KR20210035222A - 유기 전자 디바이스의 제조 방법 - Google Patents

유기 전자 디바이스의 제조 방법 Download PDF

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KR20210035222A
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스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
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Abstract

일 실시 형태에 따른 유기 전자 디바이스의 제조 방법은, 긴 가요성 필름(10) 상에 형성된 제1 전극층 상에, 단층 구조 또는 다층 구조를 갖는 유기 기능층을 형성하는 유기 기능층 형성 공정과, 유기 기능층 상에 제2 전극층을 형성하는 제2 전극층 형성 공정을 구비하고, 유기 기능층 형성 공정은, 도포법으로 도포층(181a)을 형성하는 도포층 형성 공정과, 표면(28a)의 재료가 적외선 흡수재인 롤(28)로 가요성 필름을 반송하면서, 도포층을 적외선으로 가열하여 기능층을 얻는 가열 공정을 갖고, 적외선 흡수재에 있어서의 파장 3㎛ 내지 10㎛의 범위의 적외선 평균 흡수율이 0.8 이상이다.

Description

유기 전자 디바이스의 제조 방법
본 발명은, 유기 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.
본 기술분야의 종래 기술로서, 가요성 투명 기재(가요성 필름) 상에 투명 전극(제1 전극층) 및 롤 투 롤 방식의 습식 도포에 의해 성막된 적어도 1층의 유기층(기능층)을 갖는 유기 전자 디바이스의 제조 방법이 있다(특허문헌 1 참조).
국제 공개 제2010/090087호
특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 유기 전자 디바이스가 갖는 기능층을 롤 투 롤 방식의 습식 도포에 의해 성막하는 경우, 먼저, 가요성 필름 상에 도포층을 형성한 후에, 가요성 필름을 반송 롤로 반송하면서 도포층을 가열 처리하는 가열 공정을 실시한다. 반송 롤은, 통상, 금속 롤이다. 그 때문에, 가열 공정으로 따뜻하게 되어 있는 가요성 필름이 반송 롤에 접하면, 그 접촉 부분에서 가요성 필름의 온도가 급격하게 저하된다. 그 결과, 가요성 필름에 꼬임, 주름 등이 발생한다. 가요성 필름에 꼬임, 주름 등이 발생하면, 가열 건조 전의 도포층에 막 두께 불균일이 발생하고, 기능층을 원하는 두께로 형성할 수 없다.
따라서, 본 발명은, 유기 기능층에 포함되는 적어도 하나의 기능층을 원하는 두께로 형성하기 쉬운 유기 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 관한 유기 전자 디바이스의 제조 방법은, 긴 가요성 필름 상에 형성된 제1 전극층 상에, 단층 구조 또는 다층 구조를 갖는 유기 기능층을 형성하는 유기 기능층 형성 공정과, 상기 유기 기능층 상에 제2 전극층을 형성하는 제2 전극층 형성 공정을 구비한다. 상기 유기 기능층 형성 공정은, 도포법으로 도포층을 형성하는 도포층 형성 공정과, 표면의 재료가 적외선 흡수재인 롤로 상기 가요성 필름을 반송하면서, 상기 도포층을 적외선으로 가열하여 기능층을 얻는 가열 공정을 갖는다. 상기 적외선 흡수재에 있어서의 파장 3㎛ 내지 10㎛의 범위의 적외선의 평균 흡수율은 0.8 이상이다.
상기 제조 방법에서는, 유기 기능층 형성 공정은, 도포층 형성 공정과 가열 공정을 갖고, 가열 공정에서는, 적외선에 의해 도포층을 가열하고 있다. 그 때문에, 온풍을 사용하는 경우보다, 도포층에 막 두께 불균일이 발생하기 어렵다. 또한, 가열 공정에서는, 가요성 필름을, 상기 롤로 반송하고 있는 점에서, 롤 표면은 적외선으로 따뜻하게 할 수 있다. 따라서, 가요성 필름이 롤에 접촉해도, 그 접촉 부분의 온도가 저하되기 어려우므로, 가요성 필름에 꼬임, 주름 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 기능층을 원하는 두께로 형성할 수 있다.
상기 롤은, 금속제의 롤 본체와, 상기 롤 본체의 표면에 코팅된 코팅층을 가져도 된다. 상기 코팅층의 재료는 상기 적외선 흡수재일 수 있다.
상기 가열 공정에서는, 상기 가요성 필름이 100℃ 이상으로 가열되어도 된다. 가요성 필름의 온도가 100℃ 이상으로 가열되고 있을 때, 그 일부에 온도 저하가 발생하면, 주름 등이 발생하기 쉽다. 따라서, 가열 공정에서, 상기 가요성 필름이 100℃ 이상으로 가열되는 경우에 있어서, 상기 유기 전자 디바이스의 제조 방법은 한층 유효하다.
상기 가열 공정에서는, 상기 가요성 필름의 상기 제1 전극층이 형성된 면으로부터 10mm 이내의 풍속이 0.1m/s 이하여도 된다. 이에 의해, 도포층에 막 두께 불균일이 보다 한층 발생하기 어렵고, 원하는 두께의 기능층을 형성하기 쉽다.
상기 적외선 흡수재가 무기 산화물일 수 있다. 이 경우, 내구성을 확보할 수 있다. 상기 무기 산화물의 예는 알루미나이다.
상기 도포법이 잉크젯 인쇄법이어도 된다. 잉크젯 인쇄법에서 사용하는 잉크의 점도는 비교적 낮다. 그 때문에, 예를 들어 잉크젯 인쇄법으로 형성되는 도포층의 두께는, 가요성 필름의 꼬임, 주름 등의 발생에 기인한 요철의 영향을 받기 쉽다. 따라서, 상기한 바와 같이, 가열 공정에 있어서, 가요성 필름의 꼬임, 주름 등의 발생이 억제되어 있는 유기 전자 디바이스의 제조 방법은, 상기 도포법이 잉크젯 인쇄법인 경우에 보다 한층 유효하다.
본 발명에 따르면, 유기 기능층에 포함되는 적어도 하나의 기능층을 원하는 두께로 형성하기 쉬운 유기 전자 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은, 일 실시 형태에 따른 유기 EL 디바이스(유기 전자 디바이스)의 제조 방법에서 사용하는 긴 가요성 필름의 평면도이다.
도 2는, 롤 투 롤 방식에 의한 유기 EL 디바이스의 제조 방법을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 3은, 제조된 유기 EL 디바이스(유기 전자 디바이스)의 구성을 개략적으로 도시하는 모식도이다.
도 4는, 유기 기능층 형성 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는, 유기 기능층 형성 공정이 갖는 가열 공정을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하면서 설명한다. 동일한 요소에는 동일 부호를 붙이고, 중복하는 설명을 생략한다. 도면의 치수 비율은, 설명의 것과 반드시 일치하고 있지 않다. 유기 전자 디바이스로서는, 예를 들어 유기 EL 디바이스, 유기 태양 전지, 유기 포토디텍터 등을 들 수 있다. 이하에 설명하는 실시 형태에서는, 언급하지 않는 한, 유기 전자 디바이스는 유기 EL 디바이스이고, 특히 보텀 에미션형의 유기 EL 디바이스의 제조 방법을 설명한다.
도 1은, 일 실시 형태에 따른 유기 EL 디바이스의 제조 방법에 사용하는 긴 가요성 필름(10)의 평면도이다. 본 명세서에 있어서, 긴 가요성 필름(10)이란, 일 방향으로 연장하고 있고, 그 연장 방향(즉 긴 변 방향)의 길이가, 긴 변 방향에 직교하는 방향(폭 방향)의 길이 보다 긴 가요성 필름을 가리킨다. 여기서, 가요성 필름이란, 가요성을 갖는 필름이다. 가요성이란, 물체(본 명세서의 예에서는 필름)에 소정의 힘을 가해도 전단하거나 파단하거나 하는 일이 없고, 상기 물체를 휘게 하는 것이 가능한 성질이다.
가요성 필름(10)은, 적어도 가시광(파장 400nm 내지 800nm의 광)에 대하여 투광성을 갖는다. 가요성 필름(10)의 두께는, 예를 들어 30㎛ 이상 500㎛ 이하이다.
가요성 필름(10)은, 예를 들어 플라스틱 필름과 같은 수지 필름이다. 가요성 필름(10)의 재료의 예는, 폴리에테르술폰(PES); 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스테르 수지; 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 환상 폴리올레핀 등의 폴리올레핀 수지; 폴리아미드 수지; 폴리카르보네이트 수지; 폴리스티렌 수지; 폴리비닐알코올 수지; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체의 비누화물; 폴리아크릴로니트릴 수지; 아세탈 수지; 폴리이미드 수지; 에폭시 수지 등을 포함한다.
가요성 필름(10)의 재료로서, 상기 수지 중에서도, 내열성이 높고, 선팽창률이 낮고, 또한, 제조 비용이 낮은 점에서, 폴리에스테르 수지, 또는 폴리올레핀 수지가 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 또는 폴리에틸렌나프탈레이트가 보다 바람직하다. 이들의 수지는, 1종을 단독으로 사용되어도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용되어도 된다.
가요성 필름(10)의 표면(10a) 상에는, 가스, 수분 등을 배리어하는 배리어층(특히, 수분을 배리어하는 배리어층)이 배치되어도 된다.
유기 EL 디바이스의 제조에서는, 긴 가요성 필름(10)의 긴 변 방향에 있어서 복수의 디바이스 형성 영역 DA를 가상적으로 설정하고, 디바이스 형성 영역 DA 상에 양극층(제1 전극층), 유기 기능층, 음극층(제2 전극층) 등을 형성한다. 가요성 필름(10)의 표면(10a)에 배리어층이 형성되어 있는 형태에서는, 배리어층 상에 양극층, 유기 기능층, 음극층 등이 형성된다.
도 2는, 일 실시 형태에 따른 유기 EL 디바이스의 제조 방법이며, 롤 투 롤 방식을 이용한 유기 EL 디바이스의 제조 방법 개념도이다. 롤 투 롤 방식으로 유기 EL 디바이스를 제조하는 경우, 롤상의 가요성 필름(10)을 조출부(12A)에 세트하여 가요성 필름(10)을 조출한다. 조출된 가요성 필름(10)을 권취부(12B)를 향하여 반송 롤(14)로 반송하면서, 양극층 형성 공정(제1 전극층 형성 공정) S11, 유기 기능층 형성 공정 S12 및 음극층 형성 공정(제2 전극층 형성 공정) S13을 차례로 실시한다. 그 후, 가요성 필름(10)을, 권취부(12B)에서 롤상으로 권취한다. 조출부(12A), 권취부(12B) 및 반송 롤(14)은, 가요성 필름(10)의 반송 기구의 일부일 수 있다. 반송 기구는, 그 밖에, 장력 조정 기구 등 공지된 구성 요소를 구비할 수 있다. 각 공정에 있어서, 권취 공정 및 조출 공정을 마련할 수도 있다. 또한, 각 공정에 있어서 가요성 필름(10)을 일단 권취하여 보관한 후, 다시 가요성 필름(10)을 조출하여 다음 공정을 행할 수도 있다.
[양극층 형성 공정]
양극층 형성 공정 S11에서는, 가요성 필름(10)의 긴 변 방향을 따라서 가상적으로 설정되는 복수의 디바이스 형성 영역 DA의 각각에 양극층(제1 전극층)(16)을 형성한다. 따라서, 가요성 필름(10)에는, 그 긴 변 방향을 따라서 이산적으로 양극층(16)이 형성된다. 양극층(16)은, 도전체(예를 들어 금속)가 네트워크상으로 형성된 네트워크 구조를 가져도 된다. 양극층(16)의 두께의 예는, 통상 10nm 내지 10㎛이고, 바람직하게는 20nm 내지 1㎛이고, 더욱 바람직하게는 50nm 내지 500nm이다.
양극층(16)은, 예를 들어 드라이 성막법, 도금법, 도포법 등에 의해 형성될 수 있다. 드라이 성막법으로서, 예를 들어 진공 증착법, 스퍼터법, 이온 플레이팅법, CVD법 등을 들 수 있다. 도포법이란, 형성해야 할 층의 재료가 용매에 용해된 액을 사용하여 층을 형성하는 방법이다. 도포법으로서는, 예를 들어 마이크로 그라비아 코팅법, 그라비아 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 와이어 바 코팅법, 스프레이 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 노즐 프린트법, 잉크젯 인쇄법 등을 들 수 있다.
[유기 기능층 형성 공정]
유기 기능층 형성 공정 S12에서는, 가요성 필름(10) 상에 형성된 양극층(16) 상에 유기 기능층(18)을 형성한다. 유기 기능층(18)은, 유기 EL 디바이스에 인가 된 전력에 따라, 전하의 이동 및 전하의 재결합 등의 유기 EL 디바이스의 발광에 기여하는 디바이스 기능부이다. 유기 기능층(18)은, 유기층인 발광층을 갖는다.
발광층은, 소정의 파장의 광을 발하는 기능을 갖는 기능층이다. 발광층의 두께는, 사용하는 재료에 따라 최적값이 다르고, 구동 전압과 발광 효율이 적당한 값이 되도록 적절히 설정된다. 발광층의 두께는, 예를 들어 1nm 내지 1㎛이고, 바람직하게는 2nm 내지 500nm이고, 더욱 바람직하게는 10nm 내지 200nm이다.
발광층은, 통상, 주로 형광 및 인광의 적어도 한쪽을 발하는 발광 재료, 혹은 해당 발광 재료와 이것을 보조하는 발광층용 도펀트 재료를 포함한다. 형광 및 인광의 적어도 한쪽을 발하는 발광 재료가 갖는 유기물은, 저분자 화합물이어도 되고, 고분자 화합물이어도 된다. 상기 발광 재료로서는, 예를 들어 하기의 색소 재료, 금속 착체 재료, 고분자 재료 등을 들 수 있다.
(색소 재료)
색소 재료로서는, 예를 들어 시클로펜다민 및 그의 유도체, 테트라페닐부타디엔 및 그의 유도체, 트리페닐아민 및 그의 유도체, 옥사디아졸 및 그의 유도체, 피라졸로퀴놀린 및 그의 유도체, 디스티릴벤젠 및 그의 유도체, 디스티릴아릴렌 및 그의 유도체, 피롤 및 그의 유도체, 티오펜 화합물, 피리딘 화합물, 페리논 및 그의 유도체, 페릴렌 및 그의 유도체, 올리고티오펜 및 그의 유도체, 옥사디아졸 이량체, 피라졸린 이량체, 퀴나크리돈 및 그의 유도체, 쿠마린 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.
(금속 착체 재료)
금속 착체 재료로서는, 예를 들어 Tb, Eu, Dy 등의 희토류 금속, 또는 Al, Zn, Be, Pt, Ir 등을 중심 금속에 갖고, 옥사디아졸, 티아디아졸, 페닐피리딘, 페닐벤조이미다졸, 퀴놀린 구조 등을 배위자에 갖는 금속 착체 등을 들 수 있다. 금속 착체로서는, 예를 들어 이리듐 착체, 백금 착체 등의 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 갖는 금속 착체, 알루미늄퀴놀리놀 착체, 벤조퀴놀리놀베릴륨 착체, 벤조옥사졸릴아연 착체, 벤조티아졸아연 착체, 아조메틸아연 착체, 포르피린아연 착체, 페난트롤린 유로퓸 착체 등을 들 수 있다.
(고분자 재료)
고분자 재료로서는, 예를 들어 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그의 유도체, 폴리티오펜 및 그의 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그의 유도체, 폴리실란 및 그의 유도체, 폴리아세틸렌 및 그의 유도체, 폴리플루오렌 및 그의 유도체, 폴리비닐카르바졸 및 그의 유도체, 상기 색소 재료, 또는 금속 착체 재료를 고분자화한 재료 등을 들 수 있다.
발광층용 도펀트 재료는, 예를 들어 발광 효율을 향상시키거나, 발광 파장을 변화시키거나 하기 위하여 더하여진다. 발광층용 도펀트 재료로서는, 예를 들어 페릴렌 및 그의 유도체, 쿠마린 및 그의 유도체, 루브렌 및 그의 유도체, 퀴나크리돈 및 그의 유도체, 스쿠아릴륨 및 그의 유도체, 포르피린 및 그의 유도체, 스티릴 색소, 테트라센 및 그의 유도체, 피라졸론 및 그의 유도체, 데카시클렌 및 그의 유도체, 페녹사존 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.
유기 기능층(18)은, 발광층 이외의 기능층을 포함하는 다층 구조를 가져도 된다. 양극층과 발광층 사이에 마련될 수 있는 기능층으로서는, 예를 들어 정공 주입층 및 정공 수송층을 들 수 있다. 음극층과 발광층 사이에 마련될 수 있는 기능층으로서는, 예를 들어 전자 주입층 및 전자 수송층을 들 수 있다. 유기 기능층이 취할 수 있는 층 구조의 예를 이하에 나타내었다. 하기 층 구조의 예에서는, 설명을 위하여 양극층 및 음극층도 괄호 쓰기로 기재하고 있다.
(a) (양극층)/발광층/(음극층)
(b) (양극층)/정공 주입층/발광층/(음극층)
(c) (양극층)/정공 주입층/발광층/전자 주입층/(음극층)
(d) (양극층)/정공 주입층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/(음극층)
(e) (양극층)/정공 주입층/정공 수송층/발광층/(음극층)
(f) (양극층)/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 주입층/(음극층)
(g) (양극층)/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/(음극층)
(h) (양극층)/발광층/전자 주입층/(음극층)
(i) (양극층)/발광층/전자 수송층/전자 주입층/(음극층)
상기 기호 「/」는, 기호 「/」를 사이에 둔 각 층이 인접하여 적층되어 있는 것을 나타낸다. 상기 구성예 (a)의 형태는, 유기 기능층(18)이 발광층을 포함하는 단층 구조인 경우의 예이다.
정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층의 재료에는 공지된 재료를 사용할 수 있다. 통상, 정공 수송층 및 전자 수송층은 유기층이다. 정공 주입층 및 전자 주입층은 유기층이어도 되고 무기층이어도 된다. 전자 주입층은 예를 들어 음극층의 일부여도 된다. 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층의 두께는, 전기적인 특성이나 성막의 용이성 등을 감안하여 적절히 설정될 수 있다. 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 전자 수송층의 두께는, 서브마이크론 정도이다.
유기 기능층(18)을 구성하는 기능층은, 도포법으로 형성될 수 있다. 도포법의 예는, 양극층 형성 공정 S11의 설명에서 예시한 것과 마찬가지일 수 있다. 유기 기능층(18)이 다층 구조를 갖는 경우, 양극층(16)측으로부터 차례로 각 기능층을 형성하면 된다.
[음극층 형성 공정]
음극층 형성 공정 S13에서는, 유기 기능층(18) 상에 음극층(제2 전극층)(20)을 형성한다. 음극층(20)의 일부는, 가요성 필름(10) 상에도 형성되어 있어도 된다. 유기 기능층(18)으로부터의 광을 음극층(20)에서 반사시켜서 양극층(16)측에 보내 주기 위해서, 음극층(20)의 재료는, 유기 기능층(18)으로부터의 광에 대하여 반사율이 높은 재료가 바람직하다. 음극층(20)의 재료로서는, 예를 들어 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 전이 금속 및 주기율표 제13족 원소 등이 사용된다. 음극층(20)으로서는, 예를 들어 도전성 금속 산화물이나, 도전성 유기물 등을 포함하는 투명 도전성 전극이 사용되어도 된다. 도전성 금속 산화물로서는, 구체적으로는 산화인듐, 산화아연, 산화주석, ITO, IZO 등을 들 수 있고, 도전성 유기물로서 폴리아닐린 및 그의 유도체, 폴리티오펜 및 그의 유도체 등을 들 수 있다.
음극층(20)의 두께는, 전기 전도도, 내구성 등을 고려하여 설정된다. 음극층(20)의 두께는, 통상 10nm 내지 10㎛이고, 바람직하게는 20nm 내지 1㎛이고, 더욱 바람직하게는 50nm 내지 500nm이다. 음극층(20)은, 양극층(16)과 마찬가지로 하여 형성될 수 있다.
음극층(20)의 형성 방법으로서, 예를 들어 드라이 성막법, 도금법, 도포법 등을 들 수 있다. 드라이 성막법 및 도포법의 예는, 각각, 양극층 형성 공정 S11의 설명에서 예시한 것과 마찬가지일 수 있다. 성막 후 바로 도전성이 발현되기 쉬운 관점에서는, 드라이 성막법이 바람직하다. 발광층의 대미지를 억제할 수 있는 관점에서는 진공 증착법이 바람직하다.
음극층 형성 공정 S13을 거침으로써, 디바이스 형성 영역 DA마다, 가요성 필름(10)과, 가요성 필름(10) 상에 형성된 양극층(16)과, 양극층(16) 상에 형성된 유기 기능층(18)과, 유기 기능층(18) 상에 형성된 음극층(20)을 구비하는 유기 EL 디바이스(2)(도 3 참조)가 형성된다. 따라서, 디바이스 형성 영역 DA마다 가요성 필름(10)을 개편화하는 개편화 공정을 실시함으로써, 제품 사이즈의 유기 EL 디바이스(2)가 얻어진다.
유기 EL 디바이스(2)는, 적어도 유기 기능층(18)을 밀봉하는 밀봉 부재를 구비해도 된다. 밀봉 부재는, 가요성 필름(10) 및 가요성 필름(10) 상의 구조(양극층, 유기 기능층 및 음극층)에 접합되어 있다. 밀봉 부재는, 유기 기능층(18)으로의 수분의 침입을 방지하는 수분 배리어 기능을 갖는다. 밀봉 부재는, 가스 배리어 기능을 가져도 된다.
유기 EL 디바이스(2)가 밀봉 부재를 구비하는 형태에서는, 음극층 형성 공정 S13과 개편화 공정 사이에, 음극층 형성 공정 S13을 거친 가요성 필름(10)(즉, 음극층 구비 가요성 필름)에 밀봉 부재를 접합하는 접합 공정을 실시하면 된다. 이 접합 공정에서는, 예를 들어 긴 밀봉 부재를 음극층 구비 가요성 필름에 접합한다. 밀봉 부재의 크기 및 접합 위치 등은, 유기 EL 디바이스(2)에 전력을 공급 가능하게 설정되어 있으면 된다.
다음으로 유기 기능층 형성 공정 S12를 상세하게 설명한다. 도 4는, 유기 기능층 형성 공정 S12가 갖는 도포층 형성 공정 및 가열 공정을 모식적으로 도시하는 도면이다. 유기 기능층(18)이 갖는 적어도 하나의 기능층을 기능층(181)으로 칭하여 기능층(181)의 형성 방법을 설명한다. 여기에서는, 설명의 간략화를 위해서, 언급하지 않는 한, 도 4에 도시한 바와 같이, 양극층(16)에 접하는 기능층(181)을 형성하는 경우를 예로 하여 설명한다.
먼저, 도포법으로, 양극층(16) 상에 도포층(181a)을 형성한다(도포층 형성 공정). 도 4에서는, 도포법의 일례인 잉크젯 인쇄법으로 도포층(181a)을 형성하는 형태를 도시하고 있다. 구체적으로는, 형성해야 할 기능층(181)의 재료가 용매에 용해된 도포액(예를 들어 잉크)(24)을 잉크젯 장치(22)로부터 양극층(16) 상에 적하하여 도포층(181a)을 형성한다. 본 명세서에 있어서, 도포층은, 건조 고화하기 전의 도포액의 막이다. 이어서, 가요성 필름(10)의 반송로 상에 마련된 가열로(26) 내에서 도포층(181a)을 가열·건조하고, 기능층(181)을 얻는다(가열 공정). 따라서, 유기 기능층 형성 공정 S12는, 상기 도포층 형성 공정과 상기 가열 공정을 갖는다.
양극층(16)과, 형성해야 할 기능층(181) 사이에 이미 다른 기능층이 형성되어 있는 경우에는, 도포층 형성 공정에 있어서, 상기 다른 기능층을 하지층으로 하고, 그 하지층 상에 도포층(181a)을 형성하면 된다.
도 5는, 가열 공정을 설명하기 위한 도면이다. 가열 공정에서는, 도포층 형성 공정을 거친 가요성 필름(10)을, 가열로(26)의 반입구(26a)로부터 가열로(26) 내에 반입한다. 도 5에서는, 양극층(16)과 도포층(181a)의 1조를 도시하고 있다. 그러나, 전술한 바와 같이, 양극층(16)은, 가요성 필름(10)의 긴 변 방향으로 이산적으로 복수 마련되어 있고, 각 양극층(16) 상에 도포층(181a)이 형성되어 있다.
가열로(26) 내에서는, 반입된 가요성 필름(10)을, 가열로(26) 내에 마련된 반송 롤(28)로 반송한다. 가요성 필름(10)을 그 긴 변 방향으로 반송하면서 가열로(26) 내에 배치된 적외선 조사부(30)로부터 적외선(32)을 조사하여 도포층(181a)을 가열·건조한다. 그 후, 가요성 필름(10)을 반출구(26b)로부터 연속적으로 반출한다.
적외선 조사부(30)는, 도포층(181a)을 가열하기 위해서, 파장 3㎛ 내지 10㎛의 범위의 적외선을 포함하는 적외선(32)을 출력한다. 적외선 조사부(30)의 예는 적외선 히터이다. 가열로(26) 내에는, 복수의 적외선 조사부(30)가, 반송 방향을 따라서 배치되어 있다. 도 5에 도시한 바와 같이, 적외선 조사부(30)는, 가요성 필름(10)의 두께 방향에 있어서 양측에 배치되어 있어도 되고, 예를 들어 도포층(181a)과 대향하는 측에만 배치되어도 된다.
반송 롤(28)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 금속제의 롤 본체(281)와, 롤 본체(281)의 표면에 마련된 코팅층(282)을 갖는다. 롤 본체(281)의 재료의 예는 스테인리스강(SUS)이다. 코팅층(282)의 재료는 적외선 흡수재이다. 따라서, 반송 롤(28)의 표면(28a)의 재료는 적외선 흡수재이다.
적외선 흡수재는, 적외선 조사부(30)로부터 출력되는 적외선(32)을 흡수한다. 적외선 흡수재에 있어서의 파장 3㎛ 내지 10㎛의 범위의 적외선의 평균 흡수율은 0.8 이상이다. 적외선 흡수재의 예는 무기 산화물이고, 상기 무기 산화물의 예는 알루미나이다.
상기 평균 흡수율을 α로 했을 때, 소정의 파장 범위의 평균 흡수율 α는, 이하의 식으로 산출되는 값이다.
Figure pct00001
상기 식에 있어서, λ는 상기 소정의 파장 범위 내의 파장이고, k(λ)는 파장 λ에 있어서의 흡수율이고, λ1은 상기 소정의 파장 범위의 하한값이고, λ2는 상기 소정의 파장 범위의 상한값이다. 따라서, 소정의 파장 범위가 파장 3㎛ 내지 10㎛의 범위인 경우, λ1은 3㎛이고, λ2는 10㎛이다. 파장 λ의 흡수율을 측정하는 방법으로서 「JIS K 0117: 2000 적외 분광 분석 방법 통칙」을 따르는 장치에 의한 측정이 있고, 특히 푸리에 변환 방식을 적용한 푸리에 변환형 적외 분광 광도계를 사용하는 방법이 바람직하다.
가열로(26) 내에는, 가열로(26) 내를 환기하고, 용매를 효율적으로 배출하기 위해서, 파선으로 나타낸 것과 같이 에어를 출력하는 에어 노즐(34)이 배치되어 있어도 된다.
가열 공정에서는, 가열로(26) 내에서 도포층(181a)이 가열·건조되도록, 적외선 조사부(30)로부터의 적외선(32)의 강도, 반송 속도 등이 조정되어 있으면 된다. 가열 공정에서는, 가요성 필름(10)도 100℃ 이상으로 가열되어도 된다. 가열 공정에 있어서, 가요성 필름(10)의 표면(제1 전극층이 형성된 면)(10a)(도 1 참조)으로부터 10mm 이내의 환경의 풍속은, 0.1m/s 이하인 것이 바람직하다.
도포층 형성 공정에서 사용하는 도포법의 예로서 잉크젯 인쇄법을 예를 들어 설명하였다. 그러나, 양극층 형성 공정 S11에서 예를 든 잉크젯 인쇄법 이외의 다른 도포법으로 도포층(181a)을 형성해도 된다.
유기 기능층(18)이 복수의 기능층을 갖는 형태에서는, 적어도 하나의 기능층이, 상기 도포층 형성 공정과, 가열 공정에 의해 형성되어 있으면 된다. 바꾸어 말하면, 유기 기능층(18)이 복수의 기능층을 갖는 형태에서는, 공지된 형성 방법으로 형성되는 기능층을 가져도 된다. 예를 들어, 전자 주입층은, 진공 증착법으로 형성되어도 된다.
상기 유기 EL 디바이스(2)의 제조 방법에서는, 유기 기능층(18)이 갖는 적어도 하나의 기능층(181)을 형성할 때에 가열 공정을 갖고, 가열 공정에서 도포층(181a)을 가열하는 방법으로서 적외선(32)을 사용하고 있다. 따라서, 온풍을 이용하는 경우에 비하여 도포층(181a)에 풍문(막 두께 불균일)이 발생하기 어렵다. 또한, 반송 롤(28)의 표면(28a)의 재료는, 파장 3㎛ 내지 10㎛의 범위의 적외선의 평균 흡수율이 0.8 이상인 적외선 흡수재이다. 이에 의해, 가열 공정에 있어서, 적외선 조사부(30)로부터 조사된 적외선(32)이 적외선 흡수재에서 흡수되므로, 반송 롤(28)의 표면(28a)이 적외선(32)을 흡수하지 않는 경우보다 따뜻해진다. 반송 롤(28)의 표면(28a)이 따뜻해지고 있으면, 가요성 필름(10)이 반송 롤(28)에 접하고 있어도, 그 접촉 부분의 온도 저하가 억제되므로, 온도 저하에 수반하는 가요성 필름(10)의 꼬임 및 주름의 발생 등을 방지할 수 있다. 그 때문에, 가요성 필름(10) 상의 도포층(181a)에 막 두께 불균일이 발생하기 어렵고, 기능층(181)을 고정밀도로 원하는 두께로 형성할 수 있는 점에서, 유기 EL 디바이스(2)의 특성 저하를 방지할 수 있다. 예를 들어, 발광 불균일을 방지할 수 있다.
가열 공정에서는, 가열로(26) 내를 반송 롤(28)로 가요성 필름(10)을 반송하고 있는 점에서, 가요성 필름(10)의 늘어짐도 방지할 수 있다. 따라서, 가열로(26)를 대형화할 수 있다. 예를 들어, 반송 방향을 따른 가열로(26)의 길이를 길게 할 수 있다. 가열로(26)를 길게 해도 적외선 조사부(30)를 배치함으로써 도포층(181a)을 가열할 수 있고, 또한, 적외선(32)의 강도 등에 의해 도포층(181a)의 가열 온도도 높이는 것도 가능하다. 그 결과, 유기 EL 디바이스(2)의 생산성을 향상시킬 수 있다.
가열 공정에서는, 예를 들어 가스로 가요성 필름(10)을 띄워서 반송하지 않고, 반송 롤(28)을 사용하여 가요성 필름(10)을 반송하고 있다. 이에 의해, 가요성 필름(10)을 띄우기 위한 가스에 의한 풍문의 발생도 방지할 수 있다.
도포층(181a)의 가열에 사용하는 적외선(32)으로 반송 롤(28)의 표면(28a)이 따뜻해지므로, 예를 들어 열 롤을 사용하는 경우보다도 운용 비용을 억제할 수 있다.
통상, 롤 투 롤 방식과 같이 반송 롤(14) 및 반송 롤(28)로 가요성 필름(10)을 반송하는 경우에는, 롤의 가공 정밀도(원통도, 진직도, 진원도 등으로 알려져 있는 정밀도)가 높은 수준으로 요구되는 경향에 있다. 반송 롤(28)이 롤 본체(281)와 코팅층(282)을 갖는 형태에서는, 롤 본체(281)를 종래와 마찬가지의 가공 정밀도로 형성함으로써, 반송 롤(28)의 가공 정밀도를 용이하게 유지 가능하다. 또한, 통상, 롤 투 롤 방식에 사용되는 금속제의 반송 롤에 적외선 흡수재를 코팅함으로써 반송 롤(28)을 제작할 수 있으므로, 반송 롤(28)을 용이하게 준비하기 쉽다.
또한, 적외선 흡수재가 무기 산화물인 형태에서는, 플라스틱을 사용하는 경우보다 내구성의 향상이 도모됨과 함께, 가공 정밀도도 얻기 쉽다.
가열 공정에서, 가요성 필름(10)의 온도가 100℃ 이상이 되면, 온도 저하에 수반하여, 전술한 꼬임, 주름 등이 발생하기 쉬워진다. 그 때문에, 온도 저하를 방지할 수 있는 상기 가열 공정을 갖는 유기 EL 디바이스의 제조 방법은, 가열 공정에서, 가요성 필름(10)의 온도가 100℃ 이상이 되는 경우에 유효하다. 통상, 도포층(181a)을 가열·건조시킬 때에는, 가요성 필름(10)의 온도는 100℃ 이상이 되는 경향이 있다.
잉크젯 인쇄법에서는, 잉크의 점도는, 통상, 낮게 설정될 수 있다. 그 때문에, 예를 들어 도포층의 두께가 가요성 필름의 꼬임, 주름 등의 영향을 받기 쉽다. 유기 EL 디바이스의 제조 방법 상기 가열 공정에서는, 상기 꼬임, 주름 등을 억제할 수 있으므로, 잉크젯 인쇄법으로 도포층을 형성하는 형태에 유효하다.
다음으로 실험 결과를 참조하여, 가열 공정에 있어서, 반송 롤(28)을 사용한 경우의 작용 효과를 추가로 설명한다.
(실험예 1)
실험예 1에 있어서 반송 롤(28)에는, 금속 롤(롤 본체)의 표면에 알루미나(파장 3㎛ 내지 10㎛의 범위의 적외선의 평균 흡수율: 0.82)를 용사하여 코팅한 것을 사용하였다. 적외선 조사부(30)에는, 적외선 히터를 사용하고, 적외선 히터의 온도를 160℃로 세트하였다. 실험예 1에서는, 100㎛ 두께의 PEN 필름을 가요성 필름(10)으로서 사용하고, 가요성 필름(10) 상에 기능층(181)으로서 발광층을 형성하였다. 구체적으로는, 잉크젯 인쇄법으로 도포층(181a)을 형성한 후에, 가열로(26) 내를 1m/min의 반송 속도로 가요성 필름(10)을 반송하면서 도포층(181a)을 적외선으로 가열·건조하고, 기능층(181)을 얻었다. 그 때, 상기 가요성 필름(10)의 표면에 온도계를 설치하여, 반송 중의 가요성 필름(10)의 온도를 계측하였다.
그 결과, 가열로(26) 내에 있어서, 가요성 필름(10)은 실질적으로 150℃를 유지하고 있고, 반송 롤(28)과의 접촉 부분에 있어서도 급격한 온도 변화는 보이지 않았다. 보다 구체적으로는, 1℃ 이상의 온도 변화는 관찰되지 않았다. 또한, 가열로(26)로부터 반출된 가요성 필름(10)에는 주름은 확인되지 않고, 얻어진 기능층(181)에도 막 두께 불균일은 관찰되지 않았다.
(실험예 2)
실험예 2는, 실험예 1의 비교 실험이다. 실험예 2는, 실험예 1에서 사용한 반송 롤(28) 대신에, 표면도 금속으로 구성된 금속 롤을 사용한 점 이외에는, 실험예 1과 마찬가지로 실험을 행하였다. 그 결과, 가요성 필름(10)의 금속 롤과의 접촉 부분에서는, 10℃ 이상의 온도 저하가 발생하였다. 가열로로부터 반출된 가요성 필름(10)에는 현저한 주름이 관찰됨과 함께, 얻어진 기능층에는 막 두께 불균일이 관찰되었다.
상기 실험예 1과 실험예 2의 비교로부터 이해되는 것처럼, 적외선의 조사에 의해 도포층(181a)을 가열·건조시킬 때에, 표면(28a)이 적외선 흡수재로 구성되어 있는 반송 롤(28)을 사용함으로써, 롤 접촉 부분에서의 온도 저하를 방지할 수 있다. 그 결과, 가요성 필름(10)의 주름 및 형성해야 할 기능층의 막 두께의 불균일을 방지할 수 있고, 원하는 두께의 기능층을 실현하기 쉽다.
이상, 본 발명의 다양한 실시 형태 및 변형예를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 예시한 여러가지 실시 형태 및 변형예에 한정되는 것은 아니고, 특허 청구 범위에 의해 나타나는 범위가 포함되는 것이 의도됨과 함께, 특허 청구 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
도 2에 예시한 유기 EL 디바이스의 제조 방법에서는, 양극층 형성 공정을 실시하였다. 그러나, 미리 양극층이 형성된 가요성 필름을 사용해도 된다. 즉, 양극층 형성 공정을 실시하지 않아도 된다.
도 2에 예시한 유기 EL 디바이스의 제조 방법에서는, 양극층 형성 공정, 유기 기능층 형성 공정 및 음극층 형성 공정까지의 전체를 롤 투 롤 방식으로 실시하였다. 그러나, 도 5에 도시한 가열 공정이 적어도 롤 투 롤 방식으로 실시되고 있으면 된다. 통상, 도포층 형성 공정과, 가열 공정은, 롤 투 롤 방식으로 연속적으로 실시될 수 있다.
제1 전극층으로서 양극층을 예시하고, 제2 전극층으로서 음극층을 예시하였다. 그러나, 제1 전극층이 음극층이고, 제2 전극층이 양극층이어도 된다. 즉, 음극층이 가요성 필름측에 배치되어 있어도 된다. 제조해야 할 유기 EL 디바이스는, 톱에미션형의 디바이스여도 된다.
상기 실시 형태에서는, 유기 전자 디바이스의 일례인 유기 EL 디바이스의 제조 방법을 설명하였다. 그러나, 본 발명은 유기 EL 디바이스 외에, 유기 포토디텍터, 유기 박막 태양 전지, 유기 트랜지스터 등의 유기 전자 디바이스의 제조에도 적용할 수 있다.
2: 유기 EL 디바이스(유기 전자 디바이스), 10: 가요성 필름, 10a: 표면(가요성 필름의 제1 전극층이 형성된 면), 16: 양극층(제1 전극층), 18: 유기 기능층, 20: 음극층(제2 전극층), 26: 가열로, 28: 반송 롤(롤), 28a: 표면(롤의 표면), 30: 적외선 조사부, 32: 적외선, 181: 기능층, 181a: 도포층, 281: 롤 본체, 282: 코팅층.

Claims (7)

  1. 긴 가요성 필름 상에 형성된 제1 전극층 상에, 단층 구조 또는 다층 구조를 갖는 유기 기능층을 형성하는 유기 기능층 형성 공정과,
    상기 유기 기능층 상에 제2 전극층을 형성하는 제2 전극층 형성 공정
    을 구비하고,
    상기 유기 기능층 형성 공정은,
    도포법으로 도포층을 형성하는 도포층 형성 공정과,
    표면의 재료가 적외선 흡수재인 롤로 상기 가요성 필름을 반송하면서, 상기 도포층을 적외선으로 가열하여 기능층을 얻는 가열 공정
    을 갖고,
    상기 적외선 흡수재에 있어서의 파장 3㎛ 내지 10㎛의 범위의 적외선의 평균 흡수율이 0.8 이상인,
    유기 전자 디바이스의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 롤은,
    금속제의 롤 본체와,
    상기 롤 본체의 표면에 코팅된 코팅층
    을 갖고,
    상기 코팅층의 재료가 상기 적외선 흡수재인,
    유기 전자 디바이스의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 가열 공정에서는, 상기 가요성 필름이 100℃ 이상으로 가열되는,
    유기 전자 디바이스의 제조 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가열 공정에 있어서, 상기 가요성 필름의 상기 제1 전극층이 형성된 면으로부터 10mm 이내의 풍속이 0.1m/s 이하인,
    유기 전자 디바이스의 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적외선 흡수재가 무기 산화물인,
    유기 전자 디바이스의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 무기 산화물이 알루미나인,
    유기 전자 디바이스의 제조 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도포법이 잉크젯 인쇄법인,
    유기 전자 디바이스의 제조 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010090087A1 (ja) 2009-02-03 2010-08-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0596722A (ja) * 1991-10-14 1993-04-20 Canon Inc インクジエツト記録装置
US20050124258A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-09 E-Lite Technologies, Inc. Electroluminescent lamp construction and electroluminescent lamp made thereby
JP4523050B2 (ja) * 2008-05-09 2010-08-11 パナソニック株式会社 画像定着装置及び画像形成装置
JP2013238638A (ja) * 2012-05-11 2013-11-28 Konica Minolta Inc 画像形成装置
KR20180019148A (ko) * 2015-06-22 2018-02-23 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 유기 전자 소자의 제조 방법 및 정공 주입층의 형성 방법
CN107710874A (zh) * 2015-06-22 2018-02-16 住友化学株式会社 有机电子元件的制造方法及有机薄膜的形成方法
JP6440654B2 (ja) * 2016-06-17 2018-12-19 住友化学株式会社 有機電子素子の製造方法及び機能層の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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