JP2013092643A - リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター3上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることにより、該リソグラフィー用レジスト組成物中の微小粒子を除去するリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。符号1、6、7はタンク、2、4は送液ポンプ、3はフィルター容器、5は充填容器、8はドレイン、9は排出弁、10は二次側弁を表す。
【選択図】図1
Description
また、このような方法によれば、他の高価な装置や特別な部品を用意する必要もなく、製造コストを抑えることもできる。
上述のように、リソグラフィープロセスに使用されるレジスト組成物の薄膜化、多層化が進むにつれ、プロセスの歩留まりに対して欠陥が与える影響も次第に大きくなっている。
本発明のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法は、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることにより、該リソグラフィー用レジスト組成物中の微小粒子を除去することを特徴とする。
図1は、本発明の製造方法に用いられる装置の一例である。この装置は、タンク1(リソグラフィー用レジスト組成物用)、タンク6(コロイダルゾル用)、タンク7(洗浄溶剤用)、送液ポンプ2(リソグラフィー用レジスト組成物用)、送液ポンプ4(コロイダルゾル及び洗浄溶剤用)、フィルター容器3、ドレイン8、及びこれに付属する配管(図示されていない配管を含む)、バルブ(弁)(図示されていないバルブを含む)等から構成されている。
また、後にろ過するリソグラフィー用レジスト組成物の主溶剤を用いた循環ろ過を行ってもよい。
これにより、リソグラフィー用レジスト組成物中の微小粒子は、フィルターに吸着しているコロイド粒子に吸着され、微小粒子を除去することができる。
[製造例]
3L温度調整ジャケット付の直径10cm円筒形セパラブルフラスコに、攪拌機と攪拌翼を装着した。これに29%アンモニア水26g、イオン交換水21g、メタノール326gを仕込み、攪拌しながらジャケットに温水を循環させ、内温を35℃に保った。ここに5.4%アンモニア水218gとテトラメトキシシラン608gを、それぞれポンプを使って二方より10時間かけて滴下した。滴下終了後、攪拌と温水循環を停止しシリカゾル(コロイダルシリカ溶液)1063gを得た。得られた溶液中の固形分は205gであり、遠心沈降法による粒度分布測定の結果、粒度分布は100から150nmであった。
図1に示される装置を使用した。まず、フィルター容器3に、ポリエチレン製(公称細孔径5nm、ろ過面積1.1平方メートル)カートリッジフィルターをセットした後、フィルター容器3と送液ポンプ2、充填容器5との間の配管を、バルブを閉めて遮断した。
コロイダルシリカ溶液を用いた循環ろ過(フィルターにコロイダルシリカを吸着させる操作)純水での洗浄を行う手順を省いた他は、全て実施例と同様の手順で、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物を製品容器5に充填した。
5…充填容器(製品容器)、 8…ドレイン、 9…排出弁、 10…二次側弁。
Claims (3)
- リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法であって、少なくとも、リソグラフィー用レジスト組成物をフィルターでろ過する工程を含み、該ろ過工程において、コロイダルゾルを前記フィルター上流から通過させてフィルターにコロイド粒子を吸着させた後、該フィルターに前記リソグラフィー用レジスト組成物を通過させることにより、該リソグラフィー用レジスト組成物中の微小粒子を除去することを特徴とするリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。
- 前記コロイダルゾルとして、テトラアルコキシシランを含むシランからなるコロイダルシリカを用いることを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。
- 前記リソグラフィー用レジスト組成物として、レジスト保護膜形成用組成物、フォトレジスト組成物、EUV用レジスト組成物、EB用レジスト組成物、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及び有機レジスト下層膜形成用組成物のいずれかを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載のリソグラフィー用レジスト組成物の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011234598A JP5702699B2 (ja) | 2011-10-26 | 2011-10-26 | リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 |
US13/604,270 US8822128B2 (en) | 2011-10-26 | 2012-09-05 | Production method of resist composition for lithography |
TW101139512A TWI465864B (zh) | 2011-10-26 | 2012-10-25 | 微影術用光阻組成物的製造方法 |
KR1020120118868A KR101609902B1 (ko) | 2011-10-26 | 2012-10-25 | 리소그래피용 레지스트 조성물의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011234598A JP5702699B2 (ja) | 2011-10-26 | 2011-10-26 | リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013092643A true JP2013092643A (ja) | 2013-05-16 |
JP5702699B2 JP5702699B2 (ja) | 2015-04-15 |
Family
ID=48172775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011234598A Active JP5702699B2 (ja) | 2011-10-26 | 2011-10-26 | リソグラフィー用レジスト組成物の製造方法、レジスト保護膜形成用組成物の製造方法、ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物の製造方法、及び有機レジスト下層膜形成用組成物の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8822128B2 (ja) |
JP (1) | JP5702699B2 (ja) |
KR (1) | KR101609902B1 (ja) |
TW (1) | TWI465864B (ja) |
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-
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- 2012-10-25 TW TW101139512A patent/TWI465864B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-10-25 KR KR1020120118868A patent/KR101609902B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Publication date |
---|---|
US8822128B2 (en) | 2014-09-02 |
TW201333642A (zh) | 2013-08-16 |
KR101609902B1 (ko) | 2016-04-06 |
KR20130045814A (ko) | 2013-05-06 |
TWI465864B (zh) | 2014-12-21 |
JP5702699B2 (ja) | 2015-04-15 |
US20130108957A1 (en) | 2013-05-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140813 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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