TW201205379A - Electronic device and electronic system - Google Patents

Description

201205379 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於具有電路包括電晶體之電路的電子裝置 ’並亦有關於電子系統。例如’本發明關於其上安裝典型 爲液晶顯示面板的光電裝置作爲構件之電子裝置。 【先前技術】 近年來’已經積極硏發出諸如電子書讀取器之顯示裝 置。尤其，由於其中使用具有記憶性質之顯示元件來顯示 影像的技術大幅貢獻耗電量的減少，已經積極硏發此技術 (專利文獻1 )。 另外，設置有觸碰感測器之顯示裝置已經受到注目》 設置有觸碰感測器之顯示裝置稱爲觸碰面板、觸碰螢幕、 或之類（此後亦簡稱爲觸碰面板）。此外，在專利文獻2 中揭露其上安裝光學觸碰感測器之顯示裝置。 〔引用〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本公開專利申請案號2006-267982 〔專利文獻2〕日本公開專利申請案號2001 -292276 【發明內容】 一實施例的一目的在於提供一種爲輕且撓性之電子裝 置，且藉由使用撓性膜作爲基底來取代諸如玻璃基板之硬 基板改善其之耐衝擊力。 -5- 201205379 此外，一實施例的一目的在於提供一種驅動器電路’ 其有利於節省電力有限之電子裝置（如可攜式資訊終端） 的能量。 一實施例的一目的在於提供一種新穎電子裝置，其組 態成讓使用者可無論位置爲何而讀取資料，藉由直接觸碰 顯示在螢幕上之鍵盤或以手寫筆或之類間接觸碰鍵盤來輸 入資料，並使用輸入資料。一實施例的一目的在於提供一 種畫素結構，其中增加光感應器之受光面積及每單位面積 之畫素電極面積以獲得一電子裝置，組態成讓使用者可讀 取資料並藉由觸碰螢幕上所顯示之鍵盤來輸入資料。 另外，一實施例的一目的在於提供一種新穎的電子裝 置，其中在一螢幕上實現包括鍵盤之顯示的靜止影像模式 及活動影像模式。 另外，一實施例的一目的在於以一種方式減少耗電量 ，使得在靜止影像模式的情況中，在顯示部的一部分上顯 示靜止影像，接著在其中顯示靜止影像的區域中停止至顯 示元件的電力供應，以及在供應停止之後長時間保持其中 可看到靜止影像的狀態。 在包括其中使用外部光線顯示影像的顯示部之電子裝 置中，顯示部具有利用光感測器之觸碰輸入功能，在顯示 部之至少一部分上顯示鍵盤按鈕，並且使用者藉由觸碰希 望的鍵來輸入資料，所以在顯示部上執行相應於希望鍵的 顯示。 光感測器偵測當使用者指向顯示裝置上之希望位置時 -6- 201205379 進入顯示部之外部光線及在顯示部之一部分上製造出的陰 影（此後稱爲外部光線之部分陰影）。輸入處理部處理偵 測顯示部上之外部光線的部份陰影的光感測器之位置作爲 觸碰輸入之座標位置。視頻信號處理部輸出相應於觸碰輸 入之座標，亦即鍵盤之資料，作爲至顯示部的影像資料。 其上顯示鍵盤之第一顯示區域在其中使用者以顯示部 上所顯示之鍵盤輸入資料的時期中顯示靜止影像。當使用 者輸入資料時，第二顯示區域在其中一個接著一個地寫入 相應於被觸碰之鍵的字母或數字的時期中或在其中執行字 母轉換的時期中顯示活動影像。 在此說明書中所揭露之本發明之一實施例爲一種電子 裝置，其包括一視頻信號處理部，其切換顯示部之第一螢 幕區域至其上執行觸碰輸入之螢幕區域或其上執行輸出以 顯示之螢幕區域。替代地，電子裝置包括一視頻信號處理 部，其在於顯示部上顯示靜止影像的情況與於顯示部上顯 示活動影像的情況之間供應不同信號至顯示部之顯示元件 。在執行靜止影像的寫入之後，將顯示元件控制電路置於 非操作狀態中，藉此可減少耗電量。尤其，較佳使用解碼 器電路作爲掃描線驅動器電路。 包括在傳統主動矩陣型顯示裝置中的切換電晶體有即 使電晶體處於關閉狀態中關閉電流很大且寫入至畫素之信 號會洩漏而不見的問題。根據本發明之一實施例，藉由使 用包括氧化物半導體層的電晶體作爲切換電晶體，極小關 閉電流，尤其，在室溫每1 μπι的通道寬度之關閉電流密度 201205379 可少於或等於l〇 aA( lxlO·17 Α/μπ〇 ，進一步，少於或等 於1 aA(l><10·18 Α/μιη)，或更進一步，少於或等於10 zA ( lxl〇·20 Α/μιη)。另外，在畫素中，諸如影像信號之 電信號的保持時間更長，且寫入時間的間隔可設定爲長。 因此，藉由使用包括氧化物半導體之電晶體，可延長在寫 入靜止影像後顯示元件控制電路在非操作狀態中之時期， 藉此可進一步減少耗電量。 關於實現電子裝置的本發明之一實施例爲包含具有觸 碰輸入功能之顯示部的電子裝置；及電連接至反射電極之 第一電晶體，以及在撓性基板上方之光感測器。在電子裝 置中，光感測器包含光二極體、包括電連接至光二極體的 閘極信號線之第二電晶體、以及第三電晶體。在電子裝置 中，第二電晶體之源極及汲極之一電連接至光感測器參考 信號線，第二電晶體之源極及汲極之另一者電連接至第三 電晶體之源極及汲極之一，並且第三電晶體之源極及汲極 之另一者電連接至光感測器輸出信號線。 藉由上述結構，可解決上述問題之至少一者。 在上述結構中，第二電晶體之氧化物半導體層重疊讀 取信號線，且有閘極絕緣層設置在其之間，且讀取信號線 重疊爲畫素電極之反射電極》藉由其中讀取信號線及第三 電晶體設置在反射電極下方的畫素結構，可有效使用每單 位面積光感測器之受光區域及畫素電極區域（此後，稱爲 反射電極區域）。 另外，本發明之一實施例爲一種電子裝置，包含具有 -8- 201205379 觸碰輸入功能之顯不部；以及電連接至第一反射電極之第 一電晶體，電連接至第二反射電極之第二電晶體，以及光 感測器，在撓性基板上方。在電子裝置中，光感測器包含 光二極體、包括電連接至光二極體的閘極信號線之第三電 晶體、以及第四電晶體。在電子裝置中，第三電晶體之源 極及汲極之一電連接至光感測器參考信號線，第三電晶體 之源極及汲極之另_一者電連接至第四電晶體之源極及汲極 之一，並且第四電晶體之源極及汲極之另一者電連接至光 感測器輸出信號線。在電子裝置中，第四電晶體之氧化物 半導體層重疊該第一反射電極，且光感測器參考信號線重 疊該第二反射電極。 設計上述結構使得在從上方看去畫素結構時在兩反射 電極之間設置一光感測器的一受光區域，藉此可有效使用 每單位面積光感測器之受光區域及反射電極區域。 在上述結構中，第三電晶體之氧化物半導體層重疊讀 取信號線，且有閘極絕緣層設置在其之間，且讀取線重疊 第一反射電極。藉由其中讀取信號線及第四電晶體設置在 第一反射電極下方的畫素結構，可有效使用每單位面積光 感測器之受光區域及反射電極區域。 在上述結構之任一者中，第四電晶體之源極及汲極之 一重疊第一反射電極且第四電晶體之源極及汲極之另一者 重疊第二反射電極。藉由這種畫素結構’可有效使用每單 位面積光感測器之受光區域及反射區域。 另外，在上述結構中，設置濾色器以重疊第一反射電 -9 - 201205379 極或第二反射電極’藉此亦可執行全彩顯示。 此外，反射型液晶裝置有利於能源節省，因爲甚至在 未提供背光下可以外部光線（如陽光或照明光線）來辨識 所顯示的內容。 可實現其中在一螢幕上顯示活動影像及靜止影像的可 攜式资訊終端。在螢幕區域上顯示活動影像的情況與在螢 幕區域上顯示靜止影像的情況之間以不同方式執行信號之 驅動及供應，並可相較於顯示靜止影像之耗電量減少顯示 活動影像之耗電量。另外，由於採用反射型液晶顯示裝置 ，可執行灰階中之半色調顯示，具有比電泳型顯示裝置之 情況更廣的層次範圍。 另外，藉由使用利用撓性基板而減少重量之可攜式資 訊終端，使用者可讀取資料而無論位置爲何，且藉由觸碰 顯示在螢幕上之鍵盤來輸入資料，所以可在其上顯示鍵盤 之螢幕上顯示輸入之結果。 【實施方式】 此後，將參照附圖詳細敘述本發明之實施例。然而’ 本發明不限於下列之說明，且可由熟悉此技藝人士輕易了 解到可以各種方式修改在此揭露之模式及細節而不背離本 發明之精神及範疇。因此，本發明不應解釋成限制於實施 例之說明。 〔實施例1〕 -10- 201205379 在此實施例中’參照第1 A及1 B圖敘述包括其中使用外 部光線來顯示影像之顯示部的電子裝置之一範例。 電子裝置1030之顯示部1032具有利用光感測器之觸碰 輸入功能，其中複數鍵盤按鈕1031顯示在顯示部中之一區 域1033上，如第1A圖中所示。顯示部1032表示整個顯示區 域並包括在顯示部中之區域1033。使用者藉由觸碰希望的 鍵盤按鈕來輸入資料，藉此在顯示部1032上顯示輸入的結 果。 由於在顯示部中之區域1033顯示靜止影像’可藉由在 非寫入時間的時期中將顯示元件控制電路置於非操作狀態 中來減少耗電量。 敘述電子裝置1 0 3 〇之使用的一範例。例如’以使用者 的手指接續觸碰顯示部中之區域1033上所顯示的鍵盤按鈕 或無接觸式地輸入字母，並在顯示部中之非區域1033的區 域上顯示文字來顯示爲輸入結果。在因使用者將他/她的 手指移離螢幕之鍵盤而無偵測光感測器之輸出信號之一段 設定時期之後’自動移除區域1033上所顯示之鍵盤並且亦 在顯示部中的區域1 03 3上顯示輸入文字。在再度執行輸入 的情況中，可藉由以使用者的手指觸碰顯示部1032或無接 觸式偵測光感測器之輸出信號再度於顯示部中之區域1 03 3 上顯示鍵盤按鈕，並可執行字母的輸入。 替代地，可藉由由使用者按下開關103 4來非自動式移 除鍵盤以在整個顯示部1〇3 2上顯示靜止影像’如第1B圖中 所示。另外，即使當藉由按下電源開關1035而關閉電力時 -11 - 201205379 ，可長時間保持靜止影像。此外，可藉由按下鍵盤顯示開 關1 03 6而在可執行觸碰輸入的狀態中顯示鍵盤。 另外，可在顯示部1 032上顯示各個開關1 034、電源開 關1 03 5、及鍵盤顯示開關1 03 6爲開關按鈕。可藉由觸碰所 顯示之開關按鈕來執行每一操作。 此外，不限制其中在顯示部中之區域1033顯示靜止影 像的結構，在顯示部中之區域1 03 3可暫時或部分顯示活動 影像。例如，可根據使用者的喜好暫時改變顯示鍵盤的位 置，或當無接觸式執行輸入時，可部分改變相應於所輸入 之字母的鍵盤按鈕的顯示來確認是否執行輸入。 電子裝置1 030包括至少一電池，且較佳包括儲存資料 之記憶體（如快閃記憶體電路、SRAM電路、或DRAM電路 )、中央處理單元（CPU )、或邏輯電路。藉由CPU或記 憶體，可安裝各種軟體並因此，電子裝置1 03 0可具有個人 電腦之一部分或全部的功能。 另外，藉由在電子裝置1 03 0中設置諸如陀螺儀或三軸 加速感測器之梯度偵測部，可根據來自梯度偵測部之信號 由算術電路切換電子裝置1 03 0中使用之功能，尤其，關於 顯示之功能及顯示部上之輸入。因此，不像具有預定種類 、尺寸、或配置的輸入鍵的電子裝置，如內建操作鍵，電 子裝置1 030可爲使用者改善方便性。 接下來，參照第2圖敘述顯示部1 032中所包括的顯示 面板之一範例。顯示面板100包括畫素電路101、顯示元件 控制電路、及光感測器控制電路。畫素電路1 01包括配置 -12- 201205379 在列及行之矩陣中的複數畫素103及104及複數光 106。畫素104及103之每一者包括一顯示元件。雖 施例中，在畫素1 〇3及畫素1 〇4之間設置一光感測| 且光感測器的數量爲畫素之數量的一半’實施例不 。可每一畫素設置一光感測器所以光感測器的數量 之數量相同。替代地，光感測器的數量可爲畫素之 三分之一。 顯示元件105包括一包括電晶體、儲存電容器 晶層之液晶元件或之類。電晶體具有控制注入電荷 電容器或從儲存電容器放電電荷的功能。儲存電容 保持 >目應於施加至液晶層之電壓的電荷之功能。利 加電壓至液晶層而極化的方向改變，製造通過液晶 線的對比（灰階），所以實現影像顯示。使用從液 裝置之表面側進入的外部光線（陽光或照明光線） 過液晶層之光線。對液晶層無特別限制，且可使用 液晶材料（典型，向列型液晶材料或膽固醇液晶材 例如，可使用聚合物分散式液晶（PDLC )或聚合 液晶（PNLC )作爲液晶層，所以可藉由液晶使用 來執行白色顯示（光顯示）。當PDLC或PNLC用爲 時’無需偏光板並且可有接近紙張之顯示，對眼睛 造成較少疲累感覺。 此外’顯示元件控制電路爲組態成控制顯示^ 之電路並包括顯示元件驅動器電路1〇7，其透過諸 資料信號線之信號線（亦稱爲來源信號線）輸入信 感測器 在此實 §106- 限於此 與畫素 數量的 、及液 至儲存 器具有 用因施 層之光 晶顯示 作爲通 已知的 料）。 物網絡 散射光 液晶層 友好並 έ 件 1 〇 5 如視頻 號至顯 -13- 201205379 示元件1 05，以及顯示元件驅動器電路1 08，其透過掃描線 (亦稱爲閘極信號線）輸入信號至顯示元件1 05。 例如，在掃描線側上之顯示元件驅動器電路1 08具有 選擇置於特定列中之畫素中所包括的顯示元件之功能。在 驅動信號線側上之顯示元件驅動器電路1 07具有施加預定 電位至置於特定列中之畫素中所包括的顯示元件之功能。 注意到在掃描線側上之顯示元件驅動器電路1 〇 8施加高電 位至其的顯示元件中，電晶體在導通狀態中，所以以來自 信號線側上之顯示元件驅動器電路1 07的電荷供應顯示元 件。 光感測器106包括電晶體及受光元件，其具有當受光 時產生電信號的功能，如光二極體。 光感測器控制電路爲組態成控制光感測器1 06之電路 並包括在信號線上針對光感測器輸出信號線、光感測器參 考信號線、或之類的光感測器讀取電路1 09，以及在掃描 線側上之光感測器驅動器電路1 1 0。在掃描線側上之光感 測器驅動器電路1 1 〇具有執行|1設操作並選擇對置於特定 列中之畫素中所包括的光感測器1 06之操作的功能，其將 於下敘述。此外，在信號線上的光感測器讀取電路1 09具 有取出在選定列中之畫素中所包括的光感測器1 06之輸出 信號的功能。 參照第3圖在此實施例中敘述畫素1 03、光感測器1 06 、及畫素104的電路圖。畫素103包括一包括電晶體201、 儲存電容器202、及液晶層203之液晶元件105。光感測器 -14- 201205379 106包括光二極體204、電晶體205、及電晶體206。畫素 104包括一包括電晶體221、儲存電容器222、及液晶層223 之液晶元件125。 電晶體201之閘極電連接至閘極信號線207，電晶體 201的源極及汲極之一電連接至視頻資料信號線210，且電 晶體201的源極及汲極之另一者電連接至儲存電容器202的 —電極及液晶元件203的一電極。儲存電容器202的另一電 極電連接至電容器佈線2 1 4並保持在固定電位。液晶元、件 2〇3的另一電極保持在固定電位。液晶元件203爲包括一對 電極的元件且液晶層設置在該對電極之間。 當施加電位「高（Η )」（高位準電位）至閘極信號 線207時，電晶體201施加視頻資料信號線210的電位至儲 存電容器202及液晶元件203。儲存電容器202保持所施加 之電位。液晶元件2 0 3根據施加電位改變透光率。 光二極體204的電極之一電連接至光二極體重設信號 線208，且光二極體204的另一電極電連接至電晶體205的 閘極。電晶體2 0 5的源極及汲極之一電連接至光感測器參 考信號線2 1 2，且電晶體2 0 5的源極及汲極之另一者電連接 至電晶體206的源極及汲極之一。電晶體206的閘極電連接 至讀取信號線209，且電晶體206的源極及汲極之另一者電 連接至光感測器輸出信號線2 1 1。 電晶體22 1的閘極電連接至閘極信號線227，電晶體 22 1的源極及汲極之一電連接至視頻資料信號線2 1 0，且電 晶體221的源極及汲極之另一者電連接至儲存電容器222的 •15- 201205379 電極之一及液晶元件223的電極之一。儲存電容器222的另 一電極電連接至電容器佈線224並保持在固定電位。液晶 元件223的另一電極保持在固定電位。液晶元件22 3包括一 對電極且液晶層設置在該對電極之間。 接下來，參照第3圖及第4圖敘述光感測器讀取電路 1 09的結構之一範例。例如，顯示部包括設置在1 024列及 76 8行中的畫素。在每一列及每一行中的一衋素中設置一 顯示元件且在兩列及一行中之兩畫素之間設置一光感測器 。亦即，在1 024列及768行中設置顯示元件，且在512列及 768行中設置光感測器。另外，此實施例敘述一範例，其 中在將兩行中之光感測器輸出信號線視爲一對的情況中執 行至顯示裝置外部的輸出。亦即，從設置在兩列及兩行中 之四個畫素之間的兩個光感測器獲得一輸出。 第3圖繪示畫素之電路組態，其中繪示兩列及一行之 兩個畫素及一個光感測器。在一畫素中設置一顯示元件且 在兩畫素之間設置一光感測器。第4圖繪示光感測器讀取 電路1 09的電路組態，其中爲了說明而繪示一些光感測器 感兩兩選種其 光，於移這尤 中即應位。 。 其亦相路器率 ,{ 括電測頻 例素包器感框 範畫，動光訊 一 之列驅之之 的列定線中時 法四選描列像 方動移掃一成 動驅位由每器 驅時列在擇測 慮同一 ，選感 # 路以此續光 ， 電且在持由 11^器並。會在 所動，器中善 申驅}測期改 Η線器感時助 4 描測光的常 第掃感之次法 如的光素兩方 器之畫列動 測列列定驅 -16- 201205379 ，這對大尺寸顯示裝置之情況有利。注意到一次疊加兩列 中之光感測器的輸出到光感測器輸出信號線2 1 1上。可藉 由重複選定列之位移512次來驅動全部的光感測器。 如第4圖中所示，在光感測器讀取電路109中，針對每 24列之畫素設置一選擇器》選擇器從顯示部中之12對的光 感測器輸出信號線2 1 1 ( —對相應於兩行之光感測器輸出 信號線2 1 1 )選擇一對並獲得輸出。換言之，光感測器讀 取電路109包括共32個選擇器並一次獲得32個輸出。在每 一選擇器中全部的12對上執行選擇，藉此可獲得總共384 個輸出，其相應於一列光感測器。每次由光感測器的掃描 線驅動器電路位移選定列時，選擇器從1 2對選擇一對，藉 此可獲得來自全部的光感測器之輸出。 在此實施例中，如第4圖中所示’考慮下列結構：在 信號線側上之光感測器讀取電路1 〇9取出光感測器之輸出 ，其爲類比信號，至顯示裝置的外部，並且使用設置在顯 示裝置外部的放大器來放大該些輸出並使用△1)轉換器轉 換成數位信號。當然’可採用下列結構：AD轉換器安裝 在其上設置顯示裝置的基板上’且轉換光感測器的輸出成 數位信號並接著取出數位信號至顯示裝置外部。 另外，藉由重複重設操作、累積操作、及選擇操作來 實現個別光感測器的操作。「重設操作」意指其中將光二 極體重設信號線208的電位設定成「H」的操作^當執行重 設操作時，將光二極體2〇4帶到導通中’並且連接至電晶 體205的閘極之閘極信號線213的電位設定成「H」。 -17- 201205379 「累積操作」意指其中在重設操作之後將光二極體重 設信號線208之電位設定成電位「低（L )」（低位準電位 )的操作。此外’ 「選擇操作」意指其中在累積操作之後 將讀取信號線209之電位設定成「H」的操作。 當執行累積操作時，當照射光二極體2 04之光線變強 時’減少連接電晶體205的閘極之閘極信號線2 1 3的電位， 並且增加電晶體205之通道電阻。因此，當執行選擇操作 時’經由電晶體206流至光感測器輸出信號線2 1 1的電流很 小。另一方面，當在累積操作時照射光二極體204之光線 較弱時，在選擇操作時增加經由電晶體206流至光感測器 輸出信號線2 1 1的電流。 在此實施例中，當在光感測器上執行重設操作、累積 操作、及選擇操作時，可偵測到外部光線的部分陰影。另 外，當對偵測到的陰影適當地執行影像處理或之類時，可 辨識手指、手寫筆、或之類觸碰顯示裝置的位置》針對例 如輸入字母之相應於觸碰顯示裝置的位置之操作，預先規 範字母種類，所以可輸入希望的字母。 注意到在此實施例中之顯示裝置中，藉由光感測器偵 測外部光線的部分陰影。因此，即使手指、手寫筆、或之 類未實際觸碰顯示裝置，當手指、手寫筆、或之類接近顯 示裝置而無接觸並形成陰影時，陰影之偵測爲可行。此後 ，「手指、手寫筆、或之類觸碰顯示裝置」包括手指、手 寫筆、或之類接近顯示裝置而無接觸的情況。 藉由上述結構，顯示部1 03 2可具有觸碰輸入功能。 -18- 201205379 在執行觸碰輸入的情況中，顯示裝置具有 其中顯示部分包括靜止影像（如鍵盤）之影像 或手寫筆觸碰顯示有鍵盤或希望字母的位置來 藉此改善可操作性。在實現顯示裝置的情況中 方式大幅減少顯示裝置中的耗電量。亦即，在 顯示靜止影像的第一螢幕區域中，在顯示靜止 止供電至第一蛋幕區域中之顯不兀件並在停止 時間保持可看見靜止影像之狀態爲有效。在爲 部之第二螢幕區域中，例如，顯示來自觸碰輸 顯示元件控制電路在非更新第二螢幕區域中之 的時期中處於非操作狀態中，藉此節省電力。 能上述控制之驅動方法。 例如，第5圖顯示在包括顯示部（其中顯 置在1〇24列及768行中）的顯示裝置中之掃描 路的位移暫存器之時序圖。第5圖中之週期61 信號的一循環週期（64.8微秒）。週期62相應 於第二螢幕區域之從第1至第512列的顯示元件 的週期（8.36毫秒）。週期63相應於一訊框週 秒）。 在此，掃描線驅動器電路之位移暫存器爲 型位移暫存器，其係由第一時脈信號CK1至第 CK4所操作。另外，由一循環週期的四分之一 —時脈信號CK1至第四時脈信號CK4。當將開 GSP設定至「H」時，以一循環週期的四分之 —種結構， ，並以手指 執行輸入， ，可以下列 於顯示部上 影像之後停 供應之後長 其餘的顯示 入的結果。 顯示影像時 於.下敘述致 示元件係配 線驅動器電 相應於時脈 於完成相應 之寫入所需 期（16.7毫 四相位時脈 四時脈信號 循序延遲第 始脈衝信號 一的延遲循 -19" 201205379 序將第1列中之閘極信號線G 1至第5 1 2列中之閘極信號線 G512設定至電位「高」。另外，在一循環週期的一半期間 將每一閘極信號線設定在「H」，且在一循環週期的四分 之一期間將接續列中之兩閘極信號線同時設定在「Η」。 在此，在其中掃描線驅動器電路位移選擇列兩次的週 期中連續選擇每一列中之顯示元件。當在其中選擇列中之 顯示元件的週期之後半部中輸入顯示影像的資料時’可更 新顯示的影像。 在此，在並非其中更新由相應於第二螢幕區域之從第 1至第512列的顯示元件所顯示之影像的週期的週期中’顯 示元件控制電路處於非操作狀態中。亦即，不更新相應於 第一螢幕區域之在第5 1 3列至第1 024列中的顯示元件所顯 示之影像並且顯示元件控制電路處於非操作狀態中。 可如第5圖中所示般藉由停止時脈信號（將時脈信號 保持在電位「L」）而實現顯示元件控制電路之非操作狀 態。在時脈信號停止的同時停止電源電壓的供應爲有效。 另外，亦可在其中未選擇相應於第二螢幕區域的顯示 元件之週期中，亦即，在其中未更新顯示影像的週期中， 在於來源上之驅動器電路中停止時脈信號及開始脈衝信號 的供應。以此方式，可進一步省電。 此外，可藉由取代掃描線驅動器電路之位移暫存器而 使用解碼器來節省電力。 〔實施例2〕 -20- 201205379 在此實施例中’將參照第6圖、第7圖、及第8A及88圖 敘述於實施例1中所述的相應於第2圖及第3圖之畫素結構 。注意到在第6圖、第7圖、及第8A及8B圖之說明中使用相 同參考符號來敘述與第2圖及第3圖中之那些相同的部份。 第6圖爲一畫素的平面圖之一範例，相應於第3圖之電 路圖。另外，第8A圖繪示在其繪示在形成光二極體的電極 前的時候之狀態。注意到沿第6圖中之鏈線A-B所得之剖面 圖及沿著鏈線C - D所得之剖面圖相應於第8 A圖。 首先，在基板230上方形成導電膜。接著透過使甩第 一曝光遮罩的第一光微影步驟形成閘極信號線2 0 7、2 1 3、 及227、電容器佈線224、光二極體重設信號線208、讀取 信號線209、及光感測器參考信號線2 1 2。在此實施例中， 使用玻璃基板作爲基板230。 可在基板2 3 0及導電膜之間設置充當基底膜之絕緣膜 。基底膜具有防止來自基板23 0的雜質元素擴散的功能。 基底膜可形成有包括氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、 及氧氮化矽膜的一或更多者之單層結構或分層結構。 可以包括諸如鉬、鈦、鉅、鎢、鋁、銅、钕、或钪的 金屬材料或含有任何這些金屬材料作爲主要成份的合金材 料之單層結構或分層結構形成導電膜。 接下來，形成覆蓋這些佈線之絕緣層，並透過使用第 二曝光遮罩的第二光微影步驟執行選擇性蝕刻，以僅在交 叉後續形成之佈線的部分中保留絕緣層23 1。在此實施例 中，使用具有600 nm之厚度的氧氮化矽膜作爲絕緣層231 -21 - 201205379 接著，形成閘極絕緣層232及氧化物半導體膜’並接 著，透過使用第三曝光遮罩的第三光微影步驟來形成第一 氧化物半導體層23 3、第二氧化物半導體層253、第三氧化 物半導體層255、及第四氧化物半導體層256。第一氧化物 半導體層233、第二氧化物半導體層25 3、第三氧化物半導 體層2 5 5、及第四氧化物半導體層2 56分別重疊閘極信號線 227 '、閘極信號線207、讀取信號線209、及閘極信號線213 ，且閘極絕緣層23 2設置在其間。在此實施例中，使用具 有100 nm之厚度的氧氮化矽膜作爲閘極絕緣層23 2，並使 用具有30nm厚度的In-Ga-Zn-Ο膜作爲氧化物半導體層。 可使用由化學式InM03 ( ZnO )„(/”>0)所表示之氧 化物薄膜作爲第一氧化物半導體層23 3、第二氧化物半導 體層2 53、第三氧化物半導體層25 5、及第四氧化物半導體 層2 56。在此，Μ代表選自Ga、A1、Μη、及Co的一或更多 金屬元素。例如，Μ可爲Ga、Ga及Al、Ga及Mn、Ga及Co 、或之類。此外，3丨02可包含在上述氧化物薄膜中。 作爲藉由濺鍍法形成氧化物薄膜之靶材，例如，使用 具有I η 2 Ο 3: G a 2 Ο 3: Ζ η Ο = 1 : 1 :1 〔莫耳比率〕之組成比例 的氧化物靶材來形成In-Ga-Ζη-Ο膜。不限制靶材之材料及 成分，可使用具有In2O3:Ga203:Zn0=l:l:2〔莫耳比率〕之 組成比例的氧化物靶材。注意到在此說明書中，例如，ιη_ Ga-Zn-O膜意指包括銦（In)、鎵（Ga)、及鋅（Zn)的 氧化物膜，且對於化學計量比例無特別限制。 -22- 201205379 接下來，使氧化物半導體層受到第一熱處理。可藉由 第一熱處理使氧化物半導體層脫水或脫氫。第一熱處理的 溫度高於或等於400°C並低於或等於750 °C，或高於或等於 4 00 °C並低於基板的應變點。在此實施例中，使用迅速熱 退火（RTA )設備；在650 °C於氮周圍環境下執行熱處理6 分鐘；將基板引進爲熱處理設備之一種的電爐中且不暴露 至空氣；以及在450 °C於氮周圍環境下針對氧化物半導體 層執行熱處理一小時。接著，將基板轉移到氧化物半導體 層之沉積室中而不暴露至空氣中以防止水或氫與氧化物半 導體層之混合，藉此獲得氧化物半導體層。 接下來，透過使用第四曝光遮罩的第四光微影步驟來 選擇性移除閘極絕緣層23 2，所以形成到達閘極信號線213 的開口及到達光二極體重設信號線2 08之開口。 接下來，在閘極絕緣層232及氧化物半導體層上方形 成導電膜。可使用含有選自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、 及W的元素之金屬膜、含有任何這些元素的氮化物的合金 膜、含有任何這些元素的結合之合金膜、或之類來形成導 電膜。在此實施例中，導電膜具有堆疊具有1〇〇 nm之厚度 的Ti膜、具有400 nm之厚度的A1膜、及具有100 nm之厚度 的Ti膜之三層結構。接著，透過使用第五曝光遮罩的第五 光微影步驟來在導電膜上方形成阻劑遮罩並執行選擇性蝕 刻，藉此形成視頻資料信號線2 1 〇、光感測器輸出信號線 211、及電極層234、 235、 254、 257、 258、及259° 注意到第3圖中所示之電晶體22 1包括第一氧化物半導 -23- 201205379 體層233及充當源極電極層或汲極電極層之電極層234，如 第6圖中所示。另外，如第6及8A圖中所示，電極層234、 充當介電質之閘極絕緣層23 2、及電容器佈線224形成儲存 電容器222。此外’如第6圖中所示，電晶體201包括第二 氧化物半導體層25 3及充當源極電極層或汲極電極層之電 極層2 5 4。 此外，爲包括在第3圖中之光感測器106中之元件之一 的電晶體206包括第三氧化物半導體層2 55及充當源極電極 層或汲極電極層之電極層257，如第6圖中所示。另外，電 晶體2〇5包括第四氧化物半導體層256及充當源極電極層或 汲極電極層之電極層257或電極層258，如第6圖中所示》 如第8A圖中所示，電晶體205的閘極信號線213經由閘極絕 緣層232之開口電連接至電極層236。 接下來，在惰性氣體周圍環境或氧周圍環境下（較佳 在高於或等於200°C並低於或等於400°C，例如，高於或等 於2 50 °C至並低於或等於3 50°C )執行第二熱處理。在此實 施例中，在300 °C於氮周圍環境下執行第二熱處理一小時 。透過第二熱處理，在接觸絕緣層的同時加熱氧化物半導 體層之一部分（通道形成區域）。 接著，形成將成爲保護絕緣層的絕緣層23 7，並透過 使用第六曝光遮罩的第六光微影步驟來形成到達電極層 23 5的開口、到達電極層234的開口、及到達電極層23 6的 開口。在此實施例中，使用藉由使濺鍍法所得之具有3 00 nm之厚度的氧化矽膜作爲絕緣層23 7。 -24- 201205379 接下來，藉由電漿CVD法堆疊p層2 3 8、i層23 9、及n層 240。在此實施例中，採用具有60 nm厚度的含硼微晶矽膜 作爲p層23 8 ;使用具有400 nm之厚度的非晶矽膜作爲i層 23 9 ;以及使用具有80 nm厚度的含磷微晶矽膜作爲n層240 。透過使用第七曝光遮罩的第七光微影步驟選擇性蝕刻ρ 層238、i層239、及η層240，且進一步，如第8Α圖中所示 ，選擇性移除η層240之周圍及i層239之一部分。第8Α圖爲 到此階段之剖面圖且其之平面圖相應於第6圖。 接著，執行形成光敏有機樹脂層之第八光微影步驟， 使用第八曝光遮罩曝光將形成爲開口的區域，使用第九曝 光遮罩曝光將具有凹凸不平的形狀之區域，並執行顯影， 並形成部分具有凹凸不平的形狀之絕緣層241。在此實施 例中，使用具有1 .5 μπι的厚度之丙烯酸樹脂作爲有機樹脂 層。 接下來，沉積具有反射性的導電膜，並執行使用第十 曝光遮罩的第九光微影步驟，以形成反射電極層2 42及連 結電極層243。注意到在第8Β圖中繪示反射電極層242及連 結電極層243。使用Al、Ag、或上述之合金（如含Nd的錦 或Ag-Pd-Cu合金）作爲具有反射性之導電膜。在此實施例 中，使用具有100 nm之厚度的Ti膜及設置在其上之具有 3 00 nm之厚度的A1膜的堆疊作爲具有反射性之導電膜。在 第九光微影步驟之後，執行第三熱處理。在此實施例中， 在氮周圍環境下於25 0°C執行第三熱處理一小時。 透過上述步驟•透過使用總共十個曝光遮罩的九個光 -25- 201205379 微影步驟可在一基板上方形成電連接至反射電極層2 42之 電晶體及透過連結電極層243電連接至閘極信號線2 1 3的光 二極體。 注意到在第1 1 A圖中顯示光二極體之外圍部分的剖面 照片。第11A圖顯示光二極體204之剖面且第11B圖顯示該 剖面之示意圖。 形成覆蓋反射電極層242之對準膜244。此階段之剖面 圖相應於第8B圖。注意到針對第8B圖及第1 1 B圖中之共同 部件使用相同參考符號。因此，可製造主動矩陣基板。 接著，備置將接合至主動矩陣基板的相對基板。在相 對基板上方，形成擋光層（亦稱爲黑色矩陣）及透光導電 膜並使用有機樹脂形成柱狀間隔體。接著，形成對準膜以 覆蓋它們。 以密封劑將相對基板附接至主動矩陣基板，且在該對 基板之間夾有液晶層。設置相對基板的擋光層，以不重疊 反射電極層242之顯示區域及光二極體的感測區域。定位 設置於相對基板上之柱狀間隔體以重疊電極層251及252。 由於柱狀間隔體重疊電極層251及252，可將這對基板保持 在某距離。可在與電極層23 4相同步驟中形成電極層251及 252;故不需增加遮罩數量。電極層251及252不連接到任 何地方且在浮置狀態中。 第7圖爲以這種方式相互附接的該對基板中之畫素的 平面圖。在第7圖中，不重疊黑色矩陣之區域充當光感測 器之受光區域及反射電極區域。在第7圖中所示之單位面 -26- 201205379 積（120μπι Χ 240μπι )中之反射電極的面積比例爲 。光感測器之受光區域的面積爲近乎1 140μιη2。另 於反射電極層2 42設置在具有凹凸不平的部分之光 樹脂層上方，反射電極層242具有如第7圖中所示之 平面圖案。光敏有機樹脂層的表面形狀反映在反射 242的表面上，所以反射電極層242的表面具有凹凸 形狀；故防止鏡面反射。注意到第7圖中，亦繪示 極層242的凹部245。凹部2 45的外圍定位在反射電 外圍內，且在凹部245下方的光敏有機樹脂層具有 區域更小的厚度。 若有必要，相對基板之外部光線進入的表面可 學膜，如調整相位差的阻滯膜、具有極化功能之膜 射膜、或濾色器。 第12圖顯示實際製造之面板的照片，其中經往 入視頻信號至面板以執行顯示。面板之一半的螢幕 止影像且螢幕之另一半顯示活動影像。當面板之一 幕顯示靜止影像且螢幕之另一半顯示活動影像時， 耗電量。另外，藉由以手指觸碰螢幕顯示如第1 Α圖 之鍵盤按鈕並且藉由以手指觸碰顯示鍵盤按鈕之部 入資料，藉此可在顯示區域上顯示相應於鍵盤按鈕 。此外，當使用光感測器且即使在手指接近螢幕但 螢幕的無接觸狀態中可以足夠的外部光線量來感測 陰影，可執行無接觸式操作。 7 7.8 % 外，由 敏有機 不規則 電極層 不平之 反射電 極層之 比其他 設有光 、抗反 FPC輸 顯示靜 半的螢 可減少 中所示 分來輸 之字母 未接觸 手指之 -27- 201205379 〔實施例3〕 在此實施例中，將敘述其中設置濾色器的有全彩顯示 能力之液晶顯示模組的一範例。 第9圖繪示液晶顯示模組1 90的結構。液晶顯示模組 190包括其中液晶元件設置在矩陣中之顯示面板120’以及 重疊顯示面板120的偏光板及濾色器115。另外’充當外部 輸入端子的撓性印刷電路（FPC) 116a及116b電連接至設 置在顯示面板120中之端子部。顯示面板120具有與實施例 1中所述的顯示面板1〇〇相同之結構。注意到由於採用全彩 顯示，顯示面板120使用紅色顯示元件、綠色顯示元件、 及藍色顯示元件的三個顯示元件，並具有其中供應互不相 同的個別視頻信號給這三個顯示元件的電路組態。 此外，第9圖示意性繪示其中透射外部光線139經過顯 示面板1 2 0上方之液晶元件並在反射電極加以反射的狀態 。例如，在重疊濾色器的紅色區域之畫素中’外部光線 1 3 9透射經過濾色器1 1 5並接著經過液晶層’在反射電極被 反射，並再次透射經過濾色器1 1 5而被提取成紅光。第9圖 由箭頭（R、G、及B )示意性繪示三種顏色的光線1 3 5。 由影像信號調變透射經過液晶元件的光強度。因此’觀賞 者可藉由外部光線1 3 9的反射光捕捉到影像。 另外，顯示面板120包括光感測器並具有觸碰輸入功 能。當濾色器亦重疊光感測器的受光區域時’顯示面板 1 2 0具有可見光感測器之功能。此外’爲了改善光感測器 的光敏度’納入大量的入射光。因此’可在濾色器中在重 -28 - 201205379 疊光感測器之受光區域的區域中設置開口’使光感測器之 受光區域及濾色器不互相重疊。 此實施例可與實施例1或實施例2自由地結合。 〔實施例4〕 在此實施例中，將敘述包括任何上述實施例中所述的 液晶顯示裝置之電子裝置的範例。 第10A圖繪示電子書讀取器（亦稱爲e書讀取器），其 可包括殼體9630、顯示部9631、操作鍵9632、太陽能電池 9633、及充電與放電控制電路9634。電子書讀取器設有太 陽能電池9633及顯示面板，所以可自由打開並關上太陽能 電池963 3及顯示面板。在電子書讀取器中，從太陽能電池 供應電力至顯示面板或視頻信號處理部。第l〇A圖中所示 之電子書讀取器可具有顯示各種資料（如靜止影像、活動 影像、及文字影像）的功能、在顯示部上顯示日曆、資料 、時間、或之類的功能、藉由觸碰輸入操作或編輯顯示在 顯示部上之資訊的觸碰輸入功能、控制藉由各種軟體（程 式）之處理的功能、及之類。注意到在第10A圖中，包括 電池963 5及DCDC轉換器（此後簡稱爲轉換器9636 )的結 構繪示成充電與放電控制電路96 3 4的一範例。 顯示部963 1爲具有使用光感測器之觸碰功能的反射型 液晶顯示裝置，且用於相對明亮環境中。因此，第1 〇 A圖 中所示之結構爲較佳，因爲可有效率地執行由太陽能電池 9633之電力產生及電池9635中之充電。注意到其中在殼體 -29- 201205379 9630的表面及背表面的每—者上設置太陽能電池9633的結 構爲較佳’以有效率地充電電池9 6 3 5。當使用鋰離子電池 作爲電池9635時，有縮小尺寸或之類的優勢。 參照第10B圖中之區塊圖敘述第i〇A圖中所示之充電與 放電控制電路9634的結構及操作。在第10B圖中顯示太陽 能電池9633、電池9635、轉換器9636、轉換器9637、切換 器SW1至SW3、及顯示部9631，且電池9635、轉換器9636 、轉換器9637、及切換器SW1至SW3相應於充電與放電控 制電路9 6 3 4。 首先’將敘述其中由太陽能電池963 3使用外部光線來 產生電力的情況中之操作的範例。藉由轉換器9636升高或 降低由太陽能電池所產生之電力的電壓，使電力具有充電 電池9635的電壓。接著，當使用來自太陽能電池9633之電 力於顯示部9631的操作時，啓通切換器SW1並且由轉換器 9637升高或降低電力的電壓，以成爲顯示部963 1所需之電 壓。另外，當不執行顯示部963 1上之顯示時，關閉切換器 SW1並啓通切換器SW2，以執行電池9635的充電。 注意到雖敘述太陽能電池9633爲充電機構的一範例， 可以另一機構執行電池963 5的充電。此外，可採用太陽能 電池963 3及用於充電之另一機構的結合。 可適當結合其他實施例中所述的任何結構來實行此實 施例。 〔實施例5〕 -30- 201205379 在此實施例中，敘述其中在玻璃基板上方形成電晶體 及光感測器並轉移且安裝到撓性基板上之範例。注意到在 此，在第13 A至13 C圖中繪示形成電晶體之步驟的剖面圖。 在第13A至13C圖中，省略與實施例2的那些相同之步驟及 光感測器之結構的詳細說明，且藉由相同參考符號標示與 第8A及8B圖的那些相同之部分。 首先，藉由濺鍍法在基板230上沉積分離層260，並在 其上形成充當基底膜之氧化物絕緣膜26 1。注意到作爲基 板2 3 0，可使用玻璃基板、石英基板、或之類。藉由PVCD 法、濺鍍法、或之類使用諸如氧化矽、氧氮化矽（S iOxNy )(x>y>0)、或氮氧化矽（SiNxOy) (x>y>0)之 材料來形成氧化物絕緣膜261。 可使用金屬膜、金屬膜及金屬氧化物膜之分層結構、 或之類來形成分離層260。作爲金屬膜，使用鎢（W)、 鉬（Mo )、鈦（Ti ) '鉅（Ta )、鈮（Nb )、鎳（Ni ) 、銘（Co)、鉻（Zr)、鋅（Zn) 、|了 ( Ru )、錢（Rh )、鈀（Pd )、餓（Os )、及銥（ir )的元素所形成之膜 或使用含有該元素作爲主要成份之合金材料或化合物材料 所形成之膜的單層或堆疊層。例如，當藉由濺鍍法、CVD 法、或之類設置鎢膜作爲金屬膜時，可藉由施加電漿處理 至鎢膜在鎢膜的表面上形成以氧化鎢所形成之金屬氧化物 膜。另外’例如’在形成金屬膜（如鎢）之後，可藉由濺 鍍法在金屬膜上方形成以氧化矽或之類所形成之絕緣膜， 且亦在金屬膜上方形成金屬氧化物（如在鎢上之氧化鎢） •31 - 201205379 。此外，可執行使用高密度電漿設備之高密度電漿處理作 爲電漿處理。此外，除了金屬氧化物膜外，可使用金屬氮 化物膜或金屬氧氮化物膜。在此情況中，在氮周圍環境或 氮及氧之周圍環境中對金屬膜執行電漿處理或熱處理》 接下來，在氧化物絕緣膜261上方形成導電膜。接著 ，以和實施例2類似的方式，透過使用第一曝光遮罩的第 —光微影步驟形成閘極信號線227、電容器佈線224、光二 極體重設信號線、讀取信號線、及光感測器參考信號線。 根據實施例2執行後續的步驟，藉此形成電晶體及反 射電極層242。接著，以水溶性樹脂層2 62覆蓋反射電極層 2 42。第〗3 A圖爲此階段之剖面圖。注意到爲了簡單，在第 13 A圖中繪示反射電極層242之外圍的剖面結構但未繪示在 相同基板上所形成之光二極體。 接下來，將水溶性樹脂層262固定至支撐基板或之類 ，並藉由以雷射光或之類照射分離層來形成開口，藉此自 基板23 0分離包括電晶體之層。第13B圖爲此階段之剖面圖 。如桌13B圖中所不，在設有基板230之分離層260及氧化 物絕緣膜26 1之間的界面執行分離。 接著，如第1 3 C圖中所示，以黏性層2 63附接撓性基板 264至包括電晶體之層的表面（由分離外暴之表面）。作 爲撓性基板2 64，可使用塑膠膜或薄不鏽鋼基板。 接下來，移除水溶性樹脂層262並形成對準膜244。接 著，以包括相對電極267之相對基板268及撓性基板264互 相附接。注意到在附接之前，針對相對基板2 6 8形成覆蓋 -32- 201205379 相對電極267之對準膜266。在使用液晶降落法的情況中， 將液晶降落到由封閉迴路之密封劑圍繞之區域上並在減壓 下執行該對基板之附接。依照此方式，以液晶層2 6 5塡充 由該對基板及密封劑所圍繞之區域。當使用具有高透光性 質及小阻滯之塑膠膜作爲相對基板268時，可製造出撓性 液晶面板。 製造撓性液晶面板之上述程序僅爲一範例。替代地， 例如，可以一種方式製造撓性液晶面板，使得在製造電晶 體之後藉由硏磨或之類薄化使用作爲基板2 30及相對基板 268之玻璃基板。在藉由硏磨薄化的情況中，在執行以液 晶層之塡充後藉由硏磨薄化基板23 0及相對基板268兩者。 第14A及14B圖繪示使用液晶面板之電子書讀取器的一 範例。 第14A及14B圖繪示在液晶面板43 11的端部設置支撐部 4308之情況作爲電子書讀取器的一範例。於下參照第14A 及14B圖敘述電子書讀取器的特定結構。第14A圖繪示水平 放置之電子書讀取器，且第14B圖繪示垂直放置之電子書 讀取器。 第14A及14B圖中所示之電子書讀取器包括撓性液晶面 板43 1 1，其包括顯示部43 0 1、設置在液晶面板43 1 1的端部 之支撐部4308、用於控制顯示部4301之顯示的掃描線驅動 器電路4321a、用於控制設置在顯示部4301中之光二極體 的光感測器驅動器電路4321b、及用於控制顯示部4301之 顯示的信號線驅動器電路4 3 2 3。 -33- 201205379 掃描線驅動器電路4321 a及光感測器驅動器電路432 1b 設置在液晶面板4 3 1 1的撓性表面上，且信號線驅動器電路 43 23設置在支撐部43 08之內。 較佳支撐部43 08比至少液晶面板43 1 1更少撓性（更堅 硬）。例如，可使用比液晶面板43 1 1更厚的塑膠、金屬、 或之類來形成之支撐部4308的殼體。在那情況中’可在非 支撐部43 08外的部分中凹折（彎曲）電子書讀取器。 對於在哪裡設置支撐部4 3 0 8並無特別限制。例如，可 沿著液晶面板431 1之端部設置支撐部4308。例如’如第 1 4 A及1 4B圖中所示，在液晶面板43 1 1具有矩形形狀的情況 中，可沿著液晶面板43 1 1之預定側設置支撐部4308 (所以 固定該側）。注意到「矩形形狀」在此包括矩形的角落爲 圓滑的形狀。 此外，當透過相同程序在具有撓性之基板上方形成掃 描線驅動器電路4 3 2 1 a、光感測器驅動器電路4 3 2 1 b、及包 括在顯示部43 01中之畫素電路，可凹折掃描線驅動器電路 43 2 la及光感測器驅動器電路432 lb並可實現成本減少》 可使用薄膜電晶體或之類來形成包括在顯示部4301中 之畫素電路及包括在掃描線驅動器電路4 3 2 1 a及光感測器 驅動器電路4321b中之元件。另一方面，可使用利用諸如 矽基板或SOI基板的半導體基板所形成之積體電路（1C ) 來形成諸如信號線驅動器電路43 23之高速操作電路，且該 1C可設置在支撐部4308內。 使用撓性基板來形成液晶面板43 1 1，並因此，歸功於 -34 - 201205379 使用光二極體之觸碰輸入，即使當因爲凹折螢幕可毫無問 題地輸入資料。因此，液晶面板43 1 1之可操作性比具有觸 碰輸入系統之其他電子裝置更佳。 注意到在此實施例中顯示其中使用金屬層作爲分離層 之一範例，但實施例不限於此。可使用利用雷射照射之剝 離的分離法、利用有機樹脂之分離法、或之類。 〔實施例6〕 在此實施例中，參照圖示敘述液晶面板之掃描線驅動 器電路的結構之一範例。 第15圖爲此實施例中所述之驅動器電路的區塊圖。在 使用驅動器電路作爲VGA之閘極驅動器（掃描線驅動器電 路）之情況中，必須驅動4 8 0條閘極線，並因此，需要9位 元之資料線。在此範例中，敘述3位元之範例。 區塊701標示產生第一級之閘極信號的電路，區塊702 標示產生第二級之閘極信號的電路，區塊703標示產生第 二級之闊極信號的電路，區塊704標不產生弟四級之鬧極 信號的電路，及區塊705標示產生第五級之閘極信號的電 路。在VGA的情況中，除上述外還有產生第6至第480級之 閘極信號的區塊。

DataOa、DataOb、Datala、Datalb、Data2a、及

Data2b標示資料線。爲信號名稱之倒數字符之第二的任何 〇至2之字符相應於3位元之資料。針對信號名稱之最後字 符「a」及「b」，「b」相應於「a」之反信號但非完全相 -35- 201205379 反信號。在無輸入資料的時期中’ £^^〇3至0“&215設定成 〇 (低，亦稱爲G N D )。連接個別級中之資料線及區塊的 方法如下：當第一級代表二進位的「00 1」時，由於相應 於第一級之最低位元及最低位元的Data0a及DataOb爲「1 」：因此，第一級之區塊連接至最後字符爲「b」者，亦 即，DataOb。以類似方式，由於緊接著最低位元之位元爲 「0」，第一級連接至最後字符爲「a」者’亦即，Datala 〇 第1 6圖顯示相關於時間資料線之間的關係。在其中選 擇第一級之區塊701的時期1中’DatWa設定成〇(低）， Data la設定成〇 (低），且D a t a 0 a設定成1 (高），其相應 於「001」，此爲1之二元表示。在其中選擇第二級之區塊 702的時期2中，Data2a設定成0(低），Datala設定成1 ( 高），且DataOa設定成0 (低），其相應於「010」，此爲 2之二元表示。針對第三級及後續級，亦以相同方式決定 資料。 另外，當DataOa爲0 (低）時，相應於其之DataOb相 反地設定成1(高），而當DataOa爲1 (高）時，DataOb 設定成〇 (低）。Datala及Data2a之間的相同關係適用於 Datalb及Data2b。注意到在其中選擇第一級之區塊701的 時期1與其中選擇第二級之區塊7 02的時期2之間插入其中 DataOa及DataOb兩者皆爲0(低）的時期並充當無輸入資 料之時期。 第17圖爲形成區塊701之內部的電路之圖。相同者適 -36- 201205379 用於形成區塊702、區塊703、區塊704、及區塊705之內部 的電路。亦在第17圖中’敘述3位元之範例。在與顯不部 之電晶體相同的基板上方形成在第17圖中所繪示之n通道 電晶體群組802 ' η通道電晶體803、η通道電晶體804、及π 通道電晶體群組806，並使用氧化物半導體層作爲電晶體 群組及電晶體之每一者中之通道。 第15圖中之DataO及第17圖中之DataO互相相應’且 DataO電連接至第15圖之DataOa及DataOb。節點801具有保 持資料之功能。雖可藉由電容器保持資料，由於可接受寄 生電容，所以在此實施例中省略用於保持資料之電容器。 當資料線DataO至Data2之一設定成1 (高）時，啓通η通道 電晶體群組802之電晶體之一並且節點801設定成0 (低） 。當所有的資料線DataO至Data2爲0 (低）時，節點801保 持在1 (高）並且此區塊被視爲被選定。此外，在無輸入 資料之時其中，所有的資料線DataO至Data2設定成0 (低 )且關閉全部的電晶體群組802。 爲了設定節點801成1(高），設定重設信號成1(高 )，藉此啓通爲η通道電晶體之電晶體8 03。注意到即使當 啓通電晶體8 0 3時’因爲電晶體8 0 3之臨限値的緣故，節點 801不總是與VDD具有相同電位，這不會造成問題。當其 中重設信號爲1 (高）的時期不重疊其中資料線DataO至 Data2之一爲1 (咼）的時期時，可防止從電源vdd流至 G N D之電流的增加。 當在資料輸入的時期中之所有資料線爲〇 (低）時， -37- 201205379 亦即當選擇區塊時，節點801保持在1 (高）且啓通爲n通 道之電晶體804。此外，當選擇此區塊時，節點801不電連 接至電源VDD及GND。當寫入信號從0 (低）改變至1 (高 )時，因電容器805之電容耦合的緣故而升高節點801之電 位。電容器805之電路稱爲自舉電路。 在被升高後，節點8 0 1之電位較佳高於藉由將電晶體 8 04之臨限値加到寫入信號之最高電位所得之電位。在升 高節點801之電位後，若節點801之電位高於藉由將電晶體 8 04之臨限値加到寫入信號之最高電位所得之電位，則在 某些情況中無需電容器805或寄生電容爲足夠。 在升高節點801之電位後，在節點801之電位低於藉由 將電晶體8 04之臨限値加到寫入信號之最高電位所得之電 位的情況中，會有節點Out之電位不增加至寫入信號之最 高電位且未即時執行至畫素之寫入的可能性。當節點8 0 1 之電位高於藉由將電晶體8 0 4之臨限値加到寫入信號之最 高電位所得之電位時，寫入信號從0 (低）改變至1 (高） ，且節點Out亦從0 (低）改變至1 (高）。節點Out連接至 畫素之閘極線。接下來，當寫入信號從1 (高）改變至0 ( 低）時，因電容器8 05之電容耦合的緣故而降低節點801的 電位；然而，節點801之電位近乎等於由重設信號所供應 之VDD的電位且不關閉電晶體804。換言之，由於當節點 8 0 1之電位高於藉由將電晶體8 04之臨限値加到寫入信號之 0 (低）位準所得之電位，節點Out亦爲0 (低）。 當在資料輸入的時期中資料線之一爲1(高）時，亦 -38- 201205379 即當不選擇區塊時’節點8 〇 1爲〇 (低）並關閉電晶體8 04 〇 即使當寫入信號從〇(低）改變至1 (高）時，由於啓 通電晶體群組8 02，節點8 0 1之電位爲0 (低）且關閉電晶 體8 04。由於當電晶體群組8 02具有通過電流之低能力時， 因電容器8〇5之電容耦合的緣故而升高節點801的電位；因 此，必須判斷電晶體群組802之通過電流的能力，使節點 Out之改變爲小。 接下來，即使當寫入信號從1 (高）改變至0 (低）時 ，由於啓通電晶體群組802 ’節點801之電位爲0 (低）且 關閉電晶體804。當電晶體群組802具有通過電流之低能力 時，因電容器8〇5之電容耦合的緣故而降低節點801的電位 ;因此，必須判斷電晶體群組802之通過電流的能力，使 節點Out之改變爲小。 在未設置電晶體群組806之情況中，當在資料輸入的 時期中資料線之一爲1 (高）時，亦即當不選擇區塊時， 節點Out不電連接至電源並且不受視頻信號的影響。亦藉 由電晶體8〇4之源極電極與汲極電極之間的電容耦合改變 節點Out之電位。因此，在其中關閉電晶體804的時期中， 較佳將節點Out固定在0(低）。 第18圖爲時間及節點之電位的圖。使用第18圖來敘述 針對第17圖之電路圖的操作。 在時期901中，藉由重設信號將節點801設定成1 (高 )。在時期901中，雖啓通電晶體804，寫入信號爲〇 (低 -39- 201205379 )且因此，節點Out之電位亦爲0 (低）。下一時期902爲 直到資料輸入爲止之時期，其中重設信號設定成〇(低） 。較佳藉由提供時期902來防止從電源VDD流至GND的電 流之增加。 需要下一時期903來判斷藉由輸入資料之節點801的電 位，且在此敘述所有的資料線DataO至Data2皆設定成0 ( 低）的情況。在下一時期904的一開始，寫入信號設定爲1 (高）且升高節點801之電位。在時期904中，節點Out的 電位亦設定成1 (高）。 在下一時期905中，寫入信號設定成0(低）。雖亦降 低節點801之電位，由於啓通電晶體804，節點Out之電位 爲〇(低）。在下一時期906中，終止資料輸入的時期，並 在下一時期907中，重設信號再次設定成1 (高）並且節點 80 1之電位設定成1(高）。上述爲一水平週期，且之後， 重複該水平週期。由時期908標示取代時期903所設置且其 中資料線DataO至Data2之一設定成1 (高）的時期。在時 期908中，當資料線DataO至Data2之一設定成1 (高）時， 節點801之電位設定成0(低）。若時期908很短，且在藉 由關閉電晶體804而充分降低節點801的電位之前在下一時 期909中將寫入信號設定成1(高），則會有無法僅藉由電 晶體群組8 06固定節點Out之電位且會暫時增加的可能性。 若在時期908中關閉電晶體804，即使當在下一時期909中 寫入信號設定爲（高），節點Out可保持在0 (低）。注意 到因爲電晶體8 04之源極電極與汲極電極之間的寄生電容 -40 - 201205379 的緣故’即使當關閉電晶體8 04，節點Out之電位傾向於增 加。必須藉由電晶體群組806調整節點Out之電位以不啓通 畫素電晶體。閘極線之負載很大，並因此，源極電極與汲 極電極之間的寄生電容不會造成很大的問題。 在此實施例中，「1 (高）」敘述成VDD之電位且「〇 (低）」敘述成GND之電位。當寫入信號之最高電位低於 VDD時’不需自舉電路，但不希望在外部設置兩種電源， 因爲會增加成本。在此實施例中可使用一個電源來執行操 作。 注意到可與此說明書中之其他實施例中的任何結構自 由結合地實行在此實施例中所述之顯示裝置的驅動器電路 之結構。 在此實施例中所述之顯示裝置的驅動器電路之結構中 ’當寫入信號及每一資料線設定成〇(低）且重設信號設 定成1 (高）時，所有畫素之閘極線設定在0 (低）。不像 是針對顯示部之驅動器電路使用位移暫存器電路的情況， 在任意列中之畫素的閘極線可以任意順序設定成1 (高） 〇 此實施例爲包括在驅動器電路中之解碼器電路的一範 例，且因此，實施例不限於在此實施例中所述之顯示裝置 的驅動器電路之結構。 此申請案依據在2010年3月8日向日本專利局申請之日 本專利申請案序號2010-050947，其全部內容以引用方式 倂於此。 -41 - 201205379 【圖式簡單說明】 在附圖中： 第1A及1B圖爲繪示本發明之一實施例的外部視圖； 第2圖爲繪示本發明之一實施例的區塊圖； 第3圖爲畫素之等效電路圖，繪示本發明之一實施例 » 第4圖爲光感測器之驅動器電路的示意圖，繪示本發 明之一實施例： 第5圖爲顯示本發明之一實施例的時序圖； 第6圖爲畫素之平面圖，繪示本發明之一實施例； 第7圖爲顯示反射電極與黑色矩陣之間的位置關係之 平面圖的一範例，繪示本發明之一實施例； 第8 A及8B圖爲繪示本發明之一實施例的剖面圖之一範 例： 第9圖爲液晶顯示模組之示意圖，繪示本發明之一實 施例； 第10A及10B圖爲本發明之一實施例的顯示裝置之外部 視圖及區塊圖； 第11A及11B圖爲光二極體之一部分的剖面之照片及其 之示意圖； 第1 2圖爲顯示一顯示影像之顯示面板的狀態之照片； 第13A至13C圖爲繪示本發明之一實施例的剖面圖之一 範例； -42- 201205379 第14A及14B圖爲電子書讀取器之示意圖，繪示本發明 之一實施例； 第15圖爲驅動器電路之區塊圖，繪示本發明之一實施 例； 第1 6圖顯示相關於時間資料線之間的關係； 第17圖爲形成區塊之內鄣的電路之圖；以及 第1 8圖顯示時間及節點之個別電位。 【主要元件符號說明】 100 :顯示面板 1 01 :畫素電路 103 :畫素 104 :畫素 105 :顯示元件 106 :光感測器 1 07 :在信號線側上之顯示元件驅動器電路 108:在掃描線驅動器電路上之顯示元件驅動器電路 109 :光感測器讀取電路 110:光感測器驅動器電路 1 15 :濾色器 1 16a :撓性印刷電路 1 16b :撓性印刷電路 120 :顯示面板 1 2 5 :顯示元件 -43- 201205379 135： 139： 190 ： 201 ： 202 ： 2 03 : 204 ： 2 05 ： 206 ： 207 ： 2 08 ： 209 ： 2 10： 2 11： 2 12： 2 13： 2 14： 221 ： 2 22 ： 223 ： 224 ： 227 ： 2 3 0 ： 23 1： 光線 外部光線 液晶顯示模組 電晶體 儲存電容器 液晶兀件 光二極體 電晶體 電晶體 閘極信號線 光二極體重設信號線 信號線 視頻資料信號線 光感測器輸出信號線 光感測器參考信號線 閘極信號線 電容器佈線 電晶體 儲存電容器 液晶元件 電容器佈線 閘極信號線 基板 絕緣層 -44 201205379 2 3 2 :閘極絕緣層 23 3 :氧化物半導體層 2 3 4 :電極層 23 5 :電極層 2 3 6 :電極層 2 3 7 :絕緣層 238 ： p層 239： i層 240 ： η層 2 4 1 :絕緣層 242:反射電極層 243 :連結電極層 244 :對準膜 245 :凹部 2 5 1 :電極層 2 53 =氧化物半導體層 254 :電極層 25 5 :氧化物半導體層 256:氧化物半導體層 2 57 :電極層 25 8 :電極層 260 :分離層 2 6 1 :氧化物絕緣膜 262 :樹脂層 201205379 263 :黏性層 2 6 4 :基板 2 6 5 :液晶層 266 :對準膜 2 67 :相對電極 2 6 8 :相對基板 70 1 :區塊 7 0 2 :區塊 703 :區塊 7 0 4 :區塊 705 :區塊 8 0 1 :節點 8 02 :電晶體群組 8 0 3 :電晶體 8 04 :電晶體 8 05 :電容器 806 :電晶體群組 901 :時期 902 :時期 903 :時期 904 :時期 905 :時期 9 0 6 :時期 907 :時期 201205379 9 0 8 :時期 909 :時期 1 03 0 :電子裝置 103 1 :按鈕 1 032 :顯示部 1033:區域 1 0 3 4 :開關 1 0 3 5 :電源開關 1 03 6 :鍵盤顯示開關 4 3 0 1 :顯不部 43 08 :支撐部 4311 :液晶面板 4 3 2 1 a :掃描線驅動器電路 432 1 b :光感測器驅動器電路 43 23 :信號線驅動器電路 9630 :殻體 963 1 :顯示部 9632 :操作鍵 9 6 3 3 :太陽能電池 9634:充電與放電控制電路 9 6 3 5 :電池 9636 :轉換器 963 7 :轉換器 -47-

Claims (1)

1. 201205379 七、申請專利範圍： 1.—種電子裝置，包含： 具有觸碰輸入功能之顯示部；以及 電連接至第一反射電極之第一電晶體，電連接至第二 反射電極之第二電晶體，以及光感測器，在撓性基板上方 » 其中該光感測器包含： 光二極體； 包括電連接至該光二極體的閘極信號線之第三電 晶體：以及 第四電晶體， 其中該第三電晶體之源極及汲極之一電連接至光感測 器參考信號線，該第三電晶體之該源極及該汲極之另一者 電連接至該第四電晶體之源極及汲極之一，並且該第四電 晶體之該源極及該汲極之另一者電連接至光感測器輸出信 號線， 其中該第四電晶體之氧化物半導體層重疊該第一反射 電極，以及 其中該光感測器參考信號線重疊該第二反射電極。 2 ·如申請專利範圔第1項所述之電子裝置， 其中該第三電晶體之氧化物半導體層重疊讀取信號線 ，且有閘極絕緣層設置在其之間，以及 其中該讀取線重疊該第一反射電極。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之電子裝置， -48- 201205379 其中該第四電晶體之該源極及該汲極之一重疊該第一 反射電極且該第四電晶體之該源極及該汲極之另一者重疊 該第二反射電極。 4. 一種電子裝置，包含： 具有觸碰輸入功能之顯示部：以及 電連接至反射電極之第一電晶體’以及光感測器’在 撓性基板上方， 其中該光感測器包含： 光二極體； 包括電連接至該光二極體的閘極信號線之第二電 晶體；以及 第三電晶體，以及 其中該第二電晶體之源極及汲極之一電連接至光感測 器參考信號線，該第二電晶體之該源極及該汲極之另一者 電連接至該第三電晶體之源極及汲極之一，並且該第三電 晶體之該源極及該汲極之另一者電連接至光感測器輸出信 號線。 5. 如申請專利範圍第4項所述之電子裝置， 其中該第二電晶體之氧化物半導體層重疊讀取信號線 ，且有閘極絕緣層設置在其之間，以及 其中該讀取信號線重疊該反射電極。 -49-