TW201137936A - Ultra low silicon loss high dose implant strip - Google Patents

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Description

201137936 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於自-卫件表面移除或剝離光阻材料並且移 除相關殘留物之方法及裝置。在某些實施例中，此說明壹 係關於在離子植人或電㈣I助摻雜植人之後用於剝離光阻 (低劑量或高劑量植入光阻）之方法及裝置。 此說明書主張自2_hMU日申請之美國專利申請案 第12/636,582號之優先權，並以引用方式併入本文。 【先前技術】 光阻係於處理期間在-工件（例如一半導體晶圓）上形成 -圖案化塗佈之某些製造製程中所使用之—感光材料。在 使該光阻塗佈表面曝露於高能量輕射之一圖案之後，移除 該光阻之-部分以顯露下表面，並使剩餘表面得以保護。 在未經遮蓋表面及制餘光阻上執行半導體製程（諸如敍 J /尤積及離子植入）。在執行一或多個半導體製程之 後’以一剝離操作移除該剩餘光阻。 在離子植入期間，摻雜離子（例如硼離子、二氟化硼離 子、銦離子、鎵離子、鉈離子、磷離子、砷離子、銻離 子、鉍離子或鍺離子)被加速朝向一工件目標。該等離子 植入於該卫件之所曝露區域以及該剩餘光阻表面中。該製 程可形成井區域（源極/汲極）及輕微摻雜汲極（ldd)區域及 雙擴散汲極⑽D)區域。該離子植入用植入物種浸潰該光 阻域該表面耗乏氫。㈣阻之外層或結殼形成碳化層， 該碳化層之密度可能比下伏塊體光阻層更大。此等兩個層 152834.doc 201137936 具有不同熱膨脹速率並在不 應0 同速率下對剝離製程作出反 在後尚劑量離子植人光阻中介於該外層與該塊體層之間 的差別係極顯著的。在高劑量植人中，離子劑量可大於i x 10】5 個離子/平方公分’且能量可自1〇 —至大於⑽^習 知高劑量植入剝離（HDIS)製程採用氧氣化學，其中 程腔室形成單價氧氣電聚且使該單價氧氣電裝指向該工： 表面處。反應性氧與該光阻組合以形成用—真空幫浦 之氣態副產物。對於HDIS，需要額外氣體來移除具有氧 氣之該等植入離子。 主，的刪考慮包含剝離速率、殘餘物量及所曝露且 下伏溥膜層之薄膜損失。通常在咖及剝離之後於基板 表面上發現殘留物。該光阻中之高能量植入、結殼之不完 全移除及/或植人原子之氧化期間之濺鏟可產生該等殘留 物。在剝離之後，該表面應無殘留物或實質上無殘留物以 確保高良率並消除對額外殘留物移除處理之需要。可藉由 過剝離(即’超過移除所有光阻標稱上所需的剝離心之 一繼續）移除殘留物。不幸的是，在f知腹s操作中，過 到離有時移除—些下伏功能器件結構。在該料層處，甚 ^來自電晶體源極/汲㉟區域之矽損失極小M乃可不利地 办a器件效能及良率，尤其對於在<32奈米設計規則或更 小之條件下製造之極淺接面器件而言。 因此需要剝離光阻及離子植入相關殘留物之改良方法及 裝置，尤其對於HDIS而言’該等方法及該裝置最小化矽 152834.doc 201137936 損失並使殘留物較少或無殘留物，並維持一可接受剝離速 〇 【發明内容】 本發明提供用於自件表面剝離光阻並移除離子植入 :關殘留物之方法及裝置。根據各種實施例，使用元素 氫、含氟氣體及保護劑氣體來產生電漿。活化電聚氣體與 门劑量植人光阻發生化學反應，移除結殼及塊體光阻層兩 者，並同時保護該工件表面之所曝露部分。在低石夕損失之 情況令，該工件表面實質上係無殘留物。 以下將參考關聯圖式更詳細地描述本發明之此等及其他 特徵及優點。 【實施方式】 在本發明之下列詳細描#中，# $數種具體實施例以提 t、本發明之全文理解。然而’熟習此項技術者將瞭解，本 =明可在無此等具體細節之情況下或藉由使用替代元件或 衣矛王執仃。在其他情況中’並未詳細描述熟習的製程、步 驟及組件’以免不必要混淆本發明之諸態樣。 在此說明書中’將交替使用術語「工件」、「半導體晶 圓」曰曰圓」及「部分所製造積體電路」。熟習此項技術 者將瞭解語「部分所製造積體電路」在其上多個積 體電路製造階之任一階期間可指代一石夕圓晶。下列詳細描 述假a又在-晶圓上執行本發明。然而，本發明並無如此限 制°亥工件可為各種形狀、大小及材料。除半導體晶圓之 外可利用本發明之其他工件包含各種物件（諸如顯示 152834.doc 201137936 器、印刷電路板及類似物）。 如則所提及，本發明之該等方法及該裝置可用以在高劑 量離子植入.之後有效率並有效移除光阻材料。本發明並不 限於高劑量植入剝離（H D Ϊ s )。本發明亦並不限於任何種類 的植入離子。舉例而言，所描述方m置可在中等或低 j里植入之後與剝離一起有效地使用。雖然已討論具體摻 雜離子（諸如硼離子、坤離子及磷離子），但是該等所描述 方法及該等所描述裝置可有效地用以剝離經其他摻雜物 (諸如氮、氧 '碳、鍺及鋁）浸潰之光阻。 本發明之該等方法及該裝置使用產自含有氫之氣體之電 聚。在某些實施例中，該等氣體亦含有弱氧化劑、含氣氣 體及保護劑氣體（諸如cf4)。熟習此項技術者將認識到該 電漿中存在的實際物種可為衍生自氫、弱氧化劑、含氟氣 體及保護劑氣體之不同離子、基團及分子之—混合物。應 注意到，隨著該電漿與有機光阻及其他殘留 應並將其等分解，反應腔室中可存在其他二= 氫化合物、二氧化碳、水蒸氣及其他揮發性組分卜熟習 此項技術者亦將認識到引入至該電漿中之該（該等）初始氣 體通常係不同於該電漿中存在的該（該等）氣體以及在剝離 期間接觸該工件表面之該（該等）氣體。 圖1A至圖1D描繪離子植入及剝離操作前後的各種半導 體製造階。圖1A展示經光阻材料1〇3塗佈之一半導體基板 101。該基板101可包含一或多層沈積薄膜（例如，氧化物 膜、矽化物接觸件及/或多晶矽薄膜），或可為包含例如— 152834.doc 201137936 絕緣體上覆㈣基板之-切基板。最初，該光阻材料塗 佈整個基板表面。接著使該光阻曝露於通過一遮罩所產生 之圖案化輻射並且進一步移除該材料之一部分（例如，圖 1A中所展示介於剩餘光阻材料1〇3之間的開口 1〇4)。 接著，使该基板曝露於一離子植入製程。在離子植入期 間，該工件或該晶圓之表面被植入摻雜離子。該製程可為 (例如）一電漿浸潰離子植入（ΡΙΠ)或離子束植入。該等離子 衝擊包含該所曝露矽層101及該光阻1〇3之該基板表面。隨 者向能量離子植入，可使少量下伏材料1〇7濺鍍至光阻側 土參見圖1B。此材料可包含一些植入物種、該電漿或該 離子束中之其他材料及該植入之副產物。其等包含矽、 鋁、碳、氟、鈦、其他接觸材料（諸如鈷）及元素與化合物 形式兩者之氡氣。實際物種取決於在離子植入之前的基板 之組合物、光阻及植入物種。 在該所曝露矽層101處，產生一摻雜區域1〇9。離子能量 或衝擊強度決定該摻雜區域之深度或厚度。離子通量密度 決定摻雜程度。 該等離子亦浸潰產生一結殼層105之該光阻表面❶該結 喊層105可被碳化並且高度地交聯聚合物鏈。該結殼通常 係耗乏氫並經植入物種浸潰。該結殼層1 〇5之密度比該塊 體光阻層103之密度更密集。相對密度取決於離子通量， 同時結殼層之厚度取決於離子能量。 此結殼層105比下方之該塊體光阻103更難以剝離。該結 成層105之移除速率可比該下伏塊體光阻慢5〇。/❶或75%。該 I52834.doc 201137936 塊體光阻含有相對較高位準經化學鍵合的氮及一些其初始 澆鑄溶劑。在提高之晶圓溫度下（例如，高於15(rc至高於 200 C )，该塊體光阻可脫氣並相對於該結殼層膨脹。接 著該整個光阻可隨著該下伏塊體光阻在該結殼下增強壓 力而「爆裂（pop)」。光阻爆裂係微粒及製程缺陷之一原 因，疋係因為該等殘留物尤其難以自該晶圓表面及腔室内 4 4件π除。隨著南劑量離子植入，介於該結殼層與該下 伏塊體光阻層之間的密度差甚至更高。該結殼亦可較厚。 圖1C展示未能完全移除該光阻1〇3及該側壁濺鍍殘留物 107之一剝離之後的基板。該側壁濺鍍殘留物1〇7可包含在 驾头釗離化學下並未形成一揮發性化合物之微粒。此等微 粒在-習知剝離操作之後可保留下來。該殘留物亦可包含 由習知剝離化學中所使用之反應性氧形成之植入物種之氧 化物（諸如氧化硼及氧化珅）。該結殼1〇5之部分亦可保留於 該基板上。由於幾何形狀，光阻介層孔之下伏處之結殼側 壁及拐角可難以剝離。 在一些情況中，可藉由過剝離 '使用含氟化學或濕式清 洗該晶圓來移除此等殘留物微粒。已發現習知氧化學中之 過剝離導致多餘的梦氧化，但是仍未移除（若存在）氧化删 及氧化砷。在根據本發明所產生的電漿中使用含氟化合物 產生可形成揮發性氟化硼及氟化砷之氟基團。這有助於移 除殘留物’但是不幸的是，#亦可㈣來自該基板之下伏 矽及氧化矽。根據本發明之實施例之特定剝離含氟化學之 使用緩和此問題。 152834.doc 201137936 矽損失係光阻厚度、結殼厚度及百分比過剝離之一函 數。移除較厚的光阻之較長並更多具有侵鞋性的過剝離亦 可移除更多的石夕。對於具有較厚的結殼之光阻，結殼層與 塊體光阻層之間的差別甚至係更明顯的。較厚的結殼側壁 及扣角甚至更難以剝離。因此，經設計以移除厚的結殼之 剝離製程亦易於移除更多的石夕。除殘留物移除之外，過剝 離亦可用以解決製程均勻性及幾何形狀問題。過剝離係超 過移除所有光阻標稱上所需的剝離製程之一繼續。若在該 晶圓（但非其它）之一些區域中完全移除該光阻，則該剝離 製程之繼續將引起自已剝離之區域移除之額外材料（通常 係石夕及氧化矽）^典型的過剝離係大約1 〇〇%。 圖1D展示移除所有殘留物之後的基板。根據各種實施 例在無額外碎損失或氧化及最小延遲之情況下移除該殘 留物。在某些實施例中，該剝離製程使其無殘留物並因此 減小製程步驟之數目。 圖2A至圖2D描繪針對該器件包含一金屬閘極之一特定 實施例之離子植入及剝離操作前後之各種半導體製造階。 圖2A展示離子植入之前包含半導體基板2〇1上之金屬閘極 堆疊210及圖案化光阻2〇3之部分製造的器件。注意到，在 所繪示圖式中，該圖案化光阻2〇3部分掩蓋金屬閘極堆疊 210之視圖。在某些實施例中，基板2〇1係一絕緣體上覆矽 型基板。淺清渠隔離（STI)區域205係内嵌入基板2〇1且大致 上係用一絕緣材料（諸如氧化矽）填充之溝渠。圖2B展示包 含離子束通量214及重新濺鍍通量216之植入期間之器件。 152834.doc 〇 201137936 該重新濺鍍通量216使基板材料（Si、STI及氮化矽（SiN))沈 積於側壁上。植入之後，在如圖2C所示之該塊體光阻203 頂部（215a)及側壁（215b)上形成一結殼215。歸因於該離子 植入束通量214之角度以及來自該重新減;鑛通量216之側壁 沈積，在植入期間可使該頂部結殼215a及該側面結殼215b 經歷不同環境。使用本文所描述的該等製程，移除該塊體 光阻203及該等結殼構形215a及215b，並使金屬閘極210未 才貝壤且使來自基板201及STI區域205之表面之表面材料之 損失最小，如圖2D所示。 本文所描繪的該等方法移除光阻及殘留物，同時最小化 石夕損失及對閘極堆疊之損壞。根據各種實施例，金屬閘極 堆疊可包含氮化鈦（TiN)、鈕、氮化钽或鎢之一或多者。 一高k閘極介電質（諸如氧化铪、氧化锆、氧化鈦）可沈積於 基板與金屬閘極之間。不同於多晶矽閘極，金屬閘極與習 知基於氧氣剝離化學不相容。而且，習知基於氧氣化學導 致高矽損失。 本發明之一態樣係關於限制矽損失之高劑量植入光阻/ 殘留物移除之新穎剥離化學。根據各種實施例，光阻及$ 留物係曝露於由分子氫、弱氧化劑、含氟化合物及保護, :匕合物形成之一電漿。所揭示之製程達成—實質上益殘彳 _離製程並使㈣失最，卜且與金相極相容。在並； :^意特^理論或反應機制限制之情況下，據信該以 團與製程氣體中之氫氣組合以形成氟化.氫(师 ，‘，、鼠基團。據㈣損失減小，部分仙為保護劑七 152834.doc 201137936 «物與表面石夕發生化學反應以形成保護聚合薄膜、碳化 物、氮化物或其他非氧化物保護層，其冑具有低於hf中之 氧化物之蝕刻速率。 製輊化學 如所指示’卿製歸及自包含各種組分氣體之一氣體 產H聚。本文所描述的剝離化學係、基於氣氣而非基於 氧氣。分子氫(h2)係產生電漿之氣體之主要組分，其中 :’〇〇〇 至 4M00 SCCm(例如，！，_ 至 6，_ sccm)H4幕後運 行，違產生電聚氣體之其他組分之例示性流速係至少一數 量級。根據各種實施例，該等其他組分氣體包含含氣化合 物及保護劑化合物。在許多實施例中，包含二氧化碳或其 他弱氧化劑，但是在某些實施例中並未包含二氧化碳或其 他弱氧化劑。 弱氧化劑之實例包含碳氧化物（諸如二氧化碳（c〇2)、一 氧化％i (CO))、氮氧化物（諸如一氧化二氮（n2〇)、一氧化氮 (NO)、二氧化氮（Noj)及硫氧化物（諸如氧化硫⑺及二氧 化硫（N〇2))。其他弱氧化物之實例包含任意含氧碳氫化合 物（CXHYQZ)及水（He) ο在某些實施例中，該弱氧化劑係 含碳化合物。在特定實施例中，二氧化碳係用作該弱氧化 劑’這係因為二氧化碳便宜、安全且有效。 該含氟氣體可為三氟化氮（NF3)、六氟化硫（sf6)、六氟 乙烧（c2f6)、四氟甲烷（Cf4)、三氟甲烷（CHF3)、二氟甲烷 (ch2f2)、八氟丙烷（c3F8)、八氟環丁烷（C4F8)、八氟[〗_]丁 烧（C4F8)、八氟[2-] 丁烷（C4F8)、八氟異丁烯（c4F8)、氟（f2) I52834.doc . n . 201137936 及颁似物。在特定實施例中，該含氟氣體係nf3、sf6、f2 或HF/飞。如下所描述，已發現此等氣體係比某些含碳蝕刻 劑（諸如CF4)品質更高之剝離氣體。在某些實施例中，該 各氟化&物係不含碳化合物。在一特定實施例中，係 用作β亥含氟氣體。如上所討論，據信在該剝離期間該腔室 中之主要蝕刻劑組分係HF汽。因此，在某些實施例中，可 使用易於轉化為HF汽之任意含氟氣體。 «亥保濩劑化合物大致上係含碳化合物，但是在某些實施 J中八可為含氮化合物。在某些實施例中，該保護劑氣 體亦可為含氟化合物。舉例而言，在某些實施例中，該保 濩剤化合物係CL ^應注意到該製程化學大致上包含含氟 化合物（例如，NF〇及保護劑化合物（CFO兩者，其中此等 化合物係相異的。即，甚至在該保護劑化合物含有氟之情 況中，同樣亦提供-相異含說化合物。在某些實施例中， 該含氟化合物與該保護劑化合物相比係一明顯更強的钱刻 劑。在某些實施例中，該保護劑化合物係含碳化合物，其 中實例包含CF4及CH4。在某些實施例中，該保護劑化合物 係3氮化。物。在並未由—特定理論或機制限制之情況 下，據信該保護劑化合物與形成對蝕刻更具有抵抗力之 (例如）碳化物及氮化物之石夕/氧化石夕表面發生化學反應或提 供反應物物種，以與形成對姓刻更具有抵抗力之（例如）碳 化物及氮化物之矽/氧化矽表面發生化學反應。舉例而 言’ HF中之氮化#之姓刻速率比氧化物之钮刻速率小大約 5〇倍之-數量級’其中碳化物之钱刻速率大約比氮化物之 152834.doc 201137936 蝕刻速率小至少大約一數量級◦在某些實施例中，含氧化 合物可用作保護劑化合物，前提係該等化合物並非強氧化 劑。 在一特定實施例中，該剝離化學係H2/c〇2/NF3/Cf4，其 中例示性相對體積比率係。在一實施例 中，一比率係3000/32/15/100。總氣體流速、弱氧化劑、 含氟氣體、保護劑氣體之相對含量及該剝離腔室中之其他 條件可取決於（其他因素之中）電漿類型（下游對直接）、射 頻（RF)功率、腔室壓力、基板（晶圓）大小及所使用之弱氧 化劑、含戴氣體及保護劑之類型變化。基於N〇veUus
GammaTM系統中之一 3〇〇毫米晶圓，該總氣體流速可在大 約1，000 seem與大約40,000 sccm之間變化，其中二氧化碳 之流速係大約1 sccm及大約400 sccm，且RF功率將較佳地 在大約300瓦特至5,〇〇〇瓦特之間變化。腔室壓力將通常在 大約300毫托與大約2托之間變化（例如，大約8〇〇毫托與大 約1.6托之間）。 如下進一步討論，在某些實施例中，含氟氣體與保護劑 氣體之比率在某些製程序列中變化，以提供完全的光阻及 殘留物移除及低％損失。而且如下進—步討論，控制二氧 化碳或其他弱氧化劑以降低矽損失。 製程序列
S 在某二貫k例中，提供有效地移除該高 製程序列及殘留物移除。在某些實施例中，料製 涉及在製程序㈣間改變含氟氣體與料劑氣體之比率以 152834.doc •13· 201137936 提供必要移除。在某些實施例中，該等製程序列涉及使該 晶圓曝露於產自包括含氟氣體及保護劑氣體之一氣體之一 電漿之一操作，接下來係使該晶圓曝露於產自僅含敦氣體 之一電漿之一操作。在某些實施例中，此等操作可顛倒。 圖3 A及圖3B展示指示含氟氣體（NF3)及保護劑氣體（eh) 可用以減少殘留物並降低矽損失之實驗結果。圖3A展示一 殘留物計分，其依據NF3及CF4流速（其他化合物保持恆定 流速）指示殘留物含量。隨著流速增加，該殘留物歸因於 所增加的氟存在而降低。注意到，在該保護劑氣體並非含 氟化合物之情況中，該保護劑之曲線可變平。圖展示依 據NR及CF#流速之矽損失。矽損失隨增流速而增 加，這係歸因於藉由該電漿中之活化氟物種及/或含氟^ 合物蝕刻該表面。然而，矽損失在一固SNF3流速下（諸如 如圖3B上所指示之60 sccm)隨著增流速而降低。cl 回應之斜率取決於NFs流速而較高或較低，該斜率闡釋具4 有正確比率之重要性。如上所示，據信矽損失隨著較高 CF*流速（與增加氟氣通常所期望的eh流速相比）降低可能 係由於該基板表面處之含碳保護膜之形成。該保護膜可藉 由介於碳物種與該矽表面材料之間的一聚合反應而形成。 含氟保護氣體之使用容許該保護劑氣體同時提供一保護效 應以及（連同該含氟氣體）提供殘留物移除。 若單獨使用NF3(例如，在HVCOVNF3製程中），則可全 部移除该殘留但是會導致一不可接受的高矽損失。若 單獨使用cf4(例如，在H2/c〇2/CF4製程中），則移除製程可 152834.doc -14· 201137936 明顯較慢，且可能不能導致完全移除。根據各種實施例， 該製程包含使用NFS與eh之一組合之至少一操作。舉例而 ° 在一貫施例中，一後高植入劑量（post-HDI)晶圓可被置 入一剝離腔室中。在預熱該晶圓之後，引入h2/co2/cf4/nf3 乳體於該腔室中並撞擊一電漿。該晶圓係曝露於該電漿持 續足以清洗該結殼、塊體光阻及其他殘留物之一段時間。 在某些實施例中，該製程序列改變NF3(或其他含氟氣 體）及CF4(或其他保護劑氣體）之相對含量。取決於該光阻 之類型、植入離子及植入參數，可採用不同製程序列。以 下描述可用以移除該塊體光阻、該結殼及該濺鍍殘留物之 部分之序列或序列之部分，連同用於剝離各種後植入光阻 及殘留物形成之製程序列之實例。為簡單起見，以下描述 引用NF3及CF4，然而，應注意到，其他含氟氣體及保護劑 氣體可分別被用於此等組分氣體之任一者。在某些實施例 中，採用用於移除側面及頂部結殼之兩步驟製程，該製程 涉及NF3+CF4，接下來係僅NF3。（Ηζ及視需要c〇2係在幕 後運行用於所有剝離操作）。該兩步驟製程係用以移除該 側面結殼（NFg+CF4)，接下來移除該頂部結殼（僅。該 NF3僅操作可涉及一氟「加料（spike)」或「叢發（burst)」， 其中該NF;流速係增加兩倍或兩倍以上。舉例而言，可應 用下列每站台流速：第一操作（侧面結殼）：2至3公升/每分 鐘（lpm)H2，32 seem C02 ; 1〇〇 sccm cf4 ; 15 seem NF3。 第二操作（頂部結殼）：2至3公升/每一分鐘; 32 seem C02 ; 0 seem CF4 ; 50 sccm NF3。應注意到，可取決 152834.doc •15- 201137936 於反應器之大小及組態、晶圓大小及劑量時間按比例增加 或降低所描述之該等流速。已發現在某些情況中僅使用 NF3，對於矽損失之一可接受位準，移除該頂部結殼，但 是並不移除該側面結殼。而且已發現在某些情況中使用 NF3+CF4，對於石夕損失之一可接受位準，移除該側面結殼 但是並不移除該頂部結殼。因此，使用如上之兩步驟處理 容許移除側面結殼及頂部結殼兩者。 圖4描述移除根據各種實施例之光阻及結殼之一製程流 程400。首先在一操作4〇1中，預熱該晶圓至足夠低以阻止 爆裂之一溫度，但是預熱該晶圓至足夠高以提供一可接受 的蝕刻速率之一溫度。根據各種實施例，該溫度可介於 200 C至400 C之間，更特定言之介於24〇。〇至35〇。匸之間 (例如285 C )。在操作403處，使該晶圓曝露於產自氫 氣一氧化石反、三氟化氮及四氟化碳（H2/C02/NF3/CF4)之 一電漿。產生該電漿大致上涉及引入該等組分氣體（其等 可預混合或並未預混合）至一電漿源中。根據本發明可使 用各種類型的電漿源，包含射頻（RF)、直流（DC)及基於微 波之電漿源。在某些實施例中]亥電漿係一遠端電漿源， 但是該電漿亦可係原位電漿源（即，在該剝離腔室中）。此 第操作可移除該側面結殼及該塊體光阻，同時使該表面 免又矽損失。接著在一操作4〇5中，關閉該CF4流動，且使 °亥aa圓曝露於僅產自氫氣、二氧化碳及三氟化氮 (2/C〇2/NF3)之—電漿。此操作移除該頂部結殼殘留物。 在私除副產物（未展示）之後，於一操作407處結束該製程， 152834.doc 201137936 且可移除該所清洗之晶圓。 在某些實施例中，除關閉該CF4之外或替代關閉該CF4， 必要時可藉由增加或降低該等流速來改變cf4/nf3比率。 舉例而言，在某些實施例中，CF4與NF3之一組合係用以移 除塊體光阻及/或側面結殼。將NF3加料於該製程中之各點 處以提供用於並不容易移除之殘留物之額外移除。加料 NF3可（或不可）涉及減小或改變該(：174流動。圖5展示根據 各種實施例之此一製程500之一實例。如同該先前實例， 首先在一操作501中預熱該晶圓。接著使該晶圓曝露於產 自h2/co2/nf3/cfk -電衆，並在一操作5〇3中加料叫。 此操作可移除結殼並免受矽損失。在某些實施例中，頂部 結殼及側面結殼兩者可被移除。接著，在一操作5〇5中， 該NF;流速降低且晶圓被曝露於產自出/⑺商匕㈣之一 電漿以用於該塊體光阻之移除。在一操作5〇7令，關閉該 CF4流動並使該晶圓曝露於產自之一電漿。” 需要在該操作期間加料該NF”此操作可為完全二任： 剩餘殘留物之-過剝離操作。過剝離指代超過移除所有2 阻標稱上所需的剝離製程之一繼續，且可涉及自 面剝離材料》在移除副產物（未 月， 結束該製程，且可移除該所清洗晶圓。 處 如所心不，取決於形成於該晶圓或其他工件上之特 一-言，可在該移除 困難的頂部結殼移除。可在 〇 以促進 在6亥製程之開始處移除該頂部結
S 152834.doc -17- 201137936 殼以防止爆裂之可能性❶接著可使用與CL組合之一較低 NF3流速執行塊體光阻移除。在某些實施例中，在移除該 塊體光阻之後加料NF3以促進鏈帶（stringer)移除。鏈帶係 藉由兩個鄰近曝露區域之間的非曝露區域保留之長的、窄 光阻殘留物片段。 在某些實施例中，在移除所有或部分該塊體光阻期間該 NF;與該CF4比率可視為一「基本（base)」.比率，並相對於 此比率量測加料。因此舉例而言，將塊體光阻移除期間之 一nf^cF4當作一「基本（base)」，根據各種製程序列，可 在该塊體光阻移除之前及/或之後使該比率上升。在一實 例中，該基本比率係3:2〇(例如，15 sccm NF3，i〇〇 swm CF4)，其中一加料使該比率上升為1:2(5〇 NF;，1〇〇 seem CF*) ’或在eh並不存在之情況中，該基本比率係無 限大用於任思特定製程之實際流速及比率可變化；然 而，藉由改變該等相對流速及該比率，使用展示於圖3八及 3B中之效應可控制該移除製程。在某些實施例中，針對一 或多個操作僅可存在CF*且不存在NF;，然而，在許多實施 例中，已發現CF*提供容許該製程利ffiNF3之較高的移除速 率之充足保護，根據各種實施例，可採用1:5〇至1:2之一基 本比率，其中一加料高於該基本比率。在某些實施例中， 一 NF3加料可涉及至少兩倍於比率NF3 :CF4。 如上所不，在某些實施例中，一 C02排放氣體被採用並 且在任何吩候連同運行。已發現對於一 毫米晶圓， 使用1〇至15 lpm Η2(每站台2至3 lpm)，運行於大約1〇〇 I52834.doc -18· 201137936 sccm-300 seem C02之間（每一站台20至60 seem)導致少於 超出此範圍之外的矽損失。這係展示於圖6中。圖6中之流 速經由一 5站台腔室反映總的C02 ;基於每一站台，該晶圓 經歷20 seem至60 seem C02，更特定言之32 seem。 製程參數 入口氣體 將通常包含分子氫之含氫氣體引入至該電漿源中。引入 至β亥電衆源之a亥氣體含有將被電離或以其他方式存在於該 電漿源中以形成一電漿之化學活性物種。引入至該電漿源 之該氣體包含含氟氣體（諸如元素氟、三氟化氫及六氟化 硫）。引入至該電漿源之該氣體包含保護劑氣體，通常係 含碳保護劑氣體。在某些實施例中，該保護劑氣體係碳氟 化合物氣體（諸如四氟化碳、CJ6或氫氟碳）。 在某些特定實施例中’引入至該電漿源之該氣體包括體 積比大約(M。/。至大約3%之間的四氟化碳及體積比大約 0U2%之間的三說化氮。引人至該電漿源之該氣體可 包含弱氧化劑(諸如二氧化碳、一氧化碳、二氧化氮、氮 氧化物及/或水)。在某些實施例中，該弱氧化劑係二氧化 碳。根據各種實施例，入口氣體可包含大約丨體積百分比 與99體積百分比之間、大約8G體積百分比與99.9體積百分 比之間或大約95體積百分比分子氫；大約0體積百分比盘 25體積百分比之間的C〇2或其他弱氧化劑；大約〇ι體積^ 分比與3體積百分比之間的三敦化氮或其他不含碳含就化 合物；及大約(U體積百分比與6體積百分比之間的四氟化 152834.doc -19· 201137936 碳或其他保護劑化合物。 —在某些實施财’進入該t漿源之該a體基本上由分子 氫、二氧化碳或其他弱氧化劑、不含碳含氟化合物及保護 J化口物所組成。在某些實施例中，#中在—製程序列中 之—或多個操作下關閉該保護劑氣體流動，進人該電聚源 之：軋體基本上由分子氫、二氧化碳或其他弱氧化劑及不 3反3氟化合物所組成。在其他實施例中，可將一額外— 或多個氣體添加至製程氣體。舉例而言，可添加一惰性氣 引入至該電漿源之該氣體可被預混合 .....-- 口r刀此令、或不 合:個別氣源在被引人至該«源之前可流動進入一混 柘C至。在其他實施例中，不同氣體可單獨進入該電 源。當在一多站台腔室之不同反應站台中使用引入至該 漿源之該氣體時，該氣體可具有不同組合物。舉例而士 在-6站台腔室中’站台1(或站台2,若站台“系用於則 或站台6可分別採用具有相對較高NF3含量之製程氣體⑴ 除该=或該殘留物。該等其他站台之_或多個可採用： 有少量或不含保護劑氣體之製程氣體。亦可使用不含二』 化碳或弱氧化劑之製程氣體。 - 使用具有弱氧化劑之基於氫之電聚剝離光阻及钱刻㈣ 之方法係揭示於美國專利第ms·號+，其全部内容^ 引用方式及針對户斤右a & # / 所有目的併入本文。剝離光阻及蝕刻殘g 物之後HDI方法係描述於美國專利公 0053則號，Α全邱^ A開案弟US_2009 八内各以引用方式及針對所有目的併/ 152834.doc -20· 201137936 電漿產生 根據本發明可使用各種類型的電漿源，其包含RF、DC 及基於微波之電漿源。在一較佳實施例中，使用一下游 電漿源。通常，一 300毫米晶圓之!^電漿功率在大約3〇〇瓦 特至大約10千瓦特之間變化。在一些實施例中，RF電漿功 率係在大約2000瓦特與5000瓦特之間（例如，35〇〇瓦特）。 喷淋頭總成 根據本發明之各種實施例，電漿氣體係經由一噴淋頭總 成分佈於加工表面。該噴淋頭總成可經接地或具有一經施 力:電壓(例如，0至1000瓦特偏壓)以吸引某些帶電物種，同 ¥不〜a中丨生物種至g亥晶圓之流動。該電漿中之許多帶電 物種在該喷淋頭處再組合。該總成包含該喷淋頭自身，該 喷淋頭可為具有引導該電聚及惰性氣體混合物進入該反應 腔室之孔之-金屬板。該喷淋頭經由—較大區域重新分佈 來自〇電漿m生氫，並容許使用—較小的電聚源。喷淋 -之數目及配置可經設定以最佳化剝離速率及剝離速率 均勻性》若該電漿源係位於該晶圓中心上方，則在該嘴淋 頭之中心的料噴淋頭孔係較佳地較小錢少以將活性氣 體推向外部區域。該噴淋頭可具有至少100個孔。合適的 頭包3可購自美國加州聖荷西市（San Jose， + ) vellusSystems，Ιη。之仏匪&㈣喷淋頭或Gj插入 、頭纟不存在噴淋頭總成之實施例中’該電漿直接進 入製程腔室。 £ 152834.doc •21· 201137936 製程腔室 製程腔室可為用於經執行之制離操作之任意適合的反應 腔至製私腔至可為一多腔室裝置之一腔室或製程腔室可 僅為一早一腔室裝置。該腔室亦可包含多個站台，在該等 多個站台中同時處理不同晶圓。製程腔室可為發生植入、 触刻或其他介人光阻處理之相同腔室。在其他實施例中， 一個別腔室係專供剥離之用。製程腔室壓力可自大約600 毫托至2托變化。在某些實施例中，該壓力自大約0.9托至 1.5托變化。 該製程腔室包含上面執行剝離操作之一或多個處理站 台。在某些實施例中，該一或多個處理站台包含一預熱站 台、至少一剝離站台及一過灰化站台。晶圓支標件係經組 心ス在處理期間支推晶圓。晶圓支撐件亦可在處理期間將 熱篁傳送至晶圓並自晶圓將熱量傳送出去以調整必要的晶 圓溫度。在某些實施例中，晶圓係支撐於複數個最小接觸 件上，且並未實體地接觸晶圓支撐件表面平面。一轉軸揀 取晶圓並將晶圓自一站台傳送至另一站台。圖8係展示適 合用於在晶圓上執行本發明之一下游電漿裝置8〇〇之態樣 之示忍圖。裝置800具有藉由一喷淋頭總成817分隔之一 電漿產生部分811及一曝露腔室8〇1。在曝露腔室8〇1内 部，一晶圓803置放於一平台（或置物台）8〇5上。平台8〇5係 裝配有一加熱/冷卻元件。在一些實施例中，平台8〇5亦係 經組態用於對晶圓803施加一偏壓。在曝露腔室8〇1中經由 一真空幫浦經由導管807得到低壓。氣態氫氣源（具有或不 I52834.doc •22· 201137936 具有稀釋/載流氣體）及二氧化碳（或其他弱氧化劑）經由入 口 809提供-氣體流進該裝置之電渡產生部分811。電聚產 生部分8U係部分藉由電感線圈813圍繞，該等電感線圈 813繼而係連接至—f源815。在操作期間，將氣體混合物 引入至電漿產生部分811令；給電感線圈813通電；並在電 漿產生部分811中產生一電漿。噴淋頭總成817可具有一經 施加電壓或經接地以指引物種流入至曝露腔室8〇1中。如 所提及，晶圓803可受控於溫度及/或可被施加—rf偏壓。 可使用各種組態及幾何形狀的該電漿源811及電感線圈 813。舉例而言，電感線圈813可依一交錯型樣環繞該電漿 源811。在另一實例中，該電漿源811可塑形為一半球形而 非圓柱开^。一控制器850可連接至該製程腔室之組件， 且匕制裝私氣體組合物、該剝離操作之廢力、溫度及晶圓 分度（wafer indexing)。機器可讀型媒體可耦合至該控制器 並含有控制此等操作之製程條件之指令。 合適的電漿腔室及系統包含美國加州聖荷西市（San
Jose，CA)Novellus Systems 公司提供之 Gamma 2100、2130 I2CP(交叉電感耦合電漿）、G400及GxT »其他系統包含來 自美國馬里蘭州Rockville市Axcelis Technologies公司之 Fusion線；來自韓國PSK Tech公司之TERA21 ;及來自美 國加州 Fremont 市 Mattson Technology 公司之 Aspen。此 外’各種剝離腔室可經組態於叢集工具上。舉例而言，一 剝離腔室可添加至可購自美國加州聖克拉拉市（Santa Clara, CA)之 Applied Materials之 Centura叢集工具。 152834.doc •23· 201137936 工件 j較佳實她例中，根據本發明之方法及裝置之工件係一 ^ 圓可使用任思大小的晶圓。大部分現代晶圓製 造設施使用200毫米或剔毫米晶圓。如上所揭示，本文所 揭不之製程及裝置在一處理操作(諸如蝕刻、離子植入戒 :積）之後剥離光阻。本發明係適合用於具有極小特徵或 "'二尺寸（例如，100奈米以下，65奈米或45奈米或小於45 奈米）之晶圓。所揭示之HDIS之低矽損失特徵尤其適合用 於極淺接面的先進邏輯！！件。本發明亦尤其適合用於經歷 别段工程（FEOL)離子植入（尤其係高劑量離子植入）之晶 圓。 活化電漿物種與晶圓上之光阻及濺鍍殘留物發生化學反 應。在晶圓處，反應性氣體可包含數目個活化電漿物種、 惰性氣體、基團、帶電物種及氣體副產物。各種氫物種之 體積濃度可為大約20%至80%於該晶圓處之氣體。各種氟 物種之體積濃度可為〇.01%至大約2%或小於1%。來自弱氧 化劑之各種物種之體積濃度可為0.05%至大約5%或大約 1.2%。此等材料可包含h2*、h2+、h+、H*、e_ '〇h、 〇*、CO、C02、H20、HF、F、F_、CF、CFACF3。 製程條件可取決於晶圓大小變化。在本發明之一些實施 例中’期望使工件在對其表面施加電漿期間保持在一特定 溫度°晶圓溫度可在大約1丨〇。〇與大約5〇〇。〇之間變化。為 減小上述光阻爆裂之可能性，晶圓溫度係較佳地緩慢增加 直到移除足夠多結殼且光阻爆裂不再受關注。初始站台溫 152834.doc -24- 201137936 度可為大約1HTC至大約260t，（例如）大約24(rc。愈後站 台可成功使用愈高溫度（諸如285t及大約35〇。〇及良好的 剝離速率。在某些實施例中，SNF3加料期間增加該溫度 以減小與此等加料關聯之矽損失。 例示性製程 如上所指示，在某些實施例中，一多站台剝離裝置係用 以執行本文所描述之光阻及殘留物剝離製程。圖7係展示 包含站台1、2、3、4、5及6之此一裝置之一俯視圖之—簡 單示意圖。晶圓經由腔室701進入該裝置站台！處；依序將 該等晶圓傳送至每一站台用於此站台處之一處理操作；且 該等晶圓在完成該製程之後經由腔室702自站台6退出。架 構在無高劑量植入剝離製程且低矽損失及TiN金屬閘極相 容性之情況下容許基於殘留物之氫氣。 例示性製程1 站台 1 操作 h2流率 (lpm) C02流率 (seem) nf3流率 (seem) CF4流率 (seem) re) 1 預熱 0 0 0 〇 I40 Z 結殼移除 2至3 32 15 100 3至5 /： 塊體光阻剝離 2至3 32 15 100 〇 過灰化及 殘留物清洗 2至3 32 50 〇 上述製程係包含站台6中之一 NF3加料之一製程序列之 實例。 152834.doc 201137936 例示性製程2 站台 操作 出流率 (1pm) C〇2流率 (seem) nf3流率 (seem) CF4流率 (seem) 溫度 fc) 1 預熱 0 0 0 〇 240 2 結殼移除 (2階） 2至3 32 15 100 240 50 100 3至5 塊體光阻剝離 2至3 32 15 100 285 6 過灰化及 殘留物清洗 2至3 32 50 〇 350 上述製程係包含於結殼移除期間在站台2中持續曝露時 間之一半之一 NF3加料之一製程序列之一實例。舉例而 言，一晶圓可在該站台中持續1 8秒，其中NF3加料持續9 秒。 例示性製程3 站台 操作 H2流率 (1pm) C〇2流率 (seem) NF3流率 (seem) 〇卩4流率 (seem) 溫度 (°C) 1 預熱 0 〇 0 〇 240 2 結殼移除(2階） 2至3 32 50 100 240 50 〇 3至5 塊體光阻剝離 2至3 32 15 100 285 6 過灰化及 殘留物清洗 2至3 32 50 〇 350 上述製程係在該站台2曝露時間期間之一點處關閉 CF4(例如）以輔助結殼移除一處理之一實例。 例示性製程4 站台 操作 H2流率 (1pm) C〇2流率 (seem) NF3流率 (seem) CF4流率 (seem) 溫度 CC) 1 預熱 0 〇 0 〇 240 2至5 塊體光阻剝離 及對側面結殼 移除殘留物 2至3 32 50 wo 240 3至5 塊體光阻剝離 2至3 32 15 100 285 6 過灰化及 殘留物清洗 2至3 32 50 〇 350 152834.doc -26- 201137936 上述製程序列提供展示藉由修改相對NF3與CF4流率可如 何控制剝離之實例。 雖然已就少數較佳實施例描述本發明，但是其應並不限 :上述八體、，.田卽。可使用该專上述較佳實施例上之許多變 化。因此’應參考下列專财請範圍大致解譯本發明。 【圖式簡單說明】 圖1Α至圖1D描繪離子植入及剝離操作前後之各種半導 體器件製造階； 圖2 A至圖2 D描繪根據該器件包含一金屬閘極之某些實 施例之離子植人及剝離操作前後之各種半導體器件製造 階； 圖3A展示依攀NF3流率及eh流率之殘留物； 4流率之矽損失； 之某些實施例之各種操作 之 圖3B展示依據NF3流率及CF 圖4及圖5係展示根據本發明 一程序製程流程圖； 圖6展不依據C〇2流率之石夕損失· 圖7展不適合用於執行本發明之態樣之一多站台循序架 構；及 本 圖8係展示適合用於執行本發明之諸態樣之一裝置之— 示意說明圖。 【主要元件符號說明】 1 站台 2 站台 3 站台
S 152834.doc „ 201137936 4 站台 5 站台 6 站台 101 半導體基板 103 光阻 104 開口 105 結殼層 107 下伏材料 109 摻雜區域 201 基板 203 塊體光阻 205 淺溝渠隔離區域 210 金屬閘極 214 離子植入波束通量 215a 頂部結殼 215b 側面結殼 216 重新濺鍍通量 701 腔室 702 腔室 800 下游電漿裝置 801 曝露腔室 803 晶圓 805 平台 807 真空幫浦通孔導管 152834.doc -28- 201137936 809 氣體通孔入口 811 電漿產生部分 813 電感線圈 815 電源 817 喷淋頭總成 850 控制器 S- 1528B4.doc -29-

Claims (1)

  1. 201137936 七、申請專利範圍： 1. 一種在一反應腔室中自一τ彼主 τ目工件表面移除材料之方法，該 方法包括： 自包括分子氫 '一不合石诗Α益# + 3奴含氟乳體及碳氟保護劑化合 物之一製ί王氣體混合物报占一墙 初形成一弟一電漿，其中該不含碳 3氣氣體及3亥兔氣保護逾丨介八私总、， 又劑化合物係以一第一體積流量比 率提供； 使該工件表面曝露於該第一電装以藉此自該工件表面 移除材料之一第一部分； 改變該不含碳含氟氣體與該碳敗保護劑化合物之該體 積流量比率以形成一第二電漿；及 使該工件表面曝露於該第二電漿以藉此自該工件表面 移除材料之一第二部分。 2·如Μ求項1之方法’其中該碳氟保護劑化合物係cf4、 c2f6、chf3、ch2f2、c3f8之一者。 3.如=求項2之方法，其中該碳氟保護劑化合物係cf4。 Θ求項1至3任一者之方法，其中該不含碳含氟氣體係 NF3、F2，、HF、或 SF6之一者。 月求項4之方法’其中該不含碳含氟氣體係NF3。 6· 如請求jg彳> + 之方法’其中自該工件表面移除之該材料包 括一高劑量植入光阻。 7. 如請求jg 1 > v ,, ^ 方法，其中該不含碳含氟氣體與該碳氟保 δ物之s亥第一體積流量比率係介於大約1:20至1.5 之間， ’ 且改I 5亥體積流量比率包括改變該比率為大約1:4 152834.doc 201137936 8. 至1:2之間。 如請求項1之方法 護劑化合物之該第 之間。 ，其中該*含碳含I氣體與該碳氣保 一體積流量比率係介於大約1:2〇至1:5 I =項1之方法，其中改變該不含碳含氣氣體與該碳 氟保護劑化合物之該體積流量比率以形成—第二電聚包 括：關閉該碳氟保護劑化合物之一流動。 10·如請求項1之方法 二氧化碳。 其中該製程氣體混合物進一步包括 η.如請求们之方法，其中在移除之後該工件實質上並益 心劑量植入光阻之殘留物，且其中該工件之一梦表面 損失少於大約2埃矽。 :求項11之方法’其中在移除之後該工件實質上並無 該高劑量植人光阻之殘留物，且其中該工件之—石夕表: 損失少於大約1埃發。 13· -種在一反應腔室中自一工件表面移除材料之方法該 方法包括： 自包括分子氫、不含礙含氟氣體及碳氣保護劑化合物 之一製程氣體混合物形成一第一電漿，及 使該工件表面曝露於該第一電漿以藉此自該工件表面 移除材料之—第—部分，且同時於該工件之一含矽表面 上形成一保護層。 如吻求項13之方法，其中該碳氟保護劑化合物係cF4、 C2F6、CHF3、ch2F2、C3f82 一者。 152834.doc 201137936 15. 如請求項13或14之方法，其中該不含碳含氟氣體係 NF3、F2, ' HF、或SF6之一者。 16. 如請求項13之方法，其中該碳氟保護劑化合物係ch且 該不含碳含氟氣體係NF3。 17. 如請求項13之方法，其中該製程氣體混合物進一步包括 一氧化碳。 18. 如請求項13之方法，其中在移除之後該工件實質上並益 该南劑量植人光阻之殘留物，且其中該卫件之 損失少於大約2埃矽。 ^ 19. Π=18之方法’其中在移除之後該工件實質上並盈 ::劑篁植入光阻之殘留物，且其中該工件之 才貝失少於大約1埃矽。 面 20. -種在一反應腔室中自—工件表 之方法，該方法包括： 劑夏植入先阻 移除該材料之一第一部分，包括： 將包括分子氫、弱氧化劑、不含 保護劑氣體之一第一廣氟乳體及碳氟 第&體?丨入至一電漿源中； 引入至該電漿源中 漿；及 使該 部分； 及 W第一氣體產生—第—電 之一第 電漿以移除該材科 及移除該材料之一第二部分，包括: 將包括刀子氫、弱氧化劍、不 上無碳氣保護㈣體之 & 3氣氧體且基本 152834.doc 第二氣體引入至—電漿源 s 201137936 中； 自引入至該電漿源中之該第二氣體產生一第二電 聚，及 使该工件曝露於一第二電漿以移除該材料之一第二 部分。 21. •種用於自—工件表面移除材料之裝置，其包括： 一反應腔室，其包括： 一電漿源， 置於6亥電漿源之下游之一噴淋頭，及 該噴淋頭之下游之一工件支撐件，該工件支撐件包 括一基座及控制支撐於該工件支撐件上之一工件之一 溫度之溫度控制機構；及 用於執行一組指令之一控制器，該組指令包括自包 括刀子氫、不含碳含氟氣體及一碳氟保護劑化合物之 一製程氣體混合物形成一第一電漿之指令，其中該不 含碳含氟氣體及該碳氟保護劑化合物係以一第一體積 流量比率提供； 使該工件表面曝露於該第一電漿以藉此自該工件表 面移除材料之一第一部分； 改支及不3 *反含氟氣體與該；5炭氟保護劑化合物之該 體積流量比率以形成一第二電漿；及 使該工件表面曝露於該第二電漿以藉此自該工件表 面移除材料之一第二部分。 152834.doc
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI697940B (zh) * 2016-02-26 2020-07-01 美商得昇科技股份有限公司 使用ｉｃｐ剝離劑的分層植入型光阻剝離製程

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8193096B2 (en) 2004-12-13 2012-06-05 Novellus Systems, Inc. High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry
US8129281B1 (en) 2005-05-12 2012-03-06 Novellus Systems, Inc. Plasma based photoresist removal system for cleaning post ash residue
US7740768B1 (en) 2006-10-12 2010-06-22 Novellus Systems, Inc. Simultaneous front side ash and backside clean
US8435895B2 (en) * 2007-04-04 2013-05-07 Novellus Systems, Inc. Methods for stripping photoresist and/or cleaning metal regions
US8591661B2 (en) 2009-12-11 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Low damage photoresist strip method for low-K dielectrics
CN102652351B (zh) 2009-12-11 2016-10-05 诺发系统有限公司 在高剂量植入剥除前保护硅的增强式钝化工艺
US20110143548A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 David Cheung Ultra low silicon loss high dose implant strip
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9390909B2 (en) 2013-11-07 2016-07-12 Novellus Systems, Inc. Soft landing nanolaminates for advanced patterning
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
US9613825B2 (en) 2011-08-26 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Photoresist strip processes for improved device integrity
US10283615B2 (en) 2012-07-02 2019-05-07 Novellus Systems, Inc. Ultrahigh selective polysilicon etch with high throughput
US8916477B2 (en) * 2012-07-02 2014-12-23 Novellus Systems, Inc. Polysilicon etch with high selectivity
US8932406B2 (en) * 2012-09-04 2015-01-13 Matheson Tri-Gas, Inc. In-situ generation of the molecular etcher carbonyl fluoride or any of its variants and its use
TWI595112B (zh) 2012-10-23 2017-08-11 蘭姆研究公司 次飽和之原子層沉積及保形膜沉積
US9419211B2 (en) * 2012-10-30 2016-08-16 Tokyo Electron Limited Etching method and substrate processing apparatus
JP6538300B2 (ja) 2012-11-08 2019-07-03 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 感受性基材上にフィルムを蒸着するための方法
US9214334B2 (en) 2014-02-18 2015-12-15 Lam Research Corporation High growth rate process for conformal aluminum nitride
US9514954B2 (en) 2014-06-10 2016-12-06 Lam Research Corporation Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films
US9478411B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS
US9478438B2 (en) 2014-08-20 2016-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
US10526701B2 (en) 2015-07-09 2020-01-07 Lam Research Corporation Multi-cycle ALD process for film uniformity and thickness profile modulation
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
US10872761B2 (en) * 2018-06-25 2020-12-22 Mattson Technology Inc. Post etch defluorination process
US10403492B1 (en) * 2018-12-11 2019-09-03 Mattson Technology, Inc. Integration of materials removal and surface treatment in semiconductor device fabrication
CN111341657A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 等离子体处理方法
CN114127890A (zh) 2019-05-01 2022-03-01 朗姆研究公司 调整的原子层沉积
US11361976B2 (en) * 2019-11-25 2022-06-14 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and plasma processing apparatus
US20220254660A1 (en) * 2021-02-05 2022-08-11 Linco Technology Co., Ltd. Substrate processing apparatus

Family Cites Families (215)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4201579A (en) * 1978-06-05 1980-05-06 Motorola, Inc. Method for removing photoresist by hydrogen plasma
US4357203A (en) 1981-12-30 1982-11-02 Rca Corporation Plasma etching of polyimide
US4699689A (en) 1985-05-17 1987-10-13 Emergent Technologies Corporation Method and apparatus for dry processing of substrates
US5292393A (en) * 1986-12-19 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Multichamber integrated process system
US5158644A (en) 1986-12-19 1992-10-27 Applied Materials, Inc. Reactor chamber self-cleaning process
JPH0770524B2 (ja) 1987-08-19 1995-07-31 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0777211B2 (ja) 1987-08-19 1995-08-16 富士通株式会社 アッシング方法
US4961820A (en) 1988-06-09 1990-10-09 Fujitsu Limited Ashing method for removing an organic film on a substance of a semiconductor device under fabrication
US5354386A (en) 1989-03-24 1994-10-11 National Semiconductor Corporation Method for plasma etching tapered and stepped vias
US5122225A (en) * 1990-11-21 1992-06-16 Texas Instruments Incorporated Selective etch method
JPH05275326A (ja) 1992-03-30 1993-10-22 Sumitomo Metal Ind Ltd レジストのアッシング方法
US5716494A (en) * 1992-06-22 1998-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dry etching method, chemical vapor deposition method, and apparatus for processing semiconductor substrate
JPH06208972A (ja) * 1993-01-12 1994-07-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法
US5522932A (en) * 1993-05-14 1996-06-04 Applied Materials, Inc. Corrosion-resistant apparatus
EP0664347A3 (en) * 1994-01-25 1997-05-14 Applied Materials Inc Plant for the deposition of a uniform layer of a material on a substrate.
US5744049A (en) 1994-07-18 1998-04-28 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with enhanced plasma uniformity by gas addition, and method of using same
US5900351A (en) * 1995-01-17 1999-05-04 International Business Machines Corporation Method for stripping photoresist
JP2956524B2 (ja) * 1995-04-24 1999-10-04 日本電気株式会社 エッチング方法
US5817406A (en) 1995-07-14 1998-10-06 Applied Materials, Inc. Ceramic susceptor with embedded metal electrode and brazing material connection
US5633073A (en) * 1995-07-14 1997-05-27 Applied Materials, Inc. Ceramic susceptor with embedded metal electrode and eutectic connection
JPH0936099A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Toshiba Corp ドライエッチング方法
JP3585591B2 (ja) * 1995-07-29 2004-11-04 株式会社半導体エネルギー研究所 エッチング装置及びエッチング方法
US6187072B1 (en) * 1995-09-25 2001-02-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions
US6045618A (en) * 1995-09-25 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
US6194628B1 (en) * 1995-09-25 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system
US6193802B1 (en) * 1995-09-25 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment
US5792269A (en) 1995-10-31 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Gas distribution for CVD systems
US5968324A (en) 1995-12-05 1999-10-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing antireflective coating
US5707485A (en) * 1995-12-20 1998-01-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for facilitating removal of material from the backside of wafers via a plasma etch
JPH09205130A (ja) 1996-01-17 1997-08-05 Applied Materials Inc ウェハ支持装置
US6013574A (en) * 1996-01-30 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method of forming low resistance contact structures in vias arranged between two levels of interconnect lines
US5651860A (en) 1996-03-06 1997-07-29 Micron Technology, Inc. Ion-implanted resist removal method
US5660682A (en) 1996-03-14 1997-08-26 Lsi Logic Corporation Plasma clean with hydrogen gas
US5814155A (en) 1996-06-26 1998-09-29 Vlsi Technology, Inc. Plasma ashing enhancement
US6127262A (en) 1996-06-28 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing an etch stop layer
US6083852A (en) 1997-05-07 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Method for applying films using reduced deposition rates
US6156149A (en) 1997-05-07 2000-12-05 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a dielectric oxide layer and anti-reflective coating
US6129091A (en) 1996-10-04 2000-10-10 Taiwan Semiconductor Manfacturing Company Method for cleaning silicon wafers with deep trenches
US6562544B1 (en) * 1996-11-04 2003-05-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for improving accuracy in photolithographic processing of substrates
US5911834A (en) * 1996-11-18 1999-06-15 Applied Materials, Inc. Gas delivery system
US5844195A (en) 1996-11-18 1998-12-01 Applied Materials, Inc. Remote plasma source
US5830775A (en) 1996-11-26 1998-11-03 Sharp Microelectronics Technology, Inc. Raised silicided source/drain electrode formation with reduced substrate silicon consumption
US5811358A (en) * 1997-01-03 1998-09-22 Mosel Vitelic Inc. Low temperature dry process for stripping photoresist after high dose ion implantation
US6039834A (en) * 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
US6077764A (en) * 1997-04-21 2000-06-20 Applied Materials, Inc. Process for depositing high deposition rate halogen-doped silicon oxide layer
US6306564B1 (en) 1997-05-27 2001-10-23 Tokyo Electron Limited Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide
US6177023B1 (en) 1997-07-11 2001-01-23 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for electrostatically maintaining substrate flatness
JP3317209B2 (ja) 1997-08-12 2002-08-26 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH1187307A (ja) 1997-09-05 1999-03-30 Sony Corp レジストの除去方法及びその除去装置
US5908672A (en) * 1997-10-15 1999-06-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing a planarized passivation layer
US6797188B1 (en) * 1997-11-12 2004-09-28 Meihua Shen Self-cleaning process for etching silicon-containing material
WO1999026277A1 (en) * 1997-11-17 1999-05-27 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for plasma enhanced processing of semiconductor wafers
US6098568A (en) * 1997-12-01 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Mixed frequency CVD apparatus
US6303523B2 (en) * 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6593247B1 (en) 1998-02-11 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Method of depositing low k films using an oxidizing plasma
US6413583B1 (en) 1998-02-11 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Formation of a liquid-like silica layer by reaction of an organosilicon compound and a hydroxyl forming compound
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6340435B1 (en) 1998-02-11 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Integrated low K dielectrics and etch stops
US6287990B1 (en) 1998-02-11 2001-09-11 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
EP0940846A1 (en) 1998-03-06 1999-09-08 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Method for stripping ion implanted photoresist layer
US6203657B1 (en) * 1998-03-31 2001-03-20 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma downstream strip module
US5980770A (en) 1998-04-16 1999-11-09 Siemens Aktiengesellschaft Removal of post-RIE polymer on Al/Cu metal line
US6432830B1 (en) 1998-05-15 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Semiconductor fabrication process
US6086952A (en) 1998-06-15 2000-07-11 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition of a copolymer of p-xylylene and a multivinyl silicon/oxygen comonomer
US6800571B2 (en) 1998-09-29 2004-10-05 Applied Materials Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6277733B1 (en) 1998-10-05 2001-08-21 Texas Instruments Incorporated Oxygen-free, dry plasma process for polymer removal
US6342446B1 (en) * 1998-10-06 2002-01-29 Texas Instruments Incorporated Plasma process for organic residue removal from copper
US6171945B1 (en) * 1998-10-22 2001-01-09 Applied Materials, Inc. CVD nanoporous silica low dielectric constant films
US6245690B1 (en) * 1998-11-04 2001-06-12 Applied Materials, Inc. Method of improving moisture resistance of low dielectric constant films
US6107184A (en) 1998-12-09 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Nano-porous copolymer films having low dielectric constants
US6121091A (en) 1999-01-19 2000-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Reduction of a hot carrier effect phenomena via use of transient enhanced diffusion processes
JP3728165B2 (ja) * 1999-01-28 2005-12-21 キヤノン株式会社 イオン注入されたホトレジストの残渣の処理方法及び半導体装置の製造方法
US6417080B1 (en) 1999-01-28 2002-07-09 Canon Kabushiki Kaisha Method of processing residue of ion implanted photoresist, and method of producing semiconductor device
US6130166A (en) 1999-02-01 2000-10-10 Vlsi Technology, Inc. Alternative plasma chemistry for enhanced photoresist removal
US6242350B1 (en) * 1999-03-18 2001-06-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Post gate etch cleaning process for self-aligned gate mosfets
US6204192B1 (en) * 1999-03-29 2001-03-20 Lsi Logic Corporation Plasma cleaning process for openings formed in at least one low dielectric constant insulation layer over copper metallization in integrated circuit structures
US6709715B1 (en) * 1999-06-17 2004-03-23 Applied Materials Inc. Plasma enhanced chemical vapor deposition of copolymer of parylene N and comonomers with various double bonds
US6030901A (en) * 1999-06-24 2000-02-29 Advanced Micro Devices, Inc. Photoresist stripping without degrading low dielectric constant materials
US6177347B1 (en) * 1999-07-02 2001-01-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company In-situ cleaning process for Cu metallization
US6281135B1 (en) 1999-08-05 2001-08-28 Axcelis Technologies, Inc. Oxygen free plasma stripping process
US6313042B1 (en) 1999-09-03 2001-11-06 Applied Materials, Inc. Cleaning contact with successive fluorine and hydrogen plasmas
US6767698B2 (en) 1999-09-29 2004-07-27 Tokyo Electron Limited High speed stripping for damaged photoresist
US6287643B1 (en) * 1999-09-30 2001-09-11 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for injecting and modifying gas concentration of a meta-stable or atomic species in a downstream plasma reactor
US20050022839A1 (en) 1999-10-20 2005-02-03 Savas Stephen E. Systems and methods for photoresist strip and residue treatment in integrated circuit manufacturing
JP4221847B2 (ja) 1999-10-25 2009-02-12 パナソニック電工株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法
JP3366301B2 (ja) 1999-11-10 2003-01-14 日本電気株式会社 プラズマｃｖｄ装置
US6352938B2 (en) 1999-12-09 2002-03-05 United Microelectronics Corp. Method of removing photoresist and reducing native oxide in dual damascene copper process
US6365516B1 (en) * 2000-01-14 2002-04-02 Advanced Micro Devices, Inc. Advanced cobalt silicidation with in-situ hydrogen plasma clean
US20010027023A1 (en) 2000-02-15 2001-10-04 Shigenori Ishihara Organic substance removing methods, methods of producing semiconductor device, and organic substance removing apparatuses
JP2001308078A (ja) 2000-02-15 2001-11-02 Canon Inc 有機物除去方法、半導体装置の製造方法及び有機物除去装置並びにシステム
US6184134B1 (en) * 2000-02-18 2001-02-06 Infineon Technologies North America Corp. Dry process for cleaning residues/polymers after metal etch
US6667244B1 (en) 2000-03-24 2003-12-23 Gerald M. Cox Method for etching sidewall polymer and other residues from the surface of semiconductor devices
US6409932B2 (en) 2000-04-03 2002-06-25 Matrix Integrated Systems, Inc. Method and apparatus for increased workpiece throughput
JP4470274B2 (ja) * 2000-04-26 2010-06-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP4371543B2 (ja) * 2000-06-29 2009-11-25 日本電気株式会社 リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
US6426304B1 (en) 2000-06-30 2002-07-30 Lam Research Corporation Post etch photoresist strip with hydrogen for organosilicate glass low-κ etch applications
US20020185226A1 (en) 2000-08-10 2002-12-12 Lea Leslie Michael Plasma processing apparatus
DE10051380C2 (de) * 2000-10-17 2002-11-28 Advanced Micro Devices Inc Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils unter Anwendung eines Schrumpfprozesses eines Strukturmerkmals
US6569257B1 (en) * 2000-11-09 2003-05-27 Applied Materials Inc. Method for cleaning a process chamber
US6692903B2 (en) * 2000-12-13 2004-02-17 Applied Materials, Inc Substrate cleaning apparatus and method
US6733594B2 (en) 2000-12-21 2004-05-11 Lam Research Corporation Method and apparatus for reducing He backside faults during wafer processing
US6524936B2 (en) 2000-12-22 2003-02-25 Axcelis Technologies, Inc. Process for removal of photoresist after post ion implantation
US6479391B2 (en) 2000-12-22 2002-11-12 Intel Corporation Method for making a dual damascene interconnect using a multilayer hard mask
US20020127853A1 (en) * 2000-12-29 2002-09-12 Hubacek Jerome S. Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US6319842B1 (en) 2001-01-02 2001-11-20 Novellus Systems Incorporated Method of cleansing vias in semiconductor wafer having metal conductive layer
US6589879B2 (en) * 2001-01-18 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Nitride open etch process based on trifluoromethane and sulfur hexafluoride
US6777344B2 (en) 2001-02-12 2004-08-17 Lam Research Corporation Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-K dielectric etch applications
CN1322556C (zh) * 2001-02-15 2007-06-20 东京毅力科创株式会社 被处理件的处理方法及处理装置
US7186648B1 (en) * 2001-03-13 2007-03-06 Novellus Systems, Inc. Barrier first method for single damascene trench applications
US6764940B1 (en) 2001-03-13 2004-07-20 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a diffusion barrier for copper interconnect applications
US6723654B2 (en) 2001-03-30 2004-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method and apparatus for in-situ descum/hot bake/dry etch photoresist/polyimide layer
US6951823B2 (en) 2001-05-14 2005-10-04 Axcelis Technologies, Inc. Plasma ashing process
US6834656B2 (en) 2001-05-23 2004-12-28 Axcelis Technology, Inc. Plasma process for removing polymer and residues from substrates
US6875702B2 (en) 2001-06-11 2005-04-05 Lsi Logic Corporation Plasma treatment system
US6632735B2 (en) 2001-08-07 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant carbon doped silicon oxide
US20030036284A1 (en) 2001-08-16 2003-02-20 Yu-Ren Chou Method for removing the photoresist layer of ion-implanting process
US6872652B2 (en) * 2001-08-28 2005-03-29 Infineon Technologies Ag Method of cleaning an inter-level dielectric interconnect
US20030045098A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing a wafer
JP4838464B2 (ja) 2001-09-26 2011-12-14 東京エレクトロン株式会社 処理方法
JP5038567B2 (ja) 2001-09-26 2012-10-03 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US6680164B2 (en) * 2001-11-30 2004-01-20 Applied Materials Inc. Solvent free photoresist strip and residue removal processing for post etching of low-k films
JP4326746B2 (ja) 2002-01-07 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US6720132B2 (en) * 2002-01-08 2004-04-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Bi-layer photoresist dry development and reactive ion etch method
US7390755B1 (en) 2002-03-26 2008-06-24 Novellus Systems, Inc. Methods for post etch cleans
US6848455B1 (en) * 2002-04-22 2005-02-01 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species
US7074298B2 (en) 2002-05-17 2006-07-11 Applied Materials High density plasma CVD chamber
US6656832B1 (en) 2002-07-25 2003-12-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Plasma treatment method for fabricating microelectronic fabrication having formed therein conductor layer with enhanced electrical properties
EP1536291A4 (en) 2002-08-22 2008-08-06 Daikin Ind Ltd REMOVING SOLUTION
US6900135B2 (en) * 2002-08-27 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Buffer station for wafer backside cleaning and inspection
US6777173B2 (en) 2002-08-30 2004-08-17 Lam Research Corporation H2O vapor as a processing gas for crust, resist, and residue removal for post ion implant resist strip
US6693043B1 (en) * 2002-09-20 2004-02-17 Novellus Systems, Inc. Method for removing photoresist from low-k films in a downstream plasma system
JP2004152136A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd データ更新システム、データ更新システムの差分データ生成装置及びプログラム、並びに更新後ファイル復元装置及びプログラム
US6837967B1 (en) * 2002-11-06 2005-01-04 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for cleaning deposited films from the edge of a wafer
US6787452B2 (en) 2002-11-08 2004-09-07 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Use of amorphous carbon as a removable ARC material for dual damascene fabrication
KR100476136B1 (ko) 2002-12-02 2005-03-10 주식회사 셈테크놀러지 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
US6780782B1 (en) 2003-02-04 2004-08-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bi-level resist structure and fabrication method for contact holes on semiconductor substrates
US20040195208A1 (en) 2003-02-15 2004-10-07 Pavel Elizabeth G. Method and apparatus for performing hydrogen optical emission endpoint detection for photoresist strip and residue removal
CN100444308C (zh) * 2003-05-07 2008-12-17 亚舍立技术公司 宽温度范围的卡盘系统
US20040237997A1 (en) 2003-05-27 2004-12-02 Applied Materials, Inc. ; Method for removal of residue from a substrate
KR100542031B1 (ko) 2003-05-30 2006-01-11 피에스케이 주식회사 반도체 제조공정에서의 포토레지스트 제거방법
US7205240B2 (en) 2003-06-04 2007-04-17 Applied Materials, Inc. HDP-CVD multistep gapfill process
US7256134B2 (en) * 2003-08-01 2007-08-14 Applied Materials, Inc. Selective etching of carbon-doped low-k dielectrics
US7799685B2 (en) 2003-10-13 2010-09-21 Mattson Technology, Inc. System and method for removal of photoresist in transistor fabrication for integrated circuit manufacturing
US6924239B2 (en) 2003-10-14 2005-08-02 Texas Instruments Incorporated Method for removal of hydrocarbon contamination on gate oxide prior to non-thermal nitridation using “spike” radical oxidation
US20050097923A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 General Electric Company System and support rod assembly for sintering fiber optic sleeve tubes
US20050106888A1 (en) * 2003-11-14 2005-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Method of in-situ damage removal - post O2 dry process
US7361605B2 (en) 2004-01-20 2008-04-22 Mattson Technology, Inc. System and method for removal of photoresist and residues following contact etch with a stop layer present
US20050158667A1 (en) 2004-01-20 2005-07-21 Applied Materials, Inc. Solvent free photoresist strip and residue removal processing for post etching of low-k films
JP2005268312A (ja) 2004-03-16 2005-09-29 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc レジスト除去方法及びそれを用いて製造した半導体装置
US20050221020A1 (en) 2004-03-30 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method of improving the wafer to wafer uniformity and defectivity of a deposited dielectric film
JP4421609B2 (ja) 2004-03-31 2010-02-24 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法、エッチング装置
US7628864B2 (en) 2004-04-28 2009-12-08 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus and method
US7288484B1 (en) 2004-07-13 2007-10-30 Novellus Systems, Inc. Photoresist strip method for low-k dielectrics
US7632756B2 (en) * 2004-08-26 2009-12-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing using energized hydrogen gas and in combination with wet cleaning
JP2006073612A (ja) 2004-08-31 2006-03-16 Rohm Co Ltd レジスト除去方法
US7597816B2 (en) 2004-09-03 2009-10-06 Lam Research Corporation Wafer bevel polymer removal
US20060051965A1 (en) 2004-09-07 2006-03-09 Lam Research Corporation Methods of etching photoresist on substrates
US7169623B2 (en) 2004-09-09 2007-01-30 Tegal Corporation System and method for processing a wafer including stop-on-aluminum processing
US20060102197A1 (en) 2004-11-16 2006-05-18 Kang-Lie Chiang Post-etch treatment to remove residues
US7202176B1 (en) * 2004-12-13 2007-04-10 Novellus Systems, Inc. Enhanced stripping of low-k films using downstream gas mixing
US8193096B2 (en) 2004-12-13 2012-06-05 Novellus Systems, Inc. High dose implantation strip (HDIS) in H2 base chemistry
KR100607777B1 (ko) * 2004-12-27 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 제조 방법
DE102004063036A1 (de) 2004-12-28 2006-07-06 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren zum Ausbilden von Kontaktflecken
US7601272B2 (en) 2005-01-08 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for integrating metrology with etch processing
US7344993B2 (en) * 2005-01-11 2008-03-18 Tokyo Electron Limited, Inc. Low-pressure removal of photoresist and etch residue
US7268071B2 (en) 2005-01-12 2007-09-11 Sony Corporation Dual damascene interconnections having low K layer with reduced damage arising from photoresist stripping
US7432172B2 (en) * 2005-01-21 2008-10-07 Tokyo Electron Limited Plasma etching method
JP2006203035A (ja) 2005-01-21 2006-08-03 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法
JP2006221772A (ja) 2005-02-14 2006-08-24 Fuji Photo Film Co Ltd ディスク状情報媒体の製造方法
US7198677B2 (en) 2005-03-09 2007-04-03 Wafermasters, Inc. Low temperature wafer backside cleaning
US8129281B1 (en) * 2005-05-12 2012-03-06 Novellus Systems, Inc. Plasma based photoresist removal system for cleaning post ash residue
JP2006351594A (ja) 2005-06-13 2006-12-28 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体ウェーハの電気特性の測定方法
JP2007019367A (ja) 2005-07-11 2007-01-25 Ricoh Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP5011852B2 (ja) 2005-07-20 2012-08-29 富士通セミコンダクター株式会社 電子デバイスの製造方法
US7411298B2 (en) * 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
US7468326B2 (en) 2005-08-24 2008-12-23 United Microelectronics Corp. Method of cleaning a wafer
US7465680B2 (en) 2005-09-07 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Post deposition plasma treatment to increase tensile stress of HDP-CVD SIO2
US7909960B2 (en) * 2005-09-27 2011-03-22 Lam Research Corporation Apparatus and methods to remove films on bevel edge and backside of wafer
JP2007109744A (ja) 2005-10-11 2007-04-26 Tokuyama Corp 基板洗浄液
KR100742279B1 (ko) 2005-12-22 2007-07-24 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 장치 및 방법
KR20070069802A (ko) 2005-12-28 2007-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 평판표시소자의 제조장치 및 그를 이용한 기판파손방지방법
US7432209B2 (en) 2006-03-22 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Plasma dielectric etch process including in-situ backside polymer removal for low-dielectric constant material
US8034176B2 (en) 2006-03-28 2011-10-11 Tokyo Electron Limited Gas distribution system for a post-etch treatment system
US7851369B2 (en) * 2006-06-05 2010-12-14 Lam Research Corporation Hardmask trim method
US8124516B2 (en) 2006-08-21 2012-02-28 Lam Research Corporation Trilayer resist organic layer etch
US7740768B1 (en) 2006-10-12 2010-06-22 Novellus Systems, Inc. Simultaneous front side ash and backside clean
US7655571B2 (en) * 2006-10-26 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Integrated method and apparatus for efficient removal of halogen residues from etched substrates
US7595005B2 (en) 2006-12-11 2009-09-29 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ashing a substrate using carbon dioxide
DE102006062035B4 (de) 2006-12-29 2013-02-07 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zum Entfernen von Lackmaterial nach einer Implantation mit hoher Dosis in einem Halbleiterbauelement
US8083963B2 (en) 2007-02-08 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Removal of process residues on the backside of a substrate
US8435895B2 (en) * 2007-04-04 2013-05-07 Novellus Systems, Inc. Methods for stripping photoresist and/or cleaning metal regions
JP5332052B2 (ja) 2007-06-01 2013-11-06 シャープ株式会社 レジスト除去方法、半導体製造方法、及びレジスト除去装置
KR101440282B1 (ko) * 2007-07-11 2014-09-17 주성엔지니어링(주) 플라즈마 세정 방법
US20090061623A1 (en) * 2007-09-05 2009-03-05 United Microelectronics Corp. Method of forming electrical connection structure
JP5192214B2 (ja) 2007-11-02 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置、基板処理装置および基板処理方法
WO2009099660A2 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Lam Research Corporation Adjustable gap capacitively coupled rf plasma reactor including lateral bellows and non-contact particle seal
JP5102653B2 (ja) 2008-02-29 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体
US20090277871A1 (en) 2008-03-05 2009-11-12 Axcelis Technologies, Inc. Plasma mediated ashing processes that include formation of a protective layer before and/or during the plasma mediated ashing process
US20090277472A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Novellus Systems, Inc. Photoresist Stripping Method and Apparatus
US8791001B2 (en) * 2008-09-08 2014-07-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. N2 based plasma treatment and ash for HK metal gate protection
US8591661B2 (en) 2009-12-11 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Low damage photoresist strip method for low-K dielectrics
US8173547B2 (en) 2008-10-23 2012-05-08 Lam Research Corporation Silicon etch with passivation using plasma enhanced oxidation
US20120024314A1 (en) 2010-07-27 2012-02-02 Axcelis Technologies, Inc. Plasma mediated ashing processes
US20100130017A1 (en) * 2008-11-21 2010-05-27 Axcelis Technologies, Inc. Front end of line plasma mediated ashing processes and apparatus
US8268722B2 (en) 2009-06-03 2012-09-18 Novellus Systems, Inc. Interfacial capping layers for interconnects
WO2011008436A2 (en) * 2009-07-13 2011-01-20 Applied Materials, Inc. Method for removing implanted photo resist from hard disk drive substrates
TWI634642B (zh) 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
US20110143548A1 (en) 2009-12-11 2011-06-16 David Cheung Ultra low silicon loss high dose implant strip
CN102652351B (zh) 2009-12-11 2016-10-05 诺发系统有限公司 在高剂量植入剥除前保护硅的增强式钝化工艺
US8415212B2 (en) 2010-03-11 2013-04-09 Freescale Semiconductor, Inc. Method of enhancing photoresist adhesion to rare earth oxides
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US9613825B2 (en) * 2011-08-26 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Photoresist strip processes for improved device integrity
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9514954B2 (en) 2014-06-10 2016-12-06 Lam Research Corporation Peroxide-vapor treatment for enhancing photoresist-strip performance and modifying organic films

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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