CN109196633A - 静电放电单元 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种静电放电单元，其尤其提供现有模块和处理装置的简单和灵活升级以实现衬底高效放电。此外，本发明涉及所述静电放电单元的用途和使用所述静电放电单元使衬底放电的方法。

Description

静电放电单元
技术领域
本发明涉及一种静电放电单元类型，其尤其可用于水平输送衬底。此外，本发明涉及一种向沿水平路径输送的衬底提供高效放电的方法。
背景技术
工业上已经利用水平输送系统，例如用于在衬底上沉积金属的处理装置。这些金属例如是选自铜、锡或镍。所述类型的沉积已知多年。所述沉积代表了用于例如制造印刷电路板的基本处理步骤。
多年以来，全世界技术小型化促成了持续不断的发展。虽然提供了很多益处，但其同时向制造商提出新的挑战。举例来说，前述发展使得不断需要改造现有处理装置以用于新衬底和新型处理。
举例来说，关于处理装置化学稳定性的要求增强使得输送辊使用的材料完全不同，尤其在衬底的无电化学和电化涂布领域中。举例来说，WO 2011/092131A1公开了将玻璃用于所述输送辊。所述输送辊提供很多益处，如极高化学稳定性和高度精确制造精确性。
然而，由于衬底和处理不断变化，仍存在进一步改进和改造处理装置的高度需求。举例来说，以电方式使衬底放电的可能性变得越来越重要。在此上下文中，需注意，很多新衬底对由积聚于所述衬底的表面上的电荷所引起的损害尤其敏感。然而，由于积聚于衬底表面上的静电电荷可能影响处置或甚至导致爆炸，因此，即使所述衬底仅在含有高含量的某些有机溶剂的气氛中输送，将对损害不太敏感的其它衬底放电也能是有益的。
另外需注意，当前使用中的处理装置和输送系统代表着重要的资产价值。实际上，购置成本通常摊销多年或可能甚至数十年。同时，如果较大类型的重建完全有可能，则基于此类重建的长停工时间也代表了制造商的重大损失。因此，高度优选提供所述处理装置和输送系统的简单和灵活升级系统。
此外，不断地需要提高衬底放电的可靠性。基于单价在增加，受损衬底的数量高导致重大损失。此外，鉴别复合衬底的损害变得越来越复杂，这代表着另外一种显著的成本因素。然而，接收了一定数目的受损衬底导致复杂装置(如用其制造的印刷电路板)出现故障，使得后续成本或甚至后续损害通常不可接受。因此，提供确保可靠放电、从而简化尤其敏感的现有衬底和下一代衬底处理的装置是有益地待解决的特定挑战。
本发明的目标
因此，仍需要能够简单和灵活升级的输送装置和处理装置，以使现存资产价值的收益最大化且提供容易定制的新装置。
此外，如果对应方法和用于所述方法的装置使得对所述静电电荷积聚尤其敏感的衬底的放电改进，则是优选的。
另外，如果对应装置和方法提供可靠和平缓放电以确保敏感衬底的处理优化，则是有利的。
发明内容
前述问题被如独立和附属权利要求和说明书中所公开的本发明解决。其它目标和额外益处包括于以下描述中，然而，本文中未明确陈述、但从本文所论述的相关内容能推导或能辨别的其它目标也被本发明和其实施例解决。
本发明涉及一种含有至少一个静电放电子单元的静电放电单元，其中至少一个静电放电子单元含有至少一个输送辊系统和至少一个放电路径，其中每个输送辊系统彼此独立地含有一个输送辊和至少一个选自由以下组成的群的元件：含有滚动轴承的座架和推进元件，输送辊是选自金属输送辊或聚合物涂布的金属输送辊，且其中静电放电子单元适于通过滚动轴承、推进元件或二者将电荷从输送辊的表面传导至放电路径。
所述静电放电单元容易引入现有处理装置和输送系统中。此外，所述单元容易与其它元件组合以向新处理装置提供建构成套装置。出人意料地，这些单元容易引入处理装置中，且尽管滚动轴承和推进元件中的接触表面受到限制，但仍能够使衬底放电的可能性提高。
此外，本发明涉及一种含有至少2个、优选至少3个、更优选至少5个静电放电子单元的静电放电单元，其中每个静电放电子单元彼此独立地含有1、2、3、4、5或6个输送辊系统和至少一个放电路径，每个输送辊系统含有一个输送辊和至少一个选自由以下组成的群的元件：座架和推进元件，输送辊是选自类似不锈钢输送辊的金属输送辊或类似聚合物涂布的不锈钢输送辊的聚合物涂布的金属输送辊，且其中静电放电子单元适于通过座架、推进元件或二者将电荷自输送辊的表面传导至放电路径。
所述静电放电单元例如提供建构提供高效和可靠的静电放电同时容易根据特定需求更换的子模块的可能性。这些子模块提供良好和可靠放电的极佳平衡和容易整合至现有或未来处理和/或输送装置中的简单建构。
已证明使用输送辊系统尤其有用，其中电荷通过滚动轴承传导。所述系统尤其提供增加的长期稳定性。
此外，本发明涉及一种含有用于输送衬底的水平输送系统的处理装置的模块，其中水平传输系统含有至少一个本发明静电放电单元。
此外，本发明涉及一种含有至少一个本发明放电单元或至少一个本发明模块的处理装置。
此外，本发明涉及一种用于使衬底放电的方法，其中使用至少一个本发明放电单元或至少一个本发明模块输送衬底。
此外，本发明涉及一种至少一个本发明放电单元或至少一个本发明模块用于使衬底放电的用途。
附图说明
为了更完全理解本发明，结合附图，参考本发明的以下详细描述，其中：
图1至图3展示滚动轴承示意图。
图4展示滚珠轴承(24)示意图。
图5展示不同类型的座架(13)示意图。
图6展示滚动轴承横截面示意图。
图7展示图6的滚动轴承侧视示意图。
图8展示滚动轴承示意图。
图9展示类似于图6座架的座架的示意图。
图10展示静电放电单元示意图。
图11至图13从各个方向展示模块示意图。
具体实施方式
本发明涉及如上文所公开的含有至少一个静电放电子单元的静电放电单元，其中至少一个静电放电子单元含有至少一个输送辊系统和至少一个放电路径，其中每个输送辊系统彼此独立地含有一个输送辊和至少一个选自由以下组成的群的元件：含有滚动轴承的座架和推进元件，输送辊是选自金属输送辊或聚合物涂布的金属输送辊，且其中通过滚动轴承、推进元件或二者将电荷自输送辊的表面传导至放电路径。优选地，滚动轴承、推进元件或二者含有有机聚合物，且静电放电子单元适于通过滚动轴承的有机聚合物、推进元件的有机聚合物或二者将电荷自输送辊的表面传导至放电路径。尤其优选的是，滚动轴承含有将电荷自输送辊传导至放电路径的此类有机聚合物。
已注意到，通过普通轴承传导电荷导致长期问题，因为对应轴承似乎会遭受异常磨损，从而导致细粒释出并可能污染处理装置。据认为，引入用于所述普通轴承的聚合物中的添加剂使物质稀薄且导致所述轴承的脆弱性增加。
通常，已根据本发明的其它实施例证明尤其有用的是，本发明的静电放电单元含有至少2个、优选至少3个、更优选至少5个静电放电子单元，其彼此独立地各自含有1、2、3、4、5或6个输送辊系统。
此外，本发明涉及含有至少2个、优选至少3个、甚至更优选至少5个静电放电子单元的静电放电单元，其中每个静电放电子单元彼此独立地含有1、2、3、4、5或6个输送辊系统和至少一个放电路径，每个输送辊系统含有一个输送辊和至少一个选自由以下组成的群的元件：座架和推进元件，输送辊是选自金属输送辊或聚合物涂布的金属输送辊，且其中静电放电子单元适于通过座架、推进元件或二者将电荷自输送辊的表面传导至放电路径。
根据特定实施例，尤其优选的是，本发明的滚动轴承、推进元件或二者含有有机聚合物，且通过滚动轴承的有机聚合物、推进元件的有机聚合物或二者将电荷自输送辊的表面传导至放电路径。尤其优选的是，滚动轴承含有传导电荷的此类有机聚合物。出人意料地，应注意，对于很多实施例来说，引入传导电荷的有机聚合物尤其有益。使用此类导电路径，火花放电的数目大大减少或甚至完全减小至零。
本文所公开的实施例是基于用于处理衬底的装置，其中在水平输送平面中输送衬底。除非另有规定，否则指代本文所述的装置的衬底和元件的方向和位置是基于输送所述衬底的方向。举例来说，以上所提及的静电放电单元之前部和末端是指对应单元的元件，其中衬底进入单元(前部)和离开单元(末端)。在本发明的其它实施例中，用于输送衬底的水平输送系统是基于在输送路线的方向上彼此平行布置的输送辊。
如本文所使用的词组“静电放电单元”是指用于使与其接触的衬底放电的装置。所述静电放电单元可用于大量应用，但其证明尤其对水平输送装置有用。所述水平输送装置可例如用于允许衬底的无电式化学和/或电化处理的处理装置中。所述处理可例如用于类似铜、锡、金、银或其掺合物的金属的沉积。对应处理表示包括大量不同步骤的极复杂程序，所述步骤包括很多安排在沉积物的实际沉积和改质步骤之前、之后和之间的预处理和后处理步骤。所述预处理和后处理步骤的实例是冲洗、干燥和蚀刻。
根据本发明的术语“座架”是指悬挂含有例如一些普通轴承或滚动轴承(优选类似滚珠轴承的滚动轴承)的所述输送辊，从而提供输送辊的紧固，同时提供旋转的可能性。优选地，其同时提供积聚于衬底中的电荷的放电。
根据本发明的词组“放电路径”是指类似能够从座架传输电荷至接地的电线的导电路径。所述放电路径优选彼此电隔离。然而，至少所述放电路径连接在地面处。通常，所述放电路径连接至制造设施中可用的中心接地。然而，因为处理装置处的连接点优选分成如果干放电路径，确保电荷在互不干扰的情况下沿不同放电路径传导。
根据本发明的术语“输送辊”是指与待处理的衬底接触或可能与待处理的衬底接触的辊。举例来说，此术语是指在输送平面下方和上方与衬底接触的通常用于转递所述衬底的辊。
根据本发明的词组“输送平面”是指含有如经输送的衬底的下表面的平面。需理解，所述输送平面可能不为完整几何平面，因为可能存在沿输送路径的一些高度差而导致输送平面的褶皱。
根据本发明的其它实施例，静电放电子单元的每个输送辊系统的平均电阻处于104至1010欧姆、优选105至5·109欧姆范围内、甚至更优选处于105至108欧姆范围内。术语“输送辊系统的平均电阻”是指在适于接触衬底的输送辊的表面与座架或朝向放电路径的推进元件的外接触点之间的平均电阻。如果输送辊系统含有直接连接至接地的座架和推进元件，则相关的是提供较低平均电阻的元件提供前述电阻。类似于关于座架的电阻来测量推进元件的电阻。然而，因为推进元件可呈各种形式且所述元件又致动输送辊，故推进元件的外接触点可能例如直接定位于输送辊或更远处。推进元件的外接触点被指定为定位于沿来自输送辊的电荷的行进路径的点处，其中朝向接地的以下路径与输送辊的推进不相关。优选地，所述其它路径提供小于104欧姆的电阻。举例来说，推进元件可为导电驱动带，其中在一些点处，滑动触电通过朝向接地的一些缆线传导电荷。或者，例如，推进元件可为与通过驱动轮轴旋转的单一齿轮机械耦接的一列大齿轮，其中通过此滑动接触点接触所述驱动轮轴。在这些情况下，滑动触电的接触点为外接触点。本文中，优选采用所述电阻的至少10个(例如10个)，更优选至少50个(例如50个)的测量值，且计算其算术平均值。
使用齿轮机构作为推进元件已被证明尤其适用于大范围处理。如果来自输送辊的电荷应通过含有齿轮的此推进元件传导，则齿轮优选地含有导电涂层或由类似导电有机聚合物、金属、其混合物或其组合的导电材料制成，优选地其由类似导电有机聚合物、金属、其混合物或其组合的导电材料制成。使用由导电有机聚合物和金属制成的多个齿轮的组合例如提供齿轮成套装置，从而使得能够容易根据当前需求、基于更换单一齿轮来修改所得电阻的益处。用于所述齿轮的可能金属是例如类似不锈钢的钢、钛和铝。
根据其它实施例，适于朝向接地传导电荷的座架、推进元件或二者的电阻(优选为座架的电阻)处于103至109欧姆的范围内、更优选处于104至5·109欧姆范围内，甚至更优选处于5·104至5·108欧姆范围内。优选在放电路径的方向上、在输送辊同轴承的接触点与座架的外接触点之间或在输送辊同推进元件的接触点与推进元件的外接触点之间测量电阻。如果输送辊系统含有直接连接至接地的座架和推进元件，则其优选地与提供较低平均电阻的元件有关。
通常，座架至少含有内部件和外部件，其中内部件和外部件由不同材料制成。优选地，外部件由类似钢铝或钢钛的金属、类似钢或赫史特合金(hastelloy)的合金、导电聚合物或烧结碳制成，更优选地由金属或合金制成，甚至更优选地由合金制成。尤其优选的金属为钛。尤其优选的合金为钢。所述内部件优选地含有类似滚动轴承或普通轴承的轴承，更优选地由此轴承构成。滚动轴承通常已被证明尤其适用于此内部件。
根据本发明的其它实施例，本发明的静电放电单元的至少3个静电放电子单元彼此独立地含有至少2个、优选至少3个、甚至更优选至少4个输送辊系统。
此外，已注意到，对于很多典型应用来说，考虑到放电路径的数目而使用一定数目的输送辊系统为有益的。更详细来说，根据其它实施例优选的是，基于静电放电单元中的输送辊系统和放电路径的总数，输送辊系统的数目为放电路径的数目的至少1.3倍，优选至少1.5倍，甚至更优选至少1.9倍。
在本发明的其它实施例中，基于输送辊系统的平均电阻，静电放电单元中所含的静电放电子单元的平均电阻为每米输送辊长度在5·103与5·108欧姆之间，优选地在104与7·107欧姆之间，更优选地在105与2·107欧姆之间。优选地，所述电阻范围适用于静电放电单元中所含的静电放电子单元的全部输送辊。本文中，输送辊的总长度用于计算所述比率。出人意料地，已注意到，提供所述电阻的静电放电单元通常表示尤其可靠的放电系统，同时提供衬底的积聚电荷的平缓放电。
在本发明的其它实施例中，静电放电单元的仅2个，优选仅1个静电放电子单元各自提供在输送平面上方的至少4个、优选至少3个输送辊。通常，优选的是，含有在传输输送上方的至少4个、优选至少3个输送辊的前述静电放电子单元定位于静电放电单元的前部和末端。
根据本发明的其它实施例，静电放电单元含有至少4个、优选至少6个、甚至更优选至少8个本发明静电放电子单元。显然，较高数目个静电放电子单元的使用允许实现更长输送路径，又提供高效和可靠的放电。如果衬底必须被干燥且干燥程序需要更长输送路径来完成，则所述实施例例如尤其有用。
此外，在其它实施例中优选的是，本发明的静电放电单元的至多3个、更优选至多2个静电放电子单元由一个输送辊分离，所述输送辊并非是定位于静电放电子单元的输送平面下方的输送辊之间的静电放电子单元的一部分。特别的是，本发明的静电放电单元的静电放电子单元并未被不为静电放电子单元的一部分的输送辊分离。已注意到，根据本发明的很多至大多数实施例，提供本发明的输送辊的基本上连续行是有益的。尽管本发明的放电单元在其它实施例中仍提供益处，但通常使用本发明的静电放电子单元的此类前述基本上连续布置来显著提高本发明的效应。
此外，已注意到，根据其它实施例，通常优选的是，在输送平面下方的输送辊不与液体接触。当然，例如基于通过湿衬底所引入的流体与输送辊接触，所述辊可能与液体接触。然而，如果输送平面下方的输送辊与浴接触，则有益结果似乎通常减少。
根据本发明的其它实施例，至少一个静电放电子单元的座架连接至导电轨、导电框或其组合，且所述导电轨、导电框或其组合接地。优选地，所述导电轨和导电框由金属制成。所述导电轨和导电框通常不提供基本电阻。举例来说，其在静电放电子单元的座架与接地之间的最大电阻优选地小于1欧姆，优选小于0.1欧姆，甚至更优选小于0.01欧姆。在本发明的其它实施例中，最优选至少90％、甚至更优选全部本发明的静电放电子单元的座架根据上述方式连接。已注意到，所述布置出人意料地提供将另外被隔离的输送辊系统分组，从而提供高机械稳定性以及良好性能的极简单和可靠的可能性。
根据本发明的词组“导电轨”是指定位于座架的至少一侧上且不为导电框的导电元件。举例来说，金属杆或板可用于此目的。使用所述元件作为放电路径的部分与导电框架相比需要使用较少材料，且仍提供可靠的放电。此外，使用导电轨提供具有很多移动可能性的简单和高效构造。
举例来说，在其它实施例中，优选使用竖直导电轨或导电框与导电轨的组合的竖直导电轨部分将至少3个、更优选至少4个、甚至更优选至少6个静电放电子单元的在输送平面上方的输送辊连接至对应放电路径。此类型连接所述输送辊提供连接输送平面上方的输送辊的简单和可靠的可能性，同时提供所述输送辊的竖直移动的可能性。
根据本发明的词组“导电框”是指定位于座架周围的导电元件。举例来说，所述导电框可通过弯曲或熔接金属杆或板制得。
在本发明的其它实施例中，座架的轴承是由自润滑有机聚合物制成。所述系统证实尤其有益于典型实施例，因为其通常允许避免使用润滑剂，从而降低处理面积的污染风险。座架的所述轴承和输送辊的对应部分可例如如在普通轴承中彼此直接接触，或如在滚动轴承中由轴承的另一部分和滚动元件分离。
词组“有机聚合物”和“有机聚合物涂层”是指所属领域中所使用的有机聚合材料和由其制成的涂层。所述有机聚合物可含有填充剂、润滑剂、塑化剂和所属领域中已知的其它典型添加剂。所述添加剂通常影响有机聚合物的性质，且例如影响所得材料的导电性。
座架优选地含有普通轴承、滚动轴承或其混合物。本文中，滚动轴承经证实尤其有用，因为其通常提供更长寿命和较少磨损，从而极有益于很多应用。滚动轴承的尤其优选类型为滚珠轴承。
所述滚动轴承或滚珠轴承的滚动元件或滚珠的材料可选自所属领域中已知的提供将来自输送辊的电荷传导至放电路径所需的导电性的那些材料。待使用材料的实例为金属和导电聚合物，优选类似钢或碳化钨的金属，更优选钢。所述滚动元件或滚珠可容易得到且提供良好特征以用于此座架。根据其它实施例，尤其优选的是，通过滚动轴承的滚动元件朝向接地传导电荷。
普通轴承、类似滚珠轴承的滚动轴承或其组合的轴承表面优选地由适于从输送辊的轴线将电荷传导至座架的外侧的有机聚合材料制成。尤其优选的是，有机聚合材料是自润滑有机聚合物，以降低或甚至避免润滑剂的使用。所述座架结合各种有益特征以用于大多数应用，因为其提供适用于不同重量的大范围输送辊的极简单又安静的操作。
需理解，本发明的输送辊系统可能仅含有1个座架，其中另一侧可例如为耦接至提供输送辊的旋转的其它齿轮的齿轮。然而，通常优选提供2个座架以提供输送辊的简单和坚固的附接，且使用类似齿轮或驱动带机构的单独构件来引入动能。举例来说，输送辊可提供2个座架和提供输送辊的旋转的齿轮机构。
根据本发明的其它实施例，聚合物涂布的金属辊(优选不锈钢辊)的有机聚合物涂层为具有低电导率或基本上无电导率，优选具有至少103欧姆·公尺，更优选至少106欧姆·公尺，甚至更优选至少108欧姆·公尺的电阻率的有机聚合物。出人意料地，已注意到，在一些特定应用中使用具有高电导率的有机聚合物引起被输送衬底的损害出现较不明显的减少。理论为：对输送辊的极低导电性使得电荷能够极快速放电，从而在特定处理期间对某些衬底造成损害。
在本发明的其它实施例中，不直接地连接至接地的输送辊系统的座架由与直接连接至接地的对侧上的座架相同或不同的材料制成。待使用材料的实例是有机聚合材料、类似钢或铝的金属、陶瓷材料或其组合，优选类似钢或铝的金属、有机聚合材料或其组合。举例来说，两侧上的座架可含有基本上(优选地完全)由有机聚合材料组成的内轴承和含有金属(优选地由类似不锈钢的金属组成)的外部件。
根据本发明的词组“直接连接至接地一侧”是指一种元件，其接触放电路径，从而允许电荷从输送辊通过所述元件流动至接地。相应地指定根据本发明的词组“不直接连接至接地一侧”、“直接连接至接地”和“不直接连接至接地”。
在本发明的其它实施例中，聚合物涂布的金属(优选不锈钢)辊的有机聚合物涂层含有基于有机聚合物涂层的总重量小于10wt％的类似填充剂和塑化剂的添加剂。出人意料地，已注意到，使用此类聚合物涂布的金属(优选不锈钢)辊可用于大量不同类型的处理。理论上，添加剂可能从有机聚合物滤出，从而导致特定类型的处理问题，或大量例如填充剂导致引起污染的磨损增加和所述输送辊的电阻的改变。
根据本发明的其它实施例，聚合物涂布的金属(优选不锈钢)辊的有机聚合物涂层基本上不含类似碳黑、石墨、石墨烯、碳纳米管或金属颗粒的导电粒子。举例来说，有机聚合物涂层含有小于10wt％，更优选小于5wt％，甚至更优选小于1wt％的导电粒子。尤其优选的是，所述有机聚合物不含所述导电粒子。出人意料地，已注意到，降低所述粒子的量似乎会改进所述涂层的总寿命并降低磨损产品的量。
根据本发明的其它实施例，聚合物涂布的金属(优选不锈钢)辊的有机聚合物涂层含有基于有机聚合物涂层的总重量的至少90wt％，更优选至少95wt％，甚至更优选至少99wt％的有机聚合物。已注意到，使用具有显著减小量的添加剂的基本上纯聚合物提供更可靠的系统，以便用于使用大范围化学物质的不同类型的处理中。如果使用有机聚合物的混合物或组合，则这些有机聚合物的总量用于计算。
在本发明的其它实施例中，基于有机聚合物的总量，至少90wt％、优选至少95wt％、甚至更优选至少99wt％的有机聚合物是选自由以下组成的群：EPDM、NBR、CR、含氟聚合物弹性体、其混合物或其组合，优选EPDM、NBR、含氟聚合物弹性体、其混合物或其组合，更优选EPDM。尤其优选的是，以那种方式选择至少被涂布至输送辊上的有机聚合物。需注意，有机聚合物的总量是指其中所用的有机聚合物，且不包括类似其中可含的填充剂或塑化剂的添加剂。前述术语是指所属领域中已知的通常已知含义。举例来说，EPDM是指乙烯-丙烯-二烯单体橡胶。NBR表示腈-丁二烯橡胶的缩写，而CR代表聚氯丁二烯。含氟聚合物弹性体的实例被称为VITON。
根据本发明的其它实施例，本发明的静电放电子单元的各放电路径连接至输送平面下方的至多3个输送辊和输送平面上方的至多3个输送辊。出人意料地，所述系统已提供对于很多处理的显著改进而不需要专门使系统适于特定类型的处理和衬底。
在本发明的其它实施例中，聚合物涂布的金属(优选不锈钢)输送辊的有机聚合物涂层的平均厚度小于5mm，更优选小于3.5mm，甚至更优选小于3mm。使用标准方法来测量输送辊上的有机聚合物层的厚度。举例来说，有机聚合物层可从输送辊切割且可使用滑动卡尺来测量。然而，必要时，所属领域中的技术人员能够选择不同测量方法。
除非另有指定，否则如本文所使用的“平均”值是指基于一定数目的值的总和除以其数目而计算的所述值的算术平均值(平均值＝所测量值的总和/所测量值的数目)。为达成统计有效值，至少一定数目的值必须用于计算所述值，例如，至少10个(例如10个)值。然而，如果值的波动高，测量值的数目可增加至例如至少50(例如50)，或至少100(例如100)。就有机聚合物涂层的平均厚度来说，采用至少10个测量值，其中测量值被随机选择且位于适于接触衬底的输送辊的区域中。
根据本发明的其它实施例，静电放电单元的静电放电子单元的座架的至少一个、优选大部分、更优选至少75％、甚至更优选地至少90％、甚至更优选地全部连接至导电轨、导电框或其组合，且所述导电轨、导电框或其组合接地。优选地，所述导电轨、导电框和其组合由金属制成。导电轨、导电框和其组合通常基本上不提供电阻。举例来说，根据其它实施例，在静电放电子单元的座架与接地之间的最大电阻优选地小于1欧姆、优选地小于0.1欧姆、甚至更优选地小于0.01欧姆。
在本发明的其它实施例中，每个输送辊系统的电阻在104至1010欧姆范围内，优选地在5·104至109欧姆范围内，甚至更优选地在105至108欧姆范围内。出人意料地，应注意，总电阻在此范围中通常被有利调节以提供用于典型应用的经改进的放电。
在本发明的其它实施例中，在适于接触衬底的区域中的聚合物涂布的金属(优选不锈钢)输送辊的有机聚合物涂层的厚度是至多7mm、更优选至多6.2mm、甚至更优选至多5.3mm。已注意到，根据本发明有利使用的提供例如低导电性的聚合物涂层应提供高均一度涂层。在此类情况下，甚至提供太厚涂层的单点似乎会减少本发明所获得的益处。
术语“适于接触衬底”是指目标区域可能与衬底接触，同时例如通过对应输送辊输送。举例来说，因为待输送或处理的衬底通常提供小于对应装置可能宽度的宽度，故有可能沿多个路径行进，且单一基因此不与所述整个区域接触。
在本发明的其它实施例中，适于接触衬底的聚合物涂布的金属(优选不锈钢)输送辊的有机聚合物涂层的最高厚度是所述涂层的平均厚度的至多150％、更优选至多130％、甚至更优选至多120％。
根据本发明的其它实施例，适于接触衬底的聚合物涂布的金属(优选不锈钢)输送辊的有机聚合物涂层的最低厚度是有机聚合物涂层的平均厚度的至少50％、更优选至少60％。
根据本发明的其它实施例，聚合物涂布的金属(优选不锈钢)输送辊的适于接触衬底的有机聚合物涂层的平均厚度是至少0.7mm、更优选至少0.8mm、甚至更优选至少1mm。优选地，所述厚度是指聚合物涂布的输送辊的完整聚合物涂层。显然，如本文所公开的提供与衬底接触的区域且提供极薄涂层的有机聚合涂布的钢辊的有益效应在某些应用中提供较不明显益处。
在本发明的其它实施例中，金属(优选不锈钢)输送辊或聚合物涂布的金属(优选不锈钢)输送辊为管道。已注意到，所述输送辊通常提供用于本发明的应用的必需稳定性和导电性，同时提供显著减少的重量和惯性。
根据本发明的其它实施例，至少一个气体供应元件位于输送辊周围。本文中，尤其优选的是，将气体直接地或间接地引导至衬底上。根据本发明的术语输送辊“周围”是指所述气体供应元件的布置，其中那些元件经布置于输送辊上方、下方或旁边。此外，可使用多个布置的组合。
在本发明的其它实施例中，至少一个气体供应元件含有末端部件，且所述末端部件的最后30cm的内侧表面的至少90％、优选至少99％、甚至更优选全部由导电材料制成，且在末端部件的内侧上的所述表面接地。
在此上下文中，术语“末端部件”是指含有气体自其离开气体供应元件的出气口的末端。需理解，接地不一定连接在末端部件的所述最后30cm处。举例来说，导电路径可包括于整个气体供应元件内以从所述末端部件将电荷传导至处理装置的不同部分。此外，有可能使用如果干接地，以提供在一个接地例如基于清洁期间或气体供应元件的移动期间的事故而断开连接时排放气流的替代可能性。尽管使用至少一个接地通常足够，但在特定实施例中，优选包括至少2或至少3个接地。与气体供应元件结合使用的术语参考气流命名。举例来说，术语“气体供应元件的末端部分”和所述元件的最后部分是指气体供应元件的出口。根据本发明的其它实施例，气体供应元件的至少末端部件和基底接地。
根据本发明的术语气体供应元件的“基底”是指气体供应元件的连接部分和例如处理装置的模块的壁。
根据本发明的其它实施例，自气体供应元件的基底至其出口的至少一个气体供应元件的内侧的至少90％、优选至少95％、更优选至少99％、甚至更优选100％由导电材料制成，气体供应元件的基底接地，且末端部件的至少最后30cm电连接至基底，或末端部件的所述至少30cm分别连接至基底。
根据本发明的其它实施例，气体供应元件用于含有基于所述1巴气体的总体积的至少50vol％、优选至少70vol％、更优选至少80vol％、甚至更优选至少99vol％的氮气的气体。
在其它实施例中，优选的是，减小或防止朝向放电路径传导电荷的座架的外部件的旋转。所述实施例通常提供衬底放电的较高可靠性。例如通过选择座架的外侧的对应形式或借助于例如螺钉或螺栓固定座架的外部元件来实现防止旋转。更详细来说，座架的外形可以选择，从而提供至少一个拐角或凸出，其中所述拐角或凸出与模块的固定元件接触，从而防止所述座架的进一步旋转。举例来说，导电轨、导电框或其组合可用作固定元件。通常，优选的是，直接连接至接地的放电子单元的座架的90％、更优选95％、甚至更优选全部提供此减小的旋转可能性。
根据本发明的其它优选实施例，使用前述座架的拐角和/或凸出减小或防止座架的旋转。此选项提供简单结构且同时提供出人意料高的接触座架的效率。在其它实施例中，座架提供含有由以下组成的群的至少两个元件的形式：将所述座架的可能旋转限制于小于50°、优选地小于30°、甚至更优选小于20°的拐角、凸出或其混合物。对旋转的此类防止使得用于使座架与放电路径接触的触点和缆线的预期寿命改进。此外，其允许使用短电缆线，从而引起材料节省以及降低人在宽松缆线被碰到的风险。
在本发明的其它实施例中，直接连接至接地的放电单元的座架借助于其边缘或凸出直接接触导电轨、导电框或其组合以允许电荷朝向接地流动。出人意料地，所述实施例还提供极高可靠性且同时使其有可能降低或甚至避免在这些座架处的缆线的使用。基于人被碰到而可能成为安全风险的电缆的减少降低事故比例和受伤人数。
对应座架的外形可例如从长方体或立方体选择。然而，也可以使用不对称形式。举例来说，可使用具有椭圆或圆形基底的圆柱体，其中将圆柱体的至少一侧上的曲面区域的一部分切断而在此侧处产生平面表面，从而提供在邻接圆柱体的侧面的剩余弯曲部分的平面表面的侧面处的两个边缘。此结构可容易自可易获得的座架产生，且可容易适于特定处理装置的需求，使其尤其适用于升级现有处理装置。
替代地或另外，所述座架可使用例如螺钉或螺栓固定在某一点。此结构还提供前述益处，且甚至减少旋转更多。然而，所述严格固定的座架似乎遭受增强的材料疲劳。
通常，优选的是，直接连接至接地的放电单元的座架的90％、更优选95％甚至更优选全部使用例如拐角、凸出、螺钉或螺栓来降低旋转可能性。
此外，本发明涉及含有用于输送衬底的水平输送系统的处理装置的模块，其中水平输送系统含有至少一个本发明静电放电单元。
如本文所使用的术语“模块”是指处理或输送装置的子单元，其与所述处理或输送装置的其它部件界限分明。使用所述模块允许根据客户的特定需求的简单布置和随后升级或改造对应装置的可能性。举例来说，其可提供类似壁、堰或输送辊布置的某些定界至相邻模块或处理或输送装置的开端或末端。通常，衬底通过入口进入模块且通过一些出口离开模块，以降低或避免模块之间的液体或气体的交换。除物理定界以外，模块也可以由处理设备内的特定功能界定。优选地，本发明的模块提供允许仅通过类似所述入口和出口的指定开口与其外部进行交换的封闭空间体积。
根据本发明的其它实施例，模块的输送辊的多于50％、更优选地多于70％、甚至更优选地多于90％是本发明的静电放电单元的部分。已注意到，提供较高比率的本发明的输送辊导致发生在尤其对静电损害敏感的衬底上的损害的显著减少。
座架可例如置放于模块内、模块的壁中或模块的外侧上。通常，优选将直接连接至接地的座架置放于模块的壁中或至少部分地置放于模块外部，更优选至少部分地置放于模块外部。所述实施例通常提供更容易的结构和对应装置的维护。
在很多情况下，优选的是，适于自输送辊将电荷传导至至少1个、更优选地全部的本发明静电放电子单元的放电路径的座架定位于模块的外侧上。
通常，常常优选的是，直接连接至静电放电单元的接地的座架的至少90％、优选地至少95％、甚至更优选地全部不进入模块的内侧。
如果座架之前述指定定位还涉及不直接连接至接地的座架，额外益处通常较不明显。然而，通常优选的是，前述定位还涉及不直接连接至接地的座架优选地，相同定位用于本发明的输送辊系统的全部座架。出人意料地已注意到，在使用此结构的情况下通常增加的寿命和相同维护间隔通常超越自其产生的额外需求和成本。
通常，更优选的是，相同座架用于输送辊的两侧上，无论其是否直接连接至接地。已注意到，使用提供不同电阻同时提供相同或类似外观的座架可能有可能导致所述座架的不正确置放，从而降低或甚至消除本发明的放电单元的有益效应。
在本发明的其它实施例中，本发明的模块的至少一个静电放电单元提供如上文指定的气体供应元件。已注意到，使用所述静电放电单元中的至少一者例如显著改进干式模块中的本发明模块的益处且增加处置爆炸性或可燃气体时的安全性。
根据本发明的其它实施例，模块含有仅2个、优选地仅1个本发明的静电放电单元。已注意到，通常，基于对应模块的特定需求使用特定类型的此静电放电单元是优选的。包括更大多样性为可能的，然而，在大多数情况下，并不产生补偿复杂度增加的益处。
此外，已注意到，通常在其中本发明的模块的输送辊在操作所述模块期间不与液体接触的情况下预期较高益处。
还明显的是，最大益处可用于模块，其中衬底与至少一个本发明的放电单元接触或当经干燥或呈干燥状态时通过本发明的模块移动。在此类情况下，静电损害的危险似乎为最大的，且使用本发明的静电放电单元提供最大益处。
此外，本发明涉及含有至少1、优选地至少2、甚至更优选地至少3个本发明的放电单元和/或至少1个、优选地至少2个本发明的模块的处理装置。
此处理装置例如是选自用于无电化学处理、电化处理或其组合的装置。所述处理装置例如用于制造连续提供关于衬底和其处置的新需求的印刷电路板。
此外，本发明涉及一种用于使衬底放电的方法，其中使用至少一个本发明的放电单元或至少一个本发明的模块输送衬底。
在本发明的其它实施例中，衬底在干燥状态下输送。已注意到，本发明的方法尤其有利地应用于呈干燥状态的衬底，从而使得在所述衬底处理期间发生的所处理衬底损坏的数目极显著减少。
根据本发明的其它实施例，衬底包括位于衬底的至少一个、优选至少两个侧面上覆盖小于10％的衬底表面的导引元件。出人意料地，已注意到，尽管衬底的距离和由此导引元件的厚度产生的接地输送辊如此，极具可挠性的衬底的处理已经改进。所述导引元件可例如以板或棒形式附接至衬底的至少一侧。向衬底的所述附接可例如基于卡钩结构、夹持结构或胶合或包带衬底至导引元件。
此外，本发明涉及至少一个本发明的放电单元或至少一个本发明的模块用于使衬底放电的用途。
另外，本发明涉及至少一个本发明的放电单元或至少一个本发明的模块用于制造印刷电路板、印刷电路箔、半导体晶片、太阳能电池或光电电池的用途。
根据方面1，本发明优选地涉及含有至少一个静电放电子单元的静电放电单元，其中至少一个静电放电子单元含有至少一个输送辊系统和至少一个放电路径，其中每个输送辊系统彼此独立地含有一个输送辊和至少一个选自由以下组成的群的元件：含有滚动轴承的座架和推进元件，其中输送辊是选自金属输送辊或聚合物涂布的金属输送辊，且其中静电放电子单元适于通过滚动轴承、推进元件或二者将电荷从输送辊的表面传导至放电路径。
根据方面2，本发明优选地涉及根据方面1的静电放电单元，其中滚动轴承、推进元件或二者含有有机聚合物，且其中通过滚动轴承的有机聚合物、推进元件的有机聚合物或二者将电荷自输送辊的表面传导至放电路径。
根据方面3，本发明优选地是指根据方面1至2中任一者的静电放电单元，其中静电放电单元含有至少3、优选地至少4、更优选地至少5个彼此各自独立地含有1、2、3、4、5或6个输送辊系统的静电放电子单元。
根据方面4，本发明优选地涉及含有至少2个、优选至少3个、甚至更优选至少5个静电放电子单元的静电放电单元，其中每个静电放电子单元彼此独立地含有1、2、3、4、5或6个输送辊系统和至少一个放电路径，其中每个输送辊系统含有一个输送辊和至少一个选自由以下组成的群的元件：座架和推进元件，其中输送辊是选自金属输送辊或聚合物涂布的金属输送辊，且其中静电放电子单元适于通过座架、推进元件或二者将电荷自输送辊的表面传导至放电路径。
根据方面5，本发明优选地涉及根据方面4的静电放电单元，其中座架含有滚动轴承。
根据方面6，本发明优选地涉及根据方面1至5中任一方面的静电放电单元，其中座架、推进元件或二者，优选地座架，含有有机聚合物，且其中静电放电子单元适于通过座架的有机聚合物、推进元件的有机聚合物或二者将电荷自输送辊的表面传导至放电路径。
根据方面7，本发明优选地涉及根据方面1至6中任一方面的静电放电单元，其中适于朝向接地传导电荷的座架、推进元件或二者的电阻(优选为座架的电阻)处于103至109欧姆范围内，更优选地处于104至5·109欧姆范围内，甚至更优选地处于5·104至5·108欧姆范围内。
根据方面8，本发明优选地涉及根据方面1至7中任一方面的静电放电单元，其中静电放电单元的静电放电子单元的座架的至少一个、优选地大部分、更优选地至少75％、甚至更优选地至少90％、甚至更优选地全部连接至导电轨、导电框或其组合，且其中所述导电轨、导电框或其组合经接地。
根据方面9，本发明优选地涉及根据方面1至8中任一方面的静电放电单元，其中滚动轴承的有机聚合物为自润滑有机聚合物。
根据方面10，本发明优选地涉及根据方面1至9中任一方面的静电放电单元，其中滚动轴承的滚动元件由金属(优选钢)制成。举例来说，如果滚动轴承为滚珠轴承，则可使用钢珠。
根据方面11，本发明优选地涉及根据方面1到10中任一方面的静电放电单元，其中聚合物涂布的金属(优选不锈钢)辊的有机聚合物涂层为具有低电导率或基本上无电导率、优选地具有至少103欧姆·公尺、更优选地至少106欧姆·公尺、甚至更优选地至少108欧姆·公尺的电阻率的有机聚合物。
根据方面12，本发明优选地涉及根据方面1至11中任一方面的静电放电单元，其中不直接地连接至接地的输送辊系统的座架由与直接连接至接地的对侧上的座架相同或不同的材料制成。待使用材料的实例是有机聚合材料、类似钢或铝的金属或陶瓷材料，优选有机聚合材料或金属，甚至更优选有机聚合材料。
根据方面13，本发明优选地涉及根据方面1至12中任一方面的静电放电单元，其中滚动轴承是滚珠轴承。
根据方面14，本发明优选地涉及根据方面1至13中任一方面的静电放电单元，其中至少一个静电放电子单元的座架连接至导电轨、导电框或其组合，且其中所述导电轨、导电框或其组合接地。
根据方面15，本发明优选地涉及根据方面1至14中任一方面的静电放电单元，其中基于输送辊系统的平均电阻，静电放电单元中所含的静电放电子单元的平均电阻根据输送辊的每公尺长度在5·103与5·108欧姆之间。
根据方面16，本发明优选地涉及根据方面1至15中任一方面的静电放电单元，其中座架含有至少内部件和外部件，其中内部件和外部件由不同材料制成。
根据方面17，本发明优选地涉及根据方面1至16中任一方面的静电放电单元，其中至少3个静电放电子单元彼此独立地提供在输送平面下方的至多4个、优选地至多3个输送辊。
根据方面18，本发明优选地涉及根据方面1至17中任一方面的静电放电单元，其中至少3个静电放电子单元彼此独立地含有至少2个，优选地至少3个，甚至更优选地至少4个输送辊系统。
根据方面19，本发明优选地涉及根据方面1至18中任一方面的静电放电单元，其中输送辊系统的数目是放电路径的数目的至少1.3倍，优选至少1.5倍，甚至更优选至少1.9倍。
根据方面20，本发明优选地涉及根据方面1至21中任一方面的静电放电单元，其中至少3个静电放电子单元彼此相邻定位，且其中不为静电放电子单元的一部分的至多一个输送辊位于静电放电子单元的输送平面下方的输送辊之间。
根据方面21，本发明优选地涉及根据方面1至20中任一方面的静电放电单元，其中聚合物涂布的金属(优选不锈钢)辊的有机聚合物涂层含有基于有机聚合物涂层的总重量的小于10wt％的类似填充剂和塑化剂的添加剂。
根据方面22，本发明优选地涉及根据方面1至21中任一方面的静电放电单元，其中聚合物涂布的金属(优选不锈钢)辊的有机聚合物涂层含有基于有机聚合物涂层的总重量的至少90wt％、更优选至少95wt％、甚至更优选至少99wt％的有机聚合物。
根据方面23，本发明优选地涉及根据方面1至22中任一方面的静电放电单元，其中基于有机聚合物的总量，至少90wt％、优选至少95wt％、甚至更优选至少99wt％的有机聚合物是选自由以下组成的群：EPDM、NBR、CR、VITON、其混合物或其组合。
根据方面24，本发明优选地涉及根据方面1至23中任一方面的静电放电单元，其中各放电路径连接至在输送方向上彼此相邻对准的至多3个、优选至多2个输送辊。
根据方面25，本发明优选地涉及根据方面1至24中任一方面的静电放电单元，其中适于接触衬底的聚合物涂布的金属(优选不锈钢)输送辊的有机聚合物涂层的平均厚度小于5mm。
根据方面26，本发明优选地涉及根据方面1至25中任一方面的静电放电单元，其中适于接触衬底的聚合物涂布的金属(优选不锈钢)输送辊的有机聚合物涂层的平均厚度为至少1mm。
根据方面27，本发明优选地涉及根据方面1至26中任一方面的静电放电单元，其中金属(优选不锈钢)输送辊或聚合物涂布的金属(优选不锈钢)输送辊为管道。
根据方面28，本发明优选地涉及根据方面1至27中任一方面的静电放电单元，其中至少一个气体供应元件位于输送辊周围。
根据方面29，本发明优选地涉及根据方面1至28中任一方面的静电放电单元，其中至少一个气体供应元件含有末端部件，且所述末端部件的最后30cm的内侧表面的至少90％由导电材料制成，且末端部件的内侧上的所述表面接地。
根据方面30，本发明优选地涉及根据方面1至29中任一方面的静电放电单元，其中自气体供应元件的基底至其出口的至少一个气体供应元件的内侧的至少90％、优选地至少95％、更优选地至少99％、甚至更优选地100％由导电材料制成，气体供应元件的基底接地，和
-至少末端部件的最后30cm电连接至基底，或
-末端部件的所述至少30cm分别接地。
根据方面31，本发明优选地涉及含有用于输送衬底的水平输送系统的处理装置的模块，其中水平输送系统含有至少一个根据方面1至30中任一方面的静电放电单元。
根据方面32，本发明优选地涉及根据方面31的模块，其中用于输送衬底的水平输送系统是基于在输送路线方向上彼此平行布置的输送辊。
根据方面33，本发明优选地涉及根据方面31至32中任一方面的模块，其中模块含有根据方面1至30中任一方面的仅2个、优选地仅1个静电放电单元。
根据方面34，本发明优选地涉及根据方面31至33中任一方面的模块，其中多于50％、更优选地多于70％、甚至更优选地多于90％的输送辊为根据方面1至30中任一方面的静电放电单元的部分。
根据方面35，本发明优选地涉及根据方面31至34中任一方面的模块，其中输送辊在操作所述模块期间不与液体接触。
根据方面36，本发明优选地涉及含有至少一个根据方面1至30中任一方面的放电单元或至少一个根据方面31至35中任一方面的模块的处理装置。
根据方面37，本发明优选地涉及一种用于使衬底放电的方法，其中使用至少一个根据方面1至30中任一方面的放电单元或至少一个根据方面31至35中任一方面的模块输送衬底。
根据方面38，本发明优选地涉及根据方面37的方法，其中衬底在呈干燥状态时输送。
根据方面39，本发明优选地涉及根据方面37至38中任一方面的方法，其中衬底包括定位于衬底的至少一个、优选地至少两个侧面上覆盖小于10％的衬底表面的导引元件。
根据方面40，本发明优选地涉及至少一个根据方面1至30中任一方面的放电单元或至少一个根据方面31至35中任一方面的模块用于使衬底放电的用途。
根据方面41，本发明优选地涉及至少一个根据方面1至30中任一方面的放电单元或至少一个根据方面31至35中任一方面的模块用于制造印刷电路板、印刷电路箔、半导体晶片、太阳能电池或光电电池的用途。
以下非限制性实例是为了说明本发明的优选实施例和促进本发明的理解而提供，但不希望限制本发明的范围，其由随附权利要求书限定。
图1展示滚动轴承的示意图，所述滚动轴承含有包围输送辊的轴线(2)的滚动轴承的内部件的内轴承(5)和外轴承(6)。外部件(7)布置在滚动轴承(23)的此内部件周围。本文中，接地(4)附接至滚动轴承(23)的外部件(7)。
图2展示滚动轴承(23)的示意图，所述滚动轴承含有内轴承(5)、外轴承(6)、外部件(7)和包围输送辊的轴线(2)的接地(4)。接地(4)附接至滚动轴承(23)的内部件。
图3展示类似于图1和2的滚动轴承(23)的示意图，所述滚动轴承含有内轴承(5)、外轴承(6)、外部件(7)和包围输送辊的轴线(2)的接地(4)。本文中，接地(4)连接至导电元件(8)。所述导电元件(8)通过外层(9)将外部件(7)连接至接地(4)，其中所述外层(9)包围滚动轴承(23)的内部件和外部件(7)。
图4展示包围输送辊(1)的轴线(2)的滚珠轴承(24)的示意图。类似于来自例如图1的滚动轴承，其含有包围滚珠(25)的轴承的内部件的内轴承(5)和外轴承(6)。此外，其含有包围所述内部件(14)的滚珠轴承(24)的外部件(7)。至接地的连接未明确公开，但可例如相应地如针对图1至3的滚动轴承所公开般执行。
图5展示包围多个输送辊的轴线(2)的不同类型座架(13)的示意图。本文中，借助于固定或选择所述座架(13)的特定外形来减少或防止座架的旋转。在左上方上，座架提供圆形形式。通过固定件(12)防止所述座架(13)的旋转。所述座架(13)使用缆线(10)连接至导电轨(11)，所述座架又连接至接地(4)。其它三个座架(13)(左下方、右下方和右上方)例示性地展示通过使导电轨(11)与边缘接触来终止座架(13)旋转的不同类型的外形。同时，建立允许电荷从轴线(2)传导至导电轨(11)的导电路径。
图6展示提供含有滚动元件(3)和外部件(7)的内部件(14)的滚动轴承的横截面的示意图。本文中，内部件(14)包围输送辊的轴线(2)。
图7展示图6的滚动轴承的侧视图的示意图，所述滚动轴承含有包围输送辊的轴线(2)的内部件(14)和外部件(7)的滚动元件(3)、内轴承(5)和外轴承(6)。本文中，仅几个滚动元件(3)借助于非连续线性展示。
图8例示性地展示含有包围输送辊的轴线(2)的滚动元件(3)、内部件(14)和外部件(7)的滚动轴承的示意图。
图9展示类似于图6的座架的另一实施例的示意图，其展示包围输送辊的轴线(2)的滚动元件(3)和内部件(14)。在此情况下，座架不提供外部件。
图10展示含有多个输送辊(1)、衬底(15)和气体供应元件(16)的静电放电单元的示意图。为了简化，仅已标记一个输送辊。本文中，衬底在布置于输送平面下方和上方的输送辊(1)之间输送。在中部区域中，输送辊(1)仅布置在衬底(15)下方，其中气体供应元件(16)将气流引导至所述衬底(15)的表面上。
图11展示含有用于通过所述模块(20)输送衬底(15)的输送辊系统(18)的本发明模块(20)的示意图。本文中，为简化起见，仅标记一个输送辊系统(18)，且输送辊系统(18)被减小为表示在前侧上的座架(13)和其后的输送辊(1)的圆形。衬底(15)在布置于输送平面上方和下方的输送辊(1)之间输送，其中积聚于其表面上的电荷从对应输送辊系统(18)的座架(13)传导至导电轨(11)、导电框(17)或导电轨与导电框的组合(19)至接地(4)。
图12展示类似图11中所示的从相对侧观察的模块(20)的示意图。本文中，展示用于旋转输送辊(1)的齿轮(22)。出于简化的原因，标记仅一个齿轮和两个输送辊。所述齿轮直接地或间接地通过如图12中所示的推进元件(21)移动。通过未填充于图12中的齿轮一般化的此推进元件(21)引入移动至另一方面旋转输送辊(1)的输送衬底(15)的所述列大齿轮(22)。根据图12，在输送平面下方和上方的齿轮(22)含有单独的推进元件(21)，但全部齿轮(22)的推进也可以由单一推进元件(21)产生。
图13展示如图11和12中所展示从顶部观察的例示性模块(20)的示意图。为简化起见，仅标记一个输送辊(1)。衬底(15)移动穿过模块(20)，其中图13展示通过一些输送辊(1)部分覆盖的所述衬底(15)。用于引导气流至衬底(15)表面上的气体供应元件(16)相邻衬底(15)布置。
虽然已关于某些特定实施例解释本发明的原理且出于说明的目的提供本发明的原理，但应了解，其各种修改对于所属领域中的技术人员在阅读本说明书后变得显而易见。因此，应理解，本文所公开的发明希望涵盖此类属于随附权利要求书的范围的修改。本发明的范围仅由随附权利要求书的范围限制。
元件符号
1：输送辊
2：输送辊的轴线
3：滚动元件
4：接地
5：滚动轴承的内部件的内轴承
6：滚动轴承的内部件的外轴承
7：滚动轴承的外部件
8：用于使外部件与大地接触的导电元件
9：外层
10：缆线
11：导电轨
12：座架的固定件
13：座架
14：滚动轴承的内部件
15：衬底
16：气体供应元件
17：导电框
18：输送辊系统
19：导电轨与导电框的组合
20：模块
21：推进元件
22：用于旋转输送辊的齿轮
23：滚动轴承
24：滚珠轴承
25：滚珠

Claims (15)

1.一种静电放电单元，其含有至少一个静电放电子单元，
其中所述至少一个静电放电子单元含有至少一个输送辊系统(18)和至少一个放电路径，
其中每个输送辊系统(18)彼此独立地含有一个输送辊(1)和至少一个选自由以下组成的群组的元件：含有滚动轴承(23)的座架(13)和推进元件(21)，
其中所述输送辊(1)选自金属输送辊(1)或聚合物涂布的金属输送辊(1)，
且其中所述静电放电子单元适于通过所述滚动轴承、所述推进元件(21)或二者将电荷从所述输送辊(1)的表面传导至所述放电路径。
2.根据权利要求1所述的静电放电单元，其中所述滚动轴承(23)、所述推进元件(21)或二者含有有机聚合物，并且
其中静电放电单元适于将所述电荷从所述输送辊(1)的表面、通过所述滚动轴承(23)的所述有机聚合物、所述推进元件(21)的所述有机聚合物或二者传导至所述放电路径。
3.根据权利要求1至2中任一权利要求所述的静电放电单元，其中所述静电放电单元含有至少3个静电放电子单元，其彼此独立地各自含有1、2、3、4、5或6个输送辊系统(18)。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的静电放电单元，其中适于使所述电荷向大地传导的所述座架、所述推进元件或二者的电阻处于103至109欧姆范围内。
5.根据权利要求1至4中任一权利要求所述的静电放电单元，其中所述静电放电单元的所述静电放电子单元的所述座架(13)中的至少一个连接至导电轨(11)、导电框(17)或其组合，且其中所述导电轨(11)、所述导电框(17)或其组合接地。
6.根据权利要求5所述的静电放电单元，其中所述导电轨(11)、所述导电框(17)或其组合是由金属制成。
7.根据权利要求2至6中任一权利要求所述的静电放电单元，其中所述滚动轴承(23)的所述有机聚合物是自润滑有机聚合物。
8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的静电放电单元，其中所述滚动轴承是滚珠轴承。
9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的静电放电单元，其中输送辊系统(18)的数目是放电路径数目的至少1.3倍。
10.根据权利要求1至9中任一权利要求所述的静电放电单元，其中至少3个静电放电子单元彼此相邻定位，其中不作为静电放电子单元的一部分的至多一个输送辊(1)定位于所述静电放电子单元的输送平面下方的所述输送辊(1)之间。
11.根据权利要求1至10中任一权利要求所述的静电放电单元，其中适于接触所述衬底的所述聚合物涂布的金属输送辊(1)的有机聚合物涂层的平均厚度小于5mm。
12.根据权利要求1至11中任一权利要求所述的静电放电单元，其中至少一个气体供应元件(16)定位于所述输送辊(1)周围。
13.一种处理装置的模块(20)，所述模块含有用于输送衬底(15)的水平输送系统，其中所述水平输送系统含有至少一个根据权利要求1至12中任一权利要求所述的静电放电单元。
14.一种用于使衬底(15)放电的方法，其中使用至少一个根据权利要求1至12中任一权利要求所述的放电单元或至少一个根据权利要求13所述的模块(20)输送所述衬底(15)。
15.一种至少一个根据权利要求1至12中任一权利要求所述的放电单元或至少一个根据权利要求13所述的模块(20)的用途，其用于制造印刷电路板、印刷电路箔、半导体晶片、太阳能电池或光电电池。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7102778B2 (ja) * 2018-02-27 2022-07-20 セイコーエプソン株式会社 時計用ムーブメントおよび時計
JP7130982B2 (ja) 2018-02-27 2022-09-06 セイコーエプソン株式会社 時計用ムーブメントおよび時計

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982486A (ja) * 1995-09-07 1997-03-28 Fuji Photo Film Co Ltd ウエブの除電装置
JP2006036530A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Nippon Sekkei Kogyo:Kk 基板の搬送装置
TW200708204A (en) * 2005-08-11 2007-02-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method for eliminating electrostatic discharge
US20070153153A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Transfer system
CN101197302A (zh) * 2006-04-28 2008-06-11 友达光电股份有限公司 一种用于消除静电的系统
WO2010090087A1 (ja) * 2009-02-03 2010-08-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法
KR20130037897A (ko) * 2011-10-07 2013-04-17 엘지디스플레이 주식회사 기판 이송 장치 및 그를 이용한 박막증착 장치
US20150034454A1 (en) * 2013-08-05 2015-02-05 Samsung Display Co., Ltd. Substrate transferring apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002193579A (ja) * 2000-12-26 2002-07-10 Hitachi Building Systems Co Ltd 乗客コンベア移動手摺のガイドローラ
US20070223850A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Roller Bearing Company Of America, Inc. Titanium spherical plain bearing with liner and treated surface
JP2010024042A (ja) * 2008-07-24 2010-02-04 Shibaura Mechatronics Corp 基板の搬送装置及び処理装置
KR20100037375A (ko) * 2008-10-01 2010-04-09 김경환 가로등 접지저항 측정 시스템
DE102010000211A1 (de) 2010-01-26 2011-07-28 Atotech Deutschland GmbH, 90537 Vorrichtung zum Transport von plattenförmigen Substraten in einer Anlage zur chemischen und/oder elektrochemischen Behandlung
KR101401025B1 (ko) * 2013-12-23 2014-05-30 (주)누리시스템 기판 이송용 회전롤러의 접지장치

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0982486A (ja) * 1995-09-07 1997-03-28 Fuji Photo Film Co Ltd ウエブの除電装置
JP2006036530A (ja) * 2004-07-30 2006-02-09 Nippon Sekkei Kogyo:Kk 基板の搬送装置
TW200708204A (en) * 2005-08-11 2007-02-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method for eliminating electrostatic discharge
US20070153153A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Transfer system
CN101197302A (zh) * 2006-04-28 2008-06-11 友达光电股份有限公司 一种用于消除静电的系统
WO2010090087A1 (ja) * 2009-02-03 2010-08-12 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロニクス素子及びその製造方法
KR20130037897A (ko) * 2011-10-07 2013-04-17 엘지디스플레이 주식회사 기판 이송 장치 및 그를 이용한 박막증착 장치
US20150034454A1 (en) * 2013-08-05 2015-02-05 Samsung Display Co., Ltd. Substrate transferring apparatus

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