201115602 六、發明說明： 發明所屬之技術領域】 本發明，係有關陶瓷電子敦
零件，尤其，有關在主面上形成其製造方法以及集合 導體，藉由將集合零件沿著既^卜部端子電極般的外部 電子零件及其製造方法：：=斷線裂斷而獲得之陶免 電子零件取出之集合零件。4由分割而將複數個H 【先前技術】 以穑：年：’在手機或個人電腦等電子機器中採用”” 以積層陶瓷電容器為代 休用了 4多 + ^ a '表之積層陶瓷電子零件。一妒而 5，積層陶究電子零件具有長：而 成於陶究㈣外表面的— 二的广體、及形 IT , T卜知子電極。在报客_、w 下，外部端子電極係藉由使 月况 導電性糊料並烘烤而形成，在此情況下，各外部 ： 以陶究怒體的一個端面為中心跨越5個面而形成。 途牲Γ近年來，在電子零件的構裝形式變得多樣化、用 之化型電子零件的需求增大等之背景下，陶竟電子零 之外部端子電極的形狀或配置亦朝多樣化進行，且提出 =如在陶咖的1個面上或者相對向的2個面上= ^端子電極之類型者（例如’參照專利文獻！及2)。 此在陶瓷坯體的1個面上或相對向的2個面上形 ^立卜4端子電極的情況下，能利用浸潰法以外的方法形成 部端子電極。例如’能採用如下的方法：在構成複數個 瓷電子零件用的複數個陶瓷坯體之集合零件的主面上印 201115602 刷外部端子電極用導電性糊膜並烘烤後’將集合零件分 割，取出各Μ電子零件用的陶曼㈣（例如…參照專^ 文獻3，特別是段落[0003])。 在此，由於待分割的集合零件係以經過繞結而形成的 硬陶究構成’所以，若以如切塊機（㈣之切巧手段進 行分割，則有可能使各陶曼電子零件的陶㈣體破損或出 現缺口之虞。為解決此問題’上述專利文獻3，提出以板狀 的切割刀壓著切割未燒成的集合零件，但該方法會產生 切斷後的生片彼此容易黏在一起的問題。 :此，作為能想到的方法’可舉出在製造陶兗多層基 板等時經常使料錢（⑻ak)法4裂斷法中，於未燒 :㈣合零件形成裂斷槽’燒成後，沿著裂斷槽將集合： 1=:另因::：不會！生使用上述切塊機或板狀切割刀時 由於旎以集合零件的狀態進行鍍敷步驟或 測忒步驟，故生產效率亦優異。 作為裂斷法，雖已提出各種方案，但其中專利文獻4 所揭示之裂斷法报有音義。 根據專利文獻4所記載的技術， 藉由形成非連續之直線妝的到 i線狀的裂斷槽，在進行作業步驟之處 里夺，月b防止集合零件意外破損。 型化姑：Γ近年來，由於謀求實現多層配線基板的小 型化’故提案有將陶瓷雷 2, ^ 里入多層配線基板内部的 技術。例如，在專利文獻 丨曰Ί 方法，其具有如下之W在^ 積層賴組之製造 時 、 在基板内部埋入陶瓷電子零件 •則吏在陶究電子零件的主面所形成的外部端子 4 201115602 電極成為在上之方 部，形成絕緣層以將陶莞電子零件收納於芯基板内 貫穿絕緣層，形板與陶竟電子零件，以雷射光 連外部端子電極表面的通·?【，y·、S ·ζ丨 中填充導電體，將配衣面的通孔’在通孔 “己線電路與外部端子電極電氣連接。 在4埋入過程中，對雷射 度。因為如果不小心蚀“ 女m间的精 害概電子零件的特性之虞。 貝】有了以貝 因此’較佳係待埋入的陶瓷電子 盡可能面積大，例如^ 「°丨知子電極 ，關於專利文獻1及2中所示之類型 之積層陶瓷電子容株 _ ^ 如圖17所示，需要設計成僅留有必 、卩使外部端子電極2及3的各自面積儘量擴大。 斷槽：既：Π使用沿著形成有非連續的孔狀連線式之裂 疋裂斷線進行裂斷的裂斷法，以製作形成有上述 間隙窄的複數個外部端子電極之陶£電子零件時，容易發 生“裂斷不良”的問題。該“裂斷不良”，係指在因裂斷 而出現的陶瓷坯體側面之沿著間隙部分的部分沒有整齊地 被裂斷’ &而在側面形成突起（被裂斷的另外一側形成凹 陷），或以間隙部分為起點在陶瓷坯體出現破損或缺口。 如專利文獻4所記載般，若以相等間距形成用以導引 裂斷之非連續的大小相同之凹部時，在窄的間隙部分不形 成裂斷導引用的凹部，而能容易地隔著間隙部分配置2個 裂斷導引用凹部。此種情況下，在佔據主面大半之外部端 子電極形成部，雖然能很容易地將拉伸應力集中於裂斷導 引用凹部間，但另一方面，在面積窄並且處於比外部端子 «1； 201115602 電極形成部略低的彳立¥ 们位置之間隙部分，很難將杈伸廡+隹 中。因此，能推測衮且η 申應力集 良 推、谷易發生以間隙部分為起點的“裂斷不 θ本特開2006-216622號公報 θ本特開2006-339337號公報 曰本特開平9-260187號公報 θ本特開2003-273272號公報 曰本特開2005-064446號公報 專利文獻1 專利文獻2 專利文獻3 專利文獻4 專利文獻5 【發明内容 因此，本發明之日^ 不I月之目的在於’提供能解決 瓷電子零件及其製造太、土 、 m喊之陶 、 ，、以及能藉由分割將複數個陶瓷 電子零件取出之集合零件。 数個陶是 本發明之陶究電子零件，具有：陶竟堪體， 對向之第1及第2主面、以及連 …皮匕 久逆，.，〇弟1及第2主面間 〜第4側面；及外部莫辦 久N導體，形成於陶究柱體之至 面上。 工 此種陶瓷電子零件，至少 連-第丨及第… 側面’形成有延伸於 連、第1及第2主面間之方向、並 複數個凹槽。另外，該I i達帛1主面之 引裂斷而μ 人 曰，相當於在集合零件用以導 引裂斷而化者既疋裂斷線設置之裂斷導孔的—半。 在第1主面之與第i側面相 *又弟1稜部，形忐右. 外部導體端緣所在之至少 · 個第…… 區域；及位於相鄰之2 個第1 £域之間並且外部導體 區域。 等體I緣所不在之至少Η固第2 201115602 第二域於：該複數個凹槽’包含配置成跨設於 。域及第2區域之至少1個跨設凹槽。 帛11域4目鄰之第2凹槽可彼此重疊’亦可各自 掏立。 在本發明之較佳實施形態 位於該至少2個第！巴❹夕卜口 Ρ導體使端緣 第&域中之—區域之第1外部導體、及 使知緣位於該至少2個第 it , ^ , Λ. Α Ύ之另一 &域之第2外部 卜部導體與第2外部導體係在… 獨立形成。 此 在上述實施形態，蚩 a £ ^ 虽本發明之陶瓷電子零件係構成穑 層陶曼電容器時’該積層 籌成積 個電介質層、及隔著電合…"備.積層之複數 ;丨質層彼此對向設置之第1及第 内部電極；第丨外部導俨 及第2 笼9“道遍 ⑩與第1内部電極形成電氣連接. 第2外部導體與第2内部電極形成電氣連接。 如上述，當陶究電子零件構 介質層與第i及第是電合益時’電 及第2内部電極能延伸於與 方向，亦能延伸於與第丨 垂直的. 下，第"卜部導體經由第】貫通平:：方向。在後者的情況 成電氣連接，第2外部導體經由第2:與第1内部電極形 部電極形成電氣連接。 通導體而與第2内 本發明之陶究電子零件’凹槽能形成 主面之雙方，亦能形成為僅到達第〗主面。 及第2 卜車乂佳係跨设凹槽與相鄰於該 槽間之間距，小於其他四槽彼此之間距。=槽之其他凹 哉疋，各凹槽亦 201115602 可皆配置成相等間距。 本發明亦可適用於在第2主面μ介拟占女从 陶究電子零件。 自上料成^部導體之
本發明之陶竞電子零件，較佳係第！主面之與第1#j 面相對向之第2側面相接之笛9A 同樣之構成。彳接之第2棱部，亦具有與第1棱部 本發明之陶究電子零件被埋入配線基板而使用，在使 用雷射光以在配線基板形成到達外部導體之貫 況下，較佳係外部導體至少其表面係由Cu構成。， 另外，本發明亦適合製造如上述之陶竞電子零件之方 法。 本發明之陶究電子零件之製造方法，具有 零件之步驟，該集合零件具有彼此對向之第1及第2主面ΰ， 至少在第1主面上形成外部導體，並且以在連結^及第2 主面間之方向延伸的方式形成複數㈣斷導孔，各 孔使其開口端位於至少帛1主面上，複數個裂斷導麵 列成沿著既定裂斷線分布；及沿著裂斷線將集合零件分 割，藉此取出複數個陶瓷電子零件之步驟。 另外’該裂斷導孔’能使其開口端位於至少帛^主面 上，因此’能在使開口端位於第丨及第2主面的兩個面上， 並且以具有往厚度方向貫穿集合零件之貫穿部的方式形 成；亦能在僅使開口端位於第1主面上’並且以具有往厚 度方向不貫穿集合零件之凹部的方式形成。 從第1主面側觀察時’該集合零件在裂斷線上具有與 201115602 之第2區 外部導體交又之第彳P尤& A| 人<弟1 &域、及不與外部導體交又 域。 又，其特徵在於：複數個裂斷導孔，包含配置成跨叹 於第1區域及第2區域之至少i個跨設裂斷導孔。 本發明亦適合能有利地利用於上述陶曼電子零件之製 集合零件，更具體而言，適合可藉由沿既定裂斷 線進彳丁分割以取出複數個陶瓷電子零件之集合零件。 本發明之集合零件，具有彼此對向之第γ及帛2°主面。 至少在第1主面上形成外部導體，並且以在連結第ι及第2 ==方向延伸的方式形成複數個裂斷導孔。各裂斷導 =:端位於至少第1主面上。另外，複數個裂斷導 孔係排列成沿著裂斷線分.布。 從第1主面側觀察時，該集合零件在 :部導體交又之第1區域、及不與外部導體交又之第、:區 又，其特徵在於··複數個裂斷導孔’包含配置 於第1區域及第2區域之至少J個跨設裂斷導孔。" [發明效果] 依本發明，為獲得例如間隙窄的複數個外部端子電極 形成在主面上之陶究.電子零件，該陶究電子零件， :體的主面之與一個側面相接之稜部，形成有外部導體的 Μ緣所在之至少2個第丨區域、及位於相鄰之2個第 域間並且外部導體的端緣所不在之至少1個第2區域.： 沿著排列有複數個裂斷導孔之既定裂斷線將集合零件裂； 201115602 時’能順利地進杆 ， 裂斷’難以發生陶瓷坯體的側面出現突 起或凹陷、陶瓷坯體損傷哎‘ 月呀4缺口#之裂斷不良，的問題。 因此，在實施如下步驟時，亦即，在使形成於陶 子零件的主面之外部導 P導體例如在上，並將陶瓷電子零件收 納於配線基板内部的## 的狀態下’以雷射光貫穿配線基板的一 部分’形成到達外部道_ ^ Γ [導體表面之通孔，並藉由在通孔内填 充導電體’將配線電路與外部導電體形成電氣連接時，即 :為了以不需高精度進行雷射光照射，而擴大被埋入之陶 資•電子零件之外部装_ 導體的面積，亦能將用以獲得此種電子 牛之集S零件順利並良好地進行裂斷。 【實施方式】 、表作為本發明之第1實施形態的陶瓷 電子零件之積層陶瓷 是電谷益11的圖。在此，圖1係俯視圖， :2係-視圖，圖3及圖4係截面圖。另外，在圖丨及圖2 圖二…及丁分別表示長度方向'寬度方向及厚度方向， 為LT截面圖，圖4為WT截面圖。另外，在圖3中， a)及（b)表示彼此不同的截面。 如圖1及圖2所示，積層陶 坯體的電容骂太舻10 男邗為陶瓷 器本體18’該電容器本體18具有彼此 10 201115602 及第2外部端子電極〗9及20。當 19及20皆包含底層22 展1及第2外部端子電極 另外，在電容22上所形成的鍍臈23。 仗电各1§本體18的筮 形成複數個凹槽24及〜凹二1及第2側面…5, 結第1及第2主面12及Μ Μ 及25,形成為延伸於連 主…u兩d間的方向，並且到達第1及第2 及”亦形成凹槽26。本體18的第3及第4側面Μ 另外，在與第1主面12之 部…形成存在有第！或第2外部^面14相接的第1棱 緣之2個第i區域28、及位於 γ9=20的端 且不存在第i及第2外㈣^ ㈣1區域28之間 緣之1個第2區域29。 及20的任思一個端 如圖3及圖4所+ 斤不，積層陶瓷電容器u，且 成之複數個電介質層3〇、及隔著 層而 古4外班 θ 3 〇以彼此對向的 方式权置之複數組第1及第2内部電極31及32 的 形態，電介質層3〇 在本實施 對於第1主面12，二 電極31及32,相 i及第2,Λ 構裝面’延伸於垂直方向。第 1及第2内部電極31及32’分別具有電容部”： 出部35及36’並分別與第 及拉 形成電氣連接。 丨端子電極19及2〇 圖5係表示圖1 > a #丄面 數個凹槽24及25，被° °圖5所示’上述複 2區域29二凹：為配置成跨設於第1區域28及第 埤9之跨6又凹槽25及除此以外之凹槽24。 上述跨設凹槽25以外之凹槽24,具有沿著第ι棱部 11 201115602 27且長度為D,的半圓形狀’複數個凹槽24以 k N波此 等間距地配置。在此，所謂的間距，係指連結各相鄰之凹 槽24之沿著第1棱部27的中點之距離。另外，凹槽24的 形狀，並不限於圖中所示的半圓形狀，亦可為二 —月艰、四 角形、橢圓等形狀。 跨設凹槽25,沿著第！稜部27的長度為〇2 ,形成具 有3個面積相同之截面半圓狀之槽以間距匕互相重疊並連 結的方式配置之形態。在本實施形態，跨設凹槽乃形成於 第2區域29全域。因此，能使配置成跨設於·一方之第丄f 域28及第2區域29之跨設凹肖25、與配置成跨設於另： 方之第1區域28及第2區域29之跨設凹槽25此通。又 構成跨設⑽25之上料面半隨之槽，亦可置換為三角 形、四角形、橢圓等截面形狀。 較佳係、當將凹槽24間之間距設為Ρ|，將構成跨設凹槽 5之截面半圓狀之槽間之間距設為p2時，滿足& 係。凹槽24及25，雖然相杏於後.f ^ “ U錢之製㈣的裂斷步驟結 後之裂斷導孔48及49 (參照圖7 )的主 相去认咕 拿，、圓/〕的一 + ,但，如此在 虽於第1及第2外部端子雷揣 電極9及2〇間之間隙21部分 的第2區域29，藉由縮短裂斷導丨 gj ^ 斲導孔的間距，能實現順利的 奴斷’可確實抑制構造缺陷。 另外’對於相鄰之凹槽24盘4塞& 鲮 與構成跨設凹槽25之最端 緣之截面半圓狀之槽間之間距 係。cb h , 車乂佳為具有PI 2 P3之關 音祖* 果中在跨设凹槽25附近，故能 實現更順利地裂斷。 12 201115602 另外，關於尺寸的較佳條件如下。 車乂佳係跨設凹槽25以外之凹槽24的長度D,為80〜120 μ m。 較佳係跨设凹槽25的長度為i 6〇〜24〇以爪。 較佳係跨設凹槽25以外之凹槽24之間距匕為15〇 250 y m。 較佳係構成跨設凹槽25之截面半圓狀之槽之間距P2 為 40〜60 β m。 較佳係相鄰之凹槽24與構成跨設凹槽25之最端緣之 截面半圓狀之槽間之間距P3為15〇〜25〇vm。 較佳係在電容器本體丨8的第3相丨丨 口 J罘·3側面1 6所形成之凹槽 2 6及在第4側面1 7所形成之凹神9 &八2,丨丨、，4松 w僧26分別以相等的間距配 置。 隙21的尺寸G較佳係 相當於第2區域29的長度之間 140〜1 60 y m 〇 較佳係D, < G。 較佳係D 2 2 G。 在本實施形態’在第1主面12夕组赞1 叫之與第1側面14相對 向之第2側面15相接的第2稜部π，介也姑 义口丨37，亦與第1稜部27同 樣’存在第1及第2區域28及29, 1稜部27之情況同樣的關係。但， 域所存在之各稜部，只要在至少1 可。 凹槽24及25滿足與第 本發明可適用於第2區 個棱部滿足上述關係即 19及20、凹槽 另外，關於第1及第2外部端子電極 13 201115602 24 25 26的配置’在第1主面12及第2主面13同樣配 置。 電容器本體18的厚度較佳係0.3〜1.5mm。 作為電容器本體18所具備之構成電介質層30之電介 質陶瓷月匕使用以BaTi〇3、CaTi〇3、SrTi〇3、等為 主成分的電介皙_咨。 買司是另外，亦能使用在這些主成分中添 加Μη化合物、ρ仆人 ’、、 e化δ物、Cr化合物、Co化合物' Ni化合 物專副成分之雷介暂始4 冤質陶瓷。較佳係電介質層30的各厚度為 1 〜1 0 # m。 ” 、作為構成内部電極31及32之導電成分，能使用例如 u Ag ' pd ' Ag_pd合金、—等金屬。較佳係内部電 極31及32的各厚度為1〜1〇心。 作為構成外部端子電極19及2()之底層22之導電成 分，能使用例如 Nl'Cu、Ag、pd、AgpdM、Ai^M。 底層22使用由燒結金屬構成之厚膜導體而形成、或藉由直 接實施鑛敷而形成0在底層22 —人士女 &層22月匕包含玻璃，亦能包含與構 成電介質層3 0之卩总咨pi絲 ^ 陶是同種類之陶瓷。底層22的厚度較佳 係5〜40 # m。 作為構成外部端子電極19及2〇之鑛膜23之金屬能 使用例如Ni、Cu、Sn'㈣合金、Au等。鍍膜η能以 複數層形成。鑛膜236^1 a 膜23的每一層的厚度較佳係1〜lOwni。另 外’在底層22與鑛膜23$p弓 ^ , , λ犋23之間，雖然未圖示，但亦能形成 緩和應力用之樹脂層。 在將本發明之陶瓷雷+焚 文m千零件埋入配線基板使用的情況 14 201115602 τ ’較佳係外部導體之至少表面由cu構成。例如，在將本 實施形態之積層陶究電容器u埋入配線基板使用的情況 下，構成外部端子電極19及20的最外層之鍛膜”較佳係 以鍍銅形成。如上述專利讀5所記載，在埋人時，雖缺 以雷射光貫穿配線基板之絕緣層而形成到達外部端子電極 表面的通孔’但由於鍍銅容易將雷射（特別是c〇2雷射） 光反射，故能抑制雷射光對零件的損壞。 其次，針對積層陶瓷電容器丨丨_ 說明。 之製耘的一個例子進行 (1)準備陶瓷生片、内部電核 端子雷；1極用導電性糊料、及外部 鈿千電極用導電性糊料。在陶 中，雖缺会古和生片或各種導電性糊料 τ雖有黏合劑及溶劑，但 叶 劑或有機溶劑。 ％使用公知之有機黏合 荦印上1)在陶瓷生片上’藉由例如網版印刷等，以既1 案印刷内部電極用導電 寻乂既疋圖 膜。 糊科，形成内部電極用導電性糊 (3)將印刷有内部電極用 定片數積層，^甘 糊膜之陶瓷生片以既 谓層’在其上下積層既定片乃乂既 用導電性糊膜之冰β b 數之〉又有印刷内部電極 需要，生[製作生的集合零件 加壓力。 的集合零件之積層方向施 ::4:::::二……2 形成外部端子電極用c::::: 201115602 虛線表不的裂斷線44及45進行裂斷，, 乂研’月b從集合零件4 1取 出複數個積層陶瓷電容器1丨。從篦 弟1主面42側觀察集合零 件41時，在裂斷線44上具有與 、 子電極用導電性糊 膜43交又的第1區域46、及不與 、。卩％子電極用導電性糊 膜43交又的第2區域47。 在與生的集合零件41之第丨 主面42相反的第2主面 上亦同樣形成外部端子電極用導電性糊膜。 (5)如圖7的放大圖所示，在 甘果〇零件41形成複數 個裂斷導孔48〜50〇裂斷導孔48〜 M t 一 以在連結第1主面 與第2主面之間的方向上延伸的方彳π二 延评的方式形成，在本實施形 態，在第1主面42與第2主面之間 心间I通’使其開口端位於 第1主面42及第2主面上。複數個裂 吸双1u衮斷導孔4 8〜5 0以沿 著裂斷線44及55分布的方式排别 十虹2 万式排列。歿數個裂斷導孔48〜 5 0亦包含孔狀接線狀態的孔。 “另外，在本實施形態，從整體觀察集合零件41時，沿 者與待取出之積層陶究電容器11之電容器本體18之第！ 及第2側面14及1 5平杆沾士 A . 仃的方向，複數個裂斷導孔48以相 等的間距配置。另一方面荖 /口者與電办盗本體18之第3及 第4側面16及1 7平杆的士 & ...,, 十仃的方向，複數個裂斷導孔5〇以相等 的間距配置。 另外，裂斷導孔49，係形成跨設於前述第i區域46與 第2區域’形成3個面積相同之截面圓形之孔互相重疊並 連。的方式配置之形態。以下’亦有將「裂斷導孔Μ」稱 為「跨設裂斷導孔49」之情形。上述截面圓形之各孔的直 16 201115602 徑以及裂_導孔48及
作為形成裂斷導孔48〜t::丰直徑較佳係皆相同。 打孔機等。 手段，能使用雷射或NC 在圖7中，當從裂斷導 印刷有外部端子電極用導電1 及49的分布方向觀察時， 第1區域“，此為最終成 V二係圖6所示之 28的部分，在該部分心古 是電…1之第1區域 在圖H，同㈣ ㈣1裂斷導孔化。 向觀察時，沒有=部::::導孔…的分布方 係圖6所示之第2_^子電極用導電性糊膜43的部分 1 1 ^ ^ 2 F 4¾ 9Q 4為最終成為積層陶瓷電容器 49。 域29的部分，在該部分形成有跨設裂斷導孔
例如，為形成圖5 P 間距，跨設⑽25,只要縮短照射 丁f照射形成複數個孔，藉此形成跨設裂 斷導孔49即可。另外 ^ 7 〇又农 ^ 為形成後述之圖1〇所示之跨設凹 雷射光來、^^持l射光照射的狀‘態下，以既定距離移動 雷射先來形成跨設裂斷導孔49即可。 為了定點地在間隙 永坪刀藉由一次雷射照射形成1個 1例\’由於每次皆需對間隙部分進行感測（sensing) 形成孔等，使得用於形成裂斷導孔之步驟時間變長。但， 如上所述’在形成複數個窄間距之孔或長孔的情況下，即 使多少發生位置偏離，亦能在間隙部分準確地配置孔，並 能縮短用於形成裂斷導孔之步驟時間。 (6 )進行生的集合零件41之燒成。燒成溫度雖然根 17 201115602
據陶瓷生片、Η» A 内部電極用導電性棚粗 電性糊料之各材粗 、外部端子電極用導 材科而異，但例如以9〇〇〜 此，將包含在陶完 30〇 c為較佳。藉 行燒結，獲得電# :及内部電極用導電性糊料進 V又1于电容器本體18， 性糊料亦進行燒結，外部端子電極二：端子電極用導電 在電容器本體18上。 20之底層22形成 (7 )在集合零件4 1 一 電極及20之底層22 μ U貫施錢敷，在外部端子 底層22上形成鍍臈23。 心二集本:::Γ二 =面上具有特殊意義。理 之第1及第2外部端子電極19及27:層陶究電容器11 〜-以外的部分係分別連結，僅二在除去裂斷導孔“ 置之積層陶究電容器u之第第5零件41的端緣部配 2〇連接電鍍之佴電踹早p Μ2#部端子電極19及 (8)在隼人裳杜41 子電極進行供電。 數個積層…態下，分別測定待取出之複 數個積層陶瓷電容器1 1的特性。 是 ⑷沿著裂斷、線44及45分割集合零件4 個積層陶瓷電容器1 1。 出複數 处另夕卜1 卜部端子電極19及20的底層22，如 此與用以獲得電容器本體18的燒成同時進行 ^ 或者亦能在用以獲得電容器本體 ：， 前’藉由塗布導電性糊料並進行洪烤而堯形成成之後’在裂斷之 圖8係用以說明本發明之第2實施形 的圖。在圖"，對相當於圖 ® 5對應 _ )所不之要件m目同的 18 201115602 參照符號，並省略重複的說明。 在圖8所示之積層陶.瓷電容器Ua，跨設凹槽 的形 成態樣與圖5所示之形成態樣不同。即，在該積層陶瓷電 容器11 a ,形成2個跨設凹槽25。2個跨設凹槽25以〜 Μ攸此 獨立之狀態形成，一方之跨設凹槽25配置成跨設於一方之 第1區域28及第2區域29，另一方之跨設凹槽25g 。配置成 跨設於另一方之第1區域28及第2區域29。 在本實施形態的情況，跨設凹槽25間之排列間距p 其他之凹槽24間之排列間距Pl、以及相鄰之凹槽24及& 間之排列間距P3設成彼此相等。藉此，當形成凹槽2 4及 25時，由於不必改變雷射照射或nc打孔等之間距，从 s文可 提高製造效率。 圖9係用以說明本發明之第3實施形態之與圖$對應 的圖。在圖9中，對相當於圖5所示之要件，賦予相同的 參照符號’並省略重複的說明。 在圖9所示之積層陶瓷電容器iib，於跨設凹槽25之 各兩側連結凹槽24 ’在第！區域28與第2區域29之各邊 界區域，形成有3個連續之凹槽24及25。 本實施形態的情況，跨設凹槽25與相鄰於跨設凹槽25 之其他凹槽24間之排列間距P2，係小於跨設凹槽2s以外 之凹槽24間之排列間距ρ,。藉此，由於凹槽24及25集中 於第1區域28與第2區域29之各邊界區域，故能實現順 利的裂斷，抑制構造缺陷。 圖10係用以說明本發明之第4實施形態之與圖5對鹿 19 201115602 的圖。在圖Η)中’對相當於圖5所示之要件， 參照符號，並省略重複的說明。 、 在圖10所示之積層陶瓷電容器llc，跨設凹 置成跨言又於第i區域28及第2區域29,但並非如圖 般複數個半Ϊ狀之槽彼此重疊連結，而是i個獨立之凹样不。 將跨設凹槽25以外之凹槽24之沿著第丨稜部27的長度3設 ’將跨設凹槽25之沿著第i複部27的長度設為^ 時，較佳係滿足D,< D2。 在用以獲得滿足此種條件之積層陶瓷電容器1 1 c之集 合零件’ #為裂斷導孔’雖然以不及於與相t於外部端^ 電極19及20間之間隙21部分的第2區域29對應之二或 的方式，形成在與第丨區域28對應之區域形成的複數個裂 斷導孔、及在與第2區域29對應之區域形成的跨設裂斷導 孔，但，使跨設裂斷導孔之沿著裂斷線的長& (相當於Μ 比其他裂斷導孔之沿著裂斷線的長度（相當於D|)為長2。 因此，根據本實施形態’亦能實現順利的裂斷，抑制 構造缺陷。 另外’在本實施形態，亦與第i實施形態的情況同樣， 較佳係凹槽24的長度D, & 8〇〜12〇"m，跨設凹槽25的長 度D2為160〜24〇"m，凹槽24的間距？1為150〜25〇//m， 相鄰之凹槽24與跨設凹槽25間之間距匕為15〇〜25〇#爪， 相虽於第2區域29的長度之間隙21的尺寸G為i4〇〜⑽ "m，Di<G、及 D2gG。 圖1 1係用以說明本發明之第5實施形態之與圖2對應 20 201115602 的圖。在圖U中，對相當於圖2所示之要件 參照符號’並省略重複的說明。 *件㈣予相同的 在圖11所示之積層 ^ B 電令益lld，其特徵在於.m 槽24及25，以只到達第 隹於.凹 的方式形成。 Ί递弟2主面13 二獲得具有此種構成之積層陶免電容" :零件’裂斷導孔以不到達，2主面的方 集 當形成複數個貫穿之裂斷導孔時，裂斷雖然變得容易伸 在製造過程的操作時，存在無意中損壞集合零件 — 對此，藉由以半貫穿狀態形成裂斷㈣，在操作時 免無意中損壞集合零件。 犯避 另外，如圖U所示，凹槽24及25亦能為戴 的形狀。例如，當利用雷射光形成為凹槽24及25之裂斷 導孔的情況下’由於雷射光的能量衰》咸，射入位置越遠， 則雷射光的力S越弱。其結果，會形成呈錐形形狀之裂斷 導孔另外’不僅在半貫穿之裂斷導孔的情況下，在圖2 所示之成為全貫穿之凹槽24及25之裂斷導孔的情況下， 亦能形成錐形。 圖12係用以說明本發明之第6實施形態之與圖3對應 的圖。在圖12中’對相當於圖3所示之要件，賦予相同的 參照符號’並省略重複的說明。 在圖12所示之積層陶瓷電容器Ue，第i及第2外部 端子電極19及20只形成在第！主面12上。即使是此種類 型之積層陶瓷電容器11 e，本發明亦能有效地發揮功能。 21 201115602 圖14係本發明之第7實施形態 13與圖3同樣是LT哉&团 月圖，圖 孜疋LT截面圖，圖14是lw截面 在圖14中，（a) β * 另外， 及（b)表示彼此不同的戴面。 及圖14中，對相去於園 圆i：5 。、對相田於圖3專所示之要件，賦予相 夂昭 符號，並省略重複的說明。 '，’、、' 在圖13及圖14所示之積層陶瓷電容器丨丨卜 30及第1及第2内部電極3ι及32，相對於第1主面 即’相對於構裝面，延伸於平行方向，第丨外 19經由第1貫通導體51而與第丨内部電極31形成 接’第2外部端子電極20經由第2貫通導體52而 内部電極32形成電氣連接。 ' 即使是此種類型之積層陶瓷電容器丨丨f，本發 效地發揮功能。 ^匕有 以上’雖與積層陶瓷電容器關聯對本發明進行說明， 但本發明亦可適用⑨積層陶瓷電容器以外的陶瓷電子t 件。 ♦ 圖15係用以說明本發明之第8實施形態之與圖 的圖。在圖15中，對相當於圖i所示之要件，賦予相间： 參照符號，並省略重複的說明。 圖15所示之”電子零件55，並不限於構成積層 電“之陶竞電子零件。此種陶究電子零件”雖 上述電容器本體18對應之陶瓷坯體56，但在陶瓷坯體％ 之第1主面57上所形成的外部導體58，具有第丨及第二6 體部59及60'及將此等第丨及第2導體部59及6〇彼此連 22 201115602 結之連結部61。連結部61的寬度設為比較窄，其結果在 第1主面57之第1側面62側、及與第1側面62相對向之 第2側* 63側’分別形成第1及帛2缺口 64及65。 本實施形態，在與第1主面57之第1側面62相接之 第1棱4 6 6，形成外部導體5 $的端緣所設置之至少2個第 1區域28，及位於相鄰之2個第i區域28之間並且外部導 體58的端緣所未設置之至少ι個第2區域29。又，以跨設 於第1區域28及第2區域29之方式配置跨設凹槽25，於 第1區域28配置其他凹槽24。 以下’對用以確認本發明之效果所實施之實驗例進行 說明。 根據上述製程’製成作為實施例及比較例的試樣之積 甸曼電谷器。作為貫施例及比較例的試樣之積層陶瓷電 容器的設計如以下之表1所示。 .表1 ] -----J |_ 材料 _ 以BaTi03為主成分的陶瓷 Ait電極材料~ 2 ^ m Ni 肉 ^----~~— 電極厚唐 1 β m 極底層材料 Ni 極底層厚度 S μ m 鍍膜材料 膜厚度 _Cu 5 ^ m 為獲得上述積層陶瓷電容器，分別製成實施例及比較 例之隼八φ加 -、口零件。由實施例之集合零件所獲得之積層陶瓷電 器 * 古 有圖5所示之構造，滿足具有配置成跨設於第ι
S 23 16 201115602 區 區域及第2區域之至少！個跨設凹槽之條件另一方面 由比較例之集合零件所獲得之積層陶_吏電容器，具有圖 所示之構造，未滿足具有配置成跨設於第 域之凹槽之條件。 第 的燒成’適用將最高 小時、並將燒成環境 。各集合零件，設成 在用以獲得此等集合零件而進行 溫度設為1200°C、在燒成爐中維持25 氣氣s史為還原性環境氣氛之燒成條件 能取出36個積層陶瓷電容器。 電容器，關於在該 的尺寸，在實施例 ’在比較例中，以 以下之表2所示。 將上述集合零件裂斷取出積層陶究 積層陶究電容器所形成的凹槽等各部分 中，以圖5所示之各部分的尺寸來表示 圖16所示之各部分的尺寸來表示，則如 [表2]
100 100 170 170 150 (單位：ju m) 以顯微鏡檢查所獲得之實施例及比較例之各積層陶瓷 電谷器的外觀。其結果，在實施例，所獲得之積層陶瓷電 容器中，沒有裂斷不良的情況發生。另—方面，在比較例， 所獲得之36個積層陶瓷電容器中，確認出3個有裂斷不良 24 201115602 的情況發生。 【圖式簡單說明】 圖1係表示作為本發明之第i實施形態的 件之積層陶瓷電容器u的俯視圖。 圖2係圖丨所示之積層陶瓷電容器丨丨的前視圖。 圖”系圖！所示之積層陶瓷電容器n %乙丁截面圖， a)表示第1内部電極3】捅讲的进& ,,. 的載面，U)表示第2内 。丨電極32通過的截面。 圖4係圖1所示之積層陶究電容器11的WT載面圖。 圖5係圖1之局部放大圖。 圖 6传Φ » 而製作之隼u製造圖1所示之積層陶竞電容器u ” D零件41的第1主面42上，形成有外部端子 電極用導電性糊瞄n 又啕外冲知子 胡膜43的狀態之俯視圖。 圖係表不在圖6所示之集合零件41上，形成右滿* 個裂㈣H 5〇 $成有複數 的狀態之放大俯視圖。 圖8係用以错日日+女 的圖。 說明本發明之第2實施形態之與圖5對應 圖9係用以笱日日+兮 的圖。 說明本發明之第3實施形態之與圖5對應 之與圖5對應 圖1 〇係用以《 $ + 的圖 Α況明本發明之第4實施形態 的圖圖U係用以說明本發明之第5實施形態之與圖2對應 圖1 2係用以％ 應 ' 說明本發明之第6實施形態之與圖3對 25 201115602 b )表示 的圖，（a)表示第！内部電極3i通過的截面， 第2内部電極32通過的截面。 圖1 3係用以說明本發明之坌 货月之第7實施形態，其係積層陶 瓷電容器Ilf的LT截面圖。 圖14係圖13所示夕a 之積層陶瓷電容器1 1 ί·的L W截面 圖，（a)表示第1内部雷极。， 冲電極31通過的截面，（b)表示第 2内部電極32通過的截面。 圖1 5係用以說明本發明夕铱 禽月之第8貫施形態之與圖丨對應 的圖。 圖16係與表示實驗例中製造的比較例之積層陶曼電容 器之與圖5對應的圖。 圖17係表示將外部端子電極2及3的面積盡可能設計 得較大之習知之陶瓷電子零件的俯視圖。 【主要元件符號說明】 1 1、11 a ' 11 b、11 c、i i d ' i i e、】J f 積層陶瓷電容器 12 、 42 、 57第1主面 13第2主面 14、 6 2第1側面 15、 63第2側面 1 8電容器本體 19、20外部端子電極 21間隙 24凹槽 25跨設凹槽 26 201115602 27、 66 第1棱部 28、 46 第1區域 29、 47 第2區域 30電介質層 31第1内部電極 32第2内部電極 37第2稜部 4 1集合零件 43外部端子電極用導電性糊膜 4 8裂斷導孔 49跨設裂斷導孔 51、52貫通導體 5 5陶瓷電子零件 56陶瓷坯體 5 8外部導體 <!； 27