JP2003155559A - 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット - Google Patents
光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲットInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射層を形成するため
の銀合金スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】（１）Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：
０．００５〜０．５質量％を含有し残部がＡｇである組
成の銀合金、（２）前記（１）の銀合金にＣａ，Ｂｅ，
Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００
５〜０．０５質量％を含有した銀合金、（３）前記
（１）の銀合金にＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選
ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を
含有した銀合金、または（４）前記（１）の銀合金にＡ
ｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量
％、Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種ま
たは２種以上の合計：０．１〜３質量％、Ｃａ，Ｂｅ，
Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００
５〜０．０５質量％を含有した銀合金からなる。
Ｍ）などの光記録媒体のＡｇ合金反射層を形成するため
の銀合金スパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】（１）Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：
０．００５〜０．５質量％を含有し残部がＡｇである組
成の銀合金、（２）前記（１）の銀合金にＣａ，Ｂｅ，
Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００
５〜０．０５質量％を含有した銀合金、（３）前記
（１）の銀合金にＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選
ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％を
含有した銀合金、または（４）前記（１）の銀合金にＡ
ｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量
％、Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種ま
たは２種以上の合計：０．１〜３質量％、Ｃａ，Ｂｅ，
Ｓｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００
５〜０．０５質量％を含有した銀合金からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザー
などのレーザービームを用いて音声、映像、文字などの情
報信号を再生あるいは記録・再生・消去を行う光記録デ
ィスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒
体の構成層である半透明反射層または反射層(以下、両者
を含めて反射層と呼ぶ)をスパッタリング法にて形成す
るための銀合金スパッタリングターゲットに関するもの
である。
などのレーザービームを用いて音声、映像、文字などの情
報信号を再生あるいは記録・再生・消去を行う光記録デ
ィスク（ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒
体の構成層である半透明反射層または反射層(以下、両者
を含めて反射層と呼ぶ)をスパッタリング法にて形成す
るための銀合金スパッタリングターゲットに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、光記録ディスク（ＣＤ−ＲＷ，Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体の反射層としてＡｇま
たはＡｇ合金反射層が使用されており、このＡｇまたは
Ａｇ合金反射層は４００〜８３０ｎｍの幅広い波長域で
の反射率が高く、特に光記録媒体の高密度化記録に用い
られる短波長のレーザー光に対して反射率が大きいので
好適であるとされている。 前記ＡｇまたはＡｇ合金反射層の形成には、Ａｇ、Ａｇ
−Ａｌ合金またはＡｇ−Ｃｕ合金からなるターゲットを
スパッタすることにより形成されることが知られている
（特開昭５７−１８６２４４号公報、特開平１１−２１
３４４８号公報、特開２０００−１０９９４３号公報、特
開２０００−５７６２７号など参照）。
ＶＤ−ＲＡＭ）などの光記録媒体の反射層としてＡｇま
たはＡｇ合金反射層が使用されており、このＡｇまたは
Ａｇ合金反射層は４００〜８３０ｎｍの幅広い波長域で
の反射率が高く、特に光記録媒体の高密度化記録に用い
られる短波長のレーザー光に対して反射率が大きいので
好適であるとされている。 前記ＡｇまたはＡｇ合金反射層の形成には、Ａｇ、Ａｇ
−Ａｌ合金またはＡｇ−Ｃｕ合金からなるターゲットを
スパッタすることにより形成されることが知られている
（特開昭５７−１８６２４４号公報、特開平１１−２１
３４４８号公報、特開２０００−１０９９４３号公報、特
開２０００−５７６２７号など参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、光記録媒体の
中でも記録層に相変化記録材料を用い、繰り返し記録・
再生・消去を行う光記録媒体においては、記録・再生・
消去の繰り返し回数が増大するにつれて、ＡｇまたはＡ
ｇ合金反射層の反射率が低下し、長期に亘る十分な記録
再生耐性が得られなかった。この原因の一つとして光記
録媒体に繰り返し記録・再生・消去を行うと、レーザー
光の照射によりＡｇ反射層の加熱冷却が繰り返され、そ
れによってＡｇ反射層が再結晶化し、結晶粒が粗大化す
ることによって反射率が低下することを突き止めた。
中でも記録層に相変化記録材料を用い、繰り返し記録・
再生・消去を行う光記録媒体においては、記録・再生・
消去の繰り返し回数が増大するにつれて、ＡｇまたはＡ
ｇ合金反射層の反射率が低下し、長期に亘る十分な記録
再生耐性が得られなかった。この原因の一つとして光記
録媒体に繰り返し記録・再生・消去を行うと、レーザー
光の照射によりＡｇ反射層の加熱冷却が繰り返され、そ
れによってＡｇ反射層が再結晶化し、結晶粒が粗大化す
ることによって反射率が低下することを突き止めた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは、記
録・再生・消去の繰り返し回数が増大しても反射層の反
射率が低下することの少ないＡｇ合金反射層を得るべく
研究を行った。その結果、 （イ）ＡｇにＡｌおよびＣｕを共に添加した銀合金から
なるターゲットを用いてスパッタすることにより得られ
た銀合金反射層は、従来のＡｇ、Ａｇ−Ａｌ合金または
Ａｇ−Ｃｕ合金からなるターゲットをスパッタすること
により形成された銀合金反射層に比べて、レーザービー
ムの繰り返し照射による繰り返し加熱冷却を受けても結
晶粒が粗大化することが一層少なく、このＡｌおよびＣ
ｕを共に含有する銀合金反射層の成分組成はＡｌ：０．
５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量％を含
み、残部がＡｇであることが好ましい、 （ロ）Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜
０．５質量％を含み、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ば
れる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５
質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金ターゲ
ットを用いてスパッタリングすることにより得られた銀
合金反射層は、レーザービームの繰り返し照射に伴う繰
り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗大化することが一
層少なく、したがって、長期間使用しても反射率の低下
が極めて少ない、（ハ）Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃ
ｕ：０．００５〜０．５質量％を含み、さらにＤｙ，Ｌ
ａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上
の合計：０．１〜３質量％を含み、残部がＡｇである組
成の銀合金ターゲットを用いてスパッタリングすること
により得られた銀合金反射層は、レーザービームの繰り
返し照射に伴う繰り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗
大化することが一層少なく、したがって、長期間使用し
ても反射率の低下が極めて少ない、（ニ）Ａｌ：０．５
〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量％を含み残
部がＡｇである組成の銀合金に、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓ
ｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５
〜０．０５質量％とＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから
選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％
とを共に含んだ銀合金ターゲットを用いてスパッタリン
グすることにより得られた銀合金反射層でも同じ効果が
得られる、という研究結果が得られたのである。
録・再生・消去の繰り返し回数が増大しても反射層の反
射率が低下することの少ないＡｇ合金反射層を得るべく
研究を行った。その結果、 （イ）ＡｇにＡｌおよびＣｕを共に添加した銀合金から
なるターゲットを用いてスパッタすることにより得られ
た銀合金反射層は、従来のＡｇ、Ａｇ−Ａｌ合金または
Ａｇ−Ｃｕ合金からなるターゲットをスパッタすること
により形成された銀合金反射層に比べて、レーザービー
ムの繰り返し照射による繰り返し加熱冷却を受けても結
晶粒が粗大化することが一層少なく、このＡｌおよびＣ
ｕを共に含有する銀合金反射層の成分組成はＡｌ：０．
５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量％を含
み、残部がＡｇであることが好ましい、 （ロ）Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜
０．５質量％を含み、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ば
れる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．０５
質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金ターゲ
ットを用いてスパッタリングすることにより得られた銀
合金反射層は、レーザービームの繰り返し照射に伴う繰
り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗大化することが一
層少なく、したがって、長期間使用しても反射率の低下
が極めて少ない、（ハ）Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃ
ｕ：０．００５〜０．５質量％を含み、さらにＤｙ，Ｌ
ａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上
の合計：０．１〜３質量％を含み、残部がＡｇである組
成の銀合金ターゲットを用いてスパッタリングすること
により得られた銀合金反射層は、レーザービームの繰り
返し照射に伴う繰り返し加熱冷却を受けても結晶粒が粗
大化することが一層少なく、したがって、長期間使用し
ても反射率の低下が極めて少ない、（ニ）Ａｌ：０．５
〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量％を含み残
部がＡｇである組成の銀合金に、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓ
ｉから選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５
〜０．０５質量％とＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから
選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％
とを共に含んだ銀合金ターゲットを用いてスパッタリン
グすることにより得られた銀合金反射層でも同じ効果が
得られる、という研究結果が得られたのである。
【０００５】この発明は、かかる研究結果に基づいて成
されたものであって、（１）Ａｌ：０．５〜５質量％、
Ｃｕ：０．００５〜０．５質量％を含有し、残部がＡｇ
である組成の銀合金からなる光記録媒体の反射層形成用
銀合金スパッタリングターゲット、（２）Ａｌ：０．５
〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量％を含有
し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２
種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、
残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体の反
射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、（３）Ａ
ｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量
％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから
選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％
を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記
録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲッ
ト、（４）Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５
〜０．５質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから
選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．
０５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，
Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜
３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金から
なる光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングタ
ーゲット、に特徴を有するものである。
されたものであって、（１）Ａｌ：０．５〜５質量％、
Ｃｕ：０．００５〜０．５質量％を含有し、残部がＡｇ
である組成の銀合金からなる光記録媒体の反射層形成用
銀合金スパッタリングターゲット、（２）Ａｌ：０．５
〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量％を含有
し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから選ばれる１種または２
種以上の合計：０．００５〜０．０５質量％を含有し、
残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記録媒体の反
射層形成用銀合金スパッタリングターゲット、（３）Ａ
ｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５〜０．５質量
％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄから
選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜３質量％
を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金からなる光記
録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲッ
ト、（４）Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００５
〜０．５質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉから
選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜０．
０５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，
Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．１〜
３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金から
なる光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングタ
ーゲット、に特徴を有するものである。
【０００６】この発明の銀合金反射層を形成するための
スパッタリングターゲットは、原料としていずれも純
度：９９.９９質量％以上の高純度Ａｇ、高純度Ａｌお
よび高純度Ｃｕ、並びに純度：９９.９質量％以上のＤ
ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、これら原料
を高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた
溶湯を真空または不活性ガス雰囲気中で鋳造してインゴ
ットを作製し、これらインゴットを熱間加工したのち機
械加工することにより製造することができる。
スパッタリングターゲットは、原料としていずれも純
度：９９.９９質量％以上の高純度Ａｇ、高純度Ａｌお
よび高純度Ｃｕ、並びに純度：９９.９質量％以上のＤ
ｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、これら原料
を高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた
溶湯を真空または不活性ガス雰囲気中で鋳造してインゴ
ットを作製し、これらインゴットを熱間加工したのち機
械加工することにより製造することができる。
【０００７】Ａｇへの固溶が殆どないＣａ，Ｂｅおよび
Ｓｉについては、それぞれの各元素の濃度が０.２０質
量％となるようにＡｇを配合した後、高周波真空溶解に
て溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧となるまでＡｒガス
を充填した後黒鉛製鋳型に鋳造してＣａ，ＢｅおよびＳ
ｉを含むＡｇの母合金を作製し、この母合金をＡｌとＣ
ｕとともに添加して溶解し鋳造することによりインゴッ
トを作製し、得られたインゴットを熱間加工したのち機
械加工することにより製造することができる。
Ｓｉについては、それぞれの各元素の濃度が０.２０質
量％となるようにＡｇを配合した後、高周波真空溶解に
て溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧となるまでＡｒガス
を充填した後黒鉛製鋳型に鋳造してＣａ，ＢｅおよびＳ
ｉを含むＡｇの母合金を作製し、この母合金をＡｌとＣ
ｕとともに添加して溶解し鋳造することによりインゴッ
トを作製し、得られたインゴットを熱間加工したのち機
械加工することにより製造することができる。
【０００８】次に、この発明のＡｇ合金からなる反射層
およびこのＡｇ合金からなる反射層を形成するためのス
パッタリングターゲットにおける成分組成を前記の如く
限定した理由を説明する。
およびこのＡｇ合金からなる反射層を形成するためのス
パッタリングターゲットにおける成分組成を前記の如く
限定した理由を説明する。
【０００９】Ａｌ，Ｃｕ：ＡｌとＣｕは、共にＡｇに固
溶して結晶粒の強度を高め、結晶粒の再結晶粒化を防止
し、スパッタにより形成された反射層の反射率の低下を
抑制する効果があるが、Ａｌを０．５質量％未満、およ
び／またはＣｕを０．００５％未満含んでも十分な結晶
粒の再結晶粒化を防止することができないので反射層の
反射率の低下を抑止することができず、一方、Ａｌが５質
量％を越え、および／またはＣｕが０．５％を越えて含
有すると、スパッタにより形成されたＡｇ合金反射層の
内部応力が大きくなり、反射層が剥がれやすくなるので
好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこの
Ａｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲ
ットに含まれるこれらＡｌの含有量は０.５〜５質量％
(一層好ましくは１．５〜４．０質量％)、Ｃｕの含有量
は０．００５〜０．５質量％(一層好ましくは０．０１
５〜０．３５質量％)に定めた。
溶して結晶粒の強度を高め、結晶粒の再結晶粒化を防止
し、スパッタにより形成された反射層の反射率の低下を
抑制する効果があるが、Ａｌを０．５質量％未満、およ
び／またはＣｕを０．００５％未満含んでも十分な結晶
粒の再結晶粒化を防止することができないので反射層の
反射率の低下を抑止することができず、一方、Ａｌが５質
量％を越え、および／またはＣｕが０．５％を越えて含
有すると、スパッタにより形成されたＡｇ合金反射層の
内部応力が大きくなり、反射層が剥がれやすくなるので
好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこの
Ａｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲ
ットに含まれるこれらＡｌの含有量は０.５〜５質量％
(一層好ましくは１．５〜４．０質量％)、Ｃｕの含有量
は０．００５〜０．５質量％(一層好ましくは０．０１
５〜０．３５質量％)に定めた。
【００１０】Ｃａ，Ｂｅ，Ｓｉ：これら成分は、Ａｇに
殆ど固溶せず、結晶粒界に析出することにより結晶粒同
士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再結晶化防止をさ
らに促進する成分であるが、これら成分の１種または２
種以上を合計で０．００５質量％未満含んでも格段の効
果が得られず、一方、これら成分の１種または２種以上を
合計で０．０５質量％を越えて含有すると、ターゲット
が著しく硬化し、ターゲットの作製が困難になるので好
ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこのＡ
ｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲッ
トに含まれるこれら成分の含有量は０.００５〜０．０
５質量％(一層好ましくは０．０１０〜０．０３５質量
％)に定めた。
殆ど固溶せず、結晶粒界に析出することにより結晶粒同
士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再結晶化防止をさ
らに促進する成分であるが、これら成分の１種または２
種以上を合計で０．００５質量％未満含んでも格段の効
果が得られず、一方、これら成分の１種または２種以上を
合計で０．０５質量％を越えて含有すると、ターゲット
が著しく硬化し、ターゲットの作製が困難になるので好
ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこのＡ
ｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングターゲッ
トに含まれるこれら成分の含有量は０.００５〜０．０
５質量％(一層好ましくは０．０１０〜０．０３５質量
％)に定めた。
【００１１】Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂ，Ｇｄ：これら成
分は、Ａｇとの反応により金属間化合物を結晶粒界に形
成して結晶粒同士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再
結晶化防止をさらに促進する成分であるが、これら成分
の１種または２種以上を合計で０．１質量％未満含んで
も格段の効果が得られず、一方、これら成分の１種または
２種以上を合計で３質量％を越えて含有すると、ターゲ
ットが著しく硬化し、ターゲットの作製が困難になるの
で好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこ
のＡｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングター
ゲットに含まれるこれら成分の含有量は０．１〜３質量
％(一層好ましくは０．２〜１．５質量％)に定めた。
分は、Ａｇとの反応により金属間化合物を結晶粒界に形
成して結晶粒同士の結合を防止し、Ａｇ合金反射層の再
結晶化防止をさらに促進する成分であるが、これら成分
の１種または２種以上を合計で０．１質量％未満含んで
も格段の効果が得られず、一方、これら成分の１種または
２種以上を合計で３質量％を越えて含有すると、ターゲ
ットが著しく硬化し、ターゲットの作製が困難になるの
で好ましくない。したがって、Ａｇ合金反射層およびこ
のＡｇ合金反射層を形成するためのスパッタリングター
ゲットに含まれるこれら成分の含有量は０．１〜３質量
％(一層好ましくは０．２〜１．５質量％)に定めた。
【００１２】
【発明の実施の形態】実施例１
原料として、いずれも純度：９９.９９質量％以上の高
純度Ａｇ、高純度Ａｌおよび高純度Ｃｕを用意し、これ
ら原料を高周波真空溶解炉で溶解し、得られた溶湯をＡ
ｒガス雰囲気中で黒鉛鋳型に鋳造してインゴットを作製
し、得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した後、
圧延し、次いで機械加工することにより直径：１２５ｍ
ｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表１に示される成分組
成を有する本発明ターゲット１〜９、比較ターゲット１
〜３および従来ターゲット１〜３製造した。
純度Ａｇ、高純度Ａｌおよび高純度Ｃｕを用意し、これ
ら原料を高周波真空溶解炉で溶解し、得られた溶湯をＡ
ｒガス雰囲気中で黒鉛鋳型に鋳造してインゴットを作製
し、得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した後、
圧延し、次いで機械加工することにより直径：１２５ｍ
ｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表１に示される成分組
成を有する本発明ターゲット１〜９、比較ターゲット１
〜３および従来ターゲット１〜３製造した。
【００１３】これら本発明ターゲット１〜９、比較ター
ゲット１〜３および従来ターゲット１〜３をそれぞれ無
酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これを
直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、真空排気装置
にて直流マグネトロンスパッタ装置内を１×１０-4Ｐａ
まで排気した後、Ａｒガスを導入して１．０Ｐａのスパ
ッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに１０
０Ｗの直流スパッタ電力を印加し、前記ターゲットに対
抗しかつ７０ｍｍの間隔を設けてターゲットと平行に配
置した直径：３０ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板
と前記ターゲットの間にプラズマを発生させ、厚さ：１
００ｎｍのＡｇ合金反射膜を形成した。
ゲット１〜３および従来ターゲット１〜３をそれぞれ無
酸素銅製のバッキングプレートにはんだ付けし、これを
直流マグネトロンスパッタ装置に装着し、真空排気装置
にて直流マグネトロンスパッタ装置内を１×１０-4Ｐａ
まで排気した後、Ａｒガスを導入して１．０Ｐａのスパ
ッタガス圧とし、続いて直流電源にてターゲットに１０
０Ｗの直流スパッタ電力を印加し、前記ターゲットに対
抗しかつ７０ｍｍの間隔を設けてターゲットと平行に配
置した直径：３０ｍｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板
と前記ターゲットの間にプラズマを発生させ、厚さ：１
００ｎｍのＡｇ合金反射膜を形成した。
【００１４】このようにして形成した各Ａｇ合金反射膜
の成膜直後の反射率を分光光度計により測定した。その
後、形成した各Ａｇ合金反射膜を温度：８０℃、相対湿
度：８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持したのち、
再度同じ条件で反射率を測定した。得られた反射率デー
タから、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける各
反射率を求め、その結果を表１に示して光記録媒体の反
射膜として記録再生耐性を評価した。
の成膜直後の反射率を分光光度計により測定した。その
後、形成した各Ａｇ合金反射膜を温度：８０℃、相対湿
度：８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持したのち、
再度同じ条件で反射率を測定した。得られた反射率デー
タから、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける各
反射率を求め、その結果を表１に示して光記録媒体の反
射膜として記録再生耐性を評価した。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１に示される結果から、この発明の本発
明ターゲット１〜９を用いてスパッタリングを行うこと
により得られた反射層は、比較ターゲット１〜３および
従来ターゲット１〜３を用いてスパッタリングを行うこ
とにより得られた反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿
度：８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持後の反射率
の低下が少ないことがわかる。
明ターゲット１〜９を用いてスパッタリングを行うこと
により得られた反射層は、比較ターゲット１〜３および
従来ターゲット１〜３を用いてスパッタリングを行うこ
とにより得られた反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿
度：８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持後の反射率
の低下が少ないことがわかる。
【００１７】実施例２
原料として純度：９９.９９質量％以上のＡｇ、Ａｌ、
Ｃｕ，Ｃａ，ＢｅおよびＳｉを用意した。Ｃａ，Ｂｅお
よびＳｉはＡｇへの固溶が殆どないので、それぞれの各
元素の濃度が０.２０質量％となるよにＡｇを配合した
後、高周波真空溶解にて溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧
となるまでＡｒガスを充填したのち黒鉛製鋳型に鋳造す
ることにより予めＣａ，ＢｅおよびＳｉを含むＡｇの母
合金を作製した。この母合金をＡｌおよびＣｕと共にＡ
ｇに添加して溶解し鋳造することによりインゴットを作
製し、得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した
後、圧延し、次いで機械加工することにより直径：１２５
ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表２〜３に示される
成分組成を有する本発明ターゲット１０〜２７を製造し
た。
Ｃｕ，Ｃａ，ＢｅおよびＳｉを用意した。Ｃａ，Ｂｅお
よびＳｉはＡｇへの固溶が殆どないので、それぞれの各
元素の濃度が０.２０質量％となるよにＡｇを配合した
後、高周波真空溶解にて溶解し、溶解後炉内圧力が大気圧
となるまでＡｒガスを充填したのち黒鉛製鋳型に鋳造す
ることにより予めＣａ，ＢｅおよびＳｉを含むＡｇの母
合金を作製した。この母合金をＡｌおよびＣｕと共にＡ
ｇに添加して溶解し鋳造することによりインゴットを作
製し、得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した
後、圧延し、次いで機械加工することにより直径：１２５
ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表２〜３に示される
成分組成を有する本発明ターゲット１０〜２７を製造し
た。
【００１８】このようにして得られた本発明ターゲット
１０〜２７について、実施例１と同様にしてガラス基板
表面に厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金反射膜を形成し、各
Ａｇ合金反射膜の成膜直後の反射率を分光光度計により
測定した。その後、形成した各Ａｇ合金反射膜を温度：
８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒室槽にて２００時間
保持したのち、再度同じ条件で反射率を測定した。得ら
れた反射率のデータから、波長：４００ｎｍおよび６５
０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果を表３〜４に
示して光記録媒体の反射膜として記録再生耐性を評価し
た。
１０〜２７について、実施例１と同様にしてガラス基板
表面に厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金反射膜を形成し、各
Ａｇ合金反射膜の成膜直後の反射率を分光光度計により
測定した。その後、形成した各Ａｇ合金反射膜を温度：
８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒室槽にて２００時間
保持したのち、再度同じ条件で反射率を測定した。得ら
れた反射率のデータから、波長：４００ｎｍおよび６５
０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果を表３〜４に
示して光記録媒体の反射膜として記録再生耐性を評価し
た。
【００１９】
【表２】
【００２０】
【表３】
【００２１】表２〜３に示される結果から、この発明の
本発明ターゲット１０〜２７を用いてスパッタリングを
行うことにより得られた反射層は、表１に示される従来
ターゲット１〜３を用いてスパッタリングを行うことに
より得られた反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：
８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持後の反射率の低
下が少ないことがわかる。しかし、比較ターゲット４〜
７に見られるように、Ｃａ，ＢｅおよびＳｉが合計で
０．０５質量％より多く含有すると、圧延中に割れが発
生するなどして成形できなくなることが分かる。
本発明ターゲット１０〜２７を用いてスパッタリングを
行うことにより得られた反射層は、表１に示される従来
ターゲット１〜３を用いてスパッタリングを行うことに
より得られた反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：
８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持後の反射率の低
下が少ないことがわかる。しかし、比較ターゲット４〜
７に見られるように、Ｃａ，ＢｅおよびＳｉが合計で
０．０５質量％より多く含有すると、圧延中に割れが発
生するなどして成形できなくなることが分かる。
【００２２】実施例３
原料として純度：９９.９９質量％以上の高純度Ａｇ、
ＡｌおよびＣｕを用意し、さらに純度：９９.９質量％
以上のＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、こ
れら原料を高周波真空溶解炉で溶解し、得られた溶湯を
Ａｒガス雰囲気中で黒鉛鋳型に鋳造してインゴットを作
製し、得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した
後、圧延し、次いで機械加工することにより直径：１２５
ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表４〜６に示される
成分組成を有する本発明ターゲット２８〜５２および比
較ターゲット８〜１３を製造した。
ＡｌおよびＣｕを用意し、さらに純度：９９.９質量％
以上のＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用意し、こ
れら原料を高周波真空溶解炉で溶解し、得られた溶湯を
Ａｒガス雰囲気中で黒鉛鋳型に鋳造してインゴットを作
製し、得られたインゴットを６００℃、２時間加熱した
後、圧延し、次いで機械加工することにより直径：１２５
ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、表４〜６に示される
成分組成を有する本発明ターゲット２８〜５２および比
較ターゲット８〜１３を製造した。
【００２３】これら本発明ターゲット２８〜５２および
較ターゲット８〜１３をそれぞれ無酸素銅製のバッキン
グプレートにはんだ付けし、これを直流マグネトロンス
パッタ装置に装着し、真空排気装置にて直流マグネトロ
ンスパッタ装置内を１×１０- 4Ｐａまで排気した後、Ａ
ｒガスを導入して１．０Ｐａのスパッタガス圧とし、続
いて直流電源にてターゲットに１００Ｗの直流スパッタ
電力を印加し、前記ターゲットに対抗しかつ７０ｍｍの
間隔を設けてターゲットと平行に配置した直径：３０ｍ
ｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板と前記ターゲットの
間にプラズマを発生させ、厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金
反射膜を形成した。
較ターゲット８〜１３をそれぞれ無酸素銅製のバッキン
グプレートにはんだ付けし、これを直流マグネトロンス
パッタ装置に装着し、真空排気装置にて直流マグネトロ
ンスパッタ装置内を１×１０- 4Ｐａまで排気した後、Ａ
ｒガスを導入して１．０Ｐａのスパッタガス圧とし、続
いて直流電源にてターゲットに１００Ｗの直流スパッタ
電力を印加し、前記ターゲットに対抗しかつ７０ｍｍの
間隔を設けてターゲットと平行に配置した直径：３０ｍ
ｍ、厚さ：０．５ｍｍのガラス基板と前記ターゲットの
間にプラズマを発生させ、厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金
反射膜を形成した。
【００２４】このようにして形成した各Ａｇ合金反射膜
の成膜直後の反射率を分光光度計により測定した。その
後、形成した各Ａｇ合金反射膜を温度：８０℃、相対湿
度：８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持したのち、
再度同じ条件で反射率を測定した。得られた反射率デー
タから、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける各
反射率を求め、その結果を表４〜６に示して光記録媒体
の反射膜として記録再生耐性を評価した。
の成膜直後の反射率を分光光度計により測定した。その
後、形成した各Ａｇ合金反射膜を温度：８０℃、相対湿
度：８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持したのち、
再度同じ条件で反射率を測定した。得られた反射率デー
タから、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにおける各
反射率を求め、その結果を表４〜６に示して光記録媒体
の反射膜として記録再生耐性を評価した。
【００２５】
【表４】
【００２６】
【表５】
【００２７】
【表６】
【００２８】表４〜６に示される結果から、この発明の
本発明ターゲット２８〜５２を用いてスパッタリングを
行うことにより得られた反射層は、表１に示される従来
ターゲット１〜３を用いてスパッタリングを行うことに
より得られた反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：
８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持後の反射率の低
下が少ないことがわかる。しかし、比較ターゲット８〜
１３に見られるように、Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂおよび
Ｇｄの合計が３質量％より多く含有すると、圧延中に割
れが発生するなどして成形できなくなることが分かる。
本発明ターゲット２８〜５２を用いてスパッタリングを
行うことにより得られた反射層は、表１に示される従来
ターゲット１〜３を用いてスパッタリングを行うことに
より得られた反射層に比べて、温度：８０℃、相対湿度：
８５％の恒温恒室槽にて２００時間保持後の反射率の低
下が少ないことがわかる。しかし、比較ターゲット８〜
１３に見られるように、Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔｂおよび
Ｇｄの合計が３質量％より多く含有すると、圧延中に割
れが発生するなどして成形できなくなることが分かる。
【００２９】実施例４
実施例１で用意した原料、実施例２で用意したＣａ，Ｂ
ｅおよびＳｉを含む母合金、並びに実施例３で用意した
Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用いて表７に示さ
れる成分組成を有する本発明ターゲット５３〜６４を作
製し、これらターゲットについて実施例１と同様にして
ガラス基板表面に厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金反射膜を
形成し、各Ａｇ合金反射膜の成膜直後の反射率を分光光
度計により測定した。その後、形成した各Ａｇ合金反射
膜を温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒室槽にて
２００時間保持したのち、再度同じ条件で反射率を測定
した。得られた反射率データから、波長：４００ｎｍおよ
び６５０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果を表７
に示して光記録媒体の反射膜として記録再生耐性を評価
した。
ｅおよびＳｉを含む母合金、並びに実施例３で用意した
Ｄｙ，Ｌａ，Ｎｄ，ＴｂおよびＧｄを用いて表７に示さ
れる成分組成を有する本発明ターゲット５３〜６４を作
製し、これらターゲットについて実施例１と同様にして
ガラス基板表面に厚さ：１００ｎｍのＡｇ合金反射膜を
形成し、各Ａｇ合金反射膜の成膜直後の反射率を分光光
度計により測定した。その後、形成した各Ａｇ合金反射
膜を温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒室槽にて
２００時間保持したのち、再度同じ条件で反射率を測定
した。得られた反射率データから、波長：４００ｎｍおよ
び６５０ｎｍにおける各反射率を求め、その結果を表７
に示して光記録媒体の反射膜として記録再生耐性を評価
した。
【００３０】
【表７】
【００３１】表７に示される結果から、この発明の本発
明ターゲット５３〜６４を用いてスパッタリングを行う
ことにより得られた反射層は表１の従来ターゲット１〜
３を用いてスパッタリングを行うことにより得られた反
射層に比べて、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにお
ける温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒室槽にて
２００時間保持後の反射率の低下が少ないことがわか
る。
明ターゲット５３〜６４を用いてスパッタリングを行う
ことにより得られた反射層は表１の従来ターゲット１〜
３を用いてスパッタリングを行うことにより得られた反
射層に比べて、波長：４００ｎｍおよび６５０ｎｍにお
ける温度：８０℃、相対湿度：８５％の恒温恒室槽にて
２００時間保持後の反射率の低下が少ないことがわか
る。
【００３２】
【発明の効果】上述のように、この発明の光記録媒体の
反射層形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いて
作製した反射層は、従来の光記録媒体の反射層形成用銀
合金スパッタリングターゲットを用いて作製した反射層
に比べて、経時変化による反射率の低下が少なく、長期に
わたって使用できる光記録媒体を製造することができ、
メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
反射層形成用銀合金スパッタリングターゲットを用いて
作製した反射層は、従来の光記録媒体の反射層形成用銀
合金スパッタリングターゲットを用いて作製した反射層
に比べて、経時変化による反射率の低下が少なく、長期に
わたって使用できる光記録媒体を製造することができ、
メディア産業の発展に大いに貢献し得るものである。
Claims (5)
- 【請求項１】Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００
５〜０．５質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀
合金からなることを特徴とする光記録媒体の反射層形成
用銀合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項２】Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００
５〜０．５質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉか
ら選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜
０．０５質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合
金からなることを特徴とする光記録媒体の反射層形成用
銀合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００
５〜０．５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，
Ｔｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：
０．１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀
合金からなることを特徴とする光記録媒体の反射層形成
用銀合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項４】Ａｌ：０．５〜５質量％、Ｃｕ：０．００
５〜０．５質量％を含有し、さらにＣａ，Ｂｅ，Ｓｉか
ら選ばれる１種または２種以上の合計：０．００５〜
０．０５質量％を含有し、さらにＤｙ，Ｌａ，Ｎｄ，Ｔ
ｂ，Ｇｄから選ばれる１種または２種以上の合計：０．
１〜３質量％を含有し、残部がＡｇである組成の銀合金
からなることを特徴とする光記録媒体の反射層形成用銀
合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項５】請求項１、２、３または４記載の銀合金ス
パッタリングターゲットを用いて作製した光記録媒体の
反射層。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001352592A JP4023136B2 (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001352592A JP4023136B2 (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003155559A true JP2003155559A (ja) | 2003-05-30 |
| JP4023136B2 JP4023136B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=19164744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001352592A Expired - Fee Related JP4023136B2 (ja) | 2001-11-19 | 2001-11-19 | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4023136B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004149861A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Hitachi Metals Ltd | Ａｇ合金膜、平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材 |
| US7695792B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-04-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
| US8232042B2 (en) * | 2005-03-31 | 2012-07-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage medium, reproducing method, and recording method |
-
2001
- 2001-11-19 JP JP2001352592A patent/JP4023136B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004149861A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Hitachi Metals Ltd | Ａｇ合金膜、平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材 |
| US8232042B2 (en) * | 2005-03-31 | 2012-07-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Storage medium, reproducing method, and recording method |
| US7695792B2 (en) * | 2005-07-22 | 2010-04-13 | Kobe Steel, Ltd. | Silver alloy reflective films for optical information recording media, silver alloy sputtering targets therefor, and optical information recording media |
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|---|---|
| JP4023136B2 (ja) | 2007-12-19 |
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