CN106887333B - 层叠陶瓷电容器和其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够得到侧边缘部的高接合性的层叠陶瓷电容器和其制造方法。层叠陶瓷电容器具有层叠部、侧边缘部和接合部。上述层叠部具有在第一方向上层叠的多个陶瓷层和配置在上述多个陶瓷层之间的内部电极。上述侧边缘部从与上述第一方向正交的第二方向覆盖上述层叠部。上述接合部配置在上述层叠部与上述侧边缘部之间，其硅的含量比上述多个陶瓷层和上述侧边缘部多。

Description

层叠陶瓷电容器和其制造方法

技术领域

本发明涉及后设置侧边缘部的层叠陶瓷电容器和其制造方法。

背景技术

近年来，随着电子设备的小型化和高性能化，对于在电子设备中使用的层叠陶瓷电容器的小型化和大容量化的需求越发强烈。为了应对该需求，扩大层叠陶瓷电容器的内部电极是有效的。为了扩大内部电极，必须使用于确保内部电极的周围的绝缘性的侧边缘部较薄。

另一方面，在一般的层叠陶瓷电容器的制造方法中，由于各工序(例如内部电极的图案、层叠片的切断等)的精度，难以形成均匀厚度的侧边缘部。由此，在这样的层叠陶瓷电容器的制造方法中，使侧边缘部越薄，则越难以确保内部电极的周围的绝缘性。

在专利文献1中公开了后设置侧边缘部的技术。即，在该技术中，制作内部电极露出于侧面的层叠芯片，在该层叠芯片的侧面设置侧边缘部。由此，能够形成均匀的厚度的侧边缘部，因此在使侧边缘部较薄的情况下，也能够确保内部电极的周围的绝缘性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-209539号公报

发明内容

发明要解决的技术课题

在专利文献1记载的技术中，通过将所层叠的多个陶瓷层通过静液压加压或单轴加压等彼此压接而得到层叠芯片。该层叠芯片中，由于对内部电极所露出的侧面施加的按压力，多个陶瓷层容易彼此剥离。由此，侧边缘部以不对层叠芯片的侧面施加强按压力的方式粘贴。

因此，烧制前的侧边缘部容易比层叠芯片密度低。当层叠芯片和侧边缘部密度不同时，层叠芯片和侧边缘部在烧结时的收缩动作产生差异。由此，在层叠芯片与侧边缘部之间容易发生开裂、剥离，可靠性、特别是高温耐湿试验中的耐久性可能降低。

鉴于以上情况，本发明的目的在于提供能够得到侧边缘部的高接合性的层叠陶瓷电容器及其制造方法。

用于解决技术课题的技术方案

为了达成上述目的，本发明的一个方式的层叠陶瓷电容器具有层叠部、侧边缘部和接合部。

上述层叠部具有在第一方向上层叠的多个陶瓷层，和配置在上述多个陶瓷层之间的内部电极。

上述侧边缘部从与上述第一方向正交的第二方向覆盖上述层叠部。

上述接合部配置在上述层叠部与上述侧边缘部之间，与上述多个陶瓷层和上述侧边缘部相比硅的含量较多。

在该结构中，在烧制时，在硅的含量较多的接合部生成含有硅的熔融相，因此接合部软化。由此，烧制时的接合部起到缓和层叠部与侧边缘部在烧结时的收缩动作的差异的作用。因此，层叠部和侧边缘部经由接合部良好地被接合。

上述接合部的厚度可以为0.5μm以上5μm以下。

通过使接合部为0.5μm以上，层叠部和侧边缘部能够经由接合部更好地接合。通过将接合部抑制为5μm以下，能够使接合部对层叠陶瓷电容器的形状和性能造成的影响较小。

上述接合部中，玻璃相可以不均匀地存在。

在烧制时的接合部生成的熔融相容易彼此凝聚。凝聚了的熔融相凝固的话则成为玻璃相。因此，在该层叠陶瓷电容器的接合部能够看到含有硅的玻璃相不均匀地存在的特征性结构。

上述玻璃相可以包含钡、锰、镁、硼、钒、钬、铝、钙、锌、钾、锡、锆中的至少一个。

在该结构中，在含有硅的玻璃相中，加入钡、锰、镁、硼、钒、钬、铝、钙、锌、钾、锡、锆中的至少一个副成分，由此玻璃相的熔点降低。因此，在烧制时的接合部中容易生成熔融相。

上述多个陶瓷层可以由含有钡和钛的钙钛矿构造的多晶体构成。

上述玻璃相可以含有钡。

在该结构中，通过由钛酸钡类材料形成陶瓷层能够得到大电容，并且通过在接合部的玻璃相中加入陶瓷层等中含有的钡，接合部的玻璃相的熔点降低。

本发明的一个方式的层叠陶瓷电容器的制造方法中，准备未烧制的层叠芯片，该层叠芯片具有在第一方向上层叠的多个陶瓷层和配置在上述多个陶瓷层之间的内部电极。

在朝向与上述第一方向正交的第二方向的上述层叠芯片的侧面，经由与上述多个陶瓷层和上述侧边缘部相比硅的含量较多的接合部设置侧边缘部来制作主体。

烧制上述主体。

对上述主体的烧制步骤可以包括在上述接合部生成含有硅的熔融相的步骤。

发明效果

能够提供能够得到侧边缘部的高接合性的层叠陶瓷电容器及其制造方法。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的层叠陶瓷电容器的立体图。

图2是沿上述层叠陶瓷电容器的图1的A-A'线的截面图。

图3是沿上述层叠陶瓷电容器的图1的B-B'线的截面图。

图4是示意性地表示上述层叠陶瓷电容器的图3的区域P的微细结构的图。

图5是表示上述层叠陶瓷电容器的制造方法的流程图。

图6是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的平面图。

图7是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。

图8是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的平面图。

图9是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。

图10是表示上述层叠陶瓷电容器的制造过程的立体图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。

在附图中，表示了彼此正交的X轴、Y轴和Z轴。X轴、Y轴和Z轴在所有图中是同样的。

[层叠陶瓷电容器10的整体结构]

图1～3是表示本发明的一实施方式的层叠陶瓷电容器10的图。图1是层叠陶瓷电容器10的立体图。图2是沿层叠陶瓷电容器10的图1的A-A'线的截面图。图3是沿层叠陶瓷电容器10的图1的B-B'线的截面图。

层叠陶瓷电容器10具有主体11、第一外部电极14和第二外部电极15。

主体11典型的结构是具有朝向Y轴方向的2个侧面和朝向Z轴方向的2个主面。连接主体11的各面的棱部被倒角。另外，主体11的形状并不限定于该形状。例如，主体11的各面可以是曲面，也可以是主体11整体具有弧形的形状。

外部电极14、15覆盖主体11的X轴方向两端面，在与X轴方向两端面连接的4个面延伸。由此，外部电极14、15中的任一个中，与X-Z平面平行的截面和与X-Y轴平行的截面的形状为U字形状。

主体11具有层叠部16、侧边缘部17和接合部18。

层叠部16具有沿X-Y平面延伸的平板状的多个陶瓷层在Z轴方向上层叠而成的结构。

侧边缘部17分别覆盖层叠部16的朝向Y轴方向的两侧面的全部区域。接合部18分别设置在层叠部16与各侧边缘部17之间。即，各侧边缘部17分别经由接合部18与层叠部16的两侧面接合。

层叠部16具有电容形成部19和覆盖部20。

电容形成部19具有多个第一内部电极12和多个第二内部电极13。内部电极12、13在多个陶瓷层之间沿Z轴方向交替配置。第一内部电极12与第一外部电极14连接，与第二外部电极15绝缘。第二内部电极13与第二外部电极15连接，与第一外部电极14绝缘。

覆盖部20分别覆盖电容形成部19的Z轴方向上下面。在覆盖部20没有设置内部电极12、13。

像这样，在主体11中，电容形成部19的设置有外部电极14、15的X轴方向两端面以外的面被侧边缘部17和覆盖部20覆盖。侧边缘部17和覆盖部20主要具有保护电容形成部19的周围、确保内部电极12、13的绝缘性的功能。

内部电极12、13分别包括导电性材料，作为层叠陶瓷电容器10的内部电极起作用。作为该导电性材料，例如使用包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、铂(Pt)、银(Ag)、金(Au)或它们的合金的金属材料。

电容形成部19由电介质陶瓷形成。在电容形成部19中，为了使第一内部电极12与第二内部电极13之间的各陶瓷层的电容较大，作为构成陶瓷层的材料使用高介电常数的材料。作为构成电容形成部19的陶瓷层的材料，例如能够使用钛酸钡(BaTiO₃)类材料的多晶体，即包含钡(Ba)和钛(Ti)的钙钛矿构造的多晶体。

侧边缘部17和覆盖部20也由电介质陶瓷形成。形成侧边缘部17和覆盖部20的材料只要是绝缘性陶瓷即可，但通过使用与电容形成部19的陶瓷层同样的电介质陶瓷能够抑制主体11的内部应力。

根据上述结构，在层叠陶瓷电容器10中，当在第一外部电极14与第二外部电极15之间施加电压时，电压施加于第一内部电极12与第二内部电极13之间的多个陶瓷层。由此，在层叠陶瓷电容器10中，蓄积与第一外部电极14与第二外部电极15间的电压相对应的电荷。

另外，本实施方式的层叠陶瓷电容器10只要具有侧边缘部17和接合部18即可，其它结构能够适当变更。例如，内部电极12、13的个数能够根据层叠陶瓷电容器10所需要的尺寸和性能适当决定。

此外，图2、3中，为了使内部电极12、13的相对状态容易观察，使内部电极12、13的个数分别为4个。但是，实际上为了确保层叠陶瓷电容器10的电容，设置有更多的内部电极12、13。

[接合部18的结构]

如上所述，本实施方式的层叠陶瓷电容器10中，侧边缘部17经由接合部18与层叠部16接合。

接合部18与层叠部16和侧边缘部17相比硅(Si)的含量较多。接合部18典型的结构是包括：由与层叠部16、侧边缘部17为同样的组成的电介质陶瓷的多晶体；和以硅为主要成分的玻璃相G。

另外，在接合部18中，根据需要，也可以包含电介质陶瓷和玻璃相G以外的成分。此外，在层叠部16和侧边缘部17中，也可以含有比接合部18少的硅。

图4是示意性地表示层叠陶瓷电容器10的图3的点划线包围的区域P的微细结构的图。层叠陶瓷电容器10的截面的微细结构例如能够通过扫描型电子显微镜(SEM：ScanningElectron Microscope)观察得到。

层叠部16的电容形成部19中能够看到内部电极12、13隔着由实质上均匀的电介质陶瓷的多晶体构成的陶瓷层在Z轴方向上层叠的结构。侧边缘部17中能够看到实质上均匀的电介质陶瓷的多晶体的结构。

接合部18中能够看到在电介质陶瓷的多晶体的晶界中玻璃相G不均匀地存在的结构。

另外，实际上，层叠部16的陶瓷层与接合部18的界面、侧边缘部17与接合部18的界面有时会无法看到。

接合部18的玻璃相G典型的是如图4所示颗粒状地不均匀地存在。但是，接合部18的玻璃相G的大小是任意的。

例如，玻璃相G小至难以看到的程度，接合部18看起来是实质上均匀的微细结构也可以。此时，只要接合部18的硅的含量比层叠部16和侧边缘部17的硅的含量多，则能够推测认为接合部18中的玻璃相G是存在的。

本实施方式的层叠陶瓷电容器10，利用烧制时的接合部18的作用，能够得到侧边缘部17对层叠部16的高接合性。关于该接合部18的作用，在以下的层叠陶瓷电容器10的制造方法的项目中详细叙述。

另外，在接合部18中为了良好地得到上述作用，优选使接合部18的厚度为0.5μm以上。此外，为了良好地维持层叠陶瓷电容器10的形状和性能，优选接合部18的厚度为5μm以下。

进而，在接合部18中为了良好地得到上述作用，优选在接合部18的玻璃相G中，除了主要成分的硅之外，例如还含有钡(Ba)、锰(Mn)、镁(Mg)、硼(B)、钒(V)、钬(Ho)、铝(Al)、钙(Ca)、锌(Zn)、钾(K)、锡(Sn)、锆(Zr)等副成分。

[层叠陶瓷电容器10的制造方法]

图5是表示层叠陶瓷电容器10的制造方法的流程图。图6～10是表示层叠陶瓷电容器10的制造过程的图。以下，对于层叠陶瓷电容器10的制造方法，依据图5参照图6～10进行说明。

(步骤S01：陶瓷片准备工序)

在步骤S01中，准备用于形成电容形成部19的第一陶瓷片101和第二陶瓷片102以及用于形成覆盖部20的第三陶瓷片103。陶瓷片101、102、103构成为未烧制的电介质生片，例如使用辊涂器、刮刀形成为片状。

图6是陶瓷片101、102、103的平面图。在该阶段，陶瓷片101、102、103没有按每个层叠陶瓷电容器10被切分。图6中表示按每个层叠陶瓷电容器10切分时的切断线Lx、Ly。切断线Lx与X轴平行，切断线Ly与Y轴平行。

如图6所示，在第一陶瓷片101形成与第一内部电极12对应的未烧制的第一内部电极112，在第二陶瓷片102形成与第二内部电极13对应的未烧制的第二内部电极113。另外，在与覆盖部20对应的第三陶瓷片103不形成内部电极。

内部电极112、113能够使用任意的导电性膏形成。利用导电性膏的内部电极112、113的形成，例如能够使用丝网印刷法、凹版印刷法。

内部电极112、113跨被切断线Ly划分开的在X轴方向上邻接的2个区域配置，在Y轴方向上带状延伸。第一内部电极112和第二内部电极113按由切断线Ly划分开的区域的一列在X轴方向上错开。即，通过第一内部电极112的中央的切断线Ly通过第二内部电极113间的区域，通过第二内部电极113的中央的切断线Ly通过第一内部电极112间的区域。

(步骤S02：层叠工序)

在步骤S02中，通过层叠在步骤S01中所准备的陶瓷片101、102、103来制作层叠片104。

图7是由步骤S02得到的层叠片104的立体图。图7中，为了方便说明，分解表示陶瓷片101、102、103。但是，实际的层叠片104中，陶瓷片101、102、103通过静液压加压或单轴加压等被压接而一体化。由此得到高密度的层叠片104。

在层叠片104中，与电容形成部19对应的第一陶瓷片101和第二陶瓷片102在Z轴方向上交替层叠。

此外，在层叠片104中，在交替层叠的陶瓷片101、102的Z轴方向上下面层叠与覆盖部20对应的第三陶瓷片103。另外，在图7所示的例子中，第三陶瓷片103分别各层叠3个，但第三陶瓷片103的个数能够适当变更。

(步骤S03：切断工序)

步骤S03中，将由步骤S02得到的层叠片104用旋转刀、铡刀等切断从而制作未烧制的层叠芯片116。

图8是步骤S03后的层叠片104的平面图。层叠片104在固定于保持部件C的状态下，沿切断线Lx、Ly被切断。由此层叠片104单体化，得到层叠芯片116。此时，保持部件C不被切断，各层叠芯片116被保持部件C连接。

图9是步骤S03中得到的层叠芯片116的立体图。层叠芯片116中形成有未烧制的电容形成部119和覆盖部120。层叠芯片116中，未烧制的内部电极112、113在作为切断面的朝向Y轴方向的两侧面露出。

(步骤S04：侧边缘部形成工序)

在步骤S04中，通过在由步骤S03得到的层叠芯片116设置未烧制的侧边缘部117和接合部118，制作未烧制的主体111。

在步骤S04中，为了在层叠芯片116的两侧面设置侧边缘部117和接合部118，利用胶带等替换保持部件等适当变更层叠芯片116的朝向。

特别是，步骤S04中，在步骤S03中作为层叠芯片116的切断面的朝向Y轴方向的两侧面设置侧边缘部117和接合部118。因此，步骤S04中，优选预先从保持部件C剥离层叠芯片116，使层叠芯片116的朝向旋转90度。

图10是由步骤S04得到的未烧制的主体111的立体图。

准备与陶瓷片101、102、103组成相同且成形为规定的厚度的片作为侧边缘部117。陶瓷片101、102、103的组成决定为规定的电介质陶瓷的设计组成。

准备在陶瓷片101、102、103的组成中添加了硅成分(例如二氧化硅)的组成的、并且成形为规定的厚度的片作为接合部118。并且，侧边缘部117经由接合部118贴合于层叠芯片116的侧面。

在步骤S04中，例如能够在层叠芯片116的侧面贴合接合部118后，在接合部118上贴合侧边缘部117。此外，侧边缘部117和接合部118例如也可以在被贴合于PET膜上后，一体地贴合于层叠芯片116的侧面。

此外，在步骤S04中，也可以不将侧边缘部117和接合部118成形为片状，而是利用涂敷或浸渍按照侧边缘部117和接合部118对层叠芯片116的侧面进行涂层。即，可以在对层叠芯片116的侧面按接合部118进行涂层后，对接合部118按侧边缘部117进行涂层。

进而，在步骤S04中，可以组合上述内容，例如在按接合部118对层叠芯片116的侧面进行了涂层后，在接合部118上贴合片状的侧边缘部117。此外，可以在层叠芯片116的侧面贴合片状的接合部118后，对接合部118按侧边缘部117进行涂层。

在设置有侧边缘部117和接合部118的层叠芯片116的侧面，由于受到来自侧边缘部117和接合部118的按压力，而容易发生陶瓷层的剥离。因此，在步骤S04中，优选不对未烧制的主体111进行静液压加压或单轴加压等用于高密度化的处理。

(步骤S05：烧制工序)

在步骤S05中，通过对由步骤S04所得到的未烧制的主体111进行烧制而使之烧结，制作图1～3所示的层叠陶瓷电容器10的主体11。即，通过步骤S05，层叠芯片116成为层叠部16，侧边缘部117成为侧边缘部17，接合部118成为接合部18。

在步骤S05的主体111的烧制温度能够基于层叠芯片116和侧边缘部117的烧结温度来决定。例如，在作为电介质陶瓷使用钛酸钡类材料时，主体111的烧制温度能够为1000～1300℃的程度。此外，烧制例如能够在还原气氛下或低氧分压气氛下进行。

此处，假设层叠芯片116和侧边缘部117在烧结时的收缩动作完全一致。此时，即使在层叠芯片116不设置接合部118而直接设置侧边缘部117，得到侧边缘部117对层叠芯片116的高接合性的可能性也很高。

关于该点，层叠芯片116和侧边缘部117中，为了彼此在烧结时的收缩动作不会存在大幅差异，均使用同样的电介质陶瓷。

但是，通常，层叠芯片116和侧边缘部117在烧结时的收缩动作很难完全一致。即，层叠芯片116和侧边缘部117无论如何在烧结时都会产生收缩的时刻、收缩量的一定程度的差异。

作为层叠芯片116和侧边缘部117在烧结时的收缩动作产生差异的主要原因，能够举出层叠芯片116和侧边缘部117的密度差。

即，如上所述，层叠芯片116在步骤S02的层叠工序中被高密度化，与此不同，设置有侧边缘部117和接合部118的主体111在步骤S04中没有高密度化。因此，侧边缘部117与层叠芯片116相比密度较低。

由此，层叠芯片116和侧边缘部117的升温速度产生差异，因此收缩的时刻也产生差异。此外，侧边缘部117与层叠芯片116相比空隙较多，因此层叠芯片116和侧边缘部117的收缩量也产生差异。

此外，作为层叠芯片116和侧边缘部117在烧结时的收缩动作产生差异的其它原因，能够举出有无内部电极112、113。

即，层叠芯片116具有内部电极112、113，与此不同，侧边缘部117不具有内部电极。层叠芯片116中，电介质陶瓷和内部电极112、113同时进行烧结，因此与仅具有电介质陶瓷的侧边缘部117的收缩动作不同。

而且，作为层叠芯片116和侧边缘部117在烧结时的收缩动作产生差异的另外的原因，能够举出组成的不同。

即，侧边缘部117中，例如为了提高机械强度，有时会采用与层叠芯片116不同的组成。更详细地说，在侧边缘部117中，有时会添加层叠芯片116中不含有的元素，或采用与层叠芯片116不同的组成比。此时，层叠芯片116和侧边缘部117在电介质陶瓷自身的烧结温度产生差异，因此烧结时的收缩动作产生差异。

在本实施方式中，为了缓和像这样在层叠芯片116与侧边缘部117之间产生的烧结时的收缩动作的差异，在层叠芯片116与侧边缘部117之间设置接合部118。

如上所述，在接合部118中，在电介质陶瓷的设计组成中添加了硅成分。由此，烧制时的接合部118中，与层叠芯片116和侧边缘部117同样，发生电介质陶瓷的烧结。

另一方面，在烧制时的接合部118中，由于硅成分的作用，生成含有硅的熔融相。在接合部118中，熔融相涌出至电介质陶瓷的多晶体的晶界和空隙。典型的是，涌出至电介质陶瓷的多晶体的晶界和空隙的熔融相由于彼此凝聚而形成为颗粒状体。

接合部118中的硅成分的熔点比烧制温度高时，取入周围的副成分而生成熔融相以使硅成分的熔点成为比烧制温度低的熔点。作为一个例子，在作为硅成分使用熔点为约1650℃的二氧化硅时，取入副成分使得硅成分的熔点成为比1300℃低的熔点。

取入至熔融相的副成分可以预先包含于接合部118中，也可以通过从层叠芯片116或侧边缘部117扩散来供给。

作为取入到熔融相的副成分，例如能够举出钡、锰、镁、硼、钒、钬、铝、钙、锌、钾、锡、锆。特别是，在作为电介质陶瓷使用钛酸钡类材料时，作为副成分能够利用在电介质陶瓷中富含的钡。

另外，通过例如使硅成分预先含有上述副成分，在熔点充分低时，不需要对硅成分进一步供给副成分。

烧制时的接合部118由于在电介质陶瓷的多晶体的晶界、空隙中存在熔融相，由此成为能够灵活变形的状态。

由此，接合部118能够根据层叠芯片116和侧边缘部117各自的收缩动作而自由变形。因此，在烧制时，即使层叠芯片116和侧边缘部117产生收缩程度的差异，层叠芯片116和侧边缘部117彼此间不会造成应力的影响。由此，能够防止在层叠部16与侧边缘部17之间发生开裂或剥离。

像这样，层叠芯片116和侧边缘部117利用接合部118保持彼此良好的连接地完成烧结。由此，烧结后的主体11能够得到侧边缘部17对层叠部16的高接合性。

此外，烧制时的接合部118中空隙被熔融相填充，因此烧制后的接合部118能够得到空隙少的结构(构造)。由此，层叠陶瓷电容器10能够得到高耐湿性。

烧制后的主体11中，在烧制时在接合部118所生成的熔融相凝固而成为图4所示的玻璃相G。

玻璃相G的大小根据烧制时的接合部118中的熔融相的凝聚的进行程度而变化。即，熔融相的凝聚越发进展，则玻璃相G越大幅生长，如果熔融相的凝聚不进展，则玻璃相G保持为较小。特别是，在熔融相的凝聚几乎不进行时，在微细结构观察中，玻璃相G小至难以观察到的程度，接合部18可能是看起来实质上均匀的微细结构。

为了充分得到上述的烧制时的接合部118的作用，接合部118的厚度优选设定成烧制后的接合部18的厚度成为0.5μm以上。

另一方面，硅的含量较多的接合部118与层叠芯片116和侧边缘部117在烧结时的收缩率大为不同，因此优选接合部118的烧结时的收缩动作不会影响到主体11的形状。此外，当硅的含量较多的接合部118较厚时，容易发生硅向层叠芯片116的扩散，由此层叠芯片116的各层的电容下降。

基于该观点，优选接合部118的厚度充分薄，具体的说，优选设定成烧制后的接合部18的厚度成为5μm以下。

(步骤S06：外部电极形成工序)

在步骤S06中，在由步骤S05得到的主体11形成外部电极14、15，由此制作图1～3所示的层叠陶瓷电容器10。

在步骤S06中，首先以覆盖主体11的一侧的X轴方向端面的方式涂敷未烧制的电极材料，且以覆盖主体11的另一侧的X轴方向端面的方式涂敷未烧制的电极材料。对所涂敷的未烧制的电极材料例如在还原气氛下或低氧分压气氛下进行印烤处理(烧附处理)，在主体11形成基底膜。然后，在印烤于主体11的基底膜之上，由电镀等镀层处理形成中间膜和表面膜，制作完成外部电极14、15。

另外，可以将上述步骤S06中的处理的一部分在步骤S05前进行。例如，可以在步骤S05前在未烧制的主体111的X轴方向两端面涂敷未烧制的电极材料，在步骤S05中，在烧结未烧制的主体111的同时，印烤未烧制的电极材料而形成外部电极14、15的基底膜。

[其它实施方式]

以上说明了本发明的实施方式，但本发明并不限定于上述实施方式，当然能够进行各种变更。

例如，在层叠陶瓷电容器10中，电容形成部19可以在Z轴方向上分割为多个而设置。此时，各电容形成部19中内部电极12、13沿Z轴方向交替配置即可，电容形成部19在切换的部分连续配置第一内部电极12或第二内部电极13也可以。

附图标记说明

10……层叠陶瓷电容器

11……主体

12、13……内部电极

14、15……外部电极

16……层叠部

17……侧边缘部

18……接合部

19……电容形成部

20……覆盖部。

Claims (7)

1.一种层叠陶瓷电容器，其特征在于，包括：

具有在第一方向上层叠的多个陶瓷层和配置在所述多个陶瓷层之间的内部电极的层叠部；

从与所述第一方向正交的第二方向覆盖所述层叠部的侧边缘部；和

形成为片状的、并且配置在所述层叠部与所述侧边缘部之间的、硅的含量比所述多个陶瓷层和所述侧边缘部多的接合部，

所述层叠部与所述侧边缘部经由片状的所述接合部而接合。

2.如权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：

所述接合部的厚度为0.5μm以上、5μm以下。

3.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：

所述接合部中，含硅的玻璃相不均匀地存在。

4.如权利要求3所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：

所述玻璃相含有钡、锰、镁、硼、钒、钬、铝、钙、锌、钾、锡、锆中的至少一种。

5.如权利要求4所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：

所述多个陶瓷层由含有钡和钛的钙钛矿构造的多晶体构成，所述玻璃相含有钡。

6.一种层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

准备未烧制的层叠芯片，该层叠芯片具有在第一方向上层叠的多个陶瓷层和配置在所述多个陶瓷层之间的内部电极，

在朝向与所述第一方向正交的第二方向的所述层叠芯片的侧面，经由形成为片状的、并且硅的含量比所述多个陶瓷层和侧边缘部多的接合部设置所述侧边缘部，由此制成所述层叠芯片与所述侧边缘部经由片状的所述接合部而接合的主体，

对主体进行烧制。

7.如权利要求6所述的层叠陶瓷电容器的制造方法，其特征在于：

烧制所述主体的步骤包括在所述接合部生成含硅的熔融相的步骤。