TW201702205A - 玻璃布 - Google Patents
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Abstract
本發明之玻璃布係對包含複數根玻璃絲之玻璃紗進行織造而成者,並且上述玻璃絲中,B2O3組成量為20質量%~30質量%,SiO2組成量為50質量%~60質量%,且上述玻璃布之灼燒減量值為0.25質量%~1.0質量%。
Description
本發明係關於一種玻璃布。
目前,伴隨著智慧型手機等資訊終端之高性能化、高速通信化,於所使用之印刷配線板中,正顯著地進行低介電常數化、低介電損耗正切化。
作為該印刷配線板之絕緣材料,廣泛地使用如下積層板,其係將使玻璃布含浸環氧樹脂等熱硬化性樹脂(以下稱為「基質樹脂」)而獲得之預浸體積層並對其進行加熱加壓硬化而成。上述高速通信基板中所使用之基質樹脂之介電常數為3左右,相對於此,通常之E玻璃布之介電常數為6.7左右,積層板時之較高之介電常數之問題逐漸顯現。
因此,業界提出有組成與E玻璃不同之D玻璃、NE玻璃、L玻璃等低介電常數玻璃布。通常,對於低介電常數化而言,必須增加玻璃組成中之SiO2與B2O3之調配量。
其中,若增加B2O3之調配量,則玻璃熔融黏度下降,變得容易生產玻璃紗。又,玻璃熔融黏度下降,由此於抽拉玻璃紗時產生之玻璃紗內之氣泡(以下稱為「中空紗」)之量減少。該中空紗為較大地影響基板之絕緣可靠性劣化之重要品質。
然而,若增加B2O3之調配量,則產生玻璃之吸濕量增加之問題。玻璃之吸濕量為極大地影響基板之絕緣可靠性劣化之因素,即便
考慮減少上述中空紗之量,對於基板之絕緣可靠性降低之影響亦較大。因此,迄今為止,於印刷配線板用玻璃布中實際應用之玻璃組成大部分係B2O3調配量成為20%以下(例如參照專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利特開昭63-2831號公報
[專利文獻2]日本專利第4269194號公報
然而,於B2O3調配量為20%以下之情形時,有由中空紗之量增大所引起之絕緣可靠性之降低、及產生高介電常數化之問題。因此,難以製造滿足低介電常數化、由中空紗之減少所得之絕緣可靠性之提高、及由耐吸濕性之提高所得之絕緣可靠性之提高之所有要求之玻璃布。
又可認為,為了改善此種問題,有效的是利用最佳之矽烷偶合劑對玻璃布之表面進行處理。然而,於利用印刷配線板之加工中廣泛地使用之二氧化碳雷射對具備僅利用矽烷偶合劑進行了處理之玻璃布的印刷配線板進行加工之情形時,玻璃紗與基質樹脂之界面容易剝離,而難以獲得高密度配線時之充分之絕緣可靠性。
本發明係鑒於上述問題而成者,其目的在於提供一種較薄、介電常數較低、且可同時達成由中空紗之減少所得之絕緣可靠性之提高與由耐吸濕性之提高所得之絕緣可靠性之提高的玻璃布,以及使用該玻璃布之預浸體及印刷配線板。
又,本發明之另一目的在於提供一種可形成具有較低之介電常數、優異之二氧化碳雷射加工性、及較高之絕緣可靠性之積層板且中空紗較少之玻璃布,由該玻璃布獲得之預浸體,及由該預浸體獲得之
印刷配線板。
本發明者等人為了解決上述課題而進行研究,結果發現,藉由具有特定之B2O3組成量與SiO2組成量而達成低介電常數與優異之中空紗品質,且玻璃布之灼燒減量值為特定之範圍,藉此可解決上述課題,從而完成了本發明。
即,本發明如下所述。
[1]
一種玻璃布,其係對包含複數根玻璃絲之玻璃紗進行織造而成者,並且上述玻璃絲中,B2O3組成量為20質量%~30質量%,SiO2組成量為50質量%~60質量%,且上述玻璃布之灼燒減量值為0.25質量%~1.0質量%。
[2]
如前項[1]所記載之玻璃布,其中玻璃布之灼燒減量值為0.3質量%~0.9質量%。
[3]
如前項[1]或[2]所記載之玻璃布,其中玻璃布之灼燒減量值為0.35質量%~0.8質量%。
[4]
如前項[1]所記載之玻璃布,其中玻璃絲之平均絲徑為5μm以下,玻璃布之灼燒減量值為0.5質量%~1.0質量%。
[5]
如前項[1]至[4]所記載之玻璃布,其中玻璃布之通氣度為50cm3/cm2/sec以下。
[6]
如前項[1]至[5]所記載之玻璃布,其中玻璃布之拉伸強度為20N/inch以上。
[7]
如前項[1]至[6]所記載之玻璃布,其中玻璃布上之碳量為1mol/cm2以上。
[8]
如前項[1]至[7]中任一項所記載之玻璃布,其係利用下述通式(1)所表示之矽烷偶合劑進行表面處理而成,X(R)3-nSiYn (1)
(式中,X係具有1個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,Y分別獨立地為烷氧基,n為1以上且3以下之整數,R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之基)。
[9]
如前項[1]至[7]中任一項所記載之玻璃布,其係利用下述通式(2)所表示之矽烷偶合劑進行表面處理而成,X(R)3-nSiYn (2)
(式中,X係具有3個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,Y分別獨立地為烷氧基,n為1以上且3以下之整數,R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之基)。
[10]
如前項[1]至[7]中任一項所記載之玻璃布,其係利用下述通式(3)所表示之矽烷偶合劑進行表面處理而成,X(R)3-nSiYn (3)
(式中,X係具有4個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,Y分別獨立地為烷氧基,n為1以上且3以下之整數,R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之基)。
[11]
一種預浸體,其包含如前項[1]至[10]中任一項所記載之玻璃布、及該玻璃布所含侵之基質樹脂。
[12]
一種印刷配線板,其係使用如前項[5]所記載之預浸體而製作。
根據本發明,可提供一種可製作較薄、介電常數較低、且絕緣可靠性優異之預浸體及印刷配線板、或該等之積層板等基板(以下亦簡稱為「基板」)之玻璃布,以及使用該玻璃布之預浸體及印刷配線板。
又,根據本發明,亦可提供一種可形成具有較低之介電常數、優異之二氧化碳雷射加工性、及較高之絕緣可靠性之積層板且中空紗較少之玻璃布,由該玻璃布獲得之預浸體,及由該預浸體獲得之印刷配線板。
以下,對本發明之實施形態(以下稱為「本實施形態」)詳細地進行說明,但本發明並不限定於此,可於不偏離其主旨之範圍內進行各種變化。
本實施形態之玻璃布係對包含複數根玻璃絲之玻璃紗進行織造而成者,並且上述玻璃絲中,B2O3組成量為20質量%~30質量%,SiO2組成量為50質量%~60質量%,且上述玻璃布之灼燒減量值為0.25質量%~1.0質量%。
藉由使用此種玻璃布,與使用通常之E玻璃組成之玻璃布而獲得
之基板相比,所獲得之基板介電常數進一步降低,絕緣可靠性進一步提高。
玻璃絲中,B2O3組成量為20質量%~30質量%,較佳為21質量%~27質量%,更佳為21質量%~25質量%。藉由B2O3組成量為20質量%以上,玻璃熔融黏度下降,變得容易抽拉玻璃紗,故而可使玻璃布之中空紗品質穩定化,又,介電常數降低。又,藉由B2O3組成量為30質量%以下,於實施表面處理之情形時,耐吸濕性進一步提高。另一方面,若B2O3組成量未達20質量%,則中空紗數上升,伴隨於此而絕緣可靠性降低。又,若B2O3組成量進而減少至E玻璃組成量,則中空紗數有減少之傾向,但介電常數增加。又,若B2O3組成量超過30質量%,則吸濕量增大,故而絕緣可靠性降低。B2O3組成量可根據玻璃絲製作中所使用之原料使用量而加以調整。
又,玻璃絲中,SiO2組成量為50質量%~60質量%,較佳為50質量%~58質量%,更佳為51質量%~56質量%。藉由SiO2組成量為50%以上,所獲得之基板之介電常數降低。又,藉由SiO2組成量為60%以下,所獲得之基板之二氧化碳雷射加工性、鑽頭加工性進一步提高。SiO2組成量可根據玻璃絲製作中所使用之原料使用量而加以調整。
又,玻璃絲除了具有B2O3、SiO2以外,亦可具有其他組成。作為其他組成,並無特別限定,例如可列舉Al2O3、CaO、MgO。
玻璃絲中,Al2O3組成量較佳為11質量%~16質量%,更佳為12質量%~16質量%。藉由Al2O3組成量為上述範圍內,有紗之生產性進一步提高之傾向。
玻璃絲中,CaO組成量較佳為4質量%~8質量%,更佳為6質量%~8質量%。藉由CaO組成量為上述範圍內,有紗之生產性進一步提高之傾向。
玻璃絲之平均絲徑較佳為2.5~9.0μm,更佳為2.5~7.0μm,進
而較佳為3.5~7.0μm,進而更佳為3.5~5.0μm,尤佳為3.5~4.5μm。藉由玻璃絲之平均絲徑為上述範圍內,有於利用機械鑽頭或二氧化碳雷射、UV(Ultra Violet,紫外線)-YAG(Yttrium Aluminum Garnet,釔鋁石榴石)雷射對所獲得之基板進行加工時,加工性進一步提高之傾向。因此可實現較薄且高密度安裝之印刷配線板。尤其若平均直徑成為5μm以下,則每單位體積之基質樹脂與玻璃絲接觸之面積增加,故而有較大地表現出下述灼燒減量值0.25%以上之效果之傾向。
構成玻璃布之經紗及緯紗之織入密度較佳為10~120根/inch,更佳為40~100根/inch,進而較佳為40~100根/inch。
又,玻璃布之布重量(單位面積重量)較佳為8~250g/m2,更佳為8~100g/m2,進而較佳為8~50g/m2,尤佳為8~35g/m2。
關於玻璃布之織物構造,並無特別限定,例如可列舉:平紋織物、方平組織織物、緞紋織物、斜紋織物等織物構造。其中,更佳為平紋織物構造。
玻璃布(玻璃絲)較佳為經表面處理劑進行了處理者。作為表面處理劑,並無特別限定,例如可列舉矽烷偶合劑。表面處理劑對玻璃布之處理量可由以下之灼燒減量值進行估算。
玻璃布之灼燒減量值為0.25質量%~1.0質量%,較佳為0.3質量%~0.9質量%,更佳為0.35質量%~0.8質量%。藉由玻璃布之灼燒減量值為0.25質量%以上,於製造基板時,可獲得充分之與基質樹脂之反應性,又,耐吸濕性進一步提高,結果絕緣可靠性進一步提高。又,藉由玻璃布之灼燒減量值為1.0質量%以下,對玻璃布之樹脂滲透性進一步提高。再者,本發明係關於包含連續之玻璃長纖維之玻璃布。關於玻璃填料/玻璃粒子/玻璃粉末等,由於樹脂/玻璃界面不連續而變短,故而界面吸濕不易導致基板之絕緣不良,又,由於亦不要求優異
之樹脂滲透性,故而無需本發明之灼燒減量值。此處所述之所謂「灼燒減量值」,可根據JISR3420中所記載之方法進行測定。即,首先將玻璃布放入至105℃±5℃之乾燥機之中,進行至少30分鐘乾燥。乾燥後,將玻璃布移至乾燥器中,放置冷卻至室溫。放置冷卻後,以0.1mg以下之單位對玻璃布進行測量。其次,利用馬弗爐將玻璃布於625±20℃、或500~600℃下加熱。於625±20℃之情形時加熱10分鐘以上,於500~600℃之情形時加熱1小時以上。於利用馬弗爐加熱後,將玻璃布移至乾燥器中,放置冷卻至室溫。放置冷卻後,以0.1mg以下之單位對玻璃布進行測量。藉由利用以上之測定方法求出之灼燒減量值,對玻璃布之矽烷偶合劑處理量進行定義。
於本實施形態中,首先將玻璃布放入至110℃之乾燥機之中,乾燥60分鐘。乾燥後,將玻璃布移至乾燥器中,放置20分鐘,放置冷卻至室溫。放置冷卻後,以0.1mg以下之單位對玻璃布進行測量。其次,利用馬弗爐將玻璃布於625℃下加熱20分鐘。於利用馬弗爐加熱後,將玻璃布移至乾燥器中,放置20分鐘,放置冷卻至室溫。放置冷卻後,以0.1mg以下之單位對玻璃布進行測量。藉由利用以上之測定方法求出之灼燒減量值,對玻璃布之矽烷偶合劑處理量進行定義。
尤其於玻璃絲之平均絲徑為5μm以下之情形時,玻璃布之灼燒減量值較佳為0.5~1.0質量%。又,於玻璃絲之平均絲徑為4.5μm以下之情形時,玻璃布之灼燒減量值較佳為0.6質量%~1.0質量%,進而,於玻璃絲之平均絲徑為4μm以下之情形時,玻璃布之灼燒減量值較佳為0.6質量%~1.0質量%。藉由與玻璃絲之平均絲徑對應之灼燒減量值為上述範圍內,每單位體積之基質樹脂與玻璃絲接觸之面積增加,故而有較大地表現出下述灼燒減量值0.25%以上之效果之傾向。
作為矽烷偶合劑,並無特別限定,例如較佳為使用下述通式(1)所表示之矽烷偶合劑、下述通式(2)所表示之矽烷偶合劑、或下述通
式(3)所表示之矽烷偶合劑。藉由使用此種矽烷偶合劑,耐吸濕性進一步提高,結果有絕緣可靠性進一步提高之傾向。再者,於玻璃布之製造方法中,於在玻璃布上塗佈矽烷偶合劑時,較佳為利用使矽烷偶合劑溶解或分散於溶劑中而成之處理液(以下簡稱為「處理液」)進行處理之方法。
X(R)3-nSiYn (1)
(式中,X係具有1個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,Y分別獨立地為烷氧基,n為1以上且3以下之整數,R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之基)
X(R)3-nSiYn (2)
(式中,X係具有3個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,Y分別獨立地為烷氧基,n為1以上且3以下之整數,R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之基)
X(R)3-nSiYn (3)
(式中,X係具有4個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,Y分別獨立地為烷氧基,n為1以上且3以下之整數,R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之基)
通式(1)~(3)中,X更佳為具有3個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,進而較佳為具有4個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基。藉由X為此種官能基,有耐吸濕性進一步提高之傾向。
通式(1)~(3)中,作為烷氧基,亦可使用任一種形態,但為了實現對玻璃布之穩定處理化,較佳為碳數5以下之烷氧基。
具體而言,作為可使用之矽烷偶合劑,並無特別限定,例如可列舉:N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷及其鹽酸鹽、N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷及
其鹽酸鹽、N-β-(N-二(乙烯基苄基)胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷及其鹽酸鹽、N-β-(N-二(乙烯基苄基)胺基乙基)-N-γ-(N-乙烯基苄基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷及其鹽酸鹽、胺基丙基三甲氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等公知之單體、或該等之混合物。
作為使矽烷偶合劑溶解或分散之溶劑,水、或有機溶劑之任一種均可使用,但就安全性、保護地球環境之觀點而言,較佳為以水作為主溶劑。作為獲得以水作為主溶劑之處理液之方法,較佳為如下之任一方法:將矽烷偶合劑直接投入至水中之方法;於使矽烷偶合劑溶解於水溶性有機溶劑中而製成有機溶劑溶液後,將該有機溶劑溶液投入至水中之方法。
又,為了提高矽烷偶合劑於處理液中之水分散性、穩定性,亦可併用界面活性劑。
玻璃布之通氣度較佳為50cm3/cm2/sec以下,更佳為40cm3/cm2/sec以下,進而較佳為30cm3/cm2/sec以下,更佳為20cm3/cm2/sec以下,尤佳為10cm3/cm2/sec以下。藉由玻璃布之通氣度為50cm3/cm2/sec以下,有鍍敷物之不易滲入性提高,所獲得之基板之二氧化碳雷射加工性及絕緣可靠性進一步提高之傾向。關於鍍敷物之不易滲入性,除了隨通氣度而異以外,亦隨玻璃絲之組成而異,具有本實施形態之組成之玻璃絲與B2O3組成量更低之玻璃絲相比,有鍍敷物相對容易滲入之傾向。然而,藉由將通氣度設為上述範圍內,可獲得維持具有本實施形態之組成之玻璃絲之特性、並且鍍敷物不易滲入且二氧化碳雷射加工性及絕緣可靠性優異之玻璃布。又,玻璃布之通氣度之下限並無特別限定,較佳為0cm3/cm2/sec以上。此處所述之所謂「通氣度」,係可根據JISR3420中所記載之方法而進行測定之值。具體而言,使用Frazier形試驗機之手動形或自動形之試驗機作為
試驗用機械器具。於圓筒之一端放置玻璃布試片,利用夾具按壓而安裝。於手動形之情形時,藉由可變阻力器以傾斜形油壓計顯示出124.5Pa之壓力之方式吸入空氣,並根據調整抽風機時之垂直形油壓計所顯示之壓力與所使用之空氣孔之種類,求出通過試片之空氣量cm3/cm2/sec。
玻璃布之通氣度可藉由玻璃布開纖加工而減小。換言之,可藉由開纖程度減小通氣度。作為開纖加工方法,並無特別限定,例如可列舉:利用噴霧水(高壓水開纖)、振動清洗機(vibro washer)、超音波水、輾壓機等對玻璃布進行開纖之方法。尤其藉由一面降低加工時之步驟張力,一面實施高壓水開纖,可更有效地減小通氣度。
玻璃布之拉伸強度較佳為20N/inch以上,更佳為30N/inch以上,進而較佳為40N/inch以上。如上所述,於為了將通氣度設為50cm3/cm2/sec以下而實施強烈之高壓水開纖之情形時,玻璃布之拉伸強度有減小之傾向。於B2O3組成量為20質量%~30質量%、SiO2組成量為50質量%~60質量%之玻璃布之情形時,藉由拉伸強度為20N/inch以上,有不易顯著地產生玻璃絲之斷頭(絨毛)之傾向。該絨毛於基板時成為突起,並與銅箔等導體部接觸,故而有使基板之Z方向之絕緣可靠性大幅度地劣化之傾向。因此,藉由拉伸強度為20N/inch以上,有所獲得之基板之Z方向之絕緣可靠性進一步提高之傾向。
再者,玻璃布之拉伸強度可依據JIS R 3420之7.4項而進行測定。
玻璃布上之碳量較佳為1mol/cm2以上。藉由玻璃布上之碳量為1mol/cm2以上,有玻璃布表面之保護效果提高,絕緣可靠性提高之傾向。
本實施形態之玻璃布之製造方法並無特別限定,例如可列舉包括如下步驟之方法:被覆步驟,其利用濃度0.1~3.0wt%之處理液利
用矽烷偶合劑大致完全覆蓋玻璃絲之表面;固著步驟,其藉由加熱乾燥使矽烷偶合劑固著於玻璃絲之表面;製備步驟,其利用高壓噴霧水等將固著於玻璃絲之表面之矽烷偶合劑之至少一部分洗淨,藉此以灼燒減量值成為0.25質量%~1.0質量%之範圍之方式調整矽烷偶合劑之附著量。又,被覆步驟、固著步驟、及製備步驟可於對玻璃紗進行織造而獲得玻璃布之織造步驟前對玻璃紗進行,亦可於織造步驟後對玻璃布進行。進而,視需要亦可於織造步驟後,包括對玻璃布之玻璃紗進行開纖之開纖步驟、將玻璃布加熱而進行退漿之加熱退漿步驟等。再者,於在織造步驟後進行製備步驟之情形時,調整步驟亦可兼作開纖步驟。再者,於開纖前後玻璃布之組成通常不變。
可認為藉由上述製造方法,可於構成玻璃紗之一根一根玻璃絲之整個表面,大致完全、且均勻地形成矽烷偶合劑層。
作為將處理液塗佈於玻璃布上之方法,可實施:(A)將處理液儲存於缸中,使玻璃布浸漬、通過之方法(以下稱為「浸漬法」);(B)利用輥式塗佈機、模嘴塗佈機、或凹版塗佈機等將處理液直接塗佈於玻璃布上之方法等。於藉由上述(A)之浸漬法進行塗佈之情形時,較佳為將玻璃布於處理液中之浸漬時間選定為0.5秒鐘以上且1分鐘以下。
又,作為於玻璃布上塗佈處理液後,對溶劑進行加熱乾燥之方法,可列舉熱風、電磁波等公知之方法。
為了充分地進行矽烷偶合劑與玻璃之反應,加熱乾燥溫度較佳為90℃以上,若為100℃以上則更佳。又,為了防止矽烷偶合劑所具有之有機官能基之劣化,較佳為300℃以下,若為200℃以下則更佳。
又,作為開纖步驟之開纖方法,並無特別限定,例如可列舉如下方法:利用噴霧水(高壓水開纖)、振動清洗機、超音波水、輾壓機等對玻璃布進行開纖加工。於該開纖加工時,藉由降低施加於玻璃布之張力,有可進一步減小通氣度之傾向。再者,為了抑制由開纖加工
所引起之玻璃布之拉伸強度之降低,較佳為實施對玻璃紗進行織造時之接觸構件之低摩擦化、或集束劑之最佳化與高附著量化等對策。
於開纖步驟後亦可包括任意步驟。作為任意步驟,並無特別限定,例如可列舉狹縫加工步驟。
本實施形態之預浸體包含上述玻璃布、及該玻璃布所含侵之基質樹脂。藉此,可提供一種預浸體,其介電常數較低,且可實現由中空紗之減少所得之絕緣可靠性之提高與由耐吸濕性之提高所得之絕緣可靠性之提高。
作為基質樹脂,熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂之任一種均可使用。作為熱硬化性樹脂,並無特別限定,例如可例示:a)於無觸媒下或添加咪唑化合物、三級胺化合物、脲化合物、磷化合物等具有反應觸媒能力之觸媒,使具有環氧基之化合物與具有和環氧基進行反應之胺基、苯基、酸酐基、醯肼基、異氰酸酯基、氰酸酯基、及羥基等之至少1個之化合物反應而硬化之環氧樹脂;b)使用熱分解型觸媒、或光分解型觸媒作為反應起始劑,使具有烯丙基、甲基丙烯醯基、及丙烯醯基之至少1個之化合物硬化而成之自由基聚合型硬化樹脂;c)使具有氰酸酯基之化合物與具有順丁烯二醯亞胺基之化合物進行反應而硬化之順丁烯二醯亞胺三樹脂;d)使順丁烯二醯亞胺化合物與胺化合物進行反應而硬化之熱硬化性聚醯亞胺樹脂;e)藉由加熱聚合使具有苯并環之化合物交聯硬化之苯并樹脂等。
又,作為熱塑性樹脂,並無特別限定,例如可例示:聚苯醚、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚碸、聚醚碸、聚芳酯、芳香族聚醯胺、聚醚醚酮、熱塑性聚醯亞胺、不溶性聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、氟樹脂等。又,亦可併用熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂。
本實施形態之印刷配線板具備上述預浸體。藉此,可提供一種印刷配線板,其較薄,介電常數較低,且可實現由中空紗之減少所得之絕緣可靠性之提高與由耐吸濕性之提高所得之絕緣可靠性之提高。
其次,對本發明藉由實施例、比較例而更詳細地說明本發明。本發明並不受以下之實施例之任何限定。
(實施例A1)
將B2O3為21質量%、SiO2為56質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.50wt%。玻璃布上之碳量為3.1mol/cm2。
(實施例A2)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.26wt%。玻璃布上之碳量為1.1mol/cm2。
(實施例A3)
將B2O3為29質量%、SiO2為51質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度
92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.33wt%。玻璃布上之碳量為1.5mol/cm2。
(實施例A4)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.90wt%。玻璃布上之碳量為5.5mol/cm2。
(實施例A5)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.55wt%。玻璃布上之碳量為3.3mol/cm2。
(實施例A6)
將B2O3為23質量%、SiO2為53質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水
中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.52wt%。玻璃布上之碳量為3.2mol/cm2。
(實施例A7)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使胺基丙基三乙氧基矽烷(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6011)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.55wt%。玻璃布上之碳量為3.4mol/cm2。
(實施例A8)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使胺基乙基胺基丙基三甲氧基矽烷(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6020)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.55wt%。玻璃布上之碳量為3.3mol/cm2。
(比較例A1)
將B2O3為19質量%、SiO2為61質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.26wt%。
(比較例A2)
將B2O3為31質量%、SiO2為49質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.26wt%。
(比較例A3)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.24wt%。玻璃布上之碳量為0.9mol/cm2。
(比較例A4)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(2116型:平均絲徑7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為1.10wt%。玻璃布上之碳量為7.5mol/cm2。
(比較例A5)
將B2O3為7質量%、SiO2為54質量%之E玻璃布(2116型:平均絲徑
7μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度58根/inch、厚度92μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.24wt%。
依據JISR3420中所記載之方法測定灼燒減量值。測定利用馬弗爐進行加熱前後之重量變化,以處理劑附著量之形式計算灼燒減量值。
玻璃絲之平均絲徑係利用電子顯微鏡觀察含浸樹脂並硬化之玻璃布之橫剖面,隨機測定25個玻璃絲之直徑,並算出25個之平均值作為平均絲徑。
將表面處理玻璃布於約800℃下加熱1分鐘,藉由氣相層析法測定所產生之氣體中之二氧化碳量,減去由未進行表面處理之加熱退漿後之玻璃布所產生之氣體中之二氧化碳量,求出由玻璃布表面處理劑所產生之碳數。根據玻璃布之玻璃絲徑、玻璃絲數、織物密度計算玻璃布之表面積,求出玻璃布上之碳量mol/cm2。
將玻璃布浸漬於與玻璃為等折射率之有機溶劑(苄醇)中,一面照射光,一面自上方利用光學顯微鏡進行觀察,對單紗絲內可觀察到之中空紗之數量進行計數。算出每10萬根單紗絲之中空紗之數量。
使上述實施例A、比較例A中所獲得之玻璃布含浸環氧樹脂清漆(低溴化雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造)40質量份、鄰甲酚型酚
醛清漆環氧樹脂(三菱化學公司製造)10質量份、二甲基甲醯胺50質量份、雙氰胺1質量份、及2-乙基-4-甲基咪唑0.1質量份之混合物),於160℃下乾燥2分鐘後獲得預浸體。將該預浸體重疊,進而於上下重疊厚度12μm之銅箔,於175℃、40kg/cm2下進行60分鐘加熱加壓而獲得基板。
以上述方法以預浸體每100質量%之樹脂含量成為60質量%之方式製作厚度1mm之基板,並去除銅箔而獲得用於介電常數評價之試樣。使用阻抗分析儀(Agilent Technologies公司製造)對所獲得之試樣之頻率1GHz下之介電常數進行測定。
以上述方法以預浸體每100質量%之樹脂含量成為60質量%之方式製作厚度0.4mm之基板,並去除銅箔而獲得用於吸水性評價之試樣。將所獲得之試樣首先於乾燥機內於120℃下加熱60分鐘,於乾燥器中放置冷卻至室溫後利用電子天平測定重量。其次,於壓力鍋容器中於121℃下進行500小時加熱吸水,於水中放置冷卻至室溫後,去除表面之水分,並利用電子天平測定重量。根據加熱吸水前後之重量變化,求出基板之吸水率。
以上述方法以成為厚度0.4mm之方式製作基板,於基板之雙面之銅箔上,製作配備0.15mm間隔之通孔之配線圖案而獲得絕緣可靠性評價之試樣。對於所獲得之試樣於溫度120℃濕度85%RH之氣氛下施加10V之電壓,測定電阻值之變化。此時,將於試驗開始後500小時以內電阻未達1MΩ之情形視為絕緣不良並進行計數。對10片試樣進行同樣之測定,算出10片中未成為絕緣不良之樣品之比率。
將實施例A1~8與比較例A1~5中所示之玻璃布之中空紗數、基
板之介電常數、吸水率、絕緣可靠性評價結果彙總於表1。
得知實施例A1~8之玻璃布為低介電常數,中空紗數較少,吸水率亦較低,絕緣可靠性非常優異。
(實施例B1)
將B2O3為21質量%、SiO2為56質量%之玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度46μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次,利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:10kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為45cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為130N/inch。
(實施例B2)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度46μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:10kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為45cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為120N/inch。
(實施例B3)
將B2O3為29質量%、SiO2為51質量%之玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度46μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:10kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為45cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為100N/inch。
(實施例B4)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度44μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:13kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為29cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為90N/inch。
(實施例B5)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度43μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:15kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為8cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為80N/inch。
(實施例B6)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(3313型:平均絲徑6μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度62根/inch、厚度73μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:10kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為45cm3/cm2/sec,平均絲徑為6μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為160N/inch。
(比較例B1)
將B2O3為19質量%、SiO2為61質量%之玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度46μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:10kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為45cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃
布之經紗方向拉伸強度為140N/inch。
(比較例B2)
將B2O3為31質量%、SiO2為49質量%之玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度46μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:10kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為45cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為80N/inch。
(比較例B3)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度46μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:5kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為55cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為150N/inch。
(比較例B4)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度46μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:5kgf/cm2、開纖加工時之張力:300N),並進行加熱乾燥而
獲得製品。玻璃布通氣度為90cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為160N/inch。
(比較例B5)
將B2O3為7質量%、SiO2為54質量%之E玻璃布(1078型:平均絲徑5μm、經紗之織入密度54根/inch、緯紗之織入密度54根/inch、厚度46μm)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖(水壓:5kgf/cm2、開纖加工時之張力:100N),並進行加熱乾燥而獲得製品。玻璃布通氣度為55cm3/cm2/sec,平均絲徑為5μm,玻璃布之經紗方向拉伸強度為160N/inch。
玻璃布之拉伸強度係依據JIS R 3420之7.4項而進行測定。
玻璃絲之平均絲徑係利用電子顯微鏡觀察含浸樹脂並硬化之玻璃布之橫剖面,隨機測定25個玻璃絲之直徑,並算出25個之平均值作為平均絲徑。
玻璃布之通氣度係依據JISR3420而進行測定。
將玻璃布浸漬於與玻璃等折射率之有機溶劑(苄醇)中,一面照射光,一面自上方利用光學顯微鏡進行觀察,並數出於單紗絲內可觀察到之中空紗之數量。算出每10萬根單紗絲之中空紗之數量。
使上述實施例B、比較例B中所獲得之玻璃布含浸環氧樹脂清漆(低溴化雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造)40質量份、鄰甲酚型酚
醛清漆環氧樹脂(三菱化學公司製造)10質量份、二甲基甲醯胺50質量份、雙氰胺1質量份、及2-乙基-4-甲基咪唑0.1質量份之混合物),於160℃下乾燥2分鐘後獲得預浸體。將該預浸體重疊,進而於上下重疊厚度12μm之銅箔,於175℃、40kg/cm2下進行60分鐘加熱加壓而獲得積層板。
以上述方法以厚度成為1mm之方式製作積層板,並去除銅箔而獲得用於介電常數評價之試樣。使用阻抗分析儀(Agilent Technologies公司製造)對所獲得之試樣之頻率1GHz下之介電常數進行測定。
以上述方法以厚度成為0.2mm之方式製作積層板,去除銅箔,並利用二氧化碳雷射加工機LC-2G212/2C製作直徑100μm之通孔100孔。進而,於實施除膠渣處理、鍍敷處理後,利用光學顯微鏡觀察通孔之剖面,並評價各通孔之鍍敷物滲入長度平均值。
以上述方法以厚度成為0.4mm之方式製作積層板,於積層板之雙面之銅箔上,製作配備0.15mm間隔之通孔之配線圖案而獲得絕緣可靠性評價之試樣。對於所獲得之試樣於溫度120℃濕度85%RH之氣氛下施加10V之電壓,測定電阻值之變化。此時,將於試驗開始後500小時以內電阻未達1MΩ之情形視為絕緣不良並進行計數。對10片試樣進行同樣之測定,算出10片中未成為絕緣不良之樣品之比率。
將實施例B1~6與比較例B1~5中所示之玻璃布之中空紗數、積層板之介電常數、鍍敷物滲入長度、絕緣可靠性評價結果彙總於表2。
[表2]
得知實施例B1~6之玻璃布為低介電常數,中空紗數較少,雷射加工性亦良好,絕緣可靠性非常優異。
(實施例C1)
將B2O3為21質量%、SiO2為56質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.51wt%。
(實施例C2)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次
利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.51wt%。
(實施例C3)
將B2O3為29質量%、SiO2為51質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.51wt%。
(實施例C4)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.75wt%。
(實施例C5)
將B2O3為23質量%、SiO2為53質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.90wt%。
(實施例C6)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使胺基丙基三乙氧基矽烷(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6011)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.51wt%。
(實施例C7)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使胺基乙基胺基丙基三甲氧基矽烷(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6020)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.51wt%。
(實施例C8)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1037型:玻璃絲之平均徑4.5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度73根/inch、厚度25μm、質量20g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.65wt%。
(實施例C9)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1027型:玻璃絲之平均徑4μm、經紗之織入密度75根/inch、緯紗之織入密度75根/inch、厚度20μm、質量17g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙
基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.75wt%。
(實施例C10)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(3313型:玻璃絲之平均徑6μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度62根/inch、厚度73μm、質量72g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.51wt%。
(實施例C11)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(3313型:玻璃絲之平均徑6μm、經紗之織入密度60根/inch、緯紗之織入密度62根/inch、厚度73μm、質量72g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.45wt%。
(比較例C1)
將B2O3為19質量%、SiO2為61質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次
利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.51wt%。
(比較例C2)
將B2O3為31質量%、SiO2為49質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.51wt%。
(比較例C3)
將B2O3為25質量%、SiO2為52質量%之玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為1.10wt%。
(比較例C4)
將B2O3為7質量%、SiO2為54質量%之E玻璃布(1067型:玻璃絲之平均徑5μm、經紗之織入密度70根/inch、緯紗之織入密度70根/inch、厚度30μm、質量28g/m2)浸漬於使N-β-(N-乙烯基苄基胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷之鹽酸鹽(Dow Corning Toray股份有限公司製造;Z6032)分散於水中而成之處理液中,並進行加熱乾燥。其次利用噴霧實施高壓水開纖,並進行加熱乾燥而獲得製品。矽烷偶合劑之灼燒減量值為0.45wt%。
依據JISR3420中所記載之方法測定灼燒減量值。測定利用馬弗爐進行加熱前後之重量變化,以處理劑附著量之形式計算灼燒減量值。
將玻璃布浸漬於與玻璃為等折射率之有機溶劑(苄醇)中,一面照射光,一面自上方利用光學顯微鏡進行觀察,對單紗絲內可觀察到之中空紗之數量進行計數。算出每10萬根單紗絲之中空紗之數量。
使上述實施例、比較例中所獲得之玻璃布含浸環氧樹脂清漆(低溴化雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造)40質量份、鄰甲酚型酚醛清漆環氧樹脂(三菱化學公司製造)10質量份、二甲基甲醯胺50質量份、雙氰胺1質量份、及2-乙基-4-甲基咪唑0.1質量份之混合物),於160℃下乾燥2分鐘後獲得預浸體。將該預浸體重疊,進而於上下重疊厚度12μm之銅箔,於175℃、40kg/cm2下進行60分鐘加熱加壓而獲得基板。
以上述方法以預浸體每100質量%之樹脂含量成為60質量%之方式製作基板,並去除銅箔而獲得用於介電常數評價之試樣。使用阻抗分析儀(Agilent Technologies公司製造)對所獲得之試樣之頻率1GHz下之介電常數進行測定。
以上述方法以預浸體每100質量%之樹脂含量成為60質量%之方式製作基板,並去除銅箔而獲得用於吸水率評價之試樣。將所獲得之試樣首先於乾燥機內於120℃下乾燥1小時,於乾燥器內冷卻至室溫後利用電子天平測定重量,其次,於壓力鍋內於121℃、2個大氣壓下放置168小時使試樣吸水,最後去除試樣表面之水分後利用電子天平測
定重量。根據重量變化算出吸水率。
以上述方法以厚度成為0.4mm之方式製作基板,於基板之雙面之銅箔上,製作配備0.15mm間隔之通孔之配線圖案而獲得絕緣可靠性評價之試樣。對於所獲得之試樣於溫度120℃濕度85%RH之氣氛下施加10V之電壓,測定電阻值之變化。此時,將於試驗開始後500小時以內電阻未達1MΩ之情形視為絕緣不良並進行計數。對10片試樣進行同樣之測定,算出10片中未成為絕緣不良之樣品之比率。
將實施例C1~11與比較例C1~4中所示之玻璃布之評價結果彙總於表3。
得知實施例C1~12之玻璃布較薄,為低介電常數,且絕緣可靠性非常優異。
本申請案係基於2015年4月27日向日本專利廳提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2015-090518)、2015年7月14日向日本專利廳提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2015-140410)、2016年1月6日向日本專利廳提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2016-001188),其內容係以參照之形式併入至本文中。
本發明之玻璃布作為電子/電氣領域中所使用之印刷配線板中所使用之基材而具有產業上之可利用性。
Claims (12)
- 一種玻璃布,其係對包含複數根玻璃絲之玻璃紗進行織造而成者,並且上述玻璃絲中,B2O3組成量為20質量%~30質量%,SiO2組成量為50質量%~60質量%,且上述玻璃布之灼燒減量值為0.25質量%~1.0質量%。
- 如請求項1之玻璃布,其中玻璃布之灼燒減量值為0.3質量%~0.9質量%。
- 如請求項1或2之玻璃布,其中玻璃布之灼燒減量值為0.35質量%~0.8質量%。
- 如請求項1之玻璃布,其中玻璃絲之平均絲徑為5μm以下,玻璃布之灼燒減量值為0.5質量%~1.0質量%。
- 如請求項1或2之玻璃布,其中玻璃布之通氣度為50cm3/cm2/sec以下。
- 如請求項1或2之玻璃布,其中玻璃布之拉伸強度為20N/inch以上。
- 如請求項1或2之玻璃布,其中玻璃布上之碳量為1mol/cm2以上。
- 如請求項1或2中任一項之玻璃布,其係利用下述通式(1)所表示之矽烷偶合劑進行表面處理而成,X(R)3-nSiYn (1)(式中,X係具有1個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,Y分別獨立地為烷氧基,n為1以上且3以下之整數,R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之基)。
- 如請求項1或2中任一項之玻璃布,其係利用下述通式(2)所表示 之矽烷偶合劑進行表面處理而成,X(R)3-nSiYn (2)(式中,X係具有3個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,Y分別獨立地為烷氧基,n為1以上且3以下之整數,R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之基)。
- 如請求項1或2中任一項之玻璃布,其係利用下述通式(3)所表示之矽烷偶合劑進行表面處理而成,X(R)3-nSiYn (3)(式中,X係具有4個以上之胺基及不飽和雙鍵基之至少任一個之有機官能基,Y分別獨立地為烷氧基,n為1以上且3以下之整數,R分別獨立地為選自由甲基、乙基、及苯基所組成之群中之基)。
- 一種預浸體,其包含如請求項1至10中任一項之玻璃布、及該玻璃布所含侵之基質樹脂。
- 一種印刷配線板,其具備如請求項11之預浸體。
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