TW201240013A - Substrate support with heater and rapid temperature change - Google Patents

Description

201240013 、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明的實施例大致關於基板製程裝置，更明確地 本發明的實施例關於基板支撐件。 【先前技術】 隨著元件的關鍵尺寸持續縮小，可能需要對製程（諸 如’加熱、冷卻等等）整體控制的改良。舉例而+ 支撐件可包括加熱器及/或冷卻器，以在製程期間提供％ 置於基板支撐件上的基板所需的溫度。 因此，本發明人已經提供改良的基板支撐件。 【發明内容】 本發明提供具有加熱器與整合冷卻器的基板支撐件的 實施例。在某些實施例中，基板支撐件可包括：第一構 件，當基板位在第一構件的第一表面上時，第一構件用 Μ笟仰熱主暴扳 .....—…1母rr Γ万, 且加熱器具有一或多個加熱區域以提供熱至第一構件； 複數個冷卻通道，複數個冷卻通道設置於第一構件下 方以私除加熱益提供的熱；複數個基板支樓銷，複數 個基板支撐銷設置在高於第一構件的第一表面上第—距 離處，當基板位在基板切件上時，複數㈣板支掠銷 用以支擇基板的背側表面；及校準引導件，校準料件 201240013 自第-構件的第一表面延伸並圍繞複數個基板支撐銷。 在某些實施例中，基板支撐件可包括：第一構件，當 基板位在第-構件的第—表面上時，第_構件用以散佈 熱至基板；複數個基板支撐銷…複數個&板支撐銷自第 -構件的第一表面延伸，當基板位在基板支撐件上時， 複數個基板支撐銷用以支撐基板的背側表面；校準引導 件心準引導件自第一構件的第一表面延伸並圍繞複數 個基板支撐銷’其中第一構件、複數個基板支撐銷的各 個基板支撐銷與校準引導件是由相同材料所形成；及第 一構件，第二構件具有一或多個設置於第二構件中的加 熱區域以提供熱至第一構件，且第二構件具有複數個設 置於第二構件中的冷卻通道。 在某些實施例中，基板支撐件包括：第一構件，當基 板位在第一構件的上表面上時’第一構件用以散佈熱至 基板；支撐層，支撐層設置在第一構件的上表面上，其 中當基板位在基板支撐件上時，複數個基板支撐銷的各 個基板支撐銷自支撐層的表面延伸以支撐基板的背側表 面；校準引導件，校準引導件自第一構件的上表面延伸 並圍繞複數個基板支撐銷；第一層，第一層設置於第一 構件下，且第一層具有一或多個加熱區域的各個加熱區 域，一或多個加熱區域的各個加熱區域設置鄰近第一層 的第一表面處；及第二層，第二層設置於第一構件下， 且第二層具有複數個冷卻通道的各個冷卻通道，複數個 冷卻通道的各個冷卻通道形成於第二層中。 201240013 於下文描述本發明的其他與進一步實施例。 【實施方式】 本文揭示具有加熱器與整合冷卻器的基板支撐件的實 施例。本發明的基板支撐件可有利地促進下列一或多 者·加熱基板、維持基板的溫度、快速改變基板的溫度 或者均勻地散佈熱至基板或均勻地自基板移除熱。 第1圖描繪根據本發明的某些實施例的基板支樓件 100。基板支撐件1〇〇可包括第一構件102與第二構件 106，當基板103位在第一構件102的第一表面1〇4(例 如，上表面）上時，第一構件102用以散佈熱至基板103 , 第一構件106具有一或多個加熱區域1〇8與複數個冷卻 通道110，一或多個加熱區域1〇8用以提供熱至即將將 熱散佈的第一構件丨〇2。如第1圖中所示，可將第二構 件106設置於第一構件ι〇2下。 在某些實施例中，基板支撐件可提供約45〇t至約600 C的/m度範圍。然而，本文揭示的基板支撐件的實施例 並不限於上文提及的溫度範圍。舉例而言，溫度可為較 低點（例如，自約15〇ΐ：至約45〇t )或較高點（例如，高於 約 600°C。 在某些實施例中，基板支撐件100可包括第三構件 107,第三構件1〇7設置於第一構件1〇2與第二構件 下。第三構件107可作為設施管理板，諸如用於到達一 201240013 或多個加熱區域108及/或複數個冷卻通道ιι〇的線路及 /或管路管理。在某些實施例中，舉例而言，當不應用複 數個冷卻通道110時，第三構件107可被用作熱沉等等。 在某些實施例中，第三構件107可作為絕熱器以避免對 机散熱至下方環境。或者，當提供複數個冷卻通道】ι〇 時，第二構件1 07可額外地作為熱沉等等。第三構件工07 可包括MAC OR®或任何適當的陶瓷材料。 第二構件107可包括開口 1〇9，舉例而言，開口 ι〇9 是中央地設置穿過第三構件1〇7。開口 1〇9可用來將饋 通組件111耦接至基板支撐件丨〇〇的構件i〇2、丨與 107。饋通組件1U可饋送多個來源及/或控制裝置，諸 如到達一或多個加熱區域i08的功率源丨26、到達複數 個冷卻通道110的冷卻源128或如下所述的控制器122<) 在某些實施例中，饋通組件i丨丨可包括導管14〇，導管 14〇可提供來自氣體源（未圖示）的氣體至基板1〇3的背 側。舉例而言，導管14〇提供的氣體可用來改良第一構 件102與基板103之間的熱傳導。在某些實施例中，該 氣體是氦（He)。 導管140可包括撓性區段142，撓性區段142諸如波 紋管等等。舉例而言，當基板支撐件100被調整位準時， 導官140中的上述撓性可為必需的。舉例而言，可藉由 一或多個調整位準裝置（未圖示）來調整基板支撐件1〇〇 的位準，一或多個調整位準裝置設置圍繞饋通組件m 並穿過基板支撐件11 〇的一或多個構件。舉例而言，上 201240013 述調整位準袭置可包括運動式千斤頂等等。當調整位準 裝置用以調整基板支撐件100的位準時，導管14〇中的 撓性可為必需的。 可藉由任何數目的適當機制將基板支撐件100的構件 耦接在一起。舉例而言，適當的機制可包括重力、黏合、 接合、硬焊、鑄造 '機械壓縮（諸如，藉由螺釘、彈^、 夾具或真空）等等。機械壓縮的非限制性示範形式描繪於 第1圖中。舉例而言，可將棒144設置穿過基板支撐件 110的一或多個構件，並用棒144來壓縮構件與饋通組 件111。描繪的棒144為單一件，但是棒144可為由鉸鏈、 球狀與穴狀構造等等連接在一起的多個件（未圖示卜棒 144可提供撓性用於調整基板支撐件1〇〇的位準，相似 於上文針對導管14〇所述。 舉例而言，.可透過硬焊、焊接等等將棒144耦接至第 一構件102，或者棒144可帶有螺紋並被擰進第一構件 1〇2中設以接收棒144的相應螺紋開口（未圖示）中。可透 過彈簧146將棒144的相反端耦接至饋通組件u卜舉例 而言，彈簧146的第一端可耦接至棒144而彈簧146的 相反第二端可耦接至外殼丨11。如第1圖中所示，設置於 外殼ill中的螺栓150是耦接至彈簧146的第二端。在 某些實施例中，可提供蓋件148於螺栓15〇上。雖然圖 示的彈簧146提供壓縮力量將棒144拉向饋通組件m， 但亦可將彈簧146設置預裝成壓縮，以致藉由彈脊i46 的擴張來提供耦接力量。 201240013 在某些實施例中’基板支撐件丨〇 0可包括複數個基板 支撑銷112’複數個基板支撐銷112設置在第一構件1〇2 的第一表面104上的第一距離處，當基板1〇3位在基板 支撐件上時’複數個基板支撐銷丨丨2可支撐基板丨〇3的 背側表面。在某些實施例中（如各個支撐銷丨丨2附近虛線 所示），複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷可自第一構 件1 02的第一表面i 〇4延伸（例如，基板支撐銷可為第一 構件102的部分或者基板支撐銷可形成於第一構件1〇2 中）。或者’在某些實施例中，支撐層116可設置於第一 構件102的第一表面1〇4上，而複數個基板支撐銷112 的各個基板支撐銷112可自支撐層116的表面114延伸。 在某些實施例中，支撐層116與複數個基板支撐銷i 12 的各個基板支撐銷112可由相同材料所形成。舉例而 言’支撐層116與複數個基板支撐銷112的各個基板支 撐銷11 2可為一件式構造（描繪於第2A圖中且討論於 下）。支撐層與複數個基板支樓銷11 2的各個基板支撐銷 112可由具有耐磨性質的適當製程-相容材料所形成。舉 例而言，材料可相容於基板、相容於基板上即將執行的 製程等等。在某些實施例中，可由介電材料製成支撐層 116及/或基板支撐銷112。在某些實施例中，用於形成 支樓層116及/或基板支撐·銷112的材料可包括下列一或 多者.聚亞醯胺（例如，KAPTON®)、氧化鋁（ai2〇3)、氮 化鋁（A1N)、二氧化矽（si〇2)、氮化矽（3丨3仏）等等。在某 些實施例中，例如用於低溫應用（例如，在低於2〇〇β(：的 201240013 溫度下），支撐層116及/或基板支撐銷112可包括 KAPTON®。 在某些實施例中’基板支撐件1〇〇可包括校準引導件 118,校準引導件118自第一構件ι〇2的第一表面ι〇4延 伸並圍繞複數個基板支撐銷112。舉例而言，當藉由複 數個升降銷（未圖示，升降銷孔i 13係描繪於第丨圖中且 可延伸穿過支撐層116與第一構件102與第二構件106) 將基板降低至基板支撐銷112上時，校準引導件118可 用以引導、置中及/或校準基板103,諸如相對於設置在 基板103下的一或多個加熱區域1〇8、冷卻通道11〇引 導、置中及/或校準基板103。校準引導件可包括一或多 個淨化氣體通道119, 一或多個淨化氣體通道119設置穿 過且圍繞校準引導件118(如第丨圖中所示）及/或設置於 基板103的周圍邊緣附近（例如，第一構件1〇2中（未圖 示））。-或多個淨化氣體通冑119彳輕接至淨化氣體源 121 ’淨化氣體源121可提供淨化氣體穿過一或多個淨化 氣體通道119。舉例而言，可提供淨化氣體以限制製程 期間材料沉積於基板】03的背側上。淨化氣體可包括下 列一或多者：氦（He)、氮（Ν2)或任何適當的惰性氣體。可 透過鄰近基板103邊緣的縫隙m排出淨化氣體。透過 縫隙117排出的淨化氣體可限制或避免製程氣體在製程 期間到達基板1〇3的背側並與基板1〇3的背側反應。可 透過製程腔室的排放系統（未圖示）自製程腔室排放淨化 氣體，以適當地處理排放的淨化氣體。 201240013 相谷材料形成校準引導件118，適告 的製程相容材料例士〇且古β ^田 具有耐磨性質及/或低熱膨脹係數 的材料。校準料彳118可為單—件或多個部件的組 件。在某些貫施例中’可由介電材料製成校準引導件 8舉例而5 1以形毅㈣導件118的適當材料可 匕括下列或夕者：CELAZC)LE® ΡΒΙ(聚苯$ i )、氧化 鋁（Al2〇3)等等。—般而言，可根據材料彼此之間及/或材 料與已知製程應用之間的化學與熱相容性，來選擇基板 支樓件100的不同部件任一者的材料。 第構件102可用以散佈熱至基103。舉例而言， =構件可作為熱散佈器，以散佈一或多個加熱區域⑽ 提供的熱。在某些實施例中’第-構# 102彳包括-或 夕個/皿度監測裝置12〇，一或多個溫度監測裝置㈣嵌 於第-構件m中或延伸穿過第一構件1〇2，以在沿著 第構件104的第一表φ】〇4的一或多個位置處監測提 供至基板103的溫度。溫度監測裝置m可包括任何適 *的孤測恤度裝置，諸如溫度感測器、快速熱偵測器 ⑽D)、光學感測器等等的一或多者。—或多個溫度監測 裝置120可輕接至控制器122,控制器122用以接收來 自複數個溫度i測裝i 12〇的各個溫度監測裝I 12〇的 溫度資訊。如下文進一步所述，控制器122可進一步用 來控制加熱區域108與冷卻通道11〇以回應溫度資訊。 可由適田的製耘相容材料形成第—構件適當的製 程相容材料例如具有高熱導係數、高剛性與低熱膨張係 11 201240013 數的-或多者的材料。在某些實施例中，帛—構件如 可具有至少約160w/mK的熱導係數。在某些實施例中， 第構件102可具有約9 χ j 〇-6/t»c或更低的熱膨服係數。 用於形成第-構件1G2的適#材料的實例可包括下列一 或多者：鋁（A1)、銅（Cu)或上述之合金、氮化鋁（ain)、 氧化鈹（Be〇)、熱解氮化硼（PBN)、氮化矽（Si^)、氧化 銘（A丨2〇3)、碳化矽（SiC)等等。 第一構件102、複數個基板支撐銷112與校準引導件 U8的變化是有可能的。舉例而言，上述變化可取決於 基板103上即將執行的製程及/或基板1〇3的組成。舉例 而言，取決於已知製程的溫度要求，第一構件1〇2可由 具有特定熱導絲等等的材料加以形成；然而若基板1〇3 的背側暴露於第-構件1G2的第—表面1()4，則上述材 料可旎會巧染基板103。因此，可在上述條件下應用支 撐層116,並利用與第一構件1〇2相異的材料形成支撐 層116,其中相異的材料不會污染基板1〇3。同樣地，因 為相似原因’可利用與第一構件1〇2相異的材料形成校 準=導件118。舉例而言，帛2Α圖描繪基板支撐件1〇2 的貫施例基板支樓件1 〇2包括校準引導件【1 8、支標 層U6複數個自支撐層116延伸的支撐銷與第一構件 102’其中校準引導件118、支標層116與支樓銷112是 由與第一構件102相異的材料所加以形成。 或者，取決於基板103上即將執行的製程及/或基板 103的組成，第一構件1〇2、複數個基板支撐銷與校

S 201240013 準引導件118可如第2B圖中所述般由相同材料所加以形 成。舉例而言’當第-構件的材料相容於基板⑻ 將執行的製程及/或基板103的組成時，則便可應用第⑸ 圖中所示的基板支樓件100的實施例。由於第2b圖中的 支擇層U6與第-構件丄㈣合在一起，第⑼圖中便未 圖示分離的支撐層116。然、而’可將支撐層⑴視為第一 構件102的上部分。 或者’取決於基板103上即將執行的製程及/或基板 103的組成，第-構件102可如帛冗圖中所描綠般在厚 度上有所變化。舉例而言’沿著第一構件102的厚度變 化可促進沿著基板i 03的所需加熱分佈及/或補償即將執 行於基板1〇3的正面上的製程中的不均勻性，製程諸如 沉積、固化、烘烤、退火、蝕刻等等。舉例而言，在某 些實施例中，如第2C圖中所描繪般，第一構件ι〇2可自 第-構件102的中心至第一構件1〇2的邊緣增加厚度。 然而，第2C圖的實施例僅為說明，而可用任何適當的方 式改變第一構# 102的厚度’以提供沿著基板1〇3的所 需加熱分佈。如第2C圖中所描繪般，當第一構件1〇2 的厚度有所變化時，複數個支撐銷112可具有變化的長 度以補償第一構件102中的厚度變化。如第2C圖中所 示各個支撐銷112具有的長度使得各個支樓銷I〗]在 大、力相同的垂直两度處接觸基板丨〇3的背側表面。可如 第2C圖中所描述般，將複數個支撐銷u 2個別地塑造並 耦接至第一構件102。或者（未圖示），複數個支撐銷112 13 201240013 可與第一構件102整合在—起，兴

艰举例而s，相似於第2B 圖中所示的支撐銷112的實施例。 禾一馎件106可具有一或多個加熱區域 1〇8與冷卻通it no兩者’一或多個加熱區域1〇8與冷 卻通道110兩者形成於第二構彳1〇6中或形成於第二構 回到第1圖 件1〇6上，或者，如設置穿過第二構件1〇6的虛線所示， 第二構件106可具有多個層，其中一層包括加熱區域⑽ 或冷卻通道110之-者，而另一層包括加熱區域1Q8或 冷卻通道110之另一者。雖然描繪於第1圖與第3A_D 圖中一或多個加熱區域108與冷卻通道11〇為沿著第二 構件106均勻地分散，但可用任何適當的設置沿著第 構件102分散一或多個加熱區域1〇8與冷卻通道ιι〇 適田的β又置可在基板1〇3上提供所需的溫度分佈。可由 適當的製程相容材料來形成第二構件1Q6，製程相容材 料諸如具有下列一或多者的材料：高機械強度(例如，至 少約200 MPa的彎曲強度）、高電阻率（例如，至少約i〇u 〇hm-cm)、低熱膨脹係數（例如，不超過約$ X 1 )。 適當的材料可包括碳化邦ic)、1切（_4)、氮化銘 (A1N)、氧化鋁（ΑΙΑ3)等等的一或多者。 基板支撐件100包括一或多個電阻式加熱元件124。 一或多個加熱區域108的各個加熱區域108包括一或多 個電阻式加熱元件124。各個電阻式加熱元件i 24可耦 接至功率源126。功率源126可提供任何相容於電阻式 加熱元件124的適當類型功率’諸如直流電（DC)或交流 201240013 電（AC)。功率源126可耦接至控制器122或另—控制器 (未圖示）並由控制器122或另一控制器（未圖示）所控 制，另一控制器例如用以控制製程腔室（具有基板支撐件 設置於製程腔室中）的系統控制器等等。在某些實施例 中，功率源126可進一步包括功率分配器，功率分配器 將提供至電阻式加熱元件124的功率分配至各個加熱區 域108。舉例而言，功率分配器可回應溫度監測裝置 的一或多者而運作，以選擇性地散佈功率至㈣加熱區 域1〇8中的電阻式加熱㈣124。或者，在某些實施例 中，可對各個個別的加熱器區域中的電阻式加熱元件提 供多個功率源。 在某些實施例中，可將一或多個電阻式加熱元件124 沉積於第二構# 1〇6的表面上。舉例而t，沉積可包括 任何形成加熱區域108所需圖案的適當沉積技術。舉例 而吕’-或多個電阻式加熱元件可包括鉑或其他適當的 電阻式加熱材料。在某些實施例中，在完成一或多個電 阻式加熱元件124的沉積之後’可用絕緣材料（諸如，玻 璃、陶莞等等)來塗覆第二構件1〇6的表面與沉積的一或 多個電阻式加熱元件12 4。 舉例而5 ’ 一或多個加熱區域1〇8被排列成六個區域 的設置的一實施例是描繪於第4圖中，雖然亦可應用較 夕或#乂少的區域。如俯視圖中所示，可圍繞基板支撐件 100的t央軸402設置加熱區域1()8。—或多個加熱區域 ⑽可包括：第—加熱區域4〇4，第一加熱區域_具有 15 201240013 自中央軸402沿著第二構件1〇6的上表面延伸的第—半 徑4〇6(例如，中央區域）；第二加熱區域408(例如，中門 區域第二加熱區域408圍繞第一加熱區域4〇4;及^ ::第四、第五與第六加熱區域41〇(例如，複數個外部 區域）’ f三、第四、第五與第六加熱區域41〇設置圍繞 第二加熱區域。在某些實施例中，且如圖所示，四 個加熱區域41G各自可對應至基板支料100的外部區 域約四分之-部分。在某些實施例中，可提供溫度監測 裝置(例如’上述的溫度監測裝i 120)以錢對應於各個 區域（或各個區域中所需位置）中溫度的資料。在某些實 施例中’各個溫度監測裝置是RTD。各個溫度監測裝置 可耦接至控制器（例如，上述的控制器122)，以提供針對 各個相應加熱區域108的反饋控制。 回到第1圖，冷卻通道110可耦接至冷卻源128 ,冷 部源128可提供冷卻劑至冷卻通道11〇。舉例而言，冷 部劑可為液體或氣體，諸如水、惰性氣體等等。冷卻通 道no可相互連接，或者，冷卻通道11〇可被排列成複 數個區域。該等區域可重疊於一或多個加熱區域1〇8的 一或多者。舉例而言，各個加熱區域1〇8可具有相應的 冷部區域，或者冷卻區域可與複數個加熱區域1〇8有所 關連或者冷卻區域可設置在複數個加熱區域1 〇 8附近。 可如所需般將冷卻劑分散至各個冷卻劑通道，或者用相 似於針對加熱區域丨08描述於上的方式，回應溫度監測 裝置120的一或多者提供的溫度資訊將冷卻劑分散至各 16 201240013 個冷卻劑通道。舉例而士 ;而5可用相似於針對加熱區域⑽ 二二上的方式’藉由控制器122控制冷卻劑源128至 冷㈣通道的冷卻劑輸送。舉例而言，可控制冷卻劑的 溫度、流動速率等等以如所需般自基板支標件移除轨， 藉以控制設置於基板切件⑽上的基板的熱分佈: 基板支撐件1 〇〇的緊宋π斗 _ .^ 町笈在叹纤、凋整基板1〇3上溫度非 均勾性的加熱與冷卻的可調整性與主動冷卻機制（例 如，冷卻劑通道110與相關的冷卻劑裝置）的存在可促進 下列-或多者：加熱基板、維持基板的溫度、快速改變 基板的溫度’或者均句地散佈熱至基板或㈣地自基板 移除熱。 第二構件106可包括-或多個由相同或相異材料構成 的層舉例而έ，第二構件！ 〇6的多個非限制性變化描 繪於第3A-C @中所示的實施例中。舉例而言，如第3Α 圖中所不，冷郃通道11〇與加熱區域的位置可與第 1圖中所祂繪的第二構件i 〇6的實施例相反。如第1圖 所描繪加熱區域108可位在冷卻通道11〇與第一構 牛2之間。或者，如第3 Α圖中所描繪，冷卻通道可設 置在加熱區域108與第一構件1〇2之間。在某些實施例 中，一或多個冷卻通道11〇的各個冷卻通道ιι〇可設置 於平行於第二構件106的第一表面13〇、鄰近第一構件 的平面方向中。同樣地，在某些實施例中，一或多 個加熱區域108的各個加熱區域1〇8可設置於平行於第 二構件106的第一表面13〇的平面方向中。如上所述， 17 201240013 雖然將加熱區域1 08與冷卻通道11 〇描繪成平行於上表 面130且沿著第二構件106均勻地分散，但加熱區域 與冷卻通道110可採取任何適當的設置以提供基板1〇3 上所需的溫度分佈。舉例而言，可相對於上表面i 3 0交 錯加熱區域108及/或冷卻通道110及/或非均勻地分散加 熱£域108及/或冷卻通道110。 在某些實施例中’第二構件1〇6可由第一層132與第 —層134所形成。如第3B圖中所描繪，第一層132可包 括各個一或多個加熱區域1〇8，其中加熱區域^⑽各自 設置鄰近於第一層132的上表面133或設置於第一層132 的上表面133上。舉例而言，各個加熱元件124可如第 3B圖中所示般嵌於第一層132巾。或者，舉例而言，可 藉由：刷加熱元件124於上表面133上或藉由另外適當 的微或/冗積技術，將各個加熱元件124設置於第一層 (未圖示）。同樣地，舉例而言，當第二構件1 由 早一層所形成時（未圖示）’可將一或多個加熱元件124 設置於第二構们06的上表面13…舉例而言，可由 適畲的製程相容材料形成第一層132，適當的製程相容 材料諸如下列的—^夕扣 或夕者：AIN、Si3N4、MACOR®(可自

Incorporated取得的可加工玻璃-陶免，包括棚石夕 酸鹽玻璃基質中的氟金雲母）、找励卿（可自油“ AG取得的玻璃-陶杳、、 免）不鏽鋼等等。舉例而言，第一層 可為夕層或層壓結構，舉例而言，多層或層壓結構 包括多個上列的製程相容材料。 18 201240013 第二層134可具有複數個冷卻通道110，複數個冷卻 通道110可如第3B圖中所示般設置於第二層m的上表 面135中。或者，複數個冷卻通道可設置於第二層ι34 的内部中（未圖示可由適當的製程相容材料形成第二 層134 ’適當的製程相容材料諸如下列的一或多者： AIN、Si3N4、MACOR®、ZERODUR®、不鏽鋼等等。舉 例而言，第二層134可為多層或層壓結構，舉例而言， 多層或層壓結構包括多個上列的製程相容材料。 在某些實施例中，第一層13 2可設置於第二層134上。 舉例而言，如第3B圖中所描繪般，設置在第一層i 32 的上表面133上的各個加熱區域1〇8可接觸第一構件ι〇2 的下表面，然而，直接接觸第一構件1〇2的下表面並非 ‘、、而的.再者，如第.3 B圖中所描繪般，第二層134的 表面135(具有冷卻通道11〇設置於第二層134的上表 135中）可接觸第-層132的下表面，雖然直接接觸並 必而的。因此’第一層132的上表面133接觸第一構 的下表面。接觸可為直接的（如圖示）或非直接的（ 如丄存在有某些介人層第二層134的上表面135接) 第一層132的下表面136。接觸可為直接的（如圖示）或: 直接的（例如，存在有某些介入層）。 一或者，可如第3C圖中所描繪般將第二層134設置幻 層134上。舉例而言，如第3C圖_所描纷般，第二/ 134的上表面U5可接觸第—構# 1()2的下表面。加產 …24可嵌於第一層132中或設置在第一層132的」 19 201240013 表面133上，且加熱元件124可接近接觸第二層134的 下表面138或接觸第二層i34的下表面ι38。 因此’本文已經揭示基板支撐件的實施例。本發明的 基板支撐件可有利地促進下列一或多者：加熱基板、維 持基板的溫度、快速改變基板的溫度，或者均勻地散佈 熱至基板或均勻地自基板移除熱。 雖然上述係針對本發明之實施例，但可在不悖離本發 明之基本範圍下設計出本發明之其他與更多實施例。 【圖式簡單說明】 可參.、'、描繪於附圖中的本發明說明性實施例來理解簡 短概述於【發明說明】令與詳細描述於【實施方式】之 本發明實施例。然而，需注意附圖僅描繪本發明之典型 實施例而因此不被視為本發明之範圍的限制因素，因為 本發明可允許其他等效實施例。 -第1 ®七田緣根據本發明#某些實施^列的基板支樓件的 示意圓。 第2A c圖描繪根據本發明的某些實施例的基板支擇 件的部分的橫剖面圖。 A C圖描繪根據本發明的某些實施例的基板支撐 件的部分的橫剖面圖。 第4圖描纷根據本發明的某些實施例的多區域加熱器 20 201240013 為了促進理解，可盡可能應用相同的元件符號來標示 圖式中相同的元件。圖式非按比例繪製且可能為了清晰 之故而有所簡化。預期一個實施例中的元件與特徵結構 可有利地併入其他實施例而不需特別詳述。 【主要元件符號說明】 100 基板支撐件 102 第一構件 103 基板 104 第一表面 106 第二構件 107 第三構件 108 加熱區域 109 開口 110 冷卻通道 111 饋通組件、外殼 112 .基板支撐銷 113 升降銷孔 114 表面 116 支撐層 117 縫隙 118 校準引導件 119 淨化氣體通道 120 溫度監測裝置 121 淨化氣體源 122 控制器 124 加熱元件 126 功率源 128 冷卻源 130 第一表面 132 第一層 133 > 13 5 上表面 134 第二層 138 下表面 140 導管 142 繞性區段 144 棒 146 彈簧 148 蓋件 150 螺栓 21 201240013 402 中央轴 404 第一加熱區域 406 第一半徑 408 第二加熱區域 410 第三、第四 、第五與第六加熱區域 22

Claims (1)

1. 201240013 七、申睛專利範圍: .一種基板支撐件，包括： 第一構件’當—基板位在該第一構件的一第一表面 上時胃第—構件用以散佈熱至該基板； 。一加熱器’該加熱器設置於該第一構件下，且該加熱 器具有一或多個加熱區域以提供熱至該第一構件； 複數個冷卻通道，該複數個冷卻通道設置於該第一構 件下以移除該加熱器提供的熱； 複數個基板支撐銷，該複數個基板支擇銷設置在該第 -構件的該第一表面上的一第一距離處，當一基板位在 該基板支撐件上時，該複數個基板支撐銷用以支撐該基 板的一背側表面；及 一校準引導件，該校準引導件自該第一構件的該第 表面延伸並圍繞該複數個基板支撐銷。 2.如請求項1所述之基板支撐件，其中該複數個基板支 標銷的各個基板支撐銷自該第一構件的該第—表面延 伸0 3·如凊求項2所述之基板支撐件，其中該第一構件、該 複數個基板支撐銷與該校準引導件是由相同材料所形 23 201240013 4. 如請求項1所述之基板支撐件，更包括： 一支撐層，該支撐層設置在該第一構件的該第一表面 上其中該複數個基板支撐鎖的各個基板支樓銷自兮支 樓層的一表面延伸。 5. 如請求項4所述之基板支撐件，其中該複數個基板支 撐銷的各個基板支撐銷與該支撐層是由相同材料所形 成0 6. 如請求項1所述之基板支撐件，更包括： 複數個電阻式加熱元件，其中該一或多個加熱區域的 各個加熱區域包括該複數個電阻式加熱元件的一或多 個電阻式加熱元件。 7. 如請求項ό所述之基板支撐件，更包括： 一第二構件，該第二構件設置於該第一構件下，其中 該複數個加熱元件的各個加熱元件設置鄰近該第二構 件的一上表面，且其中該複數個冷卻通道的各個冷卻通 道平行於該上表面設置於該第二構件中。 8. 如請求項6所述之基板支撐件，更包括： 一第二構件’該第二構件設置於該第一構件下，其中 該複數個冷卻通道的各個冷卻通道平行於一上表面設 置在該第二構件中’且其中該複數個加熱元件的各個加 24 201240013 熱元件設置於該第二構件中且該複數個加熱元件的各 個加熱元件位在該複數個冷卻通道的各個冷卻通道下 方。 9.如請求項6所述之基板支撐件，更包括： 一第一層，該第一層具有複數個加熱元件形成於該第 一層中；及 一第二層，該第二層具有該複數個冷卻通道的各個冷 卻通道形成於該第二層中。 10·如請求項9所述之基板支撐件，其中該複數個冷卻通 道的各個冷卻通道形成於該第二層的一上表面中。 11·如請求項10所述之基板支撐件，其中該第一層的一 下表面接觸該第二層的該上表面以形成該複數個冷卻通 道。 12·如印求項10所述之基板支撐件，其中該第二層的該 上表面接觸該第一構件的一下表面以形成該複數個冷卻 通道。 3·如叫求項12所述之基板支撐件，其中該第一層設置 在該第二層下。 25 201240013 14·如凊求項6所述之基板支撐件，其中該一或多個加熱 區域設置圍繞該基板支撐件的一中央軸。 15. 如明求項14所述之基板支撐件，其中該—或多個加 熱區域更包括.： 第加熱區域’該第一加熱區域具有一第一半徑， 該第半也沿著該第二構件的該上表面自該中央軸延 伸； 第一加熱區域，該第二加熱區域設置圍繞該第一加 熱區域；及 複數個第三加熱區域’該複數個第三加熱區域設置圍 繞該第二加熱區域。 16. 如請求項丨所述之基板支撐件，更包括： 一第三構件，該第三構件設置在該一或多個加熱區域 與該複數個冷卻通道下。 17. 如請求項17所述之基板支撐件，其中該第三構件是 一熱沉。 18. —種基板支樓件，包括： 一第一構件’當一基板位在該第一構件的一第一表面 上時，該第一構件用以散佈熱至該基板； 複數個基板支撐銷，該複數個基板支撐銷自該第一構 26 201240013 件的該第一表面延伸’當一基板位在該基板支撐件上 時’該複數個基板支撐銷用以支撐該基板的一背側表 面； 一校準引導件，該校準引導件自該第一構件的該第— 表面延伸並圍繞該複數個基板支撐銷，其中該第—構 件、該複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷與該校準引 導件是由相同材料所形成；及 一第二構件，該第二構件具有複數個加熱元件與複數 個冷卻通道’該複數個加熱元件設置於該第二構件中並 设置在該第二構件的一第二表面附近，以提供熱至即將 將熱分散的該第一構件，而該複數個冷卻通道設置在該 第二構件中。 19· 一種基板支撑件，包括： 一第一構件，當一基板位在該第一構件的一上表面上 時’該第一構件用以散佈熱至該基板； 一支撐層，該支撐層設置在該第一構件的該上表面 上’其中複數個基板支撐銷的各個基板支撐銷自該支樓 層的一表面延伸，以在一基板位在該基板支撐件上時， 支撐該基板的一背側表面； 一校準引導件’該校準引導件自該第一構件的該上表 面延伸並圍繞該複數個基板支撐銷； —第一層，該第一層設置在該第一構件下，且該第一 層具有複數個加熱元件設置在該第一層中；及 27 201240013 一第二層，該第二層設置在該第一構件下，且該第二 層具有該複數個冷卻通道的各個冷卻通道形成於該第 二層中。 20.如請求項1 9所述之基板支撐件，其中該第二層設置 在該第一層上。 28