JP2011180583A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】液晶表示装置の画素電極の端部を、隣接する画素電極の端部に絶縁層を挟んで重ねて設け、隣接する画素間にある間隙を狭め、画素に占める表示領域の割合を高めればよい。
【選択図】図4
Description
本実施の形態では、絶縁層を間に挟んで、液晶表示装置の画素電極の端部を隣接する画素電極の端部に重ねて設ける構成を、図1を用いて説明する。また、その作製方法を、図2を用いて説明する。
本実施の形態では、3つ以上の隣接する画素電極を有する表示装置において、絶縁層を挟んで、互いの端部を重ねて設ける構成について図3、乃至図7を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2で例示した画素電極を有し、さらにフォトセンサとしてフォトダイオードを同一基板上に設ける液晶表示装置について、図8乃至図10を用いて説明する。
本実施の形態では、絶縁層を間に挟んで、画素電極の端部を隣接する画素電極の端部に重ねて設ける構成を有し、当該画素電極、並びにフォトセンサを同一基板上に有する液晶表示装置について、その駆動方法について説明する。
本実施の形態では、カラーフィルタを設け、フルカラー表示が可能な液晶表示モジュールとする一例を示す。
本実施の形態は、実施の形態1乃至3で説明した液晶表示装置に用いる酸化物半導体層を含むトランジスタ、及び作製方法の一例を、図18を用いて詳細に説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
101 画素回路
103 画素
104 画素
105 表示素子
106 フォトセンサ
107 表示素子駆動回路
108 表示素子駆動回路
109 回路
110 フォトセンサ駆動回路
115 カラーフィルタ
116a FPC(フレキシブルプリントサーキット)
120 表示パネル
125 表示素子
135 光
139 外光
190 液晶表示モジュール
201 トランジスタ
202 保持容量
203 液晶素子
204 フォトダイオード
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 ゲート信号線
208 フォトダイオードリセット信号線
209 信号線
210 ビデオデータ信号線
211 フォトセンサ出力信号線
212 フォトセンサ基準信号線
213 ゲート信号線
214 容量配線
221 トランジスタ
222 保持容量
223 液晶素子
224 容量配線
227 ゲート信号線
230 基板
231 絶縁層
232 ゲート絶縁層
233 酸化物半導体層
234 電極層
235 電極層
237 絶縁層
238 p層
239 i層
240 n層
241 絶縁層
242 反射電極層
243 接続電極層
244 配向膜
245 凹部
251 電極層
252 電極層
253 酸化物半導体層
254 電極層
255 酸化物半導体層
256 酸化物半導体層
257 電極層
258 電極層
259 電極層
300 基板
307 絶縁層
308 絶縁層
340 レジストマスク
340a レジストマスク
340b レジストマスク
350 トランジスタ
350B トランジスタ
350G トランジスタ
350R トランジスタ
370 絶縁層
403 対向電極
404 配向膜
405 液晶層
408 対向基板
411 画素電極
411a 画素電極
411b 画素電極
412 画素電極
413 画素電極
414 配向膜
421 絶縁層
422 絶縁層
431 絶縁層
441 スペーサ
450 液晶表示装置
451 画素
452 画素
453 画素
460 液晶表示装置
461 画素
462 画素
470 液晶表示装置
471 画素
472 画素
480 液晶表示装置
490 液晶表示装置
505 基板
506 保護絶縁層
507 ゲート絶縁層
510 トランジスタ
511 ゲート電極層
512 ゲート信号線G
515a ソース電極層
515b ドレイン電極層
516 絶縁層
530 酸化物半導体膜
531 酸化物半導体層
1032 表示部
9630 筐体
9631 表示部
9632 操作キー
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 コンバータ
9637 コンバータ
Claims (8)
- 絶縁層と、
それぞれ独立したスイッチング素子とそれぞれ電気的に接続する第1の画素電極及び第2の画素電極と、
前記第1の画素電極及び前記第2の画素電極に対向する対向電極と、
前記第1の画素電極及び前記第2の画素電極と対向電極の間に液晶層を有し、
前記第2の画素電極の端部が、前記絶縁層を介して前記第1の画素電極の端部の上に重ねて設けられている液晶表示装置。 - さらに着色された絶縁層を有し、前記着色された絶縁層は前記第2の画素電極の端部から延在して第1の画素電極の上面に重なる請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記着色された絶縁層が前記第1の画素電極の上面に重なる前記第2の画素電極の側面を覆う請求項2記載の液晶表示装置。
- 前記スイッチング素子に、酸化物半導体を有するトランジスタを用いる請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の液晶表示装置。
- 第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、
それぞれ独立したスイッチング素子とそれぞれ電気的に接続する第1の画素電極、第2の画素電極及び第3の画素電極と、
前記第1の画素電極、前記第2の画素電極及び前記第3の画素電極に対向する対向電極と、
前記第1の画素電極、前記第2の画素電極及び前記第3の画素電極と対向電極の間に液晶層を有し、
前記スイッチング素子に酸化物半導体を有するトランジスタを用い、
前記第2の画素電極を挟んで、第1の画素電極と、第2の画素電極と、第3の画素電極は隣接し、
前記第2の画素電極の一方の端部が、前記第1の絶縁層を介して前記第1の画素電極の端部の上に重ねて設けられ、
前記第2の画素電極の他方の端部が、前記第2の絶縁層を介して前記第3の画素電極の端部の下に重ねて設けられている液晶表示装置。 - 第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、
それぞれ独立したスイッチング素子とそれぞれ電気的に接続する第1の画素電極、第2の画素電極及び第3の画素電極と、
前記第1の画素電極、前記第2の画素電極及び前記第3の画素電極に対向する対向電極と、
前記第1の画素電極、前記第2の画素電極及び前記第3の画素電極と対向電極の間に液晶層を有し、
前記スイッチング素子に酸化物半導体を有するトランジスタを用い、
前記第2の画素電極を挟んで、第1の画素電極と、第2の画素電極と、第3の画素電極は隣接し、
前記第2の画素電極の一方の端部が、前記第1の絶縁層を介して前記第1の画素電極の端部の上に重ねて設けられ、
前記第2の画素電極の他方の端部が、前記第2の絶縁層を介して前記第3の画素電極の端部の上に重ねて設けられている、液晶表示装置。 - 第1の絶縁層と、第2の絶縁層と、
それぞれ独立したスイッチング素子とそれぞれ電気的に接続する第1の画素電極、第2の画素電極及び第3の画素電極と、
前記第1の画素電極、前記第2の画素電極及び前記第3の画素電極に対向する対向電極と、
前記第1の画素電極、前記第2の画素電極及び前記第3の画素電極と対向電極の間に液晶層を有し、
前記スイッチング素子に酸化物半導体を有するトランジスタを用い、
前記第2の画素電極を挟んで、第1の画素電極と、第2の画素電極と、第3の画素電極は隣接し、
前記第2の画素電極の一方の端部が、前記第1の絶縁層を介して前記第1の画素電極の端部の下に重ねて設けられ、
前記第2の画素電極の他方の端部が、前記第2の絶縁層を介して前記第3の画素電極の端部の下に重ねて設けられている、液晶表示装置。 - 前記酸化物半導体を有するトランジスタと電気的に接続するフォトセンサと、
前記画素電極を同一基板上に有し、
前記フォトセンサを囲うブラックマトリクスを有する請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の液晶表示装置。
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