TW201801918A - 長形的阻氣性積層體 - Google Patents
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Abstract
本發明長形的阻氣性積層體,至少具有基材層與阻氣層,其中一最外層係上述阻氣層,其特徵在於:上述阻氣層表面的算術平均粗糙度(Ra)係2nm以下、最大截面高度(Rt)係54nm以下;上述阻氣層以外的最外層表面之算術平均粗糙度(Ra)係4.0nm以上且91nm以下、最大截面高度(Rt)係207nm以上且1005nm以下;準備2片阻氣性積層體當作試驗片,依該等中其中一積層體的阻氣層、與另一積層體的阻氣層以外之最外層呈相對向方式,使上述2片阻氣性積層體重疊時,靜摩擦係數係0.80以下。根據本發明可提供:阻氣性優異、且呈捲筒狀捲取時或從捲筒繞出時的作業性優異,並在該項作業前後不易造成阻氣性降低的長形阻氣性積層體。
Description
本發明係關於阻氣性優異、且呈捲筒狀捲取時以及從捲筒繞出時的作業性優異,且在該項作業前後不易導致阻氣性降低的長形阻氣性積層體。
近年,例如液晶顯示器、電激發光(EL)顯示器等顯示器,為求實現薄型化、輕量化、可撓化等,針對具有電極的基板,取代玻璃板,改為使用在透明塑膠薄膜上積層著阻氣層之所謂「阻氣薄膜」。
工業性生產阻氣薄膜時,通常採用捲筒to捲筒方式。
例如專利文獻1有記載:在基材至少單側上具有底漆層與阻障層,且將依不同的最外層彼此間呈相對向重疊時的靜摩擦係數,設定在特定範圍內的阻氣性積層體,以及其製造方法。
專利文獻1有記載:藉由將上述靜摩擦係數設定在特定範圍內,當呈捲筒狀捲取時、或從捲筒繞出時,不易發生黏瘩(薄膜彼此間黏貼)、嚙入空氣(皺折起源)等,能提升作業性。
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]國際公開2013/147090號(US2015/0099094 A1)
依如上述,藉由將長形阻氣性積層體的表面適度粗糙而調節靜摩擦係數,便可獲得呈捲筒狀捲取時、或從捲筒繞出時的作業性(以下亦稱「捲取適性」)優異的長形阻氣性積層體。
然而,最外層其中一者係阻氣層的阻氣性積層體,若將阻氣層的表面變粗糙,便有無法獲得阻氣性優異的阻氣性積層。另一方面,若將非為阻氣層的最外層表面變粗糙,則捲取時或繞出時會導致阻氣層表面遭刮傷,並會造成阻氣性積層體的阻氣性降低。
本發明係有鑑於上述習知技術實情而完成,目的在於提供:阻氣性優異、且呈捲筒狀捲取時或從捲筒繞出時的作業性優異,且在該項作業前後不易造成阻氣性降低的長形阻氣性積層體。
本發明者等為解決上述課題經深入鑽研,結果發現至少具有基材層與阻氣層,其中一最外層係上述阻氣層的長形的阻氣性積層體;其中,阻氣層的表面狀態、及阻氣層以外的最外層表面狀態係特定,依二層呈相對向方式使2片阻氣性積層體重疊時,靜摩擦係數為特定值得阻氣性積層體,係阻氣性優異、且呈捲筒狀捲取時或從捲筒繞出時的作業性優異,且在該項作業前後不易造成阻氣性降低,遂完成本發明。
根據本發明,提供下述(1)與(2)的阻氣性積層體。
(1)一種長形的阻氣性積層體,至少具有基材層與阻氣層,
其中一最外層係上述阻氣層;其特徵在於:上述阻氣層表面的算術平均粗糙度(Ra)係2nm以下、最大截面高度(Rt)係54nm以下;上述阻氣層以外的最外層表面之算術平均粗糙度(Ra)係4.0nm以上且91nm以下、最大截面高度(Rt)係207nm以上且1005nm以下;準備2片阻氣性積層體當作試驗片,依該等中其中一積層體的阻氣層、與另一積層體的阻氣層以外之最外層呈相對向方式,使上述2片阻氣性積層體重疊時,靜摩擦係數係0.80以下。
(2)如(1)所記載的長形的阻氣性積層體,其中,上述阻氣層的厚度係50nm以上且1μm以下。
根據本發明可提供:阻氣性優異、且呈捲筒狀捲取時或從捲筒繞出時的作業性優異,並在該項作業前後不易造成阻氣性降低的長形阻氣性積層體。
本發明的阻氣性積層體,係至少具有基材層與阻氣層,其中一最外層係上述阻氣層的長形的阻氣性積層體;其中,上述阻氣層表面的算術平均粗糙度(Ra)係2nm以下、最大截面高度(Rt)係54nm以下;上述阻氣層以外的最外層表面之算術平均粗糙度(Ra)係4.0nm以上且91nm以下、最大截面高度(Rt)係207nm以上且1005nm以下;準備2片阻氣性積層體當作試驗片,依該等中其中一積層體的阻氣層、與另一積層體的阻氣層以外之最外層呈相對向方式,使上述2片阻氣性積層
體重疊時,靜摩擦係數係0.80以下。
〔基材層〕
構成本發明阻氣性積層體的基材層係在能載持阻氣層之前提下,其餘並無特別的限定。
基材層係可使用長形的樹脂薄膜。
本發明中,所謂「長形」係指就形狀而言,長邊方向較長於寬度方向(較佳係10倍以上的長度)的帶狀。又,以下說明省略「長形的」用詞。
樹脂薄膜的長度(長邊方向的長度)並無特別的限定,通常係400~2000m。樹脂薄膜的寬度(寬度方向的長度)並無特別的限定,通常係450~1300mm、530~1280mm為佳。樹脂薄膜的厚度並無特別的限定,通常係1~100μm、5~70μm為佳、10~60μm更佳。
樹脂薄膜的樹脂成分係可舉例如:聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚伸苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合體等。
該等樹脂成分係可單獨使用一種、或組合使用二種以上。
該等之中,就從透明性優異、具通用性的觀點,更佳係聚酯、聚醯胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚或環烯烴系聚合物,又更佳係聚酯或環烯烴系聚合物。
聚酯係可舉例如:聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚芳酯等。
在不妨礙及本發明效果之範圍內,樹脂薄膜亦可含有各種添加劑。添加劑係可舉例如:紫外線吸收劑、抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、滑劑、填充劑、著色顏料等。該等添加劑的含有量係只要配合目的再行適當決定便可。
樹脂薄膜係製備含有既定成分的樹脂組成物,再將其成形為薄膜狀便可獲得。成形方法並無特別的限定,可利用澆鑄法、熔融擠出法等公知方法。
〔阻氣層〕
構成本發明阻氣性積層體的阻氣層,係具有抑制氧、水蒸氣等氣體穿透之特性(阻氣性)的層。
阻氣層係可舉例如:無機蒸鍍膜、經對含有高分子化合物的層(以下亦稱「高分子層」)施行改質處理而獲得的層[此情況,所謂「阻氣層」並非僅指經利用離子植入處理等施行改質的區域,而是指「含經改質區域的高分子層」]等。
無機蒸鍍膜係可舉例如無機化合物、金屬的蒸鍍膜。
無機化合物的蒸鍍膜原料係可舉例如:氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等無機氧化物;氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等無機氮化物;無機碳化物;無機硫化物;氮氧化矽等無機氮氧化物;無機碳氧化物;無機氮碳化物;無機氮碳氧化物等。
金屬的蒸鍍膜原料係可舉例如:鋁、鎂、鋅及錫等。
該等係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
該等之中,就從阻氣性的觀點,係以無機氧化物、無機氮化物或金屬為原料的無機蒸鍍膜為佳,又就從透明性的觀點,係以無機氧化物或無機氮化物為原料的無機蒸鍍膜更佳。
形成無機蒸鍍膜的方法係可舉例如:真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等PVD(物理性蒸鍍)法;熱CVD(化學性蒸鍍)法、電漿CVD法、光CVD法等CVD法。
無機蒸鍍膜的厚度係依照所使用的無機化合物而有所差異,就從阻氣性與處置性的觀點,範圍係50~300nm為佳、50~200nm更佳。
經對高分子層施行改質處理而獲得的阻氣層,所使用的高分子化合物係可舉例如:含矽高分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚伸苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳酯、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合體等。
該等高分子化合物係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
該等之中,就從能形成具有更優異阻氣性之阻氣層的觀點,高分子化合物較佳係含矽高分子化合物。含矽高分子化合物係可舉例如:聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、及聚有機矽氧烷系化合物等。其中,就從可形成即便較薄但仍具有優異阻氣性之阻氣層的觀點,係聚矽氮烷系化合物為佳。藉由對含有聚矽氮烷系化合物的層施行改質處理,便可形成具有以氧、氮、矽為主要構成原子的層(氮氧化矽層)。
所示重複單元的化合物為佳。又,所使用聚矽氮烷系化合物的數量平均分子量並無特別的限定,係100~50,000為佳。
上述式(1)中,n係表示任意自然數。
Rx、Ry、Rz係表示各自獨立的氫原子、無取代(或具取代基)之烷基、無取代(或具取代基)之環烷基、無取代(或具取代基)之烯基、無取代(或具取代基)之芳基或烷基矽烷基等非水解性基。
上述無取代(或具取代基)之烷基的烷基,係可例如:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳數1~10之烷基。
無取代(或具取代基)之環烷基的環烷基,係可舉例如:環丁基、環戊基、環己基、環庚基等碳數3~10之環烷基。
無取代(或具取代基)之烯基的烯基,係可舉例如:乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳數2~10之烯基。
上述烷基、環烷基及烯基的取代基,係可舉例如:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵原子;羥基;硫醇基;環氧基;環氧丙氧基;(甲基)丙烯醯氧基;苯基、4-甲基苯基、
4-氯苯基等無取代(或具取代基)之芳基等等。
無取代(或具取代基)之芳基的芳基,係可舉例如:苯基、1-萘基、2-萘基等碳數6~10之芳基。
上述芳基的取代基係可舉例如:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵原子;甲基、乙基等碳數1~6之烷基;甲氧基、乙氧基等碳數1~6之烷氧基;硝基;氰基;羥基;硫醇基;環氧基;環氧丙氧基;(甲基)丙烯醯氧基;苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等無取代(或具取代基)之芳基等等。
烷基矽烷基係可舉例如:三甲矽烷基、三乙矽烷基、三異丙基矽烷基、三(第三丁基)矽烷基、甲基二乙矽烷基、二甲矽烷基、二乙矽烷基、甲矽烷基、乙矽烷基等。
該等之中,Rx、Ry、Rz係氫原子、碳數1~6之烷基、或苯基為佳,係氫原子更佳。
具有上述式(1)所示重複單元的聚矽氮烷系化合物,係可為Rx、Ry、Rz全部均為氫原子的無機聚矽氮烷,亦可為Rx、Ry、Rz中之至少1者非為氫原子的有機聚矽氮烷。
再者,本發明中,聚矽氮烷系化合物亦可使用聚矽氮烷改質物。聚矽氮烷改質物係可舉例如:日本專利特開昭62-195024號公報、日本特開平2-84437號公報、日本特開昭63-81122號公報、日本特開平1-138108號公報等、日本特開平2-175726號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平5-238827號公報、日本特開平6-122852號公報、日本特開平6-306329號公報、日本特開平6-299118號公報、日本特開平9-31333號公報、日本特開平5-345826號公報、日本特開平4-63833
號公報等所記載者。
該等之中,聚矽氮烷系化合物就從取得容易性、及可形成具優異阻氣性之離子植入層的觀點,較佳係Rx、Ry、Rz全部均為氫原子的全氫聚矽氮烷。
再者,聚矽氮烷系化合物亦可直接使用依玻璃塗佈材料等形式市售的市售物。
聚矽氮烷系化合物係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
高分子層係除上述高分子化合物之外,亦可在不致阻礙本發明目的之範圍內含有其他成分。其他成分係可例如:固化劑、抗老化劑、光安定劑、難燃劑等。
高分子層中的高分子化合物含有量,就從能獲得具更優異阻氣性阻氣層的觀點,係50質量%以上為佳、係70質量%以上更佳。
高分子層的厚度並無特別的限制,範圍係50nm以上且1μm以下為佳、係50~300nm更佳、係50~200nm又更佳。
本發明中,即便高分子層的厚度係奈米級,仍可獲得具有充分阻氣性的阻氣性積層體。
形成高分子層的方法並無特別的限定。例如製備含有:高分子化合物中之至少一種、視所需的其他成分、及溶劑等之高分子層形成用溶液,接著將該高分子層形成用溶液利用公知方法塗佈,再將所獲得塗膜施行乾燥便可形成高分子層。
高分子層形成用溶液所使用的溶劑,係可舉例如:苯、甲苯等芳香族烴系溶劑;醋酸乙酯、醋酸丁酯等酯系溶劑;丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮等酮系溶劑;正戊烷、正己
烷、正庚烷等脂肪族烴系溶劑;環戊烷、環己烷等脂環式烴系溶劑等等。
該等溶劑係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
高分子層形成用溶液的塗佈方法係可舉例如:棒塗法、旋塗法、浸漬法、輥塗佈、凹版塗佈、刀塗、氣刀塗佈、滾刀式塗佈、模具塗佈、網版印刷法、噴塗、照相凹版法等。
將所形成塗膜施行乾燥的方法係可採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等習知公知的乾燥方法。加熱溫度的範圍通常係60~130℃。加熱時間通常係數秒至數十分鐘。
高分子層的改質處理係可舉例如:離子植入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等。
離子植入處理係如後述,將離子植入高分子層中,而改質高分子層的方法。
電漿處理係將高分子層暴露於電漿中而改質高分子層的方法。例如依照日本專利特開2012-106421號公報所記載方法,便可施行電漿處理。
紫外線照射處理係對高分子層照射紫外線而改質高分子層的方法。例如依照日本專利特開2013-226757號公報所記載方法,便可施行紫外線改質處理。
該等之中,就從高分子層的表面不會粗糙、效率佳改質至內部、可形成更優異阻氣性阻氣層的觀點,係離子植入處理為佳。
植入高分子層中的離子係可舉例如:氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子;氟碳化物、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子;甲烷、乙烷等烷烴系氣體類的離子;乙烯、
丙烯等烯烴系氣體類的離子;戊二烯、丁二烯等二烯烴系氣體類的離子;乙炔等炔系氣體類的離子;苯、甲苯等芳香族烴系氣體類的離子;環丙烷等環烷烴系氣體類的離子;環戊烯等環烯烴系氣體類的離子;金屬的離子;有機矽化合物的離子等等。
該等離子係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
該等之中,就從可更簡便地植入離子、能形成具有更優異阻氣性之阻氣層的觀點,係氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子為佳。
離子的植入量係可配合阻氣性積層體的使用目的(必要的阻氣性、透明性等)等再行適當決定。
植入離子的方法係可例如:照射利用電場加速離子(離子束)的方法、植入電漿中之離子的方法等。其中,本發明就從可簡便獲得目標阻障層的觀點,係後者的電漿離子植入之方法為佳。
電漿離子植入係例如使在含有稀有氣體等電漿生成氣體的環境下生成電漿,藉由對高分子層施加負的電壓脈衝,便可將該電漿中的離子(陽離子)植入於高分子層表面部。
利用離子植入而被植入離子區域的厚度,係可依照離子的種類、施加電壓、處理時間等植入條件進行控制,只要配合高分子層的厚度、積層體的使用目的等再行決定便可,通常係10~300nm。
〔底漆層〕
本發明的阻氣性積層體亦可具有底漆層。
底漆層通常係設置於基材層與阻氣層之間。藉由設計底漆
層,便可達基材層表面的凹凸減少化,俾提升阻氣性積層體的層間密接性。又,藉由形成底漆層,便可效率佳地調節阻氣層的表面粗糙度。
底漆層係可例如由活性能量線固化型樹脂組成物的固化物所構成之層。
活性能量線固化型樹脂組成物係含有聚合性化合物,藉由活性能量線的照射便會固化的組成物。
聚合性化合物係可例如聚合性預聚物、聚合性單體。
聚合性預聚物係可舉例如:由二末端具有羥基的聚酯寡聚物、與(甲基)丙烯酸的反應而獲得之聚酯丙烯酸酯系預聚物;由低分子量雙酚型環氧樹脂或酚醛型環氧樹脂,與(甲基)丙烯酸的反應而獲得之環氧丙烯酸酯系預聚物;由聚胺酯寡聚物、與(甲基)丙烯酸的反應而獲得之胺酯丙烯酸酯系預聚物;由聚醚多元醇、與(甲基)丙烯酸的反應而獲得之多元醇丙烯酸酯系預聚物等。
聚合性單體係可舉例如:1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸雙環戊酯、己內酯改質二(甲基)丙烯酸雙環戊烯酯、環氧乙烷改質磷酸二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸烯丙基化環己酯、異三聚氰酸酯二(甲基)丙烯酸酯等雙官能基(甲基)丙烯酸酯;三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改質二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改質三羥甲基丙烷三(甲
基)丙烯酸酯、三(丙烯醯氧乙基)異三聚氰酸酯等三官能基(甲基)丙烯酸酯;丙酸改質二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改質二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等四官能基以上的(甲基)丙烯酸酯;乙二醇二乙烯醚、季戊四醇二乙烯醚、1,6-己二醇二乙烯醚、三羥甲基丙烷二乙烯醚、環氧乙烷改質氫醌二乙烯醚、環氧乙烷改質雙酚A二乙烯醚、季戊四醇三乙烯醚、二季戊四醇六乙烯醚、二(三羥甲基丙烷)聚乙烯醚等乙烯基化合物等等,惟並不僅侷限於該等。
該等聚合性化合物係可單獨使用一種、或組合使用二種以上。
此處記為「(甲基)丙烯醯基」時,係指涵蓋丙烯醯基及甲基丙烯醯基二者。
再者,上述活性能量線固化性樹脂組成物中,亦可含有本身未具反應固化性的高分子樹脂成分(例如丙烯酸樹脂)。藉由高分子樹脂成分的添加,便可調整該組成物的黏度。
活性能量線係可舉例如:紫外線、電子束、α線、β線、γ線等。該等之中,就從使用較簡便的裝置便可生成的觀點,活性能量線較佳係紫外線。
該等聚合性化合物係可單獨使用一種、或組合使用二種以上。
當活性能量線係使用紫外線時,活性能量線固化型樹脂組成物(即紫外線固化型樹脂組成物),較佳係含有光聚合起始劑。
光聚合起始劑係在藉由紫外線的照射便開始進行
聚合反應之前提下,其餘並無特別的限定。光聚合起始劑係可舉例如:苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻-正丁醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻系聚合起始劑;苯乙酮、4'-二甲胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羥環己基苯酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-啉基-丙烷-1-酮、2-羥-1-{4-[4-(2-羥-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮等苯乙酮系聚合起始劑;二苯基酮、4-苯基二苯基酮、4,4'-二乙胺基二苯基酮、4,4'-二氯二苯基酮等二苯基酮系聚合起始劑;2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽醌等蒽醌系聚合起始劑;2-甲基氧硫、2-乙基氧硫、2-氯氧硫、2,4-二甲基氧硫、2,4-二乙基氧硫等氧硫系聚合起始劑等等。
光聚合起始劑的含有量並無特別的限定,通常相對於上述聚合性化合物,係0.2~30質量%、較佳係0.5~20質量%。
活性能量線固化型樹脂組成物亦可含有有機微粒子、無機微粒子等微粒子。藉由使用含有微粒子的活性能量線固化型樹脂組成物,便可使底漆層的表面適度變粗糙,結果表面可輕易地形成適度粗糙的阻氣層。
有機微粒子係可舉例如由:聚苯乙烯系樹脂、苯乙烯-丙烯酸系共聚合體樹脂、丙烯酸系樹脂、胺系樹脂、二乙烯苯系樹脂、聚矽氧系樹脂、胺酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、脲樹脂、酚系樹脂、苯并胍胺系樹脂、二甲苯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂等構成的微粒子。
該等之中,較佳係由聚矽氧樹脂構成的聚矽氧微粒子。
無機微粒子係可舉例如:二氧化矽粒子、金屬氧化物粒子、烷基矽酸酯粒子等。
二氧化矽粒子係可舉例如:膠態二氧化矽、中空二氧化矽等。
金屬氧化物粒子係可舉例如:氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鉭、氧化銦、氧化鉿、氧化錫、氧化鈮等的粒子。
烷基矽酸酯粒子係可例如式:Ra-O[-{Si(ORb)2}-O-]n-Ra(式中,Ra與RbZ係表示碳數1~10之烷基;n係表示1以上之整數)所示烷基矽酸酯的粒子。
該等之中,較佳係二氧化矽粒子或烷基矽酸酯粒子。
該等微粒子係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
微粒子的形狀並無特別的限制。例如可使用無定形狀、正球狀等各種形狀的微粒子。
微粒子的平均粒徑通常係1~100nm、1~20nm為佳。微粒子的平均粒徑係利用雷射繞射/散射法便可測定。
當活性能量線固化型樹脂組成物含有微粒子的情況,微粒子含有量佔上述樹脂組成物的固形份中,係0.1~50質量%為佳、更佳係1~30質量%。
活性能量線固化型樹脂組成物係含有均塗劑為佳。藉由使用含有均塗劑的活性能量線固化型樹脂組成物,便可效率佳地控制底漆層的表面粗糙度。
均塗劑係可例如矽氧烷系化合物。其中,較佳係聚二甲基矽氧烷及其衍生物等具二烷基矽氧烷骨架的化合物。
若活性能量線固化型樹脂組成物含有均塗劑的情況,均塗
劑含有量佔上述樹脂組成物固形份中,係0.01~10質量%為佳、更佳係0.05~5質量%。
活性能量線固化型樹脂組成物係在不致妨礙及本發明效果的範圍內,亦可含有其他成分。
其他成分係可舉例如:抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、滑劑、著色顏料等。該等含有量係只要配合目的再行適當決定便可。
形成底漆層的方法並無特別的限定。例如製備含有:活性能量線固化型樹脂組成物、及視需要的溶劑之塗佈液,接著將該塗佈液利用公知方法塗佈於基材上,藉由使所獲得塗膜固化,便可形成由活性能量線固化型樹脂組成物之固化物構成的硬塗層。又,視需要在使塗膜固化之前,亦可施行乾燥處理。
塗佈液製備時所使用的溶劑,係可舉例如:苯、甲苯等芳香族烴系溶劑;醋酸乙酯、醋酸丁酯等酯系溶劑;丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮等酮系溶劑;正戊烷、正己烷、正庚烷等脂肪族烴系溶劑;環戊烷、環己烷等脂環式烴系溶劑等等。
該等溶劑係可單獨使用1種、或組合使用2種以上。
塗佈方法係可舉例如:棒塗法、旋塗法、浸漬法、輥塗佈、凹版塗佈、刀塗、氣刀塗佈、滾刀式塗佈、模具塗佈、網版印刷法、噴塗、照相凹版法等。
使塗膜乾燥時,乾燥方法係可採用例如熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等習知公知的乾燥方法。乾燥溫度通常係60~130℃的範圍。乾燥時間通常係數秒至數十分鐘。
塗膜的固化係藉由對塗膜照射活性能量線便可實
施。
活性能量線係可舉例如:紫外線、電子束、α線、β線、γ線等。該等之中,就從使用較簡便的裝置便可生成的觀點,活性能量線係電子束、紫外線為佳,更佳係紫外線。
當活性能量線係使用紫外線的情況,紫外線源係可使用例如:超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧、黑燈、金屬鹵素燈等光源。紫外線的光通量並無特別的限制,通常係100mJ/cm2~1,000mJ/cm2。照射時間通常係數秒~數小時,照射溫度通常係20~100℃。
底漆層的厚度通常係20μm以下、0.5~20μm為佳、1.0~10μm更佳。
〔易滑層〕
本發明的阻氣性積層體亦可具有易滑層。
易滑層係在基材層靠阻氣層、底漆層的相反側所設置的層,構成阻氣層以外的最外層。因為易滑層具有適度的粗糙表面,因而藉由設置易滑層,便可效率佳調整本發明阻氣性積層體重疊時的靜摩擦係數。
易滑層係可例如由活性能量線固化型樹脂組合物的固化物所構成之層。
活性能量線固化型樹脂組合物係含有聚合性化合物,藉由活性能量線的照射便會固化的組合物。
具體係可例如與就底漆層形成用組合物所說明者同樣。
但,因為易滑層的表面最好較粗於底漆層的表面,因而易滑層形成用組合物通常含有平均粒徑較大的微粒子。
微粒子的平均粒徑通常係500nm至5μm、1~3μm為佳。微粒子的平均粒徑係利用雷射繞射/散射法便可測定。
易滑層係可利用與底漆層形成方法同樣的方法形成。
易滑層的厚度通常係1.5μm以下、0.5~1.5μm為佳。
〔長形的阻氣性積層體〕
本發明的長形的阻氣性積層體係可例如具有下述(A)~(D)層構造者,惟並不僅侷限於該等。
(A):基材層/阻氣層
(B):基材層/底漆層/阻氣層
(C):易滑層/基材層/阻氣層
(D):易滑層/基材層/底漆層/阻氣層
構成本發明阻氣性積層體的阻氣層表面之算術平均粗糙度(Ra),係2nm以下、較佳1.8nm以下,且最大截面高度(Rt)係54nm以下、40nm以下為佳。
阻氣層表面過於粗糙的阻氣性積層體,會有阻氣性差的傾向。
阻氣層表面的粗糙度係可利用阻氣層厚度、基材層粗糙度、底漆層厚度等進行調節。具體係藉由使用平滑基材、或使用平滑底層基材,便可調整阻氣層表面的粗糙度。
本發明中,各層的算術平均粗糙度(Ra)、最大截面高度(Rt),係使用光干擾顯微鏡,針對500μm×500μm區域進行觀察便可求得。
阻氣層以外的最外層表面之算術平均粗糙度(Ra)
係4.0nm以上且91nm以下、4.2nm以上且50nm以下為佳,且最大截面高度(Rt)係207nm以上且1005nm以下、300nm以上且800nm以下為佳。
阻氣層以外的最外層表面過於粗糙之阻氣性積層體,會有在呈捲筒狀捲取時、或從捲筒繞出時造成阻氣層表面遭刮傷,並有造成阻氣層之阻氣性降低的可能性。
如上述層構造所示,阻氣層以外的最外層係若具有易滑層的阻氣性積層體便為易滑層,若未具有易滑層的阻氣性積層體便為基材層。
準備2片本發明阻氣性積層體使用為試驗片,依該等其中一積層體的阻氣層、與另一積層體的阻氣層以外之最外層呈相對向方式,使上述2片阻氣性積層體重疊時,靜摩擦係數係0.80以下、0.5~0.8為佳。
藉由該靜摩擦係數在0.8以下,當本發明長形的阻氣性積層體呈捲筒狀捲取時、或從捲筒繞出時,不易發生黏瘩、空氣嚙入等問題。
靜摩擦係數係可根據JIS K7125:1999測定。
本發明阻氣性積層體的厚度並無特別的限定,係5~100μm為佳、更佳係10~50μm、又更佳係20~40μm。
本發明阻氣性積層體在溫度40℃、相對濕度90%下的水蒸氣穿透率,係0.1g/(m2‧day)以下為佳、更佳係0.05g/(m2.day)以下、又更佳係0.03g/(m2‧day)以下、特佳係0.01g/(m2‧day)以下。下限值並無特別的限定,越小越好,通常係0.001g/(m2‧day)以上。
水蒸氣穿透率係利用實施例所記載方法便可測定
因為本發明的阻氣性積層體具有優異的阻氣性,因而頗適用為電子裝置用零件。
電子裝置係可例如:液晶顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、電子紙、太陽電池等。
本發明長形的阻氣性積層體的製造方法並無特別的限定。
例如在長形基材層用樹脂薄膜上,視需要利用上述方法形成底漆層後,再利用上述方法形成阻氣層,便可製得本發明長形的阻氣性積層體。又,形成阻氣層後,視需要可在長形基材層用樹脂薄膜上,形成易滑層。
形成底漆層時,可在基材層用樹脂薄膜上直接塗佈底漆層形成溶液,亦可在平滑底層基材上塗佈底漆層形成溶液,再於該塗膜上重疊基材層用樹脂薄膜後,使塗膜固化而形成底漆層。
根據該等方法,可效率佳製造本發明長形的阻氣性積層體。
[實施例]
以下,舉實施例針對本發明進行更詳細說明。惟,本發明並不僅侷限於以下實施例。
各例中的「份」及「%」在無特別聲明前提下,係質量基準。
(阻氣性積層體的各層厚度測定)
實施例及比較例所獲得阻氣性積層體的各層厚度,係使用觸針式梯度計(AMBIOS TECNOLOGY公司製、XP-1)測定。
〔製造例1〕底漆層形成溶液(A)之製備
將二季戊四醇六丙烯酸酯(新中村化學公司製、商品名:A-DPH)70份、及三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(新中村化學公司製、商品名:A-DCP)30份,溶解於甲基異丁酮100份中之後,添加光聚合起始劑(BASF公司製、商品名:Irgacurel 27)3份,而製備得底漆層形成溶液(A)(固形份比20%)。
〔製造例2〕底漆層形成溶液(B)之製備
將二季戊四醇六丙烯酸酯(新中村化學公司製、商品名:A-DPH)70份、及三環癸烷二甲醇二丙烯酸酯(新中村化學公司製、商品名:A-DCP)30份,溶解於甲基異丁酮100份中之後,添加光聚合起始劑(BASF公司製、商品名:Irgacurel 27)3份、及二氧化矽填料(粒徑10~15nm、日產化學公司製、商品名:MIBK-ST)50份,而製備得底漆層形成溶液(B)(固形份比20%)。
〔製造例3〕易滑層形成溶液(A)之製備
將三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(新中村化學公司製、商品名:A-TMPT)100份溶解於甲基異丁酮100份中之後,添加光聚合起始劑(BASF公司製、商品名:Irgacure)3份、以及聚甲基丙烯酸甲酯填料(平均粒徑1.5μm、積水化學公司製、商品名:Techpolymer XX-27LA)0.1份,而製備得易滑層形成溶液(A)(固形份比20%)。
〔製造例4〕易滑層形成溶液(B)之製備
將三羥甲基丙烷三丙烯酸酯(新中村化學公司製、商品名:A-TMPT)100份溶解於甲基異丁酮100份中之後,添加光聚合起始劑(BASF公司製、商品名:Irgacure)3份、及聚矽氧
填料(平均粒徑3μm、Momentive公司製、商品名:Tospearl 130)0.1份,而製備得易滑層形成溶液(B)(固形份比20%)。
〔實施例1〕
在基材之長形聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(東洋紡公司製、COSMOSHINE PET50-4300、厚度50μm、以下亦稱「PET薄膜(A)」)上,利用棒塗法塗佈上述底漆層形成溶液(A),再將所獲得塗膜依70℃施行1分鐘加熱乾燥後,使用UV光照射線施行UV光照射(高壓水銀燈、線速度20m/分、積分光通量100mJ/cm2、尖峰強度1.466W),形成厚度1μm的底漆層(1)。在底漆層(1)上塗佈全氫聚矽氮烷(AZ Electronic公司製、商品名AZNL110A-20),形成厚度150nm的全氫聚矽氮烷層。然後,使用電漿離子植入裝置,將氬施行電漿離子植入於全氫聚矽氮烷層的表面中。
再者,在基材有形成全氫聚矽氮烷層之面的背後面上,利用棒塗法塗佈上述易滑層形成溶液(A),所獲得塗膜依70℃施行1分鐘加熱乾燥後,使用UV光照射線施行UV光照射(高壓水銀燈、線速度20m/分、積分光通量100mJ/cm2、尖峰強度1.466W),形成厚度1μm的易滑層,獲得阻氣性積層體(1)。
所使用的電漿離子植入裝置及電漿離子植入條件,係如下:
(電漿離子植入裝置)
RF電源:型號「RF」56000、日本電子公司製
高電壓脈衝電源:「PV-3-HSHV-0835」、栗田製作所公司製
(電漿離子植入條件)
‧電漿生成氣體:Ar
‧氣體流量:100sccm
‧Duty比:0.5%
‧重複頻率:1000Hz
‧施加電壓:-10kV
‧RF電源:頻率13.56MHz、施加電力1000W
‧腔內壓:0.2Pa
‧脈衝寬:5μsec
‧處理時間(離子植入時間):5分鐘
‧搬送速度:0.2m/分
〔實施例2〕
在平滑底層基材的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(東洋紡公司製、COSMOSHINE PET50A4100、厚度50μm、以下亦稱「製程用PET薄膜」)的非易接著面上,利用棒塗法塗佈上述底漆層形成用溶液(A),所獲得塗膜依70℃施行1分鐘加熱乾燥後,在該塗膜上壓合長形的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱樹脂公司製、PET38 Lumirror R-56、厚度38μm、以下亦稱「PET薄膜B」)。針對所獲得積層體,使用輸送帶型UV光照射裝置(Fusion公司製、「F600V」、UV燈:高壓水銀燈、線速度:20m/分、積分光通量:100mJ/cm2、照度1.466W、燈高度:104mm),施行UV光照射,經使上述塗膜固化而形成厚度0.75μm的底漆層(2)。剝離除去底層基材,在露出的底漆層(2)上依照與實施例1同樣地設置全氫聚矽氮烷層後,施行電漿離
子植入,獲得阻氣性積層體(2)。
〔實施例3〕
在實施例1中,除將底漆層形成溶液(A)變更為底漆層形成溶液(B),且將易滑層形成溶液(A)變更為易滑層形成溶液(B),形成厚度2.5μm的易滑層之外,其餘均依照與實施例1同樣地獲得阻氣性積層體(3)。
〔比較例1〕
在實施例3中,除將易滑層的厚度變更為1.8μm之外,其餘均依照與實施例3同樣地獲得阻氣性積層體(4)。
〔比較例2〕
在實施例1中,除將PET薄膜(A)變更為PET薄膜(C)(帝人公司製、特多龍HB、厚度25μm),且未設置易滑層之外,其餘均依照與實施例1同樣地獲得阻氣性積層體(5)。
〔比較例3〕
在比較例2中,除將PET薄膜(B)變更為PET薄膜(D)(三菱樹脂公司製、DIAFOIL T-100、厚度25μm)之外,其餘均依照與比較例2同樣地獲得阻氣性積層體(6)。
針對實施例及比較例所獲得阻氣性積層體,施行以下的測定。
(表面粗糙度之測定)
使用光干擾式顯微鏡(Veeco公司、NT8000),測定:阻氣性積層體的阻氣層表面之算術平均粗糙度(Ra)、及粗糙度曲線之最大截面高度(Rt),以及另一最外層表面的算術平均粗糙度(Ra)及粗糙度曲線之最大截面高度(Rt)。
(靜摩擦係數之測定)
準備2片阻氣性積層體,將其依阻氣層、與基材層(或易滑層)呈相對向方式重疊,根據JIS K-7125:1999測定靜摩擦係數。
(水蒸氣穿透率之測定)
阻氣性積層體的水蒸氣穿透率係使用水蒸氣穿透度測定裝置(mocon公司製、PERMATRAN)測定。
測定係針對剛製造後的阻氣性積層體,以及先呈捲筒狀捲取然後再繞出者實施。
阻氣性積層體的阻障特性係針對捲取前的阻氣性積層體,將水蒸氣穿透度的值未滿0.01g/(m2‧day)者評為「○」,將達0.01g/(m2‧day)以上者評為「×」。
(捲取適性A:有無發生黏瘩、皺折)
在阻氣性積層體呈捲筒狀捲取時,將沒有發生黏瘩、皺折者評為「○」,將有發生者評為「×」。呈捲筒狀捲取時,使用外徑3吋的ABS(丙烯酸-丁二烯-苯乙烯)樹脂芯,施行300m捲取。
(捲取適性B:阻障層有無劣化)
針對水蒸氣穿透率的測定結果,經捲取處理後的阻氣性積層體之水蒸氣穿透率,相較於捲取處理前的阻氣性積層體之水蒸氣穿透率下,將沒有變化者評為「○」,將有增加者評為「×」。
由第1表得知以下事項。
實施例1~3的阻氣性積層體(1)~(3)係最外層的表面粗糙度適度,阻氣性優異,且捲取適性亦優異。
另一方面,比較例1的阻氣性積層體(4),因為易滑層的表面過於粗糙,因而在捲取與繞出時會造成阻氣層遭刮傷、阻氣性降低。
比較例2、3的阻氣性積層體(5)、(6)係阻障層的表面粗糙,阻氣性差。
再者,比較例2的阻氣性積層體(5),因為基材層的平滑性過高,結果導致靜摩擦係數提高,當阻氣性積層體進行捲取時,會發生黏瘩、皺折。
Claims (2)
- 一種長形的阻氣性積層體,至少具有基材層與阻氣層,其中一最外層係上述阻氣層,其特徵在於:上述阻氣層表面的算術平均粗糙度(Ra)係2nm以下、最大截面高度(Rt)係54nm以下;上述阻氣層以外的最外層表面之算術平均粗糙度(Ra)係4.0nm以上且91nm以下、最大截面高度(Rt)係207nm以上且1005nm以下;準備2片阻氣性積層體當作試驗片,依該等中其中一積層體的阻氣層、與另一積層體的阻氣層以外之最外層呈相對向方式,使上述2片阻氣性積層體重疊時,靜摩擦係數係0.80以下。
- 如申請專利範圍第1項之長形的阻氣性積層體,其中,上述阻氣層的厚度係50nm以上且1μm以下。
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