JP5702699B2 - リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 - Google Patents
リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5702699B2 JP5702699B2 JP2011234598A JP2011234598A JP5702699B2 JP 5702699 B2 JP5702699 B2 JP 5702699B2 JP 2011234598 A JP2011234598 A JP 2011234598A JP 2011234598 A JP2011234598 A JP 2011234598A JP 5702699 B2 JP5702699 B2 JP 5702699B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- resist
- filter
- producing
- lithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D37/00—Processes of filtration
- B01D37/02—Precoating the filter medium; Addition of filter aids to the liquid being filtered
- B01D37/025—Precoating the filter medium; Addition of filter aids to the liquid being filtered additives incorporated in the filter
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
また、このような方法によれば、他の高価な装置や特別な部品を用意する必要もなく、製造コストを抑えることもできる。
上述のように、リソグラフィープロセスに使用されるレジスト組成物の薄膜化、多層化が進むにつれ、プロセスの歩留まりに対して欠陥が与える影響も次第に大きくなっている。
本発明のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法は、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることにより、該リソグラフィー用レジスト組成物中の微小粒子を除去することを特徴とする。
図1は、本発明の製造方法に用いられる装置の一例である。この装置は、タンク1(リソグラフィー用レジスト組成物用)、タンク6(コロイダルゾル用)、タンク7(洗浄溶剤用)、送液ポンプ2(リソグラフィー用レジスト組成物用)、送液ポンプ4(コロイダルゾル及び洗浄溶剤用)、フィルター容器3、ドレイン8、及びこれに付属する配管(図示されていない配管を含む)、バルブ(弁)(図示されていないバルブを含む)等から構成されている。
また、後にろ過するリソグラフィー用レジスト組成物の主溶剤を用いた循環ろ過を行ってもよい。
これにより、リソグラフィー用レジスト組成物中の微小粒子は、フィルターに吸着しているコロイド粒子に吸着され、微小粒子を除去することができる。
[製造例]
3L温度調整ジャケット付の直径10cm円筒形セパラブルフラスコに、攪拌機と攪拌翼を装着した。これに29%アンモニア水26g、イオン交換水21g、メタノール326gを仕込み、攪拌しながらジャケットに温水を循環させ、内温を35℃に保った。ここに5.4%アンモニア水218gとテトラメトキシシラン608gを、それぞれポンプを使って二方より10時間かけて滴下した。滴下終了後、攪拌と温水循環を停止しシリカゾル(コロイダルシリカ溶液)1063gを得た。得られた溶液中の固形分は205gであり、遠心沈降法による粒度分布測定の結果、粒度分布は100から150nmであった。
図1に示される装置を使用した。まず、フィルター容器3に、ポリエチレン製(公称細孔径5nm、ろ過面積1.1平方メートル)カートリッジフィルターをセットした後、フィルター容器3と送液ポンプ2、充填容器5との間の配管を、バルブを閉めて遮断した。
コロイダルシリカ溶液を用いた循環ろ過(フィルターにコロイダルシリカを吸着させる操作)純水での洗浄を行う手順を省いた他は、全て実施例と同様の手順で、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物を製品容器5に充填した。
5…充填容器(製品容器)、 8…ドレイン、 9…排出弁、 10…二次側弁。
Claims (6)
- リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることにより、該リソグラフィー用レジスト組成物中の微小粒子を除去することを特徴とするリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。
- 前記コロイダルゾルとして、テトラアルコキシシランを含むシランからなるコロイダルシリカを用いることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。
- 前記リソグラフィー用レジスト組成物として、フォトレジスト組成物、EUV用レジスト組成物、及びEB用レジスト組成物のいずれかを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。
- レジスト保護膜形成用組成物の製造方法であって、少なくとも、レジスト保護膜形成用組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記レジスト保護膜形成用組成物を通過させることにより、該レジスト保護膜形成用組成物中の微小粒子を除去することを特徴とするレジスト保護膜形成用組成物の製造方法。
- ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法であって、少なくとも、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物を通過させることにより、該ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物中の微小粒子を除去することを特徴とするケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法。
- 有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法であって、少なくとも、有機レジスト下層膜形成用組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記有機レジスト下層膜形成用組成物を通過させることにより、該有機レジスト下層膜形成用組成物中の微小粒子を除去することを特徴とする有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011234598A JP5702699B2 (ja) | 2011-10-26 | 2011-10-26 | リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 |
US13/604,270 US8822128B2 (en) | 2011-10-26 | 2012-09-05 | Production method of resist composition for lithography |
KR1020120118868A KR101609902B1 (ko) | 2011-10-26 | 2012-10-25 | 리소그래피용 레지스트 조성물의 제조 방법 |
TW101139512A TWI465864B (zh) | 2011-10-26 | 2012-10-25 | 微影術用光阻組成物的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011234598A JP5702699B2 (ja) | 2011-10-26 | 2011-10-26 | リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013092643A JP2013092643A (ja) | 2013-05-16 |
JP5702699B2 true JP5702699B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=48172775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011234598A Active JP5702699B2 (ja) | 2011-10-26 | 2011-10-26 | リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8822128B2 (ja) |
JP (1) | JP5702699B2 (ja) |
KR (1) | KR101609902B1 (ja) |
TW (1) | TWI465864B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014219506A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-20 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物の製造方法 |
JP5886804B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2016-03-16 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物の製造方法 |
JP6199686B2 (ja) | 2013-10-04 | 2017-09-20 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物の製造方法 |
JP2016164977A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-08 | キヤノン株式会社 | ナノインプリント用液体材料、ナノインプリント用液体材料の製造方法、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子部品の製造方法 |
JP2016201426A (ja) | 2015-04-08 | 2016-12-01 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィー用塗布膜の形成方法 |
JP6445382B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2018-12-26 | 信越化学工業株式会社 | リソグラフィー用塗布膜形成用組成物の製造方法及びパターン形成方法 |
JP6702672B2 (ja) | 2015-09-03 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、物品の製造方法及び供給装置 |
JP6796635B2 (ja) | 2016-03-24 | 2020-12-09 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性組成物、感活性光線性又は感放射線性組成物の精製方法、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP6894364B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2021-06-30 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜形成用組成物、半導体装置製造用基板、有機膜の形成方法、及びパターン形成方法 |
CN114008525A (zh) * | 2019-05-22 | 2022-02-01 | 东京应化工业株式会社 | 抗蚀剂组合物纯化品的制造方法、抗蚀剂图案形成方法、及抗蚀剂组合物纯化品 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1182759A (en) * | 1981-04-07 | 1985-02-19 | Gerard P. Canevari | Filter media for cleansing entrained oils from oil-in- water emulsions |
DE69725584T2 (de) * | 1996-07-30 | 2004-08-19 | Cuno Inc., Meriden | Filterschicht und deren verwendung zur reinigung einer fotoresistzusammensetzung |
JP2002062667A (ja) * | 2000-08-23 | 2002-02-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | 微粒子量の低減されたフォトレジスト組成物の製造方法 |
JP2003001294A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-07 | Nitto Kogyo Co Ltd | 硬水の軟質化処理方法及びその装置 |
JP2003190781A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 濾過助剤用シリカゲル |
DE10224878A1 (de) * | 2002-06-05 | 2004-01-08 | Pall Corporation | Filtereinsatz und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7264728B2 (en) * | 2002-10-01 | 2007-09-04 | Dow Corning Corporation | Method of separating components in a sample using silane-treated silica filter media |
JP4318507B2 (ja) * | 2003-08-12 | 2009-08-26 | ニフコプラント株式会社 | ろ過装置 |
US20060102554A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Munirathna Padmanaban | Process for producing film forming resins for photoresist compositions |
US7967978B2 (en) * | 2006-12-11 | 2011-06-28 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for filter conditioning |
JP5282015B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2013-09-04 | 住友化学株式会社 | 樹脂溶解液の精製方法、取得方法及び化学増幅型フォトレジスト組成物の製造方法 |
-
2011
- 2011-10-26 JP JP2011234598A patent/JP5702699B2/ja active Active
-
2012
- 2012-09-05 US US13/604,270 patent/US8822128B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-10-25 KR KR1020120118868A patent/KR101609902B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-25 TW TW101139512A patent/TWI465864B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI465864B (zh) | 2014-12-21 |
US20130108957A1 (en) | 2013-05-02 |
JP2013092643A (ja) | 2013-05-16 |
TW201333642A (zh) | 2013-08-16 |
KR20130045814A (ko) | 2013-05-06 |
KR101609902B1 (ko) | 2016-04-06 |
US8822128B2 (en) | 2014-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5702699B2 (ja) | リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 | |
JP5727350B2 (ja) | リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 | |
JP6445382B2 (ja) | リソグラフィー用塗布膜形成用組成物の製造方法及びパターン形成方法 | |
TWI520195B (zh) | A cleaning method of a mask-related substrate, a cleaning method, and a cleaning solution supply device | |
JP6466650B2 (ja) | レジスト組成物の製造方法 | |
TW200532385A (en) | Method and system for immersion lithography process | |
TW201815731A (zh) | 有機溶劑的精製方法及有機溶劑的精製裝置 | |
TWI474121B (zh) | 含矽之光阻下層膜之製膜方法 | |
JP2024026548A (ja) | 薬液、薬液収容体 | |
JP4995655B2 (ja) | 洗浄方法 | |
JP5236418B2 (ja) | 洗浄方法および洗浄液供給装置 | |
JP5217627B2 (ja) | レジスト用樹脂含有溶液の製造方法 | |
TWI726130B (zh) | 具有超稀清潔溶液的清潔溶液混合系統、該系統的操作方法及包括該系統的清潔工具 | |
JP5367188B2 (ja) | 洗浄方法および洗浄液供給装置 | |
JP2009182328A (ja) | 液浸リソグラフィ装置 | |
JP2009279540A (ja) | ろ過器及び電子材料用組成物の製造方法 | |
JP2019040201A (ja) | パターン形成方法 | |
JP2010106147A (ja) | 樹脂組成物溶液の製造方法、及び製造装置 | |
JP2010020297A (ja) | 液浸露光用組成物の製造方法及び液浸露光用組成物 | |
US20110170076A1 (en) | Immersion lithography apparatus and method for cleaning immersion lithography apparatus | |
JP2011072924A (ja) | 超純水製造システムの構成部材の取付方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5702699 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |