JP2004099833A - 熱硬化性接着剤組成物、フィルム接着剤及び半導体装置 - Google Patents

熱硬化性接着剤組成物、フィルム接着剤及び半導体装置 Download PDF

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川手　恒一郎
Seiji Takeuchi
竹内　省二
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Abstract

【課題】熱硬化の前において高い初期接着力を容易に発現することができ、かつその高い初期接着力をそのまま維持することができ、したがって、特に半導体装置の製造においてダイシング工程からダイボンディングまで一貫して使用できる熱硬化性接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】カプロラクトン変性のエポキシ樹脂と、メラミン／イソシアヌル酸付加物とを含んでなるように構成する。
【選択図】　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱硬化性接着剤組成物及びそれを使用したフィルム接着剤、すなわち、フィルムの形態をもった接着剤に関する。本発明のフィルム接着剤は、特に、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）及びその他の半導体装置の製造プロセスにおいて、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子（以下、「半導体チップ」又は単に「チップ」とも言う。）をベース、例えば基板上のダイパッド部に固定したり、複数個の半導体素子を積層したりするのに有利に使用可能である。本発明はまた、このようなフィルム接着剤を使用した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エポキシ樹脂は、周知のように接着力に優れた熱硬化性樹脂の１つである。そこで、そのエポキシ樹脂を熱硬化性接着剤組成物の主成分に使用することが広く行われている。
【０００３】
ところで、熱硬化性接着剤組成物は、それが典型的なエポキシ樹脂を含む場合、熱硬化後にはじめて接着力を発現するようになるのが一般的であり、熱硬化前には低い接着力しか有していない。換言すれば、そのような熱硬化性接着剤組成物は、通常、熱硬化前に初期接着力を実質的に有していない。
【０００４】
熱硬化性接着剤組成物が初期接着力を有することは、特に半導体装置の製造プロセスにとって重要である。なぜならば、半導体装置の製造プロセスでは、通常、シリコンウエハ等の半導体ウエハにリソグラフィ技術やエッチング技術等によりＩＣ、ＬＳＩ等を作り込んだ後、その半導体ウエハを所望のサイズに裁断する工程（ダイシング工程と呼ばれ）が採用されているからである。
【０００５】
一般に、ダイシング工程においては、粘着性ポリマーを含む粘着テープ（特に、「ダイシングテープ」と呼ばれることもある。）によってシリコンウエハ等の半導体ウエハを固定する。ダイシングの際に個々に分離された半導体チップをバラバラにしないためである。ダイシングテープは、したがって、半導体チップを安定に保持するのに十分な粘着力又は接着力（本発明でいう「初期接着力」を有することが必要である。また、ダイシングテープがこのような初期接着力に優れていれば、そのダイシングテープをそのまま、半導体チップをベースに固定するダイボンディング工程においてダイボンディングテープとして利用することができ、よって、ダイシング工程からダイボンディング工程に効率よく移行することができる。
【０００６】
特にダイシングテープのような特殊用途の粘着テープを意識したものではないが、粘着フィルムの初期接着力を高めることはすでに試みられている。例えば、光重合性化合物と、光重合性の基を含有しない熱硬化性エポキシ樹脂又はその混合物と、エポキシ樹脂のための熱活性化硬化剤と、促進剤と、光重合触媒からなる液体混合物で引き剥がし可能な剥離フィルム又は基材を被覆する工程を含む、可変的な粘着力を有する熱硬化性接着フィルムの製造方法が公知である（例えば、特許文献１参照）。また、光重合性のモノマーシロップと、エポキシ樹脂又はその混合物と、エポキシ樹脂用熱活性硬化剤と、光開始剤と、光架橋剤とからなることを特徴とする感圧熱硬化性接着剤も公知である（例えば、特許文献２参照）。これらの特許文献に開示されている熱硬化性接着剤組成物はいずれも、エポキシ樹脂に粘着剤を併用することによって初期接着力を得るようにしている。しかし、これらの熱硬化性接着剤組成物の場合、粘着剤を加えたことで、耐熱性やせん断強度の低下を避けることができないという問題がある。
【０００７】
耐熱性やせん断強度の低下を防止する観点から、粘着剤を含まない熱硬化性接着剤組成物も開示されている（例えば、非特許文献１参照）。この文献に開示される熱硬化性接着剤組成物は、エポキシ樹脂にアイオノマーのコア／シェル微粒子を分散して構成されている。しかし、アイオノマーは周知のようにイオン成分を含むため、半導体チップや下地の基板において腐食などの欠陥を引き起こすおそれがある。
【０００８】
さらに、ダイボンディング工程を実施する場合には、通常、熱硬化性接着剤組成物を介した半導体チップとベースとの熱圧着が必要となるが、半導体装置の生産効率及びその製造設備費用を考慮すると、できるだけ低い温度とできるだけ短い時間でこの熱圧着工程を完了し、高い接着力を容易に得られることが非常に望ましいことである。
【０００９】
さらにまた、この熱圧着工程の際、加えられた圧力によって熱硬化性接着剤組成物が半導体チップの周囲に流れ出ないことが必要である。その後のワイヤーボンディングやその他の処理工程で電気配線のショートが発生したり、電気配線自体の形成が困難となるおそれがあるためである。してみると、一般的に流動性に富む典型的なエポキシ樹脂は、汎用の熱硬化性接着剤組成物には問題なく適用できるかもしれないが、半導体装置の製造に用いられる熱硬化性接着剤組成物に適用するのは実質的に困難である。
【００１０】
さらにまた、最近の傾向として、半導体ウエハは研磨等により４００μｍ以下の厚さまで薄くなっており、また、これらのウエハの複数枚や複数の半導体チップを重ね合わせて、いわゆるマルチチップパッケージ（ＭＣＰ：　Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ　Ｐａｃｋａｇｅ）などを構築し、半導体装置の高機能化、高密度化及び小型化を図ることもしばしば行われている。よって、半導体ウエハや半導体チップをその破損などを伴わずに容易かつ安定にとり扱うことのできる熱硬化性接着剤組成物及びフィルム接着剤を提供することが望まれる。
【００１１】
【特許文献１】
特開昭６０−１７３０７６号公報（請求項１）
【特許文献２】
特開平２−２７２０７６号公報（請求項１）
【非特許文献１】
Ｔ．Ａｓｈｉｄａ，　Ｍ．Ｏｃｈｉ及びＫ．Ｈａｎｄａ，　Ｊ．Ａｄｈｅｓｉｏｎ　Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，　１２，　７４９　（１９８８）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、したがって、熱硬化の前において高い初期接着力を容易に発現することができ、かつその高い初期接着力をそのまま維持することができ、したがって、特に半導体装置の製造においてダイシング工程からダイボンディングまで一貫して使用できる熱硬化性接着剤組成物を提供することにある。
【００１３】
本発明の目的は、また、低温短時間の熱圧着によって高い初期接着力を発現できるとともに、その熱圧着の際に接着剤の流動や流れ出しがなく、しかも熱硬化後において耐熱性及びせん断強度の低下も生じない熱硬化性接着剤組成物を提供することにある。
【００１４】
本発明の目的は、さらに、半導体素子や半導体装置において腐食などの問題を生じない熱硬化性接着剤組成物を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の目的は、このような熱硬化性接着剤組成物の取り扱いを容易にし、特に半導体装置の製造に有利に利用できるフィルム接着剤を提供することにある。
【００１６】
さらに、本発明の目的は、製造が容易であり、かつ歩留まりよく製造できる半導体装置を提供することにある。
【００１７】
本発明の上記したような目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、その１つの面において、カプロラクトン変性のエポキシ樹脂、及び
メラミン／イソシアヌル酸付加物
を含んでなることを特徴とする熱硬化性接着剤組成物にある。
【００１９】
また、本発明は、そのもう１つの面において、カプロラクトン変性のエポキシ樹脂及びメラミン／イソシアヌル酸付加物を含む熱硬化性接着剤組成物からなる熱硬化性接着剤層と、
前記接着剤層を少なくとも一部で担持したバッキングフィルムと、
を備えることを特徴とするフィルム接着剤にある。
【００２０】
さらに、本発明は、そのもう１つの面において、少なくとも１個の半導体素子を搭載した基板を含む半導体装置であって、
前記半導体素子が、カプロラクトン変性のエポキシ樹脂及びメラミン／イソシアヌル酸付加物を含む熱硬化性接着剤組成物からなる熱硬化性接着剤層を介して前記基板の素子搭載面に固定されていることを特徴とする半導体装置にある。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明による熱硬化性接着剤組成物、フィルム接着剤及び半導体装置は、それぞれ、本発明の範囲内でいろいろな形態で実施することができる。以下、添付の図面を参照しながら、本発明をそれぞれの好適な実施形態にしたがって説明する。ただし、当業者ならば容易に想到されるように、本発明は下記の実施形態に限定されるものではない。また、図面中、同一部分又は相当部分に対しては同一の符号を付することとする。
【００２２】
図１は、本発明のフィルム接着剤の一実施形態を模式的に示した断面図である。図示のフィルム接着剤１０は、バッキングフィルム１を基材として有し、その片面で本発明の熱硬化性接着剤組成物からなる熱硬化性接着剤層２を担持している。なお、図示の例では接着剤層２とバッキングフィルム１の組み合わせをもってフィルム接着剤１０が構成されているが、もしも接着剤層２自体が自立のフィルムである場合、そのフィルムのみでフィルム接着剤を構成することもできる。
【００２３】
熱硬化性接着剤層を構成する熱硬化性接着剤組成物は、通常結晶相を有している。特に、この結晶相は、カプロラクトン変性のエポキシ樹脂（以下、「変性エポキシ樹脂」とも言う。）を主成分として含んでいる。変性エポキシ樹脂は、熱硬化性接着剤組成物に適度な可とう性を付与して、熱硬化性接着剤層の粘弾性的特性を改善することができるようになっている。その結果、熱硬化性接着剤層が硬化前でも凝集力を備え、初期段階でも接着力を発現するようになる。また、この変性エポキシ樹脂は、通常のエポキシ樹脂と同様、加温又は常温で三次元網目構造をもった硬化物になり、熱硬化性接着剤層に凝集力を付与することができる。
【００２４】
本発明によれば、かかる変性エポキシ樹脂は、初期接着力の向上の観点から、通常は１００〜９，０００、好適には２００〜５，０００、より好適には５００〜３，０００のエポキシ当量を有している。このようなエポキシ当量を備えた変性エポキシ樹脂は、例えば、ダイセル化学工業（株）からプラクセルＴＭＧシリーズの商品名で市販されている。
【００２５】
本発明の熱硬化性接着剤組成物は、上述の変性エポキシ樹脂と組み合わせてメラミン／イソシアヌル酸付加物（以下、「メラミン／イソシアヌル酸錯体」とも言う。）を含有する。このメラミン／イソシアヌル酸錯体は、例えば日産化学工業からＭＣ−６００の商品名で市販されており、熱硬化性接着剤組成物の強靭化、チキソ性の発現による熱硬化前における熱硬化性接着剤組成物のタックの低減、また、熱硬化性接着剤組成物の吸湿及び流動性の抑制に効果的である。本発明の熱硬化性接着剤組成物は、上記の効果を損なうことなく硬化後の脆性を防止するために、このメラミン／イソシアヌル酸錯体を、通常１〜２００重量部の範囲、好適には２〜１００重量部の範囲、より好適には３〜５０重量部の範囲で含有している。
【００２６】
本発明の熱硬化性接着剤組成物は、上記した変性エポキシ樹脂及びメラミン／イソシアヌル酸付加物に追加して、本発明の目的と効果を損なわない範囲で種々の添加剤を任意に含有することができる。
【００２７】
例えば、熱硬化性接着剤組成物は、接着剤層のさらなる強靭化のために充填材を含んでいてもよい。適当な充填材の一例は、これに限定されるわけではないけれども、ゴム状充填剤である。特に、ゴム状充填材がメチルメタクリレート−ブタジエン−スチレンの共重合体やメチルアクリレート−ブチルアクリレート共重合体からなる場合は、熱硬化性接着剤組成物のさらなる接着力向上に効果的である。また、かかる共重合体のゴム状充填材は、例えばローム＆ハース社からＥＸＬ　２６９１ＡやＥＸＬ　２３１４の商品名で市販されており、粒子状又はパウダー状になっている。充填材は、通常は１〜１００重量部の範囲、好適には２〜５０重量部の範囲、より好適には３〜３０重量部の範囲で熱硬化性接着剤組成物中に含まれる。
【００２８】
また、熱硬化性接着剤組成物は、フェノキシ樹脂をさらに含むことができる。フェノキシ樹脂は、鎖状又は線状の構造をもった比較的高分子量の熱可塑性樹脂であって、エピクロルヒドリンとビスフェノールＡからなる。このようなフェノキシ樹脂は、加工性に富んでおり、所望形状をもった熱硬化性接着剤層を簡便に形成するのに有利である。本発明によれば、このフェノキシ樹脂は、１００重量部の変性エポキシ樹脂に対して、通常は１０〜６０重量部の範囲、好適には２０〜５０重量部の範囲、より好適には２５〜４０重量部の範囲で、熱硬化性接着剤組成物の含まれる。フェノキシ樹脂が上記変性エポキシ樹脂と効果的に相溶することができるようになるからである。かくして、熱硬化性接着剤組成物からの変性エポキシ樹脂のブリードも効果的に防止することができるようになる。また、フェノキシ樹脂は、前述した変性エポキシ樹脂の硬化物と互いに絡み合い、熱硬化性接着剤層の最終的な凝集力及び耐熱性等をさらに高めることができるようになる。
【００２９】
さらに、必要に応じて、熱硬化性接着剤組成物には、上述のフェノキシ樹脂と組み合せて又はそれとは独立に、第２のエポキシ樹脂（以下、単に「エポキシ樹脂」とも言う。）がさらに含まれて上記硬化物の一部をなしてもよい。このエポキシ樹脂は、本発明の範囲を逸脱しない限り特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フルオレンエポキシ樹脂、グリシジルアミン樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、フッ素化エポキシ樹脂などが使用可能である。このようなエポキシ樹脂も、変性エポキシ樹脂と同様にフェノキシ樹脂と相溶し易く、熱硬化性接着剤組成物からのブリードはほとんどない。特に、熱硬化性接着剤組成物が、１００重量部の変性エポキシ樹脂に対して、好適には５０〜２００重量部、より好適には６０〜１４０重量部の第２のエポキシ樹脂を含有していると、耐熱性向上の点で有利である。
【００３０】
本発明の実施において、特に、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂（以下、「ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂」とも言う。）を好ましいエポキシ樹脂として使用することができる。このジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂は、液状であり、例えば、熱硬化性接着剤組成物の高温特性を改善することができる。例えば、このジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂を使用することによって、高温での硬化による耐薬品性やガラス転移温度を改善することが可能となる。また、硬化剤の適用範囲が広がるほか、硬化条件も比較的緩やかである。このようなジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂は、例えば、ダウ・ケミカル（ジャパン）社からＤ．Ｅ．Ｒ．ＴＭ３３２の商品名で市販されている。
【００３１】
熱硬化性接着剤組成物には、硬化剤を必要に応じて添加し、変性エポキシ樹脂及び第２のエポキシ樹脂の硬化反応に供することもできる。この硬化剤は、本発明の目的に合致し、所望とする効果を奏する限り、使用量及び種類が特に限定されるものではない。しかし、耐熱性の向上の観点からは、１００重量部の変性エポキシ樹脂及び必要な第２のエポキシ樹脂に対し、通常は１〜５０重量部の範囲、好適には２〜４０重量部の範囲、より好適には５〜３０重量部の範囲で硬化剤を含んでいる。また、硬化剤としては、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えばアミン硬化剤、酸無水物、ジシアンアミド、カチオン重合触媒、イミダゾール化合物、ヒドラジン化合物等が使用可能である。特に、ジシアンアミドは、室温での熱的安定性を有する観点から有望な硬化剤として挙げることができる。また、ジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂との関係では、脂環式ポリアミン、ポリアミド、アミドアミン又はその変性物を使用することが望ましい。
【００３２】
さらに、上記硬化剤と組み合せて又はそれとは別個に、通常は０．０１〜１０重量部、好適には０．２〜５重量部、より好適には０．５〜３重量部の硬化促進剤を熱硬化性接着剤組成物に含ませて、硬化反応を促進することができる。その結果、熱硬化性接着剤組成物が要求に応じて接着強度を早期に発現できるようになる。このような硬化促進剤の一例は、ウレタン付加物であり、例えば、ＰＴＩジャパン社からОｍｃｕｒｅＴＭ５２の商品名で市販されている。
【００３３】
本発明のフィルム接着剤において、熱硬化性接着剤層の厚さは、広い範囲にわたって変更することができる。熱硬化性接着剤層の厚さは、通常、約１〜１００マイクロメートル（μｍ）の範囲であり、好適には約２〜４０μｍの範囲であり、さらに好適には約４〜３０μｍの範囲である。
【００３４】
上述したように、図示の接着剤フィルム１０は、熱硬化性接着剤層２の片面にバッキングフィルム１を配置している。本発明の実施において、このバッキングフィルムの種類や厚さは特に限定されるものでなく、ダイシングテープやダイボンディングテープの分野で一般的に使用されているものを、そのままあるいは改良して使用することができる。例えば、剥離剤の塗工で離型処理されたプラスチックフィルム、例えばシリコーンコーティングで離型処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどをバッキングフィルムとして有利に使用することができる。
【００３５】
また、本発明者らの知見によると、作業性の向上などを達成するため、特別なバッキングフィルムを使用することも推奨される。すなわち、延伸可能なバッキングフィルムの使用である。バッキングフィルムの延伸により、接着剤フィルムの熱硬化性接着剤層をその形状を実質上保持したままバッキングフィルムから分離することができるからである。より詳細に述べると、このバッキングフィルムは、接着フィルムの剥離を容易にする観点から、通常は１０％以上、好適には２０％以上、より好適には３０％以上の伸び率を下限に有しており、また、２００％以下の伸び率を上限に通常有している。換言すると、バッキングフィルムの伸び率は、通常は約１０〜２００％の範囲であり、好適には約２０〜１８０％の範囲であり、より好適には約３０〜１５０％の範囲である。
【００３６】
上述のような延伸可能なバッキングフィルムには、熱可塑性エラストマーが含まれる。熱可塑性エラストマーの典型的な例としては、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、ポリスチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリエーテル系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、フッ素ポリマー系熱可塑性エラストマー、ホモポリマー系熱可塑性エラストマー、アイオノマー系熱可塑性エラストマー、アロイ系熱可塑性エラストマーなどを挙げることができる。これらの熱可塑性エラストマーは、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３７】
本発明のフィルム接着剤において、そのバッキングフィルムが特にオレフィン系熱可塑性エラストマーや、ポリプロピレンからなるホモポリマー系及び／又はアロイ系の熱可塑性エラストマーを含むと、バッキングフィルムを熱硬化性接着剤層から容易に分離することができる。オレフィン系熱可塑性エラストマーは、例えば、ポリエチレン又はポリプロピレンからなるハードセグメント（硬質成分）と、エチレン−プロピレン−ジエンターポリマー（ＥＰＤＭ）又はブチルゴム（ＩＩＲ）、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）又は水添ＳＢＲ（ＨＳＢＲ）を含むソフトセグメント（軟質成分）からなる。また、上述したホモポリマー系及び／又はアロイ系の熱可塑性エラストマーは、例えば、アイソタクチックのポリプロピレン（アイソタクチックＰＰ）からなる硬質成分と、アタクチックのポリプロピレン（アタクチックＰＰ）からなる軟質成分とからなる。好適には、アイソタクチックＰＰが５５〜９５モル％、アタクチックＰＰが５〜４５モル％、ホモポリマー系及び／又はアロイ系の熱可塑性エラストマーにそれぞれ含まれる。なぜなら、アタクチック成分が５モル％より少ないと軟質成分の効果が発揮できず十分な伸びを期待できない。また、アタクチック成分が４５モル％より多いものは軟質成分が多すぎるため製膜することができないからである。このようなホモポリマー系及び／又はアロイ系の熱可塑性エラストマーは、出光石油化学株式会社によって市販されている出光ＴＰＯシリーズを、単独で又は複数組み合せて使用することにより調製可能である。
【００３８】
本発明のフィルム接着剤において、バッキングフィルムの厚さは、フィルム接着剤の使途などに応じて広い範囲にわたって変更することができる。バッキングフィルムの厚さは、通常、約１０〜２，０００μｍの範囲であり、好適には約３０〜１，０００μｍの範囲であり、さらに好適には約５０〜５００μｍの範囲である。
【００３９】
本発明のフィルム接着剤は、通常、フィルム状に成形された熱硬化性接着剤層のみから構成されるか、さもなければ、バッキングフィルム及び熱硬化性接着剤層の２層をもって構成されるけれども、必要ならば、フィルム接着剤の分野で一般的に使用されている追加の層を有していてもよく、さもなければ、表面処理などの追加の処理を施されていてよい。追加の層の典型例は、剥離剤を塗工したポリマーフィルム又は剥離紙を包含する。
【００４０】
本発明の熱硬化性接着剤組成物は、接着剤の分野で周知・慣用の方法によって容易に調製することができる。また、必要に応じて、熱硬化性接着剤組成物にメチルエチルケトン（ＭＥＫ）やテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）のような溶媒を添加してもよい。熱硬化性接着剤組成物をフィルム状に成形して使用するためである。そのため、上記のように溶媒の添加により熱硬化性接着剤組成物の流動性を高めて、フィルム、シート又はテープに簡便に成形できるようにしている。
【００４１】
また、本発明のフィルム接着剤は、カーテンコーティング、スクリーン印刷などの常用の技法を使用して製造することができる。一般的に使用可能な製法の一例を簡単に説明すると、次の通りである。
【００４２】
剥離剤の塗工で離型処理したポリエステルフィルムなどの上に上述の接着剤成分を含む溶液をコーティングし、オーブン内を通過させて溶剤を乾燥させ、熱硬化性フィルム接着剤を得る。
【００４３】
次いで、この接着剤の面と上述のバッキングフィルムを合わせて、熱圧着処理する。熱圧着には、例えば、ヒートローラ、ヒートラミネータ、ホットプレスなどの加熱手段を任意に使用することができる。熱圧着は、比較的に低い温度（例えば、約９０〜１２０℃）で短時間（例えば、約０．１〜１０秒）のうちに行うことができる。この熱圧着の結果、接着剤層をバッキングフィルムに接着させるとともに、接着剤層に対して、ダイボンディングに必要な極めて高いレベルの接着力を付与できる。
【００４４】
本発明のフィルム接着剤は、その優れた特性のためにいろいろな分野で有利に使用することができる。このフィルム接着剤の好適な用途は、電子部品、例えば半導体素子、例えばＩＣ、ＬＳＩなどの半導体チップ、コンデンサ素子、その他の素子を基板の表面及び必要に応じて内部に搭載した電子装置である。基板上及び／又は内に搭載される半導体素子やその他の電子部品は、１個だけであってもよく、２個以上の任意の組み合わせであってもよい。また、２個以上の電子部品を重ね合わせてスタック構造を得、電子装置の高密度化、小型化を図ってもよい。
【００４５】
本発明のフィルム接着剤は、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子を備えた半導体装置の製造にとりわけ有利である。被着体がＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子の場合、このフィルム接着剤はそのような被着体の接合すなわちダイボンディングに有効であるからである。
【００４６】
図２は、本発明による半導体装置の一例を示した断面図である。図示の半導体装置３０は、銅張り積層板の加工によって製造された回路基板３１を有しており、その上面に銅配線３２をパターン状に有している。回路基板３１の素子搭載領域にはソルダレジストからなるダイパッド部３３が設けられており、その上に、本発明のフィルム接着剤層２を介して半導体素子（ここでは、ＬＳＩチップ）２２が接合されている。また、半導体素子２２と銅配線３２とは、図示のように金製のボンディングワイヤ３４によって接続されている。さらに、半導体装置３０の上面は、それに搭載した半導体素子２２やボンディングワイヤ３４などを外部の湿気や衝撃などから保護するため、エポキシ樹脂３５で封止されている。さらには、図示しないが、回路基板３１の下面には外部端子としてのはんだボールがマウントされている。なお、図示の半導体装置３０では１個の半導体素子２２が搭載されているが、この半導体素子２２の上に本発明のフィルム接着剤層を介してもう１つの半導体素子を搭載し、いわゆるスタックドＦＢＧＡを構築してもよい。半導体素子の積み重ねを通じて、より高密度の実装が可能となるからである。
【００４７】
図５は、本発明によるスタックドＦＢＧＡの一例を示したものである。図示のように、この半導体装置４０では、回路基板３１の上に３種類の半導体素子２２−１，２２−２及び２２−３が搭載されている。フィルム接着剤層２−１，２−２及び２−３は、それぞれ、本発明のフィルム接着剤からなる。それぞれの素子と銅配線３２とは、金製のボンディングワイヤ３４によって接続されている。回路基板３１の底面に形成された銅配線３８には、外部端子となるはんだボール３９が配設されている。半導体装置４０の上面は、エポキシ樹脂３５で封止されている。
【００４８】
本発明によれば、本発明のフィルム接着剤を使用した半導体装置やその他の電子装置の製造方法も提供される。例えば、本発明の半導体装置の製造方法は、次のような手順で有利に実施することができる。
（１）フィルム接着剤の配置
半導体ウエハのダイシング装置に、接着剤層が露出するように本発明のフィルム接着剤を配置する。
（２）半導体ウエハのマウント
半導体素子の複数個がすでに作り込まれている半導体ウエハを用意し、その片面（非素子搭載面）を下に向けてフィルム接着剤の上に搭載し、積層する。本発明によれば、フィルム接着剤の熱硬化性接着剤組成物は初期接着力を有しているので、フィルム接着剤を半導体ウエハに（特に薄化した半導体ウエハにも）確実に固定して、その後の処理を効果的にできるようになる。また、熱硬化性接着剤組成物はイオン成分を含んでいないので、それによる腐食のおそれもない。
（３）半導体ウエハとフィルム接着剤の熱圧着
半導体ウエハとフィルム接着剤を積層した後、両者を熱圧着するとともに、フィルム接着剤を硬化させる。熱圧着のための加熱温度及び時間ならびに圧力は、フィルム接着剤の組成によって変動するけれども、通常、約９０〜１２０℃の加熱温度、約０．１〜６０秒の加熱時間、そして約１〜２０ｋｇ／ｃｍ２　の圧力である。加熱手段としては、例えば、ヒートローラ、ヒートラミネータ、ホットプレスなどを使用することができる。この熱圧着処理の結果、半導体ウエハとフィルム接着剤が一体化される。
【００４９】
本発明によれば、熱硬化性接着剤組成物は、上述したようにメラミン／イソシアヌル酸付加物の添加により流動性を抑制されている。その結果、上記熱圧着に対する制約が少なくなる。すなわち、熱圧着が上述のようにより低い温度及び短い時間ならびにより低い圧力でも可能となって、半導体ウエハに対する負荷を大幅に軽減することができる。その結果、研磨により薄化した半導体ウエハを使用しても、熱圧着の際にその割れ等の破壊を防止することができるようになる。
【００５０】
ところで、流動性の抑制はシリカ等の無機物を使用しても可能かもしれない。しかし、本発明で使用するメラミン／イソシアヌル酸付加物は、シリカ等の無機物とは異なって有機物であるため、半導体ウエハと接触しても半導体ウエハに損傷を与えるおそれがほとんどなくなる。かくして、メラミン／イソシアヌル酸付加物の使用により、半導体ウエハの厚さによらず半導体装置の生産性の向上が期待できる。
【００５１】
また、この積層一体化状態で、あるいは後段のダイシング工程の完了後、半導体ウエハに、例えばめっき、研磨、エッチングなどの加工を施してもよい。
（４）半導体ウエハのダイシング
半導体ウエハを、フィルム接着剤がそれに積層した状態を維持したまま、個々の半導体素子に裁断する。ここで、フィルム接着剤は上記の熱圧着により硬化して高い接着力を有しているので、集合体となった半導体素子が散乱するのを効果的に防止することができる。裁断法としては、常用の手段、例えばダイシングソー、ダイヤモンドカッターなどを使用できる。
（５）半導体素子のピックアップ
半導体ウエハのダイシングが完了した後、裁断して得た半導体素子をそれに熱硬化性接着剤層が付着した状態のままバッキングフィルムから剥離する。本工程では、従来常用のピックアップロッドや小型で効率もよい真空吸引を使用することができる。
（６）ダイマウント
熱硬化性接着剤層が付着したままの半導体素子をその熱硬化性接着剤層を介して、半導体装置製造用基板の表面、例えばダイパッド部に固定し、熱圧着する。本発明によれば、この熱圧着は上記と同様少ない制約の下で可能である。かくして、フィルム接着剤はポストキュア（後硬化）により、半導体チップとダイパッド部を強固に接着することができるようになる。
【００５２】
半導体チップが薄化した半導体ウエハから作り出されたものである場合は、上記工程の繰り返しによりかかる半導体チップを複数積み重ねることが可能である。このような場合、マルチチップパッケージ（ＭＣＰ）方式により、複数の集積回路チップや個別半導体素子を標準の集積回路デバイスと同様の規格のパッケージに収納し、半導体装置の高密度化及び小型化を図ることができるようになる。
（７）ワイヤボンディングなど
上記のようにしてダイマウントが完了した後、常用の手法に従ってワイヤボンディング（あるいは、フリップチップボンディング）、樹脂封止、ボールマウントなどを行う。
【００５３】
以上に本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明はこれらに限定されない。例えば、本発明の熱硬化性接着剤組成物は、ダイボンディング工程以外にも、ダイボンディング工程と同様に十分効果的に適用することが可能である。詳細には、この熱硬化性接着剤組成物を用いて、プリント基板等を効果的に製造することができるようになる。
【００５４】
図３及び図４は、上述のような手順に従って半導体装置を製造する方法の一例を工程順に示した断面図である。
【００５５】
まず、図３（Ａ）に示すように、バッキングフィルム１と熱硬化性接着剤層２からなるフィルム接着剤１０を接着剤層２を上に向けてダイシング装置（図示せず）に固定する。固定手段として、例えば、リングフレームが用いられる。
【００５６】
次いで、図３（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ２１をフィルム接着剤１０の熱硬化性接着剤層２の上にマウントする。このとき、熱硬化性接着剤層は初期接着力を有しているので、半導体ウエハを容易にマウントすることができる。
【００５７】
引き続いて、図３（Ｃ）に示すように、半導体ウエハ２１とフィルム接着剤１０を一対のヒートローラ２４の間を矢印方向に案内して熱ラミネートする。このとき、半導体ウエハ２１は、破損しないように所定の圧力によって熱硬化性接着剤層と密着させる。また、加熱温度は、通常約７０〜１８０℃、好適には約８０〜１５０℃、より好適には約９０〜１２０℃とする。また、加熱時間は、通常約０．０１〜３０秒、好適には約０．１〜１０秒、より好適には約０．２〜５秒とする。この熱ラミネート工程の後直ちに、熱硬化性接着剤層２が高い接着力をもって半導体ウエハ２１を保持できる。
【００５８】
その後、図３（Ｄ）に示すように、半導体ウエハ２１を熱硬化性接着剤層２と共にダイシング線２６でダイシングする。ダイシング手段として、ダイシングソー２５が用いられている。図示のように、複数のチップ（「半導体チップ」とも言う。）２２の集合体が得られる。このとき、熱硬化性接着剤層２が高い接着力を有しているので、半導体チップ２２の散乱防止には非常に効果的である。必要に応じ、ダイシング前の半導体ウエハ２１に対して、めっき、研磨又はエッチング等の加工を予めしてもよい。
【００５９】
次いで、図４（Ｅ）に示すように、真空吸引装置２８を用いて半導体チップ２２を熱硬化性接着剤層２と共にピックアップする。真空吸引装置２８は、半導体チップ２２に対する衝撃又は負荷を減らすことができる。熱硬化性接着剤層２は、図示のようにバッキングフィルム１から剥れて、半導体チップ２２に転写される。なお、真空吸引装置に代えて、ピックアップロッドなどを使用してもよい。
【００６０】
それから、図４（Ｆ）に示すように、ピックアップ後の半導体チップ２２をそれに付着したままの熱硬化性接着剤層２を介して回路基板３１のダイパッド部３３にマウントする。その後、半導体チップとダイパッド部を熱圧着すると、熱硬化性接着剤層はポストキュア（後硬化）により接着力及び耐熱性を回復・向上させて、最終的には半導体チップとダイパッド部を強固に接着することができるようになる。
【００６１】
半導体チップ２２のマウントが完了した後、図４（Ｇ）に示すように、半導体チップ２２と回路基板３１の銅配線３２を金製のボンディングワイヤ３４を介してワイヤボンディングする。なお、半導体装置の構成によっては、ワイヤボンディングに代えてフリップチップボンディングを使用してもよい。
【００６２】
引き続いて、図示しないが、樹脂封止、ボールマウント等の工程を経て半導体装置が得られる。なお、樹脂封止後の半導体装置は、図２を参照して先に説明した通りである。
【００６３】
周知のように、素子の微細化、高密度実装などの進展に伴い、非常に多くの週類の半導体装置が提案されている。本発明による上述のような半導体装置の製造方法は、これらの半導体装置の製造においても有利に使用できる。
【００６４】
以上、本発明を特にその好ましい実施の形態について説明した。また、これらの好ましい実施の形態を項目に分けて整理すると、次のようになる。
（形態１）カプロラクトン変性のエポキシ樹脂、及び
メラミン／イソシアヌル酸付加物
を含んでなることを特徴とする熱硬化性接着剤組成物。
（形態２）前記カプロラクトン変性のエポキシ樹脂が、１００〜９０００のエポキシ当量を有している、形態１に記載の熱硬化性接着剤組成物。
（形態３）前記メラミン／イソシアヌル酸付加物が、１〜２００重量部の量で含まれる、形態１又は２に記載の熱硬化性接着剤組成物。
（形態４）ゴム状充填材をさらに含む、形態１〜３のいずれか１項に記載の熱硬化性接着剤組成物。
（形態５）フェノキシ樹脂をさらに含む、形態１〜４のいずれか１項に記載の熱硬化性接着剤組成物。
（形態６）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フルオレンエポキシ樹脂、グリシジルアミン樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂及びフッ素化エポキシ樹脂からなる群から選ばれた第２のエポキシ樹脂をさらに含む、形態１〜５のいずれか１項に記載の熱硬化性接着剤組成物。
（形態７）加熱によって初期接着力が発現する、形態１〜６のいずれか１項に記載の熱硬化性接着剤組成物。
（形態８）半導体装置の製造においてダイシング及び（又は）ダイボンディング工程で使用される、形態１〜７のいずれか１項に記載の熱硬化性接着剤組成物。
（形態９）カプロラクトン変性のエポキシ樹脂及びメラミン／イソシアヌル酸付加物を含む熱硬化性接着剤組成物からなる熱硬化性接着剤層と、
前記接着剤層を少なくとも一部で担持したバッキングフィルムと、
を備えることを特徴とするフィルム接着剤。
（形態１０）前記熱硬化性接着剤組成物において、前記カプロラクトン変性のエポキシ樹脂が、１００〜９０００のエポキシ当量を有している、形態９に記載のフィルム接着剤。
（形態１１）前記熱硬化性接着剤組成物において、前記メラミン／イソシアヌル酸付加物が、１〜２００重量部の量で含まれる、形態９又は１０に記載のフィルム接着剤。
（形態１２）前記熱硬化性接着剤組成物がゴム状充填材をさらに含む、形態９〜１１のいずれか１項に記載のフィルム接着剤。
（形態１３）前記熱硬化性接着剤組成物がフェノキシ樹脂をさらに含む、形態９〜１２のいずれか１項に記載のフィルム接着剤。
（形態１４）前記熱硬化性接着剤組成物が、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フルオレンエポキシ樹脂、グリシジルアミン樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂及びフッ素化エポキシ樹脂からなる群から選ばれた第２のエポキシ樹脂をさらに含む、形態９〜１３のいずれか１項に記載のフィルム接着剤。
（形態１５）前記バッキングフィルムが、離型処理されたプラスチックフィルムである、形態９〜１４のいずれか１項に記載のフィルム接着剤。
（形態１６）前記バッキングフィルムが、延伸時に１０％以上の伸び率を示す、延伸可能なプラスチックフィルムである、形態９〜１５のいずれか１項に記載のフィルム接着剤。
（形態１７）前記バッキングフィルムが、ポリスチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリ塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリエーテル系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、フッ素ポリマー系熱可塑性エラストマー、ホモポリマー系熱可塑性エラストマー、アイオノマー系熱可塑性エラストマー及びアロイ系熱可塑性エラストマーからなる群から選ばれた少なくとも１種類の熱可塑性エラストマーからなる、形態１６に記載のフィルム接着剤。
（形態１８）前記バッキングフィルムが、５０〜５００μｍの厚さを有している、形態９〜１７のいずれか１項に記載のフィルム接着剤。
（形態１９）前記熱硬化性接着剤層が、４〜３０μｍの厚さを有している、形態９〜１８のいずれか１項に記載のフィルム接着剤。
（形態２０）少なくとも１個の半導体素子を搭載した基板を含む半導体装置であって、
前記半導体素子が、カプロラクトン変性のエポキシ樹脂及びメラミン／イソシアヌル酸付加物を含む熱硬化性接着剤組成物からなる熱硬化性接着剤層を介して前記基板の素子搭載面に固定されていることを特徴とする半導体装置。
（形態２１）前記半導体素子が、加熱により初期接着力を高められた前記熱硬化性接着剤層を介して熱圧着によって前記基板に固定されている、形態２０に記載の半導体装置。
（形態２２）前記熱硬化性接着剤層が、形態１〜７のいずれか１項に記載の熱硬化性接着剤組成物に由来する、形態２０又は２１に記載の半導体装置。
（形態２３）前記半導体素子が、前記基板の表面に予め設けられたダイパッド上に前記熱硬化性接着剤層を介して固定されている、形態２０〜２２のいずれか１項に記載の半導体装置。
（形態２４）前記熱硬化性接着剤層が、前記半導体素子の複数個が作り込まれた半導体ウエハにすでに貼付されていたものである、形態２０〜２３のいずれか１項に記載の半導体装置。
（形態２５）前記少なくとも１個の半導体素子に搭載された第２の半導体素子を含む、形態２０〜２４のいずれか１項に記載の半導体装置。
（形態２６）少なくとも１個の半導体素子を搭載した基板を含む半導体装置を製造する方法において、
前記半導体素子の複数個が作り込まれている半導体ウエハの片面に、カプロラクトン変性のエポキシ樹脂及びメラミン／イソシアヌル酸付加物を含む熱硬化性接着剤組成物からなる熱硬化性接着剤層と、前記接着剤層を担持したバッキングフィルムとを備えるフィルム接着剤を積層し、
前記半導体ウエハとフィルム接着剤を熱圧着して前記熱硬化性接着剤組成物において初期接着力を発現させ、
前記半導体ウエハにおいて、前記フィルム接着剤をそれに積層した状態を維持したまま、前記半導体素子を個々に分離し、
前記半導体素子を、それに前記熱硬化性接着剤層が付着したままの状態で前記バッキングフィルムから剥離し、そして
前記半導体素子を前記熱硬化性接着剤層を介して前記基板の表面に固定すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
（形態２７）前記半導体素子を前記基板の表面に前記熱硬化性接着剤層を介した熱圧着によって固定する、形態２６に記載の半導体装置の製造方法。
（形態２８）前記半導体素子を前記バッキングフィルムから真空吸引によって剥離する、形態２６又は２７に記載の半導体装置の製造方法。
（形態２９）前記フィルム接着剤が、形態９〜１９のいずれか１項に記載のフィルム接着剤である、形態２６〜２８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
（形態３０）前記基板が、その半導体素子搭載面にさらにダイパッドを有している、形態２６〜２９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【００６５】
【実施例】
引き続いて、本発明をその実施例を参照して説明する。なお、本発明は、これらの実施例によって限定されるものでないことは言うまでもない。
実施例１〜６
熱硬化性接着剤組成物の調製：
下記の第１表に示す各成分を同表に記載の量で配合して熱硬化性接着剤組成物（実施例１〜６）を調製した。なお、第１表に記載の接着剤組成物の成分は、下記の通りである。
フェノキシ樹脂：
ＹＰ５０Ｓ、東都化成製、数平均分子量　１１，８００
液体エポキシ樹脂：
ＤＥＲＴＭ３３２、ダウ・ケミカル日本製、エポキシ当量　１７４
カプロラクトン変性エポキシ樹脂：
プラクセルＴＭＧ４０２、ダイセル化学工業製、エポキシ当量　１３５０
メタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体：
ＥＸＬ−２６９１Ａ，　ローム・アンド・ハース社製
アクリルポリマー：
ＥＸＬ２３１４，　ＫＵＲＥＨＡ　ＰＡＲＡＬＯＩＤＴＭ　ＥＸＬ，　呉羽化学工業製
ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）：
ＣＧ−ＮＡ，　ＰＴＩジャパン製
ウレタン付加物：
ＯｍｉｃｕｒｅＴＭ　５２，　ＰＴＩジャパン製
メラミン／イソシアヌル酸付加物：
ＭＣ−６００，　日産化学工業製
【００６６】
【表１】
Figure 2004099833
【００６７】
各成分を配合した後、室温で攪拌して均一な接着剤溶液を調製した。次いで、この接着剤溶液を、シリコーン処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムからなる基材上に異なる量でコーティングし、１００℃のオーブン中において３０分間乾燥した。実施例１〜６において、それぞれ、３０μｍの厚さをもった熱硬化性接着剤層を備えたＰＥＴフィルム（以下、「フィルム接着剤」とも言う。）が得られた。
熱硬化性接着剤組成物の評価：
以下に示すように、上記のフィルム接着剤を用いて測定試料を作製し、熱硬化性接着剤組成物の接着力、引張りせん断強度、流動性及び耐熱性を評価をした。
（１）接着力の測定
３０μｍの厚さをもった熱硬化性接着剤層を備えたＰＥＴフィルム（フィルム接着剤）を用意した。このフィルム接着剤を２５μｍの厚さをもったポリイミドフィルム（東レデュポン社製、商品名「カプトンＴＭＶ」）と熱ラミネートした。熱ラミネート処理のため、フィルム接着剤とポリイミドフィルムの積層体を一対のヒートローラ（１００℃）の間を通過させた。幅１５ミリメートル（ｍｍ）の接着テープが得られた。
【００６８】
次いで、接着テープからＰＥＴフィルムを剥離し、除去した。それから、測定試料を作製するため、ＰＥＴフィルムの剥離によって露出した熱硬化性接着剤層を３５μｍの厚さをもった２枚の圧延銅箔（サイズ：１０ｍｍ×５０ｍｍ×３５μｍ、日本製箔製）によって挟んだ。これらの圧延銅箔を、熱硬化性接着剤層を介して、１２０℃の加熱温度及び２メガパスカル（ＭＰａ）の荷重で６０秒間熱圧着した。
（初期接着力）
まず、熱圧着の完了直後、それぞれの測定試料から銅箔を剥離し、１８０度剥離時における剥離強度を測定した。測定条件は、測定温度が室温（具体的には２５℃）、剥離速度が５０ｍｍ／分であった。下記の第２表に記載のような初期接着力（１８０度剥離強度）が得られた。
（熱硬化後の接着力）
次いで、それぞれの測定試料を１５０℃のオーブンに入れて１時間にわたって加熱した。このようにして熱硬化性接着剤層を熱硬化させた後、上記と同様にして１８０度剥離強度を測定した。下記の第２表に記載のような熱硬化後の接着力（１８０度剥離強度）が得られた。
（２）引っ張りせん断強度の測定
３０μｍの厚さをもった熱硬化性接着剤層を備えたＰＥＴフィルム（フィルム接着剤）を長さ２５ｍｍ及び幅１２．５ｍｍの細片に裁断した。このフィルム接着剤の細片を２枚の冷間圧延鋼板（サイズ：１００ｍｍ×２５ｍｍ×１．５ｍｍ、ＪＩＳ　Ｇ３１４１、ＳＰＣＣ−ＳＢ）によって挟んだ。重ね合わせ長を２５ｍｍとしながら、フィルム接着剤の熱硬化性接着剤層を介して冷間圧延鋼板を熱圧着して一体にした。ここで、熱圧着の条件は、加熱温度＝１２０℃、圧力＝２ＭＰａ、そしてプレス時間＝３０秒間であった。次いで、一体になった冷間圧延鋼板を１５０℃のオーブンに入れて１時間にわたって接着剤層を後硬化させた。
【００６９】
次いで、上記のようにして作製した測定試料の掴みしろを５０ｍｍ／分で引っ張った際の最大応力を測定した。それから、この最大応力は接着面積で割って引張りせん断強度を求めた。下記の第２表に記載のような引張りせん断強度が得られた。
（３）流動性の評価
３０μｍの厚さをもった熱硬化性接着剤層を備えたＰＥＴフィルム（フィルム接着剤）を用意した。このフィルム接着剤を丸刃で打ち抜いて、１１．４ｍｍの初期半径Ｒ０をもった円板にした。この円板を、一辺が３０ｍｍで厚さが０．５ｍｍの正方形銅板（ＪＩＳ　Ｈ３１００）と一辺が３０ｍｍで厚さが２ｍｍの正方形ガラス板（ＪＩＳ　Ｒ３２０２）との間に挟んだ。その後、正方形ガラス板と正方形銅板とを円板を介して熱圧着した。この熱圧着には、エアープレス装置（本多通信工業製、ＦＨＡＴ−０００６Ａ−ＡＡＨ）を用いた。また、この熱圧着の条件は、加熱温度＝１２０℃、圧力＝１４７０Ｎ、プレス時間＝３０秒間であった。それから、顕微鏡（ニコン製、ＭｅａｓｕｒｅＳｃｏｐｅ　２０）を用いて円板の半径Ｒを計測して、初期半径Ｒ０に対する熱圧着後の半径Ｒの割合（すなわちＲ／Ｒ０；以下、「流れ率」と言う。）を求めた。下記の第２表に記載のような流れ率が得られた。
（４）はんだ耐熱性の評価
３０μｍの厚さをもった熱硬化性接着剤層を備えたＰＥＴフィルム（フィルム接着剤）を長さ２５ｍｍ及び幅２５ｍｍの矩形片に裁断した。このフィルム接着剤を同じ大きさで２５μｍの厚さをもったポリイミドフィルム（東レデュポン社製、商品名「カプトンＴＭＶ」）と、同じ大きさで３５μｍの厚さをもった圧延銅箔（日本製箔製）の間に挟んだ後、熱圧着によりこれらを一体にして測定試料とした。ここで、熱圧着の条件は、加熱温度＝１２０℃、荷重＝１４７０Ｎ、そして加圧時間＝３０秒間であった。
【００７０】
測定試料を３０℃／６０％ＲＨの湿熱オーブンにいれて１時間にわたってエージングした後、さらに２６０℃のはんだ浴にいれて１分間放置した。測定試料をはんだ浴から取り出して目視により外観観察し、フィルム接着剤中の気泡や測定試料における界面の剥離の有無を確かめた。そして、気泡や剥離が認められなかった場合に、はんだ耐熱性に優れている「合格」と判定した。下記の第２表に記載のような評価結果が得られた。
【００７１】
【表２】
Figure 2004099833
【００７２】
【発明の効果】
以上に詳細に説明したように、本発明によれば、熱硬化の前において高い初期接着力を容易に発現することができ、かつその高い初期接着力をそのまま維持することができ、したがって、特に半導体装置の製造においてダイシング工程からダイボンディングまで一貫して使用できる熱硬化性接着剤組成物を提供することができる。
【００７３】
また、本発明によれば、低温短時間の熱圧着によって高い初期接着力を発現できるとともに、その熱圧着の際に接着剤の流動や流れ出しがなく、しかも熱硬化後において耐熱性及びせん断強度の低下も生じない熱硬化性接着剤組成物を提供することができる。
【００７４】
さらに、本発明によれば、半導体素子や半導体装置において腐食などの問題を生じない熱硬化性接着剤組成物を提供することができる。
【００７５】
また、本発明によれば、本発明の熱硬化性接着剤組成物の取り扱いを容易にし、特に半導体装置の製造に有利に利用できるフィルム接着剤を提供することができる。
【００７６】
さらに、本発明のフィルム接着剤は、ダイシングやダイボンディングにおいてばかりでなく、その他の加工分野、例えばマイクロマシンなどの製作においても、有利に使用できる。
【００７７】
さらにまた、本発明によれば、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置やその他の電子装置を容易にかつ歩留まりよく製造できる。また、本発明によると、使用する半導体素子が１００μｍ以下の薄さを有していても、フィルム接着剤の働きで、素子の破損などを伴うことなく半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフィルム接着剤の好ましい１形態を示した断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の好ましい１形態を示した断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法（前半の工程）を順を追って示した断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法（後半の工程）を順を追って示した断面図である。
【図５】本発明の半導体装置のもう１つの好ましい形態を示した断面図である。
【符号の説明】
１…バッキングフィルム
２…接着剤層
１０…フィルム接着剤
２１…半導体ウエハ
２２…半導体チップ
３０…半導体装置
３１…回路基板
３２…配線
３３…ダイパッド部
３４…ボンディングワイヤ

Claims (4)

  1. カプロラクトン変性のエポキシ樹脂、及び
    メラミン／イソシアヌル酸付加物
    を含んでなることを特徴とする熱硬化性接着剤組成物。
  2. カプロラクトン変性のエポキシ樹脂及びメラミン／イソシアヌル酸付加物を含む熱硬化性接着剤組成物からなる熱硬化性接着剤層と、
    前記接着剤層を少なくとも一部で担持したバッキングフィルムと、
    を備えることを特徴とするフィルム接着剤。
  3. 少なくとも１個の半導体素子を搭載した基板を含む半導体装置であって、
    前記半導体素子が、カプロラクトン変性のエポキシ樹脂及びメラミン／イソシアヌル酸付加物を含む熱硬化性接着剤組成物からなる熱硬化性接着剤層を介して前記基板の素子搭載面に固定されていることを特徴とする半導体装置。
  4. 前記少なくとも１個の半導体素子に搭載された第２の半導体素子を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
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