TWI760365B - 光學薄膜及其製造方法、以及偏光板 - Google Patents

光學薄膜及其製造方法、以及偏光板 Download PDF

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Abstract

一種光學薄膜，其光彈性係數1.5×10-13(dyn/cm2)-1以下；面內延遲Re(560)為1.0nm以下；厚度方向的延遲Rth(560)之絕對值｜Rth(560)｜為1.0nm以下；在溫度60℃、濕度90%下保管4小時的情形中，面內延遲Re(560)與厚度d的比Re(560)/d之變化為0.5×10-5以下；以及在溫度60℃、濕度90%之下保管4小時的情形中，厚度方向的延遲Rth(560)與厚度d的比Rth(560)/d之變化為0.5×10-5以下。

Description

光學薄膜及其製造方法、以及偏光板
本發明係關於一種光學薄膜及其製造方法，以及包含前述光學薄膜之偏光板。
一般，偏光板具備偏光片及偏光片保護薄膜。通常使用樹脂薄膜作為偏光片保護薄膜(參照日本特開2011-013378號公報)。
設置於液晶顯示裝置之偏光板，通常在其偏光片的兩側具備偏光片保護薄膜。於此等偏光片保護薄膜之中，設置於偏光片的液晶晶胞(liquid crystal cell)側之內側偏光片保護薄膜，被要求其應力所致之延遲的變化小，因此，要求其光彈性係數小。並且，要求內側偏光片保護薄膜之延遲的絕對值小。更要求內側偏光片保護薄膜，於高溫高濕環境下之延遲的變化小。但是，並未實現可用以作為滿足如此要求之內側偏光片保護薄膜的光學薄膜。
本發明係鑒於前述課題所創而成，其目的在於提供一種光彈性係數小、延遲的絕對值小且於高溫高濕環境下之延遲的變化小之光學薄膜及其製造方法，以及包含前述光學薄膜之偏光板。
〔1〕一種光學薄膜，其光彈性係數為1.5×10-13(dyn/cm2)-1以下；於波長560nm之面內延遲Re(560)為1.0nm以下；於波長560nm之厚度方向的延遲Rth(560)之絕對值｜Rth(560)｜為1.0nm 以下；在溫度60℃、濕度90%下保管4小時的情形中，於波長560nm之面內延遲Re(560)與厚度d的比Re(560)/d之變化為0.5×10-5以下；以及，在溫度60℃、濕度90%下保管4小時的情形中，於波長560nm之厚度方向的延遲Rth(560)與厚度d的比Rth(560)/d之變化為0.5×10-5以下。
〔2〕如〔1〕所記載之光學薄膜，其中前述光學薄膜的波長450nm之面內延遲Re(450)、前述光學薄膜的波長560nm之面內延遲Re(560)及前述光學薄膜的波長650nm之面內延遲Re(650)滿足下式(i)及式(ii)：Re(450)/Re(560)<1.0 (i)
Re(650)/Re(560)>1.0 (ii)
〔3〕如〔1〕或〔2〕所記載之光學薄膜，其包含具有芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)及二烯化合物氫化物單元(b)之聚合物。
〔4〕如〔3〕所記載之光學薄膜，其中前述聚合物係三嵌段共聚物，此三嵌段共聚物的每一分子中包含：一個具有前述二烯化合物氫化物單元(b)之嵌段B、一個連接於前述嵌段B的一端且具有前述芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之嵌段A1以及一個連接於前述嵌段B的另一端且具有前述芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之嵌段A2。
〔5〕如〔4〕所記載之光學薄膜，其中於前述三嵌段共聚物中，前述嵌段A1及前述嵌段A2之合計與前述嵌段B的重量比(A1 +A2)/B為70/30以上且90/10以下，且前述三嵌段共聚物中，前述嵌段A1與前述嵌段A2的重量比A1/A2為5以上且8以下。
〔6〕如〔3〕~〔5〕之任一項所記載之光學薄膜，其中前述芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)係具有將苯乙烯聚合並進行氫化所得之結構的結構單元，且前述二烯化合物氫化物單元(b)係具有將異戊二烯聚合並進行氫化所得之結構的結構單元。
〔7〕如〔3〕~〔6〕之任一項所記載之光學薄膜，其中前述聚合物的重量平均分子量為50000以上且80000以下，且前述聚合物的分子量分布為2以下。
〔8〕一種偏光板，其具備偏光片與如〔1)~〔7〕之任一項所記載之光學薄膜。
〔9〕一種光學薄膜的製造方法，其係製造如〔1〕~〔7〕之任一項所記載之光學薄膜的製造方法，其包括於180℃~260℃的溫度範圍下，將包含聚合物之樹脂進行熔融擠出成形，其中此聚合物具有芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)及二烯化合物氫化物單元(b)。
〔10〕如〔9〕所記載之光學薄膜的製造方法，其中包括於130℃~180℃的溫度範圍下，將藉由前述熔融擠出成形所得之延伸前薄膜延伸成1.1倍~2.5倍。
根據本發明，可提供一種光彈性係數小、延遲的絕對值小且於高溫高濕環境下之延遲的變化小之光學薄膜及其製造方法，以及包含前述光學薄膜之偏光板。
以下，例示實施形態及例示物以針對本發明進行詳細說明。惟，並非將本發明限定於以下所示之實施形態及例示物，且於未脫離本發明之專利申請範圍及等同其範圍之範疇內，得任意變更以實施。
於以下說明中，只要未特別限定，薄膜之面內延遲Re係Re=(nx-ny)×d所表示之值。並且，只要未特別限定，薄膜之厚度方向的延遲Rth係Rth={(nx+ny)/2-nz}×d所表示之值。於此，nx係表示垂直於薄膜之厚度方向的方向(面內方向)且予以最大折射率之方向的折射率。ny係表示，在薄膜之前述面內方向上，與nx的方向正交之方向的折射率。nz係表示薄膜的厚度方向之折射率。d係表示薄膜之厚度。只要未特別限定，延遲之量測波長為560nm。
於以下說明中，所謂「偏光板」，只要未特別限定，則不僅是剛硬的部件，舉例而言，亦包含如樹脂製薄膜般具有可撓性的部件。
於以下說明中，所謂「長條狀」薄膜，係指長度具有寬度之5倍以上的薄膜，以具有寬度的10倍或者具有寬度的10倍以上之長度為佳，具體而言，係指其長度具有可被捲取成輥狀以保管或搬運之程度的薄膜。長條狀薄膜之長度上限並無特別限制，舉例而言，得為寬度的10萬倍以下。
〔1.光學薄膜之概要〕
本發明之光學薄膜，其光彈性係數小。具體而言，前述光學薄膜之光彈性係數通常為1.5×10-13(dyn/cm2)-1以下，以1.48× 10-13(dyn/cm2)-1以下為佳，以1.46×10-13(dyn/cm2)-1以下為較佳。光彈性係數的下限愈小愈佳，理想上為0.0×10-13(dyn/cm2)-1。此種具有小的光彈性係數之光學薄膜，藉由貼合偏光片時的應力而難以產生大的延遲變化。因此，能夠實現顏色不均較小的液晶顯示裝置。
光學薄膜之光彈性係數得依據下述方法量測。
將光學薄膜切成100mm×10mm以獲得試驗片。對所得之試驗片施加0g重、100g重、200g重、300g重、400g重及500g重的荷重，並量測當時之面內延遲。前述面內延遲的量測，係使用橢圓偏光儀並以量測波長560nm而進行。將光學薄膜的厚度設為d，以每片薄膜斷面積之荷重求出應力，而可由相對於此應力之面內延遲Re(560)與厚度d的比之Re(560)/d的變化率導出光彈性係數。
本發明之光學薄膜，其延遲的絕對值小。具體而言，於波長560nm之光學薄膜的面內延遲Re(560)，通常為1.0nm以下，以0.8nm以下為佳，以0.6nm以下為較佳，理想值為0nm。並且，於波長560nm之光學薄膜的厚度方向之延遲Rth(560)的絕對值｜Rth(560)｜，通常為1.0nm以下，以0.8nm以下為佳，以0.6nm以下為較佳，理想值為0nm。此種延遲的絕對值小之光學薄膜，係藉由設置於偏光板以作為內側偏光片保護薄膜，而能夠抑制具備此偏光板的液晶顯示裝置產生顏色不均。
薄膜之面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth，得使用相位差計(Axometrics公司製「AxoScan」)以進行量測。
本發明之光學薄膜，其於高溫高濕環境下之延遲的變化小。具 體而言，於溫度60℃、濕度90%下保管4小時的情形中，波長560nm之光學薄膜的面內延遲Re(560)與厚度d之比Re(560)/d的變化，通常為0.5×10-5以下，以0.2×10-5以下為佳，以0.1×10-5以下為較佳，並且以-0.5×10-5以上為佳，以-0.2×10-5以上為較佳，以-0.1×10-5以上為特佳。再者，於溫度60℃、濕度90%下保管4小時的情形中，波長560nm之光學薄膜的厚度方向之延遲Rth(560)與厚度d的比Rth(560)/d之變化，通常為0.5×10-5以下，以0.2×10-5以下為佳，以0.1×10-5以下為較佳，並且以-0.5×10-5以上為佳，以-0.2×10-5以上為較佳，以-0.1×10-5以上為特佳。此種於高溫環境下之延遲的變化小的光學薄膜，其耐熱性優異，且可在高溫環境下使用。並且，藉由將此種光學薄膜設置於偏光板以作為內側偏光片保護薄膜，而能夠抑制具備此偏光板液晶顯示裝置於高溫環境及高濕度環境下產生顏色不均。
前述之比Re(560)/d的變化以及比Rth(560)/d的變化，得以下述方法量測。
以量測波長560nm，量測光學薄膜之面內延遲及厚度方向的延遲。如此所量測之值稱為初期的面內延遲Re0及厚度方向之延遲Rth0。
之後，將前述光學薄膜於溫度60℃、濕度90%下保管4小時。
以量測波長560nm量測保管後的光學薄膜之面內延遲及厚度方向的延遲。如此所量測之值稱為試驗後的面內延遲Re1及厚度方向之延遲Rth1。
之後，藉由下述式(X1)及式(X2)，計算比Re(560) /d的變化△Re(560)/d以及比Rth(560)/d的變化△Rth(560)/d。
△Re(560)/d=(Re1-Re0)/d (X1)
△Rth(560)/d=(Rth1-Rth0)/d (X2)
光學薄膜之波長450nm的面內延遲Re(450)、光學薄膜之波長560nm的面內延遲Re(560)以及光學薄膜之波長650nm的面內延遲Re(650)，以滿足下述式(i)及式(ii)為佳。
Re(450)/Re(560)<1.0 (i)
Re(650)/Re(560)>1.0 (ii)。
具有滿足前述式(i)及式(ii)的面內延遲Re(450)、Re(560)及Re(650)之光學薄膜，通常其具有波長愈大、面內延遲愈大之特性(以下，亦衡酌稱之為「反向波長色散特性」)。此種具有反向波長色散特性之光學薄膜，係藉由設置於偏光板以作為內側偏光片保護薄膜，而能夠抑制具備此偏光板的液晶顯示裝置產生傾斜視野角之漏光及顏色不均。於此，所謂傾斜視野角之漏光，係指在自既非平行亦非垂直於液晶顯示裝置之畫面的傾斜方向看該畫面的情形下，得以辨識之漏光。
具有上述各種特性之光學薄膜，能夠藉由採用包含以下所述之聚合物X的樹脂作為其材料而獲得。
〔2.芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)及二烯化合物氫化物單元(b)〕
本發明之光學薄膜，係以包含具有芳香族乙烯基化合物氫 化物單元(a)及二烯化合物氫化物單元(b)的聚合物為佳。於以下說明，亦有將此特定聚合物稱為「聚合物X」之情況。具體而言，本發明之光學薄膜得為由包含聚合物X的樹脂而成之薄膜。藉由構成光學薄膜的樹脂包含聚合物X，而可容易獲得具有上述各種特性之光學薄膜。
〔2.1.芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)〕
芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)，係具有將芳香族乙烯基化合物聚合，並將其不飽和鍵氫化所得之結構的結構單元。惟，芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)只要具有該結構，則亦包含以任意製造方法所得之單元。
如同前述，於本案中，具有將苯乙烯聚合，並將其不飽和鍵氫化所得之結構的結構單元，亦被稱為苯乙烯氫化物單元。苯乙烯氫化物單元亦只要具有該結構，則亦包含以任意製造方法所得之單元。
芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之例，可舉例如以下結構式(1)所示之結構單元。
Figure 106132215-A0202-12-0008-1
於結構式(1)中，Rc表示脂環烴基。Rc之例可舉例如環己基等環己基類；十氫萘基(decahydronaphthyl group)類等。
於結構式(1)中，R1、R2及R3各自獨立表示氫原子、鏈狀烴基、鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基、矽基或以極性基取代之鏈狀烴基。並且，極性基可舉例如鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基或矽基。其中，就耐熱性、低雙折射性及機械強度等觀點而言，R1、R2及R3以氫原子及碳原子數1~6個之鏈狀烴基為佳。鏈狀烴基以飽和烴基為佳，以烷基為較佳。
芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之較佳具體例可舉例下述式(1-1)所示之結構單元。式(1-1)所示之結構單元係苯乙烯氫化物單元。
Figure 106132215-A0202-12-0009-2
芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)的例示物中具有立體異構物者，能夠使用其任一之立體異構物。芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)，可僅使用一種，亦能以任意比率組合二種以上而使用。
〔2.2.二烯化合物氫化物單元(b)〕
二烯化合物氫化物單元(b)，係具有將二烯化合物聚合且若此所得之聚合物具有不飽和鍵則將其不飽和鍵氫化所得之結構的結構單元。惟，二烯化合物氫化物單元(b)只要具有該結構，則亦包含以任意製造方法所得之單元。
如同前述，於本案中，具有將異戊二烯聚合、並將其不飽和鍵氫化所得之結構的結構單元，亦被稱為異戊二烯氫化物單元。異戊二烯氫化物單元亦只要具有該結構，則亦包含以任意製造方法所得之單元。
二烯化合物氫化物單元(b)，係以具有將直鏈共軛二烯化合物等共軛二烯化合物聚合並將其不飽和鍵氫化所得之結構為佳。其例可舉例以下的結構式(2)所示之結構單元以及結構式(3)所示之結構單元。
Figure 106132215-A0202-12-0010-3
於結構式(2)中，R4~R9各自獨立表示氫原子、鏈狀烴基、鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基、矽基或以極性基所取代之鏈狀烴基。並且，極性基可舉例如鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基或矽基。其中，就耐熱性、低雙折射性及機械強度等觀點而言，R4~R9以氫原子及碳原子數1~6個之鏈狀烴基為佳。鏈狀烴基以飽和烴基為佳，以烷基為較佳。
化學式4
Figure 106132215-A0202-12-0011-4
於結構式(3)中，R10~R15各自獨立表示氫原子、鏈狀烴基、鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基、矽基或以極性基取代之鏈狀烴基。並且，極性基可舉例如鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基或矽基。其中，就耐熱性、低雙折射性及機械強度等觀點而言，R10~R15以氫原子及碳原子數1~6個之鏈狀烴基為佳。鏈狀烴基以飽和烴基為佳，以烷基為較佳。
二烯化合物氫化物單元(b)之較佳具體例可舉例下述式(2-1)~(2-3)所示之結構單元。式(2-1)~(2-3)所示之結構單元係異戊二烯氫化物單元。
Figure 106132215-A0202-12-0011-5
Figure 106132215-A0202-12-0012-6
於二烯化合物氫化物單元(b)的例示物中具有立體異構物者，能夠使用其任一之立體異構物。二烯化合物氫化物單元(b)，可僅使用一種，亦能以任意比率組合二種以上而使用。
〔3.聚合物X〕
聚合物X以包含具有芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之嵌段A與具有二烯化合物氫化物單元(b)之嵌段B為佳。再者，聚合物X以具有三嵌段分子結構為佳，其中此三嵌段分子結構的每一分子中，具有一個嵌段B以及二個連結於其兩端之嵌段A。亦即，聚合物X係以三嵌段共聚合物為佳，其中此三嵌段共聚合物的每一分子中包含：一個嵌段B、一個連接於嵌段B的一端且具有芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之嵌段A1以及一個連接於嵌段B的另一端且具有芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之嵌段A2。
於作為上述三嵌段共聚合物的聚合物X中，就容易獲得具有上述特性之光學薄膜的觀點而言，以嵌段A1及嵌段A2之合計與嵌段B的重量比(A1+A2)/B落於特定範圍內為佳。具體而言，重量比(A1+A2)/B係以70/30以上為佳，以75/25以上為較佳，且以90/10以下為佳，以未達82/18為較佳。
並且，於作為上述三嵌段共聚合物的聚合物X中，就容易獲得具有上述特性之光學薄膜的觀點而言，以嵌段A1與嵌段A2之重量比A1/A2落於特定範圍為佳。具體而言，重量比A1/A2以5以上為佳，以5.2以上為較佳，以5.5以上為特佳，且以8以下為佳，以7.8以下為較佳，以7.5以下為特佳。
聚合物X之重量平均分子量Mw係以50000以上為佳，以55000以上為較佳，以60000以上為特佳，且以80000以下為佳，以75000以下為較佳，以70000以下為特佳。藉由重量平均分子量Mw落於前述範圍，而能夠容易地獲得具有上述特性之光學薄膜。尤其，藉由減小重量平均分子量Mw，而能夠有效減小延遲的表現性。
聚合物X之分子量分布(重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn))係以2.0以下為佳，以1.7以下為較佳，以1.5以下為特佳，且以1.0以上為佳。藉由重量平均分子量Mw落於前述範圍，而能夠降低聚合物黏度以提高成形性。並且，能夠有效減小延遲的表現性。
聚合物X之重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn，得使用以四氫呋喃作為溶劑的凝膠滲透層析法量測，並由聚苯乙烯換算 值而得。
嵌段A1及嵌段A2雖以各自獨立且僅包含芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)為佳，但除了芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之外亦得包含任意單元。任意結構單元可舉例有以芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之外的乙烯基化合物為基礎的結構單元。於嵌段A中，任意結構單元之含有率係以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以1重量%以下為特佳。
嵌段B雖以僅包含二烯化合物氫化物單元(b)為佳，但除了二烯化合物氫化物單元(b)之外亦得包含任意單元。任意結構單元可舉例有以芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之外的乙烯基化合物為基礎的結構單元。於嵌段B中，任意結構單元之含有率係以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以1重量%以下為特佳。
作為上述三嵌段共聚合物之聚合物X，其光彈性係數小且其延遲的表現性小，再者，因其水蒸氣吸收性低，故於高溫高濕環境下難以產生延遲的變化。因此，藉由包含前述三嵌段共聚合物的樹脂，能夠容易地獲得本發明之光學薄膜。
〔4.聚合物X之製造方法〕
聚合物X之製造方法並無特別限定，得採用任意製造方法。舉例而言，聚合物X得藉由以下製造方法進行製造。準備對應於芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)及二烯化合物氫化物單元(b)的單體並使其聚合，再將所得之聚合物氫化，藉此製造聚合物X。
作為對應於芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之單體， 得使用芳香族乙烯基化合物。可列舉以下作為其例：苯乙烯、α-甲苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-丙基苯乙烯、α-異丙基苯乙烯、α-三級丁基苯乙烯、2-甲苯乙烯、3-甲苯乙烯、4-甲苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、2,4-二甲苯乙烯、4-三級丁基苯乙烯、5-三級丁基-2-甲苯乙烯、單氯苯乙烯、二氯苯乙烯、單氟苯乙烯及4-苯基苯乙烯等苯乙烯類；乙烯基環已烷以及3-甲基-異丙烯基環己烷(3-methyl-isopropenylcyclohexane)等乙烯基環已烷類；以及4-乙烯基環己烯、4-異丙烯基環己烯(isopropenylcyclohexene)、1-甲基-4-乙烯基環己烯(1-methyl-4-vinylcyclohexene)、1-甲基-4-異丙烯基環己烯(1-methyl-4-isopropenylcyclohexene)、2-甲基-4-乙烯基環己烯(2-methyl-4-vinylcyclohexene)以及2-甲基-4-異丙烯基環己烯(2-methyl-4-isopropenylcyclohexene)等乙烯基環己烯類。此等單體可單獨使用一種，亦能以任意比率組合二種以上而使用。
作為對應於二烯化合物氫化物單元(b)的單體，可舉例如：丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯及1,3-己二烯等鏈狀共軛二烯類。此等單體可單獨使用一種，亦能以任意比率組合二種以上而使用。
關於聚合之反應方式，通常得採用陰離子聚合。並且，聚合亦能以嵌段聚合或溶液聚合等任一者進行。其中，因連續進行聚合反應與氫化反應，故以溶液聚合為佳。
聚合之反應溶劑的例子可列舉正丁烷、正戊烷、異戊烷、正已烷、正庚烷及異辛烷等脂肪烴溶劑；環戊烷、環己烷、甲基環戊烷、 甲基環己烷及十氫萘等脂環烴溶劑；以及苯及甲苯等芳香烴溶劑。其中，若使用脂肪烴溶劑及脂環烴溶劑，因其能夠作為對氫化反應亦為惰性的溶劑而直接使用，故為佳。
反應溶劑可單獨使用一種，亦能以任意比率組合二種以上而使用。
通常，相對於全部單體100重量份，係以200重量份~10,000重量份之比例使用反應溶劑。
通常會於聚合之際使用聚合起始劑。聚合起始劑的例子可列舉：正丁基鋰、二級丁基鋰、三級丁基鋰、己基鋰及苯基鋰等單有機鋰(monoorganolithium)；以及二鋰甲烷(dilithiomethane)、1,4-二鋰丁烷(1,4-dilithiobutane)及1,4-二鋰-2-乙基環己烷(1,4-dilithio-2-ethylcyclohexane)等多官能性有機鋰化合物(polyfunctional organolithium compound)。聚合起始劑可單獨使用一種，亦能以任意比率組合二種以上而使用。
關於聚合物X，於製造包含嵌段A1、嵌段A2及嵌段B之三嵌段共聚物的情形之製造方法的例子，可列舉包含下述第一步驟~第三步驟的製造方法。於此，稱為「單體組成物」之材料，不僅包含二種以上物質的混合物，亦包含由單一物質而成之材料。
第一步驟：使含有芳香族乙烯基化合物的單體組成物(a1)聚合而形成嵌段A之步驟。
第二步驟：於此嵌段A之一端，使含有二烯化合物的單體組成物(b)聚合而形成嵌段B，進而形成A-B的二嵌段聚合物之步 驟。
第三步驟：於此二嵌段聚合物的嵌段B側之末端，使含有芳香族乙烯基化合物的單體組成物(a2)聚合，而獲得三嵌段共聚合物之步驟。惟，單體組成物(a1)與單體組成物(a2)可相同亦可相異。
於聚合各個聚合物嵌段之際，為了防止在各嵌段內某一成分的鏈過度變長，得使用聚合促進劑及隨機排列劑(randomizer)。舉例而言，在藉由陰離子聚合以進行聚合之情形中，得使用路易士鹼作為隨機排列劑。路易士鹼的具體例可列舉：二甲醚、二乙醚、二異丙醚、二丁醚、四氫呋喃、二苯醚、乙二醇二乙醚(ethyleneglycol diethyl ether)及乙二醇甲基苯基醚(ethyleneglycol methyl phenyl ether)等醚化合物；四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺、及吡啶等三級胺化合物；氧化三級戊基鉀(tert-amylpotassium oxide)及氧化三級丁基鉀(tert-butylpotassium oxide)等鹼金屬烷氧化合物；以及三苯膦(triphenylphosphine)等膦化合物。此等可單獨使用一種，亦能以任意比率組合二種以上而使用。
聚合溫度雖只要可進行聚合則無限制，但通常為0℃以上，以20℃以上為佳，且通常為200℃以下，以100℃以下為佳，以80℃以下為較佳。
聚合後，如有需要得藉由任意方法自反應混合物回收聚合物。回收方法的例子可列舉蒸汽汽提法、直接去溶劑法及乙醇凝固法。並且，於聚合時使用對氫化反應為惰性的溶劑作為反應溶劑之情形，不必自聚合溶液回收聚合物，而能夠直接提供至氫化步驟。
聚合物之氫化方法並無限制，得採用任意方法。舉例而言，得使用適當的氫化觸媒以進行氫化。更具體而言，於有機溶劑中，得使用包含至少一種金屬之氫化觸媒以進行氫化，該至少一種金屬係選自包含鎳、鈷、鐵、銠、鈀、鉑、釕及錸之群組。氫化觸媒可為非均相觸媒，亦可為均相觸媒。氫化觸媒可單獨使用一種，亦能以任意比率組合二種以上而使用。
非均相觸媒可直接使用金屬或金屬化合物，亦可負載於適當的載體而使用。載體的例子可列舉活化碳、二氧化矽、氧化鋁、碳化鈣、二氧化鈦、氧化鎂、二氧化鋯、矽藻土及碳化矽。載體之觸媒負載量通常為0.01重量%以上，以0.05重量%以上為佳，且通常為80重量%以下，以60重量%以下為佳。
均相觸媒可舉例如：組合有鎳、鈷或鐵的化合物與有機金屬化合物(例如，有機鋁化合物、有機鋰化合物)之觸媒；以及銠、鈀、鉑、釕及錸等有機金屬錯合物觸媒。鎳、鈷或鐵的化合物的例子，可列舉此等金屬之乙醯丙酮鹽、環烷酸鹽、環戊二烯基化合物以及環戊二烯基二氯化物。有機鋁化合物的例子可列舉：三乙鋁、三異丁基鋁(triisobutylaluminum)等烷基鋁；氯化二乙基鋁(diethylaluminum chloride)、二氯化乙基鋁(ethylaluminum dichloride)等鹵素化鋁；以及氫化二異丁基鋁等氫化烷基鋁。
有機金屬錯合物觸媒可舉例如：上述各金屬之γ-二氯-π-苯基錯合物((γ-dichloro)(π-phenyl)complex)、二氯-參(三苯膦基)錯合物(dichlorotris(triphenylphosphine)complex)、氯氫(三苯膦 基)錯合物(hydrido-chloro-(triphenylphosphine)complex)等金屬錯合物。
相對於聚合物100重量份，氫化觸媒之使用量通常為0.01重量份以上，以0.05重量份以上為佳，以0.1重量份以上為較佳，且通常為100重量份以下，以50重量份以下為佳，以30重量份以下為較佳。
氫化反應時的反應溫度雖通常為10℃~250℃，但基於能夠提高氫化率且能夠減少聚合物裂解反應之理由，以50℃以上為佳，以80℃以上為較佳，且以200℃以下為佳，以180℃以下為較佳。並且，反應時的壓力雖通常為0.1MPa~30MPa。但除了上述理由之外，就操作性的觀點而言，以1MPa以上為佳，以2MPa以上為較佳，且以20MPa以下為佳，以10MPa以下為較佳。
氫化率通常為90%以上，以95%以上為佳，以97%以上為較佳。藉由提高氫化率，而能夠提高聚合物X之低雙折射性及熱穩定性等。氫化率能夠以1H-NMR進行量測。
〔5.聚合物X以外之任意成分〕
本發明之光學薄膜雖可僅由聚合物X而成，但亦可包含聚合物X以外的任意成分。
任意成分可列舉例如：無機微粒子；抗氧化劑、熱穩定劑、紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑等穩定劑；潤滑劑、塑化劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；及抗靜電劑。作為此等任意成分，可單獨使用一種，亦能以任意比率組合二種以上而使用。惟，就顯著發揮本發明之效果的觀點而言，以任意成分的含有比例少為佳。舉例而言，相對於 聚合物X 100重量份，任意成分之合計比例以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為更佳。
〔6.光學薄膜之尺寸及較佳特性〕
本發明之光學薄膜的厚度通常為10μm以上，以15μm以上為佳，以20μm以上為較佳，且通常為75μm以下，以60μm以下為佳，以50μm以下為較佳。藉由將厚度設定在前述範圍的下限以上，而能夠於使用作為偏光片保護薄膜之際提升偏光板的防止破損能力及處理性，且藉由設定在上限以下而能夠將偏光板薄化。
本發明之光學薄膜通常為透明層，而使可見光良好地穿透。具體的透光率得視光學薄膜之用途而適當選擇。舉例而言，於波長420nm~780nm的透光率以85%以上為佳，以88%以上為較佳。藉由具有此種高透光率，在將光學薄膜安裝至液晶顯示裝置等顯示裝置之情形中，尤其能夠抑制長期使用時的亮度下降。
〔7.任意層〕
本發明之光學薄膜可僅具有一層由包含聚合物X的樹脂而成之薄膜，亦可具有二層以上。並且，只要未顯著損及本發明之效果，本發明之光學薄膜除了具有由包含聚合物X的樹脂而成之薄膜以外，得具有任意層。任意層的例子可列舉改善薄膜的光滑性之基墊層、耐震性聚丙烯酸甲酯樹脂層等硬塗膜層、抗反射層。
〔8.光學薄膜之製造方法〕
本發明之光學薄膜的製造方法並無特別限定，得採用任意製造方法。舉例而言，得藉由調製包含聚合物X的樹脂，並使該樹脂成 形為指定形狀，而製造本發明之光學薄膜。其中，以包括藉由將包含聚合物X的樹脂進行熔融擠出成形之製造方法而製造光學薄膜為佳。藉由熔融擠出成形，能夠抑制延遲的表現，且同時能夠效率良好地且簡單地製造機械強度及表面精確度優異之光學薄膜。
關於包含聚合物X的樹脂，得直接使用藉由如上所述之方法所調製的聚合物X。或者，得使用混合有聚合物X與視需要之任意成分者作為包含聚合物X的樹脂。
於進行熔融擠出成形之際的樹脂溫度(以下亦衡酌稱之為「擠出溫度」)，以落於指定範圍內為佳。具體的擠出溫度以180℃以上為佳，以185℃以上為較佳，以190℃以上為特佳，且以260℃以下為佳，以250℃以下為較佳，以240℃以下為特佳。藉由使擠出溫度在前述溫度範圍內，而能夠容易地獲得具有上述特性之光學薄膜。
藉由熔融擠出成形，能夠獲得長條狀樹脂薄膜。此樹脂薄膜得直接作為本發明之光學薄膜。或者，得進而將此樹脂薄膜供給至任意處理，並將藉此所得者作為本發明之光學薄膜。舉例而言，可使用前述樹脂薄膜作為延伸前薄膜，並對此延伸前薄膜施以延伸處理，而獲得作為延伸薄膜的光學薄膜。藉由適當調整聚合物X所包含之結構單元的比例，可減小因延伸而在薄膜表現之延遲。因此，藉由前述延伸處理，能夠容易地製造厚度薄，面積大，且品質良好的光學薄膜，故能夠提高薄膜之良率。
於製造作為延伸薄膜之光學薄膜的情形下，光學薄膜之製造方法包含將作為延伸前薄膜之樹脂薄膜加以延伸，此樹脂薄膜係藉由熔融擠出成 形而得。此時，得以能夠獲得上述光學薄膜的方式而適當調整延伸條件。於延伸處理中所進行之延伸，得為單軸延伸、雙軸延伸或其他種類的延伸。延伸方向得設定為任意方向。舉例而言，於延伸前薄膜為長條狀薄膜之情形，延伸方向可為薄膜的長邊方向、寬度方向及除此之外的任一傾斜方向。於進行雙軸延伸的情形下，二個延伸方向所成之角度通常雖可設定為互相正交的角度，但並非限定於此，而得設定為任意角度。雙軸延伸可為逐次雙軸延伸，亦可為同步雙軸延伸。就高生產性之觀點而言，以同步雙軸延伸為佳。
延伸溫度以130℃以上為佳，以150℃以上為較佳，以155℃以上為特佳，且以180℃以下為佳，以175℃以下為較佳，以170℃以下為特佳。藉由使延伸溫度落於前述溫度範圍內，能夠容易地獲得作為具有上述特性的光學薄膜之延伸薄膜。
延伸倍率以1.1倍以上為佳，以1.25倍以上為較佳，以1.5倍以上為特佳，且以2.5倍以下為佳，以2.25倍以下為較佳，以2倍以下為特佳。藉由使延伸倍率落於前述溫度範圍內，能夠容易地獲得作為具有上述特性的光學薄膜之延伸薄膜。於雙軸延伸之情形下，二個延伸方向各別的倍率得設定為此範圍內。
〔9.光學薄膜之用途：偏光板〕
本發明之光學薄膜，得適用於作為保護薄膜以保護液晶顯示裝置等顯示裝置中的其他層。其中，本發明之光學薄膜以適用於作為偏光片保護薄膜為佳，以適用於作為內側偏光片保護薄膜為更佳。
本發明之偏光板，具備偏光片與上述光學薄膜。於本發明之偏光板中，光學薄膜得發揮作為偏光片保護薄膜之功能。本發明之偏 光板亦更可在光學薄膜與偏光片之間具備用於接著此等之接著劑層。
偏光片並無特別限定，得使用任意的偏光片。偏光片的例子可列舉於使聚乙烯醇薄膜吸附碘、二色性染料(dichroic dye)等材料之後，進行延伸加工而成者。構成接著劑層的接著劑可列舉以各種聚合物作為基底聚合物者。此基底聚合物的例子可列舉丙烯酸聚合物、矽氧聚合物、聚酯、聚胺酯、聚醚及合成橡膠。
偏光板所具備的偏光片與保護薄膜之數量雖為任意，但本發明之偏光板通常得具備一層偏光片與設置於其兩面的二層保護薄膜。於此二層保護薄膜中，可兩者皆為本發明之光學薄膜，亦可僅有任一者為本發明之光學薄膜。尤其，特佳為在具備光源及液晶晶胞且於此液晶晶胞的光源側及顯示面側兩側具有偏光板之液晶顯示裝置中，具備本發明之光學薄膜，並將本發明之光學薄膜作為相較於顯示面側的偏光片而更位於光源側所使用的保護薄膜。藉由具有此構成，而能夠容易地構成具有傾斜視野角的漏光少、且顏色不均小之良好的顯示品質之液晶顯示裝置。
適合設置本發明之偏光板的液晶顯示裝置可列舉例如具備共面切換(In-Plane Switching，IPS)模式、垂直排列(Vertical Alignment，VA)模式、多區域垂直排列(Multi-domain Vertical Alignment，MVA)模式、連續焰火狀配向(Continuous Pinwheel Alignment，CPA)模式、混合排列向列(Hybrid Aligned Nematic,HAN)模式、扭轉向列(Twisted Nematic，TN)模式、超扭轉向列(Super Twisted Nematic，STN)模式、光學補償雙折射(Optical Compensated Birefringence，OCB)模式等驅動方式之液晶晶胞的液晶顯示裝置，其中，就藉由本發明之光學薄膜而使傾斜視野角的漏光及顏色不均顯著受到抑制之效果的觀點而言，以具備IPS模式之液晶晶胞的液晶顯示裝置為特佳。
以下將說明實施例。
以下將例示實施例並針對本發明進行具體說明。惟，並非將本發明限定於以下所例示之實施例，在未脫離本發明之申請專利範圍及等同其範圍之範疇內，得任意變更以實施。
於以下說明中，表示量之「%」及「份」，只要未特別限定，係重量基準。並且，以下所說明的操作，只要未特別限定，係於常溫常壓的大氣中進行。
[評估方法]
〔分子量之量測方法〕
聚合物之重量平均分子量及數量平均分子量，係藉由以四氫呋喃作為溶析液的凝膠滲透層析法，於38℃下量測標準聚苯乙烯換算值而得。量測裝置係使用Tosoh Corporation製之HLC8020GPC。
〔延遲之量測方法〕
薄膜之面內延遲Re及厚度方向的延遲Rth係使用相位差計(Axometrics公司製「AxoScan」)以量測。
〔光彈性係數之量測方法〕
將薄膜切成100mm×10mm以獲得試驗片。在所得之試驗片施加0g重、100g重、200g重、300g重、400g重及500g重的荷重 並量測當時之面內延遲。使用橢圓偏光儀(J.A.Woollam公司製「M-2000」)並以量測波長560nm進行前述面內延遲的量測。將薄膜的厚度設為d，以每個薄膜斷面積之荷重求出應力。由相對於此應力之比Re(560)/d的變化率導出光彈性係數。前述比Re(560)/d係面內延遲Re(560)與厚度d之比。
〔高溫高濕試驗所致之雙折射的變化之評估方法〕
使用上述方法，以量測波長560nm量測薄膜之初期的面內延遲Re0及厚度方向的延遲Rth0。
之後，將前述薄膜於溫度60℃、濕度90%下保管4小時。接下來，使用上述方法，以量測波長560nm量測保管後的薄膜之試驗後的面內延遲Re1及厚度方向的延遲Rth1。
經保管在高溫高濕環境下後，使用下述式(X1)計算於波長560nm之面內延遲Re(560)與厚度d的比Re(560)/d之變化△Re(560)/d。
△Re(560)/d=(Re1-Re0)/d (X1)
並且，經保管在高溫高濕環境下後，使用下述式(X2)計算於波長560nm之厚度方向的延遲Rth(560)與厚度d之比Rth(560)/d的變化△Rth(560)/d。
△Rth(560)/d=(Rth1-Rth0)/d (X2)
[實施例1]
(1-1.第一階段聚合反應：嵌段A1之伸長)
於經充分乾燥及氮取代且具備攪拌裝置之不銹鋼製反應器中，裝填脫水環己烷320份、苯乙烯60份及二丁醚0.38份，並於60℃下進行攪拌且同時添加正丁基鋰溶液(含有15重量%之己烷溶液)0.41份，使聚合反應開始，以進行第一階段之聚合反應。於反應開始後1小時的時間點，自反應混合物取樣，並藉由氣相層析法(GC)進行分析，其結果，聚合轉化率為99.5%。
(1-2.第二階段反應：嵌段B之伸長)
添加異戊二烯30份至前述步驟(1-1)所得之反應混合物，接下來開始第二階段的聚合反應。於第二階段的聚合反應開始後1小時之時間點，自反應混合物取樣，並藉由GC進行分析，其結果係聚合轉化率為99.5%。
(1-3.第三階段反應：嵌段A2之伸長)
添加苯乙烯10份至前述步驟(1-2)所得之反應混合物，接下來開始第三階段的聚合反應。於第三階段的聚合反應開始後1小時之時間點，自反應混合物取樣，並量測聚合物的重量平均分子量Mw及數量平均分子量Mn。並且，藉由GC分析於此時間點所取樣之試料，其結果係聚合轉化率為幾乎100%。在此之後，立即添加異丙醇0.2份至反應混合物以使反應停止。藉此獲得包含聚合物之混合物，此聚合物具有苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯的三嵌段分子結構。
所得之聚合物係具有聚合比為苯乙烯/異戊二烯/苯乙烯=60/30/10之三嵌段分子結構的共聚物。此共聚物之重量平均分子量(Mw)為約64000且分子量分布(Mw/Mn)為1.1。
(1-4.第四階段反應：氫化)
接下來，將包含上述共聚物之混合物移至具備攪拌裝置的耐壓反應器，添加矽藻土負載型鎳觸媒(日揮觸媒化成公司製「E22U」，鎳負載量60%)8.0份及脫水環己烷100份作為氫化觸媒，並加以混合。將反應器內部以氫氣進行取代，再於攪拌溶液的同時供給氫，於溫度190℃、壓力4.5MPa下進行氫化反應6小時。藉由氫化反應，將共聚物氫化而獲得聚合物X。所得之反應溶液所含有的聚合物X之重量平均分子量(Mw)為約66000且分子量分布(Mw/Mn)為1.11。
氫化反應結束後，將反應溶液過濾並去除氫化觸媒，之後添加2.0份的二甲苯溶液以使其溶解，其中此二甲苯溶液溶解有0.1份之為酚系抗氧化劑的肆[3-(3,5-二-三級丁基-4-羥苯基)丙酸]新戊四酯(pentaerythrityl-tetrakis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)propionate])(松原產業公司製「Songnox1010」)。
接下來，使用圓筒型濃縮乾燥器(日立製作所公司製「Kontro」)，將上述溶液置於溫度260℃、壓力0.001MPa以下之下，去除溶液中的溶劑環己烷、二甲苯及其他揮發成分。自模具將熔融聚合物擠出成股狀，並於冷卻後以製粒機製作95份的聚合物X之顆粒(pellet)。
所獲得之顆粒狀所含有的聚合物X之重量平均分子量(Mw)為65000、分子量分布(Mw/Mn)為1.13且氫化率為幾乎100%。
(1-5.光學薄膜之製造)
使用擠出成形機(Sumitomo Heavy Industries Modern Corporation製)，以擠出溫度220℃將前述顆粒進行熔融擠出成形，藉此獲得作為光學薄膜之長條狀樹脂薄膜，此樹脂薄膜的厚度為40μm。以上述方法評估所得之樹脂薄膜。
[實施例2]
於步驟(1-1)中，將苯乙烯的量變更為70份。並且，於步驟(1-2)中，將異戊二烯的量變更為20份。除了以上事項之外，藉由與實施例1相同的操作，而進行作為光學薄膜之樹脂薄膜的製造及評估。
[實施例3]
於步驟(1-1)中，將苯乙烯的量變更為75份。並且，於步驟(1-2)中，將異戊二烯的量變更為15份。除了以上事項之外，藉由與實施例1相同的操作，而進行作為光學薄膜之樹脂薄膜的製造及評估。
[實施例4]
於步驟(1-5)中，以所得之樹脂薄膜的厚度成為約100μm之方式進行熔融擠出成形。除了以上事項之外，藉由與實施例1相同的操作，而進行長條狀樹脂薄膜之製造。
使用雙軸延伸機(東洋精機公司製)，於延伸溫度160℃、延伸倍率2.5倍的條件下，將所得之樹脂薄膜於薄膜寬度方向進行延伸，而獲得作為光學薄膜之延伸薄膜。以上述方法評估所得之延伸薄膜。
[實施例5]
於步驟(1-1)中，將苯乙烯的量變更為70份。並且，於步驟(1-2)中，將異戊二烯的量變更為20份。再者，於步驟(1-5)中，以所得之樹脂薄膜的厚度成為約100μm之方式進行熔融擠出成形。除了以上事項之外，藉由與實施例1相同的操作，而進行長條狀樹脂薄膜之製造。
使用雙軸延伸機(東洋精機公司製)，於延伸溫度160℃、延伸倍率2.5倍的條件下，將所得之樹脂薄膜於薄膜寬度方向進行延伸，而獲得作為光學薄膜之延伸薄膜。以上述方法評估所得之延伸薄膜。
[實施例6]
於步驟(1-1)中，將苯乙烯的量變更為75份。並且，於步驟(1-2)中，將異戊二烯的量變更為15份。再者，於步驟(1-5)中，以所得之樹脂薄膜的厚度成為約100μm之方式進行熔融擠出成形。除了以上事項之外，藉由與實施例1相同的操作，而進行長條狀樹脂薄膜之製造。
使用雙軸延伸機(東洋精機公司製)，於延伸溫度160℃、延伸倍率2.5倍的條件下，將所得之樹脂薄膜於薄膜寬度方向進行延伸，而獲得作為光學薄膜之延伸薄膜。以上述方法評估所得之延伸薄膜。
[比較例1]
將纖維素三乙酸酯(triacetyl cellulose)薄膜(Konica Minolta公司製「ZeroTAC(註冊商標)」，厚度40μm)作為光學薄膜並進行評估。
[比較例2]
將丙烯酸薄膜(大倉工業公司製「OXIS」，厚度40μm)作為光學薄膜並進行評估。
[比較例3]
於步驟(1-2)中，將異戊二烯的量變更為20份。並且，於步驟(1-3)中，將苯乙烯的量變更為20份。再者，於步驟(1-5)中，以所得之樹脂薄膜的厚度成為約100μm之方式進行熔融擠出成形。除了以上事項之外，藉由與實施例1相同的操作，而進行長條狀樹脂薄膜之製造。
使用雙軸延伸機(東洋精機公司製)，於延伸溫度160℃、延伸倍率2.5倍的條件下，將所得之樹脂薄膜於薄膜寬度方向進行延伸，而獲得作為光學薄膜之延伸薄膜。以上述方法評估所得之延伸薄膜。
[比較例4]
於步驟(1-1)中，將苯乙烯的量變更為90份。並且，於步驟(1-2)中，將異戊二烯的量變更為5份。再者，於步驟(1-3)中，將苯乙烯的量變更為5份。並且，於步驟(1-5)中，以所得之樹脂薄膜的厚度成為約100μm之方式進行熔融擠出成形。除了以上事項之外，藉由與實施例1相同的操作，而進行長條狀樹脂薄膜之製造。
使用雙軸延伸機(東洋精機公司製)，於延伸溫度160℃、延伸倍率2.5倍的條件下，將所得之樹脂薄膜於薄膜寬度方向進行延伸，而獲得作為光學薄膜之延伸薄膜。以上述方法評估所得之延伸薄膜。
[比較例5]
於步驟(1-1)中，將苯乙烯的量變更為70份。並且，於步驟(1-2)中，將異戊二烯的量變更為20份。再者，為了增大重量平均分子量而將聚合起始劑的量減少，藉此將步驟(1-4)所得之聚合物X的重量平均分子量(Mw)調整為120000。除了以上事項之外，藉由與實施例1相同的操作，而進行長條狀樹脂薄膜之製造。
使用雙軸延伸機(東洋精機公司製)，於延伸溫度160℃、延伸倍率2.5倍的條件下，將所得之樹脂薄膜於薄膜寬度方向進行延伸，而獲得作為光學薄膜之延伸薄膜。以上述方法評估所得之延伸薄膜。
[比較例6]
於步驟(1-2)中，將異戊二烯的量變更為40份。並且，不進行步驟(1-3)，而將步驟(1-2)所得之反應混合物供至步驟(1-4)以進行氫化反應。除了以上事項之外，藉由與實施例1相同的操作，而進行長條狀樹脂薄膜之製造。
使用雙軸延伸機(東洋精機公司製)，於延伸溫度130℃、延伸倍率2.5倍的條件下，將所得之樹脂薄膜於薄膜寬度方向進行 延伸，而獲得作為光學薄膜之延伸薄膜。以上述方法評估所得之延伸薄膜。
[結果]
下述表1及表2顯示實施例及比較例的結果。於下表之中，簡稱的意涵如下所述。
A1/B/A2：嵌段A1/嵌段B/嵌段A2之重量比。
A/B：(嵌段A1及嵌段A2的合計)/嵌段B之重量比。
A1/A2：嵌段A1/嵌段A2之重量比。
Mw：重量平均分子量。
Mw/Mn：分子量分布。
HSIS：苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯之三嵌段共聚物的氫化物。
TAC：纖維素三乙酸酯。
丙烯酸：丙烯酸聚合物。
△Re(560)/d：於溫度60℃、濕度90%下保管4小時的情形中，於波長560nm之面內延遲Re(560)與厚度d的比Re(560)/d之變化。
△Rth(560)/d：於溫度60℃、濕度90%之下保管4小時的情形中，於波長560nm之厚度方向的延遲Rth(560)與厚度d之比Rth(560)/d的變化。
Figure 106132215-A0202-12-0032-7
Figure 106132215-A0202-12-0033-8
Figure 106132215-A0202-12-0033-9

Claims (7)

  1. 一種光學薄膜，其光彈性係數為1.5×10-13(dyn/cm2)-1以下；其於波長560nm之面內延遲Re(560)為1.0nm以下；其於波長560nm之厚度方向的延遲Rth(560)之絕對值｜Rth(560)｜為1.0nm以下；在溫度60℃、濕度90%下保管4小時的情形中，其於波長560nm之面內延遲Re(560)與厚度d的比Re(560)/d之變化為0.5×10-5以下；在溫度60℃、濕度90%下保管4小時的情形中，其於波長560nm之厚度方向的延遲Rth(560)與厚度d的比Rth(560)/d之變化為0.5×10-5以下；其包含具有一芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)及一二烯化合物氫化物單元(b)之一聚合物，該聚合物係一三嵌段共聚物，該三嵌段共聚物的每一分子中包含：一個具有該二烯化合物氫化物單元(b)之一嵌段B；一個連接於該嵌段B的一端、且具有該芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之一嵌段A1；以及一個連接於該嵌段B的另一端、且具有該芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)之一嵌段A2； 於該三嵌段共聚物中，該嵌段A1及該嵌段A2之合計與該嵌段B的重量比(A1+A2)/B為70/30以上且90/10以下，且該三嵌段共聚物中，該嵌段A1與該嵌段A2的重量比A1/A2為5以上且8以下；該聚合物的重量平均分子量為50000以上且80000以下。
  2. 如請求項1所述之光學薄膜，其中該光學薄膜之波長450nm的面內延遲Re(450)、該光學薄膜之波長560nm的面內延遲Re(560)及該光學薄膜之波長650nm的面內延遲Re(650)滿足下式(i)及式(ii)：Re(450)/Re(560)<1.0 (i) Re(650)/Re(560)>1.0 (ii)。
  3. 如請求項1所述之光學薄膜，其中該芳香族乙烯基化合物氫化物單元(a)係具有將苯乙烯聚合並進行氫化所得之結構的結構單元，該二烯化合物氫化物單元(b)係具有將異戊二烯聚合並進行氫化所得之結構的結構單元。
  4. 如請求項1至3之任一項所述之光學薄膜，其中該聚合物的分子量分布為2以下。
  5. 一種偏光板，其具備偏光片與如請求項1至4之任一項所述之光學薄膜。
  6. 一種光學薄膜的製造方法，其係製造如請求項1至4之任一項所述之光學薄膜的製造方法，其包括在180℃~260℃的溫度範圍下，將包含一聚合物之一樹脂進行一熔融擠出成形，該聚合物具有一芳 香族乙烯基化合物氫化物單元(a)及一二烯化合物氫化物單元(b)。
  7. 如請求項6所述之光學薄膜的製造方法，其中包括於130℃~180℃的溫度範圍下，將藉由該熔融擠出成形所得之延伸前薄膜延伸成1.1倍~2.5倍。
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