JP7317741B2

JP7317741B2 - スパッタリングターゲット、磁性膜、及びスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末

Info

Publication number: JP7317741B2
Application number: JP2020020086A
Authority: JP
Inventors: 孝志小庄; 靖幸岩淵; 愛美増田
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2020-02-07
Filing date: 2020-02-07
Publication date: 2023-07-31
Anticipated expiration: 2040-02-07
Also published as: JP2021123782A

Description

この明細書は、スパッタリングターゲット、磁性膜、及びスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末に関する技術について開示するものである。

たとえば、磁気記録媒体を製造するに当り、当該磁気記録媒体を構成する記録層及びその他の所定の複数の層はそれぞれ、それらの各層に応じた複数のスパッタリングターゲットを用いて、基板上にスパッタリングすることにより順次に成膜されて形成される。そのなかで、Ｃｏを主成分としＣｒ及びＰｔを含有する金属相に所定の酸化物粒子を分散させてなるスパッタリングターゲットが用いられることがある（たとえば特許文献１～１０参照）。

ところで、スパッタリングによる成膜時には、異常放電、いわゆるアーキングが生じることがあり、それにより基板上への付着物としてのパーティクルが発生し、これが成膜の歩留まりを低下させるという問題がある。
特に、上述したような磁性材料用のスパッタリングターゲットでは、Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ系合金に添加する酸化物が、アーキングの際にスパッタリングターゲットから脱落し、これがパーティクル発生の原因になると考えられている。

このような問題に関し、特許文献１には、「ボールミル等により原料粉末を混合、粉砕する際に、予め原料粉末を混合、焼結、粉砕して得た一次焼結体粉末を混合することで、ターゲット組織がより微細化されることを見出した。」とし、この知見を用いた磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法が記載されている。具体的には、「非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部がＣｏおよび不可避不純物からなる磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法であって、Ｃｏ、ＣｒおよびＰｔの各元素を単体として又はこれらのうち２種以上の元素を含む合金として粉末にした原料粉末と非磁性酸化物の原料粉末との各原料粉末が混合された一次混合粉末を焼結させて一次焼結体を得る一次焼結工程と、前記一次焼結体を粉砕して一次焼結体粉末を得る粉砕工程と、前記各原料粉末が混合された二次混合粉末と前記一次焼結体粉末とを混合および粉砕後、焼結させる二次焼結工程と、を有し、前記二次混合粉末の平均粒径が０．０５～３０μｍであり、前記一次焼結体粉末の最大粒径が２００μｍ未満であることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法」が提案されている。そして、これによれば、「高品質な膜を均一に得ることができると共にパーティクルの発生を低減することができ、特に高密度の垂直磁気記録方式の媒体を作製可能である。」とされている。

また特許文献１１には、「金属相と酸化物相が均一分散した組織を有する焼結体スパッタリングターゲットであって、該金属相が成分としてＣｏとＰｔとＭｎを含有し、該酸化物相が少なくともＭｎを構成成分とする酸化物を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット」が開示されている。特許文献１１のスパッタリングターゲットによると、「スパッタ時に発生するパーティクル量を低減することができ、成膜時における歩留まりを向上することができるという優れた効果を有する。」とされている。

また特許文献１２には、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌを含有することにより、それらが酸化物相の粒成長を抑制して、酸化物相の粒子を一律に微細化した高密度の強磁性材スパッタリングターゲットが得られることが記載されている。そして、Ｙ、Ｍｇ、Ａｌはそれぞれ、Ｙ₂Ｏ₃粉末、ＭｇＯ粉末、Ａｌ₂Ｏ₃粉末が原料として用いられることが記載されている。

特開２０１１－２０８１６９号公報特開２０１１－１７４１７４号公報特開２０１１－１７５７２５号公報特開２０１２－１１７１４７号公報特許第４８８５３３３号公報米国特許出願公開第２０１３／０１３４０３８号明細書国際公開第２０１２／０８６３８８号米国特許出願公開第２０１３／０２１３８０２号明細書国際公開第２０１５／０６４７６１号米国特許出願公開第２０１６／０２７６１４３号明細書国際公開第２０１４／１４１７３７号国際公開第２０１３／１２５２９６号

特許文献１のように、スパッタリングターゲットの組織を微細化することはパーティクル発生の低減に有効であるが、スパッタリングターゲット中の酸化物相の組織が十分に微細化されていても、金属相によってはスパッタリング時に放電が不安定になる場合がある。特許文献１の先行技術では、このような問題には対応できない。なお、放電が不安定になると、たとえばアーキングが発生しやすくなってパーティクルが増大する等といった懸念がある。また、ある一定以上の更なる組織の微細化は実現性及び生産性の観点から容易ではない。

特許文献１１には、スパッタリングターゲットの金属相及び酸化物相にＭｎを含ませることが記載されているが、用途等によっては、比較的多い量でＭｎを含ませることが好ましくない場合がある。

この明細書は、上述したような問題を解決するため、スパッタリング時の放電の安定性を向上させることができるスパッタリングターゲット、磁性膜及びスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末を提案するものである。

この明細書で開示するスパッタリングターゲットは一実施形態において、金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％、金属Ｃｒを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕを０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％で含有し、残部に金属Ｃｏ及び不可避的不純物を含んでなるものである。

また、この明細書で開示する磁性膜は一実施形態において、金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％、金属Ｃｒを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕを０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％で含有し、残部に金属Ｃｏ及び不可避的不純物を含んでなるものである。

また、この明細書で開示する原料混合粉末は一実施形態において、金属Ｍｇ粉末を０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％、金属Ｃｒ粉末を０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔ粉末を０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕ粉末を０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物粉末を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％含有し、残部が金属Ｃｏ粉末であるスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末である。

上述したスパッタリングターゲットによれば、金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％で含有することにより、スパッタリング時の放電の安定性を向上させることができる。

一の実施形態のスパッタリングターゲットは、金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％、金属Ｃｒを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕを０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％で含有し、残部が金属Ｃｏ及び不可避的不純物からなるものである。

特に、金属Ｍｇを所定の量で含有することにより、スパッタリングターゲットに仕事関数の低い金属相が存在することになって、陽イオンの衝突による二次電子の放出率が上がる。このため、より電子密度の少ない条件、つまり低いガス圧、低いスパッタ電力などでも放電状態を安定させることができる。その結果として、アーキングの発生及び、それによるパーティクルの発生を有効に低減することができる。

（スパッタリングターゲットの組成）
スパッタリングターゲットの金属成分は、主として金属Ｃｏからなり、それに加えて金属Ｐｔ、金属Ｃｒ及び金属Ｒｕから選択される少なくとも一種を含むことがある。特に金属成分は、Ｐｔ、Ｃｒ及びＲｕから選択される少なくとも一種を含有するＣｏ合金である場合がある。たとえば、Ｃｏ－Ｐｔ合金、Ｃｏ－Ｃｒ－Ｐｔ合金またはＣｏ－Ｃｒ－Ｐｔ－Ｒｕ合金等である。あるいは、金属Ｃｏ以外の金属Ｒｕ等が主成分となるものもある。金属Ｐｔ、金属Ｃｒ及び金属Ｒｕのうちの一種以上、なかでも金属Ｃｒ及び金属Ｒｕは含まれないこともある。

金属Ｐｔは含まなくてもよいが、金属Ｐｔを含む場合、金属Ｐｔの含有量は４５ｍｏｌ％以下とする。なお実施形態によっては、金属Ｐｔの含有量が０ｍｏｌ％、つまり金属Ｐｔを含まないスパッタリングターゲットもある。金属Ｃｒは含まなくてもよいが、金属Ｃｒを含む場合、金属Ｃｒの含有量は４５ｍｏｌ％以下とする。金属Ｒｕは含まなくてもよいが、金属Ｒｕを含む場合、金属Ｒｕの含有量は６０ｍｏｌ％以下とする。これらの金属Ｐｔ、金属Ｃｒ、及び金属Ｒｕの含有量は、メディアの使用する層その他の用途やメディアの設計等に応じて変えることがあるが、この実施形態では、上述した上限値以下とする。

この実施形態のスパッタリングターゲットは、上述した金属の他、金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％で含有することを特徴とするものである。
理論によって本発明が限定されることを意図するものではないが、Ｍｇは、金属の中でも比較的軽い元素であるため、添加することにより主成分の金属元素の拡散速度が向上し、ターゲット製造中に合金化が促進されることでターゲットを構成する金属相の面内分布が均一化し、スパッタリング時の放電状態が安定化するので、金属側の組成によるアーキングの発生を有効に防止することができると考えられる。それ故に、パーティクルの発生が効果的に抑制されることになる。なお、ＭｇがＭｇＯに代表される酸化物の形態で添加されても、酸化物相に取り込まれるため、ターゲット中における金属相の均一化効果を得ることは困難である。このため、Ｍｇは金属Ｍｇの形態で存在することが重要である。

先に述べた先行技術のような酸化物相の組織の微細化では、金属相の組成のいかんによっては、スパッタリング時に放電が不安定になってアーキングが発生しやすくなることから、それに起因して発生し得るパーティクルには対応することができなかった。これに対し、この実施形態のスパッタリングターゲットでは、金属Ｍｇを含むことにより、金属相の組成によるアーキング及び、それに伴うパーティクルの発生を有効に抑制することが可能になる。また金属Ｍｇは、軽金属のなかでも、取り扱いが比較的容易である。

金属Ｍｇの含有量は、０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％とする。金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％未満とした場合は、含有量が少なすぎることから、放電状態安定化の作用を十分に得ることができない。
ところで、Ｃｏ－Ｐｔ合金では、金属Ｃｒや金属Ｒｕなどの非磁性金属を加えることで飽和磁化の低減、磁気異方性の低減などの磁気特性の調整を行えることが広く知られている。当該金属Ｍｇについても０．５ｍｏｌ％より多くした場合、膜の飽和磁化、磁気異方性が小さくなる方向に磁気特性が変化する。このような観点から、上記の金属Ｍｇの含有量は、０．００５ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％とすることが好適であり、さらに０．０１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％とすることがより一層好適であり、０．１ｍｏｌ％～０．４ｍｏｌ％とすることがより一層好適である。

この実施形態のスパッタリングターゲットは、必要に応じて、金属成分としてさらに、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶから選択される少なくとも一種を含有することができる。Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶから選択される少なくとも一種の含有量は合計で、好ましくは１ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％とする。

スパッタリングターゲットは、上述した金属に金属酸化物が分散したグラニュラ構造になるため、金属酸化物を含有する。金属酸化物にはＭｇの酸化物が含まれないことが好ましい。金属酸化物の合計含有量は１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％とすることが好ましく、２ｍｏｌ％～３５ｍｏｌ％とすることがより好ましく、５ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％とすることが更により好ましい。

上記の金属酸化物として具体的には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂの酸化物を挙げることができる。したがって、この実施形態のスパッタリングターゲットでは、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢから選択される少なくとも一種の元素の酸化物を含んでもよい。

不可避的不純物は、原料中に存在したり、製造工程において不可避的に混入したりするもので、本来は不要なものであるが、微量であり、スパッタリングターゲットの特性に影響を及ぼさないため、許容されている不純物である。不可避的不純物の合計含有量としては、０．５質量％以下であることが好ましく、０．１質量％以下であることがより好ましく、０．０５質量％以下であることが更により好ましい。

（スパッタリングターゲットの製造方法）
以上に述べたスパッタリングターゲットは、たとえば粉末焼結法により製造することができ、その具体的な製造方法の例を次に述べる。

はじめに、金属粉末として、金属Ｃｏ粉末と、金属Ｍｇ粉末と、金属Ｐｔ粉末、金属Ｃｒ粉末及び金属Ｒｕ粉末から選択される少なくとも一種の金属粉末とを用意する。必要に応じて、さらに上述したようなＡｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶから選択される少なくとも一種の金属の粉末を用意することもできる。金属Ｍｇ粉末中の酸素濃度は２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．５質量％以下であることが更により好ましい。ＭｇＯ等のＭｇ酸化物はターゲット中における金属相の面内分布の均一化に寄与しないために、放電安定性が得られないからである。

金属粉末は、単元素のみならず合金の粉末であってもよく、その粒径が１μｍ～１５０μｍの範囲内のものであることが、均一な混合を可能にして偏析と粗大結晶化を防止できる点で好ましい。金属粉末の粒径が１５０μｍより大きい場合は、後述の酸化物粒子が均一に分散しないことがあり、また、１μｍより小さい場合は、金属粉末の酸化の影響でスパッタリングターゲットが所望の組成から外れたものになるおそれがある。

また、酸化物粉末として、たとえば、ＴｉＯ₂粉末、ＳｉＯ₂粉末及び／又はＢ₂Ｏ₃粉末等を用意する。酸化物粉末は粒径が１μｍ～３０μｍの範囲のものとすることが好ましい。それにより、上記の金属粉末と混合して加圧焼結した際に、金属相中に酸化物粒子をより均一に分散させることができる。酸化物粉末の粒径が３０μｍより大きい場合は、加圧焼結後に粗大な酸化物粒子が生じることがあり、この一方で、１μｍより小さい場合は、酸化物粉末同士の凝集が生じることがある。

次いで、上記の金属粉末及び酸化物粉末を、所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて混合するとともに粉砕する。このとき、混合・粉砕に用いる容器の内部を不活性ガスで充満させて、原料粉末の酸化をできる限り抑制することが望ましい。これにより、所定の金属粉末と酸化物粉末とが均一に混合した原料混合粉末を得ることができる。

従って、本発明の一実施形態においては、金属Ｍｇ粉末を０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％、金属Ｃｒ粉末を０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔ粉末を０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕ粉末を０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物粉末を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％含有し、残部が金属Ｃｏ粉末であるスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末が提供される。

原料混合粉末は、金属Ｍｇ粉末を０．００５ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％で含有することが好ましく、０．０１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％で含有することがより好ましい。

金属酸化物粉末は一実施形態において、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢから選択される少なくとも一種の元素の酸化物粉末を含む。

原料混合粉末は一実施形態において、さらに、金属成分として、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶから選択される少なくとも一種の金属粉末を、合計で１ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％含有することができる。

なお、原料混合粉末中には、各原料粉末に含まれる不可避的不純物が含有し得る。

その後、このようにして得られた原料混合粉末を、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気下で加圧して焼結させ、円盤状等の所定の形状に成型する。ここでは、ホットプレス焼結法、熱間静水圧焼結法、プラズマ放電焼結法等の様々な加圧焼結方法を使用することができる。なかでも、熱間静水圧焼結法は焼結体の密度向上の観点から有効である。

焼結時の保持温度は、好ましくは６００～１５００℃の温度範囲とし、より好ましくは７００℃～１４００℃とする。そして、この範囲の温度に保持する時間は、１時間以上とすることが好適である。また焼結時の加圧力は、好ましくは１０ＭＰａ以上、より好ましくは２０ＭＰａ以上とする。
それにより、安定してスパッタリングを行うのに十分に高い密度の焼結体を得ることができる。

上記の加圧焼結により得られた焼結体に対し、旋盤等を用いて所望の形状にする切削その他の機械加工を施すことにより、円盤状、円筒状等のスパッタリングターゲットを製造することができる。

（磁性膜）
先に述べたようなスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング装置、一般にはマグネトロンスパッタリング装置にてスパッタリングを行うことにより、磁性膜を成膜することができる。

このような磁性膜は、上述のスパッタリングターゲットと実質的に同様の組成を有するものとなる。
より詳細には、磁性膜は、金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％、好ましくは０．００５ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％、より好ましくは０．０１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％で含有するとともに、金属Ｃｒを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕを０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％で含有し、残部に金属Ｃｏ及び不可避的不純物を含むものである。磁性膜は金属Ｐｔを４５ｍｏｌ％以下で含有することがあるが、実施形態によっては、金属Ｐｔの含有量が０ｍｏｌ％、つまり金属Ｐｔを含まない磁性膜もある。

また、磁性膜中の金属酸化物には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢから選択される少なくとも一種の元素の酸化物が含まれる場合がある。
磁性膜は、さらに、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶから選択される少なくとも一種を、合計で１ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％含有するものとすることができる。

かかる磁性膜は、種々の用途に用いることができるが、たとえば、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体を構成する基板上の密着層、軟磁性層、Ｓｅｅｄ層、Ｒｕ層などの下地層、中間層、記録層および保護層のうち、特に記録層として用いることが好適である。

なお、上記の垂直磁気記録方式の磁気記録媒体は、これまでの記録面に対して水平方向に磁気を記録する水平磁気記録方式とは異なり、記録面に対して垂直方向に磁気を記録することから、より高密度の記録が可能であるとして、ハードディスクドライブ等で広く採用されている。垂直磁気記録方式の磁気記録媒体は具体的には、たとえば、アルミニウムやガラス等の基板上に密着層、軟磁性層、Ｓｅｅｄ層、Ｒｕ層などの下地層、中間層、記録層および保護層等を順次に積層して構成される。
上述したスパッタリングターゲットは、このうちの記録層の成膜に特に適している。

次に、スパッタリングターゲットを試作し、その性能を評価したので以下に説明する。但し、ここでの説明は単なる例示を目的としたものであり、それに限定されることを意図するものではない。

表１に記載するそれぞれの組成比となるように金属粉末、金属酸化物粉末を秤量した。何れも高純度品を用いた。使用した金属Ｍｇ粉末について、赤外線吸収法により酸素濃度を測定したところ、１．４質量％であった。金属粉末は何れも粒径が１μｍ～１５０μｍの範囲内となるように篩別してから用いた。酸化物粉末は何れも粒径が１μｍ～３０μｍの範囲内となるように篩別してから用いた。
次に、それぞれの粉末を秤量した後、粉砕媒体のジルコニアボールとともに容量１０リットルのボールミルポットに封入し、Ａｒガス中で、２４時間回転させて混合した。そして、ボールミルから取り出した混合粉末を直径１９０ｍｍのカーボン製の円柱状の型に充填し、ホットプレスで焼結させた。ホットプレスの条件は、真空雰囲気、昇温速度３００℃／時間、保持温度１０００℃、保持時間２時間とし、昇温開始時から保持終了まで３０ＭＰａで加圧した。保持終了後はチャンバー内でそのまま自然冷却させた。これにより得られた焼結体を切削し、直径１８０ｍｍの円板形状のスパッタリングターゲットとした。

上述した方法で製造した各スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行った。ここで、スパッタ装置はキャノンアネルバ製Ｃ－３０１０を用いた。ターゲット背面に設置されたマグネットの位置を、ターゲット表面の磁束の最大値が３００ガウスとなるように調整した。アルゴンガスを４ｓｃｃｍでフローすることで圧力を約０．３Ｐａとし、設定電力２００Ｗで放電を１０回行った。放電開始時に記録された、開始直後の最大電圧と、放電開始から１秒間までの平均電圧との差が３００Ｖ以上あった場合を放電電圧が不安定になったとみなし、その発生確率によって放電の安定性を評価した。結果を表１に示す。表１中、放電不安定発生確率の『〇』とは、０～３０％の確率のことを指す。放電不安定発生確率の『×』とは、７０～１００％の確率のことを指す。

比較例１は、スパッタリングターゲットが金属Ｍｇを含有しなかったことから、放電不安定の発生確率が高かった。これに対し、実施例１では比較例１のターゲット組成をベースに僅かに金属Ｍｇを添加しただけで、放電不安定性の発生確率が有意に減少した。これは先述した通り、金属Ｍｇを添加したことで、ターゲットを構成する金属相の面内分布が均一化したことによると推察される。

なお、実施例１及び比較例１を含む本発明者の検討結果によれば、金属Ｍｇを添加することによる放電安定性の向上効果は、金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％含んでなるスパッタリングターゲットであれば得られる。この場合のその他組成は、金属Ｃｒを０～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔを０～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕを０～６０ｍｏｌ％、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％で含有し、残部に金属Ｃｏ及び不可避的不純物を含んでなる組成から適宜選択される。また、金属Ｍｇの代わりにＭｇＯを添加しても、放電不安定の向上効果は得られない。

Claims

金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％（ただし、０．５ｍｏｌ％を除く）、金属Ｃｒを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕを０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％で含有し、残部に金属Ｃｏ及び不可避的不純物を含んでなるスパッタリングターゲット。
金属Ｍｇを０．００５ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％（ただし、０．５ｍｏｌ％を除く）で含有してなる請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
金属Ｍｇを０．０１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％（ただし、０．５ｍｏｌ％を除く）で含有してなる請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
前記金属酸化物にはＭｇの酸化物が含まれない請求項１～３の何れか一項に記載のスパッタリングターゲット。
前記金属酸化物には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢから選択される少なくとも一種の元素の酸化物が含まれる請求項１～４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
さらに、金属成分として、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶから選択される少なくとも一種を、合計で１ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％含有してなる請求項１～５のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
金属Ｍｇを０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％（ただし、０．５ｍｏｌ％を除く）、金属Ｃｒを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔを０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕを０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％で含有し、残部に金属Ｃｏ及び不可避的不純物を含んでなる磁性膜。
金属Ｍｇを０．００５ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％（ただし、０．５ｍｏｌ％を除く）で含有してなる請求項７に記載の磁性膜。
金属Ｍｇを０．０１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％（ただし、０．５ｍｏｌ％を除く）で含有してなる請求項８に記載の磁性膜。
前記金属酸化物には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢから選択される少なくとも一種の元素の酸化物が含まれる請求項７～９のいずれか一項に記載の磁性膜。
さらに、金属成分として、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶから選択される少なくとも一種を、合計で１ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％含有してなる請求項７～１０のいずれか一項に記載の磁性膜。
金属Ｍｇ粉末を０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％（ただし、０．５ｍｏｌ％を除く）、金属Ｃｒ粉末を０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔ粉末を０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕ粉末を０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物粉末を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％含有し、残部が金属Ｃｏ粉末であるスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末。
金属Ｍｇ粉末を０．００１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％、金属Ｃｒ粉末を０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｐｔ粉末を０ｍｏｌ％～４５ｍｏｌ％、金属Ｒｕ粉末を０ｍｏｌ％～６０ｍｏｌ％、金属酸化物粉末を合計１ｍｏｌ％～４０ｍｏｌ％含有し、残部が金属Ｃｏ粉末であるスパッタリングターゲット作製用の原料混合粉末であって、金属Ｍｇ粉末中に含まれる酸素濃度が２質量％以下である原料混合粉末。
金属Ｍｇ粉末を０．００５ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％（ただし、０．５ｍｏｌ％を除く）で含有する請求項１２又は１３に記載の原料混合粉末。
金属Ｍｇ粉末を０．０１ｍｏｌ％～０．５ｍｏｌ％（ただし、０．５ｍｏｌ％を除く）で含有する請求項１４に記載の原料混合粉末。
前記金属酸化物粉末には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔｉ及びＢから選択される少なくとも一種の元素の酸化物粉末が含まれる請求項１２～１５のいずれか一項に記載の原料混合粉末。
さらに、金属成分として、Ａｕ、Ａｇ、Ｂ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ及びＶから選択される少なくとも一種の金属粉末を、合計で１ｍｏｌ％～３０ｍｏｌ％含有する請求項１２～１６のいずれか一項に記載の原料混合粉末。