JP2003160860A - 光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット - Google Patents
光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットInfo
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- JP2003160860A JP2003160860A JP2001360191A JP2001360191A JP2003160860A JP 2003160860 A JP2003160860 A JP 2003160860A JP 2001360191 A JP2001360191 A JP 2001360191A JP 2001360191 A JP2001360191 A JP 2001360191A JP 2003160860 A JP2003160860 A JP 2003160860A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ）などの光記録媒体の反射膜を形成するための銀合金
スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】Ｇｅ：０．５〜１０質量％を含み、さらに
必要に応じてＣｒ，Ｃｏ，Ｎｉの内の１種または２種以
上を合計で０．０１〜２質量％を含み、残部がＡｇであ
る組成の銀合金からなる光記録媒体の反射膜形成用銀合
金スパッタリングターゲット、およびそのターゲットを
スパッタリングすることにより形成された経時変化の少
ない光記録媒体の反射膜。
Ｍ）などの光記録媒体の反射膜を形成するための銀合金
スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】Ｇｅ：０．５〜１０質量％を含み、さらに
必要に応じてＣｒ，Ｃｏ，Ｎｉの内の１種または２種以
上を合計で０．０１〜２質量％を含み、残部がＡｇであ
る組成の銀合金からなる光記録媒体の反射膜形成用銀合
金スパッタリングターゲット、およびそのターゲットを
スパッタリングすることにより形成された経時変化の少
ない光記録媒体の反射膜。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光記録ディスク
（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体の反
射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲット
に関するものである。
（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体の反
射膜を形成するための銀合金スパッタリングターゲット
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体の反射膜として純Ａｇ
反射膜が使用されており、この純Ａｇ反射膜は４００〜
８３０ｎｍの幅広い波長域での反射率が高く、特に他の
金属の反射膜にくらべて、青色レーザー光などの短波長
のレーザー光に対する反射率が優れているところから広
く使用されている。しかし、記録媒体が書き換え可能な
相変化形タイプの場合は、反射膜は記録媒体の線速に応
じて熱伝導率を容易に制御できることが必要であるが、
Ａｇ反射膜は熱伝導率が良すぎるという欠点がある。し
たがって反射率が高くかつ熱伝導率の低い反射膜が求め
られており、その反射率が高くかつ熱伝導率の低い反射
膜の例としてＡｇにＣｕ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉ
ｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔのうちの１種以上を
含むＡｇ合金からなる反射膜が知られている（特開２０
０１−３５０１４号公報、特開平１１−２１３４４８号
公報など参照）。
ＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体の反射膜として純Ａｇ
反射膜が使用されており、この純Ａｇ反射膜は４００〜
８３０ｎｍの幅広い波長域での反射率が高く、特に他の
金属の反射膜にくらべて、青色レーザー光などの短波長
のレーザー光に対する反射率が優れているところから広
く使用されている。しかし、記録媒体が書き換え可能な
相変化形タイプの場合は、反射膜は記録媒体の線速に応
じて熱伝導率を容易に制御できることが必要であるが、
Ａｇ反射膜は熱伝導率が良すぎるという欠点がある。し
たがって反射率が高くかつ熱伝導率の低い反射膜が求め
られており、その反射率が高くかつ熱伝導率の低い反射
膜の例としてＡｇにＣｕ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｂｉ，Ｉ
ｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔのうちの１種以上を
含むＡｇ合金からなる反射膜が知られている（特開２０
０１−３５０１４号公報、特開平１１−２１３４４８号
公報など参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら従来の
Ａｇ合金反射膜は、いずれも表面の耐候性が不十分であ
るところから、時間が経つにつれて反射率が低下し、特
に波長の短い青色レーザー光に対する反射率の低下が著
しく、短期間に光記録媒体の反射膜としての性能が低下
するという問題点があった。
Ａｇ合金反射膜は、いずれも表面の耐候性が不十分であ
るところから、時間が経つにつれて反射率が低下し、特
に波長の短い青色レーザー光に対する反射率の低下が著
しく、短期間に光記録媒体の反射膜としての性能が低下
するという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、経
時変化の少ないＡｇ合金反射膜を得るべく研究を行なっ
ていたところ、Ｇｅ：０．５〜１０質量％を含み、さら
に必要に応じてＣｒ，Ｃｏ，Ｎｉの内の１種または２種
以上を合計で０．０１〜２質量％を含み、残部がＡｇで
ある組成の銀合金からなるターゲットを用いてスパッタ
リングすることにより得られた銀合金反射膜は、経時変
化による反射率の低下が極めて少なくなる、という研究
結果が得られたのである。
時変化の少ないＡｇ合金反射膜を得るべく研究を行なっ
ていたところ、Ｇｅ：０．５〜１０質量％を含み、さら
に必要に応じてＣｒ，Ｃｏ，Ｎｉの内の１種または２種
以上を合計で０．０１〜２質量％を含み、残部がＡｇで
ある組成の銀合金からなるターゲットを用いてスパッタ
リングすることにより得られた銀合金反射膜は、経時変
化による反射率の低下が極めて少なくなる、という研究
結果が得られたのである。
【０００５】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）Ｇｅ：０．５〜１０質量％
を含み、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録
媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット、
（２）Ｇｅ：０．５〜１０質量％を含み、さらにＣｒ，
Ｃｏ，Ｎｉの内の１種または２種以上を合計で０．０１
〜２質量％を含み、残部がＡｇである組成の銀合金から
なる光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングタ
ーゲット、（３）前記（１）または（２）記載のターゲ
ットをスパッタリングすることにより形成された経時変
化の少ない光記録媒体の反射膜、に特徴を有するもので
ある。
されたものであって、（１）Ｇｅ：０．５〜１０質量％
を含み、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録
媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット、
（２）Ｇｅ：０．５〜１０質量％を含み、さらにＣｒ，
Ｃｏ，Ｎｉの内の１種または２種以上を合計で０．０１
〜２質量％を含み、残部がＡｇである組成の銀合金から
なる光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングタ
ーゲット、（３）前記（１）または（２）記載のターゲ
ットをスパッタリングすることにより形成された経時変
化の少ない光記録媒体の反射膜、に特徴を有するもので
ある。
【０００６】この発明の銀合金反射膜を形成するための
スパッタリングターゲットは、高純度Ａｇを真空または
不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯にＧｅを添
加してＡｇ合金溶湯を作製し、さらに必要に応じてこの
Ａｇ合金溶湯に、予め作製しておいたＣｒ−Ａｇ母合
金、Ｃｏ−Ａｇ母合金、Ｎｉ−Ａｇ母合金を添加して所
定の成分組成のＡｇ合金となるように真空または不活性
ガス雰囲気中で溶解し、このようにして得られた溶湯を
真空または不活性ガス雰囲気中で鋳造してインゴットを
作製し、得られたインゴットを熱間加工したのち機械加
工することにより製造することができる。
スパッタリングターゲットは、高純度Ａｇを真空または
不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯にＧｅを添
加してＡｇ合金溶湯を作製し、さらに必要に応じてこの
Ａｇ合金溶湯に、予め作製しておいたＣｒ−Ａｇ母合
金、Ｃｏ−Ａｇ母合金、Ｎｉ−Ａｇ母合金を添加して所
定の成分組成のＡｇ合金となるように真空または不活性
ガス雰囲気中で溶解し、このようにして得られた溶湯を
真空または不活性ガス雰囲気中で鋳造してインゴットを
作製し、得られたインゴットを熱間加工したのち機械加
工することにより製造することができる。
【０００７】次に、この発明のＡｇ合金からなるスパッ
タリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成
したＡｇ合金反射膜の成分組成を前記の如く限定した理
由を説明する。
タリングターゲットおよびこのターゲットを用いて形成
したＡｇ合金反射膜の成分組成を前記の如く限定した理
由を説明する。
【０００８】Ｇｅ：ＧｅはＡｇ合金反射膜の反射率が経
時変化するのを防止する効果があるが、Ｇｅが０．５質
量％未満含まれていても十分な耐候性が得られず、一方、
１０質量％を越えて含有すると、Ａｇ合金反射膜の初期
反射率が低下するようになるので好ましくない。したが
って、Ａｇ合金反射膜およびこのＡｇ合金反射膜を形成
するためのスパッタリングターゲットに含まれるこれら
成分の含有量は０．５〜１０質量％(一層好ましくは１
〜３質量％)に定めた。
時変化するのを防止する効果があるが、Ｇｅが０．５質
量％未満含まれていても十分な耐候性が得られず、一方、
１０質量％を越えて含有すると、Ａｇ合金反射膜の初期
反射率が低下するようになるので好ましくない。したが
って、Ａｇ合金反射膜およびこのＡｇ合金反射膜を形成
するためのスパッタリングターゲットに含まれるこれら
成分の含有量は０．５〜１０質量％(一層好ましくは１
〜３質量％)に定めた。
【０００９】Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ：これら成分は、Ｇｅ：
０．５〜１０質量％を含むＡｇ合金反射膜の耐候性を一
層強化して反射率が経時変化するのを防止する成分であ
るが、これら成分の１種または２種以上を合計で０．０
１質量％未満含んでも一層の耐候性が得られず、一方、こ
れら成分の１種または２種以上を合計で２質量％を越え
て含有すると、耐候性は一層優れたものとなるものの、
Ａｇ合金反射膜の初期反射率が低下するようになるので
好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射膜およびこの
Ａｇ合金反射膜を形成するためのスパッタリングターゲ
ットに含まれるこれら成分の含有量は０．０１〜２質量
％(一層好ましくは０．０５〜０．５質量％)に定めた。
０．５〜１０質量％を含むＡｇ合金反射膜の耐候性を一
層強化して反射率が経時変化するのを防止する成分であ
るが、これら成分の１種または２種以上を合計で０．０
１質量％未満含んでも一層の耐候性が得られず、一方、こ
れら成分の１種または２種以上を合計で２質量％を越え
て含有すると、耐候性は一層優れたものとなるものの、
Ａｇ合金反射膜の初期反射率が低下するようになるので
好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射膜およびこの
Ａｇ合金反射膜を形成するためのスパッタリングターゲ
ットに含まれるこれら成分の含有量は０．０１〜２質量
％(一層好ましくは０．０５〜０．５質量％)に定めた。
【００１０】
【発明の実施の形態】ＡｇおよびＧｅをＡｒ雰囲気にて
高周波誘導加熱炉により溶解し、得られた溶湯に、予め
プラズマアーク溶解炉を使用して作製しておいたＣｒ−
Ａｇ母合金、Ｃｏ−Ａｇ母合金、Ｎｉ−Ａｇ母合金を必
要に応じて添加してＡｇ合金溶湯を作製し、これらＡｇ
合金溶湯をＡｒ雰囲気中で鋳造することにより直径：１
００ｍｍ、長さ：９０ｍｍの寸法を有するインゴットを
作製した。このインゴットを輪切り状に切断して直径：
１００ｍｍ、厚さ：３０ｍｍの寸法を有する円板を作製
し、さらにこの円板を６００℃にて熱間圧延することに
より厚さ：６ｍｍの寸法を有する圧延板を作製し、これ
を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚さ：５
ｍｍの寸法を有し表１〜３に示される成分組成を有する
本発明銀合金スパッタリングターゲット（以下、本発明
ターゲットという）１〜２６および比較銀合金スパッタ
リングターゲット（以下、比較ターゲットという）１〜
５を作製した。さらにＡｇを溶解し、同様にして従来銀
スパッタリングターゲット（以下、従来ターゲットとい
う）を作製した。
高周波誘導加熱炉により溶解し、得られた溶湯に、予め
プラズマアーク溶解炉を使用して作製しておいたＣｒ−
Ａｇ母合金、Ｃｏ−Ａｇ母合金、Ｎｉ−Ａｇ母合金を必
要に応じて添加してＡｇ合金溶湯を作製し、これらＡｇ
合金溶湯をＡｒ雰囲気中で鋳造することにより直径：１
００ｍｍ、長さ：９０ｍｍの寸法を有するインゴットを
作製した。このインゴットを輪切り状に切断して直径：
１００ｍｍ、厚さ：３０ｍｍの寸法を有する円板を作製
し、さらにこの円板を６００℃にて熱間圧延することに
より厚さ：６ｍｍの寸法を有する圧延板を作製し、これ
を機械加工することにより直径：２００ｍｍ、厚さ：５
ｍｍの寸法を有し表１〜３に示される成分組成を有する
本発明銀合金スパッタリングターゲット（以下、本発明
ターゲットという）１〜２６および比較銀合金スパッタ
リングターゲット（以下、比較ターゲットという）１〜
５を作製した。さらにＡｇを溶解し、同様にして従来銀
スパッタリングターゲット（以下、従来ターゲットとい
う）を作製した。
【００１１】この様にして得られた本発明ターゲット１
〜２６、比較ターゲット１〜５および従来ターゲットを
それぞれ厚さ：１０ｍｍの無酸素銅製冷却板にＩｎ−Ｓ
ｎ共晶はんだを用いてはんだ付けしたのち、通常の直流
マグネトロンスパッタリング装置に取り付け、さらに直
径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍの寸法を有するポリ
カーボネート樹脂板をターゲットと基板の距離が７ｃｍ
となるようにセットし、チャンバー内を１×１０-4Ｐａ
まで真空に引いた後、アルゴンガスをチャンバー内に
０．５Ｐａになるまで入れ、直流電力：１００Ｗの条件
で４０秒間スパッタリングし、膜厚：１００ｎｍの反射
膜を形成した。
〜２６、比較ターゲット１〜５および従来ターゲットを
それぞれ厚さ：１０ｍｍの無酸素銅製冷却板にＩｎ−Ｓ
ｎ共晶はんだを用いてはんだ付けしたのち、通常の直流
マグネトロンスパッタリング装置に取り付け、さらに直
径：１２０ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍの寸法を有するポリ
カーボネート樹脂板をターゲットと基板の距離が７ｃｍ
となるようにセットし、チャンバー内を１×１０-4Ｐａ
まで真空に引いた後、アルゴンガスをチャンバー内に
０．５Ｐａになるまで入れ、直流電力：１００Ｗの条件
で４０秒間スパッタリングし、膜厚：１００ｎｍの反射
膜を形成した。
【００１２】これら反射膜に、波長が４０５ｎｍおよび
６５０ｎｍのレーザー光を照射してエリプソメータによ
り反射率を測定し、その後反射膜を恒温恒湿槽容器(８０
℃、８５％)に２００時間保持した後、同様にして波長が
４０５ｎｍおよび６５０ｎｍのレーザー光を照射してエ
リプソメータにより反射率を測定し、その結果を表１〜
３に示すことにより反射膜の耐候性を評価した。
６５０ｎｍのレーザー光を照射してエリプソメータによ
り反射率を測定し、その後反射膜を恒温恒湿槽容器(８０
℃、８５％)に２００時間保持した後、同様にして波長が
４０５ｎｍおよび６５０ｎｍのレーザー光を照射してエ
リプソメータにより反射率を測定し、その結果を表１〜
３に示すことにより反射膜の耐候性を評価した。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】表１〜３に示される結果から、この発明の
本発明ターゲット１〜２６を用いてスパッタリングを行
うことにより得られた反射膜は、比較ターゲット１〜５
および従来ターゲットを用いてスパッタリングを行うこ
とにより得られた反射膜に比べて反射率の低下が少ない
ところから、耐候性に優れていることがわかる。
本発明ターゲット１〜２６を用いてスパッタリングを行
うことにより得られた反射膜は、比較ターゲット１〜５
および従来ターゲットを用いてスパッタリングを行うこ
とにより得られた反射膜に比べて反射率の低下が少ない
ところから、耐候性に優れていることがわかる。
【００１７】
【発明の効果】上述のように、この発明の光記録媒体の
反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いて
作製した反射膜は、従来の光記録媒体の反射膜形成用銀
スパッタリングターゲットを用いて作製した反射膜に比
べて、経時変化による反射率の低下が少なく、長期にわた
って使用できる光記録媒体を製造することができ、メデ
ィア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いて
作製した反射膜は、従来の光記録媒体の反射膜形成用銀
スパッタリングターゲットを用いて作製した反射膜に比
べて、経時変化による反射率の低下が少なく、長期にわた
って使用できる光記録媒体を製造することができ、メデ
ィア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
Claims (3)
- 【請求項１】Ｇｅ：０．５〜１０質量％を含み、残部が
Ａｇである組成の銀合金からなることを特徴とする光記
録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲッ
ト。 - 【請求項２】Ｇｅ：０．５〜１０質量％を含み、さらに
Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの内の１種または２種以上を合計で
０．０１〜２質量％を含み、残部がＡｇである組成の銀
合金からなることを特徴とする光記録媒体の反射膜形成
用銀合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】請求項１または２記載のターゲットをスパ
ッタリングすることにより形成された経時変化の少ない
光記録媒体の反射膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001360191A JP2003160860A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001360191A JP2003160860A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003160860A true JP2003160860A (ja) | 2003-06-06 |
Family
ID=19171051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001360191A Pending JP2003160860A (ja) | 2001-11-27 | 2001-11-27 | 光記録媒体の反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003160860A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005020222A1 (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-03 | Mitsubishi Materials Corporation | 光記録媒体の反射膜および反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット |
| WO2005056849A1 (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-23 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 反射率維持特性に優れた銀合金 |
| WO2016151839A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 株式会社山森製作所 | 銀合金および銀合金製装飾品 |
| WO2019221257A1 (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層膜、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲット |
| CN112119179A (zh) * | 2018-05-17 | 2020-12-22 | 三菱综合材料株式会社 | 层叠膜及Ag合金溅射靶 |
-
2001
- 2001-11-27 JP JP2001360191A patent/JP2003160860A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005020222A1 (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-03 | Mitsubishi Materials Corporation | 光記録媒体の反射膜および反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット |
| WO2005056849A1 (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-23 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 反射率維持特性に優れた銀合金 |
| WO2016151839A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 株式会社山森製作所 | 銀合金および銀合金製装飾品 |
| WO2019221257A1 (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層膜、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲット |
| CN112119179A (zh) * | 2018-05-17 | 2020-12-22 | 三菱综合材料株式会社 | 层叠膜及Ag合金溅射靶 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
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