WO2021005976A1 - 有機電子デバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2021005976A1
WO2021005976A1 PCT/JP2020/023583 JP2020023583W WO2021005976A1 WO 2021005976 A1 WO2021005976 A1 WO 2021005976A1 JP 2020023583 W JP2020023583 W JP 2020023583W WO 2021005976 A1 WO2021005976 A1 WO 2021005976A1
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temperature
layer
electrode layer
coating film
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PCT/JP2020/023583
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Inventor
秀益 吉岡
Original Assignee
住友化学株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Definitions

  • uneven thickness of the functional layer has a large effect on the performance of the organic electronic device, and therefore, it is required to reduce uneven thickness of the functional layer. Therefore, it is more effective to mainly use infrared rays than to dry the coating film using hot air.
  • an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic electronic device capable of manufacturing an organic electronic device having desired performance.
  • the functional layer has uneven thickness. Therefore, in order to form the functional layer in a desired state (for example, a desired thickness) using infrared rays, in the region where the temperature of the substrate rises, the region where the first electrode layer is formed on the substrate and the region where the first electrode layer is formed on the substrate and It is important to reduce the temperature difference from the region where the first electrode layer is not formed.
  • a desired state for example, a desired thickness
  • the method for manufacturing an organic electronic device includes a functional layer forming step of forming a functional layer on a first electrode layer provided on an electrode layer forming surface of a substrate, and a functional layer forming step on the functional layer.
  • the second electrode layer forming step of forming the second electrode layer is provided in the above, and in the functional layer forming step, the coating liquid for the functional layer is applied onto the first electrode layer to be used for the functional layer.
  • the above-mentioned function by heating and drying the coating film by irradiating the substrate provided with the coating film with infrared rays in an infrared heating furnace while transporting the coating film and the coating film forming step of forming the coating film.
  • the size of the first electrode layer is smaller than the size of the electrode layer forming surface, and is from the carry-in port of the infrared heating furnace.
  • the temperature of the substrate at the downstream end of the small region in the transport direction is determined.
  • the infrared irradiation unit has an infrared heater, and the temperature of the infrared irradiation unit may be the temperature of the infrared heater.
  • the method for manufacturing an organic electronic device includes a functional layer forming step of forming a functional layer on a first electrode layer provided on an electrode layer forming surface of a substrate, and a functional layer forming step on the functional layer.
  • a second electrode layer forming step for forming the second electrode layer is provided, and in the functional layer forming step, the coating liquid for the functional layer is applied onto the first electrode layer, and the coating for the functional layer is applied.
  • the coating film forming step to form the film and It has a drying step of forming the functional layer by heating and drying the coating film by irradiating the substrate provided with the coating film with infrared rays while transporting the substrate.
  • the size of the first electrode layer is smaller than the size of the electrode layer forming surface, and the temperature gradient of the substrate is 10 ° C./m or more in the transport direction of the substrate.
  • the region from the inlet of the infrared heating furnace is referred to as a temperature rising zone, in the temperature rising zone, infrared rays are emitted from the side opposite to the electrode layer forming surface of the substrate and the electrode layer forming surface side of the substrate.
  • the coating film is heated and dried by irradiating the substrate on which the coating film is provided.
  • the substrate may be a long flexible substrate.
  • the organic electronic device can be manufactured while transporting the substrate by the roll-to-roll method, so that the productivity of the organic electronic device is improved.
  • the coating liquid may be applied onto the substrate from the inkjet printing apparatus. Since the coating liquid used in an inkjet printing device usually has a low viscosity, liquid flow tends to occur. Therefore, in the region where the temperature of the substrate is raised, the method for manufacturing the organic electronic device in which the temperature difference of the substrate is less likely to occur due to infrared irradiation is more effective.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of an organic electroluminescence device (hereinafter, also referred to as “organic EL device”) manufactured by using the method for manufacturing an organic electronic device according to an embodiment.
  • the organic EL device (organic electronic device) 10 has a substrate 12, an anode layer (first electrode layer) 14, a device functional unit 16, and a cathode layer (second electrode layer) 18.
  • the anode layer 14, the device function unit 16, and the cathode layer 18 are laminated on the substrate 12 in the order of the anode layer 14, the device function unit 16, and the cathode layer 18.
  • the organic EL device 10 may be a top emission type organic EL device or a bottom emission type organic EL device. In the following, unless otherwise noted, the organic EL device 10 is a bottom emission type organic E. It is an L device.
  • the substrate 12 has translucency with respect to the light emitted by the organic EL device 10 (including visible light having a wavelength of 400 nm to 800 nm).
  • the substrate 12 is a flexible substrate such as a plastic substrate and a polymer film.
  • the flexible substrate is a substrate having a property that the substrate can be bent without being sheared or broken even when a predetermined force is applied to the substrate.
  • Board 1 The thickness of 2 is, for example, 30 ⁇ m to 700 ⁇ m.
  • a barrier layer having a moisture barrier function may be formed on the substrate 12.
  • the barrier layer may have a function of barriering gas (for example, oxygen) in addition to a function of barriering water.
  • Examples of the material of the anode layer 14 include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (abbreviated as ITO), and indium zinc oxide (abbreviated as ITO). Indium Zinc Oxide (abbreviated as IZO), gold, platinum, silver, copper and the like can be mentioned.
  • ITO, IZO, or tin oxide is preferable.
  • the anode layer 14 can be formed as a thin film made of the illustrated material.
  • organic substances such as polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives may be used. in this case,
  • the anode layer 14 can be formed as a transparent conductive film.
  • the device functional unit 16 is a functional unit that contributes to light emission of the organic EL device 10 such as charge transfer and charge recombination according to the voltage applied to the anode layer 14 and the cathode layer 18.
  • the device functional unit 16 has a light emitting layer which is a functional layer.
  • the device functional unit 16 may have a functional layer other than the light emitting layer. That is, the device functional unit 16 has one or a plurality of functional layers.
  • the light emitting layer is a functional layer having a function of emitting light (including visible light).
  • the light emitting layer is an organic layer, and is usually composed of an organic substance that mainly emits at least one of fluorescence and phosphorescence, or an organic substance and a dopant material that assists the organic substance. Dopant materials are added, for example, to improve luminous efficiency and change the emission wavelength.
  • the organic substance may be a low molecular weight compound or a high molecular weight compound.
  • the thickness of the light emitting layer is, for example, 2 nm to 200 nm.
  • organic substances that are luminescent materials that mainly emit at least one of fluorescence and phosphorescence include the following pigment-based materials, metal complex-based materials, and polymer-based materials.
  • dye-based material examples include cyclopendamine derivatives, tetraphenylbutadiene derivative compounds, triphenylamine derivatives, oxaziazole derivatives, pyrazoloquinolin derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, pyrrole derivatives, and thiophene ring compounds. , Pylin ring compounds, perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, oxaziazole dimers, pyrazoline dimers, quinacridone derivatives, coumarin derivatives and the like.
  • Metal complex material examples include rare earth metals such as Tb, Eu, and Dy, or Al and Zn. , Be, Ir, Pt and the like as the central metal, and oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, a quinoline structure and the like as ligands.
  • the metal complex material include metal complexes that emit light from a triple-term excited state such as an iridium complex and a platinum complex, aluminum quinolinol complex, benzoquinolinol berylium complex, benzoxazolyl zinc complex, benzothiazole zinc complex, and azomethylzinc. Examples thereof include a complex, a porphyrin zinc complex, and a phenanthroline europium complex.
  • Dopant materials include, for example, perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, Examples thereof include quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazolone derivatives, decacyclene and phenoxazone.
  • the device functional unit 16 may have at least one functional layer in addition to the light emitting layer. That is, the device function unit 16 may have a multi-layer structure. For example, at least one of a hole injection layer and a hole transport layer may be provided between the anode layer 14 and the light emitting layer. At least one of an electron transport layer and an electron injection layer may be provided between the light emitting layer and the cathode layer 18.
  • the hole injection layer is a functional layer having a function of improving the hole injection efficiency from the anode layer 14 to the light emitting layer.
  • the hole injection layer may be an inorganic layer or an organic layer.
  • the hole injection material constituting the hole injection layer may be a low molecular weight compound or a high molecular weight compound.
  • low molecular weight compounds examples include vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and the like. And metal oxides such as aluminum oxide, metal phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine, carbon and the like.
  • Polymer compounds include, for example, polyaniline, polythiophene, polythiophene derivatives such as polyethylenedioxythiophene (PEDOT), polypyrrole, polyphenylene vinylene, polythienylene vinylene, polyquinoline and polyquinoxaline, and Examples thereof include conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain.
  • PEDOT polyethylenedioxythiophene
  • PDOT polyethylenedioxythiophene
  • polypyrrole polypyrrole
  • polyphenylene vinylene polythienylene vinylene
  • polyquinoline polyquinoxaline
  • conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain.
  • the hole transport layer is an organic layer containing a hole transport material.
  • the hole transport material is not limited as long as it is an organic compound having a hole transport function.
  • the organic compound having a hole transport function include Polyvinylcarbazole or its derivative, polysilane or its derivative, polysiloxane derivative having an aromatic amine residue on the side chain or main chain, pyrazoline derivative, arylamine derivative, stilben derivative, triphenyldiamine derivative, polyaniline or its derivative, polythiophene or Its derivatives, polypyrrole or its derivatives, Polyarylamine or its derivative, poly (p-phenylene vinylene) or its derivative, polyfluorene derivative, polymer compound having an aromatic amine residue, and poly (2) , 5-Thienylene vinylene) or its derivatives.
  • Examples of hole transport materials include JP-A-63-70257 and JP-A-63-175860.
  • Examples thereof include hole transport materials described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 09988, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-37992, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-152184.
  • the electron transport layer is a functional layer having a function of improving the electron injection efficiency from the electron injection layer (cathode layer 18 in the form in which the electron injection layer does not exist) to the light emitting layer.
  • the electron transport layer is an organic layer containing an electron transport material.
  • a known material can be used as the electron transport material.
  • Specific examples of the electron transport material include oxadiazole derivatives, anthraquinone dimethane or its derivatives, benzoquinone or its derivatives, naphthoquinone or its derivatives, anthraquinone or its derivatives, tetracyanoanthraquinone dimethane or its derivatives, fluorenone derivatives, etc.
  • Diphenyldicyanoethylene or its derivatives A diphenoquinone derivative, or a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof, Examples thereof include polyquinoline or a derivative thereof, polyquinoxaline or a derivative thereof, polyfluorene or a derivative thereof, and the like.
  • the thickness of the electron transport layer can be appropriately determined in consideration of the required characteristics, the ease of film formation, and the like.
  • the thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 500 nm. It is more preferably 5 nm to 200 nm.
  • alkali metals, alkali metal oxides, halides and carbonates include lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, lithium oxide, lithium fluoride, sodium oxide, sodium fluoride, potassium oxide, potassium fluoride, Rubidium oxide, rubidium fluoride, cesium oxide, cesium fluoride, lithium carbonate and the like can be mentioned.
  • alkaline earth metals or oxides, halides and carbonates of alkaline earth metals include Examples thereof include magnesium, calcium, barium, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, barium oxide, barium fluoride, strontium oxide, strontium fluoride, magnesium carbonate and the like.
  • a layer obtained by mixing a conventionally known electron-transporting organic material and an organometallic complex of an alkali metal can be used as an electron injection layer.
  • An example of the layer structure of the device function unit 16 is shown below.
  • the anode layer and the cathode layer are also shown in parentheses in order to show the arrangement relationship between the anode layer 14 and the cathode layer 18 and various functional layers.
  • the number of light emitting layers included in the device function unit 16 may be one or two or more.
  • the layer configuration shown in (j) below can be mentioned as the configuration of the device functional unit 16 having two light emitting layers.
  • the layer structure of the two structural units I may be the same as or different from each other.
  • the charge generation layer is a layer that generates holes and electrons by applying an electric field.
  • Examples of the charge generation layer include a thin film containing vanadium oxide, ITO, molybdenum oxide, and the like.
  • the configuration of the device functional unit 16 having three or more light emitting layers includes the layer configuration shown in (k) below.
  • x represents an integer of 2 or more
  • [structural unit II] x represents a laminated body in which [structural unit II] is laminated in x stages.
  • the layer structure of the plurality of structural units II may be the same or different.
  • the device function unit 16 may be configured by directly stacking a plurality of light emitting layers without providing the charge generation layer.
  • the cathode layer 18 is provided on the device function unit 16.
  • the optimum value of the thickness of the cathode layer 18 differs depending on the material used.
  • the thickness of the cathode layer 18 can be set in consideration of electrical conductivity, durability and the like.
  • the thickness of the cathode layer 18 is usually 10 nm to 10 ⁇ m, preferably 20 n. It is m to 1 ⁇ m, more preferably 50 nm to 500 nm.
  • the organic EL device 10 may have a sealing member for preventing deterioration of the device functional unit 16 due to moisture or the like.
  • the sealing member may be provided on the cathode layer 18 so as to seal at least the device functional unit 16.
  • the organic EL device 10 includes a sealing member, for example, a part of the anode layer 14 and the cathode layer 18 can be pulled out from the sealing member for external connection.
  • the organic EL device 10 uses a long substrate (substrate with electrodes) 12 in which a plurality of anode layers 14 are formed on the electrode layer forming surface 12a. To manufacture.
  • the plurality of anode layers 14 are a plurality of device forming regions D virtually set on the long substrate 12. It is provided on A.
  • One anode layer 14 may be provided in one device forming region DA.
  • the size of each anode layer 14 is smaller than the size of the electrode layer forming surface 12a of the long substrate 12. Specifically, the size of each anode layer 14 is smaller than the size of the corresponding device forming region DA.
  • the anode layer 14 can be formed by, for example, a dry film forming method, a plating method, a coating method, or the like.
  • the dry film forming method include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a CVD method.
  • the law etc. can be mentioned.
  • the coating method include an inkjet printing method, a slit coating method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, and an offset printing method. Examples include a printing method and a nozzle printing method.
  • the organic EL device manufacturing method includes a step of forming the device functional unit 16 on the anode layer 14 (device functional unit forming step) and a cathode layer 18 on the device functional unit 16. It includes a step (cathode layer forming step).
  • the method for manufacturing an organic EL device is a step of forming the anode layer (first electrode layer) 14 on the substrate 12 (first electrode layer forming step). May be further provided.
  • the device function unit 16 is formed on the anode layer 14.
  • the plurality of functional layers included in the device functional unit 16 may be formed in order from the anode layer 14 side.
  • One or more functional layers included in the device functional unit 16 are formed in the functional layer forming step S10 shown in FIG.
  • the functional layer is formed by a coating method.
  • An example of the coating method is the anode layer 1 It is the same as the example of the coating method given in the forming method of 4.
  • the functional layer can be formed, for example, by an inkjet printing method.
  • the coating film is applied to the anode layer 14 It has a coating film forming step S11 formed on the coating film and a drying step S12 for drying the coating film to obtain a functional layer.
  • the functional layer formed in the functional layer forming step S10 is referred to as the functional layer F.
  • the coating film which is referred to as L and serves as the functional layer FL is referred to as coating film FL0 (see FIG. 4).
  • the coating liquid containing the material for the functional layer FL is applied from the coating apparatus to the anode layer 1 4 is applied onto the coating film FL0 for the functional layer FL.
  • the coating device is a functional layer forming step S. It may be any one corresponding to the coating method used in 10. For example, when the functional layer FL is formed by the inkjet printing method, the coating device is an inkjet printing device.
  • the substrate 12 is preferably used until at least the coating liquid is applied onto the substrate 12 from the coating apparatus and the coating film is carried into the infrared heating furnace 24 (see part (a) of FIG. 4) described later. It is transported horizontally.
  • an air levitation device that air levates the substrate 12 to maintain the horizontal may be used.
  • the coating film FL0 is dried in the infrared heating furnace 24 while transporting the long substrate 12 on which the plurality of anode layers 14 are formed by the plurality of rolls R.
  • the functional layer FL is formed by.
  • FIG. 4 is a drawing illustrating a drying process.
  • Part (a) of FIG. 4 shows a schematic configuration of the infrared heating furnace 24, and part (b) of FIG. 4 schematically shows a temperature change of the substrate 12.
  • Figure 4 In part (a), of the plurality of anode layers 14 on the substrate 12, the pair of the anode layer 14 and the coating film FL0 and the pair of the anode layer 14 and the functional layer FL are extracted and each layer is expanded. Is shown.
  • the coating film FL0 and the functional layer FL are shown in contact with the anode layer 14, but between the functional layer FL (and the coating film FL0) to be formed and the anode layer 14. May intervene with other functional layers.
  • the infrared heating furnace 24 is located on the electrode layer forming surface 12a side of the substrate 12 in the furnace (FIG. 4A).
  • a plurality of first infrared heaters (infrared irradiation portions) 26 are provided on the upper side of the portion, and a plurality of second infrared rays are provided on the side opposite to the electrode layer forming surface 12a of the substrate 12 (lower side in the portion (a) of FIG. 4). It has a heater 28.
  • Each of the plurality of first infrared heaters 26 and the plurality of second infrared heaters 28 may be discretely arranged in the transport direction and the width direction (direction orthogonal to the transport direction) of the substrate 12.
  • the first infrared heater 26 and the second infrared heater 28 may be configured to output infrared rays having a wavelength capable of heating the coating film FL0 (for example, a wavelength of 5 ⁇ m to 10 ⁇ m).
  • the desired temperature T is preferably a temperature at which the substrate 12 is not thermally deformed.
  • the desired temperature T is preferably equal to or lower than the glass transition temperature of the material of the substrate 12.
  • the substrate 12 provided with the coating film FL0 so that the heating by the second infrared heater 28 becomes dominant over the heating by the first infrared heater 26. Irradiate infrared rays.
  • the substrate 12 provided with the coating film FL0 so that the heating by the second infrared heater 28 becomes dominant over the heating by the first infrared heater 26. Irradiate infrared rays.
  • the infrared heating furnace 24 is divided into a plurality of small regions by a virtual plane orthogonal to the transport direction for each cm.
  • N N is an integer of 1 or more
  • the temperature of the substrate 12 at the downstream end of the small region in the transport direction is 5 ° C. or more higher than the temperature of the substrate 12 at the upstream end of the small region.
  • Small area It is referred to as a first to Nth temperature rising small region.
  • the first to Nth temperature rising small regions are small regions in the temperature rising zone.
  • FIG. 5 is a drawing for explaining the first to Nth temperature rising small regions.
  • the vertical axis of FIG. 5 is the substrate 1
  • the temperature (° C.) of 2 is shown, and the horizontal axis shows the distance from the carry-in inlet 24a in the transport direction of the substrate 12.
  • the temperature of the substrate 12 at the downstream end of the small region is the temperature of the substrate 12 at the upstream end of the small region.
  • 5 ° C. or higher above the temperature of No. 1 means that any small region of the first to Nth temperature rise subregions is referred to as the ith temperature rise subregion (i is an integer of 1 to N).
  • the temperature of the substrate 12 at the downstream end of the i-th temperature rise small region is the upstream end of the i-th temperature rise small region (the carry-in inlet of the infrared heating furnace 24). It means that the temperature is higher than the temperature of the substrate 12 on the 24a side) by 5 ° C. or more.
  • the temperature t2 at the boundary between the second and third small temperature rise regions is the first and second small temperature rise regions. Area boundaries ( Figure 5) At a position where the distance from the carry-in port 24a is 50 cm), the temperature is 5 ° C. or more higher than the temperature t1.
  • Heating small areas of the i-th, M i-number of the first infrared heater 26 (M i is an integer of 0 or more) with a. Since the M i is 0 or more, heating small areas of the i may or may not have a first infrared heater 26.
  • the number of the first infrared heaters 26 included in each of the first to Nth temperature rising small regions may be the same or different.
  • the M and the i-number of the first infrared heater 26, the direction (substrate 1 that is substantially orthogonal to the first infrared heater 26 and the conveying direction are arranged in the conveying direction of the substrate 12 It is the total number of the first infrared heaters 26 arranged in the width direction of 2).
  • the Mi first infrared heaters 26 possessed by the i-th temperature rise small region temperature, such that the following equation (1) the upper limit temperature T h [° C.] defined by, M i-number of the first infrared heater 26 Set the temperature of. Th ⁇ (5 ⁇ 10 9 + (T f ) 4 ) 0.25 ... (1)
  • the temperature of the first infrared heater 26 is set in all of the first to Nth temperature rising small regions. Equal to or less than the upper limit temperature T h which is defined by the formula (1) in KakuNoboru temperature small region. Temperature of M i-number of the first infrared heater 26 of the heating sub-region of the i may be the same as long as less than the upper limit temperature T h, may be different.
  • the temperature of the first infrared heater 26 is the surface temperature of the ceramic member which is the source of infrared rays. Normally, a commercially available infrared heater (or provided in the infrared heating furnace 24) has a function of displaying the temperature of the ceramic member. Therefore, if the temperature displayed by the temperature display function is adopted. Good.
  • the maximum temperature T f of the substrate 12 in the small temperature rise region of i in the formula (1) is the highest temperature T f in the small temperature rise region of i when the temperature of the electrode layer forming surface 12a of the substrate 12 is actually measured.
  • the temperature of the substrate 12 conveyed in the infrared heating furnace 24 can be measured, for example, by attaching a thermocouple to the electrode layer forming surface 12a.
  • the number and temperature of the second infrared heaters 28 in the i-th temperature rise small region are not limited.
  • the number and temperature of the second infrared heaters 28 in each of the first to Nth temperature rising small regions are not limited.
  • the first to first of a plurality of small regions obtained by dividing the infrared heating furnace 24 into a plurality of areas on a virtual plane orthogonal to the transport direction every 50 cm from the carry-in inlet 24a of the infrared heating furnace 24 in the transport direction of the substrate 12.
  • At least one small region other than the temperature rising small region of N may have at least one first infrared heater 26.
  • at least one small region other than the first to Nth temperature rising small regions among the plurality of small regions may have at least one second infrared heater 28.
  • the number and temperature of the first infrared heater 26 and the second infrared heater 28 are adjusted so as to maintain the desired temperature T.
  • the coating film forming step and the drying step may be continuously carried out while transporting the substrate 12 by a roll-to-roll method.
  • the device functional unit 16 has a plurality of functional layers
  • at least one functional layer may be formed in the functional layer forming step S10 using the coating method.
  • the functional layer forming step S10 for forming the adjacent functional layers is rolled-to-roll.
  • the substrate 12 may be conveyed continuously.
  • one or a plurality of layers that are not formed by using the coating method may be formed by, for example, a dry film forming method or a plating method.
  • the example of the dry film forming method can be the same as the example given in the description of the method for forming the anode layer 14.
  • the cathode layer forming step may be carried out by a roll-to-roll method.
  • the cathode layer forming step may be carried out following the drying step while transporting the substrate 12 by the roll-to-roll method. Good.
  • the organic EL device 10 is manufactured for each device forming region DA. Therefore, a plurality of organic EL devices 10 can be manufactured by carrying out an individualization step of individualizing the substrate 12 that has undergone the cathode layer formation step for each device formation region DA. Therefore, the method for manufacturing the organic EL device 10 may include the above-mentioned individualization step.
  • the individualizing step may be carried out following the cathode layer forming step while transporting the substrate 12 by the roll-to-roll method.
  • the coating film FL0 formed on the anode layer 14 is heated and dried using infrared rays.
  • the size of the anode layer 14 is It is smaller than the electrode layer forming surface 12a of the substrate 12. That is, on the substrate 12, a region in which the anode layer 14 is formed (hereinafter referred to as “first region”) and a region in which the anode layer 14 is not formed (hereinafter, referred to as “first region”) Hereinafter, there is a "second region”).
  • the temperature rising zone When the coating film FL0 is dried in the drying step S12, a certain region from the carry-in inlet 24a is the temperature rising zone, and the temperature of the substrate 12 rises. In this temperature rising zone, when the coating film FL0 is heated and dried by irradiating infrared rays from the first infrared heater 26 without considering the formula (1). Since the substrate 12 has the first region and the second region, the infrared reflectance (or absorption rate) differs depending on the location of the substrate 12. Therefore, a temperature difference of the substrate 12 occurs between the first region and the second region.
  • the performance of an organic EL device is easily affected by the thickness of the functional layer FL. For example, uneven light emission is likely to occur due to uneven thickness of the functional layer FL. Therefore, if the functional layer FL has uneven thickness as described above, a desired organic EL device cannot be manufactured.
  • the first to Nth elements included in the temperature rising zone are included.
  • the heating intensity q corresponding to the difference between the fourth power of the fourth power and the highest temperature T f of the upper limit temperature T h to a condition to be less than 280 W / m 2 Equivalent to.
  • the temperature of the first infrared heater 26, by not more than the upper limit temperature T h which is defined by equation (1), the Atsushi Nobori subregion of the first to N, the first region and the second region
  • T h which is defined by equation (1)
  • the Atsushi Nobori subregion of the first to N the first region and the second region
  • the temperature difference between the substrates 12 can be reduced.
  • the uneven thickness of the functional layer FL can be suppressed, and the functional layer FL in a desired state (desired thickness) can be formed.
  • the organic EL device 10 having a desired performance can be manufactured, so that the manufacturing yield of the organic EL device 10 is improved.
  • heating using hot air may be used in combination with infrared heating.
  • the first infrared heater 26 is on the coating film FL0 side of the substrate 12.
  • the flow rate, flow velocity, etc. of the hot air can be reduced as compared with the case where the coating film FL0 is heated by using hot air instead of providing the above. Therefore, the coating film FL0 is less likely to have uneven thickness due to hot air, so that the functional layer FL is not uneven in thickness due to hot air.
  • the organic EL device 10 While improving the productivity of the product, the manufacturing yield is also improved.
  • the functional layer FL is formed by the inkjet printing method in the functional layer forming step S10 ( Specifically, in the coating film forming step S11, when the coating liquid is applied onto the substrate 12 by using an inkjet printing apparatus), the viscosity of the coating liquid is low (for example, 15 cp or less). In this case, liquid flow is likely to occur based on the above-mentioned temperature difference and surface tension. Therefore, the method for manufacturing an organic EL device (organic electronic device) according to the present embodiment is effective when the coating liquid is applied onto the substrate 12 by using an inkjet printing device in the coating film forming step S11.
  • the temperature difference in the substrate 12 due to the infrared irradiation is due to the infrared reflection in the anode layer 14.
  • the anode layer 14 is indium, zinc oxide, tin oxide, indium tin oxide (Indium T). in Oxide: abbreviation ITO), indium zinc oxide (Indium Zinc O)
  • ITO indium tin oxide
  • ITO indium zinc oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the refractive index of the anode layer 14 becomes high.
  • the anode layer 14 having such a high refractive index easily reflects infrared rays. Therefore, the method for manufacturing an organic EL device according to the present embodiment is effective when the anode layer 14 contains a metal oxide.
  • Example 1 In Experimental Example 1, a long substrate 12 on which the anode layer 14 was formed was prepared.
  • the substrate 12 was a film made of polyethylene naphthalate (PEN).
  • the length of the substrate 12 is 100 It was m.
  • the material of the anode layer 14 was ITO. When viewed from the thickness direction of the substrate 12, the size of the anode layer 14 was smaller than the electrode layer forming surface 12a of the substrate 12.
  • a coating liquid containing a material for the functional layer FL is applied onto the anode layer 14 of the substrate 12, and the coating film F is applied. L0 was formed. Then, the coating film FL0 was dried in the infrared heating furnace 24 while transporting the substrate 12 in the longitudinal direction to form the functional layer FL. A material for the hole transport layer was used as the material for the functional layer FL.
  • the length of the infrared heating furnace 24 in the transport direction of the substrate 12 was 10 m.
  • the zone from the carry-in inlet 24a to 1.5 m ahead is set as the temperature rising zone, and the desired temperature T is 100.
  • the temperature was set to ° C. Therefore, when the infrared heating furnace 24 is virtually divided into small regions every 50 cm from the carry-in inlet 24a, the first to third small regions are the temperature rise small regions. Therefore, the first to third small regions are referred to as the first to third temperature rising small regions.
  • each small region has a first Three infrared heaters 26 are provided in the width direction of the substrate 12, and a second infrared heater 28 is provided on the substrate 12. Three were provided in the width direction of. Therefore, in each small region, the number of the first infrared heater 26 and the second infrared heater 28 in the transport direction of the substrate 12 is one.
  • the temperatures of the first infrared heaters 26 in each of the first heating subregion, the second heating subregion, and the third heating subregion are 77 ° C., respectively, as shown in Table 1. , 89 ° C. and 97 ° C., and the coating film FL0 was heated and dried in the infrared heating furnace 24 while transporting the substrate 12 provided with the coating film FL0 at a transport speed of 2 m / min.
  • the temperature of the first infrared heater 26 used in Experimental Example 1 was the surface temperature of the ceramic member (infrared source) included in the first infrared heater 26.
  • the temperature of the second infrared heater 28, which will be described later, was also the same.
  • the temperatures of the three first infrared heaters 26 were the same in each of the first to third temperature rise small regions in the temperature rise zone.
  • the temperature of the three second infrared heaters 28 in each of the first to third temperature rise subregions in the temperature rise zone was the same as the temperature of the first infrared heater 26 in each temperature rise subregion.
  • the temperatures of the three first infrared heaters 26 and the three second infrared heaters 28 are the same in each of the remaining small regions excluding the first to third heating subregions among the plurality of subregions. there were.
  • Example 2 In Experimental Example 2, the temperatures of the first infrared heaters 26 in each of the first small temperature rise region, the second small temperature rise region, and the third small temperature rise region were set to 100 ° C., respectively, as shown in Table 1. 105 ° C and 1 Except for the point where the temperature was set to 30 ° C. and the point where the temperature of the first infrared heater 26 was set so as to maintain the desired temperature T in a small region downstream of the temperature rising zone, the same as in Experimental Example 1. The functional layer FL was formed under the same conditions. Regarding the small area downstream from the heating zone, Table 1 shows It shows the temperature of the first infrared heater 26 in the fourth subregion and the fifth subregion.
  • the experimental conditions of Experimental Examples 1 and 2 are the same except for the temperature of the first infrared heater 26 in the first to third temperature rising small regions. Therefore, the results of Experimental Examples 1 and 2 Therefore, the maximum temperature T f of the substrate 12 and the upper limit temperature T of the first infrared heater 26 in all the first to third temperature rise small regions. met h Togashiki (1), and, prevent thickness unevenness of the functional layer FL by the temperature of the first infrared heater 26 in the first to third heating small areas all lower than the upper limit temperature T h It can be understood that it can be done.
  • drying step S12 Another embodiment of the drying step S12 shown in FIG. 2 will be described as a second embodiment. Drying step S1 Since the description is the same as that of the first embodiment except for the description in 2, the description thereof will be omitted, and the description overlapping with the first embodiment will be omitted in the description of the drying step S12 of the second embodiment.
  • At least one second infrared heater 28 is arranged, while the first infrared heater 26 is not arranged.
  • the substrate 12 provided with the coating film FL0 is provided on the substrate 12.
  • the coating film FL0 and the substrate 12 are heated by the infrared rays from the second infrared heater 28 without irradiating infrared rays from the coating film FL0 side (electrode layer forming surface 12a side).
  • the substrate 12 has a region in which the anode layer 14 is formed (first region) and a region in which the anode layer 14 is not formed (second region), it is between the first region and the second region.
  • the temperature difference is unlikely to occur in.
  • the coating liquid constituting the coating film FL0 is suppressed from flowing due to the difference in surface tension in the temperature rising zone, so that the functional layer FL in a desired state (for example, a desired thickness) can be formed.
  • the organic EL device 10 having the desired performance can be manufactured.
  • At least one first infrared heater 26 is arranged and at least one second infrared heater 28 is arranged.
  • at least one second By making the irradiation amount from the infrared heater 28 larger than the irradiation amount from at least one first infrared heater 26, the coating film FL0 is mainly heated by infrared rays from the side opposite to the electrode layer forming surface 12a on the substrate 12. ..
  • the configuration of the infrared heating furnace 24 after the temperature rising zone and the infrared irradiation conditions may be the same as those in the first embodiment.
  • the substrate may be a rigid substrate such as a glass substrate and a silicon substrate.
  • the thickness of the substrate is, for example, 0.05 mm to 1.1 mm.
  • the infrared heating furnace in one embodiment does not have to be provided with an infrared irradiation unit on the side opposite to the electrode layer forming surface on the substrate.
  • any of the first to Nth rising small regions has an infrared irradiation portion on the electrode layer forming surface side of the substrate.
  • the coating film FL0 is more easily heated and dried, so that the productivity of the organic EL device is improved.
  • the example of the infrared irradiation unit is not limited to the infrared heater, and may have a configuration capable of irradiating infrared rays capable of heating the coating film to be the functional layer. Even if the infrared irradiation unit is other than the infrared heater, the temperature of the infrared irradiation unit can be the surface temperature of the infrared generation unit.
  • the substrate used for manufacturing the organic EL device is not limited to a long substrate.
  • the board is It may be single-wafered as long as it can be transported in the infrared heating furnace.
  • the first electrode layer is the anode layer and the second electrode layer is the cathode layer
  • the first electrode layer may be the cathode layer and the second electrode layer may be the anode layer.
  • the present invention is also applicable to the production of organic electronic devices other than organic EL devices, such as organic solar cells, organic photodetectors, and organic transistors.

Landscapes

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Abstract

所望の性能を有する有機電子デバイスを製造可能な方法を提供する。　一実施形態に係る有機電子デバイスの製造方法は、基板上の第１電極層上に機能層を形成する機能層形成工程と、機能層上に第２電極層を形成する工程とを備え、機能層形成工程は、第１電極層上に塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、基板を搬送しながら赤外線加熱炉内で塗布膜を乾燥させる乾燥工程とを有し、赤外線加熱炉の搬入口から基板の搬送方向に５０ｃｍ毎に赤外線加熱炉が区切られた複数の小領域のうち小領域下流端での基板温度が小領域上流端での基板温度より５℃以上高いＮ個の小領域を第１～第Ｎの昇温小領域と称したとき、第ｉの昇温小領域は、電極層形成面側にＭｉ個の赤外線照射部を有し、Ｍｉ個の赤外線照射部の温度が、第ｉの昇温小領域内での基板最高温度をＴｆとしたとき、Ｔｈ＜（５×１０９＋（Ｔｆ）４）０．２５で定義されるＴｈ以下である。

Description

有機電子デバイスの製造方法
　本発明は、有機電子デバイスの製造方法に関する。
　有機電子デバイスは、基板上に設けられた第１電極層と、第１電極層上に設けられた機
能層と、機能層上に設けられた第２電極層とを備える。機能層は、例えば塗布法で形成さ
れ得る。具体的には、機能層用の塗布液を第１電極層上に塗布して塗布膜を形成した後、
塗布膜を乾燥させることによって機能層を形成する。塗布膜の乾燥には、例えば特許文献
１に記載されているように、塗布膜が形成された基板を搬送しながら、熱風を主に利用し
ながら、赤外線の塗布膜への照射も利用して塗布膜を乾燥させる方法が知られている。
特開２００２－３４０４７９号公報
　有機電子デバイスでは、機能層の厚さムラは有機電子デバイスの性能への影響が大きい
ことから、機能層の厚さムラを低減することが要求される。そのため、熱風を利用して塗
布膜を乾燥させるより赤外線を主に利用することが有効である。
　有機電子デバイスの生産性向上のためには、塗布膜の乾燥時間を短くすることが必要で
ある。赤外線を利用して塗布膜をより早く乾燥させるには、例えば基板において第１電極
層が形成されている側から塗布膜に向けて赤外線を照射することが考えられる。
　しかしながら、基板において第１電極層が形成されている側から赤外線を照射すると、
形成された機能層に厚さムラが生じる場合があった。機能層に厚さムラが生じると、有機
電子デバイスが所望の性能を発揮できない。
　そこで、本発明は、所望の性能を有する有機電子デバイスを製造可能な有機電子デバイ
スの製造方法を提供することを目的とする。
　本件発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を行って以下の知見を得て、本発
明に至った。
　有機電子デバイスの構成では、基板の厚さ方向から見た場合において、第１電極層の大
きさが基板の電極層形成面の大きさより小さいことから、基板において第１電極層が形成
されている領域と、第１電極層が形成されていない領域とが存在する。そのため、それら
の領域の間で赤外線の反射率（又は吸収率）が異なる。よって、塗布膜が設けられた基板
に赤外線を照射することで、基板の温度が上昇する昇温ゾーンにおいて、基板の温度差が
生じる。昇温ゾーンでは塗布膜は乾燥していないことから、塗布膜の表面張力によって温
度の低い部分に塗布液が流動するという液流動が生じる。その結果、機能層に厚さムラが
生じる。したがって、赤外線を利用して機能層を所望の状態（例えば所望の厚さ）で形成
するためには、基板の温度が上昇する領域において、基板において第１電極層が形成され
ている領域と、第１電極層が形成されていない領域との間の温度差を低減することが重要
である。
　そのため、本発明の一側面に係る有機電子デバイスの製造方法は、基板の電極層形成面
上に設けられた第１電極層上に、機能層を形成する機能層形成工程と、上記機能層上に第
２電極層を形成する第２電極層形成工程と、を備え、上記機能層形成工程は、上記機能層
用の塗布液を上記第１電極層上に塗布して、上記機能層用の塗布膜を形成する塗布膜形成
工程と、上記基板を搬送しながら、赤外線加熱炉内で赤外線を上記塗布膜が設けられた上
記基板に照射することによって上記塗布膜を加熱乾燥させることによって上記機能層を形
成する乾燥工程と、を有し、上記基板の厚さ方向からみた場合、上記第１電極層の大きさ
は、上記電極層形成面の大きさより小さく、上記赤外線加熱炉の搬入口から上記基板の搬
送方向に５０ｃｍ毎に、上記搬送方向に直交する仮想面で上記赤外線加熱炉を区切られた
複数の小領域のうち、上記搬送方向において小領域下流端での上記基板の温度が、小領域
上流端での上記基板の温度より５℃以上高いＮ個の上記小領域を、第１～第Ｎの昇温小領
域（Ｎは、１以上の整数）と称したとき、上記第１～第Ｎの昇温小領域のうちの第ｉの昇
温小領域（ｉは、１～Ｎの何れかの整数）は、上記電極層形成面側にＭｉ個の赤外線照射
部（Ｍｉは、０以上の整数）を有し、上記第ｉの昇温小領域が有する上記Ｍｉ個の赤外線
照射部の温度が、上記第ｉの昇温小領域内での上記基板の最高温度をＴｆ［℃］としたと
きに、Ｔｈ＜（５×１０９＋（Ｔｆ）４）０．２５によって定義される上限温度Ｔｈ［℃
］以下である。
　上記有機電子デバイスの製造方法の乾燥工程では、第ｉの昇温小領域が有する上記Ｍｉ
個の赤外線照射部の温度が上限温度Ｔｈ以下である。そのため、上記基板の厚さ方向から
みた場合、上記第１電極層の大きさは、上記電極層形成面の大きさより小さい場合であっ
ても、第１～第Ｎの昇温小領域において、第１電極層が形成されている領域と第１電極層
が形成されていない領域との間で、赤外線照射による温度差が生じにくい。そのため、機
能層を所望の厚さで形成可能である。その結果、所望の性能を有する有機電子デバイスを
製造可能である。
　上記赤外線照射部は赤外線ヒータを有し、上記赤外線照射部の温度は、上記赤外線ヒー
タの温度であり得る。
　本発明の他の側面に係る有機電子デバイスの製造方法は、基板の電極層形成面上に設け
られた第１電極層上に、機能層を形成する機能層形成工程と、上記機能層上に第２電極層
を形成する第２電極層形成工程と、を備え、上記機能層形成工程は、上記機能層用の塗布
液を上記第１電極層上に塗布して、上記機能層用の塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
　上記基板を搬送しながら、赤外線加熱炉内で赤外線を上記塗布膜が設けられた上記基板
に照射することによって上記塗布膜を加熱乾燥させることによって上記機能層を形成する
乾燥工程と、を有し、上記基板の厚さ方向からみた場合、上記第１電極層の大きさは、上
記電極層形成面の大きさより小さく、上記基板の搬送方向において、上記基板の温度勾配
が１０℃／ｍ以上である上記赤外線加熱炉の搬入口からの領域を昇温ゾーンと称したとき
、　上記昇温ゾーンでは、上記基板の上記電極層形成面と反対側から赤外線を、上記基板
の上記電極層形成面側からよりも多く、上記塗布膜が設けられた上記基板に照射すること
によって上記塗布膜を加熱乾燥する。
　この場合、昇温ゾーンでは、基板の電極層形成面と反対側からの赤外線照射が支配的で
ある。そのため、基板に第１電極層が形成されている領域と形成されていない領域が存在
しても、それらの領域の間で赤外線照射による温度差が生じにくい。このように基板の温
度差が生じにくいことにより、機能層を所望の厚さで形成可能である。その結果、所望の
性能を有する有機電子デバイスを製造可能である。
　上記基板は、長尺の可撓性基板であってもよい。この場合、例えばロールツーロール方
式で基板を搬送しながら有機電子デバイスを製造できるので、有機電子デバイスの生産性
が向上する。
　上記塗布膜形成工程では、上記塗布液をインクジェット印刷装置から上記基板上に塗布
してもよい。インクジェット印刷装置で使用する塗布液は、通常、粘度が低いため、液流
動が生じやすい。よって、基板の温度を挙げる領域において、赤外線照射による基板の温
度差が生じにくい上記有機電子デバイスの製造方法は一層有効である。
　本発明によれば、所望の性能を有する有機電子デバイスを製造可能な有機電子デバイス
の製造方法を提供できる。
図１は、一実施形態に係る有機電子デバイスの製造方法を利用して製造される有機ＥＬデバイス（有機電子デバイス）の概略構成を示す模式図である。 図２は、一実施形態に係る有機電子デバイスの製造方法で使用する長尺の基板であって、電極層形成面に陽極層（第１電極層）が形成された基板の模式図である。 図３は、一実施形態に係る有機電子デバイスの製造方法が有する機能層形成工程のフローチャートである。 図４は、機能層形成工程に含まれる乾燥工程を説明するための図面である。 図５は、第１～第Ｎの昇温小領域（図５においてＮ＝４）を説明するための図面である。
　以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。同一の要素には同一の符号を
付し、重複する説明は省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していな
い。
　（第１実施形態）
　図１は、一実施形態に係る有機電子デバイスの製造方法を用いて製造される有機エレク
トロルミネッセンスデバイス（以下、「有機ＥＬデバイス」とも称す）の概略構成を示す
模式図である。有機ＥＬデバイス（有機電子デバイス）１０は、基板１２と、陽極層（第
１電極層）１４と、デバイス機能部１６と、陰極層（第２電極層）１８とを有する。陽極
層１４、デバイス機能部１６及び陰極層１８は、陽極層１４、デバイス機能部１６及び陰
極層１８の順に基板１２上に積層されている。有機ＥＬデバイス１０は、トップエミッシ
ョン型の有機ＥＬデバイスでもよいし、ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスでもよ
い。以下では、断らない限り、有機ＥＬデバイス１０は、ボトムエミッション型の有機Ｅ
Ｌデバイスである。
　［基板］
　基板１２は、有機ＥＬデバイス１０が出射する光（波長４００ｎｍ～８００ｎｍの可視
光を含む）に対して透光性を有する。基板１２は、プラスチック基板及び高分子フィルム
などの可撓性基板である。可撓性基板とは、基板に所定の力を加えても基板が剪断したり
破断したりすることがなく、基板を撓めることが可能な性質を有する基板である。基板１
２の厚さは、例えば３０μｍ～７００μｍである。
　基板１２上には、水分バリア機能を有するバリア層が形成されていてもよい。バリア層
は、水分をバリアする機能に加えて、ガス（例えば酸素）をバリアする機能を有してもよ
い。
　［陽極層］
　陽極層１４は基板１２の電極層形成面１２ａ上に設けられている。基板１２の厚さ方向
からみた場合の陽極層１４の大きさは、電極層形成面１２ａの大きさより小さい。よって
、電極層形成面１２ａには陽極層１４が形成されていない領域が存在する。
　陽極層１４には、光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、電
気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等を含む薄膜が用いられ得る。光透過性
を示す電極としては、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。陽極層１４は、導電体（
例えば金属）からなるネットワーク構造を有してもよい。陽極層１４の厚さは、光の透過
性、電気伝導度等を考慮して決定され得る。陽極層１４の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０
μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎ
ｍである。
　陽極層１４の材料としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム
錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（
Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等が挙げられる
。陽極層１４の材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズが好ましい。陽極層１４は
、例示した材料からなる薄膜として形成され得る。陽極層１４の材料には、ポリアニリン
及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物を用いてもよい。この場合、
陽極層１４は、透明導電膜として形成され得る。
　［デバイス機能部］
　デバイス機能部１６は、陽極層１４及び陰極層１８に印加された電圧に応じて、電荷の
移動及び電荷の再結合などの有機ＥＬデバイス１０の発光に寄与する機能部である。デバ
イス機能部１６は機能層である発光層を有する。後述するように、デバイス機能部１６は
発光層以外の機能層を有してもよい。すなわち、デバイス機能部１６は、一つ又は複数の
機能層を有する。
　発光層は、光(可視光を含む)を発する機能を有する機能層である。発光層は、有機層で
あり、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物、又はこの有機
物とこれを補助するドーパント材料とから構成される。ドーパント材料は、例えば発光効
率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。上記有機物は、低分子化合物でも
よいし、高分子化合物でもよい。発光層の厚さは、例えば２ｎｍ～２００ｎｍである。
　主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する発光性材料である有機物としては
、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料及び高分子系材料が挙げられる。
　（色素系材料）
　色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘
導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘
導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオ
フェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェ
ン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマ
リン誘導体などが挙げられる。
　（金属錯体系材料）
　金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ
、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニ
ルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体
が挙げられる。金属錯体系材料としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項
励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノ
ールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメ
チル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などが挙げら
れる。
　（高分子系材料）
　高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、
ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン
誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子
化したものなどが挙げられる。
　（ドーパント材料）
　ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、
キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テト
ラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどが挙げられる。
　デバイス機能部１６は、発光層の他、少なくとも一つの機能層を有してもよい。すなわ
ち、デバイス機能部１６は多層構造を有してもよい。例えば、陽極層１４と発光層の間に
は、正孔注入層及び正孔輸送層のうちの少なくとも一つが設けられてもよい。発光層と陰
極層１８との間には、電子輸送層及び電子注入層のうちの少なくとも一つが設けられても
よい。
　正孔注入層は、陽極層１４から発光層への正孔注入効率を向上させる機能を有する機能
層である。正孔注入層は、無機層でもよいし、有機層でもよい。正孔注入層を構成する正
孔注入材料は、低分子化合物でもよいし、高分子化合物でもよい。
　低分子化合物としては、例えば、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、
及び酸化アルミニウムなどの金属酸化物、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン化合
物、カーボンなどが挙げられる。
　高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキ
シチオフェン（ＰＥＤＯＴ）のようなポリチオフェン誘導体、ポリピロール、ポリフェニ
レンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン及びポリキノキサリン、並びに、
これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子などが
挙げられる。
　正孔注入層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なる。正孔注入層の厚さは、求め
られる特性及び成膜の簡易さなどを勘案して適宜決定され得る。正孔注入層の厚さは、例
えば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５
ｎｍ～２００ｎｍである。
　正孔輸送層は、正孔注入層（正孔注入層が存在しない形態では陽極層１４）から発光層
への正孔注入効率を向上させる機能を有する機能層である。
　正孔輸送層は正孔輸送材料を含む有機層である。正孔輸送材料は正孔輸送機能を有する
有機化合物であれば限定されない。正孔輸送機能を有する有機化合物としては、例えば、
ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若し
くは主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリー
ルアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しく
はその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、
ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）若しくはその
誘導体、ポリフルオレン誘導体、芳香族アミン残基を有する高分子化合物、及びポリ（２
，５－チエニレンビニレン）若しくはその誘導体が挙げられる。
　正孔輸送材料の例として、特開昭６３－７０２５７号公報、特開昭６３－１７５８６０
号公報、特開平２－１３５３５９号公報、特開平２－１３５３６１号公報、特開平２－２
０９９８８号公報、特開平３－３７９９２号公報、特開平３－１５２１８４号公報に記載
されている正孔輸送材料等も挙げられる。
　正孔輸送層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なる。正孔輸送層の厚さは、求め
られる特性及び成膜の簡易さなどを勘案して適宜決定され得る。正孔輸送層の厚さは、例
えば、１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは
５ｎｍ～２００ｎｍである。
　電子輸送層は、電子注入層（電子注入層が存在しない形態では陰極層１８）から発光層
への電子注入効率を向上させる機能を有する機能層である。
　電子輸送層は電子輸送材料を含む有機層である。電子輸送材料には、公知の材料が用い
られ得る。電子輸送材料の具体例としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメ
タン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその
誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しく
はその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、
ジフェノキノン誘導体、または８－ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、
ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレ
ン若しくはその誘導体などが挙げられる。
　電子輸送層の厚さは、求められる特性及び成膜の簡易さなどを勘案して適宜決定され得
る。電子輸送層の厚さは、例えば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍ
であり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。
　電子注入層は、陰極層１８から発光層への電子注入効率を向上させる機能を有する機能
層である。電子注入層は無機層でもよいし、有機層でもよい。
　電子注入層を構成する材料は、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択される。電
子注入層を構成する材料の例としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属
及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土
類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、又はこれらの物質の混合物などが挙げられ得る
。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸塩の例としては、リチウ
ム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸
化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フ
ッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどが挙げられ得る。ア
ルカリ土類金属又はアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物及び炭酸塩の例としては、
マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグ
ネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ス
トロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。
　この他に従来知られた電子輸送性の有機材料と、アルカリ金属の有機金属錯体を混合し
た層を電子注入層として利用できる。
　デバイス機能部１６の層構成の例を以下に示す。下記層構成の例では、陽極層１４及び
陰極層１８と各種機能層の配置関係を示すために、陽極層及び陰極層も括弧書きで記載し
ている。
（ａ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層（又は電子注入層）／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層（又は正孔輸送層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／
（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層（又は電子注入層）／
（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極
層）
（ｇ）（陽極層）／発光層／電子輸送層（又は電子注入層）／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
　記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味している。
　デバイス機能部１６が有する発光層の数は、１つでもよいし、２つ以上でもよい。上記
構成例（ａ）～（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層１４と陰極層１８
との間に配置された積層体を［構造単位Ｉ］と称すると、２層の発光層を有するデバイス
機能部１６の構成として、下記（ｊ）に示す層構成が挙げられる。２つの構造単位Ｉの層
構成は互いに同じでもよいし、異なってもよい。
（ｊ）（陽極層）／［構造単位Ｉ］／電荷発生層／［構造単位Ｉ］／（陰極層）
　電荷発生層は、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発
生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデンなどを含む薄膜が挙げら
れる。
　「［構造単位Ｉ］／電荷発生層」を［構造単位ＩＩ］とすると、３層以上の発光層を有
するデバイス機能部１６の構成として、以下の（ｋ）に示す層構成が挙げられる。
（ｋ）（陽極層）／［構造単位ＩＩ］ｘ／［構造単位Ｉ］／（陰極層）
　記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「［構造単位ＩＩ］ｘ」は、［構造単位ＩＩ］が
ｘ段積層された積層体を表す。複数の構造単位ＩＩの層構成は同じでも、異なっていても
よい。
　電荷発生層を設けずに、複数の発光層を直接的に積層させてデバイス機能部１６を構成
してもよい。
　［陰極層］
　陰極層１８は、デバイス機能部１６上に設けられている。陰極層１８の厚さは、用いる
材料によって最適値が異なる。陰極層１８の厚さは、電気伝導度、耐久性等を考慮して設
定され得る。陰極層１８の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎ
ｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。
　デバイス機能部１６からの光（具体的には、発光層からの光）が陰極層１８で反射して
陽極層１４側に進むように、陰極層１８の材料は、発光層からの光（特に可視光）に対し
て反射率の高い材料が好ましい。陰極層１８の材料としては、例えばアルミニウム、銀等
が挙げられる。陰極層１８として、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導
電性電極を用いてもよい。
　有機ＥＬデバイス１０は、デバイス機能部１６の水分などによる劣化を防止するための
封止部材を有してもよい。封止部材は、少なくともデバイス機能部１６を封止するように
陰極層１８上に設けられ得る。有機ＥＬデバイス１０が封止部材を備える形態では、例え
ば、陽極層１４及び陰極層１８の一部は、外部接続のために封止部材から引き出され得る
。
　次に、一実施形態に係る有機電子デバイスの製造方法を用いて有機ＥＬデバイス１０を
製造する方法を説明する。ここでは、図２に示したように、複数の陽極層１４が電極層形
成面１２ａに形成された長尺の基板（電極付き基板）１２を用いて有機ＥＬデバイス１０
を製造する。
　複数の陽極層１４は、長尺の基板１２に仮想的に設定された複数のデバイス形成領域Ｄ
Ａ上に設けられている。一つのデバイス形成領域ＤＡには一つの陽極層１４が設けられ得
る。基板１２の厚さ方向からみた場合、各陽極層１４の大きさは、長尺の基板１２の電極
層形成面１２ａの大きさより小さい。具体的には、各陽極層１４の大きさは、対応するデ
バイス形成領域ＤＡの大きさより小さい。
　陽極層１４は、例えばドライ成膜法、メッキ法、塗布法などにより形成され得る。ドラ
イ成膜法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ
法などが挙げられる。塗布法としては、例えば、インクジェット印刷法、スリットコート
法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワ
イヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセッ
ト印刷法及びノズル印刷法等が挙げられる。
　有機ＥＬデバイスの製造方法（有機電子デバイスの製造方法）は、陽極層１４上にデバ
イス機能部１６を形成する工程（デバイス機能部形成工程）と、デバイス機能部１６上に
陰極層１８を形成する工程（陰極層形成工程）とを備える。有機ＥＬデバイスの製造方法
は、基板１２上に上記陽極層（第１電極層）１４を形成する工程（第１電極層形成工程）
を更に備えてもよい。
　［デバイス機能部形成工程］
　デバイス機能部形成工程では、陽極層１４上にデバイス機能部１６を形成する。デバイ
ス機能部１６が複数の機能層を有する場合、陽極層１４側から順にデバイス機能部１６に
含まれる複数の機能層を形成すればよい。デバイス機能部１６が有する一つ又は複数の機
能層は、図３に示した機能層形成工程Ｓ１０で形成される。
　機能層形成工程Ｓ１０では、塗布法により機能層を形成する。塗布法の例は、陽極層１
４の形成方法で挙げた塗布法の例と同様である。機能層は例えばインクジェット印刷法に
より形成され得る。機能層形成工程Ｓ１０は、図３に示したように、塗布膜を陽極層１４
上に形成する塗布膜形成工程Ｓ１１と、塗布膜を乾燥して機能層を得る乾燥工程Ｓ１２と
を有する。以下、説明の便宜のため、機能層形成工程Ｓ１０で形成する機能層を機能層Ｆ
Ｌと称し、機能層ＦＬとなる塗布膜を塗布膜ＦＬ０と称す（図４参照）。
　上記デバイス機能部１６の構成例（ａ）～（ｉ）のうち例えば構成例（ｆ）において、
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層それぞれを機能層形成工程
Ｓ１０で形成する場合、それらの層を形成する機能層形成工程Ｓ１０における機能層ＦＬ
は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層である。
　（塗布膜形成工程）
　塗布膜形成工程Ｓ１１では、機能層ＦＬ用の材料を含む塗布液を塗布装置から陽極層１
４上に塗布して機能層ＦＬ用の塗布膜ＦＬ０を形成する。塗布装置は、機能層形成工程Ｓ
１０で使用する塗布法に応じたものであればよい。例えば、インクジェット印刷法で機能
層ＦＬを形成する場合には、塗布装置はインクジェット印刷装置である。
　塗布膜形成工程では、少なくとも塗布装置から塗布液が基板１２上に塗布され後述する
赤外線加熱炉２４（図４の（ａ）部参照）に塗布膜が搬入されるまでは、基板１２は好ま
しくは水平搬送される。この水平搬送のため、例えば基板１２をエア浮上させて水平を維
持するエア浮上装置が用いられてもよい。
　（乾燥工程）
　乾燥工程Ｓ１２では、図４に示したように、複数の陽極層１４が形成された長尺の基板
１２を複数のロールＲで搬送しながら、赤外線加熱炉２４内で塗布膜ＦＬ０を乾燥させる
ことによって機能層ＦＬを形成する。
　図４は、乾燥工程を説明する図面である。図４の（ａ）部は、赤外線加熱炉２４の概略
構成を示しており、図４の（ｂ）部は、基板１２の温度変化を模式的に示している。図４
の（ａ）部では、基板１２上の複数の陽極層１４のうち陽極層１４と塗布膜ＦＬ０との組
と、陽極層１４と機能層ＦＬとの組とを抽出して且つ各層を拡大して示している。図４の
（ａ）部では、塗布膜ＦＬ０及び機能層ＦＬが陽極層１４に接した状態で図示されている
が、形成すべき機能層ＦＬ（及び塗布膜ＦＬ０）と陽極層１４との間には他の機能層が介
在してもよい。図４の（ｂ）部の縦軸は基板１２の温度であり、横軸は、基板１２の搬送
方向において、赤外線加熱炉２４の搬入口２４ａからの距離を示している。すなわち、図
４の（ｂ）部の横軸において、基板１２の搬送方向における赤外線加熱炉２４の搬入口２
４ａが原点である。搬入口２４ａの位置は、例えば赤外線加熱炉２４において搬入口２４
ａが形成されている側壁の内面である。
　赤外線加熱炉２４は、炉内において、基板１２の電極層形成面１２ａ側（図４の（ａ）
部において上側）に複数の第１赤外線ヒータ（赤外線照射部）２６を有するとともに、基
板１２の電極層形成面１２ａと反対側（図４の（ａ）部において下側）に複数の第２赤外
線ヒータ２８を有する。複数の第１赤外線ヒータ２６及び複数の第２赤外線ヒータ２８の
それぞれは、基板１２の搬送方向及び幅方向（搬送方向に直交する方向）に離散的に配置
され得る。第１赤外線ヒータ２６及び第２赤外線ヒータ２８は、塗布膜ＦＬ０を加熱可能
な波長を有する赤外線（例えば、波長５μｍ～１０μｍ）を出力するように構成されてい
ればよい。
　乾燥工程Ｓ１２では、塗布膜ＦＬ０が設けられた基板１２を搬送しながら、複数の第１
赤外線ヒータ２６及び複数の第２赤外線ヒータ２８から基板１２に向けて赤外線を照射す
ることによって塗布膜ＦＬ０を加熱乾燥する。乾燥工程Ｓ１２では、通常、図４の（ｂ）
部に示したように、所望の温度Ｔになるまでは基板１２の温度が上昇する一方、基板１２
の温度が所望の温度Ｔになった後は所望の温度Ｔを維持するように、赤外線の照射条件が
調整され得る。基板１２の搬送方向において、赤外線加熱炉２４のうち、基板１２の温度
勾配が１０℃／ｍ以上の搬入口２４ａからの領域を昇温ゾーンと称す。
　上記所望の温度Ｔは、基板１２の熱変形が生じない温度であることが好ましい。例えば
、基板１２がプラスチック基板（若しくはプラスチックフィルム）又は高分子フィルムの
場合、上記所望の温度Ｔは、基板１２の材料のガラス転移温度以下であることが好ましい
。
　本実施形態の上記昇温ゾーンにおいて、第１赤外線ヒータ２６による加熱より第２赤外
線ヒータ２８による加熱の方が支配的になるように、塗布膜ＦＬ０が設けられた基板１２
に赤外線を照射する。以下、具体的に説明する。
　説明のために、赤外線加熱炉２４の搬入口２４ａから基板１２の搬送方向に沿って５０
ｃｍ毎に、上記搬送方向に直交する仮想面で、赤外線加熱炉２４を複数の小領域に区切る
。複数の小領域のうち、上記搬送方向において小領域下流端での基板１２の温度が、小領
域上流端での基板１２の温度より５℃以上高いＮ個（Ｎは、１以上の整数）の小領域を、
第１～第Ｎの昇温小領域と称す。第１～第Ｎの昇温小領域は、昇温ゾーン内の小領域であ
る。
　図５は、第１～第Ｎの昇温小領域を説明するための図面である。図５の縦軸は、基板１
２の温度（℃）を示しており、横軸は、基板１２の搬送方向における搬入口２４ａからの
距離を示している。図５では、Ｎ＝４の場合を例示している。すなわち、図５は、搬入口
２４ａから２ｍの領域に４つの昇温小領域が存在する場合において、上記搬入口２４ａか
らの２ｍまでの基板１２の温度変化の一例を示している。
　上記搬送方向において小領域下流端での基板１２の温度が、小領域上流端での基板１２
の温度より５℃以上高いとは、第１～第Ｎの昇温小領域のうちの任意の小領域を第ｉの昇
温小領域（ｉは、１～Ｎの何れかの整数）と称したとき、第ｉの昇温小領域の下流端（赤
外線加熱炉２４の搬出口側の端）での基板１２の温度が第ｉの昇温小領域の上流端（赤外
線加熱炉２４の搬入口２４ａ側）での基板１２の温度より５℃以上高いことを意味する。
例えば、ｉ＝２の場合、第２及び第３の昇温小領域の境界（図５において搬入口２４ａか
らの距離が１００ｃｍの位置）での温度ｔ２が、第１及び第２の昇温小領域の境界（図５
において搬入口２４ａからの距離が５０ｃｍの位置）での温度ｔ１より５℃以上高い。
　第ｉの昇温小領域は、Ｍｉ個の第１赤外線ヒータ２６（Ｍｉは、０以上の整数）を有す
る。Ｍｉは０以上であることから、第ｉの昇温小領域は第１赤外線ヒータ２６を有しなく
てもよい。第１～第Ｎの昇温小領域それぞれが有する第１赤外線ヒータ２６の数は同じで
もよいし、異なってもよい。上記Ｍｉ個の第１赤外線ヒータ２６とは、基板１２の搬送方
向に配置される第１赤外線ヒータ２６及び上記搬送方向に実質的に直交する方向（基板１
２の幅方向）に配置される第１赤外線ヒータ２６の個数の合計である。
　乾燥工程Ｓ１２では、第ｉの昇温小領域内での基板１２の最高温度をＴｆ［℃］とした
ときに、第ｉの昇温小領域が有するＭｉ個の第１赤外線ヒータ２６の温度が、式（１）に
よって定義される上限温度Ｔｈ［℃］以下であるように、Ｍｉ個の第１赤外線ヒータ２６
の温度を設定する。
Ｔｈ＜（５×１０９＋（Ｔｆ）４）０．２５・・・（１）
　したがって、第１～第Ｎの昇温小領域全てにおいて、第１赤外線ヒータ２６の温度は、
各昇温小領域内において式（１）で定義される上限温度Ｔｈ以下である。第ｉの昇温小領
域のＭｉ個の第１赤外線ヒータ２６の温度は、上記上限温度Ｔｈ以下であれば同じであっ
てもよいし、異なってもよい。
　上記式（１）は、加熱強さｑ［Ｗ／ｍ２］を表す式（２）において、ｑを２８０Ｗ／ｍ
２未満とした場合に式に相当する。
ｑ＝σ（（Ｔｈ）４―（Ｔｆ）４）・・・（２）
式（２）において、σはシュテファン－ボルツマン定数であり、５．６７×１０－８Ｗ／
（ｍ２・Ｋ４）である。式（２）において、Ｔｈ及びＴｆの単位はケルビン（Ｋ）である
。
　第１赤外線ヒータ２６の温度とは、赤外線発生源であるセラミックス部材の表面温度で
ある。通常、市販（又は赤外線加熱炉２４に備えられた）の赤外線ヒータには、上記セラ
ミックス部材の温度を表示する機能が付加されていることから、その温度表示機能で表示
された温度を採用すればよい。
　式（１）における第ｉの昇温小領域内での基板１２の最高温度Ｔｆは、基板１２の電極
層形成面１２ａの温度を実測した際の第ｉの昇温小領域内での最高温度である。赤外線加
熱炉２４内を搬送されている基板１２の温度は、例えば電極層形成面１２ａに熱電対を取
り付けることで計測され得る。
　第ｉの昇温小領域内での上限温度Ｔｈと最高温度Ｔｆとが、上記式（１）を満たし且つ
、Ｍｉ個の第１赤外線ヒータ２６の温度が上限温度Ｔｈ以下であれば、第ｉの昇温小領域
での第２赤外線ヒータ２８の個数及び温度は限定されない。
　第１～第Ｎの昇温小領域それぞれにおける第２赤外線ヒータ２８の個数及び温度は限定
されない。
　赤外線加熱炉２４の搬入口２４ａから基板１２の搬送方向に５０ｃｍ毎に、上記搬送方
向に直交する仮想面で赤外線加熱炉２４を複数に分割して得られる複数の小領域のうち第
１～第Ｎの昇温小領域以外の少なくとも一つの小領域は、少なくとも一つの第１赤外線ヒ
ータ２６を有し得る。同様に、上記複数の小領域のうち第１～第Ｎの昇温小領域以外の少
なくとも一つの小領域は、少なくとも一つの第２赤外線ヒータ２８を有し得る。
　通常、基板１２の搬送方向において基板１２が所望の温度Ｔに達して以降は、上記所望
の温度Ｔを維持するように、第１赤外線ヒータ２６及び第２赤外線ヒータ２８の個数及び
温度が調整される。
　赤外線加熱炉２４内で塗布膜ＦＬ０を乾燥させる場合、上記赤外線照射による塗布膜Ｆ
Ｌ０及び基板１２の乾燥とともに、熱風乾燥を使用してもよい。
　基板１２の搬送方向における赤外線加熱炉２４の長さ及び基板１２の搬送速度は、例え
ば機能層ＦＬとなる塗布膜ＦＬ０の厚さを考慮して、塗布膜ＦＬ０を乾燥できるように設
定されていればよい。通常、上記構成例（ａ）～（ｉ）に含まれる機能層に対して例示し
た厚さを有する層を形成する場合、基板１２の搬送方向における赤外線加熱炉２４の長さ
は２ｍ～５０ｍであり、基板１２の搬送速度は１ｍ／ｍｉｎ～１０ｍ／ｍｉｎである。
　上記塗布膜形成工程及び乾燥工程は、ロールツーロール方式によって基板１２を搬送し
ながら続けて実施してもよい。
　デバイス機能部１６が複数の機能層を有する場合、少なくとも一つの機能層を、塗布法
を利用した上記機能層形成工程Ｓ１０で形成すればよい。デバイス機能部１６が複数の機
能層を有する場合において隣接する機能層を上記機能層形成工程Ｓ１０で形成する場合に
は、上記隣接する機能層を形成するための機能層形成工程Ｓ１０をロールツーロール方式
によって基板１２を搬送しながら続けて実施してもよい。
　複数の機能層のうち塗布法を利用して形成しない一つ又は複数の層は、例えば、ドライ
成膜法又はメッキ法で形成されてもよい。ドライ成膜法の例は、陽極層１４の形成方法の
説明において挙げた例と同じであり得る。
　［陰極層形成工程］
　陰極層形成工程（第２電極層形成工程）では、デバイス機能部１６上に陰極層１８を形
成する。陰極層１８は、例えば、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷
法、スプレーコーター法等の塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着
するラミネート法等によって形成され得る。
　陰極層形成工程は、ロールツーロール方式によって実施されてもよい。上記塗布膜形成
工程Ｓ１１及び乾燥工程Ｓ１２が、ロールツーロール方式によって実施されている場合に
は、ロールツーロール方式によって基板１２を搬送しながら乾燥工程に続けて陰極層形成
工程を実施してもよい。
　上記デバイス機能部形成工程及び陰極層形成工程を実施することによって、デバイス形
成領域ＤＡ毎に有機ＥＬデバイス１０が製造される。よって、陰極層形成工程を経た基板
１２を、デバイス形成領域ＤＡ毎に個片化する個片化工程を実施することによって、複数
の有機ＥＬデバイス１０が製造され得る。そのため、有機ＥＬデバイス１０の製造方法は
、上記個片化工程を有してもよい。上記陰極層形成工程が、ロールツーロール方式によっ
て実施されている場合には、ロールツーロール方式によって基板１２を搬送しながら陰極
層形成工程に続けて個片化工程を実施してもよい。
　有機ＥＬデバイス１０が封止部材を備える形態では、有機ＥＬデバイス１０の製造方法
は、陰極層工程の後に、少なくとも機能層ＦＬを封止部材で封止する封止工程を有しても
よい。この場合において、有機ＥＬデバイス１０が更に上記個片化工程を有する場合は、
封止工程の後に個片化工程を実施し得る。上記陰極層形成工程が、ロールツーロール方式
によって実施されている場合には、ロールツーロール方式によって基板１２を搬送しなが
ら陰極層形成工程に続けて封止工程を実施してもよい。
　次に、有機ＥＬデバイス１０を製造する場合に基づいて説明した有機ＥＬデバイス（有
機電子デバイス）の製造方法の作用効果を、乾燥工程Ｓ１２において、本件発明者らが見
いだした式（１）を考慮せずに、塗布膜ＦＬ０側から赤外線を塗布膜ＦＬ０に照射して塗
布膜ＦＬ０を加熱乾燥させる場合と対比して説明する。
　本件発明者らが見いだした上記式（１）を考慮せずに、塗布膜ＦＬ０を乾燥させる場合
においても、説明の便宜のため、これまで説明した構成要素に付した符号を、対応する構
成要素に付す場合もある。
　前述したように、乾燥工程Ｓ１２では、陽極層１４に形成された塗布膜ＦＬ０を、赤外
線を利用して加熱乾燥する。基板１２の厚さ方向からみた場合、陽極層１４の大きさは、
基板１２の電極層形成面１２ａより小さい。すなわち、基板１２には、陽極層１４が形成
されている領域（以下、「第１領域」と称す）と、陽極層１４が形成されていない領域（
以下、「第２領域」と称す）が存在する。
　乾燥工程Ｓ１２で塗布膜ＦＬ０を乾燥させる際、搬入口２４ａから一定の領域は上記昇
温ゾーンであり基板１２の温度が上昇する。この昇温ゾーンにおいて、式（１）を考慮せ
ずに、第１赤外線ヒータ２６から赤外線を照射して塗布膜ＦＬ０を加熱乾燥させる場合、
基板１２には上記第１領域と上記第２領域が存在することから、基板１２の場所によって
赤外線反射率（又は吸収率）が異なる。そのため、第１領域と第２領域とで基板１２の温
度差が生じる。このように温度差が生じると、塗布膜ＦＬ０が乾燥されておらず液状であ
る昇温ゾーンでは、塗布膜ＦＬ０を構成する塗布液が、表面張力によって温度が低い場所
に集まり易い。これにより、塗布膜ＦＬ０が乾燥して得られる機能層ＦＬに厚さムラ（設
計値からのズレ）が生じる。
　有機ＥＬデバイスの性能（例えば発光特性）は、機能層ＦＬの厚さに影響を受けやすい
。例えば、機能層ＦＬの厚さムラにより発光ムラが生じやすい。そのため、上記のように
機能層ＦＬに厚さムラが生じると所望の有機ＥＬデバイスを製造できない。
　これに対して、本実施形態に係る有機ＥＬデバイス(有機電子デバイス)の製造方法では
、乾燥工程Ｓ１２で塗布膜ＦＬ０を加熱乾燥する場合、昇温ゾーンに含まれる第１～第Ｎ
の昇温小領域では、基板１２において陽極層１４が形成されている側に配置された第１赤
外線ヒータ２６の温度を、式（１）で定義される上限温度Ｔｈ以下になるように設定する
。式（１）は、前述したように式（２）において、上限温度Ｔｈの４乗と最高温度Ｔｆの
４乗の差に応じた加熱強さｑを２８０Ｗ／ｍ２未満とする条件に相当する。そのため、第
１赤外線ヒータ２６の温度が、式（１）で定義される上限温度Ｔｈ以下であることにより
、第１～第Ｎの昇温小領域において、第１領域と第２領域との間での基板１２の温度差を
低減できる。上記温度差が低減されることで、機能層ＦＬの上記厚さムラを抑制でき、所
望の状態（所望の厚さ）の機能層ＦＬを形成可能である。その結果、所望の性能を有する
有機ＥＬデバイス１０を製造可能であることから、有機ＥＬデバイス１０の製造歩留まり
が向上する。
　デバイス機能部１６が複数の機能層を有する場合、上記複数の機能層の厚さは１μｍ以
下であるため、陽極層１４と形成する機能層ＦＬとの間に他の機能層が含まれていても、
上記他の機能層の影響は実質的に無視できる。すなわち、デバイス機能部１６が複数の機
能層を有し、各機能層を上記機能層形成工程Ｓ１０で形成する場合も、上記作用効果が得
られる。
　赤外線を利用して塗布膜ＦＬ０を加熱することで、塗布膜ＦＬ０を効率的に加熱乾燥で
きる。そのため、上記機能層形成工程Ｓ１０は、ロールツーロール方式のように長尺の基
板１２を搬送しながら塗布膜ＦＬ０を加熱乾燥させる場合に有効である。前述したに長尺
の基板１２を利用する場合、有機ＥＬデバイスの製造方法を一度実施することで複数の有
機ＥＬデバイス１０を得ることができるので、有機ＥＬデバイス１０の生産性も向上する
。
　赤外線を利用して塗布膜ＦＬ０を加熱する場合には、例えば赤外線加熱とともに熱風を
利用した加熱を併用してもよい。この場合、塗布膜ＦＬ０が一層乾燥し易いので、有機Ｅ
Ｌデバイス１０の生産性が向上する。赤外線加熱で塗布膜ＦＬ０を加熱しながら、熱風に
よる加熱を併用する場合には、基板１２における塗布膜ＦＬ０側に第１赤外線ヒータ２６
を設けない代わりに熱風を利用して塗布膜ＦＬ０を加熱する場合に比べて熱風の流量、流
速などを低減できる。そのため、熱風によって塗布膜ＦＬ０に厚さムラが生じにくいので
、機能層ＦＬにも熱風に起因した厚さムラが生じない。その結果、有機ＥＬデバイス１０
の生産性の向上を図りながら、製造歩留まりも向上する。
　インクジェット印刷法では、パターン印刷を行い易い。そのため、離散的に配置された
陽極層１４上に機能層ＦＬを所定のパターンで形成する必要がある有機ＥＬデバイスの製
造にインクジェット印刷法は有効である。ロールツーロール方式のように基板１２を搬送
しながら基板１２上に塗布膜ＦＬ０を形成する場合、インクジェット印刷法を利用するこ
とで、塗布膜ＦＬ０を形成し易い。
　機能層形成工程Ｓ１０において、機能層ＦＬをインクジェット印刷法で形成する場合（
具体的には、塗布膜形成工程Ｓ１１において、インクジェット印刷装置を利用して塗布液
を基板１２上に塗布する場合）、塗布液の粘度は低い（例えば、１５ｃｐ以下）。この場
合、前述した温度差及び表面張力に基づいた液流動が生じやすい。したがって、本実施形
態に係る有機ＥＬデバイス（有機電子デバイス）の製造方法は、塗布膜形成工程Ｓ１１に
おいて、インクジェット印刷装置を利用して塗布液を基板１２上に塗布する場合に有効で
ある。
　上記赤外線照射による基板１２内の温度差は、陽極層１４での赤外線反射に起因する。
陽極層１４がインジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔ
ｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏ
ｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）といった金属酸化物から構成されている場合、陽極層１４の屈折
率が高くなる。このように屈折率の高い陽極層１４は赤外線を反射し易い。そのため、本
実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、陽極層１４が金属酸化物を含む場合に有
効である。
　次に実験結果を参照して、乾燥工程Ｓ１２において機能層ＦＬの厚さムラを防止できる
点を説明する。本発明は、以下の実験例に限定されない。実験例１及び実験例２のいずれ
の説明においても、説明の便宜のため、これまで説明した構成要素に付した符号を、対応
する構成要素に付す場合もある。
［実験例１］
　実験例１では、陽極層１４が形成された長尺の基板１２を準備した。基板１２は、ポリ
エチレンナフタレート（ＰＥＮ）からなるフィルムであった。基板１２の長さは、１００
ｍであった。陽極層１４の材料はＩＴＯであった。基板１２の厚さ方向から見た場合、陽
極層１４の大きさは、基板１２の電極層形成面１２ａより小さかった。
　上記基板１２の陽極層１４上に、機能層ＦＬ用の材料を含む塗布液を塗布して塗布膜Ｆ
Ｌ０を形成した。その後、基板１２を長手方向に搬送しながら、赤外線加熱炉２４内で塗
布膜ＦＬ０を乾燥させ、機能層ＦＬを形成した。機能層ＦＬ用の材料には正孔輸送層用の
材料を用いた。
　基板１２の搬送方向（基板１２の長手方向）の赤外線加熱炉２４の長さは１０ｍであっ
た。搬入口２４ａから１．５ｍ先までのゾーンを昇温ゾーンとし、所望の温度Ｔは１００
℃とした。従って、赤外線加熱炉２４を、搬入口２４ａから５０ｃｍ毎の小領域に仮想的
に分割した場合、第１～第３の小領域が昇温小領域である。よって、第１～第３の小領域
を第１～第３の昇温小領域と称す。
　赤外線加熱炉２４を上述した複数の小領域に仮想的に分割した際、各小領域には、第１
赤外線ヒータ２６が基板１２の幅方向に３個設けられ、第２赤外線ヒータ２８が基板１２
の幅方向に３個設けられていた。したがって、各小領域において、基板１２の搬送方向の
第１赤外線ヒータ２６及び第２赤外線ヒータ２８の数はそれぞれ１個である。
　実験例１では、第１の昇温小領域（第１の小領域）、第２の昇温小領域（第２の小領域
）、及び第３の昇温小領域（第３の小領域）それぞれの第１赤外線ヒータ２６の上限温度
Ｔｈを、後述する表１に示したように、９７℃、１１３℃及び１１８℃に設定した。
　実験例１において、第１の昇温小領域、第２の昇温小領域及び第３の昇温小領域それぞ
れの第１赤外線ヒータ２６の温度を、表１に示したように、それぞれ７７℃、８９℃及び
９７℃に設定し、塗布膜ＦＬ０が設けられた基板１２を、搬送速度２ｍ／ｍｉｎで搬送し
ながら、赤外線加熱炉２４内で塗布膜ＦＬ０を加熱乾燥した。実験例１で使用した第１赤
外線ヒータ２６の温度は、第１赤外線ヒータ２６が有するセラミックス部材（赤外線発生
源）の表面温度であった。後述する第２赤外線ヒータ２８の温度も同様であった。
　昇温ゾーンより下流の小領域については、所望の温度Ｔを維持するように、第１赤外線
ヒータ２６の温度を設定した。表１には、第４の小領域及び第５の小領域における第１赤
外線ヒータ２６の温度を示している。表１に示したように、第４の小領域において、第１
赤外線ヒータ２６の温度を９７℃に設定し、第５の小領域において、第１赤外線ヒータ２
６の温度を１００℃に設定した。第５の小領域より下流の小領域においては、第５の小領
域と同様とした。
　昇温ゾーンにおける第１～第３の昇温小領域それぞれにおいて、３個の第１赤外線ヒー
タ２６の温度は同じであった。昇温ゾーンにおける第１～第３の昇温小領域それぞれにお
ける３個の第２赤外線ヒータ２８の温度は、各昇温小領域の第１赤外線ヒータ２６の温度
と同じであった。同様に、複数の小領域のうち第１～第３の昇温小領域を除いた残りの小
領域それぞれにおける３個の第１赤外線ヒータ２６及び３個の第２赤外線ヒータ２８の温
度は同じであった。
　実験例１では、電極層形成面１２ａに熱電対をつけた状態で基板１２を搬送することに
よって、基板１２を搬送しながら連続的に基板１２の温度測定を行った。第１の昇温小領
域、第２の昇温小領域及び第３の昇温小領域それぞれにおける最高温度Ｔｆは、表１に示
したように、７０℃、９０℃及び９５℃であった。更に、第４の小領域及び第５の小領域
の最高温度は９７℃であった。表１より、昇温ゾーンより下流では、基板１２の温度をほ
ぼ均一に制御できていることがわかる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　実験例１では、上記条件で、赤外線加熱炉２４内で塗布膜ＦＬ０を乾燥させることによ
って機能層ＦＬを得た。機能層ＦＬの厚さ分布を、マクベス色濃度計を利用して測定した
。その結果、厚さムラはなく、実質的に所望の厚さで機能層ＦＬを形成できていた。
［実験例２］
　実験例２では、第１の昇温小領域、第２の昇温小領域及び第３の昇温小領域それぞれの
第１赤外線ヒータ２６の温度を表１に示したように、それぞれ１００℃、１０５℃及び１
３０℃に設定した点、及び、それに応じて昇温ゾーンより下流の小領域において、所望の
温度Ｔを維持するように、第１赤外線ヒータ２６の温度を設定した点以外は、実験例１と
同じ条件で、機能層ＦＬを形成した。昇温ゾーンより下流の小領域に関して、表１には、
第４の小領域及び第５の小領域における第１赤外線ヒータ２６の温度を示している。表１
に示したように、第４の小領域及び第５の小領域において、第１赤外線ヒータ２６の温度
を１３０℃に設定した。機能層ＦＬの形成後、機能層ＦＬの厚さ分布を実験例１と同じ装
置を用いて測定した。その結果、実験例２の機能層ＦＬには厚さムラが生じていた。
　機能層ＦＬに厚さムラが生じていなかった実験例１では、表１から理解されるにように
、第１～第３の昇温小領域全てにおいて、基板１２の最高温度Ｔｆと第１赤外線ヒータ２
６の上限温度Ｔｈとは式（１）を満たし、且つ、第１～第３の昇温小領域全てにおいて第
１赤外線ヒータ２６の温度は、上限温度Ｔｈより低かった。
　一方、機能層ＦＬに厚さムラが生じていた実験例２においても、表１から理解されるに
ように、第１～第３の昇温小領域全てにおいて、基板１２の最高温度Ｔｆと第１赤外線ヒ
ータ２６の上限温度Ｔｈとは式（１）を満たした。しかしながら、第１及び第３の昇温小
領域において第１赤外線ヒータ２６の温度は、上限温度Ｔｈより高かった。換言すれば、
昇温ゾーンに含まれる第１～第３の昇温小領域全てにおいて第１赤外線ヒータ２６の温度
が上限温度Ｔｈより低いという条件を実験例２は満たさなかった。
　実験例１，２の実験条件は、前述したように、第１～第３の昇温小領域内での第１赤外
線ヒータ２６の温度以外は同じであることから、実験例１，２の結果より、第１～第３の
昇温小領域全てにおいて、基板１２の最高温度Ｔｆと第１赤外線ヒータ２６の上限温度Ｔ
ｈとが式（１）を満たし、且つ、第１～第３の昇温小領域全てにおいて第１赤外線ヒータ
２６の温度を上限温度Ｔｈより低くすることによって機能層ＦＬの厚さムラを防止できる
ことが理解され得る。
（第２実施形態）
　図２に示した乾燥工程Ｓ１２の他の形態を第２実施形態として説明する。乾燥工程Ｓ１
２における説明以外は、第１実施形態と同じであることから、それらの記載を省略すると
ともに、第２実施形態の乾燥工程Ｓ１２の説明において第１実施形態と重複する説明を省
略する。
　第２実施形態における図４の（ｂ）部に示した昇温ゾーンでは、基板１２の電極層形成
面１２ａと反対側から赤外線を、電極層形成面１２ａ側からより多く、塗布膜ＦＬ０が設
けられた基板１２に照射することによって塗布膜ＦＬ０を加熱する。
　例えば、昇温ゾーンでは、少なくとも一つの第２赤外線ヒータ２８を配置する一方、第
１赤外線ヒータ２６を配置しない。この場合、塗布膜ＦＬ０が設けられた基板１２には、
塗布膜ＦＬ０側（電極層形成面１２ａ側）から赤外線が照射されずに、第２赤外線ヒータ
２８からの赤外線によって、塗布膜ＦＬ０及び基板１２が加熱される。
　そのため、基板１２に陽極層１４が形成されている領域（第１領域）と陽極層１４が形
成されていない領域（第２領域）が存在しても、第１領域と第２領域との間において温度
差が生じにくい。その結果、昇温ゾーンにおいて塗布膜ＦＬ０を構成する塗布液が表面張
力差によって流動することが抑制されるので、所望の状態（例えば所望の厚さ）の機能層
ＦＬを形成できる。その結果、所望の性能を有する有機ＥＬデバイス１０を製造可能であ
る。
　或いは、昇温ゾーンでは、少なくとも一つの第１赤外線ヒータ２６を配置するとともに
、少なくとも一つの第２赤外線ヒータ２８を配置する。この場合、少なくとも一つの第２
赤外線ヒータ２８からの照射量を、少なくとも一つの第１赤外線ヒータ２６からの照射量
より多くすることによって、基板１２における電極層形成面１２ａと反対側からの赤外線
で主に塗布膜ＦＬ０を加熱する。
　この場合も、基板１２における電極層形成面１２ａと反対側からの赤外線照射が支配的
であるため、基板１２に陽極層１４が形成されている領域（第１領域）と陽極層１４が形
成されていない領域（第２領域）が存在しても、第１領域と第２領域との間の温度差が生
じにくい。その結果、昇温ゾーンにおいて塗布膜ＦＬ０を構成する塗布液が表面張力差に
よって流動することが抑制されるので、所望の状態（例えば所望の厚さ）の機能層ＦＬを
形成できる。その結果、所望の性能を有する有機ＥＬデバイス１０を製造可能である。
　第２実施形態において、昇温ゾーン以降の赤外線加熱炉２４の構成及び赤外線照射条件
は第１実施形態と同様であり得る。
　以上、本発明の種々の実施形態を説明した。しかしながら、本発明は、例示した種々の
実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　基板は、例えばガラス基板及びシリコン基板などのリジッド基板であってもよい。基板
がリジッド基板である場合、基板の厚さは、例えば０．０５ｍｍ～１．１ｍｍである。
　一実施形態における赤外線加熱炉は、基板における電極層形成面と反対側に赤外線照射
部を備えなくてもよい。この場合、第１～第Ｎの昇温小領域のうち何れかの昇温小領域は
、基板における電極層形成面側に赤外線照射部を有する。基板における電極層形成面と反
対側に赤外線照射部を設ける形態では、塗布膜ＦＬ０がより一層速く加熱乾燥され易いの
で、有機ＥＬデバイスの生産性が向上する。
　赤外線照射部の例は赤外線ヒータに限らず、機能層となる塗布膜を加熱可能である赤外
線を照射可能な構成を有すればよい。赤外線照射部が赤外線ヒータ以外であっても、赤外
線照射部の温度は、赤外線発生部の表面温度とし得る。
　上記有機ＥＬデバイスの製造に用いられる基板は長尺の基板に限定されない。基板は、
赤外線加熱炉内を搬送可能な大きさであれば枚葉状であってもよい。
　第１電極層が陽極層であり、第２電極層が陰極層である形態を説明したが、第１電極層
が陰極層であり、第２電極層が陽極層でもよい。
　本発明は、有機ＥＬデバイス以外の有機電子デバイス、例えば、有機太陽電池、有機フ
ォトディテクタ、有機トランジスタなどを製造する場合にも適用可能である。
　１０…有機ＥＬデバイス（有機電子デバイス）、１２…基板、１４…陽極層（第１電極
層）、１８…陰極層（第２電極層）、２４…赤外線加熱炉、２６…第１赤外線ヒータ（電
極層形成面に面する赤外線照射部）、ＦＬ…機能層、ＦＬ０…塗布膜。

Claims (5)

  1. 基板の電極層形成面上に設けられた第１電極層上に、機能層を形成する機能層形成工程と
    、
    前記機能層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
    を備え、
    　前記機能層形成工程は、
    　前記機能層用の塗布液を前記第１電極層上に塗布して、前記機能層用の塗布膜を形成す
    る塗布膜形成工程と、
    　前記基板を搬送しながら、赤外線加熱炉内で赤外線を前記塗布膜が設けられた前記基板
    に照射することによって前記塗布膜を加熱乾燥させることによって前記機能層を形成する
    乾燥工程と、
    を有し、
    　前記基板の厚さ方向からみた場合、前記第１電極層の大きさは、前記電極層形成面の大
    きさより小さく、
    　前記赤外線加熱炉の搬入口から前記基板の搬送方向に５０ｃｍ毎に、前記搬送方向に直
    交する仮想面で前記赤外線加熱炉を区切られた複数の小領域のうち、前記搬送方向におい
    て小領域下流端での前記基板の温度が、小領域上流端での前記基板の温度より５℃以上高
    いＮ個の前記小領域を、第１～第Ｎの昇温小領域（Ｎは、１以上の整数）と称したとき、
    　前記第１～第Ｎの昇温小領域のうちの第ｉの昇温小領域（ｉは、１～Ｎの何れかの整数
    ）は、前記電極層形成面側にＭｉ個の赤外線照射部（Ｍｉは、０以上の整数）を有し、
    　前記第ｉの昇温小領域が有する前記Ｍｉ個の赤外線照射部の温度が、前記第ｉの昇温小
    領域内での前記基板の最高温度をＴｆ［℃］としたときに、
    Ｔｈ＜（５×１０９＋（Ｔｆ）４）０．２５
    によって定義される上限温度Ｔｈ［℃］以下である、　
    有機電子デバイスの製造方法。
  2. 　前記赤外線照射部は赤外線ヒータを有し、
    　前記赤外線照射部の温度は、前記赤外線ヒータの温度である、
    　請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  3. 基板の電極層形成面上に設けられた第１電極層上に、機能層を形成する機能層形成工程と
    、
    前記機能層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
    を備え、
    　前記機能層形成工程は、
    　前記機能層用の塗布液を前記第１電極層上に塗布して、前記機能層用の塗布膜を形成す
    る塗布膜形成工程と、
    　前記基板を搬送しながら、赤外線加熱炉内で赤外線を前記塗布膜が設けられた前記基板
    に照射することによって前記塗布膜を加熱乾燥させることによって前記機能層を形成する
    乾燥工程と、
    を有し、
    　前記基板の厚さ方向からみた場合、前記第１電極層の大きさは、前記電極層形成面の大
    きさより小さく、
    　前記基板の搬送方向において、前記基板の温度勾配が１０℃／ｍ以上である前記赤外線
    加熱炉の搬入口からの領域を昇温ゾーンと称したとき、
    　前記昇温ゾーンでは、前記基板の前記電極層形成面と反対側から赤外線を、前記基板の
    前記電極層形成面側からよりも多く、前記塗布膜が設けられた前記基板に照射することに
    よって前記塗布膜を加熱乾燥する、
    有機電子デバイスの製造方法。
  4. 　前記基板は、長尺の可撓性基板である、
    請求項１～３の何れか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
  5. 　前記塗布膜形成工程では、前記塗布液をインクジェット印刷装置から前記基板上に塗布
    する、
    請求項１～４の何れか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
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