JPH11224884A - 電気回路の封止構造体およびその製造方法 - Google Patents

電気回路の封止構造体およびその製造方法

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JPH11224884A
JPH11224884A JP10024955A JP2495598A JPH11224884A JP H11224884 A JPH11224884 A JP H11224884A JP 10024955 A JP10024955 A JP 10024955A JP 2495598 A JP2495598 A JP 2495598A JP H11224884 A JPH11224884 A JP H11224884A
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electric circuit
resin
sealing structure
curable resin
curing
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Akira Ichikawa
市川　　章
Naoki Hasegawa
直樹 長谷川
Kazuyoshi Ebe
和義 江部
Katsuhisa Taguchi
克久 田口
Yasukazu Nakada
安一 中田
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Original Assignee
Lintec Corp
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 データキャリアシステムなどに用いられる電
気回路の封止構造体が、柔軟性を有し、その表面が平滑
になるような製造方法の提供。 【解決手段】 電気回路の封止構造体の製造方法が、基
板上の片面に硬化性樹脂を塗布する工程と、その基板上
の硬化性樹脂面を実装済み電気回路に貼合する工程と、
その基板上の硬化性樹脂を硬化させる工程と、を具えて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気回路の封止構
造体、特に、平滑で柔軟性のある電気回路の封止構造体
の製造方法およびその方法により得られる封止構造体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップの気密封止には、セラミッ
ク封止と樹脂封止がある。樹脂封止は相対的に信頼性に
劣るが、生産性、コストの面で有利である。しかし、信
頼性も樹脂材料の高性能化などによって実用上問題ない
程度になってきている。樹脂で封止されたＩＣなどは、
現在あらゆる産業分野、例えばデータキャリアシステム
と呼ばれる電子タグ識別システムなど、に適用されてい
る。しかし、集積度の増大に伴ってチップが大型化して
きているにもかかわらず、パッケージは小型、薄型とな
ってきている。
【０００３】従来の樹脂封止パッケージを製造するには
まず、封止剤を所定の重量、寸法のタブレットに加工す
る。そして、タブレットを予熱し、タブレットを軟化し
てからあらかじめ用意してあった金型ポットに流し入れ
る。そして、このタブレットを金型温度に加熱して完全
に液化し、キャビティーに圧入する。この圧力をかけた
まま時間経過により、樹脂系の化学反応が起こり、硬化
物に変わる。こうして得られた成形体、つまり封止パッ
ケージを実装済み電気回路に接着して、封止構造体が製
造される。
【０００４】しかし、モールドを用いて固形体として得
られる封止パッケージを用いると、電池およびチップの
あるところに段差、あるいは凹凸が生じる。また、樹脂
が、電気回路にまんべんなく行きわたるように、樹脂厚
を余分にとる必要があり、薄型の封止構造体を得ること
が難しいという問題がでてくる。
【０００５】上記問題を解決する方法として、複数の熱
可塑性樹脂板の間に電子タグの部品群を挟んで重ね、こ
れらを熱プレス機に固定された金型内にセットし、所定
の加熱条件下で加圧することで、熱可塑性樹脂板を溶融
せしめ、電子タグの製品群と一体化し、成形する方法が
ある。しかしながら、このような方法をもっても、封止
構造体表面には段差や凹凸が生じる。さらに、熱可塑性
樹脂板を溶融させるには一般に樹脂の融点以上である、
１５０℃以上に加熱しなければならないため、封止構造
体内のチップあるいは電池を破裂させるおそれがある。
また、熱可塑性樹脂板を加熱加圧加工した後、金型から
取り外し、冷却する必要がある。高温からの冷却の際、
熱可塑性樹脂が著しく収縮することで、チップあるいは
回路を破壊する問題がでてくる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したような方法
は、１５０℃以上という高温状態で封止作業を行うこと
により、封止構造体中の電池、チップあるいは回路を破
壊またはそれらの寿命を短縮させる問題が生じる。ま
た、上述した方法による完成品は柔軟性に乏しく、か
つ、封止構造体の表面は電池、あるいはチップがあるこ
とで段差あるいは凹凸が生じてしまい、表面印刷や表面
への装飾用ラベルのラミネートが非常に困難となる。
【０００７】そこで、本発明は、柔軟性を有し、表面の
平滑な封止構造体を製造する方法およびその方法により
得られる電気回路の封止体を提供することを目的として
いる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの本発明の電気回路の封止構造体の製造方法は二通り
ある。
【０００９】第一の電気回路の封止構造体の製造方法
は、基材上の片面に硬化性樹脂を塗布する工程と、この
基材上の硬化性樹脂面を実装済み電気回路に貼り合わせ
る工程と、この基材上の硬化性樹脂を硬化させる工程
と、を具えている。
【００１０】この方法における基材上の硬化性樹脂を硬
化させる工程は、熱または光を用いて実施されることが
好ましい。
【００１１】第二の電気回路の封止構造体の製造方法
は、基材上の片面に硬化性樹脂を塗布する工程と、この
基材上の硬化性樹脂をプレキュアさせる工程と、この基
材上のプレキュアさせた硬化性樹脂面を実装済み電気回
路に貼り合わせる工程と、プレキュアさせた硬化性樹脂
を硬化させる工程と、を具えている。
【００１２】この第二の製造方法における基材上の硬化
性樹脂をプレキュアさせる工程は、熱または光を用いて
実施されることが好ましい。
【００１３】また、第二ほ製造方法におけるプレキュア
させた硬化性樹脂を硬化させる工程は、熱または光を用
いて実施されることが好ましい。
【００１４】さらに、本発明では、上述の電気回路の封
止構造体の製造方法により製造された電気回路の封止構
造体を提供しており、この電気回路の封止構造体の基材
または回路基板の外面にラベルをラミネートすることを
特徴とする電気回路製品も提供する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法について
図面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明にかかる電気回路の封止構造
体の全体的な構成を表す断面図である。このような電気
回路の封止構造体は以下の二通りの方法で製造する。
【００１７】第一の方法は、まず、基材１上に硬化性樹
脂２を塗布し、この硬化性樹脂の塗布された基材の硬化
性樹脂面を、あらかじめ用意された実装済み電気回路の
実装面に貼合する。
【００１８】実装済み電気回路は、例えば、ＩＣチップ
３を導電性接着剤４および導電性インキ６を介して、お
よびボタン電池５を導電性インキ６を介して回路基板７
上に配置し、ボタン電池を導電性テープ８で被覆して回
路基板上に固定して製造したものである。
【００１９】硬化性樹脂を塗布した基材と実装済み電気
回路を貼り合わせた後、硬化性樹脂を硬化させ、所望の
電気回路の封止構造体を得る。
【００２０】第二の方法は、硬化性樹脂の粘度が著しく
低く、実装済み電気回路に貼合し封止するという加工に
適さない場合に用いられる。
【００２１】まず基材１上に硬化性樹脂２を塗布し、こ
の硬化性樹脂に光あるいは熱を与えプレキュアし、所望
の粘度を有する状態に前加工する。その後、プレキュア
された硬化性樹脂面を、あらかじめ用意された実装済み
電気回路の実装面に貼合する。プレキュアされた硬化性
樹脂を有する基材と実装済み電気回路とを貼合した後、
プレキュアされた硬化性樹脂を硬化させ、所望の電気回
路の封止構造体を得る。
【００２２】第一および第二の方法で得られた封止構造
体は、基材１または回路基板７の外面に従来通り装飾用
印刷をするか接着剤を用いて装飾用の印刷ラベルをラミ
ネートすることができる。また、これらの方法での硬化
させる方法としては、加熱、酸素遮断、水分添加、もし
くは光、放射線、または電磁波照射することによるもの
などが挙げられるが、熱または光を用いることが好まし
い。
【００２３】ここで用いられる基材とは特に制限されな
いが、紙、木材、アルミニウム、鉄、銅、ステンレスス
チールなどの各種金属箔や、ポリエチレン、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリウレタン、ポリエステ
ル、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸、ポリメ
タクリル酸エステル、ポリメタクリル酸、ポリジメチル
シロキサン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミ
ン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アクリロニトリルス
チレン樹脂、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂
などの合成樹脂などを挙げることができる。
【００２４】ここで用いられる硬化性樹脂は、完全に硬
化反応をさせても柔軟性のある物であり、より詳しくは
硬化後の曲げ弾性率が０．００１〜５０Ｎ／ｃｍ2 の範
囲であり、好ましくは０．０１〜３０Ｎ／ｃｍ2 、より
好ましくは１〜２０Ｎ／ｃｍ2 のものである。
【００２５】硬化後の硬化性樹脂の曲げ弾性率が上記範
囲以下であると、本発明にかかわる封止構造体に応力が
かかり形状を変化せしめた場合、応力を取り除いた後も
弾性回復せず変形したままの状態であり、その後の使用
は不可能となる。曲げ弾性率が上記範囲以上であると、
本発明にかかわる封止構造体に応力がかかった場合、柔
軟性がないために封止構造体は割れてしまい使用できな
くなる。
【００２６】このような硬化性樹脂は、一般的に、ポリ
酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチルア
クリレート−メチルメタクリレート共重合体、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアクリル酸エス
テル、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸エステル、ポ
リメタクリル酸、ポリジメチルシロキサン、ポリアミ
ド、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹
脂、ポリイミド、アクリロニトリルスチレン樹脂、アク
リロニトリルブタジエンスチレン樹脂などの各種樹脂
に、反応性樹脂や反応性薬剤を加え、硬化性樹脂として
使用することが多い。
【００２７】ここで、反応性樹脂としては、例えば、オ
ルトフタル酸系不飽和ポリエステル樹脂、イソ系不飽和
ポリエステル樹脂、ビスフェノール系不飽和ポリエステ
ル樹脂、ポリイソプレン、ポリブタジエン、ビニルシロ
キサン樹脂、メタフェニレンビスマレイミド、キノンジ
オキシム、トリアリルシアヌラート、ジアリルフタレー
ト、エチレングリコールジメタクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタ
クリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ト
リエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレン
グリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジ
メタクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト、プロピレングリコールジメタクリレート、プロピレ
ングリコールジアクリレート、ジプロピレングリコール
ジメタクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレ
ート、トリプロピレングリコールジメタクリレート、ト
リプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレ
ングリコールジメタクリレート、ポリプロピレグリコー
ルジアクリレート、トリエチレングリコールメタクリレ
ート、トリエチレングリコールアクリレート、トリジエ
チレングリコールメタクリレート、トリジエチレングリ
コールアクリレート、トリトリエチレングリコールメタ
クリレート、トリトリエチレングリコールアクリレー
ト、トリポリエチレングリコールメタクリレート、トリ
ポリエチレングリコールアクリレート、トリプロピレン
グリコールメタクリレート、トリプロピレングリコール
アクリレート、トリジプロピレングリコールメタクリレ
ート、トリジプロピレングリコールアクリレート、トリ
トリプロピレングリコールメタクリレート、トリトリプ
ロピレングリコールアクリレート、トリポリプロピレン
グリコールメタクリレート、トリポリプロピレングリコ
ールアクリレート、トリアリルイソシアヌラート、ジメ
チロールフェノール、ポリメチロールフェノール、メチ
ロールフェノールホルムアルデヒド樹脂、フェノールホ
ルムアルデヒド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ベンゾ
グアナミン樹脂、アミノホルムアルデヒド樹脂、エピク
ロルヒドリン樹脂、モノエタノールアミン、ジエタノー
ルアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−アミノエチルピ
ペラジン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノール
Ｆ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹
脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、環状脂肪族
エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グ
リシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂
などを挙げることができる。
【００２８】反応性薬剤としては、例えば、ベンゾイル
パーオキサイド、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、
ジクミルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキサイドな
どの過酸化物、ジアゾアミノベンゼン、ビスアゾエステ
ル、アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾ化合物、ト
ルイジンイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナ
ートなどのイソシアナート化合物、ビアセチル、アセト
フェノン、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンジ
ル、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベン
ジルジメチルケタールなどを挙げることができる。この
反応性樹脂および反応性薬剤の組み合わせにより、熱あ
るいは光を用いて、硬化性樹脂を反応させ硬化せしめ
る。
【００２９】ここで硬化前の硬化性樹脂に関して規定す
るなら、ＪＩＳ−Ｋ７１１７の試験法による粘度でその
性状を記述することができる。硬化前の硬化性樹脂の粘
度は、ＪＩＳ−Ｋ７１１７の試験法によれば、２〜１０
０Ｐａ・ｓの範囲である。好ましくは５〜５０Ｐａ・
ｓ、さらに好ましくは８〜１５Ｐａ・ｓである。硬化前
の硬化性樹脂の粘度が上記範囲以下であると、流動的で
保型性に乏しく加工作業が困難となる。また粘度が上記
範囲以上であると、樹脂が硬すぎ、実装済み電気回路と
貼合する際に、電気回路に余分な応力がかかり、破壊し
てしまう。
【００３０】さらに、硬化性樹脂の硬化前の粘度が著し
く低い場合は、熱あるいは光を短時間適用し、硬化性樹
脂をプレキュアして所望の粘度に調整することが望まし
い。
【００３１】基材上に塗布した硬化性樹脂の厚さは１〜
２００００μｍ、好ましくは１０〜５０００μｍ、さら
に好ましくは２５〜１０００μｍが望ましい。
【００３２】本発明では、実装済み電気回路と貼合する
前の硬化性樹脂が適度な粘度を有しているか、有するよ
うに前加工してあり、加工に適しているため、実装済み
電気回路と貼合し、実装済み電気回路の全体に封止がで
きる。しかも樹脂が適度な粘度を有しているので液体状
態で用いるときと異なり、だれがなく、はみ出しなく作
成することができる。
【００３３】また、上述のようにして得られた電気回路
の封止構造体はその表面に段差や著しい凹凸がないた
め、表面装飾用の印刷あるいは表面装飾用の印刷ラベル
をラミネート加工することができる。
【００３４】以下実施例を述べるが本発明はこれらの実
施例に限定される物ではない。
【００３５】
【実施例】この実施例では、本発明による電気回路の封
止構造体の製造方法を具体的に説明する。
【００３６】〈実施例１〉光硬化性樹脂の調製 重量平均分子量１００００のポリウレタン樹脂１００ｇ
に、反応性樹脂としてジエチレングリコールジメタクリ
レート１００ｇ、および反応性薬品としてベンゾフェノ
ン５ｇを添加し、さらに塩化メチレン５００ｇを加え、
撹拌混合し、光硬化性樹脂を調製した。
【００３７】電気回路の封止構造体の製造方法 この調製された光硬化性樹脂を、厚さ７５μｍ、５×７
ｃｍの大きさのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）
フィルムに塗布し、５０℃、２４時間の条件下で乾燥さ
せた。この光硬化性樹脂の厚さは、５００μｍであっ
た。また、光硬化性樹脂の粘度は１１Ｐａ・ｓであっ
た。
【００３８】このようにして調製された光硬化性樹脂が
塗布されたＰＥＴフィルムの光硬化性樹脂面を実装済み
電気回路と貼合した。
【００３９】この実装済み電気回路は、１００μｍの厚
さを有するポリイミドフィルム上にあらかじめ銀粉末を
エポキシ樹脂に分散させた導電性印刷インキで所望の回
路を印刷乾燥させたものに、ＩＣチップを導電性樹脂を
介し固定し、さらにボタン電池をＡｇインキおよび、導
電性テープで被覆してポリイミドフィルム上に固定して
製造した物である。
【００４０】光硬化性樹脂の塗布されたＰＥＴフィルム
と実装済み電気回路を貼合した後、照度１２０ｍＷ／ｃ
ｍ2 、光量１２０Ｊ／ｃｍ2 の条件で、２００秒間光照
射し、光硬化性樹脂を完全に硬化させ、電気回路の封止
構造体を得た。
【００４１】得られた封止構造体は、柔軟性があり、表
面に凹凸のない平滑なものであった。
【００４２】また、光硬化性樹脂を実装済み電気回路を
貼合せずに、上述した硬化条件で完全に硬化させた硬化
物の曲げ弾性率を、パーキンエルマー社製のダイナミッ
クメカニカルアナライザＤＭＡ−７に専用治具を取り付
け、測定したところ、その曲げ弾性率は３Ｎ／ｃｍ2 で
あった。結果を表１に示す。
【００４３】〈実施例２〉熱硬化性樹脂の調製 重量平均分子量１５０００のポリエステル樹脂１００ｇ
に、反応性樹脂としてジエチレングリコールジメタクリ
レート１００ｇ、および反応性薬品として過酸化ベンゾ
イル１０ｇ添加し、さらに塩化メチレン５００ｇを加
え、撹拌混合し、熱硬化性樹脂を調製した。
【００４４】電気回路の封止構造体の製造方法 この調製された熱硬化性樹脂を厚さ１８８μｍ、５×７
ｃｍの大きさのポリエチレンナフタレートフィルムに塗
布し、３５℃、４８時間の条件で乾燥させた。この硬化
性樹脂の厚さは、６００μｍであった。また、この熱硬
化性樹脂の粘度は１３Ｐａ・ｓであった。
【００４５】このようにして調製された熱硬化性樹脂が
塗布されたポリエチレンナフタレートフィルムの熱硬化
性樹脂面を実装済み電気回路と貼合した。
【００４６】この実装済み電気回路は、実施例１で用い
たものと同様のものを用いた。
【００４７】熱硬化性樹脂の塗布されたポリエチレンナ
フタレートフィルムと実装済み電気回路を貼合した後、
１００℃、３０分ヒートプレスし、熱硬化性樹脂を完全
に硬化させ、電気回路の封止構造体を得た。
【００４８】得られた封止構造体は、柔軟性があり、表
面に凹凸のない平滑なものであった。
【００４９】また、熱硬化性樹脂を実装済み電気回路を
貼合せずに、上述した硬化条件で完全に硬化させた硬化
物の曲げ弾性率を、パーキンエルマー社製のダイナミッ
クメカニカルアナライザＤＭＡ−７に専用治具を取り付
け、測定したところ、その曲げ弾性率は２．５Ｎ／ｃｍ
2 であった。結果を表１に示す。
【００５０】〈実施例３〉熱硬化性樹脂の調製 重量平均分子量１００００のエチルアクリレート−メチ
ルメタクリレート共重合体１００ｇに、反応性樹脂とし
てビスフェノールＡ型エポキシ樹脂７０ｇとヘキサメチ
レンジアミン２０ｇを添加し、さらに塩化メチレン５０
０ｇを加え、撹拌混合し、熱硬化性樹脂を調製した。
【００５１】電気回路の封止構造体の製造方法 この調製された熱硬化性樹脂を厚さ１８８μｍ、５×７
ｃｍの大きさのポリエチレンナフタレートフィルムに塗
布し、３５℃、２４時間の条件で乾燥させた。この硬化
性樹脂の厚さは、５００μｍであった。また、この熱硬
化性樹脂の粘度は９Ｐａ・ｓであった。
【００５２】このようにして調製された熱硬化性樹脂が
塗布されたポリエチレンナフタレートフィルムの熱硬化
性樹脂面を実装済み電気回路と貼合した。
【００５３】この実装済み電気回路は、実施例１で用い
たものと同様のものを用いた。
【００５４】熱硬化性樹脂の塗布されたポリエチレンナ
フタレートフィルムと実装済み電気回路を貼合した後、
１００℃、６０分ヒートプレスし、熱硬化性樹脂を完全
に硬化させ、電気回路の封止構造体を得た。
【００５５】得られた封止構造体は、柔軟性があり、表
面に凹凸のない平滑なものであった。
【００５６】また、熱硬化性樹脂を実装済み電気回路を
貼合せずに、上述した硬化条件で完全に硬化させた硬化
物の曲げ弾性率を、パーキンエルマー社製のダイナミッ
クメカニカルアナライザＤＭＡ−７に専用治具を取り付
け、測定したところ、その曲げ弾性率は３．１Ｎ／ｃｍ
2 であった。結果を表１に示す。
【００５７】〈実施例４〉光硬化性樹脂の調製 重量平均分子量５０００のポリウレタン樹脂１００ｇ
に、反応性樹脂としてジエチレングリコールジメタクリ
レート１００ｇ、および反応性薬品としてベンゾフェノ
ン５ｇを添加し、撹拌混合し、光硬化性樹脂を調製し
た。
【００５８】電気回路の封止構造体の製造方法 この調製された光硬化性樹脂を厚さ７５μｍ、５×７ｃ
ｍの大きさのポリエチレンテレフタレートフィルムに厚
さ６００μｍになるように塗布した。また、この光硬化
性樹脂の粘度は０．１Ｐａ・ｓであった。
【００５９】次に、この光硬化性樹脂面に照度１２０ｍ
Ｗ／ｃｍ2 、光量１２０Ｊ／ｃｍ2条件で、２０秒間光
照射し、光硬化性樹脂をプレキュアさせた。このプレキ
ュアさせた光硬化性樹脂の粘度は１２Ｐａ・ｓであっ
た。
【００６０】このようにして調製され、プレキュアされ
た光硬化性樹脂が塗布されたポリエチレンテレフタレー
トフィルムの光硬化性樹脂面を実装済み電気回路と貼合
した。
【００６１】この実装済み電気回路は、実施例１で用い
たものと同様のものを用いた。
【００６２】プレキュアされた光硬化性樹脂の塗布され
たポリエチレンテレフタレートフィルムと実装済み電気
回路を貼合した後、照度１２０ｍＷ／ｃｍ2 、光量１２
０Ｊ／ｃｍ2 の条件で、２００秒間光照射し、光硬化性
樹脂を完全に硬化させ、電気回路の封止構造体を得た。
【００６３】得られた封止構造体は、柔軟性があり、表
面に凹凸のない平滑なものであった。
【００６４】また、光硬化性樹脂を実装済み電気回路を
貼合せずに、上述したプレキュアおよび硬化条件で、プ
レキュアし、そして完全に硬化させた硬化物の曲げ弾性
率を、パーキンエルマー社製のダイナミックメカニカル
アナライザＤＭＡ−７に専用治具を取り付け、測定した
ところ、その曲げ弾性率は２Ｎ／ｃｍ2 であった。結果
を表１に示す。
【００６５】〈実施例５〉熱硬化性樹脂の調製 重量平均分子量７０００のポリエステル樹脂１００ｇ
に、反応性樹脂としてジエチレングリコールジメタクリ
レート１００ｇ、および反応性薬品として過酸化ベンゾ
イル１５ｇを添加し、撹拌混合し、熱硬化性樹脂を調製
した。
【００６６】電気回路の封止構造体の製造方法 この調製された熱硬化性樹脂を厚さ１８８μｍ、５×７
ｃｍの大きさのポリエチレンナフタレートフィルムに、
厚さ５００μｍになるように塗布した。また、この熱硬
化性樹脂の粘度は０．２Ｐａ・ｓであった。
【００６７】次に、この熱硬化性樹脂の塗布されたポリ
エチレンナフタレートフィルムを１００℃の恒温槽に３
分間入れ、熱硬化性樹脂をプレキュアさせた。このプレ
キュアさせた熱硬化性樹脂の粘度は１０Ｐａ・ｓであっ
た。
【００６８】このようにして調製され、プレキュアされ
た熱硬化性樹脂が塗布されたポリエチレンナフタレート
フィルムの熱硬化性樹脂面を実装済み電気回路と貼合し
た。
【００６９】この実装済み電気回路は、実施例１で用い
たものと同様のものを用いた。
【００７０】プレキュアされた熱硬化性樹脂の塗布され
たポリエチレンナフタレートフィルムと実装済み電気回
路を貼合した後、１００℃、３０分ヒートプレスし、熱
硬化性樹脂を完全に硬化させ、電気回路の封止構造体を
得た。
【００７１】得られた封止構造体は、柔軟性があり、表
面に凹凸のない平滑なものであった。
【００７２】また、熱硬化性樹脂を実装済み電気回路を
貼合せずに、上述したプレキュアおよび硬化条件で、プ
レキュアし、そして完全に硬化させた硬化物の曲げ弾性
率を、パーキンエルマー社製のダイナミックメカニカル
アナライザＤＭＡ−７に専用治具を取り付け、測定した
ところ、その曲げ弾性率は２Ｎ／ｃｍ2 であった。結果
を表１に示す。
【００７３】〈実施例６〉熱・光硬化性樹脂の調製 重量平均分子量１００００のエチルアクリレート−メチ
ルメタクリレート共重合体８０ｇに、反応性樹脂として
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１４ｇとヘキサメチレ
ンジアミン４ｇを添加し、さらに、反応性樹脂としてジ
エチレングリコールジメタクリレート８０ｇ、および反
応性薬品としてベンゾフェノン１０ｇを添加し、撹拌混
合し、熱・光硬化性樹脂を調製した。
【００７４】電気回路の封止構造体の製造方法 この調製された熱・光硬化性樹脂を厚さ７５μｍ、５×
７ｃｍの大きさのポリエチレンナフタレートフィルム
に、厚さ６００μｍになるように塗布した。また、この
熱・光硬化性樹脂の粘度は０．２Ｐａ・ｓであった。
【００７５】次に、この熱・光硬化性樹脂の塗布された
ポリエチレンナフタレートフィルムを１００℃の恒温槽
に３分間入れ、熱・光硬化性樹脂をプレキュアさせた。
このプレキュアさせた熱・光硬化性樹脂の粘度は８Ｐａ
・ｓであった。
【００７６】このようにして調製され、プレキュアされ
た熱・光硬化性樹脂が塗布されたポリエチレンナフタレ
ートフィルムの熱・光硬化性樹脂面を実装済み電気回路
と貼合した。
【００７７】この実装済み電気回路は、実施例１で用い
たものと同様のものを用いた。
【００７８】プレキュアされた熱・光硬化性樹脂の塗布
されたポリエチレンナフタレートフィルムと実装済み電
気回路を貼合した後、照度１２０ｍＷ／ｃｍ2 、光量１
２０Ｊ／ｃｍ2 の条件で、２００秒間光照射し、熱・光
硬化性樹脂を完全に硬化させ、電気回路の封止構造体を
得た。
【００７９】得られた封止構造体は、柔軟性があり、表
面に凹凸のない平滑なものであった。
【００８０】また、熱・光硬化性樹脂を実装済み電気回
路を貼合せずに、上述したプレキュアおよび硬化条件
で、プレキュアさせ、そして完全に硬化させた硬化物の
曲げ弾性率を、パーキンエルマー社製のダイナミックメ
カニカルアナライザＤＭＡ−７に専用治具を取り付け、
測定したところ、その曲げ弾性率は２Ｎ／ｃｍ2 であっ
た。結果を表１に示す。
【００８１】〈実施例７〉光・熱硬化性樹脂の調製 重量平均分子量１００００のエチルアクリレート−メチ
ルメタクリレート共重合体８０ｇに、反応性樹脂として
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂７０ｇおよびヘキサメ
チレンジアミン２０ｇを添加し、さらに、反応性樹脂と
してジエチレングリコールジメタクリレート８ｇ、およ
び反応性薬品としてベンゾフェノン１ｇを添加し、撹拌
混合し、光・熱硬化性樹脂を調製した。
【００８２】電気回路の封止構造体の製造方法 この調製された光・熱硬化性樹脂を厚さ７５μｍ、５×
７ｃｍの大きさのポリエチレンナフタレートフィルム
に、厚さ６００μｍになるように塗布した。また、この
光・熱硬化性樹脂の粘度は０．２Ｐａ・ｓであった。
【００８３】次に、この光・熱硬化性樹脂面に照度１２
０ｍＷ／ｃｍ2 、光量１２０Ｊ／ｃｍ2 の条件で、２０
秒間光照射し、光・熱硬化性樹脂をプレキュアさせた。
このプレキュアさせた光・熱硬化性樹脂の粘度は８Ｐａ
・ｓであった。
【００８４】このようにして調製され、プレキュアされ
た光・熱硬化性樹脂が塗布されたポリエチレンナフタレ
ートフィルムの光・熱硬化性樹脂面を実装済み電気回路
と貼合した。
【００８５】この実装済み電気回路は、実施例１で用い
たものと同様のものを用いた。
【００８６】プレキュアされた光・熱硬化性樹脂の塗布
されたポリエチレンナフタレートフィルムと実装済み電
気回路を貼合した後、１００℃、３０分ヒートプレス
し、光・熱硬化性樹脂を完全に硬化させ、電気回路の封
止構造体を得た。
【００８７】得られた封止構造体は、柔軟性があり、表
面に凹凸のない平滑なものであった。
【００８８】また、光・熱硬化性樹脂を実装済み電気回
路を貼合せずに、上述したプレキュアおよび硬化条件
で、プレキュアし、そして完全に硬化させた硬化物の曲
げ弾性率を、パーキンエルマー社製のダイナミックメカ
ニカルアナライザＤＭＡ−７に専用治具を取り付け、測
定したところ、その曲げ弾性率は３Ｎ／ｃｍ2 であっ
た。結果を表１に示す。
【００８９】〈比較実施例１〉硬化性樹脂の代わりに熱
可塑性樹脂であるアクリロニトリルブタジエンスチレン
樹脂を用い比較実施例とした。厚さ５００μｍ、５×７
ｃｍの大きさのアクリロニトリルブタジエンスチレン板
を実装済み電気回路と貼合した。
【００９０】この実装済み電気回路は、実施例１で用い
たものと同様のものを用いた。
【００９１】アクリロニトリルブタジエンスチレン板と
実装済み電気回路を貼合した後、２５０℃、３０分ヒー
トプレスした。しかしながら、ヒートプレス中に本比較
実施例における封止構造体中のボタン電池が過度の熱に
より変形し内容物が漏出した。さらに封止構造体の表面
には凹凸が生じ、また、柔軟性に劣る物であった。
【００９２】〈比較実施例２〉硬化性樹脂の代わりに熱
可塑性樹脂である低密度ポリエチレン樹脂を用い比較実
施例とした。厚さ１０００μｍ、５×７ｃｍの大きさの
低密度ポリエチレン板を実装済み電気回路と貼合した。
【００９３】この実装済み電気回路は、実施例１で用い
たものと同様のものを用いた。
【００９４】低密度ポリエチレン板と実装済み電気回路
を貼合した後、１８０℃、３０分ヒートプレスした。
【００９５】室温に戻した際、ＩＣチップに、低密度ポ
リエチレンの熱収縮によって過度の応力がかかり割れが
生じた。さらに、この比較実施例で得られた封止構造体
の表面には凹凸が生じ、また、柔軟性に劣る物であっ
た。
【００９６】
【表１】
【００９７】
【発明の効果】本発明の実施例によれば、熱あるいは光
により硬化する硬化性樹脂を用い、さらに硬化性樹脂粘
度が、凹凸のある電気回路と貼合するのに適した粘度を
有しているため、貼合した際に硬化性樹脂中に凹凸が吸
収され、表面が平滑となる。さらに硬化後の樹脂の曲げ
弾性率が適度なために本発明にかかわる封止構造体は柔
軟性のある複合体となる。よって、封止構造体の表面装
飾印刷や表面装飾印刷ラベル化が可能である。さらに、
本発明にかかわる封止構造体に応力がかかり形状を変化
せしめた場合、応力を取り除いた後も、封止構造体が適
度な柔軟性を有するため、封止構造体が割れてしまうこ
とはない。
【図面の簡単な説明】
【図１】電気回路の封止構造体の断面図である。
【符号の説明】
１ 基材 ２ 硬化性樹脂 ３ ＩＣチップ ４ 導電性接着剤 ５ ボタン電池 ６ 導電性インキ ７ 回路基板 ８ 導電性テープ
フロントページの続き (72)発明者 田口 克久 東京都板橋区本町23番23号 リンテック株 式会社内 (72)発明者 中田 安一 東京都板橋区本町23番23号 リンテック株 式会社内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気回路の封止構造体の製造方法であっ
    て、 基材上の片面に硬化性樹脂を塗布する工程と、 前記基材上の硬化性樹脂面を実装済み電気回路に貼り合
    わせる工程と、 前記基材上の硬化性樹脂を硬化させる工程と、を具える
    ことを特徴とする電気回路の封止構造体の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記基材上の硬化性樹脂を硬化させる工
    程が、熱を用いて実施されることを特徴とする請求項１
    に記載の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記基材上の硬化性樹脂を硬化させる工
    程が、光を用いて実施されることを特徴とする請求項１
    に記載の製造方法。
  4. 【請求項４】 電気回路の封止構造体の製造方法であっ
    て、 基材上の片面に硬化性樹脂を塗布する工程と、 前記基材上の硬化性樹脂をプレキュアさせる工程と、 前記基材上のプレキュアさせた硬化性樹脂面を実装済み
    電気回路に貼り合わせる工程と、 前記プレキュアさせた硬化性樹脂を硬化させる工程と、
    を具えることを特徴とする電気回路の封止構造体の製造
    方法。
  5. 【請求項５】 前記基材上の硬化性樹脂をプレキュアさ
    せる工程が、熱を用いて実施されることを特徴とする請
    求項４に記載の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記基材上の硬化性樹脂をプレキュアさ
    せる工程が、光を用いて実施されることを特徴とする請
    求項４に記載の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記プレキュアさせた硬化性樹脂を硬化
    させる工程が、熱を用いて実施させることを特徴とする
    請求項４に記載の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記プレキュアさせた硬化性樹脂を硬化
    させる工程が、光を用いて実施されることを特徴とする
    請求項４に記載の製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかに記載の電気回
    路の封止構造体の製造方法により製造された電気回路の
    封止構造体。
  10. 【請求項１０】 請求項９に記載の電気回路の封止構造
    体の基材または回路基板の外面にラベルをラミネートす
    ることを特徴とする電気回路製品。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100704969B1 (ko) 2005-11-28 2007-04-09 삼성전기주식회사 적외선 차단필터 본딩 장치
WO2011105640A1 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 한미반도체 주식회사 압축 성형장치 및 압축 성형방법
WO2011105639A1 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 한미반도체 주식회사 압축 성형 장치 및 방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001072960A (ja) 1999-09-02 2001-03-21 Lintec Corp カード用封止材組成物及びそれを用いたカードの製造方法
US7005179B2 (en) 2002-07-26 2006-02-28 The Regents Of The University Of California Conductive inks for metalization in integrated polymer microsystems
US6878643B2 (en) * 2002-12-18 2005-04-12 The Regents Of The University Of California Electronic unit integrated into a flexible polymer body

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5250600A (en) * 1992-05-28 1993-10-05 Johnson Matthey Inc. Low temperature flexible die attach adhesive and articles using same
JP2774906B2 (ja) * 1992-09-17 1998-07-09 三菱電機株式会社 薄形半導体装置及びその製造方法
JP2994171B2 (ja) * 1993-05-11 1999-12-27 株式会社東芝 半導体装置の製造方法および封止用部材の製造方法
JPH09197965A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Toshiba Chem Corp 電子タグの製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100704969B1 (ko) 2005-11-28 2007-04-09 삼성전기주식회사 적외선 차단필터 본딩 장치
WO2011105640A1 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 한미반도체 주식회사 압축 성형장치 및 압축 성형방법
WO2011105639A1 (ko) * 2010-02-25 2011-09-01 한미반도체 주식회사 압축 성형 장치 및 방법

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