JP4418777B2 - Ag基合金からなるスパッタリングターゲット材および薄膜 - Google Patents
Ag基合金からなるスパッタリングターゲット材および薄膜 Download PDFInfo
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耐熱性試験
各薄膜サンプルの反射率を測定後、大気中200℃または250℃の温度で1時間熱処理した後、再度反射率を測定し、熱処理前後の反射率の変化率を下記式(1)により算出した。反射率は測定波長400nmまたは700nmの値を用いた。以下の試験においても同様。
変化率(%)=100−(試験後の反射率/試験前の反射率×100) (1)
200℃×1時間熱処理時の耐熱性試験の結果を表4にそして250℃×1時間熱処理時の試験結果を表5に示す。
恒温恒湿試験
各薄膜サンプルの反射率を測定した後、80℃、95%RH(相対湿度)の恒温恒湿器に入れ、96時間(4日間)放置した後、再度反射率を測定し、試験前後の反射率の変化率を前記式(1)により算出した。その結果を表6に示す。
耐硫化性試験
前記と同様にしてガラス基板上に実施例1−2〜1−4ならびに比較例1−1、1−2および1−4の薄膜(膜厚130nm)を形成せしめ、その薄膜の反射率を測定した後、0.01%硫化ナトリウム(Na2S)水溶液中に1時間浸漬し、再度反射率を測定し、試験前後の反射率の変化率を前記式(1)により算出した。その結果を表7に示す。
前記と同様にしてガラス基板上に実施例1−5〜1−9および比較例1−1の薄膜(膜厚130nm)を形成せしめ、その薄膜の反射率を測定した後、3%塩化ナトリウム(NaCl)水溶液中に10分浸漬し、再度反射率を測定し、試験前後の反射率の変化率を前記式(1)により算出した。その結果を表8に示す。
前記と同様にしてガラス基板上に実施例1−1〜1−17の薄膜(膜厚150nm)を形成せしめ、形成直後の薄膜の電気抵抗を直流四端子法にて測定した。
電気抵抗=抵抗(Ω)×断面積/電圧測定端子間の距離
その結果を表9に示す。
安定性試験
膜厚が1〜50nm程度の、入射光を一部を反射しかつ一部を透過させるような薄膜は、ほとんど光が透過しない膜厚が80nm以上の薄膜に比べて、熱や湿度に対する影響をさらに受けやすく、膜が凝集し粒子状となり、反射率が低下し、透過率が増大しやすい。そこで、膜厚が20nm近傍の薄膜の熱に対する安定性試験を行った。
反射率および透過率の変化率(%)=[((100−(試験後の反射率/試験前
の反射率))2)1/2×100+((100−(試験後の透過率/試験前の透過
率))2)1/2×100] (2)
その結果を表10に示す。
Claims (11)
- AgとCuとTeおよび/またはSeよりなるAg基合金からなり、CuとTeおよび/またはSeを合計で0.01〜5.0at%含有し、Cuの含有量がTeおよび/またはSeの含有量以上であり、残部がAgおよび不可避不純物よりなることを特徴とするスパッタリングターゲット材。
- Ag基合金がさらにIn、SnおよびZnから選ばれる少なくとも1種の金属を0.005〜2.0at%添加してなるものであることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
- Ag基合金がさらにPd、Au、Pt、RuおよびIrから選ばれる少なくとも1種の金属を0.005〜2.0at%添加してなるものであることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
- Ag基合金がさらにFe、Ni、BiおよびPから選ばれる少なくとも1種の金属を0.005〜3.0at%添加してなるものであることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
- Ag基合金がさらにIn、SnおよびZnから選ばれる少なくとも1種の金属と、Pd、Au、Pt、RuおよびIrから選ばれる少なくとも1種の金属を合計で0.01〜4.0at%添加してなるものであることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
- Ag基合金がさらにIn、SnおよびZnから選ばれる少なくとも1種の金属と、Fe、Ni、BiおよびPから選ばれる少なくとも1種の金属を合計で0.01〜5.0at%添加してなるものであることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
- Ag基合金がさらにPd、Au、Pt、RuおよびIrから選ばれる少なくとも1種の金属、Fe、Ni、BiおよびPから選ばれる少なくとも1種の金属を合計で0.01〜5.0at%添加してなるものであることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
- Ag基合金がさらにIn、SnおよびZnから選ばれる少なくとも1種の金属と、Pd、Au、Pt、RuおよびIrから選ばれる少なくとも1種と、Fe、Ni、BiおよびPから選ばれる少なくとも1種の金属を合計で0.015〜7.0at%添加してなるものであることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット材。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のAg基合金からなる反射膜。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のAg基合金からなる配線用または電極用薄膜。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のAg基合金からなる膜厚が50nm以下の半反射型半透過膜。
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