TW201400630A - 磁性材濺鍍靶及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種磁性材濺鍍靶，其特徵在於：於觀察靶中之氧化物的平面中，存在於靶中之氧化物粒子的平均粒徑為1.5μm以下之氧化物，於觀察靶中之氧化物的平面中，將位在氧化物粒子外圍上之任意兩點距離的最大值設為最大徑，將以平行之兩條直線挾持同一粒子時之兩直線間距離的最小值設為最小徑時，最大徑與最小徑之差為0.4μm以下的氧化物粒子於靶觀察面中佔60%以上。得到一種可抑制氧化物之異常放電(為濺鍍時產生顆粒(particle)的原因)的非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶。

Description

磁性材濺鍍靶及其製造方法
本發明係關於一種磁記錄媒體之磁體薄膜(特別是採用垂直磁記錄方式之硬碟之磁記錄媒體的粒狀膜(granular film))成膜所使用的磁性材濺鍍靶，並關於一種可抑制氧化物之異常放電(為濺鍍時產生顆粒(particle)的原因)的非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶及其製造方法。
濺鍍裝置有各種方式，但對於上述磁記錄膜之成膜，由於生產性高，故廣泛使用具備DC電源之磁控濺鍍裝置。磁控濺鍍法，由於藉由在靶背面配置磁鐵，使磁通於靶表面漏洩，而可使高密度之電漿集中於該靶表面附近，因此可達成成膜速度之高速化。
又，若觀察關於磁性材料之開發，則於硬碟驅動機所代表之磁記錄領域中，用以記錄之磁性薄膜的材料，一直使用以強磁性金屬Co、Fe或Ni作為基質的材料。例如，於採用水平磁記錄方式之硬碟的記錄層，係使用以Co作為主成分之Co-Cr系、Co-Cr-Pt系的強磁性合金。
又，近年來，於已實用化之採用垂直磁記錄方式之硬碟的記錄層，大多使用以Co作為主成分之Co-Cr-Pt系強磁性合金與非磁性無機物構成之複合材料。
並且，由於生產性高，故硬碟等磁記錄媒體之磁性薄膜大多係對以上述材料為成分之磁性材濺鍍靶進行濺鍍來製作。
此種磁性材濺鍍靶之製作方法，考慮有熔解法或粉末冶金法。要使用何種方法來製作，因取決於所要求之特性，故不可一概而論， 但垂直磁記錄方式之硬碟其記錄層所使用的由強磁性合金與非磁性無機物粒子構成的濺鍍靶，一般係藉由粉末冶金法製作。其原因在於：由於必須使無機物粒子均勻地分散於合金基材中，故難以使用熔解法製作。
例如，提出有如下之方法：對具有以急冷凝固法所製作之合金相的合金粉末與構成陶瓷相的粉末進行機械合金化，使構成陶瓷相之粉末均勻地分散於合金粉末中，藉由熱壓加以成形，而得到磁記錄媒體用濺鍍靶(專利文獻1)。
此時之靶組織，呈基材結合成魚白(鱈魚之精子)狀而SiO2(陶瓷)圍繞在其周圍的模樣(專利文獻1之圖2)、或分散成細線狀(專利文獻1之圖3)的模樣。其他之圖雖然不清晰，但推測為相同的組織。此種組織會有後述的問題，並不能說是好的磁記錄媒體用濺鍍靶。再者，專利文獻1之圖4所示的球狀物質為粉末，並非靶之組織。
又，即使不使用以急冷凝固法所製作之合金粉末，對於構成靶之各成分亦可準備市售之原料粉末，將其等之原料粉秤量成所欲之組成，然後以球磨機等周知手法加以混合，再藉由熱壓對混合粉末進行成型、燒結，藉此可製作磁性材濺鍍靶。
例如提出有如下之方法：利用行星運動型混合機，將Co粉末、Cr粉末、TiO2粉末及SiO2粉末混合所得之混合粉末與Co球形粉末加以混合，並將該混合粉藉由熱壓進行成形而獲得磁記錄媒體用濺鍍靶(專利文獻2)。
該情形時之靶組織，可觀察到於均勻分散有無機物粒子之金屬基材即相(A)中具有球形之相(B)的模樣(專利文獻2之圖1)。
此種組織雖於提高漏磁通方面佳，但從抑制濺鍍時產生顆粒的方面來看，稱不上是好的磁記錄媒體用濺鍍靶。
又提出有如下方法：混合Co-Cr二元系合金粉末、Pt粉末 及SiO2粉末，對所獲得之混合粉末進行熱壓，藉此獲得磁記錄媒體薄膜形成用濺鍍靶(專利文獻3)。
該情形時之靶組織雖未圖示，但記載有觀察到Pt相、SiO2相及Co-Cr二元系合金相，且於Co-Cr二元系合金層之周圍可觀察到擴散層。此種組織亦稱不上是好的磁記錄媒體用濺鍍靶。
除上述以外，以磁性材之開發為目的，提出有幾個方案。例如，於專利文獻4中，提出有一種具有SiC與SiOx(x：1~2)之垂直磁記錄媒體。又，於專利文獻5中，記載有一種含有Co、Pt、第1金屬氧化物、第2金屬氧化物、第3金屬氧化物之磁性材靶。
又，於專利文獻6中，提出有一種由Co、Pt之基質相與平均粒徑為0.05μm以上未達7.0μm之金屬氧化物相構成的濺鍍靶，宣稱可抑制結晶粒成長，得到磁導率低、高密度之靶，可提升成膜效率。
又，於專利文獻7中，記載有一種非磁性材粒子分散型強磁性材濺鍍靶，其中，係以強磁性體材料Co、Fe為主成分，且選自氧化物、氮化物、碳化物、矽化物中之材料，並限定非磁性材之形狀(比半徑為2μm之假想圓要小)。
又，於專利文獻8中，記載有一種非磁性材粒子分散型強磁性材濺鍍靶，其於Co-Cr合金之強磁性體材料中，分散有由氧化物構成之非磁性材粒子，該非磁性材粒子小於半徑1μm之假想圓，並記載有一種將其粒徑規定為較小之濺鍍靶。又，於專利文獻9中，記載有一種粒狀結構之磁性膜。
如上所述，有下述提案：於Co-Cr-Pt-氧化物等之非磁性材粒子分散型強磁性材濺鍍靶中，使用SiO2或Cr2O3、TiO2作為氧化物，亦有進一步對氧化物之形狀進行界定之提案。然而，由於該等之氧化物為絕緣體，故成為異常放電之原因。然後，此異常放電會導致濺鍍過程中產 生顆粒而造成問題。
隨著HDD記錄密度的提高，磁頭之浮動量逐年變小。因此，磁記錄媒體上可容許之顆粒的尺寸及個數變得愈來愈嚴格。已知粒狀膜之成膜時產生的顆粒大多數是起因於靶的氧化物。作為用以抑制上述顆粒產生的方法之一，認為使靶中之氧化物微細分散於母相合金中是有效的。
除了上述專利文獻6~8以外，下述專利文獻10~16中亦提出有使金屬氧化物之粒子變小的方案。亦即，於專利文獻10中記載有將金屬氧化物相所形成之粒子的平均粒徑設為0.05μm以上未達7.0μm，於專利文獻11中，記載有將陶瓷相之長軸粒徑設為10μm以下，於專利文獻12中，記載有將含氧物質或氧化物相設為50μm以下，於專利文獻13中記載有將氧化物相所形成之粒子的平均粒徑設為3μm以下，於專利文獻14中，記載有二氧化矽粒子或二氧化鈦粒子在與濺鍍靶之主表面垂直的剖面中，當將相對於濺鍍靶之主表面為垂直之方向的粒徑設為Dn、將與上述主表面平行之方向的粒徑設為Dp時，滿足2≦Dp/Dn，於專利文獻15中，記載有將鉻氧化物凝聚體設為500個/mm2。然而，於該等之條件中皆不充分，現狀為需要更進一步之改良。
專利文獻1：日本特開平10-88333號公報
專利文獻2：日本特願2010-011326號公報
專利文獻3：日本特開2009-1860號公報
專利文獻4：日本特開2006-127621號公報
專利文獻5：日本特開2007-4957號公報
專利文獻6：日本特開2009-102707號公報
專利文獻7：再公表專利WO2007/080781
專利文獻8：國際公開WO2009/119812A1
專利文獻9：日本特開2001-76329號公報
專利文獻10：國際公開WO2009-054369號公報
專利文獻11：日本特開2006-045587號公報
專利文獻12：日本特開2008-169464號公報
專利文獻13：日本特開2009-215617號公報
專利文獻14：日本特開2011-222086號公報
專利文獻15：日本特開2008-240011號公報
一般而言，於Co-Cr-Pt-氧化物等之非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶中，由於所含有之SiO2、Cr2O3、TiO2等之氧化物為絕緣體，故成為異常放電的原因。然後，此異常放電會導致濺鍍過程中產生顆粒而造成問題。
本發明係有鑑於上述問題，其課題在於：抑制氧化物之異常放電、減少異常放電導致濺鍍過程中產生顆粒。迄今為止，雖藉由使氧化物之粒徑變小來減少異常放電之機率，但由於隨著磁記錄媒體之記錄密度提高，可容許之顆粒程度變得越趨嚴格，故以提供一種經進一步改善之非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶作為課題。
為了解決上述課題，本發明人等經潛心研究的結果，發現藉由調整靶之組織(氧化物粒子)結構，而不會產生因濺鍍時之氧化物所造成的異常放電，可得到顆粒產生少之靶。
根據此種見解，本發明提供以下之發明：
1)一種磁性材濺鍍靶，由在含有Co或Fe之金屬相分散有氧化物粒子之材料構成，其特徵在於：於觀察靶中之氧化物的平面中，靶中所存在之氧化物粒子的平均粒徑為1.5μm以下，將位在氧化物粒子外圍上之任意兩點之距離的最大值設為最大徑，將以平行之兩條直線挾持同一粒子時之兩 直線間距離的最小值設為最小徑時，最大徑與最小徑之差為0.4μm以下的氧化物粒子於靶觀察面中佔60%以上。
2)如上述1)記載之磁性材濺鍍靶，其中，於在金屬相中分散有氧化物粒子之靶中進一步存在金屬粒，將位於金屬粒外圍上之任意兩點之距離的最大值設為最大徑，將以平行之兩條直線挾持同一金屬粒時之兩直線間距離的最小值設為最小徑時，該最大徑與最小徑之和為30μm以上的金屬粒於1mm之視野內存在1個以上。
3)如上述1)或2)記載之磁性材濺鍍靶，其係靶中所存在之氧化物粒子的最大粒徑為9μm以下之氧化物。
4)如上述1)至3)中任一項記載之磁性材濺鍍靶，其中，該氧化物為選自SiO2、TiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5、Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4中之一種以上的氧化物，並含有其等0.5~25mol%。
5)如上述1)至4)中任一項記載之磁性材濺鍍靶，其中，該金屬相係由0mol%以上20mol%以下之Cr、5mol%以上30mol%以下之Pt、剩餘部分為Co及不可避免之雜質構成。
6)如上述1)至4)中任一項記載之磁性材濺鍍靶，其中，該金屬相係由超過0mol%且60mol%以下之Pt、剩餘部分為Fe及不可避免之雜質構成。
7)如上述1)至6)中任一項記載之磁性材濺鍍靶，其進一步含有0.5~12mol%之選自Mg、Al、Si、Mn、Nb、Mo、Ru、Pd、Ta、W、B、Cu中之一種以上的元素，剩餘部分為Co或Fe及不可避免之雜質。
8)如上述1)至7)中任一項記載之磁性材濺鍍靶，其相對密度在97%以上。
經以上述方式調整後之本發明之非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶，不會產生因濺鍍時之氧化物所造成的異常放電，可得到顆粒產 生少之靶。藉此，具有可得到由產率提升所導致之成本改善效果此優異效果。
圖1係表示實施例1之Co-Pt-Cr-SiO2-TiO2-Cr2O3靶組織之圖(照片)。
圖2係表示比較例1之Co-Pt-Cr-SiO2-TiO2-Cr2O3靶組織之圖(照片)。
圖3係表示實施例2之Co-Pt-Ru-Cr-SiO2-TiO2-CoO靶組織之圖(照片)。
圖4係表示比較例2之Co-Pt-Ru-Cr-SiO2-TiO2-CoO靶組織之圖(照片)。
圖5係說明氧化物粒子之最大徑、最小徑之測定方法的圖。
圖6係表示實施例3之Co-Pt-Cr-Ru-Ta-SiO2-B2O3-CoO靶組織之圖(照片)。
圖7係表示實施例3之靶組織之圖(照片：低倍率)。
本發明之磁性材濺鍍靶，係靶中所存在之氧化物粒子的平均粒徑為1.5μm以下之氧化物。若此氧化物粒子之平均粒徑超過1.5μm，則顆粒之產生變多，並不佳。至目前為止的技術可謂相當習知。然而，本發明得到下述知識見解：氧化物粒子為正球狀特別理想，或至少為接近正球狀之形狀為可防止顆粒產生之有效手段。
為了使磁性質提高，存在特定量之氧化物是必須的，但若其係不同形狀，則如後述之比較例所示般，於靶表面之特定面積中存在氧化物的部位與不存在氧化物的部位中，分布上產生差異，從而變得易產生偏 析。若為正球或接近正球之氧化物粒子，則由於粒子之形狀一致，故偏析變少，可有效地抑制顆粒產生。
進一步，較理想為該氧化物粒子於觀察靶中之氧化物的平面中，上述氧化物粒子佔靶之大部分，即佔60%以上，較佳為90%以上，更佳為100%。藉此，可得到能夠大幅抑制顆粒產生之磁性材濺鍍靶。
又，本發明之磁性材濺鍍靶進一步使金屬之粗粒(金屬粒)存在於分散有氧化物粒子之金屬相內是有效的。由於藉由形成此種靶組織，可使磁性材靶之漏磁通提高，故即便使用厚靶，亦可得到穩定之放電，可形成良好之靶。
本發明之磁性材濺鍍靶，為Co合金系、Co-Cr-Pt合金系、Fe-Pt合金系等，特別有效為Co合金。可應用於已經周知之磁性材，作為磁記錄媒體所需要之成分的摻合比例，可根據目的進行各種調整。
作為Co合金系，可設為由Cr：0mol%以上20mol%以下、Pt：5mol%以上30mol%以下、剩餘部分：Co及不可避免之雜質構成的強磁性濺鍍靶。又，作為Fe-Pt合金系，可設為由Pt：超過0mol%且60mol%以下、剩餘部分：Fe及不可避免之雜質構成的強磁性材濺鍍靶。
含有元素之量係表示為了活用作為強磁性材之特性的較佳數值範圍者，當然可視需要而應用其以外之數值。本發明包含該等之全部。
關於添加於上述強磁性材之氧化物，可為選自SiO2、TiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5、Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4中之一種以上的氧化物，通常，於靶中含有其等0.5~25mol%。
其等氧化物可視所需要之強磁性膜的種類而任意選擇添加。上述添加量係用以使添加效果發揮的有效量。
又，即便氧化物之平均粒徑滿足1.5μm以下，較理想為最大粒徑不超過9μm，更理想為不超過7μm。含有超過9μm之粒徑的氧化 物會伴隨磁記錄媒體之記錄密度提高，但對於容許顆粒程度變得日益嚴格來說，並不適合。
平均粒徑為1.5μm以下且最大粒徑不超過9μm，可說是符合提供經進一步改善之非磁性材粒子分散型磁性材濺鍍靶。
本發明之磁性材濺鍍靶可進一步添加0.5~12mol%之選自Mg、Al、Si、Mn、Nb、Mo、Ru、Pd、Ta、W、B、Cu中之一種以上的元素。其等係為了提升作為磁記錄媒體之特性而視需要添加的元素。上述添加量係用以發揮添加效果的有效量。
本發明之磁性材濺鍍靶，較理想為使相對密度在97%以上。一般已知越是高密度之靶，越可降低濺鍍時發生之顆粒的量。
本發明中亦同樣較佳為高密度。於本發明，可達成相對密度97%以上。
於本發明中，相對密度係指靶之實測密度除以計算密度(亦稱為理論密度)所求得之值。計算密度係指假設靶的構成成分不會相互擴散或反應下混合存在時的密度，以下式來計算。
式：計算密度=sigma Σ(構成成分之分子量×構成成分之莫耳比)/Σ(構成成分之分子量×構成成分之莫耳比/構成成分之文獻值密度)
此處之Σ意指對靶所有的構成成分取總和。
本發明之磁性材濺鍍靶可利用粉末冶金法進行製作。於粉末冶金法之情形時，首先，準備各金屬元素之粉末與進一步視需要之添加金屬元素之粉末。
該等粉末較理想為使用最大粒徑在20μm以下者。又，亦可準備該等金屬之合金粉末來代替各金屬元素之粉末，於此情形時較理想亦為將最大粒徑設為20μm以下。另一方面，若過小，則由於會有促進氧化而使成分組成不在範圍內等的問題，因此更理想為設為0.1μm以上。又，如後述實施例3所示，為了使金屬粒存在於靶中，較佳為使用粒徑50~300μm之粗 粉。
然後，秤量此等金屬粉末及合金粉末成為所欲之組成，使用球磨機等公知方法同時進行粉碎及混合。於添加SiO2以外之氧化物粉末的情形時，可在此階段與金屬粉末及合金粉末混合。
SiO2以外之氧化物粉末較理想為使用最大粒徑為5μm以下者。另一方面，由於若過小則變得容易凝聚，故更為理想為使用0.1μm以上者。又，混合機較佳為行星運動型混合機或行星運動型攪拌混合機。並且，若考慮混合時氧化的問題，則較佳在惰性氣體環境中或真空中進行混合。
於本發明中，特別重要的是如上所述，於觀察靶中之氧化物的平面中，將位於氧化物粒子外圍上之任意兩點之距離的最大值設為最大徑，將以平行之兩條直線挾持同一粒子時之兩直線間距離的最小值設為最小徑時，最大徑與最小徑之差為0.4μm以下。
最大徑與最小徑之求出係將顯微鏡影像顯示於PC並使用影像處理分析軟體來進行。影像處理分析軟體係使用KEYENCE公司製造之形狀分析軟體(VK-Analyzer VK-H1A1)。
雖然，其亦受磁性材之成分組成影響，但若發現藉由原料、混合條件、燒結條件之設定來使氧化物粒子形成為正球狀之條件，從而固定此製造條件，則可得到總是分散有正球狀或接近正球狀之氧化物粒子的磁性材燒結體。
進一步，較理想為此氧化物粒子在觀察靶中之氧化物的平面中，上述氧化物粒子佔靶之大部分，即佔60%以上，較佳為佔90%以上，更佳為佔100%。藉此，可得到能夠大幅抑制顆粒產生的磁性材濺鍍靶。
實施例
以下根據實施例及比較例進行說明。另，本實施例僅為一例示，並不受到該例示的任何限制。亦即，本發明僅受到申請專利範圍之限 制，包括本發明所含之實施例以外的各種變形。
(實施例1)
準備平均粒徑4μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑3μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1.2μm之TiO2粉末、平均粒徑0.7μm之球形SiO2粉末、平均粒徑1μm之Cr2O3粉末作為氧化物粉末。將該等粉末以下述組成比秤量2000g。組成係如下所示。
組成：60Co-25Pt-3Cr-5SiO2-2TiO2-5Cr2O3(mol%)
接著，將經秤量之粉末與粉碎介質之鎢合金磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋(ball mill pot)，旋轉120小時進行混合。將此混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa之條件下進行熱壓，獲得燒結體。進一步使用車床對其進行切削加工而獲得直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
進一步，研磨此靶表面並以顯微鏡觀察組織，其結果於將位於氧化物粒子外圍上之任意兩點之距離的最大值設為最大徑，將以平行之兩條直線挾持同一粒子時之兩直線間距離的最小值設為最小徑時，最大徑與最小徑之差為0.4μm以下的氧化物粒子於顯微鏡視野中存在71%，平均粒徑為0.71μm。最大粒徑為5.2μm。
將其模樣示於圖1。再者，在求出最大徑、最小徑、平均粒徑時，以下同樣地，係將顯微鏡影像顯示於PC畫面，並利用影像分析處理來算出。
接著，將此靶安裝於DC磁控濺鍍裝置並進行濺鍍。濺鍍條件係將濺鍍功率設為1.2kW、Ar氣壓為1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，於4英吋直徑之矽基板上以目標膜厚為1000nm進行濺鍍。
然後，以顆粒計數器對附著於基板上之顆粒的個數進行測定。此時之矽基板上的顆粒數為4個。
另，即使是未進行濺鍍之情形，若使用顆粒計數器進行測定，則亦有 於矽基板上計數到顆粒數為0~5個之情況，故本實施例之顆粒數4個可說是為極少之等級。
(比較例1)
準備平均粒徑4μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑3μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1.2μm之TiO2粉末、平均粒徑0.7μm之芯狀SiO2粉末、平均粒徑1μm之Cr2O3粉末作為氧化物粉末。將該等粉末以下述組成比秤量2000g。成分組成係如下所示。
組成：60Co-25Pt-3Cr-5SiO2-2TiO2-5Cr2O3(mol%)
接著，將經秤量之粉末與粉碎介質之鎢合金磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉100小時進行混合。將此混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa之條件下進行熱壓，獲得燒結體。進一步使用車床對其進行切削加工而獲得直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
進一步，觀察該靶組織，其結果於顯微鏡視野範圍內之氧化物粒子的平均粒徑為1.26μm，與實施例1同樣地進行評價而得之最大徑與最小徑之差在0.4μm以下的氧化物粒子之比例為56%。最大粒徑為8μm。將其模樣示於圖2。
接著，將此靶安裝於DC磁控濺鍍裝置並進行濺鍍。濺鍍條件係將濺鍍功率設為1.2kW、Ar氣壓為1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，於4英吋直徑之矽基板上以目標膜厚為1000nm進行濺鍍。然後，以顆粒計數器對附著於基板上之顆粒的個數進行測定。此時之矽基板上之顆粒數增加為15個。
(實施例2)
準備平均粒徑4μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑3μm之Pt粉末、平均粒徑5μm之Ru粉末作為金屬原料粉末，準備平均 粒徑2μm之球狀TiO2粉末、平均粒徑0.7μm之球狀SiO2粉末、平均粒徑1μm之球狀CoO粉末作為氧化物粉末。將該等粉末以下述組成比秤量2000g。成分組成係如下所示。
組成：55Co-20Pt-5Ru-3Cr-5SiO2-2TiO2-10CoO(mol%)
接著，將經秤量之粉末與粉碎介質之二氧化鋯磨球(zirconia ball)一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉120小時進行混合。將此混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa之條件下進行熱壓，獲得燒結體。進一步使用車床對其進行切削加工而獲得直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
進一步，觀察該靶組織，其結果於顯微鏡視野範圍內之氧化物粒子的平均粒徑為0.84μm，與實施例1同樣地進行評價而得之最大徑與最小徑之差在0.4μm以下的氧化物粒子之比例為63%。最大粒徑為6.4μm。將其模樣示於圖3。
接著，將此靶安裝於DC磁控濺鍍裝置並進行濺鍍。濺鍍條件係將濺鍍功率設為1.2kW、Ar氣壓為1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，於4英吋直徑之矽基板上以目標膜厚為1000nm進行濺鍍。然後，以顆粒計數器對附著於基板上之顆粒的個數進行測定。此時之矽基板上之顆粒數為5個。
(比較例2)
準備平均粒徑4μm之Co粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑3μm之Pt粉末、平均粒徑10μm之Ru粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1.2μm之TiO2粉末、平均粒徑0.7μm之芯狀SiO2粉末、平均粒徑1μm之球狀CoO粉末作為氧化物粉末。將該等粉末以下述組成比秤量2000g。成分組成係如下所示。
組成：55Co-20Pt-5Ru-3Cr-5SiO2-2TiO2-10CoO(mol%)
接著，將經秤量之粉末與粉碎介質之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉100小時進行混合。將此混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1100℃、保持時間2小時、加壓力30MPa之條件下進行熱壓，獲得燒結體。進一步使用車床對其進行切削加工而獲得直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
進一步，觀察該靶組織，其結果於顯微鏡視野範圍內之氧化物粒子的平均粒徑為1.58μm，與實施例1同樣地進行評價而得之最大徑與最小徑之差在0.4μm以下的氧化物粒子之比例為46%。最大粒徑為12μm。
接著，將此靶安裝於DC磁控濺鍍裝置並進行濺鍍。濺鍍條件係將濺鍍功率設為1.2kW、Ar氣壓為1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，於4英吋直徑之矽基板上以目標膜厚為1000nm進行濺鍍。然後，以顆粒計數器對附著於基板上之顆粒的個數進行測定。此時之矽基板上之顆粒數為23個。
(實施例3)
準備平均粒徑4μm之Co粉末、平均粒徑3μm之Pt粉末、平均粒徑5μm之Ru粉末、平均粒徑5μm之Cr粉末、平均粒徑5μm之Ta粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑0.7μm之球狀SiO2粉末、平均粒徑2μm之B2O3粉末、平均粒徑1μm之Co3O4粉末作為氧化物粉末。進一步，準備粒徑調整成50μm~300μm之範圍的Co粗粉，使平均粒徑4μm之Co粉末與上述Co粗粉之比率以重量比計為7：3。將該等粉末以下述組成比秤量2000g。成分組成係如下所示。
組成：67.2Co-18Pt-2Cr-3Ru-O.8Ta-6SiO2-1B2O3-2Co3O4(mol%)
接著，除了Co粗粉以外，將經秤量之粉末與粉碎介質之二氧化鋯磨球一起封閉在容量10公升的球磨鍋，旋轉120小時進行混合。之後，以追加之方式將Co粗粉添加於球磨鍋，混合1小時。將此混合粉填充 於碳製模具，於真空環境中，在溫度900℃、保持時間2小時、加壓力30MPa之條件下進行熱壓，獲得燒結體。進一步使用車床對其進行切削加工而獲得直徑為180mm、厚度為7mm之圓盤狀靶。
進一步，觀察該靶組織，其結果於顯微鏡視野範圍內之氧化物粒子的平均粒徑為1.16μm，與實施例1同樣地進行評價而得之最大徑與最小徑之差在0.4μm以下的氧化物粒子之比例為61%。最大粒徑為6.4μm。將其模樣示於圖6。
又，研磨此靶表面並以顯微鏡觀察組織而得之結果係如圖7所示般，可知於在金屬相中分散有非磁性材粒子的組織中，散佈有金屬粒。又，確認到：將位於金屬粒外圍上之任意兩點之距離的最大值設為最大徑，將以平行之兩條直線挾持同一金屬粒時之兩直線間距離的最小值設為最小徑時，此最大徑與最小徑之和為30μm以上的金屬粒於1mm之視野內為42個。此靶之漏磁通，與不含金屬粒之情形相比，較為提高。
接著，將此靶安裝於DC磁控濺鍍裝置並進行濺鍍。濺鍍條件係將濺鍍功率設為1.2kW、Ar氣壓為1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，於4英吋直徑之矽基板上以目標膜厚為1000nm進行濺鍍。然後，以顆粒計數器對附著於基板上之顆粒的個數進行測定。此時之矽基板上之顆粒數為5個。
(實施例4)
準備平均粒徑4μm之Fe粉末、平均粒徑3μm之Pt粉末作為金屬原料粉末，準備平均粒徑1.2μm之TiO2粉末、平均粒徑0.7μm之球形SiO2粉末、平均粒徑0.8μm之CoO粉末、平均粒徑5μm之B2O3粉末作為氧化物粉末。將該等粉末以下述組成比秤量2000g。
組成：86(80Fe-20Pt)-10SiO2-2TiO2-1CoO-1B2O3(mol%)
接著，將經秤量之粉末與粉碎介質之鎢合金磨球一起封閉在 容量10公升的球磨鍋，旋轉120小時進行混合。將以此方式而得之混合粉填充於碳製模具，於真空環境中，在溫度1000℃、保持時間2小時、加壓力30MPa之條件下進行熱壓，獲得燒結體。進一步使用車床對其進行切削加工而獲得直徑為180mm、厚度為5mm之圓盤狀靶。
又，與實施例1同樣地進行評價而得之最大徑與最小徑之差在0.4μm以下的非磁性材粒子之比例為63%，平均粒徑為1.49μm。最大粒徑為6.1μm。
接著，將此靶安裝於DC磁控濺鍍裝置並進行濺鍍。濺鍍條件係設為與實施例1相同，將濺鍍功率設為1.2kW、Ar氣壓為1.5Pa，實施2kWhr之預濺鍍後，於4英吋直徑之矽基板上以目標膜厚為1000nm進行濺鍍。然後，以顆粒計數器對附著於基板上之顆粒的個數進行測定。此時之矽基板上之顆粒數為4個。
產業上之可利用性
本發明調整磁性材濺鍍靶之組織構造特別是氧化物粒子之形狀，而不會發生濺鍍時之氧化物所導致的異常放電，可減少顆粒之產生。因此，若使用本發明之靶，則可在磁控濺鍍裝置進行濺鍍時得到穩定之放電。並且，由於具有「可抑制氧化物之異常放電，減少異常放電所造成之濺鍍過程中產生顆粒，得到提高產率所致之成本改善效果」此優異效果，故適用作為磁記錄媒體之磁體薄膜(特別是硬碟驅動器記錄層)之成膜所使用的磁性材濺鍍靶。

Claims (8)

  1. 一種磁性材濺鍍靶，由在含有Co或Fe之金屬相分散有氧化物粒子之材料構成，其特徵在於：於觀察靶中之氧化物的平面中，靶中所存在之氧化物粒子的平均粒徑為1.5μm以下，將位在氧化物粒子外圍上之任意兩點之距離的最大值設為最大徑，將以平行之兩條直線挾持同一粒子時之兩直線間距離的最小值設為最小徑時，最大徑與最小徑之差為0.4μm以下的氧化物粒子於靶觀察面中佔60%以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之磁性材濺鍍靶，其中，於在金屬相中分散有氧化物粒子之靶中進一步存在金屬粒，將位在金屬粒外圍上之任意兩點之距離的最大值設為最大徑，將以平行之兩條直線挾持同一金屬粒時之兩直線間距離的最小值設為最小徑時，該最大徑與最小徑之和為30μm以上的金屬粒於1mm之視野內存在1個以上。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之磁性材濺鍍靶，其係靶中所存在之氧化物粒子的最大粒徑為9μm以下之氧化物。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之磁性材濺鍍靶，其中，該氧化物為選自SiO2、TiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5、Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4中之一種以上的氧化物，並含有其等0.5~25mol%。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之磁性材濺鍍靶，其中，該金屬相係由0mol%以上20mol%以下之Cr、5mol%以上30mol%以下之Pt、剩餘部分為Co及不可避免之雜質構成。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之磁性材濺鍍靶，其中，該金屬相係由超過0mol%且60mol%以下之Pt、剩餘部分為Fe及不可避免之雜質構成。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之磁性材濺鍍靶，其進一步含 有0.5~12mol%之選自Mg、Al、Si、Mn、Nb、Mo、Ru、Pd、Ta、W、B、Cu中之一種以上的元素，剩餘部分為Co或Fe及不可避免之雜質。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之磁性材濺鍍靶，其相對密度在97%以上。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI668311B (zh) * 2018-03-27 2019-08-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 Sputtering target

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103210115B (zh) 2010-07-29 2016-01-20 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
JP5851582B2 (ja) * 2012-02-23 2016-02-03 Jx日鉱日石金属株式会社 クロム酸化物を含有する強磁性材スパッタリングターゲット
KR20180088491A (ko) 2013-11-28 2018-08-03 제이엑스금속주식회사 자성재 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
JP6359662B2 (ja) * 2014-07-25 2018-07-18 Ｊｘ金属株式会社 磁性体薄膜形成用スパッタリングターゲット
JP6366095B2 (ja) * 2014-07-29 2018-08-01 株式会社フルヤ金属 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット
JP6504605B2 (ja) * 2015-11-27 2019-04-24 田中貴金属工業株式会社 スパッタリングターゲット
MY184036A (en) 2016-02-19 2021-03-17 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target for magnetic recording medium, and magnetic thin film
US10837101B2 (en) 2016-03-31 2020-11-17 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ferromagnetic material sputtering target
JP2017224371A (ja) * 2016-06-15 2017-12-21 昭和電工株式会社 磁気記録媒体及び磁気記憶装置
CN109844167B (zh) * 2016-12-28 2022-01-04 捷客斯金属株式会社 磁性材料溅射靶及其制造方法
CN110004421A (zh) * 2019-03-31 2019-07-12 柳州呈奥科技有限公司 一种钴铁铌基靶材及其加工工艺
JP7317741B2 (ja) * 2020-02-07 2023-07-31 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット、磁性膜、及びスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5409517A (en) * 1990-05-15 1995-04-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target and method of manufacturing the same
JP3816595B2 (ja) 1996-09-18 2006-08-30 三井金属鉱業株式会社 スパッタリングターゲットの製造方法
JP2000234168A (ja) 1998-12-07 2000-08-29 Japan Energy Corp 光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2001076329A (ja) 1999-09-07 2001-03-23 Fuji Electric Co Ltd 磁気記録媒体およびその製造方法
US20070189916A1 (en) 2002-07-23 2007-08-16 Heraeus Incorporated Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials
CN1926260B (zh) 2004-03-01 2010-10-06 日矿金属株式会社 表面缺陷少的溅射靶及其表面加工方法
JP2005272946A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 誘電体膜用の複合焼結ターゲット材とその製造方法
JP4422574B2 (ja) 2004-07-30 2010-02-24 三井金属鉱業株式会社 セラミックス−金属複合材料からなるスパッタリングターゲット材およびその製造方法
JP2006127621A (ja) 2004-10-28 2006-05-18 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体及びその製造方法
US20060289294A1 (en) 2005-06-24 2006-12-28 Heraeus, Inc. Enhanced oxygen non-stoichiometry compensation for thin films
JP4975647B2 (ja) 2006-01-13 2012-07-11 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット
JP5024661B2 (ja) 2007-03-26 2012-09-12 三菱マテリアル株式会社 パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット
JP2009001860A (ja) 2007-06-21 2009-01-08 Mitsubishi Materials Corp 比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット
JP5204460B2 (ja) * 2007-10-24 2013-06-05 三井金属鉱業株式会社 磁気記録膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2009215617A (ja) 2008-03-11 2009-09-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd コバルト、クロム、および白金からなるマトリックス相と酸化物相とを含有するスパッタリングターゲット材およびその製造方法
CN101981224B (zh) 2008-03-28 2012-08-22 Jx日矿日石金属株式会社 非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶
MY146996A (en) 2009-03-03 2012-10-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target and process for producing same
US9103023B2 (en) 2009-03-27 2015-08-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Nonmagnetic material particle-dispersed ferromagnetic material sputtering target
JP4870855B2 (ja) 2009-08-06 2012-02-08 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 無機物粒子分散型スパッタリングターゲット
MY149640A (en) * 2009-12-11 2013-09-13 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target comprising oxide phase dispersed in co or co alloy phase, magnetic thin film made of co or co alloy phase and oxide phase, and magnetic recording medium using the said thin film
US20120273347A1 (en) 2009-12-25 2012-11-01 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target with reduced particle generation and method of producing said target
MY149437A (en) 2010-01-21 2013-08-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
US20120318669A1 (en) 2010-02-19 2012-12-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sputtering target-backing plate assembly
JP5240228B2 (ja) 2010-04-09 2013-07-17 Ｔｄｋ株式会社 スパッタリングターゲット、及び、垂直磁気記録媒体の製造方法
JP5536540B2 (ja) * 2010-05-26 2014-07-02 昭和電工株式会社 磁気記録媒体および磁気記録再生装置
MY150826A (en) 2010-07-20 2014-02-28 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target of perromagnetic material with low generation of particles
WO2012011294A1 (ja) * 2010-07-20 2012-01-26 Jx日鉱日石金属株式会社 パーティクル発生の少ない強磁性材スパッタリングターゲット
CN103210115B (zh) 2010-07-29 2016-01-20 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
JP5226155B2 (ja) 2010-08-31 2013-07-03 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 Ｆｅ−Ｐｔ系強磁性材スパッタリングターゲット
MY160775A (en) 2010-09-03 2017-03-15 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
SG188601A1 (en) 2010-12-09 2013-04-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic material sputtering target
CN103097570B (zh) 2010-12-15 2015-04-01 吉坤日矿日石金属株式会社 强磁性材料溅射靶及其制造方法
CN103168328B (zh) 2010-12-17 2016-10-26 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
US20130292245A1 (en) 2010-12-20 2013-11-07 Jx Nippon Mining & Metals Corporation FE-PT-Based Ferromagnetic Sputtering Target and Method for Producing Same
CN103262166B (zh) 2010-12-21 2016-10-26 吉坤日矿日石金属株式会社 磁记录膜用溅射靶及其制造方法
US20130213802A1 (en) 2010-12-22 2013-08-22 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Sintered Compact Sputtering Target
SG193277A1 (en) 2011-08-23 2013-10-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp Ferromagnetic sputtering target with minimized particle generation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI668311B (zh) * 2018-03-27 2019-08-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 Sputtering target

Also Published As

Publication number Publication date
CN104145042A (zh) 2014-11-12
US20150021175A1 (en) 2015-01-22
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JP5829747B2 (ja) 2015-12-09
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