TW200947390A - Display apparatus - Google Patents

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200947390 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種採用各具有一電光裝置的多個像素電 路之顯示設備。該像素電路亦係僅稱為一像素，而該電光 裝置亦係稱為一顯示裝置或一發光裝置。詳細言之，本發 ' 明係關於一種顯示設備，其中該等像素電路之每一者採用 . 一電光裝置來用作一以依據驅動該裝置之一驅動信號的量 值變動之一亮度來發光的電驅動型顯示裝置，並且採用一 φ 用於控制該驅動信號以便可驅動該顯示設備以像素單元顯 示一影像之主動元件。 【先前技術】 存在一採用各具有一電光裝置的多個像素電路之顯示設 備，该電光裝置用作一以依據一驅動信號的量值變動之一 亮度來發光的顯示裝置，該驅動信號係向該裝置施加之一 電壓或流經該裝置之一電流。例如，一液晶顯示裝置係一 以依據向該裝置施加之一電壓之量值變動之一亮度來發光 ® 的典型電光裝置。另一方面，一有機EL(電致發光）裝置與 一 OLED(有機發光二極體）各係一以依據流經該裝置之一 電流之量值變動之一亮度來發光的典型電光裝置。採用各 包括一有機EL裝置的多個像素電路之一顯示設備係稱為一 有機EL顯不設備，其係一所謂自發光型的顯示設備。該自 發光型之一顯示設備係採用各包括該自發光型之一電光裝 置的多個像素電路之一顯示設備。 該有機EL裝置具有一夾在一下部電極與一上部電極之間 137414.doc 200947390 的有機薄膜（亦係稱為一有機層）。該有機層係由一有機電 洞傳輸層與一有機發光層組成之一層壓層。該有機£L裝置 係利用其中在向該有機薄膜施加一電場時發光之一現象 的電光裝置。因此，藉由控制流經該有機EL裝置之一電 流’可以獲得所發射色彩之層次。 由於可藉由一相對較低的電壓（例如不超過1〇 V之一電 壓）來驅動該有機EL裝置，因此該有機£1^裝置具有一低功 率消耗。此外，由於該有機EL裝置係―本身發光之自發光 裝置’因此採用各具有一有機仙裳置的多個像素電路之該 有機EL顯示設備不需要_在__液晶顯示設備中需要的辅助 照明部件（例如—背光）。因此，容易減小採用各具有-有 機EL裝置的多個像素電路之有機虹顯示設備之重量及厚 度。此外’由於該有機EL裝置之回應速度極高，因此不產 生一活動影像顯示之-殘像。該有機肛裝置之—典型回應 時間=有數微㈣級之—值。由於如上所述藉由該有機虹 裝置提供之優點’因此近年來深入並廣泛地開發採用具有 一有機EL裝置以各用作一電光裝置的多個像素電路之一平 面自發光顯示設備。 以*方式’採用各具有一電光裝置的多個像素電路之一 顯示設備可運用一簡單（被動）陣 一魅“， 即早方去或-矩陣方法作為 干-借夕政主 九裝置的夕個像素電路之顯 不叹備之代表性範例係採用各具有一 像夸雷改夕、扣 日日顯不裝置的多個 像素電路之-液晶顯示設備與採用各具有— 多個像素電路之一有機EL顯示設 、 又侑仁疋，即使運用該簡 137414.doc 200947390 單矩陣方法之一顯示設備具有一簡單結構，此—顯示設備 亦產生難以將該顯示設備設計成一大小較大的顯示設備或 一高清晰度的顯示設備之一問題。 為解決上述問題，近年來專注而廣泛地開發該主動矩陣 方法。·依據該主動矩p車方法，ϋ由利用一±動裝置來控制 ’ ㈣在-像素電路中之-發光裝置供應之—像素信號，該 * 主動裝置係用在同一像素電路中作為該發光裝置、作為一 切換裝置。該主動裝置之-典型範例係一絕緣間極FET(場 〇 效電晶體），其一般係一 TFT(薄膜電晶體）。 為驅動此"像素電路之一雷杏往罢益^ / €尤裒置發先，向一信號保持 電容器供應-輸入影像信號，該信號保持電容器係用在該 像素電路中以用作一用於保持該輸入影像信號之電容器。 透過一視訊信號線向用在該像素電路中之信號保持電容器 供應該輸入影像信號。在該像素電路中’從該視訊信號線 向用於驅動該電光裝置之一驅動電晶體之閘極電極以及連 接至該閘極電極之-信號保持電容器供應該輸入影像信 號。藉由一切換電晶體（其亦係稱為一取樣電晶體）從該視 訊信號線向該驅動電晶體之閘極電極以及該信號保持電容 • ϋ供應該輸入影像信號。以此方式，接著向該電光裝置供 .冑«保持於該信號㈣電容器^輸人影像信號之電壓 的一驅動信號。應注意，在下面的說明内容中，亦將該驅 動電晶體之閘極電極稱為該驅動電晶體之一控制輸入端 子，而亦將該信號保持電容器稱為一像素電容器。 在採用各具有-液晶顯示裝置以用作—電光裝置的多個 137414.doc 200947390 像素電路之一液晶顯示裝置中，該液晶顯示設備係一電壓 驅動發射型的裝置。因此，藉由依據在該信號保持電容器 中保存的輸入影像信號之一電壓信號驅動該液晶顯示裝 置。在採用各具有一電流驅動型發射裝置（例如—有機eL 裝置）以用作一電光裝置的多個像素電路之一有機el顯示 設備中，另一方面’藉由該驅動電晶體將依據保持於該信 號保持電容器中的輸入影像信號之電壓信號轉換成一電流 信號並藉由該電流信號來驅動該有機EL裝置。 以一有機el裝置為代表，該電流驅動型發射型之電光裝 置係具有隨驅動該裝置的電流變動而變動之一亮度來發光 之一裝置。為驅動該電光裝置發射具有一穩定亮度之光裝 置’重要的係向該電光裝置供應一穩定驅動電流。向一有 機EL裝置供應一驅動電流之方法一般係分成兩大類，即— 恆定電流驅動方法與一恆定電壓驅動方法。但是，由於該 怪定電流驅動方法與一恆定電壓驅動方法之每一者係基於 一習知技術之一方法，因此，在本專利說明書中並未給出 可供公眾獲得之參考文獻（如揭示此等方法之參考文獻）。 由於該有機EL裝置之電壓-電流特性具有一大梯度，因 此該怪定電壓驅動方法之執行產生因甚至較小的電壓變動 及/或較小的裝置特性變動所導致之較大的電流變動。該 較大的電流變動進而引起較大的亮度變動。基於此原因， 一般需要運用恆定電流驅動方法，其利用在一飽和區域中 的驅動電晶體。當然，即使在該恆定電流驅動方法之情況 下，若存在電流變動，則此類變動將導致亮度變動。但 137414.doc 200947390 是，若該等電流變動較小，則該等亮度變動同樣亦較小。 相反，即使運用該恆定電流驅動方法，為使得該電光裝 置所發射光之亮度穩定，重要的係依據該輸入影像信號將 保持於該信號保持電容器中作為一信號的驅動信號維持於 一固定量值。例如，為使得該有機EL·裝置所發射光之亮度 . 穩定，重要的係依據該輸入影像信號將流經該驅動電晶體 * 作為一電流的驅動電流維持於一固定量值。 順便提及，製程變動不可避免地引起用於驅動該電光裝 參 置之一主動裝置之臨限電壓及遷移率變動。此外，該電光 裝置（例如該有機EL裝置）之特性亦隨時間之消逝而變化。 用於驅動該電光裝置之主動裝置之此等臨限電壓及遷移率 變動及該電光裝置之特性之此等變化會不合需要地影響該 電光裝置所發射光之亮度。 基於上述原因，為將該電光裝置所發射光之亮度控制為 在該顯示設備的整個顯示螢幕各處皆均勻之一值，已研究 ❹ 用於針對用在每一像素電路中以用作用於驅動該電光裝置 之裝置的主動裝置之私限電壓及遷移率變動及針對該像 素電路的電光裝置之特性之變化而補償各像素電路之各種 機構。 . 例如’日本特許公開專利案第2007-31031 1號（下面稱為 專利文獻1)中說明之一機構針對採用一有機EL裝置之一像 素電路具有三個所建議之功能，即一臨限電壓補償功能、 遷移率補償功能及一啟動功能。該臨限電壓補償功能係 用於在給定一恆定輸入影像信號之條件下即使該驅動電晶 137414.doc 200947390 體之限電壓在不同電晶體間變動且隨時間之消逝變動而 將藉由該驅動電晶體產生的驅動電流維持於一恆定量值之 一功能。該遷移率補償功能係用於在給定一恆定輸入影像 l號之條件下即使該驅動電晶體之遷移率隨不同電晶體而 變動且隨時間之消逝變動而將藉由該驅動電晶體產生的驅 動電流維持於一恆定量值之一功能。該啟動功能係用於在 疋恆定輸入影像信號之條件下即使該有機el裝置之電 流-電壓特性隨時間之消逝而變動亦將藉由該驅動電晶體 產生的驅動電流維持於一恆定量值之一功能。 【發明内容】 但是，在專利文獻1說明之機構中，該驅動電晶體之汲 極電極係連接至一電源供應提供線，一脈衝電源供應電壓 係在一垂直掃描操作中施加於該電源供應提供線。該驅動 電晶體之汲極電極亦係稱為該驅動電晶體之一電源供應提 供端子或該像素電路之一電源供應提供端子，而該電源供 應提供線係一典型的垂直掃描線。由於需要為該電流驅動 發射型發光裝置（例如該有機EL裝置）提供大得足以驅動該 發光裝置發光之一電流’因此一相對較大的電流藉由該驅 動電晶體從一電源供應產生源流經該電源供應提供線而至 該發光裝置。因此，藉由一電源供應產生源（例如一驅動 掃描區段）產生且向該電源供應提供線施加之一電源供應 電壓減小一降’該降隨在該電源供應提供線上之一位置 (在此位置觀察該電源供應電壓）與該電源供應產生源之間 的距離而逐漸增加。因此，在該驅動電晶體之電源供應提 137414.doc 200947390 供端子上呈現之一電位比在該電源供應產生源上呈現之電 源供應電壓低一差，而從該電源供應產生源至該驅動電晶 體之距離越長，則該差越大。 在此一情況下’從該電源供應產生源至一驅動電晶體之 距離越長，則在該驅動電晶體的汲極與源極電極之間呈現 的電壓越小。即，在一驅動電晶體的汲極與源極電極之間 w 呈現的電壓隨該像素電路與該電源供應產生源之間的距離 增加而在不同像素間逐漸減小。因此’包括該電晶體之像 Ο 素電路受所謂早期效應之影響。基於此原因，即使運用在 專利文獻1中作為用於消除特性變動之一方法而說明的方 法，藉由一驅動電晶體產生之驅動電流一般隨該驅動電晶 體與該電源供應產生源之間的距離增加而逐漸減小。因 此，該發光裝置所發射光之亮度同樣亦不合需要地逐漸減 小。若該發光裝置所發射光之亮度逐漸減小，則不可避免 地產生亮度不規則’例如陰影及串擾。在一彩色顯示設備 之情況下，該等亮度不規則在該螢幕上呈現為色彩不規 © 則。 為解決上述問題，本發明之發明者已革新一能夠防止因 . 在驅動電晶體的電源供應提供端子上呈現的電壓降而產生 顯示不規則（例如亮度及色彩不規則）之機構。

W 實施一藉由本發明提供的顯示設備之一具體實施例具有 一像素陣列區段’該像素陣列區段包括：像素電路，其各 具備一驅動電晶體與一電光裝置且係佈置為形成一矩陣； 以及一牽引導線，其係提供於該等像素電路之每一者中以 137414.doc 200947390 用作將該驅動電晶體連接至一電源供應提供線之一導線， 其中該牵引導線之電阻在該像素電路接近一向該電源供應 提供線施加一電源供應電壓之源極處係相對較大。 例如在用於驅動用在該等像素電路中的電光裝置來以 一均勻亮度發光之-條件τ，該等牵引導線之任一者的長 度與寬度之至少-者係設定成使得在f亥等驅動電晶體的電 源ί、應提供端子上呈現之電位針對所有該等驅動電路變得 均勻。 在一具有包括各採用一電流驅動發射型電光裝置的多個 像素電路之一像素顯示區段的顯示設備中，以一方式將該 等牵引導線（每一牽引導線係提供於在該電源供應提供線 的縱向方向上s己置的像素電路之一者中）之任_者的長度 與寬度調整成使得，在用於驅動用在該等像素電路中的發 光褒置發射具有均勻亮度的光之—條件下，該等牽引導線 之任者的長度與寬度之至少—者係設定成使得在該等驅 動電晶體的電源供應提供端子上呈現的電位針對所有該等 驅動電路變得均勻。 依據本發明之具體實施例’該等牽引導線係建立用以藉 由將該等牽引導線之任一者的電阻之至少_者調整於變動 值而在該等像素電路中形成一佈局，該等變動值使得，在 用於驅動用在該等像素電路中的發光裝 度的光之-條件下，該等奪引導線之任-者的長 之至少-者係設定成使得在該等驅動電晶體的電源供應提 供端子上呈現的電位針對所有該等驅動電路變得均句。因 137414.doc 200947390 此，可以防止因沿電源供應提供線之電壓降而產生諸如陰 影及串擾之類的亮度不規則。因此，可獲得具有一高影像 品質之一顯示設備。 【實施方式】 本發明之較佳具體實施例係藉由參考圖式而詳細說明如 • 下。 * <整個顯示設備之概述> 圖1係粗略顯示依據本發明之一具體實施例的一主動矩 參 陣有機肛顯示設備1之-典型組態的-方塊圖。下面欲說 明之具體實施例係一本發明實施方案，其中，在該圖式之 方塊圖中顯示的典型、组態中包括的每一像素電路中，作為 一範例，該電流驅動發射型之一有機EL裝置係用作一顯示 裝置，而一多晶矽TFT(薄膜電晶體）係用作用於驅動該有 機EL裝置之主動裝置。該具體實施例實施藉由在一半導體 基板（已在其上面形成該等多晶矽TFT)上建立有機EL裝置 而構建之一主動矩陣有機丑!^顯示設備。如較早所說明，在 下面的說明内容中，亦將該顯示裝置稱為一電光裝置或一 發光裝置，而亦將該主動矩陣EL顯示設備稱為一有機el .顯示設備或僅稱為一顯示設備。一般地，該tft係一 fet (場效電晶體）。 該顯示設備1係在所有領域中採用一記錄媒體（例如一半 導體記憶體、一 MD(MiniDisc，sony公司的註冊商標）或一 卡帶中）的各類電子裝備中用作一顯示區段。此類電子裝 備之範例係-可攜式音樂播放器、一數位相機、一筆記型 137414.doc -11 · 200947390 個人電腦、一可攜式終端機（例如蜂巢式電話及—攝錄影 機）。該顯示區段係一用於顯示向該電子裝置供應之一視 訊k號或在該電子裝置中作為—靜止或活動圖像（影像）產 生之一視訊信號的區段。 應注意，在說明該顯示設備丨的整體組態之以下說明内 容中，使用一像素電路之一有機ELg置作為該像素電路之 -顯示裝置。但是’該有飢裝置僅係一典型的顯示裝 置。即，該顯示裝置決不限於該有機]61^裝置。例如，一般 可使用任何電光裝置作為該顯示裝置，只要該電光裝置係 -電流驅動發射型電織置即可。此外，在此具體實施例 中使用的顯示裝置亦可用在稍後所說明的所有其他具體實 施例中’或者特定言之，用在各實施一對策來防範從藉由 該電源供應產生源產生的—電壓至在該驅動電晶體的電源 供應提供端子上呈現的電壓之—降的多個具體實施例令。 如圖1之方塊圖中所示’該顯示設⑴採用一顯示面板區 段100、一驅動信號產生區段200及—視訊信號處理區段 220。該顯示面板區段！ 00具有用作一主要組件之一像素陣 列區段102。該像素陣列區段1〇2包括佈置為在具有—顯示 縱橫比X: Y之一有效視訊區域中形成—像素矩陣的複數 個像素電路卜該等像素電路P之每—者（亦稱為—像均 具有用作-顯示裝置之一有機肛裝置，其並未顯示於圖^ 之方塊圖中。該有效視訊區域之顯示縱橫比係定義為該區 域的尚度X與該區域的寬度γ之比率。該顯示縱橫比之— 典型值係9: 16。參考所謂時序產生器，該驅動信號產生 137414.doc -12· 200947390 區段200係用於產生用於控制並驅動該顯示面板區段ι〇〇的 各種面板信號之一面板控制區段之一典型範例。該驅動信 號產生區段200與該視訊信號處理區段22〇係嵌入於一單晶 片1C(積體電路)中。在此具體實施例之情況下，包括該驅 動信號產生區段200與該視訊信號處理區段22〇之單晶片ic 係女裝於該顯不面板區段1⑼外部。 在圖1之方塊圖中所示組態之情況下，在該顯示面板區 段100中，上述像素陣列區段102係放置於一基板1〇1上。 ► 一垂直方向驅動區段103與一水平方向驅動區段106係黏著 於該基板101上。該垂直方向驅動區段103係用於在該垂直 方向上掃描該等像素電路P之一區段，而該水平方向驅動 區段106係用於在該水平方向上掃描該等像素電路p之一區 段。該水平方向驅動區段1〇6亦係稱為一水平選擇器或一 資料線驅動區段。此外，用於將該顯示面板區段1〇〇連接 至外部組件（例如，該驅動信號產生區段200及該視訊信號 處理區段220)之一端子區段1〇8係放置於該顯示面板區段 100之一側之一邊緣上。該端子區段108亦係稱為一觸點區 段。應注意’若需要，在某些情況下可黏著一介面㈣區 段，其用作在外部電路與該垂直方向驅動區段1〇3之間以 及在外部電路與該水平方向驅動區段1〇6之間的一介面。 一般地，該垂直方向驅動區段1〇3採用一寫入掃描區段 1〇4與一驅動掃描區段105。該寫入掃描區段1〇4亦係稱為 一寫入掃描器WS。該驅動掃描區段1〇5(亦係稱為一驅動 掃描器DS)用作具有一電源供應提供能力之—電源供應掃 137414.doc .13- 200947390 描器。作為—範例，該像素陣列區段102係藉由該垂直方 向驅動區段103來驅動，該垂直方向驅動區段⑻包括來自 該像素陣列區段1〇2之一側或兩側（在冑】之方塊圖之左至 右方向上彼此分離為該像素陣列區段丨〇2之兩側）的寫入掃 搖區段104與驅動掃描區段1〇5。同樣，該像素陣列區段 係藉由來自該像素陣列區段1〇2之一側或兩側（在圖丄之 方塊圖之頂部向下或底部向上方向上彼此分離為該像素陣 列區段102之兩側）的水平方向驅動區段1〇6來驅動。 採用該寫入掃描區段！ 〇 4及該驅動掃描區段丨〇 5的垂直方 向驅動區段1〇3與該水平方向驅動區段1〇6形成一控制區段 109，來控制一寫入操作以將一信號之電位儲存至該信號 保持電容器内。該控制區段109亦控制一臨限電壓補償操 作、一遷移率補償操作及一啟動操作（梢後將詳細說明）。 該控制區段109因此係用於驅動該像素陣列區段1〇2的像素 電路P之一電路。 如上所述，在此實施方案之組態中，該等周邊驅動電路 (例如，該垂直方向驅動區段103與該水平方向驅動區段 !〇6)係黏著於該基板101(其係與該像素陣列區段1〇2相同之 基板）上。 在圖1之方塊圖中所示之典型組態中，用作在該顯示設 備1外部之一信號源的驅動信號產生區段200藉由該端子區 段108向該顯示面板區段100供應各種脈衝時序信號。但 是，亦可將該驅動信號產生區段200建立為黏著於該顯示 面板區段100上之一半導體晶片。 137414.doc •14· 200947390 如上所述’用作在該顯示設備1外部之一信號源的驅動 信號產生區段200藉由該端子區段1〇8向該顯示面板區段 100供應各種脈衝時序信號。以相同方式，用作在該顯示 設備1外部之一信號源的視訊信號產生區段220藉由該端子 區段108向該顯示面板區段1〇〇供應一視訊信號Vsig ^在一 彩色顯示設備1之情況下，該視訊信號Vsig包括三個色彩 •之視訊信號’即一紅色視訊信號Vsig_R、一綠色視訊信號 Vsig一G及一藍色視訊信號vsig_B。 © 作為一範例，從該端子區段108輸出之垂直寫入/驅動脈 衝信號包括必需的脈衝信號，例如垂直方向偏移開始脈衝 SPDS與SPWS以及垂直方向掃描時脈信號CKD^CKWS。 若需要’則該等垂直寫入/驅動脈衝信號可還包括垂直掃 描時脈信號xCKDS及xCKWS，該等垂直掃描時脈信號 xCKDS及xCKWS分別具有與該等垂直掃描時脈信號ckds 及CKWS的相位相反之相位。 同樣’從該端子區段1〇8輸出的水平方向驅動脈衝信號 包括必需的脈衝信號，例如一水平方向開始脈衝SpH與一 水平方向時脈信號CKH。若需要，則該等水平方向驅動脈 - 衝仏號可還包括一水平方向時脈信號xCKH，該水平方向 . 時脈信號XCKH具有與該水平方向時脈信號CKH的相位相 反之一相位。 該端子區段108之端子係藉由信號線199連接至該垂直方 向驅動區段103及該水平方向驅動區段1〇6。若需要從該 驅動信號產生區段200及該視訊信號處理區段22〇向該端子 137414.doc 200947390 區段108供應的每一脈衝之電壓位準於藉由嵌入於該端子 區奴108之一緩衝器供應至該垂直方向驅動區段1〇3及該水 平方向驅動區段106之前，一般藉由該端子區段1〇8中之一 位準偏移區段來加以調整。應注意，圖丨之方塊圖中未顯 示該位準偏移區段及該緩衝器本身。 該像素陣列區段1 〇2採用二維配置之像素電路p來形成一 像素矩陣。該等像素電路p之每一者包括一用作一顯示裝 置的有機EL裝置與一用作用於驅動有機EL裝置之一驅動 電晶體的像素電晶體，下面將對此作詳細說明。該有機 裝置與該驅動電晶體本身並未顯示於圖1之方塊圖中。針 對該像素矩陣之每一像素列，提供一對掃描線1〇41；5與 105DSL。同樣，針對該像素矩陣之每一像素行，提供— 信號線106HS。 在該像素陣列區段102之典型組態中，該等掃描線 104WS與l〇5DSL係建立為用在該垂直方向掃描操作中之掃 描線，而該信號線l〇6HS係建立為用在該水平方向掃描操 作中之一視訊信號線（或一資料線p在包括垂直方向掃描 線104WS及105DSL之一垂直方向掃描線對與用在該水平方 向掃描操作中的視訊信號線106HS之每一交又點處，建立 —有機EL裝置及用作用於驅動該有機£1^裝置的驅動電晶 體之一TFT。該有機El裴置與該驅動電晶體係組合為形成 —像素電路P。如上所述，該有機EL裝置與該驅動電晶體 本身並未顯示於圖1之方塊圖中。 具體而言，針對佈置為形成該像素矩陣之像素電路p， 137414.doc 200947390 提供寫入掃描線104WS_1M04WS一η。詳細而言，分別針 對該像素矩陣之η個像素列提供該等寫入掃描線1〇4霤^ 至104WS—η。該等寫人掃描線1G4WSj至1()4ws—η之每二 者係一用於傳播藉由該寫入掃描區段1〇4產生之一寫入驅 動脈衝WS的線。 同樣，針對佈置為形成該像素矩陣之像素電路Ρ，提供 • 電源供應提供線MSDSL—1至1051)乩_11。詳細而言，分別 針對該像素矩陣之η個像素列提供該等電源供應提供線 ^ ⑻峨-1至1〇5DSL-n。該等電源供應提供線105DSL」至 l〇5DSL_n之每一者係一用於傳播藉由該驅動掃描區段1〇5 產生之一電源供應驅動脈衝DSL的線。 另一方面，針對佈置為形成該像素矩陣之像素電路p， 提供視訊信號線106118_1至106118—m。詳細而言，分別針 對該像素矩陣之m個像素行提供該等視訊信號線106^、^ 至106HS—m。該等視訊信號線至1〇6Hs—瓜之每一 者係用於傳播藉由該水平方向驅動區段1〇6產生之一視 訊信號Vsig的線。 該寫入掃描區段104與該驅動掃描區段1〇5之每一者係設 計為形成鎖存器與暫存器的邏輯間極之一組合。該寫入掃 描區奴104與忒驅動掃描區段1〇5之每一者選擇用在該像素 陣列區段102中的像素電路p之一矩陣列。即，該寫入掃描 區段104依據從該驅動信號產生區段2〇〇接收作為針對一垂 直方向驅動系統產生之—脈衝信號之一脈衝信號來以一逐 線基礎循序選擇§亥等寫入掃描線MAWS—〗至i〇4ws η之一 137414.doc -17· 200947390 者。 同樣，該驅動掃描區段105依據從該驅動信號產生區段 200接收作為針對一垂直方向驅動系統產生之一脈衝信號 之一脈衝信號來以一逐線基礎循序選擇該等電源供應提供 線 105DSL—1 至 i〇5DSL_n2— 者。 以與該寫入掃描區段104及該驅動掃描區段1〇5相同之方 式，將該水平方向驅動區段106設計為形成鎖存器與暫存 Is的邏輯閘極之一組合。但是，該水平方向驅動區段1〇6 選擇用在該像素陣列區段102中的像素電路p之一矩陣行。 即，該水平方向驅動區段106依據從該驅動信號產生區段 200接收作為針對一水平方向驅動系統產生之一脈衝信號 之一脈衝信號來以一逐線基礎循序選擇該等視訊信號線 106HS一1至l〇6HS_m之一者。該水平方向驅動區段1〇6取樣 該視訊信號Vsig之一預定電位並透過該選定視訊信號線 106HS將所取樣的電位儲存至該信號保持電容器内該信 號保持電容器係用在提供於與該選定視訊信號線丨〇 6 h s相 關聯之選定矩陣行上的像素電路p之每一者中。 可以一逐線基礎或一逐點基礎循序驅動依據此具體實施 例之顯示設備1。詳細而言，用在該垂直方向驅動區段1〇3 中的寫入掃描區段104與驅動掃描區段1〇5之每—者以一逐 線基礎（即，以一逐列基礎）循序掃描該像素陣列區段1〇2。 與藉由該寫入掃描區段104及該驅動掃描區段1〇5實施之掃 ㈣作同纟’該水平方向驅動區段1〇6同時向該像素陣列 區段102供應-像f列之影像信號（在一逐線驅動操作之情 137414.doc -18- 200947390 況下）’或向該像素陣列區段102供應針對每一像素電路p 之一影像信號（在一逐點驅動操作之情況下）。 應注意，一顯示設備產品決不限於作為合成組件之一模 組構建的顯示設備1，該合成組件模組包括該顯示面板區 段100、該驅動信號產生區段200及該視訊信號處理區段 220 ’如圖1之方塊圖所示。例如’可以展現包括僅該顯示 ' 面板區段100或僅該像素陣列區段102之一顯示設備。 作為一典型範例，該顯示設備丨包括一密封組態之一模 ® 組。作為另一典型範例，該顯示設備1經組態為包括僅該 顯示面板區段100(其係藉由將一透明對向玻璃板附接於該 像素陣列區段102上來建立）之一顯示模組。在該透明對向 玻璃板上，建立一顯示層、一濾色器、一保護膜、一遮光 膜及其他層/膜。在此具體實施例之情況下，該顯示層係 一有機層及提供於該層之兩側上的電極。在此顯示面板區 段100之組態之情況下，除該像素陣列區段1〇2外，在該顯 示面板區段100之一邊緣上提供電連接端子。該等電連接 端子係用於將該像素陣列區段102電連接至諸如一具有一 黏著電路之FPC(撓性印刷電路）之類之一外部組件的外部 連接端子。黏著於該FPC上的電路具有與該垂直方向驅動 區段103及該水平方向驅動區段1〇6相同之功能。如較早所 說明，該垂直方向驅動區段1〇3與該水平方向驅動區段1〇6 從外部來源接收各種驅動脈衝及一視訊信號vsig，並將該 等驅動脈衝及該視訊信號Vsig供應至該像素陣列區段 102。關於其他組件，此顯示面板區段ι〇〇之組態與圖1的 137414.doc •19- 200947390 方塊圖中所示組態基本相同。 如較早所說明，在圖丨的方塊圖中所示之組態中，藉由 包括來自該像素陣列區段102之僅一側的寫入掃描區段1〇4 與驅動掃描區段105之垂直方向驅動區段1〇3來驅動該像素 陣列區段102。作為一替代方案，亦可藉由來自兩側（在圖 1之方塊圖之左至右方向上彼此分離為該像素陣列區段1〇2 之兩側）之垂直方向驅動區段1 〇3來驅動該像素陣列區段 102 ^在此情況下，兩個垂直方向驅動區段1〇3將該像素陣 列區段102夾在中間。 同樣’在圖1之方塊圖中所示組態中，藉由來自該像素 陣列區段102的僅一側之水平方向驅動區段1〇6來驅動該像 素陣列區段102。作為一替代方案，亦可藉由來自兩側（在 圖1之方塊圖之頂部向下或底部向上方向上彼此分離為該 像素陣列區段102之兩側）之水平方向驅動區段1 〇6來驅動 »亥像素陣列區段10 2。在此情況下，兩個水平方向驅動區 段106將該像素陣列區段1〇2夾在中間。 <該像素電路之第一典型比較組態> 圖2係顯示依據此具體實施例用於像素電路p之一第一典 型比較組態的一圖式。應注意，圖2之圖式亦顯示該寫入 掃描區段104、該垂直方向驅動區段1〇3及該水平方向驅動 區段106，該等區段係位於放置於該顯示面板區段丨〇〇之基 板101上的像素陣列區段102之周邊上。 用在該像素電路P的第一典型比較組態中之電晶體之每 一者係一 MOS(金氧半導體）FET(場效電晶體）❶用在該第一 137414.doc -20· 200947390 典型比較組態中的電晶體之_ 日肢< 者係一驅動電晶體121。該 驅動電晶體121之閘極電極g且士 ^ 冤極^具有一控制輸入端子之功能。 該驅動電晶體121的源極電極s與汲極電極D之一特定電極 輸入端子’而該源極電極s與該沒極電極〇之另一電 極係用作一輸出端子。特宕+

将疋5之’在用作用於向一有機EL 裝置127供應一驅動電流Ids夕、κ & * S之一源極之情況下，該驅動電 晶體m之源極電極s具有該輸出端子之功能而該驅動電晶 體121之沒極電極D用作為-電源供應提供端子之該輸入端

子以下說明内谷說明一具有包括兩個電晶體之一組態的 典型像素電路P。包括兩個電晶體之組態亦係、稱為一徽 驅動型組態。 由於遠有機EL裝置127係-電流驅動發射型發光裝置， 因此藉控制流經該有機肛裝置127之—驅動電流他的量值 來獲得一所產生色彩之層次。如在圖2之圖式中作為該像 素電路P的組態所顯示之包括兩個電晶體的第一典型比較 組態係-可構想的最簡單電路。在該第一典型比較組態 中，該驅動電晶體121係一 p通道FET，而亦稱為一寫入電 晶體之一取樣電晶體125係一 n通道FET。在以下說明内容 中，一p通道FET係稱為一 pch型FET而一 n通道FET係稱為 一 Nch型 FET。 該Pch型驅動電晶體！ 21之源極電極s係連接至一電源供 應，而該Pch型驅動電晶體12〗之汲極電極D係連接至該有 機EL裝置127之陽極電極。該有機££裝置127之陰極電極 係連接至一般係一接地導線GND之一陰極導線Wcath。該 137414.doc •21 - 200947390 驅動電晶體121之閘極電極g係透過一視訊信號線1 〇6HS及 該取樣電晶體125連接至該水平方向驅動區段1〇6。一信號 保持電晶體120係連接於該驅動電晶體121的電源供應與閘 極電極G之間。 該水平方向驅動區段106透過該視訊信號線1 〇6hs及該 取樣電晶體125向該驅動電晶體121之閘極電極G供應一視 訊信號Vsig。藉由改變向該驅動電晶體丨21的閘極電極G供 . 應的視訊信號Vsig之電壓，可控制從該驅動電晶體121向 該有機EL·裝置127流動之一驅動電流Ids之量值。如上所 述，該Pch型驅動電晶體121之源極電極8係連接至該電源 供應。該驅動電晶體121係設計為在一飽和區域中操作， 在該飽和區域十藉由該驅動電晶體121產生之驅動電流ids 具有與在該驅動電晶體121的汲極與源極電極之間呈現的 一電壓不相依之一量值。 令參考符記Ids表示在操作於該飽和區域中之驅動電晶 體121的汲極舆源極電極之間流動的一電流，參考符記p表 示該驅動電晶體121之遷移率，參考符記w表示該驅動電❹ 晶體丨21之通道寬度（或閘極寬度），參考符記[表示該驅動 電晶體121之通道長度（或閘極長度），參考符記c〇x表示該 驅動電晶體m之閘極容量（或每單位面積之問極氧化膜容 ’ 量），而參考符記vth表示該驅動電晶體121之臨限電壓。 - 在此情況下’藉由具有一恆定電流產决 %例·座生之功能的驅動電 晶體12丨產生之驅動電流Ids係表達為下面給定之等式卜 應注意，在該等式中使用的符號「.」表示指數運^算符。 137414.doc -22- 200947390 從等式（1)明顯看出，在該飽和區域中，該驅動電晶體κι 具有一恆定電流產生器之功能，其產生藉由在該驅動電晶 體121的閘極與源極電極之間呈現的一閘極_源極電壓vgs 控制之一驅動電流Ids。

Ids = f Cox (Vgs — Vthr2 …⑴ <特性之變化及該等變化之影響> 圖3A及3B係在說明像素組態裝置（即，該驅動電晶體121 及該有機EL裝置127)的特性之變化及該等變化之影響時所 參 參考之解釋圖。更特定言之，圖3 A係在說明該驅動電晶體 12 1與該有機el裝置12 7之一操作點時所參考之一解釋圖。 另一方面，圖3B係在說明該驅動電晶體121與該有機£1裝 置127之特性之變化對該驅動電流Ids產生的影響時所參考 之一解釋圖。 <該發光裝置之I-V特性> 般地，以一有機EL裝置為代表之一電流驅動發射型發 φ 光裝置之I-V特性隨時間消逝而劣化，如圖3B之圖式中所 示圖3B之圖式中所示之I-V特性係流經以一有機El裝置 為代表的電流驅動發射型發光裝置之一電流Iel與向該裝置 . 施加之一電壓Vel之間的一關係。顯示為一實線之一曲線 * 表不該有機EL裝置在一初始時間展現之Iel_Vel特性。另一 方面，顯示為虛線之一曲線表示在時間消逝後該有機£1^裝 置所展現之Iel-Vel特性。 例如，當一發光電流Iel正流經用作一典型發光裝置之有 137414.doc -23- 200947390 機EL裝置127時，唯一地決定在該有機£1^裝置i27的陽極 與陰極電極之間呈現的陽極_陰極電壓Vel。該驅動電流ids 係在發光週期中在該驅動電晶體121的汲極與源極電極 之間流動之一電流。驅動電流Ids作為唯一地決定該有機 EL裝置127的陽極·陰極電壓Vel之發光電流Iel向該有機£1^ 裝置127的陽極電極流動。但是，隨著時間的消逝，即使 將忒發光電流iei維持於一恆定量值，該陽極-陰極電壓 亦變化在圖3B的圖式中所示之一（Vel2_VeU)的差。 由於如上所述該有機EL裝置127的Ι-ν特性隨時間之消逝 而變化因此在圖3Α之圖式中顯示為針對該有機EL裝置 127的曲線之虛線曲線係向左偏移，亦使得在圖之圖式 中所示之一操作點之位置向左偏移而改變在該驅動電晶體 121(其係用在與該有機EL裝置127相同之在圖2中所示的像 素電路P之第一典型比較組態中）之汲極電極D上呈現之電 壓。但是，由於該驅動電晶體121係在一飽和區域中操 作，因此藉由該驅動電晶體121產生之驅動電流ids具有與 在該驅動電晶體121的汲極電極D上呈現的—電壓不相依之 一量值《即，藉由該驅動電晶體121產生的驅動電流Ws具 有與該驅動電晶體丨21的閘極源極電壓Vgs相依之—量 值。但是’由於該驅動電晶體121的閘極_源極電壓Vgs不 隨時間之消逝而變化，因此具有一不隨時間之消逝而變化 的量值之驅動電流IciS繼績流動至該有機el裝置丨27。因 此，藉由該有機EL裝置127發射的光之亮度亦不隨時間之 消逝而變化。 1374l4.doc 200947390 <該像素電路之第二典型比較組態> 圖4係顯示依據此具體實施例用於像素電路p之一第二典 型比較組態的一圖式。應注意，圖4之圖式亦顯示該垂直 方向驅動區段103之寫入掃描區段與該水平方向驅動區段 1G6，料區段係位於放置於該顯示面板區段⑽之基板 101上的像素陣列區段102之周邊上。 - 在該像素電路P之第二典型比較組態中，採用一Nch型 FET作為該驅動電晶體121來用作針對該像素電路p之第一 ® 典型比較組態之Pch型驅動電晶體121之一替代物。由於該 驅動電晶體121具有與該取樣電晶體125相同之類型，因此 製造該像素電路P之程序變得更簡單。但是’該像素電路p 之第二典型比較組態產生如下所述之一問題。在該像素電 路p之第二典型比較組態之情況下，該驅動電晶體i2i之汲 極電極D係連接至該電源供應，而該驅動電晶體121之源極 電極s係連接至該有機EL裝置127之陽極電極。隨著該時間 之消逝，該有機EL裝置127之Iel-Ve丨特性劣化（如上所 述），而即使在該發光電流Iel保持不變之情況下該陽極-陰 極電壓Vel變化在圖3B的圖式中所示之一（Vel2_Vell)的 差。即使向該驅動電晶體121的閘極電極g施加之電壓保持 相同，該有機EL裝置127的I-V特性之變化亦改變在圖3A 的圖式中所示之一操作點的位置及在該驅動電晶體121的 源極電極S上呈現的電壓。因此，該驅動電晶體丨21的間 極-源極電壓Vgs亦不可避免地改變。由於從用作一特性等 式之等式（1)明顯看出，該驅動電流Ids之量值係由該驅動 137414.doc -25· 200947390 電晶體121之閘極-源極電壓Vgs決定，因此即使向該驅動 電晶體121的閘極電極G施加之電壓vg保持相同，該驅動 電流Ids之量值亦不可避免地變化。因此，流經該有機el 裝置127之發光電流iej亦不可避免地變化，而不合需要地 導致該有機EL裝置127所發射光之亮度隨時間之消逝而變 化0

如上所述，在具有該第二典型比較組態之像素電路P 中，因該有機EL裝置127的Iel-Vel特性之變化，因此在用

作一典型發光裝置的有機EL裝置127的陽極電極上呈現之 電位隨時間之消逝而變化。在該有機EL裝置127之陽極電 極上呈現的電位之變化係觀察為該驅動電晶體121的閘極_ 源極電壓Vgs之一變化。進而，該驅動電晶體121的閘極_ 、’、極電磨Vgs之變化導致汲極電極之一變化或驅動電流 之變化。驅動電流Ids之變化導致在不同像素間變動且 還依據該消逝時間之長度而變動之一亮度變化。因此，該 影像之品質劣化。

<該驅動電晶體之V-I特性> 此外，若該驅動電晶體121之特性在不同像素間變動 則該等特性變動對流經該驅動電晶體121的驅動電流Ms 生-影響，此從等式⑴可明顯看出。例>，若該驅動電 體⑵的遷移率_或臨限電塵杨在不同像素間或隨時| 之消逝變化，則即使將該閘極_源極電壓維持於一恆定 值机經該驅動電晶體121的驅動電流Ids亦在不同像素f 或隨時間之消逝變化。因此，該有機EL裝置127所她 1374l4.doc -26 - 200947390 之贵度亦在不同像素間或隨時間之消逝變化。 例如’用在該像素電路P中的驅動電晶體m之特性可因 製造該驅動電晶體121的程序之變動而在不同像素間變 動。進而’即使該驅動電晶體121正在一飽和區域中操作 以及即使將該閘極-源極電壓Vgs維持於針對所有該等像素 電路P均勻之一量值，特性之變動亦引起在不同像素間汲 極電流之變動或驅動電流Ids之變動。汲極電流之變動或 驅動電流Ids之變動呈現為該有機EL裝置127所發射光之亮 度在不同像素間之變動。應注意，該驅動電晶體121之特 性包括該驅動電晶體121之遷移率μ及臨限電壓Vth。 如較早所說明’在一飽和區域中操作的驅動電晶體 之驅動電流I d s (或汲極電流）係表達為等式（丨）。該驅動電流 12〗之臨限電壓Vth可在不同像素間變動。即使將該閘極_ 源極電壓Vgs維持於針對所有該等像素電路卩均勻之一量 值，若該驅動電晶體121之臨限電壓Vth在不同像素間變 動，該驅動電流Ids亦在不同像素間變動，從等式（1)明顯 看出此點。即，除非採取防範臨限電壓vth在不同像素間 的變動之一對策，否則藉由具有一臨限電壓乂化丨並接收一 閘極-祕電壓Vgs之一驅動電晶體121產生的驅動電流制 將不合需要地不同於藉由具有不同於該臨限電壓Wh丨之一 臨限電壓Vth2並接收相同的閘極_源極電壓Vgs之另一驅動 電晶體121產生之驅動電流Ids2。 同樣，該驅動電晶體121之遷移^可在不同像素間變 動。即使將該閉極-源極電|Vgs維持於針對所有該等像素 137414.doc •27· 200947390 電路p均勻之一量值，若該驅動電晶體121之遷移率^在不 同像素間變動，該驅動電流Ids亦在不同像素間變動，從 等式ο)明顯看出此點。即，除非採取防範遷移率4在不同 像素間的變動之一對策，否則藉由具有一遷移率μΐ並接收 一閘極-源極電壓V g s之一驅動電晶體丨2丨產生的驅動電流 Idsl將不合需要地不同於藉由具有不同於該遷移率y之一 遷移率μ2並接收相同的閘極_源極電壓Vgs之另一驅動電晶 體121產生之驅動電流Ids2。 若該Vin-Ids特性因臨限電壓Vth及/或遷移率4在不同像 素間的較大變動而變動甚大（其中參考符記Vin表示向該驅 動電晶體121的閘極電極G施加之一視訊信號vsig之高位準 電位），則即使向該等像素電路p之驅動電晶體121施加相 同的信號振幅AVin，該驅動電流ids及因此該有機EL裝置 127所發射光之亮度同樣亦在不同像素間變動。因此，不 能獲得螢幕亮度均勻性。此係由於，若用在該像素電路p 中的驅動電晶體121之臨限電壓Vth及/或遷移率μ在不同像 素間變動，則該驅動電流Icis亦依據等式（1)在不同像素間 變動’而所發射的光之亮度亦在不同像素間變動。 <臨限電壓及遷移率補償之概念> 藉由將實施一臨限電壓補償功能及一遷移率補償功能之 時序設定為分別防範臨限電壓的變動及遷移率的變動之對 策，可抑制該等變動之影響。因此，可獲得螢幕亮度均勻 性。稍後將詳細說明實施一臨限電壓補償功能及一遷移率 補償功能之時序。 137414.doc -28- 200947390 在依據此具體實施例實施之一臨限電壓補償操作及一遷 移率補償操作中，可假定稍後將詳細說明之一寫入增益具 有一理想值1。在將該寫入增益假定為具有一理想值1之條 件下’在一發光週期内向該驅動電晶體m施加一閘極_源 極電壓Vgs係藉由一表達式r Vin+Vth-Δν」加以表達，其 中參考符記Vin表示如上所述該視訊信號Vsig之高位準電 位’而在該表達式中使用的參考符記Vth及AV分別表示該 臨限電壓補償操作及該遷移率補償操作之參數。該臨限電 © 壓補償操作之參數Vth之量值係等於該驅動電晶體121之臨 限電壓vth之量值。該臨限電壓補償操作之參數Vth係用於 針對3亥驅動電晶體121的臨限電壓Vth之變動而補償該驅動 電晶體121之一參數。另一方面，該遷移率補償操作之參 數AV用作用於針對該驅動電晶體121的遷移率^之變動而 補償該驅動電晶體121之一參數，其具有如下所述設定之 一量值。藉由實施該臨限電壓補償操作及該遷移率補償操 作，可使得該驅動電流Ids與臨限電壓Vth之變動及變化以 ❹ &遷移率P之變動及變化不相依。因此，給定向該驅動電 晶體121施加之一恆定的閘極-源極電壓Vgs，即使該臨限 電壓Vth及/或該遷移率μ因製程之變動而變動或隨時間消 逝而變化，亦可將該驅動電流Ids維持於一恒定量值，從 而亦可將該有機EL裝置127所發射光之亮度維持於一恒定 位準。 實施該遷移率補償程序，以針對具有一較大遷移率…之 一驅動電晶體121將該遷移率補償操作之參數Δγ增加至一 137414.doc •29· 200947390 較大值Δνΐ，或針對具有一較小遷移率μ2之—驅動電晶體 121將該遷移率補償操作之參數A V減小至一較小值△ V2。 因此’該遷移率補償操作之參數AV係用作與該驅動電晶 體12 1的遷移率μ成比例之一負回授數量。基於此原因，亦 將該遷移率補償操作之參數△¥稱為負回授數量Δν。 <依據該具體實施例之像素電路> 圖5係顯示依據此具體實施例的像素電路ρ之一圖式。應 注意圖5之圖式亦顯不該垂直方向驅動區段IQ]之寫入掃 描區段104及驅動掃描區段1〇5與該水平方向驅動區段 106 ,該等區段係位於放置於該顯示面板區段1〇〇之基板 101上的像素陣列區段102之周邊上。依據此具體實施例之 像素電路Ρ之組態係基於用作該驅動電晶體121之一 Nch型 FET。此外，依據此具體實施例之像素電路p亦包括一第 一驅動信號穩定電路，該第一驅動信號穩定電路係用於抑 制藉由該有機EL裝置127隨時間消逝的劣化導致成呈現為 流向該有機EL裝置127的驅動電流Ids之變化所引起之變 化。該第一驅動信號穩定電路係用於針對變化而補償該像 素電路P之-電路，該等變化隨時間消逝出現以呈現為該 有機EL裝置127(用作一典型的電光裝置）的電流-電壓特性 之變化，以便在給定向該驅動電晶體121施加之—恆定的 閘極-源極電麼Vgs之條件下將該驅動電流⑷維持於—怪定 該第-驅動信號穩定電路運用一驅動方法，用於藉由實 … ，ν精田 施-臨限電Μ補償及-遷移率補償功能以便除去藉由該 驅 1374J4.doc -30- 200947390 動電晶禮121之特性之變動所導致的驅動電流變動，從而 在給定向該驅動電晶體121施加之一惶定的閘極_源極電壓 Vgs之條件下將該驅動電流Ids維持於一恆定量值。該驅動 電晶體121之特性之變動係該驅動電晶體121的之臨限電壓 及遷移率之變動。依據用於抑制作為藉由該驅動電晶體 ' 121之特性之變動（即’該驅動電晶體121之臨限電壓及遷 ‘移率之變動）所導致的影響而由該驅動電流Ids展現的影響 之驅動方法，在實際上使用具有2TR驅動型組態之像素電 Φ 路P來用作該第一驅動信號穩定電路時，藉由設計用於驅 動該驅動電晶體121及該取樣電晶體125的時序來採取防範 該驅動電晶體1 21之特性之變動的一對策。由於該2tr驅動 型組態較簡早且裝置數目以及導線數目較小，因此可提高 該像素電路P之精細性，且除提高的精細性外，可取樣該 視訊信號Vsig而不會導致劣化。因此，可獲得該影像之一 良好品質。 在依據該具體實施例之像素電路P中的信號保持電容器 ® 120之線路連接係不同於在該第二典型比較組態中的像素 電路P之該些線路連接。即，該信號保持電容器i 2〇係連接 至在依據該等具體實施例之像素電路P中的其他組件以至 於形成具有一典型第二驅動信號穩定電路的功能之一啟動 電路。具有一典型第二驅動信號穩定電路的功能之啟動電 路係用於除去因老化劣化導致的驅動電流變化之一電路。 換言之，在依據該具體實施例之像素電路p中將該信號保 持電容器120佈線成實施該啟動電路之功能，該啟動電路 137414.doc -31 · 200947390 用作即使在該有機EL裝置127的電流-電壓特性隨時間消逝 而變化之情況下亦將該驅動電流I d s維持於一丨亙定量值之 典型第二驅動信號穩定電路。 具鱧言之’如圖5之圖式所示，依據該具體實施例之像 素電路P採用該Nch型驅動電晶體121、該Nch型取樣電晶 體125及該有機EL裝置127(其用作在一驅動電流ids向其流 動時發光之一典型的電光裝置）。由於該有機EL裝置127 — 般具有一整流特性’因此利用一二極體之符號來顯示該有 機EL裝置127。應注意，該有機el裝置127具有一寄生電 容器Cel。在圖5之圖式中’該寄生電容器Cei係顯示為與 該有機EL裝置127(藉由一二極體之符號來表示）並聯連接 之一電容器。 該信號保持電容器120係連接於該驅動電晶體2 2丨之源極 與閘極電極之間。該驅動電晶體121之源極與閘極電極分 別用作節點ND121與ND122。該驅動電晶體121之源極電極 亦係連接至該有機EL裝置127之陽極電極A。，該信號保持 電容器120亦用作一啟動電容器。向該有機EL裝置127之陰 極電極κ供應用作一參考電位之一陰極電位Vcath。在用作 所有像素電路P共同的接地線GND之一陰極導線Wcath上判 定用作一參考電位之陰極電位Vcath。 該取樣電晶體125之閘極電極係藉由一寫入掃描線 104WS連接至該寫入掃描區段1〇4，而該取樣電晶體us之 汲極電極係藉由一視訊信號線1〇6118連接至該水平線驅動 區段106。該取樣電晶體125之源極電極係連接至該驅動電 137414.doc -32- 200947390 晶體121之閘極電極。如上所述，該驅動電晶體121之閘極 電極用作該節點ND122 ^該寫入掃描區段1〇4向該取樣電 晶體125之一閘極電極供應一有效高寫入驅動脈衝ws。該 取樣電晶體125可以係藉由將該等源極與汲極電極彼此交 換來連接。此外，可將該取樣電晶體125用作一空乏型電 晶體或一增強型電晶體。 . 該驅動電晶體121之汲極電極係藉由一電源供應提供線 105DSL連接至該驅動掃描區段1〇5。該電源供應提供線 ❹ 1〇5DSL係具有向該驅動電晶體121供應一藉由該驅動掃描 區段105產生的電力之一能力的一線。具體言之該驅動 掃描區段105採用一電源供應電壓切換電路，該電路用於 將向該驅動電晶體121的汲極電極供應之一電源供應驅動 脈衝DSL從一高位準第一電位Vcc切換為一低位準第二電 位Vss，或反之亦然。在下面的說明内容中亦將該第二 電位Vss稱為一初始化電位vini。f際上，透過該電源供 應提供線1〇5DSL向該驅動電晶體121的汲極電極供應以用 作一用於驅動該汲極電極的脈衝之一電源供應驅動脈衝 DSL具有兩個位準，即，設定於該第一電位vcc之一高位 . T與設定於該第二電位Vss之-低位準。藉由向該驅動電 體21的及極電極供應該第二電位Vss，可以驅動該像素 電路P在一臨限電壓補償操作之前實施為該臨限電壓補償 操作作準備之一準備操作。 X第一電位Vss係比一前面提到的偏移電位V〇fs低甚多 電位偏移電位係呈現於該視訊信號線1 06HS上之一 137414.doc -33· 200947390 視訊信號Vsig之-參考電位。具體而言，呈現於該電源供 應提供線105DSL上的低位準第二電位Vss係設定為使得該 驅動電晶體121的閘極-源極電壓v g s大於該驅動電晶體121 的臨限電壓vth之-值。該閘極-源極電壓Vgs係該驅動電 晶體121的閘極與源極電極之間的一電位差。應注意，該 偏移電位Vofs係在一臨限電壓補償操作之前的一初始化操 作期間向該視訊信號線10祕施力且還係用於提前對該視 5凡"is號線10 6 H S進行預充電。 在上述像素電路ρ中，在用於驅動該有機EL裝置127之 一操作中，向該驅動電晶體121之汲極電極供應該第一電 位Vcc，而由於該驅動電晶體121之源極電極s係連接至該 有機EL裝置127之陽極電極，因此，該驅動電晶體ΐ2ι與該 有機EL裝置127作為一整體形成一源極隨耦器。 上述像素電路P運用所謂2TR驅動組態，該組態採用用 於掃描操作之驅動電晶體121與切換電晶體125(或該取樣 電晶體125)。此外，藉由正確地設定用於向該驅動電晶體 121供應該第一電位Vcc或該第二電位—的電源供應驅動 脈衝DSL之時序以及該寫入驅動脈衝ws之時序以將該取樣 電晶體125置於一㈣與一關閉狀態中，彳以除去該驅動 電流Ids所受到的該有機EL裝置127之老化劣化之影響及/ 或該驅動電晶體121之特性之變動之影響。如較早所說 明，該驅動電晶體121之特性之變動一般係該驅動電晶體 121之臨限電壓及遷移率之變動。 該寫入掃描區段104、該驅動掃描區段1〇5及該水平方向 137414.doc -34- 200947390 驅動區段106係提供於該像素陣列區段1 〇2之周邊上以用作 用於驅動該像素電路P之區段。該寫入掃描區段1〇4、該驅 動掃描區段105及該水平方向驅動區段1〇6形成一控制區段 109。該控制區段1〇9具有一驅動信號穩定電路之功能，用 於將驅動時序正確地設定成在給定向該驅動電晶體121施 加之一恆定的閘極-源極電壓Vgs之條件下將藉由該驅動電 •晶體121產生的驅動電流ids維持於一恆定量值。具體而 言，首先’需要執行對於操作該寫入掃描區段1〇4以在已 〇 將對應於該信號振幅AVin的資訊儲存於該信號保持電容器 120中之一時間點將該取樣電晶體ι25置於一關閉狀態中以 便停止向該驅動電晶體121的閘極電極（即，控制輸入端子） 供應該視訊信號Vsig之一操作之控制。在將該取樣電晶體 125置於一關閉狀態中之條件下，作為一其中在該驅動電 晶體121的控制輸入端子上呈現之電位以與在該源極閘極 (即’該驅動電晶體121的輸出端子）上i現之電位連鎖之一 方式變化的操作，一啟動操作由於該信號保持電容器12〇 ^ 之耦合效應而發生。 需要操作該控制區段109來執行控制以同樣在一落在該 取樣插作結束之後的發光開始之一初始部分中引起該啟動 操作。即’在向該取樣電晶體125供應該視訊信號Vsig的 高位準電位Vin之一狀態中’將該取樣電晶體125置於一開 啟狀態中而接著將其置於一關閉狀態中，以使得將該驅動 電晶體121的控制輸入端子與輸出端子之間的電位差維持 於一怪定量值。 137414.doc 35· 200947390 此外，需要操作該控制區段109來執行控制，以在圖6的 時序圖中顯不為一週期（G)之一發光週期中引起一啟動操 作之執行，以使得藉由該啟動操作之執行來實施針對用作 一電光裝置的有機EL裝置127的特性之老化劣化來補償該 像素電路p之一操作。為實施此一補償週期，在一期間依 據儲存於該信號保持電容器120中的資訊之驅動電流此流 向用作-電光裝置的有機EL裝置127之週期中，提前將該 取樣電晶體125置於一連續關閉狀態以使得可將該驅動電 晶體⑵的控制輸人端子與輸出端子之間的電位差維持於 一恆定量值以便實施該操作來針對該有機EL裝置127的特 性之老化劣化而補償該像素電路p。藉由令該啟動操作作 為基於該信號保持電容器12〇的耦合效應之啟動操作而發 生於一發光週期中，即使該有機EL裝置127之電流_電壓特 性隨時間消逝而變化’基於該信號保持電容器m的輛合 效應之啟動操作而將該驅動電晶體121的控制輸入端子與 輸出端子之間的電位鋒持^_怪定量值。因&，可將該 有機EL裝置127所發射光之亮度—直維持於—怪定量值。 此外’需要操作該控制區段1G9來執行實施用於藉由在 一其中向該取樣電晶體125的輸入端子供應該偏移電位 V〇fs之時間帶期間將該取樣電晶體125置於一開啟狀態中 從而將對應於該驅動電晶體121的臨限電壓微之一電壓保 持於該k號保持電容器12〇内之—臨限電壓補償操作之控 制。一般地，該取樣電晶體125之源極電極係用作該取樣 電晶體125之輸人端子。若需要，在領先於用於將對應於 137414.doc •36- 200947390 該信號振幅AVin的資訊儲存於該信號保持電容器12〇内之 一操作的複數個水平週期十重複實施該臨限電壓補償操 作。藉由重複實施該臨限電壓補償操作，可以一高度的可 靠性將對應於該驅動電晶體121的臨限電壓vth之電壓保持 於該信號保持電容器120内。

此外，需要操作該控制區段109來執行對於將該取樣電 晶體125置於一開啟狀態中以便在一臨限電壓補償操作之 前在-《中向該取樣電晶體125的輸入端+供應該偏移電 位Vofs之時間帶期間實施為該臨限電壓補償操作作準備之 一準備操作之控制。為一臨限電壓補償操作作準備之準備 操作包括-放電操作與-初始化操作。即，在該臨限電壓 補償操作之前’初始化呈現於該驅動電晶體121的控制輸 入端子與輸出端子之間的—電位。詳細言之，在連接於該 驅動電晶體121的控制輸入端子與輸出端子之間的信號保 持電容器12〇之端子之間的一電位差係設定為至少等於該 驅動電晶體121的臨限電壓vth之一位準。 <依據該具體實施例之像素電路之操作> 圖6係顯示在說明作為實施該像素電路P之-具體實施例 =示於圖5之圖式中的具體實施例之基本驅動時序時所參 :的複數個解釋時序圖表之-時相。訊至7G之每一 者係在說明該像素電路P之—箄 等效電路及在圖6的時序圖底 口P所不之週期（A)至（G)之一 - ，月内該等效電路的操作時戶斤 參考之一解釋電路圖。 圖6之時序圖具有用作所有該等時序圖表共同之-時間 137414.doc •37. 200947390 轴的水平軸。圖6之時序圖之時序圖表顯示在該寫入驅動 線104WS上呈現的寫入驅動脈衝WS、在該電源供應提供 線105DSL上呈現的電源供應驅動脈衝DSL及在該視訊信號 線106HS上呈現的視訊信號Vsig之電位變化。此外，圖6之 時序圖亦顯示在一像素列上的每一驅動電晶體121之間極 電極上呈現的閘極電壓Vg及在該驅動電晶體121的源極電 極上呈現的源極電壓Vs之變化。該閘極電壓Vg與該源極 電壓Vs之變化平行於該寫入驅動脈衝WS、該電源供應驅 動脈衝DSL及該視訊信號Vsig之電位變化而發生。 在下面的說明内容中，除另有指定外，下面所說明之寫 入增益係假定為具有一理想值1，以便使得該解釋内容易 於理解。因此，下面的說明内容解釋對應於該信號振幅 AVin的量值之資訊係寫入、儲存或保持於該信號保持電容 器12 0内。若該寫入增益係小於該理想值1，則具有比該传 號振幅AVin的量值更小之一量的資訊係寫入、儲存或保持 於該信號保持電容器120内》即’對應於因將該信號振幅 AVin的量值乘以該寫入增益而獲得之一乘積的資訊係寫 入 '儲存或保持於該信號保持電容器12〇内。 順便提及，本專利案中使用參考符記⑴叩如來表示該寫 入增益，其係定義為實際上儲存於該信號保持電容器\2〇 内的資訊量與該信號振幅Δνίη2 一比率。該寫入增兴 Ginput係具體解釋如下。並不僅儲存於該信號保持電容= 12〇内，而實際上將該信號振幅㈣保持於一電容器串聯 電路内。該電容器串聯電路包括彼此串聯連接之_總電容 137414.doc -38· 200947390 器Cl與一電容器C2。^她雪交sri主& 这w電今器Cl表不該信號保持電容 器12 0及與s亥k號保持♦交哭1 ) η么士人jj, u丨木？守电谷器120結合形成一並聯電路之— 寄生電容器。另-方面，該寄生電容器⑽與該信號保持 電容器12G結合形成-串聯電路之-寄生電容器。該寫入 增益Ginput係表達如下。

Ginput=C2/(Cl+C2)=l-Cl/(Cl+C2)=l-g 在以上等式中，參考符記g表示一表達如下的數量： g=Cl/(Cl+C2)

此外，在下面的簡化說明内容中，除另有指定外―啟 動增益Gbst係假定為亦具有-理想值丨，以便使得該解釋 内容易於理解。在包括該驅動電晶體121及連接於該驅動 電晶體121的閘極與源極電極之間的信號保持電容器120之 像素電路P中，在该取樣電晶體丨2 5係置於一關閉狀態中 之條件下，一啟動操作可作為一其中在該驅動電晶體丨2 ^ 的閘極電極上呈現的電位因該信號保持電容器12 0的耦合 效應而以與在該驅動電晶體121的源極電極上呈現的電位 連鎖之一方式變化的操作來發生。該啟動增益Qbst係定義 為在一啟動操作中呈現於該閘極電極上的閘極電壓之一 增加與在同一啟動操作中呈現於該源極電極上的源極電壓

Vs之增加的比率。因此，該啟動增益Gbst指示該啟動操 乍 < 力率具體s之，可將該啟動增益Gbst可由以下等式 加以表達：

Gbst=(Cs+Cgs)/(Cs+Cgs+Cgd+Cws) 在以上等式中’參考符記Cs表示該信號保持電容器i2〇 137414.doc -39- 200947390 之電容，參考符記Cgs表示存在於該驅動電晶體ΐ2ι的閘極 與源極電極之間的一寄生電容器C121gs之電容’參考符記

Cgd表示存在於該驅動電晶體丨2 i的閘極與汲極電極之間的 一寄生電容器C121gd之電容，而參考符記Cws表示存在於 該取樣電晶體125的閘極與源極電極之間的一寄生電容器 C125gs之電容。 基本上，該寫入掃描線104霣8係以各等於一水平掃描週 期（在圖6之時序圖中藉由參考符記出加以表示）的多個間 隔來週期性地經受相同操作。同樣，該電源供應提供線 105DSL亦係以各等於—水平掃描週期的多個間隔來週期 性地經受相同操作。該水平掃描週期1H之較早部分係該視 訊仏號vslg的所謂一無效週期，而該水平掃描週期ih之較 晚部分係該視訊信號Vsig的所謂—有效週期。藉由依據該 八體實施例之時序，將判定於該視訊信號線上的視 訊信號Vsig在該無效週期中設定於該偏移電位憾而在該 有效週期中設；t於該高位準電位Vin(= ，其中 參考符圯AVin表不刖面提到的信號振幅。在此具體實施例 ❹ 中將該水平週期取作一其中實施一次該臨限電壓補償 操作之處理循環。但是’實際上，可將該臨限電壓補償操 作實施複數次。 · 該一水平週期變成該臨限電壓補償操作之一處理循環， 因為在該—水平週期期間’針對每-像素列，在該臨限電 壓補償操作（其係在該取樣電晶體125取樣對應於信號振幅 △V之資訊並將所取樣的資訊儲存（或寫入）該信號保持電容 137414.doc -40- 200947390 器120内之前實施）之前’實行一初始化操作。在該初始化 操作中’將判定於電源供應提供線1〇5DSl上的電源供應 驅動脈衝DSL設定於該第二電位Vss而將在該驅動電晶體 121的閘極電極上呈現之電壓設定於該偏移電位v〇fs。亦 將在該驅動電晶體121的源極電極上呈現之電位設定於該

第二電位Vss。接著，在將判定於電源供應提供線i〇5DSL 上之電源供應驅動脈衝DSL設定於該第一電位Vcc之一狀 態中且在一其中該偏移電位v〇fs呈現於該視訊信號線 ❹ 1 〇6118上之時間帶期間，該取樣電晶體係導電。實施該臨 限電壓補償操作以便保持對應於該驅動電晶體121的臨限 電壓Vth之一電壓。 由於顯不於圖6之時序圖中作為該臨限電壓補償操作之 週期的週期（D)係在該一水平週期結束之前終止，因此該 臨限電壓補償操作之週期自然比該一水平週期更短。因 此，可能有一情況，因一些原因（包括與該信號保持電容 _ 盗120的電容Cs與該第二電位Vss的量值之間的一關係相關 之一原因）而無法藉由在該臨限電壓補償操作之短暫週期 内實施來將精確對應於該驅動電晶體121的臨限電壓vth之 電壓保持於該信號保持電容器12〇内。為解決此問題，在 此具體實施例中將該臨限電塵補償操作實施複數次。即， 在領先於用於取樣對應於該信號振幅AVin的資訊並將所取 樣的資訊儲存（寫入）於該信號保持電容器12〇内之操作的複 數個水平週期之每一週期中，實施該臨限電壓補償操作。 因此在領先於該貢訊取樣及儲存操作的相同複數個個別 137414.doc 200947390 水平週期中將該臨限電壓補償操作實施複數次，以便將對 應於該驅動電晶體121的臨限電壓vth之電壓以一高度的可 靠性保持於該信號保持電容器120内。 首先’下面的說明内容以對該發光週期之一解釋開始， 在該發光週期中將該電源供應驅動脈衝DSL設定於該第— 電位Vcc ’將該視訊信號Vsig設定於該高位準電位Vin，而 藉由將該寫入驅動脈衝WS設定於低位準WS_L將該取樣電 晶體125置於一關閉狀態中，如圖7A之一電路圖所示。在 該發光週期中’將該驅動電晶體121設定為在一飽和區域 中操作。因此，從該驅動電晶體12丨流向該有機EL裝置127 的驅動電流Ids具有依據等式（1)由該驅動電晶體121的閘 極-源極電壓Vgs決定之一量值。 接著’當將判定於該電源供應提供線1〇5DSL上的電源 供應驅動脈衝DSL從該第一電位Vcc改變為該第二電位 Vss(亦稱為初始化電位Vini，如圖7B之一電路圖中所示） 時’該電源供應驅動脈衝DSL變成該驅動電晶體m之源 極’而該驅動電晶體121之源極電壓Vs變成幾乎等於滿足 以下關係式Vini(<Vth(el)+Vcath)之初始化電位Vini，其中 參考符記Vth(el)表示該有機EL裝置127之臨限電壓而參考 符記Vcath表示該陰極電位Vcath。隨著該驅動電晶體121 之源極電壓Vs變成幾乎等於該初始化電位vini，該有機el 裝置127中止發光。 如圖7C之一電路圖中所示，當將判定於該寫入掃描線 104WS上的寫入驅動脈衝WS從該低位準WS—L改變為該高 137414.doc -42- 200947390 位準WS_H以便將該取樣電晶體125置於一開啟狀態中時， 向該驅動電晶體121的閘極電極供應該偏移電位v〇fs而該 驅動電晶體121的源極電壓Vs變成等於該初始化電位 Vini，如圖7C之一電路圖中所示。因此，在該時間，該驅 動電晶體121的閘極-源極電壓Vgs變成等於（v〇fs-Vini)。 •若（Vofs-Vini)不大於該驅動電晶體121的臨限電壓vth，則 -無法實施該臨限電壓補償操作。因此需要將該等電壓設定 於使得滿足關係式（Vofs-Vini)>Vth之值。在顯示於圖6之 圖式中作為對應於圖7C的電路圖之一週期的週期（c)中， 呈現於s亥驅動電晶體121的閘極電極上之間極電位Vg係建 立於該偏移電位Vofs而呈現於該驅動電晶體ι21的源極電 極上之源極電位Vs係建立於該初始化電位vini，而使得該 閘極-源極電壓Vgs(=Vofs-Vini)大於該驅動電晶體121之臨 限電壓Vth。該週期（〇係稱為上述初始化操作。 接著，將呈現於該電源供應提供線1051)儿上的電源供 應驅動脈衝DSL從該初始化電位Vini改變為如圖之一電 參 路圖中所示的第一電位Vcc，從而將該驅動電晶體121置於 一開啟狀態。在將該驅動電晶體121置於一開啟狀態中之 條件下，該驅動電流Ids流經該驅動電晶體丨21，從而給該 有機EL裝置127之寄生電容器Cei充電。因此，該驅動電晶 體121之源極電壓Vs上升，而在提前決定的時間消逝後， 該驅動電晶體12 1之閘極-源極電壓Vgs變成等於該驅動電 BB體121之臨限電壓Vth，從而將該驅動電晶體置於一 關閉狀態。用於將該驅動電晶體1 2丨設定於該驅動電晶體 】37414.doc •43- 200947390 的臨限電壓Vth之此操作係稱為該臨限電壓補償操作β 將呈現於該寫入掃描線104WS上的寫入驅動脈衝ws& 該同位準WS_H改變為該低位準WSjl，以便將該取樣電晶 體125置於—關閉狀態，如圖7E之一電路圖中所示。在將 該取樣電晶體125置於一關閉狀態中之條件下，將在該驅 動電晶體121的閘極電極上呈現之閘極電位Vg置於一浮動 狀態，但因該驅動電晶體121之閘極_源極電壓Vgs等於該 臨限電壓Vth，因此該驅動電晶體121保持於一關閉狀態 中’從而不允許該驅動電流Ids流動。 田將判疋於該寫入掃描線1 〇4WS上之寫入驅動脈衝WS 從該低位準WS一L改變為該高位準WS_H以便將該取樣電晶 體125置於一開啟狀態（如圖7F之一電路圖中所示）時，開 始用作該彳§號電位寫入週期/ 一遷移率補償週期之週期 (F)。如圖7F之一電路圖中所示，在該週期（F)期間，已將 判疋於該視訊信號線106HS上之視訊信號Vsig從該偏移電 位Vofs改變為該高位準電位vin，該高位準電位vin等於 (Vofs+AVin)，如上所述。因此，在所謂信號電位寫入操 作中將對應於AVin之一電位與在該驅動電晶體ι21的閘極 電極上呈現而欲儲存於該信號保持電容器12〇内之閘極電 壓Vg(或該閘極-源極電壓Vgs)相加。由於如上所述已在實 施於該週期（D)中之臨限電壓補償操作中將該閘極·源極電 壓Vgs設定於該驅動電晶體121之臨限電壓vth，因此該閘 極-源極電壓Vgs變成等於（AVin+Vtli)，其大於該驅動電晶 體121之臨限電壓Vth。此外，該驅動電晶體121係置於一 137414.doc 44 · 200947390 開啟狀態中而該驅動電流Ids藉由該驅動電晶體121從該電 源供應提供線105DSL流向具有一電容（^之該信號保持電 谷器120及作為具有一電容cel之一電容器包括於該有機EL 裝置127中之該寄生電容器cel裝置。因此，該驅動電晶體 121之源極電壓Vs隨時間消逝而上升。 在該週期（F)中向該驅動電晶體121的閘極電極供應該高 -位準電位Vin之前，已將該閘極_源極電壓Vgs提前設定於 該臨限電壓vth。流經該驅動電晶體121的驅動電流Ids可 ❹ 反映該驅動電晶體121的遷移率μ之變動。詳細言之，針對 具有一較大遷移率μ之一驅動電晶體121，該驅動電流Ids 具有一較大量值而該源極電壓％快速上升。另一方面，針 對具有一較小遷移率μ之一驅動電晶體121，該驅動電流 Ids具有一較小量值而該源極電壓^緩慢上升。該驅動電 晶體121之源極電壓Vs上升一電位差Δν以在針對遷移率^ 之變動而補償該驅動電晶體121之一方向上減小該閘極源 極電壓Vgs。在特定時間消逝後，所得閘極_源極電壓 約為因針對遷移率^之變動而補償該驅動電晶體121之所謂 遷移率補償操作而獲得之-電壓1㈣（F)因此亦係該 驅動電晶體121的遷移率補償操作之週期。 將判定於該寫入掃描線1〇彻上之寫入驅動脈衝㈣從 ι间位準WS_H改變為該低位準ws—L，以便將該取樣電晶 體125置於-關閉狀態並向用作一發光週期（其中將該像素 電路P置於在圖7G的電路圖中所示之一操作狀態幻之一週 期（G)作一轉變。由於（Vin_v〇fs+vth_Av)之閘極-源極電壓 137414.doc -45- 200947390

Vgs係大於該驅動電晶體121之臨限電壓Vth，即（Vin_ Vofs+Vth-Δν) > Vth之關係式成立，因此該驅動電流lds流 動，從而進一步升高該驅動電晶體121之源極電壓Vs。但 是’由於已將該取樣電晶體125置於一關閉狀態中而導致 該驅動電晶體121之閘極電極進入一浮動狀態，因此在該 驅動電晶體121之源極電壓Vs上升時因該信號保持電容器 120之耦合效應而發生一啟動操作。因此，在該啟動操作 中該驅動電晶體121之閘極電壓Vg亦以與該源極電壓、3連 鎖之一方式上升。因此，將該驅動電晶體121之閘極-源極 電壓Vgs維持於（Vin-Vofs+Vth_AV)，從而保持向該有機el 裝置127輸出一恆定驅動電流Ids以使得該有機EL裝置i27 發光之一狀態。 該驅動電流Ids可以係藉由下述等式加以表達，以用 作該驅動電流Ids與該閘極-源極電壓VgS之間的一關係式。 藉由假疋該寫入增益具有一理想值1並將表達式（Vh △V+Vth)代入在等式（1)之右手側上作為針對Vgs之一替換 項的表達式’從而自較早給定為表示該驅動電晶體121的 特性之一等式的等式（1)導出等式（2)。在等式（2)的右手側 上之表達式中使用的參考符記k表示一表達如下之數量. k=(l/2) (W/L) Cox

Ids (Vgs—Vth)"2 = k/i (AVin —AV)"2 --(2) 該臨限電壓Vth之項從等式（2)消失，從而清楚地指示向 該有機EL裝置127供應之驅動電流ids與該驅動電晶體121 之臨限電壓Vth不相依。基本上，該驅動電流Ids係由該高 137414.doc -46- 200947390 位準電位Vin決定。嚴格而論，該驅動電流Ids係由該閘極_ 源極電壓Vgs決定，其係因一用於取樣該信號振幅AVin之 取樣操作而儲存於該信號保持電容器12〇内之一電壓。換 吕之’該有機EL裝置127以依據該信號振幅^vin之一亮度 來發光。在該有機EL裝置127之發光狀態中，亦已藉由用 作上面所引用的負回授數量之遷移率補償操作參數AV來 杈正作為決定該驅動電晶體丨2丨的驅動電流Ids的資訊儲存 於該#號保持電容器120内之電壓。該遷移率補償操作之 參數AV用於僅消除定位於等式（2)的右手侧上之表達式中 之一係數項處的遷移率μ之影響。因此，藉由該驅動電晶 體121產生之驅動電流Ids本質上係僅與該信號振幅Δνιη相 依。 即’由於如上所述藉由該像素電路ρ實施之操作，因此 在該發光週期期間呈現於該驅動電晶體i 2 i的閘極與源極 電極之間的閘極-源極電壓Vgs係由表達式（Vin-V0fs+Vth_ △V)決定，該表達式包括用作用於針對該驅動電晶體ΐ2ι的 臨限電壓vth之變動而補償該驅動電晶體121之一參數的項 Vth，並包括用作用於針對該驅動電晶體121的遷移率ρ之 變動而補償該驅動電晶體121之一參數的項Δν。該表達式 (Vin-Vofs+Vth-AV)不受該驅動電晶體121之源極電壓％之 變化（即呈現於該有機EL裝置127的陽極電極上之電壓之變 化）的影響。此係由於該驅動電晶體121之閘極電壓Vg在基 於該信號保持電容器120的耦合效應之啟動操作期間亦以 一與該驅動電晶體121的源極電壓Vs連鎖之方式變化。順 137414.doc -47- 200947390 便提及，呈現於該有機EL裝置127的陽極電極上之電壓之 變化係由該有機EL裝置127的i_V特性隨時間消逝之變化所 導致。因此，可以除去該驅動電晶體121的特性之變動及 該有機EL裝置127之老化劣化。即，藉由驅動該像素電路p 精確地實施操作，可以除去該驅動電晶體121的特性之變 動及該有機EL裝置127之老化劣化。 〈問題> 圖8及9A至9C係在說明由依據該具體實施例之顯示面板 區段100引起的問題時所參考之解釋圖。更特定言之，圖8❹ 係在說明一問題時所參考之一解釋圖，該問題係藉由用作 一電源供應線之該電源供應提供線1〇5DSL之導線電阻導 致成呈現為在用於在一全白顯示時間顯示一影像之一操作 中產生之一問題。另一方面，圖9八至9(：係各在說明一問 題時所參考之多個解釋圖，該問題係藉由用作電源供應線 之電源供應提供線1 〇5DSL之導線電阻導致成呈現為在用 於在一視窗圖案顯示時間顯示一影像之一操作中產生之一 問題。應注意，圖9A至9C之解釋圖亦係用於說明藉由參❹ 考圖8及9A至9C之解釋圖所解釋的問題之成因，其係作為 歸因於與該等電晶體之—早期效應的—關係之成因。 如圖8之解釋圖中所不’掃描線Lscan之每一者係定向於 該水平方向上。在下面參考圖8之解釋圖之說明中，將用 在該電源供應垂直方向掃描操作中的電源供應提供線 SL取作典型的掃描線Lscan。因此，需要考量藉由 該電源供應提供線1G5DSL之導線電阻所導致之一問題。 137414.doc -48- 200947390 如圖5之圖式中所示，該像素電路p經組態用以採用兩個 電晶體，即該驅動電晶體121與該取樣電晶體125以及一電 容器’即該信號保持電容器12()。該像素電路p受驅動以實 施-臨限《補償功能、—遷移率補償功能及—啟動功 能。在此情況下，判定你田从& 疋於用作連接至該驅動電晶體121的 及極电極《電源供應提供線的該電源供應提供線 1 〇5亂上之電源供應驅動脈衝峨係從該第—電位v“切 ❹ 換為該第二電位Vss(亦稱為該初始化電位vini)，或反之亦 然。如圖8及圖9 A之解經阁由仏— 解釋®中所不’該電源供應提供線 刪SL係定向於該水平方向上，而在與該電源供應提供 線105DSL相同的像素列上之該等像素電路p之每一者之驅 動電流Ids流向陰極雷墓始 ^ 1：轉Weath，錯極料線係提供用 於用作所有像素電路P所共同之一線並用作用於向所有該 等像素電路p供應-參考電位之-線。-般地，該接地線 GND係用作用於向所右兮势谈主兩 所有邊等像素電路P供應一參考電位〇之 陰極電導線Vcath。 /上述組態中’由於從該控制區段1〇9向在與該控制區 & 109接近的側上之像素電路p拉伸之掃描線與從該 控制區段H)9向在該相反側上之像素電路p拉伸之掃描線 之間的—導線電阻差’因此在與該像素陣列區段102 的控制區段1〇9接近的側上之-電壓降係小於在與該控制 區段則接近的側相反的側上之—電厂堅降。與該控制區段 谢接近之側係稱為掃描信號輸入邊緣側，其係在圖8及^ 之解釋圖中的面板左邊緣側。另-方面，與接近該控制區 137414.doc -49- 200947390 段109之側相反之側係稱為掃描信號輸出邊緣側，其係在 圖8及9C之解釋圖中的面板右邊緣側。因此，向在該掃描 信號輸出邊緣侧上的驅動電晶體121之汲極電極（即該電源 供應提供端子）供應之電位係低於向在該掃描信號輸入邊 緣側上的驅動電晶體121之汲極電極供應之電位。即，亨 驅動電晶體121與該驅動掃描區段105之間的距離越長，則 該導線電阻越大，而因此沿拉伸至該驅動電晶體12〖的電 源供應k供線105DSL之電壓降越大。因此，該驅動電曰 體121與該驅動掃描區段1〇5之間的距離越長，則向該驅動 ◎ 電晶體12 1的汲極電極（即該電源供應提供端子）供應的電位 越低。在圖8及9C之解釋圖中，該等導線電阻之每一者係 顯示為一電阻器之符號。 在此一組態中’隨著該驅動電晶體m與該驅動掃描區 段105之間的距離逐漸增加’在該驅動電晶體^的汲極與 源極電極之間施加的電壓逐漸減小。因此，該驅動電晶體 121受所謂早期效應之影響。若受該早期效應之影響則 隨著該驅動電晶體121與該驅動掃描區段105之間的距離逐 © 漸增加’即使運用如較早藉由參考圖6及7A至7G之圖式所 解釋的用於除去特性變動之方法，藉由該驅動電晶體121 產生的驅動電流Ids亦會逐漸減小。 ’ 該早期效應導致依據該顯示圖案變動之一現象呈現於所 · 顯不影像中。圖8係在說明在一全白顯示的情況下發生的 現象時所參考之一圖式。在一全白顯示的情況下，隨著該 驅動電晶體121與該驅動掃描區段105之間的距離逐漸增 137414.doc •50· 200947390 加&拉伸至該驅動電晶體121的電源供應提供線i〇5dsl 之電壓降同樣亦如上所述逐漸增加。圖9B係顯示該驅動電 曰曰體 1 2 1 的特 生 一^ |g| 4 /ΛΛ T^t ί\ΎΛ 竹『生之圖式。從圖9Β之圖式可明顯看出，隨 著呈現為向該驅動電晶體121的汲極電極供應之一電位的 電源供應電壓減小，表示該有機EL裝置127所發射光的亮 度之驅動電流Ids逐漸減小。因此，在一全白顯示之情況 下’即使運用—應用如較早藉由參考圖6及？A至7G之圖式 e ❹ 所解釋用於除去特性變動的方法之機構，該有機EL裝置 斤發射光之凴度亦逐漸減小。因此，該有機裝置127 所發射光之党度逐漸減小，如圖8之方塊圖中所示，從而 產生所謂陰影現象。 此外，右依據一視訊圖案流經該驅動電晶體121之驅動

Us變動’則@電源供應電壓亦因該電源供應提供線 10SDSL及該陰極電導線Veath(其㈣電源供應線）之導線 電阻而沿定向於該水平方向上之一像素列在不同像素電路 P間變化。詳細言之’該電源供應電壓係在該驅動電晶體 的及極與源極電極之間施加的没極.源極電壓杨。特 定言之，該驅動電流Ids流向❹_ 電路。中之有機—陰極電極。因此，在 打上的每-像素電路P中之每一有機EL裝置127的陰極電極 係在比該接地電位GND高出—電位差之—電位位準浮動， 該電位差係等於一乘積Rcath x Ids_alI，其中參考符記 Rcath表不該陰極電導線m之導線電阻，而參考符記 …―⑶表示驅動電流IdS之總和，該等驅動電流之每-者、、， 137414.doc -51- 200947390 向在相同像素行上的像素電路P之一者中的有機EL裝置127 之陰極電極。因此，在該驅動電晶體121的汲極與源極電 極之間施加之汲極-源極電壓Vds同樣亦改變。 從圖9B之圖式可明顯看出，隨著該驅動電晶體121之汲 極源極電壓Vds因該早期效應而變化，即使該驅動電晶體 121正在該飽和區域中操作而將該驅動電晶體12〗之閘極_ 源極電壓Vgs維持於一恆定值，該驅動電晶體121之驅動電 流Ids亦會變化。一般地，在用於顯示如圖9c之圖式中所 示之一視窗圖案的一操作中，最終將該驅動電晶體ΐ2ι之 驅動電流Ids之變化識別為水平方向串擾。例如，作為防 範該水平方向_擾之一典型對策，需要除去因電壓降導致 之電流減小。一般地’亮度差之識別位準係等於或低於 1°/”因itb，需要採取—對策來防範該水平方向串擾以 便滿足針對亮度差的識別位準之條件。 此外’其中該陰極電位因該總驅動電流Ids—川而在該接 地電位GND之上浮動的&態依據該驅動電流此（即，依據 該層认）變動。因此’該特性同樣亦不合需要地在不同；| 〇 人間變動。因此’在—彩色顯示之情況下，恐怕存在-色 彩相移。 以下說明内容解釋依據一具體實施例提供以用作一用於. 解決上述各種問題的機構之一機構。 - <基本原理> 圖10係在說b月機構時所參考之一解釋概念圖該機構 係依據具體實施例提供以用作用於抑制藉由在沿該電源供 137414.doc .52· 200947390 應提供線105DSL的複數個點處之電壓降導致的顯示不規 則之一機構。該等具體實施例係稍後所說明之第一至第三 具體實施例。 ❹ 依據該具體實施例的機構之基本概念係用於調整一牽引 導線121DL的長度及/或寬度之一佈局方法的基礎，該牽引 導線121DL亦稱為一汲極導線，其將用在每一像素電路p 中的驅動電晶體121之汲極電極連接至該電源供應提供線 105DSL。如先前所提到，該驅動電晶體121之汲極電極亦 稱為該驅動電晶體121之電源供應提供端子。依據該佈局 方法，針對該等像素電路P之每一者將該牽引導線1211^ 的長度與寬度之至少-者調整成使得：在驅動佈置於該電 源供應提供線H)5DSL的縱向方向上之像素電路以每—者 中所採用的有機肛裝置127發射具有均勻亮度的光之—條 件下，各呈現於該等像素電路p之一者中所採用的驅動電 晶體121之汲極電極（即，該電源供應提供端子）上的該等電 位針對該等像素電路p係均句。因此，各呈現於在該等像 素電路p之-者中採用的驅動電晶體ΐ2ι之汲極電極(即， 該電源供應提供端子）上的該等電位針對該等像素電路㈣ ㈣句’以便㈣在該等像素電路p之每一者中採用的有 飢裝置127發射具有均勾亮度的光。因此，可以除去亮 度不規則其係藉由在沿該電源供應提供線1 〇5Dsl的複 數個點處之電魔降塞功士、g a 降導致成呈現為諸如陰影及串擾之類的不 規則。 具體言之，首先’該電源供應提供線_sl係佈置為 I37414.doc -53- 200947390 作為一先決條件具有製造得盡可能厚的部分之一線。製造 得盡可能厚之部分不包括橫跨其他導線之部分，因為難以 將橫跨其他導線之部分製造得較厚。藉由將除横跨其他導 線的部分外之部分製造得盡可能厚，可以將藉由該電源供 應提供線1G5DSL本身的導線電阻導致之電μ降減少甚 多 卜針對佈置於該電源供應提供線1 05DSL的縱向

方向上之該等像素電舒之每—者而將料引導線⑵DL 的長度及/或寬度調整成使得：針對該等像素電路p之任一 狀像素電路而提供的牵引導線121DL之導線電阻與將該 特定像素電路P連接至該驅動掃描區段⑼的電源供應提供 線105DSL之導線電阻之和變成針對所有該等像素電路p係 均勻。即’可藉由該等牵引導線12肌之變動的導線電阻 來補償在沿該電源供應提供線1Q5dsl的複數個點處之變 動的電壓降。 基本上，使得針對與用作產生該電源供應驅動脈衝 DSL(或具有-脈衝形&的電源供應電屢）之一來源的驅動 掃描區段1G5分離開-短縱向方向距離之一像素電路p而提 供的牵引V線121DL之導線電阻相對較大，而使得針對與 用作產生该電源供應驅動脈衝DSL之一來源的驅動掃描區 段1〇5为離開一長縱向距離之一像素電路p而提供的牵引導 線121DL之導線電阻相對較小。該縱向方向距離係在該電 源供應提供線1〇5DSL的縱向方向上之一距離。藉由將針 對該像素電路p提供的牽引導線121DL之導線電阻設定於 一使得在該驅動掃描區段1〇5與該像素電路p之間的縱向方 137414.doc •54· 200947390 向距離越長（或越短）時該導線電阻越小（或越大）之值，可 藉由該等牽引導線121DL之變動的導線電阻來補償在沿該 顯示面板區段1〇〇中的電源供應提供線105DSL之複數個點 處之變動的電壓降。因此，可避免產生該陰影及/或該串 擾。因此，可以實施具有一良好影像品質之一顯示設備。 圖10係顯示一典型組態之一方塊圖，該典型組態包括嵌 入該像素陣列區段102中的像素電路p之一矩陣作為具有兩 ❹ ❹ 個水平方向像素列與三個垂直方向像素行之一像素矩陣。 如圖ίο之方塊圖中所示，像素電路P1、P2&P3係提供於該 第像素列上。該像素電路P係在與該驅動掃描區段105接 近的側上之-像素鱗P，該像素電路⑽在該像素列的 中部之-像素矩㈣，而該像素電路P3係在與該顯示面板 區段⑽的右邊緣接近的側上之—像素電路p。同樣，在該 第二像素列上提供像素電路P4、PUP6。該像素電路㈣ 在與該驅動掃描區段105接近的側上之一像素矩陣p，該像 =電路P5係在該像素列的中部之—像素矩陣p，而該像素 電路P6係在與該顯示面板區段⑽的右邊緣接近的側上之 一像素電路 在圖10的方塊圖中料之典型組態中，參考符記 ;該=;共應提供線_-展現的導線電阻表示為對應 =:::—:每*:;;的_阻。另，， 121^ 于电峪^中採用的驅動電晶體 線121DL之導^連接至該電源供應提供線1〇5DSL的牽引導 、電阻。更特定言之，圖1G的方塊圖中所示 137414.doc •55· 200947390 R5及R6之每一者表示分別 P3、P4、P5及P6之一者中 之參考符記R1、R2、R3、R4、 連接在該等像素電路PI、P2、 採用的驅動電晶體121之汲極電極的牽引導線121]^之導 線電阻。將-後置字附接於參考符記R以用作與一附接於 參考符記P電路的後置字匹配之一後置字，該參考符記1>表 示包括該牵引導線121DL之一像素電路，該牵引導線 121DL具有表示為參考符記尺之一導線電阻。 在用於在該螢幕上顯示一全白顯示之一操作中，基本 上，針對所有像素電路P係均勻之一驅動電流Ids (=1)流經 每一驅動電晶體121。由於該驅動電流j係藉由該驅動掃描 區段105產生且透過該電源供應提供線1〇5DSL及針對該驅 動電晶體121提供的牽引導線121DL流動至在任何像素電 路P中的驅動電晶體121，因此呈現於該驅動電晶體121的 汲極電極上之一電位減小一電壓降，該電壓降係藉由該電 源供應提供線105DSL及該牵引導線121DL之電阻所導致。 令顯示於圖10的方塊圖中之參考符記V1、V2、V3、V4、 V5及V6之每一者分別表示呈現於在該等像素電路ρι、 P2、P3、P4、P5及P6之一者中採用的驅動電晶體121之汲 極電極上的電位。將一後置字附接於參考符記V以用作與 一附接於參考符記P的後置字匹配之一後置，該參考符記p 表示包括具有該汲極電極的驅動電晶體121之一像素電 路，在該汲極電極上面呈現藉由參考符記v加以表示的電 位。 令參考符記ΔΥ1、ΔΥ2、ΔΥ3、ΔΥ41、ΔΥ5及AV6之每 137414.doc -56· 200947390 一者分別表示從呈現於該驅動掃描區段1 05的輸出端子處 之一電壓至呈現於該驅動電晶體121的汲極電極上之電位 VI、V2、V3、V4、V5及V6之一者的一電壓降。在此情況 下’該等電壓降ΜΠ、AV2、ΔΥ3、AV4、AV5及AV6可以 係藉由如下等式（3)加以表達：

△ VI=r Χ3 I+RiXI AV2=rX3I+rX2I+R2XI AV3 = rX3I4-rX2I + rXI+R3XI AV4=rX3I+R4XI

AV5=rX3I+rX2I+R5xi AV6=rX3I+rX2I+rXI+R6XI …（3)

即使呈現於該驅動掃描區段l〇5的輸出端子處之電壓下 降至呈現於該等驅動電晶體121的沒極電極上之電位vi、 V2、V3、V4、乂5及\^6，只要該等電壓降針對所有該等驅 動電晶體121係均勻’便不會在該螢幕上產生任何顯示不 規則。藉由關注只要從呈現於該驅動掃描區段丨〇5的輸出 端子處下降至呈現於該等驅動電晶體121的汲極電極上之 電位VI、V2、V3、V4、V5及V6之電壓針對所有該等驅動 電晶體121係均勻則不會在該螢幕上產生任何顯示不規則 之事實’來設計依據該具體實施例之機構。若從呈現於該 驅動掃描區段105的輸出端子處下降至呈現於該等驅動電 晶體121的汲極電極上之電位vi、V2、V3、V4、V5及V6 之電壓針對所有該等驅動電晶體121係均勻，則可如下自 等式（3)導出等式（4):

r X 3 I+R1X I =rX3I+rX2I+R2Xl =r X3 I + rX2I + rX1+R3XI

=rX3I+R4XI

=rX3I+rX2I+R5XI =rX3I+rX2I+rXl+Rgxj 137414.doc •57- …（4) 200947390 將針對每一像素電路P提供的牽引導線121 DL(亦稱為一 汲極導線）之導線電阻R調整成使得滿足等式（4)。即，藉由 求解等式（4)來找到該等導線電阻R1、R2、R3、R4、R5及 R6之值。滿足等式⑷的導線電阻R1、R2、R3、R4、及 R6提供呈現於用在每一像素電路p中的驅動電晶體i2i之汲 極電極上之一電位V，作為針對所有該等像素電路p係均勻 之一電位V，如以下等式所表達： V1=V2=V3=V4=V5=V6 藉由適當改變該牽引導線丨21£^之長度及/或寬度來針對 配置於該電源供應提供線丨〇5DSL的縱向方向上之該等像 素電路p之每一者調整該牽引導線121DL之導線電阻R。 具體言之，藉由減小該牽引導線121£^之寬度及/或增加 該牽引導線121DL之長度，來增加將在與該驅動掃描區段 105接近之一像素電路P中採用的驅動電晶體121之汲極電 極連接至該電源供應提供線1〇5DSL的牵引導線12idl之導 線電阻R。另一方面，藉由增加該牽引導線121DL之寬度 及/或減小該牵引導線121DL之長度，來減小將在遠離該驅 動掃描區段105之一像素電路P中採用的驅動電晶體121之 汲極電極連接至該電源供應提供線1〇5DSL的牵引導線 121DL之導線電阻R。此類牽引導線U1DL係在該像素陣列 區段102中佈置成將在用在每一像素電路p中的驅動電晶體 121之汲極電極上呈現之一電位v提供為針對所有該等像素 電路P係均勻之一電位V。 藉由調整提供於每一像素電路p中的牵引導線121DL之 137414.doc -58- 200947390 長度及/或寬度並將此類牽引導線121DL佈置於該像素陣列 區段102中’可以將在用在每一像素電路p中的驅動電晶體 121之汲極電極上呈現之一電位v提供為針對所有該等像素 電路P係均勻之一電位V。如前面所解釋，一驅動電晶體 121之没極電極用作該驅動電晶體m之電源供應提供端 子。即使呈現於該驅動掃描區段105的輸出端子處之電壓 因流經該電源供應提供線105DSL及牵引導線121DL的驅動 電流Ids而下降至呈現於該等驅動電晶體121的汲極電極上 ❹

之電位VI、V2、V3、V4、V5及V6，只要該等電壓降針對 所有該等驅動電晶體121係均勻，便不會在該螢幕上產生 任何顯示不規則。 <第一具體實施例> 圖ΠΑ 11B、12、13A及13B之每一者係用作在說明實 施較早藉由參考圖10之圖式所解釋的基本原理之一依據一 第一具體實施例的典型佈局時所參考之一模型圖的一解釋 圖。更特定言之，目11A及11B係各用作在說明一不依據 務後欲說明之第-至第三具體實施例中的任—具體實施例 之典型佈局時所參考之—模型圖的圖式。另―方面，圖^ 係用作在說明依據該第—具體實施例之—典型佈局時所參 考之椒51圖的-圖式。應注意’由於該電源供應提供線 1〇5DSL與該牵引導線mDL之間的—關係對於依據該等具 體實施例之機構而言係最重要之一關係，因此藉由顯示一 像素電路P來以一簡 而在圖11A之一電路 單方式顯示其他部分。亦為清楚起見 圖中顯示該像素電路p之完整組態。 137414.doc -59- 200947390 無論如何，為減小該寫入掃描線104WS、該電源供應提 供線105DSL與該視訊信號線106118之電阻，該寫入掃描線 104WS、該電源供應提供線1〇5DSL與該視訊信號線1〇61^ 之每一者係由一低電阻率材料（例如鋁或鎢）製成且係實施 於一第二線路層L2上。應注意，由具有一相對較大電阻之 一不同材料（例如鉬）製成之一亦針對該視訊信號線1〇6Hs 提供的第一線路層L1與該視訊信號線1〇6118與該寫入掃描 線104WS之一交叉點以及該視訊信號線1〇6HS與該電源供 應提供線105DSL之一交又點重疊。在圖11B的圖式中所示 之典型佈局中，在該視訊信號線1〇6HS與該寫入掃描線 104WS的一交叉點及該視訊信號線1〇61^與該電源供應提 供線105DSL的一交叉點之每一交叉點處，使得該視訊信 號線106HS之一部分穿過提供用於該交叉點之第一線路層 L1。 將一電晶體之一端子連接至一掃描線之一牽引線一般係 實施於該第一線路層以或該第二線路層[2上，或係實施於 除該第一線路層L1或該第二線路層L2以外之一層上。例 如，在圖11B的圖式中所示之典型比較佈局中，由與實施 於該第一線路層L1上之視訊信號線i〇6HS相同的材料製成 之一問極牽5丨導線125GL係用於將該取樣電晶體ι25之閘 極電極連接至該寫入掃描線i〇4WS。該閘極牵引導線 125GL亦係僅稱為一閘極線。另一方面，實施於一第三線 路層L3上的牽引導線121DL係用於將該驅動電晶體^之 沒極電極連接至該電源供應提供線105DSL。實施於第三 137414.doc • 60- 200947390 線路層L3上的牵引導線121DL係由與用於製造在該第一線 路層L1與該第二線路層L2上之寫入掃描線i〇4WS、電源供 應提供線105DSL及視訊信號線1 〇6HS的材料不同之一材料 製成。用於製造在§玄第二線路層L3上的牵引導線121DL之 材料與用於製造在該第二線路層L2上之寫入掃描線 104WS '電源供應提供線105]〇儿及視訊信號線1〇6HS之材 . 料相比具有一大電阻率。即，針對相同寬度、相同長度及 相同厚度，實施於該第三線路層L3上之牵引導線121DL與 〇 該第二線路層L2相比具有一高電阻。一多晶矽層係用於製 造實施於該第三線路層L3上的牽引導線121DL之材料之一 典型範例。 在圖11B的圖式中所示之典型比較層中，該牵引導線 121DL係以一簡單方式連接至該電源供應提供線i〇5dsl ^ β亥牵引導線121DL之導線形狀針對所有像素電路p係均 句。即，該牽引導線121DL具有針對所有像素電路p係均 勻之一佈局。 φ 另方面，在依據圖12之圖式中所示的第一具體實施例 之一佈局中，使得在與該驅動掃描區段1〇5接近的每一像 - 素電路p上之牽引導線121DL之電阻相對較大，而使得在 遠離該驅動掃描區段105的每一像素電路P上之牽引導線 121DL之電阻相對較小。如圖1〇之圖式中所示與該驅動 掃描區段105接近之像素電路p係像素電路ρι&ρ4，而遠離 該驅動掃描區段1〇5之像素電路P係像素電路P3及P6。 即，在任何像素電路P上的牵引導線121DL之長度係設 137414.doc • 61 · 200947390 定於一使得在該驅動掃描區段105與該像素電路p之間的距 離越長時該牵引導線121DL之電阻越小的值。具體言之， 在依據圖12之圖式中所示的第一具體實施例之佈局中，該 牵引導線121DL包括連接至該驅動電晶體121的汲極電極 之一第一牵引導線121DL_1與連接至該電源供應提供線. l〇5DSL之一第二牵引導線121DL—2。使得在該汲極側上的 第一牽引導線121DL 一 1與在圖11B之圖式中所示的典型比 較佈局之第一牵引導線幾乎相同。但是，藉由用作一延伸 導線的第二牽引導線121DL__2將該第一牽引導線121DL_1 延伸至在該電源供應提供線105DSL上之接點，而依據包 括該第一牵引導線121DL_1之一像素電路p的位置來調整 該第二牽引導線12 1DL_2之長度。以此方式，使得在與該 驅動掃描區段105接近或與該輸入邊緣侧接近的任何像素 電路P上之整個牽引導線121DL之長度相對較大，而使得 在遠離該驅動掃描區段105或遠離該輸入邊緣側的任何像 素電路P上之整個牵引導線121DL之長度相對較小。即， 在任何像素電路P上的整個牽引導線121DL之長度係調整 成使得在該驅動掃描區段105與該像素電路p之間的距離越 長時該整個牽引導線121DL之長度越小。藉此方式，在離 該驅動掃描區段105最遠之像素電路p(即在該顯示面板區 段100的右邊緣側之輸出邊緣側上的像素電路p)上，該第 二牽引導線121 DL_2並非用作一延伸線以便使得該整個牽 引線121DL之長度最小。 在平行於實施該電源供應提供線丨〇5DSL的第二線路層 137414.doc •62, 200947390 L2之第三線路層L3上與該電源供應提供線i〇5dsl分離地 實施包括該第一牵引導線121DL_1與該第二牽引導線 121DL一2之牽引導線121DL。如先前所說明，實施於第三 線路層L3上的牵引導線121DL係由諸如多晶石夕之一材料製 成。藉由以此方式實施該牽引導線121DL，該牽引導線 121DL絕不用作對其他導線的佈局之一阻障。依據等式（4) • 找到該牽引導線121DL之電阻R以便針對每一像素電路p決 定該第二牽引導線12iDL_2之長度後，將每一第二牵引導 ❹ 線121DL_2連接至先前所引用之接點。在不具有任何第二 牽引導線121DL—2之一像素電路p之情況下，將該第—牽 引導線121DL一1直接連接至該等接點。 此外，該牽引導線121DL係實施於該第三線路層。上且 係由一與用於製造實施該電源供應提供線1〇5DSL之該第 二線路層L2之材料相比具有一大電阻率之導線材料製成。 因此，容易實施依據等式（4)找到該牽引導線121DL的電阻 R之程序以便針對每一像素電路P決定該第二牵引導線 ® 121DL_2的長度。 <第二具體實施例> • 圖13A係用作在說明實施較早藉由參考圖10之圖式所解 #的基本原理之⑧據—第二具體實施例的典型佈局時所 參考之一模型圖的一解釋圖。在圖10之圖式中所示之—所 實施機構中，使得在與該驅動掃描區段105接近的每—像 素電路P上之牽引導線121DL之電阻相對較大，而使得在 遠離該驅動掃描區段105的每一像素電路？上之牽引導線 137414.doc •63- 200947390 121DL之電阻相對較小。如圖1〇之圖式中所示，與該驅動 掃描區段105接近之像素電路p係像素電路ρι&ρ4，而遠離 該驅動掃描區段1〇5之像素電路p係像素電路p3及P6。 即’在任何像素電路p上的牵引導線121DL之寬度係針 對每一像素電路P決定成使得在從該驅動掃描區段1〇5至— 像素電路P的距離越長時針對該像素電路p提供的牵引導線 121DL之寬度係設定於越大的值。具體言之，在依據該第 二具體實施例之一佈局中，並不調整該第二牵引導線 121DL—2之長度’而將在與該驅動掃描區段1〇5接近的每 一像素電路P上之牽引導線121DL之寬度設定於一相對較 小的值，而將在遠離該驅動掃描區段1〇5的每一像素電路p 上之牵引導線121DL之寬度設定於一相對較大的值。 在平行於實施該電源供應提供線1〇5DSL的第二線路層 L2之第三線路層L3上與該電源供應提供線i〇5dsl分離地 實施該牽引導線121DL。如先前所說明，實施於第三線路 層L3上的牽引導線121DL係由諸如多晶矽之一材料製成。 藉由以此方式實施該牽引導線121DL，該牽引導線12mL 絕不用作對其他導線的佈局之一阻障。 順便提及’在遠離該驅動掃描區段1〇5之一像素電路p 上’可將連接至該牽引導線121DL的接點之數目升高至針 對該牵弓丨導線121DL之增加的寬度之一適當的值。作為一 替代方案，可使得連接至該牵引導線121DL的接點之數目 針對所有像素電路p係均勻。 <第三具體實施例> 137414.doc •64- 200947390 圖13B係用作在說明實施較早藉由參考圖1〇之圖式所解 釋的基本原理之一依據一第三具體實施例的典型佈局時所 參考之一模型圖的一解釋圖。在圖1〇之圖式中所示之一所 實施機構中’使得在與該驅動掃描區段1〇5接近的每一像 素電路P上之牵引導線121DL之電阻相對較大，而使得在 遠離該驅動掃描區段1〇5的每一像素電路p上之牽引導線 . l21DLi電阻相對較小。如圖10之圖式中所示，與該驅動 掃描區段105接近之像素電路P係像素電路P1&P4，而遠離 參 該驅動掃描區段丨〇5之像素電路p係像素電路p3及p6。 即’在任何像素電路P上的牽引導線121DL之長度及寬 度係針對每一像素電路p決定成使得在從該驅動掃描區段 1〇5至一像素電路卩的距離越長時針對該像素電路p提供的 牽引導線121DL之長度係設定於越小的值而針對該像素電 路P提供的牵引導線121DL之寬度係設定於越大的值。具 2言之，在依據藉由組合該等第一與第二具體實施例而獲 験 *之第=具體實施例之_佈&巾，在與該驅動掃描區段 二〇5接近的每—像素電路p上之牽引導線mDL之長度係設 定於一相對較大的值，而將在與該驅動掃描區段105接近 的每一像素電路P上之牽引導線121DL之寬度設定於一相 對較小的值。另—古& . . 为万面’在遠離該驅動掃描區段1〇5的每 一像素電路P上之牽引導線12肌之長度係猶於一相對

J的值，而在遠離該驅動掃描區段105的每一像素電路P 上之牵引導線121DL之寬度係設定於—相對較大的值。 以與該第-具體實施例中相同的方式，在平行於實施該 137414.doc -65· 200947390 電源供應提供線105DSL的第二線路層L2之第三線路層L3 上與該電源供應提供線105DSL分離地實施包括該第一牽 引導線121DL_1與該第二牵引導線121DL_2之牽引導線 121DL。如先前所說明，實施於第三線路層L3上的牽引導 線12 1DL係由諸如多晶矽之一材料製成。藉由以此方式實 施該牽引導線121DL ’該第一牽引導線121DL_1與該第二 牽引導線121DL_2之每一者絕不用作對其他導線的佈局之 一阻障。

藉由依據如上所述之第三具體實施例來調整該第二牽引 導線121DL_2之長度與寬度兩者，該牵引導線mDL之電 阻之範圍變成比作為牽引導線121DL之電阻之範圍而各d 該第一或第二具體實施例提供之範圍更寬。

藉由依據如上所述的第一至第三具體實施例之任一具患 實施例來設計一像素佈局，可以抑制在圖8之圖式中所元 的陰影現象及在圖9C之圖式中所示的串擾現象。該等陰景 及串擾現象係由在沿該電源供應提供線1〇5DSL的複數低 點處之電料所導致，而成為由圖n^UB之圖式中和 示的典型崎像素佈局引起之—問題。目此，在採用各具 有—電流驅動發射型發光裝置（例如，該有機£1裝置丨2 = 的多個像素電路之一顯示設備中，可抑制該等陰影及串擾 現象。因此，可獲得一良好的影像品質。 =請案包含與2_年4月16曰向曰本專利局申請的曰 專射請案JP2__1()6456 t所揭示者有關之標 、’、王部内谷係以引用的方式併入本文中。 137414.doc -66 * 200947390 熟習此項技術者應明白可取決於設計要求及其他因素來 進行各種修改、組合、子組合及變更，只要其落在隨附申 請專利範圍或其等效内容之範疇内。 【圖式簡單說明】 從參考附圖所提供的較佳具體實施例之以上說明已明白 ‘本發明之具體實施例之此等及其他特徵，在該等附圖中： •圖1係粗略顯示依據本發明之一具體實施例之一主動矩 陣有機EL顯示設備之一典型組態的一方塊圖； ® 圖2係顯示用於一依據此具體實施例的像素電路之一第 一典型比較組態的一圖式； 圖3 A係在說明該驅動電晶體與該有機EL裝置之一操作 點時會參考之一解釋圖； 圖3B係在說明該驅動電晶體與該有機EL裝置之特性之 變化對驅動電流產生的影響時會參考之一解釋圖； 圖4係顯示用於—依據此具體實施例的像素電路之一第 二典型比較組態的一圖式； ® 圖5係顯示依據此具體實施例的像素電路之一圖式； 圖6係顯示在說明作為實施該像素電路之一具體實施例 -顯示於圖5之圖式中的具體實施例之基本驅動時序時會參 考的複數個解釋時序圖表之一時序圖； 圖7A係在說明-等效電路及在圖6之時序圖表中所示之 一週期⑷中該像素電路的操作狀態時會參考之_解釋電 路圖； $ 圖7B係在說明-等效電路及在圖6之時序圖表中所示之 137414.doc •67- 200947390 :期(B)中該像素電路的操作狀態時會參考之一解釋電 一圖7C係在說明—等效電路及在圖仏時序圖表中所 一週期（C)巾該像素€路的操作狀態時會 路圖； 1夂解釋電 一圖7D係在說明—等效電路及在圖6之時序圖表中所 週期（D)巾該像素電路的操作狀態 路圖； ，心解擇電 一圖7E係在說明—等效電路及在圖仏時序圖表中所 ^期附該像素電路的操作狀態時會參考之_解釋電 圖係在4明#效電路及在圖6之時序圖表中所示 -週期附該像素電路㈣作㈣時 種 路圖·， 1 <鮮釋電 圖G係在說明一等效電路及在圖6之時序圖表中所示 一週期（G)中該像素電路的操作狀態時會參考之釋 路圖； 町坪1： 圖8係在說明一問題時會參考之一解釋圖，該問題係藉 用作一轉供應線之-電源供應提供線之導線電阻導致 成呈現為在用於在-全白顯示時間顯示一影像之—操 產生之一問題； 圖9Α係在說明該電源供應提供線的導線電阻之影響時會 參考之一解釋電路圖； 圖吨係一驅動電晶體的Vds_Ids特性之一解釋圖·， 1374I4.doc -68- 200947390 圖9C係顯示在顯示一視窗圖案時觀察之一現象的一解釋 圖； 圖10係在說明一機構時會參考之一解釋概念圖，該機構 係依據各項具體實施例提供以用作用於抑制藉由在沿該電 源供應提供線的複數個點處之電壓降導致的顯示不規則之 一機構； 圖11A係顯示依據該具體實施例之一像素電路及針對該 像素電路之一典型比較範例的一電路圖；

圖11B係顯不針對該像素電路之一典型比較範例之一像 素成分佈局的一圖式； 圖12係一用作在說明依據該第一具體實施例之一典型佈 局時會參考之一模型圖的解釋圖，該典型佈局藉由改變在 每-像素電路中之導線之長度來實施較早藉由 參考圖10之圖式所說明之基本原理； 圖13A係一用作在說明依據該第二具體實施例之一典型 佈局時會參考之-模型圖的解釋圖，該典型佈局藉由改變 在每像素電路巾之—㈣導線之寬度來實施較早藉由參 考圖10之圖式所說明之基本原理；以及 圖13闕—用作在說明依據該第三具體實施例之-典型 局夺會/考之模型圖的解釋圖，該典型佈局藉由改變

在每一像素電路中之—笛—矣^ P丨、兹A 弟一牽引導線之長度與寬度來實施 較早藉由參考圖10之圖式所說明之基本原理。 【主要元件符號說明】 主動矩陣有機EL顯示設備 1374I4.doc 69- 200947390 100 顯不面板區段 101 基板 102 像素陣列區段 103 垂直方向驅動區段 104 寫入掃描區段 104WS1 至 104WS_n 寫入掃描線 104WS 與 105DSL 掃描線 105 驅動掃描區段 105DSL 1 至 105DSL η — ——— 電源供應提供線 106 水平方向驅動區段 106HS 視訊信號線 106HS_1 至 l〇6HS—m 視訊信號線 108 端子區段 109 控制區段 120 信號保持電容器 121 驅動電晶體 121DL 牽引導線 121DL_1 第一牽引導線 121DL_2 第一牵引導線 125 取樣電晶體/切換電晶體 125GL 閘極牽引導線 127 有機EL裝置 199 信號線 200 驅動信號產生區段 137414.doc •70· 200947390

220 視訊信號處理區段 Cl 總電容器 C2 電容器 Cel 寄生電容器 D 汲極電極 DS 驅動掃描器 G 間極電極 GND 接地導線 I 驅動電流 Ids 驅動電流 Ids2 藉由另一驅動電晶體121產生之 驅動電流 Iel 發光電流 K 陰極電極 LI 第一線路層 L2 第二線路層 L3 三線路層 Lscan 掃描線 ND121 節點 ND122 節點 P(P1 、 P2及P3 、 P4 、 像素電路 P5 及 P6) S 源極電極 Vcath 陰極電導線 Wcath 陰極導線/陰極電導線 137414.doc -71 -

Claims (1)

1. 200947390 七、申請專利範圍·· i· 一種顯示設備，其具有： —像素陣列區段，其包含： 像素電路，其係各具備一驅動電晶體與一電光裝置 且係佈置為形成一矩陣；以及 •—牽引導線，其係提供於該等像素電路之每一者中 -以用作將該驅動電晶體連接至一電源供應提供線之一 線， © 其中該牵引導線之電阻在該像素電路接近向該電源供 應提供線施加一電源供應電壓之一源極處係相對較大。 2·如请求項1之顯示設備，其中該牵引導線的長度與寬度 之至少一者依據包括該牽引線之該像素電路的位置 動。 3.如睛求項2之顯示設備，其中該牽引導線的長度與寬度 之至v者係變動成使得在驅動各用在該像素電路之— 者巾的該等電光裝置來發射針對所有該#像素電路係均 •句的光之一條件下呈現於該驅動電晶體的電源供應提供 端子上之一電位變成針對所有該等像素電路係均勻。 4·如請求項2之顯示設備，其中·· 該牵引導線係建立於一與該電源供應提供線之—電源 供應線路層分離的牵弓丨導線線路層上；以及 在平行於該電源供應提供線的該電源供應線路層之該 牽引導線、線路層上實施作為—導線部分之包括於該牵弓I 導線中之導線部分’其長度或寬度係依據包括該牽引 137414.doc 200947390 線的該像素電路之該位置而變動。 5. 如請求項1之顯示設備’其中用於製造該牽引導線之一 導線材料具有比用於製造該電源供應提供線之一導線材 料的電阻率更大之一電阻率。 6. 如請求項1之顯示設備’該顯示設備進一步具有一用於 穩定藉由該驅動電晶體產生之一驅動電流的驅動信號穩 定電路。 7. 如請求項6之顯示設備，其中 該像素電路具有 一取樣電晶體’其用於以一提前決定的時序將一視訊 信號傳遞至該驅動電晶體，以及傳遞至一信號保持電容 器，且 該驅動信號穩定電路經組態用以： 藉由將該視訊信號之該電位從一參考電位切換為—信 號電位且反之亦然，來向該取樣電晶體供應該視訊信 號；以及 實施一臨限電壓補償功能來藉由在一時間帶期間將該 取樣電晶體置於一開啟狀態中來將對應於該驅動電晶體 之臨限電壓之一電壓保持於該信號保持電容器中，在該 時間帶中向該驅動電晶體之該電源供應提供端子施加對 應於一用於導致一驅動電流流向該電光裝置的第一電位 之一電壓而向該取樣電晶體施加該視訊信號之該參考電 位。 8·如請求項6之顯示設備，其中 137414.doc • 2· 200947390 該像素電路具有 一取樣電晶體，其用於將一視訊信號傳遞至該驅動電 晶體以及一信號保持電容器，且 該驅動信號穩定電路經組態用以實施： 一臨限電壓補償功能，其用以將對應於該驅動電晶體 的該臨限電壓之一電壓保持於一信號保持電容器中；以及 遷移率補償功能，其用以在一藉由在該臨限電壓補 償功能之執行完成後將該取樣電晶體置於一開啟狀態 ® 中，在將該信號振幅儲存至該信號保持電容器作為視訊 貝訊之一操作中，將對應於該驅動電晶體的遷移率之一 補償電壓與—欲儲存於該信號保持電容器之信號相加。 9.如請求項6之顯示設備，其中 該像素電路具有 一信號保持電容器，且 該，動信號穩定電路經組態用以實施_基於該信號保 φ 谷器之耗合效應的啟動功能，該信號保持電容器 係連接於該驅動電晶禮的控制輸人端子與該驅動電晶體 的驅動電流輸出端子之間。 • i〇.—種顯示設備，其具有： 像素陣列構件，其包含： 象素電路，其係各具備一驅動電晶體與一電光裝置 且係佈置為形成一矩陣；以及 、—牽引導線’其係提供於該等像素電路之每一者中 以用作將該驅動電晶體連接至—電源供應提供線之—導 137414.doc 200947390 線， 其中該牽引導線之電阻在該像素電路接近向該電源供 應提供線施加一電源供應電壓之一源極之處係相對較 大。 137414.doc -4-