WO2020027149A1 - 近赤外線と遠赤外線を併用する有機電子素子の製造方法及び有機電子素子の製造装置 - Google Patents

Abstract

有機電子素子１０の製造方法は、所定の機能を有する機能層ＦＬ用の塗布液をプラスチック基板１２の一方の主面１２ａ側に塗布して塗布膜Ｃを形成する塗布膜形成工程と、赤外線加熱炉２４内で塗布膜Ｃに赤外線を照射して塗布膜を加熱硬化させることによって、機能層ＦＬを形成する加熱工程と、を備え、加熱工程では、塗布膜Ｃが形成されたプラスチック基板１２の一方の主面１２ａ側から複数の近赤外線ランプ２８により近赤外線を照射すると共に、一方の主面１２ａとは反対側の他方の主面１２ｂ側から複数の遠赤外線ヒータ３２により遠赤外線を照射する。

Description

近赤外線と遠赤外線を併用する有機電子素子の製造方法及び有機電子素子の製造装置

　本発明は、有機電子素子の製造方法及び有機電子素子の製造装置に関する。

　有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という場合がある）、有機光電変換素子、有機薄膜トランジスタ等の有機電子素子は、基板上に設けられており所定の機能を有する機能層を有する。

　上記機能層の形成方法の例として、特許文献１の技術が知られている。特許文献１では、最初に、架橋性基を有しており、機能層（特許文献１における導電性薄膜）の材料である高分子化合物を含む塗布液を基板上に塗布して塗布膜を形成する。その後、塗布膜に赤外線ヒータによって赤外線を照射し、その赤外線により架橋性基を架橋させることで塗布膜を加熱硬化して、機能層を形成する。

国際公開第２０１３／１８００３６号

　赤外線を照射する手段としては、赤外線ランプが用いられることがある。一般的に、赤外線ランプは、加熱炉内において、所定の間隔をあけて複数設けられている。この場合、例えば、赤外線ランプの直下の温度と、隣り合う赤外線ランプの間の温度には差が生じるため、加熱炉内に温度ムラが生じ得る。これにより、加熱されるプラスチック基板に温度ムラが生じ、温度ムラに起因してプラスチック基板にシワ等の変形が生じるおそれがある。そうすると、有機電子素子の歩留まりが低下するという問題がある。

　本発明の一側面は、歩留まりの向上を図ることができる有機電子素子の製造方法及び有機電子素子の製造装置を提供することを目的とする。

　本発明の一側面に係る有機電子素子の製造方法は、有機電子素子の製造方法であって、所定の機能を有する機能層用の塗布液をプラスチック基板の一方の主面側に塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、赤外線加熱炉内で塗布膜に赤外線を照射して塗布膜を加熱硬化させることによって、機能層を形成する加熱工程と、を含み、加熱工程では、塗布膜が形成されたプラスチック基板の一方の主面側から複数の近赤外線ランプにより近赤外線を照射すると共に、一方の主面とは反対側の他方の主面側から複数の遠赤外線ヒータにより遠赤外線を照射する。

　本発明の一側面に係る有機電子素子の製造方法では、加熱工程において、プラスチック基板の一方の主面側から複数の近赤外線ランプにより近赤外線を照射すると共に、一方の主面とは反対側の他方の主面側から複数の遠赤外線ヒータにより遠赤外線を照射する。これにより、プラスチック基板は、一方の主面側が近赤外線ランプの近赤外線により加熱されると共に、他方の主面側が遠赤外線ヒータの遠赤外線により加熱される。この構成では、近赤外線ランプにより生じる温度ムラを、遠赤外線ヒータにより解消することができる。そのため、プラスチック基板に温度ムラが生じることを抑制できる。したがって、温度ムラに起因するプラスチック基板の変形を抑制できる。その結果、歩留まりの向上を図ることができる。

　一実施形態においては、塗布液は、架橋性基を有する材料を含んでおり、加熱工程では、赤外線により架橋性基を架橋させることによって、塗布膜を加熱硬化させてもよい。

　一実施形態においては、加熱工程では、赤外線加熱炉内において、プラスチック基板を搬送しながら赤外線を塗布膜に照射し、複数の近赤外線ランプは、プラスチック基板の搬送方向において、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の間隔をあけて配置されていてもよい。これにより、近赤外線ランプの直下の温度と、隣り合う近赤外線ランプの間の温度との差を小さくすることができる。したがって、温度ムラの発生を抑制できる。

　一実施形態においては、一方の主面と他方の主面との対向方向における、他方の主面に対する複数の遠赤外線ヒータの投影面の面積の合計は、赤外線加熱炉内に存在するプラスチック基板の他方の主面の表面積に対して３０％以上であってもよい。これにより、プラスチック基板を効果的に加熱することができる。

　一実施形態においては、複数の遠赤外線ヒータは、複数の領域のそれぞれに少なくとも１つずつ配置されていると共に、領域毎に温度が調整可能であってもよい。これにより、赤外線加熱炉内において、領域毎に温度を調整することができる。したがって、赤外線加熱炉内における温度の調整をより精度良く行うことができる。その結果、温度ムラの発生を抑制でき、温度ムラに起因するプラスチック基板の変形を抑制できる。

　一実施形態においては、複数の領域のそれぞれにおいて、プラスチック基板の搬送方向に直交する幅方向の長さは、０．３ｍ以下であってもよい。これにより、赤外線加熱炉内において、領域毎に温度をより精度良く調整することができる。

　一実施形態においては、加熱工程では、プラスチック基板の一方の主面及び他方の主面の少なくとも一方に、不活性ガスを吹き付けてもよい。赤外線加熱炉内のプラスチック基板は、赤外線で加熱されると、その表面から加熱された空気により上昇気流（対流）が発生し得る。上昇気流が発生すると、温度ムラが発生し得る。そのため、一実施形態では、プラスチック基板の一方の主面及び他方の主面の少なくとも一方に不活性ガスを吹き付ける。これにより、上昇気流の発生を抑制でき、温度ムラの発生を抑制できる。その結果、温度ムラに起因するプラスチック基板の変形を抑制できる。

　一実施形態においては、プラスチック基板の一方の主面上に下地層を形成する形成工程を含み、塗布膜形成工程では、下地層上に塗布膜を形成してもよい。これにより、プラスチック基板と機能層との間に、下地層（例えば、電極等）を形成できる。

　本発明の一側面に係る有機電子素子の製造装置は、有機電子素子の製造装置であって、プラスチック基板の一方の主面側において、所定の機能を有する機能層用の塗布液が塗布されて形成されている塗布膜に赤外線を照射して、塗布膜を加熱硬化させる赤外線加熱炉を備え、赤外線加熱炉は、塗布膜が形成されているプラスチック基板の一方の主面側から近赤外線を照射する複数の近赤外線ランプと、一方の主面とは反対側の他方の主面側から遠赤外線を照射する複数の遠赤外線ヒータと、を有する。

　本発明の一側面に係る有機電子素子の製造装置では、赤外線加熱炉は、複数の近赤外線ランプと、複数の遠赤外線ヒータと、を有する。これにより、プラスチック基板は、一方の主面側が近赤外線ランプの近赤外線により加熱されると共に、他方の主面側が遠赤外線ヒータの遠赤外線により加熱される。この構成では、近赤外線ランプにより生じる温度ムラを、遠赤外線ヒータにより解消することができる。そのため、プラスチック基板に温度ムラが生じることを抑制できる。したがって、温度ムラに起因するプラスチック基板の変形を抑制できる。その結果、歩留まりの向上を図ることができる。

　本発明の一側面によれば、歩留まりの向上を図ることができる。

図１は、一実施形態に係る有機電子素子の製造方法により製造された有機ＥＬ素子の構成を示す図である。 図２は、図１に示す有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャートである。 図３は、赤外線加熱炉を模式的に示す図である。 図４は、赤外線加熱炉における遠赤外線ヒータをＹ方向から見た図である。 図５は、プラスチック基板に対する遠赤外線ヒータの投影面を示す図である。

　以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

　本実施形態では、有機電子素子が有機ＥＬ素子である形態について説明する。図１に模式的に示した、一実施形態に係る有機ＥＬ素子（有機電子素子）の製造方法で製造される有機ＥＬ素子１０は、例えば曲面状又は平面状の照明装置、例えばスキャナの光源として用いられる面状光源、及び表示装置に用いられ得る。

　有機ＥＬ素子１０は、プラスチック基板１２と、陽極１４と、有機ＥＬ部１６と、陰極１８と、を備える。有機ＥＬ素子１０は、陽極１４側から光を出射する形態、或いは、陰極１８側から光を出射する形態を取り得る。以下では、断らない限り、陽極１４側から光を出射する形態について説明する。

［プラスチック基板］
　プラスチック基板１２は、可視光（波長４００ｎｍ～８００ｎｍの光）に対して透光性を有する。プラスチック基板１２は、例えばフィルム状を呈し、可撓性を有する。プラスチック基板１２の厚さは、例えば３０μｍ以上７００μｍ以下である。プラスチック基板１２は、一方の主面１２ａと、一方の主面１２ａの反対側の他方の主面１２ｂと、を有する。

　プラスチック基板１２の材料(プラスチック材料)としては、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン－酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂が挙げられる。

　プラスチック基板１２には、有機ＥＬ素子１０を駆動するための駆動回路（例えば、薄膜トランジスタなどを含む回路）が形成されていてもよい。このような駆動回路は、通常、透明材料から構成される。

　プラスチック基板１２上には、バリア膜が形成されていてもよい。バリア膜は、水分をバリアする機能を有する。バリア膜は、ガス（例えば酸素）をバリアする機能を有してもよい。バリア膜は、例えば、ケイ素、酸素及び炭素からなる膜、又は、ケイ素、酸素、炭素及び窒素からなる膜であり得る。具体的には、バリア膜の材料の例は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等である。バリア膜の厚さの例は、１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。

［陽極］
　陽極１４は、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａ上に設けられている。プラスチック基板１２上にバリア膜が形成されている形態では、陽極１４はバリア膜上に設けられる。陽極１４には、光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。陽極１４は、導電体（例えば金属）からなるネットワーク構造を有してもよい。

　陽極１４の材料としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等が挙げられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズが好ましい。陽極１４の材料には、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物を用いてもよい。この場合、陽極１４は、透明導電膜として形成され得る。

　陽極１４の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極１４の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。

［有機ＥＬ部］
　有機ＥＬ部１６は、陽極１４上に設けられている。有機ＥＬ部１６は、陽極１４及び陰極１８に印加された電圧に応じて、電荷の移動、電荷の再結合等の有機ＥＬ素子１０の発光に寄与する機能部である。

　有機ＥＬ部１６は、正孔注入層ＦＬ１、正孔輸送層ＦＬ２、発光層ＦＬ３、電子輸送層ＦＬ４及び電子注入層ＦＬ５を含み、それらが、陽極１４側から順に積層された積層体である。正孔注入層ＦＬ１、正孔輸送層ＦＬ２、発光層ＦＬ３、電子輸送層ＦＬ４及び電子注入層ＦＬ５は、それぞれ所定の機能を有する機能層である。有機ＥＬ部１６は、発光層ＦＬ３を含んでいれば、例示したものに限定されない。

　正孔注入層ＦＬ１は、陽極１４上に設けられており、陽極１４から発光層ＦＬ３への正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔注入層ＦＬ１の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように、適宜設定される。正孔注入層ＦＬ１の厚さは、例えば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。

　正孔注入層ＦＬ１の材料には、公知の正孔注入材料が用いられ得る。正孔注入材料としては、例えば酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム及び酸化アルミニウム等の酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物、アモルファスカーボン及びポリアニリンを挙げることができる。

　正孔輸送層ＦＬ２は、正孔注入層ＦＬ１上に設けられており、陽極１４、正孔注入層ＦＬ１又は陽極１４により近い正孔輸送層ＦＬ２から発光層ＦＬ３への正孔注入を改善する機能を有する層である。正孔輸送層ＦＬ２の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように、適宜設定される。正孔輸送層ＦＬ２の厚さは、例えば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。

　正孔輸送層ＦＬ２の材料には、公知の正孔輸送材料が用いられ得る。正孔輸送層ＦＬ２の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、トリフェニルジアミン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５－チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等が挙げられる。正孔輸送層ＦＬ２の材料としては、例えば特開２０１２－１４４７２２号公報に開示されている正孔輸層材料も挙げられる。

　発光層ＦＬ３は、正孔輸送層ＦＬ２上に設けられており、発光層ＦＬ３は、所定の波長の光を発光する機能を有する層である。発光層ＦＬ３の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。

　発光層ＦＬ３は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、或いは、該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上、発光波長を変化させる等のために加えられる。発光層ＦＬ３に含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。発光層ＦＬ３を構成する発光材料としては、下記の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、ドーパント材料等が挙げられる。

　色素系の発光材料としては、例えばシクロペンダミン若しくはその誘導体、テトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体、トリフェニルアミン若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、ピラゾロキノリン若しくはその誘導体、ジスチリルベンゼン若しくはその誘導体、ジスチリルアリーレン若しくはその誘導体、ピロール若しくはその誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、オリゴチオフェン若しくはその誘導体、オキサジアゾールダイマー若しくはその誘導体、ピラゾリンダイマー若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体等が挙げられる。

　金属錯体系の発光材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体が挙げられる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等が挙げられる。

　高分子系の発光材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリパラフェニレン若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、ポリアセチレン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、上記色素材料及び金属錯体材料の少なくとも一方を高分子化した材料等が挙げられる。

　ドーパント材料としては、例えばペリレン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体、ルブレン若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、スクアリウム若しくはその誘導体、ポルフィリン若しくはその誘導体、スチリル色素、テトラセン若しくはその誘導体、ピラゾロン若しくはその誘導体、デカシクレン若しくはその誘導体、フェノキサゾン若しくはその誘導体等が挙げられる。

　電子輸送層ＦＬ４は、発光層ＦＬ３上設けられており、陰極１８、電子注入層ＦＬ５、又は、陰極１８により近い電子輸送層ＦＬ４からの発光層ＦＬ３への電子注入を改善する機能を有する層である。電子輸送層ＦＬ４の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。電子輸送層ＦＬ４の厚さは、例えば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。

　電子輸送層ＦＬ４の材料には、公知の電子輸送材料が用いられ得る。電子輸送層ＦＬ４を構成する電子輸送材料としては、例えばオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は８－ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げられる。

　電子注入層ＦＬ５は、電子輸送層ＦＬ４上に設けられており、陰極１８から発光層ＦＬ３への電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子注入層ＦＬ５の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように適宜設定される。電子注入層ＦＬ５の厚さは、例えば１ｎｍ～１μｍである。

　電子注入層ＦＬ５の材料には、公知の電子注入材料が用いられ得る。電子注入層ＦＬ５の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、又はこれらの物質の混合物等が挙げられる。

　アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸塩としては、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等が挙げられる。

　アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸塩としては、例えばマグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。

　この他に従来知られた電子輸送性の有機材料と、アルカリ金属を有する有機金属錯体を混合した層を電子注入層ＦＬ５として利用することができる。この他に、国際公開第１２／１３３２２９号に記されたアルカリ金属塩を側鎖に含むイオン性高分子化合物なども電子注入層ＦＬ５として用いることができる。

［陰極］
　陰極１８は、有機ＥＬ部１６上に設けられている。陰極１８の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。陰極１８の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。

　陰極１８の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表の第１３族の金属等が挙げられる。陰極１８としては、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いてもよい。

＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
　続いて、有機ＥＬ素子１０の製造方法の一例について、可撓性を有する帯状（又は長尺）のプラスチック基板１２を利用して有機ＥＬ素子１０を製造する場合を説明する。帯状のプラスチック基板１２は、例えば長手方向の長さが、幅方向(短手方向)の１０倍以上であるプラスチック基板である。プラスチック基板１２の幅は、例えば、０．２ｍ～１．０ｍである。有機ＥＬ素子１０の製造方法は、図２に示されるように、陽極形成工程（形成工程）Ｓ１０と、有機ＥＬ部形成工程Ｓ１２と、陰極形成工程Ｓ１４と、を含む。

［陽極形成工程］
　陽極形成工程Ｓ１０では、プラスチック基板１２上に陽極（下地層）１４を形成する。帯状のプラスチック基板１２を利用している場合、プラスチック基板１２のうち長手方向に複数の有機ＥＬ素子形成領域を設定し、各有機ＥＬ素子形成領域にそれぞれ陽極１４を形成する。陽極１４は、有機ＥＬ素子の製造において公知の方法で形成され得る。陽極１４の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等が挙げられる。

　塗布法としては、例えば、インクジェット印刷法が挙げられるが、陽極１４を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、例えばマイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズルプリント法等が挙げられる。

　陽極１４の材料を含む塗布液の溶媒は、陽極１４の材料を溶解できる溶媒であればよい。溶媒としては、例えばクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩化物溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒等が挙げられる。

［有機ＥＬ部形成工程］
　有機ＥＬ部形成工程Ｓ１２では、陽極１４上に、有機ＥＬ部１６を形成する。具体的には、陽極１４上に、正孔注入層ＦＬ１、正孔輸送層ＦＬ２、発光層ＦＬ３、電子輸送層ＦＬ４及び電子注入層ＦＬ５を順に積層することによって、有機ＥＬ部１６を形成する。

　正孔注入層ＦＬ１、正孔輸送層ＦＬ２、発光層ＦＬ３、電子輸送層ＦＬ４及び電子注入層ＦＬ５を機能層ＦＬと称し、機能層ＦＬの形成方法(機能層の製造方法)を説明する。

　図３では、形成すべき機能層ＦＬの形成前に既に形成されている層を下地層ＵＬとして図示している。形成すべき機能層ＦＬが正孔注入層ＦＬ１である場合、下地層ＵＬは陽極１４であり、形成すべき機能層ＦＬが正孔輸送層ＦＬ２である場合、下地層ＵＬは陽極１４と正孔注入層ＦＬ１とであり、形成すべき機能層ＦＬが発光層ＦＬ３である場合、下地層ＵＬは陽極１４と正孔注入層ＦＬ１と正孔輸送層ＦＬ２である。形成すべき機能層ＦＬが電子輸送層ＦＬ４又は電子注入層ＦＬ５である場合の下地層ＵＬも同様に定義される。

　機能層ＦＬの形成方法は、塗布膜形成工程と、加熱工程とを有する。本実施形態において、塗布膜形成工程と、加熱工程とは、帯状のプラスチック基板１２を、その長手方向（図３の矢印の方向）にローラで搬送しながら順に実施する。

＜塗布膜形成工程＞
　塗布膜形成工程では、機能層ＦＬとなる材料を含む塗布液（機能層ＦＬ用の塗布液）を、塗布装置（図示しない）からプラスチック基板１２の一方の主面１２ａ側（具体的には下地層ＵＬ上）に塗布し、塗布膜Ｃを形成する。

　本実施形態のように、帯状のプラスチック基板１２を搬送しながら実施する塗布法の例としては、スリットコート法（ダイコート法）、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルプリント法等が挙げられる。塗布法がインクジェット印刷法である場合は、塗布装置２０は、インクジェットノズルを含むインクジェット装置であればよい。

　機能層ＦＬの材料を含む塗布液の溶媒は、機能層ＦＬの材料を溶解できる溶媒であればよい。溶媒は、陽極形成工程Ｓ１０の説明で挙げた溶媒と同様とし得る。

　塗布液は、架橋性基を有する材料を含み得る。架橋性基を有する材料としては、架橋性基を有する有機化合物や、架橋剤等が挙げられる。ここで、架橋性基とは、所定の条件下で化合物の架橋反応を起こし得る置換基である。

　架橋性基の例としては、ビニル基、エチニル基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリロイルオキシアルキル基、アクリロイルアミド基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシアルキル基、メタクリロイルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、小員環を有する化合物（例えばシクロプロパン、シクロブタン、エポキシド、オキセタン、ジケテン、エピスルフィド、３員環又は４員環のラクトン、及び、３員環又は４員環のラクタム等）から少なくとも１つの水素原子を除いた基が挙げられる。

　架橋剤の例としては、ビニル基、エチニル基、ブテニル基、アクリロイル基、アクリロイルオキシアルキル基、アクリロイルアミド基、メタクリロイル基、メタクリロイルオキシアルキル基、メタクリロイルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基を有する化合物、及び、小員環を有する化合物（例えばシクロプロパン、シクロブタン、エポキシド、オキセタン、ジケテン、エピスルフィド、３員環又は４員環のラクトン、及び、３員環又は４員環のラクタム等）を挙げることができる。架橋剤としては、例えば多官能アクリレートが好ましく、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）、トリスペンタエリスリトールオクタアクリレート（ＴＰＥＡ）などが挙げられる。

　塗布膜形成工程で、プラスチック基板１２上に形成された塗布膜Ｃは、プラスチック基板１２の搬送に伴って搬送経路上に設けられた赤外線加熱炉２４内に搬入される。

［加熱工程］
　加熱工程では、赤外線加熱炉２４内で塗布膜Ｃを加熱硬化させて機能層ＦＬを形成する。図３に示されるように、赤外線加熱炉２４は、筐体２６と、近赤外線ランプ２８と、第１ノズル３０と、遠赤外線ヒータ３２と、第２ノズル３４と、を有する。赤外線加熱炉２４の各装置は、図示しない制御装置により動作が制御される。赤外線加熱炉２４は、有機ＥＬ素子１０の製造装置を構成している。以下の説明では、図３及び図４に示すＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向を適宜使用する。

　筐体２６は、近赤外線ランプ２８、第１ノズル３０、遠赤外線ヒータ３２、及び、第２ノズル３４を収容している。筐体２６は、塗布膜Ｃを加熱処理するための加熱空間Ｓを形成している。本実施形態では、筐体２６の長手方向がＸ方向、筐体２６の高さ方向（上下方向）がＹ方向、筐体２６の幅方向がＺ方向である。筐体２６のＸ方向は、プラスチック基板１２の搬送方向に対応し、筐体２６のＺ方向は、プラスチック基板１２の幅方向に対応する。筐体２６は、箱状を呈している。筐体２６は、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）で形成されている。筐体２６は、プラスチック基板１２が筐体２６内に搬入される搬入口２６ａ、及び、筐体２６内からプラスチック基板１２が搬出される搬出口２６ｂを有する。筐体２６のＸ方向の長さは、例えば、３．９ｍである。本実施形態では、筐体２６内に存在するプラスチック基板１２の一方の主面１２ａ又は他方の主面１２ｂの表面積は、２．３ｍ^２である。

　近赤外線ランプ２８は、近赤外線を照射する。近赤外線ランプ２８は、図３に示されるように、筐体２６内において、プラスチック基板１２の上方（一方の主面１２ａ側）となる位置に配置されている。近赤外線ランプ２８は、複数設けられている。近赤外線ランプ２８は、筐体２６のＺ方向、すなわちプラスチック基板１２の延在方向に直交する方向（プラスチック基板１２の幅方向）に沿って延在する。また、複数の近赤外線ランプ２８は、筐体２６のＸ方向に沿って所定の間隔をあけて配置されている。本実施形態では、隣り合う近赤外線ランプ２８の間隔（近赤外線ランプ２８の中心間の距離）は、５０ｍｍ～１００ｍｍに設定される。近赤外線ランプ２８は、通常、波長範囲１．２μｍ～１０．０μｍを含む赤外線を出射する。

　第１ノズル３０は、不活性ガスを噴射する。第１ノズル３０は、図３に示されるように、筐体２６内において、プラスチック基板１２の上方（一方の主面１２ａ側）となる位置に配置されている。これにより、第１ノズル３０は、プラスチック基板１２の上方からプラスチック基板１２に向かって不活性ガスを噴射し、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａに不活性ガスを吹き付ける。本実施形態では、第１ノズル３０は、複数設けられている。第１ノズル３０は、例えば、筐体２６のＸ方向で対向する一対の近赤外線ランプ２８の間に配置されている。不活性ガスの例は、アルゴンガスである。第１ノズル３０から噴射される不活性ガスの圧力は、適宜設定する。

　遠赤外線ヒータ３２は、遠赤外線を照射する。遠赤外線ヒータ３２は、図３に示されるように、筐体２６内において、プラスチック基板１２の下方（他方の主面１２ｂ側）となる位置に配置されている。遠赤外線ヒータ３２は、複数設けられている。図３に示されるように、遠赤外線ヒータ３２は、プラスチック基板１２の下方となる位置で、且つ筐体２６のＸ方向で対向する一対の近赤外線ランプ２８の間に対応する位置に配置されている。本実施形態では、遠赤外線ヒータ３２は、筐体２６の高さ方向において、第１ノズル３０と対向する位置に配置されている。

　図４は、遠赤外線ヒータ３２をＹ方向から見た図である。図４に示されるように、遠赤外線ヒータ３２は、筐体２６のＺ方向（図４の上下方向）において所定の間隔をあけて複数（図４では３個）配置されている。また、遠赤外線ヒータ３２は、筐体２６のＸ方向（図４の左右方向）において所定の間隔をあけて複数（図４では１０個）配置されている。

　図５に示されるように、投影面ＰＳは、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａと他方の主面１２ｂとの対向方向（Ｙ方向）における、他方の主面１２ｂに対する遠赤外線ヒータ３２の投影面である。投影面ＰＳは、プラスチック基板１２に直交するＹ方向から見て、遠赤外線ヒータ３２がプラスチック基板１２と重なる面である。本実施形態では、投影面ＰＳは、長方形状（矩形状）を呈している。複数の投影面ＰＳの面積（水平投影面積）の合計は、赤外線加熱炉２４内に存在するプラスチック基板１２の他方の主面１２ｂの表面積に対して３０％以上である。

　図４に示されるように、遠赤外線ヒータ３２は、複数の領域に配置されている。本実施形態では、６個の領域Ａ１～Ａ６に区画されている。遠赤外線ヒータ３２は、各領域Ａ１～Ａ６に少なくとも１個配置されている。本実施形態では、遠赤外線ヒータ３２は、各領域Ａ１～Ａ６のそれぞれに複数（図４では５個）配置されている。各領域Ａ１～Ａ６の幅方向の長さＬ（Ｚ方向での寸法）は、０．２ｍ以上０．３ｍ以下に設定されている。各領域Ａ１～Ａ６の幅方向の長さＬは、遠赤外線ヒータ３２の幅方向の長さと同じであってもよいし、遠赤外線ヒータ３２の幅方向の長さよりも大きくてもよい。本実施形態では、領域Ａ１～Ａ６のそれぞれに配置されている遠赤外線ヒータ３２の投影面ＰＳの合計の面積は、１．２ｍ^２に設定されている。遠赤外線ヒータ３２は、領域Ａ１～Ａ６毎に（各領域Ａ１～Ａ６単位で）温度が調整（制御）可能とされている。これにより、赤外線加熱炉２４の筐体２６内において、例えば、領域Ａ１の遠赤外線ヒータ３２の温度と、領域Ａ５の遠赤外線ヒータ３２の温度とを変えることができる。

　遠赤外線ヒータ３２は、例えば、セラミックヒータである。遠赤外線ヒータ３２の温度は、例えば、１００℃～３００℃である。遠赤外線ヒータ３２は、通常、ピーク波長範囲４μｍ～８μｍを含む赤外線を出射する。遠赤外線ヒータ３２の表面は、波長範囲５μｍ～１０μｍにおける平均輻射率が０．３以上であることが好ましく、０．８以上であることが更に好ましい。

　第２ノズル３４は、不活性ガスを噴射する。第２ノズル３４は、図３に示されるように、筐体２６内において、プラスチック基板１２の下方（他方の主面１２ｂ側）となる位置に配置されている。これにより、第２ノズル３４は、プラスチック基板１２の下方からプラスチック基板１２に向かって不活性ガスを噴射し、プラスチック基板１２の他方の主面１２ｂに不活性ガスを吹き付ける。本実施形態では、第２ノズル３４は、複数設けられている。第２ノズル３４は、例えば、筐体２６のＸ方向で対向する一対の遠赤外線ヒータ３２の間に配置されている。不活性ガスの例は、アルゴンガスである。第２ノズル３４から噴射される不活性ガスの圧力は、適宜設定されればよく、例えば、第１ノズル３０から噴射される不活性ガスの圧力と同等である。

　上記赤外線加熱炉２４を利用した塗布膜Ｃの加熱工程について、より詳細に説明する。

　プラスチック基板１２上に形成された塗布膜Ｃが搬送されて赤外線加熱炉２４内に搬入口２６ａを通って搬入されると、近赤外線ランプ２８が近赤外線を塗布膜Ｃに照射すると共に、遠赤外線ヒータ３２がプラスチック基板１２に遠赤外線を照射する。これにより、塗布膜Ｃが加熱硬化されて機能層ＦＬが形成される。塗布液が架橋性基を有する場合、赤外線による塗布膜Ｃの加熱により架橋反応(重合反応を含む)が生じる。これによって、架橋性基が架橋され、塗布膜Ｃが硬化して機能層ＦＬが形成される。

　このようにしてプラスチック基板１２上に形成された機能層ＦＬは、搬出口２６ｂから搬出される。プラスチック基板１２の搬送速度は、近赤外線ランプ２８から照射される赤外線によって、赤外線加熱炉２４を通過中に、塗布膜Ｃが加熱硬化され機能層ＦＬが形成されるように、調整されていればよい。

　加熱工程で、塗布膜Ｃを加熱硬化する際には、第１ノズル３０及び第２ノズル３４から不活性ガスＧを筐体２６内に供給し、筐体２６内を不活性ガス雰囲気下にしておく。

　正孔注入層ＦＬ１、正孔輸送層ＦＬ２、発光層ＦＬ３、電子輸送層ＦＬ４及び電子注入層ＦＬ５は、それぞれの層を形成する場合に、上記機能層ＦＬの形成方法を順に実施することで、陽極１４上に形成される。これらは、プラスチック基板１２をその長手方向に搬送しながら連続的に実施され得る。

［陰極形成工程］
　陰極形成工程Ｓ１４では、有機ＥＬ部１６上に陰極１８を形成する。陰極１８の形成方法は、陽極１４の形成方法と同様とし得るので、説明を省略する。

　本実施形態では、帯状のプラスチック基板１２に設定される複数の有機ＥＬ素子形成領域のそれぞれに陽極１４、有機ＥＬ部１６及び陰極１８を設けているため、上記陰極形成工程Ｓ１６の後に、切断工程を実施して、有機ＥＬ素子１０を切り出す。切断工程の前又は後に、封止部材で有機ＥＬ素子１０を封止する封止工程を実施してもよい。

　陽極形成工程Ｓ１０、有機ＥＬ部形成工程Ｓ１２及び陰極形成工程Ｓ１４は、帯状のプラスチック基板１２が巻き取られた第１ロール（巻出しロール）からプラスチック基板１２を繰り出して、第２ロール(巻取りロール)に巻き取る間に順次実施する、ロールツーロール方式で実施されてもよい。図３に示した機能層ＦＬの形成方法は、ロールツーロール方式で有機ＥＬ部１６を形成する際の一部拡大図に対応する。陽極形成工程Ｓ１０、有機ＥＬ部形成工程Ｓ１４及び陰極形成工程Ｓ１６の何れかの工程をロールツーロール方式で実施してもよい。

　以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法では、加熱工程において、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａ側から複数の近赤外線ランプ２８により近赤外線を照射すると共に、プラスチック基板１２の他方の主面１２ｂ側から複数の遠赤外線ヒータ３２により遠赤外線を照射する。これにより、プラスチック基板１２は、一方の主面１２ａ側が近赤外線ランプ２８の近赤外線により加熱されると共に、他方の主面１２ｂ側が遠赤外線ヒータ３２の遠赤外線により加熱される。この構成では、近赤外線ランプ２８により生じる温度ムラを、遠赤外線ヒータ３２により解消することができる。そのため、プラスチック基板１２に温度ムラが生じることを抑制できる。したがって、温度ムラに起因するプラスチック基板１２の変形を抑制できる。その結果、歩留まりの向上を図ることができる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法では、加熱工程において、赤外線加熱炉２４内でプラスチック基板１２を搬送しながら赤外線を塗布膜Ｃに照射する。近赤外線ランプ２８は、プラスチック基板１２の搬送方向において、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の間隔をあけて配置されている。これにより、近赤外線ランプ２８の温度と、隣り合う近赤外線ランプ２８の間の温度との差を小さくすることができる。したがって、温度ムラの発生を抑制できる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法では、加熱工程に用いる赤外線加熱炉２４において、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａと他方の主面１２ｂとの対向方向における、他方の主面１２ｂに対する複数の遠赤外線ヒータ３２の投影面ＰＳの面積の合計は、赤外線加熱炉２４内に存在するプラスチック基板１２の他方の主面１２ｂの表面積に対して３０％以上である。これにより、プラスチック基板１２を効果的に加熱することができる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法では、加熱工程に用いる複数の遠赤外線ヒータ３２は、複数の領域Ａ１～Ａ６のそれぞれに配置されていると共に、領域Ａ１～Ａ６毎に温度が調整可能である。これにより、赤外線加熱炉２４内において、領域Ａ１～Ａ６毎に温度を調整することができる。したがって、赤外線加熱炉２４内における温度の調整をより精度良く行うことができる。その結果、温度ムラの発生を抑制でき、温度ムラに起因するプラスチック基板１２の変形を抑制できる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法では、加熱工程に用いる赤外線加熱炉２４において、複数の領域Ａ１～Ａ６のそれぞれにおける、プラスチック基板１２の搬送方向に直交する幅方向の長さＬは、０．３ｍ以下である。これにより、赤外線加熱炉２４内において、領域Ａ１～Ａ６毎に温度をより精度良く調整することができる。なお、複数の領域Ａ１～Ａ６の幅方向の長さＬによる効果は、赤外線加熱炉２４のサイズ及びプラスチック基板１２の搬送速度等の変化による影響を受け難い。そのため、複数の領域Ａ１～Ａ６の幅方向の長さＬを０．３ｍ以下に設定することにより、使用環境の変化に依存することなく、温度制御を精度良く行うことができる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法では、加熱工程において、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａ及び他方の主面１２ｂに、不活性ガスを吹き付ける。赤外線加熱炉２４内のプラスチック基板１２は、赤外線で加熱されると、その表面から加熱された空気により上昇気流（対流）が発生し得る。上昇気流が発生すると、温度ムラが発生し得る。そのため、本実施形態では、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａ及び他方の主面１２ｂに不活性ガスを吹き付ける。これにより、上昇気流の発生を抑制でき、温度ムラの発生を抑制できる。その結果、温度ムラに起因するプラスチック基板１２の変形を抑制できる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法では、加熱工程に用いる近赤外線ランプ２８は、筐体２６の上方に配置されており、遠赤外線ヒータ３２は、筐体２６の下方に配置されている。遠赤外線ヒータ３２は、筐体２６のＸ方向において対向する一対の近赤外線ランプ２８の間に対応する位置に配置されている。これにより、近赤外線ランプ２８の間の温度が低くなることを、遠赤外線ヒータ３２により抑制できる。したがって、温度ムラの発生をより一層抑制できる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法では、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａ上に下地層ＵＬを形成する工程を含む。塗布膜形成工程では、下地層ＵＬ上に塗布膜Ｃを形成する。これにより、プラスチック基板１２と有機ＥＬ部１６との間に、陽極１４を含む下地層ＵＬを形成できる。

　以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

　上記実施形態では、遠赤外線ヒータ３２が複数の領域Ａ１～Ａ６に配置されており、領域Ａ１～Ａ６毎に遠赤外線ヒータ３２の温度が調整される形態を一例に説明した。しかし、遠赤外線ヒータ３２は、領域毎に配置されなくてもよい。また、上記実施形態では、６つの領域Ａ１～Ａ６に区画されている形態を一例に説明したが、領域の数はこれに限定されない。

　上記実施形態では、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａ及び他方の主面１２ｂに、不活性ガスを吹き付ける形態を一例に説明した。しかし、プラスチック基板１２の一方の主面１２ａ及び他方の主面１２ｂのうちのどちらか一方のみに、不活性ガスを吹き付けていてもよい。

　上記実施形態では、赤外線加熱炉２４が第１ノズル３０及び第２ノズル３４を有する形態を一例に説明した。しかし、赤外線加熱炉２４は、第１ノズル３０及び第２ノズル３４の少なくとも一方を備えていればよい。

　有機ＥＬ部は、前述したように発光層以外の他の機能層を含む積層体でもよい。各種の機能層を含む有機ＥＬ素子の層構成の例を以下に示す。
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｆ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（ｇ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｈ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
　記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味している。上記（ｆ）の構成が図１に示した構成に対応する。

　正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも一方が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層と称される場合もある。電子注入層及び電子輸送層の少なくとも一方が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層と称される場合もある。

　有機ＥＬ素子は単層の発光層を有していても２層以上の発光層を有していてもよい。上記（ａ）～（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極と陰極との間に配置された積層構造を「構造単位Ｉ」とすると、２層の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ｉ）の層構成は互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極／（構造単位Ｉ）／電荷発生層／（構造単位Ｉ）／陰極

　ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデンなどからなる薄膜を挙げることができる。

　「（構造単位Ｉ）／電荷発生層」を「構造単位ＩＩ」とすると、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極／（構造単位ＩＩ）ｘ／（構造単位Ｉ）／陰極

　記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位ＩＩ）ｘ」は、（構造単位ＩＩ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位ＩＩ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。電荷発生層を設けずに、複数の発光層を直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。

　プラスチック基板１２に形成される電極を陽極として説明したが、プラスチック基板が側に陰極が設けられてもよい。

　有機機能層を有する有機電子素子の製造方法は、例示した有機ＥＬ素子の他、有機トランジスタ（有機電子素子）、有機光電変換素子（有機電子素子）及び有機太陽電池（（有機電子素子）といった、所定の機能層を有する有機電子素子の製造方法に適用し得る。

　以下、実施例を用いて、本発明の内容を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

　プラスチック基板として、幅０．６ｍ、厚さ０．１ｍｍの基板を用いた。プラスチック基板の材料は、ＰＥＮである。赤外線加熱炉は、箱状の筐体と、近赤外線ランプと、遠赤外線ヒータと、を備えている。近赤外線ランプは、筐体の上方に配置し、遠赤外線ヒータは、筐体の下方に配置した。遠赤外線ヒータの表面は、波長範囲５μｍ～１０μｍの平均輻射率０．８以上の赤外線輻射材料で形成した。赤外線輻射材料は、プラスチック基板の下面に対して露出している。遠赤外線ヒータの表面における平均輻射率は、例えば、アルミ箔等で表面を覆うことにより変更することが可能である。

（実施例）
　近赤外線ランプの合計出力を１５ｋＷとし、遠赤外線ヒータの合計出力を３．６ｋＷとした。筐体内が恒温となった後にプラスチック基板を搬送しながらプラスチック基板の温度分布を測定したところ、プラスチック基板の温度は１５０℃であり、温度分布は±４．５℃であった。実施例においては、プラスチック基板の変形は確認されなかった。

　１０…有機ＥＬ素子（有機電子素子）、１２…プラスチック基板、１２ａ…一方の主面、１２ｂ…他方の主面、１４…陽極（下地層）、２８…近赤外線ランプ、３２…遠赤外線ヒータ、Ａ１～Ａ６…領域、Ｃ…塗布膜、ＦＬ１…正孔注入層（機能層）、ＦＬ２…正孔輸送層（機能層）、ＦＬ３…発光層（機能層）、ＦＬ４…電子輸送層（機能層）、ＦＬ５…電子注入層（機能層）、ＰＳ…投影面、ＵＬ…下地層。

Claims (9)

1. 　有機電子素子の製造方法であって、
   　所定の機能を有する機能層用の塗布液をプラスチック基板の一方の主面側に塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
   　赤外線加熱炉内で前記塗布膜に赤外線を照射して前記塗布膜を加熱硬化させることによって、前記機能層を形成する加熱工程と、を含み、
   　前記加熱工程では、前記塗布膜が形成された前記プラスチック基板の前記一方の主面側から複数の近赤外線ランプにより近赤外線を照射すると共に、前記一方の主面とは反対側の他方の主面側から複数の遠赤外線ヒータにより遠赤外線を照射する、有機電子素子の製造方法。
2. 　前記塗布液は、架橋性基を有する材料を含んでおり、
   　前記加熱工程では、前記赤外線により前記架橋性基を架橋させることによって、前記塗布膜を加熱硬化させる、請求項１に記載の有機電子素子の製造方法。
3. 　前記加熱工程では、前記赤外線加熱炉内において、前記プラスチック基板を搬送しながら前記赤外線を前記塗布膜に照射し、
   　複数の前記近赤外線ランプは、前記プラスチック基板の搬送方向において、５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下の間隔をあけて配置されている、請求項１又は２に記載の有機電子素子の製造方法。
4. 　前記一方の主面と前記他方の主面との対向方向における、前記他方の主面に対する複数の前記遠赤外線ヒータの投影面の面積の合計は、前記赤外線加熱炉内に存在する前記プラスチック基板の前記他方の主面の表面積に対して３０％以上である、請求項１～３のいずれか一項に記載の有機電子素子の製造方法。
5. 　複数の前記遠赤外線ヒータは、複数の領域のそれぞれに少なくとも１つずつ配置されていると共に、前記領域毎に温度が調整可能である、請求項１～４のいずれか一項に記載の有機電子素子の製造方法。
6. 　複数の前記領域のそれぞれにおいて、前記プラスチック基板の搬送方向に直交する幅方向の長さは、０．３ｍ以下である、請求項５に記載の有機電子素子の製造方法。
7. 　前記加熱工程では、前記プラスチック基板の前記一方の主面及び前記他方の主面の少なくとも一方に、不活性ガスを吹き付ける、請求項１～６のいずれか一項に記載の有機電子素子の製造方法。
8. 　前記プラスチック基板の前記一方の主面上に下地層を形成する形成工程を含み、
   　前記塗布膜形成工程では、前記下地層上に前記塗布膜を形成する、請求項１～７のいずれか一項に記載の有機電子素子の製造方法。
9. 　有機電子素子の製造装置であって、
   　プラスチック基板の一方の主面側において、所定の機能を有する機能層用の塗布液が塗布されて形成されている塗布膜に赤外線を照射して、前記塗布膜を加熱硬化させる赤外線加熱炉を備え、
   　前記赤外線加熱炉は、前記塗布膜が形成されている前記プラスチック基板の前記一方の主面側から近赤外線を照射する複数の近赤外線ランプと、前記一方の主面とは反対側の他方の主面側から遠赤外線を照射する複数の遠赤外線ヒータと、を有する、有機電子素子の製造装置。

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