚さは、バリア性能、封止部材の耐ストレスクラッキング性等を考慮し、５ｎｍ～２００μｍが好ましい。
　本発明に係わる可撓性封止部材の他の物性値（水蒸気透過度、酸素透過度、剛性）は次の値を有していることが好ましい。
　水蒸気透過度は、有機ＥＬ素子として製品化する際に必要とするガスバリア性等を考慮し、０．０１ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが好ましい。水蒸気透過度はＪＩＳ　Ｋ７１２９Ｂ法（１９９２年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した値を示す。
　酸素透過度は、０．０１ｍｌ／ｍ２・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。酸素透過度はＪＩＳ　Ｋ７１２６Ｂ法（１９８７年）に準拠した方法で主としてＭＯＣＯＮ法により測定した値である。
　剛性（ヤング率）は、製造時の取扱い性、引っ張り強さや封止部材の耐ストレスクラッキング性等を考慮し、１×１０－３ＧＰａ～８０ＧＰａであることが好ましい。
　本発明に使用する可撓性封止部材を構成している樹脂基材１０８ａとしては特に限定はなく、例えばエチレンテトラフルオロエチル共重合体（ＥＴＦＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、延伸ナイロン（ＯＮｙ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド、ポリエーテルスチレン（ＰＥＳ）など一般の包装用フィルムに使用されている熱可塑性樹脂フィルム材料を使用することが出来る。又、これら熱可塑性樹脂フィルムは、必要に応じて異種フィルムと共押出しで作った多層フィルム、延伸角度を変えて貼り合せて作った多層フィルム等も当然使用出来る。更に必要とする物性を得るために使用するフィルムの密度、分子量分布を組合せて作ることも当然可能である。
　封止部材としては、無機蒸着膜、金属箔が挙げられる。無機蒸着膜としては薄膜ハンドブックｐ８７９～ｐ９０１（日本学術振興会）、真空技術ハンドブックｐ５０２～ｐ５０９、ｐ６１２、ｐ８１０（日刊工業新聞社）、真空ハンドブック増訂版ｐ１３２～ｐ１３４（ＵＬＶＡＣ　日本真空技術Ｋ．Ｋ）に記載されている如き無機膜が挙げられる。例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉｘＯｙ（ｘ＝１、ｙ＝１．５～２．０）、Ｔａ２Ｏ３、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＰＳＧ、Ｓｉ３Ｎ４、単結晶Ｓｉ、アモルファスＳｉ、Ｗ、等が用いられる。
　又、金属箔の材料としては、例えばアルミニウム、銅、ニッケルなどの金属材料や、ステンレス、アルミニウム合金などの合金材料を用いることが出来るが、加工性やコストの面でアルミニウムが好ましい。膜厚は、１～１００μｍ程度、好ましくは１０μｍ～５０μｍ程度が望ましい。
　更に、封止部材の上に保護層を設けてもよい。保護層の膜厚は、封止部材の耐ストレスクラッキング性、耐電気的絶縁性、シール剤層として使用する場合は接着性（接着力、段差追従性）等を考慮し、１００ｎｍ～２００μｍが好ましい。保護層としてはＪＩＳ　Ｋ　７２１０規定のメルトフローレートが５～２０ｇ／１０ｍｉｎである熱可塑性樹脂フィルムが好ましく、更に好ましくは、６～１５ｇ／１０ｍｉｎ以下の熱可塑性樹脂フィルムを用いることが好ましい。これは、メルトフローレートが５（ｇ／１０ｍｉｎ）以下の樹脂を用いると、各電極の引き出し電極の段差により生じる隙間部を完全に埋めることが出来ず、２０（ｇ／１０ｍｉｎ）以上の樹脂を用いると引っ張り強さや耐ストレスクラッキング性、加工性などが低下するためである。熱可塑性樹脂フィルムは、上記数値を満たすものであれば特に限定されるものではないが、例えば機能性包装材料の新展開株式会社東レリサーチセンター記載の高分子フィルム）である低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ＨＤＰＥ、線状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン、未延伸ポリプロピレン（ＣＰＰ）、ＯＰＰ、ＯＮｙ、ＰＥＴ、セロハン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、延伸ビニロン（ＯＶ）、エチレン－酢酸ビニル共重合体（ＥＶＯＨ）、エチレン－プロピレン共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－メタクリル酸共重合体、塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）等の使用が可能である。これらの熱可塑性樹脂フィルムの中で特にＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ及びメタロセン触媒を使用して製造したＬＤＰＥ、ＬＬＤＰＥ、又、これらフィルムとＨＤＰＥフィルムの混合使用したフィルムを使用することが好ましい。
　［有機塩基］
　本発明の洗浄剤に使用する有機塩基に制限はないが、例えば水溶液の濃度１％でのｐＨが１０以上を示すアルカリ強度が高いものが好ましい。有機塩基として用いられる化合物の多くは窒素原子を含むアミンあるいは複素環式化合物を挙げることができる。具体的には、ジ又はトリアルキルアミンが挙げられ、例えば、ジエチルアミン、ジブチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン等を挙げることができる。また、複素環式化合物としては、ピリジン、４－ｔ－ブチルピリジン、ポリビニルピリジン、キノリン、ピペリジン等を挙げることができる。特に、第４級塩が好ましく、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等を挙げることができる。
　本発明においてｐＨ強度、分子のモビリティから、低分子量の４級アンモニウム塩が好ましく、特にテトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
　また有機塩基溶液には表面張力低下能、異物への吸着による異物の基材への再付着防止機能等の付与にために界面活性剤、分散剤等を添加するのが好ましい。
　界面活性剤としては、陽イオン性、陰イオン性、両性、非イオン性のいずれも用いることができる。表面張力調整用の活性剤としては好ましくは陰イオン性界面活性剤である。
　陽イオン性界面活性剤としては、脂肪族アミン塩、脂肪族４級アンモニウム塩、ベンザルコニウム塩、塩化ベンゼトニウム、ピリジニウム塩、イミダゾリニウム塩等が挙げられる。
　陰イオン性界面活性剤としては、脂肪酸石鹸、Ｎ－アシル－Ｎ－メチルグリシン塩、Ｎ－アシル－Ｎ－メチル－β－アラニン塩、Ｎ－アシルグルタミン酸塩、アルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド、アルキルスルホン酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ジアルキルスルホ琥珀酸エステル塩、アルキルスルホ酢酸塩、α－オレフィンスルホン酸塩、Ｎ－アシルメチルタウリン、硫酸化油、高級アルコール硫酸エステル塩、第２級高級アルコール硫酸エステル塩、アルキルエーテル硫酸塩、第２級高級アルコールエトキシサルフェート、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、モノグリサルフェート、脂肪酸アルキロールアミド硫酸エステル塩、アルキルエーテルリン酸エステル塩、アルキルリン酸エステル塩等が挙げられる。
　両性界面活性剤としては、カルボキシベタイン型、スルホベタイン型、アミノカルボン酸塩、イミダゾリニウムベタイン等が挙げられる。
　非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン２級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル（例えばエマルゲン９１１）、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル（例えばニューポールＰＥ－６２）、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンヒマシ油、硬化ヒマシ油、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、脂肪酸アルカノールアミド、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアミンオキサイド、アセチレングリコール、アセチレンアルコール等が挙げられる。その他に、界面活性剤としては、例えば花王（株）製の分散剤デモールＳＮＢ、ＭＳ、Ｎ、ＳＳＬ、ＳＴ、Ｐ（商品名）も挙げられる。
　これらの界面活性剤を使用する場合、単独または２種類以上を混合して用いることができ、有機塩基を含む洗浄液の全量に対して、０．００１～１．０質量％の範囲で添加することにより、洗剤の表面張力を任意に調整することができる。本発明を実施する場合、これらに限定されるものではない。
　また洗剤の泡たち防止のための消泡剤、金属イオン封鎖用のビルダ、洗浄補助用の溶媒（例えばグリコールエーテル、イソプロピルアルコールなどの低級アルコールなど）など一般的な洗浄剤に含まれる構成剤は必要に応じて適宜添加することが出来る。
　《フレキシブル有機ＥＬ素子の作製方法》
　本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子の作製方法について制限はない。一般的な作製法として真空蒸着により有機層を作製する方法、有機層の一部または全部を湿式法で製作する方法が挙げられるが、ここでは湿式法について述べる。本発明で言う湿式法とは、層を形成する際に層形成材料を溶液の形態で供給し層形成を行うものである。
　本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子の作製方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の作製法を説明する。
　まず適当な基板上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０～２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。
　次に、この上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層の有機化合物薄膜（有機層）を形成させる。
　これら各層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、湿式法（スピンコート法、キャスト法、エクストルージョン法等、所謂ダイを用いる塗布方法）等がある。更には均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはスピンコート法、エクストルージョン法の塗布法による製膜が好ましい。
　本発明に係る有機ＥＬ材料を溶解する溶媒としては、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル類、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン（カルボニル）類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ＤＭＦ等のアミド類、ＤＭＳＯ等のスルホキシド類、ニトロメタン等の有機溶媒を用いることができる。
　これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
　また、作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を－の極性として電圧２～４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
　《洗浄プロセスについて》
　以下に、本発明の有機塩基を用いた洗浄プロセスについて図を用いて説明する。尚、本発明の有機塩基を用いた洗浄プロセスは、第一電極まで積層されたプラスチック基材を対象に実施するのが好ましいが、第一電極の塗設前のプラスチック基材についても行うことが好ましい。
　洗浄方法としては、超音波洗浄、スプレー・シャワー洗浄、ジェット洗浄、ブラシ洗浄等を挙げることができるが、超音波洗浄またはＰＶＡスポンジ等によるブラシ洗浄（浸漬又はバブリング洗浄）が好ましい。特に好ましくは超音波洗浄である。
　《電極パターンの形成プロセスについて》
　形成されるフレキシブル有機ＥＬ素子は、枚葉の可撓性基材上に形成されてもよいが、例えば、可撓性基材上に連続形成される場合、例えば図３に示すような形態で、帯状の可撓性基材上に複数、連続形成される。
　この場合、帯状の可撓性基材上に図３（ａ）に示す如く、複数の連続して、並置された第１電極パターンが先ず形成される。
　第１電極パターンは、例えば、陽極の場合、ＩＴＯ膜をスパッタ法等により形成する。電極パターンは、レジストを用いたリフトオフ法、或いはマスクを用い可撓性支持体上に連続的にパターニング形成することができる。
　次いで、図３（ｂ）に示す如く、第１電極層パターンを形成した後に有機層を例えば、全面にウェットプロセス、例えば塗布等により連続形成する。
　照明用に使用する本発明の有機ＥＬ素子の一例においては、例えば塗布等により全面連続形成された有機層を、図３（ｃ）の如く、可撓性基材の搬送方向に沿って、拭き取り除去することでパターニングされる。
　有機層が複数の場合には、複数層まとめて拭き取りによるパターニングすることも、また、有機層の拭き取りによるパターニングを繰り返すことも可能である。
　次いで、第２電極をこの上に、やはりパターン状に形成して、複数の有機ＥＬ素子が並置されたパネルを作製することができる。
　図３（ｃ）のように有機層をパターニングして、第１電極層の端部を露出させて、さらに第２電極層パターンを、第２電極層を第１電極層の露出した端部に接続させて、支持体の幅手方向に並んだ各有機ＥＬ素子を電気的に直列に接続するように形成する。
　図３（ｄ）に、第２電極（陰極）のパターンを形成する。図では３つの素子が電気的には直列に接続した構成となっている。
　第２電極は、例えば、アルミニウム等からなる陰極であり、スパッタ法、或いは蒸着法等を用いて同様にパターニング形成できる。
　図４に、有機層（被膜材料）が形成された連続シートから、ワイピングにより被膜材料を連続的に除去する本発明のワイピングヘッドまたは拭き取り装置の一例を、またそのワイピングの様子について概略図を示す。
　これらの図において、帯状の可撓性基材の電極パターン上に連続塗布形成された有機層は、拭き取り装置の基台１１上に搬送される。この拭き取り装置は、拭き取りユニット１２を有している。拭き取りユニット１２は、テープ状部材１５を送り出すための送り出しロール１６と巻き取るための巻き取りロール１７を含んでいる。送り出しロール１６と巻き取りロール１７との間において、テープ状部材１５に含浸する溶剤を供給するための溶剤供給手段が設けられている。この溶剤供給手段は、溶剤保持タンク１８とそこからテープ部材１５まで溶剤を導く供給パイプ１９を含んでいる。溶剤供給パイプ１９と巻き取りロール１７との間において、テープ状部材１５を有機層に対して押圧するための押圧ロール２１が設けられている。この押圧ロール２１はシリンダ２２に接続されており、所望の圧力でテープ状部材１５を帯状の可撓性基材上の有機層に対して押圧することができる。拭き取りユニット１２はそれを可撓性基材の幅手方向に移動可能にさせる第一の位置調整手段１３によって支持されている。
　図４（ｂ）は図４（ａ）の矢印の方向からみた側面図である。
　テープ状部材１５としては、大凡、幅１～５ｍｍの多孔質、耐溶剤性、又繊維質の、織布、不織布等から選ばれるものが好ましく、パターンにもよるが、ここでは、幅２ｍｍの綿布テープを用いている。テープ状部材の幅は、拭き取り幅～拭き取り幅の８０％の範囲、好ましくは、拭き取り幅の９５％～８０％の範囲であると好ましい。基材に対する溶剤の濡れ性また有機溶媒の有機層への浸透によってテープ状部材に近接した有機層も拭き取られることからである。
　溶媒は有機層素材の溶解性、膨潤性より適宜選択することが出来る。また有機層への残留低減のために沸点が低く蒸気圧が高い蒸発がしやすい溶媒が好ましい。例えば、アセトン、イソプロパノール、メチルエチルケトンなどが挙げられる。
　《保護膜、保護板》
　有機層を挟み基板と対向する側の前記封止膜、或いは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、或いは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
　《光取り出し》
　有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７～２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
　この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３－３１４７９５号公報）、有機ＥＬ素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１－２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２－１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１－２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１－２８３７５１号公報）等がある。
　本発明においては、これらの方法を本発明に係る有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、或いは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
　本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度或いは耐久性に優れたフレキシブル有機ＥＬ素子を得ることができる。
　透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。
　低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５～１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、更に１．３５以下であることが好ましい。
　また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
　全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
　導入する回折格子は二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
　回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２～３倍程度が好ましい。
　回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
　《集光シート》
　本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、或いは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
　マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０～１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
　集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基板に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
　また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。
　《用途》
　本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
　本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタセンシング製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
　また、本発明のフレキシブル有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることを言う。本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層には、ホスト化合物とゲスト材料としての発光ドーパントの少なくとも一種を含有することが好ましい。
　以下実施例により本発明を説明するが本発明はこれにより限定されるものではない。
　実施例１
　〈フレキシブル有機ＥＬ素子１の作製〉
　（第１電極の形成）
　厚さ１００μｍ、幅２００ｍｍ、長さ５００ｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人・デュポン社製フィルム、以下、ＰＥＴと略記する）を準備した。尚、帯状の可撓性基材には、予め第１電極を形成する位置を示すためにアライメントマークを設け、５×１０－１Ｐａの真空環境条件で厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）をスパッタリング法により、マスクパターン成膜を行い、取り出し電極を有する１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさの第１電極を一定間隔で１２列を連続的に形成し巻き取った。
　＜洗浄＞
　巻き取った第一電極をアンワインダ、ワインダ、超音波洗浄槽、乾燥機を具備した洗浄機に取り付け超音波洗浄槽に無機アルカリ洗剤、セミクリンＬＧＬ（横浜油脂）（水酸化カリウム１．０～３．０質量％含有　水分含有量７３％以上　界面活性剤（陰イオン系、非イオン系）５．０～１５％含有）の１０％希釈液を投入しＵＳ照射時間（第一電極の洗浄槽浸漬時間）を２０分とし、洗浄、乾燥し、巻き取った。
　（第１正孔輸送層形成）
　ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製　Ｂｙｔｒｏｎ　ＰＡＩ　４０８３）を純水で６５％、メタノール５％で希釈した溶液を第１正孔輸送層形成用塗布液として、ＰＥＴの上全面（但し、両端の１０ｍｍは除く）に、エクストルージョン塗布機を使用し乾燥後の厚みが３０ｎｍになるように塗布した。塗布後、乾燥・加熱処理を行い、第１正孔輸送層を形成した。
　塗布条件
　第１正孔輸送層形成用塗布液の塗布条件は、温度は２５℃、露点温度－２０℃以下のＮ２ガス環境の大気圧下で、且つ清浄度クラス５以下（ＪＩＳ　Ｂ　９９２０）で行った。
　（第１正孔輸送層のパターン化：拭き取り工程１）
　第１正孔輸送層が形成された基材に、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）を照射して第１電極を熱パターンとしてその位置を検出して、これを位置決めマークとして用い、第１電極の取り出し電極部分の上および第１電極の周囲の不要の部分に、正孔輸送層に対してこれを膨潤させる良溶媒であるメチルエチルケトンを供給して、図４の拭き取り装置により、装置内温度１０℃で１．９６×１０５Ｐａ程度の押圧でワイピングヘッド（押圧ロールおよびテープ状部材）の基材との相対速度が５ｃｍ／毎秒となるよう擦って、連続的に拭き取り除去した（図３（ｃ））。尚、温度は５℃、メチルエチルケトンの蒸気圧は５℃において４１７３Ｐａである。また、マイクロ波照射機は四国計測工業（株）製　μ－ｒｅａｃｔｏｒを用いた。
　第１正孔輸送層を除去後、基材は乾燥し一旦巻き取った。尚、溶剤の供給量は１０ｍｌ／ｍｉｎ、温度１０℃で行った。
　次いで、以下の通り、第２正孔輸送層、発光層、電子輸送層を順次、エクストルージョン塗布機を使用し塗布、乾燥、巻き取りを繰り返すことで形成した。搬送速度は、３ｍ／ｍｉｎとした。
　（第２正孔輸送層）
　窒素雰囲気下で、５０ｍｇの正孔輸送材料１（下記）を１０ｍｌのトルエンに溶解した溶液をエクストルージョン塗布法により製膜した。乾燥後、窒素雰囲気下、１８０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約２０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。
　（発光層）
　第２正孔輸送層上に、ＰＶＫ、ドーパント４をそれぞれ１質量％、０．１質量％含むトルエン溶液をエクストルージョン塗布法により製膜した。１２０℃で乾燥し、膜厚約５０ｎｍの発光層とした。
　（電子輸送層）
　発光層上に、０．５質量％の電子輸送材料１を含有する１－ブタノール溶液を同様にエクストルージョン塗布法により製膜した。６０℃で乾燥し、膜厚約１５ｎｍの電子輸送層とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　塗布条件は、同様に、いずれも温度は２５℃、露点温度－２０℃以下のＮ２ガス環境、大気圧下で、且つ清浄度クラス５以下（ＪＩＳ　Ｂ　９９２０）で行った。
　（有機層のパターン化：拭き取り工程２）
　巻き取った前記、第１正孔輸送層が形成された基材（ＰＥＴ）を供給して、ＰＥＴ上に形成された第１電極パターンを位置決めマークとして、マイクロ波センサを用いて、位置決めを行い、第１電極の取り出し電極部分の上および第１電極（第１正孔輸送層）の周囲の不要の部分を、図４の拭き取り装置により、第２正孔輸送層、発光層に対し親和性が高い溶剤であるｏ－キシレン、電子輸送層に対して良溶媒である１－ブタノールをそれぞれ２：１の混合比で混合した溶剤を供給して、温度１５℃、前記同様、押圧ロール（テープ状部材）の基材との相対速度が５ｃｍ／毎秒となるよう擦って連続的に拭き取り除去した。尚、ワイピングヘッドの押圧は１．９６×１０５Ｐａとした。拭き取り温度は、拭き取り装置内を１５℃まで冷却して溶剤のトータルの供給量は２０ｍｌ／ｍｉｎで行った。
　因みに、１－ブタノールの１５℃における蒸気圧は３６８Ｐａ、また、ｏ－キシレンの１５℃における蒸気圧は４７５Ｐａである。
　これにより膨潤また溶解された３つの有機層を一度に擦って除去パターニングを行った。パターニング後、乾燥装置で乾燥し、一旦巻き取り１時間保管した。
　（有機ＥＬ素子の作製）
　次いで、以下に示す条件で前記有機層の上に順次陰極バッファー層（電子注入層）、第２電極、封止層を形成し、断裁し有機ＥＬ素子を作製し試料Ｎｏ．１０１とした。
　（陰極バッファー層（電子注入層）の形成）
　パターン化された有機層が形成されたロール状のＰＥＴに付けられた陽極の位置に従って電子輸送層の上および第１電極の取り出し電極を除いた周辺に、蒸着装置で５×１０－４Ｐａの真空環境条件にてＬｉＦを用い、マスクパターン蒸着成膜して、厚さ０．５ｎｍの陰極バッファー層（電子注入層）を積層した（図３（ｄ）に示す如く）。
　（第２電極の形成）
　引き続き、同様に陰極バッファー層（電子注入層）上に第１電極の大きさに合わせ５×１０－４Ｐａの真空下にてアルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン成膜し、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層からなる第２電極を積層し有機ＥＬ素子を作製した。
　第２電極パターンは、フィルム幅方向の１２列の第１電極との間に形成される素子が、直列に連結するように、第１電極パターンの取り出し部と接続するようパターニングする（図３（ｄ））。
　次いで、作製した有機ＥＬ素子のＰＥＴに付けられたアライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に従って第１電極および第２電極の引き出し電極の端部を除いて発光領域および発光領域の周辺に紫外線硬化型の液状接着剤（エポキシ樹脂系）を使用し、厚さ３０μｍで塗設した。
　（封止部材の貼合）
　この後、封止フィルム（凸版印刷　ＧＸフィルム：厚み１００μｍ）を準備した有機ＥＬ素子の接着剤塗設面にロールラミネータ法により積重し、大気圧環境化にて押圧０．１ＭＰａでロール圧着した後、波長３６５ｎｍの高圧水銀ランプを、照射強度５～２０ｍＷ／ｃｍ２、距離５～１５ｍｍで１分間照射し固着させ貼合した。
　（断裁）
　次いで、作製した複数の有機ＥＬ素子が連続的に繋がった状態のものを個別の有機ＥＬパネルの大きさに、アライメントマークを検出し、アライメントマークの位置に従って断裁し、フレキシブル有機ＥＬ素子１を作製した。
　フレキシブル有機ＥＬ素子２の作製
　フレキシブル有機ＥＬ素子１の洗浄工程において、洗浄剤を、準水系洗浄剤の花王ＰＡ９００（水分濃度１０％以下　グリコールエーテル、ポリオキシアルキレンアリルエーテル、ポリエチレングリコール含有）に変更した以外はフレキシブル有機ＥＬ素子１と同様の条件で行い、フレキシブル有機ＥＬ素子２を作製した。
　フレキシブル有機ＥＬ素子３の作製
　フレキシブル有機ＥＬ素子１の洗浄工程において、洗浄剤を有機塩基であるトリエチルアミン５％水溶液に変更した以外はフレキシブル有機ＥＬ素子１と同様の条件で行いフレキシブル有機ＥＬ素子３を作製した。
　フレキシブル有機ＥＬ素子４の作製
　フレキシブル有機ＥＬ素子１の洗浄工程において、洗浄剤を有機塩基であるテトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）１％水溶液に変更した以外はフレキシブル有機ＥＬ素子１と同様の条件で行いフレキシブル有機ＥＬ素子４を作製した。
　フレキシブル有機ＥＬ素子５の作製
　フレキシブル有機ＥＬ素子１の洗浄工程において、洗浄剤を有機塩基であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド１％水溶液に変更した以外はフレキシブル有機ＥＬ素子１と同様の条件で行いフレキシブル有機ＥＬ素子５を作製した。
　フレキシブル有機ＥＬ素子６の作製
　フレキシブル有機ＥＬ素子１の洗浄工程において、洗浄剤を有機塩基であるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド１％水溶液に、アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム（ラテムル花王）（ＤＢＳ）を、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに対して、添加量が５０％になるように調整、添加した以外はフレキシブル有機ＥＬ素子１と同様の条件で行いフレキシブル有機ＥＬ素子６を作製した。
　物性評価
　（洗浄剤のｐＨ及び表面張力の測定）
　ｐＨは、東亜電波工業社のデジタルｐＨメーターＨＭ－１８Ｂで測定した。表面張力は協和界面科学社製、表面張力計　ＤＹ－３００を使用した。測定値はｍＮ／ｃｍである。測定はそれぞれ、２０℃で行った。
　（発光評価）
　作製した各フレキシブル有機ＥＬ素子１～６について、終わり５ｍの箇所から抜き取った試料について、発光領域輝度、発光経時で増加するダークスポット（スポット状の非発光部）（ＤＳ）、および発光初期から確認できるダークスポットを以下に示す試験方法により試験し、以下に示す評価ランクに従って評価した。
　（発光経時で増加するダークスポット（スポット状の非発光部）の発生数の測定方法）
　定電圧電源を用いて、有機ＥＬ素子に直流５Ｖを印加し、ダークスポットの有無についてルーペ（倍率８倍）を用い、目視にて観察した。発光初期および１週間発光後において発光領域全てで測定を行い、１週間発光後には観察され発光初期には観察されないダークスポットの数を目視で測定した。（表１のＤＳ２）
　発光経時で増加するダークスポット（スポット状の非発光部）の評価ランク
　◎：ダークスポットの発生が全くない
　○：ダークスポット１個以上、５個未満
　△：ダークスポット５個以上、２０個未満
　×：ダークスポット２０個以上
　＜発光初期から確認できるダークスポットの発生数の測定方法＞
　定電圧電源を用いて、有機ＥＬ素子に直流５Ｖを印加し、ダークスポットの有無についてルーペ（倍率８倍）を用い、目視にて観察した。評価ランクは発光初期で増加するダークスポットと同様の評価ランクを用いた。（表１のＤＳ１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
　表１から、本発明により、ダークスポットの発生が抑えられ、発光層の長寿命化が取れた、フレキシブル有機ＥＬ素子が得られることが分かる。
　１　フレキシブル有機ＥＬ素子
　１０１　基材
　１０２　第１電極を含む陽極層
　１０３　正孔輸送層（正孔注入層）
　１０４　有機化合物層（発光層）
　１０５　電子注入層
　１０６　第２電極を含む陰極層
　１０７　接着剤層
　１０８　封止層
　１１　基台
　１２　拭き取りユニット
　１５　テープ状部材１５
　１６　送り出しロール
　１７　巻き取りロール
　１９　供給パイプ
　２１　押圧ロール
　２２　シリンダ

Claims (9)

  1. 　フレキシブル基材表面に少なくとも第１電極と、有機層と、第２電極とをこの順に積層するフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法であって、該第１電極まで積層されたフレキシブル基材を、有機塩基を含有した洗浄剤を用いて洗浄することを特徴とするフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
  2. 　前記有機塩基が有機アンモニウム塩であることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
  3. 　前記有機アンモニウム塩がテトラメチルアンモニウムヒドロキシドであることを特徴とする請求項２に記載フレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
  4. 　前記有機塩基を含有した洗浄剤が活性剤を含有することを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
  5. 　前記活性剤が陰イオン性界面活性剤であることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
  6. 　前記第１電極が透明導電層であることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
  7. 　前記透明導電層が酸化物であることを特徴とする請求項６に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
  8. 　前記酸化物がＩＴＯであることを特徴とする請求項７に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
  9. 　前記製造方法がロールトゥロール方式であることを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載のフレキシブル有機ＥＬ素子の製造方法。
PCT/JP2011/051077 2010-02-24 2011-01-21 フレキシブル有機ｅｌ素子の製造方法 WO2011105140A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012501702A JPWO2011105140A1 (ja) 2010-02-24 2011-01-21 フレキシブル有機ｅｌ素子の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010038449 2010-02-24
JP2010-038449 2010-02-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011105140A1 true WO2011105140A1 (ja) 2011-09-01

Family

ID=44506562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/051077 WO2011105140A1 (ja) 2010-02-24 2011-01-21 フレキシブル有機ｅｌ素子の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2011105140A1 (ja)
WO (1) WO2011105140A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018116629A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002056981A (ja) * 1999-12-20 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜ｅｌ素子
JP2004071558A (ja) * 2002-07-25 2004-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP2006253053A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Seiko Epson Corp 配線基板の洗浄方法、発光装置の製造方法
JP2007149482A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2007242481A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Showa Denko Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002056981A (ja) * 1999-12-20 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜ｅｌ素子
JP2004071558A (ja) * 2002-07-25 2004-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP2006253053A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Seiko Epson Corp 配線基板の洗浄方法、発光装置の製造方法
JP2007149482A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2007242481A (ja) * 2006-03-09 2007-09-20 Showa Denko Kk 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018116629A1 (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器
JPWO2018116629A1 (ja) * 2016-12-21 2019-10-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置の製造方法、表示装置及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2011105140A1 (ja) 2013-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5157440B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JP5055711B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子
JPWO2007034647A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP5652405B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
WO2012029750A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置及び照明装置
JP5575353B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP5168762B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2007073332A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
JP2007059188A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2008226471A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2007207469A (ja) 積層体の製造方法、積層体、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2009163889A (ja) 機能性薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス照明装置
JP5589852B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5181920B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2007200591A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2007012358A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPWO2009025186A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP5092756B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス照明装置および有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造装置
JP2006302814A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス層の形成方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014104102A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2011105140A1 (ja) フレキシブル有機ｅｌ素子の製造方法
JP5472107B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法
JP2009268975A (ja) 有機化合物層形成用塗布液の塗布方法
WO2010084816A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP5152331B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11747104

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012501702

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11747104

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1