TW201811552A - 附隔件之補強用膜 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種附隔件之補強用膜，其係具有補強用膜及隔件者，且可抑制於剝離隔件時可能產生之剝離靜電，即便自預先貼合於光學構件或電子構件等之露出面側的該附隔件之補強用膜剝離隔件，亦可減輕對該光學構件或電子構件所造成之損害。 本發明之附隔件之補強用膜係具有補強用膜P及隔件Q者，且該補強用膜P包含基材層A1及黏著劑層A2，於該基材層A1與該黏著劑層A2之間配置有導電層C1及/或抗靜電層C2，該黏著劑層A2與隔件Q直接積層。

Description

附隔件之補強用膜

本發明係關於一種附隔件之補強用膜。

為了對光學構件或電子構件等賦予剛性或耐衝擊性，有時於該光學構件或電子構件等之露出面側預先貼合附隔件之補強用膜而進行補強(專利文獻1)。 然而，若自貼合於光學構件或電子構件等之露出面側的附隔件之補強用膜剝離隔件，則存在產生剝離靜電，對該光學構件或電子構件造成損害之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特開2014-234460號公報

[發明所欲解決之問題] 本發明之課題在於提供一種附隔件之補強用膜，其係具有補強用膜及隔件者，且可抑制於剝離隔件時可能產生之剝離靜電，即便自預先貼合於光學構件或電子構件等之露出面側的該附隔件之補強用膜剝離隔件，亦可減輕對該光學構件或電子構件所造成之損害。 [解決問題之技術手段] 本發明之附隔件之補強用膜係具有補強用膜P及隔件Q者，且 該補強用膜P包含基材層A1及黏著劑層A2， 於該基材層A1與該黏著劑層A2之間配置有導電層C1及/或抗靜電層C2， 該黏著劑層A2與隔件Q直接積層。 於一實施形態中，上述導電層C1之表面電阻值為1.0×10¹⁰ Ω/□以下。 於一實施形態中，上述抗靜電層C2之表面電阻值為1.0×10¹⁰ Ω/□以下。 於一實施形態中，於溫度23℃、濕度50%RH下，以剝離角度150度、剝離速度10 m/min，自上述補強用膜P剝離上述隔件Q時的上述黏著劑層A2之表面之剝離靜電壓為10.0 kV以下。 於一實施形態中，上述補強用膜P之透過率為70%以上。 於一實施形態中，於溫度23℃、濕度50%RH下，以剝離角度150度、剝離速度10 m/min，自上述補強用膜P剝離上述隔件Q後，於溫度23℃、濕度50%RH、剝離角度180度、拉伸速度300 mm/min下，上述黏著劑層A2對玻璃板之初期黏著力為1.0 N/25 mm以上。 於一實施形態中，於溫度23℃、濕度50%RH下，以剝離角度180度、拉伸速度300 mm/min，自上述補強用膜P剝離上述隔件Q時之剝離力為0.30 N/25 mm以下。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種附隔件之補強用膜，其係具有補強用膜及隔件者，且可抑制於剝離隔件時可能產生之剝離靜電，即便自預先貼合於光學構件或電子構件等之露出面側的該附隔件之補強用膜剝離隔件，亦可減輕對該光學構件或電子構件所造成之損害。

本說明書中，於有「質量」這一表述之情形時，亦可改稱為先前一般慣用作輕重之單位之「重量」，反之，本說明書中，於有「重量」這一表述之情形時，亦可改稱為慣用作表示輕重之SI系統單位之「質量」。 本說明書中，於有「(甲基)丙烯酸」這一表述之情形時，意指「丙烯酸及/或甲基丙烯酸」；於有「(甲基)丙烯酸酯」這一表述之情形時，意指「丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯」；於有「(甲基)烯丙基」這一表述之情形時，意指「烯丙基及/或甲基烯丙基」；於有「(甲基)丙烯醛」這一表述之情形時，意指「丙烯醛及/或甲基丙烯醛」。 《《附隔件之補強用膜》》 本發明之附隔件之補強用膜係具有補強用膜P及隔件Q者。本發明之附隔件之補強用膜只要具有補強用膜P及隔件Q，則亦可於無損本發明之效果之範圍內具有任意適當之其他層。 於本發明之附隔件之補強用膜中，補強用膜P包含基材層A1及黏著劑層A2，於基材層A1與黏著劑層A2之間配置有導電層C1及/或抗靜電層C2，黏著劑層A2與隔件Q直接積層。 作為本發明之附隔件之補強用膜的厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為9 μm～1300 μm，更佳為20 μm～1050 μm，進而較佳為35 μm～900 μm，尤佳為45 μm～750 μm。 《補強用膜P》 作為補強用膜P之厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為5 μm～800 μm，更佳為10 μm～650 μm，進而較佳為20 μm～550 μm，尤佳為25 μm～450 μm。 補強用膜P包含基材層A1及黏著劑層A2，於基材層A1與黏著劑層A2之間配置有導電層C1及/或抗靜電層C2。補強用膜P只要具有上述此種構成，則於無損本發明之效果之範圍內，可視目的包含任意適當之其他層。 補強用膜P之一實施形態如圖1所示，包含基材層A1、導電層C1及黏著劑層A2。 補強用膜P之另一實施形態如圖2所示，包含基材層A1、抗靜電層C2及黏著劑層A2。 補強用膜P亦可於基材層A1之與黏著劑層A2相反側具有抗靜電層A3。然而，本發明之附隔件之補強用膜由於在基材層A1與黏著劑層A2之間配置有導電層C1及/或抗靜電層C2，故而即便不具有抗靜電層A3，亦可充分表現出本發明之效果。 ＜基材層A1＞ 作為基材層A1，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用由任意適當之材料所形成之基材。作為此種材料，例如可列舉：樹脂片、不織布、紙、金屬箔、織布、橡膠片、發泡片、該等之積層體(尤其是包含樹脂片之積層體)等。 作為構成樹脂片之樹脂，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯、三乙醯纖維素(TAC)、聚碸、聚芳酯、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚醯胺(尼龍)、全芳香族聚醯胺(芳香族聚醯胺)、聚醯亞胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚乙酸乙烯酯、聚苯硫醚(PPS)、氟系樹脂、聚醚醚酮(PEEK)、環狀烯烴系聚合物等。 作為不織布，可列舉：包含馬尼拉麻之不織布等由具有耐熱性之天然纖維所形成之不織布；聚丙烯樹脂不織布、聚乙烯樹脂不織布、酯系樹脂不織布等合成樹脂不織布等。 基材層A1可為僅1層，亦可為2層以上。 作為基材層A1之厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為4 μm～500 μm，更佳為10 μm～400 μm，進而較佳為15 μm～350 μm，尤佳為20 μm～300 μm。 基材層A1亦可包含抗靜電劑。作為包含抗靜電劑之基材層A1，例如可使用混練有抗靜電劑之樹脂片。此種樹脂片可由包含樹脂及抗靜電劑之基材層A1形成用組合物所形成。 基材層A1本身亦可作為抗靜電劑而發揮作用。例如於採用金屬箔作為基材層A1之材料之情形時，基材層A1本身可作為抗靜電劑而發揮作用。 基材層A1亦可實施表面處理。作為表面處理，例如可列舉：電暈處理、電漿處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、游離輻射處理、利用底塗劑進行之塗佈處理等。 作為有機塗佈材料，例如可列舉塑膠硬塗材料II(CMC出版，(2004))中所記載之材料。作為此種有機塗佈材料，可較佳地列舉胺基甲酸酯系聚合物，可更佳地列舉聚丙烯酸胺基甲酸酯、聚酯胺基甲酸酯、或該等之前驅物。其原因在於，對基材層A1之塗敷、塗佈較簡便，且於工業上可選擇多種並可廉價地獲得。此種胺基甲酸酯系聚合物例如可列舉包含異氰酸酯單體與含醇性羥基之單體(例如含羥基之丙烯酸化合物或含羥基之酯化合物)之反應混合物的聚合物。有機塗佈材料亦可包含聚胺等鏈延長劑、抗老化劑、氧化穩定劑等作為任意添加劑。 於基材層A1中，於無損本發明之效果之範圍內，亦可視目的包含任意適當之其他添加劑。 ＜黏著劑層A2＞ 作為黏著劑層A2之厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為1 μm～300 μm，更佳為2 μm～250 μm，進而較佳為4 μm～200 μm，尤佳為5 μm～150 μm。 黏著劑層A2可為僅1層，亦可為2層以上。 黏著劑層A2係由黏著劑組合物a2所形成。只要為可將黏著劑組合物a2形成為層狀之方法，則黏著劑層A2可藉由任意適當之方法而形成。例如黏著劑層A2可將黏著劑組合物a2塗佈於任意適當之基材上，並視需要進行加熱等或活性能量線(紫外線等)照射等而形成。 黏著劑組合物a2較佳為包含丙烯酸系聚合物。作為此種丙烯酸系聚合物，較佳為使如下之單體成分進行聚合而獲得之丙烯酸系聚合物，該單體成分係以烷基之碳數為4～12之(甲基)丙烯酸烷基酯(有時稱為「(甲基)丙烯酸C4-C12烷基酯」)作為主成分，且相對於單體成分總量100重量份含有1重量份～10重量份之含羧基之單體作為單體成分。 黏著劑組合物a2中之丙烯酸系聚合物之含有比率以固形物成分換算計較佳為50重量%以上，更佳為50重量%～99.99重量%，進而較佳為55重量%～99重量%，尤佳為60重量%～95重量%，最佳為70重量%～90重量%。 作為(甲基)丙烯酸C4-C12烷基酯，只要為烷基之碳數為4～12之(甲基)丙烯酸烷基酯(丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸烷基酯)，則於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之(甲基)丙烯酸C4-C12烷基酯。作為此種(甲基)丙烯酸C4-C12烷基酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯等。此種(甲基)丙烯酸C4-C12烷基酯中，較佳為(甲基)丙烯酸正丁酯。 作為單體成分之主成分的(甲基)丙烯酸C4-C12烷基酯可為僅1種，亦可為2種以上。 單體成分總量中之(甲基)丙烯酸C4-C12烷基酯之含有比率較佳為50重量%～99重量%，更佳為80重量%～98重量%，進而較佳為90重量%～97重量%。若(甲基)丙烯酸C4-C12烷基酯之含有比率為上述範圍內，則可進一步表現出本發明之效果。 單體成分包含含羧基之單體。作為此種含羧基之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。又，亦可列舉該等含羧基之單體之酸酐(例如順丁烯二酸酐、伊康酸酐等含酸酐基之單體)作為含羧基之單體。作為此種含羧基之單體，較佳為丙烯酸。 單體成分總量中之含羧基之單體之含有比率較佳為1重量%～10重量%，更佳為3重量%～10重量%，進而較佳為3重量%～5重量%。若單體成分總量中之含羧基之單體之含有比率為上述範圍內，則可進一步表現出本發明之效果。 用以藉由聚合而獲得丙烯酸系聚合物之單體成分中，亦可視需要包含能夠與(甲基)丙烯酸C4-C12烷基酯或含羧基之單體進行共聚之單體(共聚性單體)。此種共聚性單體之含有比率較佳為相對於單體成分總量未達50重量%。為了表現出良好之黏著性，此種共聚性單體之含有比率更佳為使所獲得之丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度成為-20℃以下之含有比率，進而較佳為成為-70℃～-35℃之含有比率。 作為共聚性單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯等(甲基)丙烯酸C1-C3烷基酯；(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等(甲基)丙烯酸C13-C20烷基酯；(甲基)丙烯酸環烷基酯((甲基)丙烯酸環己酯等)、或(甲基)丙烯酸異𦯉基酯等含非芳香族性環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸芳基酯((甲基)丙烯苯酯等)、(甲基)丙烯酸芳氧基烷基酯((甲基)丙烯酸苯氧基乙酯等)、或(甲基)丙烯酸芳基烷基酯((甲基)丙烯酸苄酯)等含芳香族性環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯等含環氧基之丙烯酸系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系單體；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體；(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯等含羥基之單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯等烯烴系單體；乙烯醚等乙烯醚系單體等。 作為共聚性單體，例如亦可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯、二乙烯苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯等多官能單體。 作為共聚性單體，亦可列舉含氮原子之單體(例如，(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等(甲基)丙烯酸胺基烷基酯系單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥基(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯系單體；異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯等含異氰酸基之單體等)。然而，由於此種含氮原子之單體可能成為加熱下之黏著劑黃變之原因，故而於可不使用之情形時較佳為不使用。 丙烯酸系聚合物於無損本發明之效果之範圍內可藉由任意適當之聚合方法進行製備。作為丙烯酸系聚合物之聚合方法，例如可列舉溶液聚合方法、乳化聚合方法、塊狀聚合方法、基於紫外線照射之聚合方法等，就透明性、耐水性、成本等方面而言，較佳為溶液聚合方法。 關於丙烯酸系聚合物之聚合時可使用之聚合起始劑、鏈轉移劑等，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當者。 聚合起始劑之使用量於無損本發明之效果之範圍內可採用任意適當之量。作為此種使用量，例如相對於單體成分總量較佳為0.01重量%～1重量%。 鏈轉移劑之使用量於無損本發明之效果之範圍內可採用任意適當之量。作為此種使用量，例如相對於單體成分總量較佳為0.01重量%～15重量%。 於溶液聚合方法中，可使用各種普通溶劑。作為此種溶劑，例如可列舉：乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯類；甲苯、苯等芳香族烴類；正己烷、正庚烷等脂肪族烴類；環己烷、甲基環己烷等脂環式烴類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等有機溶劑。溶劑可為僅1種，亦可為2種以上。 丙烯酸系聚合物之重量平均分子量較佳為50萬～90萬，更佳為55萬～85萬，進而較佳為60萬～80萬。若丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為上述範圍內，則可進一步表現出本發明之效果。 丙烯酸系聚合物之重量平均分子量除可藉由聚合起始劑或鏈轉移劑之種類或其使用量、聚合時之溫度或時間進行控制以外，亦可藉由單體濃度、單體滴加速度等進行控制。 黏著劑組合物a2亦可包含低聚物成分。 作為低聚物成分，較佳為使如下之單體成分進行聚合而獲得之低聚物成分，該單體成分以形成均聚物時之玻璃轉移溫度為60℃～190℃且具有環狀結構之乙烯性不飽和單體(有時稱為「Tg為60℃～190℃之含環之乙烯性不飽和單體」)作為主成分，且相對於單體成分總量100重量份包含1重量份～10重量份之含羧基之單體。 作為低聚物成分，亦可列舉使如下之乙烯性不飽和單體進行聚合而獲得之低聚物成分，該乙烯性不飽和單體形成均聚物時之玻璃轉移溫度為60℃以上，且具有環狀結構。 於低聚物成分中，作為Tg為60℃～190℃之含環之乙烯性不飽和單體，只要為形成均聚物時之玻璃轉移溫度(Tg)為60℃～190℃且於分子內具有環狀結構之乙烯性不飽和單體，則於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之單體成分。作為此種Tg為60℃～190℃之含環之乙烯性不飽和單體中之環，可為芳香族性環、非芳香族性環之任一者，較佳為非芳香族性環。作為芳香族性環，例如可列舉芳香族烴環(例如苯環或萘等中之縮合碳環等)或各種芳香族性雜環等。作為非芳香族性環，可列舉：非芳香族性脂環式環(環戊烷環、環己烷環、環庚烷環、環辛烷環等環烷烴環；環己烯環等環烯烴環等)、非芳香族性橋接環(例如，蒎烷、蒎烯、𦯉烷、降𦯉烷、降𦯉烯等中之二環式烴環；金剛烷等中之三環式烴環；四環式烴環等橋接式烴環等)等。 作為Tg為60℃～190℃之含環之乙烯性不飽和單體，例如可自如下之於分子內具有環狀結構之乙烯性不飽和單體中適當選擇形成均聚物時之玻璃轉移溫度成為60℃～190℃者：(甲基)丙烯酸環己酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯、或(甲基)丙烯酸異𦯉基酯等含非芳香族性環之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸芳氧基烷基酯、或(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳基烷基酯等含芳香族性環之(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、或α-甲基苯乙烯等苯乙烯系單體等。 作為Tg為60℃～190℃之含環之乙烯性不飽和單體，可較佳地列舉甲基丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異𦯉基酯等具有非芳香族性環之(甲基)丙烯酸酯，就透明性之觀點而言，可更佳地列舉甲基丙烯酸環己酯。 Tg為60℃～190℃之含環之乙烯性不飽和單體可為僅1種，亦可為2種以上。 關於Tg為60℃～190℃之含環之乙烯性不飽和單體之含有比率，相對於單體成分總量，較佳為50重量%以上，更佳為80重量%～99重量%，進而較佳為90重量%～97重量%。若Tg為60℃～190℃之含環之乙烯性不飽和單體之含有比率為上述範圍內，則可進一步表現出本發明之效果。 低聚物成分亦可包含含羧基之單體作為單體成分。作為此種含羧基之單體，與可構成丙烯酸系聚合物之含羧基之單體同樣地，例如可列舉：(甲基)丙烯酸、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。又，亦可列舉該等含羧基之單體之酸酐(例如順丁烯二酸酐、伊康酸酐等含酸酐基之單體)作為含羧基之單體。作為此種含羧基之單體，較佳為丙烯酸。 關於可構成低聚物成分之含羧基之單體的含有比率，相對於單體成分總量100重量份，較佳為1重量份～10重量份，較佳為3重量份～10重量份，進而較佳為3重量份～5重量份。若含羧基之單體之含有比率為上述範圍內，則可進一步表現出本發明之效果。 作為可構成低聚物成分之單體成分，亦可視需要包含能夠與Tg為60℃～190℃之含環之乙烯性不飽和單體或含羧基之單體進行共聚之單體(共聚性單體)。此種共聚性單體之含有比率相對於單體成分總量100重量份較佳為未達50重量%。就可表現出良好之黏著性之方面而言，此種共聚性單體之含有比率較佳為可使低聚物成分之玻璃轉移溫度成為較佳為60℃以上、更佳為65℃～180℃之含有比率。 作為共聚性單體，可採用與上述共聚性單體相同者，上述共聚性單體係作為用以藉由聚合而獲得丙烯酸系聚合物之單體成分中可包含者而說明。共聚性單體可為1種，亦可為2種以上。 低聚物成分於無損本發明之效果之範圍內可藉由任意適當之聚合方法進行製備。作為丙烯酸系聚合物之聚合方法，例如可列舉溶液聚合方法、乳化聚合方法、塊狀聚合方法、基於紫外線照射之聚合方法等，就透明性、耐水性、成本等方面而言，較佳為溶液聚合方法。 關於低聚物成分之聚合時可使用之聚合起始劑、鏈轉移劑等，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當者。 聚合起始劑之使用量於無損本發明之效果之範圍內可採用任意適當之量。作為此種使用量，例如相對於單體成分總量較佳為0.1重量%～15重量%。 鏈轉移劑之使用量於無損本發明之效果之範圍內可採用任意適當之量。作為此種使用量，例如相對於單體成分總量較佳為0.01重量%～15重量%。 於溶液聚合方法中，可使用各種普通溶劑。作為此種溶劑，例如可列舉：乙酸乙酯、乙酸正丁酯等酯類；甲苯、苯等芳香族烴類；正己烷、正庚烷等脂肪族烴類；環己烷、甲基環己烷等脂環式烴類；甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類等有機溶劑。溶劑可為僅1種，亦可為2種以上。 低聚物成分之重量平均分子量較佳為3000～6000，更佳為3300～5500，進而較佳為3500～5000。若低聚物成分之重量平均分子量為上述範圍內，則可進一步表現出本發明之效果。 低聚物成分之重量平均分子量除可藉由聚合起始劑或鏈轉移劑之種類或其使用量、聚合時之溫度或時間進行控制以外，亦可藉由單體濃度、單體滴加速度等進行控制。 黏著劑組合物a2較佳為包含上述丙烯酸系聚合物及上述低聚物成分。 若黏著劑組合物a2包含丙烯酸系聚合物及低聚物成分，則可表現出優異之透明性，且可表現出於接著界面不易產生隆起或剝離之優異之防隆起剝離性(耐發泡剝離性)。 於黏著劑組合物a2包含丙烯酸系聚合物及低聚物成分之情形時，作為丙烯酸系聚合物與低聚物成分之比率，低聚物成分相對於丙烯酸系聚合物100重量份較佳為10重量份～35重量份，更佳為15重量份～30重量份。於黏著劑組合物a2包含丙烯酸系聚合物及低聚物成分之情形時，若丙烯酸系聚合物與低聚物成分之比率為上述範圍內，則可進一步表現出本發明之效果。 黏著劑組合物a2中，除丙烯酸系聚合物及低聚物成分以外，亦可視需要包含交聯劑、矽烷偶合劑、溶劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、光穩定劑、抗老化劑、黏著賦予劑、塑化劑、軟化劑、填充劑、著色劑(顏料或染料等)、界面活性劑、導電成分(離子性液體、離子傳導聚合物、離子傳導填料、導電聚合物等)、抗靜電劑等公知之添加劑。該等添加劑可為僅1種，亦可為2種以上。 作為離子性液體，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之離子性液體。作為此種離子性液體，例如可列舉日本專利特開2016-108442號公報中所記載之離子性液體。 作為離子傳導聚合物，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之離子傳導聚合物。作為此種離子傳導聚合物，例如可列舉：使具有四級銨鹽基)之單體進行聚合或共聚而獲得之離子導電性聚合物；聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚伸乙基亞胺、烯丙基胺系聚合物等導電性聚合物等。離子傳導聚合物可為僅1種，亦可為2種以上。 作為離子傳導填料，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之離子傳導填料。作為此種離子傳導填料，例如可列舉：氧化錫、氧化銻、氧化銦、氧化鎘、氧化鈦、氧化鋅、銦、錫、銻、金、銀、銅、鋁、鎳、鉻、鈦、鐵、鈷、碘化銅、ITO(氧化銦/氧化錫)、ATO(氧化銻/氧化錫)等。離子傳導填料可為僅1種，亦可為2種以上。 作為導電聚合物，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之導電聚合物。作為此種導電聚合物，例如可列舉(3,4-乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)等。 黏著劑組合物a2中，尤佳為包含上述添加劑中之交聯劑。藉由使用交聯劑使丙烯酸系聚合物或低聚物成分進行交聯，可進一步增大作為黏著劑之凝聚力。交聯劑可為僅1種，亦可為2種以上。 作為交聯劑，除異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑以外，亦可列舉：脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。其中，較佳為異氰酸酯系交聯劑或環氧系交聯劑。 異氰酸酯系交聯劑之含量可根據所需之黏著力設定為任意適當之量，相對於丙烯酸系聚合物100重量份，較佳為0.01重量份～20重量份，更佳為0.01重量份～10重量份，進而較佳為0.03重量份～5重量份。 環氧系交聯劑之含量可根據所需之黏著力設定為任意適當之量，相對於丙烯酸系聚合物100重量份，較佳為0.01重量份～20重量份，更佳為0.01重量份～10重量份，進而較佳為0.03重量份～5重量份。 黏著劑組合物a2例如可藉由將丙烯酸系聚合物、視需要之低聚物成分、及視需要之交聯劑等其他添加劑進行混合而製備。 作為由黏著劑組合物a2形成黏著劑層A2之方法，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之方法。例如於任意適當之基材(例如PET基材等)上塗佈黏著劑組合物a2，並進行加熱、乾燥等，而形成黏著劑層A2。較佳為於基材層A1上塗佈黏著劑組合物a2，並進行加熱、乾燥等，而形成黏著劑層A2。為了塗佈黏著劑組合物a2，例如可利用任意適當之塗佈法。作為此種塗佈法，例如可列舉例如利用以下之慣用之塗佈機之塗佈法：凹版輥塗佈機、逆輥塗佈機、接觸輥塗佈機、浸漬輥塗佈機、棒式塗佈機、刮刀塗佈機、噴霧塗佈機、缺角輪塗佈機、直接塗佈機等。 ＜導電層C1＞ 導電層C1可配置於基材層A1與黏著劑層A2之間。 導電層C1可為僅1層，亦可為2層以上。 導電層C1可藉由形成於任意適當之基材上而設置。作為此種基材，較佳為基材層A1。 導電層C1例如可藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍覆、噴霧熱分解法、化學鍍覆法、電鍍法、或該等之組合法等任意適當之薄膜形成法於任意適當之基材(較佳為基材層A1)上形成導電膜。該等薄膜形成法中，就導電膜之形成速度或大面積膜之形成性、生產性等方面而言，較佳為真空蒸鍍法或濺鍍法。 作為用以形成導電膜之材料，例如可使用包含金、銀、鉑、鈀、銅、鋁、鎳、鉻、鈦、鐵、鈷、錫、該等之合金等之金屬系材料；包含氧化銦、氧化錫、氧化鈦、氧化鎘、該等之混合物等之金屬氧化物系材料；包含碘化銅等之其他金屬化合物等。 作為導電層C1之厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，例如於由金屬系材料形成之情形時，較佳為30 Å～600 Å，於由金屬氧化物系材料形成之情形時，較佳為80 Å～5000 Å。 導電層C1之表面電阻值較佳為1.0×10¹⁰ Ω/□以下，更佳為1.0×10⁹ Ω/□以下，進而較佳為1.0×10⁸ Ω/□以下，尤佳為1.0×10⁷ Ω/□以下。 於將導電膜形成於任意適當之基材(較佳為基材層A1)上時，亦可對該基材(較佳為基材層A1)之表面實施電暈放電處理、紫外線照射處理、電漿處理、濺鍍蝕刻處理、底漆塗佈處理等任意適當之預處理，而提高導電膜與該基材(較佳為基材層A1)之密接性。 ＜抗靜電層C2＞ 抗靜電層C2可配置於基材層A1與黏著劑層A2之間。 抗靜電層C2可為僅1層，亦可為2層以上。 作為抗靜電層C2之厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為1 nm～1000 nm，更佳為5 nm～900 nm，進而較佳為7.5 nm～800 nm，尤佳為10 nm～700 nm。 抗靜電層C2之表面電阻值較佳為1.0×10¹⁰ Ω/□以下，更佳為8.0×10⁹ Ω/□以下，進而較佳為5.0×10⁹ Ω/□以下，尤佳為1.0×10⁹ Ω/□以下。 作為抗靜電層C2，只要為可發揮抗靜電效果之層，則於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之抗靜電層。作為此種抗靜電層，較佳為將包含導電性聚合物之導電塗佈液塗佈於任意適當之基材層上而形成之抗靜電層。具體而言，例如為將包含導電性聚合物之導電塗佈液塗佈於基材層A1上而形成之抗靜電層。塗佈後，視需要使之乾燥，並視需要進行硬化處理(熱處理、紫外線處理等)。作為具體之塗佈方法，可列舉：輥式塗佈法、棒式塗佈法、凹版塗佈法等。 作為包含導電性聚合物之導電塗佈液，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之導電塗佈液。此種導電塗佈液較佳為包含導電性聚合物、黏合劑、交聯劑及溶劑。由於該溶劑於形成抗靜電層C2之過程中藉由加熱等以揮發或蒸發等方式而實質上消失，故而抗靜電層C2較佳為包含導電性聚合物、黏合劑及交聯劑。 作為溶劑，例如可列舉：有機溶劑、水、或該等之混合溶劑。作為有機溶劑，例如可列舉：乙酸乙酯等酯類；甲基乙基酮、丙酮、環己酮等酮類；四氫呋喃(THF)、二㗁烷等環狀醚類；正己烷、環己烷等脂肪族或脂環族烴類；甲苯、二甲苯等芳香族烴類；甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、環己醇等脂肪族或脂環族醇類；伸烷基二醇單烷基醚(例如乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚)、二伸烷基二醇單烷基醚等二醇醚類等。作為溶劑，較佳為水或以水作為主成分之混合溶劑(例如水與乙醇之混合溶劑)。 抗靜電層C2中之導電性聚合物之含有比率較佳為3重量%～80重量%，更佳為5重量%～60重量%。 作為導電性聚合物，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之導電性聚合物。作為此種導電性聚合物，例如可列舉π共軛系導電性聚合物中摻雜有聚陰離子之導電性聚合物等。作為π共軛系導電性聚合物，可列舉：聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔等鏈狀導電性聚合物。作為聚陰離子，可列舉：聚苯乙烯磺酸、聚異戊二烯磺酸、聚乙烯基磺酸、聚烯丙基磺酸、聚丙烯酸乙基磺酸、聚甲基丙烯羧酸等。 導電性聚合物可為僅1種，亦可為2種以上。 抗靜電層C2中之黏合劑之含有比率較佳為50重量%～95重量%，更佳為60重量%～90重量%。 作為導電塗佈液中可包含之黏合劑，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之黏合劑。黏合劑可為僅1種，亦可為2種以上。作為此種黏合劑，較佳為樹脂，更佳為聚酯樹脂。聚酯樹脂於黏合劑中所占之比率較佳為90重量%～100重量%，更佳為98重量%～100重量%。 聚酯樹脂較佳為包含聚酯作為主成分(較佳為超過50重量%，更佳為75重量%以上，進而較佳為90重量%以上，尤佳為實質上占100重量%之成分)。 作為聚酯，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之聚酯。作為此種聚酯，較佳為具有如下結構，該結構係選自於1分子中具有2個以上之羧基之多元羧酸(例如二羧酸化合物)及其衍生物(例如多元羧酸之酐、酯化物、鹵化物等)中的1種或2種以上之化合物(多元羧酸成分)、與選自於1分子中具有2個以上之羥基之多元醇(例如二醇)中的1種或2種以上之化合物(多元醇成分)進行縮合而成者。 作為多元羧酸成分，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之多元羧酸。作為此種多元羧酸成分，例如可列舉：草酸、丙二酸、二氟丙二酸、烷基丙二酸、丁二酸、四氟丁二酸、烷基丁二酸、(±)-蘋果酸、內消旋酒石酸、伊康酸、順丁烯二酸、甲基順丁烯二酸、反丁烯二酸、甲基反丁烯二酸、乙炔二羧酸、戊二酸、六氟戊二酸、甲基戊二酸、戊烯二酸、己二酸、二硫代己二酸、甲基己二酸、二甲基己二酸、四甲基己二酸、亞甲基己二酸、黏康酸、半乳糖二酸、庚二酸、辛二酸、全氟辛二酸、3,3,6,6-四甲基辛二酸、壬二酸、癸二酸、全氟癸二酸、十三烷二酸、十二烷基二羧酸、十三烷基二羧酸、十四烷基二羧酸等脂肪族二羧酸類；環烷基二羧酸(例如1,4-環己烷二羧酸、1,2-環己烷二羧酸)、1,4-(2-降𦯉烯)二羧酸、5-降𦯉烯-2,3-二羧酸(雙環庚烯二甲酸)、金剛烷二羧酸、螺庚烷二羧酸等脂環式二羧酸類；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、二硫代間苯二甲酸、甲基間苯二甲酸、二甲基間苯二甲酸、氯間苯二甲酸、二氯間苯二甲酸、對苯二甲酸、甲基對苯二甲酸、二甲基對苯二甲酸、氯對苯二甲酸、溴對苯二甲酸、萘二羧酸、側氧基茀二羧酸、蒽二羧酸、聯苯二羧酸、伸聯苯基二羧酸、二甲基伸聯苯基二羧酸、4,4"-對伸聯三苯基二羧酸、4,4"-對伸聯四苯基二羧酸、聯苄基二羧酸、偶氮苯二羧酸、高鄰苯二甲酸、伸苯基二乙酸、伸苯基二丙酸、萘二羧酸、萘二丙酸、聯苯二乙酸、聯苯二丙酸、3,3'-[4,4'-(亞甲基二對伸聯苯基)二丙酸、4,4'-聯苄基二乙酸、3,3'(4,4'-聯苄基)二丙酸、氧基二對伸苯基二乙酸等芳香族二羧酸類；上述任一種多元羧酸之酸酐；上述任一種多元羧酸之酯(例如烷基酯、單酯、二酯等)；與上述任一種多元羧酸對應之醯鹵化物(例如二羧醯氯)等。 作為多元羧酸成分，可較佳地列舉：對苯二甲酸、間苯二甲酸、萘二羧酸等芳香族二羧酸類及其酸酐；己二酸、癸二酸、壬二酸、丁二酸、反丁烯二酸、順丁烯二酸、雙環庚烯二甲酸、1,4-環己烷二羧酸等脂肪族二羧酸類及其酸酐；該等二羧酸類之低級烷基酯(例如與碳原子數1～3之單醇之酯)等。 作為多元醇成分，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之多元醇。作為此種多元醇成分，例如可列舉：乙二醇、丙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、3-甲基戊二醇、二乙二醇、1,4-環己烷二甲醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2-甲基-1,3-丙二醇、2,2-二乙基-1,3-丙二醇、2-丁基-2-乙基-1,3-丙二醇、苯二甲醇、氫化雙酚A、雙酚A等二醇類；該等二醇類之環氧烷加成物(例如環氧乙烷加成物、環氧丙烷加成物等)等。 關於聚酯樹脂之分子量，作為藉由凝膠滲透層析法(GPC)而測定之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)，較佳為5×10³ ～1.5×10⁵ ，更佳為1×10⁴ ～6×10⁴ 。 聚酯樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為0℃～120℃，更佳為10℃～80℃。 作為聚酯樹脂，例如可使用市售之東洋紡公司製造之商品名「Vylonal」等。 導電塗佈液中，於無損本發明之效果之範圍內，可進而含有聚酯樹脂以外之樹脂(例如選自丙烯酸樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸苯乙烯樹脂、丙烯酸聚矽氧樹脂、聚矽氧樹脂、聚矽氮烷樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、氟樹脂、聚烯烴樹脂中之至少1種樹脂)作為黏合劑。 作為導電塗佈液中可包含之交聯劑，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之交聯劑。交聯劑可為僅1種，亦可為2種以上。作為此種交聯劑，除異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑以外，亦可較佳地列舉脲系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、胺系交聯劑等。其中，較佳為三聚氰胺系交聯劑。 抗靜電層C2中之交聯劑之含有比率較佳為1重量%～30重量%，更佳為2重量%～20重量%。 抗靜電層C2中，於無損本發明之效果之範圍內，亦可包含任意適當之其他成分。 ＜抗靜電層A3＞ 作為抗靜電層A3之厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為1 nm～1000 nm，更佳為5 nm～900 nm，進而較佳為7.5 nm～800 nm，尤佳為10 nm～700 nm。 抗靜電層A3可為僅1層，亦可為2層以上。 作為抗靜電層A3，只要為可發揮抗靜電效果之層，則於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之抗靜電層。作為此種抗靜電層之形成方法，可較佳地列舉於＜抗靜電層C2＞之項目中所說明之方法。 作為導電性聚合物，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之導電性聚合物。作為此種導電性聚合物，可列舉於＜抗靜電層C2＞之項目中所說明之導電性聚合物。 《隔件Q》 作為隔件Q之厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為4 μm～500 μm，更佳為10 μm～400 μm，進而較佳為15 μm～350 μm，尤佳為20 μm～300 μm。 ＜基材層B1＞ 隔件Q較佳為包含基材層B1。 作為基材層B1，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用由任意適當之材料所形成之基材。作為此種材料，例如可列舉於＜基材層A1＞之項目中所例示者。 基材層B1可為僅1層，亦可為2層以上。 作為基材層B1之厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為4 μm～500 μm，更佳為10 μm～400 μm，進而較佳為15 μm～350 μm，尤佳為20 μm～300 μm。 基材層B1亦可包含後文所述之抗靜電劑。作為包含抗靜電劑之基材層B1，例如可使用混練有抗靜電劑之樹脂片。此種樹脂片可由包含樹脂及抗靜電劑之基材層B1形成用組合物所形成。 基材層B1本身亦可作為抗靜電劑而發揮作用。例如於採用金屬箔作為基材層B1之材料之情形時，基材層B1本身可作為抗靜電劑而發揮作用。 基材層B1亦可實施表面處理。作為表面處理，例如可列舉：電暈處理、電漿處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、游離輻射處理、利用底塗劑進行之塗佈處理等。 作為有機塗佈材料，例如可列舉於＜基材層A1＞之項目中所例示者。 於基材層B1中，於無損本發明之效果之範圍內，亦可視目的包含任意適當之其他添加劑。 基材層B1亦可實施脫模處理。作為脫模處理，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之脫模處理。於該情形時，較佳為經實施脫模處理之面成為黏著劑層A2側。 ＜脫模層B2＞ 隔件Q亦可具有脫模層B2。於該情形時，較佳為脫模層B2成為黏著劑層A2側。 較佳為設置脫模層B2，以提高自黏著劑層A2之剝離性。關於脫模層B2之形成材料，於無損本發明之效果之範圍內，可採用任意適當之形成材料。作為此種形成材料，例如可列舉：聚矽氧系脫模劑、氟系脫模劑、長鏈烷基系脫模劑、脂肪醯胺系脫模劑等。該等中，較佳為聚矽氧系脫模劑。脫模層B2可以塗佈層之形式形成。 作為脫模層B2之厚度，於無損本發明之效果之範圍內，可視目的採用任意適當之厚度。作為此種厚度，較佳為10 nm～2000 nm，更佳為10 nm～1500 nm，進而較佳為10 nm～1000 nm，尤佳為10 nm～500 nm。 脫模層B2可為僅1層，亦可為2層以上。 作為聚矽氧系脫模層，例如可列舉加成反應型聚矽氧樹脂。例如可列舉：信越化學工業製造之KS-774、KS-775、KS-778、KS-779H、KS-847H、KS-847T；Toshiba Silicone製造之TPR-6700、TPR-6710、TPR-6721；Dow Corning Toray製造之SD7220、SD7226等。聚矽氧系脫模層之塗佈量(乾燥後)較佳為0.01 g/m² ～2 g/m² ，更佳為0.01 g/m² ～1 g/m² ，進而較佳為0.01 g/m² ～0.5 g/m² 。 脫模層B2之形成例如可藉由如下方式而進行：利用反向凹版塗佈、棒式塗佈、模嘴塗佈等先前公知之塗佈方式，將上述形成材料塗佈於任意適當之層上後，通常以120℃～200℃左右實施熱處理而使之硬化。又，亦可視需要將熱處理與紫外線照射等活性能量線照射併用。 ＜其他層＞ 隔件Q於無損本發明之效果之範圍內可視目的包含任意適當之其他層。 《附隔件之補強用膜》 本發明之附隔件之補強用膜可藉由下述方式而獲得：將補強用膜P與隔件Q以導黏著劑層A2與隔件Q直接積層之方式貼合。 關於本發明之附隔件之補強用膜之一實施形態，如圖3所示，係將包含基材層A1、導電層C1及黏著劑層A2之補強用膜P，與包含基材層B1之隔件Q以黏著劑層A2與隔件Q直接積層之方式貼合之形態。 關於本發明之附隔件之補強用膜之另一實施形態，如圖4所示，係將包含基材層A1、抗靜電層C2及黏著劑層A2之補強用膜P，與包含基材層B1之隔件Q以黏著劑層A2與隔件Q直接積層之方式貼合之形態。 關於本發明之附隔件之補強用膜，於溫度23℃、濕度50%RH下，以剝離角度150度、剝離速度10 m/min，自補強用膜P剝離隔件Q時的黏著劑層A2之表面之剝離靜電壓較佳為10.0 kV以下，更佳為0.001 kV～9 kV，進而較佳為0.002 kV～8 kV，尤佳為0.003 kV～7 kV。若黏著劑層A2之表面之剝離靜電壓為上述範圍內，則可進一步抑制於剝離隔件Q時可能產生之剝離靜電，且即便自預先貼合於光學構件或電子構件等之露出面側的該附隔件之補強用膜剝離隔件，亦可進一步減輕對該光學構件或電子構件所造成之損害。 於本發明之附隔件之補強用膜中，補強用膜P之透過率較佳為70%以上，更佳為75%以上，進而較佳為80%以上，尤佳為85%以上。若補強用膜P之透過率為上述範圍內，則例如於貼合於光學構件時，可不損害光學構件之光學特性而使用。 關於本發明之附隔件之補強用膜，於溫度23℃、濕度50%RH下，以剝離角度150度、剝離速度10 m/min，自補強用膜P剝離隔件Q後，於溫度23℃、濕度50%RH、剝離角度180度、拉伸速度300 mm/min下，黏著劑層A2對玻璃板之初期黏著力較佳為1.0 N/25 mm以上，更佳為1.0 N/25 mm～50 N/25 mm，進而較佳為1.0 N/25 mm～45 N/25 mm，尤佳為1.0 N/25 mm～40 N/25 mm。若上述之黏著劑層A2對玻璃板之初期黏著力為上述範圍內，則可獲得良好之密接力，從而可減輕對被接著體之密接不良。 關於本發明之附隔件之補強用膜，於溫度23℃、濕度50%RH下，以剝離角度180度、拉伸速度300 mm/min，自補強用膜P剝離隔件Q時之剝離力較佳為0.30 N/25 mm以下，更佳為0.005 N/25 mm～0.30 N/25 mm，進而較佳為0.0075 N/25 mm～0.30 N/25 mm，尤佳為0.01 N/25 mm～0.30 N/25 mm。若上述剝離力為上述範圍內，則於對附隔件之補強用膜進行處理時，可減輕隔件自補強用膜誤剝離，並且於剝離隔件時，可減輕補強用膜之黏著劑層之凝聚破裂或固著破裂。 [實施例] 以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但本發明不受該等實施例任何限定。再者，實施例等中之試驗及評價方法如下所述。再者，於記載為「份」之情形時，只要無特別記載說明，則意指「重量份」，於記載為「%」之情形時，只要無特別記載說明，則意指「重量%」。 ＜重量平均分子量之測定＞ 重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法而測定。具體而言，使用商品名「HLC-8120GPC」(Tosoh股份有限公司製造)作為GPC測定裝置，於下述條件下進行測定，藉由標準聚苯乙烯換算值而算出。 (分子量測定條件) ・樣本濃度：0.2重量%(四氫呋喃溶液) ・樣本注入量：10 μL ・管柱：商品名「TSKguardcolumn SuperHZ-H(1根)＋TSKgel SuperHZM-H(2根)」(Tosoh股份有限公司製造) ・參考管柱：商品名「TSKgel SuperH-RC(1根)」(Tosoh股份有限公司製造) ・溶離液：四氫呋喃(THF) ・流量：0.6 mL/min ・檢測器：示差折射計(RI) ・管柱溫度(測定溫度)：40℃ ＜表面電阻值之測定＞ 於溫度23℃、濕度50%RH下，利用電阻率計(Mitsubishi Chemical Analytech公司製造，Hiresta-UP MCP-HT450型)，依據JIS-K-6911進行測定。 ＜透過率之測定＞ 利用測霧計(村上色彩技術研究所製造，商品名「HM-150」)，依據JIS-K-7361測定將剝離襯墊剝下後之補強用膜之全光線透過率。 ＜黏著劑層表面之剝離靜電壓之測定＞ 將已預先去靜電之附隔件之補強用膜切割成寬度70 mm、長度130 mm之尺寸，藉由固定於相距30 mm之位置處之靜電電位測定器(Shishido Electrostatic股份有限公司，STATIRON DZ4)測定剝離隔件10秒後之黏著劑層表面之電位。測定係於溫度23℃、濕度50%RH之環境下進行。再者，隔件之剝離係將隔件固定於自動捲取機，於溫度23℃、濕度50%RH下，設為剝離角度150度、剝離速度10 m/min而剝離。 ＜黏著劑層對玻璃板之初期黏著力之測定＞ 將已預先去靜電之附隔件之補強用膜切斷成寬度25 mm、長度150 mm，製成評價用樣本。於溫度23℃、濕度50%RH之氛圍下，藉由使2.0 kg之輥往返1次，將評價用樣本之黏著劑層表面貼附於玻璃板(松浪硝子工業股份有限公司製造，商品名：MICRO SLIDE GLASS S)。於溫度23℃、濕度50%RH之氛圍下固化30分鐘後，利用萬能拉伸試驗機(Minebea股份有限公司製造，製品名：TCM-1kNB)，以剝離角度180度、拉伸速度300 mm/min進行剝離，測定黏著力。 ＜隔件之剝離力之測定＞ 將已預先去靜電之附隔件之補強用膜切斷成寬度25 mm、長度150 mm，製成評價用樣本。以補強用之基材面接觸丙烯酸系樹脂板之方式將補強用膜固定，於溫度23℃、濕度50%RH之氛圍下，利用萬能拉伸試驗機(Minebea股份有限公司製造，製品名：TCM-1kNB)，以剝離角度180度、拉伸速度300 mm/min剝離隔件，測定隔件剝離力。 [製造例1]：黏著劑組合物(1)之製造 將作為單體成分之丙烯酸正丁酯(BA)：95重量份、丙烯酸(AA)：5重量份、及作為聚合溶劑之乙酸乙酯：185.7重量份投入至可分離式燒瓶中，一面導入氮氣一面攪拌1小時。如此去除聚合系內之氧後，升溫至63℃使之反應10小時並加入甲苯，從而獲得固形物成分濃度25重量%之丙烯酸系聚合物溶液。所獲得之丙烯酸系聚合物溶液中之丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為60萬。 其次，將作為單體成分之甲基丙烯酸環己酯[均聚物(聚甲基丙烯酸環己酯)之玻璃轉移溫度：66℃]：95重量份、丙烯酸：5重量份、作為鏈轉移劑之α-甲基苯乙烯二聚物：10重量份、作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈：10重量份、及作為聚合溶劑之甲苯：120重量份投入至可分離式燒瓶中，一面導入氮氣一面攪拌1小時。如此去除聚合系內之氧後，升溫至85℃使之反應5小時，從而獲得固形物成分濃度50重量%之丙烯酸系低聚物溶液。所獲得之丙烯酸系低聚物溶液中之丙烯酸系低聚物之重量平均分子量為4000。 其次，於上述丙烯酸系聚合物溶液中，以相對於丙烯酸系聚合物(固形物成分)100重量份以固形物成分換算計成為0.15重量份之方式添加矽烷偶合劑(γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，商品名「KBM403」，信越化學工業股份有限公司製造)，以相對於丙烯酸系聚合物(固形物成分)100重量份以固形物成分換算計成為0.075重量份之方式添加交聯劑(環氧系交聯劑，商品名「TETRAD-C」，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)，進而，以相對於丙烯酸系聚合物(固形物成分)100重量份以固形物成分換算計丙烯酸系低聚物之量成為25重量份之方式添加上述丙烯酸系低聚物溶液，並將該等混合，藉此製造黏著劑組合物(1)。 [製造例2]：黏著劑組合物(2)之製造 將矽烷偶合劑(γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，商品名「KBM403」，信越化學工業股份有限公司製造)之添加量變更為相對於丙烯酸系聚合物(固形物成分)100重量份以固形物成分換算計為2重量份，除此以外，與製造例1同樣地進行，從而製造黏著劑組合物(2)。 [製造例3]：附抗靜電層之基材(1)之製造 將作為黏合劑之聚酯樹脂「Vylonal MD-1480」(25%水溶液，東洋紡公司製造)、作為導電性聚合物之包含聚(3,4-乙二氧基噻吩)(PEDOT)0.5%及聚苯乙烯磺酸(重量平均分子量15萬)(PSS)0.8%之水溶液(Bytron P，H.C.Stark公司製造)，按照以固形物成分量計為100質量份之黏合劑、以固形物成分量計為50質量份之導電性聚合物、以及三聚氰胺系交聯劑之方式，加入至水/乙醇(1/1)之混合溶劑中，並攪拌約20分鐘使該等充分混合。如此，製造抗靜電層用水溶液。 於厚度75 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(聚酯膜，S10，Toray公司製造)之一面，以乾燥後之厚度成為15 nm之方式塗佈上述抗靜電層用水溶液。將該塗佈物於130℃下加熱1分鐘使之乾燥，藉此製造於PET膜之一面具有抗靜電層之附抗靜電層之基材(1)。 抗靜電層之表面電阻值為4.3×10⁸ Ω/□。 [製造例4]：附導電層之基材(1)之製造 於設置有包含97重量%之氧化銦、3重量%之氧化錫之焙燒體靶之濺鍍裝置內，於厚度75 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(聚酯膜，S10，Toray公司製造)之一面，藉由濺鍍法形成厚度25 nm之銦錫氧化物層。其次，於150℃下進行90分鐘加熱處理，使銦錫氧化物層自非晶質轉化成結晶質，從而製造於PET膜之一面具有導電層之附導電層之基材(1)。 導電層之表面電阻值為1.0×10³ Ω/□。 [實施例1] 於製造例3中所獲得之附抗靜電層之基材(1)的抗靜電層側之表面，以乾燥後之厚度成為25 μm之方式塗佈製造例1中所獲得之黏著劑組合物(1)，並於130℃下進行3分鐘乾燥，於所形成之黏著劑層之表面貼合隔件(經脫模處理之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜，商品名「DIAFOIL MRF38」，三菱樹脂公司製造)，從而獲得附隔件之補強用膜(1)。 將結果示於表1。 [實施例2] 使用製造例2中所獲得之黏著劑組合物(2)代替製造例1中所獲得之黏著劑組合物(1)，除此以外，與實施例1同樣地進行，從而獲得附隔件之補強用膜(2)。 將結果示於表1。 [實施例3] 於製造例4中所獲得之附導電層之基材(1)的導電層側之表面，以乾燥後之厚度成為25 μm之方式塗佈製造例1中所獲得之黏著劑組合物(1)，並於130℃下進行3分鐘乾燥，於所形成之黏著劑層之表面貼合隔件(經脫模處理之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜，商品名「DIAFOIL MRF38」，三菱樹脂公司製造)，從而獲得附隔件之補強用膜(3)。 將結果示於表1。 [比較例1] 於厚度75 μm之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(聚酯膜，S10，Toray公司製造)之一面，以乾燥後之厚度成為25 μm之方式塗佈製造例1中所獲得之黏著劑組合物(1)，並於130℃下進行3分鐘乾燥，於所形成之黏著劑層之表面貼合隔件(經脫模處理之PET(聚對苯二甲酸乙二酯)膜，商品名「DIAFOIL MRF38」，三菱樹脂公司製造)，從而獲得附隔件之補強用膜(C1)。 將結果示於表1。 [比較例2] 使用製造例2中所獲得之黏著劑組合物(2)代替製造例1中所獲得之黏著劑組合物(1)，除此以外，與比較例1同樣地進行，從而獲得附隔件之補強用膜(C2)。 將結果示於表1。 [表1] [產業上之可利用性] 本發明之附隔件之補強用膜可用於貼合於半導體元件之基板之背面側等之補強用膜。

10‧‧‧基材層A1

20‧‧‧黏著劑層A2

30‧‧‧導電層C1

40‧‧‧抗靜電層C2

100‧‧‧補強用膜P

200‧‧‧隔件Q

1000‧‧‧附隔件之補強用膜

圖1係補強用膜P之一實施形態的概略剖視圖。 圖2係補強用膜P之另一實施形態的概略剖視圖。 圖3係本發明之附隔件之補強用膜之一實施形態的概略剖視圖。 圖4係本發明之附隔件之補強用膜之另一實施形態的概略剖視圖。

Claims (7)

1. 一種附隔件之補強用膜，其係具有補強用膜P及隔件Q者，且 該補強用膜P包含基材層A1及黏著劑層A2， 於該基材層A1與該黏著劑層A2之間配置有導電層C1及/或抗靜電層C2， 該黏著劑層A2與隔件Q直接積層。
2. 如請求項1之附隔件之補強用膜，其中上述導電層C1之表面電阻值為1.0×10¹⁰ Ω/□以下。
3. 如請求項1之附隔件之補強用膜，其中上述抗靜電層C2之表面電阻值為1.0×10¹⁰ Ω/□以下。
4. 如請求項1至3中任一項之附隔件之補強用膜，其中於溫度23℃、濕度50%RH下，以剝離角度150度、剝離速度10 m/min，自上述補強用膜P剝離上述隔件Q時的上述黏著劑層A2之表面之剝離靜電壓為10.0 kV以下。
5. 如請求項1至3中任一項之附隔件之補強用膜，其中上述補強用膜P之透過率為70%以上。
6. 如請求項1至3中任一項之附隔件之補強用膜，其中於溫度23℃、濕度50%RH下，以剝離角度150度、剝離速度10 m/min，自上述補強用膜P剝離上述隔件Q後，於溫度23℃、濕度50%RH、剝離角度180度、拉伸速度300 mm/min下，上述黏著劑層A2對玻璃板之初期黏著力為1.0 N/25 mm以上。
7. 如請求項1至3中任一項之附隔件之補強用膜，其中於溫度23℃、濕度50%RH下，以剝離角度180度、拉伸速度300 mm/min，自上述補強用膜P剝離上述隔件Q時之剝離力為0.30 N/25 mm以下。