TW201825935A - 偏光板及偏光板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

偏光板，包含偏光件及形成於前述偏光件之至少一表面之保護膜層。前述保護膜層係由揮發成分含量為0.03重量%以下之保護樹脂形成。前述保護膜層之厚度d滿足式（1）： 0.01 μm ≦ d ≦ 0.5 μm　　（1）。

Description

偏光板及偏光板之製造方法
本發明係關於一種偏光板及偏光板之製造方法。
已知以往製造薄偏光件之方法，係將含聚乙烯醇系樹脂之溶液塗布於基材上而形成前述聚乙烯醇系樹脂之層體，之後於聚乙烯醇系樹脂實施指定處理（專利文獻1：日本專利公開第2011-128486號公報）。於此方法中，通常於獲得偏光件之後剝離塗布基材。然而，於剝離塗布基材之際，與塗布基材接觸之偏光子之表面（以下，有時適當稱為「剝離面」）有時會變得粗糙。如此表面粗糙之偏光件有耐久性下降之傾向，且有於施予熱衝擊之情況中易於破損的傾向。因此，為了改善此偏光件之因表面粗糙所致之耐久性下降，於專利文獻2（日本專利公開第2015-161782號公報）中已有於偏光件之剝離面形成保護層之提案。而且，關於偏光件，亦已知記載於專利文獻3（日本專利公開第2016-122025號公報）及專利文獻4（國際專利公開第2016/052538號）之技術。
然而，由於以往的保護層為厚，故偏光板有易於變厚的傾向。
本發明係有鑑於前述問題點而完成者，其目的在於提供一種對於熱衝擊具有優異耐受性且能薄化厚度之偏光板及其製造方法。
本發明人為了解決前述問題點而專心致志進行研究之結果，藉由利用樹脂薄膜之層間剝離（delamination）而於偏光件上設置保護膜層，而發現可實現對於熱衝擊具有優異耐受性之薄偏光板，進而完成本發明。
亦即，本發明包含以下內容。
［1］一種偏光板，包括偏光件及形成於前述偏光件之至少一表面之保護膜層。 前述保護膜層係由揮發成分含量為0.03重量%以下之保護樹脂形成。 前述保護膜層之厚度d滿足下列式（1）： 0.01 μm ≦ d ≦ 0.5 μm　　（1）。
［2］一種偏光板，包括偏光件、形成於前述偏光件之第一面之第一保護膜層及形成於前述偏光板之第二面之第二保護膜層。 前述第一保護膜層及前述第二保護膜層係由揮發成分含量為0.03重量%以下之保護樹脂形成。 前述第一保護膜層之厚度d1 及前述第二保護膜層之厚度d2 滿足下列式（2）： 0.02 μm ≦ d1 + d2 ≦ 1.0 μm　　（2）。
［3］如［1］或［2］所述之偏光板，其中前述偏光件之厚度為15 μm以下。
［4］如［1］～［3］之任一項所述之偏光板，其中前述保護樹脂含有經過配向之聚合物。
［5］如［1］～［4］之任一項所述之偏光板，具備接合層作為前述偏光板之最外層，所述接合層係由黏合劑或熱熔（hotmelt）材料形成。
［6］如［1］～［5］之任一項所述之偏光板，其中前述偏光件係由聚乙烯醇系樹脂形成。
［7］如［1］～［6］之任一項所述之偏光板，其中前述保護樹脂為選自於由環烯烴樹脂；具有含環烴化合物氫化物單元與鏈烴化合物氫化物單元之聚合物樹脂；以及丙烯酸樹脂；而成之群組之至少一種樹脂。
［8］一種偏光板之製造方法，包括： 步驟（A），對樹脂薄膜實施含有以延伸倍率1.1倍以上延伸者之延伸處理； 步驟（B），貼合前述步驟（A）中實施延伸處理之前述樹脂薄膜與偏光件，而獲得中間堆疊體；以及 步驟（C），剝離前述中間堆疊體之前述樹脂薄膜之一部分，且於前述偏光件上設置保護膜層，所述保護膜層包含前述樹脂薄膜之未受到剝離之表層部分且厚度為0.5 μm以下。
［9］如［8］所述之偏光板之製造方法，其中前述樹脂薄膜含有選自於由環烯烴樹脂；具有含環烴基化合物氫化物單元與鏈烴化合物氫化物單元之聚合物樹脂；以及丙烯酸樹脂；而成之群組之至少一種樹脂。
若根據本發明，則可提供對於熱衝擊具有優異耐受性且能薄化厚度之偏光板及其製造方法。
以下將揭示關於本發明之實施型態及例示物以進行詳細說明。然而，本發明並非限定於以下所示之實施型態及例示物，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍中得以任意變更並實施。
於以下說明中，所謂「長條狀」之薄膜，係稱為相對於幅寬具有5倍以上之長度之薄膜，以具有10倍或以上之長度為佳，具體係稱為具有收捲成捲筒狀以儲存或運輸程度之長度之薄膜。長條狀之形狀之長度上限並無特別限制，例如得以為相對於幅寬之10萬倍以下。
於以下說明中，除非另有註明，否則層體之面內延遲（retardation）Re為由Re ＝ (nx−ny)×d表示之數值。於此，nx表示為垂直於層體之厚度方向之方向（面內方向）且賦予最大折射率之方向的折射率。ny表示為層體之前述面內方向且垂直於nx之方向之方向的折射率。d表示層體之厚度。除非另有註明，否則面內延遲之量測波長為590 nm。
於以下說明中，除非另有註明，否則所謂環烴基意謂芳環、環烷烴、環烯烴等含環狀結構之烴基，另外所謂鏈烴化合物意謂不含此環烴基的烴化合物。
於以下說明中，除非另有註明，否則所謂「偏光板」不僅為剛直的組件，亦可包含例如樹脂製之薄膜般之具有可撓性的組件。
於以下說明中，除非另有註明，否則用語「（甲基）丙烯醯基」包含丙烯醯基、甲基丙烯醯基及此些之組合。
［第一實施形態］
圖1係概略表示本發明之作為第一實施型態之偏光板10之剖面圖。如圖1所示，本發明之作為第一實施形態之偏光板10具備偏光件110及至少一層之保護膜層120。
（偏光件）
作為偏光件110，得以使用可令相交成直角之二個直線偏光之其中一者穿透而另一者吸收或反射之薄膜。舉例而言，偏光件110可列舉：於包含樹脂之薄膜以適當之順序及方式實施染色處理、延伸處理、交聯處理等之適當的處理者。雖可列舉專利文獻1～4所記載者作為偏光件110之具體例，但其中以由聚乙烯醇系樹脂形成者為佳。
作為聚乙烯醇系樹脂，得以使用含有聚乙烯醇系聚合物與視需求之添加劑之樹脂。而且，作為聚乙烯醇系聚合物，可列舉例如聚乙烯醇及其衍生物。作為聚乙烯醇之衍生物，可列舉：聚乙烯甲醛（polyvinyl formal）；聚乙烯縮醛（polyvinyl acetal）；將聚乙烯醇以乙烯、丙烯等烯烴、丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等不飽和羧酸、不飽和羧酸之烷基酯、丙烯醯胺等改質而成者。
偏光件110之厚度以3 μm以上為佳，以5 μm以上為較佳，以7 μm以上為更佳，且以15 μm以下為佳，以13 μm以下為較佳，以10 μm以下為更佳。偏光件110之厚度藉由為前述範圍之下限值以上，而可獲得具有充分高度偏光度之偏光板10，藉由為前述範圍之上限值以下，而可有效提升偏光板10之對於彎曲之耐受性。
（保護膜層）
保護膜層120為形成於偏光件110之至少一表面110U之層體。如此之保護膜層120藉由形成於偏光件110之表面110U，由於可令保護膜層120保護偏光件110，而可獲得耐久性優異之偏光板10。此保護膜層120雖可因如圖1所示形成於偏光件110之至少一表面110U而提升偏光板10之耐久性，但由更進一步提升耐久性之觀點而言，以形成於偏光件110之二表面110U及110D者為佳。
保護膜層120之厚度d滿足式（1）。
0.01 μm ≦ d ≦ 0.5 μm　　（1）。
更詳細而言，保護膜層120之一層厚度d通常為0.01 μm以上，以0.012 μm以上為佳，以0.02 μm以上為較佳，且通常為0.5 μm以下，以0.3 μm以下為佳，以0.1 μm以下為較佳。藉由保護膜層120之厚度d為如前所述之薄，因可於施予熱衝擊之情況中縮小產生於保護膜層120之膨脹力，而可有效抑制破損的發生。而且，藉由保護膜層120為薄，而可薄化偏光板10之整體。因此，由於此偏光板10即使彎曲亦通常不發生大量應力，故對於彎曲可展現優異的耐受性。再者，藉由保護膜層120為薄，通常能縮小該保護膜層120之面內延遲。
保護膜層120之厚度d可利用下列方法量測。
使用切片機切斷偏光板10之後，使用穿透式電子顯微鏡（TEM）觀察其剖面。於5個位置量測保護膜層120之厚度方向之尺寸，採用其量測值之平均作為保護膜層120之厚度d。
保護膜層120可如圖1所示，於保護膜層120與偏光件110之間未夾有任意層體，而直接形成於偏光件110之表面110U。另外，保護膜層120亦可經由接合層、黏合層等任意層體（圖未繪示），而間接形成於偏光件110之表面110U。
保護膜層120通常由樹脂形成。於以下說明中，為了與其他樹脂區別，而將形成保護膜層120之樹脂稱為「保護樹脂」。本發明之第一實施形態中，作為保護樹脂，通常使用揮發成分含量為0.03重量%以下之樹脂，揮發成分含量以0.02重量%以下為佳，以0.01重量%以下為較佳。保護膜層120由如前所述之揮發成分含量為少之保護樹脂者，意謂以排除溶劑及殘留單體等揮發成分之製造方法製造此保護膜層120，具體而言，意謂以塗布法以外之方法製造。而且，若以揮發成分含量少之保護樹脂形成保護膜層120，由於可抑制因揮發成分所致之偏光件110之劣化，而可預期延長偏光板10之壽命。
於此，所謂的揮發成分為分子量200以下之物質，例如殘留單體及溶劑等。揮發成分含量係作為分子量200以下之物質的總合，可藉由氣相層析儀（gas chromatography）分析而量測。
保護樹脂通常含有聚合物，且更視需求而得以含有聚合物以外之任意成分。於保護膜層120中，前述之聚合物以經過配向者為佳。一般而言，若某樹脂薄膜所含有之聚合物之分子係經過配向，則此樹脂薄膜之於厚度方向的中間部位有容易發生層間剝離之傾向。是以，於後述第三實施型態之方法中形成保護膜層120之情況中，能容易獲得保護膜層120。
作為如前所述之保護樹脂，以使用熱塑性樹脂者為佳。藉由熔融擠出法而將熱塑性樹脂成形為薄膜狀，而可容易獲得揮發成分量少之保護膜層120。作為如此之保護樹脂，係以選自於由環烯烴樹脂；具有含環烴基化合物氫化物單元與鏈烴化合物氫化物單元之聚合物樹脂；以及丙烯酸樹脂；而成之群組之至少一種樹脂。其中，藉由使用環烯烴樹脂；或具有含環式烴基化合物氫化物單元與鏈狀烴化合物氫化物單元之聚合物樹脂，而可獲得即使很薄亦具有高度水蒸氣阻障性之保護膜層120。
所謂的環烯烴樹脂，表示包含含有脂環結構之聚合物之樹脂。以下，有時將含有脂環結構之聚合物適當稱為「含脂環結構聚合物」。含脂環結構聚合物由於機械強度優異，故可有效提升偏光板10之對於彎曲之耐受性。而且，含脂環結構聚合物由於吸濕性低，故可有效縮小保護膜層120之水蒸氣穿透率，因此可提升偏光板10之耐濕熱性。再者，含脂環結構聚合物通常具有優異的透明性、尺寸穩定性及輕量性。
含脂環結構聚合物係於重複單元中具含脂環結構之聚合物，可列舉例如：藉由使用環烯烴作為單體之聚合反應而得以獲得之聚合物或其氫化物等。而且，作為前述之含脂環結構聚合物，可使用於主鏈中含有脂環結構之聚合物及於側鏈含有脂環結構之聚合物之任一者。作為脂環結構，雖可列舉例如：環烷烴結構、環烯烴結構等，但由熱穩定性等之觀點而言，以環烷烴結構為佳。
一個脂環結構所含有之碳數以4個以上為佳，以5個以上為較佳，以6個以上為更佳，且以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為更佳。藉由一個脂環結構所含有之碳數於上述範圍內，而可取得機械強度、耐熱性及成形性之高度平衡。
含脂環結構聚合物中之具有脂環結構之重複單元之比例，以30重量%以上為佳，以50重量%以上為較佳，以70重量%以上為更佳，尤以90重量%以上為佳。藉由具有脂環結構之重複單元之比例係如前所述之多，而可提升耐熱性。
而且，於含脂環結構聚合物中，具有脂環結構之結構單元以外之剩餘部分並未特別限定，得以視使用目的而適當選擇。
作為如此含脂環結構聚合物之具體例，可列舉：（1）降烯（norbornene）系聚合物、（2）單環的環烯烴聚合物、（3）環狀共軛二烯聚合物、（4）乙烯基脂環烴聚合物及此些之氫化物等。其中，由透明性及成形性之觀點而言，以降烯系聚合物及其氫化物為較佳。
作為降烯系聚合物，可列舉有例如：降烯單體之開環聚合物、降烯單體與能開環共聚之其他單體所形成之開環共聚物及此些之氫化物；降烯單體加成聚合物、降烯單體與能共聚之其他單體所形成之加成共聚物等。其中，由透明性之觀點而言，尤以降烯單體之開環聚合物之氫化物為佳。
上述之含脂環結構聚合物可選自於例如日本專利公開第2002-321302號公報所揭示之聚合物。
作為環烯烴樹脂，由於市售有各式各樣的商品，故得以於其中適當選擇具有期望特性者而使用。作為此市售品之例，可列舉：商品名「ZEONOR」（日本瑞翁股份有限公司製）、「ARTON」（JSR股份有限公司製）、「APEL」（三井化學股份有限公司製）、「TOPAS」（POLYPLASTICS股份有限公司製）之製品群。
所謂具有含環烴基化合物氫化物單元與鏈狀烴化合物氫化物單元之聚合物樹脂，係包含具有含環烴基化合物氫化物單元（a）及鏈烴化合物氫化物單元（b）之聚合物之樹脂所稱者。具有含環烴基化合物氫化物單元（a）及鏈烴化合物氫化物單元（b）之前述聚合物，以下有時適當稱之為「聚合物X」。由於聚合物X係可撓性高且機械強度優異，故可有效提升偏光板10之對於彎曲之耐受性。而且，聚合物X由於吸濕性低，故可有效縮小保護膜層120之水蒸氣穿透率，因此可提升偏光板10之耐濕熱性。再者，聚合物X通常由於延遲之發現性小，而尤其易於縮小保護膜層120之面內延遲。
含環烴基化合物氫化物單元（a）係聚合含環烴基化合物，進一步藉由此聚合而獲得之單元，為具有若有不飽和鍵結則氫化此不飽和鍵結而獲得之結構之結構單元。然而，含環烴基化合物氫化物單元（a）只要具有該結構，則亦包含由任何製造方法所獲得之單元。
含環烴基化合物氫化物單元（a）以聚合芳香族乙烯基化合物為佳，為具有氫化其不飽和鍵結而獲得之結構之芳香族乙烯基化合物氫化物單元（a）。然而，芳香族乙烯基化合物氫化物單元（a）只要具有該結構，則亦包含由任何製造方法所獲得之單元。
與前述相同，於本申請中，例如聚合苯乙烯（styrene），而有時將具有氫化其不飽和鍵結而獲得之結構之結構單元稱呼為苯乙烯氫化物單元。苯乙烯氫化物單元亦只要具有該結構，則亦包含由任何製造方法所獲得之單元。
作為芳香族乙烯基化合物氫化物單元（a）之例，可列舉由以下結構式（a1）所表示之結構單元。
（a1）
於結構式（a1）中，Rc 表示脂環烴基。舉例而言，Rc 可列舉：環己基等環己基類；十氫化萘基（decahydro naphthyl）類等。
結構式（a1）中，R1 、R2 及R3 係各自獨立表示氫原子、鏈烴基、鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基、矽基或以極性基取代之鏈烴基。而且，作為極性基，可列舉例如：鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基或矽基。其中，由耐熱性、低多折射性及機械強度等之觀點而言，以氫原子及碳數1～6個之鏈烴基作為R1 、R2 及R3 者為佳。作為鏈烴基，以飽和烴基為佳，以烷基為較佳。
作為芳香族乙烯基化合物氫化物單元（a）之具體例，以列舉由以下式（a1-1）所表示之結構單元為佳。由式（a1-1）所表示之結構單元為苯乙烯氫化物單元。
（a1-1）
含環烴基化合物氫化物單元（a）之例示物中具有立體異構物者，亦可使用其任一之立體異構物。含環烴基化合物氫化物單元（a）可僅使用一種，亦可用任意比例組合二種以上使用。
鏈烴化合物氫化物單元（b）係聚合鏈烴化合物，進一步藉由此聚合而獲得之單元，為具有若有不飽和鍵結則氫化此不飽和鍵結而獲得之結構之結構單元。然而，鏈烴化合物氫化物單元（b）只要具有該結構，則亦包含由任何製造方法所獲得之單元。
鏈烴化合物氫化物單元（b）以聚合二烯化合物為佳，為具有其所獲得之聚合物為具有若有不飽和鍵結則氫化此不飽和鍵結而獲得之結構之二烯化合物氫化物單元（b）。然而，二烯化合物氫化物單元（b）只要具有該結構，則亦包含由任何製造方法所獲得之單元。
與前述相同，於本申請中，例如聚合異戊二烯（isoprene），而有時將具有氫化其不飽和鍵結而獲得之結構之結構單元稱呼為異戊二烯氫化物單元。異戊二烯氫化物單元亦只要具有該結構，則亦包含由任何製造方法所獲得之單元。
二烯化合物氫化物單元（b）以聚合直鏈共軛二烯化合物等共軛二烯化合物且具有氫化其不飽和鍵結而獲得之結構者為佳。作為其例，可列舉由以下結構式（b1）所表示之結構單元，及由以下結構式（b2）所表示之結構單元。
（b1）
於結構式（b1）中，R4 ～R9 係各自獨立表示氫原子、鏈烴基、鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基、矽基或以極性基取代之鏈狀烴基。而且，作為極性基，可列舉例如：鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基或矽基。其中，由耐熱性、低多折射性及機械強度等之觀點而言，以氫原子及碳數1～6個之鏈烴基作為R4 ～R9 者為佳。作為鏈烴基，以飽和烴基為佳，以烷基為較佳。
（b2）
於結構式（b2）中，R10 ～R15 係各自獨立表示氫原子、鏈烴基、鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基、矽基或以極性基取代之鏈烴基。而且，作為極性基，可列舉例如：鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基或矽基。其中，由耐熱性、低多折射性及機械強度等之觀點而言，以氫原子及碳數1～6個之鏈烴基作為R10 ～R15 者為佳。作為鏈烴基，以飽和烴基為佳，以烷基為較佳。
作為二烯化合物氫化物單元（b）之具體例，以列舉由以下式（b1-1）～（b1-3）所表示之結構單元為佳。由式（b1-1）～（b1-3）所表示之結構單元為異戊二烯氫化物單元。
（b1-1）（b1-2）（b1-3）
鏈烴化合物氫化物單元（b）之例示物中具有立體異構物者，亦可使用其任一之立體異構物。鏈烴化合物氫化物單元（b）可僅使用一種，亦可用任意比例組合二種以上使用。
由令保護膜層120之特性落入較佳範圍之觀點而言，聚合物X以嵌段共聚物為佳。是以，聚合物X以具有含有含環烴基化合物氫化物單元（a）之嵌段A或含有鏈烴化合物氫化物單元（b）之嵌段B者為佳。聚合物X尤以具有含有含環烴基化合物氫化物單元（a）之嵌段A及含有鏈烴化合物氫化物單元（b）之嵌段B者為佳。
嵌段A雖以僅包含含環烴基化合物氫化物單元（a）者為佳，但得以含有含環烴基化合物氫化物單元（a）以外之任意單元。作為任意結構單元之例，可列舉：含環烴基化合物氫化物單元（a）以外之基於乙烯基化合物之結構單元。於嵌段A中之含環烴基化合物氫化物單元（a）之含有率以90重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以99重量%以上為更佳。藉由於嵌段A中之含環烴基化合物氫化物單元（a）之含有率為如前述之多，而可提升保護膜層120之硬度及耐熱性。
嵌段B雖可僅包含鏈烴化合物氫化物單元（b），但以組合於鏈烴化合物氫化物單元（b）而含有含環烴基化合物氫化物單元（a）者為佳。於嵌段B中之鏈烴化合物氫化物單元（b）之含有率以30重量%以上為佳，以35重量%以上為較佳，以40重量%以上為更佳，且以70重量%以下為佳，以65重量%以下為較佳。而且，於嵌段B中之含環烴基化合物氫化物單元（a）之含有率以30重量%以上為佳，以35重量%以上為較佳，以40重量%以上為更佳，且以70重量%以下為佳，以65重量%以下為較佳。藉此可提升保護膜層120之硬度及耐熱性。而且，嵌段B亦可含有含環式烴基化合物氫化物單元（a）及鏈狀烴化合物氫化物單元（b）以外之任意單元。作為任意結構單元之例，可列舉：含環式烴基化合物氫化物單元（a）及鏈狀烴化合物氫化物單元（b）以外之基於乙烯基化合物之結構單元。
於聚合物X中之嵌段A及嵌段B之數量及配置係為任意。然而，聚合物X以具有每一個分子一個嵌段B及連結於其二端之每一個分子二個嵌段A之三嵌段分子結構者為佳。亦即，聚合物X以三嵌段共聚物為佳，所述三嵌段共聚物包含每一個分子一個嵌段B；連結於嵌段B之一端之每一個分子一個嵌段A1；及連結於嵌段B之另一端之每一個分子一個嵌段A2。此時，嵌段A1與嵌段A2可相同，亦可相異。
於聚合物X中，嵌段A與嵌段B之重量比（A/B）以落入指定範圍為佳。具體而言，重量比（A/B）以20/80以上為佳，以25/75以上為較佳，以30/70以上為更佳，且以80/20以下為佳，以75/25以下為較佳，以70/30以下為更佳。嵌段A與嵌段B之重量比（A/B）為前述範圍之聚合物X之光彈性係數為小，且延遲之發現性為小。因此，可容易獲得面內延遲小的保護膜層120。
聚合物X之製造方法並未特別受到限定，而得以採用任意製造方法。例如藉由準備對應於含環烴基化合物氫化物單元（a）及鏈烴化合物氫化物單元（b）之單體，令此些材料聚合，氫化所獲得之聚合物，而得以製造聚合物X。
作為對應於含環烴基化合物氫化物單元（a）之單體，得以使用芳香族乙烯基化合物。作為其例，可列舉苯乙烯、α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-丙基苯乙烯、α-異丙基苯乙烯、α-三級丁基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、4-三級丁基苯乙烯、5-三級丁基-2-甲基苯乙烯、單氯苯乙烯、二氯苯乙烯、單氟苯乙烯及4-苯基苯乙烯等苯乙烯類；乙烯基環己烷及3-甲基異丙烯基環己烷等乙烯基環己烷類；以及4-乙烯基環己烯、4-異丙烯基環己烯、1-甲基-4-乙烯基環己烯、1-甲基-4-異丙烯基環己烯、2-甲基-4-乙烯基環己烯及2-甲基-4-異丙烯基環己烯等乙烯基環己烯。此些單體可單獨使用一種，亦可用任意比例組合二種以上使用。
作為對應於鏈烴化合物氫化物單元（b）之例，可列舉：丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯及1,3-己二烯等鏈共軛二烯。此些單體可單獨使用一種，亦可用任意比例組合二種以上使用。
作為聚合的反應樣式，通常得以採用陰離子聚合。而且，聚合亦可用塊狀聚合、溶液聚合等之任一者進行。其中，為了連續進行聚合反應及氫化反應，而以溶液聚合為佳。
作為聚合之反應溶劑之例，可列舉：正丁烷、正戊烷、異戊烷、正己烷、正庚烷及異辛烷等脂族烴溶劑；環戊烷、環己烷、甲基環戊烷、甲基環己烷及十氫萘（decalin）等脂環烴溶劑；以及苯及甲苯等芳香族烴溶劑。其中若使用脂族烴溶劑及脂環烴溶劑，亦可就此使用作為氫化反應中之非活性溶劑而為佳。
反應溶劑可單獨使用一種，亦可用任意比例組合二種以上使用。
反應溶劑通常可用相對於總單體100重量份成為200～10,000重量份之比例使用。
聚合之際，通常使用聚合起始劑。作為聚合起始劑之例，可列舉：正丁基鋰、二級丁基鋰、三級丁基鋰、己基鋰及苯基鋰及等單有機鋰；以及二鋰甲烷、1,4-二鋰丁烷及1,4-二鋰-2-乙基環己烷等多官能性有機鋰化合物。聚合起始劑可單獨使用一種，亦可用任意比例組合二種以上使用。
作為聚合物X，可列舉包含下述第一步驟～第三步驟之製造方法，作為製造含有嵌段A1、嵌段A2及嵌段B之三嵌段共聚物之情況之製造方法之例。於此，稱為「單體組成物」之材料不僅包含二種以上物質之混合物，亦包含由單一物質所形成之材料。
第一步驟：令含有芳香族乙烯基化合物之單體組成物（a1）聚合而形成嵌段A之步驟。
第二步驟：於此嵌段A之一端，令含有二烯化合物之單體組成物（b）聚合而形成嵌段B，進而形成A-B之二嵌段聚合物之步驟。
第三步驟：於此二嵌端聚合物之嵌段B側之末端，令含有芳香族乙烯基化合物之單體組成物（a2）聚合而獲得三嵌段共聚物之步驟。然而，單體組成物（a1）與單體組成物（a2）可相同亦可相異。
於分別聚合各自嵌段之際，於各個嵌段內，為了抑制某一成分之接鏈過長而得以使用聚合促進劑及隨機發生劑（randomizer）。例如於藉由陰離子聚合而進行聚合之情況中，得以使用路易斯鹼（Lewis base）化合物作為隨機發生劑。作為路易斯鹼化合物之具體例，可列舉：二甲醚、二乙醚、二異丙醚、二丁醚、四氫呋喃、二苯醚、乙二醇二乙醚及乙二醇甲基苯基醚等醚化合物；四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺及吡啶等三級胺化合物；鉀-三級戊基氧化物及鉀-三級丁基氧化物等鹼金屬醇鹽化合物；以及三苯基膦等膦（phosphine）化合物。此些材料可單獨使用一種，亦可用任意比例組合二種以上使用。
聚合溫度只要可進行聚合則並無限制，通常為0℃以上，以20℃以上為佳，且通常為200℃以下，以100℃以下為佳，以80℃以下為較佳。
聚合後，若有需要則得以藉由任意方法自反應混合物回收聚合物。作為回收方法之例，可列舉：蒸汽汽提（steam stripping）法、直接去溶劑法及醇凝固法。而且，於聚合時使用於氫化反應非活性的溶劑作為反應溶劑之情況中，可不自聚合溶液回收聚合物，而可直接提供至氫化步驟。
聚合物之氫化方法並無特別限制，而得以採用任意方法。舉例而言，氫化得以使用適當的氫化觸媒而進行。更具體而言，於有機溶劑中，得以使用含有選自於由鎳、鈷、鐵、銠、鈀、鉑、釕及錸而成之群組之至少一金屬之氫化觸媒而進行氫化。氫化觸媒可使用非均一系觸媒，亦可使用均一系觸媒。氫化觸媒可單獨使用一種，亦可用任意比例組合二種以上使用。
非均一系觸媒可直接使用金屬或金屬化合物，亦可由適當的載體承載而使用。作為載體之例，可列舉：活性炭、矽石、氧化鋁、碳化鈣、二氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、矽藻土及碳化矽。載體中之觸媒的承載量通常為0.01重量%以上，以0.05重量%以上為佳，且通常為80重量%以下，以60重量%以下為佳。
作為均一系觸媒之例，可列舉：組合鎳、鈷或鐵之化合物與有機金屬化合物之觸媒；以及銠、鈀、鉑、釕及錸等有機金屬錯合體觸媒。作為鎳、鈷或鐵之化合物之例，可列舉：此些金屬之乙醯丙酮鹽、環烷酸鹽、環戊二烯基化合物及環戊二烯基二氯化合物。作為有機金屬化合物，可列舉例如：有機鋁化合物、有機鋰化合物。作為有機鋁化合物之例，可列舉：三乙基鋁、三異丁基鋁等烷基鋁；氯化二乙基鋁、二氯化乙基鋁等鹵化鋁；以及氫化二異丁基鋁等氫化烷基鋁。
作為有機金屬錯合體觸媒之例，可列舉例如：上述各金屬之γ-二氯-π-苯錯合體、二氯化[參(三苯膦)]錯合體、氫氯化(三苯膦)錯合體等金屬錯合體。
氫化觸媒之使用量相對於聚合物100重量份，通常為0.01重量份以上，以0.05重量份以上為佳，以0.1重量份以上為較佳，且通常為100重量份以下，以50重量份以下為佳，以30重量份以下為較佳。
氫化反應之際之反應溫度雖通常為10℃～250℃，但因所謂可提升氫化率且可縮小聚合物鏈切斷反應之理由，而以50℃以上為佳，以80℃以上為較佳，且以200℃以下為佳，以180℃以下為較佳。而且，反應時之壓力雖通常為0.1 MPa～30 MPa，由上述理由再加上操作性之觀點而言，以1 MPa以上為佳，以2 MPa以上為較佳，且以20 MPa以下為佳，以10 MPa以下為較佳。
氫化率通常為90%以上，以95%以上為佳，以97%以上為較佳。藉由提升氫化率，而可提升聚合物X之低多折射性及熱穩定性等。氫化率可藉由質子核磁共振儀（1 H-NMR）量測。
丙烯酸樹脂係含有丙烯酸聚合物之樹脂。而且，所謂丙烯酸聚合物係意謂丙烯酸或丙烯酸衍生物之聚合物，可列舉例如丙烯酸、丙烯酸酯、丙烯酸醯胺、丙烯腈、甲基丙烯酸及甲基丙烯酸酯等之聚合物及共聚物。丙烯酸聚合物因其機械強度為高度硬化，而可有效提升偏光板10之機械強度。作為如此丙烯酸聚合物，得以使用記載於日本專利公開第2015-212842號公報之內容。
保護樹脂所含有之聚合物之重量平均分子量Mw以5000以上為佳，以8000以上為較佳，以10000以上為更佳，且以500000以下為佳，以200000以下為較佳，以100000以下為更佳。藉由重量平均分子量Mw於前述範圍中，而可容易獲得期望的保護膜層120。
保護樹脂所含有之聚合物之分子量分布（重量平均分子量（Mw）/數量平均分子量（Mn））以2.0以下為佳，以1.7以下為較佳，以1.5以下為更佳，以1.0以上為佳。藉由重量平均分子量Mw於前述範圍中，而可降低聚合物黏度且提升成形性。
重量平均分子量，為使用環己烷作為溶劑之凝膠滲透層析術（gel permeation chromatography）量測之聚異戊二烯或聚苯乙烯換算之重量平均分子量。然而，於試料不溶解於環己烷之情況中，亦可使用甲苯作為溶劑。
保護樹脂可單獨含有一種聚合物，亦可用任意比例組合而含有二種以上聚合物。
由容易獲得期望保護膜層120之觀點而言，保護樹脂中之聚合物之比例以90重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以97重量%以上為更佳。
保護樹脂亦可含有聚合物以外之任意成分組合於上述聚合物。作為任意成分，可例如列舉：無機微粒子；抗氧化劑、熱穩定劑、紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑等穩定劑；潤滑劑、塑化劑等樹脂改良劑；染料或顏料等著色劑；及抗靜電劑。作為此些任意成分，可單獨使用一種，亦可用任意比例組合二種以上使用。然而，由顯著發揮本發明之效果之觀點而言，以任意成分之含有比例為少者為佳。舉例而言，任意成分之總計比例相對於保護樹脂所含有之聚合物100重量份，以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為更佳。
保護樹脂之玻璃轉移溫度以75℃以上為佳，以80℃以上為較佳，以85℃以上為更佳，且以130℃以下為佳，以125℃以下為較佳，以120℃以下為更佳。保護樹脂之玻璃轉移溫度藉由為前述範圍之下限值以上，而可提升偏光板10之耐熱性，而且藉由為前述範圍之上限值以下，而可於保護膜層120之製造方法中容易進行樹脂薄膜之延伸。
保護膜層120之面內延遲以小者為佳。具體而言，保護膜層120之面內延遲以3 nm以下為佳，以2 nm以下為較佳，以1 nm以下為更佳。藉由保護膜層120之面內延遲為小，而於影像顯示裝置設置偏光板10之情況，可容易進行其光學設計。
保護膜層120之面內延遲，可使用相位差儀（OPTOSCIENCE公司製之「穆勒矩陣・旋光儀（Mueller matrix Polarimeter）（Axo Scan）」）而量測。
以往的偏光板中，保護層一般佔據偏光板之厚度之大部分。相對於此，關於本實施型態之偏光板10中，由於保護膜層120為薄，故能薄化該偏光板10。偏光板10之具體厚度以3 μm以上為佳，以5 μm以上為較佳，以7 μm以上為更佳，且以35 μm以下為佳，以30 μm以下為較佳，以25 μm以下為更佳。
偏光板10之厚度可用下述方法量測。
使用切片機切斷偏光板10之後，使用TEM觀察其剖面。於5個位置量測偏光板10之厚度方向之尺寸，採用其量測值之平均作為偏光板10之厚度。
如此之偏光板10由於藉由保護膜層120保護偏光件110，而有優異的耐久性。因此，於施予熱衝擊之情況中，可抑制破損發生。
而且，前述偏光板10由於保護膜層120為薄，故能薄化該偏光板10自身。因此，由於即使彎曲亦通常不發生大量應力，故可抑制破裂發生。
再者，前述偏光板10藉由使用適當的保護樹脂，由於保護膜層120可發揮優異的水蒸氣阻障性，而通常可抑制於高濕度環境下的偏光度降低。
舉例而言，可藉由後述第三實施型態中所說明之製造方法製造上述偏光板10。
以上，雖詳細說明關於本發明之第一實施型態之偏光板10，但偏光板10亦可進一步變更而實施。
舉例而言，偏光板10亦可具備任意層體組合於偏光件110及保護膜層120。作為任意層體，可列舉例如設置於偏光件110與保護膜層120之間之接合層（圖式省略）。以下，有時適當將設置於偏光件110與保護膜層120之間之接合層稱為「內側接合層」。藉由如此之內側接合層，可強力結合偏光件110與保護膜層120。
而且，作為任意層體，可列舉例如設置作為偏光板10之最外層之接合層（圖式省略）。以下，有時適當將設置作為偏光板10之最外層之接合層稱為「外側接合層」。如此之外側接合層，可設置作為偏光板10之其中一側之最外層，亦可設置作為偏光板10之兩側之最外層。藉由外側接合層，由於令偏光板10變得容易貼合於其他組件，而可容易進行使用偏光板10之影像顯示裝置之組合。
外側接合層以由黏合劑或熱熔材料形成者為佳。於此，所謂黏合劑，意指於23℃之剪切儲存彈性模數未滿1 MPa且於常溫展現黏合性。而且，所謂熱熔材料，意指於23℃之剪切儲存彈性模數為1 MPa～500 MPa且於常溫未展現黏合性。作為此些黏合劑及熱熔材料，可列舉例如記載於日本專利公開第2014-209439號公報之黏合劑材料。
而且，於偏光板10僅於偏光件110之其中一表面110U具備保護膜層120之情況中，亦可於偏光件110之其中另一表面110D設置保護膜層120以外之任意保護層。即使於此情況中，亦可藉由使用保護膜層120而比以往的偏光板更薄。因此，通常能提升偏光板10之對於彎曲的耐受性。
［第二實施型態］
圖2係概略表示本發明之作為第二實施型態之偏光板20之剖面圖。如圖2所示，本發明之作為第二實施形態之偏光板20於偏光件110之兩表面110U及110D設置滿足式（2）之厚度之保護膜層120及230以外，與作為第一實施型態之偏光板10相同。
具體而言，偏光板20具備偏光件110、形成於偏光件110之作為第一面之表面110U之第一保護膜層120及形成於偏光板110之第二面之表面110D之第二保護膜層230。由於藉由第一保護膜層120及第二保護膜層230保護偏光件110，而可獲得耐久性優異之偏光板20。
第一保護膜層120之厚度d1 及第二保護膜層230之厚度d2 滿足式（2）。
0.02 μm ≦ d1 + d2 ≦ 1.0 μm　　（2）。
更詳細而言，總計厚度d1 + d2 通常為0.02 μm以上，以0.03 μm以上為佳，以0.04 μm以上為較佳，且通常為1.0 μm以下，以0.3 μm以下為佳，以0.1 μm以下為較佳。藉由總計厚度d1 + d2 為如前所述之薄，而使偏光板20獲得與作為第一實施型態之偏光板10相同的優點。此時，與第一實施型態相異，第一保護膜層120之厚度d1 及第二保護膜層230之厚度d2 亦可分別滿足式（1）。然而，由顯著獲得本發明之期望效果之觀點而言，以第一保護膜層120之厚度d1 及第二保護膜層230之厚度d2 分別滿足式（1）者為佳。
上述事項以外，作為第二實施型態之偏光板20，得以定為與作為第一實施型態之偏光板10相同。是以，作為偏光板20所具備之偏光件110，得以使用與第一實施型態中之內容相同者。而且，作為偏光板20所具備之第一保護膜層120及第二保護膜層230，得以使用與關於第一實施型態之保護膜層120相同者。因此，第一保護膜層120及第二保護膜層230之組成及物性得以各自獨立地與關於第一實施型態之保護膜層120相同。藉此，作為第二實施型態之偏光板20可獲得與作為第一實施型態之偏光板10相同的優點。
舉例而言，可藉由後述第三實施型態中所說明之製造方法製造上述偏光板20。
以上，雖詳細說明關於本發明之第二實施型態之偏光板20，但偏光板20亦可進一步變更而實施。舉例而言，偏光板20亦可如同與關於第一實施型態之偏光板10之說明所述相同地變更而實施。
［第三實施型態］
作為本發明之第三實施型態之偏光板之製造方法包含： 步驟（A），對樹脂薄膜實施延伸處理； 步驟（B），貼合前述步驟（A）中實施延伸處理之樹脂薄膜與偏光件，而獲得中間堆疊體；以及 步驟（C），剝離中間堆疊體之樹脂薄膜之一部分，且於偏光件上設置保護膜層，所述保護膜層包含樹脂薄膜之未受到剝離之表層部分。
藉由此製造方法，可製造於第一實施型態及第二實施型態之上述偏光板。
（步驟（A）：樹脂薄膜之延伸處理）
步驟（A）中，準備樹脂薄膜，且對此樹脂薄膜實施延伸處理。於以下說明中，有時將實施延伸處理前之樹脂薄膜適當稱為「延伸前薄膜」，且將有時將實施延伸處理後之樹脂薄膜適當稱為「配向薄膜」。
作為延伸前薄膜，使用包含保護樹脂之薄膜。此延伸前薄膜通常為由保護樹脂形成之單層結構之薄膜。延伸前薄膜之厚度以15 μm以上為佳，以20 μm以上為較佳，以25 μm以上為更佳，且以200 μm以下為佳，以150 μm以下為較佳，以100 μm以下為更佳。延伸前薄膜之厚度藉由前述範圍之下限值以上，而可於步驟（C）中，圓滑進行配向薄膜之一部分之剝離，而且藉由為前述範圍之上限值以下，而可減少未使用於保護膜層之配向薄膜之剝離部分之份量，且可降低偏光板之製造成本。
只要可獲得期望偏光板，則延伸前薄膜之製造方法係為任意。舉例而言，藉由使用適當的成形方法將樹脂成形為薄膜狀，而得以製造延伸前薄膜。由獲得揮發成分含量少之延伸前薄膜之觀點而言，樹脂之成形方法中以熔融成形法為佳。更詳細而言，熔融成形法可例如分類為擠出成形法、加壓成形法、充氣（inflation）成型法、射出成形法、吹塑成形法、延伸成形法等。此些方法中，為了獲得機械強度及表面精密度優異之延伸前薄膜，而以擠出成形法、充氣成形法及加壓成形法為佳，其中由可有效率且簡單製造延伸前薄膜之觀點而言，以擠出成形法為較佳。
於準備延伸前薄膜之後，對此延伸前薄膜實施延伸處理。此延伸處理含有以指定倍率延伸延伸前薄膜者。如此以指定倍率延伸時，係使延伸前薄膜所含有之聚合物之分子配向，而可獲得配向薄膜。經過配向之聚合物之分子通常於分子彼此之間的聯鎖程度為小。是以，含有如此經過配向之聚合物分子之配向薄膜於步驟（C）中有容易發生層間剝離之傾向。
前述指定延伸倍率通常為1.1倍以上，以1.2倍以上為佳，以1.5倍以上為較佳，且以8倍以下為佳，以7倍以下為較佳，以6倍以下為更佳。指定延伸倍率藉由為前述範圍之下限值以上，可有效使薄膜中之聚合物之分子配向，而且藉由為前述範圍之上限值以下，可縮小因延伸所致之延遲之發現。通常，藉由此延伸倍率，能控制於步驟（C）所獲得之保護膜層之厚度。
延伸處理亦可進行沿薄膜縱向方向進行延伸之縱延伸處理、沿薄膜幅寬方向進行之橫延伸處理及沿既不平行亦不垂直於薄膜之幅寬方向之傾斜方向進行延伸之傾斜延伸處理之任一者。延伸處理可為僅單一方向之延伸，亦可為組合二方向以上延伸之延伸。沿二方向以上進行延伸之情況中，由各方向之延伸倍率之乘積表示之總延伸倍率以定成如前述範圍者為佳。延伸處理以自由端一軸延伸為佳，以縱向之自由端一軸延伸為較佳。
前述延伸之際之延伸溫度以按照保護樹脂之玻璃轉移溫度Tg設定者為佳。具體的延伸溫度以Tg−15℃以上為佳，以Tg−10℃以上為較佳，以Tg−5℃以上為更佳，且以Tg+20℃以下為佳，以Tg+15℃以下為較佳，以Tg+10℃以下為更佳。延伸溫度藉由為前述範圍之下限值以上，則可圓滑地進行延伸，而且藉由為前述範圍之上限值以下，則可藉由延伸而使聚合物之分子有效配向。
於步驟（A）中之延伸處理為含有朝向至少一方向之延伸處理，可含有僅單一方向之延伸，亦可含有朝向二以上之方向之延伸。於含有僅單一方向之延伸之延伸處理中，以此延伸之延伸倍率落入前述指定延伸倍率範圍之方式進行延伸。而且於含有朝向二以上之方向之延伸之延伸處理中，以此些延伸之總計延伸倍率落入前述指定延伸倍率範圍之方式進行延伸。前述所謂總計延伸倍率為各延伸之延伸倍率之乘積所稱者。於含有朝向二以上之方向之延伸之延伸處理中，此些延伸可同時進行，亦可依序進行。
（步驟（B）：配向薄膜與偏光件之貼合）
步驟（B）中，係貼合作為步驟（A）中實施延伸處理之樹脂薄膜之配向薄膜與偏光件，而獲得含有配向薄膜與偏光件之中間堆疊體。作為偏光件，得以使用例如於第一實施型態中所說明者。
配向薄膜可僅貼合於偏光件之單側，亦可貼合於偏光件之兩側。於僅將配向薄膜貼合於偏光件之單側之情況中，可製造僅於偏光件之單側具備保護膜層之偏光板。而且，於將配向薄膜貼合於偏光件之兩側之情況中，可製造於偏光件之兩側具備保護膜層之偏光板。
於貼合配向薄膜與偏光件時，亦可視需求使用接合劑。於使用接合劑之情況中，配向薄膜與偏光件由於經過內側接合層貼合，而可獲得依序含有配向薄膜、內側接合層及偏光件之中間堆疊體。接合劑並無特別限制，得以使用例如：丙烯酸系接合劑、胺酯系接合劑、聚酯系接合劑、聚乙烯醇系接合劑、聚烯烴系接合劑、改質聚烯烴系接合劑、聚乙烯基烷基醚系接合劑、橡膠系接合劑、氯乙烯-醋酸乙烯系接合劑、SEBS（苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物）系接合劑、乙烯-苯乙烯共聚物等乙烯系接合劑、乙烯-（甲基）丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-（甲基）丙烯酸乙酯共聚物等丙烯酸酯系接合劑等。
（步驟（C）：配向薄膜之一部分之剝離）
圖3係概略表示本發明之作為第三實施型態之製造方法之步驟（C）中之中間堆疊體30的剖面圖。
如圖3所示，於步驟（C）中，將步驟（B）中所獲得之中間堆疊體30之配向薄膜300之一部分310如箭號A1所示剝離。於此，所謂被剝離之配向薄膜300之一部分310，意指配向薄膜300之偏光件110側之表層部分以外之部分。
一般而言，配向薄膜300具有容易發生層間剝離之傾向。因此，即使欲自中間堆疊體30剝離配向薄膜300之厚度方向之整體，通常僅會剝離該配向薄膜300之一部分310，而配向薄膜300之偏光件110側之表層部分則殘留於偏光件110上。於步驟（C）中，將此配向薄膜300之未受剝離之表層部分作為保護膜層120設置於偏光件110上。由於配向薄膜300之偏光件110側之表層部分與包含此表層部分之保護膜層120表示相同組件，故於以下說明中，標示與保護膜層120相同之符號「120」說明配向薄膜300之表層部分。
藉由如前所述之剝離而殘留於偏光件110上之配向薄膜300之表層部分120通常為薄。因此，藉由上述方法，而能容易製造具備保護膜層120之偏光板，其中所述保護膜層具有滿足式（1）或式（2）之厚度。
而且，若根據上述製造方法，能不使用如殘留單體及溶劑之揮發成分而形成保護膜層120。是以，於如此之製造方法中所形成之保護膜層120中，與使用塗布法而形成之以往的保護層相異，能減少揮發成分含量。
再者，於上述製造方法中，剝離並非發生於偏光件110與配向薄膜300之界面，而是發生在配向薄膜300之內部。因此，由於偏光件110之表面110U不為粗糙，而可抑制因表面110U之粗糙所致之耐久性降低。
配向薄膜300之一部分310之剝離角度通常為10°以上，以30°以上為佳，以45°以上為較佳，且以170°以下為佳，以150°以下為較佳，以135°以下為更佳。剝離角度藉由為前述範圍之下限值以上，可使藉由剝離而形成的保護膜層120之表面狀態平滑。而且，剝離角度藉由為前述範圍之上限值以下，可抑制剝離之配向薄膜300之一部分310之破壞與斷裂。
配向薄膜300之一部分310之剝離速度通常為50 mm/min以上，以100 mm/min以上為佳，以200 mm/min以上為較佳，且以50000 mm/min以下為佳，以30000 mm/min以下為較佳，以10000 mm/min以下為更佳。剝離速度藉由為前述範圍之下限值以上，可有效率地形成保護膜層120。而且，剝離速度藉由為前述範圍之上限值以下，可使藉由剝離而形成的保護膜層120之表面狀態平滑。
於圖3中，雖繪示於偏光件110之單表面110U設置保護膜層120之態樣，但亦可於偏光件110之兩表面110U及110D設置保護膜層120。具體而言，於步驟（B）中將配向薄膜300貼合於偏光件110之兩表面110U及110D之後，藉由於步驟（C）剝離配向薄膜300之一部分310，而可於偏光件110之兩表面110U及110D設置保護膜層120。另外，亦可進行步驟（A）～步驟（C）而於偏光件110之單表面110U設置保護膜層120之後，更進一步進行步驟（A）～步驟（C）而於偏光件110之另一單表面110D設置保護膜層。
（任意之步驟）
本發明之作為第三實施型態之偏光板之製造方法，亦可更含有任意步驟組合於上述步驟（A）～（C）。
舉例而言，上述之偏光板之製造方法於步驟（B）之前，亦可含對於將與偏光件貼合之配向薄膜之表面實施溶劑處理之步驟。於溶劑處理中，含於配向薄膜之表面塗布溶劑，且於之後令所塗布之溶劑乾燥之內容。藉由如此實施溶劑處理，通常可比未實施溶劑處理之情況更增厚保護膜層。
作為使用於前述溶劑處理之溶劑，以使用可溶解保護樹脂之溶劑為佳。作為溶劑，通常使用有機溶劑，可列舉例如：二氯甲烷、氯仿等鹵化烴系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族系溶劑；甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；二乙醚、四氫呋喃等醚系溶劑；正戊烷、正己烷、正庚烷、環己烷、甲基環己烷及乙基環己烷等烴系溶劑；異丙醇、正丁醇等醇系溶劑；乙酸乙酯、乙酸異丙酯及乙酸丁酯等酯系溶劑。
進行溶劑處理之製造方法中，通常於所製造之偏光板之保護膜層殘留少量溶劑。因此，形成此保護膜層之保護樹脂得以含有較0.03重量%為多之揮發成分。然而，即使偏光板所具備之保護膜層所含有之保護樹脂含有如此較0.03重量%為多之揮發成分，至少由第三實施例中所說明之製造方法製造之偏光板之實施係對應於本發明的實施。
以下，將展示實施例而具體說明關於本發明。然而，本發明並非限定於以下所示之實施例，在未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍之範圍中得以任意變更並實施。
於以下之說明中，除非另有註明，否則表示份量之「%」及「份」以重量為基準。而且，除非另有註明，否則說明於以下之操作於常溫常壓之大氣中進行。
［評價方法］
［保護膜層之面內延遲之量測方法］
保護膜層之面內延遲使用相位差儀（OPTOSCIENCE公司製之「穆勒矩陣・旋光儀（Mueller matrix Polarimeter）（Axo Scan）」）而量測。於量測之際，量測波長定為590 nm。
［厚度之量測方法］
偏光板及該偏光板所含有之各層體之厚度，係以下述方法量測。
使用切片機切斷偏光板10之後，使用TEM觀察其剖面。於5個位置量測厚度方向之尺寸，採用其量測值之平均作為厚度。
［樹脂之揮發成分含量之量測方法］
形成保護膜層之樹脂所含有之揮發成分含量，係使用頂空氣相層析儀（head space gas chromatography）分析。
［表面狀態評價］
基於JIS B 0601:1994使用表面粗糙度計（三豐公司製之「SJ400」）量測保護膜層之表面（與偏光板相反側之表面）之算術平均粗糙度Ra。量測之結果，算術平均粗糙度Ra若未滿50 nm則判定為「良」，若為50 nm以上則判定為「不良」。
［熱衝擊試驗］
自偏光板切出幅寬100 mm×長度100 mm之試驗片。以試驗片之幅寬方向與偏光件之吸收軸方向一致之方式進行此切出。使用黏合劑將此試驗片貼合於幅寬120 mm×長度120 mm之玻璃之表面，而獲得評價樣品。做為前述黏合劑，係使用由記載於國際專利公開第2016/072324號之實施例1之方法而製造者。
以冷卻至−30℃及加熱至80℃做為1循環，而對於此評價樣品進行200循環之冷卻及加熱。之後，重疊評價樣品與偏光板且放置於光源上，確認有無因破裂所致之漏光。此時，評價樣品之偏光件之吸收軸及與其重疊之偏光板之吸收軸，係以彼此垂直之方式配置。藉由目視確認未有漏光則判定為「良」，確認有漏光則判定為「不良」。
［耐濕熱試驗］
與前述熱衝擊試驗相同而自偏光板切出試驗片。將此試驗片保存於溫度60℃且濕度90%之恆溫恆濕槽500小時。
準備依序具備背光、背光側偏光板、液晶單元及觀看側偏光板之液晶顯示器。自此液晶顯示器取出觀看側偏光板，且取而代之地貼合前述之經過保存之試驗片，且藉由目視確認顯示品質。於試驗片貼合之際，試驗片之吸收軸及液晶顯示器之背光側偏光板之吸收軸，係以彼此垂直之方式配置。可充分辨識顯示於液晶顯示器之影像者判定為「良」，無法辨識影像者判定為「不良」。
［製造例1. 樹脂之合成］
於具備攪拌裝置且內部充分以氮氣取代之反應器中，置入脫水環己烷270份及正二丁基醚0.59份。再者，以正丁基鋰為0.63份之份量將正丁基鋰之15%環己烷溶液加入此反應器中。
（聚合第一階段）
於60℃攪拌整體的同時，於60分鐘的期間內，連續將脫水苯乙烯25.0份添加於反應器內而進行聚合反應，於添加結束後進一步持續攪拌整體20分鐘（聚合第一階段）。溫度自聚合第一階段之開始至聚合第三階段之結束維持於60℃。藉由氣相層析儀量測反應液時，於此時點之聚合轉化率為99.5%。
（聚合第二階段）
接下來，於150分鐘的期間內，連續將經過脫水之苯乙烯30.0份及異戊二烯25.0份之混合物添加於反應液，於添加結束後進一步持續攪拌20分鐘（聚合第二階段）。於此時點之聚合轉化率為99.5%。
（聚合第三階段）
接下來，於60分鐘的期間內，連續將脫水苯乙烯20.0份添加於反應液，於添加結束後進一步持續攪拌20分鐘（聚合第三階段）。於此時點之聚合轉化率為幾乎100%。於此時點將異丙醇0.5份加入反應液令反應停止。藉此，獲得含有嵌段共聚物之混合物。所獲得之嵌段共聚物之重量平均分子量（Mw）為68,100，分子量分布（Mw/Mn）為1.03。
（氫化）
將含有前述（聚合第三階段）所獲得之嵌段共聚物之混合物輸送至具備攪拌裝置之耐壓反應器，添加且混合作為氫化觸媒之矽藻土承載型鎳觸媒（日揮觸媒化成公司製之「E22U」，鎳承載量60%）7.0份及脫水環己烷80份。以氫氣取代反應器內部，進一步攪拌溶液且同時供給氫氣，而於溫度190℃且壓力4.5 MPa進行氫化反應6小時。
於氫化反應結束後，過濾反應溶液，而去除氫化觸媒。於濾液添加且使其溶解身為酚系抗氧化劑之溶解有肆[3-(3,5-二-三級丁基-4-羥苯基)丙酸]新戊四酯（pentaerythrityl tetrakis[3-(3,5-di-t -butyl-4-hydroxyphenyl)propionate]）（KOYO化學研究所公司製之「Songnox 1010」）0.1份之二甲苯溶液1.0份。
接下來，使用圓筒形濃縮乾燥器（日立製作所公司製之「KONTORO」），於溫度260℃且壓力0.001 MPa以下自上述溶液去除係溶劑之環己烷、二甲苯及其他揮發成分，而獲得熔融聚合物。藉由連接於濃縮乾燥器之聚合物過濾器，而於溫度260℃連續過濾熔融聚合物。作為聚合物過濾器，係使用具備孔徑20 μm之不鏽鋼製燒結過濾器之聚合物過濾器（富士過濾器公司製）。過濾後，將熔融之聚合物自模具（die）擠出成條（strand）狀，冷卻且藉由造粒機（pelletizer）製成顆粒（pellet）狀之形狀。藉此獲得顆粒狀之聚合物X 91份。所獲得之聚合物X之重量平均分子量（Mw）為71,400，分子量分布（Mw/Mn）為1.06，氫化率為幾乎100%。
［實施例1］
（樹脂薄膜之製造）
將製造例1中所獲得之聚合物X，供給於具備T模之熱熔融擠出薄膜成形機。自T模擠出聚合物X，藉由以4 m/min之拉取速度收捲於滾筒而使聚合物X成形為薄膜狀。藉此，獲得包含聚合物X之長條狀樹脂薄膜（厚度50 μm）。
（步驟（A）：樹脂薄膜之延伸）
使用縱向單軸延伸機於延伸溫度120℃沿薄膜縱向方向以延伸倍率1.5倍延伸前述樹脂薄膜，而獲得配向薄膜。
（步驟（B1）：配向薄膜與偏光件之貼合）
導引輥沿縱向方向連續運送厚度30 μm之長條狀聚乙烯醇膜，並同時進行下述操作。
前述聚乙烯醇膜進行染色處理及第一延伸處理，染色處理係浸泡於含有碘及碘化鉀之染色溶液，第一延伸處理將已實施染色處理之前述薄膜延伸為2.5倍。接下來進行第二延伸處理，第二延伸處理係於含有硼酸及碘化鉀之酸性溶液中延伸已延伸之薄膜。第二延伸處理中之延伸倍率，係將由第一延伸處理中之延伸倍率與第二延伸處理中之延伸倍率之乘積所表示之總延伸倍率設定為6倍。之後，對於經延伸之薄膜實施交聯處理，而獲得碘-PVA系偏光件。所獲得之偏光片於乾燥機中以70℃乾燥5分鐘。
混合水100份、聚乙烯醇系接合劑（日本合成化學工業公司製之「Z-200」）3份及交聯劑（日本合成化學工業公司製之「SPM-01」）0.3份，而獲得接合劑組成物。將此接合劑組成物塗布於配向薄膜，而使其貼合於所製造之偏光件之其中一表面。於此狀態中，於70℃加熱乾燥接合劑組成物5分鐘。藉此，獲得具有配向薄膜／接合層／偏光件之層結構之中間堆疊體。
（步驟（C1）：配向薄膜之剝離）
自前述之中間堆疊體於剝離角度90度且剝離速度300 mm/min之條件下沿縱向方向剝離配向薄膜。此時，配向薄膜之一部分（近偏光件側之表層部分）不會受到剝離，而會接合且就此殘留於接合層。如此一來，包含配向薄膜之表層部分之第一保護膜層轉印於接合層表面，而獲得具有第一保護膜層／接合層／偏光件之層結構之偏光板。此時，接合層之乾燥厚度為0.07 μm，第一保護膜層之厚度為0.04 μm。
（步驟（B2）：配向薄膜與偏光件之貼合）
將前述接合劑組成物塗布於配向薄膜，而使其貼合於前述之偏光件之其中另一表面。於此狀態中，於70℃加熱乾燥接合劑組成物5分鐘。藉此，獲得具有第一保護膜層／接合層／偏光件／接合層／配向薄膜之層結構之中間堆疊體。
（步驟（C2）：配向薄膜之剝離）
自前述之中間堆疊體於剝離角度90度且剝離速度300 mm/min之條件下沿縱向方向剝離配向薄膜。此時，配向薄膜之一部分（近偏光件側之表層部分）不會受到剝離，而會接合且就此殘留於接合層。如此一來，包含配向薄膜之表層部分之第二保護膜層轉印於接合層表面，而獲得具有第一保護膜層／接合層／偏光件／接合層／第二保護膜層之層結構之偏光板。此時，各接合層之乾燥厚度為0.07 μm，各保護膜層之厚度為0.04 μm。
以上述方法評價所獲得之偏光板。
［實施例2］
如下述變更前述（步驟（A））中之樹脂薄膜之方法。
使用逐次雙軸延伸機，於延伸溫度120℃沿薄膜縱向方向以延伸倍率1.5倍延伸且沿薄膜幅寬方向以延伸倍率1.5倍延伸於步驟（樹脂薄膜之製造）中所製造之樹脂薄膜，而獲得配向薄膜。
以上之事項以外，藉由與實施例1相同之操作，而進行偏光板之製造及評價。
［實施例3］
作為前述（樹脂薄膜之製造）中之樹脂薄膜之材料，取代製造例1中所獲得之聚合物X，而改使用降烯系聚合物樹脂（日本瑞翁公司製之「ZEONOR 1420」，玻璃轉移溫度136℃）。
而且，於前述（步驟（A））中，樹脂薄膜之延伸溫度變更為140℃且延伸倍率變更為2.0倍。
以上之事項以外，藉由與實施例1相同之操作，而進行偏光板之製造及評價。
［實施例4］
於將接合劑組成物塗布於配向薄膜前，於配向薄膜之將塗布接合劑組成物側之表面實施溶劑處理，所述溶劑處理係於23℃之大氣環境下塗布環己烷，於塗布後之3秒鐘後於100℃使其乾燥。
以上之事項以外，藉由與實施例3相同之操作，而進行偏光板之製造及評價。
［比較例1］
藉由與日本專利公開第2011-128486號公報之實施例1略為相同之操作，而製造偏光板。具體而言，如下所述製造偏光板。
準備厚度110 μm之未延伸之隨機聚丙烯（PP）薄膜作為塗布基材。於此塗布基材之表面實施電暈（corona）處理。
將聚乙烯醇粉末（日本合成化學工業公司製之「Z-200」，平均聚合度1100，平均皂化度99.5莫耳%）溶解於95℃之熱水，調製濃度3重量%之水溶液。相對於聚乙烯醇粉末6重量份而將交聯劑（住友化學公司製之「Sumirez（註冊商標） Resin 650」）5重量份混合於所獲得之水溶液。於已實施電暈處理之塗布基材上塗布所獲得之水溶液，於80℃使其乾燥10分鐘，而形成厚度為0.2 μm之第一樹脂層。
將聚乙烯醇粉末（KURARAY公司製，平均聚合度2400，平均皂化度98莫耳%～99莫耳%）溶解於95℃之熱水中，調製濃度8重量%之聚乙烯醇水溶液。於前述第一樹脂層上塗布所獲得之水溶液，於80℃使其乾燥20分鐘，而製作包含塗布基材／第一樹脂層／第二樹脂層之三層結構之堆疊薄膜。於此時點，第二樹脂層之厚度為15 μm。
使用拉幅機，於延伸溫度126℃，延伸倍率6.0倍，沿薄膜縱向方向對於前述堆疊薄膜進行自由端單軸延伸，而獲得延伸薄膜。之後，將延伸薄膜浸泡於60℃之溫溶液60秒鐘，且於30℃之碘及碘化鉀混合水溶液浸泡180秒鐘之後，以10℃之純水洗滌多餘之碘液。接下來，將此延伸薄膜浸泡於76℃之硼酸及碘化鉀之混合水溶液300秒鐘。之後，以10℃之純水清洗4秒鐘，於50℃使其乾燥300秒鐘，而於塗布基材上形成偏光件。於此時點之偏光件之厚度為7 μm。
之後，於偏光件之與塗布基材相反側之表面塗布聚乙烯醇系接合劑之後，貼合作為保護膜之三乙醯纖維素膜（厚度25 μm）。之後，剝離塗布基材，而獲得具有保護膜／接合層／偏光件之層結構之偏光板。
以上述方法評價所獲得之偏光板。
［比較例2］
於將接合劑組成物塗布於配向薄膜前，於配向薄膜之將塗布接合劑組成物側之表面實施溶劑處理，所述溶劑處理係於23℃之大氣環境下塗布環己烷，於塗布後之3秒鐘後於100℃使其乾燥。
以上之事項以外，藉由與實施例1相同之操作，而進行偏光板之製造及評價。
［比較例3］
藉由與日本專利公開第2011-128486號公報之實施例1略為相同之操作，而製造偏光板之後，於此偏光板之偏光件之表面使用記載於日本專利公開第2015-161782號公報段落［0133］之紫外線硬化性樹脂而形成保護層。具體而言，如下所述製造偏光板。
進行與比較例1相同的操作，而製造具有保護膜／接合層／偏光件之層結構之偏光板。於此偏光板之偏光件層側之表面實施電暈處理。之後，使用微凹版塗布機，將紫外線硬化性樹脂（含有身為陽離子聚合性之環氧系化合物之硬化性化合物與光陽離子聚合起始劑之樹脂；ADEKA公司製之「KR-25T」）塗布於電暈處理面。之後，使用高壓水銀燈，以200 mJ/cm2 之累計光量將紫外線照射於所塗布之樹脂之層體側，以令該層體硬化。藉此，獲得具有保護層／接合層／偏光件／保護層之層結構之偏光板。保護層之厚度為10.5 μm。
以上述方法評價所獲得之偏光板。
［結果］
前述實施例及比較例之結果展示於下述表格。
於下述表格中，比較例1之表面狀態之評價結果，表示偏光件側之表面（剝離塗布基材之表面）之評價結果。
而且，於下述表格中，比較例3之表面狀態之評價結果，表示由紫外線硬化性樹脂形成之保護層之表面之評價結果。
再者，於下述表格中，簡稱之意義如以下所述。
HSIS：聚合物X。
COP：降烯系聚合物樹脂。
TAC：三乙醯纖維素。
PVA：聚乙烯醇。
Re：面內延遲。
UV樹脂：UV硬化性樹脂。
［表1. 實施例及比較例之結果］
10‧‧‧偏光板
20‧‧‧偏光板
30‧‧‧中間堆疊體
110‧‧‧偏光件
120‧‧‧保護膜層
230‧‧‧保護膜層
300‧‧‧配向膜
310‧‧‧配向膜之一部分
圖1係概略表示本發明之作為第一實施型態之偏光板的剖面圖。 圖2係概略表示本發明之作為第二實施型態之偏光板的剖面圖。 圖3係概略表示本發明之作為第三實施型態之製造方法之步驟（C）中之中間堆疊體的剖面圖。

Claims (9)

  1. 一種偏光板，具備：偏光件；以及保護膜層，形成於該偏光件之至少一表面；其中，該保護膜層係由揮發成分含量為0.03重量%以下之保護樹脂形成，該保護膜層之厚度d滿足下列式（1）：0.01 μm ≦ d ≦ 0.5 μm　　（1）。
  2. 一種偏光板，包括：偏光件；第一保護膜層，形成於該偏光件之第一面；以及第二保護膜層，形成於該偏光板之第二面；其中，該第一保護膜層及該第二保護膜層係由揮發成分含量為0.03重量%以下之保護樹脂形成，該第一保護膜層之厚度d1 及該第二保護膜層之厚度d2 滿足下列式（2）：0.02 μm ≦ d1 + d2 ≦ 1.0 μm　　（2）。
  3. 如請求項1或2所述之偏光板，其中該偏光件之厚度為15 μm以下。
  4. 如請求項1或2所述之偏光板，其中該保護樹脂含有經過配向之聚合物。
  5. 如請求項1或2所述之偏光板，更具備一接合層作為該偏光板之最外層，該接合層係由黏合劑或熱熔（hotmelt）材料形成。
  6. 如請求項1或2所述之偏光板，其中該偏光件係由聚乙烯醇系樹脂形成。
  7. 如請求項1或2所述之偏光板，其中該保護樹脂為選自於由環烯烴樹脂；具有含環烴基化合物氫化物單元與鏈烴化合物氫化物單元之聚合物樹脂；以及丙烯酸樹脂；而成之群組之至少一種樹脂。
  8. 一種偏光板之製造方法，包括：步驟（A），對樹脂膜實施含有以延伸倍率1.1倍以上延伸者之延伸處理；步驟（B），貼合該步驟（A）中實施延伸處理之該樹脂膜與偏光件，而獲得中間堆疊體；以及步驟（C），剝離該中間堆疊體之該樹脂膜之一部分，且於該偏光件上設置保護膜層，該保護膜層包括該樹脂膜之未受到剝離之表層部分且厚度為0.5 μm以下。
  9. 如請求項8所述之偏光板之製造方法，其中該樹脂膜含有選自於由環烯烴樹脂；具有含環烴基化合物氫化物單元與鏈烴化合物氫化物單元之聚合物樹脂；以及丙烯酸樹脂；而成之群組之至少一種樹脂。
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