JPH11354556A - 樹脂封止チップ体の製造方法 - Google Patents
樹脂封止チップ体の製造方法Info
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- JPH11354556A JPH11354556A JP10164806A JP16480698A JPH11354556A JP H11354556 A JPH11354556 A JP H11354556A JP 10164806 A JP10164806 A JP 10164806A JP 16480698 A JP16480698 A JP 16480698A JP H11354556 A JPH11354556 A JP H11354556A
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- resin
- chip
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金型を用いることなく、しかも複数個のチッ
プを同時に樹脂封止することにより、作業効率を改善
し、工程管理を容易にすること。 【解決手段】 本発明に係る樹脂封止チップ体の製造方
法は、複数のチップ体をリードフレームにマウントし、
該チップ体がマウントされたリードフレームを、耐熱性
基材を有するテープ上に載置し、該チップ体およびリー
ドフレームを覆うように、熱硬化性樹脂を注入または塗
布後、加熱硬化して、チップ体およびリードフレームを
樹脂封止し、該樹脂封止体を、チップ体毎に切断分離す
ることを特徴としている。
プを同時に樹脂封止することにより、作業効率を改善
し、工程管理を容易にすること。 【解決手段】 本発明に係る樹脂封止チップ体の製造方
法は、複数のチップ体をリードフレームにマウントし、
該チップ体がマウントされたリードフレームを、耐熱性
基材を有するテープ上に載置し、該チップ体およびリー
ドフレームを覆うように、熱硬化性樹脂を注入または塗
布後、加熱硬化して、チップ体およびリードフレームを
樹脂封止し、該樹脂封止体を、チップ体毎に切断分離す
ることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、小型電子部品等の微小物
品（以下、「チップ体」ともいう）の樹脂封止体の製造
方法に関する。
品（以下、「チップ体」ともいう）の樹脂封止体の製造
方法に関する。
【０００２】
【発明の技術的背景】一般的に、ＩＣチップ等の電子部
品は、回路面を保護するために、樹脂により封止されて
いる。従来このような樹脂封止されたチップ体は、個々
のチップ体をそれぞれ別個にリードフレームにマウント
した後、一つ一つを金型を用いて樹脂封止することによ
り製造されていた。
品は、回路面を保護するために、樹脂により封止されて
いる。従来このような樹脂封止されたチップ体は、個々
のチップ体をそれぞれ別個にリードフレームにマウント
した後、一つ一つを金型を用いて樹脂封止することによ
り製造されていた。
【０００３】しかし、このような方法では、１個または
少数のデバイス毎に樹脂封止するため、作業効率の向上
には限界があった。また、ＩＣチップの形状、大きさは
様々であるため、それぞれの形状・大きさに合わせた金
型が必要になり、工程管理が煩雑になる。さらに、金型
を用いる関係上、バリが発生することがあるため、バリ
の除去工程が必要になる場合もある。
少数のデバイス毎に樹脂封止するため、作業効率の向上
には限界があった。また、ＩＣチップの形状、大きさは
様々であるため、それぞれの形状・大きさに合わせた金
型が必要になり、工程管理が煩雑になる。さらに、金型
を用いる関係上、バリが発生することがあるため、バリ
の除去工程が必要になる場合もある。
【０００４】
【発明の目的】本発明は上記のような従来技術に鑑みて
なされたものであって、金型を用いることなく、しかも
複数個のチップを同時に樹脂封止することにより、作業
効率を改善し、工程管理を容易にすることを目的として
いる。
なされたものであって、金型を用いることなく、しかも
複数個のチップを同時に樹脂封止することにより、作業
効率を改善し、工程管理を容易にすることを目的として
いる。
【０００５】
【発明の概要】本発明に係る樹脂封止チップ体の製造方
法は、複数のチップ体をリードフレームにマウントし、
該チップ体がマウントされたリードフレームを、耐熱性
基材を有するテープ上に載置し、該チップ体およびリー
ドフレームを覆うように、熱硬化性樹脂を注入または塗
布後、加熱硬化して、チップ体およびリードフレームを
樹脂封止し、該樹脂封止体を、チップ体毎に切断分離す
ることを特徴としている。
法は、複数のチップ体をリードフレームにマウントし、
該チップ体がマウントされたリードフレームを、耐熱性
基材を有するテープ上に載置し、該チップ体およびリー
ドフレームを覆うように、熱硬化性樹脂を注入または塗
布後、加熱硬化して、チップ体およびリードフレームを
樹脂封止し、該樹脂封止体を、チップ体毎に切断分離す
ることを特徴としている。
【０００６】本発明においては、前記テープが、耐熱性
基材と、該耐熱性基材のリードフレームが載置される側
の面上に形成されたアクリル系放射線硬化型粘着剤層、
シリコーン系粘着剤層、ポリイミド系接着剤層または異
方導電性接着剤層とからなることが好ましい。
基材と、該耐熱性基材のリードフレームが載置される側
の面上に形成されたアクリル系放射線硬化型粘着剤層、
シリコーン系粘着剤層、ポリイミド系接着剤層または異
方導電性接着剤層とからなることが好ましい。
【０００７】また、本発明の他の樹脂封止チップ体の製
造方法は、複数のチップ体をリードフレームにマウント
し、該チップ体がマウントされたリードフレームのチッ
プ体面を、耐熱性基材上に剥離可能に形成された接着剤
層上に載置し、該リードフレームと該接着剤層とから形
成される空隙に熱硬化性樹脂を注入後、加熱硬化して、
チップ体およびリードフレームを樹脂封止し、該樹脂封
止体を、チップ体毎に切断分離し、切断分離されたチッ
プ体面に接着剤層を伴って、耐熱性基材上から剥離する
ことを特徴としている。
造方法は、複数のチップ体をリードフレームにマウント
し、該チップ体がマウントされたリードフレームのチッ
プ体面を、耐熱性基材上に剥離可能に形成された接着剤
層上に載置し、該リードフレームと該接着剤層とから形
成される空隙に熱硬化性樹脂を注入後、加熱硬化して、
チップ体およびリードフレームを樹脂封止し、該樹脂封
止体を、チップ体毎に切断分離し、切断分離されたチッ
プ体面に接着剤層を伴って、耐熱性基材上から剥離する
ことを特徴としている。
【０００８】上記において、接着剤層は、好ましくはポ
リイミド系異方導電性接着剤からなる。このような本発
明によれば、金型を用いることなく、しかも複数個のチ
ップを同時に樹脂封止できるので、作業効率が改善さ
れ、工程管理が容易になる。
リイミド系異方導電性接着剤からなる。このような本発
明によれば、金型を用いることなく、しかも複数個のチ
ップを同時に樹脂封止できるので、作業効率が改善さ
れ、工程管理が容易になる。
【０００９】
【発明の具体的説明】本発明に係る樹脂封止チップ体の
製造方法について、図面を参照しながらさらに具体的に
説明する。
製造方法について、図面を参照しながらさらに具体的に
説明する。
【００１０】本発明に係る樹脂封止チップ体の製造方法
では、まず、図１に示すように、複数のチップ体１をリ
ードフレーム２にマウントする。チップ体１としては、
主に電子回路が形成された半導体装置が用いられるが、
本発明においては、これに限らず、樹脂封止されて使用
に供される物品（たとえば種々の電子部品）であれば、
特に制限されることなく用いられる。
では、まず、図１に示すように、複数のチップ体１をリ
ードフレーム２にマウントする。チップ体１としては、
主に電子回路が形成された半導体装置が用いられるが、
本発明においては、これに限らず、樹脂封止されて使用
に供される物品（たとえば種々の電子部品）であれば、
特に制限されることなく用いられる。
【００１１】リードフレーム２は、図１に示すように、
複数のチップ体搭載部が連結した構造になっている。チ
ップ体１のリードフレーム２へのマウントは、常法によ
り行われ、チップ体としてＩＣを用いる場合には、例え
ば銀ペースト、導電性接着剤等によりチップ体搭載部に
チップ体を固定する。
複数のチップ体搭載部が連結した構造になっている。チ
ップ体１のリードフレーム２へのマウントは、常法によ
り行われ、チップ体としてＩＣを用いる場合には、例え
ば銀ペースト、導電性接着剤等によりチップ体搭載部に
チップ体を固定する。
【００１２】次いで、図２に示すように、チップ体１が
マウントされたリードフレーム２を、耐熱性基材３を有
するテープ４上に載置する。テープ４は、粘着剤層等の
固定手段を備えていてもよいが、後述する熱硬化性樹脂
の注入・硬化によりチップ体１およびリードフレーム２
をテープ４上に固定できるので、必ずしも固定手段を設
ける必要はない。
マウントされたリードフレーム２を、耐熱性基材３を有
するテープ４上に載置する。テープ４は、粘着剤層等の
固定手段を備えていてもよいが、後述する熱硬化性樹脂
の注入・硬化によりチップ体１およびリードフレーム２
をテープ４上に固定できるので、必ずしも固定手段を設
ける必要はない。
【００１３】耐熱性基材３は、耐熱性の樹脂からなり、
該樹脂の融点は好ましくは１８０℃以上、さらに好まし
くは２６０℃以上である。または該温度領域で融解せ
ず、熱分解するものが好ましい。
該樹脂の融点は好ましくは１８０℃以上、さらに好まし
くは２６０℃以上である。または該温度領域で融解せ
ず、熱分解するものが好ましい。
【００１４】このような耐熱性基材３としては、具体的
には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテル
イミドフィルム、ポリアラミドフィルム、ポリエーテル
ケトンフィルム、ポリエーテル・エーテルケトンフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリ（4-メ
チルペンテン-1）フィルム等が用いられる。また、これ
らフィルムの積層体であってもよい。さらに、上記フィ
ルムと、他のフィルムとの積層体であってもよい。
には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテル
イミドフィルム、ポリアラミドフィルム、ポリエーテル
ケトンフィルム、ポリエーテル・エーテルケトンフィル
ム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリ（4-メ
チルペンテン-1）フィルム等が用いられる。また、これ
らフィルムの積層体であってもよい。さらに、上記フィ
ルムと、他のフィルムとの積層体であってもよい。
【００１５】また、後述する異方導電性接着剤層やポリ
イミド系接着剤層を、チップ体１やリードフレーム２に
転写する場合には、耐熱性基材３の中でも、剥離可能な
面を有する耐熱性基材が好ましく用いられ、特に表面張
力が４０dyne/cm 未満、好ましくは３０dyne/cm 以上４
０dyne/cm 未満の基材が好ましい。このため、用途によ
っては、耐熱性基材３の表面をアルキッド系、シリコー
ン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、オレフィン系
あるいはワックス系の剥離剤で処理することもできる。
イミド系接着剤層を、チップ体１やリードフレーム２に
転写する場合には、耐熱性基材３の中でも、剥離可能な
面を有する耐熱性基材が好ましく用いられ、特に表面張
力が４０dyne/cm 未満、好ましくは３０dyne/cm 以上４
０dyne/cm 未満の基材が好ましい。このため、用途によ
っては、耐熱性基材３の表面をアルキッド系、シリコー
ン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、オレフィン系
あるいはワックス系の剥離剤で処理することもできる。
【００１６】耐熱性基材３の膜厚は、その材質にもよる
が、通常は１０〜３００μｍ程度であり、好ましくは１
６〜１００μｍ程度である。チップ体１がマウントされ
たリードフレーム２を、耐熱性基材３を有するテープ４
上に載置する際、図２では、リードフレーム面がテープ
４上に位置する場合を示したが、チップ体の用途によっ
ては、チップ体１がテープ４上に位置するように載置す
ることもできる。たとえば、チップ体１としてＩＣを用
いる場合には、デバイスの形状により、何れの面を載置
するかを適宜に選択できる。
が、通常は１０〜３００μｍ程度であり、好ましくは１
６〜１００μｍ程度である。チップ体１がマウントされ
たリードフレーム２を、耐熱性基材３を有するテープ４
上に載置する際、図２では、リードフレーム面がテープ
４上に位置する場合を示したが、チップ体の用途によっ
ては、チップ体１がテープ４上に位置するように載置す
ることもできる。たとえば、チップ体１としてＩＣを用
いる場合には、デバイスの形状により、何れの面を載置
するかを適宜に選択できる。
【００１７】次いで、図３に示すように、チップ体１お
よびリードフレーム２を覆うように、熱硬化性樹脂５を
注入または塗布後、加熱硬化して、チップ体１およびリ
ードフレーム２を樹脂封止する。
よびリードフレーム２を覆うように、熱硬化性樹脂５を
注入または塗布後、加熱硬化して、チップ体１およびリ
ードフレーム２を樹脂封止する。
【００１８】この際に用いる熱硬化性樹脂５としては、
クレゾールノボラック型エポキシ、ナフタレン型エポキ
シ、ビフェニル型エポキシあるいは芳香族多官能型エポ
キシを主原料とし、フェノールノボラック等の一般に用
いられる硬化剤およびシリカ、シリコーン、カーボン、
フィラー等を混合した樹脂が好ましく用いられる。加熱
硬化の条件は、使用する熱硬化性樹脂の種類に応じて適
宜に定められる。
クレゾールノボラック型エポキシ、ナフタレン型エポキ
シ、ビフェニル型エポキシあるいは芳香族多官能型エポ
キシを主原料とし、フェノールノボラック等の一般に用
いられる硬化剤およびシリカ、シリコーン、カーボン、
フィラー等を混合した樹脂が好ましく用いられる。加熱
硬化の条件は、使用する熱硬化性樹脂の種類に応じて適
宜に定められる。
【００１９】樹脂を硬化した後、バルク状の樹脂封止体
を、チップ体毎に切断分離することにより、樹脂封止チ
ップ体が得られる（図４）。切断分離の手段としては、
従来半導体ウェハ等をダイシングするために使用されて
いるダイサー等を用いることができる。
を、チップ体毎に切断分離することにより、樹脂封止チ
ップ体が得られる（図４）。切断分離の手段としては、
従来半導体ウェハ等をダイシングするために使用されて
いるダイサー等を用いることができる。
【００２０】次いで、必要に応じテープ４のエキスパン
ドを行う。エキスパンドにより、チップ間隔が拡張する
ので、樹脂封止チップ体のピックアップを容易に行うこ
とができる。
ドを行う。エキスパンドにより、チップ間隔が拡張する
ので、樹脂封止チップ体のピックアップを容易に行うこ
とができる。
【００２１】かくして、図５に示すように、樹脂封止チ
ップ体をピックアップし、所定の基体上にマウントす
る。また、本発明では、前記テープ４として、耐熱性基
材３と、その上に形成されたアクリル系放射線硬化型粘
着剤層とからなるテープを用いることもできる。
ップ体をピックアップし、所定の基体上にマウントす
る。また、本発明では、前記テープ４として、耐熱性基
材３と、その上に形成されたアクリル系放射線硬化型粘
着剤層とからなるテープを用いることもできる。
【００２２】アクリル系放射線硬化型粘着剤層は、たと
えばアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物からなる。
アクリル系粘着剤は、アクリル酸エステルを主たる構成
単位とする。
えばアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物からなる。
アクリル系粘着剤は、アクリル酸エステルを主たる構成
単位とする。
【００２３】アクリル酸エステルとしては、たとえば、
炭素数１〜１０のアルキルアルコールのアクリル酸エス
テル、炭素数１〜１０のアルキルアルコールのメタクリ
ル酸エステル等が用いられる。
炭素数１〜１０のアルキルアルコールのアクリル酸エス
テル、炭素数１〜１０のアルキルアルコールのメタクリ
ル酸エステル等が用いられる。
【００２４】また、この他にも、本発明の目的を損なわ
ない範囲で、水酸基、アミノ基、置換アミノ基、グリシ
ジル基等を含有するアクリル酸エステル；および（メ
タ）アクリル酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、ビニ
ルアルキルエーテル等から導かれる構成単位が、アクリ
ル系粘着剤中に含有されていてもよい。
ない範囲で、水酸基、アミノ基、置換アミノ基、グリシ
ジル基等を含有するアクリル酸エステル；および（メ
タ）アクリル酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、ビニ
ルアルキルエーテル等から導かれる構成単位が、アクリ
ル系粘着剤中に含有されていてもよい。
【００２５】これらのモノマーを重合して得られる共重
合体の分子量は、１．０×１０5 〜１０．０×１０5 で
あり、好ましくは４．０×１０5 〜８．０×１０5 であ
る。上記のようなアクリル系粘着剤は、架橋剤を使用す
ることにより接着力と凝集力とを任意の値に設定するこ
とができる。このような架橋剤としては、多価イソシア
ネート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化
合物、キレート化合物等がある。
合体の分子量は、１．０×１０5 〜１０．０×１０5 で
あり、好ましくは４．０×１０5 〜８．０×１０5 であ
る。上記のようなアクリル系粘着剤は、架橋剤を使用す
ることにより接着力と凝集力とを任意の値に設定するこ
とができる。このような架橋剤としては、多価イソシア
ネート化合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化
合物、キレート化合物等がある。
【００２６】またアクリル系放射線硬化型粘着剤に用い
られる放射線重合性化合物としては、たとえば特開昭６
０−１９６，９５６号公報および特開昭６０−２２３，
１３９号公報に開示されているような光照射によって三
次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合
を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用い
られ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトール
モノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレング
リコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ
アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられ
る。
られる放射線重合性化合物としては、たとえば特開昭６
０−１９６，９５６号公報および特開昭６０−２２３，
１３９号公報に開示されているような光照射によって三
次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合
を少なくとも２個以上有する低分子量化合物が広く用い
られ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトール
モノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレートあるいは１，４−ブチレング
リコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ
アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられ
る。
【００２７】さらに放射線重合性化合物として、上記の
ようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリ
レート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンア
クリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリ
エーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネ
ート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシアネー
ト、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシ
リレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシ
アネート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアネート
などを反応させて得られる末端イソシアネートウレタン
プレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレート
あるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエチル
アクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロ
キシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコール
アクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート
などを反応させて得られる。
ようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリ
レート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンア
クリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリ
エーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネ
ート化合物たとえば２，４−トリレンジイソシアネー
ト、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシ
リレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシ
アネート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアネート
などを反応させて得られる末端イソシアネートウレタン
プレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレート
あるいはメタクリレートたとえば２−ヒドロキシエチル
アクリレートまたは２−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロ
キシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコール
アクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート
などを反応させて得られる。
【００２８】粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合
性化合物との配合比は、アクリル系粘着剤１００重量部
に対して放射線重合性化合物は５０〜２００重量部、好
ましくは５０〜１５０重量部、特に好ましくは７０〜１
２０重量部の範囲の量で用いられることが望ましい。こ
の場合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大き
く、しかも放射線照射後には粘着力は大きく低下する。
したがって、樹脂封止チップ体とアクリル系放射線硬化
型粘着剤層との界面での剥離が容易になり、樹脂封止チ
ップ体をピックアップできる。
性化合物との配合比は、アクリル系粘着剤１００重量部
に対して放射線重合性化合物は５０〜２００重量部、好
ましくは５０〜１５０重量部、特に好ましくは７０〜１
２０重量部の範囲の量で用いられることが望ましい。こ
の場合には、得られる粘着シートは初期の接着力が大き
く、しかも放射線照射後には粘着力は大きく低下する。
したがって、樹脂封止チップ体とアクリル系放射線硬化
型粘着剤層との界面での剥離が容易になり、樹脂封止チ
ップ体をピックアップできる。
【００２９】また、アクリル系放射線硬化型粘着剤層
は、側鎖に放射線重合性基を有するエネルギー線硬化型
共重合体から形成されていてもよい。このような放射線
硬化型共重合体は、粘着性と放射線硬化性とを兼ね備え
る性質を有する。側鎖に放射線重合性基を有するエネル
ギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平５−３２９
４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等にその詳細
が記載されている。
は、側鎖に放射線重合性基を有するエネルギー線硬化型
共重合体から形成されていてもよい。このような放射線
硬化型共重合体は、粘着性と放射線硬化性とを兼ね備え
る性質を有する。側鎖に放射線重合性基を有するエネル
ギー線硬化型共重合体は、たとえば、特開平５−３２９
４６号公報、特開平８−２７２３９号公報等にその詳細
が記載されている。
【００３０】上記のようなアクリル系放射線硬化型粘着
剤は、放射線照射前には被着体に対して充分な接着力を
有し、放射線照射後には接着力が著しく減少する。すな
わち、放射線照射前には、樹脂封止チップ体を充分な接
着力で保持するが、放射線照射後には、樹脂封止チップ
体を容易に剥離することができる。
剤は、放射線照射前には被着体に対して充分な接着力を
有し、放射線照射後には接着力が著しく減少する。すな
わち、放射線照射前には、樹脂封止チップ体を充分な接
着力で保持するが、放射線照射後には、樹脂封止チップ
体を容易に剥離することができる。
【００３１】このようなアクリル系放射線硬化型粘着剤
層の膜厚は、通常は、３〜５０μｍ程度であり、好まし
くは５〜３０μｍ程度である。さらに上記のアクリル系
放射線硬化型粘着剤層中に、ＵＶ照射用の場合には、Ｕ
Ｖ開始剤を混入することにより、ＵＶ照射による重合硬
化時間ならびにＵＶ照射量を少なくすることができる。
層の膜厚は、通常は、３〜５０μｍ程度であり、好まし
くは５〜３０μｍ程度である。さらに上記のアクリル系
放射線硬化型粘着剤層中に、ＵＶ照射用の場合には、Ｕ
Ｖ開始剤を混入することにより、ＵＶ照射による重合硬
化時間ならびにＵＶ照射量を少なくすることができる。
【００３２】このようなＵＶ開始剤としては、具体的に
は、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベン
ゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチル
エーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル
ジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサ
ルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジ
ル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙
げられる。
は、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベン
ゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチル
エーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル
ジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサ
ルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジ
ル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙
げられる。
【００３３】また、本発明では、耐熱性基材３と、その
上に形成されたシリコーン系粘着剤層とからなるテープ
４を用いることもできる。シリコーン系粘着剤として
は、従来より汎用のシリコーン系粘着剤が特に制限され
ることなく用いられ、このようなシリコーン系粘着剤
は、耐熱性に優れるので、熱硬化性樹脂４として、比較
的高温において硬化するものを用いたとしても、熱によ
り粘着剤が劣化することがないため、樹脂封止チップ体
を汚損することもなくなる。
上に形成されたシリコーン系粘着剤層とからなるテープ
４を用いることもできる。シリコーン系粘着剤として
は、従来より汎用のシリコーン系粘着剤が特に制限され
ることなく用いられ、このようなシリコーン系粘着剤
は、耐熱性に優れるので、熱硬化性樹脂４として、比較
的高温において硬化するものを用いたとしても、熱によ
り粘着剤が劣化することがないため、樹脂封止チップ体
を汚損することもなくなる。
【００３４】シリコーン系粘着剤層の膜厚は、好ましく
は１〜５０μｍ程度であり、特に好ましくは５〜２０μ
ｍ程度である。さらに、本発明では、耐熱性基材３と、
その上に形成されたポリイミド系接着剤層とからなるテ
ープ４を用いることもできる。
は１〜５０μｍ程度であり、特に好ましくは５〜２０μ
ｍ程度である。さらに、本発明では、耐熱性基材３と、
その上に形成されたポリイミド系接着剤層とからなるテ
ープ４を用いることもできる。
【００３５】ポリイミド系接着剤は、ポリイミド樹脂自
体および／またはポリイミド樹脂の前駆体を主成分とす
る。ポリイミド樹脂は、側鎖または主鎖にイミド結合を
有する。またポリイミド樹脂前駆体とは、硬化により、
上記のポリイミド樹脂を与えるものをいう。このような
ポリイミド系樹脂としては、具体的には、ポリイミド樹
脂、ポリイソイミド樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイ
ミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド
樹脂、ポリ−イミド・イソインドロキナゾリンジオンイ
ミド樹脂等が挙げられ、これらの樹脂単独もしくは２つ
以上混合させて使用することができる。これらの中でも
特にポリイミド樹脂が好ましい。
体および／またはポリイミド樹脂の前駆体を主成分とす
る。ポリイミド樹脂は、側鎖または主鎖にイミド結合を
有する。またポリイミド樹脂前駆体とは、硬化により、
上記のポリイミド樹脂を与えるものをいう。このような
ポリイミド系樹脂としては、具体的には、ポリイミド樹
脂、ポリイソイミド樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイ
ミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド
樹脂、ポリ−イミド・イソインドロキナゾリンジオンイ
ミド樹脂等が挙げられ、これらの樹脂単独もしくは２つ
以上混合させて使用することができる。これらの中でも
特にポリイミド樹脂が好ましい。
【００３６】ポリイミド系樹脂の分子量は、好ましくは
１０，０００〜１，０００，０００、特に好ましくは５
０，０００〜１００，０００程度である。また、ポリイ
ミド系樹脂に、他のポリマーやオリゴマー、低分子化合
物を添加したポリイミド系接着剤を用いてもよい。たと
えば、エポキシ樹脂、アミド樹脂、ウレタン樹脂、アミ
ド酸樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの各種ポ
リマーやオリゴマー；トリエタノールアミンやα，ω−
（ビス３−アミノプロピル）ポリエチレングリコールエ
ーテルなどの含窒素有機化合物などが添加剤として挙げ
ることができる。
１０，０００〜１，０００，０００、特に好ましくは５
０，０００〜１００，０００程度である。また、ポリイ
ミド系樹脂に、他のポリマーやオリゴマー、低分子化合
物を添加したポリイミド系接着剤を用いてもよい。たと
えば、エポキシ樹脂、アミド樹脂、ウレタン樹脂、アミ
ド酸樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂などの各種ポ
リマーやオリゴマー；トリエタノールアミンやα，ω−
（ビス３−アミノプロピル）ポリエチレングリコールエ
ーテルなどの含窒素有機化合物などが添加剤として挙げ
ることができる。
【００３７】ポリイミド系接着剤層３の膜厚は、好まし
くは１〜５０μｍ程度であり、特に好ましくは５〜２０
μｍ程度である。さらに、本発明では、耐熱性基材３
と、その上に形成された異方導電性接着剤層とからなる
テープ４を用いることもできる。
くは１〜５０μｍ程度であり、特に好ましくは５〜２０
μｍ程度である。さらに、本発明では、耐熱性基材３
と、その上に形成された異方導電性接着剤層とからなる
テープ４を用いることもできる。
【００３８】異方導電性接着剤は、バインダーポリマー
中に導電性粒子を含む接着剤であり、テープの圧着前に
は導電性粒子同士は互いに接触しない範囲でバインダー
ポリマー中に存在し、テープの圧着により接着剤層の厚
さ方向にのみ導電性粒子が接触し、異方導電性を発現す
るものである。
中に導電性粒子を含む接着剤であり、テープの圧着前に
は導電性粒子同士は互いに接触しない範囲でバインダー
ポリマー中に存在し、テープの圧着により接着剤層の厚
さ方向にのみ導電性粒子が接触し、異方導電性を発現す
るものである。
【００３９】バインダーポリマーとして用いられる材料
は、通常の接着剤として使用されている樹脂が特に制限
されることなく用いられ、たとえばエポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン樹脂等が用いられる。
は、通常の接着剤として使用されている樹脂が特に制限
されることなく用いられ、たとえばエポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ポリウレタン樹脂等が用いられる。
【００４０】導電性粒子として用いられる材料は、金、
銀、銅、ニッケル、アルミニウム等の金属あるいは合金
の粉体や繊維状体やカーボンブラックあるいは、ポリア
ニリン、ポリピロール等の導電性高分子の粉体や繊維状
体が用いられる。これらの材料は、それぞれ単独で用い
てもよく、また複数種を組み合わせて用いてもよい。ま
た、粉体等の形状についても、導電性材料単独で形成さ
れているものであってもよく、またスチレン、アクリル
等の樹脂にコーティングあるいはメッキしたものであっ
てもよい。粉体あるいは繊維状体の大きさは、１〜２０
μｍ程度が好ましい。
銀、銅、ニッケル、アルミニウム等の金属あるいは合金
の粉体や繊維状体やカーボンブラックあるいは、ポリア
ニリン、ポリピロール等の導電性高分子の粉体や繊維状
体が用いられる。これらの材料は、それぞれ単独で用い
てもよく、また複数種を組み合わせて用いてもよい。ま
た、粉体等の形状についても、導電性材料単独で形成さ
れているものであってもよく、またスチレン、アクリル
等の樹脂にコーティングあるいはメッキしたものであっ
てもよい。粉体あるいは繊維状体の大きさは、１〜２０
μｍ程度が好ましい。
【００４１】このような導電性粒子は、上記バインダー
ポリマー１００重量部に対して、１〜５００重量部程度
の割合で用いられる。異方導電性接着剤層３の膜厚は、
好ましくは１〜５０μｍ程度であり、特に好ましくは１
０〜３０μｍ程度である。
ポリマー１００重量部に対して、１〜５００重量部程度
の割合で用いられる。異方導電性接着剤層３の膜厚は、
好ましくは１〜５０μｍ程度であり、特に好ましくは１
０〜３０μｍ程度である。
【００４２】このような異方導電性接着剤層を有するテ
ープを用いる場合には、基材３として、前述の剥離可能
な面を有する耐熱性基材を用いることが好ましい。この
ようにすると、樹脂封止チップ体に異方導電性接着剤層
をともなって、チップ体をピックアップでき、回路基板
等との接続に他の導通手段を用いることなく、固定およ
び配線を同時に行うことができる。
ープを用いる場合には、基材３として、前述の剥離可能
な面を有する耐熱性基材を用いることが好ましい。この
ようにすると、樹脂封止チップ体に異方導電性接着剤層
をともなって、チップ体をピックアップでき、回路基板
等との接続に他の導通手段を用いることなく、固定およ
び配線を同時に行うことができる。
【００４３】また、本発明の他の樹脂封止チップ体の製
造方法では、図６に示すように、複数のチップ体１がマ
ウントされたリードフレーム２をテープ４上に載置す
る。この際、テープ４は、剥離可能な面を有する耐熱性
基材３と、基材３の剥離可能な面に形成された接着剤層
７とからなり、チップ体１の背面が接着剤層７に貼着さ
れる。剥離可能な面は、たとえば基材３の表面を前述し
たような剥離剤６で処理することで形成でき、また基材
３を構成する樹脂を適宜に選択することで剥離処理を省
略することもできる。
造方法では、図６に示すように、複数のチップ体１がマ
ウントされたリードフレーム２をテープ４上に載置す
る。この際、テープ４は、剥離可能な面を有する耐熱性
基材３と、基材３の剥離可能な面に形成された接着剤層
７とからなり、チップ体１の背面が接着剤層７に貼着さ
れる。剥離可能な面は、たとえば基材３の表面を前述し
たような剥離剤６で処理することで形成でき、また基材
３を構成する樹脂を適宜に選択することで剥離処理を省
略することもできる。
【００４４】次いで、図７に示すように、リードフレー
ム２上の導通部を覆わないように、リードフレーム２と
接着剤層７とから形成される空隙に熱硬化性樹脂５を注
入後、加熱硬化して、チップ体およびリードフレームを
樹脂封止する。樹脂を硬化した後、ダイサー等によりチ
ップ体毎に切断分離して樹脂封止チップ体を得る（図
８）。
ム２上の導通部を覆わないように、リードフレーム２と
接着剤層７とから形成される空隙に熱硬化性樹脂５を注
入後、加熱硬化して、チップ体およびリードフレームを
樹脂封止する。樹脂を硬化した後、ダイサー等によりチ
ップ体毎に切断分離して樹脂封止チップ体を得る（図
８）。
【００４５】続いて、必要に応じてテープ４のエキスパ
ンドを行い、図９に示すように樹脂封止チップ体を所定
の基体上にマウントする。ピックアップの際、接着剤層
７はチップ体１の背面に転写され、保護層を形成する。
ンドを行い、図９に示すように樹脂封止チップ体を所定
の基体上にマウントする。ピックアップの際、接着剤層
７はチップ体１の背面に転写され、保護層を形成する。
【００４６】このような樹脂封止チップ体の製造方法で
は、接着剤層７としては、前述のポリイミド系接着剤が
耐熱性に優れるため好ましい。
は、接着剤層７としては、前述のポリイミド系接着剤が
耐熱性に優れるため好ましい。
【００４７】
【発明の効果】以上、説明してきたように、本発明によ
れば、金型を用いることなく、しかも複数個のチップを
同時に樹脂封止できるので、作業効率が改善され、工程
管理が容易になる。
れば、金型を用いることなく、しかも複数個のチップを
同時に樹脂封止できるので、作業効率が改善され、工程
管理が容易になる。
【００４８】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもので
はない。
【００４９】
【実施例１】〔第１のテープの製造〕耐熱性基材とし
て、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（デュポン社製
Kapton H）の片面に、n-ブチルアクリレートとアクリ
ル酸との共重合体（重量平均分子量＝５０万）１００重
量部と、ウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分
子量＝８０００）１００重量部と、光重合開始剤として
1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバガイ
ギー社製、イルガキュア 184）５重量部と、硬化剤とし
てコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）１０重量部と
からなるアクリル系放射線硬化型粘着剤を厚さ２０μｍ
になるように塗布し、第１のテープを製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕５列×２０列のリードフレ
ームマトリクスに、５mm×７mmの半導体チップがダイボ
ンディングされ、ワイヤーボンディングされ、その反対
面に直径０．５mmのハンダ製ボール電極が１デバイス当
たり４８個形成されたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）
基板を用意した。
て、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（デュポン社製
Kapton H）の片面に、n-ブチルアクリレートとアクリ
ル酸との共重合体（重量平均分子量＝５０万）１００重
量部と、ウレタンアクリレートオリゴマー（重量平均分
子量＝８０００）１００重量部と、光重合開始剤として
1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバガイ
ギー社製、イルガキュア 184）５重量部と、硬化剤とし
てコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）１０重量部と
からなるアクリル系放射線硬化型粘着剤を厚さ２０μｍ
になるように塗布し、第１のテープを製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕５列×２０列のリードフレ
ームマトリクスに、５mm×７mmの半導体チップがダイボ
ンディングされ、ワイヤーボンディングされ、その反対
面に直径０．５mmのハンダ製ボール電極が１デバイス当
たり４８個形成されたＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）
基板を用意した。
【００５０】該ＢＧＡ基板のボール電極面に第１のテー
プのアクリル系放射線硬化型粘着剤面を貼付し、ダイシ
ング用フラットリング（８インチ用、ディスコ社製、２
−８−１）に固定した。
プのアクリル系放射線硬化型粘着剤面を貼付し、ダイシ
ング用フラットリング（８インチ用、ディスコ社製、２
−８−１）に固定した。
【００５１】続いて、封止樹脂（クレゾールノボラック
系エポキシ樹脂１００重量部、フェノールノボラック系
樹脂５０重量部、溶融シリカ５００重量部、イミダゾー
ル系触媒１重量部、カーボンブラック０．５重量）をス
クリーン印刷機により重ね塗りし、半導体チップ面上に
１００μｍ厚になるように、ＢＧＡ基板上に平滑に塗布
し、１８０℃２時間の硬化条件により硬化した。
系エポキシ樹脂１００重量部、フェノールノボラック系
樹脂５０重量部、溶融シリカ５００重量部、イミダゾー
ル系触媒１重量部、カーボンブラック０．５重量）をス
クリーン印刷機により重ね塗りし、半導体チップ面上に
１００μｍ厚になるように、ＢＧＡ基板上に平滑に塗布
し、１８０℃２時間の硬化条件により硬化した。
【００５２】次に、ＤＩＳＣＯ社製ダイサー（ＤＦＤ６
４０）にて、ブレード厚２００μｍ、回転数３００００
ｒｐｍ、速度５０mm／秒の条件で、切込み深さ５０μｍ
でチップ毎にフルカットダイシングし、第１のテープの
基材面から紫外線（８０Ｗ、５秒、距離１００mm）を照
射した。
４０）にて、ブレード厚２００μｍ、回転数３００００
ｒｐｍ、速度５０mm／秒の条件で、切込み深さ５０μｍ
でチップ毎にフルカットダイシングし、第１のテープの
基材面から紫外線（８０Ｗ、５秒、距離１００mm）を照
射した。
【００５３】得られたデバイスは、テープから問題無く
剥離でき、従来のデバイスの製造方法よりも簡単な方法
で、大量のデバイスを生産できた。
剥離でき、従来のデバイスの製造方法よりも簡単な方法
で、大量のデバイスを生産できた。
【００５４】
【実施例２】〔第２のテープの製造〕耐熱性基材とし
て、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（デュポン社製
Kapton H）の片面に、メチルビニルシリコーンゴム１
００重量部と、メチルフェニルシリコーンゴム５０重量
部と、ベンゾイルパーオキサイド０．１重量部とからな
るシリコーン系粘着剤を厚さ２０μｍになるように塗布
し、第２のテープを製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕第１のテープに代えて、第
２のテープを用いた以外は、実施例１と同様にして樹脂
封止チップ体を製造した。なお、紫外線照射は行わなか
った。
て、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（デュポン社製
Kapton H）の片面に、メチルビニルシリコーンゴム１
００重量部と、メチルフェニルシリコーンゴム５０重量
部と、ベンゾイルパーオキサイド０．１重量部とからな
るシリコーン系粘着剤を厚さ２０μｍになるように塗布
し、第２のテープを製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕第１のテープに代えて、第
２のテープを用いた以外は、実施例１と同様にして樹脂
封止チップ体を製造した。なお、紫外線照射は行わなか
った。
【００５５】得られたデバイスは、テープから問題無く
剥離でき、従来のデバイスの製造方法よりも簡単な方法
で、大量のデバイスを生産できた。
剥離でき、従来のデバイスの製造方法よりも簡単な方法
で、大量のデバイスを生産できた。
【００５６】
【実施例３】〔第３のテープの製造〕耐熱性基材とし
て、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（デュポン社製
Kapton H）の片面に熱硬化型ポリイミド系接着剤（宇
部興産社製ＵＰＡ−ＡＨ）を厚さ２０μｍになるように
塗布し、第３のテープを製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕第１のテープに代えて、第
３のテープを用いた以外は、実施例１と同様にして樹脂
封止チップ体を製造した。なお、紫外線照射は行わなか
った。
て、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム（デュポン社製
Kapton H）の片面に熱硬化型ポリイミド系接着剤（宇
部興産社製ＵＰＡ−ＡＨ）を厚さ２０μｍになるように
塗布し、第３のテープを製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕第１のテープに代えて、第
３のテープを用いた以外は、実施例１と同様にして樹脂
封止チップ体を製造した。なお、紫外線照射は行わなか
った。
【００５７】得られたデバイスは、テープから問題無く
剥離でき、従来のデバイスの製造方法よりも簡単な方法
で、大量のデバイスを生産できた。
剥離でき、従来のデバイスの製造方法よりも簡単な方法
で、大量のデバイスを生産できた。
【００５８】
【実施例４】〔第４のテープの製造〕耐熱性基材とし
て、厚さ５０μｍのポリエステルフィルム（東レ社製、
ルミラー）の片面に、シリコーン系離型剤で、剥離処理
を施した。該剥離処理面に、熱可塑性ポリイミド樹脂１
００重量部と、粒径５μｍのニッケル粉体５０重量部と
からなる異方導電性接着剤を厚さ２０μｍになるように
塗布し、第４のテープを製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕実施例１で準備したＢＧＡ
基板の電極面を第４のテープの異方導電性接着剤に１８
０℃で５kg／cm2 の圧力を加えて熱圧着し、ダイシング
用フラットリング（８インチ用、ディスコ社製２−８−
１）に固定した（図２）。以下、実施例１と同様にして
樹脂封止チップ体を製造した。なお、紫外線照射は行わ
なかった。
て、厚さ５０μｍのポリエステルフィルム（東レ社製、
ルミラー）の片面に、シリコーン系離型剤で、剥離処理
を施した。該剥離処理面に、熱可塑性ポリイミド樹脂１
００重量部と、粒径５μｍのニッケル粉体５０重量部と
からなる異方導電性接着剤を厚さ２０μｍになるように
塗布し、第４のテープを製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕実施例１で準備したＢＧＡ
基板の電極面を第４のテープの異方導電性接着剤に１８
０℃で５kg／cm2 の圧力を加えて熱圧着し、ダイシング
用フラットリング（８インチ用、ディスコ社製２−８−
１）に固定した（図２）。以下、実施例１と同様にして
樹脂封止チップ体を製造した。なお、紫外線照射は行わ
なかった。
【００５９】得られたデバイスは、テープから問題無く
剥離でき、従来のデバイスの製造方法よりも簡単な方法
で、大量のデバイスを生産できた。また該デバイスは裏
面に異方導電性接着剤層を同伴して剥離できた。したが
って、この異方導電性接着剤層を介して、デバイスを他
の被着体に貼付できた。
剥離でき、従来のデバイスの製造方法よりも簡単な方法
で、大量のデバイスを生産できた。また該デバイスは裏
面に異方導電性接着剤層を同伴して剥離できた。したが
って、この異方導電性接着剤層を介して、デバイスを他
の被着体に貼付できた。
【００６０】
【実施例５】〔第５のテープの製造〕図６に示す構成の
第５のテープを以下のようにして製造した。
第５のテープを以下のようにして製造した。
【００６１】すなわち、耐熱性基材として、厚さ５０μ
ｍのポリイミドフィルム３（デュポン社製 Kapton H）
の片面に、剥離剤６としてアルキド樹脂をコートし、該
剥離処理面に、ポリイミド系接着剤７（宇部興産社製Ｕ
ＰＡ−ＡＨ）を厚さ２０μｍになるように塗布し、第５
のテープ４を製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕実施例１で準備したＢＧＡ
基板のチップ面を、ポリイミド系接着剤層７上に載置
し、１８０℃で５kg/cm2の圧力を加え、ＢＧＡ基板をポ
リイミド系接着剤層７に熱圧着し、ＤＩＳＣＯ社ダイシ
ング用フラットリング（８インチ用、２−８−１）に固
定した（図６）。
ｍのポリイミドフィルム３（デュポン社製 Kapton H）
の片面に、剥離剤６としてアルキド樹脂をコートし、該
剥離処理面に、ポリイミド系接着剤７（宇部興産社製Ｕ
ＰＡ−ＡＨ）を厚さ２０μｍになるように塗布し、第５
のテープ４を製造した。 〔樹脂封止チップ体の製造〕実施例１で準備したＢＧＡ
基板のチップ面を、ポリイミド系接着剤層７上に載置
し、１８０℃で５kg/cm2の圧力を加え、ＢＧＡ基板をポ
リイミド系接着剤層７に熱圧着し、ＤＩＳＣＯ社ダイシ
ング用フラットリング（８インチ用、２−８−１）に固
定した（図６）。
【００６２】続いて、上述の封止樹脂５を、リードフレ
ーム２とテープ４との間に注入し、１８０℃２時間の硬
化条件により硬化した（図７）。次に、ＤＩＳＣＯ社製
ダイサー（ＤＦＤ６４０）にて、ブレード厚２００μ
ｍ、回転数３００００ｒｐｍ、速度５０mm／秒の条件
で、切込み深さ５０μｍでチップ毎にフルカットダイシ
ングした（図８）。
ーム２とテープ４との間に注入し、１８０℃２時間の硬
化条件により硬化した（図７）。次に、ＤＩＳＣＯ社製
ダイサー（ＤＦＤ６４０）にて、ブレード厚２００μ
ｍ、回転数３００００ｒｐｍ、速度５０mm／秒の条件
で、切込み深さ５０μｍでチップ毎にフルカットダイシ
ングした（図８）。
【００６３】得られたデバイスは、テープから問題無く
剥離でき（図９）、従来のデバイスの製造方法よりも簡
単な方法で、大量のデバイスを生産できた。得られたデ
バイスのチップ面にはポリイミド系接着剤層が転写され
て保護層を形成し、信頼性の高いものであった。
剥離でき（図９）、従来のデバイスの製造方法よりも簡
単な方法で、大量のデバイスを生産できた。得られたデ
バイスのチップ面にはポリイミド系接着剤層が転写され
て保護層を形成し、信頼性の高いものであった。
【図１】 本発明に係る樹脂封止チップ体の製造工程を
示す。
示す。
【図２】 本発明に係る樹脂封止チップ体の製造工程を
示す。
示す。
【図３】 本発明に係る樹脂封止チップ体の製造工程を
示す。
示す。
【図４】 本発明に係る樹脂封止チップ体の製造工程を
示す。
示す。
【図５】 本発明に係る樹脂封止チップ体の製造工程を
示す。
示す。
【図６】 本発明の別の態様に係る樹脂封止チップ体の
製造工程を示す。
製造工程を示す。
【図７】 本発明の別の態様に係る樹脂封止チップ体の
製造工程を示す。
製造工程を示す。
【図８】 本発明の別の態様に係る樹脂封止チップ体の
製造工程を示す。
製造工程を示す。
【図９】 本発明の別の態様に係る樹脂封止チップ体の
製造工程を示す。
製造工程を示す。
１…チップ体 ２…リードフレ
ーム ３…耐熱性基材 ４…テープ ５…熱硬化性樹脂（封止樹脂） ６…剥離剤 ７…ポリイミド系接着剤
ーム ３…耐熱性基材 ４…テープ ５…熱硬化性樹脂（封止樹脂） ６…剥離剤 ７…ポリイミド系接着剤
Claims (7)
- 【請求項１】 複数のチップ体をリードフレームにマウ
ントし、 該チップ体がマウントされたリードフレームを、耐熱性
基材を有するテープ上に載置し、 該チップ体およびリードフレームを覆うように、熱硬化
性樹脂を注入または塗布後、加熱硬化して、チップ体お
よびリードフレームを樹脂封止し、 該樹脂封止体を、チップ体毎に切断分離することを特徴
とする樹脂封止チップ体の製造方法。 - 【請求項２】 前記テープが、耐熱性基材と、該耐熱性
基材のリードフレームが載置される側の面上に形成され
たアクリル系放射線硬化型粘着剤層とからなることを特
徴とする請求項１に記載の樹脂封止チップの製造方法。 - 【請求項３】 前記テープが、耐熱性基材と、該耐熱性
基材のリードフレームが載置される側の面上に形成され
たシリコーン系粘着剤層とからなることを特徴とする請
求項１に記載の樹脂封止チップの製造方法。 - 【請求項４】 前記テープが、耐熱性基材と、該耐熱性
基材のリードフレームが載置される側の面上に形成され
たポリイミド系接着剤層とからなることを特徴とする請
求項１に記載の樹脂封止チップの製造方法。 - 【請求項５】 前記接着剤層が、異方導電性接着剤から
なることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止チップ
の製造方法。 - 【請求項６】 複数のチップ体をリードフレームにマウ
ントし、 該チップ体がマウントされたリードフレームのチップ体
面を、耐熱性基材上に剥離可能に形成された接着剤層上
に載置し、 該リードフレームと該接着剤層とから形成される空隙に
熱硬化性樹脂を注入後、加熱硬化して、チップ体および
リードフレームを樹脂封止し、 該樹脂封止体を、チップ体毎に切断分離し、 切断分離されたチップ体面に接着剤層を伴って、耐熱性
基材上から剥離することを特徴とする樹脂封止チップ体
の製造方法。 - 【請求項７】 前記接着剤層が、ポリイミド系接着剤か
らなることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止チッ
プの製造方法。
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