JP4981358B2 - 反射型液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
102:フィールド酸化膜、
103:ソース領域、
104:ドレイン領域、
105:ゲート電極、
106:電荷保持容量の下部電極(拡散層)、
107:電荷保持容量の上部電極(ポリシリコン)、
108:第1の層間絶縁膜、
109:拡散層と第1の金属配線層とを接続するコンタクトホール、
110:第1の金属配線層、
111:第2の層間絶縁膜、
112:第1の金属配線層と第2の金属配線層とを接続する第1のスルーホール、
113:第2の金属配線層、
114:第3の層間絶縁膜、
115:第2の金属配線層と第3の金属配線層とを接続する第2のスルーホール、
115’:第2の金属配線層と第4のスルーホールとを接続する第3のスルーホール、
116:遮光層として機能する第3の金属配線層、
117:第4の層間絶縁膜、
118:第2のスルーホールと第4の金属配線層とを接続する第4のスルーホール、
119:画素電極、
120:表面保護膜、
121:画素分離領域、
122:フォトレジストマスク、
123:第3の層間絶縁膜よりも大きな屈折率を有する絶縁膜、
124:第3の金属配線層上の光吸収層、
201:半導体基板、
202:スイッチング素子、
211:電極配線、
207:素子分離領域、
209:画素電極、
2031,2032,2033,2034:層間絶縁膜
Claims (8)
- 複数の画素電極がそれらの互いに隣接するもの同士の間に画素分離領域を介在させて配置されており、前記画素電極にその第1の表面の側から入射した光を反射させて画像を表示する反射型液晶表示装置において、
前記画素分離領域は、前記画素電極の前記第1の表面に隣接する第1表面側絶縁体層の端面及び前記画素電極の前記第1の表面とは反対側の第2の表面に隣接する第2表面側絶縁体層の端面と接しており、前記第1表面側絶縁体層の屈折率及び前記第2表面側絶縁体層の屈折率より大きな屈折率を持つ絶縁体からなることを特徴とする反射型液晶表示装置。 - 前記画素分離領域の屈折率は1.6以上2.0以下であり、前記第1表面側絶縁体層の屈折率及び前記第2表面側絶縁体層の屈折率はいずれも1.4以上1.5以下であることを特徴とする、請求項1に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記第2表面側絶縁体層の前記画素電極と反対の側に遮光層が設けられていることを特徴とする、請求項1又は2に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記遮光層は光反射層及び光吸収層を含んでなることを特徴とする、請求項3に記載の反射型液晶表示装置。
- 前記光反射層はその表面の一部が前記画素分離領域の面と接するように延びていることを特徴とする、請求項4に記載の反射型液晶表示装置。
- 複数の画素電極がそれらの互いに隣接するもの同士の間に画素分離領域を介在させて配置されており、前記画素電極にその第1の表面の側から入射した光を反射させて画像を表示する反射型液晶表示装置を製造する方法であって、
前記画素分離領域は、前記画素電極の前記第1の表面とは反対側の第2の表面に隣接する第2表面側絶縁体層の端面と接しており、且つ該第2表面側絶縁体層の屈折率より大きな屈折率を持つ絶縁体からなり、
前記画素電極の形成のためのエッチングと前記第2表面側絶縁体層の形成のためのエッチングとを同一のマスクを用いて連続して行うことを特徴とする、反射型液晶表示装置の製造方法。 - 前記画素分離領域は、前記画素電極の前記第1の表面に隣接する第1表面側絶縁体層の端面と接しており、前記第1表面側絶縁体層の屈折率より大きな屈折率を持っており、前記第1表面側絶縁体層の形成のためのエッチングと前記画素電極の形成のためのエッチングと前記第2表面側絶縁体層の形成のためのエッチングとを同一のマスクを用いて連続して行うことを特徴とする、請求項6に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
- 前記第2表面側絶縁体層の前記画素電極と反対の側に遮光層が設けられており、該遮光層は光反射層及び光吸収層を含んでなり、前記画素電極の形成のためのエッチングと前記第2表面側絶縁体層の形成のためのエッチングと前記光吸収層の形成のためのエッチングとを同一のマスクを用いて連続して行うことを特徴とする、請求項6又は7に記載の反射型液晶表示装置の製造方法。
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