TW201438835A - 焊接粉末及使用此粉末之焊接用糊劑 - Google Patents
焊接粉末及使用此粉末之焊接用糊劑 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201438835A TW201438835A TW103107257A TW103107257A TW201438835A TW 201438835 A TW201438835 A TW 201438835A TW 103107257 A TW103107257 A TW 103107257A TW 103107257 A TW103107257 A TW 103107257A TW 201438835 A TW201438835 A TW 201438835A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- powder
- solder
- copper
- tin
- mass
- Prior art date
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 112
- 238000005476 soldering Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 68
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 57
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 110
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 13
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 7
- 229910017482 Cu 6 Sn 5 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011135 tin Substances 0.000 abstract description 55
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 29
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 38
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 9
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 8
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 8
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 8
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910020922 Sn-Pb Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910008783 Sn—Pb Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 3
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 3
- -1 hydrazine Chemical class 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 3
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 12-hydroxyoctadecanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)CCCCCCCCCCC(O)=O ULQISTXYYBZJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 2
- PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N cyclohexylamine Chemical compound NC1CCCCC1 PAFZNILMFXTMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000009689 gas atomisation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 2
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- OQBLGYCUQGDOOR-UHFFFAOYSA-L 1,3,2$l^{2}-dioxastannolane-4,5-dione Chemical compound O=C1O[Sn]OC1=O OQBLGYCUQGDOOR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenylguanidine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=N)NC1=CC=CC=C1 OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940114072 12-hydroxystearic acid Drugs 0.000 description 1
- SDGKUVSVPIIUCF-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpiperidine Chemical compound CC1CCCC(C)N1 SDGKUVSVPIIUCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXZROAOUCUVNHX-UHFFFAOYSA-N 2-Aminopropanol Chemical compound CCC(N)O MXZROAOUCUVNHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOYBEXQHNURCGE-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxypropan-1-amine Chemical compound CCOCCCN SOYBEXQHNURCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropan-1-amine Chemical compound COCCCN FAXDZWQIWUSWJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 description 1
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical class Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000000996 L-ascorbic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019343 Sn—Cu—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N Titanium ion Chemical compound [Ti+4] LCKIEQZJEYYRIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 1
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- QOHWJRRXQPGIQW-UHFFFAOYSA-N cyclohexanamine;hydron;bromide Chemical compound Br.NC1CCCCC1 QOHWJRRXQPGIQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- PNOXNTGLSKTMQO-UHFFFAOYSA-L diacetyloxytin Chemical compound CC(=O)O[Sn]OC(C)=O PNOXNTGLSKTMQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N dimethylaminopropylamine Chemical compound CN(C)CCCN IUNMPGNGSSIWFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- AVIYEYCFMVPYST-UHFFFAOYSA-N hexane-1,3-diol Chemical compound CCCC(O)CCO AVIYEYCFMVPYST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000002074 melt spinning Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- KYCGURZGBKFEQB-UHFFFAOYSA-N n',n'-dibutylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCN KYCGURZGBKFEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMHNQZGXPNCMCO-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCN(C)C QMHNQZGXPNCMCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIIGHRRBDNNFNF-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-3-hexoxypropan-1-amine Chemical compound CCCCCCOCCCNCC BIIGHRRBDNNFNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSTNFGAKGUERTC-UHFFFAOYSA-N n-ethylhexan-1-amine Chemical compound CCCCCCNCC WSTNFGAKGUERTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 1
- FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J tin(4+);disulfate Chemical compound [Sn+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O FAKFSJNVVCGEEI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229930003799 tocopherol Natural products 0.000 description 1
- 239000011732 tocopherol Substances 0.000 description 1
- 150000003611 tocopherol derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002640 tocopherol group Chemical class 0.000 description 1
- 235000019149 tocopherols Nutrition 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
- B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/262—Sn as the principal constituent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
- B23K1/0016—Brazing of electronic components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
- B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
- B23K35/0244—Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
- B23K35/0222—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape for use in soldering, brazing
- B23K35/0244—Powders, particles or spheres; Preforms made therefrom
- B23K35/025—Pastes, creams, slurries
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
- B23K35/3612—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings, fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with organic compounds as principal constituents
- B23K35/3613—Polymers, e.g. resins
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/40—Making wire or rods for soldering or welding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
本發明之課題在於提供一種焊接粉末及使用此粉末之焊接用糊劑，其係在迴焊製程後，為了使再熔融以及接合強度的低下難以發生，尤其是能夠適用於組裝曝露於高溫環境下之電子零件等。為了達成上述目的，本發明之解決方法為提供一種焊接粉末，其係由中心核(11)與包覆中心核(11)之包覆層(12)所構成，且中心核(11)由銅、及銅與錫之間的介金屬化合物所成，且包覆層(12)由錫所構成之焊接粉末(10)，其特徵為：焊接粉末(10)之平均粒徑為30μm以下，相對於焊接粉末(10)之全體量100質量%，銅之含有比例為超過2.0質量%且在40質量%以下。
Description
本發明為關於一種使用於組裝電子零件等之焊接粉末及使用此粉末之焊接用糊劑。更詳細來說為關於一種焊接粉末及使用此粉末之焊接用糊劑，其係在迴焊製程後，為了使再熔融及接合強度之低下難以發生，尤其是適用於組裝暴露於高溫環境下之電子零件等。
電子零件等之接合所使用之焊料以環境層面來看，朝無鉛化邁進，目前是採用以錫為主成分之焊接粉末。作為得到如焊接粉末般細微之金屬粉末的方法，除了氣體霧化法或旋轉圓盤法等霧化法之外，亦已知有熔融紡絲法、旋轉電極法、機械法、化學法等。氣體霧化法熟知為，以感應爐或瓦斯爐將金屬熔融後，從餵槽底部的噴嘴將熔融金屬往下流，並噴上較其周圍更高壓之氣體而粉化之方法等。且，旋轉圓盤法亦稱作離心力霧化法，將熔融後的金屬落下於以高速旋轉之圓盤上，於接線方向加上剪切力，切斷後作成細微粉末之方法。
對焊料來說，除了上述之環境面之特性以
外，因應被組裝之電子零件之用途等，各種特性即為所求。例如，手機或電腦等資料電器中，要求重視攜帶性的薄型化、輕量化，製造此等所使用之電子零件漸漸朝小型化或接合零件的精細節距化，故更細微細之粒徑之焊接粉末即為所求。
另一方面，如汽車用途等在高溫下使用之電子零件，組裝後的焊料會因為暴露於高溫環境下而再熔融，由於必須防止接合強度的低下，故迴焊製程後的高耐熱性極為所求。為最平常的Sn-Pb系之共晶焊料(組成比Sn：Pb=63：37質量%)時，融點約為187℃，且，平常的Sn-Ag-Cu系焊料則約為217℃左右。相對於此，被熟知作為具有耐熱性之高溫焊料的Au-Sn系高溫焊料(組成比Sn：Au=20：80質量%)，其融點約為280℃，Sn-Pb系的高溫焊料(組成比Sn：Pb=5：95質量%)，則為約310~315℃左右之高融點。
然而，上述Au-Sn系焊料，由於是使用非常高價的Au，故會有製造成本上升的問題。且，Sn-Pb系之高溫焊料雖然表現非常高的耐熱性，但由於有使用鉛，故殘存著上述環境面之問題。為了解決如此問題，已熟知有在不包含鉛或金，並為低融點，且低成本之材料粉末中，混合融點高之其他材料粉末，來提升耐熱性或接合強度等技術(參照例如專利文獻1~6。)。
專利文獻1中有揭示一種接合方法，其係於陶瓷元件與金屬部劑之接觸上，使用混合有金屬Cu粉
末、金屬Sn粉末及Ag-Cu-Ti合金粉末之金屬材料。且，專利文獻2中有揭示一種焊料糊劑，其係含有混合粉末，其混合粉末為在不包含鉛，且融點比以往的錫鉛共晶合金更低之Sn-Bi等合金粉末中，混合融點比以往的錫鉛共晶合金更高之Sn-Ag等合金粉末。且，專利文獻3中揭示一種乳狀焊料，其係除了共晶焊料以外，混合融點較該共晶焊料更高之Ag、Sn、Cu等金屬粒子。且，專利文獻4中揭示一種焊料塗覆用組成物，其係在不包含鉛，且有Sn等第一金屬成分中，混合具有400℃以上之融點的Ag、Cu等第二金屬成分。且，專利文獻5中揭示一種高溫乳狀焊料，其係含有成粉末狀之第1金屬成分與第2金屬成分，第1金屬成分為Sn-Cu系合金、Sn-Cu-Sb系合金中任一者，或於此等中之任一者中添加一種以上之Ag、In、Bi、Zn或Ni者，第2金屬成分為Cu、Sn、Sb、Ag、Zn、Ni中之一種以上的金屬或此等金屬中之2種以上之合金。且，專利文獻6中揭示一種焊接用組成物，其係含有不包含鉛，但含有錫作為主成分之第一金屬粉、與具有比第一金屬粉更高之融點，且含有銅作為主成分之第二金屬粉。
[專利文獻1]特開平5-24943號公報(請求項2、段落[0015])
[專利文獻2]特開平11-186712號公報(請求項2、段落[0018]，段落[0023])
[專利文獻3]特開2000-176678號公報(請求項1、3、段落[0010])
[專利文獻4]特開2002-254195號公報(請求項1~5、段落[0011]~段落[0013])
[專利文獻5]特開2003-154485號公報(請求項1、段落[0009])
[專利文獻6]專利第3782743號公報(請求項1~4、段落[0005])
上述以往之專利文獻1~6中，都是使用將不含鉛或金等低融點金屬粉末、與具有高融點金屬粉末混合後所得之焊接粉末等，但像這樣將2種或以上融點或組成等相異之粉末彼此混合所得之焊接粉末，容易發生粉末之混合狀況不均勻之情形。若產生不均勻之情形，在迴焊製程時，會產生部分的熔融不均或組成偏差，因此會產生在接合部位無法得到充分之強度之問題。
本發明之目的為提供一種焊接粉末及使用此粉末之焊接用糊劑，其係於迴焊製程後，為了使再熔融及接合強度之低下難以發生，尤其是適用於組裝暴露於高溫環境下之電子零件等。
本發明之第1觀點為如圖1所示，在由中心核11與包覆中心核11之包覆層12所構成，且中心核11為由銅、及銅與錫之間的介金屬化合物所構成，包覆層12為由錫所構成之焊接粉末10中，其特徵為：焊接粉末10之平均粒徑為30μm以下，相對於焊接粉末10之全體量100質量%，銅之含有比例為超過2.0質量%且在40質量%以下。
本發明之第2觀點為基於第1觀點之發明，其特徵為：銅與錫之間的介金屬化合物更進一步為選自Cu3Sn、Cu6Sn5、Cu10Sn3及Cu41Sn11所構成之群中之1種或2種以上之化合物。
本發明之第3觀點為，藉由將第1或第2觀點之焊接粉末與焊接用助焊劑混合而糊劑化後所得之焊接用糊劑。
本發明之第4觀點為，使用第3觀點之焊接用糊劑，組裝電子零件之方法。
本發明之第1、2觀點之焊接粉末為，在由中心核與包覆中心核之包覆層所構成，中心核為由銅、及銅與錫之間的介金屬化合物所構成，包覆層由錫所構成之焊接粉末中，焊接粉末之平均粒徑為30μm以下，相對於焊
接粉末之全體量100質量%，銅之含有比例為超過2.0質量%且在40質量%以下。如此，本發明之焊接粉末為，藉由粉末表面由融點低之錫所構成，在迴焊製程時具有優異之熔融性等，另一方面，在迴焊製程後，藉由以上述特定之比例含有之銅的存在、與已存在之介金屬化合物，能夠形成融點高之介金屬化合物。例如，ε相(Cu3Sn)之融點為676℃，η相(Cn6Sn5)之融點為415℃，由於非常地高，且因為凝固開始溫度會上升至300~640℃左右，故難以引起再熔融。因此，本發明之焊接粉末能夠特別適合用來作為組裝暴露於高溫環境下之電子零件等所使用之高溫焊料。且，構成粉末之其中一個金屬粒子內中，由於包含銅與錫，故能夠防止迴焊製程時的熔融不均或組成偏差所造成的接合強度低下。
本發明之第3觀點之焊接用糊劑為使用上述本發明之焊接粉末所得。因此，此焊接用糊劑在迴焊製程時的熔融快速，且具有優異之熔融性，另一方面，在迴焊製程後，由於熔融的焊接粉末會形成融點高的介金屬化合物，且耐熱性會上升，故難以引起熱所造成的再熔融。因此，本發明之焊接用糊劑能夠特別用來組裝暴露於高溫環境下之電子零件等。
本發明之第4觀點之組裝電子零件的方法中，由於使用上述本發明之焊接用糊劑，故在迴焊製程時，藉由焊接用糊劑的熔融速度、與優異之熔融性，能夠更簡單且高精度地來組裝，同時也能夠在組裝後賦予高耐
熱性。
10‧‧‧焊接粉末
11‧‧‧中心核
11a‧‧‧銅
11b‧‧‧銅與錫之間的介金屬化合物
12‧‧‧包覆層
[圖1]以模式表示本發明實施形態之焊接粉末之剖面構造的一示例之圖。
接著將本實施發明之形態基於圖示進行說明。
本發明之焊接粉末如圖1所示，是由中心核11與包覆中心核11之包覆層12所構成，中心核11為由銅、及銅與錫之間的介金屬化合物所構成，包覆層12為由錫所構成之焊接粉末。本發明之焊接粉末之構造為：像如此般由銅、及銅與錫之間的介金屬化合物所構成之中心核會被融點低的錫所構成之包覆層所包覆，故在迴焊製程時具有優異之熔融性。且，並非如上述以往之焊接粉末，是混合2種以上融點等相異之金屬粉末之粉末，由於在構成粉末之其中一個金屬粒子內包含銅與錫，故難以引起迴焊製程時的熔融不均或組成偏差，且能夠得到高接合強度。另外，中心核的一部份，由於在迴焊製程前，已經形成銅與錫之間的介金屬化合物，故例如，相較於以錫將銅所構成的中心核包覆之構造粉末，迴焊製程時的熔融擴散性優良，且容易控制焊料凸塊形成時的組成，具有優異之可濕性。
且，本發明之焊接粉末10之平均粒徑為30μm以下。將焊接粉末的平均粒徑限定在30μm以下，是因為若超過30μm，則在形成凸塊時，會產生凸塊之共面性低下之不良狀態，且，將圖型表面以焊料塗佈時，會產生塗布不均勻，並產生無法均勻地塗布圖型全面之不良狀態。且，若未滿1μm，則比表面積會變高，且因為粉末之表面氧化層之影響，會有焊料之熔融性低下之傾向，故焊接粉末之平均粒徑設在1~30μm之範圍較佳，設在3~20μm之範圍更佳。
另外，在本案說明書中，粉末之平均粒徑意指，使用雷射繞射分散法之粒度分布測定裝置(堀場製作所公司製，雷射繞射/分散式粒子徑分布測定裝置LA-950)所測定之累積體積中數直徑(Median徑，D50)。
且，本發明之焊接粉末10中，相對於粉末之全體量100質量%，銅之含有比例為超過2.0質量%且在40質量%以下。以往的焊接粉末中，由於是用來作為Sn-Pb系共晶焊料(組成比Sn：Pb=63：37質量%)之替代，且因融點較近，且要求為共晶組成之理由，故銅之比例是含有在0.7質量%左右之比較少的量。另一方面，本發明之焊接粉末中，由於銅的比例是含有在比較多量的上述範圍中，故在迴焊製程後，形成具有300~640℃左右之高凝固開始溫度的Sn-Cu合金。且，即使銅之含有比例較少，在迴焊製程後，也會形成凝固開始溫度比錫高之Sn-Cu合金，但藉由含有更多的銅，凝固開始溫度會更加上升是因
為，在合金中具有高融點之介金屬化合物之比率變高之緣故。因此，包含此焊接粉末之焊接用糊劑的迴焊製程所形成之焊料凸塊，其耐熱性會大幅提升，並能夠防止再熔融及接合強度的低下。因此，能夠特別適合用來作為組裝暴露於高溫環境下之電子零件等所使用之高溫焊料。銅之含有比例若未滿下限值，由於凝固開始溫度會變低，故迴焊製程後所形成之焊料凸塊中，無法得到充分的耐熱性，在高溫環境下使用時會引起再熔融，並無法用來作為高溫焊料。另一方面，若超過上限值，則凝固開始溫度會變得過高，且焊料熔融不充足，故會產生發生接合不良之良狀態。其中，在粉末之全體量100質量%中所佔有之銅的含有比例為2~40質量%較佳。
且，焊接粉末中，錫的含有比例為，粉末中之上述銅以外之殘餘部分，亦即相對於焊接粉末之全體量100質量%，為60~98.0質量%，較佳為80~98質量%。是因為錫之含有比例若未滿下限值，則迴焊製程時無法顯示焊接粉末所必要之低融點。且，若超過上限值，結果為銅之含有比例會變少，且迴焊製程後所形成之焊料凸塊的耐熱性會降低。
作為構成中心核之一部分的銅與錫之間的介金屬化合物，雖有列舉出Cu3Sn、Cu6Sn5、Cu10Sn3及Cu41Sn11所構成之群中之1種或2種以上之化合物，但實際上，由於銅與錫之組成比，主要由Cu3Sn、Cu6Sn5形成中心核。
接下來，說明製造上述本發明之焊接粉末之方法。首先，藉由於溶劑中，添加包含構成中心核、包覆層之金屬元素之化合物，亦即分別添加包含銅之化合物及包含錫之化合物、與分散劑，並混合後，調製溶解液。溶解液中，包含錫之化合物、包含銅之化合物的比例是調整成在焊接粉末製造後，各金屬元素之含有比例會在上述範圍中。
且，上述溶解液能夠使用分散有銅粉末之溶解液，此分散有銅粉末之溶解液是以銅粉末取代上述包含銅之化合物，並將此銅粉末與分散劑添加於溶劑中並混合後，調製銅粉末的分散液，再對此直接添加包含錫之化合物，並使之混合溶解後所得。此時所使用之銅粉末、包含錫之化合物的比例是調整成在焊接粉末製造後，各金屬元素之含有比例會在上述範圍中。
作為溶解液之調製中所使用之銅化合物，有列舉出氯化銅(II)、硫酸銅(II)或醋酸銅等，作為錫化合物，有列舉出氯化錫(II)、硫酸錫(II)、醋酸錫(II)、草酸錫(II)等。其中，包含銅之化合物，包含錫之化合物皆使用鹽酸鹽之氯化銅(II)、氯化錫(II)更佳。
作為溶劑，有列舉水、乙醇、乙醚、丙酮、酯等。且，作為分散劑，有列舉纖維素系、乙烯系、多價乙醇等，其他亦可使用明膠、酪蛋白等。調整調製後的溶解液之pH值。pH值為考量生成後的焊接粉末之再溶解
等，而調整在0~2.0之範圍內較佳。且，亦可在溶劑中分別添加上述金屬化合物，並溶解後，再添加錯化劑，將各金屬元素錯體化後，添加分散劑。藉由添加錯化劑，即使pH值在鹼性側金屬離子也不會沉澱，並能夠在廣泛的範圍中合成。作為錯化劑，有列舉琥珀酸、酒石酸、乙醇酸、乳酸、苯二甲酸、蘋果酸、檸檬酸、草酸、乙二胺四乙酸、亞胺二乙酸、晴三乙酸或其鹽等。
接著，調製溶解有還原劑之水溶液，並將此水溶液的pH值調整成與上述調製之溶解液一樣程度。作為還原劑，有列舉硼氫化鈉、二甲胺硼烷等硼氫化物、聯氨等氮化合物、三價之鈦離子或2價之鉻離子等金屬離子等。
接著，藉由於上述溶解液中添加還原劑水溶液並混合，溶解液中的各金屬離子會被還原，而得到液體中分散有金屬粉末之分散液。在此還原反應中，使用溶解有上述包含銅之化合物、包含錫之化合物之溶解液時，首先，比錫貴的銅會被還原，最後錫才被還原。藉此，會形成一種金屬粉末，其係由銅所構成的中心核、與包覆此中心核之錫所構成之包覆層所構成，且平均粒徑為30μm以下。作為混合溶解液與還原劑水溶液之方法，有列舉於容器內之溶解液中，以特定之添加速度滴入還原劑水溶液，並以攪拌棒等攪拌方法、或使用具有特定直徑之反應管，以特定之流量注入兩液體於此反應管內，並使之混合之方法等。
接下來，將此分散液，以逆流傾析等進行固液分離，並以水或將pH值調整成0.5~2之鹽酸水溶液、硝酸水溶液、硫酸水溶液、或甲醇、乙醇、丙酮等來洗淨所回收之固體成分。洗淨後，再度進行固液分離，並回收固體成分。從洗淨開始到固液分離之步驟，重複2~5次較佳。
接著，於所回收的固體成分中，添加沸點為100℃以上之高沸點溶劑，並使之分散，於惰性氣體環境下，以特定之溫度加熱。藉由實施此加熱處理，由上述還原反應所形成之金屬粉末之銅所構成之中心核、與由包覆中心核之錫所構成之包覆層之一部分會反應，此部分會形成由銅與錫之間的介金屬化合物所構成之中心核。
作為所使用之高沸點溶劑，有列舉出乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、菎麻油等。
上述加熱處理於100~130℃之溫度下進行20分鐘~1小時較佳。處理溫度或保持時間未滿下限值時，會有於中心核無法形成介金屬化合物之情況。且，若處理溫度超過上限值，包覆層之錫會被氧化，而產生熔融性低下之不良狀態。且，即使將保持時間設在上限值以上，其效果也不會有變化。其中，於115~125℃之溫度下進行30~40分鐘更佳。
於加為熱後，再次將上述洗淨開始到固液分離之步驟，較佳為重複2~5次後，藉由使所回收之固體成分真空乾燥，能夠得到本發明之焊接粉末。
藉由以上之步驟，能夠得到本發明之焊接粉末。此焊接粉末適合用來作為與焊接用助焊劑混合並糊劑化所得之焊接用糊劑之材料。焊接用糊劑之調製是藉由將焊接粉末與焊接用助焊劑以特定之比例混合而糊劑化來進行。雖然焊接用糊劑之調製所使用之焊接用助焊劑並無特別限定，但能夠使用將溶劑、松香、觸變劑及活性劑等各成分混合後所調製之助焊劑。
作為上述焊接用助焊劑的調製中適合之溶劑，有列舉二乙二醇單己醚、二甘醇單丁醚、二甘醇單丁醚乙酸酯、四甘醇、2-乙基-1,3-己二醇、α-松脂醇等沸點在180℃以上之有機溶劑。且，作為松香，有列舉松脂膠、氫化松香、聚合松脂、松香酯等。
且，作為觸變劑，有列舉氫化蓖麻油、脂肪酸醯胺、天然油脂、合成油脂、N,N’-乙烯雙-12-羥基硬脂醯胺、12-羥基硬脂酸、1,2,3,4-二亞苄基-D-山梨糖醇及其衍生物等。
且，作為活性劑，以鹵化氫酸胺鹽較佳，具體來說有列舉三乙醇胺、二苯胍、乙醇胺、丁胺、氨基丙醇、油胺聚氧乙烯醚、聚氧乙烯月桂胺、十八烷基胺聚氧乙烯醚、二乙胺、三乙胺、甲氧基丙胺、二甲基氨基丙胺、二丁氨基丙胺、乙基己基胺、乙氧基丙胺、乙基己氧基丙胺、雙丙胺、異丙胺、二異丙胺、哌啶、2,6-二甲基哌啶、苯胺、甲胺、乙胺、丁胺、3-氨基-1-丙烯、異丙胺、二甲基己胺、環己胺等氨之氯化氫鹽或氫溴酸鹽。
焊接用助焊劑是藉由將上述各成分以特定比例混合後所得。助焊劑全體量100質量%中所含有之溶劑的比例為30~60質量%，觸變劑的比例為1~10質量%，活性劑的比例為0.1~10質量%較佳。溶劑的比例未滿下限值時，由於助焊劑之黏度變得過高，故使用此之焊接用糊劑的黏度也相對地變高，會發生焊料之充填性低下或塗布不均勻較多發生等，印刷性低下之不良狀態。另一方面，若超過上限值，由於助焊劑之黏度變得過低，使用此之焊接用糊劑的黏度也相對地變低，故會有焊接粉末與助焊劑成分沈降分離之不良狀態。且，若觸變劑的比例未滿下限值，由於焊接用糊劑之黏度變得過低，會有焊接粉末與助焊劑成分沈降分離之不良狀態。另一方面，若超過上限值，由於焊接用糊劑之黏度變得過高，會發生焊料充填性或塗布不均等印刷性低下之不良狀態。且，若活性劑的比例未滿下限值，則會產生焊接粉末不熔融，且無法得到充分的接和強度之不良狀態，另一方面，若超過上限值，則在保管中，活性劑會容易與焊接粉末反應，且產生焊接用糊劑之保存安定性低下之不良狀態。另外，亦可在焊接用助焊劑中添加黏度安定劑。作為黏度安定劑，有舉例如能夠溶解於溶劑中的多酚類、磷酸系化合物、硫系化合物、生育酚、生育酚之衍生物、抗壞血酸、抗壞血酸之衍生物等。若黏度安定劑過多，則會產生焊接粉末之熔融性低下等不良狀態，故在10質量%以下較佳。
調製焊接用糊劑時，焊接用助焊劑的混合量
為：使調製後之糊劑100質量%中所佔有之該助焊劑的比例成為5~30質量%較佳。是因為若未滿下限值時，因助焊劑不足而糊劑化困難，另一方面，若超過上限值，則糊劑中之助焊劑的含有比例會過多，金屬的含有比例就變得較少，焊料熔融時，難以得到期望大小的焊料凸塊。
此焊接用糊劑是將上述本發明之焊接粉末作為材料，故迴焊製程時之熔融快速，具有優異之熔融性，另一方面，由於在迴焊製程後，熔融之焊接粉末會形成融點高的介金屬化合物，且耐熱性上升，故難以引起熱所造成的再熔融。因此，本發明之焊接用糊劑能夠特別用來組裝暴露於高溫環境下之電子零件等。
接著，將本發明之實施例與比較例一起詳細地說明。
首先，於50mL之水中添加2.52×10-3mol之氯化銅(II)、2.56×10-2mol之氯化錫(II)，使用攪拌棒以旋轉速度300rpm攪拌5分鐘，調製溶解液。將溶解液以鹽酸將pH值調整至0.5後，添加作為分散劑之聚乙烯乙醇500(平均分子量為500之聚乙烯乙醇)0.5g，再以旋轉速度300rpm攪拌10分鐘。接下來，於此溶解液中以添加速度50mL/sec添加將pH值調整至0.5之1.58mol/L之2
價鉻離子水溶液50mL，以旋轉速度500rpm攪拌10分鐘，還原各金屬離子，得到液體中分散有金屬粉末之分散液。將此分散液靜置60分鐘，並使生成之金屬粉末沈降後，去掉上清液，於此添加100mL之水，以旋轉速度300rpm攪拌10分鐘，將此操作重複4次後，進行洗淨。之後，添加100mL之乙二醇使之分散後，一面以旋轉速度300rpm攪拌，一面於120℃下加熱30分鐘。加熱後，再次將分散液靜置60分鐘，並使加熱後的金屬粉末沈降後，去掉上清液，於此添加100mL之水，以旋轉速度300rpm攪拌10分鐘，重複此操作4回次，進行洗淨。最後，藉由將此以真空乾燥機乾燥，得到以Cu及介金屬化合物Cu3Sn、Cu6Sn5為中心核，且Sn為包覆層之焊接粉末。
如以下表1所示，除了藉由調整氯化銅(II)的添加量，改變焊接粉末100質量%中所包含之銅的比例合、以及將焊接粉末之平均粒徑控制在特定之粒徑中之外，其他與實施例1同樣地得到焊接粉末。
針對實施例1~5及比較例1、2中所得之焊接粉末，藉由以下敘述之方法，進行構成粉末之金屬粒子之構造、粉末之平均粒徑、組成之分析或測定。且，使用此等之焊
接粉末，分別調製焊接用糊劑，評估接合強度。將此等之結果表示於以下之表1。
(1)構造分析：以粉末X線回折裝置(Rigaku公司製：RINT Ultima+/PC)進行構造分析。
(2)平均粒徑：以使用雷射繞射分散法之粒度分布測定裝置(堀場製作所公司製，雷射繞射/分散式粒子徑分布測定裝置LA-950)測定粒徑分布，將其累積體積中數直徑(Median徑，D50)作為焊接粉末之平均粒徑。
(3)組成：以感應偶合電漿發光分光分析(島津製作所公司製ICP發光分析裝置：ICPS-7510)測定金屬元素含有量。
(4)接合強度：混合作為溶劑之50質量%的二乙二醇單己醚、與作為松香之46質量%的聚合松脂(軟化點95℃)、與作為活性劑之環己胺氫溴酸鹽1.0質量%、與作為觸變劑之氫化蓖麻油3.0質量%，並調製助焊劑。接著，將此助焊劑、與實施例1~11及比較例1~3中所得之焊接粉末以助焊劑為88質量%，焊接粉末為12質量%之比例混合，分別調製焊接用糊劑。
將上述調製之糊劑以針板轉移法使用前端部分之直徑為100μm之針板，轉印至0.5mm厚的科伐合金(Fe-Ni-Co系合金)基板的特定位置上。且，在科伐合金基板上進行Ni電鍍，更進一步於其上進行Au閃光電鍍。接下來，於經轉印之糊劑上承載0.9mm2之LED晶片。再
來，藉由於迴焊製程爐(SIKAMA公司製Falcon8500)之氮環境下中，以特定之最大保持溫度進行迴焊製程，並接合LED晶片與科伐合金基板，得到接合樣品。且，將上述迴焊製程時之最大保持溫度設定在250℃、300℃、350℃之相異溫度，除了比較例1之外，分別得到每個實施例或比較例之各3個接合樣品。
針對上述接合之科伐合金基板及與LED晶片之接合強度，根據記載於JIS Z 3198-7之無鉛焊料試驗方法-第7部的「晶片零件中的焊料接合之抗剪強度測定方法」，在室溫及250℃之條件下，分別測定接合抗剪強度，求出將室溫下的抗剪強度設為100時，250℃下的相對的抗剪強度。表中，「優」表示相對的抗剪強度為95以上之情形，「良」表示未滿95至80以上之情形，「可」表示未滿80至60以上之情形，「不可」表示未滿60之情形。
由表1可明顯得知，比較實施例1~5與比較例1、2後，銅的含有比例不滿2質量%的比較例1中，由於凝固開始溫度變得過低，焊料會再熔融，且相對的抗剪強度較低，故針對接合強度之評估的判定全部皆為「不
可」。另一方面，銅的含有比例超過40質量的比較例2中，由於凝固開始溫度變得過高，在迴焊製程時，焊接粉末不會熔融，無法得到充分的接合，無法測定接合抗剪強度，故針對接合強度之評估的判定全部皆為「不可」。相對於此，實施例1~5中，隨著銅的含有比例增加，相對的抗剪強度提高，得到高溫環境下的接合強度之評估的判定全部皆為「可」以上之良好結果。
本發明能夠適用於電子零件的組裝，尤其是暴露於高溫環境下之電子零件的組裝。
10‧‧‧焊接粉末
11‧‧‧中心核
11a‧‧‧銅
11b‧‧‧銅與錫之間的介金屬化合物
12‧‧‧包覆層
Claims (4)
- 一種焊接粉末，其係由中心核與包覆前述中心核之包覆層所構成，且前述中心核由銅、及銅與錫之間的介金屬化合物所構成，前述包覆層由錫所構成之焊接粉末，其特徵為；前述焊接粉末之平均粒徑為30μm以下，且相對於前述焊接粉末之全體量100質量%，銅之含有比例為超過2.0質量%且在40質量%以下。
- 如請求項1之焊接粉末，其中前述銅與錫之間的介金屬化合物為選自Cu3Sn、Cu6Sn5、Cu10Sn3及Cu41Sn11所構成之群中之1種或2種以上之化合物。
- 一種焊接用糊劑，其藉由將請求項1或2之焊接粉末與焊接用助焊劑混合而糊劑化所得。
- 一種組裝電子零件之方法，其係使用請求項3之焊接用糊劑組裝電子零件。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013070865A JP6079374B2 (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | ハンダ粉末の製造方法及びこの粉末を用いたハンダ用ペースト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201438835A true TW201438835A (zh) | 2014-10-16 |
| TWI584898B TWI584898B (zh) | 2017-06-01 |
Family
ID=51592120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103107257A TWI584898B (zh) | 2013-03-29 | 2014-03-04 | A solder powder and a paste for welding using the powder |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6079374B2 (zh) |
| KR (2) | KR20140118746A (zh) |
| CN (2) | CN104070296A (zh) |
| TW (1) | TWI584898B (zh) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105345304B (zh) * | 2015-12-02 | 2017-07-25 | 华北水利水电大学 | 一种过饱和钎料及其制备方法 |
| JP6587099B2 (ja) * | 2015-12-15 | 2019-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | ハンダ粉末及びその製造方法並びにこの粉末を用いたハンダ用ペーストの調製方法 |
| JP6569511B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2019-09-04 | 三菱マテリアル株式会社 | 接合体、冷却器付きパワーモジュール用基板、冷却器付きパワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP6645317B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-02-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 接合用粉末及びこの粉末の製造方法並びにこの粉末を用いた接合用ペーストの製造方法 |
| JP6645318B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-02-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 接合用粉末及びこの粉末の製造方法並びにこの粉末を用いた接合用ペーストの製造方法 |
| JP2019141908A (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-29 | 有限会社 ナプラ | はんだ材、金属粒子、ペースト、金属材、複合材、半導体装置、電子部品、電気機器、光学機器および照明器具 |
| JP6969466B2 (ja) * | 2018-03-20 | 2021-11-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 接合用成形体の製造方法及びこの方法で得た接合用成形体を用いた接合方法 |
| CN111036897A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-04-21 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种具有微纳米核壳结构的互连材料制备方法 |
| CN111098062A (zh) * | 2020-01-09 | 2020-05-05 | 东莞市锡达焊锡制品有限公司 | 一种高温有铅锡线及生产方法 |
| CN111112597A (zh) * | 2020-01-16 | 2020-05-08 | 深圳第三代半导体研究院 | 一种三元金属核壳结构微纳米颗粒及其制备方法 |
| JP6892621B1 (ja) | 2020-09-10 | 2021-06-23 | 千住金属工業株式会社 | 核材料、電子部品及びバンプ電極の形成方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2520334B2 (ja) | 1991-07-22 | 1996-07-31 | 日本碍子株式会社 | 活性金属ろう材および活性金属ろう材を用いた金属部材とセラミックス部材との接合方法 |
| JPH11186712A (ja) | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Nissan Motor Co Ltd | はんだペーストおよび接続方法 |
| JP2000176678A (ja) | 1998-12-10 | 2000-06-27 | Sony Corp | クリームはんだ及びそれを用いた実装製品 |
| JP3414388B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2003-06-09 | 株式会社日立製作所 | 電子機器 |
| JP3763520B2 (ja) | 2000-12-25 | 2006-04-05 | Ｔｄｋ株式会社 | はんだ付け用組成物 |
| JP3736797B2 (ja) | 2001-11-20 | 2006-01-18 | Ｔｄｋ株式会社 | 高温クリームはんだ用組成物およびインダクタ |
| JP3782743B2 (ja) | 2002-02-26 | 2006-06-07 | Ｔｄｋ株式会社 | ハンダ用組成物、ハンダ付け方法および電子部品 |
| US6892925B2 (en) * | 2002-09-18 | 2005-05-17 | International Business Machines Corporation | Solder hierarchy for lead free solder joint |
| US6854636B2 (en) * | 2002-12-06 | 2005-02-15 | International Business Machines Corporation | Structure and method for lead free solder electronic package interconnections |
| US7524351B2 (en) * | 2004-09-30 | 2009-04-28 | Intel Corporation | Nano-sized metals and alloys, and methods of assembling packages containing same |
| JP2006225692A (ja) * | 2005-02-15 | 2006-08-31 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スズコート銅粉及び当該スズコート銅粉を用いた複合導電性ペースト |
| JP5045673B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2012-10-10 | 千住金属工業株式会社 | 機能部品用リッドとその製造方法 |
| JP2008138266A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | ハンダ粉末及び該粉末を用いたハンダ用ペースト |
| US7807572B2 (en) * | 2008-01-04 | 2010-10-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Micropad formation for a semiconductor |
| JP2012002784A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Marcom:Kk | メッキ膜の応力測定方法 |
| JP2012115860A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Mitsubishi Materials Corp | ハンダ粉末の製造方法及び該方法により得られたハンダ粉末 |
| JP5750913B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2015-07-22 | 三菱マテリアル株式会社 | ハンダ粉末及びこの粉末を用いたハンダ用ペースト |
| JP5895344B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2016-03-30 | 三菱マテリアル株式会社 | ハンダ粉末の製造方法及びこの方法により製造されたハンダ粉末を用いてハンダ用ペーストを製造する方法 |
| JP5754582B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2015-07-29 | 三菱マテリアル株式会社 | プリコート用ハンダペースト |
| JP2013013916A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Nihon Superior Co Ltd | 金属間化合物含有鉛フリーはんだ合金及びその製造方法 |
| JP5447464B2 (ja) | 2011-09-02 | 2014-03-19 | 三菱マテリアル株式会社 | ハンダ粉末及びこの粉末を用いたハンダ用ペースト |
| JP5488553B2 (ja) | 2011-09-02 | 2014-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | ハンダ粉末及びこの粉末を用いたハンダ用ペースト |
| JP6136690B2 (ja) * | 2012-08-01 | 2017-05-31 | 三菱マテリアル株式会社 | ハンダペースト |
-
2013
- 2013-03-29 JP JP2013070865A patent/JP6079374B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-04 TW TW103107257A patent/TWI584898B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-03-07 CN CN201410081801.5A patent/CN104070296A/zh active Pending
- 2014-03-07 KR KR1020140026962A patent/KR20140118746A/ko active Application Filing
- 2014-03-07 CN CN201711180171.7A patent/CN107877029B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-10-19 KR KR1020160135648A patent/KR101757127B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160124724A (ko) | 2016-10-28 |
| JP2014193473A (ja) | 2014-10-09 |
| JP6079374B2 (ja) | 2017-02-15 |
| CN107877029B (zh) | 2020-07-28 |
| TWI584898B (zh) | 2017-06-01 |
| KR101757127B1 (ko) | 2017-07-11 |
| CN104070296A (zh) | 2014-10-01 |
| KR20140118746A (ko) | 2014-10-08 |
| CN107877029A (zh) | 2018-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI584898B (zh) | A solder powder and a paste for welding using the powder | |
| TWI593493B (zh) | Welding powders and welding pastes using this powder | |
| JP6428407B2 (ja) | ハンダ粉末の製造方法及びこの粉末を用いたハンダ用ペーストの製造方法 | |
| WO2012066795A1 (ja) | 導電性材料、それを用いた接続方法、および接続構造 | |
| WO2011027659A1 (ja) | ソルダペースト、それを用いた接合方法、および接合構造 | |
| KR102189367B1 (ko) | 솔더 분말 및 그 제조 방법 그리고 이 분말을 사용한 솔더용 페이스트의 조제 방법 | |
| WO2013038817A1 (ja) | 導電性材料、それを用いた接続方法、および接続構造 | |
| WO2013038816A1 (ja) | 導電性材料、それを用いた接続方法、および接続構造 | |
| JP6428408B2 (ja) | ハンダ粉末の製造方法及びこの粉末を用いたハンダ用ペーストの製造方法 | |
| TWI670136B (zh) | 焊料粉末及使用此粉末之焊接用膏之調製方法 | |
| JP6428409B2 (ja) | ハンダ粉末及びこの粉末を用いたハンダ用ペースト | |
| JP6720515B2 (ja) | Ａｕ−Ｓｎはんだ粉末及びこの粉末を含むはんだ用ペースト | |
| JP6645317B2 (ja) | 接合用粉末及びこの粉末の製造方法並びにこの粉末を用いた接合用ペーストの製造方法 | |
| JP6645318B2 (ja) | 接合用粉末及びこの粉末の製造方法並びにこの粉末を用いた接合用ペーストの製造方法 | |
| JP6507970B2 (ja) | Ａｕ系はんだ粉末及びこの粉末を含むはんだ用ペースト | |
| JP2018135553A (ja) | 接合用粉末及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |