TWI667140B - Gas barrier laminated body, member for electronic device, and electronic device - Google Patents

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Abstract

本發明係一種氣體阻障性積層體、由該氣體阻障性積層體所構成之電子裝置用構件、及具備該電子裝置用構件之電子裝置，其中該氣體阻障性積層體係將基材、氣體阻障層及光學調整層依照此順序層積而成，且前述氣體阻障層與光學調整層為鄰接之氣體阻障性積層體，其特徵在於：前述氣體阻障層的折射率為1.55~1.81，前述光學調整層的折射率為1.20~1.60，而且在JIS Z 8729-1994所規定的CIE L*a*b*表色系之b*值為-1.00~1.00的範圍。依照本發明，能夠提供一種具有優異的氣體阻障性及無色透明性之氣體阻障性積層體、由該氣體阻障性積層體所構成之電子裝置用構件、及具備該電子裝置用構件之電子裝置。

Description

氣體阻障性積層體、電子裝置用構件及電子裝置
本發明係有關於一種具有優異的氣體阻障性及無色透明性之氣體阻障性積層體、及由該氣體阻障性積層體所構成電子裝置用構件、以及具備該電子裝置用構件之電子裝置。
近年來，液晶顯示器、電致發光(electroluminescence，EL)顯示器等的顯示器，為了實現薄型化、輕量化、可撓性化等，係使用在透明塑膠薄膜上層積無機化合物層(氣體阻障層)而成之所謂氣體阻障膜來代替玻璃板。
例如，專利文獻1係記載一種透明氣體阻障積層膜，其係在由塑膠薄膜所構成之基材的一面或兩面，藉由乾式塗佈法而設置SiOx的x之值為1.8以上的高氧化度氧化矽層及在該高氧化度氧化矽層上設置SiOx的x值為1.0~1.6的低氧化度氧化矽層，而且在該低氧化度氧化矽層面，使用由氧、氮、氬、或氦的一種、或2種以上所構成之氣體施行電漿處理之後，在該低氧化度氧化矽層的電漿處理面層積聚合物層而成。
又，專利文獻2係記載一種透明氣體阻障基板，其係在透明樹脂基板的一面或兩面，將氧氮化矽層及氮化矽層依照此順序層積而成。
先前技術文獻 專利文獻
[專利文獻1]日本特開2004-351832號公報
[專利文獻2]日本特開2007-062305號公報
如上述，以往多數建議具有無機化合物層之氣體阻障膜作為氣體阻障層。
但是，因為此種氣體阻障層，係通常具有高折射率，所以與鄰接的其他層之折射率差變大，短波長的光線在該等層的界面反射，而有氣體阻障膜呈現黃色之問題。
本發明係鑒於此種實際情況而進行。其目的係提供一種氣體阻障性積層體、由該氣體阻障性積層體所構成之電子裝置用構件、以及具備該電子裝置用構件之電子裝置，其中該氣體阻障性積層體係具有優異的氣體阻障性及無色透明性。
為了解決前述課題，本發明者等構想出在基材及氣體阻障層層積光學調整層而成之氣體阻障性積層體，且針對該氣體阻障性積層體深入研究。其結果，發現一種氣體阻障性積層體，係具有優異的無色透明性及氣體阻障性，而完成了本發明，其中該氣體阻障性積層體，係氣體阻障層與光學調整層為鄰接而形成，前述氣體阻障層及光學調整層係具有特定折射率之層；而且在CIE L*a*b*表色系之b*值為特定範圍。
如此，依照本發明，係提供下述(1)~(8)的氣體阻障性積層體、(9)的電子裝置用構件、及(10)的電子裝置。
(1)一種氣體阻障性積層體，係將基材、氣體阻障層及光學調整層依照此順序層積而成，且前述氣體阻障層與光學調整層為鄰接之氣體阻障性積層體，其特徵在於：前述氣體阻障層的折射率為1.55~1.81，前述光學調整層的折射率為1.20~1.60，而且在JIS Z 8729-1994所規定的CIE L*a*b*表色系之b*值為-1.00~1.00的範圍。
(2)如(1)所述之氣體阻障性積層體，其中前述氣體阻障層係含有選自由無機氧化物、無機氮氧化物、無機碳氧化物、及無機氮氧碳化物所組成群組之至少一種。
(3)如(1)所述之氣體阻障性積層體，其中前述氣體阻障層，係將含有聚矽氮烷化合物之層改質處理而得到之層。
(4)如(1)所述之氣體阻障性積層體，其中前述氣體阻障層的厚度，係從10nm至10μm。
(5)如(1)所述之氣體阻障性積層體，其中前述光學調整層係由硬化性組成物的硬化物所構成者。
(6)如(5)所述之氣體阻障性積層體，其中前述硬化性組成物係含有硬化性成分及填充劑者。
(7)如(1)所述之氣體阻障性積層體，其中前述光學調整層的厚度為5~2500nm。
(8)如(1)所述之氣體阻障性積層體，其中前述光學調整層的光學膜厚(T)係滿足下述式(1)或(2)者，[數1] 121.43x-100≦T≦115.43x-37.33 (1) 760≦T≦2000 (2)
(x係表示1~6的整數)。
(9)一種電子裝置用構件，係由如前述(1)所述之氣體阻障性積層體所構成。
(10)一種電子裝置，係具備如前述(9)所述之電子裝置用構件。
依照本發明，能夠提供一種具有優異的氣體阻障性及無色透明性之氣體阻障性積層體、由該氣體阻障性積層體所構成之電子裝置用構件、及具備該電子裝置用構件之電子裝置。
1‧‧‧範圍1
2‧‧‧範圍2
3‧‧‧範圍3
4‧‧‧範圍4
5‧‧‧範圍5
6‧‧‧範圍6
第1圖係表示光學膜厚與b*的關係之圖。
第2圖係表示較佳光學膜厚的範圍之圖。
用以實施發明之形態
以下，分項成為1)氣體阻障性積層體、以及2)電子裝置用構件及電子裝置而詳細地說明本發明。
1)氣體阻障性積層體
本發明的氣體阻障性積層體，係將基材、氣體阻障層及光學調整層依照此順序層積而成，且前述氣體阻障層與光學調整層為鄰接之氣體阻障性積層體，其特徵在於：前述氣體阻障層 的折射率為1.55~1.81，前述光學調整層的折射率為1.20~1.60，而且在JIS Z 8729-1994所規定的CIE L*a*b*表色系之b*值為-1.00~1.00的範圍。
(1)基材
構成本發明的氣體阻障性積層體之基材，係只要能夠負載氣體阻障層及光學調整層且透明者，就沒有特別限定。
所謂透明基材，係指使光線通過而能夠將本發明的氣體阻障性積層體使用作為光學薄膜的程度之基材。基材在380~780nm之光線透過率，係以80%以上為佳，以85%以上為較佳。
基材的厚度係沒有特別限定，配合氣體阻障性積層體之目的而決定即可。基材的厚度係通常為0.5~500μm。較佳為1~100μm。
作為基材，通常係使用樹脂薄膜。
作為樹脂薄膜的樹脂成分，可舉出聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚(polyphenylene ether)、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合物等。
該等之中，因為具有優異的透明性且具有泛用性，以聚酯、聚醯胺、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚或環烯烴系聚合物為較佳，以聚酯或環烯烴系聚合物為更佳。
作為聚酯，可舉出聚對苯二甲酸乙二酯/聚對酞酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚對苯二甲酸丁二酯/聚對 酞酸丁二酯(polybutylene terephthalate)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)、聚芳香酯(polyarylate)等。
作為聚醯胺，可舉出全芳香族聚醯胺、耐綸6、耐綸66、耐綸共聚物等。
作為環烯烴系聚合物，可舉出降莰烯(norbornene)系聚合物、單環的環狀烯烴系聚合物、環狀共軛二烯系聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物、及該等的氫化物。作為其具體例，可舉出APEL(三井化學公司製的乙烯-環烯烴共聚物)、ARTON(JSR公司製的降莰烯系聚合物)、ZEONOR(日本ZEON公司製的降莰烯系聚合物)等。
在不妨礙本發明的效果之範圍，樹脂薄膜亦可含有各種添加劑。作為添加劑，可舉出紫外線吸收劑、抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、潤滑劑、著色顏料等。該等添加劑的含量，係配合目的而適當地決定即可。
樹脂薄膜係能夠藉由調製含有樹脂成分及依照需要的各種添加劑之樹脂組成物，且將其成形為薄膜狀而得到。成形方法係沒有特別限定，能夠利用鑄塑法、熔融擠製法等習知的方法。
(2)氣體阻障層
構成本發明的氣體阻障性積層體之氣體阻障層，係具有抑制氧和水蒸氣等氣體透過的特性(氣體阻障性)之層。
作為氣體阻障層，可舉出無機氧化物、無機氮氧化物、無機碳氧化物、無機氮氧碳化物等的無機化合物、及含有金屬之層。作為氣體阻障層，尤其是以含有選自由無機氧化 物、無機氮氧化物、無機碳氧化物、及無機氮氧碳化物所組成群組之至少一種為佳。
作為此種氣體阻障層，可舉出無機蒸鍍膜、及對含有高分子化合物之層(以下，有稱為「高分子層」之情形)施行改質處理而得到者[此時，所謂氣體阻障層，不是只意味著透過離子植入處理等被改質後的區域，而是意味著「含有被改質後的區域之高分子層」]等。
作為無機蒸鍍膜，可舉出無機化合物和金屬的蒸鍍膜。
作為無機化合物的蒸鍍膜之原料，可舉出氧化矽、氧化鋁、氧化鎂、氧化鋅、氧化銦、氧化錫等的無機氧化物；氮化矽、氮化鋁、氮化鈦等的無機氮化物；無機碳化物；無機硫化物；氮氧化矽等的無機氮氧化物；無機碳氧化物；無機碳氮化物；無機氮氧碳化物等。
作為金屬的蒸鍍膜之原料，可舉出鋁、鎂、鋅、及錫等。
該等係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
該等之中，從氣體阻障性的觀點而言，係以將無機氧化物、無機氮化物或金屬作為原料之無機蒸鍍膜為佳，而且，從透明性的觀點而言，係以將無機氧化物或無機氮化物作為原料之無機蒸鍍膜為佳。
作為形成無機蒸鍍膜之方法，可舉出真空蒸鍍法、濺鍍法、離子噴鍍法等的PVD(物理氣相沉積)法、熱CVD(化學氣相沉積)法、電漿CVD法、光CVD法等的CVD法。
無機蒸鍍膜的厚度，係依照所使用的無機化合物 而不同。從氣體阻障性及操作性的觀點而言，係以10~2000nm為佳，較佳為20~1000nm，較佳為30~500nm，更佳為40~200nm的範圍。
在對高分子層施行改質處理而得到的氣體阻障層，作為所使用的高分子化合物，可舉出含矽的高分子化合物、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯醚、聚醚酮、聚醚醚酮、聚烯烴、聚酯、聚碳酸酯、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳香酯(polyarylate)、丙烯酸系樹脂、環烯烴系聚合物、芳香族系聚合物等。
該等高分子化合物，係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
該等之中，因為能夠得到具有更優異的氣體阻障性之氣體阻障層，作為高分子化合物，係以含矽的高分子化合物為佳。作為含矽的高分子化合物，可舉出聚矽氮烷系化合物、聚碳矽烷系化合物、聚矽烷系化合物、及聚有機矽氧烷系化合物等。因為能夠形成即便較薄亦具有優異的氣體阻障性之氣體阻障層，尤其是以聚矽氮烷系化合物為佳。藉由對含有聚矽氮烷系化合物之層施行改質處理，能夠形成具有以氧、氮、矽作為主構成原子之層(氧氮化矽層)。
聚矽氮烷系化合物，係在分子內具有含有-Si-N-鍵(矽氮烷鍵)的重複單元之高分子化合物。具體而言係具有以式(1)[化1]
表示的重複單元之化合物為佳。又，所使用的聚矽氮烷系化合物之數量平均分子量係沒有特別限定，以100~50,000為佳。
前述式(1)中，n係表示任意的自然數。Rx、Ry、Rz係各自獨立且表示氫原子、未取代或是具有取代基之烷基、未取代或是具有取代基之環烷基、未取代或是具有取代基之烯基、未取代或是具有取代基之芳基或烷基矽烷基等的非水解性基。
作為前述未取代或是具有取代基的烷基之烷基，例如，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基、正庚基、正辛基等碳數1~10的烷基。
作為未取代或是具有取代基的環烷基之環烷基，可舉出環丁基、環戊基、環己基、環庚基等碳數3~10的環烷基。
作為未取代或是具有取代基的烯基之烯基，例如，可舉出乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基等碳數2~10的烯基。
作為前述烷基、環烷基及烯基的取代基，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基 苯基、4-氯苯基等的未取代或是具有取代基之芳基等。
作為未取代或是具有取代基的芳基之芳基，例如，可舉出苯基、1-萘基、2-萘基等碳數6~10的芳基。
作為前述芳基的取代基，可舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等的鹵素原子；甲基、乙基等的碳數1~6的烷基；甲氧基、乙氧基等碳數1~6的烷氧基；硝基；氰基；羥基；硫醇基；環氧基；環氧丙氧基；(甲基)丙烯醯氧基；苯基、4-甲基苯基、4-氯苯基等未取代或是具有取代基之芳基等。
作為烷基矽烷基，可舉出三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三異丙基矽烷基、三第三丁基矽烷基、甲基二乙基矽烷基、二甲基矽烷基、二乙基矽烷基、甲基矽烷基、乙基矽烷基等。
該等之中，作為Rx、Ry、Rz，係以氫原子、碳數1~6的烷基、或苯基為佳，以氫原子為特佳。
作為以前述式(1)表示之具有重複單元的聚矽氮烷系化合物，係Rx、Ry、Rz的全部為氫原子之無機聚矽氮烷、及Rx、Ry、Rz的至少1個不是氫原子之有機聚矽氮烷之任一者均可以。
又，在本發明，亦能夠使用聚矽氮烷改性物作為聚矽氮烷系化合物。作為聚矽氮烷改性物，例如，可舉出在特開昭62-195024號公報、特開平2-84437號公報、特開昭63-81122號公報、特開平1-138108號公報等、特開平2-175726號公報、特開平5-238827號公報、特開平5-238827號公報、特開平6-122852號公報、特開平6-306329號公報、特開平 6-299118號公報、特開平9-31333號公報、特開平5-345826號公報、特開平4-63833號公報等所記載者。
該等之中，作為聚矽氮烷系化合物，從取得容易性、及能夠形成具有優異的氣體阻障性之離子植入層的觀點而言，係以Rx、Ry、Rz全部為氫原子之全氫聚矽氮烷為佳。
又，作為聚矽氮烷系化合物，亦能夠使用市售作為玻璃塗佈材之市售品等。
聚矽氮烷系化合物係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
高分子層，係除了上述的高分子化合物以外，在不阻礙本發明的目的之範圍亦可含有其他成分。作為其他成分，可舉出硬化劑、抗老化劑、光安定劑、阻燃劑等。
高分子層中的高分子化合物之含量，因為能夠得到具有更優異的氣體阻障性之氣體阻障層，以50質量%以上為佳，以70質量%以上為較佳。
高分子層的厚度係沒有特別限制，通常為從20nm至10μm，以30~500nm為佳，較佳為40~400nm。
在本發明，即便高分子層的厚度為奈米等級，亦能夠得到具有充分的氣體阻障性之氣體阻障膜。
形成高分子層之方法係沒有特別限定。例如，能夠藉由調製含有高分子化合物的至少一種、依照需要的其他成分、及溶劑等之高分子層形成用溶液，其次，將該高分子層形成用溶液，使用習知的方法進行塗佈且將所得到的塗膜乾燥，而形成高分子層。
作為在高分子層形成用溶液所使用的溶劑，可舉出苯、甲苯等的芳香族烴系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等的酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等的酮系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷等的脂肪族烴系溶劑；環戊烷、環己烷等的脂環式烴系溶劑等。
該等溶劑係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
作為高分子層形成用溶液的塗佈方法，可舉出棒塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬法、輥塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、空氧刮刀塗佈、輥筒刮刀塗佈、模塗佈、網版印刷法、噴霧塗佈、凹版轉印法等。
作為將所形成的塗膜乾燥之方法，能夠採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等先前習知的乾燥方法。加熱溫度係通常為60~130℃的範圍。加熱時間係通常從數秒至數十分鐘。
作為高分子層的改質處理，可舉出離子植入處理、電漿處理、紫外線照射處理、熱處理等。
離子植入處理，係如後述之將離子植入高分子層而將高分子層改質之方法。
電漿處理，係將高分子層暴露電漿中而將高分子層改質之方法。例如能夠依照在特開2012-106421號公報所記載之方法而進行電漿處理。
紫外線照射處理，係對高分子層照射紫外線而將高分子層改質之方法。例如，能夠依照在特開2013-226757號公報所記載之方法而進行紫外線改質處理。
該等之中，因為不會使高分子層的表面粗糙且效率良好地改質至其內部為止，而能夠形成具有更優異的氣體阻障性之氣體阻障層，以離子植入處理為佳。
作為植入至高分子層之離子，可舉出氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子；氟碳、氫、氮、氧、二氧化碳、氯、氟、硫等的離子；甲烷、乙烷等的烷系氣體類的離子；乙烯、丙烯等烯系氣體類的離子；戊二烯、丁二烯等二烯烴系氣體類的離子；乙炔等炔系氣體類的離子；苯、甲苯等芳香族烴系氣體類的離子；環丙烷等環烷系氣體類的離子；環戊烯等環烯系氣體類的離子；金屬的離子；有機矽化合物的離子等。
該等離子係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
該等之中，因為能夠更簡便地植入離子，且能夠形成具有更優異的氣體阻障性之氣體阻障層，以氬、氦、氖、氪、氙等稀有氣體的離子為佳。
離子的植入量，係能夠配合積層體的使用目的(必要的氣體阻障性、透明性等)等而適當地決定。
作為植入離子之方法，可舉出照射被電場加速後的離子(離子射束)之方法、將電漿中的離子植入之方法等。因為在本發明能夠簡便地得到目標阻障層，尤其是以後者之植入電漿離子之方法為佳。
電漿離子植入，係例如能夠藉由在含有稀有氣體等的電漿生成氣體之環境下使電漿產生，對高分子層施加負的高電壓脈衝，而將該電漿中的離子(陽離子)植入高分子層的表面部來進行。
藉由離子植入，離子所植入的區域之厚度係能夠藉由離子種類、施加電壓、處理時間等的植入條件來控制，按照高分子層的厚度、積層體的使用目的等而決定即可，通常為10~400nm。
氣體阻障層的厚度，通常為10nm至10μm，以10~2000nm為佳，以20~1000nm為較佳。
氣體阻障層的折射率為1.55~1.81，較佳為1.60~1.67。氣體阻障層的折射率小於1.55時，因為不容易發生氣體阻障性積層體呈現黃色之問題，所以缺乏利用本發明之必要性。氣體阻障層的折射率大於1.81時，變得不容易得到b*為1.00以下的氣體阻障性積層體。
又，氣體阻障層的折射率，係上述範圍即可，以大於後述的光學調整層之折射率為佳。氣體阻障層的折射率與光學調整層的折射率為此種關係時，能夠容易地得到b*為1.00以下的氣體阻障性積層體。
在本發明，所謂折射率，係指在23℃所測定之波長為590nm的光線之折射率。
(3)光學調整層
構成本發明的氣體阻障性積層體之光學調整層，係調節氣體阻障性積層體的色相之層。
因為氣體阻障層係通常具有高折射率，所以與鄰接的其他層之折射率差變大且短波長的光線容易在該等層的界面產生反射。因此，先前的氣體阻障性積層體係有呈現黃色之傾向。
本發明的氣體阻障性積層體，係因為具有鄰接氣體阻障層 之光學調整層，所以能夠抑制呈現黃色且具有優異的無色透明性。
作為光學調整層，只要具有後述的特性，其構成成分和形成方法就沒有特別限制，能夠使用習知者。作為光學調整層的材料，可舉出硬化性組成物的硬化物、聚酯系樹脂、聚胺酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氯乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯基丁縮醛系樹脂、硝基纖維素系樹脂氟系樹脂等的樹脂類；無機氧化物、無機氮氧化物、無機碳氧化物、及無機氮氧碳化物等的無機物等。
尤其是以硬化性組成物的硬化物、聚酯系樹脂、聚胺酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、氯乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯基丁縮醛系樹脂、硝基纖維素系樹脂氟系樹脂等的樹脂類為佳，以由硬化性組成物的硬化物所構成之層為更佳。光學調整層係由硬化性組成物的硬化物所構成之層時，除了調節氣體阻障性積層體的色相之功能以外，能夠對氣體阻障性積層體進一步賦予耐擦傷性。
前述硬化性組成物，係含有硬化性成分之化合物，且能夠藉由照射活性能量線和加熱而硬化之組成物。
在能夠藉由照射活性能量線而硬化之組成物，作為硬化性成分，可舉出聚合性預聚合物和聚合性單體。
作為聚合性預聚合物，可舉出藉由在兩末端具有羥基之聚酯寡聚物與(甲基)丙烯酸反應而得到之聚酯丙烯酸酯預聚合物、藉由低分子量的雙酚型環氧樹脂和酚醛清漆型環氧樹脂與(甲基)丙烯酸反應而得到之環氧丙烯酸酯預聚合物、藉由聚胺 酯寡聚物與(甲基)丙烯酸反應而得到之胺甲酸酯丙烯酸酯預聚合物、藉由聚醚多元醇與(甲基)丙烯酸反應而得到之多元醇丙烯酸酯系預聚合物等。
作為聚合性單體，可舉出1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、羥基三甲基乙酸酸新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊基二(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二環戊烯二(甲基)丙烯酸酯、環氧乙烷改性磷酸二(甲基)丙烯酸酯、烯丙基化環己基二(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸酯二(甲基)丙烯酸酯等的2官能(甲基)丙烯酸酯；三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、丙酸改性二新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、新戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烷改性三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、參(丙烯醯氧基乙基)異三聚氰酸酯等的3官能(甲基)丙烯酸酯；丙酸改性二新戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、己內酯改性二新戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等4官能以上的(甲基)丙烯酸酯；乙二醇二乙烯醚、新戊四醇二乙烯醚、1,6-己二醇二乙烯醚、三羥甲基丙烷二乙烯醚、環氧乙烷改性氫醌二乙烯醚、環氧乙烷改性雙酚A二乙烯醚、新戊四醇三乙烯醚、二新戊四醇六乙烯醚、雙三羥甲基丙烷聚乙烯基醚等的乙烯系化合物等，但是未必被該等限定。
該等聚合性化合物係能夠單獨一種、或組合二種以上而使用。
在此，(甲基)丙烯醯基之記載，其意思係包含丙烯醯基及 甲基丙烯醯基之雙方。
又，在前述硬化性組成物中，亦可含有其本身不具有反應硬化性的高分子樹脂成分，例如丙烯酸樹脂。藉由添加高分子樹脂成分，能夠調整該組成物的黏度。
作為活性能量線，可舉出紫外線、電子束、α射線、β射線、γ射線等。該等之中，因為能夠使用比較簡便的裝置而使其產生，作為活性能量線，係以紫外線為佳。
使用紫外線作為活性能量線時，硬化型樹脂組成物係以含有光聚合起始劑為佳。
光聚合起始劑，係只要藉由照射紫外線而使聚合反應開始者，就沒有特別限定。作為光聚合起始劑，可舉出苯偶姻(benzoin)、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻-正丁醚、苯偶姻異丁醚等的苯偶姻系聚合起始劑；苯乙酮、4’-二甲基胺基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮等的苯乙酮系聚合起始劑；二苯基酮、4-苯基二苯基酮、4,4’-二乙胺基二苯基酮、4,4’-二環二苯基酮等的二苯基酮系聚合起始劑；2-甲基蒽醌(anthraquinone)、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽醌等的蒽醌系聚合起始劑；2-甲基噻吨酮(methylthioxanthone)、2-乙基噻吨酮、2-氯噻吨酮、2,4-二甲基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮等的噻吨酮(thioxanthone)系聚合起始劑等。
光聚合起始劑，係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。光聚合起始劑的含量係沒有特別限定，通常係相對於前述硬化性成分，為0.2~30質量%，較佳為0.5~20質量%。
作為能夠藉由加熱而硬化之組成物，可舉出含有上述聚合性預聚合物和聚合性單體且而且含有熱聚合起始劑作為硬化性成分之組成物；及含有水解縮合性化合物作為硬化性成分之組成物等。
熱聚合起始劑，係只要藉由加熱而產生自由基且使聚合反應開始者，就沒有特別限定。作為熱聚合起始劑，可舉出過氧化氫；過氧二硫酸銨、過氧二硫酸鈉、過氧二硫酸鉀等的過氧二硫酸鹽；2,2’-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、4,4’-偶氮雙(4-氰基戊酸)、2,2’-偶氮雙異丁腈、2,2’-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)等的偶氮系化合物；過氧化苯甲醯、過氧化月桂醯、過乙酸、過琥珀酸、過氧化二-第三丁基、第三丁基過氧化氫、異丙苯過氧化氫等的有機過氧化物等。
熱聚合起始劑，係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。熱聚合起始劑的含量係沒有特別限定，通常係相對於前述硬化性成分，為0.2~30質量%，較佳為0.5~20質量%。
作為水解縮合性化合物，可舉出具有水解性有機基之矽烷化合物、其寡聚物(oligomer)。
作為具有水解性基之矽烷化合物，可舉出四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷、四-正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四-正丁氧基矽烷、四異苯氧基矽烷、四-第二丁氧基矽烷、四-第三丁氧基矽烷等的四烷氧基矽烷；氫化三甲氧基矽烷、氫化三乙氧 基矽烷、氫化三丙氧基矽烷等的氫化三烷氧基矽烷等。
該等矽烷化合物，係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。又，亦可與該等矽烷化合物同時併用烷基三烷氧基矽烷。
硬化性組成物，係除了硬化性成分以外，以含有填充劑為佳。藉由含有填充劑，能夠效率良好地控制光學調整層的折射率。
作為填充劑，可舉出氧化矽粒子、金屬氧化物粒子、聚合物粒子、矽酸烷酯(alkylsilicate)粒子等。
作為氧化矽粒子，可舉出膠態氧化矽、中空氧化矽、反應性氧化矽填料等。
作為金屬氧化物粒子，可舉出氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鉭、氧化銦、氧化鉿、氧化錫、氧化鈮等的粒子。
作為聚合物粒子，可舉出聚(五溴苯基甲基丙烯酸酯)、聚(五溴苯基丙烯酸酯)、聚(2,4,6-三溴苯基甲基丙烯酸酯)、聚(1-萘基甲基丙烯酸酯)、聚(2,6-二氯苯乙烯)、聚(2-氯苯乙烯)等由含有鹵素原子和芳香族基的聚合物所構成之粒子。
作為矽酸烷酯粒子，可舉出以式：Ra-O[-{Si(ORb)2}-O-]n-Ra(式中，Ra及Rb係表示碳數1~10的烷基，n係表示1以上的整數)表示之矽酸烷酯的粒子。
該等之中，因為與硬化性成分的相溶性優異且能夠效率良好地控制光學調整層的折射率，以氧化矽粒子或矽酸烷酯粒子為佳。
填充劑係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
填充劑為粒狀物時，其平均粒徑係以2~1500nm為佳
硬化性組成物係含有填充劑時，其含量係相對於硬化性組成物的固體成分總量，以5~60質量%為佳，較佳為10~50質量%。
硬化性組成物係在不妨礙本發明的效果之範圍，亦可含有其他成分。
作為其他成分，可舉出調平(leveling)劑、抗靜電劑、安定劑、抗氧化劑、可塑劑、潤滑劑等。該等的含量係配合目的而適當地決定即可。
形成光學調整層之方法係沒有特別限定。例如能夠藉由調製含有硬化性組成物及根據需要的溶劑之塗佈液，其次，將該塗佈液使用習知的方法塗佈在氣體阻障層上且使所得到的塗膜硬化，來形成光學調整層。又，亦可根據需要在使塗膜硬化之前施行乾燥處理。
作為調製塗佈液所使用的溶劑，可舉出苯、甲苯等的芳香族烴系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等的酯系溶劑；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等的酮系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷等的脂肪族烴系溶劑；環戊烷。環己烷等的脂環式烴系溶劑等。
該等溶劑係能夠單獨1種、或組合2種以上而使用。
作為塗佈方法，可舉出棒塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬法、輥塗佈、凹版塗佈、刮刀塗佈、空氧刮刀塗佈、輥筒刮刀塗佈、模塗佈、網版印刷法、噴霧塗佈、凹版轉印法等。
使塗膜乾燥時，作為其乾燥方法，能夠採用熱風乾燥、熱輥乾燥、紅外線照射等先前習知的乾燥方法。乾燥溫 度係通常為60~130℃的範圍。乾燥時間係通常為數秒至數十分鐘。
塗膜的硬化係能夠配合所使用的硬化性組成物，藉由照射活性能量線、或加熱而進行。
例如，照射紫外線時，作為紫外線源，能夠使用超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、碳弧(carbon arc)、黑光燈、金屬鹵素燈等的光源。紫外線的劑量係沒有特別限制，通常100mJ/cm2~1,000mJ/cm2。照射時間係通常數秒~數小時，照射溫度係通常為室溫~100℃
光學調整層的厚度係通常為5~2500nm，較佳為10~2000nm。
光學調整層的折射率為1.20~1.60，較佳為1.35~1.55。
光學調整層的光學膜厚係通常為5~2000nm，較佳為10~1500nm。光學膜厚係將光學調整層的折射率設為n，將厚度設為d時，以n×d(=nd)表示之值。
藉由將光學調整層的光學膜厚在上述範圍內適當地調節，能夠得到具有優異的無色透明性之氣體阻障性積層體。通常，已知b*係相對於光學調整層的光學膜厚之變化，而周期性地產生變化。本發明者等發現光學調整層的光學膜厚T係滿足特定的關係式時，能夠效率良好地得到b*值為-1.00~1.00的氣體阻障性積層體。
將基材及氣體阻障層的種類及該等的膜厚為一定值時之光學調整層的光學膜厚與氣體阻障性積層體的b*之關係，顯示在第1圖。
第1圖(a)的橫軸係採用光學調整層的光學膜厚，縱軸係採用氣體阻障性積層體的b*。光學調整層的光學膜厚小於760nm時，氣體阻障性積層體的b*係隨著光學調整層的光學膜厚増加，而顯示重複減少與増加之周期性變化。另一方面、得知光學調整層的光學膜厚為760nm以上時，氣體阻障性積層體的b*係落入-1~1之間，氣體阻障性積層體的b*係幾乎不依存於光學調整層的光學膜厚。
在第1圖(b)，係顯示第1圖(a)中的光學膜厚為0~約900nm的範圍之擴大圖。從第1圖(b)，在顯示周期性變化之範圍(光學調整層的光學膜厚小於760nm)，氣體阻障性積層體的b*成為-1~1之光學膜厚的範圍係如以下。範圍1：30~100nm、範圍2：120~170nm、範圍3：280~310nm、範圍4：380~410nm、範圍5：520~550nm、範圍6：620~660nm。
其次，各自標繪範圍1~6的最大值及最小值，且將各自表示最大值及最小值的近似直線之圖表顯示在第2圖。橫軸係採用範圍的號碼，縱軸係採用光學調整層的光學膜厚。
從第2圖，得知在各自範圍之最大值的近似直線成為y=115.43x-37.3，最小值的近似直線成為y=121.43x-100。(x為1~6的整數，y為光學調整層的光學膜厚)。
從以上的情形，在範圍1~6的各自範圍，只要光學膜厚T係在上述最大值的近似曲線與上述最小值的近似曲線之間的範圍，就能夠效率良好地得到b*值為-1.00~1.00的氣體阻障性積層體。
亦即，藉由將光學整調層，以其光學膜厚T(nm) 為滿足以下述式(1)或(2)[數2]121.43x-100≦T≦115.43x-37.33 (1) 760≦T≦2000 (2)
(x係表示1~6的整數)之方式設置，能夠效率良好地得到b*值為-1.00~1.00的氣體阻障性積層體。
(4)氣體阻障性積層體
本發明的氣體阻障性積層體係將基材、氣體阻障層及光學調整層依照此順序層積而成，且前述氣體阻障層與光學調整層為鄰接之氣體阻障性積層體，其特徵在於：前述氣體阻障層的折射率為1.55~1.81，前述光學調整層的折射率為1.20~1.60，而且在JIS Z 8729-1994所規定的CIE L*a*b*表色系之b*值為-1.00~1.00的範圍。
藉由將具有上述折射率之氣體阻障層及光學調整層適當地組合而使用，利用在光學調整層的表面反射後的反射光、和在光學調整層與氣體阻障層的界面反射後的反射光之干涉現象，能夠效率良好地抑制氣體阻障性積層體呈現黃色。
本發明的氣體阻障性積層體之氣體阻障層和光學調整層，係可以各自具有1層，亦可以各自具有2層以上。
本發明的氣體阻障性積層體，亦可具有基材、氣體阻障層、光學調整層以外之層。
作為基材、氣體阻障層、光學調整層以外之層，可舉出用以使與基材的層間黏著性提升之底漆(primer)層、導電體層、 衝擊吸收層、黏著劑層、硬塗層、製程薄片等。又，製程薄片係在將積層體保存、搬運等之時，具有保護積層體之作用且在使用積層體時係被剝離。
作為本發明的氣體阻障性積層體的層構成之例子，能夠舉出如以下之物，但是不被該等限定。
(i)光學調整層/氣體阻障層/基材
(ii)光學調整層/氣體阻障層/基材/硬塗層
(iii)光學調整層/氣體阻障層/光學調整層/氣體阻障層/基材
(iv)光學調整層/氣體阻障層/底漆層/基材
(v)光學調整層/氣體阻障層/底漆層/基材/硬塗層
本發明的氣體阻障性積層體，係例如能夠使用以下的方法來製造。
在基材上，使用在前面已說明的方法形成氣體阻障層。其次，藉由在所得到的氣體阻障層上，使用在前面已說明的方法形成光學調整層，而能夠得到具有光學調整層/氣體阻障層/基材的層構成之氣體阻障性積層體。
藉由同樣地進行且設置適當必要的步驟，而能夠得到具有前述(ii)~(v)的層構成之氣體阻障性積層體等。
本發明的氣體阻障性積層體的厚度，係沒有特別限定，以1~1000μm為佳，較佳為10~500μm，更佳為50~100μm。
本發明的氣體阻障性積層體之在溫度40℃、相對濕度90%之水蒸氣透過率，係以0.1g/(m2．day)以下為佳，較佳 為0.05g/(m2．day)以下，更佳為0.03g/(m2．day)以下。下限值係沒有特別限定，越小越佳，但是通常為0.001g/(m2．day)以上。
水蒸氣透過率係能夠使用在實施例所記載之方法來測定。
本發明的氣體阻障性積層體係在JIS Z 8729-1994所規定的CIE L*a*b*表色系之b*值，以-1.00~1.00為佳，較佳為-0.80~0.80。b*值係表示將顏色數值化後之呈現黃色及呈現藍色的程度。b*值為正值時係表示呈現黃色，負值時係表示呈現藍色。藉由b*值為上述範圍，該氣體阻障性積層體係呈現更靠近黃色與藍色的中間之色相。b*值係能夠藉由按照所形成的氣體阻障層之折射率，設置適當的光學膜厚之光學調整層來控制。
又，本發明的氣體阻障性積層體係在JIS Z 8729-1994所規定的CIE L*a*b*表色系之a*值，以-1.00~1.00為佳，較佳為-0.80~0.80。a*值係表示將顏色數值化後之呈現紅色及呈現綠色的程度。a*值為正值時係表示呈現紅色，負值時係表示呈現綠色。藉由a*值為上述範圍，該氣體阻障性積層體係呈現更靠近紅色與綠色的中間之色相。此種氣體阻障性積層體係能夠適合使用作為具有發光元件之電子裝置用構件。
a*值係能夠藉由適當地選擇所使用的樹脂和其他成分來控制。
在JIS Z 8729-1994所規定的CIE L*a*b*表色系之b*值和a*值，係能夠使用在實施例所記載的方法來測定。
因為具有該等特性，所以本發明的氣體阻障性積層體係能夠適合使用作為電子裝置用構件。
2)電子裝置用構件及電子裝置
本發明的電子裝置用構件，其特徵在於由本發明的氣體阻障性積層體所構成。因而，因為本發明的電子裝置用構件係具有優異的氣體阻障性，所以能夠防止因水蒸氣等的氣體所致之元件產生劣化。又，因為具有優異的無色透明性，所以適合作為液晶顯示器、EL顯示器等的顯示器構件等。
本發明的電子裝置係具備本發明的電子裝置用構件。作為具體例，可舉出液晶顯示器、有機EL顯示器、無機EL顯示器、電子紙、太陽電池等。
因為本發明的電子裝置係具備由本發明的氣體阻障性積層體所構成之電子裝置用構件，所以具有優異的氣體阻障性。
[實施例]
以下，舉出實施例而更詳細地說明本發明。但是本發明係完全不被以下的實施例限定。
各例中的份及%係只要未特別告知，就是質量基準。
(化合物)
將在各例所使用的化合物和材料顯示在以下。
．基材(1)：聚對酞酸乙二酯薄膜(東洋紡織公司製、商品名：COSMOSHINE A4100、厚度50μm)
．聚矽氮烷化合物系塗佈劑(1)：(CLARIANT JAPAN公司製、商品名：Aquamika NL110-20、固體成分20%)
．硬化性成分(1)：胺甲酸酯丙烯酸酯寡聚物(荒川工業股份公司製、商品名：Beamset 575VCB)
．硬化性成分(2)：UV硬化型硬塗劑(大日精化工業公司 製、商品名：SEIKABEAM EXF-01L(NS))
．調平劑(1)：丙烯酸系共聚物(BYK-Chemie Japan公司製、商品名：BYK 355)
．填充劑(1)：中空狀氧化矽微粒子(日揮觸媒化成公司製、商品名：Thrulya4320)
．填充劑(2)：氧化鋯(日產化學工業公司製、商品名：Nano Youth OZ-S 30K)
．光聚合起始劑(1)：(BASF公司製、商品名：IRGACURE907)
．光學調整層形成材料(2)：UV硬化型硬塗劑(含有聚合性成分、作為填充劑之氧化矽微粒子、及光聚合起始劑之硬化性組成物、JSR公司製、商品名：Opstar Z 7530、硬化物的折射率：1.49)
．光學調整層形成材料(3)：矽氧烷系熱硬化型樹脂(COLCOAT公司製、商品名：COLCOAT P。硬化物的折射率：1.43)
(氣體阻障層及光學調整層的厚度的測定)
在實施例及比較例所得到的氣體阻障性積層體之氣體阻障層及光學調整層的厚度，係使用觸針式段差計(AMBIOS TECNOLOGY公司製、XP-1)而測定。
(氣體阻障層及光學調整層的折射率之測定)
在實施例及比較例所得到的氣體阻障性積層體之氣體阻障層及光學調整層的折射率，係使用橢圓偏光計(ellipsometer)(J.A.Woollam Japan公司製、商品名：分光 Ellipsometry-2000U)而測定。
[製造例1]
將硬化性成分(1)10份、調平劑(1)0.01份、填充劑(1)49份、光聚合起始劑(1)0.1份、甲基異丁基酮1250份、環己酮1250份均勻地混合，而得到光學調整層形成材料(1)。光學調整層形成材料(1)的硬化物之折射率為1.37。
[製造例2]
將硬化性成分(2)10份、調平劑(1)0.01份、填充劑(2)133份、光聚合起始劑(1)0.3份、甲基異丁基酮1440份、環己酮1440份均勻地混合，而得到光學調整層形成材料(4)。光學調整層形成材料(4)的硬化物之折射率為1.61。
[實施例1]
使用旋轉塗佈法在基材(1)上塗佈聚矽氮烷化合物系塗佈劑(1)，將所得到的塗膜在120℃加熱2分鐘而形成厚度150nm之含有全氫聚矽氮烷之聚矽氮烷層。其次，使用電漿離子植入裝置而在聚矽氮烷層的表面，在下述的條件下將氬(Ar)電漿離子植入而形成氣體阻障層(折射率：1.62、厚度150nm)。
在氣體阻障層上，將在製造例1所得到的光學調整層形成材料(1)使用棒塗佈法塗佈且將所得到的塗膜在70℃乾燥1分鐘之後，使用UV光照射生產線而進行UV光照射(高壓水銀燈；生產線速度、20m/分鐘；累計劑量、100mJ/cm2；尖峰強度、1.466W；通過次數、2次)，來形成光學調整層(膜厚：20nm、光學膜厚：28nm)而得到氣體阻障性積層體1。
用以形成氣體阻障層所使用的電漿離子植入裝置 及離子植入條件係如以下。
(電漿離子植入裝置)
RF電源：日本電子公司製、型號「RF」56000
高電壓脈衝電源：栗田製作所公司製、「PV-3-HSHV-0835」
(電漿離子植入條件)
處理室-內壓：0.2Pa
電漿生成氣體：氬
氣體流量：100sccm
RF輸出功率：1000W
RF頻率：1000Hz
RF脈衝幅度：50μsec
RF delay：25μsec
DC電壓：-6kV
DC頻率：1000Hz
DC脈衝幅度：5μsec
DC delay：50μsec
Duty比：0.5
處理時間：200sec
[實施例2]
除了使用光學調整層形成材料(2)代替在實施例1中的光學調整層形成材料(1)而形成光學調整層(膜厚：50nm、光學膜厚：75nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體2。
[實施例3]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為90nm(光學膜厚：124nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體3。
[實施例4]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為120nm(光學膜厚：165nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體4。
[實施例5]
除了藉由塗佈光學調整層形成材料(3)代替在實施例1中的光學調整層形成材料(1)，將所得到的塗膜在100℃加熱1分鐘而使其硬化，來形成光學調整層(膜厚：200nm、光學膜厚：286nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法而得到氣體阻障性積層體5。
[實施例6]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為220nm(光學膜厚：302nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體6。
[實施例7]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為280nm(光學膜厚：385nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體7。
[實施例8]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為295nm(光學膜厚：405nm)以外，係使用與實施例1同樣的方 法，來得到氣體阻障性積層體8。
[實施例9]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為380nm(光學膜厚：522nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體9。
[實施例10]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為390nm(光學膜厚：536nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體10。
[實施例11]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為460nm(光學膜厚：632nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體11。
[實施例12]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為475nm(光學膜厚：652nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體12。
[實施例13]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為555nm(光學膜厚：762nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體13。
[比較例1]
將實施例1的氣體阻障性積層體1之製造中間體[由基材(1)與氣體阻障層所構成之薄膜]設作比較例1的氣體阻障性積層 體14。
[比較例2]
除了將在實施例5中的光學調整層的膜厚變更成為70nm(光學膜厚：100nm)以外，係使用與實施例5同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體15。
[比較例3]
除了將在實施例2中的光學調整層的膜厚變更成為150nm(光學膜厚：224nm)以外，係使用與實施例2同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體16。
[比較例4]
除了將在實施例1中的光學調整層的膜厚變更成為270nm(光學膜厚：371nm)以外，係使用與實施例1同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體17。
[比較例5]
除了將在實施例2中的光學調整層的膜厚變更成為300nm(光學膜厚：448nm)以外，係使用與實施例2同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體18。
[比較例6]
除了將在實施例2中的光學調整層的膜厚變更成為400nm(光學膜厚：597nm)以外，係使用與實施例2同樣的方法，來得到氣體阻障性積層體19。
[比較例7]
除了將在實施例5中的光學調整層的膜厚變更成為505nm(光學膜厚：723nm)以外，係使用與實施例5同樣的方 法，來得到氣體阻障性積層體20。
[比較例8]
除了將在實施例4中形成氣體阻障層時的DC電壓變更成為-9kV且形成折射率為1.82的氣體阻障層以外，係使用與實施例4同樣的方法，來得到阻障性積層體21。
[比較例9]
除了使用光學調整層形成材料(4)代替在實施例5中的光學調整層形成材料(3)而形成光學調整層(膜厚：178nm、光學膜厚：286nm)以外，係使用與實施例5同樣的方法，來得到阻障性積層體22。
[參考例1]
係除了將在比較例1中的聚矽氮烷化合物系塗佈劑(1)的塗膜之加熱條件變更成為在120℃加熱30分鐘且形成折射率為1.54的氣體阻障層以外，係使用與比較例1同樣的方法來得到氣體阻障性積層體23。
針對氣體阻障性積層體1~23，進行以下的測定。
(水蒸氣透過率測定)
使用水蒸氣透過率測定裝置(mocon公司製、PERMATRAN-W3/33)，測定在溫度40℃、相對濕度90%之氣體阻障性積層體1~20的水蒸氣透過率。
將測定結果顯示在第1表。
(色相評價)
依據JIS Z 8729-1994且使用分光光度計(島津製作所公司製、UV-3600)，測定氣體阻障性積層體1~23之依照CIE L*a*b* 表色系所規定的色彩值b*。
將測定結果顯示在第1表。
從第1表，得知以下的情形。實施例1~13的氣體阻障性積層體1~13係具有優異的氣體阻障性且能夠抑制呈現黃色。
另一方面，比較例1~9的氣體阻障性積層體14~22之色彩值b*為小於-1或大於+1且呈現黃色或藍色。
因為參考例1的氣體阻障性積層體23之氣體阻障層的折射率係較低而為1.54，即便未設置光學調整層亦能夠抑制呈現黃色。
另一方面，比較例8的氣體阻障性積層體21之氣體阻障層的折射率係相當高而為1.82，即便設置光學調整層，亦難以使b*成為1.00以下。
又，因為比較例9的氣體阻障性積層體22之光學調整層的折射率太高，所以不能夠充分地執行作為光學調整層之功能。

Claims (11)

  1. 一種氣體阻障性積層體，係至少包括將基材、氣體阻障層及光學調整層依照此順序層積而成，且前述氣體阻障層與光學調整層為鄰接之氣體阻障性積層體，其特徵在於：前述氣體阻障層的折射率為1.55~1.81，前述光學調整層的折射率為1.20~1.60，而且前述氣體阻障層積層體在JIS Z 8729-1994所規定的CIE L*a*b*表色系之b*值為-1.00~1.00的範圍。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之氣體阻障性積層體，其中前述氣體阻障層係含有選自由無機氧化物、無機氮氧化物、無機碳氧化物、及無機氮氧碳化物所組成群組之至少一種。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之氣體阻障性積層體，其中前述氣體阻障層，係將含有聚矽氮烷化合物之層改質處理而得到之層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之氣體阻障性積層體，其中前述氣體阻障層的厚度，係從10nm至10μm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之氣體阻障性積層體，其中前述光學調整層係由硬化性組成物的硬化物所構成者。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之氣體阻障性積層體，其中前述硬化性組成物係含有硬化性成分及填充劑者。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之氣體阻障性積層體，其中前述光學調整層的厚度為5~2500nm。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之氣體阻障性積層體，其中前述光學調整層的光學膜厚(T)(nm)係滿足下述式(1)者，[數3]121.43x-100≦T≦115.43x-37.33 (1)(x係表示1~6的整數)。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之氣體阻障性積層體，其中前述光學調整層的光學膜厚(T)(nm)係滿足下述式(2)者，760≦T≦2000 (2)。
  10. 一種電子裝置用構件，係由如申請專利範圍第1項所述之氣體阻障性積層體所構成。
  11. 一種電子裝置，係具備如申請專利範圍第10項所述之電子裝置用構件。
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