TW201634560A - 奈米壓印液體材料，製造奈米壓印液體材料之方法，製造固化產物圖案之方法，製造光學組件之方法及製造電路板之方法 - Google Patents

奈米壓印液體材料，製造奈米壓印液體材料之方法，製造固化產物圖案之方法，製造光學組件之方法及製造電路板之方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種奈米壓印液體材料，其中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度低於310/mL。

Description

奈米壓印液體材料，製造奈米壓印液體材料之方法，製造固化產物圖案之方法，製造光學組件之方法及製造電路板之方法
本發明關於奈米壓印液體材料、製造奈米壓印液體材料之方法、製造固化產物圖案之方法、製造光學組件之方法及製造電路板之方法。
在半導體裝置、MEMS等中，愈來愈需要微型化，特別是光奈米壓印技術已受到注意。
在光奈米壓印技術中，在將在其表面具有細微凹凸圖案之模壓至其上施加有光可固化組成物(光阻)的基板(晶圓)之情況下，使該光阻固化。藉由該技術，將模之凹凸圖案轉印至該光阻的固化產物，如此在該基板上形成該圖案。根據光奈米壓印技術，可在基板上形成數 奈米等級之細微結構體。
在光奈米壓印技術中，首先將光阻施加至在基板上之圖案形成區(配置步驟)。其次，該光阻係使用其中形成有圖案之模來模製(模接觸步驟)。隨後，在該光阻係藉由光照射而固化(光照射步驟)之後，將該如此固化之光阻自該模脫離(脫模步驟)。經上述之步驟，在基板上形成具有預定形狀之樹脂圖案(光固化產物)。此外，所有上述步驟可在基板上之不同位置重複進行，因此可在整體基板上形成細微結構體。
引用列表 專利文獻
[PTL 1]日本專利早期公開案第2010-073811號
在包括光奈米壓印技術之奈米壓印技術中，圖案轉印及模製係藉由使模與施加在基板上之光阻接觸來進行。因此，當具有預定大小或更大之外來物質存在於待於配置步驟中施加至基板上的光阻中時，在一些情況中該模之凹凸圖案會因此受損或被阻塞。
特別是，在圖案轉印及光阻固化係使用一個模在基板上重複進行的情況下，若在操作期間凹凸圖案損壞或阻塞，在所有後續轉印的圖案中產生瑕疵。結果，不 利地發生產率嚴重降低。
因此，考慮到上述問題，本發明目的係改善奈米壓印法的產率。
在根據本發明一態樣之奈米壓印液體材料中，具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度低於310/mL。
從以下範例實施態樣並參考附圖將明暸本發明之其他特徵。
101‧‧‧光可固化組成物
102‧‧‧基板
103/105‧‧‧對準標記
104‧‧‧模
106‧‧‧塗膜
107‧‧‧照射光
108‧‧‧固化產物
109/110‧‧‧固化產物圖案
111‧‧‧區域
112‧‧‧電路結構
S‧‧‧模之凹面部分的寬度
L‧‧‧模之凸面部分的寬度
D‧‧‧粒子之直徑
11‧‧‧純化裝置
12‧‧‧測量系統
13‧‧‧回收容器
14‧‧‧緩衝容器
15‧‧‧廢棄液體容器
16‧‧‧壓力槽
17‧‧‧加壓系統
L1/L2/L3/L41/L42/‧‧‧管線
圖1A為示意顯示根據一實施態樣之製造固化產物圖案的方法之橫斷面圖。
圖1B為示意顯示根據該實施態樣之製造固化產物圖案的方法之橫斷面圖。
圖1C為示意顯示根據該實施態樣之製造固化產物圖案的方法之橫斷面圖。
圖1D為示意顯示根據該實施態樣之製造固化產物圖案的方法之橫斷面圖。
圖1E為示意顯示根據該實施態樣之製造固化產物圖案的方法之橫斷面圖。
圖1F為示意顯示根據該實施態樣之製造固化產物圖 案的方法之橫斷面圖。
圖1G為示意顯示根據該實施態樣之製造固化產物圖案的方法之橫斷面圖。
圖2A為示意顯示粒子之粒徑與模的圖案之凹面部分及凸面部分的寬度之間的關係之圖。
圖2B為示意顯示粒子之粒徑與該模的圖案之凹面部分及凸面部分的寬度之間的關係之圖。
圖3A為示意顯示根據一實施態樣之奈米壓印液體材料的純化系統之圖。
圖3B為示意顯示根據一實施態樣之奈米壓印液體材料的純化系統之圖。
圖4為顯示根據一實施態樣之製造奈米壓印液體材料的方法之流程圖。
圖5A為示意顯示根據一比較實例之奈米壓印液體材料的純化系統之圖。
圖5B為示意顯示根據一比較實例之奈米壓印液體材料的純化系統之圖。
圖6A為示意顯示根據一實施例之奈米壓印液體材料的純化系統之圖。
圖6B為示意顯示根據一實施例之奈米壓印液體材料的純化系統之圖。
下文茲參考適當圖式詳細說明本發明的實施 態樣。然而，本發明絕不局限於以下實施態樣。此外，在不違背本發明範圍的情況下，使用熟習本領域之人士一般知識對於以下實施態樣進行的適當修改、改善等亦可包括在本發明中。
[奈米壓印液體材料]
根據該實施態樣之奈米壓印液體材料(下文簡稱為「液體材料L」)為其中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度低於310/mL的奈米壓印液體材料。
根據該實施態樣之液體材料L的類型無特別限制，只要可用於奈米壓印法及只要為液體材料即可。在該實施態樣中，奈米壓印法為在將具有凹凸圖案之模壓至將待藉由熱或光而固化之組成物施加至基板上所獲得的薄膜之後，進行光照射或熱處理以形成其上轉印有該模之凹凸圖案的固化產物之方法。根據該奈米壓印法，例如，可形成具有1至100nm之細微凹凸圖案的固化產物(固化產物圖案)。
作為液體材料L，可提及例如(1)圖案形成用可固化組成物(下文稱為「組成物(1)」，諸如形成光阻用之可固化組成物或模複製用可固化組成物。或者，作為液體材料L，可提及(2)固化層形成用組成物(下文稱為「組成物(2)」)，諸如黏著層形成用組成物、下層形成用組成物、中間層形成用組成物、面塗層形成用 組成物、或光滑層形成用組成物。然而，根據該實施態樣之液體材料L的種類不局限於前文提及者。
此外，在本說明書中，「固化產物」表示藉由將組成物(諸如可固化組成物)中所含的可聚合化合物聚合所獲得之部分或完全固化產物。此外，在固化產物當中，特別是相對於其面積具有極小厚度的固化產物在一些情況中可特別強調地稱為「固化膜」。此外，在固化膜當中，特別是作為形成積層物之膜其中之一的固化膜在一些情況中可特別強調地稱為「固化層」。
下文，茲詳細說明根據該實施態樣之液體材料L。
(圖案形成用可固化組成物：組成物(1))
在該實施態樣中，圖案形成用可固化組成物(組成物(1))較佳為至少含有下列組分(A)及組分(B)之可固化組成物。然而，組成物(1)不局限於上述者，只要其為可藉由光照射或熱施加而固化的組成物即可。例如，組成物(1)可含有具有分子內反應性官能基之化合物作為組分(A)及組分(B)。
組分(A)：可聚合組分
組分(B)：聚合引發劑
下文茲詳細說明組成物(1)之組分。
<組分(A)：可聚合組分>
組分(A)為可聚合組分。該實施態樣中之可聚合組分為藉由鏈反應(聚合反應)而與從聚合引發劑(組分(B))產生之聚合因子(自由基、陽離子等)反應以形成聚合物的組分。該可聚合組分較佳為藉由該鏈反應而形成高分子量化合物之固化產物的組分。
可聚合組分較佳為含有可聚合化合物的組分。此外，可聚合組分可由一種可聚合化合物或至少兩種可聚合化合物形成。
此外，在該實施態樣中，組成物(1)中所含之所有可聚合化合物較佳係集體視為組分(A)。在該情況下，可包括組成物(1)中僅含一種可聚合化合物之結構以及其中僅含特定複數種可聚合化合物的結構。
作為上述可聚合化合物，例如，可提及可自由基聚合化合物或可陽離子聚合化合物。考慮聚合速率、固化速率、處理時間等之降低，根據該實施態樣之可聚合化合物更佳為可自由基聚合化合物。
下文將分別說明可自由基聚合化合物及可陽離子聚合化合物之具體實例。
可自由基聚合化合物較佳為具有至少一個丙烯醯基或甲基丙烯醯基之化合物，即，較佳為(甲基)丙烯酸系化合物。
即，當在該實施態樣中使用可自由基聚合化合物作為組成物(1)之組分(A)時，較佳含有(甲基)丙烯酸系化合物。此外，組分(A)之主要組分更佳為 (甲基)丙烯酸系化合物，再者，組成物(1)中所含的所有可聚合化合物最佳為(甲基)丙烯酸系化合物。此外，上述「組分(A)之主要組分為(甲基)丙烯酸系化合物」表示90重量%或更多之該組分(A)為(甲基)丙烯酸系化合物。
當可自由基聚合化合物係由複數種(甲基)丙烯酸系化合物所形成時，較佳含有單官能(甲基)丙烯酸單體及多官能(甲基)丙烯酸單體。其原因係當組合使用單官能(甲基)丙烯酸單體及多官能(甲基)丙烯酸單體時，可獲得具有高機械強度的固化產物。
作為具有一個丙烯醯基或甲基丙烯醯基之單官能(甲基)丙烯酸系化合物，例如可提及(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基-2-甲基乙酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-苯氧基-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸4-苯基苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸3-(2-苯基苯基)-2-羥丙酯、經EO改質之對異丙苯基酚的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-溴苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2,4-二溴苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸2,4,6-三溴苯氧基乙酯、經EO改質之(甲基)丙烯酸苯氧酯、經PO改質之(甲基)丙烯酸苯氧酯、(甲基)丙烯酸聚氧伸乙基壬基苯醚酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸2-甲基-2-金剛烷酯、(甲基)丙烯酸2-乙基-2-金剛烷酯、(甲 基)丙烯酸莰酯、(甲基)丙烯酸三環癸烷酯(tricyclodecanyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸二環戊烷酯(dicyclopentanyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯dicyclopentenyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸4-丁基環己酯、丙烯醯基嗎啉、(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丁酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯(amyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯(pentyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸異戊酯(isoamyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一酯、(甲基)丙烯酸十二酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸異硬脂酯、(甲基)丙烯酸苯甲酯、(甲基)丙烯酸1-萘甲酯、(甲基)丙烯酸2-萘甲酯、(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基二乙二醇酯、一(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、一(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸甲氧 基聚(乙二醇)酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚(丙二醇)酯、二丙酮(甲基)丙烯醯胺、異丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、第三辛基(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙胺基乙酯、(甲基)丙烯酸7-胺基-3,7-二甲基辛酯、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、及N,N-二甲胺基丙基(甲基)丙烯醯胺。然而，單官能(甲基)丙烯酸系化合物不局限於前文提及者。
作為上述單官能(甲基)丙烯酸系化合物之市售產品，例如可提及Aronix M101、M102、M110、M111、M113、M117、M5700、TO-1317、M120、M150、及M156(由Toagosei Co.,Ltd.製造)；MEDOL10、MIBDOL10、CHDOL10、MMDOL30、MEDOL30、MIBDOL30、CHDOL30、LA、IBXA、2-MTA、HPA、Viscoat #150、#155、#158、#190、#192、#193、#220、#2000、#2100、及#2150(由Osaka Organic Industry Ltd.製造)；Light Acrylate BO-A、EC-A、DMP-A、THF-A、HOP-A、HOA-MPE、HOA-MPL、PO-A、P-200A、NP-4EA、NP-8EA、及Epoxy Ester M-600A(由Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.製造)；KAYARAD TC110S、R-564、及R-128H(由Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造)；NK Ester AMP-10G及AMP-20G(由Shin-Nakamura Chemical Co.,Ltd.製造)；FA-511A、512A、及513A(由Hitachi Chemical Co.,Ltd.製造)；PHE、CEA、PHE-2、PHE-4、 BR-31、BR-31M、及BR-32(由Dai-ichi Kogyo Seiyakyu Co.,Ltd.製造)；VP(由BASF製造)；及ACMO、DMAA、及DMAPAA(由Kohjin Co.,Ltd.製造)。然而，上述單官能(甲基)丙烯酸系化合物之市售產品不局限於前文提及者。
作為具有至少兩個丙烯醯基或甲基丙烯醯基之多官能(甲基)丙烯酸系化合物，例如可提及二(甲基)丙烯酸三羥甲丙烷酯、三(甲基)丙烯酸三羥甲丙烷酯、經EO改質之三(甲基)丙烯酸三羥甲丙烷酯、經PO改質之三(甲基)丙烯酸三羥甲丙烷酯、經EO,PO改質之三(甲基)丙烯酸三羥甲丙烷酯、二(甲基)丙烯酸二羥甲三環癸烷酯、三(甲基)丙烯酸新戊四醇酯、四(甲基)丙烯酸新戊四醇酯、二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸四乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸苯基乙二醇酯、二(甲基)丙烯酸聚(乙二醇)酯、二(甲基)丙烯酸聚(丙二醇)酯、二(甲基)丙烯酸1,4-丁二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,6-己二醇酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,9-壬二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,10-癸二醇酯、二(甲基)丙烯酸1,3-金剛烷二甲醇酯、二(甲基)丙烯酸鄰伸茬酯、二(甲基)丙烯酸間伸茬酯、二(甲基)丙烯酸對伸茬酯、三(甲基)丙烯酸參(2-羥乙基)異三聚氰酸酯、參(丙烯醯氧基)異三聚氰酸酯、二(甲基)丙烯酸雙(羥甲基)三環癸烷酯、五(甲基)丙烯酸二新戊四醇酯、六(甲基)丙烯酸 二新戊四醇酯、經EO改質之2,2-雙(4-((甲基)丙烯氧基)苯基)丙烷、經PO改質之2,2-雙(4-((甲基)丙烯氧基)苯基)丙烷及經EO,PO改質之2,2-雙(4-((甲基)丙烯氧基)苯基)丙烷。然而，多官能(甲基)丙烯酸系化合物不局限於前文提及者。
作為上述多官能(甲基)丙烯酸系化合物之市售產品，例如可提及Yupimer UV SA1002及SA2007(由Mitsubishi Chemical Corp.製造)；Viscoat #195、#230、#215、#260、#335HP、#295、#300、#360、#700、GPT、及3PA(由Osaka Organic Chemical Industry,Ltd.製造)；Light Acrylate 4EG-A、9EG-A、NP-A、DCP-A、BP-4EA、BP-4PA、TMP-A、PE-3A、PE-4A、及DPE-6A(由Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.製造)；KAYARAD PET-30、TMPTA、R-604、DPHA、DPCA-20、-30、-60、-120、HX-620、D-310、及D-330(由Nippon Kayaku Co.,Ltd.製造)；Aronix M208、M210、M215、M220、M240、M305、M309、M310、M315、M325、及M400(由Toagosei Co.,Ltd.製造)；及Ripoxy VR-77、VR-60、及VR-90(由Showa Denko K.K.製造)。然而，上述多官能(甲基)丙烯酸系化合物之市售產品不局限於前文提及者。
可自由基聚合化合物可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。在前文提及之化合物群組中，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯或與其等效之具有醇殘基的甲 基丙烯酸酯。(甲基)丙烯醯基表示丙烯醯基或與其等效之具有醇殘基的甲基丙烯醯基。「EO」表示環氧乙烷，且經EO改質之化合物A表示其中(甲基)丙烯酸殘基與化合物A之醇殘基藉由其間所提供的至少一個環氧乙烷所形成之嵌段結構而彼此結合的化合物。此外，「PO」表示環氧丙烷，且經PO改質之化合物B表示其中(甲基)丙烯酸殘基與化合物B之醇殘基藉由其間所提供的至少一個環氧丙烷所形成之嵌段結構而彼此結合的化合物。
此外，作為陽離子可聚合化合物，以具有乙烯基醚基、環氧基、及氧環丁烷基(oxetanyl)中至少一者的化合物為佳。
因此，當陽離子可聚合化合物係用於該實施態樣中時，作為組成物(1)之組分(A)，較佳含有含乙烯基醚基、環氧基、或氧環丁烷基之化合物。此外，組分(A)之主要組分更佳為具有乙烯基醚基、環氧基、或氧環丁烷基的化合物。再者，組成物(1)中所含之所有可聚合化合物最佳為各具有乙烯基醚基、環氧基、或氧環丁烷基的化合物。此外，上述「組分(A)之主要組分為具有乙烯基醚基、環氧基、或氧環丁烷基的化合物」表示90重量%或更多之該組分(A)為具有乙烯基醚基、環氧基、或氧環丁烷基的化合物。
當陽離子可聚合化合物係由複數種各含有乙烯基醚基、環氧基、及氧環丁烷基中至少一者的化合物形成時，較佳含有單官能單體及多官能單體。其原因係當組 合使用單官能單體及多官能單體時，可獲得具有高機械強度的固化產物。
作為具有一個乙烯基醚基之化合物，可提及例如：甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚、丙基乙烯基醚、正丁基乙烯基醚、第三丁基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚、正壬基乙烯基醚、月桂基乙烯基醚、環己基乙烯基醚、環己基甲基乙烯基醚、4-甲基環己基甲基乙烯基醚、苯甲基乙烯基醚、二環戊烯基乙烯基醚、2-二環戊烯氧基乙基乙烯基醚、甲氧基乙基乙烯基醚、乙氧基乙基乙烯基醚、丁氧基乙基乙烯基醚、甲氧基乙氧基乙基乙烯基醚、乙氧基乙氧基乙基乙烯基醚、甲氧基(聚乙二醇)乙烯基醚、四氫呋喃甲基乙烯基醚、2-羥乙基乙烯基醚、2-羥丙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、4-羥甲基環己基甲基乙烯基醚、二乙二醇一乙烯基醚、聚(乙二醇)乙烯基醚、氯乙基乙烯基醚、氯丁基乙烯基醚、氯乙氧基乙基乙烯基醚、苯乙基乙烯基醚、苯氧基(聚乙二醇)乙烯基醚。然而，具有一個乙烯基醚基之化合物不局限於前文提及者。
作為具有至少兩個乙烯基醚基之化合物，例如可提及二乙烯基醚，諸如乙二醇二乙烯基醚、二乙二醇二乙烯基醚、聚(乙二醇)二乙烯基醚、丙二醇二乙烯基醚、丁二醇二乙烯基醚、己二醇二乙烯基醚、雙酚A環氧烷二乙烯基醚及雙酚F環氧烷二乙烯基醚；及多官能乙烯基醚，諸如三羥甲基乙烷三乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚、二(三羥甲基丙烷)四乙烯基醚、甘油三乙烯基 醚、新戊四醇四乙烯基醚、二新戊四醇五乙烯基醚、二新戊四醇六乙烯基醚、三羥甲基丙烷三乙烯基醚之環氧乙烷加成物、三羥甲基丙烷三乙烯基醚之環氧丙烷加成物、二(三羥甲基丙烷)四乙烯基醚之環氧乙烷加成物、二(三羥甲基丙烷)四乙烯基醚之環氧丙烷加成物、新戊四醇四乙烯基醚之環氧乙烷加成物、新戊四醇四乙烯基醚之環氧丙烷加成物、二新戊四醇六乙烯基醚之環氧乙烷加成物、及二新戊四醇六乙烯基醚之環氧丙烷加成物。然而，具有至少兩個乙烯基醚基之化合物不局限於前文提及者。
作為具有一個環氧基之化合物，例如可提及苯基環氧丙基醚、對-第三丁苯基環氧丙基醚、丁基環氧丙基醚、2-乙基己基環氧丙基醚、烯丙基環氧丙基醚、1,2-環氧丁烷、1,3-一環氧丁二烷(1,3-butadiene monooxide)、1,2-環氧十二烷、表氯醇、1,2-環氧癸烷、苯環氧乙烷、環氧環己烷、3-甲基丙烯醯氧基甲基環氧環己烷、3-丙烯醯氧基甲基環氧環己烷、及3-乙烯基環氧環己烷。然而，具有一個環氧基之化合物不局限於前文提及者。
作為具有至少兩個環氧基之化合物，例如可提及雙酚A二環氧丙基醚、雙酚F二環氧丙基醚、雙酚S二環氧丙基醚、溴化雙酚A二環氧丙基醚、溴化雙酚F二環氧丙基醚、溴化雙酚S二環氧丙基醚、環氧基酚醛清漆樹脂、氫化雙酚A二環氧丙基醚、氫化雙酚F二環氧丙基醚、氫化雙酚S二環氧丙基醚、3,4-環氧基環己基甲 基-3',4'-環氧基環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧基環己基-5,5-螺-3,4-環氧基)環己烷-間-二噁烷、雙(3,4-環氧基環己基甲基)己二酸酯、乙烯基環氧環己烷、4-乙烯基環氧基環己烷、雙(3,4-環氧基-6-甲基環己基甲基)己二酸酯、3,4-環氧基-6-甲基環己基-3',4'-環氧基-6'-甲基環己烷羧酸酯、亞甲基雙(3,4-環氧基環己烷)、二環氧二環戊二烷(dicyclopentadiene diepoxide)、乙二醇之二(3,4-環氧基環己基甲基)醚、雙(3,4-環氧基環己烷羧酸)伸乙酯、環氧基六氫酞酸二辛酯、環氧六氫酞酸二-2-乙基己酯、1,4-丁二醇二環氧丙基醚、1,6-己二醇二環氧丙基醚、甘油三環氧丙基醚、三羥甲基丙烷三環氧丙基醚、聚(乙二醇)二環氧丙基醚、聚(丙二醇)二環氧丙基醚、1,1,3-二環氧十四碳二烷(1,1,3-tetradecadiene dioxide)、二環氧薴烷(limonene dioxide)、1,2,7,8-二環氧辛烷、1,2,5,6-二環氧環辛烷。然而，具有至少兩個環氧基之化合物不局限於前文提及者。
作為具有一個氧環丁烷基之化合物，例如可提及3-乙基-3-羥甲基氧環丁烷、3-(甲基)烯丙氧基甲基-3-乙基氧環丁烷、(3-乙基-3-氧環丁烷基甲氧基)甲苯、4-氟-[1-(3-乙基-3-氧環丁烷基甲氧基)甲基]苯、4-甲氧基[1-(3-乙基-3-氧環丁烷基甲氧基)甲基]苯、[1-(3-乙基-3-氧環丁烷基甲氧基)乙基]苯基醚、異丁氧基甲基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、異莰基氧環丁烷基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、異莰基(3-乙基-3-氧 環丁烷基甲基)醚、2-乙基己基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、乙基二乙二醇(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、二環戊二烯(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、二環戊烯基氧環丁烷基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、二環戊烯基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、四氫呋喃甲基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、四溴苯基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、2-四溴苯氧基乙基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、三溴苯基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、2-三溴苯氧基乙基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、2-羥乙基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、2-羥丙基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、丁氧基乙基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、五氯苯基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、五溴苯基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、及莰基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚。然而，具有一個氧環丁烷基之化合物不局限於前文提及者。
作為具有至少兩個氧環丁烷基之化合物，例如可提及3,7-雙(3-氧環丁烷基)-5-噁-壬烷、3,3'-(1,3-(2-甲烯基)丙二基雙(甲醛))雙-(3-乙基氧環丁烷)、1,4-雙[(3-乙基-3-氧環丁烷基甲氧基)甲基]苯、1,2-雙[(3-乙基-3-氧環丁烷基甲氧基)甲基]乙烷、1,3-雙[(3-乙基-3-氧環丁烷基甲氧基)甲基]丙烷、乙二醇雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、二環戊烯基雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、三乙二醇雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、四乙二醇雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基) 醚、三環癸二基二亞甲基(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、三羥甲基丙烷參(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、1,4-雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲氧基)丁烷、1,6-雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲氧基)己烷、新戊四醇參(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、新戊四醇肆(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、聚(乙二醇)雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、二新戊四醇陸(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、二新戊四醇伍(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、二新戊四醇肆(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、經己內酯改質之二新戊四醇陸(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、經己內酯改質之二新戊四醇伍(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、二(三羥甲基丙烷)肆(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、經EO改質之雙酚A雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、經PO改質之雙酚A雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、經EO改質之氫化雙酚A雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、經PO改質之氫化雙酚A雙(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚、及經EO改質之雙酚F(3-乙基-3-氧環丁烷基甲基)醚。然而，具有至少兩個氧環丁烷基之化合物不局限於前文提及者。
可陽離子聚合化合物可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。此外，在前文提及之化合物群組當中，「EO」表示環氧乙烷，而經EO改質之化合物表示具有由至少一個環氧乙烷基所形成之嵌段結構的化合物。此外，「PO」表示環氧丙烷，而經PO改質之化合物表示具 有由至少一個環氧丙烷基所形成之嵌段結構的化合物。再者，「氫化」表示將至少一個氫原子添加至苯等之C=C雙鍵的情況。
<組分(B)：聚合引發劑>
組分(B)為聚合引發劑。作為根據該實施態樣之聚合引發劑，例如可提及的有光聚合引發劑，其係為藉由光而產生聚合因子之化合物；以及熱聚合引發劑，其係為藉由熱而產生聚合因子之化合物。
組分(B)可由一種聚合引發劑形成，或可由複數種聚合引發劑形成。此外，組分(B)可由光聚合引發劑與熱聚合引發劑二者形成。
光聚合引發劑為當偵測到具有預定波長之光(紅外線、可見光、紫外線、深紫外線、X射線、帶電粒子射線，諸如電子束、放射線等)時產生上述聚合因子(諸如自由基或陽離子)的化合物。特別是，作為光聚合引發劑，例如可提及藉由光產生自由基之光自由基產生劑以及藉由光產生質子(H+)的光酸產生劑。當可聚合組分(A)含有可自由基聚合化合物時，主要使用光自由基產生劑。另一方面，當可聚合組分(A)含有陽離子可聚合化合物時，主要使用光酸產生劑。作為光自由基產生劑，例如可提及可具有取代基之2,4,5-三芳基咪唑二聚物，諸如2-(鄰氯苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰氯苯基)-4,5-二(甲氧苯基)咪唑二聚物、2-(鄰氟苯基)- 4,5-二苯基咪唑二聚物、或2-(鄰或對甲氧苯基)-4,5-二苯基咪唑二聚物；二苯甲酮衍生物，諸如二苯甲酮、N,N'-四甲基-4,4'-二胺基二苯甲酮(米其勒酮(Michler's ketone))、N,N'-四乙基-4,4'-二胺基二苯甲酮、4-甲氧基-4'-二甲基胺基二苯甲酮、4-氯二苯甲酮、4,4'-二甲氧基二苯甲酮、或4,4'-二胺基二苯甲酮；α-胺基芳族酮衍生物，諸如2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1或2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙-1-酮；醌衍生物，諸如2-乙基蒽醌、菲醌、2-第三丁基蒽醌、八甲基蒽醌、1,2-苯并蒽醌、2,3-苯并蒽醌、2-苯基蒽醌、2,3-二苯基蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1,4-萘醌、9,10-菲醌、2-甲基-1,4-萘醌、或2,3-二甲基蒽醌；安息香醚衍生物，諸如安息香甲基醚、安息香乙基醚、或安息香苯基醚；安息香衍生物，諸如安息香、甲基安息香、乙基安息香、或丙基安息香；苯甲基衍生物，諸如苯甲基甲基縮酮；吖啶衍生物，諸如9-苯基吖啶或1,7-雙(9,9'-吖啶基)庚烷；N-苯甘胺酸衍生物，諸如N-苯甘胺酸；苯乙酮衍生物，諸如苯乙酮、3-甲基苯乙酮、苯乙酮苯甲基縮酮、1-羥基環己基苯基酮、或2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮；噻噸酮衍生物，諸如噻噸酮、二乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、或2-氯噻噸酮；氧化醯基膦衍生物，諸如氧化2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯膦、氧化雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯膦、或氧化雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基膦；肟酯衍生物，諸如1,2-辛二酮、1- [4-(苯硫基)-2-(鄰苯甲醯基肟)]或乙酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]、1-(鄰乙醯基肟)；酮、茀酮、苯甲醛、茀、蒽醌、三苯胺、咔唑、1-(4-異丙基苯基)-2-羥基-2-甲基丙-1-酮、或2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮。然而，光自由基產生劑不局限於前文提及者。
作為前文提及之光自由基產生劑的市售產品，可提及例如Irgacure 184、369、651、500、819、907、784、2959、CGI-1700、-1750、-1850、CG24-61、Darocur 1116、1173、Lucirin TPO、LR8893、及LR8970(由BASF製造)；及Ubecryl P36(由UCB製造)。然而，光自由基產生劑的市售產品不局限於前文提及者。
在前文提及之化合物當中，作為光自由基產生劑，以氧化醯基膦聚合引發劑或苯烷基酮聚合引發劑為佳。在前文提及之實例當中，氧化醯基膦聚合引發劑為氧化醯基膦化合物，諸如氧化2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯膦、氧化雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯膦、或氧化雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)-2,4,4-三甲基戊基膦。此外，在前文提及之實例當中，苯烷基酮聚合引發劑為安息香醚衍生物，諸如安息香甲基醚、安息香乙基醚、或安息香苯基醚；安息香衍生物，諸如安息香、甲基安息香、乙基安息香、或丙基安息香；苯甲基衍生物，諸如苯甲基甲基縮酮；苯乙酮衍生物，諸如苯乙酮、3-甲基苯乙酮、苯乙酮苯甲基縮酮、1-羥基環己基苯基酮、或2,2-二甲氧基-2-苯 基苯乙酮；α-胺基芳族酮衍生物，諸如2-苯甲基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁酮-1或2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉基-丙-1-酮。
作為光酸產生劑，例如可提及鎓鹽化合物、碸化合物、磺酸酯化合物、碸醯亞胺化合物、及重氮甲烷化合物。然而，光酸產生劑不局限於前文提及者。在本發明中，以鎓鹽為佳。
作為鎓鹽化合物，可提及例如碘鎓鹽、鋶鹽、鏻鹽、重氮鹽、銨鹽及吡啶鎓鹽。
作為鎓鹽化合物，例如可提及全氟正丁磺酸雙(4-第三丁苯基)碘鎓、三氟甲磺酸雙(4-第三丁苯基)碘鎓、2-三氟甲基苯磺酸雙(4-第三丁苯基)碘鎓、芘磺酸雙(4-第三丁苯基)碘鎓、正十二基苯磺酸雙(4-第三丁苯基)碘鎓、對甲苯磺酸雙(4-第三丁苯基)碘鎓、苯磺酸雙(4-第三丁苯基)碘鎓、10-樟腦磺酸雙(4-第三丁苯基)碘鎓、正辛磺酸雙(4-第三丁苯基)碘鎓、全氟正丁磺酸二苯基碘鎓、三氟甲磺酸二苯基碘鎓、2-三氟甲基苯磺酸二苯基碘鎓、芘磺酸二苯基碘鎓、正十二基苯磺酸二苯基碘鎓、對甲苯磺酸二苯基碘鎓、苯磺酸二苯基碘鎓、10-樟腦磺酸二苯基碘鎓、正辛磺酸二苯基碘鎓、全氟正丁磺酸三苯基鋶、三氟甲磺酸三苯基鋶、2-三氟甲基苯磺酸三苯基鋶、芘磺酸三苯基鋶、正十二基苯磺酸三苯基鋶、對甲苯磺酸三苯基鋶、苯磺酸三苯基鋶、10-樟腦磺酸三苯基鋶、正辛磺酸三苯基鋶、全氟正丁磺 酸二苯基(4-第三丁苯基)鋶、三氟甲磺酸二苯基(4-第三丁苯基)鋶、2-三氟甲基苯磺酸二苯基(4-第三丁苯基)鋶、芘磺酸二苯基(4-第三丁苯基)鋶、正十二基苯磺酸二苯基(4-第三丁苯基)鋶、對甲苯磺酸二苯基(4-第三丁苯基)鋶、苯磺酸二苯基(4-第三丁苯基)鋶、10-樟腦磺酸二苯基(4-第三丁苯基)鋶、正辛磺酸二苯基(4-第三丁苯基)鋶、全氟正丁磺酸參(4-甲氧基苯基)鋶、三氟甲磺酸參(4-甲氧基苯基)鋶、2-三氟甲基苯磺酸參(4-甲氧基苯基)鋶、芘磺酸參(4-甲氧基苯基)鋶、正十二基苯磺酸參(4-甲氧基苯基)鋶、對甲苯磺酸參(4-甲氧基苯基)鋶、苯磺酸參(4-甲氧基苯基)鋶、10-樟腦磺酸參(4-甲氧基苯基)鋶、或正辛磺酸參(4-甲氧基苯基)鋶。然而，鎓鹽化合物不局限於前文提及者。
作為碸化合物，例如可提及β-酮碸、β-磺醯基碸、或其α-重氮化合物。作為碸化合物之具體實例，例如可提及苯甲醯甲基苯碸、基苯甲醯甲基碸、雙(苯磺醯基)甲烷、或4-參苯甲醯甲基碸；然而碸化合物不局限於前文提及者。
作為磺酸酯化合物，例如可提及烷基磺酸酯、鹵代烷基磺酸酯、芳基磺酸酯、或亞胺基磺酸酯。作為磺酸酯之具體實例，例如可提及全氟正丁磺酸α-羥甲基安息香酯、三氟甲磺酸α-羥甲基安息香酯、或2-三氟甲基苯磺酸α-羥甲基安息香酯；然而磺酸酯化合物不局限於 前文提及者。
作為碸醯亞胺化合物，例如可提及N-(三氟甲磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(三氟甲磺醯氧基)酞醯亞胺、N-(三氟甲磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(三氟甲磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(三氟甲磺醯氧基)-7-噁雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(三氟甲磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷-5,6-氧-2,3-二甲醯亞胺、N-(三氟甲磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)酞醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)-7-噁雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷-5,6-氧-2,3-二甲醯亞胺、N-(10-樟腦磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(4-甲苯磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(4-甲苯磺醯氧基)酞醯亞胺、N-(4-甲苯磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(4-甲苯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(4-甲苯磺醯氧基)-7-噁雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(4-甲苯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷-5,6-氧-2,3-二甲醯亞胺、N-(4-甲苯磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(2-三氟甲苯磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(2-三氟甲苯磺醯氧基)酞醯亞胺、N-(2-三氟甲苯磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(2-三氟甲苯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(2-三氟甲苯 磺醯氧基)-7-噁雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(2-三氟甲苯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷-5,6-氧-2,3-二甲醯亞胺、N-(2-三氟甲苯磺醯氧基)萘醯亞胺、N-(4-氟苯磺醯氧基)琥珀醯亞胺、N-(4-氟苯磺醯氧基)酞醯亞胺、N-(4-氟苯磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(4-氟苯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(4-氟苯磺醯氧基)-7-噁雙環[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲醯亞胺、N-(4-氟苯磺醯氧基)雙環[2.2.1]庚烷-5,6-氧-2,3-二甲醯亞胺、或N-(4-氟苯磺醯氧基)萘醯亞胺。然而，碸醯亞胺化合物不局限於前文提及者。
作為重氮甲烷化合物，例如可提及雙(三氟甲磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)重氮甲烷、甲磺醯基對甲苯磺醯基重氮甲烷、(環己基磺醯基)(1,1-二甲基乙磺醯基)重氮甲烷、或雙(1,1-二甲基乙磺醯基)重氮甲烷；然而，重氮甲烷化合物不局限於前文提及者。
熱聚合引發劑係為藉由熱產生聚合因子(自由基、陽離子等)之化合物。特別是，作為熱聚合引發劑，例如可提及藉由熱產生自由基之熱自由基產生劑或藉由熱產生質子(H+)之熱酸產生劑。當可聚合組分(A)含有可自由基聚合化合物時，主要使用熱自由基產生劑。另一方面，當可聚合組分(A)含有陽離子可聚合化合物時，主要使用熱酸產生劑。
作為熱自由基產生劑，例如可提及有機過氧化物及偶氮化合物。作為有機過氧化物，例如可提及過氧酯，諸如一碳酸第三己基過氧基異丙酯(t-hexyl peroxy isopropyl monocarbonate)、己酸第三己基過氧基-2-乙酯(t-hexyl peroxy-2-ethyl hexanoate)、己酸第三丁基過氧基-3,5,5-三甲酯(t-butyl peroxy-3,5,5-trimethyl hexanoate)、或碳酸第三丁基過氧基異丙酯(t-butyl peroxy isopropyl carbonate)；過氧基縮酮，諸如1,1-雙(第三己基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷；或過氧化二醯基，諸如過氧化月桂醯基；然而，有機過氧化物不局限於前文提及者。此外，作為偶氮化合物，雖然可提及偶氮腈，諸如2,2'-偶氮雙異丁腈、2,2'-偶氮雙(2-甲基丁腈)、或1,1'-偶氮雙(環己烷-1-甲腈)，但偶氮化合物不局限於此。
作為熱酸產生劑，可提及已知之碘鎓鹽、鋶鹽、鏻鹽、或二茂鐵。特別是，例如可提及，但不局限於，六氟銻酸二苯基碘鎓、六氟磷酸二苯基碘鎓、六氟硼酸二苯基碘鎓、六氟銻酸三苯基鋶、六氟磷酸三苯基鋶、或六氟硼酸三苯基鋶。
作為組成物(1)中之聚合引發劑的組分(B)相對於本身為可聚合組分之組分(A)的總量之摻合率為0.01至10重量百分比，及較佳為0.1至7重量百分比。
當組分(B)對組分(A)之總量的摻合率設 為0.01重量百分比或更高時，組成物(1)之固化速率可提高。因此，可改善反應效率。此外，當組分(B)對組分(A)之總量的摻合率設為10重量百分比或更低時，待獲得之固化產物能具有特定機械強度。
<其他添加組分(C)>
除了組分(A)及組分(B)之外，基於各種目的，在不使本發明優點退化的情況下，根據該實施態樣之組成物(1)亦可含有至少一種添加組分(C)。作為上述之添加組分(C)，例如可提及敏化劑、氫予體、內部添加型脫模劑、界面活性劑、抗氧化劑、溶劑、聚合物組分、及除上述組分(B)以外之聚合引發劑。
為了促進聚合反應及改善反應轉化率，敏化劑係應適當地添加之化合物。作為敏化劑，例如可提及敏化染料。
敏化染料為藉由吸收具有特定波長之光而激發且與作為光聚合引發劑的組分(B)相互作用之化合物。此外，上述相互作用表示從受激發敏化染料至作為光聚合引發劑之組分(B)的能量轉移、電子轉移等。
作為敏化染料之具體實例，例如可提及，但不局限於，蒽衍生物、蒽醌衍生物、芘衍生物、苝衍生物、咔唑衍生物、二苯甲酮衍生物、噻噸酮衍生物、酮衍生物、香豆素衍生物、啡噻衍生物、樟腦醌衍生物、吖啶染料、硫哌喃鎓鹽(thiopyrylium salt)染料、部花 青素染料、喹啉染料、苯乙烯基喹啉染料、酮基香豆素染料、硫二苯并哌喃染料、二苯并哌喃染料、氧雜菁(oxonol)染料、花青素染料、玫瑰紅染料、或哌喃鎓鹽染料。
敏化染料可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。
氫予體為藉由與從組分(B)所產生之引發自由基反應及/或與聚合生長末端之自由基反應而產生具有更高反應性之自由基的化合物。氫予體較佳係當組分(B)為光自由基產生劑或熱自由基產生劑時添加。
作為上述氫予體之具體實例，例如可提及胺化合物，諸如正丁胺、二正丁胺、三正丁基膦、烯丙基硫脲、第二苯甲基異硫脲鹽對甲苯亞磺酸鹽(s-benzyl isothiuronium-p-toluene sulfinate)、三乙胺、甲基丙烯酸二乙基胺基乙酯、三伸乙基四胺、4,4'-雙(二烷胺基)二苯甲酮、N,N-二甲胺基苯甲酸乙酯、N,N-二甲胺基苯甲酸異戊酯、戊基-4-二甲胺基苯甲酸酯、三乙醇胺、或及N-苯基甘胺酸；或巰基化合物，諸如2-巰基-N-苯基苯并咪唑或巰基丙酸酯。
氫予體可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。
當根據該實施態樣之組成物(1)含有敏化劑及氫予體作為添加組分(C)時，彼等之含量各較佳係相對於組分(A)的總量為0至20重量百分比。此外，彼等 之含量各較佳係0.1至5.0重量百分比，及更佳係0.2至2.0重量百分比。當含有相對於組分(A)的總量為0.1重量百分比或更高之敏化劑時，可更有效獲得聚合促進效果。此外，當敏化劑或氫予體之含量設為相對於組分(A)的總量為5.0重量百分比或更低時，可充分提高形成固化產物用之高分子量化合物的分子量。再者，可抑制敏化劑或氫予體不充分溶解於組成物(1)及/或其貯存安定性惡化。
為了降低模與光阻之間的界面結合力，即，為了降低將於稍後說明之脫模步驟中的脫離力，可將內部添加型脫模劑添加至組成物(1)。在該情況下，本說明書之「內部添加型脫模劑」表示在進行將於下文說明的配置步驟之前事先將脫模劑添加至組成物(1)中。
作為內部添加型脫模劑，例如，可使用界面活性劑，諸如聚矽氧系界面活性劑、氟系界面活性劑、或烴系界面活性劑。在該實施態樣中，內部添加型脫模劑不具聚合性質。
氟系界面活性劑可包括具有全氟烷基之醇的聚(環氧烷)(諸如聚(環氧乙烷)或聚(環氧丙烷))加成物或全氟聚醚之聚(環氧烷)(諸如聚(環氧乙烷)或聚(環氧丙烷))加成物。此外，氟系界面活性劑在其分子結構的一部分(例如端基)可具有羥基、烷氧基、烷基、胺基、硫醇基等。
作為氟系界面活性劑，亦可使用市售產品。 作為市售氟系界面活性劑，例如可提及，但不局限於，MEGAFAC F-444、TF-2066、TF-2067、及TF-2068(由DIC製造)；Fluorad FC-430 and FC-431(由Sumitomo 3M Limited製造)；SURFLON S-382(由AGC製造)；EFTOP EF-122A、122B、122C、EF-121、EF-126、EF-127、及MF-100(由Tohkem Products Corp.製造)；PF-636、PF-6320、PF-656、及PF-6520(由OMNOVA Solutions,Inc.製造)；UNIDYNE DS-401、DS-403、及DS-451(由DAIKIN INDUSTRIES,LTD製造)；及Ftergent 250、251、222F、及208G(由Neos製造)。
烴系界面活性劑可包括將具有2至4個碳原子之環氧烷添加至具有1至50個碳原子之烷醇的烷醇聚(環氧烷)加成物。
作為烷醇聚(環氧烷)加成物，例如可提及甲醇環氧乙烷加成物、癸醇環氧乙烷加成物、月桂醇環氧乙烷加成物、鯨蠟醇環氧乙烷加成物、硬脂醇環氧乙烷加成物、或硬脂醇環氧乙烷/環氧丙烷加成物。此外，該烷醇聚(環氧烷)加成物之端基不局限於羥基，其係藉由簡單地將聚(環氧烷)加入烷醇而製造。該羥基可被其他取代基例如極性官能基，諸如羧基、胺基、吡啶基、硫醇基、或矽烷醇基；或疏水性官能基，諸如烷基或烷氧基取代。
可使用市售產品作為烷醇聚(環氧烷)加成物。作為烷醇聚(環氧烷)加成物之市售產品，例如可提 及，但不局限於，由Aoki Oil Industrial Co.,Ltd.製造之聚氧乙烯甲基醚(甲醇環氧乙烷加成物)(BLAUNON MP-400、MP-550、或MP-1000)、由Aoki Oil Industrial Co.,Ltd.製造之聚氧乙烯癸基醚(癸醇環氧乙烷加成物)(FINESURF D-1303、D-1305、D-1307、或D-1310)、由Aoki Oil Industrial Co.,Ltd.製造之聚氧乙烯月桂基醚(月桂醇環氧乙烷加成物)(BLAUNON EL-1505)、由Aoki Oil Industrial Co.,Ltd.製造之聚氧乙烯鯨蠟基醚(鯨蠟醇環氧乙烷加成物)(BLAUNON CH-305或CH-310)、由Aoki Oil Industrial Co.,Ltd.製造之聚氧乙烯硬脂基醚(硬脂醇環氧乙烷加成物)(BLAUNON SR-705、SR-707、SR-715 SR-720、SR-730、或SR-750)、由Aoki Oil Industrial Co.,Ltd.製造之隨機共聚物型聚氧乙烯/聚氧丙烯硬脂基醚(BLAUNON SA-50/50 1000R或SA-30/70 2000R)、由BASF製造之聚氧乙烯甲基醚(Pluriol A760E)、或由Kao Corp.製造之聚氧乙烯烷基醚(Emulgen系列)。
內部添加型脫模劑可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。
當將內部添加型脫模劑添加至可固化組成物時，作為內部添加型脫模劑，較佳係添加氟系界面活性劑及烴系界面活性劑中至少一者。
當根據該實施態樣之組成物(1)含有內部添加型脫模劑作為添加組分(C)時，該內部添加型脫模劑 之含量相對於組分(A)的總量較佳為0.001至10重量百分比。此外，該含量更佳係0.01至7重量百分比，及特佳係0.05至5重量百分比。
當內部添加型脫模劑之含量設為相對於組分(A)的總量為10重量百分比或更低時，可抑制組成物(1)之固化性質惡化。即，例如，即使組成物(1)係以低曝光量固化，至少固化產物之表面係充分固化，且不太可能發生圖案崩潰的瑕疵。此外，當內部添加型脫模劑之含量設為相對於組分(A)的總量為0.001重量百分比或更高時，可獲得脫模力降低之效果及/或改善填充性質之效果。
根據該實施態樣之組成物(1)較佳為奈米壓印用可固化組成物，及更佳係光奈米壓印用可固化樹脂組成物。
此外，使用紅外線光譜法、紫外線-可見光譜法、熱分解氣相層析質譜分析法等分析根據該實施態樣之組成物(1)或藉由固化該組成物(1)所獲得的固化產物，可獲得組分(A)對組分(B)之比。結果，可獲得組成物(1)中之組分(A)對組分(B)的比。當含有添加組分(C)時，藉由類似上述之方法，亦可獲得組分(A)、組分(B)及組分(C)之間的比。
此外，雖然溶劑亦可用於根據該實施態樣之組成物(1)，但較佳係組成物(1)中實質上不含溶劑。「實質上不含溶劑」表示不含除意外包含之溶劑(諸如雜 質)以外的溶劑之情況。即，例如，根據該實施態樣之組成物(1)的溶劑之含量相對於組成物(1)的總量較佳為3重量百分比或更低，及更佳係1重量百分比或更低。此外，該情況中所述之「溶劑」表示通常用於可固化組成物或光阻的溶劑。即，溶劑種類無特別限制，只要能溶解或均勻地分散待用於本發明之化合物且與其無反應即可。
<圖案形成用可固化組成物之摻合溫度>
當製備根據該實施態樣之組成物(1)時，在預定溫度條件下至少將組分(A)與及組分(B)混合且彼此溶解。特別是，該操作係在0℃至100℃之溫度範圍中進行。當含有組分(C)時，進行與上述類似的操作。
<圖案形成用可固化組成物之黏度>
根據該實施態樣之組成物(1)除溶劑以外的組分之混合物於23℃的黏度較佳為1至100mPa s。此外，上述黏度更佳為1至50mPa s，又更佳為1至20mPa s。
由於組成物(1)之黏度設為100mPa s或更低，當使組成物(1)與模接觸時，組成物(1)填充於該模之細微圖案的凹面部分中所需的時間不會太長。即，藉由使用根據該實施態樣之組成物(1)，可以高生產力進行奈米壓印法。此外，不可能發生因不充分填充所導致之圖案瑕疵。
此外，由於黏度設為1mPa s或更高，當組成 物(1)施加至基板時，不可能發生塗覆不平整。再者，當使組成物(1)與模接觸時，組成物(1)不可能流出該模的末端部分。
<圖案形成用可固化組成物之表面張力>
根據該實施態樣之組成物(1)除溶劑以外的組分之混合物於23℃的表面張力較佳為5至70mN/m。此外，上述表面張力更佳為7至35mN/m，又更佳為10至32mN/m。在該情況下，由於表面張力係設為5mN/m或更高，當使組成物(1)與模接觸時，組成物(1)填充於該模之細微圖案的凹面部分中所需的時間不會太長。
此外，由於表面張力係設為70mN/m或更低，藉由固化組成物(1)所獲得之固化產物具有表面平滑度。
(固化層形成用組成物：組成物(2))
在該實施態樣中，固化層形成用組成物(組成物(2))為含有下列組分(D)及組分(E)的組成物。組成物(2)較佳為除了組分(D)及組分(E)外另含有組分(B)的可固化組成物，但不局限於此，只要是藉由諸如光或熱之刺激而形成固化層的組成物即可。例如，在施加組分(D)係溶解或分散於組分(E)的組成物(2)之後，當藉由熱等將組分(E)從組成物(2)移除時，亦可形成固化層。此外，組成物(2)可含有具有分子內反應 性官能基之化合物作為組分(D)及組分(B)。
組分(D)：可聚合組分及/或聚合物組分
組分(E)：溶劑
下文茲詳細說明組成物(2)之個別組分。
<組分(D)：可聚合組分及/或聚合物組分>
組分(D)為可聚合組分及/或聚合物組分。根據該實施態樣之聚合物組分為具有各衍生自至少一種單體之重複單元的結構且分子量為1,000或更高的聚合物。
在該實施態樣中，作為組分(D)之可聚合組分，除了上述可用作組分(A)之可聚合化合物以外，亦可使用藉由加成反應、取代反應、縮合反應、開環反應等聚合的任意化合物。即，組分(D)中所含之化合物無特別限制，只要能藉由刺激(諸如光或熱)、及/或藉由蒸發溶劑(組分(E))而形成固化層即可。
特別是，作為藉由包含在組分(D)中之可聚合化合物的聚合反應所獲得之高分子量化合物，例如可提及(甲基)丙烯酸衍生聚合物，諸如聚(甲基)丙烯酸酯或聚(甲基)丙烯醯胺；聚(乙烯基醚)、聚(環氧乙烷)、聚氧環丁烷、聚(環氧丙烷)、聚甲醛、聚(烯丙基醚)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚胺甲酸乙酯、聚醯胺、聚(醯胺醯亞胺)、聚(醚醯亞胺)、聚醯亞胺、聚碸、聚(醚碸)、聚(醚醚酮)、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、或脲樹脂。然而，該高分子量化合 物不局限於前文提及者，只要是從組分(D)藉由刺激(諸如光或熱)、及/或藉由蒸發溶劑(組分(E))而形成即可。
該等可聚合化合物可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。
此外，作為組分(D)之聚合物組分，例如可提及，但不局限於，(甲基)丙烯酸衍生聚合物，諸如聚(甲基)丙烯酸酯或聚(甲基)丙烯醯胺；聚(乙烯基醚)、聚(環氧乙烷)、聚氧環丁烷、聚(環氧丙烷)、聚甲醛、聚(烯丙基醚)、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚胺甲酸乙酯、聚醯胺、聚(醯胺醯亞胺)、聚(醚醯亞胺)、聚醯亞胺、聚碸、聚(醚碸)、聚(醚醚酮)、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、或脲樹脂。
該等聚合物組分可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。
在該實施態樣中，當組成物(2)為黏著層形成用組成物時，較佳含有具有待結合至兩層(諸如基底材料及作為可固化組成物之組成物(1))之分子內反應性官能基的化合物作為組分(D)。
<組分(B)：聚合引發劑>
如同組成物(1)，根據該實施態樣之組成物(2)亦可含有聚合引發劑作為組分(B)。
如同組成物(1)，作為聚合引發劑之組分 (B)在組成物(2)中相對於組分(D)的總量之摻合率較佳為0.01至10重量百分比，及更佳係0.1至7重量百分比。
當組分(B)相對於組分(D)之總量的摻合率設為0.01重量百分比或更高時，組成物(2)之固化速率可提高。因此，可改善反應效率。此外，當組分(B)相對於組分(D)之總量的摻合率設為10重量百分比或更低時，待獲得之固化產物可具有特定機械強度。
然而，當僅使用聚合物組分作為組分(D)時，由於不再需要開始聚合作用，組分(B)相對於組分(D)之總量的摻合率較佳係設為低於0.01重量百分比。
<組分(E)：溶劑>
組分(E)為溶劑。根據該實施態樣之組分(E)無特別限制，只要是溶解組分(D)或組分(D)及組分(B)的溶劑即可。作為較佳溶劑，可提及在常壓下沸點為80℃至200℃之溶劑。具有羥基、醚結構、酯結構、及酮結構中至少一者的溶劑又更佳。該等溶劑較佳的原因係其能優異地溶解組分(D)及組分(B)，以及優異地濕潤基底材料。
作為根據該實施態樣之組分(E)，例如，醇溶劑，諸如丙醇、異丙醇、或丁醇；醚溶劑，諸如乙二醇一甲醚、乙二醇二甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇二乙醚、乙二醇一丁醚、或丙二醇一甲醚；酯溶劑，諸如乙酸丁 酯、乙二醇一乙醚乙酸酯、乙二醇一丁醚乙酸酯、或丙二醇一甲醚乙酸酯；或酮溶劑，諸如甲基異丁基酮、二異丁基酮、環己酮、2-庚酮、γ-丁內酯、或乳酸乙酯，可單獨或合併使用。在前文提及者當中，基於塗覆性，以丙二醇一甲醚乙酸酯或其混合溶劑為佳。
雖然根據該實施態樣之組分(E)對組成物(2)之摻合率可藉由組分(D)及組分(B)各者的黏度及塗覆性以及待形成之固化層的厚度而適當調整，但該摻合率較佳係相對於組成物(2)的總量為70重量百分比或更高。該摻合率更佳為90重量百分比或更高，及更佳係95重量百分比或更高。由於待形成之固化層的厚度會隨組分(E)之量增加的縮減，當使用組成物(2)作為奈米壓印黏著層形成用組成物等時，以較高之摻合率特佳。此外，當組分(E)對組成物(2)之摻合率為70重量百分比或更低時，在一些情況下無法獲得充足塗覆性。
<其他添加組分(F)>
除了組分(D)、組分(E)、及組分(B)之外，基於各種目的，在不使本發明優點退化的情況下，根據該實施態樣之組成物(2)可另外含有至少一種添加組分(F)。作為上述添加組分，例如可提及敏化劑、氫予體、界面活性劑、交聯劑、抗氧化劑、或聚合引發劑。
<固化層形成用組成物之黏度>
雖然根據該實施態樣之組成物(2)於23℃的黏度係視組分(D)、組分(E)、及組分(B)之種類以及彼等之摻合率而變化，但較佳為0.5至20mPa s。上述黏度更佳為1至10mPa s，又更佳為1至5mPa s。由於組成物(2)之黏度設為20mPa s或更低，獲得優異塗覆性，且可容易調整固化層的厚度。
[混入奈米壓印液體材料中之雜質]
在根據該實施態樣之液體材料L中，雜質含量較佳係儘可能降低。此處所述之「雜質」表示除刻意包含在該液體材料L中之材料以外的材料。即，當液體材料L為組成物(1)時，雜質係除組分(A)、組分(B)、及添加組分(C)以外的材料，而當液體材料L為組成物(2)時，雜質係除組分(D)、組分(E)、組分(B)及添加組分(F)以外的材料。特別是，例如可提及金屬雜質及有機雜質，但雜質不局限於前文提及者。
<粒子>
根據該實施態樣之粒子表示微小外來粒子。該等粒子一般表示粒徑為數奈米至數微米之凝膠或固體微粒物質或空氣氣泡(下文簡稱為「奈米氣泡」)，諸如奈米氣泡或微米氣泡。
當光奈米壓印法係使用含有粒子之液體材料L進行時，會不利地發生一些麻煩，諸如在模製之後對於模 之損壞及/或圖案瑕疵。例如，當在光奈米壓印法之配置步驟中粒子存在於施加至基板上的組成物(1)中時，在後續模接觸步驟[2]及將於稍後說明之對準步驟[3]中，在一些情況中會對該模造成損壞。例如，由於粒子係阻塞在該模表面中形成的凹凸圖案之凹面部分中，或該凹面部分之寬度會因粒子而增大，在一些情況中該凹凸圖案會損毀。伴隨該麻煩的是，產生圖案瑕疵，因此在一些情況中會發生未能形成所希望電路的問題。
此外，當粒子存在於組成物(2)中時，粒徑比固化層之厚度大的粒子對於奈米壓印法及/或從而獲得之產物有負面影響。例如，在模接觸步驟[2]及對準步驟[3]中，在一些情況中會對模造成損壞。
此外，當奈米氣泡存在於組成物(1)或組成物(2)中時，在一些情況中組成物(1)或組成物(2)之固化性質會惡化。其原因據信是在奈米氣泡中之氧等抑制組成物(1)或組成物(2)的聚合反應。此外，當奈米氣泡存在於組成物(1)中時，在一些情況中會不利地形成其中會缺少奈米氣泡所存在之部分的凹凸圖案。
因此，液體材料L中所含的粒子之粒子數濃度(/mL)較低為更佳。再者，液體材料L中所含之粒子的粒徑較小為更佳。
(粒子之粒子數濃度)
如上述，當液體材料L中含有許多具有特定粒徑或更 大之粒子時，在一些情況中因而會對奈米壓印法有負面影響。特別是，當奈米壓印法係如下述在基板上不同區域重複地進行時，若在該方法期間對模造成損壞，每一個後續轉印的圖案均具有瑕疵。結果，產率嚴重降低。
為了抑制如上述之產率降低，處理基板(晶圓)必要之液體材料L體積中所含的粒子數可設為低於1。
作為該實施態樣之一實例，假設藉由使用具有28nm L/S(線/間距)圖案之模(寬度：26mm，長度：33mm)之情況，藉由奈米壓印法形成平均膜厚度為40.1nm的固化產物。
在該情況中，一個製程(shot)(包括將於下文說明之步驟[1]至[5]的重複單元)需要35.1nL之液體材料L。例如，當使用具有300mm大小之晶圓時，可在一片晶圓上進行92次製程。即，一片晶圓需要3,229.2nL之液體材料L。因此，以1mL液體材料L可處理310片各具有具有300mm大小之晶圓。
因此，當使用具有300mm大小之晶圓進行奈米壓印法時，液體材料L中所含之粒子的粒子數濃度(/mL)較佳係設為低於310/mL。因此，每一片具有300mm大小之晶圓的粒子數可設為少於1，因此奈米壓印法之產率可獲得改善。
如同上述之情況，當使用具有450mm大小之晶圓進行光奈米壓印法時，液體材料L中所含之粒子的粒 子數濃度(/mL)較佳係設為低於137/mL。順便一提，當使用具有450mm大小之晶圓時，由於每一片晶圓可進行208次製程，該計算係根據此製程數進行。
(粒子大小)
當介於在模之表面中所形成的凹凸圖案之凸面部分前端之間的距離因某種施加至該圖案的力而增大，且使該前端和與之相鄰的前端接觸時，容易對該模造成損壞。下文，考慮液體材料L中所含的粒子之影響。
圖2A及2B各為顯示模之表面中所形成的凹凸圖案之示意橫斷面圖。圖2A顯示具有其中模之凹面部分的寬度為S(nm)，且凸面部分的寬度為L(nm)之L/S圖案的模。
如圖2B所示，當該模之表面中所形成的凸面部分之間的距離增大，且使各凸面部分和與之相鄰的凸面部分接觸時，介於凸面部分之間的距離因而增大成為3S(nm)。因此，如圖2B所示，當粒子之直徑D(nm)大約大於3S(nm)(D>3S)時，可推定該模受損。
因此，例如，即使晶圓上僅存在一個直徑為0.07μm或更大之粒子，當使用其中S係小於23.3nm的具有L/S圖案之模時，在一些情況中會對模造成損壞。
此外，由於模之變形性實際上係視模的材料、凹凸圖案之形狀、凹凸圖案之縱橫比(H/L)等而變化，故當嚴格滿足D>3S時，並非始終對該模造成損壞， 且D對S之比具有預定可容許範圍。即，即使D對S之比(D/S)為3或更小，在一些情況中會對模造成損壞。因此，根據該實施態樣之液體材料L中，具有粒徑2.5S(nm)之粒子的粒子數濃度較佳係低於310/mL。
此外，在模表面中形成的凹凸圖案之凹面部分的寬度S(nm)較佳為4至小於30nm，及更佳係10至小於23.3nm。再者，特別是，在半導體製造應用之情況下，較佳係使用縱橫比(H/S)為1至10之模。
根據上述者，至於液體材料L中所含之粒子的粒子數濃度(/mL)，模之凹凸圖案的凹面部分之寬度為S(nm)時，具有2.5S(nm)或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度低於310/mL。結果，奈米壓印法之產率可獲得改善。
此外，具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(/mL)更佳係低於310/mL。因此，當使用具有300mm大小之晶圓進行奈米壓印法時，該奈米壓印法之產率可獲得改善。再者，至於液體材料L中所含之粒子的粒子數濃度(/mL)，具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(/mL)又更佳係低於137/mL。因此，當使用具有450mm大小之晶圓進行奈米壓印法時，該奈米壓印法之產率可獲得改善。
<金屬雜質>
當使用根據該實施態樣之液體材料L製造半導體裝置 時，若金屬雜質存在於該液體材料L中，當該液體材料L施加至待處理之基板時，該基板受到該金屬雜質污染。結果，在一些情況中，欲獲得之半導體裝置的半導體性質會因而受到負面影響。即，在一些情況中，奈米壓印法之產率會降低。
因此，較佳係降低液體材料L中之金屬雜質的濃度。作為液體材料L中所含之金屬雜質的濃度，不同種類元素之含量各較佳為100ppb(100ng/g)或更低，以及各更佳係設為1ppb(1ng/g)或更低。上述不同種類元素表示金屬元素，諸如Na、Ca、Fe、K、Zn、Al、Mg、Ni、Cr、Cu、Pb、Mn、Li、Sn、Pd、Ba、Co、及Sr。當該等元素在液體材料L中之濃度各設在上述範圍中時，可減少液體材料L對於半導體裝置之半導體性質的影響。即，可抑制奈米壓印法之產率降低。
<有機雜質>
當使用根據該實施態樣之液體材料L製造半導體時，若有機雜質存在於液體材料L中，在一些情況中會產生瑕疵。例如，當有機雜質存在於例如組成物(1)中時，模製之後所獲得的圖案中會產生瑕疵。
[測量奈米壓印液體材料中所含之粒子的粒子數濃度]
液體材料L中所含之粒子的粒子數濃度(/mL)及其粒徑分布可藉由使用光散射液體粒子計數器 (light scattering liquid-borne particle counter，光散射LPC)或或動態光散射粒徑分布測量設備(DLS)測量。如同該實施態樣之情況，就具有粒子之粒子數濃度(/mL)小的液體材料而言，即，就具有高澄清度之液體材料而言，較佳係使用光散射LPC來測量粒子的粒子數濃度。
當藉由反射光照射液體時，光散射LPC偵測從該液體中所含的粒子發射的散射光。在此情況下，該散射光之強度取決於粒子的大小。藉由使用此關係，光散射LPC可測量該液體中粒子的粒徑及粒子數濃度。
作為光散射LPC之具體實例，例如可提及液體粒子感測器KS系列(由Rion Co.,Ltd.製造)、及液體粒子計數器UltraChem系列、SLS系列、及HSLIS系列(由Particle Measuring Systems製造)。由於可測量液體組成物及可測量之最小粒徑係視用於測量的液體粒子計數器之類型而變化，故計數器之類型需要根據待測量的測量而適當選擇。例如，在組成物(1)(其係為光可固化組成物等)的情況下，已知由於藉由分子散射光的背景雜訊大，故所偵測之信號的S/N比降低。因此，相較於水系材料，根據該實施態樣之液體材料L的粒子之粒子數濃度以及粒徑分布的測量無法輕易地進行。因此，在該實施態樣中，為了測量液體材料L，較佳係使用能測量具有小粒徑(諸如0.07μm)之粒子的粒子數濃度之設備。
根據該實施態樣之液體材料L的特徵在於具 有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度低於310/mL。此外，在根據該實施態樣之液體材料L所含的具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(/mL)可藉由例如液體粒子感測器KS-41B(具有0.07μm之粒度的選項)(由Rion Co.,Ltd.製造)測量。此外，在該測量中，亦較佳係一同使用控制器KE-40B1(由Rion Co.,Ltd.製造)及注射器取樣器KZ-30W1(由Rion Co.,Ltd.製造)。
此外，本說明書中每一次粒子的粒子數濃度測量較佳係在使用具有預定粒徑且分散於純水中之聚苯乙烯乳膠(PSL)標準粒子校正光散射LPC之後進行。此外，緊接在該測量之後，較佳係使用充分確保具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度的測量值精確度之脈衝式高度分析軟體KF-50A(由Rion Co.,Ltd.製造)來確認。特別是，較佳係確認0.07μm PSL粒子水溶液之散射光的光接收元件電壓s對測量液體之散射光的光接收元素電壓n的比(s/n)係充分大於1.3。
[製造奈米壓印液體材料之方法]
其次，將說明製造根據該實施態樣之液體材料L的方法。
製造根據該實施態樣之奈米壓印液體材料的方法包括藉由使用過濾器過濾之純化奈米壓印液體材料的純化步驟，以及包括下列之精製步驟： [a]在低於0.03L/min之流率下使用孔徑為50nm或更小之過濾器過濾粗製奈米壓印液體材料的步驟，以及[b]在連接至粒子數濃度測量系統之容器中回收除初始流動部分以外之通過該過濾器的該粗製奈米壓印液體材料之流動部分的步驟。
藉由製造根據該實施態樣之液體材料L的方法所獲得之液體材料L適用於光奈米壓印法，及更適用於半導體製造應用之光奈米壓印法。
如上述，在根據該實施態樣之液體材料L中，雜質(諸如粒子及金屬雜質)的含量較佳係儘可能降低。因此，根據該實施態樣之液體材料L較佳係經由純化步驟獲得。作為上述純化步驟，例如可提及粒子移除步驟、金屬雜質移除步驟、及有機雜質移除步驟。在上述方法當中，為了抑制對於模之損壞，製造液體材料L之方法較佳包括粒子移除步驟。
作為根據該實施態樣之粒子移除步驟，例如，以使用粒子過濾器(下文簡稱為「過濾器」)之過濾為佳。此外，除了一般用於表示將固體與流體分離之步驟的「過濾」之外，本說明書中之「過濾」包括「簡單地使流體通過過濾器」的情況。即，例如，過濾亦包括甚至使流體通過膜(諸如過濾器)時，被該膜捕獲之凝膠或固體目視無法確認的情況。
待用於根據該實施態樣之粒子移除步驟的過濾器之孔徑較佳為0.001至5.0μm。此外，為了降低具有 0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(/mL)，具有50nm或更小的孔徑之過濾器更佳，以及具有1至5nm的孔徑之過濾器特佳。此外，當使用具有小於1nm之孔徑的過濾器進行過濾時，在一些情況中會移除液體材料L中必要的組分，因此過濾器的孔徑較佳為1nm或更大。此外，該情況，過濾器之「孔徑」較佳為過濾器的孔之平均孔徑。
當過濾係使用過濾器進行時，容許粗製奈米壓印液體材料(下文稱為「粗製液體材料L」)通過該過濾器至少一次。此外，粗製液體材料L表示未藉由純化步驟(諸如過濾)處理的液體材料。特別是，當液體材料L為組成物(1)時，粗製液體材料L為藉由混合組分(A)、組分(B)、及視需要添加之組分(C)所獲得的混合液體。此外，當液體材料L為組成物(2)時，粗製液體材料L為混合組分(D)、組分(E)、組分(F)、及組分(B)所獲得的混合液體，其中後兩種組分係視需要添加。
作為用於過濾之過濾器，可使用由聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、氟化樹脂、耐綸樹脂等所形成的過濾器，但不局限於此。作為可用於該實施態樣中之過濾器，例如可使用"Ultipleat P-Nylon 66"、"Ultipore N66"、及"Penflon"(由Nihon Pall Ltd.製造)；"LifeASSURE PSN系列"、"LifeASSURE EF系列"、"PhotoSHIELD"、及"Electropore IIEF"(由Sumitomo 3M Limited製造.)；及 "Microguard"、"Optimizer D"、"Impact Mini"、及"Impact 2"(由Nihon Entegris K.K.製造)。前文提及之過濾器可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。
此外，較佳係使用過濾器之過濾係以多階段方式進行，或重複進行多次。在該情況下，可進行將藉由過濾所獲得之液體重複過濾的循環過濾。此外，過濾可使用複數個具有不同孔徑的過濾器進行。作為使用過濾器之過濾方法，特別是，雖然可提及常壓過濾、加壓過濾、減壓過濾、循環過濾等，但不局限於此。在前文提及者當中，為了藉由以在預定範圍內之流率過濾液體材料L而降低粒子的粒子數濃度(/mL)，較佳進行加壓過濾，以及為了更充分降低粒子之粒子數濃度，更佳係進行循環過濾。
此外，當進行加壓過濾時，較佳係不回收最終流動部分，即在過濾前之原材料(粗製液體材料L)的量降低至預定體積或更低時所獲得的流動部分。當過濾前之原材料的量降至預定體積或更低時，在液體輸送步驟期間該原材料可能結合周圍的空氣而輸送，因此在一些情況中可能併入許多氣泡，諸如奈米氣泡。因此，當進行加壓過濾代替循環過濾時，較佳係將除初始流動部分及最終流動部分以外的流動部分回收在回收容器中。
圖3A及3B為各顯示根據該實施態樣之液體材料L的純化系統之結構的示意圖。圖3A顯示藉由循環過濾之純化系統的結構，而圖3B顯示藉由加壓過濾之純 化系統的結構。
如圖3A所示，藉由根據該實施態樣之循環過濾的純化系統包括純化裝置11、粒子數濃度測量系統12(下文稱為「測量系統12」)、回收容器13、緩衝容器14、及廢棄液體容器15。此外，如圖3B所示，藉由加壓過濾之純化系統包括純化裝置11、測量系統12、回收容器13、容器14、廢棄液體容器15、及加壓系統17。
其次，作為製造根據該實施態樣之液體材料L的方法之一實例，茲參考圖4說明使用圖3A所示之純化系統的製造液體材料L之方法。
首先，將為原材料之粗製液體材料L接收在緩衝容器14，且驅動純化裝置11。純化裝置11具有液體輸送單元(未圖示)及過濾器(未圖示)。此外，在該步驟中，管線L42之流動路徑和管線L3之流動路徑彼此不互通，且管線L42之流動路徑和管線L2之流動路徑彼此互通。藉由驅動純化裝置11，驅動液體輸送單元(未圖示)，且將粗製液體材料L經由管線L42輸送至純化裝置11。隨後，容許粗製液體材料L通過純化裝置11之過濾器(未圖示)。將容許通過該過濾器的粗製液體材料L輸送至廢棄液體容器15。
在該步驟中，粗製液體材料L之流率較佳係低於0.03L/min。此外，流率更低係低於0.02L/min及特佳係低於0.01L/min。如上述，當過濾期間通過過濾器之粗製液體材料L的流率係設為低於0.03L/min時，可抑制 當容許粗製液體材料L通過該過濾器時產生氣泡。當過濾期間通過過濾器之粗製液體材料L的流率係設為低於0.01L/min時，可降低粗製液體材料L溢出的可能性。
此外，將該實施態樣中容許粗製液體材料L通過之過濾器的孔徑設為50nm或更小。因此，可有效降低具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(/mL)。
此外，在根據該實施態樣之液體材料L的純化系統中，作為使(粗製)液體材料L與之接觸的構件，例如可提及回收容器13及緩衝容器14，的內壁及蓋、管線(管)之內壁、連接管線之螺帽、泵(液體輸送單元)、及過濾器。該等構件之材料無特別限制，只要具有化學抗性即可。然而，該等構件較佳係由具有澄清性質及程度之材料形成，以免當使之與(粗製)液體材料L接觸時因雜質(諸如粒子、金屬雜質、有機雜質等)而造成污染。
在上述構件當中，就根據該實施態樣於其中藉由純化系統精製液體材料L的回收容器13而言，特別是，必須使用具有高澄清度的材料。作為回收容器13，例如可使用市售等級100(class 100)之聚丙烯瓶。然而，該材料不局限於此，且可使用以其內部經有機溶劑及/或酸溶劑沖洗之後充分地進行乾燥的方式製備之瓶，或上述之瓶可在以待處理之液體材料L溶劑沖洗之後使用。
其次，將從粗製液體材料L通過過濾器開始 所獲得之預定量的流動部分，即「初始流動部分」，輸送至廢棄液體容器15。即，在該實施態樣中，初始流動部分不回收在回收容器13中。當容許粗製液體材料L通過該過濾器時，產生壓力損失。伴隨此現象，在一些情況中液體材料L中會產生氣泡。在從粗製液體材料L通過過濾器開始所獲得初始流動部分中，氣泡產生特別明顯。
因此，該實施態樣中係移除此初始流動部分，且將除該初始流動部分以外之流動部分回收於回收容器13中。因此，可抑制新雜質(諸如氣泡)混入該液體材料L。
特別是，在管線L42及純化裝置11之內部係藉由粗製液體材料L沖洗之後，管線L42之流動路徑和管線L3之流動路徑彼此互通。在該步驟中，管線L41之前端(圖3A中插入容器14之末端部分)係事先插入廢棄液體容器15。因此，經由管線L3輸送至回收容器13之粗製液體材料L係藉由液體輸送單元(未圖示)的驅動而進一步經由管線L41輸送至廢棄液體容器15。上述步驟係連續進行直到容許預定量之粗製液體材料L通過過濾器，如此可移除預定量之初始流動部分。
隨後，如圖3A所示，管線L41之前端係插入容器14代替插入廢棄液體容器15。因此，除初始流動部分以外之流動部分(目標流動部分)係藉由循環過濾處理且回收在回收容器13中。
在根據該實施態樣之液體材料L的純化系統 中，回收目標流動部分(純化後之液體材料L)之回收容器13較佳係線上配置在純化系統生產線中。藉由如上述配置，可抑制液體材料L中產生新雜質(諸如奈米氣泡)。
循環過濾係進行預定次數或進行至預定量，以獲得藉由純化處理的液體材料L。隨後，藉由使用連接至回收容器13之測量系統12來測量粒子的粒子數濃度。當粒子的粒子數濃度符合預定值時，停止過濾，而當未符合預定值時，可進一步繼續過濾。
如上述，在製造根據該實施態樣之液體材料L的方法中，在過濾粗製液體材料L期間或之後，未對回收容器13進行連接改變操作。更特別的是，當回收容器13和測量系統12彼此連接時，進行循環過濾。如上述，可抑制伴隨管線之連接改變操作產生的奈米氣泡以及因構件摩擦/磨損而從構件衍生的雜質產生。因此，可更精確地進行粒子的粒子數濃度(/mL)測量。
由於進行如上述之純化步驟(粒子移除步驟)，可減少混入液體材料L中之雜質(諸如粒子)數。因此，可抑制因粒子造成之奈米壓印法的產率降低。
此外，當使用根據該實施態樣之液體材料L製造半導體積體電路時，為了不干擾產品的性能，較佳係儘可能抑制含有金屬原子的雜質(金屬雜質)混入液體材料中。
因此，在該製造方法中，較佳係不使液體材 料L與金屬接觸。即，當該等材料秤重及/或在混合後摻合在一起時，較佳係不使用金屬製之重量測量裝置、容器等。此外，在上述純化步驟(粒子移除步驟)中，可進一步進行使用金屬雜質移除過濾器的過濾。
作為金屬雜質移除過濾器，可使用由纖維素、矽藻土、離子交換樹脂等所製成的過濾器，但不特別局限於此。作為金屬雜質移除過濾器，例如可使用"Zeta Plus GN Grade"及"Electropore"(由Sumitomo 3M Limited製造.)；"Posidyne"、"Ion Clean AN"、及"Ion Clean SL"(由Nihon Pall Ltd.製造)；及"Purotego"(由Nihon Entegris K.K.製造)。該等金屬雜質移除過濾器可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。
該等金屬雜質移除過濾器較佳係在清潔後使用。作為清潔方法，較佳係依序進行以超純水清洗、以醇清洗、及以待處理之可固化組成物清洗。
作為金屬雜質移除過濾器之孔徑，例如，以0.001至5.0μm之孔徑為宜，及以0.003至0.01μm之孔徑為佳。當孔徑大於5.0μm時，粒子及金屬雜質之吸收能力低。此外，當孔徑小於0.001μm時，由於液體材料L之構成組分亦被捕獲，在一些情況中，該液體材料L的組成物會變化，及/或在一些情況中，過濾器會被阻塞。
在如上述之情況中，液體材料L中所含之金屬雜質的濃度較佳係降至10ppm或更低，及更佳係降至100ppb或更低。
[固化膜]
當根據該實施態樣之液體材料L固化時，獲得固化產物。在該情況下，固化膜較佳係以在將液體材料L施加至基底材料上以形成塗膜之後進行其固化的方式獲得。用於形成塗膜之方法及用於形成固化產物或固化膜之方法將於稍後說明。
[製造固化產物圖案之方法]
其次，將說明製造固化產物圖案之方法，其中使用光可固化組成物作為根據該實施態樣之組成物(1)來形成固化產物圖案。圖1A至1G為示意顯示根據該實施態樣之製造固化產物圖案的方法之一實例的橫斷面圖。
根據該實施態樣之製造固化產物圖案的方法包括：[1]第一步驟(配置步驟)，將上述根據該實施態樣之光可固化組成物配置在基板上；[2]第二步驟(模接觸步驟)，使該可光固化組成物與模接觸；[4]第三步驟(光照射步驟)，以光照射該可光固化組成物；及[5]第四步驟(脫模步驟)，使在步驟[4]中所獲得之固化產物與模脫離。
根據該實施態樣之製造固化產物圖案的方法為使用光奈米壓印法之製造固化產物圖案的方法。
藉由根據該實施態樣之製造固化產物圖案的方法所獲得之固化膜較佳為具有1nm至10mm的圖案大小之固化產物圖案。此外，固化膜更佳為具有10nm至100μm的圖案大小之固化產物圖案。特別是，在半導體製造應用之情況中，固化膜特佳為具有4至小於30nm的圖案大小之固化產物圖案。
下文將說明個別步驟。
<配置步驟[1]>
在該步驟(配置步驟)中，如圖1A所示，將光可固化組成物101(其係為一種根據該實施態樣之液體材料L)配置(施加)在基板102上以形成塗膜。
配置有光可固化組成物101之基板102為待處理基板，通常使用矽晶圓。
然而，該實施態樣中，基板102不局限於矽晶圓。基板102可任意選自由鋁、鈦-鎢合金、鋁-矽合金、鋁-銅-矽合金、氧化矽、及氮化矽所形成的已知半導體裝置目的之基板。此外，作為待使用之基板102(待處理基板)，可使用藉由表面處理(諸如矽烷偶合處理、矽氮烷處理、或有機薄膜之膜形成)而具有與光可固化組成物101之經改良黏著性的基板。
在該實施態樣中，至於在基板102上配置光 可固化組成物101之方法，例如可使用噴墨法、浸塗法、氣刀塗覆法、淋幕式塗覆法、線棒塗覆法、凹版塗覆法、擠出塗覆法、旋塗法或狹縫掃描塗覆法。在光奈米壓印法中，特別是，較佳係使用噴墨法。此外，雖然圖案轉印至其上之層(塗膜)的厚度係視例如其使用應用而變化，但厚度為0.01至100.0μm。
<模接觸步驟[2]>
其前，如圖1B所示，使具有將圖案形狀轉印至塗膜的原始圖案之模104與在先前步驟(配置步驟)中從光可固化組成物101所形成之塗膜接觸(圖1B之(b-1))。因此，(一部分)光可固化組成物101所形成之塗膜係填充於模104表面之細微圖案的凹面部分中，如此形成填充於該模之細微圖案中的塗膜106(圖1B之(b-2))。
作為模104，考慮到隨後步驟(光照射步驟)，可使用從透光材料形成的模104。作為形成模104之材料，特別是，例如可提及玻璃、石英、光學透明樹脂(諸如PMMA或聚碳酸酯)、透明金屬沉積膜、聚(二甲基矽氧烷)之軟膜等、光可固化膜、或金屬膜。然而，當使用光學透明樹脂作為形成模104之材料時，必須選擇不溶解於光可固化組成物101中所含的組分中之樹脂。由於石英具有低熱膨脹係數及低圖案應變，故其特別適於作為形成模104之材料。
模104表面之細微圖案較佳具有4至200nm 之圖案高度以及1至10之縱橫比。
為了改善光可固化組成物101與模104表面之間的脫離性質，在此光可固化組成物101與模104之間的模接觸步驟之前，可在模104上進行表面處理。作為進行表面處理之方法，例如可提及其中將脫模劑施加在模104表面上以形成脫模劑層的方法。在該情況中，作為待施加在模104表面上之脫模劑，例如可提及矽系脫模劑、氟系脫模劑、烴系脫模劑、聚乙烯系脫模劑、聚丙烯系脫模劑、石蠟系脫模劑、褐煤系脫模劑、或巴西棕櫚蠟系脫模劑。例如，較佳可使用市售塗覆型脫模劑，諸如由Daikin Industries,Ltd.製造之Optool DSX。此外，脫模劑可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。在上述方法當中，氟系及烴系脫模劑特佳。
在該步驟(模接觸步驟)中，如圖1B之(b-1)所示，當使模104與光可固化組成物101接觸時，待施加至其上的壓力無特別限制。該壓力可設為0至100MPa或更低。此外，該壓力較佳為0至50MPa，更佳為0至30MPa，又更佳為0至20MPa。
此外，在該步驟中，使模104與光可固化組成物101接觸所需的時間無特別限制。該時間可設為0.1至600秒。此外，該時間較佳為0.1至300秒，更佳為0.1至180秒，又更佳為0.1至120秒。
在該步驟中，藉由使用其中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度係低於310/mL且本身為 一種根據該實施態樣之液體材料L的光可固化組成物，可抑制因粒子導致之對模的損壞。此外，可減少待獲得之固化產物圖案的圖案瑕疵。結果，可抑制奈米壓印法之產率降低。
雖然該步驟可在選自空氣氣氛、減壓氣氛、及惰性氣體氣氛之任何條件下進行，但由於減壓氣氛或惰性氣體氣氛可防止氧及/或水分對於固化反應的影響，故以彼等為佳。當該步驟係在惰性氣體氣氛中進行時，作為可使用之惰性氣體的特定實例，例如可提及氮、二氧化碳、氦、氬、各種氟氯烷氣體、或其間之混合氣體。當該步驟係在包括空氣氣氛之特殊氣體氣氛中進行時，較佳壓力為0.0001至10大氣壓。
該模接觸步驟可在含有可凝結氣體之氣氛(下文稱為「可凝結氣體氣氛」)中進行。本說明書中之可凝結氣體表示因在氣氛中之氣體係與(一部分)塗膜106填充於模104中所形成之細微圖案的凹面部分中以及介於該模與基板之間的空間中時所產生的毛細管力而凝結而被液化之氣體。此外，在模接觸步驟中使光可固化組成物101(圖案待轉印於其上之層)與模104接觸(圖1B之(b-1))之前，可凝結氣體係以在氣氛中之氣體形式存在。
當模接觸步驟係在可凝結氣體氣氛中進行時，由於填充於細微圖案之凹面部分中的氣體液化而使氣泡消失，因此填充性質優異。該可凝結氣體亦可溶解於光 可固化組成物101中。
雖然只要可凝結氣體之沸點等於或低於模接觸步驟之氣氛溫度，其無特別限制，但該沸點較佳為-10℃至23℃，又更佳為10℃至23℃。當該沸點係在此範圍時，填充性質可獲得進一步改善。
雖然在模接觸步驟之氣氛溫度下的可凝結氣體之蒸汽壓只要等於或低於在模接觸步驟所施加之模製壓力，其並無特別限制，但該蒸汽壓較佳為0.1至0.4MPa。當該蒸汽壓在此範圍時，填充性質獲得進一步改善。當在氣氛溫度下之蒸汽壓超過0.4MPa時，往往未充分獲得消除空氣氣泡的效果。另一方面，當在氣氛溫度下之蒸汽壓低於0.1MPa時，該壓力必須降低，因此，設備往往變複雜。
雖然模接觸步驟之氣氛溫度無特別限制，但其較佳為20℃至25℃。
作為可凝結氣體，例如可提及氟氯烷，包括氟氯碳化物(CFC)，諸如三氯氟甲烷；氫氟碳化物(HFC)，諸如氟碳化物(FC)、氫氟氯碳化物(HCFC)、或1,1,1,3,3-五氟丙烷(CHF2CH2CF3、HFC-245fa、PFP)；及氫氟醚(HFE)，諸如五氟甲基醚(CF3CF2OCH3、HFE-245mc)。
在前文提及者當中，由於1,1,1,3,3-五氟丙烷(於23℃之蒸汽壓：0.14MPa，沸點：15℃)、三氯氟甲烷(於23℃之蒸汽壓：0.1056MPa，沸點：24℃)、及五 氟甲基醚在模接觸步驟之20℃至25℃的氣氛溫度下之填充性質優異，以彼等為佳。再者，由於1,1,1,3,3-五氟丙烷安全性優異，故以其特佳。
該等可凝結氣體可單獨使用，或可合併使用其中至少兩種。此外，該等可凝結氣體各可與不可凝結氣體(諸如空氣、氮、二氧化碳、氦、或氬)混合使用。作為與可凝結氣體混合的不可凝結氣體，從填充性質來看，以氦為佳。氦能通過模104。因此，在模接觸步驟中當氣氛中之氣體(可凝結氣體和氦)與(部分)塗膜106一起填充於模104中所形成的細微圖案之凹面部分中時，該可凝結氣體液化，同時氦通過該模。
<對準步驟[3]>
其次，若需要，如圖1C所示，調整模之位置及/或待處理基板之位置，以使模側對準標記105與待處理基板的對準標記103彼此重合。
在該步驟中，藉由使用其中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(/mL)係低於310/mL且本身為一種根據該實施態樣之液體材料L的光可固化組成物，可抑制因粒子導致之對模的損壞。此外，可減少待獲得之固化產物圖案的圖案瑕疵。結果，可抑制奈米壓印法之產率降低。
<光照射步驟[4]>
其次，如圖1D所示，雖然在步驟[3]中進行對準，但光可固化組成物101與模104之間的接觸部分係使用通過模104的光照射。更特別是，填充於模之細微圖案中的塗膜106係以通過模104的光照射(圖1D之(d-1))。因此，填充於模104之細微圖案中的塗膜106係被如此照射之光固化，因而形成固化產物108(圖1D之(d-2)。
在該步驟中，待照射於形成填充於模104之細微圖案中的塗膜106之光可固化組成物101上的光係根據該光可固化組成物101的敏感性波長予以選擇。特別是，例如，可適當地選擇波長為150至400nm之紫外線、X射線或電子射線。
在前文提及者當中，特別是，待照射在光可固化組成物101上之光(照射光107)較佳為紫外線。其原因係對於紫外線具有敏感性之化合物可在市面上作為固化助劑(光聚合引發劑)獲得。該步驟中，作為光源照射紫外線，例如可提及高壓汞燈、超高壓汞燈、低壓汞燈、深UV燈、碳弧燈、化學燈、金屬鹵化物燈、氙燈、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、或F2準分子雷射，且以超高壓汞燈特佳。此外，待使用之光源數可為一或至少兩個。此外，當進行光照射時，填充於模之細微圖案中的塗膜106可完全或部分經光照射。
此外，該光照射可在基板的整個區域上間歇地進行複數次，或可在整個區域上連續進行。再者，在部分區域A係於第一照射步驟中照射之後，然後可在第二照 射步驟中照射除區域A以外之區域B。
<脫模步驟[5]>
其次，將固化膜108自模104脫離。在該步驟中具有預定圖案形狀之固化膜(固化產物圖案109)係在基板102上形成。
在該步驟(脫模步驟)中，如圖1E所示，將固化膜108自模104脫離，且在步驟[4](光照射步驟)中，獲得所具有之圖案形狀為模104中所形成之細微圖案的反轉圖案的固化產物圖案109。
此外，在脫模步驟係於可凝結氣體氣氛中進行的情況中，當在脫模步驟中將固化膜108係自模104脫離時，該可凝結氣體伴隨固化膜108與模104接觸的界面之壓力降低而蒸發。結果，往往獲得降低將固化膜108自模104脫離所需之脫離力降低的效果。
將固化膜108自模104脫離的方法無特別限制，只要當脫離時固化膜108無實質損壞即可，及例如其各種條件亦無特別限制。例如，當將基板102(待處理基板)固定時，可藉由沿離開基板102之方向移動模104來進行剝離。或者，當將模104固定時，可藉由沿離開模之方向移動基板102來進行剝離。再者，剝離可藉由沿正好相反方向拉動基板102及模104來進行。
藉由包括上述步驟[1]至步驟[5]之依序程序(製程)，可獲得在所希望位置具有所希望凹凸圖案形狀 (從模104之凹凸形狀衍生的圖案形狀)之固化膜。如此獲得之固化膜可用作光學構件(包括該固化膜係用作光學構件之一構件的情況)，諸如夫瑞乃透鏡(Fresnel lens)或繞射格柵。在上述情況中，可獲得至少包括基板102及具有配置在基板102上之圖案形狀的固化產物圖案109之光學構件。
在根據該實施態樣的製造具有圖案形狀之膜的方法中，可在同一待處理基板上重複進行包括步驟[1]至步驟[5]之重複單元(製程)複數次。藉由重複進行包括步驟[1]至步驟[5]之重複單元(製程)，可獲得在待處理基板上所希望位置具有複數個所希望凹凸圖案形狀(各從模104之凹凸形狀衍生的圖案形狀)之固化膜。
<移除部分固化膜之殘留膜移除步驟[6]>
雖然在脫模步驟(其為步驟[5])中所獲得之固化膜具有特殊圖案形狀，在除了其中形成有圖案形狀的區域以外的區域中，在一些情況中，該固化膜會部分保留(下文，如上述之該部分固化膜係稱為「殘留膜」)。在上述情況中，如圖1F所示，從具有如此獲得之圖案形狀的固化膜移除存在於應移除該固化膜之區域中的固化膜(殘留膜)。因此，可獲得具有所希望凹凸圖案形狀(從模104之凹凸形狀衍生的圖案形狀)的固化產物圖案110。
在該步驟中，作為移除殘留膜之方法，例如可提及其中藉由蝕刻方法等移除本身為固化產物圖案109 之凹面部分的固化膜(殘留膜)以曝露出在固化產物圖案109的圖案之凹面部分處的基板102之表面的方法。
當藉由蝕刻移除存在於固化產物圖案109之凹面部分的固化膜時，其具體方法無特別限制，且可使用已知相關方法，諸如乾式蝕刻法。就該乾式蝕刻而言，可使用相關之已知乾式蝕刻設備。此外，雖然用於乾式蝕刻之來源氣體可根據固化膜之元素組成而適當地選擇，但可使用鹵素氣體，諸如CF4、C2F6、C3F8、CCl2F2、CCl4、CBrF3、BCl3、PCl3、SF6、或Cl2；含氧原子之氣體，諸如O2、CO、或CO2；惰性氣體，諸如He、N2、或Ar；或氣體，諸如H2或NH3。此外，該等氣體可合併使用。
此外，當基板102(待處理基板)為藉由表面處理(諸如矽烷偶合處理、矽氮烷處理、或有機薄膜之膜形成)而具有與固化膜108之經改良黏著性的基板時，在蝕刻掉存在於固化產物圖案109之凹面部分的固化膜(殘留膜)之後，亦可藉由蝕刻移除上述表面處理層。
藉由包括上述步驟[1]至步驟[6]之製造方法，可獲得在所希望位置具有所希望凹凸圖案形狀(從模104之凹凸形狀衍生的圖案形狀)之固化產物圖案110，及可獲得具有固化膜圖案之產物。再者，當使用如此獲得之固化產物圖案110處理基板102時，進行以下基板處理步驟(步驟[7])。
此外，當使用如此獲得之固化產物圖案110作為光學構件(包括使用固化產物圖案110作為該光學構 件之一構件的情況)，諸如繞射格柵或偏光板，亦可獲得光學組件。在上述情況中，可獲得至少包括基板102及配置在基板102上之固化產物圖案110之光學組件。
<基板處理步驟[7]>
藉由根據該實施態樣之製造具有圖案形狀的固化膜之方法所獲得的具有凹凸圖案形狀之固化產物圖案110可用作包括在電子組件(諸如半導體元件)中之層間絕緣膜。此外，固化產物圖案110亦可用作半導體元件製造中之光阻膜。作為在該情況中之半導體元件，例如可提及LSI、系統LSI、DRAM、SDRAM、RDRAM或D-RDRAM。
當使用固化產物圖案110作為光阻膜時，例如在基板之表面係藉由步驟[6]的蝕刻步驟而露出的部分(於圖1F中係以參考編號111表示之區域)上進行蝕刻或離子植入。此外，在該步驟中，固化產物圖案110係作為蝕刻遮罩。此外，由於形成電子組件，可於基板102上形成基於固化產物圖案110之圖案形狀的電路結構112(圖1G)。因此，可製造待用於半導體元件等中之電路板。此外，當該電路板連接至其電路控制機構時，亦可形成電子設備，諸如顯示器、照相機、或醫療裝置。
此外，如上述情況中，藉由使用固化產物圖案110作為光阻膜，例如，當進行蝕刻或離子植入時，亦可獲得光學組件。
此外，當形成具備電路或電子組件之基板 時，固化產物圖案110最終可從經處理基板移除，亦可形成該結構，以使固化產物圖案110留下作為形成元件用之構件。
藉由包括步驟[1]至步驟[7]之製造方法，可獲得在所希望位置具有所希望凹凸圖案形狀(從模104之凹凸形狀衍生的圖案形狀)之電路結構112，及可獲得具有電路結構之產物。此外，藉由任意使用固化層形成用組成物(組成物(2))，其係為一種根據上述該實施態樣之液體材料L)，根據其目的，可進行以下固化層形成步驟(步驟[α])。
<固化層形成步驟[α]>
藉由步驟[α]之固化層形成步驟所獲得的固化層包括黏著層、下層、中間層、面塗層、或光滑層，但不局限於此。
只要固化層係各提供以形成積層物，該固化層之位置可藉由步驟[α]進行的時機而任意選擇。例如，固化層可在配置步驟[1]之前在基板102上形成，或可在脫模步驟[5]之後在固化產物圖案109上形成。或者，固化層可在固化產物圖案110及/或在殘留膜移除步驟[6]之後露出基板表面的基板部分111上形成，或可在基板處理步驟[7]之後在電路結構112上形成。
此外，固化層可單獨形成，或可將其至少兩種彼此層壓。
例如，在脫模步驟[5]中，當形成固化層以使模-光阻界面比基板-光阻界面優先自模脫離時，較佳係形成黏著層作為在基板與光阻之間的固化層。
在該情況中，在配置步驟[1]之前，藉由步驟[α]，將本身為一種根據該實施態樣之液體材料L的組成物(2)施加至基板102以形成固化層(黏著層)。
配置有光可固化組成物101之基板102為待處理基板，且通常使用矽晶圓。由於矽烷醇基存在於矽晶圓表面上，組成物(2)較佳為藉由熱處理而與矽烷醇基形成化學鍵的組成物，但不局限於此。
然而，在該實施態樣中，基板102不局限於矽晶圓，及可為任意選自由鋁、鈦-鎢合金、鋁-矽合金、鋁-銅-矽合金、氧化矽、及氮化矽所形成的已知半導體裝置目的的基板。作為上述基板，亦可使用其上形成有旋塗式玻璃、旋塗式碳、有機物質、金屬、氧化物、氮化物等之膜中至少一種膜的基板。
作為在基板上施加組成物(2)之方法，例如可使用噴墨法、浸塗法、氣刀塗覆法、淋幕式塗覆法、線棒塗覆法、凹版塗覆法、擠出塗覆法、旋塗法或狹縫掃描塗覆法。有鑑於塗覆性，特別是有鑑於膜厚度均勻性，以旋塗法特佳。
在施加組成物(2)之後，將溶劑(E)(乾燥)，因此形成均勻固化層。特別是，當組分(D)為可聚合化合物時，在蒸發溶劑(E)時，可同時進行聚合反 應以形成均勻固化層。在該步驟中，較佳係進行加熱。雖然較佳溫度係考慮組分(D)之反應性及組分(D)及溶劑(E)之沸點而適當地選擇，但該溫度較佳為70℃至250℃。該溫度更佳為100℃至220℃，又更佳為140℃至220℃。此外，溶劑(E)之蒸發及組分(D)之反應可在不同溫度下進行。
雖然藉由將根據該實施態樣之組成物(2)施加在基板上所形成的固化層之厚度視使用應用而變化，但該厚度較佳為例如0.1至100nm。該厚度更佳為0.5至60nm，又更佳為1至10nm。
此外，當藉由將根據該實施態樣之組成物(2)施加在基板上形成固化層時，該形成可藉由多重塗覆技術進行。此外，待形成之固化層較佳係儘可能平坦。表面粗糙度較佳為1nm或更小。
[實施例]
下文雖然參考實施例詳細說明本發明，但本發明之技術範圍但不局限於下列實施例。
(比較實例1) (1)製備可固化組成物(b-1)
首先將下列組分(A)、組分(B)及添加組分(C)摻合在一起，且在等級100之聚丙烯瓶中，製備比較實例1之可固化組成物(b-1)。
(1-1)組分(A)：總計94重量份
<A-1>丙烯酸異莰酯(商品名：IB-XA，由Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.製造)：9.0重量份
<A-2>丙烯酸苯甲酯(商品名：V#160，由Osaka Organic Industry Ltd.製造)：38.0重量份
<A-3>二丙烯酸新戊二醇酯(商品名：NP-A，由Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.製造)：47.0重量份
(1-2)組分(B)：總計3重量份
<B-1>Lucirin TPO(由BASF製造)(式(f))：3重量份
(1-3)除組分(A)及組分(B)以外的添加組分(C)：總計2.1重量份
<C-1>SR-730(由Aoki Oil Industrial Co.,Ltd.製造)(式(i))：1.6重量份
<C-2>4,4'-雙(二乙基胺)二苯甲酮(由Tokyo Chemical Industry Co.,Ltd.製造)(式(g))：0.5重量份
(2)測量可固化組成物(b-1)中之粒子的粒子數濃度
實施例及比較實例各者中之可固化組成物中的粒子之粒子數濃度測量係使用液體粒子感測器KS-41B(具有0.07μm之粒度的選項，由Rion Co.,Ltd.製造)進行。然 而，由於未對該比較實例之可固化組成物(b-1)進行純化步驟(諸如過濾)，估計其粒子的粒子數濃度相當高。當進行如上述可固化組成物(b-1)中之粒子的粒子數濃度測量時，液體粒子感測器之測量單元及流動路徑可能受到粒子的嚴重污染。因此，未進行可固化組成物(b-1)中之粒子的粒子數濃度測量。
然而，據信可固化組成物(b-1)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度明顯超過用於測量之液體粒子感測器的最大額定粒子數濃度(9,600/mL)。
(比較實例2) (1)製備可固化組成物(b-2)
在製備比較實例1之可固化組成物(b-1)之後，使用圖3B所示之純化系統進行加壓過濾，如此獲得可固化組成物(b-2)。在該步驟中，作為純化裝置11之過濾器，使用具有5nm孔徑之過濾器(Optimizer D300，由Nihon Entegris K.K.製造)。藉由加壓系統17將壓力施加至壓力槽16的內側，將容器14中之可固化組成物(b-1)輸送至純化裝置11，如此進行加壓過濾。此外，在該情況中，壓力槽16之調節器(未圖示)係在0.05至0.10MPa範圍中調整，如此使可固化組成物(b-1)以9mL/min之平均流率通過該過濾器。
藉由使用等級100之聚丙烯瓶作為回收容器13，將包括初始流動部分之所有流動部分回收在回收容器 13中。如上述，製備比較實例2之可固化組成物(b-2)。
(2)測量可固化組成物(b-2)中之粒子的粒子數濃度
如此製備之可固化組成物(b-2)中的粒子之粒子數濃度測量係使用液體粒子感測器KS-41B(具有0.07μm之粒度的選項，由Rion Co.,Ltd.製造)進行。此外，亦與之一同使用控制器KE-40B1(由Rion Co.,Ltd.製造)及注射器取樣器KZ-30W1(由Rion Co.,Ltd.製造)。藉由驅動注射器取樣器，輸送10mL之可固化組成物(b-2)以在5mL/min之流率下通過液體粒子感測器的測量單元。藉由上述方法，測量可固化組成物(b-2)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度。上述操作係重複三次，將從如此測量之粒子數濃度所獲得的平均值視為具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(平均值)。可固化組成物(b-2)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(平均值)為616/mL。
此外，本說明書中每一次粒子的粒子數濃度測量係在事先使用具有已知粒徑且分散於純水中之聚苯乙烯乳膠(PSL)標準粒子校正光散射LPC之後進行。此外，緊接在該測量之後，使用充分確保具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度的測量值精確度之脈衝式高度分析軟體KF-50A(由Rion Co.,Ltd.製造)來確認。特別是，得到含有0.07μm PSL粒子的水溶液之散射光的光接收元件電壓s對測量溶液之散射光的光接收元素電壓n的比(s/n)，且其確認充分大於1.3。
(比較實例3) (1)製備可固化組成物(b-3)
在製備比較實例1之可固化組成物(b-1)之後，使用圖3B所示之純化系統進行加壓過濾，如此獲得可固化組成物(b-3)。在該步驟中，作為純化裝置11之過濾器，使用具有5nm孔徑之過濾器(Optimizer D300，由Nihon Entegris K.K.製造)。藉由加壓系統17將壓力施加至壓力槽16的內側，將容器14中之可固化組成物(b-1)輸送至純化裝置11，如此進行加壓過濾。此外，在該情況中，壓力槽16之調節器(未圖示)係在0.05至0.10MPa範圍中調整，如此使可固化組成物(b-1)以9mL/min之平均流率通過該過濾器。
使用等級100之聚丙烯瓶作為回收容器13。將可固化組成物(b-1)通過過濾器開始的大約200mL之量的流動部分視為初始流動部分，且將該初始流動部分接收在廢棄液體容器15而非在回收容器13中。隨後，進一步繼續過濾，將藉由過濾所獲得的液體回收在回收容器13中。此外，藉由目視檢查確認的氣泡最終流動部分未回收在回收容器13而是回收在廢棄液體容器15中。如上述，製備比較實例3之可固化組成物(b-3)。
(2)測量可固化組成物(b-3)中之粒子的粒子數濃度
當以與比較實例2相似之方式測量粒子的粒子數濃度時，可固化組成物(b-3)中具有0.07μm或更大之粒徑 的粒子之粒子數濃度(平均值)為444/mL。
(比較實例4) (1)製備可固化組成物(b-4)
在製備比較實例3之可固化組成物(b-3)之後，使用圖5A所示之純化系統進行循環過濾，如此獲得可固化組成物(b-4)。在該步驟中，作為純化裝置之過濾器，使用具有5nm孔徑之過濾器((Impact Mini，由Nihon Entegris K.K.製造)。藉由圖5A所示之純化裝置的分配裝置(IntelliGen Mini，由Nihon Entegris K.K.製造)，將接收在容器中之可固化組成物(b-3)輸送至該純化裝置，如此進行循環過濾。在該步驟中，藉由使用壓力為0.27MPa之壓縮氮，設定該分配裝置以使可固化組成物(b-3)以4.5mL/min之平均流率通過過濾器。
使用等級100之聚丙烯瓶作為回收容器。首先，以大約180mL之可固化組成物(b-3)置換流動路徑中之液體。其次，將可固化組成物(b-3)通過過濾器開始的大約180mL之量的流動部分視為初始流動部分，且將該初始流動部分接收在廢棄液體容器15以免混入目標流動部分。隨後，以將9mL之可固化組成物(b-3)分配280次的方式使用該分配裝置來進行循環過濾。因此，在等級100之聚丙烯瓶中獲得目標流動部分(可固化組成物(b-4))。如上述，製備比較實例4之可固化組成物(b-4)。
(2)測量可固化組成物(b-4)中之粒子的粒子數濃度
當以與比較實例2相似之方式測量粒子的粒子數濃度時，可固化組成物(b-4)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(平均值)為889/mL。
(實施例1) (1)製備可固化組成物(a-1)
在製備比較實例3之可固化組成物(b-3)之後，以與比較實例4相似的方式進行循環過濾。在該步驟中，如圖6A所示，在進行循環過濾之前，將粒子感測器之液體取樣管前端事先置入可固化組成物(b-3)中。如上述，製備實施例1之可固化組成物(a-1)。
(2)測量可固化組成物(a-1)中之粒子的粒子數濃度
除了在循環過濾開始之前，將粒子感測器之液體取樣管前端事先置入將形成的液體中的可固化組成物(a-1)之外，以與比較實例2相似方式測量粒子的粒子數濃度。可固化組成物(a-1)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(平均值)為99.9/mL。
(實施例2) (1)製備可固化組成物(a-2)
除了製備比較實例3之可固化組成物(b-3)之後，將分配數設為120次之外，以與實施例1相似的方式進行循環過濾，且在等 級100之聚丙烯瓶中獲得目標流動部分(可固化組成物(a-2))(圖6A)。如上述，製備實施例2之可固化組成物(a-2)。
(2)測量可固化組成物(a-2)中之粒子的粒子數濃度
以與實施例1相似之方式測量粒子的粒子數濃度。可固化組成物(a-2)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(平均值)為303/mL。
(比較實例5) (1)製備可固化組成物(b-5)
除了在製備比較實例3之可固化組成物(b-3)之後，使用P瓶進行循環過濾之外，以與比較實例4相似的方式進行循環過濾，且在P瓶中獲得目標流動部分(可固化組成物(b-5))(圖5B)。如上述，製備比較實例5之可固化組成物(b-5)。
作為P瓶，使用由高純度PFA製之120mL管柱形成用容器(由Savillex製造)及管柱形成用蓋(管口數：3，由Savillex製造之特殊定製產品)所形成的瓶。在使用前以EL級異丙醇(由Kanto Chemical Co.,Inc.製造)充分清洗該瓶。該P瓶為可藉由將管連接至蓋的口其中一者而改變管線配置之瓶。此外，在該情況中，管的改變係藉由將該口的螺釘旋緊或螺鬆來進行。藉由上述操作，在一些情況中，在P瓶中會產生粒子。
(2)測量可固化組成物(b-5)中之粒子的粒子數濃度
除了測量P瓶中之粒子的粒子數濃度之外，以與比較實例4相似的方式測量粒子的粒子數濃度。可固化組成物(b-5)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(平均值)為3,268/mL。
(實施例3) (1)製備可固化組成物(a-3)
製備比較實例3之可固化組成物(b-3)之後，除了開始循環過濾之前，將粒子感測器之液體取樣管前端連接作為P瓶的長管以外，以與比較實例5相似之方式進行循環過濾。因此，在P瓶中獲得目標流動部分(可固化組成物(a-3))(圖6B)。如上述，製備實施例3之可固化組成物(a-3)。
(2)測量可固化組成物(a-3)中之粒子的粒子數濃度
除了在循環過濾開始之前，將粒子感測器之液體取樣管前端事先置入將形成的液體中的可固化組成物(a-3)之外，以與比較實例5相似方式測量粒子的粒子數濃度。可固化組成物(a-3)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(平均值)為56.1/mL。
(參考實例1) (1)製備單體液體(c-1)
除了使用丙烯酸異莰酯(商品名：IB-XA，由Kyoeisha Chemical Co.,Ltd.製造)代替使用可固化組成物(b-1)之 外，以與比較實例3相似的方式進行加壓過濾，且在等級100之聚丙烯瓶中獲得目標流動部分(單體液體(c-1))。如上述，製備參考實例1之單體液體(c-1)。
(2)測量單體液體(c-1)中之粒子的粒子數濃度
以與比較實例2相似之方式測量粒子的粒子數濃度。單體液體(c-1)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(平均值)為79.5/mL。
實施例、比較實例、及參考實例之結果係集體示於表1及表2。
首先，從比較實例1與比較實例2之間的比較，發現即使藉由只進行一次加壓過濾之簡單過濾純化步驟，液體材料L中之粒子的粒子數濃度亦會顯著降低。
其次，從比較實例2與比較實例3之間的比較，發現當初始流動部分及最終流動部分經組態未與加壓過濾中之目標流動部分混合時，可進一步降低液體材料L中之粒子的粒子數濃度。然而，比較實例3中所獲得之可固化組成物(b-3)的粒子之粒子數濃度不足以作為奈米壓印液體材料。
其次，從比較實例3、實施例1與2之間的比較，發現藉由使用循環過濾步驟，可更有效降低液體材料L中之粒子的粒子數濃度。在實施例2中，具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度係降至小於310/mL。此外，在循環過濾次數為實施例2之大約2倍的實施例1中，具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度係降 至小於137/mL。
再者，從比較實例4、實施例1與2之間的比較，發現循環過濾步驟中，回收容器之連接改變操作較佳不在粗製液體材料L的過濾期間及之後進行。即，在比較實例4中，管線之連接係在循環過濾完成之後改變，且將連接測量系統(粒子感測器)之管置於可固化組成物(b-4)中。另一方面，在實施例1與實施例2中，藉由使用事先連接至回收容器的測量系統，可在循環過濾完成後不改變管線連接之情況下測量粒子的粒子數濃度。結果，實施例1中之粒子的粒子數濃度可降至比較實例4之大約九分之一。
另一方面，從比較實例4與比較實例5之間的比較，發現即使如上述情況進行循環過濾步驟，當使用具有包括管、口等之複雜結構的P瓶代替使用具有簡單結構的等級100之瓶時，會不容易進行粒子的粒子數濃度降低。在實施例3之情況中，即使使用會不容易降低粒子的粒子數濃度之P瓶，當進行根據該實施態樣之粒子移除步驟時，可顯著降低具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度。
再者，在根據實施例3之可固化組成物(a-3)中的粒子之(累積)粒子數濃度Y與粒徑X(μm)之間的關係形成近似曲線之後，計算具有藉由粒子感測器可測量的最小粒徑(0.07μm)或更小之粒子的粒子數濃度。當從由表3所示之X=0.12、X=0.1、X=0.09、及 X=0.07所表示的四點形成近似曲線時，獲得Y=8.587×10-3X-3.308(R2=0.9972)。此外，在表3中，差分代表具有在各粒徑範圍中之粒徑的粒子之粒子數濃度，而累積代表具有等於或大於各粒徑範圍中之最小粒徑的粒徑之粒子的累積粒子數濃度。例如，在粒徑X為0.042至0.07之線上的差分之柱狀圖表示具有0.042至小於0.07μm的粒徑之粒子的粒子數濃度。如上述情況，在同一條線上之累積柱狀圖表示具有0.042μm或更大之粒子的粒子數濃度。當使用該近似曲線進行計算時，發現在實施例3之可固化組成物(a-3)中，具有0.042μm或更大之粒子的粒子數濃度為307.7/mL且低於310/mL。
作為參考，從參考實例1與比較實例3之間的比較，發現當使用本身為液體材料L之一種組分的丙烯酸異莰酯時，粒子的粒子數濃度會比使用液體材料L本身之情況顯著降低。即，當如該實例使用藉由混合複數種組分所形成之組成物時，變得難以降低粒子的粒子數濃度。然而，在該實例中，當液體材料L係藉由根據該實施態樣之包括純化步驟的製造方法所製造時，粒子的粒子數濃度 可顯著降低。
如上述，據信當使用其中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度低於310/mL的奈米壓印液體材料時，可抑制因粒子所導致的對模產生損壞。此外，亦據信可減少待獲得之固化產物圖案的圖案瑕疵。結果，據信可抑制奈米壓印法之產率降低。
再者，如上述，當使用其中模之凹面部分的寬度為S(nm)之具有L/S圖案的模時，據信當粒子之粒徑D(nm)大於3S(nm)(D>3S)時，模會受損。即，在具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之情況中，作為可不受損之模圖案，可提及間隙寬度等於或大於粒徑的三分之一之圖案，即，間隙寬度為23.3nm或更大之圖案。即，據信在使用具有最小間隙寬度為23.3nm或更大之圖案的模之奈米壓印法中，特別是，根據該實施態樣之可固化組成物可抑制產率降低。
再者，在實施例3之可固化組成物(a-3)中，具有0.042μm或更大粒徑之粒子的粒子數濃度係低於310/mL。從上述結果，在實施例3之可固化組成物(a-3)的情況中，據信當使用具有間隙寬度為14nm或更大(其為0.042μm或更大之粒徑的三分之一)之圖案的模時，可抑制奈米壓印法的產率降低。
(實施例4) (1)製備可固化組成物(a-4)
除了使用約92重量百分比之丙烯酸單體混合物、約5重量百分比之光引發劑、及約3重量百分比之界面活性劑(其各者均與可固化組成物(b-1)中之各者相同或相似)以外，以與實施例1相似的方式製備實施例4之可固化組成物(a-4)。
(2)測量可固化組成物(a-4)中之粒子的粒子數濃度
以與實施例1相似之方式測量粒子的粒子數濃度。可固化組成物(a-4)中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度(平均值)低於100/mL。
(3)觀察奈米壓印圖案
其次，藉由下文所示之方法，藉由奈米壓印法使用可固化組成物(a-4)形成固化產物圖案。隨後，藉由電子顯微鏡(SEMVision G5，由Applied Materials製造)觀察如此形成之固化產物圖案。
(3-1)配置步驟
在300mm其上形成有3nm厚度之黏著層的矽晶圓上，藉由噴墨法滴落1,440個可固化組成物(a-4)之液滴(11pL/一個液滴)。此外，當各滴落液滴時，滴落係在寬度為26mm且長度為33mm之矽晶圓的區域中進行，以使液滴之間的間隔與上述區域中彼此相等。
(3-2)模接觸步驟，光照射步驟
其次，使未經表面處理且其中形成有高度為60nm之28nm線與間距(L/S)圖案的石英模(寬度：26mm，長度：33mm)與矽晶圓上之可固化組成物(a-4)接觸。
其次，在石英模接觸開始30秒之後，以通過該石英模之UV光照射矽晶圓上的可固化組成物(a-4)。此外，在UV光照射中，使用具有200W汞氙燈之UV光源(EXECURE 3000，由HOYA CANDEO OPTRONICS CORPORATION製造)。此外，在UV光照射中，將選擇性透射波長為313±5nm的光的干涉濾光片(VPF-50C-10-25-31300，由SIGMAKOKI Co.,Ltd.製造)配置在該UV光源與該石英模之間。此外，在313nm波長下在該石英模正下方之UV光的強度為40mW/cm2。在上述條件下，進行170mJ/cm2之UV光曝光。
(3-3)脫模步驟
其次，以0.5mm/s之速率向上拉該石英模以自固化產物分開。當該石英模脫離時，在該矽晶圓上形成平均厚度為40.1nm的固化產物圖案。
(3-4)使用電子顯微鏡觀察固化產物圖案
使用電子顯微鏡觀察如此形成之固化產物圖案及在脫模步驟中脫離的石英模之遮罩圖案。在固化產物圖案及遮罩圖案各為6.75μm平方之區域上進行觀察。
在製備其上存在有粒徑為0.046至0.3μm粒子之具有黏著層的矽晶圓之後，在其中存在粒子的各具有黏著層之矽晶圓之區域上進行奈米壓印法(3-1至3-3)以形成固化產物圖案。隨後，藉由電子顯微鏡觀察在固化產物形成之後的遮罩圖案之區域及各對應於存在粒子的區域之固化產物圖案的區域。結果示於表4。
在存在具有0.09μm或更大(0.09μm、0.1μm、及0.3μm)之粒徑的粒子之情況中，各例之遮罩圖案係受損。另一方面，在存在具有0.08μm或更小(0.08μm及0.046μm)之粒徑的粒子之情況中，未觀察到遮罩圖案的損壞。
此外，在存在具有0.08μm或更大(0.08μm、0.09μm、0.1μm、及0.3μm)之粒徑的粒子之情況中，各例中觀察到對固化產物圖案造成的損壞。另一方面，在存在具有0.046μm之粒徑的粒子之情況中，固化產物圖案中未觀察到損壞及瑕疵。
再者，在存在粒子的區域上重複進行藉由奈米壓印法形成固化產物圖案(3-1至3-3)，且每次均觀察遮罩圖案及固化產物圖案。結果，在存在具有0.08μm或更大之粒徑的粒子之情況中，所有實例中均在固化產物圖案的相同位置觀察劍具有相同形狀的瑕疵。另一方面，在存在具有0.046μm之粒徑的粒子之情況中，固化產物圖案中未觀察到損壞及瑕疵。
從上述結果，推測略小於0.08μm之粒徑為 因存在具有上述值之粒子而在固化產物圖案中產生瑕疵與否的臨界值。
如上述，實際確認根據上述假設的理論計算結果是正確的，該假設係關於為免在藉由奈米壓印法形成之固化產物圖案中產生瑕疵的奈米壓印法液體材料中所含之粒子的粒徑臨界值。即，當使用每一個晶圓少於一個之具有0.07μm或更大之粒徑的粒子數之奈米壓印法液體材料時，可抑制因粒子導致的模之損壞產生。此外，可抑制所獲得之固化產物圖案的圖案瑕疵。結果，可抑制奈米壓印法之產率降低。
雖然已參考範例實施態樣描述本發明，但應暸解本發明不限於所揭示之範例實施態樣。以下申請專利範圍應符合最廣義解釋以包括所有此等修改及等效結構及功能。
101‧‧‧光可固化組成物
102‧‧‧基板
103/105‧‧‧對準標記
104‧‧‧模
106‧‧‧塗膜

Claims (19)

  1. 一種奈米壓印液體材料，其中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度低於310/mL。
  2. 如申請專利範圍第1項之奈米壓印液體材料，其中具有0.07μm或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度低於137/mL。
  3. 如申請專利範圍第1項之奈米壓印液體材料，其中該奈米壓印液體材料含有單官能(甲基)丙烯酸系化合物及多官能(甲基)丙烯酸系化合物中至少一者。
  4. 如申請專利範圍第1項之奈米壓印液體材料，其中該奈米壓印液體材料含有氟系界面活性劑或烴系界面活性劑。
  5. 如申請專利範圍第1項之奈米壓印液體材料，其中該奈米壓印液體材料之黏度為1至100mPa s。
  6. 如申請專利範圍第1項之奈米壓印液體材料，其中該奈米壓印液體材料為圖案形成用可固化組成物。
  7. 如申請專利範圍第1項之奈米壓印液體材料，其中該奈米壓印液體材料為黏著層形成用組成物。
  8. 一種奈米壓印液體材料，其具有轉印至其上之凹凸圖案，該轉印係使用在表面具有該凹凸圖案之模藉由奈米壓印法來達成，其中當該模之凹凸圖案的凹面部分之寬度為S(nm)時，具有2.5S(nm)或更大之粒徑的粒子之粒子數濃度低於310/mL。
  9. 如申請專利範圍第8項之奈米壓印液體材料，其中該凹面部分之寬度(S)為4至小於30nm，且當該凹面部分之深度為H(nm)時，該凹凸圖案之該凹面部分的縱橫比(H/S)為1至10。
  10. 一種製造固化產物圖案之方法，該方法包含：第一步驟：將如申請專利範圍第6項之該奈米壓印液體材料配置在基板上；第二步驟：使該奈米壓印液體材料與模接觸；第三步驟：以光照射該奈米壓印液體材料以形成固化產物；以及第四步驟：將該固化產物自該模脫離。
  11. 如申請專利範圍第10項之製造固化產物圖案的方法，其進一步包含在該基板之上表面上由如申請專利範圍第7項之奈米壓印液體材料形成黏著層的步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項之製造固化產物圖案的方法，其中該模係為在其表面具有凹凸圖案的模，該凹凸圖案之凹面部分的寬度為4至小於30nm，且該凹凸圖案之凸面部分的縱橫比為1至10。
  13. 如申請專利範圍第12項之製造固化產物圖案的方法，其在該第二步驟與該第三步驟之間進一步包含使該基板與該模對準的步驟。
  14. 如申請專利範圍第13項之製造固化產物圖案的方法，其中該第一步驟至該第四步驟係在該基板之不同區上重複進行複數次。
  15. 如申請專利範圍第13項之製造固化產物圖案的方法，其中該第二步驟係在含有可凝結氣體之氣氛中進行。
  16. 一種製造光學組件之方法，該方法包含：藉由如申請專利範圍第10項之製造固化產物圖案的方法獲得固化產物圖案之步驟。
  17. 一種製造電路板之方法，該方法包含：藉由如申請專利範圍第10項之製造固化產物圖案的方法獲得固化產物圖案之步驟；以及使用該固化產物圖案作為遮罩在該基板上進行蝕刻或離子植入的步驟。
  18. 如申請專利範圍第17項之製造電路板的方法，其中該電路板為用於半導體元件之電路板。
  19. 一種製造奈米壓印液體材料之方法，該方法包含：藉由以過濾器過濾來純化奈米壓印液體材料的純化步驟，其中該純化步驟包含：[a]在低於0.03L/min之流率下以孔徑為50nm或更小之過濾器過濾粗製奈米壓印液體材料的步驟；以及[b]在連接至粒子數濃度測量系統之容器中回收除初始流動部分以外之通過該過濾器的該粗製奈米壓印液體材料之流動部分的步驟。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180039170A1 (en) * 2015-02-27 2018-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Nanonimprint liquid material, method for manufacturing nanoimprint liquid material, method for manufacturing cured product pattern, method for manufacturing optical component, and method for manufacturing circuit board

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018092763A1 (ja) 2016-11-18 2018-05-24 富士フイルム株式会社 薬液、薬液収容体、パターン形成方法、及び、キット
JP6942487B2 (ja) 2017-03-03 2021-09-29 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品製造方法
JP7425602B2 (ja) * 2017-03-08 2024-01-31 キヤノン株式会社 パターン形成方法、ならびに加工基板、光学部品及び石英モールドレプリカの製造方法、ならびにインプリント前処理コーティング材料及びそれとインプリントレジストとのセット
JP6869838B2 (ja) * 2017-07-14 2021-05-12 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法
JP7096898B2 (ja) * 2018-09-28 2022-07-06 富士フイルム株式会社 インプリント用下層膜形成用組成物、インプリント用下層膜形成用組成物の製造方法、パターン製造方法、半導体素子の製造方法、硬化物およびキット
JP7442138B2 (ja) 2020-06-15 2024-03-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電子部品の実装方法
TW202210259A (zh) 2020-09-09 2022-03-16 日商富士軟片股份有限公司 壓印圖案形成用組成物的製造方法、硬化物的製造方法、壓印圖案的製造方法及元件的製造方法
CN114454507B (zh) * 2022-01-26 2023-09-26 江苏大学 一种倾斜微孔阵列的倒置气体膨胀成形方法

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
JPH08172068A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Fujitsu Ltd 半導体基板の洗浄方法及び半導体装置の製造方法
JPH0934116A (ja) * 1995-07-21 1997-02-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 水溶性パターン形成材料
US8603386B2 (en) * 1995-11-15 2013-12-10 Stephen Y. Chou Compositions and processes for nanoimprinting
JP3544816B2 (ja) * 1997-03-11 2004-07-21 株式会社東芝 液晶マイクロカプセルの精製方法及びその精製装置
CA2284619A1 (en) * 1997-03-25 1998-10-01 Kaneka Corporation Absorbent for eliminating hepatitis c virus, absorber, and absorption method
US6310018B1 (en) * 2000-03-31 2001-10-30 3M Innovative Properties Company Fluorinated solvent compositions containing hydrogen fluoride
US6372700B1 (en) * 2000-03-31 2002-04-16 3M Innovative Properties Company Fluorinated solvent compositions containing ozone
US6954275B2 (en) * 2000-08-01 2005-10-11 Boards Of Regents, The University Of Texas System Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography
JP4942243B2 (ja) * 2000-08-31 2012-05-30 三菱レイヨン株式会社 浄水器用吸着剤およびこれを用いた浄水器
JP4951192B2 (ja) * 2000-09-12 2012-06-13 帝人株式会社 芳香族ポリカーボネートおよびその製造方法
JP2002166144A (ja) * 2000-11-30 2002-06-11 Fuji Photo Film Co Ltd フィルターカートリッジ及びろ過方法
US6737169B2 (en) * 2001-01-31 2004-05-18 Jsr Corporation Polymer composition, cured product, laminate and method for producing the cured product
US6800902B2 (en) * 2001-02-16 2004-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device, method of manufacturing the same and liquid jet apparatus
JP4032916B2 (ja) * 2001-11-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 エッチング液
JP4637476B2 (ja) * 2002-12-19 2011-02-23 東京応化工業株式会社 ホトレジスト組成物の製造方法
JP4079221B2 (ja) * 2003-02-13 2008-04-23 旭化成メディカル株式会社 グラフト膜の製造方法
US20050079454A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Best Leroy E. Contrast enhancement materials containing non-PFOS surfactants
US7323731B2 (en) * 2003-12-12 2008-01-29 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, and image pickup system
JP5192120B2 (ja) * 2004-09-14 2013-05-08 丸善石油化学株式会社 半導体レジスト用共重合体におけるパーティクルの増加防止方法
EP1731962B1 (en) * 2005-06-10 2008-12-31 Obducat AB Pattern replication with intermediate stamp
JP2007044835A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Nikon Corp バンドル構造体、光学素子、フィルタ、ｄｎａチップ、研磨部材、および保持具
JP5118396B2 (ja) * 2007-06-22 2013-01-16 新第一塩ビ株式会社 ペースト用塩化ビニル系樹脂及びペースト用塩化ビニル系樹脂組成物
JP5227694B2 (ja) * 2008-08-12 2013-07-03 富士フイルム株式会社 ナノインプリント用組成物
JP2010253442A (ja) * 2009-04-28 2010-11-11 Idemitsu Kosan Co Ltd 微粒子分散液の濃縮方法
EP2246435A1 (en) * 2009-04-29 2010-11-03 Consiglio Nazionale delle Ricerche - INFM Istituto Nazionale per la Fisica della Materia Silicon derivate layers/films produced by silicatein-mediated templating and process for making the same
CN102548598B (zh) * 2009-08-07 2014-09-17 犹诺医药有限公司 具有传感器和一个或多个插管的传送装置
US20110269071A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Fujifilm Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, chemical amplification resist composition, and resist film and pattern forming method using the composition
US20130108963A1 (en) * 2010-06-03 2013-05-02 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Photosensitive resin composition and method for preparing photosensitive composition
CN102934207B (zh) * 2010-06-07 2016-04-06 中央硝子株式会社 保护膜形成用化学溶液
JP5753749B2 (ja) * 2010-09-27 2015-07-22 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物の製造方法
KR20120140264A (ko) * 2010-09-29 2012-12-28 제이에스알 가부시끼가이샤 액침 상층막 형성용 조성물 및 중합체
JP5739185B2 (ja) * 2011-02-15 2015-06-24 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物の製造方法
JP2012175071A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Fujifilm Corp インプリント用硬化性組成物およびその製造方法
JP5599355B2 (ja) * 2011-03-31 2014-10-01 富士フイルム株式会社 モールドの製造方法
JP5697523B2 (ja) * 2011-04-12 2015-04-08 メルクパフォーマンスマテリアルズＩｐ合同会社 上面反射防止膜形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
KR20140015618A (ko) * 2011-07-06 2014-02-06 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 성형체, 성형 재료, 광학 부품 및 성형 재료의 제조방법
JP5864934B2 (ja) * 2011-07-21 2016-02-17 キヤノン株式会社 インプリントシステム及び物品の製造方法
US8834757B2 (en) * 2011-09-30 2014-09-16 Uchicago Argonne, Llc Method for making particle/polymer composites and applications
JP5702699B2 (ja) * 2011-10-26 2015-04-15 信越化学工業株式会社 リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法
JP5857864B2 (ja) * 2012-04-23 2016-02-10 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
KR101932727B1 (ko) * 2012-05-07 2018-12-27 삼성전자주식회사 범프 구조물, 이를 갖는 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP5934666B2 (ja) * 2012-05-23 2016-06-15 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜及び電子デバイスの製造方法
JP5827180B2 (ja) * 2012-06-18 2015-12-02 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物と基板の密着用組成物およびこれを用いた半導体デバイス
JP6305058B2 (ja) * 2013-03-05 2018-04-04 キヤノン株式会社 感光性ガス発生剤、光硬化性組成物
WO2014181533A1 (en) * 2013-05-09 2014-11-13 Canon Kabushiki Kaisha Compound, photocurable composition, and methods for producing patterned film, optical component, circuit board, electronic component by using the photocurable composition, and cured product
JP6494185B2 (ja) * 2013-06-26 2019-04-03 キヤノン株式会社 インプリント方法および装置
US10632506B2 (en) * 2014-12-02 2020-04-28 Sigma-Technology Inc. Cleaning method and cleaning device using micro/nano-bubbles
JP2016164977A (ja) * 2015-02-27 2016-09-08 キヤノン株式会社 ナノインプリント用液体材料、ナノインプリント用液体材料の製造方法、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子部品の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180039170A1 (en) * 2015-02-27 2018-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Nanonimprint liquid material, method for manufacturing nanoimprint liquid material, method for manufacturing cured product pattern, method for manufacturing optical component, and method for manufacturing circuit board

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Publication number Publication date
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