TW202008628A - 有機電子元件的製造方法 - Google Patents

Abstract

一實施形態的有機電子元件的製造方法包括：有機功能層形成步驟，於形成於長條的可撓性膜10上的第一電極層上形成具有單層結構或多層結構的有機功能層；以及第二電極層形成步驟，於有機功能層上形成第二電極層，且有機功能層形成步驟具有：塗佈層形成步驟，利用塗佈法形成塗佈層181a；以及加熱步驟，一面利用表面28a的材料為紅外線吸收材的輥28搬送可撓性膜，一面利用紅外線將塗佈層加熱而得到功能層，紅外線吸收材的波長3 μm～10 μm範圍的紅外線的平均吸收率為0.8以上。

Description

有機電子元件的製造方法

本發明是有關於一種有機電子元件的製造方法。

作為本技術領域的先前技術，有於可撓性透明基材（可撓性膜）上具有透明電極（第一電極層）、及藉由輥對輥（roll to roll）方式的濕式塗佈而成膜的至少一層有機層（功能層）的有機電子元件的製造方法（參照專利文獻1）。 [現有技術文獻] [專利文獻]

專利文獻1：國際公開第2010/090087號

[發明所欲解決之課題]

如專利文獻1所記載般，於藉由輥對輥方式的濕式塗佈使有機電子元件所具有的功能層成膜的情況下，首先，於可撓性膜上形成塗佈層後，實施一面利用搬送輥搬送可撓性膜一面對塗佈層進行加熱處理的加熱步驟。搬送輥通常為金屬輥。因此，若於加熱步驟中被加熱的可撓性膜與搬送輥接觸，則於該接觸部分，可撓性膜的溫度急劇下降。其結果，可撓性膜產生扭曲、褶皺等。若可撓性膜產生扭曲、褶皺等，則加熱乾燥前的塗佈層產生膜厚不均，無法以所期望的厚度形成功能層。

因此，本發明的目的在於提供一種容易以所期望的厚度形成有機功能層中包含的至少一個功能層的有機電子元件的製造方法。 [解決課題之手段]

本發明的一方面的有機電子元件的製造方法包括：有機功能層形成步驟，於形成於長條的可撓性膜上的第一電極層上形成具有單層結構或多層結構的有機功能層；以及第二電極層形成步驟，於所述有機功能層上形成第二電極層。所述有機功能層形成步驟具有：塗佈層形成步驟，利用塗佈法形成塗佈層；以及加熱步驟，一面利用表面的材料為紅外線吸收材的輥搬送所述可撓性膜，一面利用紅外線將所述塗佈層加熱而得到功能層。所述紅外線吸收材的波長3 μm～10 μm範圍的紅外線的平均吸收率為0.8以上。

於所述製造方法中，有機功能層形成步驟具有塗佈層形成步驟與加熱步驟，於加熱步驟中，藉由紅外線將塗佈層加熱。因此，與使用暖風的情況相比，塗佈層難以產生膜厚不均。進而，於加熱步驟中，由於利用所述輥搬送可撓性膜，因此輥表面被紅外線加熱。因此，即便可撓性膜與輥接觸，該接觸部分的溫度亦難以降低，因此能夠抑制可撓性膜產生扭曲、褶皺等。其結果，能夠以所期望的厚度形成功能層。

所述輥亦可具有金屬製的輥本體與塗敷於所述輥本體的表面的塗層。所述塗層的材料可為所述紅外線吸收材。

於所述加熱步驟中，所述可撓性膜亦可被加熱至100℃以上。當可撓性膜的溫度被加熱至100℃以上時，若其一部分產生溫度降低，則容易產生褶皺等。因此，於加熱步驟中，於所述可撓性膜被加熱至100℃以上的情況下，所述有機電子元件的製造方法更有效。

於所述加熱步驟中，自所述可撓性膜的形成有所述第一電極層的面起10 mm以內的風速亦可為0.1 m/s以下。藉此，塗佈層更難以產生膜厚不均，容易形成所期望厚度的功能層。

所述紅外線吸收材可為無機氧化物。該情況下，能夠確保耐久性。所述無機氧化物的例子為氧化鋁。

所述塗佈法亦可為噴墨印刷法。噴墨印刷法中使用的油墨黏度比較低。因此，例如利用噴墨印刷法形成的塗佈層的厚度容易受到由可撓性膜的扭曲、褶皺等的產生所引起的凹凸的影響。因此，如上所述，於加熱步驟中，可撓性膜的扭曲、褶皺等的產生得到了抑制的有機電子元件的製造方法於所述塗佈法為噴墨印刷法的情況下更有效。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種容易以所期望的厚度形成有機功能層中包含的至少一個功能層的有機電子元件的製造方法。

以下，一面參照圖式一面對本發明的實施形態進行說明。對相同要素標註相同符號，省略重覆說明。圖式的尺寸比率與說明中未必一致。作為有機電子元件，例如可列舉：有機EL元件、有機太陽電池、有機光偵檢計（photodetector）等。於以下說明的實施形態中，只要未事先說明，則有機電子元件為有機EL元件，特別是對底部發光型有機EL元件的製造方法進行說明。

圖1是一實施形態的有機EL元件的製造方法中使用的長條的可撓性膜10的平面圖。本說明書中，所謂長條的可撓性膜10，是指於一個方向上延伸，其延伸方向（即長度方向）的長度比起與長度方向正交的方向（寬度方向）的長度長的可撓性膜。此處，所謂可撓性膜，為具有可撓性的膜。所謂可撓性，為即便對物體（於本說明書的例子中為膜）施加規定的力亦不會剪切或斷裂，能夠將所述物體彎曲的性質。

可撓性膜10至少對可見光（波長400 nm～800 nm的光）具有透光性。可撓性膜10的厚度例如為30 μm以上且500 μm以下。

可撓性膜10例如為塑膠膜之類的樹脂膜。可撓性膜10的材料的例子包括：聚醚碸（polyether sulfone，PES）；聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate，PEN）等聚酯樹脂；聚乙烯（polyethylene，PE）、聚丙烯（polypropylene，PP）、環狀聚烯烴等聚烯烴樹脂；聚醯胺樹脂；聚碳酸酯樹脂；聚苯乙烯樹脂；聚乙烯醇樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的皂化物；聚丙烯腈樹脂；縮醛樹脂；聚醯亞胺樹脂；環氧樹脂等。

作為可撓性膜10的材料，於所述樹脂中，就耐熱性高、線膨脹率低、且製造成本低而言，較佳為聚酯樹脂或聚烯烴樹脂，更佳為聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯。該些樹脂可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。

於可撓性膜10的表面10a上亦可配置有阻擋氣體、水分等的阻擋層（特別是阻擋水分的阻擋層）。

於有機EL元件的製造中，於長條的可撓性膜10的長度方向上虛擬地設定多個元件形成區域DA，於元件形成區域DA上形成陽極層（第一電極層）、有機功能層、陰極層（第二電極層）等。於可撓性膜10的表面10a上形成有阻擋層的形態中，於阻擋層上形成陽極層、有機功能層、陰極層等。

圖2是一實施形態的有機EL元件的製造方法且為利用了輥對輥方式的有機EL元件的製造方法的概念圖。於利用輥對輥方式製造有機EL元件的情況下，將輥狀的可撓性膜10設置於送出部12A並送出可撓性膜10。一面利用搬送輥14將所送出的可撓性膜10朝向捲繞部12B搬送，一面依次實施陽極層形成步驟（第一電極層形成步驟）S11、有機功能層形成步驟S12及陰極層形成步驟（第二電極層形成步驟）S13。其後，利用捲繞部12B將可撓性膜10捲繞成輥狀。送出部12A、捲繞部12B及搬送輥14可為可撓性膜10的搬送機構的一部分。此外，搬送機構可包括張力調整機構等公知的構成要素。於各步驟中，亦能夠設置捲繞步驟及送出步驟。進而，亦能夠於各步驟中暫時捲繞並保管可撓性膜10後，再次送出可撓性膜10並進行下一步驟。

[陽極層形成步驟] 於陽極層形成步驟S11中，於沿著可撓性膜10的長度方向虛擬地設定的多個元件形成區域DA的每一個上形成陽極層（第一電極層）16。因此，於可撓性膜10上，沿其長度方向離散地形成陽極層16。陽極層16亦可具有將導電體（例如金屬）形成為網路狀的網路結構。陽極層16的厚度的例子通常為10 nm～10 μm，較佳為20 nm～1 μm，進而佳為50 nm～500 nm。

陽極層16例如可藉由乾式成膜法、鍍敷法、塗佈法等而形成。作為乾式成膜法，例如可列舉：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法、化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）法等。所謂塗佈法，為使用將所應形成的層的材料溶解於溶媒中而成的溶液來形成層的方法。作為塗佈法，例如可列舉：微凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗法、輥塗法、線棒塗佈法、噴塗法、網版印刷法、柔版印刷法、平版印刷法、噴嘴印刷法、噴墨印刷法等。

[有機功能層形成步驟] 於有機功能層形成步驟S12中，於形成於可撓性膜10上的陽極層16上形成有機功能層18。有機功能層18為根據施加至有機EL元件的電力，有助於電荷轉移及電荷再結合等有機EL元件的發光的元件功能部。有機功能層18具有作為有機層的發光層。

發光層為具有發出規定波長的光的功能的功能層。發光層的厚度根據所使用的材料而最佳值不同，以驅動電壓與發光效率成為適當的值的方式適當設定。發光層的厚度例如為1 nm～1 μm，較佳為2 nm～500 nm，進而佳為10 nm～200 nm。

發光層通常主要包含發出螢光及磷光中的至少一者的發光材料、或該發光材料與輔助該發光材料的發光層用摻雜劑材料。發出螢光及磷光中的至少一者的發光材料所具有的有機物可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。作為所述發光材料，例如可列舉：下述色素材料、金屬錯合物材料、高分子材料等。

（色素材料） 作為色素材料，例如可列舉：環戊胺及其衍生物、四苯基丁二烯及其衍生物、三苯基胺及其衍生物、噁二唑及其衍生物、吡唑喹啉（pyrazoloquinoline）及其衍生物、二苯乙烯基苯及其衍生物、二苯乙烯基伸芳基及其衍生物、吡咯及其衍生物、噻吩化合物、吡啶化合物、紫環酮（perinone）及其衍生物、苝及其衍生物、寡聚噻吩（oligothiophene）及其衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮（quinacridone）及其衍生物、香豆素及其衍生物等。

（金屬錯合物材料） 作為金屬錯合物材料，例如可列舉：中心金屬具有Tb、Eu、Dy等稀土金屬、或者Al、Zn、Be、Pt、Ir等，且配位子具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯並咪唑、喹啉結構等的金屬錯合物等。作為金屬錯合物，例如可列舉：銥錯合物、鉑錯合物等具有源自三重激發態的發光的金屬錯合物、羥基喹啉鋁（aluminum quinolinol）錯合物、苯並羥基喹啉鈹（benzoquinolinol beryllium）錯合物、苯並噁唑基鋅錯合物、苯並噻唑鋅錯合物、偶氮甲基鋅錯合物、卟啉鋅錯合物、啡啉銪錯合物等。

（高分子材料） 作為高分子材料，例如可列舉：將聚對伸苯基伸乙烯基及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚對伸苯基及其衍生物、聚矽烷及其衍生物、聚乙炔及其衍生物、聚芴及其衍生物、聚乙烯咔唑及其衍生物、所述色素材料、或金屬錯合物材料進行高分子化而成的材料等。

發光層用摻雜劑材料例如是為了提升發光效率、或改變發光波長而添加。作為發光層用摻雜劑材料，例如可列舉：苝及其衍生物、香豆素及其衍生物、紅螢烯（rubrene）及其衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、方酸內鎓鹽及其衍生物、卟啉及其衍生物、苯乙烯基色素、稠四苯及其衍生物、吡唑酮及其衍生物、十環烯（decacyclene）及其衍生物、啡噁嗪酮（phenoxazone）及其衍生物等。

有機功能層18亦可具有包含發光層以外的功能層的多層結構。作為可設置於陽極層與發光層之間的功能層，例如可列舉：電洞注入層及電洞傳輸層。作為可設置於陰極層與發光層之間的功能層，例如可列舉：電子注入層及電子傳輸層。以下示出有機功能層可採用的層結構的例子。於下述層構造的例子中，為了說明，亦加括號來記載陽極層及陰極層。

（a）（陽極層）/發光層/（陰極層） （b）（陽極層）/電洞注入層/發光層/（陰極層） （c）（陽極層）/電洞注入層/發光層/電子注入層/（陰極層） （d）（陽極層）/電洞注入層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/（陰極層） （e）（陽極層）/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/（陰極層） （f）（陽極層）/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子注入層/（陰極層） （g）（陽極層）/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/（陰極層） （h）（陽極層）/發光層/電子注入層/（陰極層） （i）（陽極層）/發光層/電子傳輸層/電子注入層/（陰極層） 所述符號「/」表示夾著符號「/」的各層鄰接地積層。所述構成例（a）的形態是有機功能層18為由發光層構成的單層結構時的例子。

電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層及電子傳輸層的材料可使用公知的材料。通常，電洞傳輸層及電子傳輸層為有機層。電洞注入層及電子注入層可為有機層，亦可為無機層。電子注入層例如亦可為陰極層的一部分。電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層及電子傳輸層的厚度可考慮電氣特性或成膜的容易性等而適當設定。電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層及電子傳輸層的厚度為次微米程度。

構成有機功能層18的功能層可利用塗佈法來形成。塗佈法的例子可與陽極層形成步驟S11的說明中例示的方法相同。於有機功能層18具有多層結構的情況下，自陽極層16側依次形成各功能層即可。

[陰極層形成步驟] 於陰極層形成步驟S13中，於有機功能層18上形成陰極層（第二電極層）20。陰極層20的一部分亦可形成於可撓性膜10上。為了使來自有機功能層18的光由陰極層20反射並到達陽極層16側，陰極層20的材料較佳為對來自有機功能層18的光的反射率高的材料。作為陰極層20的材料，例如使用鹼金屬、鹼土金屬、過渡金屬及元素週期表第13族元素等。作為陰極層20，例如亦可使用包含導電性金屬氧化物、或導電性有機物等的透明導電性電極。作為導電性金屬氧化物，具體而言，可列舉氧化銦、氧化鋅、氧化錫、氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）等，作為導電性有機物，可列舉聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物等。

陰極層20的厚度是考慮電導度、耐久性等而設定。陰極層20的厚度通常為10 nm～10 μm，較佳為20 nm～1 μm，進而佳為50 nm～500 nm。陰極層20可與陽極層16同樣地形成。

作為陰極層20的形成方法，例如可列舉：乾式成膜法、鍍敷法、塗佈法等。乾式成膜法及塗佈法的例子分別可與陽極層形成步驟S11的說明中例示的方法相同。就成膜後容易立即表現出導電性的觀點而言，較佳為乾式成膜法。就可抑制對發光層的損傷的觀點而言，較佳為真空蒸鍍法。

藉由經過陰極層形成步驟S13，從而於每個元件形成區域DA上形成有機EL元件2（參照圖3），所述有機EL元件2包括：可撓性膜10、形成於可撓性膜10上的陽極層16、形成於陽極層16上的有機功能層18、以及形成於有機功能層18上的陰極層20。因此，藉由對每個元件形成區域DA實施將可撓性膜10單片化的單片化步驟，可得到製品尺寸的有機EL元件2。

有機EL元件2亦可包括至少將有機功能層18密封的密封構件。密封構件貼合於可撓性膜10及可撓性膜10上的結構（陽極層、有機功能層及陰極層）。密封構件具有防止水分浸入有機功能層18的水分阻擋功能。密封構件亦可具有氣體阻擋功能。

於有機EL元件2包括密封構件的形態中，於陰極層形成步驟S13與單片化步驟之間，實施將密封構件貼合於經過了陰極層形成步驟S13的可撓性膜10（即，帶陰極層的可撓性膜）上的貼合步驟即可。於該貼合步驟中，例如將長條的密封構件貼合於帶陰極層的可撓性膜上。密封構件的大小及貼合位置等只要設定為能夠向有機EL元件2供給電力即可。

繼而，詳細說明有機功能層形成步驟S12。圖4是示意性地表示有機功能層形成步驟S12所具有的塗佈層形成步驟及加熱步驟的圖式。將有機功能層18所具有的至少一個功能層稱為功能層181，對功能層181的形成方法進行說明。此處，為了簡化說明，只要未另外說明，則如圖4所示，以形成與陽極層16接觸的功能層181的情況為例進行說明。

首先，利用塗佈法於陽極層16上形成塗佈層181a（塗佈層形成步驟）。圖4中示出利用作為塗佈法的一例的噴墨印刷法形成塗佈層181a的形態。具體而言，將使所應形成的功能層181的材料溶解於溶媒中而成的塗佈液（例如油墨）24自噴墨裝置22滴加於陽極層16上，形成塗佈層181a。本說明書中，塗佈層為乾燥固化前的塗佈液的膜。繼而，於設置於可撓性膜10的搬送路徑上的加熱爐26內對塗佈層181a進行加熱、乾燥，得到功能層181（加熱步驟）。因此，有機功能層形成步驟S12具有所述塗佈層形成步驟與所述加熱步驟。

於陽極層16與所應形成的功能層181之間已經形成有其他功能層的情況下，於塗佈層形成步驟中，將所述其他功能層作為基底層，於該基底層上形成塗佈層181a即可。

圖5是用於說明加熱步驟的圖式。於加熱步驟中，將經過了塗佈層形成步驟的可撓性膜10自加熱爐26的搬入口26a搬入至加熱爐26內。圖5中圖示了陽極層16與塗佈層181a的一組。然而，如上所述，陽極層16於可撓性膜10的長度方向上離散地設置有多個，於各陽極層16上形成有塗佈層181a。

於加熱爐26內，利用設置於加熱爐26內的搬送輥28搬送所搬入的可撓性膜10。一面將可撓性膜10沿著其長度方向搬送，一面自配置於加熱爐26內的紅外線照射部30照射紅外線32，對塗佈層181a進行加熱、乾燥。其後，將可撓性膜10自搬出口26b連續地搬出。

為了將塗佈層181a加熱，紅外線照射部30輸出包含波長3 μm～10 μm範圍的紅外線的紅外線32。紅外線照射部30的例子為紅外線加熱器。於加熱爐26內，沿著搬送方向配置有多個紅外線照射部30。如圖5所示，紅外線照射部30可於可撓性膜10的厚度方向上配置於兩側，例如亦可僅配置於與塗佈層181a相向的一側。

如圖5所示，搬送輥28具有金屬製的輥本體281、與設置於輥本體281的表面的塗層282。輥本體281的材料的例子為不鏽鋼（SUS）。塗層282的材料為紅外線吸收材。因此，搬送輥28的表面28a的材料為紅外線吸收材。

紅外線吸收材吸收自紅外線照射部30輸出的紅外線32。紅外線吸收材的波長3 μm～10 μm範圍的紅外線的平均吸收率為0.8以上。紅外線吸收材的例子為無機氧化物，所述無機氧化物的例子為氧化鋁。

當將所述平均吸收率設為α時，規定的波長範圍的平均吸收率α為藉由下式算出的值。 [數式1]

於所述式中，λ為所述規定的波長範圍內的波長，k（λ）為波長λ下的吸收率，λ₁ 為所述規定的波長範圍的下限值，λ₂ 為所述規定的波長範圍的上限值。因此，於規定的波長範圍為波長3 μm～10 μm的範圍的情況下，λ₁ 為3 μm，λ₂ 為10 μm。作為測定波長λ的吸收率的方法，有利用依據「日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）K 0117：2000 紅外分光分析方法通則」的裝置實施的測定，特佳為使用應用了傅立葉轉換方式的傅立葉轉換型紅外分光光度計的方法。

於加熱爐26內，為了對加熱爐26內進行換氣，並有效地排出溶媒，亦可配置如虛線所示般輸出空氣的空氣噴嘴34。

於加熱步驟中，調整來自紅外線照射部30的紅外線32的強度、搬送速度等，以使塗佈層181a於加熱爐26內被加熱、乾燥即可。於加熱步驟中，可撓性膜10亦可被加熱為100℃以上。於加熱步驟中，自可撓性膜10的表面（形成有第一電極層的面）10a（參照圖1）起10 mm以內的環境的風速較佳為0.1 m/s以下。

作為於塗佈層形成步驟中使用的塗佈法的例子，列舉噴墨印刷法進行了說明。但是，亦可利用陽極層形成步驟S11中列舉的噴墨印刷法以外的其他塗佈法形成塗佈層181a。

於有機功能層18具有多個功能層的形態中，至少一個功能層藉由所述塗佈層形成步驟與加熱步驟形成即可。換言之，於有機功能層18具有多個功能層的形態中，亦可具有利用公知的形成方法形成的功能層。例如，電子注入層亦可利用真空蒸鍍法而形成。

於所述有機EL元件2的製造方法中，於形成有機功能層18所具有的至少一個功能層181時具有加熱步驟，作為於加熱步驟中將塗佈層181a加熱的方法，使用紅外線32。因此，與利用暖風的情況相比，於塗佈層181a上不易產生波痕（膜厚不均）。進而，搬送輥28的表面28a的材料是波長3 μm～10 μm範圍的紅外線的平均吸收率為0.8以上的紅外線吸收材。藉此，於加熱步驟中，自紅外線照射部30照射的紅外線32被紅外線吸收材吸收，因此與不吸收紅外線32的情況相比，搬送輥28的表面28a更熱。若搬送輥28的表面28a變熱，則即便可撓性膜10與搬送輥28接觸，由於該接觸部分的溫度降低得到抑制，因此亦能夠防止伴隨溫度降低而引起的可撓性膜10的扭曲及褶皺的發生等。因此，可撓性膜10上的塗佈層181a難以產生膜厚不均，能夠高精度地以所期望的厚度形成功能層181，因此能夠防止有機EL元件2的特性降低。例如，能夠防止發光不均。

於加熱步驟中，由於於加熱爐26內利用搬送輥28搬送可撓性膜10，因此亦能夠防止可撓性膜10鬆弛。因此，能夠使加熱爐26大型化。例如能夠使沿著搬送方向的加熱爐26的長度變長。即便使加熱爐26變長，藉由配置紅外線照射部30，亦能夠對塗佈層181a進行加熱，進而，藉由紅外線32的強度等，亦能夠提高塗佈層181a的加熱溫度。其結果，能夠提升有機EL元件2的生產性。

於加熱步驟中，利用搬送輥28搬送可撓性膜10，而不利用例如氣體使可撓性膜10浮起來進行搬送。藉此，亦能夠防止由用於使可撓性膜10浮起的氣體引起的波痕的產生。

由於搬送輥28的表面28a經用於加熱塗佈層181a的紅外線32加熱，因此與使用例如熱輥的情況相比，能夠抑制操作成本。

通常，於如輥對輥方式般利用搬送輥14及搬送輥28搬送可撓性膜10的情況下，存在以高水準謀求輥的加工精度（已知為圓柱度、真直度、正圓度等的精度）的傾向。於搬送輥28具有輥本體281與塗層282的形態中，藉由以與先前相同的加工精度形成輥本體281，能夠容易地維持搬送輥28的加工精度。進而，通常可藉由將紅外線吸收材塗敷於輥對輥方式中使用的金屬製搬送輥上而製造搬送輥28，因此容易準備搬送輥28。

進而，於紅外線吸收材為無機氧化物的形態中，與使用塑膠的情況相比，可謀求耐久性的提升，並且亦容易獲得加工精度。

於加熱步驟中，若可撓性膜10的溫度達到100℃以上，則伴隨溫度降低，容易產生所述扭曲、褶皺等。因此，具有能夠防止溫度降低的所述加熱步驟的有機EL元件的製造方法於加熱步驟中，於可撓性膜10的溫度達到100℃以上的情況下是有效的。通常，當對塗佈層181a進行加熱、乾燥時，可撓性膜10的溫度有達到100℃以上的傾向。

於噴墨印刷法中，油墨的黏度通常可設定得低。因此，例如塗佈層的厚度容易受到可撓性膜的扭曲、褶皺等的影響。於有機EL元件的製造方法的所述加熱步驟中能夠抑制所述扭曲、褶皺等，因此對利用噴墨印刷法形成塗佈層的形態是有效的。

繼而，參照實驗結果，進一步對加熱步驟中使用搬送輥28時的作用效果進行說明。

（實驗例1） 於實驗例1中，搬送輥28使用在金屬輥（輥本體）的表面噴鍍氧化鋁（波長3 μm～10 μm範圍的紅外線的平均吸收率：0.82）並塗敷而成的輥。紅外線照射部30使用紅外線加熱器，將紅外線加熱器的溫度設定為160℃。於實驗例1中，使用100 μm厚的PEN膜作為可撓性膜10，於可撓性膜10上形成發光層作為功能層181。具體而言，利用噴墨印刷法形成塗佈層181a後，一面以1 m/min的搬送速度於加熱爐26內搬送可撓性膜10，一面利用紅外線對塗佈層181a進行加熱、乾燥，得到功能層181。此時，於所述可撓性膜10的表面安裝溫度計，測量搬送過程中可撓性膜10的溫度。

其結果，於加熱爐26內，可撓性膜10實質上維持為150℃，於與搬送輥28接觸的部分亦未見到急劇的溫度變化。更具體而言，未觀察到1℃以上的溫度變化。進而，自加熱爐26搬出的可撓性膜10未確認到褶皺，所得到的功能層181亦未觀察到膜厚不均。

（實驗例2） 實驗例2為實驗例1的比較實驗。實驗例2除了代替實驗例1中使用的搬送輥28而使用表面亦由金屬構成的金屬輥這一點以外，與實驗例1同樣地進行了實驗。其結果，於可撓性膜10的與金屬輥接觸的部分，產生了10℃以上的溫度降低。自加熱爐搬出的可撓性膜10觀察到顯著的褶皺，並且所得到的功能層觀察到了膜厚不均。

根據所述實驗例1與實驗例2的比較而理解，當藉由紅外線的照射對塗佈層181a進行加熱、乾燥時，藉由使用表面28a包含紅外線吸收材的搬送輥28，可防止輥接觸部分的溫度降低。其結果，能夠防止可撓性膜10的褶皺及所應形成的功能層的膜厚不均，容易實現所期望厚度的功能層。

以上說明了本發明的各種實施形態及變形例。但是，本發明並不限定於所例示的各種實施形態及變形例，而是意圖包括由申請專利範圍示出的範圍，並且意圖包含與申請專利範圍等同的含義及範圍內的所有變更。

於圖2所例示的有機EL元件的製造方法中，實施了陽極層形成步驟。但是，亦可使用預先形成有陽極層的可撓性膜。即，亦可不實施陽極層形成步驟。

於圖2所例示的有機EL元件的製造方法中，以輥對輥方式實施了直至陽極層形成步驟、有機功能層形成步驟及陰極層形成步驟為止的整體。但是，至少以輥對輥方式實施圖5所示的加熱步驟即可。通常，塗佈層形成步驟與加熱步驟能夠以輥對輥方式連續實施。

例示了陽極層作為第一電極層，例示了陰極層作為第二電極層。但是，亦可為：第一電極層為陰極層，第二電極層為陽極層。即，陰極層亦可配置於可撓性膜側。所應製造的有機EL元件亦可為頂部發光型的元件。

於所述實施形態中，對作為有機電子元件的一例的有機EL元件的製造方法進行了說明。但是，本發明除了有機EL元件之外，亦能夠應用於有機光偵檢計、有機薄膜太陽電池、有機電晶體等有機電子元件的製造。

2‧‧‧有機EL元件 10‧‧‧可撓性膜 10a、28a‧‧‧表面 12A‧‧‧送出部 12B‧‧‧捲繞部 14、28‧‧‧搬送輥 16‧‧‧陽極層（第一電極層） 18‧‧‧有機功能層 20‧‧‧陰極層（第二電極層） 22‧‧‧噴墨裝置 24‧‧‧塗佈液 26‧‧‧加熱爐 26a‧‧‧搬入口 26b‧‧‧搬出口 30‧‧‧紅外線照射部 32‧‧‧紅外線 34‧‧‧空氣噴嘴 181‧‧‧功能層 181a‧‧‧塗佈層 281‧‧‧輥本體 282‧‧‧塗層 DA‧‧‧元件形成區域 S11‧‧‧陽極層形成步驟（第一電極層形成步驟） S12‧‧‧有機功能層形成步驟 S13‧‧‧陰極層形成步驟（第二電極層形成步驟）

圖1是一實施形態的有機電致發光（electroluminescence，EL）元件（有機電子元件）的製造方法中使用的長條的可撓性膜的平面圖。 圖2是示意性地示出利用輥對輥方式實施的有機EL元件的製造方法的圖式。 圖3是概略性地示出所製造的有機EL元件（有機電子元件）的構成的示意圖。 圖4是用於說明有機功能層形成步驟的圖式。 圖5是用於說明有機功能層形成步驟所具有的加熱步驟的圖式。

10‧‧‧可撓性膜

16‧‧‧陽極層(第一電極層)

26‧‧‧加熱爐

26a‧‧‧搬入口

26b‧‧‧搬出口

28‧‧‧搬送輥

28a‧‧‧表面

30‧‧‧紅外線照射部

32‧‧‧紅外線

34‧‧‧空氣噴嘴

181a‧‧‧塗佈層

281‧‧‧輥本體

282‧‧‧塗層

Claims (7)

1. 一種有機電子元件的製造方法，包括： 有機功能層形成步驟，於形成於長條的可撓性膜上的第一電極層上形成具有單層結構或多層結構的有機功能層；以及 第二電極層形成步驟，於所述有機功能層上形成第二電極層，且 所述有機功能層形成步驟具有： 塗佈層形成步驟，利用塗佈法形成塗佈層；以及 加熱步驟，一面利用表面的材料為紅外線吸收材的輥搬送所述可撓性膜，一面利用紅外線將所述塗佈層加熱而得到功能層， 所述紅外線吸收材的波長3 μm～10 μm範圍的紅外線的平均吸收率為0.8以上。
2. 如申請專利範圍第1項所述的有機電子元件的製造方法，其中 所述輥具有： 金屬製的輥本體；以及 塗敷於所述輥本體的表面的塗層，且 所述塗層的材料為所述紅外線吸收材。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的有機電子元件的製造方法，其中 於所述加熱步驟中，所述可撓性膜被加熱至100℃以上。
4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的有機電子元件的製造方法，其中 於所述加熱步驟中，自所述可撓性膜的形成有所述第一電極層的面起10 mm以內的風速為0.1 m/s以下。
5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的有機電子元件的製造方法，其中 所述紅外線吸收材為無機氧化物。
6. 如申請專利範圍第5項所述的有機電子元件的製造方法，其中 所述無機氧化物為氧化鋁。
7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的有機電子元件的製造方法，其中 所述塗佈法為噴墨印刷法。

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