JPH03268345A - ダイ接着用シート及び半導体チップ固着キャリアの製造方法 - Google Patents

ダイ接着用シート及び半導体チップ固着キャリアの製造方法

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JPH03268345A
JPH03268345A JP2067458A JP6745890A JPH03268345A JP H03268345 A JPH03268345 A JP H03268345A JP 2067458 A JP2067458 A JP 2067458A JP 6745890 A JP6745890 A JP 6745890A JP H03268345 A JPH03268345 A JP H03268345A
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die bonding
heat
die
sheet
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Yuzo Akata
祐三 赤田
Keiji Nakamoto
中本　啓次
Mitsuharu Akazawa
光治 赤沢
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Nitto Denko Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ダイ接着用シート及び半導体チップ固着キャ
リアの製造方法に関する。　さらに詳しくは、半導体ウ
ェハの分断時の支持フィルムとしての機能を兼ね備えた
ダイ接着用シートに関する。
〔従来技術） 回路パターンが形成された半導体ウェハは、必要に応じ
裏面研磨して厚さ調整した後、ダイシング工程で素子小
片に分断され、形成された半導体チップは、マウント工
程におかれて接着剤を介してチップキャリアに固着され
たのち、ボンディング工程に移行される。
前記において、チップキャリアに接着剤を付設し、その
接着剤を介して半導体チップを固着するこれまでの方法
では、接着剤層の厚さを均一にすることが困難であった
り、接着剤の付設に特殊な装置を要したり、また付設に
長時間を要したりするため、近年、半導体チップに分断
する前の半導体ウェハに予め固着用の接着剤を設ける方
法が試みられている。
従来、前記の方法として、支持基材の上に導電性接着剤
層を剥離可能に付設した固定部材を用い、先ずその接着
剤層に半導体ウェハを接着保持させ、その半導体ウェハ
に溝を設けて割り、素子小片に分断する。　次に、支持
基材を延伸して形成された半導体チップを導電性接着剤
層と共に一括剥離し、落下散在した半導体チップを個々
に拾い上げつつ、その導電性接着剤層を介してチップキ
ャリアに固着する方法が提案されている（特開昭６０−
５７６４２号公報、同６０−１８２２００号公報）。　
従ってこの方法では、固定部材がダイシング工程におい
て半導体ウェハを接着保持する役割も兼ねており、工程
が簡略であるという利点を有している。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、かかる方法では支持基材と接着剤層との
接着力を調整することが困難であるという問題点があっ
た。　すなわち、半導体ウェハを素子小片に分断する点
からは、分断時に支持基材と接着剤層とが眉間剥離して
分断不能や分断寸法ミス等の事態が往じないよう、その
剥がしカに耐える強い保持力が要求される。　この反面
、形成された半導体チップを接着剤層と共に支持基材よ
り剥離する点からは、弱い接着力であることが要求され
る。　そのため、これらの背反する要求がバランスする
よう支持基材と接着剤層との接着力を調整する必要があ
るが、その調整が困難であるという問題点があった。　
さらに、半導体ウェハの全厚さを回転丸刃等で切断する
方式などのように、大きい保持力が要求される場合に適
用できるものを得ることは特に困難であった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、特有のダイ接着用シートを用いて、加熱発泡
粘着層を中間層とした保持方式とし、ウェハを分断する
工程と、加熱発泡粘着層から分断した半導体チップをダ
イ接着用接着剤層と共に剥離する工程とにおいて、接着
（粘着）カを変化させることにより、上記問題点を解決
したものである。
即ち本発明は、支持基材上に設けられた加熱発泡粘着層
の上に、ダイ接着用の接着剤層が設けられており、加熱
により該接着剤層と加熱発泡粘着層とが剥離可能となる
、半導体ウェハの分断時の支持機能を兼ね備えたダイ接
着用シートを提供する。
さらに本発明は、支持基材上に設けられた加熱発泡粘着
層の上にダイ接着用の接着剤層が設けられてなるダイ接
着用シートの該ダイ接着用接着剤層上に、半導体ウェハ
を接着もしくは仮着して素子小片に分断する工程、上記
ダイ接着用シートを加熱する工程、形成された半導体チ
ップをダイ接着用接着剤層と共に加熱発泡粘着層から剥
離する工程、剥離された半導体チップを該ダイ接着用接
着剤層を介してチップキャリアに接着固定する工程から
なる半導体チップ固着キャリアの製造方法も提供する。
第１図は、本発明のダイ接着用シートの実例を示すもの
で、支持基材１上に加熱発泡粘着層２が設けられており
、その加熱発泡粘着層２の上にさらにダイ接着用の接着
剤層３が設けられてなる。
４は、使用前にゴミ等の付着を防止するために必要に応
じて取り付けられる保護フィルムであって、使用前に除
去される。
本発明におけるダイ接着用接着剤層３は、ウェハを半導
体素子小片に分断する際は、ウエノ＼に直接接着又は仮
着してウェハを支持する役目を果たし、その後半導体チ
ップをマウントする際は、チップキャリアと半導体チッ
プの接着剤として働く。
かかるダイ接着用接着剤層には、ダイ接着用接着剤とし
て通常用いられる接着剤で、かつシート状にできるもの
であれば使用可能であるが、好ましくは１５０°Ｃ以下
でウェハに接着又は仮着し、ウェハ分断の際にウェハを
支持し分断された半導体チップが飛散したりしないこと
が必要である。
従ってかかる接着剤としては、Ｂステージ化された熱硬
化性樹脂、ホットメルト機能を有する接着剤、又は粘着
剤的な特性を有するものが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、信転性、硬化特性、耐熱性等の
点から、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹
脂、イミド樹脂等が好ましく用いられる。
通常、ダイ接着剤として用いられるエポキシ系又はイミ
ド系銀ペーストを脱溶媒、シート状化、Ｂステージ化さ
れたものも用いられる。
また、これら熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とのポリマー
アロイ系も好適に用いられる。　かかる熱可塑性樹脂と
しては、ゴム、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテル
イミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエ
ステル、アクリル系ポリマー等が挙げられる。　ゴムに
おいては相溶性の点からＮＢＲが特に好ましく、さらに
アクリル酸やメタクリル酸等を共重合してカルボキシル
基を含有させたものも好ましく用いられる。　またポリ
イミドにおいても、フッ素を含んだものやシリコン変性
されたものも同様に好ましく用いられる。　このポリマ
ーアロイ系は、未硬化又はＢステージ状態で用いられる
。　ポリマーアロイ型接着剤層は、シート（フィルム）
特性において優れた特性を示し、機械特性、熱的特性に
も優れ、ダイ接着用接着剤としても低応力化が計れるな
ど、さまざまな利点を有する。
また、本発明のダイ接着用の接着剤層は、粘着剤的なも
のであってもよく、例えば、シリコン系、アクリル系、
ゴム系等の粘着剤が挙げられる。
これらは−船釣に感圧接着（粘着）を行うものであるが
、本発明では必ずしも常温で感圧接着する必要はなく、
例えば１５０°Ｃ程度以下の温度範囲で感圧接着するも
のでもよい。
上記説明のなかでウェハ分断時の接着又は仮着において
は、２５°Ｃの９０°ビ一ル接着力が３０ｇ／ｃｍ以上
必要であり、接着又は仮着とはそれ以上の接着力を有す
ることを意味する。　ただし、ウェハとの接着の操作を
行う条件としては、１５０°Ｃ以下の温度が可能で、例
えば、２５°Ｃでは接着しなくとも１００°Ｃで接着す
るものであれば問題はない。
一般に、ダイ接着用接着剤は、硬化時間が短く、キャリ
アとのダイ接着がインライン化されることが強く望まれ
ているが、本発明では、熱硬化成分が含まれているもの
でもＢステージ化され、硬化時間が短くてすみ、また溶
媒も含まれておらず、ボイド等の発生もなく、良好な作
業性を有する。
本発明においても熱硬化成分を含む場合には、硬化速度
のコントロール、Ｂステージ化のコントロールで、より
短時間硬化が行われることが好ましい。
また、接着剤層の厚みは、５〜１００μｍ、好ましくは
１０〜５０μｍである。
さらにダイ接着用接着剤層には、接着力の調節や導電性
の付与、伝熱性の向上などを目的として、例えば、アル
ミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、スズ、鉛、
パラジウム、半田などの金属ないしは合金、アルミナ、
シリカ、マグネシアなどの金属酸化物、カーボン等の適
宜な無機材料を含有させてもよい。　含有量は、１〜９
０重量％、就中ベースポリマー１００重量部あたり１〜
３００重量部が適当である。
本発明における加熱発泡粘着層２は、支持基材４と前記
ダイ接着用接着剤層３の中間に位置し、ウェハ分断時は
両者を強固に連結しウェハを固定して、チップの飛散等
を防止し、加熱によって発泡膨張を起こし接着剤層間の
接着力を低下せしめ剥離可能となる機能を有する。
かかる加熱発泡粘着層のベースとなる粘着剤は、通常の
ものを用いることができ、例えば、アクリル系、ゴム系
、シリコン系等の粘着剤が使用される。
加熱によって発泡する機能は、加熱発泡剤を粘着剤中に
添加することによって付与される。　かかる加熱発泡剤
としては、例えば、ヒドラジド系化合物等の如く、通常
の加熱によって化合物が分解又は反応によってガス成分
を放出するタイプや、熱膨張性微小球などを用いること
ができるが、製造上の簡易性、ガスの発生状況などの点
から、本発明においては熱膨張性微小球が特に好ましい
。
この熱膨張性微小球は、加熱により、内包される気体の
膨張又は液体の気化や、化合物の分解、反応によるガス
の発生、外壁材の軟化、破壊によりガスが発生し、発泡
、体積膨張が起こるものである。　本発明においては、
加熱により粘着層と前記接着剤層との接着又は粘着力が
低下し、剥離可能とすることができるが、このことは熱
膨張性微小球を用いた場合、この熱膨張性微小球の発泡
、体積膨張により、粘着層表面に凹凸ができ粘着力が低
下することと、ガスの発生により界面に剥離力が働くこ
とのいずれか又は両方が起因していると考えられる。
かかる熱膨張性微小球を構成している外壁材としては、
有機系及び無機系のものを使用できるが、熱可塑性樹脂
からなるものが、熱に最も敏感でかつ工程上の安定性、
筒便性の点で優れる。　この熱可塑性樹脂としては、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリアクリロニトリル、
ポリ塩化ビニル、ボｌＪｉ化ビニリデン、ポリメチルメ
タクリレート等のアクリル系ポリマー、酢酸ビニルやそ
れらの共重合体等が挙げられる。　また無機系のものと
しては、ガラス、重炭酸ソーダ等が挙げられる。
また内包されるものとしては、例えば、プロパン、ブタ
ン、ペンタン、イソブタン、ネオペンタン、ヘキサン等
の低沸点炭化水素、空気、窒素、ヘリウム等、さらにア
ゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。
この熱膨張性微小球は、通常６０〜１５０°Ｃで発泡し
、これを含んだ粘着層は通常６０〜１５０°Ｃ１数秒〜
１０分間程度の加熱で発泡、体積膨張が起こり、粘着力
が低下する。
また、かかる熱膨張性微小球の平均粒径は、１〜１００
μｍが好ましく、１μｍ未満では粘着剤中への均一な分
散が困難となり、１００μｍを超えると粘着層の厚みが
厚くなりすぎて不均一な構造となり、特性のバラツキが
生しる場合がある。
上記加熱発泡粘着層は、通常５〜１００μＩ、好ましく
は１０〜１００μｍ程度の厚みを有する。
本発明において用いられる加熱発泡粘着層においては、
ベースとなる粘着剤成分１００重量部に対して、熱膨張
性微小球を３〜３００重量部、特に１０〜１００重量部
含有することが好ましく、この範囲ならば、粘着力の加
熱発泡前後のバランスに優れる。
また加熱発泡粘着層が加熱発泡により後記の支持基材か
ら剥離する可能性がある場合には、これを防止するため
、予め支持基材にプライマーとして他種又は同種の粘着
剤等を塗布しておくこともできる。　この場合、粘着層
は２層もしくはそれ以上の構造をとる型となるが、本発
明においてはこのような２層以上の構造も合わせて加熱
発泡粘着層と定義する。
本発明で用いる支持基材１は特に限定されないが、例え
ば、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポ
リカーボネート、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチ
レン−プロピレン共重合体、エチレン−エチルアクリレ
ート共重合体、ポリ塩化ビニル等のプラスチックからな
るフィルムや、金属箔等が用いられる。　また帯電防止
能を有するプラスチック系の支持基材は、導電性物質、
例えば金属、合金、その酸化物等からなる厚さ３０〜５
００人の蒸着層を有するフィルムや、このフィルムのラ
ミネート体などとして得ることができる。
支持基材の厚さは、５〜２００μｍ、好ましくは１０〜
１００μ積が一般的である。
上記した本発明のダイ接着用シートを用いた半導体チッ
プ固着キャリアの製造方法は、以下の通りである。
先ず保護フィルムがある場合はそれを剥離した後、ダイ
接着用シートを半導体ウェハに貼り付ける。　この時の
条件としては、ダイ接着用接着剤層が強固にウェハは接
着もしくは仮着することが必要で、加熱発泡粘着層が発
泡をしない程度の温度に加熱してもよい。
通常このような場合、後でウェハを分断することを簡便
にするために金属製のリング状物（ダイシングフレーム
）に固定するが、本発明のシートの場合、ダイ接着用接
着剤層又は加熱発泡粘着層を介して固定する。
その後ウェハを分断するが、その際の方法は限定されず
、例えば、ウェハに溝を設けて割る方式やウェハの全厚
さにわたり回転丸刃等で切断する方式が可能である。　
その場合、第２図のようにダイ接着用接着剤層３の全厚
さを含めてウェハ５に切れ目Ａを入れる方式が、後工程
の半導体チップの個別剥離に有利である。　なお支持基
材１は、分断しないで一体物として残存させておくこと
が取り扱いを容易にするうえで有利である。　その際、
支持基材１の一部に切り込み溝が入る程度は許容される
。　前記の半導体ウェハ５の全厚さを切断する方式は、
得られる半導体チップが寸法精度に優れる利点がある。
ウェハ分断後、次に加熱を行なう。　加熱方法は特に限
定されないが、例えば、熱板、オーブン、乾燥炉（ヒー
ター式、赤外線又は遠赤外線式、熱風式等）等が採用で
きる。　加熱条件は、通常６０〜１５０°Ｃで５秒〜１
０分間程度が好ましい。　かかる加熱工程により、加熱
発泡粘着層は発泡、膨張してダイ接着用接着剤層から剥
離可能となる。
加熱後形成された半導体チップは、ダイ接着用接着剤層
と共に加熱発泡粘着層より剥離され、ダイ接着用接着剤
層を介して、リードフレーム、ＴＡＢ用フィルム等のチ
ップキャリアに固着される。
その固着方法は任意であるが、固着の際、加熱等を必要
とする場合もある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、加熱発泡粘着層の上に剥離可能に設け
たダイ接着用接着剤層を介して半導体ウェハを接着固定
するようにしたので、素子小片への分断時に半導体ウェ
ハを充分な保持力で固定することができると共に、加熱
により形成した半導体チップをダイ接着用接着剤層と共
に容易に剥離することができ、そのダイ接着用接着剤層
をチップキャリアへの固着にそのまま利用することがで
きる。
〔実施例〕
以下、実施例にもとづき本発明の詳細な説明する。　な
お、部とあるのは重量部を意味する。
実施例１ 支持基材として厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）　フィルムを用い、その上に、アクリ
ル系粘着剤１００部中に塩化ビニリデン−アクリロニト
リル共重合体を外壁材としイソブタンを内包する熱膨張
性微小球（平均粒径２０μｍ）を２０部添加してなる加
熱発泡粘着層を、溶液状態（溶媒トルエン）で塗工、乾
燥させて形成した。
かかる加熱発泡粘着層の厚みは５０μｍであった。
一方、カルボキシル変性ＮＢＲ／ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂／２−ウンデシルイミダゾール＝　１００１
５０／１　（重量比）からなるダイ接着用接着剤を、離
型処理した厚さ５０ｕｍのＰＵＴフィルム上に、溶液状
態（溶媒メチルエチルケトン）で塗工、１００°Ｃ×３
０分で乾燥させて、３０μｍ厚のダイ接着用接着剤層を
形成した。
これら両者をラミネー１−　Ｌ、第１図に示したような
構成のダイ接着用シートを得た。
実施例２ 実施例１において、外壁材としてアクリロニトリル−メ
チルメタアクリレート共重合体を用いた以外は同様の熱
膨張性微小球を、５０部添加した以外は実施例１と同様
にしてダイ接着用シートを得た。
実施例３ 実施例１のダイ接着用接着剤の組成を、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂／ノボラック型フェノ−ル樹ｆｆＭ／
ｌリフェニルホスフィン＝　１００／２４／１（重量比
）とし、溶液状態（溶媒メチルエチルケトン）で塗工後
、１２０℃で３０分間反応、乾燥させて３０μｍ厚のダ
イ接着用接着剤層を形成したこと以外は、実施例１と同
様にしてダイ接着用シートを得た。
実施例４ 実施例１の加熱発泡粘着層の粘着剤を、タッキファイヤ
−含有天然ゴム系粘着剤とし、この粘着剤１００部に対
して、アクリルニトリル−メチルメタアクリレート共重
合体を外壁材としイソブタンを内包する熱膨張性微小球
（平均粒径２０μｍ）を５０部添加してなる加熱発泡粘
着層を用いた以外は、実施例１と同様にしてダイ接着用
シートを得た。
実施例５ 実施例２において、ダイ接着用接着剤の組成を、ポリエ
ーテルイミド／ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂／ノボ
ラック型フェノール樹脂／トリフェニルホスフィン＝　
１００／６５／３５／１　（重量比）とし、溶液状態（
溶剤ジオキサン）で、離型処理した５０μｍ厚のＰＥＴ
フィルム上に塗工し、１２０°Ｃ×２０分で乾燥させて
、３０μｍ厚のダイ接着用接着剤層を形成した。　これ
以外は、実施例２と同様にしてダイ接着用シートを得た
。
実施例６ 実施例１において、ダイ接着用接着剤としてメチルエチ
ルケトンの溶液状態において溶媒を除く接着剤成分１０
０部に対して、銀粉（粒径約０．１〜１．０　＃ｍ）　
２３３部を添加し、三本ロールで分散させた以外は同様
にしてダイ接着用接着剤層を形成した。　これ以外は、
実施例１と同様にしてダイ接着用シートを得た。
このようにして得られた本発明のダイ接着用シートを用
いて、以下の如く半導体チップ固着キャリアを製造した
。
先ず、前記ダイ接着用シートから保護フィルムを剥がし
て、ダイ接着用接着剤層に半導体ウェハを７０”Ｃで接
着固定した。　これにダイシング治具を取り付けて回転
丸刃を介し、ウェハをダイ接着用接着剤層も含めて１ｔ
ｔｍ角に分断した後、１２０″Ｃ×３分間、ホットプレ
ート上で加熱した。
その後、個々の形成チップをＰＥＴフィルム側よりニー
ドルで突き上げ、エアピンセットでピックアップして、
これを２００°Ｃのホットプレート上に置いたダイバッ
ト周辺が銀メツキされた４２７０イ・リードフレームの
所定位置にマウントし、そのまま３０秒間５０ｇの力で
押圧下に熱圧着して半導体チップ固定キャリアを得た。
本工程において、本発明のダイ接着用シートは良好な特
性を示し、分断時はチップの飛散、ストリートのズレも
起こさず、加熱後のピックアップも容易に行うことがで
きた。　またダイ接着工程では、位置ズレ、チップの傾
きもなく、さらにボイドの発生もなく良好な接着性を示
した。
接着後、いずれの場合も２００’Ｃで５分間アフターキ
ュアし、その後２５０°Ｃにて熱−超音波型ワイヤーボ
ンダーにて２５μ−の金線を用いワイヤボンドを行った
ところ、何ら問題なくワイヤボンド可能であり、またそ
の後、エポキシ系封止材料にて低圧トランスファーによ
るパッケージを試みたところ、チップのズレ、金線の流
れ等の不良は全く起こらなかった。
以上の如く、本ダイ接着用シートは各工程において良好
な作業性を示し、また本方法で作製されたチップマウン
トキャリアも良好な品質を有することが確認された。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明のダイ接着用シートの実例を示す部分
断面図、第２図はウェハ分断時の状態を示す部分断面図
である。 １−−−−−−−一支持基材、２・−・−加熱発泡粘着
層、３−・−・−ダイ接着用接着剤層

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）支持基材上に設けられた加熱発泡粘着層の上に、
    ダイ接着用の接着剤層が設けられており、加熱により該
    接着剤層と加熱発泡粘着層とが剥離可能となる、半導体
    ウェハの分断時の支持機能を兼ね備えたダイ接着用シー
    ト。
  2. （２）ダイ接着用の接着剤層が、エポキシ樹脂、フェノ
    ール樹脂、マレイミド樹脂、イミド樹脂から選ばれる少
    なくとも一種以上を含有する請求項（１）記載のダイ接
    着用シート。
  3. （３）ダイ接着用の接着剤層が、熱硬化性樹脂と熱可塑
    性樹脂のポリマーアロイ系である請求項（１）記載のダ
    イ接着用シート。
  4. （４）加熱発泡粘着層が、熱膨張性微小球を発泡剤とし
    て含有している請求項（１）記載のダイ接着用シート。
  5. （５）熱膨張性微小球の外壁材の主成分が熱可塑性樹脂
    からなり、内包されているガス発生成分が低沸点炭化水
    素である請求項（４）記載のダイ接着用シート。
  6. （６）熱膨張性微小球の平均粒径が、１〜１００μｍで
    ある請求項（４）記載のダイ接着用シート。
  7. （７）加熱発泡粘着層中の熱膨張性微小球の含有量が、
    粘着剤成分１００重量部に対して３〜３００重量部であ
    る請求項（４）記載のダイ接着用シート。
  8. （８）支持基材上に設けられた加熱発泡粘着層の上にダ
    イ接着用の接着剤層が設けられてなるダイ接着用シート
    の該ダイ接着用接着剤層上に、半導体ウェハを接着もし
    くは仮着して素子小片に分断する工程、上記ダイ接着用
    シートを加熱する工程、形成された半導体チップをダイ
    接着用接着剤層と共に加熱発泡粘着層から剥離する工程
    、剥離された半導体チップを該ダイ接着用接着剤層を介
    してチップキャリアに接着固定する工程からなる半導体
    チップ固着キャリアの製造方法。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0977254A3 (en) * 1998-07-22 2001-02-07 Nitto Denko Corporation Hot-melt sheet for holding and protecting semiconductor wafers and method for applying the same
JP2004186279A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品の３次元実装方法
JP2005183855A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
JP2006128621A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Sekisui Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シート及びダイ接着用接着剤層付きｉｃチップの製造方法
JP2006261467A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ貼着用貼着シートおよびウエハの加工方法
JP2007189007A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Nitto Denko Corp ダイ接着用接着層付きダイの製造方法および電子部品
JP2008501848A (ja) * 2004-06-11 2008-01-24 エルジー・ケム・リミテッド 中空部を含む粘着シートおよびこれらの製造方法
JP2009065186A (ja) * 2008-10-20 2009-03-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 粘接着テープの基材フィルムの粘着力を制御する方法および粘接着テープ用基材フィルム
JP2010126598A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
US7880316B2 (en) 2008-11-26 2011-02-01 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device
JP2019091860A (ja) * 2017-11-16 2019-06-13 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP2020021915A (ja) * 2018-08-03 2020-02-06 リンテック株式会社 ピックアップ装置およびピックアップ方法
KR20210027758A (ko) * 2019-09-03 2021-03-11 주식회사 엘비루셈 반도체 웨이퍼의 디본딩 방법

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0977254A3 (en) * 1998-07-22 2001-02-07 Nitto Denko Corporation Hot-melt sheet for holding and protecting semiconductor wafers and method for applying the same
US6623594B1 (en) 1998-07-22 2003-09-23 Nitto Denko Corporation Hot-melt sheet for holding and protecting semiconductor wafers and method for applying the same
JP2004186279A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Sekisui Chem Co Ltd 電子部品の３次元実装方法
JP2005183855A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
WO2005062374A1 (en) * 2003-12-24 2005-07-07 Dow Corning Toray Co., Ltd. Dicing/die bonding film and method of manufacturing the same
JP4536367B2 (ja) * 2003-12-24 2010-09-01 東レ・ダウコーニング株式会社 ダイシングダイボンディング用シート及びその製造方法
JP2008501848A (ja) * 2004-06-11 2008-01-24 エルジー・ケム・リミテッド 中空部を含む粘着シートおよびこれらの製造方法
US8067475B2 (en) 2004-06-11 2011-11-29 Lg Chem, Ltd. Adhesive sheet comprising hollow parts and method for preparing the same
JP4855403B2 (ja) * 2004-06-11 2012-01-18 エルジー・ケム・リミテッド 中空部を含む粘着シートおよびこれらの製造方法
JP2006128621A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Sekisui Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シート及びダイ接着用接着剤層付きｉｃチップの製造方法
JP4704828B2 (ja) * 2004-09-29 2011-06-22 積水化学工業株式会社 ウエハ貼着用粘着シート及びダイ接着用接着剤層付きｉｃチップの製造方法
JP2006261467A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ貼着用貼着シートおよびウエハの加工方法
JP2007189007A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Nitto Denko Corp ダイ接着用接着層付きダイの製造方法および電子部品
JP2009065186A (ja) * 2008-10-20 2009-03-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 粘接着テープの基材フィルムの粘着力を制御する方法および粘接着テープ用基材フィルム
JP2010126598A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
US7880316B2 (en) 2008-11-26 2011-02-01 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film and process for producing semiconductor device
JP2019091860A (ja) * 2017-11-16 2019-06-13 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP2020021915A (ja) * 2018-08-03 2020-02-06 リンテック株式会社 ピックアップ装置およびピックアップ方法
KR20210027758A (ko) * 2019-09-03 2021-03-11 주식회사 엘비루셈 반도체 웨이퍼의 디본딩 방법

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