TW201030118A - Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device - Google Patents

Description

201030118 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種切割用晶粒接合膜，其用於藉由在切 割之前將用於固定晶片狀工件（諸如，半導體晶片）與電極 構件之黏接劑提供至工件（諸如，半導體晶圓）上來切割工 件。 【先前技術】 形成有電路圖案之半導體晶圓（工件）根據需要在其厚度 藉由背面拋光調整之後被切割成半導體晶片（晶片狀工 件）（切割步驟）。在該切割步驟中，通常藉由適當液體壓力 (通常為約2 kg/cm2)來沖洗該半導體晶圓以便移除經分割 之層。接著藉由黏接劑將該半導體晶片固定至黏接體（諸 如，引線框架）上（安裝步驟），且接著轉移至接合步驟。在 I头女震步驟巾，已將黏接齊j塗覆至引線框架或半導體晶 片上。然而，在此方法中，難以使黏接層均一，且黏接劑 之塗覆需要特殊裝置及長時段 。出於此原因，已提出一種

呷孩支撐基底材料而使半導體 "亥切割用晶粒接合膜經製造以使得在 接層固持之同時被切割之後，藉由拉 使半導體晶片^之每一者與黏接層一 144915.doc 201030118 起剥離並個別地恢復，且接著藉由該黏接層而將其固定至 黏接體（諸如，引線框架）上。 對於切割用晶粒接合膜之此類型之黏接層而言，以下各 者為所要的：使得不發生切割故障、尺寸誤差等的對半導 體晶圓之良好固持力；使得切割之後的半導體晶片可與黏 接層整體地自支撐基底材料剝離的良好剝離能力，·及使得 在剝離之後無黏接劑附著至半導體晶圓及黏接層的低污垢

性質。然而，以良好之平衡展現此等特性絕不容易。特定 =之’在#接層需要大固持力之狀況下（如在藉由旋轉圓 刀片切割半導體晶圓之方法中），已難以獲得滿足上文之 特性的切割用晶粒接合膜。 因此，為了克服此等問題，已提出各種改良型方法（例 如’見JP-A-2-248064)。在jP_A_2_248〇64 中，將可由紫外 線固化之㈣黏接層插人於支撐基底材料與黏接層之間。 其争之方法中’在切割之後，廢敏黏接層由紫外線固化 以使㈣敏黏接層與黏接層之間的黏接力減小，且該兩個 層接著彼此剝離以促進半導體晶片之拾取。 然而’即使藉由此改良型方法，有時仍難以製備使切割 固持力與隨後需要之剝離能力良好平衡的切割用晶粒 接合膜。舉例而言，在待獲得具有1〇 mmxi() _或更大之 大小的大半導體晶片之狀況下’因為半導體晶片之大小極 大所以藉由普通晶粒接合器來拾取半導體晶片並不容 【發明内容】 144915.doc 201030118 已鑒於上文之問題進行本發明，且本發明之目標 社 -種在以下各者之間平衡特性時極佳的切割用晶粒2 膜：甚至在切割薄工件時的固持力；在整體地制離: 割獲得之半導體晶片連同晶粒接合膜時的剝離 匕 ，及 得在剝離之後無壓敏黏接成份附著至半導體晶圓 的低污垢性質。 -接層 本申請案之發明者已研究出—種切割用晶粒接合膜以便 解決上文之習知問題。因此，已發現，當使用具有含有切 割用膜（該切割用膜之壓敏黏接層為由含有由特定單體組 合物組成之丙烯酸系聚合物的熱可膨脹壓敏黏接劑形成且 具有特定表面自由能的熱可膨脹壓敏黏接層）及由環氧樹 脂組合物構成之晶粒接合膜之形式的切割用晶粒接合膜 時，在以下各者之間平衡特性極佳：用於固持薄工件以有 效地切割該工件之固持力；用於簡單地整體剝離藉由切割 獲得之半導體晶片連同晶粒接合膜的剝離能力；及用於在 剝離之後抑制或防止壓敏黏接成份附著至半導體晶圓及晶 粒接合膜（黏接層）的低污垢性質。因此，本發明已完成。 即，本發明係關於 一種切割用晶粒接合膜，其包括： 切割用膜，其具有提供於基底材料上之壓敏黏接層；及 晶粒接合膜’其提供於該壓敏黏接層上， 其中該切割用膜之該壓敏黏接層為由含有丙烯酸系聚合 物A及發泡劑之熱可膨脹壓敏黏接劑形成的熱可膨脹壓敏 黏接層’該丙烯酸系聚合物A為由含有5〇重量％或更多之 144915.doc 201030118 由CH2=CHC00R(其中R為具有6至1〇個碳原子之烧基）表示 的丙烯酸酯及1重量％至3〇重量。/。之含羥基單體且不含有含 叛基單體的單體组合物組成之丙烯酸系聚合物， 该熱可膨脹壓敏黏接層具有30 mJ/m2或更低之表面自由 能，且 其中該晶粒接合膜係由含有環氧樹脂之樹脂組合物構 成0

如上所述，本發明之切割用晶粒接合膜中之切割用膜的 壓敏黏接層為由具有指定組份之丙稀酸系聚合物形成且具 有指定程度之表面自由能的熱可膨脹壓敏黏接層。因此， 切割用晶粒接合膜具有熱可膨脹性且因此剝離力之減小可 由於該熱可膨脹性而達成，以使得剝離能力為良好的且可 實現良好之拾取性質。此外，因為I敏黏接層具有指定程 度之表面自由能，所以可改良低污垢性質。當然：，熱可膨 脹壓敏黏接層具有壓敏黏接性質（固持力）且因此可在進^ 切割時良好地固持薄工件（半導體晶圓）。此外，因為在剝 離之後晶粒接合膜附著至半導體晶圓，所以在下一步驟中 可使用晶粒接合膜將半導體晶片華占接並固定至指定黏接 體’且隨後可藉由在下-步驟之後有效地執行適當處理及 其類似者而製造出半導體元件。 關於切割用膜之熱可膨脹壓敏黏接層，在作為基礎聚合 物之丙烯酸系聚合物A中，藉由將CH2=chc〇〇r(盆中^ 具有6至1〇個碳原子之烧基)用作單體組合物中之丙稀酸 醋，可防止歸因於過大剝離力的拾取性質之減小。此外 144915.doc 201030118 藉由將含經基單體之比率調整至10重量％至3〇重量。之範 圍，可有效地防止拾取性質及低污垢性質之減小。 在本發明中，可將熱可膨脹微球體適當地用作發泡劑。 在本發明之切割用晶粒接合膜中，較佳的是：切割用膜 之熱可膨脹壓敏黏接層由含有壓敏黏接劑及發泡劑之熱可 膨脹壓敏黏接劑形成，該壓敏黏接劑能夠形成在23。匚至 150C之皿度範圍中具有5xi〇4 pa至丨χ丨〇6 pa之彈性模數的 壓敏黏接層；且該晶粒接合膜在丁〇至Tg+2〇c>c之溫度範圍 中具有lxlO5 Pa至lxl〇i〇 Pa的彈性模數，其中丁〇表示該切 割用膜之該熱可膨脹壓敏黏接層的發泡開始溫度。藉由將 切割用膜之熱可膨脹壓敏黏接層的彈性模數（特定言之， 丙烯酸系聚合物A之彈性模數）控制至上文之範圍，熱可膨 脹性變得良好且可防止拾取性質之減小。此外，藉由將晶 粒接合膜之彈性模數控制至上文之範圍，可防止對由熱膨 脹導致之切割用膜與晶粒接合膜之間的接觸區域之減小的 抑制，且因此切割用膜與晶粒接合膜之間的接觸區域可有 效地減小。 此外，本發明提供一種用於製造半導體元件之方法，該 方法包含使用上文所描述之切割用晶粒接合膜。 本發明之㈣用晶粒接合膜在町各者之时衡特性時 極佳：甚至在切割薄工件時的固持力；在整體地剝離藉由 切割獲得之半導體晶片連同晶粒接合料的剝離能力；及 使得在剝離之後無壓敏黏接成份附著至半導體晶圓及 層的低污垢性質。此外，在剝離之後，因為晶粒接合膜附 144915.doc 201030118 著至半導體晶片，所以在下一步驟中可使用該晶粒接合膜 來黏接並固定該半導體晶片。 可在切割工件時在使得用於將晶片狀工件（諸如，半導 體晶片）固定至電極構件之黏接劑在切割之前預先提供至 工件（諸如，半導體晶圓）上的狀態下使用本發明之切割用 晶粒接合膜。藉由使用本發明之切割用晶粒接合膜，容易 地製造半導體晶片固定至電極構件之半導體元件變得可

【實施方式】 參看圖1及圖2而描述本發明之實施例，但本發明不限於 此等實施例。圖丨為展示本發明之切割用晶粒接合膜之二 項實施例的橫截面示意圖。圖2為展示本發明之切割用晶 粒接合膜之另一實施例的橫截面示意圖。然而，未給出不 為描述所需之部分，且存在藉由放大、縮小等而展示之部 分以便使描述容易。 如圖1中所展示’本發明之切割用晶粒接合膜為具有含 有以下各者之構造的切割用晶粒接合膜1G:切割用膜2, 其具有提供於基底材上之熱可膨脹壓敏點接層…及 晶粒接合膜3 ’其提供於該熱可膨脹壓敏轉層^。此 本發明之㈣用晶粒接合膜可為具有以下構造之切割 :晶粒接合膜31並非形成於熱可編敏 之個表面上而僅形成於半導體 _者口丨刀上 此處’熱可膨脹壓敏黏接層lb係由含有以下丙烯酸系聚 144915.doc 201030118 合物A及發泡劑之熱可膨脹壓敏黏接劑形成並具有表面自 由能為30 mJ/m2或更小之特性。 丙烯酸系聚合物A:由含有50重量％或更多之由 CHpCHCOOR(其中R為具有6至1〇個碳原子之烷基）表示的 丙烯酸酯及1重量％至30重量％之含羥基單體且不含有含缓 基單體的單體組合物組成之丙烯酸系聚合物。 (切割用膜） (基底材料） 基底材料為切割用晶粒接合膜之強度基質。基底材料之 實例包括：聚烯烴，諸如，低密度聚乙烯、直鏈聚乙烯、 中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、極低密度聚乙烯、無規共 聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯及聚曱基 戊稀；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；離子鍵共聚物樹脂；乙 稀-(曱基）丙烯酸共聚物；乙烯_(甲基）丙烯酸酯（無規或交 變）共聚物；乙烯-丁烯共聚物；乙烯-己烯共聚物；丙烯酸 系樹脂·’聚胺基曱酸酯；聚酯，諸如，聚對苯二曱酸乙二 醋及聚萘二甲酸乙二酯；聚碳酸酯；聚醯亞胺；聚醚醚 鋼，聚趟酿亞胺；聚醯胺；全部芳族聚醯胺；聚苯硫醚； 芳族聚醯胺（紙）；玻璃；玻璃纖維織物；氟化樹脂；聚氯 乙稀；聚二氯亞乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚 物）；纖維素樹脂；聚矽氧樹脂；金屬（箔片及紙。 此外’作為基底材料之材料，亦可使用諸如上文之樹脂 中之每一者之交聯體的聚合物。 產生自该等樹脂中之每一者的塑膠膜可不拉伸地加以使 144915.doc -10- 201030118 用，或可根據需要在施加單軸或雙轴拉伸處理之後加以使 用。根據藉由拉伸處理等而被給予熱可收縮性質的樹脂薄 片’在切割之後藉由基底材料之熱收縮而減小熱可膨脹壓 敏黏接層與晶粒接合膜之間的黏接區域，藉此可有效地促 ' 進半導體晶片之收集。 * 作為基底材料’可使用由透明樹脂形成之薄片、具有網 狀結構之薄片、孔在其上打開之薄片等。 Φ 可將諸如以下各者之常用表面處理（例如，化學或物理 處理）施加於基底材料之表面上以便改良與相鄰層之黏接 性、固持性質等：鉻酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、向 尚壓電震之暴露、及離子化輻射處理及使用底塗劑（例 如’隨後待描述之膠黏物質）進行之塗布處理。 相同類型或不同類型之樹脂可經適當地選擇並用於形成 基底材料，且可根據需要使用摻合了複數類型之樹脂的摻 合樹脂。此外，可將由金屬、合金、其氧化物等組成並具 φ 有約30至5 00埃之厚度的導電物質之氣相沈積層提供於基 底材料上以便將抗靜電功能給予基底材料。基底材料可具 有單一層或由兩個或兩個以上類型組成之多層的形式。 ‘ 可在無特定限制之狀況下適當地測定基底材料之厚度。 然而’其通常為約5至200 μηι 〇 附帶而言’基底材料可在不削弱本發明之優勢及其類似 者的範圍内含有各種添加劑（著色劑、填充劑、增塑劑、 抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、阻燃劑等）。 (熱可膨脹壓敏黏接層） 144915.doc 201030118 熱可膨脹壓敏黏接層具有壓敏黏接性質及熱可膨脹性且 可由熱可膨脹壓敏黏接劑（組合物）形成。就此而論，藉由 向熱可膨脹壓敏黏接層施加指定熱處理，產生熱可膨服壓 敏黏接層之形狀改變、顯著地減小熱可膨脹壓敏黏接層與 晶粒接合膜之間的壓敏黏接力、可使壓敏黏接力減小至幾 . 乎零且因此可給予極佳拾取性質。 作為用於形成熱可膨脹壓敏黏接層之熱可膨脹壓敏黏接 劑，可使用含有壓敏黏接劑及發泡劑之熱可膨脹壓敏黏接 劑。在本發明中，使用含有以下丙烯酸系聚合物A之壓敏 ❹ 黏接劑作為壓敏黏接劑為重要的。因此，熱可膨脹壓敏黏 接劑為含有以下丙烯酸系聚合物A及發泡劑之熱可膨脹壓 敏黏接劑。 丙烯酸系聚合物A:由含有50重量。/〇或更多之由 CHfCHCOOR(其中R為具有6至1〇個碳原子之烷基）表示的 丙烯酸酯及1重量％至30重量％之含羥基單體且不含有含羧 基單體的單體組合物組成之丙烯酸系聚合物。 作為壓敏黏接劑（或熱可膨脹壓敏黏接劑），使用含有作 © 為基礎聚合物或聚合物主要成份之丙烯酸系聚合物A的壓 敏黏接劑（或熱可膨脹壓敏黏接劑）為重要的。在丙烯酸系 聚合物A中’由化學式CH2=CHCOOR(其中R為具有6至10 個碳原子之院基）表示之丙烯酸烷酯（有時被稱為「C6_10丙 ' 稀酸垸醋」）用作主要單體成份。在丙烯酸烷酯中，當具 有含有小於6個碳原子之烷基的丙烯酸烷酯用作主要單體 成份時’剝離力變得過大且存在拾取性質減小之狀況。另 144915.doc 12 201030118 一方面，當具有含有大於10個碳原子之烷基的丙烯酸烷酯 用作主要單體成份時，與晶粒接合膜之黏接性減小，且因 此，存在當切割時產生晶片飛揚之狀況。 具體έ之’ C6-10丙烯酸烷酯之實例包括丙烯酸己酯、 丙烯酸庚酯、丙烯酸辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2_乙基 己酯、丙烯酸壬酯、丙烯酸異壬酯、丙稀酸癸酯及丙烯酸 異癸酯。作為C6-10丙稀酸烧酯，具有含有8至9個碳原子 之炫基的丙稀酸烧醋為尤其較佳的。其中，丙烯酸2_乙基 己酯及丙烯酸異辛酯最適當。C6_10丙烯酸烷酯可單獨地 加以使用或者兩種或兩種以上類型可組合地加以使用。 此外’在本發明中’ C6-10丙烯酸烧醋之含量以單體成 份之總量計重要地為50重量％(wt%)或更多且較佳為7〇 wt%至99 wt%。當C6-10丙烯酸烷酯之含量小於50 wt〇/〇 時’剝離力變得過大且存在拾取性質減小之狀況。 作為丙稀酸系聚合物A，可將除C6-10丙浠酸燒g旨外之丙 烯酸醋用作單體成份。此類丙稀酸酯之實例包括除C6_l〇 丙烤酸燒醋外之丙稀酸烧醋、具有芳環之丙稀酸醋（諸如 丙烯酸苯酯等之丙烯酸芳酯）及具有脂環烴基之丙烯酸g旨 (諸如丙烯酸環戊酯及丙烯酸環己酯之丙烯酸環烷醋、丙 嫦酸異冰片酯等）。丙烯酸烧酯及丙烯酸環烧酯為適當 的，且特定言之，可適當地使用丙烯酸娱:酯。此等丙烯酸 酯可單獨地加以使用或者兩種或兩種以上類型可組合地加 以使用。 丙稀酸烧酯之實例包括：具有含有5個或更少碳原子之 144915.doc -13- 201030118 烧基的丙烯酸院酯，諸如，丙烯酸甲酯、丙稀酸乙酯、丙 稀酸丙s旨、丙稀酸異丙醋、丙稀酸丁 s旨、丙烯酸異丁酯、 丙烯酸第二丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸戊酯及丙烯酸 異戊醋；具有含有11個或更多（較佳11至30個）碳原子之烧 基的丙稀酸院g旨，諸如，丙稀酸Ί—醋、丙稀酸十二醋、 丙烯酸十三酯、丙烯酸十四酯、丙烯酸十六酯、丙烯酸十 八酯及丙烯酸二十醋。 諸如C6-10丙烯酸烷酯之丙烯酸烷酯可為任何形式之丙 烯酸烷酯’諸如，直鏈丙烯酸烷酯或支鏈丙烯酸烷酯。 ❹ 在本發明中’丙烯酸系聚合物A含有可與C6-10丙烯酸烷 醋共聚合之含羥基單體。含羥基單體之實例包括（曱基）丙 烯酸2-羥乙酯、（曱基）丙烯酸2_羥丙酯、（曱基）丙烯酸4羥 丁酯、（甲基）丙烯酸6-羥己酯、（甲基）丙烯酸8_羥辛酯、 (甲基）丙烯酸10-羥癸酯、（甲基）丙烯酸12_羥十二酯及（曱 基）丙烯酸（4-羥曱基環己基）甲酯。含羥基單體可單獨地加 以使用或者兩種或兩種以上類型可組合地加以使用。 含羥基單體之含量以單體成份之總量計重要地處於丨 © wt%至30 wt%的範圍中且較佳處於3 ”％至1〇 wt%的範圍 中。當含羥基單體之含量以單體成份之總量計小於i wt〇/〇 時，壓敏黏接劑之内聚力減小且拾取性質減小。另一方 ’ 面，當含羥基單體之含量以單體成份之總量計超過3〇 wt% 時，壓敏黏接劑之極性變高且其與晶粒接合膜之相互作用 變高’以致拾取性質減小。 出於内聚力、耐熱性等之修改之目的，丙稀酸系聚合物 144915.doc 14 201030118 A可根據需要含有對應於可與c6_i()丙烯酸㈣及含經基單 體共聚合之其他單體成份（有時被稱為「可共聚合之其他 單體成伤」）的單兀。然而，在本發明中，不使用含缓基 #體為重要的。當使用含叛基單體時，熱可膨脹麼敏黏接 層與晶粒接合臈之間的黏接性經由㈣與晶粒接合膜中之 ‘ 帛氧樹脂中之環氧基的反應而變高，且兩者之剝離能力可 減小。作為此類含羧基單體，可提及丙烯酸、f基丙烯 φ 酸、（甲基）丙烯酸羧乙酯、（甲基）丙烯酸羧戊酯、衣康 酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸及其類似者。 可共聚合之其他單體成份的實例包括：甲基丙烯酸酯， 諸如，甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙 醋、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸丁酯、曱基丙烯酸異 丁醋、曱基丙烯酸第二丁酯及甲基丙烯酸第三丁酯；酸肝 單體，諸如，順丁烯二酸酐及衣康酸酐；含磺酸基單體， 諸如’苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(曱基）丙烯醯胺-2-曱 φ 基丙磺酸、（甲基）丙烯醯胺丙磺酸、（曱基）丙烯酸磺丙醋 及（甲基）丙稀酿氧萘續酸；含罐酸基單體，諸如，構酸2_ 羥乙基丙烯醯酯；基於苯乙烯之單體，諸如，苯乙烯、乙 . 烯苯及α-甲基苯乙烯；烯烴或二烯，諸如，乙烯、丁二 . 烯、異戊二烯及異丁烯；含i素原子之單體，諸如，氣乙 烯；含氟原子之單體，諸如，氟化（甲基）丙烯酸酯；丙稀 醯胺；及丙烯腈。 可使用一種類型或兩種類型或更多之可共聚合之其他單 體成份。待使用之此等可共聚合之單體的量較佳為單體成 144915.doc -15· 201030118 份之緦重的40 wt%或更少。 可藉由使單一單體或兩種或兩種 恨4啕種以上類型 聚合而獲得丙烯酸系聚合物A 早體混口物 J稽田堵如以下各去 法中之任-者來執行該聚合：溶液聚合(例如，自：二 合、陰離子聚合、陽離子聚合等）、乳化聚合、本體聚 合、懸浮聚合及光聚合（例％，紫外線（uv)聚合 止潔淨黏接體之污染的觀點言之，低分 ^ , 低刀子量之物質的含量 較佳為小％。自此觀點言之，丙烯酸系聚合物A之重量平 均分子量較佳為350,刪至〖，觸，刪，且更佳為約Μ請〇 至 800,000 〇 5 此外，在壓敏黏接劑（或熱可膨脹壓敏黏接劑）中，為了 控制壓敏黏接力，可視情況使用外部交聯劑。作為用於外 部交聯方法之特定方式’可提及一種添加所謂的交聯劑 (諸如，聚異氰酸酯化合物、環氧基化合物、氮丙啶化合 物或基於二聚氰胺之交聯劑）並使之反應之方法。在使用 外部交聯劑之狀況下，取決於與待交聯之基礎聚合物的平 衡及進一步作為壓敏黏接劑之使用應用而適當地決定量。 待使用之外部交聯劑的量以100重量份之基礎聚合物計為 20重量份或更少且較佳為0.1重量份至10重量份。此外， 壓敏黏接劑（或熱可膨脹壓敏黏接劑）可與習知之各種添加 劑（諸如，增黏劑及抗老化劑）混合。 此外’作為丙烯酸系聚合物A，可使用除上文例示之含 經基單體之外亦共聚合諸如以下各者的含羥基之基於醚之 化合物（基於醚之含羥基單體）的聚合物或其類似者：2-經 144915.doc 201030118 乙基乙烯喊、4-經丁基乙烯越或二乙二醇單乙稀越或其類 似者。 在本發明中，重要的是，熱可膨脹壓敏黏接層含有用於 . 、给予熱可膨脹性之發泡劑。因此，藉由在任何時間在黏接 . 體（特定言之，黏接體之複數片）附著於切割用晶粒接合膜 . t壓敏黏接表面上的狀態下至少部分地加熱該切割用晶粒 接合膜以使熱可膨脹壓敏黏接層之加熱部分中所含有的發 φ 泡劑發泡及/或膨脹，該熱可膨脹壓敏黏接層至少部分地 膨脹，且由於該熱可膨脹壓敏黏接層的此至少部分2膨 脹，對應於膨脹部分的該熱可膨脹壓敏黏接層之壓敏黏接 表面不均勻地變形以減小壓敏黏接表面與已附著黏接體之 晶粒接合膜之間的黏接區域。因此，不均勾變形的壓敏黏 接表面與已附著黏接體之晶粒接合膜之間的黏接力減小且 因此附著於壓敏黏接表面上的晶粒接合膜（附著了黏接體 的晶粒接合膜）可自切割用膜剝離。在熱可膨脹壓敏黏接 • 層經部分地加熱之狀況下，待部分地加熱之部分可為至少 含有經由晶粒接合膜而附著待剝離或拾取之半導體晶片的 部分之部分。 用於熱可膨脹壓敏黏接層中之發泡劑並不受特定限制且 可適當地選自已知發泡劑。發泡劑可單獨地加以使用或者 兩種或兩種以上類型可組合地加以使用。作為發泡劑，可 適當地使用熱可膨脹微球體。 熱可膨脹微球體並不受特定限制且可適當地選自已知熱 可膨脹微球體（各種無機熱可膨脹微球體、有機熱可膨脹 144915.doc •17· 201030118 微球體等）。作為熱可膨脹微球體，自簡單混合操作及其 類似者之觀點言之，可適當地使用經微膠囊化之發泡劑。 此類熱可膨脹微球體之實例包括易於氣化並膨脹之物質 (諸如，異丁烷、丙烷或戊烷）包括於具有彈性之外殼中的 微球體。上文所提及之外殼通常係由熱可熔融物質或被熱 膨脹破壞之物質形成。形成外殼之物質的實例包括二氣亞 乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚曱 基丙烯酸曱酯、聚丙烯腈、聚二氣亞乙烯及聚砜。 可藉由常用方法（諸如，凝聚方法、界面聚合方法或其 類似者）製造熱可膨脹微球體。就此而論，作為熱可膨脹 微球體，可使用諸市售產品：（例如）由Matsumoto Yushi-Seiyaku Co., Ltd.製造之商標名「Matsumoto Microsphere」系列，諸如，商標名 「Matsumoto Microsphere F30」、商標名「Matsumoto Microsphere F301D」、商標名「Matsumoto Micro sphere F50D」、商標名 「Matsumoto Microsphere F501D」、商標名「Matsumoto Microsphere F80SD」及商標名「Matsumoto Microsphere F80VSD」；及由Expancel Company製造之商標名 「051DU」、商標名「053DU」、商標名「551DU」、商標名 「551-20DU」及商標名「551-80DU」。 在本發明中，作為發泡劑，亦可使用除熱可膨脹微球體 外之發泡劑。作為此類發泡劑，發泡劑可適當地選自諸如 各種無機及有機發泡劑之各種發泡劑並得以使用。代表性 無機發泡劑之實例包括碳酸銨、碳酸氫銨、亞硝酸銨、硼 144915.doc -18· 201030118 氫化鈉及各種疊氮化合物。 此外，代純有機發泡劑之實例包括：水；基於氣氣烧 之化合物，諸如，三氯—氟甲燒及二氯-敗甲烧；基於偶 • 氮之化肖如’偶氮二異丁腈、偶氮二甲醯胺及偶氮 二㈣鋇；基於肼之化合物，諸如，對甲苯相肼、二苯 砜3,3-一碩醯肼、4,4’-氧基雙（苯磺醯肼）及烯丙基雙（磺 酿肼），基於半卡肼之化合物，諸如，對二苯乙稀續酿半 φ 卡拼及4,4 _氧基雙（苯磺醢半卡肼）；基於三唑之化合物， 諸如，5-嗎啉基-12,3,4-噻三唑；基於Ν_亞硝基之化合 物，諸如，Ν，Ν’-二亞硝基五亞甲基四胺及Ν，Ν，二甲基_ Ν，Ν’-二亞硝基對苯二甲醯胺。 在本發明中，因為熱可膨脹壓敏黏接層之黏接力藉由加 熱處理而有效率並穩定地減小，所以具有直至體積膨脹率 達到5倍或更多、7倍或更多、尤其1〇倍或更多時方爆裂之 適當強度的發泡劑為較佳的。 • 可取決於熱可膨脹壓敏黏接層的膨脹幅度及黏接力之減 小程度而適當地設定發泡劑（熱可膨脹微球體等）之混合 篁，但通常，該量以100重量份之形成熱可膨脹壓敏黏接 ’ 層之基礎聚合物計為（例如重量份至15〇重量份，較佳為 • 1〇重里份至130重量份，且進一步較佳為25重量份至1〇〇重 量份。 在熱可膨脹微球體用作發泡劑之狀況下，可取決於熱可 膨服壓敏黏接層之厚度及其類似者而適當地選擇熱可膨脹 微球體之粒徑（平均粒徑）^熱可膨脹微球體之平均粒徑可 1449l5.doc -19- 201030118 (例如）選自1 00 μηι或更小、較佳80 μηι或更小、更佳1 μιη 至50 μπι且尤其為1 μιη至30 μιη之範圍。熱可膨脹微球體之 粒徑可在形成熱可膨脹微球體之過程中加以控制或可藉由 在形成之後進行分類或其類似者而控制。熱可膨脹微球體 較佳具有均一粒徑。 在本發明中’作為發泡劑’適當地使用具有範圍為8〇。〇 至210C、較佳95°C至200°C且尤其較佳l〇〇°c至i70°C之發 ❹ 泡開始溫度（熱膨脹開始溫度T())的發泡劑。當發泡劑之發 泡開始溫度低於8(TC時，發泡劑可藉由在製造切割用晶粒 接合膜期間或在其使用於一些狀況下期間的熱來發泡且 因此操縱性質及生產力減小。另一方面，當發泡劑之發泡 開始溫度超過210t時，切割用膜之基底材料及晶粒接合 膜需要過度耐熱性，且因此該狀況鑒於操縱性質、生產力 及成本並非為較佳的。附帶而言，發泡劑之發泡開始溫.度 (T〇)對應於熱可膨脹壓敏黏接層之發泡開始溫度（τ〇)。 作為使發泡劑發泡之方法（亦即，使熱可膨脹壓敏黏接 ❹ 層熱膨脹之方法），可自已知加熱及發財法適當地選擇 任何方法並採用該方法。 在本發明中’自在加熱處理之前的適當黏接力與加熱處 理之後的純力之減小程度之間的平衡之觀點言之，呈 含有發泡劑之形式的熱可膨脹壓敏黏接層冑佳在抑 15〇°C之溫度範圍中具有5><1〇4匕至1><1〇6 pa、更佳

Pa至8xl〇5 Pa且尤其較佳5 當呈不含有發泡劑之形式 χ10 Pa至5xl05 Pa之彈性模數。 的熱可膨脹壓敏黏接層之彈性模 144915.doc -20. 201030118 數（/皿度· 23C至150。〇小於5xl04 Pa時，熱可膨脹性變低 劣且拾取性質在一些狀況下減小。此外，當呈不含有發泡 劑之开> 式的熱可膨脹塵敏黏接層之彈性模數（溫度：。匚 至150C)大於lxio6〜時，初始黏接性在一些狀況下變低 劣。 呈不含有發泡劑之形式的熱可膨脹壓敏黏接層對應於由 壓敏黏接劑（不含有發泡劑）形成之壓敏黏接層。因此，可 使用壓敏黏接劑（不含有發泡劑）來量測呈不含有發泡劑之 形式的熱可膨脹壓敏黏接層之彈性模數。就此而論，熱可

膨脹壓敏黏接層可由含有能夠形成彈性模數在23亡至 度範圍中為5xl()4 PaJLlxl()6卜的壓敏黏接層之 壓敏黏接劑及發泡劑的熱可膨脹壓敏黏接劑形成。 如下測定呈不含有發泡劑之形式的熱可膨脹壓敏黏接層 之彈性模數。製造呈不添加發泡劑之形式的熱可膨脹廢敏 -接層（亦即，由不含有發泡劑之麼敏黏接劑形成的壓敏 黏接層）(樣本）。接著，使用由Rheometrics Co Ltd•製造之 動態黏彈性量測裝置「ARES」在剪力模態下在1 Hz之頻 率、代/分鐘之溫度升高速率及G.1%(2rc)或㈣（15〇。〇 Z力的條件下量測該樣本之彈性模數，且該彈性模數被 視為在抑或15代下獲得之I切儲存彈性模數G.的值。 可藉由調整壓敏黏接劑之基礎聚合物、交聯劑、添加劑 專的種類而㈣熱可膨脹壓_接層之彈性模數。 2 ’在本發明中，熱可膨㈣敏黏接層較佳在形成晶 膜之側的表©上’尤其在開始與晶粒接合膜接觸之 I44915.doc -21 · 201030118 處的2表面上具有30 mJ/m2或更小(例如，1遷2至3〇 悉)之表面自由能。熱可膨脹壓敏黏接層之表面自由能 進一步較佳為15 " 2 b T/ 2 /m至30 mJ/m，且尤其較佳為20 m錢咖2。在熱可膨脹壓敏黏接層之表面自由能 超過3〇 Μα的狀況下，熱可膨脹㈣黏接層與晶粒接合 膜之間的黏接性增加且拾取性質在一些狀況下可減小。就 此而論，熱可膨脹壓敏黏接層之表面自由能（mj/m2)為在 熱膨脹之前的熱可膨脹壓敏黏接層之表面自由能。 在本發明中’熱可膨脹壓敏黏接層之表面自由能意謂藉 由以下步驟測定之表面自由能值（Ys):量測水及二蛾甲烷 與熱可膨脹壓敏黏接層之表面的個別接觸角G(rad);及對 利用所量測值及自右干文獻已知的作為接觸角經量測之液 體之表面自由能值的值{水（分散分量（γΛ : 21.8(mJ/m2)、極性分量（γι/) : 51.〇(mJ/m2))，二碘甲烷（分 散分量（yLd) : 49.5(mJ/m2)、極性分量（以）：i 3(mJ/m2)H 及以下方程式（1 a)至（1 c)而獲得之作為聯立線性方程組的 兩個方程式求解。

Ys=Tsd+Ysp (la) YL=YLd+YLP (lb) (l+cos0)YL=2(YsdYLd )1/2+2(γ8ρ Ylp γη (lc) 其中方程式（1 a )至（1 c )中之各別符號分別如下。 Θ ··以水或二碘曱烷之液滴量測之接觸角（rad)

Ys:壓敏層（熱可膨脹壓敏黏接層）之表面自由能（mJ/m2) Ysd :壓敏層（熱可膨脹壓敏黏接層）之表面自由能中的分 1449l5.doc -22· 201030118 散分量（mJ/m2) γ^:壓敏層（熱可膨脹壓敏黏接層）之表面自由能中的極 性分量

Φ 水或二破曱烧之表面自由能（mJ/m2) γ/:水或二碘甲烷之表面自由能中的分散分量（mj/m2) Ylp :水或二碘甲烷之表面自由能中的極性分量（mJ/m2) 此外，藉由以下步驟測定水或二填甲烧與熱可膨脹壓敏 黏接層之表面的接觸角：在JIS Z 8703中所描述之測試地 點的環境（溫度·· 23±2°C，濕度：5〇±5% RH)下將水（蒸潑 水）或二碘甲烷之約1 pL之小液滴滴落至熱可膨脹壓敏黏 接層的表面上；及使用表面接觸角量測儀r CA-X」（由 FACE Company製造）在滴落之30秒之後藉由三點方法量測 該角。 可藉由調整壓敏黏接劑之基礎聚合物、添加劑及其類似 者的種類而控制熱可膨脹壓敏黏接層之表面自由能。 可（例如）藉由混合壓敏黏接劑、發泡劑（熱可膨脹微球體 等）及可選溶劑及其他添加劑並利用常用方法將該混合物 整形成薄片狀層而形成熱可膨脹壓敏黏接層。具體言之， 可（例如）藉由以下方法形成熱可膨脹壓敏黏接層··包括將 含有壓敏黏接劑、發泡劑（熱可膨脹微球體等）及可選溶劑 及其他添加劑之混合物塗覆於基底材料或下文待提及之橡 =機彈性中間層上的方法；包括將上文所提及之混合物 :於適當分離件(諸如’脫離紙)上以形成熱可膨脹壓敏 層並將其轉移（轉送）於基底材料或橡膠有機彈性中間 144915.doc -23· 201030118 層上的方法；或類似方法。 熱可膨脹壓敏黏接層之厚度並不受特定限制且可取決於 黏接力之減小程度而適當地選擇。舉例而言，厚度為約5 μιη至300 μιη，且較佳為2〇 0111至1 5〇 。然而，在熱可膨 脹微球體用作發泡劑之狀況下，重要的是，熱可膨脹壓敏 黏接層之厚度大於其中含有之熱可膨脹微球體的最大粒 徑。當熱可膨脹壓敏黏接層之厚度過小時，表面平滑度歸 因於熱可膨脹微球體的不均勻性而削弱且因此加熱之前 (非發泡狀態）的黏接性減小。此外，由加熱處理導致的熱❹ 可膨脹壓敏黏接層之變形程度極小，且因此難以平滑地減 小黏接力。另一方面，當熱可膨脹壓敏黏接層之厚度過大 Ν·，在藉由加熱處理膨脹或發泡之後傾向於在熱可膨脹壓 敏黏接層中發生内聚破壞且在一些狀況下可在黏接體上產 生黏接劑殘餘物。 熱可膨脹壓敏黏接層可為單一層或多層。 在本發明中’熱可膨脹壓敏黏接層可在不削弱本發明之 優勢及其類似者之範圍内含有各種添加劑（例如，著色© 劑、增稍劑、延伸劑、填充劑、增黏劑、增塑劑、抗老化 劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等）。 在本發明中，熱可膨脹壓敏黏接層可藉由加熱而熱膨 ， 脹。可利用適當加熱設備(諸如，熱板、熱風乾燥器、近-紅外線燈或空氣乾燥器）來執行加熱處理。加熱處理時的 加熱溫度可為熱可膨脹壓敏黏接層中之發泡劑（熱可膨脹 微球體等）的發泡開始溫度（熱膨服開始溫度）或更高。可根 144915.doc -24- 201030118 據發泡劑（熱可膨脹微球體等）之種類及類似物、基底材 料日日粒接合膜等之对熱性、加熱方法（熱容1：、加熱設 備等)及’、類似者而取決於黏接區域的減小輪廓來適當地 又疋力，，、、處理之條件。加熱處理之一般條件如下：1 〇〇〇c 至25(TC之溫度歷時丨秒至9〇秒（熱板及其類似者）或5分鐘至 15为鐘（熱風乾燥器及其類似者）。可取決於預期使用目的 而在適當階段執行加熱處理。此外，存在紅外線燈或經加 熱之水可在加熱處理中用作熱源的狀況。 (中間層） 在本發明中，可在基底材料與熱可膨脹壓敏黏接層之間 提供中間層。作為此類中間層，可提及出於改良黏接力之 目的之底塗劑的塗層。此外，除底塗劑之塗層外之中間層 的實例包括出於給予良好變形性質的目的之層、出於增加 與黏接體（半導體晶圓等）之黏接區域的目的之層、出於改 良黏接力的目的之層、出於達成對黏接體（半導體晶圓等） φ 之表面形狀之良好遵循能力的目的之層、出於改良用於藉 由加熱減小黏接力之處理能力的目的之層及出於改良在加 熱之後自黏接體（半導體晶圓等）之剝離能力的目的之層。 特定言之，自將變形性質給予具有熱可膨脹壓敏黏接層 之切割用膜並改良其在加熱之後的剝離能力之觀點言之， 較佳在基底材料與熱可膨脹壓敏黏接層之間提供橡膠有機 彈性中間層。如上所述，藉由提供該橡膠有機彈性中間 層’在將切割用晶粒接合膜黏接至黏接體時，該切割用晶 粒接合膜之表面可良好遵循黏接體之表面形狀，藉此可擴 144915.doc -25- 201030118 大黏接區域。此外，可在加熱及自切割用膜剝離晶粒接合 膜與黏接體時高度（準確地）控制熱可膨脹壓敏黏接層之熱 膨脹，藉此熱可膨脹壓敏黏接層可在厚度方向上優先地且 均一地膨脹。即，橡膠有機彈性中間層可發揮以下作用： 藉由在切割用晶粒接合膜黏接至黏接體時使表面遵循黏接 體之表面形狀而提供大黏接區域；及藉由在出於自切割用 膜剝離晶粒接合膜與黏接體之目的而藉由加熱使熱可膨脹 ‘壓敏黏接層發泡及/或膨脹時減小發泡及/或膨脹在切割用 膜之平面方向中的限制，經由熱可膨脹壓敏黏接層之三維⑬ 結構改變而促進波狀結構之形成。 附帶而言，橡膠有機彈性中間層為根據需要而提供之層 (如上文所提及）且可能未必提供。橡膠有機彈性中間層係 較佳出於增強處理期間之黏接體之固定能力及其在加熱之 後的剝離能力之目的而提供。 較佳以上覆於熱可膨脹祕黏接層上的形式在基底材料 側處的熱可膨脹壓敏黏接層之表面上提供橡膠有機彈性中 間層°就此而論’中間層亦可按照除基底材料與熱可膨服〇 壓敏黏接層之間的中間層外之層來提供。 橡膠有機彈性中間層可插入於基底材料之一個表面或兩 個表面上。 . 橡膠有機彈性中間層較佳由天然橡膠、合成橡膠或具:t . 橡膠彈性之合成樹脂形成’其(例如)具有5〇或更少(特定言 之^或更少）之根據ASTM D销〇之〇型肖氏硬度。就此 娜即使田聚合物主要為諸如聚氣乙稀之硬聚合物時， 144915.doc • 26 · 201030118 諸如增塑劑或軟化劍之摻合劑組合的情況下展現 、 J J用作橡膠有機彈性中間層之構 成材料。

可藉由諸如以下各者之形成方法來形成橡膠有機彈性中 間層：包括塗覆含有橡膠有機彈性層形成材料（諸如，天 然橡膠、合成橡膠或具有橡膠彈性之合成㈣）之塗布液 體的方法（塗布方法）；包括將由橡膠有機彈性層形成材料 組成之膜或由橡膠有機彈性中間層構成材料組叙層預先 形成於-或多個熱可_敏黏接層上的層麗膜黏接至基 底材料上之方法（乾式層壓方法）；或包括共擠壓含有基底 材料之構成材料的樹脂組合物與含有橡膠有機彈性層形成 材料之樹脂組合物的方法（共擠壓方法）。 附帶而言，橡膠有機彈性中間層可由作為主要成份之含 有天然橡膠、Μ橡膠或具有橡㈣性之合成樹脂的壓敏 黏接物質形成且可由主要含有此類成份之經發泡之膜形 成。發泡可藉由常用方法而達成，例如，藉由機械攪拌進 行之方法、利用反應形成之氣體的方法、使用發泡劑之方 法、移除可溶性物質之方法、藉由喷塗進行之方法形成 混凝泡（syntactic f0am)之方法、燒結方法或其類似者。 諸如橡膠有機彈性中間層之中間層的厚度為（例如）約5 μπι至300 μιη，且較佳為約20 μηι至1 50 μιη。在中間層為 (例如）橡膠有機彈性中間層之狀況下，當橡膠有機彈性中 間層之厚度過小時，不能達成熱發泡之後的三維結構改變 且因此在一些狀況下剝離能力變得較差。 144915.doc -27- 201030118 諸如橡膠有機彈性中間層之中間層可為單一層或可由兩 個或兩個以上層構成。此外，作為諸如橡膠有機彈性中間 層之中間層，較佳使用不抑制活性能量射線之透射的層。 附帶而言，中間層可在不削弱本發明之優勢及其類似者 的範圍内含有各種添加劑（例如，著色劑、增稠劑、延伸 劑、填充劑、增黏劑、增塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、界 面活性劑、交聯劑等）。 (晶粒接合膜） 重要的是，晶粒接合膜具有以下功能：在壓接於晶粒接 合膜上之半導體晶圓之處理（例如，將其分割成晶片形式） 期間黏接並支撐該半導體晶圓；及在安裝半導體晶圓的經

處理體（例如，分割成晶片形式之半導體晶片）時充當該半 導體晶圓之該經處理體與各種載體之接合層。特定言之， 作為晶粒接合膜，重要的是具有使得經分狀^半導體 晶圓之處理（例如，諸如分割之處理）期間不飛揚之黏接 性。 在本發明中，該晶粒接合膜係由含有環氧樹脂之樹脂组❹ 合物構成。在該樹脂組合物令，環氧樹脂之比率以聚合物 成份之總量計可適當地選自5重量％或更多、較佳7重量％ 或更多且更佳9重量％或更多之範圍。環氡樹脂之比料 - j限並不文特定限制且以聚合物成份之總量計可為1⑽重 量％或更少，但其較佳為50重量％或更少，且更佳為4〇重 量％或更少。 自含有腐料導體器件之較少離子雜質及其類似者的觀 144915.doc -28· 201030118 點言之，縣樹耗較㈣。 只要立大田>g並不受特定限制’ -要其大體用作黏接劑組 镩官妒产备似nfc丄 J舉例而吕，可使用： 雙g月匕衣氧樹月日或多官能 at德t ^ 諸如，雙酚A型環氧 樹脂、雙酚F型環氧樹脂、 1哀乳 m m μ μ ι裒氧樹脂、溴化雙酚a S %乳樹脂、氫化雙酚提备此^ 壤氧樹月日、雙紛AF型環氧接} 脂、聯苯型環氧樹脂、蔡型環氧樹脂、第型環氧樹月i 梅型環氧樹脂、鄰甲紛㈣型環氧樹脂、三，苯基； 炫型環氧樹脂及四苯齡乙俨 坑（tetraphenylolethane)型環氧樹 脂或諸如乙内酿膝型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油醋型 環㈣脂或縮水甘油胺型環氧樹脂之環氧樹脂。環氧樹脂 可單獨地加以使用或去函接斗、工仏 用及#兩種或兩種以上類型可組合地加以 使用。 作為環氧樹脂，在上文所例示之此等環氧樹脂中，酚醛 型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三經苯基甲烧型環氧樹脂 及四本驗乙统型環氧樹脂為尤其較佳的。此係因為此等環 • 氧樹脂與作為固化劑之酚樹脂具有高反應性且在耐熱性及 其類似者方面極佳。 此外’可根據需要將其他熱固性樹脂或熱塑性樹脂組合 地用於晶粒接合膜中。熱固性樹脂之實例包括酚樹脂、胺 基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹 脂及熱固性聚醯亞胺樹脂。此等熱固性樹脂可單獨地加以 使用或者兩種或兩種以上類型可組合地加以使用。此外， 酚樹脂作為環氧樹脂之固化劑係較佳的。 此外，酚樹脂充當環氧樹脂之固化劑，且其實例包括： 144915.doc -29- 201030118 盼搭型紛樹脂’諸如，苯酚酚醛樹脂、酚芳烷基樹脂、甲 齡驗酿樹脂、第三丁基苯酚酚醛樹脂及壬基苯酚酚醛樹 脂；甲階紛搭樹脂型酚樹脂；及聚氧苯乙烯，諸如，聚對 氧苯乙烯。其可單獨地加以使用或者兩種或兩種以上類型 可組合地加以使用。在此等酚樹脂中，苯酚酚醛樹脂及盼 芳烧基樹脂為尤其較佳的。此係因為可改良半導體元件之 連接可靠性。 環氧樹脂對酚樹脂之混合比較佳經形成以使得（例如）在 環氧樹脂成份中之每一當量之環氧基的狀況下，酚樹脂中 之羥基變成0.5至2_0當量。其更佳為〇.8至1_2當量。亦即， 當混合比變成在該範圍之外時，固化反應並未充分進行， 且環氧樹脂固化產品之特性傾向於退化。 熱塑性樹脂之實例包括：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二 稀橡膠、氣丁 一稀橡膠、乙稀-乙酸乙稀S旨共聚物、乙稀_ 丙烯酸共聚物、乙稀-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、 聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、諸如6·耐綸及6,6_ 耐綸之聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、諸如 PET及PBT之飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂及氟化樹 脂。此等熱塑性樹脂可單獨地加以使用或者兩種類型或兩 種以上類型可組合地加以使用。在此等熱塑性樹脂中，離 子雜質較少、耐熱性高且半導體器件之可靠性可得以碟保 之丙烯酸系樹脂尤其較佳。 丙稀酸系樹脂並不受特定限制，且其實例包括含有作為 成份之一種類型或兩種類型或更多的具有直鏈或支鍵烧基 144915.doc -30- 201030118 (其具有30個或更少碳原子，特定言之，4至18個碳原子）之 丙烯酸酯或（曱基）丙烯酸酯的聚合物。烷基之實例包括甲 基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、 戊基、異戊基、己基、庚基、2-乙基己基、辛基、異辛 基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一基、十二基（十 • 一院基）、十三基、十四基、十八烧酸基及十八基。 此外，用於形成丙烯酸系樹脂之其他單體（除具有3〇個 I 或更少碳原子之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯類外的單體）並 不受特定限制，且其實例包括：含羧基單體，諸如，丙稀 酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康 酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸及丁烯酸；酸酐單體，諸 如，順丁烯二酸酐及衣康酸酐；含羥基單體，諸如，（甲 基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙稀 酸4-經丁酯、（甲基）丙烯酸6-羥己酯、（甲基）丙烯酸8_經辛 酯、（曱基）丙稀酸10-羥癸酯、（曱基）丙烯酸12-羥十二酯及 φ 曱基丙烯酸4-羥曱基環己酯；含磺酸基單體，諸如，苯乙 烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(曱基）丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、 (曱基）丙烯醯胺丙磺酸、（曱基）丙烯酸磺丙酯及（甲基）丙烯 - 酿氧萘磺酸；及含磷酸單體’諸如，磷酸2-羥乙基丙烯醯 • 酉旨。 在本發明中，可以聚合物成份之總量計以小於90重量 %(例如’ 1重量％至90重量。/〇)之比率使用熱塑性樹脂（特定 言之’丙烯酸系樹脂）。諸如丙烯酸系樹脂之熱塑性樹脂 的比率以聚合物成份之總量計較佳為20重量％至85重量 144915.doc •31- 201030118 % ’且更佳為40重量％至80重量％。 因為晶粒接合膜之黏接層（由含有環氧樹脂之樹脂組合 物組成的黏接層）某種程度上預先交聯，所以在製造黏接 層時’較佳將與在聚合物之分子鏈之末端的官能基反應之 多官能化合物作為交聯劑添加。因此，改良高溫下之黏接 特性’且嘗試耐熱性之改良。 此處’可根據需要在晶粒接合膜之黏接層（由含有環氡 樹脂之樹脂組合物組成的黏接層）中適當地摻合其他添加 劑。此等添加劑之實例包括阻燃劑、矽烷偶合劑及離子捕 ❹ 捉劑以及著色劑、延伸劑、填充劑、抗老化劑、抗氧化 劑、界面活性劑、交聯劑等。阻燃劑之實例包括三氧化二 錄、五氧化二錄及溴化環氧樹脂。阻燃劑可單獨地加以使 用或者兩種或兩種以上類型可組合地加以使用。矽烷偶合 劑之實例包括β-(3,4_環氧環己基）乙基三甲氧基矽烷、γ—縮 水甘油氧基丙基三曱氧基矽烷及γ縮水甘油氧基丙基甲基 二乙氧基矽烷。矽烷偶合劑可單獨地加以使用或者兩種或 兩種以上類型可組合地加以使用。離子捕捉劑之實例包括⑬ 水滑石及氫氧化鉍。離子捕捉劑可單獨地加以使用或者兩 種或兩種以上類型可組合地加以使用。 舉例而言，晶粒接合獏可由含有環氧樹脂之樹脂組合物 形成且可具有僅由黏接層（由含有環氧樹脂之樹脂組合物 . 形成的晶粒黏接層）之單一層組成的組態。此外，其可藉 由除環氧樹脂之外亦適當地組合具有不同玻璃轉移溫度之 熱塑性樹脂及具有不同熱固化溫度的熱固性樹脂而具有兩 144915.doc -32· 201030118 層或兩個以上層之多層結構。 附帶而言，因為分割水用於半導體晶圓之切割步驟中， 所以存在晶粒接合膜吸收水分且水分含量變成正常條件或 I多的狀況。當晶粒接合膜以此高水分含量黏接至基板等 時，存在水蒸汽在固化後之步驟中積聚於黏接界面上且因 • &產生浮動的狀況。因此，藉由使晶粒接合膜具有夾入具 有高水分渗透性之核心材料與用於晶粒黏接之黏接層的組 • •態，水蒸汽在固化後之步驟中經由該膜擴散且因此可避免 此類問題。自此類觀點言之，晶粒接合膜可具有黏接層形 成於核心材料之一面或兩面上的多層結構。 核心材料之實例包括膜（例如，聚酿亞胺膜、聚醋膜、 聚對苯二甲酸乙二醋膜、聚蔡二甲酸乙二醋膜、聚碳酸醋 膜等）、用玻璃纖維或塑膠非織纖維加固之樹脂基板、碎 基板及玻璃基板。 晶粒接合膜在uT〇+2〇t之溫度範圍十較佳具有…^ • 至mo丨。Pa的彈性模數(特定言之，由含有環氧樹脂之 樹脂組合物形成的黏接層之彈性模數），其中τ。表示切割 用膜之熱可膨脹壓敏黏接層的發泡開始溫度（亡卜更佳的 疋，在To至T〇+2(TC之溫度範圍中的晶粒接合膜之彈性模 數（特定言之，由含有環氧樹脂之樹脂組合物形成的黏接 層之彈性模數)更佳為lxl〇5 Pa至lxl〇s pa，且尤鮮 ΜΟΈΧΠ)7 Pa。在晶粒接合膜（特定言之，黏接層）之 彈性模數(溫度：τ。至T〇+20t)小於lxl〇5 pa的狀況下在 熱可膨脹壓敏黏接層藉由加熱處理而發泡並剝離時，晶粒 144915.doc •33- 201030118 接合膜可遵循藉由熱膨脹發生之壓敏黏接劑之表面形狀改 變且因此可在一些狀況下抑制剝離強度之減小。附帶而 言’晶粒接合膜之彈性模數（Pa)為在藉由熱固化展現黏接 力之前的晶粒接合膜之彈性模數。 此外’較佳的是，（T()+2(rc)下的晶粒接合膜之彈性模 數/(T〇+2(TC)下的熱可膨脹壓敏黏接層之彈性模數（有時被 稱為「晶粒接合膜之彈性模數/熱可膨脹壓敏黏接層之彈 性模數（T()+2(rc)」）為1至200,000。「晶粒接合膜之彈性模 數/熱可膨脹壓敏黏接層之彈性模數（TG+2〇<t)」較佳為1至 2’000，且更佳為1至15〇。當「晶粒接合膜之彈性模數/熱 可膨脹壓敏黏接層之彈性模數（TG+2(TC)」小於1時，晶粒 接合膜可遵循藉由熱膨脹發生之熱可膨脹壓敏黏接層之表 面形狀改變且因此拾取性質在一些狀況下可減小。當「晶 粒接合膜之彈性模數/熱可膨脹壓敏黏接層之彈性模數 (T0+2〇t)」大於200,000時，藉由熱膨脹發生之熱可膨脹 壓敏黏接層之表面形狀改變有時可變得不充分。 藉由以下步驟測定晶粒接合膜之彈性模數：製備該晶粒 接合膜而不將晶粒接合膜層壓至切割用膜上；及使用由 Hhe〇metnCS Co_ Ltd.製造之動態黏彈性量測裝置「固體分 析器RS A2」在氮氣氛圍下於指定溫度（vc，「。+2〇)。〇 下在1〇 mm之樣本寬度、22·5 mm之樣本長度、〇 2 之 樣本厚度、i Hz之頻率及1〇t/分鐘之溫度升高速率的條 件下於拉力模態下量測彈性模數’且該彈性模數被視為所 獲得之拉伸儲存彈性模數]E，的值。 144915.doc -34- 201030118 附帶而言，熱可膨脹壓敏黏接層之發泡開始溫度（τ0)意 謂能夠藉由加熱處理將含有發泡劑（熱可膨脹微球體等）之 熱可膨脹壓敏黏接層的黏接力減小至加熱之前的點接力之 1 〇%或更少的最小加熱處理溫度。 因此’可藉由量測能夠將含有發泡劑（熱可膨脹微球體 等）之熱可膨脹壓敏黏接層的黏接力（壓敏黏接力）減小至加 熱之前的黏接力之10%或更少的最小加熱處理溫度而測定 籲 發泡開始溫度11具體言之，具有20 mm之寬度及25 μιη之 厚度的聚對本二f酸乙二醋膜（商標名「Lumiiar si〇#25」 (由Toray Industries，Inc.製造）；有時被稱為ΓρΕΤ膜」）藉 由手墨輥（hand roller)而附著於切割用膜之含有發泡劑（熱 可膨脹微球體等）之熱可膨脹壓敏黏接層的表面上，以便 不夾帶氣泡，以藉此製備測試件。關於該測試件，在pET 膜之附著的30分鐘之後以18〇。之剝離角剝除該pET膜，接 著量測此時之壓敏黏接力（量測溫度：23〇c，拉引速率： • 3〇〇 mm/min，剝離角：18〇。），且將此壓敏黏接力視為 「初始壓敏黏接力」。此外，將藉由上文所提及之方法製 如·的測6式件置放於設定成每一溫度（加熱處理溫度）之熱循 %乾燥器中歷時1分鐘且接著將《自該熱循環乾燥器中取 出，接著使其保持於23»c歷時2個小時。在此之後，以 之剝離角剝除該PET膜，接著量測此時之壓敏黏接力 (量測溫度：23°C，拉引速率：300 mm/min，剝離角： 18〇°) ’且將此壓敏黏接力視為「加熱處理之後的壓敏黏 接力」。接著，使加熱處理之後的麼敏黏接力變成初始壓 144915.doc 35· 201030118 敏黏接力之10%或更少的最小加熱處理溫度被視為發泡開 始溫度（To)。 此處，可藉由調整晶粒接合膜或壓敏黏接層之基礎聚合 物之交聯或固化的種類及狀態而控制晶粒接合膜之彈性模 數。 晶粒接合膜之厚度並不受特定限制。然而，其為約5 μιη 至100 μηι ’且較佳為約5 μιη至50 μηι。 切割用晶粒接合膜之晶粒接合膜較佳由 於諸圖中Μ呆護。該分離件具有作為保護晶粒接合(=: 其經實際使用為止之保護材料的功能。此外，該分離件在 將晶粒接合膜轉移至熱可膨脹壓敏黏接層時可用作支撐基 底材料。該分離件在將工件附著至切割用晶粒接合膜= ==上時被義1為該分離件，亦可❹聚乙婦或 =丙婦之膜以及塑膠媒（聚對苯二曱酸乙二醋）或表面塗布 底如’氟為底質之脫離劑或長鏈丙烯酸院醋為 此外…、劑)的紙。可藉由習知之方法形成該分離件。 β亥/刀離件之厚度或其類似者並不受特定限制。 根據本發明，切宝，丨用S如j^人 &。】用日曰粒接合膜可製造成具有抗靜電功 、該抗靜電功能，可防止電路歸因於 接合膜之黏接及剝離時的靜電能之產生或藉由靜;，粒 :(半導體晶圓等)之充電而崩潰。可藉由諸如以下：：工 適當方式來執行賦予抗靜電功能方法之 添加至基底材料、熱可B A 1 丨或導電物質 法；或將由電荷層及“接合膜的方 轉移錯合物、金屬膜或其類似者組成之導 1449I5.doc • 36 · 201030118 電層提供至基底材料上的方法。作為此等方法，難以產 擔心會改變半導體晶圓之品質之雜質離子的方法為較： 的。待出於給予導電性、改良熱傳導性及其類似者之目的 而摻合之導電物質（導電填充劑）的實例包括：球體狀、針 狀、片狀金屬粉末’諸如，銀、紹、金、銅、錄及導電合 金；金屬氧化物，諸如，氧化鋁；非晶形碳黑及石墨。然 而，自無漏電之觀點言之，晶粒接合膜較佳為非導電的。

本發明之切割用晶粒接合膜可具有適當形式諸如，薄 片形式或帶形式。 (切割用晶粒接合膜之製造方法） 將切割用晶粒接合膜i 0作為實例來描述本發明之切割用 晶粒接合膜之製造方法。首先，可藉由習知之膜製造方法 形成基底材料la。膜形成方法之實例包括壓光臈形成方 法、有機溶财之關方法、緊密密封系統中之充氣擠廢 方法、T字模擠壓方法、共擠壓方法及乾式層壓方法。 接著，藉由將含有熱可膨脹壓敏黏接劑之熱可膨脹壓敏 黏接劑組合物塗覆至基底材料13上，接著乾燥（藉由根據 而要的在加熱情形下之交聯）而形成熱可膨脹壓敏黏接層 比。塗覆方式之實例包括滾塗法、網板塗布及凹板塗布。 就此而論，熱可膨脹壓敏黏接劑組合物之塗覆可直接執行 於基底材料la上以在該基底材料1&上形成熱可膨脹壓敏黏 接層lb，或熱可膨脹壓敏黏接劑組合物可塗覆至表面已經 文脫離處理之脫離紙或其類似者上且接著轉移至基底材料 la上以在該基底材料la上形成熱可膨脹壓敏黏接層比。 1449I5.doc -37- 201030118 另一方面’藉由將用於形成晶粒接合膜3之形成材料塗 覆至脫離紙上以便具有指定厚度且進一步在指定條件下進 行乾燥而形成塗覆層。藉由將此塗覆層轉移至熱可膨嚴壓 敏黏接㈣上而在該熱可膨脹㈣純層ib上形成晶粒接 合膜3。就此而論，亦可藉由將用於形成晶粒接合膜3之形 成材料直接塗覆至熱可膨脹壓敏黏接層“上，接著在指定 條件下進行乾燥而在該熱可膨脹壓敏黏接_上形成晶粒 接合膜3。如上文所描述’可獲得本發明之切割用晶粒接 合膜10 ^ (半導體晶圓） 半導體晶圓並不受特^限制，只要其為已知或常用之半 導體晶圓即可’且可適當地選自由各種材料製成之半導體 晶圓。在本發明中’作為半導體晶圓，可適當地使用石夕晶 (半導體元件之製造方法） ❹ 用於製造本發明之半導體元件之方法並不受特定限制， 只要其為用於使用切制晶粒接合膜製造半導體元件之方 法即可。舉例而言，在視情況地提供於晶粒接合膜上之分 離件經適當剝離之後，可如下使用本發明之切制晶粒接 合膜來製造半導體元件。在下文中，參看圖3A至圖3E， 描述在使用切割用晶粒接合_作為實例時的方法。首 先，將半導體晶圓4壓接至切割用晶粒接合膜之晶粒 接合膜31上以用於藉由黏接及固持而固定該半導體晶圓 (安裝步驟)。本步驟係在藉由諸如壓輥之按壓設備進行按 144915.doc •38- 201030118 壓的同時執行。 定!行半導體晶圓4之切割。因此，半導體晶圓4分 曰H小且經個恥（形成為若干小片）以製造半導體 :_。舉例而言’遵循正常方法自半導體晶圓4之電路面 :刀割。此外’舉例而[本步驟可採用形成到達切 =a粒接合膜11之狹縫的被稱為全分割之分割方法。本 ::中所使用的切割裝置並不受特定限制，且可使用習知

=裝置。此外，因為半導體晶圓4藉由切割用晶粒接合媒 而點接並固定’所以可抑制晶片破裂及晶片飛揚，且亦 可抑制半導體晶圓之損壞。就此而論，因為晶粒接合膜係 由含有環氧樹脂之樹脂組合物形成，所以即使當其藉由切 /而刀」時’仍在分割表面處抑制或防止發生黏接劑自晶 粒接合膜之黏接層擠出。因此，可抑制或防止分割表面自 身的再附著（黏連）且因此可更便利地執行下文待提及之拾 取。 〇

在使切割用晶粒接合膜膨脹之狀況下，可使用習知之膨 脹裝置來執行膨脹。該膨脹裝置具有能夠經由切割環將切 割用晶粒接合膜向下推動的環狀外環及具有比該外環小之 直控並支撐該切割用晶粒接合膜的内環。由於該膨服步 驟’有可能在下文待提及之拾取步驟中防止相鄰半導體晶 片經由彼此之接觸所造成的損壞。 執行半導體晶片5之拾取以便收集黏接並固定至切割用 晶粒接合膜11之半導體晶片。拾取之方法並不受特定限 制’且可採用習知之各種方法。其實例包括一種包括藉由 144915.doc -39· 201030118 針將每一半導體晶片5自切割用晶粒接合膜之基底材料la 側向上推動並藉由拾取裝置拾取經推動之半導體晶片5的 方法。 此處，該拾取係在藉由使熱可膨脹壓敏黏接層lb經受指 定熱處理而進行的熱膨脹之後執行。因此，熱可膨脹壓敏 黏接層lb與晶粒接合膜31之壓敏黏接力（黏接力）減小且 半導體晶片5之剝離變得容易。因此，拾取變得可能而不 損壞半導體晶片5。就此而論，適用於加熱處理之加熱裝 置並不受特定限制，且可提及上文例示之加熱裝置，諸 如，熱板、熱風乾燥器、近紅外線燈或空氣乾燥器。 將經拾取之半導體晶片5經由插入於該半導體晶片5與黏 接體6之間的晶粒接合媒31而純並固^至該黏接體6(晶 粒接合）。將黏接體6安裝至加熱塊9上。黏接體6之實例包 括引㈣架、TAB膜、基板及單獨製造之半導體晶片。舉 例而s ’黏接體6可為易於變形之可變形黏接體或可為難 以變形之非可變形黏接體（半導體晶圓等）。 可將習知之基板用作基板。此外，可將以下各者用作引 線框架：金屬引線框架，諸如，Cu引線框架及42合金引線 框架；及有機基板，其由玻璃環氧樹脂、Βτ(雙順丁稀二 酿亞胺-三嗪)或聚醯亞胺組成，，本發明不限於上 文，且包括可在安裝半導體器件及與該半導體器件電連接 之後使用的電路基板。 因為晶粒接合膜31由含有環氧樹脂之樹脂組合物形成， 所以勒接力藉由熱固化而增強且因此半導體晶片5可黏接 144915.doc -40- 201030118 並固定至黏接體6上以改良財熱性強度。此處，半導體晶 片5經由半導體晶圓附著部分3U而黏接並狀至基板或其 類似者上的產品可經受回焊步驟。在此之後，藉由使基板 之端子部分（内部引線）的尖端及半導體晶片5上之電極㈣ (未展示於圖中）與接合線7電連接而執行線接合，且此外， 半導體晶片5藉由密封樹脂8而密封，接著固化該密封樹脂 8。因此，製造出根據本實施例之半導體元件。

實例 下文將以說明方式詳細地描述本發明之較佳實例。然 而除非另外陳述，否則此等實例中所描述之材料、混合 量及其類似者不意欲將本發明之範嘴僅限制於彼等所陳述 者’且其僅為解釋性實例。此外，除非另外陳述，否則每 一實例中之份為重量標準。 實例1 <切割用膜之製造> ' • 「藉由將95伤之丙烯酸2-乙基己酯（下文中有時稱為 「「2EHA」）、5份之丙烯酸2_羥乙酯（下文中有時稱為 *「HEA」）及65份之甲苯裝入至配備有冷卻管、氮氣引入 Β 度计及攪拌裝置的反應器中，接著在611下在氮氣 机中執行聚合處理歷時6個小時而獲得丙烯酸系聚合物X。 接著’藉由將3份之聚異氰酸酯化合物（由Nippon Polyurethane IndUstry c〇 , Ltd 製造之商標名「c〇l〇nate J )及35伤之熱可膨脹微球體（由Matsumoto Yushi-Seiyaku ’ Ltd.製k之商標名「Microsphere F-50D」；發泡開始 144915.doc •41- 201030118 溫度：120°C)添加至100份的丙烯酸系聚合物X中而製備熱 可膨脹壓敏黏接劑之壓敏黏接劑溶液。 藉由將上文中製備之壓敏黏接劑溶液塗覆至具有50 μηι 之厚度的聚對苯二曱酸乙二酯膜（PET膜）上，接著在80°C 下執行熱交聯歷時3分鐘以形成具有40 μηι之厚度的壓敏黏 接層（熱可膨脹壓敏黏接層）而製造作為切割用膜之熱可膨 脹壓敏黏接薄片。 <晶粒接合膜之製造> 以100份之具有作為主要成份之丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸 曱酯的基於丙烯酸S旨之聚合物（由Negami Chemical Industrial Co., Ltd.製造之商標名「PARACRON W-197CM」）計，將以下各者溶解至曱基乙基酮中以製備具 有23.6重量％之固體濃度的黏接劑組合物溶液：59份之環 氧樹脂 1(由 Japan Epoxy Resins (JER) Co.，Ltd.製造之商標 名「EPICOAT 1004」）、53份之環氧樹脂 2(由 Japan Epoxy Resins (JER) Co.，Ltd.製造之商標名「EPICOAT 827」）、 121份之紛樹脂（由Mitsui Chemicals, Inc.製造之商標名 「MILEX XLC-4L」）、222份之球體石夕石（由Admatechs Co·，Ltd.製造之商標名「SO-25R」）。 將該黏接劑組合物溶液塗覆至由作為脫離襯墊（分離件） 的具有38 μιη之厚度之PET膜（已在其上執行聚矽氧脫模處 理）組成的經脫模處理之膜上且接著在130°C下乾燥歷時2 分鐘。因此，製造出具有25 μιη之厚度之晶粒接合膜A。此 外，藉由將晶粒接合膜A轉移至上文所描述之切割用膜的 144915.doc -42- 201030118 熱可膨脹壓敏黏接層上而獲得根據本實例1的切割用晶粒 接合膜。 實例2 <晶粒接合膜之製造> 以1 00份之具有作為主要成份之丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸 甲醋的基於丙烯酸醋之聚合物（由Negami Chemical Industrial Co., Ltd.製造之商標名「PARACRON W-197CM」）計，將以下各者溶解至曱基乙基酮中以製備具 有23.6重量％之固體濃度的黏接劑組合物溶液：102份之環 氧樹脂 1(由 Japan Epoxy Resins (JER) Co.，Ltd.製造之商標 名「EPICOAT 1004」）、13份之環氧樹脂 2(由 Japan Epoxy Resins (JER) Co.，Ltd.製造之商標名「EPICOAT 827」）、 119份之盼樹脂（由Mitsui Chemicals, Inc.製造之商標名 「MILEX XLC-4L」）、222份之球體石夕石（由Admatechs Co·, Ltd·製造之商標名「SO-25R」）。 將該黏接劑組合物溶液塗覆至由作為脫離襯墊（分離件） 的具有38 μιη之厚度之PET膜（已在其上執行聚矽氧脫模處 理）組成的經脫模處理之膜上且接著在130°C下乾燥歷時2 分鐘。因此，製造出具有25 μπι之厚度之晶粒接合膜B。 以與實例1相同之方式製造切割用晶粒接合膜，除了替 代晶粒接合膜Α而使用晶粒接合膜Β外。 實例3至4 在實例3至4中之每一者中以與實例1相同之方式製造切 割用晶粒接合膜，除了將切割用膜改變至具有表1中所展 144915.doc -43- 201030118 示之組成及含量的對應切割用膜外。 比較實例1至5 在比較實例1至5中之每一者中以與眘如,4 … 、 窄T興貫例1相同之方式製 造切割用晶粒接合膜，除了將切割用膜改變至具有表丄中 所展示之組成及含量的對應切割用膜外。 比較實例6 在比較實例6中以與實你M ★日印少士斗、也丨 耳例1相同之方式製造切割用晶粒接 合膜’除了將20份的基於萜嫌輪夕姓 j m %帖师粉之樹脂（由Sumit〇m〇

Bakelite Co·，Ltd.製造之商標名「pR_126〇3j )添加至切割 用膜之壓敏添加劑外。 144915.doc 44- 201030118 Αν 比較 實例6 in 1 1 CO cn C 32.3 1·4χ105 1 | l.OxlO5 I I 1.4xl06 I I 1.2xl06 I 00 00 良好 〇 比較 實例5 σ\ m 1 < 1 24.2 1 Ιΐ.2χ105 1 1 1.1x10s I | 1.4xl06 1.2χ106 oo 00 〇 比較 實例4 沄 \〇 1 CO m 1 < 27.8 1 1.8xl05 1 j 1.7x10s | | 1.4xl06 | 1.2xl06 卜 良好 寸 Η 比較 實例3 s 沄 ^T) m m 1 <1 1 27.1 1 1.6xl05 I 1.6xl05 1 1·4χ106 1.2xl06 H vd J〇i>i 〇 比較 實例2 s 1 o 1 m CO 1 1 27.3 | 2.5xl05 j 2 X r-^l 1.4xl06 比較 實例1 o 1-H I 1 1 m … cn 1 <i 1 24·ι 1 | 7.8x104 I 1 1.3X104 ] 1.4xl06 | 1.2xl06 j ON 實例 4 S iT) CO in 1 cn 1 <i 1 26.7 j Γ 1.6xl05 | 1.6xl05 | 1.4xl06 | 1.2xl06 t-H j〇Sil cs 00 ¥ a\ 1 1 0.05 m cn 1 c 1 24.9 I | 8.1xl04 j j 1.3xl04 | | 1.4xl06 | 1.2xl06 | 汝 ί〇 實例 2 yn On 1 in 1 m cn 1 PQ 1 24·5 | 1.2xl05 | l.lxlO5 1 1-H X C\ i-H X Os <0.8* 索 ο 實例 1 ^T) I 1 m m 1 < 1 24·5 1 1 1.2xl05 j o X 1—H 1—H | 1.4X106 | 1.2X106 00 00 岽 ο | 2EHA | __Μ__ HEA AA C/L 「F-50D 1 SUMILITE 晶粒接合膜 i % 4m G’(在 23°C 下)(Pa) G'(在 150°C 下)(Pa) ! E1(在 T〇°C 下)(Pa) E(在 T〇+20°C 下)(Pa) E，/G，(T0+20°C) 切割性質 拾取評估(％) 熱可膨脹壓 敏黏接層 ΡΟΖΤΗ 144915.doc -45- 201030118 此處’表1中所描述之縮寫之含義如下。 2EHA:丙稀酸2-乙基己酯 BA :丙稀酸正丁醋 AA :丙烯酸 HEA :丙烯酸2-經乙酯 C/L t 異.氣酸 S曰化合物（由 Nippon Polyurethane

Industry Co·，Ltd.製造之商標名「COLONATEL」） SUMILITE:基於萜烯_酚之樹脂（由 Sumit〇rn〇 Bakelite

Co.，Ltd.製造之商標名rPR_126〇3」） ❹ (評估） 關於實例1至4及比較實例〗至6之切割用晶粒接合膜，藉 由以下評估或量測方法評估或量測每一切割用膜中之壓敏 黏接層的表面自由能、關於每一切割用膜中之壓敏黏接層 的彈性模數、每一晶粒接合膜之彈性模數、每一晶粒接合 膜之彈性模數/每-切割用m中之壓敏黏接I的彈性模數 (T0+2(rc)、切割性質及拾取性質。評估及量測之結果亦描 述於表1中。 ❹ <表面自由能之評估方法>

藉由以下步驟測定接觸角e(rad):在根據JIS z 8703之測 試地點的環境（溫度：23±2t，濕度：50±5% RH)下將水 I (蒸館水）或二峨曱烧之約i A之小液滴滴落至切割用膜中· 之每一者的壓敏黏接層（在熱可膨脹壓敏黏接層的狀況下 (實例1至4、比較實例1至4及6)，為熱膨脹之前的熱可膨脹 壓敏黏接層）之表面上；及使用表面接觸角量測儀「CA_ 144915.doc • 46- 201030118 X」（由FACE Company製造）在滴落之3〇秒之後藉由：點方 法量測該角。藉由對利用所獲得之兩個接觸角及自— 石—I文 獻已知的作為水及二碘甲烷之表面自由能值的值及以下方 程式（1 a)至（1C)而獲得之作為聯立線性方程組的兩個方程 式求解來計算切割用膜中之壓敏黏接層的表面自由能 (7s) 0

Ys=Tsd+Ysp (la) • η=γι/νρ (lb) (l+cos0)YL=2(YsdYLd)1/2+2(YspLp)1/2 (1c) 本文中’方程式（la)至（lc)中之各別符號分別如下。 Θ :以水或二碘曱烷之液滴量測之接觸角（rad)

Ys:壓敏層之表面自由能（mJ/m2) γ/ :壓敏層之表面自由能中之分散分量 γ/:壓敏層之表面自由能中之極性分量（mJ/m2)

Yl:水或二碘甲烷之表面自由能（mj/m2) 鲁 γ/:水或一峨曱烧之表面自由能中的分散分量（mj/m2) YLp:水或二埃曱烷之表面自由能中的極性分量（mJ/m2) 被稱為水（蒸顧水）之表面自由能值之值：[分散分量 (yLd) : 21.8(mJ/m2)，極性分量（Ylp) : 51 〇(mJ/m2)] 被稱為二碘甲烷之表面自由能值之值：[分散分量 (γ，）： 49.5(mJ/m2)，極性分量（Ylp):【3(mj/m2)] <切割用膜之壓敏黏接層之彈性模數的量測方法> 藉由製備相同壓敏黏接層（樣本）（除了不含有發泡劑外） 而評估或量測關於切割用膜之壓敏黏接層的彈性模數。使 144915.doc -47· 201030118 用由Rheometrics Co. Ltd.製造之動態黏彈性量測裝置 「ARES」在剪力模態下在丨Hz之頻率、5t：/分鐘之溫度升 高速率及0.1%(23°C )或0.3%(15(TC )之張力的條件下量測彈 性模數，且該彈性模數被視為在23。(：或15〇。(：下獲得之剪 切儲存彈性模數G，的值。 <晶粒接合膜之彈性模數的量測方法>

藉由以下步驟測定晶粒接合膜之彈性模數：製備該晶粒 接合膜而不將晶粒接合膜層壓至切割用膜上；及使用由 heometrics Co. Ltd.製造之動態黏彈性量測震「 析器-A2」在氮氣氛圍下於指定溫度⑽，（T^C刀) 下在mm之樣本寬度、22.5 mm之樣本長度、〇 2 ^^之 樣本厚度、丨Hz之頻率及阶/分鐘之溫度升高速率的條 件下於拉力模態下量測彈性模數，且㈣性模數被視為所 獲得之拉伸儲存彈性模數E,的值。 祝此而瀹，如下測定τ〇。

藉由經由手墨輥將具有25㈣之厚度的ρΕτ膜附著於 割用膜之㈣黏接層（熱可膨脹㈣黏接層）的表面上以 不夾帶氣泡而製造測試件。在ΡΕΤ膜之附著的3〇分鐘之 =0。之剝離肖剝除該ΡΕΤ膜，接著量測此時之塵敏點 力（$測溫度：23。(：，拉引圭.1ΛΛ 引速率· 300 mm/min，剝離角 )，且將此壓敏黏接力視為「初 將藉由上文所描述之方法製備的=置放於 —溫度（加熱處理溫度）之熱循環乾燥器中歷訇分 者將其自該熱循環乾燥器中取出，接著使其保持 1449l5.doc -48. 201030118 23°C歷時2個小時。在此之後，以1 80°之剝離角剝除該PET 膜，接著量測此時之壓敏黏接力（量測溫度：23°C，拉引 速率：300 mm/min，剝離角：180°) ’且將此壓敏黏接力 視為「加熱處理之後的壓敏黏接力」。 使「加熱處理之後的壓敏黏接力」減小至「初始壓敏黏 接力」之10%或更少的最小加熱處理溫度被視為發泡開始 溫度（T〇)。

實例1至4及比較實例1至4及6之切割用膜中之每一者的 壓敏黏接層之發泡開始溫度T〇為12(TC。因為比較實例5之 切割用膜的壓敏黏接層不含有發泡劑，所以該切割用膜無 發泡開始溫度。然而’為了比較彈性模數，比較實例i之 切割用膜的發泡開始溫度被視為12〇°C。因此，在此狀況 下，T〇+20°C 為 140°C。 <彈性模數比之評估方法> 根據藉由上文所提及之<切割用膜之壓敏黏接層之彈性 模數的量測方法>及<晶粒接合膜之彈性模數的量測方法〉 中的評估及量測而獲得之「（TG+2(rc)下的晶粒接合膜之彈 性模數」及「（Τϋ+2η；)下的㈣用膜之壓敏黏接層之彈性 模數」來計算晶粒接合膜之彈性模數/切割用膜之壓敏黏 接層之彈性模數（T〇+2(Tc)。 <切割性質/拾取性質的評估方法> 在使用實例及比較實例中之每一 . 考之切割用晶粒接合膜 的狀況下’藉由實際切割半導體晶圓而評估切割性質，且 接著評估㈣能力’此分職視為對每—切割用晶粒接合 1449I5.doc •49· 201030118 膜之切割效能及拾取效能的評估。 半導體晶圓（直徑為8英吋、厚度為0.6 mm ;矽鏡面晶 圓）經受背面拋光處理且具有0.025 mm之厚度的鏡面晶圓 用作工件。在分離件自切割用晶粒接合膜剝離之後，在 40°C下藉由輥式壓接將鏡面晶圓（工件）附著至晶粒接合膜 上且進一步執行切割。在本文中，按照全分割執行切割以 便形成1 〇 mm見方的晶片大小。就此而論，關於半導體晶 圓研磨之條件、附著條件及切割條件如下所述。 (關於半導體晶圓研磨之條件） 研磨裝置：由DISCO Corporation製造之商標名「DFG-8560 j 半導體晶圓：直徑為8英吋（背面研磨成0·6 mm至0.025 mm 之厚度）（附著條件） 附著裝置··由Nitto Seiki Co·，Ltd.製造之商標名「MA-300011」 附著速度：1 〇 mm/min 附著壓力：〇· 15 MPa 在附著時之階段溫度：40°C (切割條件） 切割裝置：由DISCO Corporation製造之商標名「DFD-6361」 切割環：「2-8-1」（由 DISCO Corporation製造） 切割速度：30mm/sec 切割刀片： Z1 ;由 DISCO Corporation製造之「NBC-ZH226J27HAAA」 144915.doc -50- 201030118 切割刀片旋轉速度： Z1 » 3 0,000 rpm 分割方法：單步驟分割 晶圓晶片大小：1〇.〇 mm見方 在切割時，確認鏡面晶圓（工件）是否牢固地固持於切割 • 用晶粒接合膜上而未剝離以實現令人滿意之切割。將切割 經良好執行之狀況歸類為「良好」，且將切割並未良好執 φ 行之狀況歸類為「低劣」，因此評估出切割能力。 接著，將每一切割用晶粒接合膜置放於熱板上於 T〇+2〇°C (實例1至4及比較實例中為14〇。〇下以使得在 基底材料側處的切割用晶粒接合膜之表面開始與熱板之表 面接觸且壓敏黏接層（熱可膨脹壓敏黏接層等）經受加熱處 理歷時1分鐘。接著，顛倒切割用晶粒接合臈以使得該切 割用晶粒接合膜在空氣中倒置（以使得晶片朝下放置）且晶 片與晶粒接合膜藉由自由降落而剥除。測定此情形下的晶 • 片（總片數：400)之剝離比（0/〇)以評估拾取性質。因此，當 剝離比較接近於100%時，拾取性質為較佳的。 如表1中所展示，已確認實例丨至4之切割用晶粒接合膜 具有極佳切割能力及拾取能力且可牢固地固持諸如半導體 晶圓之黏接體且可良好地執行切割。 雖然已詳細且參考本發明之特定實施例描述本發明，但 熟習此項技術者將顯而易見，在不脫離本發明之範疇的情 況下，可對其進行各種改變及修改。 本申4案係基於2008年11月26日申請之曰本專利申請案 144915.doc 201030118 第2008-301557號，該案之全部内容以引用之方式併入。 【圖式簡單說明】 圖1為展示本發明之·一項實施例的切割用晶粒接合膜之 橫截面示意圖； 圊2為展示本發明之另一實施例的切割用晶粒接合膜之 橫截面示意圖；及 圖3A至圖3E為展示半導體晶片經由晶粒接合膜而r 、J文裝 於切割用晶粒接合膜上的實例之橫截面示意圖。

【主要元件符號說明】 la 基底材料 lb 熱可膨脹壓敏黏接層 2 切割用膜 3 晶粒接合膜 4 半導體晶圓 5 半導體晶片 6 黏接體 7 接合線 8 密封樹脂 9 加熱塊 10 切割用晶粒接合膜 11 切割用晶粒接合膜 31 晶粒接合膜 31a 半導體晶圓附著部分

144915.doc •52-

Claims (1)

1. 201030118 七、申請專利範圍·· 1. 一種切割用晶粒接合膜，其包含： 切割用膜，其具有提供於基底材料上之壓敏黏接層；及 晶粒接合膜’其提供於該壓敏黏接層上， 其中該切割用膜之該壓敏黏接層為由含有丙豨酸系聚 合物A及發泡劑之熱可膨脹壓敏黏接劑形成的熱可膨脹 壓敏黏接層，該丙烯酸系聚合物A為由含有5〇重量％或 更多之由CHfCHCOOR(其中R為具有6至1〇個碳原子之 烷基）表示的丙烯酸酯及丨重量％至3〇重量％之含羥基單體 且不含有含羧基單體的單體組合物組成之丙烯酸系聚合 物， 該熱可膨脹壓敏黏接層具有3〇 mJ/W或更低之表面自 由能，且 ^中"亥曰B粒接合膜係由含有環氧樹脂之樹脂組合物構 Φ 2_如請求項1之切割用晶粒接合膜 膨脹微球體 3.如請求I之切割用晶粒接合膜，其中該切割用膜之該 …、β /脹壓敏黏接層係由含有壓敏黏接劑及該發泡劑之 熱可膨脹壓敏黏接劑形成’該麗敏黏接劑能夠形成在 加清c之溫度範圍中具有5xl〇4pa至ΐχΐ〇6ρ&之彈 性模數的壓敏黏接層；且 =5中該晶粒接合膜在抓之溫度範圍中具有 至1X1Gl°Pa的彈性模數，其中表示該切割用 144915.doc 201030118 膜之該熱可膨脹壓敏黏接層的發泡開始溫度。 4. 一種用於製造半導體元件之方法，該方法包含使用如請 求項1之切割用晶粒接合膜。 144915.doc -2-