TW201514325A - 反射電極用或配線電極用Ａｇ合金膜，反射電極或配線電極，及Ａｇ合金濺鍍靶材 - Google Patents

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Abstract

一種用於反射電極或配線電極之Ag合金膜，係展現出低電阻率及高反射率，且對於UV照射或O2電漿處理等洗淨處理之耐氧化性優良，其含有下述至少其中一者：In超過2.0原子%且2.7原子%以下，Zn超過2.0原子%且3.5原子%以下。上述Ag合金膜亦可更含有0.01~1.0原子%之Bi。

Description

反射電極用或配線電極用Ag合金膜，反射電極或配線電極，及Ag合金濺鍍靶材
本發明係有關反射電極用或配線電極用Ag合金膜，反射電極或配線電極，上述反射電極用或配線電極用Ag合金膜的成膜所使用之Ag合金濺鍍靶材，以及具備上述反射電極之顯示裝置或照明裝置，或具備上述配線電極之觸控面板。本發明之Ag合金膜，展現出低電阻率與高反射率，且對於上述顯示裝置等的製造工程之一即UV照射或O2電漿處理等洗淨處理亦有優良的耐氧化性，故能實現展現良好顯示特性之顯示裝置等。
以Ag為主成分之Ag合金膜，達一定膜厚以上會展現出對可視光的高反射率，且能確保低電阻率，故備受期待運用在液晶顯示器或有機EL顯示器等之反射電極。
但，由於Ag合金膜不會形成鈍化(passivation)皮膜，故容易受到外部的影響。具體而言，會與硫反應形成硫化銀，或與鹵素反應形成鹵素化銀。此外，還有容 易因加熱而凝集等之缺點。
故，上述顯示器等的製程中，在承受熱歷程時，可能會有損及上述高反射率或低電阻率這類Ag合金膜原本的優良特性之問題。對於這樣的Ag合金膜的問題，有人提出一種新的Ag合金膜，其含有不同於習知之合金成分。
舉例來說，專利文獻1中揭示，從Bi及Sb所構成之群組中選擇1種或2種元素，做成含有合計量0.01~4原子%之Ag合金膜，藉此，能夠維持Ag原本的高反射率，同時會抑制Ag的凝聚或晶粒成長，抑制反射率隨時間經過而降低。
此外，專利文獻2中揭示，構成有機EL顯示器用的反射陽極電極之Ag基合金膜中，若使Nd含有0.01~1.5原子%、或使Bi含有0.01~4原子%，則Nd與Bi會發揮防止Ag凝集之作用，能夠充分避免有機EL裝置的暗點(dark spot)現象。
又，專利文獻3中揭示，先使Ag中含有Bi，藉此抑制Ag合金膜容易發生之晶粒成長或凝集，並添加該Bi與V、Ge、Zn使其滿足規定式子，便能得到高反射率。
此外，專利文獻4中揭示，添加特定少量的Cu與Te/Se，進一步視必要添加In、Sn、Zn、Pd、Au、Pt、Ru、Ir、Fe、Ni、Bi、P，藉此便能得到確保耐熱性與耐蝕性之Ag基合金。又，專利文獻5中揭示，在Ag 中添加特定少量的Bi，且進一步做成含有In、Sn、Zn，或含有Au、Pd、Pt之靶材，則使用該靶材而得到之Ag合金膜，耐熱性會改善。
不過，上述顯示器等的製程中，形成Ag合金膜後，一般來說會對該Ag合金膜進行UV照射或O2電漿處理等洗淨處理。但，由於該些洗淨處理，會有Ag氧化而變黑這類問題。該變黑情形，是由於UV照射時或O2電漿照射時會產生反應性高的氧自由基，該氧自由基與Ag反應而發生。
在將光從與基板相反方向取出之上發光(top emission)型OLED顯示器的情形中，會在Ag合金膜單層所構成之反射電極或含有Ag合金膜的反射電極上層積有機材料，但為了確保該反射電極與有機材料之間的電性接合，在上述顯示器的製造過程中，必然會在有機材料層積前，對上述反射電極表面施以上述UV照射或O2電漿處理等洗淨處理。
但，如上述般若進行UV照射或O2電漿處理，則會有Ag合金膜變黑(形成氧化銀)之問題。所形成的氧化銀會造成元件短路，當耐氧化性低的情形下，元件製造的良率會降低。
該氧化銀形成的理由，可舉出如上述般由於Ag不會形成鈍化皮膜，故容易因為上述UV照射或O2電漿而產生之活性氧而被氧化。
為了抑制該洗淨處理造成之劣化(特別是Ag 合金膜的氧化造成之變黑)，所採用之手段為，將ITO膜等透明導電膜或氧化膜形成於上述Ag合金膜的相鄰上方或相鄰下方，以保護Ag合金膜。但，即使像這樣將ITO膜等層積於Ag合金膜的上下的情形下，若在ITO膜等的膜厚不均一或有針孔(pinhole)存在的情況下進行上述洗淨處理，則Ag合金膜的保護效果無法充分保護，而會發生Ag合金膜的劣化，即氧化銀的形成，而有招致反射率降低等之虞。故，需要求Ag合金膜本身對於UV照射或O2電漿處理等洗淨處理具有優良耐性(對於活性氧之耐久性，以下或稱耐氧化性)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本國特開2004-126497號公報
專利文獻2：日本國特開2010-225586號公報
專利文獻3：國際公開第2009/041529號
專利文獻4：日本國特開2006-342416號公報
專利文獻5：日本國特開2005-048231號公報
對於上述這樣的Ag金合膜，需要求其具備身為反射電極或配線電極所必須之低電阻率及高反射率，且更要求上述耐氧化性優良。但，過去所提出之各種Ag合 金膜，無法滿足上述所有特性。
本發明係著眼於上述事態而研發，其目的特別在於提供不僅具有低電阻率及高反射率，且相較於純Ag而言耐氧化性優良之反射電極用或配線電極用Ag合金膜，及包含上述Ag合金膜之反射電極或配線電極，上述反射電極用或配線電極用Ag合金膜的成膜所使用之Ag合金濺鍍靶材，以及具備上述反射電極或配線電極之顯示裝置、觸控面板、照明裝置。
能夠解決上述問題的本發明之Ag合金膜，係用於反射電極或配線電極之Ag合金膜，其含有下述至少其中一者：In超過2.0原子%且2.7原子%以下，Zn超過2.0原子%且3.5原子%以下。
本發明的較佳實施形態中，上述Ag合金膜更含有Bi達0.01~1.0原子%。
本發明之反射電極或配線電極，是僅在上述Ag合金膜的相鄰上方，或在上述Ag合金膜的相鄰上方及相鄰下方，形成有膜厚為5nm以上未滿25nm之透明導電膜者。
本發明的較佳實施形態中，上述透明導電膜為ITO或IZO。
本發明之Ag合金濺鍍靶材，係用於如上述任一項所述Ag合金膜的成膜之濺鍍靶材，其含有下述至少 其中一者：In超過2.0原子%且2.7原子%以下，Zn超過2.0原子%且3.5原子%以下。
本發明的較佳實施形態中，上述Ag合金濺鍍靶材更含有Bi達0.01~2.0原子%。
本發明中，還包含具備上述任一項所述之反射電極或配線電極的顯示裝置、觸控面板、照明裝置。
按照本發明，能夠得到一種Ag合金膜，其維持低電阻率及高反射率，同時相較於純Ag而言，對於UV照射或O2電漿處理等洗淨處理亦具有優良耐氧化性。其結果，只要使用本發明之Ag合金膜，便能以良好的生產性製造出顯示特性等極為優良之顯示裝置等。
1‧‧‧基板
2‧‧‧Ag合金膜
3‧‧‧透明導電膜(形成於Ag合金膜的相鄰上方之透明導電膜)
4‧‧‧透明導電膜(形成於Ag合金膜的相鄰下方之透明導電膜)
[圖1A]本發明之反射電極或配線電極的構造示意概略截面圖，揭示在基板的相鄰上方形成有Ag合金膜之構造。
[圖1B]本發明之反射電極或配線電極的構造示意概略截面圖，揭示在形成於基板上之Ag合金膜的相鄰上方，形成有透明導電膜之構造。
[圖1C]本發明之反射電極或配線電極的構造示意概略截面圖，揭示在形成於基板上之Ag合金膜的相鄰上方 及相鄰下方，分別形成有透明導電膜之構造。
[圖2]實施例的No.1(比較例)與No.10(本發明例)中，UV處理後的層積膜表面之光學顯微鏡照片(倍率：50倍)。
本發明團隊針對形成反射電極用或配線電極用Ag合金膜後，經由UV照射或O2電漿處理等洗淨工程而製造出之顯示裝置、觸控面板、照明裝置，為了獲得一種對於上述洗淨工程展現出優良耐氧化性，且展現出低電阻率及高反射率之反射電極用或配線電極用Ag合金膜，而進行了反覆研究。其結果發現，只要使用含有規定量的In及Zn的至少其中一者之Ag合金膜(以下或略稱為Ag-In/Zn合金)，或是更使用含有規定量的Bi之Ag合金膜(以下或略稱為Ag-In/Zn-Bi合金)，便可達成所需目的。
如前述般，例如OLED顯示器用反射電極中，會在Ag合金膜的上下層積透明導電膜以保護Ag合金膜，但即使在層積有透明導電膜的情形下，當在透明導電膜的膜厚不均一或有針孔存在的情況下進行UV照射或O2電漿處理等洗淨處理，則會發生Ag氧化而造成黑點狀的缺陷。一旦發生黑點，則OLED的發光層會短路，製造良率會降低。本發明團隊發現，以構成Ag合金膜的元素而言，在各種合金元素當中特別以In及Zn非常有助於完 整實現低電阻率及高反射率的確保、及優良耐氧化性的確保，更藉由添加Bi，能使耐氧化性進一步提升。
另，本發明團隊基於上述見解，於本案申請前業已申請了日本國特願2012-229083。日本國特願2012-229083中，特別是從確保和純Ag膜幾乎相同水準的低電阻率及高反射率之觀點看來，將In、Zn的各含有量上限均嚴格設定為2.0原子%。相對於此，本發明中，針對電阻率及反射率，從確保可運用於反射電極或配線電極的最低限度水準的觀點看來，將它們的合格基準相較於前案略微放寬，反而是將重點放在耐氧化性的提升，而欲廣範圍地提供一種在UV照射或O2電漿處理等洗淨處理中可有效作為氧化防止膜之反射電極用或配線電極用Ag合金膜，站在這樣的立場，將In、Zn的各含有量下限、上限分別訂為不與前案重複之範圍，即超過2.0原子%且2.7原子%以下(In)、超過2.0原子%且3.5原子%以下(Zn)。
像這樣，本發明之反射電極用或配線電極用Ag合金膜，係含有規定量的In、Zn的至少其中一者。如實施例所示，In量及Zn量愈多，則可看出耐氧化性愈有改善的傾向，但若過多則電阻率會增加。本發明中，考量它們的平衡，將In及Zn的範圍分別訂為，In：超過2.0原子%且2.7原子%以下；Zn：超過2.0原子%且3.5原子%以下之範圍。較佳是In：2.5原子%以下；Zn：3.0原子%以下。
本發明之反射電極用或配線電極用Ag合金膜，亦可更含有Bi。如此一來，耐氧化性會進一步改善。為了有效發揮Bi添加所造成之上述作用，較佳是將Bi量的下限訂為0.01原子%以上。更佳是0.05原子%以上。但，如果Bi含有過多，那麼如同上述In或Zn般，會招致電阻率增加，故將Bi量的上限訂為1.0原子%以下為佳。更佳是0.8原子%以下，再更佳是0.5原子%以下。
本發明之Ag合金膜含有上述元素，剩餘部分為Ag及不可避免雜質。
此外，本發明團隊還發現，在Ag-In/Zn-Bi膜(較佳是Bi量為0.01~0.5原子%)中，只要在上述Ag合金膜的表面形成In、Zn含有量分別為超過2.0原子%且比Ag合金膜的平均組成還多之區域(濃化層)，而藉由該濃化層來代替鈍化皮膜以保護Ag合金膜表面，則便能對Ag合金膜賦予高耐氧化性。另，上述所謂「Ag合金膜的平均組成」，是指包含濃化層在內之Ag合金膜的平均組成。
為了充分發揮上述效果而獲得優良耐氧化性，較佳是，前述濃化層的厚度為從Ag合金膜的最表面起算朝膜厚方向形成1nm以上。更佳為2nm以上。另一方面，若上述濃化層過厚，同樣會難以確保高反射率。按照本發明團隊之實驗結果，證實相當於本發明濃化層之氧化鋅層的膜厚若超過10nm，則前述反射率便會低於本發明的合格基準。(本發明的合格基準後述之)故，上述濃 化層的厚度較佳為10nm以下。更佳為7nm以下。
欲形成上述濃化層，舉例來說可調整Ag合金膜中的In及/或Zn之含有量，或將前述Ag合金膜曝露於大氣，但除此之外，舉例來說可對前述Ag合金膜例如在N2環境下以加熱溫度：150~350℃、加熱時間：0.5~1.5小時的條件做熱處理，來促進濃化層的形成。
本發明之Ag合金膜，膜厚訂為30~200nm之範圍為佳。藉由將膜厚訂為30nm以上，能夠使Ag合金膜的穿透率幾近為零，以確保高反射率。更佳為50nm以上。另一方面，若Ag合金膜的膜厚過高，那麼會招致膜的剝離，或形成Ag合金膜需花費時間而容易招致生產性降低，故訂為200nm以下為佳。更佳為150nm以下。另，此處所謂膜厚，當形成前述濃化層的情形下，是指包含濃化層在內的膜厚。
上述Ag合金膜，理想是以濺鍍法使用濺鍍靶材來形成。其理由是，薄膜的形成方法雖可舉出噴墨塗布法、真空蒸鍍法、濺鍍法等，但其中濺鍍法在合金化的容易性或生產性、膜厚均一性上均優良，此外上述合金元素會均一地分散於Ag基質中而能得到均質的膜，能夠獲得穩定的前述特性。
此外，欲以上述濺鍍法形成上述Ag合金膜，係使用含有從超過2.0原子%且2.7原子%以下的In、超過2.0原子%且3.5原子%以下的Zn所成之群組中選擇之至少1種的濺鍍靶材。又，較佳是使用在上述濺鍍靶材 中含有Bi為0.01~2.0原子%之濺鍍靶材。相對於濺鍍靶材中的Bi量而言，成膜出的Ag合金膜中的Bi量會降低。本發明中，將濺鍍靶材中可含有之實用的Bi量等併予納入考量後，係使濺鍍靶材內含有相較於Ag合金膜中的Bi量為大約2倍程度的Bi量。
上述濺鍍靶材之製作方法，例如有真空熔解法或粉末燒結法，但以真空熔解法來製作，從能夠確保靶材面內的成分組成或組織均一性的觀點看來較為理想。
接著，說明本發明之反射電極或配線電極。本發明之反射電極或配線電極，只要在基板上具有上述Ag合金膜即可，其構成凡是本發明技術領域慣常使用者，則並無特別限定。也就是說，本發明之反射電極或配線電極，可藉由上述Ag合金膜單層來構成，亦可在上述基板上(不限定於相鄰上方，隔著TFT或作為基底之ITO膜等透明導電膜之情形亦包括在內)形成上述Ag合金膜，且僅在Ag合金膜的相鄰上方(與基板相反側的相鄰上方)形成有透明導電膜(較佳為ITO或IZO)。或是，亦可在上述Ag合金膜的相鄰上方及相鄰下方形成有透明導電膜(較佳為ITO或IZO)。
該些構成如圖1A~1C中概略截面圖所示。圖1A揭示在基板1的相鄰上方形成有Ag合金膜2之構造。圖1B揭示在形成於基板1上之Ag合金膜2的相鄰上方，形成有透明導電膜3之構造。圖1C揭示在形成於基板1上之Ag合金膜2的相鄰上方及相鄰下方，分別形成 有透明導電膜3、4之構造。藉由形成上述透明導電膜，能夠確保更高的耐氧化性，或透過該透明導電膜來確保Ag合金膜與其他層之間的更高的密合性。上述透明導電膜之成膜方法並無特別限定，以一般進行條件(例如濺鍍法)成膜即可。
本發明中使用之基板並無特別限定，例如可舉出由玻璃或PET等樹脂所構成者。
本發明中使用之透明導電膜的種類亦無特別限定，例如可舉出ITO或lZO。
上述透明導電膜的膜厚亦無特別限定，可適用一般的範圍。例如，較佳是訂為5nm以上(更加為7nm以上)、未滿25nm(更佳為20nm以下、再更佳為15nm以下)之範圍。藉由將透明導電膜訂為5nm以上，能夠減小後述實施例所測定之UV照射後的缺陷面積等，而確保更優良的耐氧化性。另一方面，若膜厚達25nm以上，則受到透明導電膜的光學特性影響，反射電極或配線電極的反射率容易降低。故，透明導電膜的膜厚較佳是訂為未滿25nm。
另，如本發明般採用Ag-In/Zn-Bi膜作為反射電極或配線電極的情形下，反射電極或配線電極中，在前述Ag合金膜與前述透明導電膜之交界面，可能會形成前述濃化層。所謂該「交界面」，是指透明導電膜與Ag合金膜接觸之面。前述濃化層的形成形態，在前述圖1B的情形下，可例舉在Ag合金膜2與透明導電膜3之間形 成濃化層(未圖示)。此外，在前述圖1C的情形下，可例舉在Ag合金膜2與透明導電膜3之間形成濃化層(未圖示)，或在Ag合金膜2與透明導電膜4之間形成濃化層(未圖示)。
製造本發明之反射電極或配線電極的方法亦無特別限定，但上述透明導電膜形成後，亦可施以熱處理(後退火，post-annealing)。後退火溫度較佳為200℃以上，更佳為250℃以上，較佳為350℃以下，更佳為300℃以下。後退火時間較佳為10分鐘左右以上，更佳為15分鐘左右以上，較佳為120分鐘左右以下，更佳為60分鐘左右以下。
本發明中，為了模擬圖1A~C所示各種反射電極或配線電極的態樣，如後述實施例詳述述，針對電阻率、反射率、耐氧化性各者，利用Ag合金的單層膜及其與透明導電膜之(二層或三層)層積膜這兩者來進行實驗，以評估各特性。
本發明中各特性的定義如下。
本發明中所謂「電阻率低」，意指滿足下述(1)或(2)的其中一者。
(1)Ag合金膜單層之情形
意指：後記實施例所記載之方法中，備妥在玻璃基板上成膜有Ag合金膜(膜厚100nm)之單層膜試料，並於N2環境下以250℃進行1小時之加熱處理後，以4端子法 測定電阻率時，電阻率為8.1μΩ‧cm以下者。
(2)使用Ag合金膜與透明導電膜的三層層積膜之情形
意指：後記實施例所記載之方法中，備妥在玻璃基板上依序成膜有下層ITO(膜厚10nm)、Ag合金膜(膜厚100nm)、上層ITO(膜厚10nm)之層積試料，並於N2環境下以250℃進行1小時之加熱處理後，以4端子法測定電阻率時，電阻率為6.0μΩ‧cm以下者。
本發明中所謂「反射率高」，意指滿足下述(3)或(4)的其中一者。
(3)Ag合金膜單層之情形
意指：後記實施例所記載之方法中，備妥在玻璃基板上成膜有Ag合金膜(膜厚100nm)之單層膜試料，並測定在波長550nm下的反射率(初始反射率)時，反射率為90%以上者。
(4)使用Ag合金膜與透明導電膜的二層層積膜之情形
意指：後記實施例所記載之方法中，備妥在玻璃基板上依序成膜有Ag合金膜(膜厚100nm)、上層ITO(膜厚7nm)之層積試料，並於N2環境下以250℃進行1小時之加熱處理後，測定在波長550nm下的反射率(初始反射率)時，反射率為80%以上者。
本發明中所謂「耐氧化性優良」，意指滿足 下述(5)或(6)的其中一者。
(5)Ag合金膜單層之情形
後記實施例所記載之方法中，將Ag合金膜(膜厚100nm)成膜後，於室溫大氣下進行120秒之UV照射，並在UV照射前後，利用日本分光公司製V-570分光光度計測定在波長550nm下的反射率時，反射率的變化量滿足20%以下(絕對值)者。
(6)使用Ag合金膜與透明導電膜的二層層積膜之情形
滿足：後記實施例所記載之方法中，備妥在玻璃基板上依序成膜有Ag合金膜(膜厚100nm)、上層ITO(膜厚7nm)之層積試料，並於N2環境下以250℃進行1小時之加熱處理後，於室溫大氣下進行30分鐘之UV照射，測定UV照射後的缺陷個數及面積時，每一定面積(120mm×90mm)之缺陷數(黑點數)及缺陷面積滿足以下基準者。
缺陷數為500個以下(較佳為350個以下、更佳為200個以下)，且以純Ag膜的缺陷面積(11618像素)為基準時，缺陷面積為5000像素以下(較佳為4600像素以下、更佳為4000像素以下、再更佳為3000像素以下)
具備本發明反射電極用或配線電極用Ag合金膜之物，例如可例舉液晶顯示器、有機EL顯示器(例如 上發光型OLED顯示器)、無機EL顯示器等顯示裝置；有機EL照明、無機EL照明等照明裝置或觸控面板等。
具備反射電極或配線電極之顯示裝置、觸控面板、照明裝置等，需經歷各種製造工程，而其中的一個製造工程中，於反射電極或配線電極表面之洗淨工程，會進行UV洗淨或O2電漿洗淨。如上述般，該洗淨工程中Ag合金膜容易被氧化，但由於本發明之Ag合金膜展現出高耐氧化性，故能抑制元件等製造良率降低。
實施例
以下舉出實施例進一步具體說明本發明，但本發明當然不因下述實施例而受限，在切合前後文要旨之範圍內，亦可加以變更並實施，而它們均包含於本發明之技術範圍內。
[實施例1] (1)試料之製作 (1-1)單層膜試料之製作
在玻璃基板(Corning公司製無鹼玻璃# 1737、直徑：50mm、厚度：0.7mm)上，將表1所示組成之Ag合金膜或純Ag膜(以下或統稱為Ag合金膜，膜厚均為100nm，單層膜)，利用DC磁控管濺鍍裝置，以濺鍍法成膜。此時之成膜條件如下所述。
(Ag合金膜成膜條件)
基板溫度：室溫
成膜功率：3.08W/cm2
成膜氣體：Ar
氣體壓力：1~3mTorr
極間距離：55mm
成膜速度：7.0~8.0nm/sec
極限真空度：1.0×10-5Torr以下
上述成膜中，作為濺鍍靶材，在純Ag膜的情形下係使用純Ag靶材。此外，在Ag合金膜的情形下，係使用藉由真空溶解法製作之，與下述表1所示膜組成為相同組成(但當含有Bi時，相對於膜組成而言約含有2倍左右的Bi量)之Ag合金濺鍍靶材、或使用在純Ag靶材的濺鍍面上，黏著有由構成下述表1所示膜的金屬元素所構成之金屬薄片(chip)而成之複合靶材(尺寸均為直徑4英吋)、或使用構成下述表1所示膜組成之各金屬靶材而以同時放電來進行共濺鍍法。任一種情形下，靶材尺寸均使用直徑4英吋者。
如此得到的Ag合金膜之組成，係利用島津製作所公司製之ICP發光分光分析裝置「ICP-8000型」)，以定量分析確認。
(1-2)Ag合金膜與透明導電膜的二層層積膜試料之製作
在依上述(Ag合金膜成膜條件)方法而得到之Ag合 金膜上層積ITO膜，製作出二層膜試料。詳細來說，是在玻璃基板上形成Ag合金膜(膜厚：100nm)，其後連續依下述(ITO膜成膜條件)之方法形成ITO膜(膜厚：7nm)，而得到二層層積膜試料(玻璃基板\Ag合金膜：100nm\ITO：10nm)。
(ITO膜成膜條件)
基板溫度：室溫
成膜功率：1.85W/cm2
成膜氣體：5%-O2混合Ar氣體
氣體壓力：1~3mTorr
極間距離：55mm
成膜速度：0.2~0.3nm/sec
極限真空度：1.0×10-5Torr以下
接著針對該層積膜，利用ULVAC-RIKO公司製RTP-6紅外線燈熱處理爐，於氮氣環境中施以250℃保持1小時之熱處理，以模擬製造過程中之後退火。
(1-3)Ag合金膜與透明導電膜的三層層積膜試料之製作
在依上述(Ag合金膜成膜條件)方法而得到之Ag合金膜的上下，分別層積依上述(ITO膜成膜條件)方法而得到之ITO膜，製作出三層膜試料。詳細來說，是在玻璃基板上連續形成ITO膜(膜厚：10nm)、Ag合金膜(膜厚：100nm)、ITO膜(膜厚10nm)，得到層積膜(玻璃 基板\ITO膜：10nm\Ag合金膜：100nm\ITO膜：10nm)。接著針對該層積膜，利用ULVAC-RIKO公司製RTP-6紅外線燈熱處理爐，於氮氣環境中施以250℃保持1小時之熱處理，以模擬製造過程中之後退火。
(2)各種特性之評估
利用依上述方法得到之單層膜試料或其與透明導電膜的層積膜試料(二層或三層層積膜)，測定反射率、電阻率、及耐氧化性。測定方法詳如下述。
(2-1)波長550nm可見光之反射率測定
使用如上述般得到之試料，利用日本分光公司製V-570分光光度計，測定絕對反射率而求得在波長550nm下的反射率。對於得到的反射率，當為單層膜的情形下達90%以上、當為層積膜的情形下達80%以上者，便評估其反射率高。
(2-2)電阻率測定
使用如上述般得到之試料，以4探針法測定電阻率。對於得到的電阻率，當為單層膜的情形下達8.1μΩ‧cm以下、當為三層層積膜的情形下達6.0μΩ‧cm以下者，便評估其電阻率低。
(2-3)耐氧化性測定
耐氧化性係以下述二種方法評估。
(2-3A)因UV處理所致之缺陷發生頻率的測定(二層層積膜試料之情形)
對於前述二層層積膜試料，依下述(UV處理條件A)施以UV處理。該UV處理中，係使用GS Yuasa Lighting Ltd.製Deep UV PROCESSOR DUV-800-6。接著，UV處理後之層積膜缺陷(因Ag氧化所致之黑色缺陷)的個數及面積，係利用soft imagin system公司之analySIS，對50倍攝影之光學顯微鏡照片做圖像處理並計測之。然後，對於每單位面積(120mm×90mm)發生之缺陷數在500個以下，且以No.1(純Ag膜)的缺陷面積(11618像素)為基準時，缺陷面積為5000像素以下者，評估其耐氧化性優良。
(UV處理條件A)
低壓水銀燈
試驗環境：大氣下
中心波長：254nm
UV照度：40mW/cm2
照射時間：30min
(2-3B)因UV照射所致之反射率變化量的測定(單層膜試料之情形)
對於前述單層膜試料，利用上述(2-3A)記載之UV處理裝置做UV照射。UV照射條件如下述(UV處理條件B)。分別針對UV照射前後，利用日本分光公司製V-570分光光度計測定在波長550nm下的反射率，算出反射率變化量。對於得到的反射率變化量為20%以下(絕對值)者，評估其耐氧化性優良。
(UV處理條件B)
低壓水銀燈
試驗環境：大氣下
中心波長：254nm
UV照度：40mW/cm2
照射時間：60秒
該些結果併記於表1。表中，「OK」意指合格，「NG」意指不合格。此外，表1最右欄中設置「總合判定」欄位，將滿足所有特性者標為「OK」，有任一項不合格(NG)者標為「NG」。表中，「-」為未進行測定的例子。此外，表1中設置備註欄，將滿足本發明要件者標為「本發明例」、未滿足本發明任一要件者標為「比較例」、滿足前述前案之範圍者標為「參考例」。
由表1可知，滿足本發明要件之No.5、6、10、11、14、19，均具有低電阻率及高反射率，且耐氧化性優良。
相對於此，使用純Ag之No.1，雖電阻率及反射率良好，但耐氧化性降低。
為供參考，圖2揭示針對表1之No.1(純Ag)及No.10(Ag-0.1原子% Bi-2.88原子% Zn：本發明例)的三層層積膜試料，以光學顯微鏡(倍率50倍)觀察UV照射後的各試料表面之照片。此處，係依如同上述(UV處理條件A)之條件進行了UV照射。
如圖2所示，純Ag膜的情形下，觀察到多數個因Ag氧化所致之黑色缺陷。相對於此，本發明例之No.10中幾乎見不到黑點。
No.2~7為將Ag中的Zn量依表1範圍而改變者。若著眼於耐氧化性，則隨著Zn量變多，可看出耐氧化性大致有改善的傾向，即使如No.7般Zn量超過本發明所規定上限，仍得到良好的耐氧化性。No.2~7的反射率亦皆高。另一方面，電阻率伴隨Zn量的增加而增加，No.7中電阻率超過了本發明基準。
No.8~11為在Ag中添加了Zn及Bi之例子，並將Ag中的Zn量依表1範圍而改變者。若著眼於耐氧化性，則如同上述般，隨著Zn量變多，可看出耐氧化性大致有改善的傾向，即使如No.11般Zn量為本發明所規定上限，仍得到良好的耐氧化性。此外，它們全都具有高 反射率及低電阻率。
No.12~17為將Ag中的In量依表1範圍而改變者。若著眼於耐氧化性，則隨著In量變多，可看出耐氧化性大致有改善的傾向，即使如No.15、16般In量超過本發明所規定上限，仍得到良好的耐氧化性，但若如No.17般In量極端地變多，則耐氧化性會劣化。No.12~17的反射率皆高。另一方面，電阻率伴隨In量的增加而增加，No.15~17中電阻率超過了本發明基準。
No.18~20為在Ag中添加了In及Bi之例子，並將Ag中的In量依表1範圍而改變者。若著眼於耐氧化性，則如同上述般，隨著In量變多，可看出耐氧化性大致有改善的傾向，即使如No.20般In量超過本發明所規定上限，仍得到良好的耐氧化性。此外，它們全都具有高反射率。另一方面，若如No.20般In量超過本發明上限，則電阻率超過了本發明基準。
No.21~25為在Ag中添加了本發明所規定元素以外的元素之比較例。如表1所示，可知該些比較例中，至少無法確保低電阻率或耐氧化性的其中一者。
詳細來說，No.20、21為前述專利文獻3記載之添加了Ge的例子。如No.21般，若Ge量為2.0原子%，則耐氧化性、反射率雖良好，但電阻率增加。此外，如No.22般，若Ge量多達3.4原子%，則不僅電阻率增加，耐氧化性亦劣化。
No.24為添加了Bi及Ge兩者之例子。如 No.24般，若Ge量為0.5原子%，則即使添加Bi，仍看不出Ge添加所造成之耐氧化性改善作用。
No.23為添加了Cu之例子，即使添加Cu，耐氧化性仍劣化。
No.25為在上述No.24中更添加Cu，而含有Bi及Ge及Cu之例子。No.25耐氧化性亦劣化。
由上述No.21~25的結果證實，若欲確保良好的耐氧化性，則尤其是添加本發明所規定之元素，極為有效。
雖已詳細且參照特定的實施態樣說明了本發明，但在不脫離本發明精神與範圍內，所屬技術領域者自可施加各種變更或修正。
本申請案係以2013年6月26日申請之日本發明專利申請案(特願2013-134344)為基礎，其內容被援引於此以作為參照。
產業利用性
本發明可有效運用於液晶顯示器、有機EL顯示器(例如上發光型OLED顯示器)、無機EL顯示器等顯示裝置；有機EL照明、無機EL照明等照明裝置或觸控面板等。

Claims (12)

  1. 一種反射電極或配線電極用Ag合金膜，係用於反射電極或配線電極之Ag合金膜，其特徵為，含有下述至少其中一者：In超過2.0原子%且2.7原子%以下；Zn超過2.0原子%且3.5原子%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之Ag合金膜，其中，更含有0.01~1.0原子%之Bi。
  3. 一種反射電極或配線電極，其特徵為：僅在如申請專利範圍第1項或第2項之Ag合金膜的相鄰上方、或在前述Ag合金膜的相鄰上方及相鄰下方，形成有膜厚5nm以上未滿25nm之透明導電膜者。
  4. 如申請專利範圍第3項之反射電極或配線電極，其中，前述透明導電膜為ITO或IZO。
  5. 一種Ag合金濺鍍靶材，係用於如申請專利範圍第1項或第2項之Ag合金膜的成膜之Ag合金濺鍍靶材，其特徵為，含有下述至少其中一者：In超過2.0原子%且2.7原子%以下；Zn超過2.0原子%且3.5原子%以下。
  6. 如申請專利範圍第5項之Ag合金濺鍍靶材，其中，更含有0.01~2.0原子%之Bi。
  7. 一種顯示裝置，其特徵為：具備如申請專利範圍第3項之反射電極。
  8. 一種顯示裝置，其特徵為：具備如申請專利範圍 第4項之反射電極。
  9. 一種觸控面板，其特徵為：具備如申請專利範圍第3項之配線電極。
  10. 一種觸控面板，其特徵為：具備如申請專利範圍第4項之配線電極。
  11. 一種照明裝置，其特徵為：具備如申請專利範圍第3項之反射電極。
  12. 一種照明裝置，其特徵為：具備如申請專利範圍第4項之反射電極。
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